JP2897091B2 - ライントランス - Google Patents
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
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- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Coils Of Transformers For General Uses (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、伝送信号を変調、復調
するモデム（変調用装置）等に組み込まれて使用される
ライントランスに関する。
するモデム（変調用装置）等に組み込まれて使用される
ライントランスに関する。
【０００２】
【従来の技術と課題】一般に、電話や電話回線を利用し
て行われるデータ通信システムにおいては、デジタル信
号をアナログ信号に変調したり、復調したりするモデム
が必要不可欠である。モデムには回線を保護するために
ライントランスが内蔵されている。このライントランス
は、モデムや端末機に障害が生じた場合に回線を異常電
圧から保護する。従来、ライントランスとしては、コア
に１次巻線及び２次巻線を巻回し、これを絶縁性ケース
内に収納したものが知られている。
て行われるデータ通信システムにおいては、デジタル信
号をアナログ信号に変調したり、復調したりするモデム
が必要不可欠である。モデムには回線を保護するために
ライントランスが内蔵されている。このライントランス
は、モデムや端末機に障害が生じた場合に回線を異常電
圧から保護する。従来、ライントランスとしては、コア
に１次巻線及び２次巻線を巻回し、これを絶縁性ケース
内に収納したものが知られている。
【０００３】しかしながら、従来のライントランスは、
太い１次巻線、２次巻線を巻回し、これをケースに収納
する構造であることから外径寸法が大きくなり、モデム
の小型化、薄型化の妨げとなっていた。そこで、本発明
の課題は、小型で薄いライントランスを提供することに
ある。
太い１次巻線、２次巻線を巻回し、これをケースに収納
する構造であることから外径寸法が大きくなり、モデム
の小型化、薄型化の妨げとなっていた。そこで、本発明
の課題は、小型で薄いライントランスを提供することに
ある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
め、本発明に係るライントランスは、 （ａ）絶縁性基板と、 （ｂ）前記絶縁性基板の一方の面に配設された１次側コ
イル部と、 （ｃ）前記絶縁性基板の他方の面に配設された２次側コ
イル部とを少なくとも備え、 （ｄ）前記１次側コイル部及び２次側コイル部が、それ
ぞれ、薄膜形成手段にて形成された複数の薄膜導体から
なる第１のコイルパターン層と、前記第１のコイルパタ
ーン層の薄膜導体に対してずれた位置に薄膜形成手段に
て形成された複数の薄膜導体からなる第２のコイルパタ
ーン層と、前記第１及び第２のコイルパターン層に挟ま
れたポリイミド又はポリアミドからなる絶縁体層とから
構成され、 （ｅ）前記第１のコイルパターン層の薄膜導体と前記第
２のコイルパターン層の薄膜導体が、前記絶縁体層に設
けた穴を介して交互に電気的に接続して、前記絶縁性基
板の中央部又は縁部に向かって一定方向に周回する前記
１次側コイル部の１次側コイルと前記２次側コイル部の
２次側コイルを構成し、前記１次側コイルの１次側入力
電極と１次側出力電極がそれぞれ前記絶縁性基板の対向
する縁部の一方の縁部に設けられ、この１次側入力電極
と１次側出力電極がそれぞれ前記絶縁性基板の一方の縁
部に設けた二つの取付け電極に電気的に接続され、前記
２次側コイルの２次側入力電極と２次側出力電極がそれ
ぞれ前記絶縁性基板の他方の縁部に設けられ、この２次
側入力電極と２次側出力電極がそれぞれ前記絶縁性基板
の他方の縁部に設けた二つの取付け電極に電気的に接続
され、かつ、前記１次側コイルのパターンが前記２次側
