JPH09199365A - 高周波インダクタの製造方法 - Google Patents
高周波インダクタの製造方法Info
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- JPH09199365A JPH09199365A JP2183896A JP2183896A JPH09199365A JP H09199365 A JPH09199365 A JP H09199365A JP 2183896 A JP2183896 A JP 2183896A JP 2183896 A JP2183896 A JP 2183896A JP H09199365 A JPH09199365 A JP H09199365A
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- conductor pattern
- conductor
- film
- spiral
- frequency inductor
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- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 精度のよい導体パターンを形成して公差の小
さいインダクタを得るとともに、導体膜厚を大きくして
Qを向上させる。 【解決手段】 導体ペーストを用いて絶縁基板上に導体
膜を形成し、エッチングによって所定のスパイラル導体
パターンを形成する。スパイラル導体パターンの中央の
端部は絶縁層を介して端子に接続される導体パターンと
接続される。
さいインダクタを得るとともに、導体膜厚を大きくして
Qを向上させる。 【解決手段】 導体ペーストを用いて絶縁基板上に導体
膜を形成し、エッチングによって所定のスパイラル導体
パターンを形成する。スパイラル導体パターンの中央の
端部は絶縁層を介して端子に接続される導体パターンと
接続される。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は高周波領域で用いら
れるインダクタの製造方法に係るもので、特に絶縁基板
上にスパイラル状の導体パターンを形成する高周波イン
ダクタの製造方法に関するものである。
れるインダクタの製造方法に係るもので、特に絶縁基板
上にスパイラル状の導体パターンを形成する高周波イン
ダクタの製造方法に関するものである。
【0002】
【従来技術】インダクタ(コイル)の分野でも小型化・
薄型化の要求に対応するために、巻線を用いないタイプ
のインダクタが実用化されている。これらのインダクタ
はスクリーン印刷法や薄膜法によって製造されるものが
多い。
薄型化の要求に対応するために、巻線を用いないタイプ
のインダクタが実用化されている。これらのインダクタ
はスクリーン印刷法や薄膜法によって製造されるものが
多い。
【0003】スクリーン印刷法によって導体パターンの
形成する場合、導体パターンの線幅を数十μm以下に形
成することはできず、またその精度も十分でなく、設計
値から数十μm程度ずれるのが一般的である。
形成する場合、導体パターンの線幅を数十μm以下に形
成することはできず、またその精度も十分でなく、設計
値から数十μm程度ずれるのが一般的である。
【0004】それに対して薄膜法(スパッタリング法な
ど)によって導体パターンを形成した場合、その膜厚を
大きくすることができず、せいぜい数μm程度しか得ら
れない。導体抵抗を小さくしてQを大きくするために
は、膜厚を大きくする必要があるので、その上に導体の
メッキ層を形成するのが一般的である。
ど)によって導体パターンを形成した場合、その膜厚を
大きくすることができず、せいぜい数μm程度しか得ら
れない。導体抵抗を小さくしてQを大きくするために
は、膜厚を大きくする必要があるので、その上に導体の
メッキ層を形成するのが一般的である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の製
造方法では、高いQを得ることができるが精度の高い高
周波インダクタが得られなかったり、精度は良いがQを
大きくすることが難しくなったり、製造工数が多くなる
といった問題がある。
造方法では、高いQを得ることができるが精度の高い高
周波インダクタが得られなかったり、精度は良いがQを
大きくすることが難しくなったり、製造工数が多くなる
といった問題がある。
【0006】本発明は、高い精度で導体パターンを形成
して狭公差のインダクタを得るとともに、膜厚も大きく
することができてQの高いインダクタを提供するもので
ある。
して狭公差のインダクタを得るとともに、膜厚も大きく
することができてQの高いインダクタを提供するもので
ある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、厚膜の導体パ
ターンをエッチングによって処理することによって、上
記の課題を解決するものである。
ターンをエッチングによって処理することによって、上
記の課題を解決するものである。
