JPH02262308A - 平面インダクタ - Google Patents
平面インダクタInfo
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- JPH02262308A JPH02262308A JP8365089A JP8365089A JPH02262308A JP H02262308 A JPH02262308 A JP H02262308A JP 8365089 A JP8365089 A JP 8365089A JP 8365089 A JP8365089 A JP 8365089A JP H02262308 A JPH02262308 A JP H02262308A
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- JP
- Japan
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- inductance
- amorphous layer
- magnetic flux
- magnetic
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- Pending
Links
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- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 4
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 12
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- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Landscapes
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は平面インダクタに関し、特にスパイラル状コイ
ルの両面に絶縁層を介して設ける磁性体に改良を施した
ものである。
ルの両面に絶縁層を介して設ける磁性体に改良を施した
ものである。
（従来の技術）
従来、平面インダクタとしては、スパイラル状コイルの
両面に絶縁層を介して磁性体を設けた構造のものが知ら
れている。ここで、磁性体の材料としては、従来Ｃｏ系
アモルファスを用いた場合（前者）、及びＦｅ系アモル
ファスを用いた場合（後者）等がある。
両面に絶縁層を介して磁性体を設けた構造のものが知ら
れている。ここで、磁性体の材料としては、従来Ｃｏ系
アモルファスを用いた場合（前者）、及びＦｅ系アモル
ファスを用いた場合（後者）等がある。
しかしながら、前者の場合は、高いインダクタンスは得
られるが、直流重畳特性が悪い。一方、後者の場合は、
直流重畳特性は得られるが、インダクタンスが低くなる
ため、低負荷電流時の効率が低下する。第３図は、これ
らの材料を用いた場合の磁性体の電流とインダクタンス
との関係を示す特性図であり、図中の（イ）は前者の場
合。
られるが、直流重畳特性が悪い。一方、後者の場合は、
直流重畳特性は得られるが、インダクタンスが低くなる
ため、低負荷電流時の効率が低下する。第３図は、これ
らの材料を用いた場合の磁性体の電流とインダクタンス
との関係を示す特性図であり、図中の（イ）は前者の場
合。
（ロ）は後者の場合を示す。
（発明が解決しようとする課題）
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、高透磁率で
飽和磁束密度の大きい磁性体をスパイラル状フィルの両
面に絶縁層を介して設けることにより、低負荷電流時に
高いインダクタンスが得られ、かつ高負ｒＡｊ ｍ ｍ
時でも必要なインダクタンスが得られる平面インダクタ
を提供することを目的とする。
飽和磁束密度の大きい磁性体をスパイラル状フィルの両
面に絶縁層を介して設けることにより、低負荷電流時に
高いインダクタンスが得られ、かつ高負ｒＡｊ ｍ ｍ
時でも必要なインダクタンスが得られる平面インダクタ
を提供することを目的とする。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明は、スパイラル状コイルと、このコイルの両面に
絶縁層を介して設けられた高透磁率で飽和磁束密度の大
きい磁性体とを具備することを特徴とする平面インダク
タである。
絶縁層を介して設けられた高透磁率で飽和磁束密度の大
きい磁性体とを具備することを特徴とする平面インダク
タである。
本発明において、高透磁率で飽和磁束密度の大きい磁性
体としては、例えば高透磁率を有するＣｏ系アモルファ
ス層と飽和磁束密度が高いＦｅ系アモルファス層を積層
した磁性体が挙げられる。
体としては、例えば高透磁率を有するＣｏ系アモルファ
ス層と飽和磁束密度が高いＦｅ系アモルファス層を積層
した磁性体が挙げられる。
（作用）
本発明によれば、上記［手段］で述べたように構成する
ことにより、第４図に示すような電流インダクタンス特
性が得られる。つまり、低負荷電流時に高いインダクタ
ンスを得ることができ、かつ高負荷電流時でも必要なイ
ンダクタンスを得ることができる。
ことにより、第４図に示すような電流インダクタンス特
性が得られる。つまり、低負荷電流時に高いインダクタ
ンスを得ることができ、かつ高負荷電流時でも必要なイ
ンダクタンスを得ることができる。
（実施例）
以下、本発明の一実施例を第１図を参照して説明する。
図中の１は、例えばアルミナ製の絶縁基板である。この
絶縁基板１上に本発明に係る平面インダクタ２が形成さ
れている。この平面インダクタ２は、スパイラル状コイ
ル３と、このコイル３の両面に絶縁層４を介して形成さ
れた磁性体５．６とから構成されている。ここで、磁性
体５．６は、例えば透磁率の高いＣｏ系アモルファス層
と飽和磁束密度が大きいＦｅ系アモルファス層を積層し
た構成となっている。
絶縁基板１上に本発明に係る平面インダクタ２が形成さ
れている。この平面インダクタ２は、スパイラル状コイ
ル３と、このコイル３の両面に絶縁層４を介して形成さ
れた磁性体５．６とから構成されている。ここで、磁性
体５．６は、例えば透磁率の高いＣｏ系アモルファス層
と飽和磁束密度が大きいＦｅ系アモルファス層を積層し
た構成となっている。
しかして、上記実施例に係る平面インダクタンスによれ
ば、スパイラル状コイル３と、このコ・ｒル３の両面に
絶縁層４を介して形成された磁性体５．６とからなり、
しかもこの磁性体５，６が夫々透磁率の高いＣｏ系アモ
ルファス層と飽和磁束密度が大きいＦｅ系アモルファス
層を積層した構成となっているため、低負荷電流時には
Ｃｏ系アモルファス層により高いインダクタンスが得ら
れ、かつ高負荷電流時でもＦｅ系アモルファス層により
必要なインダクタンスが得られる。第４図は、上記実施
例に係る平面インダクタンスに用いた磁性体の電流−イ
ンダクタンス特性を示したもので、同図により上述した
効果得られることが明らかである。
ば、スパイラル状コイル３と、このコ・ｒル３の両面に
絶縁層４を介して形成された磁性体５．６とからなり、
しかもこの磁性体５，６が夫々透磁率の高いＣｏ系アモ
ルファス層と飽和磁束密度が大きいＦｅ系アモルファス
層を積層した構成となっているため、低負荷電流時には
Ｃｏ系アモルファス層により高いインダクタンスが得ら
れ、かつ高負荷電流時でもＦｅ系アモルファス層により
必要なインダクタンスが得られる。第４図は、上記実施
例に係る平面インダクタンスに用いた磁性体の電流−イ
ンダクタンス特性を示したもので、同図により上述した
効果得られることが明らかである。
なお、上記実施例で７は、平面インダクタに係る磁性体
として、Ｃｏ系アモルファス層とＦｅ系アモルファス層
とを積層したものを用いた場合について述べたが、これ
に限定されず、低負荷電流時及び高負荷電流時に必要な
インダクタンスかえられれば他の材料の磁性体を用いて
もよい。
として、Ｃｏ系アモルファス層とＦｅ系アモルファス層
とを積層したものを用いた場合について述べたが、これ
に限定されず、低負荷電流時及び高負荷電流時に必要な
インダクタンスかえられれば他の材料の磁性体を用いて
もよい。
［発明の効果］
以上詳述した如く本発明によれば、高透磁率で飽和磁束
密度の大きい磁性体をスパイラル状コイルの両面に絶縁
層を介して設けることにより、低負荷電流時に高いイン
ダクタンスが得られ、かつ高負荷電流時でも必要なイン
ダクタンスが得られる特性の良い平面インダクタを提供
できる。
密度の大きい磁性体をスパイラル状コイルの両面に絶縁
層を介して設けることにより、低負荷電流時に高いイン
ダクタンスが得られ、かつ高負荷電流時でも必要なイン
ダクタンスが得られる特性の良い平面インダクタを提供
できる。
第１図は本発明の一実施例に係る平面インダクタの平面
図、第２図は第１図のＸ−Ｘ線に沿う断面図、第３図は
従来の平面インダクタに係る磁性体の電流−インダクタ
ンスの関係を示す特性図、第４図は本発明に係る平面イ
ンダクタに係る磁性体の電流−インダクタンスの関係を
示す特性図である。 １・・・絶縁基板、２・・・平面インダクタ、３・・・
スパイラル状コイル、４・・・絶縁層、５，６・・・磁
性体。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
図、第２図は第１図のＸ−Ｘ線に沿う断面図、第３図は
従来の平面インダクタに係る磁性体の電流−インダクタ
ンスの関係を示す特性図、第４図は本発明に係る平面イ
ンダクタに係る磁性体の電流−インダクタンスの関係を
示す特性図である。 １・・・絶縁基板、２・・・平面インダクタ、３・・・
スパイラル状コイル、４・・・絶縁層、５，６・・・磁
性体。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
Claims (1)
- スパイラル状コイルと、このコイルの両面に絶縁層を
介して設けられた高透磁率で飽和磁束密度の大きい磁性
体とを具備することを特徴とする平面インダクタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8365089A JPH02262308A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 平面インダクタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8365089A JPH02262308A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 平面インダクタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02262308A true JPH02262308A (ja) | 1990-10-25 |
Family
ID=13808327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8365089A Pending JPH02262308A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 平面インダクタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02262308A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04223307A (ja) * | 1990-12-25 | 1992-08-13 | Murata Mfg Co Ltd | シールド付チップ型コイル |
| US5604383A (en) * | 1994-05-11 | 1997-02-18 | Fuji Electric Co., Ltd. | Stabilized power supply device using a flip chip as an active component |
| US7173318B2 (en) * | 2000-07-28 | 2007-02-06 | Newport Fab, Llc | On-chip inductors |
| JP2009182168A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Tdk Corp | 磁性薄膜および薄膜磁気デバイス |
-
1989
- 1989-03-31 JP JP8365089A patent/JPH02262308A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04223307A (ja) * | 1990-12-25 | 1992-08-13 | Murata Mfg Co Ltd | シールド付チップ型コイル |
| US5604383A (en) * | 1994-05-11 | 1997-02-18 | Fuji Electric Co., Ltd. | Stabilized power supply device using a flip chip as an active component |
| US7173318B2 (en) * | 2000-07-28 | 2007-02-06 | Newport Fab, Llc | On-chip inductors |
| JP2009182168A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Tdk Corp | 磁性薄膜および薄膜磁気デバイス |
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