入力電極と２次側出力電極に対向する角部を円弧状に形
成されて略半円形にされると共に、前記２次側コイルの
パターンが前記１次側入力電極と１次側出力電極に対向
する角部を円弧状に形成されて略半円形にされているこ
と、を特徴とする。
め、本発明に係るライントランスは、 （ａ）絶縁性基板と、 （ｂ）前記絶縁性基板の一方の面に配設された１次側コ
イル部と、 （ｃ）前記絶縁性基板の他方の面に配設された２次側コ
イル部とを少なくとも備え、 （ｄ）前記１次側コイル部及び２次側コイル部が、それ
ぞれ、薄膜形成手段にて形成された複数の薄膜導体から
なる第１のコイルパターン層と、前記第１のコイルパタ
ーン層の薄膜導体に対してずれた位置に薄膜形成手段に
て形成された複数の薄膜導体からなる第２のコイルパタ
ーン層と、前記第１及び第２のコイルパターン層に挟ま
れたポリイミド又はポリアミドからなる絶縁体層とから
構成され、 （ｅ）前記第１のコイルパターン層の薄膜導体と前記第
２のコイルパターン層の薄膜導体が、前記絶縁体層に設
けた穴を介して交互に電気的に接続して、前記絶縁性基
板の中央部又は縁部に向かって一定方向に周回する前記
１次側コイル部の１次側コイルと前記２次側コイル部の
２次側コイルを構成し、前記１次側コイルの１次側入力
電極と１次側出力電極がそれぞれ前記絶縁性基板の対向
する縁部の一方の縁部に設けられ、この１次側入力電極
と１次側出力電極がそれぞれ前記絶縁性基板の一方の縁
部に設けた二つの取付け電極に電気的に接続され、前記
２次側コイルの２次側入力電極と２次側出力電極がそれ
ぞれ前記絶縁性基板の他方の縁部に設けられ、この２次
側入力電極と２次側出力電極がそれぞれ前記絶縁性基板
の他方の縁部に設けた二つの取付け電極に電気的に接続
され、かつ、前記１次側コイルのパターンが前記２次側
入力電極と２次側出力電極に対向する角部を円弧状に形
成されて略半円形にされると共に、前記２次側コイルの
パターンが前記１次側入力電極と１次側出力電極に対向
する角部を円弧状に形成されて略半円形にされているこ
と、を特徴とする。
【０００５】
【作用】以上の構成において、絶縁性基板の両面にそれ
ぞれ１次側コイル部、２次側コイル部を配設し、これら
１次側、２次側コイル部をコイルパターン層と絶縁層か
らなる積層構造としたため、従来の太い１次、２次巻線
を巻回した構造と比較して小型で薄くなる。
ぞれ１次側コイル部、２次側コイル部を配設し、これら
１次側、２次側コイル部をコイルパターン層と絶縁層か
らなる積層構造としたため、従来の太い１次、２次巻線
を巻回した構造と比較して小型で薄くなる。
【０００６】また、１次側、２次側コイル部において
は、それぞれ、第１のコイルパターン層及び第２のコイ
ルパターン層の各導体が絶縁体層に設けた穴にて交互に
電気的に接続して１次側コイル及び２次側コイルを形成
するため、これらのコイルに電流が流れても、第１のコ
イルパターン層と第２のコイルパターン層間に生じる電
位差は抑えられ、小さな浮遊容量の発生ですむ。
は、それぞれ、第１のコイルパターン層及び第２のコイ
ルパターン層の各導体が絶縁体層に設けた穴にて交互に
電気的に接続して１次側コイル及び２次側コイルを形成
するため、これらのコイルに電流が流れても、第１のコ
イルパターン層と第２のコイルパターン層間に生じる電
位差は抑えられ、小さな浮遊容量の発生ですむ。
【０００７】
【実施例】以下、本発明に係るライントランスの一実施
例について添付図面を参照して説明する。図１に示すよ
うに、絶縁性基板１の表裏面全面にスパッタリング、蒸
着等の薄膜技術を用いてＣｕ又はＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ等の
導体膜を形成した後、この導体膜の表面にフォトリソグ
ラフ法によって所望の部分にレジスト膜を形成する。次
に、エッチング処理をしてレジスト膜にて保護された部
分を残して導体膜を除去する。その後、レジスト膜を取
り除き、基板１の表面にそれぞれ相互に離れている第１
の１次側コイル用導体５，６，７、コイル用導体５に接
続している１次側入力電極８、１次側出力電極９を形成