【0008】すなわち、絶縁基板上に導体パターンをス
パイラル状に形成する高周波インダクタの製造方法にお
いて、導体ペーストを絶縁基板の全面に塗布した後に焼
き付け、その導体層をエッチングしてスパイラル状の導
体パターンを形成し、その導体パターンの表面に絶縁膜
を形成し、導体パターンの中央の端部の絶縁膜をエッチ
ングしてスルーホールを形成し、導体パターンの中央の
端部をスルーホールを介して絶縁膜上の導体パターンと
接続することに特徴を有するものである。
パイラル状に形成する高周波インダクタの製造方法にお
いて、導体ペーストを絶縁基板の全面に塗布した後に焼
き付け、その導体層をエッチングしてスパイラル状の導
体パターンを形成し、その導体パターンの表面に絶縁膜
を形成し、導体パターンの中央の端部の絶縁膜をエッチ
ングしてスルーホールを形成し、導体パターンの中央の
端部をスルーホールを介して絶縁膜上の導体パターンと
接続することに特徴を有するものである。
【0009】導体パターンの両端は、絶縁基板の対向す
る端面に形成される外部端子電極と接続される。すなわ
ち、絶縁膜上の導体パターンはスパイラル状導体パター
ンの外側の端部と反対側の端面に引き出される。
る端面に形成される外部端子電極と接続される。すなわ
ち、絶縁膜上の導体パターンはスパイラル状導体パター
ンの外側の端部と反対側の端面に引き出される。
【0010】
【発明の実施の態様】本発明による高周波インダクタの
製造方法のプロセスを示すと次のようになる。 絶縁基板表面への導体ペーストの印刷 導体ペーストの乾燥・焼付 導体層のエッチング(スパイラル状パターンの形成) 絶縁膜の形成 絶縁膜上の導体パターンの形成 外部端子電極の形成
製造方法のプロセスを示すと次のようになる。 絶縁基板表面への導体ペーストの印刷 導体ペーストの乾燥・焼付 導体層のエッチング(スパイラル状パターンの形成) 絶縁膜の形成 絶縁膜上の導体パターンの形成 外部端子電極の形成
【0011】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例につ
いて説明する。
いて説明する。
【0012】図1から図5は本発明の工程を示す平面図
である。図1に示したように、アルミナ等の絶縁性基板
10の全面に銀等の導体ペースト11を所定の厚みで塗布し
て厚膜を形成する。この導体ペーストの膜を焼き付けて
導体膜を形成する。
である。図1に示したように、アルミナ等の絶縁性基板
10の全面に銀等の導体ペースト11を所定の厚みで塗布し
て厚膜を形成する。この導体ペーストの膜を焼き付けて
導体膜を形成する。
【0013】次に、図2に示したように、導体ペースト
を焼き付けて形成された導体膜をエッチングして、スパ
イラル状の導体パターン12を形成する。スパイラル状の
導体パターン12の外側の端部は絶縁基板の端面の端子電
極13に接続され、中央の端部は浮いた状態となってい
る。なお、端子電極13の形成された端面に対向する端面
の側にも端子電極14を形成しておく。これらは、同じエ
ッチングの工程で形成することができる。
を焼き付けて形成された導体膜をエッチングして、スパ
イラル状の導体パターン12を形成する。スパイラル状の
導体パターン12の外側の端部は絶縁基板の端面の端子電
極13に接続され、中央の端部は浮いた状態となってい
る。なお、端子電極13の形成された端面に対向する端面
の側にも端子電極14を形成しておく。これらは、同じエ
ッチングの工程で形成することができる。
【0014】その後、図3に示したように、端子電極1
3、14を除く部分に絶縁膜15を形成する。この絶縁膜は
絶縁体ペーストを塗布して形成するとよいが、絶縁性の
樹脂を用いてもよい。端子電極13、14の部分にも形成し
て、後のエッチング工程で除去するようにしてもよい。
3、14を除く部分に絶縁膜15を形成する。この絶縁膜は
絶縁体ペーストを塗布して形成するとよいが、絶縁性の
樹脂を用いてもよい。端子電極13、14の部分にも形成し
て、後のエッチング工程で除去するようにしてもよい。
【0015】次に、図4に示したように、絶縁膜15のス
パイラル状の導体パターンの中央の先端部が位置する部
分をエッチングして除去して、導体パターン12の先端部
分を露出される。このエッチングのときに、端子電極1
3、14の上に形成した絶縁膜を除去してもよい。
パイラル状の導体パターンの中央の先端部が位置する部
分をエッチングして除去して、導体パターン12の先端部
分を露出される。このエッチングのときに、端子電極1
3、14の上に形成した絶縁膜を除去してもよい。
【0016】図5に示したように、導体パターン12の先
端部と端子電極14とを接続する導体パターン16が絶縁膜
上に形成される。この後に絶縁膜15の焼成と導体パター
ン16の焼付を行うとよい。
端部と端子電極14とを接続する導体パターン16が絶縁膜
上に形成される。この後に絶縁膜15の焼成と導体パター
ン16の焼付を行うとよい。
【0017】図には示さないが、端子電極が形成された
絶縁基板の端面に導体ペーストが塗布され、焼き付けら