し、かつ、基板１の裏面にそれぞれ相互に離れている第
１の２次側コイル用導体２５，２６，２７（図５参
照）、コイル用導体２５に接続している２次側入力電極
２８、２次側出力電極２９を形成する。ここに、２次側
コイル用導体２５〜２７の形状は、それぞれ１次側コイ
ル用導体５〜７と同様のものである。
例について添付図面を参照して説明する。図１に示すよ
うに、絶縁性基板１の表裏面全面にスパッタリング、蒸
着等の薄膜技術を用いてＣｕ又はＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ等の
導体膜を形成した後、この導体膜の表面にフォトリソグ
ラフ法によって所望の部分にレジスト膜を形成する。次
に、エッチング処理をしてレジスト膜にて保護された部
分を残して導体膜を除去する。その後、レジスト膜を取
り除き、基板１の表面にそれぞれ相互に離れている第１
の１次側コイル用導体５，６，７、コイル用導体５に接
続している１次側入力電極８、１次側出力電極９を形成
し、かつ、基板１の裏面にそれぞれ相互に離れている第
１の２次側コイル用導体２５，２６，２７（図５参
照）、コイル用導体２５に接続している２次側入力電極
２８、２次側出力電極２９を形成する。ここに、２次側
コイル用導体２５〜２７の形状は、それぞれ１次側コイ
ル用導体５〜７と同様のものである。
【０００８】次に、図２に示すように、基板１の表面に
角穴部１０ａ，１０ｂを残してポリイミド又はポリアミ
ドからなる絶縁性樹脂材を印刷等の手段にて塗布した
後、乾燥硬化させて絶縁膜１０を形成する。角穴部１０
ａ，１０ｂは第１の１次側コイル用導体５〜７と後述の
第２の１次側コイル用導体１２〜１４を電気的に接続す
るための接続手段である。１次側コイル用導体５〜７の
それぞれの端部５ａ，６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，７ａ，
７ｂ，７ｃは角穴部１０ａ，１０ｂから露出している。
角穴部１０ａ，１０ｂを残してポリイミド又はポリアミ
ドからなる絶縁性樹脂材を印刷等の手段にて塗布した
後、乾燥硬化させて絶縁膜１０を形成する。角穴部１０
ａ，１０ｂは第１の１次側コイル用導体５〜７と後述の
第２の１次側コイル用導体１２〜１４を電気的に接続す
るための接続手段である。１次側コイル用導体５〜７の
それぞれの端部５ａ，６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，７ａ，
７ｂ，７ｃは角穴部１０ａ，１０ｂから露出している。
【０００９】同様にして、基板１の裏面に角穴部を残し
てポリイミド又はポリアミドからなる絶縁性樹脂材を印
刷等の手段にて塗布した後、乾燥硬化させて絶縁膜３０
を形成する。角穴部は第１の２次側コイル用導体２５〜
２７と後述の第２の２次側コイル用導体３２〜３４を電
気的に接続するための接続手段である。２次側コイル用
導体２５〜２７のそれぞれの端部は角穴部から露出して
いる。
てポリイミド又はポリアミドからなる絶縁性樹脂材を印
刷等の手段にて塗布した後、乾燥硬化させて絶縁膜３０
を形成する。角穴部は第１の２次側コイル用導体２５〜
２７と後述の第２の２次側コイル用導体３２〜３４を電
気的に接続するための接続手段である。２次側コイル用
導体２５〜２７のそれぞれの端部は角穴部から露出して
いる。
【００１０】次に、基板１の表裏全面にスパッタリン
グ、蒸着等の薄膜技術を用いてＣｕ又はＡｇ、Ａｇ−Ｐ
ｄ等の導体膜を形成した後、第１の１次、２次側コイル
用導体５〜７、２５〜２７等を形成した方法と同様の方
法により、図３に示すように、第２の１次側コイル用導
体１２，１３，１４、２次側コイル用導体３２，３３，
３４（図５参照）を形成する。ここに、第２のコイル用
導体１２〜１４，３２〜３４は、積層方向にそれぞれ第
１のコイル用導体５〜７，２５〜２７と重ならないよう
に配設されている。１次側コイル及び２次側コイルの浮
遊容量をより少なくするためである。２次側コイル用導
体３２〜３４の形状は、それぞれ１次側コイル用導体１
２〜１４と同様のものである。なお、１次側コイル用導
体の端部６ｂ，６ｃ，７ｂ及び１次側入力電極８、出力
電極９にもレジスト膜を形成しておき、エッチングの際
にエッチング液から端部６ｂ，６ｃ，７ｂを保護してお
く。同様に、２次側コイル用導体２６，２７の端部及び
２次側入力電極２８、出力電極２９にも同じ処理が施さ
れる。
グ、蒸着等の薄膜技術を用いてＣｕ又はＡｇ、Ａｇ−Ｐ
ｄ等の導体膜を形成した後、第１の１次、２次側コイル
用導体５〜７、２５〜２７等を形成した方法と同様の方
法により、図３に示すように、第２の１次側コイル用導
体１２，１３，１４、２次側コイル用導体３２，３３，
３４（図５参照）を形成する。ここに、第２のコイル用
導体１２〜１４，３２〜３４は、積層方向にそれぞれ第
１のコイル用導体５〜７，２５〜２７と重ならないよう
に配設されている。１次側コイル及び２次側コイルの浮
遊容量をより少なくするためである。２次側コイル用導
体３２〜３４の形状は、それぞれ１次側コイル用導体１
２〜１４と同様のものである。なお、１次側コイル用導
体の端部６ｂ，６ｃ，７ｂ及び１次側入力電極８、出力
電極９にもレジスト膜を形成しておき、エッチングの際
にエッチング液から端部６ｂ，６ｃ，７ｂを保護してお
く。同様に、２次側コイル用導体２６，２７の端部及び
２次側入力電極２８、出力電極２９にも同じ処理が施さ
れる。
【００１１】コイル用導体５の端部５ａは角穴部１０ｂ
にてコイル用導体１２の端部１２ａに電気的に接続され
ている。コイル用導体６の端部６ａ，６ｄは、角穴部１
０ａ，１０ｂにてそれぞれコイル用導体１２の端部１２
ｂ、コイル用導体１３の端部１３ａに電気的に接続され
ている。コイル用導体７の端部７ａ，７ｃは、角穴部１
０ａ，１０ｂにてそれぞれコイル用導体１３の端部１３
ｂ、コイル用導体１４の端部１４ａに電気的に接続され
ている。即ち、１次側コイル４１が、基板１の表面に電
極８−９間に１次側コイル用導体５，１２，６，１３，
７，１４を順に直列に接続して、基板１の中央部に向か
って時計回り方向に周回した状態で形成されている。同
様にして、２次側コイル４２が基板１の裏面に、電極２
８−２９間に２次側コイル用導体２５，３２，２６，３
３，２７，３４を順に直列に接続した状態で形成されて
いる。さらに具体的に説明すると、１次側コイル４１の
１次側入力電極８と１次側出力電極９が、それぞれ基板
１の対向する縁部の一方の縁部に設けられている。２次
側コイル４２の２次側入力電極２８と２次側出力電極２
９が、それぞれ基板１の他方の縁部に設けられている。
そして、１次側コイル４１のパターンは、２次側入力電
極２８と２次側出力電極２９に対向する角部を円弧状に
形成され、略半円形にされている。同様に、２次側コイ
ル４２のパターンは、１次側入力電極８と１次側出力電
極９に対向する角部を円弧状に形成され、略半円形にさ
れている。
にてコイル用導体１２の端部１２ａに電気的に接続され
ている。コイル用導体６の端部６ａ，６ｄは、角穴部１
０ａ，１０ｂにてそれぞれコイル用導体１２の端部１２
ｂ、コイル用導体１３の端部１３ａに電気的に接続され
ている。コイル用導体７の端部７ａ，７ｃは、角穴部１
０ａ，１０ｂにてそれぞれコイル用導体１３の端部１３
ｂ、コイル用導体１４の端部１４ａに電気的に接続され
ている。即ち、１次側コイル４１が、基板１の表面に電
極８−９間に１次側コイル用導体５，１２，６，１３，
７，１４を順に直列に接続して、基板１の中央部に向か
って時計回り方向に周回した状態で形成されている。同
様にして、２次側コイル４２が基板１の裏面に、電極２
８−２９間に２次側コイル用導体２５，３２，２６，３
３，２７，３４を順に直列に接続した状態で形成されて
いる。さらに具体的に説明すると、１次側コイル４１の
１次側入力電極８と１次側出力電極９が、それぞれ基板
１の対向する縁部の一方の縁部に設けられている。２次
側コイル４２の２次側入力電極２８と２次側出力電極２
９が、それぞれ基板１の他方の縁部に設けられている。
そして、１次側コイル４１のパターンは、２次側入力電
極２８と２次側出力電極２９に対向する角部を円弧状に
形成され、略半円形にされている。同様に、２次側コイ
ル４２のパターンは、１次側入力電極８と１次側出力電
極９に対向する角部を円弧状に形成され、略半円形にさ
れている。
【００１２】次に、図４及び図５に示すように、電極
８，９，２８，２９に接続された取付け電極５０，５
１，５２，５３を基板１の縁部に形成した後、保護膜５
４，５５にて基板１の表裏面を被覆する。こうして得ら
れたライントランスは、基板１の表面にはコイル用導体
５〜７、１２〜１４と絶縁膜１０と保護膜５４からなる
１次側コイル部２を備え、基板１の裏面にはコイル用導
体２５〜２７、３２〜３４と絶縁膜３０と保護膜５５か
らなる２次側コイル部３を備えた積層構造をしているの
で、従来の太い１次、２次巻線をコアに巻回した構造の
ライントランスと比較して小型化、薄型化できる。
８，９，２８，２９に接続された取付け電極５０，５
１，５２，５３を基板１の縁部に形成した後、保護膜５
４，５５にて基板１の表裏面を被覆する。こうして得ら
れたライントランスは、基板１の表面にはコイル用導体
５〜７、１２〜１４と絶縁膜１０と保護膜５４からなる
１次側コイル部２を備え、基板１の裏面にはコイル用導
体２５〜２７、３２〜３４と絶縁膜３０と保護膜５５か
らなる２次側コイル部３を備えた積層構造をしているの
で、従来の太い１次、２次巻線をコアに巻回した構造の
ライントランスと比較して小型化、薄型化できる。
【００１３】さらに、１次側コイル４１及び２次側コイ
ル４２に電流が流れても、絶縁膜１０を挟んで隣接する
コイル用導体５〜７と１２〜１４の間と、絶縁膜３０を
挟んで隣接するコイル用導体２５〜２７と３２〜３４の
間には電位差は殆どなく、小さな浮遊容量の発生です
む。従って、積層型ライントランスは、高周波域での浮
遊容量による周波数特性の劣化を抑えることができる。
具体的に説明すると、前記製造手順にて作製した巻線回
数が８回のライントランスのインダクタンス値は９２．
３８ｍＨであり、浮遊容量は０．３０ｐＦであった（こ
のときのコイル用導体の線幅は５３〜５５μｍ）。これ
に対して、例えば、１次側、２次側コイルを、それぞ
れ、単一の導体からなる第１のコイルパターン層と単一
の導体からなる第２のコイルパターン層を直列に接続し
て構成した積層型ライントランスを作製して比較した。
この結果、本実施例の積層型ライントランスと略同じイ
ンダクタンス値を有するものは、０．７０ｐＦの浮遊容
量が発生した。すなわち、本実施例の積層型ライントラ
ンスは、その許容使用周波数を、比較した積層型トラン
スの略２倍にすることができる。
ル４２に電流が流れても、絶縁膜１０を挟んで隣接する
コイル用導体５〜７と１２〜１４の間と、絶縁膜３０を
挟んで隣接するコイル用導体２５〜２７と３２〜３４の
間には電位差は殆どなく、小さな浮遊容量の発生です
む。従って、積層型ライントランスは、高周波域での浮
遊容量による周波数特性の劣化を抑えることができる。
具体的に説明すると、前記製造手順にて作製した巻線回
数が８回のライントランスのインダクタンス値は９２．
３８ｍＨであり、浮遊容量は０．３０ｐＦであった（こ
のときのコイル用導体の線幅は５３〜５５μｍ）。これ
に対して、例えば、１次側、２次側コイルを、それぞ
れ、単一の導体からなる第１のコイルパターン層と単一
の導体からなる第２のコイルパターン層を直列に接続し
て構成した積層型ライントランスを作製して比較した。
この結果、本実施例の積層型ライントランスと略同じイ
ンダクタンス値を有するものは、０．７０ｐＦの浮遊容
量が発生した。すなわち、本実施例の積層型ライントラ
ンスは、その許容使用周波数を、比較した積層型トラン
スの略２倍にすることができる。
【００１４】なお、本発明に係るライントランスは前記
実施例に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で
種々に変形することができる。特に、前記実施例では１
次側コイル及び２次側コイルをそれぞれ二つのコイルパ
ターン層にて構成した場合を説明したが、必ずしもこれ
に限定されるものではなく、三つ以上のコイルパターン
層にて１次側コイル及び２次側コイルを形成し、より高
インダクタンスのライントランスを作製してもよい。
実施例に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で
種々に変形することができる。特に、前記実施例では１
次側コイル及び２次側コイルをそれぞれ二つのコイルパ
ターン層にて構成した場合を説明したが、必ずしもこれ
に限定されるものではなく、三つ以上のコイルパターン
層にて１次側コイル及び２次側コイルを形成し、より高
インダクタンスのライントランスを作製してもよい。
【００１５】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、絶縁性基板の表裏面にそれぞれ１次側コイル部
と２次側コイル部を配設し、これら１次側、２次側コイ
ル部がコイルパターン層と絶縁体層からなる積層構造で
あるので、従来の１次、２次巻線をコアに巻回した構造
のライントランスと比較して小型化、薄型化できる。
よれば、絶縁性基板の表裏面にそれぞれ１次側コイル部
と２次側コイル部を配設し、これら１次側、２次側コイ
ル部がコイルパターン層と絶縁体層からなる積層構造で
あるので、従来の１次、２次巻線をコアに巻回した構造
のライントランスと比較して小型化、薄型化できる。
【００１６】また、１次側コイル及び２次側コイルにお
いては、それぞれ第１のコイルパターン層及び第２のコ
イルパターン層の導体が絶縁体層に設けた穴を介して交
互に電気的に接続して、絶縁性基板の中央部又は縁部に
向かって一定方向に周回している。従って、１次側、２
次側コイルに電流が流れても、それぞれ第１のコイルパ
ターン層と第２のコイルパターン層の間の電位差が小さ
く、小さな浮遊容量の発生ですみ、高周波域での浮遊容
量による周波数特性の劣化を抑えることができるライン
トランスが得られる。
いては、それぞれ第１のコイルパターン層及び第２のコ
イルパターン層の導体が絶縁体層に設けた穴を介して交
互に電気的に接続して、絶縁性基板の中央部又は縁部に
向かって一定方向に周回している。従って、１次側、２
次側コイルに電流が流れても、それぞれ第１のコイルパ
ターン層と第２のコイルパターン層の間の電位差が小さ
く、小さな浮遊容量の発生ですみ、高周波域での浮遊容
量による周波数特性の劣化を抑えることができるライン
トランスが得られる。
【図１】本発明に係るライントランスの一実施例の製造
手順を説明するための平面図。
手順を説明するための平面図。
【図２】図１に続く製造手順を説明するための平面図。
【図３】図２に続く製造手順を説明するための平面図。
【図４】図３に示されているライントランスの斜視図。
【図５】図４のＸ−Ｘ’の断面図。
１…絶縁性基板 ２…１次側コイル部 ３…２次側コイル部 ５，６，７…１次側コイル用導体（第１の１次側コイル
パターン層の導体） １０…絶縁膜 １０ａ，１０ｂ…角穴部 １２，１３，１４…１次側コイル用導体（第２の１次側
コイルパターン層の導体） ２５，２６，２７…２次側コイル用導体（第１の２次側
コイルパターン層の導体） ３０…絶縁膜 ３２，３３，３４…２次側コイル用導体（第２の２次側
コイルパターン層の導体） ４１…１次側コイル ４２…２次側コイル
パターン層の導体） １０…絶縁膜 １０ａ，１０ｂ…角穴部 １２，１３，１４…１次側コイル用導体（第２の１次側
コイルパターン層の導体） ２５，２６，２７…２次側コイル用導体（第１の２次側
コイルパターン層の導体） ３０…絶縁膜 ３２，３３，３４…２次側コイル用導体（第２の２次側
コイルパターン層の導体） ４１…１次側コイル ４２…２次側コイル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭55−96605（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−108714（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−208909（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−171705（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−5806（ＪＰ，Ａ) 実開 平３−97386（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01F 19/00 - 19/08 H01F 17/00 H01F 27/28 - 27/32
Claims (1)
- 【請求項１】 絶縁性基板と、 前記絶縁性基板の一方の面に配設された１次側コイル部
と、 前記絶縁性基板の他方の面に配設された２次側コイル部
とを少なくとも備え、 前記１次側コイル部及び２次側コイル部が、それぞれ、
薄膜形成手段にて形成された複数の薄膜導体からなる第
１のコイルパターン層と、前記第１のコイルパターン層
の薄膜導体に対してずれた位置に薄膜形成手段にて形成
された複数の薄膜導体からなる第２のコイルパターン層
と、前記第１及び第２のコイルパターン層に挟まれたポ
リイミド又はポリアミドからなる絶縁体層とから構成さ
れ、 前記第１のコイルパターン層の薄膜導体と前記第２のコ
イルパターン層の薄膜導体が、前記絶縁体層に設けた穴
を介して交互に電気的に接続して、前記絶縁性基板の中
央部又は縁部に向かって一定方向に周回する前記１次側
コイル部の１次側コイルと前記２次側コイル部の２次側
コイルを構成し、前記１次側コイルの１次側入力電極と
１次側出力電極がそれぞれ前記絶縁性基板の対向する縁
部の一方の縁部に設けられ、この１次側入力電極と１次
側出力電極がそれぞれ前記絶縁性基板の一方の縁部に設
けた二つの取付け電極に電気的に接続され、前記２次側
コイルの２次側入力電極と２次側出力電極がそれぞれ前
記絶縁性基板の他方の縁部に設けられ、この２次側入力
電極と２次側出力電極がそれぞれ前記絶縁性基板の他方
の縁部に設けた二つの取付け電極に電気的に接続され、
かつ、前記１次側コイルのパターンが前記２次側入力電
極と２次側出力電極に対向する角部を円弧状に形成され
て略半円形にされると共に、前記２次側コイルのパター
ンが前記１次側入力電極と１次側出力電極に対向する角
部を円弧状に形成されて略半円形にされていること、 を特徴とするライントランス。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4182514A JP2897091B2 (ja) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | ライントランス |
| US08/087,287 US5363081A (en) | 1992-07-09 | 1993-07-08 | Line transformer and manufacturing process thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4182514A JP2897091B2 (ja) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | ライントランス |
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| JPH0653052A JPH0653052A (ja) | 1994-02-25 |
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ID=16119634
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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1993
- 1993-07-08 US US08/087,287 patent/US5363081A/en not_active Expired - Lifetime
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