れて外部端子電極が形成される。上記の導体パターン16
の焼付と同時に処理することもできる。
絶縁基板の端面に導体ペーストが塗布され、焼き付けら
れて外部端子電極が形成される。上記の導体パターン16
の焼付と同時に処理することもできる。
【0018】必要があれば、導体パターン16の表面等を
絶縁膜で覆って、導体パターンの経時変化を少なくする
ように処理してもよい。なお、スパイラルの導体パター
ンを二層以上形成する場合には、上記の工程を繰り返せ
はよい。また、絶縁膜上の導体パターンは薄膜法とメッ
キ法を組み合わせた工程によって形成してもよい。
絶縁膜で覆って、導体パターンの経時変化を少なくする
ように処理してもよい。なお、スパイラルの導体パター
ンを二層以上形成する場合には、上記の工程を繰り返せ
はよい。また、絶縁膜上の導体パターンは薄膜法とメッ
キ法を組み合わせた工程によって形成してもよい。
【0019】
【発明の効果】本発明によれば、導体ペーストのエッチ
ングにより膜厚が大きくて低抵抗の導体パターンを形成
することができるので、高いQの高周波インダクタが得
られる。また、フォトリソ技術によって形成するので、
パターンの精度が良好で狭公差の高周波インダクタが得
られる。
ングにより膜厚が大きくて低抵抗の導体パターンを形成
することができるので、高いQの高周波インダクタが得
られる。また、フォトリソ技術によって形成するので、
パターンの精度が良好で狭公差の高周波インダクタが得
られる。
【0020】更に、厚膜によって端子電極を形成するこ
とができるので、端子電極を直接焼き付けて形成するこ
とが可能となる利点もある。
とができるので、端子電極を直接焼き付けて形成するこ
とが可能となる利点もある。
【図1】 本発明の実施例を示す平面図
【図2】 本発明の実施例を示す平面図
【図3】 本発明の実施例を示す平面図
【図4】 本発明の実施例を示す平面図
【図5】 本発明の実施例を示す平面図
12:スパイラル状導体パターン 13、14:端子電極 15:絶縁層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坂倉 光男 埼玉県比企郡玉川村大字玉川字日野原828 番地 東光株式会社玉川工場内
Claims (5)
- 【請求項1】 絶縁基板上に導体パターンをスパイラル
状に形成する高周波インダクタの製造方法において、導
体ペーストを絶縁基板の全面に塗布した後に焼き付け、
その導体層をエッチングしてスパイラル状の導体パター
ンを形成し、その導体パターンの表面に絶縁膜を形成
し、導体パターンの中央の端部の絶縁膜をエッチングし
てスルーホールを形成し、導体パターンの中央の端部を
スルーホールを介して絶縁膜上の導体パターンと接続す
ることを特徴とする高周波インダクタの製造方法。 - 【請求項2】 絶縁基板上に導体パターンをスパイラル
状に形成する高周波インダクタの製造方法において、導
体ペーストを絶縁基板の全面に塗布した後に焼き付け、
その導体層をエッチングしてスパイラル状の導体パター
ンを形成し、その導体パターンの表面に絶縁膜を形成
し、導体パターンの中央の端部の絶縁膜をエッチングし
てスルーホールを形成し、導体パターンの中央の端部を
スルーホールを介して基板の端面に形成された端子電極
に接続された絶縁膜上の導体パターンと接続することを
特徴とする高周波インダクタの製造方法。 - 【請求項3】 端子電極を絶縁基板の対向する端面側に
形成する請求項2記載の高周波インダクタの製造方法。 - 【請求項4】 当該端面に端子電極に接続される外部端
子電極を形成する請求項3記載の高周波インダクタの製
造方法。 - 【請求項5】 当該端面に導体ペーストを塗布した後に
焼き付けて外部端子電極を形成する請求項4記載の高周
波インダクタの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2183896A JPH09199365A (ja) | 1996-01-12 | 1996-01-12 | 高周波インダクタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2183896A JPH09199365A (ja) | 1996-01-12 | 1996-01-12 | 高周波インダクタの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09199365A true JPH09199365A (ja) | 1997-07-31 |
Family
ID=12066228
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2183896A Pending JPH09199365A (ja) | 1996-01-12 | 1996-01-12 | 高周波インダクタの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09199365A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000323345A (ja) * | 1999-05-11 | 2000-11-24 | Tdk Corp | 高周波電子部品及びその製造方法 |
US6477031B1 (en) | 2000-03-22 | 2002-11-05 | Tdk Corporation | Electronic component for high frequency signals and method for fabricating the same |
KR100576877B1 (ko) * | 2004-11-17 | 2006-05-10 | 삼성전기주식회사 | 평면형 인덕터의 제조 방법 |
KR100698696B1 (ko) * | 2004-11-10 | 2007-03-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광 표시장치의 제조방법 |
JP2012248804A (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-13 | Elna Co Ltd | プリント配線板及びその製造方法 |
US9773588B2 (en) | 2014-05-16 | 2017-09-26 | Rohm Co., Ltd. | Chip parts |
US9812412B2 (en) | 2014-12-25 | 2017-11-07 | Rohm Co., Ltd. | Chip part having passive elements on a common substrate |
US10566126B2 (en) | 2016-09-16 | 2020-02-18 | Rohm Co., Ltd. | Chip inductor and manufacturing method thereof |
US11094447B2 (en) | 2017-03-30 | 2021-08-17 | Rohm Co., Ltd. | Chip inductor and method for manufacturing the same |
-
1996
- 1996-01-12 JP JP2183896A patent/JPH09199365A/ja active Pending
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000323345A (ja) * | 1999-05-11 | 2000-11-24 | Tdk Corp | 高周波電子部品及びその製造方法 |
US6477031B1 (en) | 2000-03-22 | 2002-11-05 | Tdk Corporation | Electronic component for high frequency signals and method for fabricating the same |
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US10706993B2 (en) | 2014-05-16 | 2020-07-07 | Rohm Co., Ltd. | Chip parts |
US9812412B2 (en) | 2014-12-25 | 2017-11-07 | Rohm Co., Ltd. | Chip part having passive elements on a common substrate |
US10586774B2 (en) | 2014-12-25 | 2020-03-10 | Rohm Co., Ltd. | Structure comprising an inductor and resistor |
US10566126B2 (en) | 2016-09-16 | 2020-02-18 | Rohm Co., Ltd. | Chip inductor and manufacturing method thereof |
US11094447B2 (en) | 2017-03-30 | 2021-08-17 | Rohm Co., Ltd. | Chip inductor and method for manufacturing the same |
US11990264B2 (en) | 2017-03-30 | 2024-05-21 | Rohm Co., Ltd. | Chip inductor and method for manufacturing the same |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040712 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040720 |
|
A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20041116 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |