JP2007103686A - コモンモードチョークコイル及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、コモンモードチョークコイル及びその製造方法に関し、小型化、低背化及び低コスト化を図ることができるコモンモードチョークコイル及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】コモンモードチョークコイル１は、単結晶シリコンで形成されたシリコン基板５１上に絶縁層６０、第１ヘリカルコイル部１１、第２ヘリカルコイル部１２及び閉磁路１４１を薄膜形成技術で形成した全体として直方体状の外形を有している。第１及び第２ヘリカルコイル部１１、１２は、らせん軸がシリコン基板５１の基板面に対してほぼ平行になるように形成されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、コモンモードチョークコイル及びその製造方法に関する。

パーソナルコンピュータや携帯電話機等の電子機器の内部回路に実装されるコイル部品には、フェライトコアに銅線を巻回した巻線型や、フェライト等の磁性体シート表面にコイル導体パターンを形成して当該磁性体シートを積層した積層型や、薄膜形成技術を用いて絶縁膜と金属薄膜のコイル導体とを交互に形成した薄膜型が知られている。近年では、電子機器の小型化や高性能化が急速に進んでおり、これに伴い、コイル部品の小型化や高性能化が強く望まれている。薄膜型のコイル部品では、コイル導体を薄膜化することで１ｍｍ以下のチップサイズのコイル部品が市場に供給されている。

コイル部品には、平衡伝送方式における電磁妨害の原因となるコモンモード電流を抑制するコモンモードチョークコイルや、高周波のノイズ信号を除去するために、コンデンサと組み合わせて低域透過フィルタ（Ｌｏｗ Ｐａｓｓ Ｆｉｌｔｅｒ；ＬＰＦ）を構成するインダクタなどがある。特許文献１には、対向配置された一対の磁性基板間に薄膜形成技術で形成された絶縁層及びスパイラル状のコイル導体を有する薄膜型のコモンモードチョークコイルが開示されている。特許文献２及び３には、薄膜型のインダクタ及びその製造方法が開示されている。特許文献４には、コアを有する薄膜型のマイクロコイル及びその製造方法が開示されている。

特許第３６０１６１９号公報 米国特許第６００８１０２号公報 米国特許第５３７２９６７号公報 米国特許第６８７６２８５号公報

コモンモードチョークコイルは、今後さらなる小型化が要求されている。しかし、特許文献１に開示された従来の薄膜型のコモンモードチョークコイルは、インピーダンス特性等の電気的特性を向上させるためには、例えばコイル導体の巻数を多くする必要がある。このため、コイル導体の形成面積が大きくなり、コモンモードチョークコイルの小型化が困難である問題がある。

また、従来のコモンモードチョークコイルは、一対の磁性基板が対向配置されている。このため、低背化が困難であるという問題がある。

また、従来のコモンモードチョークコイルは、フォトプロセス等の薄膜形成技術を用いてウエハ状の磁性基板上に絶縁層及びコイル導体（コイル層）を形成する薄膜形成工程と、絶縁層上に形成された接着層を用いて磁性基板を接着して接合する基板接合工程と、ウエハを切断してチップ状に切断分離する切断工程と、外部電極を形成する外部電極形成工程とを経て完成する。このように、コモンモードチョークコイルを製造するためには、複数の製造工程が必要なため製造コストが高くなり、コモンモードチョークコイルが高コスト化してしまうという問題が生じる。

本発明の目的は、電気的特性に優れ、小型化、低背化及び低コスト化を図ることができるコモンモードチョークコイル及びその製造方法を提供することにある。

上記目的は、下部絶縁層上に並列する複数の細長状の第１導電層と、前記第１導電層の両端部上に形成された第２導電層と、前記第２導電層上に形成され、一端部が前記第２導電層に電気的に接続し、他端部が前記第２導電層直下の前記第１導電層と隣接する前記第１導電層上に形成された前記第２導電層に電気的に接続する第３導電層とを備え、前記第１、第２、第３及び第２導電層で１巻きのコイルが構成された第１ヘリカルコイル部と、前記第１ヘリカルコイル部と同様の構成を備えた第２ヘリカルコイル部とを有することを特徴とするコモンモードチョークコイルによって達成される。

上記本発明のコモンモードチョークコイルであって、前記第１及び第２ヘリカルコイル部の内周側を貫通するコアと、前記コアに接続されて前記コアと協働して閉磁路を形成する磁性部材部とを有することを特徴とする。

上記本発明のコモンモードチョークコイルであって、前記閉磁路は、前記第１導電層の形成面にほぼ平行に形成されていることを特徴とする。

上記本発明のコモンモードチョークコイルであって、前記閉磁路は、前記第１導電層の形成面にほぼ直交して形成されていることを特徴とする。

上記本発明のコモンモードチョークコイルであって、前記コアは、高透磁率を有する材料で形成されていることを特徴とする。

上記本発明のコモンモードチョークコイルであって、前記第１ヘリカルコイル部の前記１巻きのコイルを構成する前記第１、第２、第３及び第２導電層のうちの３つの導電層を含む第１仮想平面と、前記第２ヘリカルコイル部の１巻きのコイルを構成する第１、第２、第３及び第２導電層のうちの３つの導電層を含む第２仮想平面とは、前記第１及び第２ヘリカルコイル部のらせん軸にほぼ直交していることを特徴とする。

上記本発明のコモンモードチョークコイルであって、前記第１及び第２仮想平面は前記コアの延伸方向にほぼ直交していることを特徴とする。

上記本発明のコモンモードチョークコイルであって、前記第１ヘリカルコイル部の前記１巻きのコイルを構成する前記第１、第２、第３及び第２導電層のうちの前記第１仮想平面に含まれていない導電層は、前記第２仮想平面に交差せずに形成され、前記第２ヘリカルコイル部の１巻きのコイルを構成する前記第１、第２、第３及び第２導電層のうちの前記第２仮想平面に含まれていない導電層は、前記第１仮想平面に交差せずに形成されていることを特徴とする。

また、上記目的は、基板上に第１電極膜を形成し、前記第１電極膜上に第１レジスト層を形成し、前記第１電極膜を露出させて並列する複数の細長状の第１開口を前記第１レジスト層に形成し、めっき法を用いて前記第１開口を介して前記第１電極膜と電気的に接続された第１導電層をそれぞれ形成し、前記第１レジスト層を除去してから全面に第２レジスト層を形成し、前記第１導電層の両端部を露出させる複数の第２開口を前記第２レジスト層に形成し、めっき法を用いて前記第２開口を介して前記第１導電層と電気的に接続された第２導電層をそれぞれ形成し、前記第２レジスト層及び前記第２レジスト層の下層の前記第１電極膜を除去し、前記第２導電層上部を露出させた第１絶縁層を形成し、前記第１絶縁層上に前記第２導電層に電気的に接続された第２電極膜を形成し、前記第２電極膜上に第３レジスト層を形成し、前記基板面をその法線方向に見て、一端部が前記第２導電層と重なり、他端部が前記第２導電層直下の前記第１導電層と隣接する前記第１導電層上に形成された前記第２導電層と重なる位置に前記第２電極膜を露出させて並列する複数の細長状の第３開口を前記第３レジスト層に形成し、めっき法を用いて前記第３開口を介して前記第２電極膜に電気的に接続された第３導電層をそれぞれ形成し、前記第３レジスト層及び前記第３レジスト層の下層の前記第２電極膜を除去し、前記第１、第２、第３及び第２導電層で１巻きのコイルが構成された第１ヘリカルコイル部を形成し、同様にして第２ヘリカルコイル部を前記第１ヘリカルコイル部と同時に形成することを特徴とするコモンモードチョークコイルの製造方法によって達成される。

上記本発明のコモンモードチョークコイルの製造方法であって、前記第２導電層と前記第２電極膜との間に第１中間電極膜を形成し、前記第１中間電極膜上に第１中間レジスト層を形成し、前記第１中間電極膜を露出させ、前記基板面をその法線方向に見て、前記第１導電層と交差する第１中間開口を前記第１中間レジスト層に形成し、めっき法を用いて前記第１中間開口内の前記第１中間電極膜上に第１磁性部材層を形成し、前記第１中間レジスト層及び前記第１中間レジスト層の下層の前記第１中間電極膜を除去し、前記第１磁性部材層で構成されて前記第１及び第２ヘリカルコイル部の内周側を貫通するコアを形成し、全面に前記第２導電層と電気的に接続された第２中間電極膜を形成し、前記第２中間電極膜上に第２中間レジスト層を形成し、前記第２導電層上の前記第２中間電極膜を露出させる第２中間開口を前記第２中間レジスト層に形成し、めっき法を用いて前記第２中間開口を介して前記第２中間電極膜と電気的に接続された第１中間導電層を形成し、前記第２中間レジスト層及び前記第２中間レジスト層の下層の前記第２中間電極膜を除去し、前記第１中間導電層を露出させた第２絶縁層を前記第１絶縁層上に形成し、前記第２電極膜を、前記第２中間電極膜及び前記第１中間導電層を介して前記第２導電層と電気的に接続して前記第１及び第２ヘリカルコイル部を形成することを特徴とする。

上記本発明のコモンモードチョークコイルの製造方法であって、前記第１中間開口を環状に形成し、前記コアと協働して閉磁路を形成する磁性部材部を前記コアと同時に前記第１中間開口に形成することを特徴とする。

上記本発明のコモンモードチョークコイルの製造方法であって、前記第１中間レジスト層及び前記第１中間レジスト層下部の前記第１中間電極膜を除去する工程に代えて、前記第１中間レジスト層を除去し、前記第１中間電極膜及び前記第１磁性部材層上に第３中間レジスト層を形成し、前記第１磁性部材層の両端部を露出させる第３中間開口を前記第３中間レジスト層に形成し、めっき法を用いて前記第３中間開口内の前記第１磁性部材層上に第２磁性部材層を形成し、前記第３中間レジスト層及びその下層の前記第１中間電極膜を除去して前記コアを形成し、前記第１及び第２ヘリカルコイル部を形成した後に、前記第２絶縁層及び前記第２磁性部材層上に第３電極膜を形成し、前記第３電極膜上に第４レジスト層を形成し、前記第２磁性部材層上の前記第３電極膜を露出させる第４開口を前記第４レジスト層に形成し、めっき法を用いて前記第４開口内の前記第３電極膜上に第３磁性部材層を形成し、前記第４レジスト層及びその下層の前記第３電極膜を除去し、前記第３磁性部材層を露出させる第３絶縁層を形成し、前記第３絶縁層上に第４電極膜を形成し、前記第４電極膜上に第５レジスト層を形成し、前記第３磁性部材層上の前記第４電極膜を両端部で露出させる第５開口を前記第５レジスト層に形成し、めっき法を用いて前記第５開口内の前記第４電極膜上に第４磁性部材層を形成し、前記第５レジスト層及び前記第５レジスト層下部の前記第４電極膜を除去して、前記コア及び前記第２乃至第４磁性部材層で構成された閉磁路を形成することを特徴とする。

上記本発明のコモンモードチョークコイルの製造方法であって、前記第１絶縁層を形成した後に、前記第２導電層と前記第２電極膜との間に第１介在レジスト層を形成し、前記第１絶縁層を露出させ、前記基板面をその法線方向に見て前記第１導電層と交差する第１介在開口を前記第１介在レジスト層に形成し、前記第１介在開口下部の前記第１絶縁層に溝部を形成し、前記第１介在レジスト層を除去し、前記溝部及び前記第１絶縁層上に第１介在電極膜を形成し、めっき法を用いて前記溝部内の前記第１介在電極膜上に第１磁性部材層を形成し、前記第１磁性部材層で構成された前記第１及び第２ヘリカルコイル部の内周側を貫通するコアを形成し、前記第１絶縁層上に前記第２電極膜を形成することを特徴とする。

上記本発明のコモンモードチョークコイルの製造方法であって、前記第１介在開口を環状に形成し、前記コアと協働して閉磁路を形成する磁性部材部を前記コアと同時に前記第１介在開口に形成することを特徴とする。

上記本発明のコモンモードチョークコイルの製造方法であって、前記第１絶縁層を形成した後に、前記第１絶縁層上に第２介在電極膜を形成し、前記第２介在電極膜上に第２介在レジスト層を形成し、前記コアの両端部上の前記第２介在電極膜を露出させる第２介在開口を前記第２介在レジスト層に形成し、めっき法を用いて前記第２介在開口内の前記前記第２介在電極膜上に第２磁性部材層を形成し、前記第２介在レジスト層及び前記第２介在レジスト層の下層の前記第２介在電極膜を除去し、前記第１絶縁層上に前記第２電極膜を形成し、前記第１及び第２ヘリカルコイル部を形成した後に、前記第２磁性部材層を露出させる第２絶縁層を形成し、前記第２絶縁層上に第３電極膜を形成し、前記第３電極膜上に第４レジスト層を形成し、前記第２磁性部材層上の前記第３電極膜が両端部に露出する第４開口を前記第４レジスト層に形成し、めっき法を用いて前記第４開口内の前記第３電極膜上に第３磁性部材層を形成し、前記第４レジスト層及び前記第４レジスト層下部の前記第３電極膜を除去して、前記コア及び前記第２及び第３磁性部材層で構成された閉磁路を形成することを特徴とする。

上記本発明のコモンモードチョークコイルの製造方法であって、前記第１及び第２ヘリカルコイル部の間隙に有機絶縁物を形成し、前記有機絶縁物を加熱して固化して前記第１及び第２ヘリカルコイル部同士を絶縁することを特徴とする。

本発明によれば、電気的特性に優れ、小型、低背のコモンモードチョークコイルを低コストで製造できる。

〔第１の実施の形態〕
本発明の第１の実施の形態によるコモンモードチョークコイル及びその製造方法について図１乃至図３５を用いて説明する。まず、本実施の形態によるコモンモードチョークコイル１について図１乃至図３を用いて説明する。図１は、本実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の内部構造を示す平面図である。図２は、図１のαの方向から見たコモンモードチョークコイル１の内部構造を示す正面図である。図２では、理解を容易にするため、実際には同一平面内に形成されていないコイル底部３１とコイル上部３５とを同一平面内に示している。また、図３は図１のβの方向から見たコモンモードチョークコイル１の内部構造を示す側面図である。図１及び図３では、隠れ線は破線で表している。

図１乃至図３に示すように、コモンモードチョークコイル１は、単結晶シリコンで形成されたシリコン基板５１上に絶縁層６０、第１ヘリカルコイル部１１、第２ヘリカルコイル部１２及び閉磁路１４１を薄膜形成技術で形成した全体として直方体状の外形を有している。

図１に示すように、閉磁路１４１は、シリコン基板５１の基板面をその法線方向に見て細長い枠状の形状を有し、絶縁層６０内に形成されている。閉磁路１４１は、直方体形状のコア４１と、シリコン基板５１の基板面をその法線方向に見て、コの字状に形成された磁性部材部４２とを有している。

第１及び第２ヘリカルコイル部１１、１２は、それぞれヘリカル状（らせん状）にコア４１に巻き回されて絶縁層６０内に形成されている。第１及び第２ヘリカルコイル部１１、１２は、らせん軸がシリコン基板５１の基板面に対してほぼ平行になるように形成されている。また、第１及び第２ヘリカルコイル部１１、１２のらせん軸はほぼ一致している。

第１ヘリカルコイル部１１は、例えば直方体状にそれぞれ形成されたコイル底部３１、コイル側部３３ａ、コイル上部３５及びコイル側部３３ｂにより構成される１巻きのコイルをｎ巻き（図１では２巻き）有している。同様に、第２ヘリカルコイル部１２は、例えば直方状にそれぞれ形成されたコイル底部３２、コイル側部３４ａ、コイル上部３６及びコイル側部３４ｂにより構成される１巻きのコイルをｎ巻き有している。コイル底部３１とコイル底部３２とは、コア４１の下層（シリコン基板５１側）で交互に等間隔に配置され、コイル上部３５とコイル上部３６とはコア４１の上層で交互に等間隔に配置されている。
以下本願では、２つのヘリカルコイル部のコイル上部同士及びコイル底部同士がそれぞれ交互に配置され、かつ各ヘリカルコイル部のらせん軸がほぼ一致するようにコアに巻き回された構造を２重らせん構造と呼ぶことにする。

第１ヘリカルコイル部１１の１巻きと、当該１巻きのコイルに隣接する第２ヘリカルコイル部１２の１巻きとの間隔ａは、例えば１０〜５０μｍに形成されている。第１及び第２ヘリカルコイル部１１、１２は、コイルの抵抗値を低くするため、例えば銅（Ｃｕ）で形成されている。図２に示すように、第１ヘリカルコイル部１１の１巻きのコイルは、らせん軸方向に見て、矩形状に形成されている。シリコン基板５１の基板面に平行な方向の第１ヘリカルコイル部１１の内径ｆは、例えば５〜６０μｍに形成されており、基板面に垂直な方向の内径ｅは例えば５〜３０μｍに形成されている。同様に、第２ヘリカルコイル部１２の１巻きのコイルは矩形状に形成されている。シリコン基板５１の基板面に平行な方向の第２ヘリカルコイル部１２の内径ｆは、例えば５〜６０μｍに形成されており、基板面に垂直な方向の内径ｅは例えば５〜３０μｍに形成されている。電流が流れる方向に直交する第１及び第２ヘリカルコイル部１１、１２の断面は、ほぼ一定の大きさに形成されている。

図１及び図２に示すように、コイル底部３１は、長辺の長さｃが例えば２０〜３００μｍで厚さｄが例えば２〜１０μｍの複数の細長状に形成されている。コイル底部３１は、下部絶縁層５２上に等間隔に並列して配置されている。コイル底部３１はシリコン基板５１の短辺に対して所定の角度に傾いて並列して配置されている。

コイル底部３１の長辺方向の一端部（図１及び図２の図中、左側の端部）上には第１ヘリカルコイル部１１の内径ｅに等しい高さのコイル側部３３ａが形成され、他端部（図１及び図２の図中、右側の端部）上にはコイル側部３３ａとほぼ同じ高さのコイル側部３３ｂが形成されている。

コイル側部３３ａ、３３ｂ上には、例えばコイル底部３１とほぼ同一形状（長辺の長さｃ＝２０〜３００μｍ、厚さｇ＝２〜１０μｍ）の複数の細長状のコイル上部３５が等間隔に並列して配置されている。図１に示すように、コイル上部３５の一端部はコイル側部３３ａに電気的に接続され、他端部は当該コイル側部３３ａ直下のコイル底部３１とコイル底部３２を挟んで隣接するコイル底部３１の他端部上に形成されたコイル側部３３ｂに電気的に接続されている。

コイル底部３１の間にはコイル底部３２がコイル底部３１にほぼ並列して配置されている。コイル底部３２は、コイル底部３１と同一の材料、形状及び形成方法で同時に形成されている。コイル底部３２の長辺方向の一端部（図１及び図２の図中、左側の端部）上にはコイル側部３４ａが形成され、他端部（図１及び図２の図中、右側の端部）上にはコイル側部３４ｂが形成されている。コイル側部３４ａ、３４ｂは、コイル側部３３ａ、３３ｂと同一の材料、形状及び形成方法で同時に形成されている。コイル側部３４ａは、コイル側部３３ａと交互に一直線上に等間隔に配置され、コイル側部３４ｂは、コイル側部３３ｂと交互に一直線上に等間隔に配置されている。

コイル側部３４ａ、３４ｂ上には、複数の細長状のコイル上部３６が等間隔に並列して配置されている。コイル上部３６はコイル上部３５の間にコイル上部３５とほぼ並列して配置されている。コイル上部３６は、コイル上部３５と同一の材料、形状及び形成方法で同時に形成されている。図１に示すように、コイル上部３６の一端部はコイル側部３４ａと電気的に接続され、他端部は当該コイル側部３４ａ直下のコイル底部３２とコイル底部３１を挟んで隣接するコイル底部３２の他端部上に形成されたコイル側部３４ｂと電気的に接続されている。また、図１に示すように、シリコン基板５１の基板面をその法線方向に見て、コイル上部３５はコイル底部３２と所定の角度で交差し、コイル上部３６はコイル底部３１と所定の角度で交差している。

図１乃至図３に示すように、第１及び第２ヘリカルコイル部１１、１２の内周側には、全長ｂが例えば１００〜３００μｍで厚さｈが例えば５〜１０μｍの直方体状のコア４１が貫通して配置されている。コア４１は、第１及び第２ヘリカルコイル部１１、１２のらせん軸にほぼ一致して延伸して形成されている。また、コア４１は、シリコン基板５１の基板面をその法線方向に見て、コイル底部３１、３２及びコイル上部３５、３６と所定の角度をなして交差している。コア４１は、例えばＮｉＦｅ（パーマロイ）などの高透磁率を有する材料で形成されている。コア４１が高透磁率を有する材料で形成されているため、コモンモードチョークコイル１のインダクタンス値が大きくなり、インピーダンス特性等の電気的特性の向上を図ることができる。

図１及び図２に示すように、コア４１の両端部には、コア４１と同一の厚さｈを有し同一の材料で形成された磁性部材部４２が接続されている。磁性部材部４２は、コア４１と協働して環状の閉磁路１４１を形成している。閉磁路１４１はコイル底部３１の形成面にほぼ平行に形成されている。閉磁路１４１の外周側にはコイル側部３３ａ、３４ａが配置され、内周側にはコイル側部３３ｂ、３４ｂが配置されている。閉磁路１４１は高透磁率を有する材料で環状に形成されているので、磁束の漏洩を防止することができる。

図２に示すように、絶縁層６０は、シリコン基板５１上に絶縁層（下部絶縁層）５２、絶縁層５４、絶縁層５６及び絶縁層５８が順次積層されて形成されている。絶縁層５２、５４、５６、５８は、例えばアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）でそれぞれ形成されている。絶縁層５２上にはコイル底部３１、３２が形成されている。絶縁層５４上にはコア４１及び磁性部材部４２が形成されている。絶縁層５６上にはコイル上部３５、３６が形成されている。このように、コモンモードチョークコイル１は、コア４１やコイル底部３１等と各絶縁層５２〜５８とが積層された積層構造を有している。

図１に示すように、第１ヘリカルコイル部１１の両端部は、直方体状の外部電極接続部６１にそれぞれ電気的に接続されている。同様に、第２ヘリカルコイル部１２の両端部は、外部電極接続部６２にそれぞれ電気的に接続されている。外部電極接続部６１、６２の一部は、絶縁層６０の一対の対向外表面にそれぞれ露出して形成されている。図示は省略するが外部電極接続部６１、６２の露出部を覆ってコモンモードチョークコイル１の側面には外部電極が形成されている。コモンモードチョークコイル１は当該外部電極を用いてプリント回路基板（Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ；ＰＣＢ）に半田付けされて実装される。

以上説明したように、本実施の形態によるコモンモードチョークコイル１は、第１及び第２ヘリカルコイル部１１、１２のらせん軸がシリコン基板５１の基板面に対してほぼ平行に形成されているので、コイルの巻き数が増えても厚さはほとんど変わらない。さらに、閉磁路１４１はシリコン基板５１の基板面に対してほぼ平行な平面内に形成されている。従って、コモンモードチョークコイル１は、コイルの巻き数が多くても、シリコン基板５１の基板面に対してコイルのらせん軸が垂直に向くコモンモードチョークコイルと比較して低背化することができる。また、コモンモードチョークコイル１はヘリカルコイルを有しているので、コイルの巻き数が多くても、同一平面内にスパイラル状のコイルを有するコモンモードチョークコイルと比較して小型化できる。

また、コモンモードチョークコイル１は、従来のコモンモードチョークコイルと異なり、対向配置された２枚の磁性基板を有していないので、低背化を図ることができる。

次に、本実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の製造方法について図４乃至図３２を用いて説明する。コモンモードチョークコイル１はウエハ上に同時に多数形成されるが、図４乃至図３２は、１個のコモンモードチョークコイル１の素子形成領域を示している。図４(ａ)乃至図３２(ａ)は図４(ｂ)乃至図３２(ｂ)のＡ−Ａ線で切断した断面図であり、図４(ｂ)乃至図３２(ｂ)は、コモンモードチョークコイル１の製造方法を示す平面図である。

まず、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、単結晶シリコンで形成された板厚０．８ｍｍ程度のシリコン基板５１上に、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）を例えばスパッタリング法により成膜して厚さ３μｍ程度の絶縁層（下部絶縁層）５２を形成する。表面が十分に平滑な絶縁性基板を用いる場合には、絶縁層５２の形成はしなくてもよい。また、絶縁層５２の形成材料として有機絶縁物を用いてもよいが、アルミナは有機絶縁物に比べてより平坦な面を形成し易いので好適である。後程説明する各絶縁層は、絶縁層５２と同様の方法で形成される。

次に、図５（ａ）に示すように絶縁層５２上に、膜厚１０ｎｍ程度のチタン（Ｔｉ）の電極膜７１を例えばスパッタリング法により形成する。電極膜７１は、後程説明するＣｕの電極膜７２の密着性を向上させるためのバッファ膜として用いられる。バッファ膜の形成材料は、例えばクロム（Ｃｒ）などの他の金属材料でもよい。次に、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、電極膜７１上に膜厚１００ｎｍ程度のＣｕの電極膜（第１電極膜）７２を例えばスパッタリング法により形成する。電極膜７２は、後程説明する導電層８１、８２のパターンめっき用の電極膜として用いられる。後程説明する各電極膜は、電極膜７１、７２と同様の方法で形成される。

次に、電極膜７２上にレジストを例えばスピンコート法により塗布して厚さ１０〜１５μｍのレジスト層（第１レジスト層）１５１を形成する。後程説明する各レジスト層はレジスト層１５１と同様の方法で形成される。次に、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、レジスト層１５１をパターニングして、電極膜７２を露出させる開口６１ａ、６２ａ及び開口（第１開口）８１ａ、８２ａをレジスト層１５１に形成する。開口６１ａ、６２ａは素子形成領域の外周囲の長辺の内側近傍で各短辺に沿って並んで形成される。複数の細長状の開口８１ａ、８２ａは、交互にほぼ等間隔に並列して形成される。開口８１ａ、８２ａは素子形成領域の短辺に対して所定の角度で形成される。当該短辺側に配置される２つの開口４８２ａの一端部は、開口６２ａに繋がれて形成される。

次に、図７（ａ）及び図７（ｂ）に示すように、開口６１ａ、８１ａ内の電極膜７２上に厚さ７〜１０μｍのＣｕの導電層（第１導電層）８１を形成し、開口６２ａ、８２ａ内の電極膜７２上に同一形成材料で同一厚さの導電層（第１導電層）８２を形成する。導電層８１、８２は例えばパターンめっき法により同時に形成され、下層の電極膜７２に電気的にそれぞれ接続される。導電層８１、８２の形成材料にＣｕを用いるのは、最終的に形成される第１及び第２ヘリカルコイル部１１、１２の抵抗値を低くするためである。また、後程説明する各Ｃｕの導電層の形成及びパターニングには、導電層８１、８２と同様の方法が用いられる。次に、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、レジスト層１５１をエッチングにより除去する。

次に、全面にレジストを塗布して厚さ１５〜２０μｍのレジスト層（第２レジスト層）１５３を形成する。次に、図９（ａ）及び図９（ｂ）に示すように、レジスト層１５３をパターニングして、開口８１ａ、８２ａ内に形成された導電層８１、８２の両端部を露出させる複数の開口（第２開口）８３ａ、８４ａと、開口６１ａ、６２ａ内に形成された導電層８１、８２を露出する開口６３ａ、６４ａとをレジスト層１５３に形成する。図９（ｂ）に示すように、複数の導電層８１、８２の一端部上にそれぞれ形成された複数の開口８３ａ、８４ａは一直線上に交互に等間隔に配置され、他端部上にそれぞれ形成された複数の開口８３ａ、８４ａは一直線上に交互に等間隔に配置される。次に、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示すように、開口６３ａ、８３ａ内の導電層８１上に厚さ３μｍ程度のＣｕの導電層（第２導電層）８３を形成し、開口６４ａ、８４ａ内の導電層８２上に同一形成材料で同一厚さの導電層（第２導電層）８４を形成する。導電層８３、８４は、パターンめっき法により同時に形成される。これにより、導電層８３は下層の導電層８１と電気的に接続され、導電層８４は下層の導電層８２と電気的に接続される。

次に、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に示すように、レジスト層１５３をエッチングにより除去する。次に、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示すように、レジスト層１５３の除去により露出した電極膜７２と、当該電極膜７２の下層の電極膜７１とをドライエッチング（ミリング）により除去する。電極膜７１、７２を除去する際に、導電層８１〜８４の表面も電極膜７１、７２の膜厚と同程度の厚さ分だけエッチングされる。しかし、導電層８１〜８４は電極膜７１、７２に比べて十分に厚く形成されているので、当該ドライエッチングにより完全に除去されることはない。また、後程説明する各電極膜の除去は、電極膜７１、７２の除去と同様の方法が用いられる。以上の工程によって、電極膜７１、７２及び導電層８１が積層された積層構造のコイル底部３１が形成され、電極膜７１、７２及び導電層８２が積層された積層構造のコイル底部３２が形成される。コイル底部３１、３２はシリコン基板５１上に交互に並列して形成される。

次に、図１３（ａ）及び図１３（ｂ）に示すように、全面にアルミナをスパッタリング法により成膜して厚さ１０〜１３μｍの絶縁層（第１絶縁層）５４を形成する。次に、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）に示すように、ＣＭＰ（化学的機械的研磨）法により、導電層８３、８４上部が露出するまで絶縁層５４表面を研磨して平坦面（ＣＭＰ面）５４ａを形成する。導電層８３、８４が露出したか否かの確認は目視により行う。

次に、図１５（ａ）及び図１５（ｂ）に示すように絶縁層５４の平坦面５４ａ上に膜厚１０ｎｍ程度のＴｉの電極膜９１をスパッタリング法により形成し、電極膜９１上に膜厚１００ｎｍ程度のＮｉＦｅ（パーマロイ）の電極膜（第１中間電極膜）９２をスパッタリング法により形成する。電極膜９１は電極膜７１と同様に、電極膜９２の密着性を良くするためのバッファ膜として形成される。また、電極膜９２は、後程説明する磁性部材層１０１のパターンめっき用の電極膜として用いられる。

次に、電極膜９２上にレジストを塗布して厚さ８〜１３μｍのレジスト層（第１中間レジスト層）１５５を形成する。次に、図１６（ａ）及び図１６（ｂ）に示すように、レジスト層１５５をパターニングして、電極膜９２を露出させる開口（第１中間開口）１０１ａをレジスト層１５５に形成する。開口１０１ａは素子形成領域をその法線方向（シリコン基板５１の基板面の法線方向）に見て、長方形の枠状に形成され、長方形状に開口された開口４１ａと、コの字状に開口された開口４２ａとを有している。開口１０１ａは、図１６（ｂ）において、左側の導電層８３、８４が外周側に配置され、右側の導電層８３、８４が内周側に配置されるように形成される。また、開口４１ａは素子形成領域をその法線方向に見て、コイル底部３１、３２の両端部上の導電層８３、８４の間でコイル底部３１、３２と所定の角度で交差して配置される。

次に、図１７（ａ）及び図１７（ｂ）に示すように、開口１０１ａ内の電極膜９２上に厚さ５〜１０μｍのＮｉＦｅの磁性部材層（第１磁性部材層）１０１を例えばパターンめっき法により形成する。なお、磁性部材層１０１の形成材料は、ＮｉＦｅ以外の高透磁率を有する材料でもよい。次に、図１８（ａ）及び図１８（ｂ）に示すように、レジスト層１５５をエッチングにより除去する。次に、図１９（ａ）及び図１９（ｂ）に示すように、レジスト層１５５の除去により露出した電極膜９２と、当該電極膜９２の下層の電極膜９１とをドライエッチングにより除去する。電極膜９１、９２を除去する際に、磁性部材層１０１の表面も電極膜９１、９２の膜厚と同程度の厚さ分だけエッチングされる。しかし、磁性部材層１０１は電極膜９１、９２に比べて十分に厚く形成されているので、当該ドライエッチングにより完全に除去されることはない。以上の工程により、電極膜９１、９２及び磁性部材層１０１が積層された積層構造のコア４１が開口４１ａに形成され、コア４１と同一の積層構造を有し、コア４１と協働して閉磁路１４１を形成する磁性部材部４２が開口４２ａに形成される。

次に、図２０（ａ）及び図２０（ｂ）に示すように、全面に厚さ１０ｎｍ程度のＴｉの電極膜７３をスパッタリング法により形成し、次いで電極膜７３上に厚さ１００ｎｍ程度のＣｕの電極膜（第２中間電極膜）７４をスパッタリング法により形成する。電極膜７３、７４は下層の導電層８３、８４と電気的に接続される。

次に、電極膜７４上にレジストを塗布して厚さ１５〜２０μｍのレジスト層（第２中間レジスト層）１５７を形成する。次に、図２１（ａ）及び図２１（ｂ）に示すように、レジスト層１５７をパターニングして、開口８３ａ、８４ａ内に形成された導電層８３、８４上の電極膜７４を露出させる開口（第２中間開口）８５ａ、８６ａと、開口６３ａ、６４ａ内に形成された導電層８３、８４上の電極膜７４を露出させる開口６５ａ、６６ａとをレジスト層１５７に形成する。

次に、図２２（ａ）及び図２２（ｂ）に示すように、開口６５ａ、８５ａ内の電極膜７４上に厚さ７〜１５μｍのＣｕの導電層（第１中間導電層）８５を形成し、開口６６ａ、８６ａ内の電極膜７４上に同一形成材料で同一厚さの導電層（第１中間導電層）８６を形成する。導電層８５、８６はパターンめっき法により形成され、下層の電極膜７４に電気的にそれぞれ接続される。次に、図２３（ａ）及び図２３（ｂ）に示すように、レジスト層１５７をエッチングにより除去する。次に、図２４（ａ）及び図２４（ｂ）に示すように、レジスト層１５７の除去により露出した電極膜７４と、当該電極膜７４の下層の電極膜７３とをドライエッチングにより除去する。以上の工程によって、導電層８３、電極膜７３、７４及び導電層８５が積層された積層構造のコイル側部３３ａ、３３ｂと、導電層８４、電極膜７３、７４及び導電層８６が積層された積層構造のコイル側部３４ａ、３４ｂとが形成される。図２４（ｂ）において、コイル側部３３ａ、３４ａは、左側に一直線上に交互に等間隔に配置され、コイル側部３３ｂ、３４ｂは、右側に一直線上に交互に等間隔に配置される。

次に、図２５（ａ）及び図２５（ｂ）に示すように、全面にアルミナをスパッタリング法により成膜して厚さ７〜１５μｍの絶縁層（第２絶縁層）５６を形成する。次に、図２６（ａ）及び図２６（ｂ）に示すように、ＣＭＰ法により、導電層８５、８６が露出するまで絶縁層５６を研磨して平坦面５６ａを形成する。その際、コア４１及び磁性部材部４２が露出するまで絶縁層５６を研磨しないようにする。

次に、図２７（ａ）及び図２７（ｂ）に示すように、絶縁層５６の平坦面５６ａ上に厚さ１０ｎｍ程度のＴｉの電極膜７５をスパッタリング法により形成し、電極膜７５上に厚さ１００ｎｍ程度のＣｕの電極膜（第２電極膜）７６をスパッタリング法により形成する。電極膜７５、７６は、電極膜７３、７４及び導電層８５を介して導電層８３と電気的に接続され、電極膜７３、７４及び導電層８６を介して導電層８４と電気的に接続される。

次に、電極膜７６上にレジストを塗布して厚さ１０〜１５μｍのレジスト層（第３レジスト層）１５９を形成する。次に、図２８（ａ）及び図２８（ｂ）に示すように、レジスト層１５９をパターニングして、電極膜７６を細長状に露出する複数の開口（第３開口）８７ａ、８８ａと、開口６５ａ、６６ａ内に形成された導電層８５、８６上の電極膜７６を露出する開口６７ａ、６８ａとを形成する。これにより、素子形成領域をその法線方向に見て、コイル側部３３ａ上の電極膜７６が一端部に露出し、当該コイル側部３３ａ直下のコイル底部３１とコイル底部３２を挟んで隣接するコイル底部３１上のコイル側部３３ｂ上の電極膜７６が他端部に露出する開口８７ａと、コイル側部３４ａ上の電極膜７６が一端部に露出し、当該コイル側部３４ａ直下のコイル底部３２とコイル底部３１を挟んで隣接するコイル底部３２上のコイル側部３４ｂ上の電極膜７６が他端部に露出する開口８８ａとがほぼ等間隔に交互に並列して形成される。また、開口８７ａは、素子形成領域をその法線方向に見て、コイル底部３２に交差してコア４１を挟んで対向して形成される。一方、開口８８ａは同方向に見て、コイル底部３１に交差してコア４１を挟んで対向して形成される。また、素子形成領域の短辺側に配置される開口８７ａの一端部は開口６７ａとそれぞれ接続して形成される。

次に、図２９（ａ）及び図２９（ｂ）に示すように、開口６７ａ、８７ａ内の電極膜７６上に厚さ７〜１０μｍのＣｕの導電層（第３導電層）８７を形成し、開口６８ａ、８８ａ内の電極膜７６上に同一形成材料で同一厚さの導電層（第３導電層）８８を形成する。導電層８７、８８は、パターンめっき法により同時に形成され、下層の電極膜７６に電気的にそれぞれ接続される。次に、図３０（ａ）及び図３０（ｂ）に示すように、レジスト層１５９を除去する。次に、図３１（ａ）及び図３１（ｂ）に示すようにレジスト層１５９の除去により露出した電極膜７６と、当該電極膜７６の下層の電極膜７５とを除去する。これにより、電極膜７５、７６及び導電層８７が積層された積層構造のコイル上部３５が形成され、電極膜７５、７６及び導電層８８が積層された積層構造のコイル上部３６が形成される。

以上の工程によって、コイル底部３１、コイル側部３３ａ、コイル上部３５及びコイル側部３３ｂで構成される１巻きのコイルをｎ巻き有する第１ヘリカルコイル部１１が形成され、同時にコイル底部３２、コイル側部３４ａ、コイル上部３６、及びコイル側部３４ｂで構成される１巻きのコイルをｎ巻き有する第２ヘリカルコイル部１２が形成される。第１及び第２ヘリカルコイル部１１、１２は２重らせん構造に形成される。また、導電層８１、８３、８５、８７の積層構造の外部電極接続部６１が開口６１ａ、６３ａ、６５ａ、６７ａに同時に形成され、導電層８２、８４、８６、８８の積層構造の外部電極接続部６２が開口６２ａ、６４ａ、６６ａ、６８ａに同時に形成される。

コイル上部３５、３６は交互に並列して配置される。また、コイル上部３５は、素子形成領域をその法線方向に見て、コア４１を挟んでコイル底部３２と交差し、コイル上部３６はコア４１を挟んでコイル底部３１と交差して配置される。

次に、図３２（ａ）及び図３２（ｂ）に示すように、コイル上部３５、３６の保護膜として、全面にアルミナをスパッタリング法により成膜して厚さ１０μｍ程度の絶縁層５８を形成する。絶縁層５８の形成材料として、アルミナ以外の絶縁性材料を用いてもよい。以上の工程により、絶縁層５２、５４、５６、５８が積層された積層構造の絶縁層６０が形成される。第１及び第２ヘリカルコイル部１１、１２及び閉磁路１４１は絶縁層６０に内包される。

次に、シリコン基板５１を裏面から削り所望の板厚に揃える、または完全に除去する。次に、所定の切断線に沿ってウエハを切断し、ウエハ上に形成された複数のコモンモードチョークコイル１を素子形成領域毎にチップ状に分離する。外部電極接続部６１、６２の一部は、絶縁層６０の外表面に露出する。次に、図示は省略するが、外部電極接続部６１、６２に電気的に接続される外部電極を形成する。次に、角部の面取りを行い、コモンモードチョークコイル１が完成する。

以上説明したように、本実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の製造方法によれば、基板面に対してほぼ平行ならせん軸を有する第１及び第２ヘリカルコイル部１１、１２と、閉磁路１４１を形成するコア４１及び磁性部材部４２とは、薄膜形成技術を用いて一連の製造工程で形成できる。従って、製造工程数が減少し、コモンモードチョークコイル１の低コスト化を図ることができる。

また、本実施の形態によれば、閉磁路１４１は、第１及び第２ヘリカルコイル部１１、１２、外部電極接続部６１、６２及び絶縁層６０を形成する薄膜形成工程で同時に形成できるので、絶縁層上に形成された接着層を用いて磁性基板を接着して接合する基板接合工程が不要である。従って、従来のコモンモードチョークコイルと比較して、コモンモードチョークコイル１の製造工程を簡略化できる。これにより、製造コストを低減できるので、コモンモードチョークコイル１の低コスト化を図ることができる。

本実施の形態の変形例によるコモンモードチョークコイルについて図３３乃至図３５を用いて説明する。変形例１〜８によるコモンモードチョークコイル１’〜８は、本実施の形態によるコモンモードチョークコイル１と同様の製造方法によって形成され、全体として直方体形状の外形を有している。また、コモンモードチョークコイル１’〜８は、シリコン基板５１の基板面（素子形成面）にほぼ平行ならせん軸を備えた第１及び第２ヘリカルコイル部を有している。さらに、第１及び第２ヘリカルコイル部の内周側には閉磁路の一部を形成するコアが貫通して配置されている。閉磁路は素子形成面に平行な面内に形成されている。以下の説明において、第１の実施の形態と同一の機能、作用を奏する構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。

まず、本実施の形態の変形例１によるコモンモードチョークコイル１’について図３３（ａ）を用いて説明する。図３３（ａ）は、本変形例によるコモンモードチョークコイル１’の内部構造を示す平面図である。図３３（ａ）に示すように、本変形例のコモンモードチョークコイル１’は、コイルの巻数や外部電極接続部６３、６４の形状等が異なることを除いて、上記第１の実施の形態のコモンモードチョークコイル１と同一の構成を有している。

コモンモードチョークコイル１’の外周囲の両短辺側には、一対の外部電極接続部６３及び外部電極接続部６４がそれぞれ並んで形成されている。図１に示すコモンモードチョークコイル１の外部電極接続部６１、６２は当該コイル１の外周囲の長辺に沿って長手方向が延伸する直方体形状に形成されている。これに対し本変形例のコモンモードチョークコイル１’の外部電極接続部６３、６４は、当該コイル１’の外周囲の短辺に沿って長手方向が延伸する直方体形状に形成されている。第１ヘリカルコイル部１１の両端部は一対の外部電極接続部６３に電気的にそれぞれ接続され、第２ヘリカルコイル部１２の両端部は一対の外部電極接続部６４に電気的にそれぞれ接続されている。後程説明するコモンモードチョークコイル２〜５も同様に、第１ヘリカルコイル部の両端部には外部電極接続部６３が電気的にそれぞれ接続され、第２ヘリカルコイル部の両端部には外部電極接続部６４が電気的にそれぞれ接続されている。

表１は、第１及び第２ヘリカルコイル部１１、１２のコイルピッチｐ、電流の流れる方向に直交する断面のコイルの幅、コイルの巻数ｎ、コイル内径ｆ及びコア４１の幅ｗを異ならせたコモンモードチョークコイル１の４種類の構成パターンを例示している。表１において、「１４×２」は第１及び第２ヘリカルコイル部１１、１２の巻数がそれぞれ１４であることを示す。

次に、本実施の形態の変形例２によるコモンモードチョークコイル２について図３３（ｂ）を用いて説明する。図３３（ｂ）は、本変形例によるコモンモードチョークコイル２の内部構造を示す平面図である。図３３（ｂ）に示すように、本変形例のコモンモードチョークコイル２は、矩形状の環状に形成された閉磁路１４３の中空部を挟さんでその長手方向に延伸して閉磁路１４３の一構成要素になる２つのコア４３ａ、４３ｂと、コア４３ａ、４３ｂにそれぞれ巻き回された第１及び第２ヘリカルコイル部１３、１４とを備えている点に特徴を有している。閉磁路１４３は、中空部の中心を通り素子形成面の長手方向に平行に延伸する仮想直線に対して対称になっている。コア４３ａには第１ヘリカルコイル部１３が巻き回され、コア４３ｂには第２ヘリカルコイル部１４が巻き回されている。第１及び第２ヘリカルコイル部１３、１４は、第１ヘリカルコイル部１１と同様にらせん構造を有している。表２は、コモンモードチョークコイル２の２種類の構成パターンを例示している。

次に、本実施の形態の変形例３によるコモンモードチョークコイル３について図３３（ｃ）を用いて説明する。図３３（ｃ）は、本変形例によるコモンモードチョークコイル３の内部構造を示す平面図である。図３３（ｃ）に示すように、本変形例のコモンモードチョークコイル３は、第１及び第２ヘリカルコイル部１５、１６がコア４１に分離してそれぞれ巻き回されている点に特徴を有している。図３３（ｃ）において、第１ヘリカルコイル部１５は上側に配置され、第２ヘリカルコイル部１６は下側に配置されている。

コモンモードチョークコイル３は、上記コモンモードチョークコイル１、１’、２と比較して、コイル上部３５、３６及びコイル底部３１、３２がコア４１の延伸方向に交差する角度を９０度に近づけることができる。このため、コア４１は第１及び第２ヘリカルコイル部１５、１６から発生する磁界により効率よく磁化されるので、コモンモードチョークコイル３の電気的特性の向上を図ることができる。表３は、コモンモードチョークコイル３の２種類の構成パターンを例示している。

次に、本実施の形態の変形例４によるコモンモードチョークコイル４について図３３（ｄ）を用いて説明する。図３３（ｄ）は、本変形例によるコモンモードチョークコイル４の内部構造を示す平面図である。図３３（ｄ）に示すように、本変形例のコモンモードチョークコイル４は、２重らせん構造の第１及び第２ヘリカルコイル部１７、１８を備え、第１ヘリカルコイル部１７の１巻きのコイルを構成するコイル底部３１ａ、コイル側部（不図示）、コイル上部３５ａ及びコイル側部（不図示）のうち、コイル上部３５ａ及び２つのコイル側部を含む第１仮想平面ＩＰ１がコア４１に直交し、第２ヘリカルコイル部１８の１巻きのコイルを構成するコイル底部３２ａ、コイル側部（不図示）、コイル上部３６ａ及びコイル側部（不図示）のうち、コイル上部３６ａ及び２つのコイル側部を含む第２仮想平面ＩＰ２がコア４１に直交している点に特徴を有している。また、第１仮想平面ＩＰ１と、第２仮想平面ＩＰ２とは交差していない。

第１及び第２ヘリカルコイル部１７、１８のらせん軸は、コア４１の延伸方向とほぼ一致している。コイル上部３５ａがコア４１と直交しているのに対して、コイル底部３１ａはコア４１と所定の角度で交差し、隣接するコイル上部３５ａ同士をコイル側部を介して電気的に接続している。同様にコイル底部３２ａは、コア４１と所定の角度で交差し、隣接するコイル上部３６ａ同士をコイル側部を介して電気的に接続している。本変形例では、第１及び第２ヘリカルコイル部１７、１８は２つのコイル側部及びコイル上部がコアに直交する仮想平面に含まれているが、２つのコイル側部及びコイル底部が当該仮想平面に含まれるように、形成されていてもよい。

コモンモードチョークコイル４は、第１及び第２仮想平面ＩＰ１、ＩＰ２がコア４１にそれぞれ直交しているため、上記変形例３のコモンモードチョークコイル３よりも効率よくコア４１が磁化されて、さらに電気的特性の向上を図ることができる。また、第１及び第２ヘリカルコイル部１７、１８が分離せずに２重らせん構造を形成しているので、コモンモードチョークコイル４はコモンモードノイズ信号を十分に除去することができる。表４は、コモンモードチョークコイル４の２種類の構成パターンを例示している。

次に、本実施の形態の変形例５によるコモンモードチョークコイルについて図３４（ａ）及び図３５を用いて説明する。図３４（ａ）は、本変形例のコモンモードチョークコイル５の内部構造を示す平面図である。図３５は、第１及び第２ヘリカルコイル部１９、２０の一部をコモンモードチョークコイル５から取り出した状態の斜視図である。図３４（ａ）及び図３５に示すように、本変形例のコモンモードチョークコイル５は、第１ヘリカルコイル部１９の１巻きのコイルを構成するコイル底部１３１、コイル側部１３３ａ、コイル上部１３５及びコイル側部１３３ｂのうちのコイル底部１３１、コイル側部１３３ｂ及びコイル上部１３５を含む第１仮想平面ＩＰ１がコア４１に直交し、第２ヘリカルコイル部２０の１巻きのコイルを構成するコイル底部１３２、コイル側部１３４ａ、コイル上部１３６及びコイル側部１３４ｂのうちのコイル底部１３２、コイル側部１３４ａ及びコイル上部１３６を含む第２仮想平面ＩＰ２がコア４１と直交している点に特徴を有している。また、第１仮想平面ＩＰ１と、第２仮想平面ＩＰ２とは交差していない。

図３４（ａ）に示すように、第１及び第２ヘリカルコイル部１９、２０は、素子形成面をその法線方向に見て、櫛歯状に形成されて互いに噛み合うように配置されている。第１ヘリカルコイル部１９は、図３４（ａ）の図中左側に配置され、第２ヘリカルコイル部２０は図中右側に配置されている。

図３５に示すように、第１ヘリカルコイル部１９は、直方体状のコイル底部１３１、コイル側部１３３ａ、コイル上部１３５及びコイル側部１３３ｂにより構成される１巻きのコイルをｎ巻き有している。コイル底部１３１は、コイル側部１３３ａ、１３３ｂをその延伸方向に見てＬ字状の形状を有し、第１ヘリカルコイル部１９のらせん軸に直交する長辺部１３１ａと、らせん軸に沿う短辺部１３１ｂとを有している。同様にコイル上部１３５は、コイル側部１３３ａ、１３３ｂをその延伸方向に見て、Ｌ字状の形状を有し、第１ヘリカルコイル部１９のらせん軸に直交する長辺部１３５ａと、らせん軸に沿う短辺部１３５ｂとを有している。

コイル底部１３１の長辺部１３１ａとコイル上部１３５の長辺部１３５ａとは、コイル側部１３３ａ、１３３ｂをその延伸方向に見て、重なって配置されている。コイル底部１３１とコイル上部１３５とは当該重なり部に対して鏡面対称になっている。短辺部１３１ｂが接続されていないコイル底部１３１の長辺部１３１ａの端部と、短辺部１３５ｂが接続されていないコイル上部１３５の長辺部１３５ａの端部との間には、コイル側部１３３ｂが両長辺部１３１ａ、１３５ａにほぼ直交して形成されている。コイル側部１３３ｂにより、同一の第１仮想平面ＩＰ１内に形成されたコイル底部１３１とコイル上部１３５とは電気的に接続されている。長辺部１３１ａが接続されていないコイル底部１３１の短辺部１３１ｂの端部と、長辺部１３５ａが接続されていないコイル上部１３５の短辺部１３５ｂの端部との間には、コイル側部１３３ａが両短辺部１３１ｂ、１３５ｂにほぼ直交して形成されている。コイル側部１３３ａにより、隣接する第１仮想平面ＩＰ１の一方に形成されたコイル底部１３１と、他方に形成されたコイル上部１３５とは電気的に接続されている。

第１ヘリカルコイル部１９と同様に、第２ヘリカルコイル部２０は、直方体状のコイル底部１３２、コイル側部１３４ａ、コイル上部１３６及びコイル側部１３４ｂにより構成される１巻きのコイルをｎ巻き有している。コイル底部１３２は、コイル側部１３４ａ、１３４ｂをその延伸方向に見て、Ｌ字状の形状を有し、第２ヘリカルコイル部２０のらせん軸に直交する長辺部１３２ａと、らせん軸に沿う短辺部１３２ｂとを有している。同様にコイル上部１３６は、コイル側部１３４ａ、１３４ｂをその延伸方向に見て、Ｌ字状の形状を有し、第２ヘリカルコイル部２０のらせん軸に直交する長辺部１３６ａと、らせん軸に沿う短辺部１３６ｂとを有している。

コイル底部１３２の長辺部１３２ａとコイル上部１３６の長辺部１３６ａとは、コイル側部１３４ａ、１３４ｂをその延伸方向に見て、重なって配置されている。コイル底部１３２とコイル上部１３６とは当該重なり部に対して鏡面対称になっている。短辺部１３２ｂが接続されていないコイル底部１３２の長辺部１３２ａの端部と、短辺部１３６ｂが接続されていないコイル上部１３６の長辺部１３６ａの端部との間には、コイル側部１３４ａが両長辺部１３２ａ、１３６ａにほぼ直交して形成されている。コイル側部１３４ａにより、同一の第２仮想平面ＩＰ２内に形成されたコイル底部１３２とコイル上部１３６とは電気的に接続されている。長辺部１３２ａが接続されていないコイル底部１３２の短辺部１３２ｂの端部と、長辺部１３６ａが接続されていないコイル上部１３６の短辺部１３６ｂの端部との間には、コイル側部１３４ｂが両短辺部１３２ｂ、１３６ｂにほぼ直交して形成されている。コイル側部１３４ａにより、隣接する第２仮想平面ＩＰ２の一方に形成されたコイル底部１３２と、他方に形成されたコイル上部１３６とは電気的に接続されている。

上記変形例４のコモンモードチョークコイル４は、コイル上部３５ａ、３６ａがコア４１に直交しコイル底部３１ａ、３２ａがコア４１に斜めに交差している。これに対し、本変形例５のコモンモードチョークコイル５は、第１ヘリカルコイル部１９の１巻きのコイルを構成するコイル底部１３１（長辺部１３１ａ）、コイル側部１３３ｂ、コイル上部１３５（長辺部１３５ａ）及びコイル側部１３３ａのうちの第１仮想平面ＩＰ１に含まれていないコイル側部１３３ａは、第１仮想平面ＩＰ１に交差せずに形成され、第２ヘリカルコイル部２０の１巻きのコイルを構成するコイル底部１３２（長辺部１３２ａ）、コイル側部１３４ａ、コイル上部１３６（長辺部１３６ａ）及びコイル側部１３４ｂのうちの第２仮想平面ＩＰ２に含まれていないコイル側部１３４ｂは、第１仮想平面ＩＰ１に交差せずに形成されている。このように、第１及び第２ヘリカルコイル部１９、２０を構成する各コイル部１３１〜１３５、１３２〜１３６は、短辺部１３１ｂ、１２ｂを除いてコア４１の延伸方向にほぼ直交して配置されている。このため、コモンモードチョークコイル５は、上記変形例４のコモンモードチョークコイル４よりも効率よくコア４１が磁化されるので、さらに電気的特性の向上を図ることができる。また、第１及び第２ヘリカルコイル部１９、２０が分離せずに２重らせん構造を形成しているので、コモンモードチョークコイル５はコモンモードノイズ信号を十分に除去することができる。

従来の巻き線型のコモンモードチョークコイルのコイル部を本変形例の第１及び第２ヘリカルコイル部１９、２０の構造に形成することは不可能である。第１及び第２ヘリカルコイル部１９、２０の構造は、本実施の形態及び後程説明する第２乃至第５の実施の形態によるコモンモードチョークコイルの製造方法によって初めて実現することができる。表５は、コモンモードチョークコイル５の２種類の構成パターンを例示している。

次に、本実施の形態の変形例６によるコモンモードチョークコイル６について図３４（ｂ）を用いて説明する。図３４（ｂ）は本変形例によるコモンモードチョークコイル６の内部構造を示す平面図である。上記変形例１’のコモンモードチョークコイル１は外周囲の両短辺側に形成された外部電極接続部６３、６４を備えているのに対し、本変形例のコモンモードチョークコイル６は、図３４（ｂ）に示すように、外周囲の両長辺側に形成された一対の外部電極接続部６５、６６を備えている点に特徴を有している。第１ヘリカルコイル部２１の両端部は、リード線１６３ａ、１６３ｂを介して外部電極接続部６５にそれぞれ電気的に接続されている。同様に第２ヘリカルコイル部２２の両端部は、リード線１６４ａ、１６４ｂを介して外部電極接続部６６にそれぞれ電気的に接続されている。リード線１６３ａ、１６４ｂは閉磁路１４３の上層に形成され、リード線１６３ｂ、１６４ａは閉磁路１４３の下層に形成されている。後程説明するコモンモードチョークコイル７、８の第１ヘリカルコイル部の両端部は外部電極接続部６５に電気的に接続され、第２ヘリカルコイル部の両端部は外部電極接続部６６に電気的に接続されている。

第１及び第２ヘリカルコイル部２１、２２は、第１及び第２ヘリカルコイル部１１、１２と同様に２重らせん構造を有している。また、第１及び第２ヘリカルコイル部２１、２２の内周側には、矩形状の環状の閉磁路の一構成要素になる直方体形状のコア４３ａが貫通して配置されている。

本変形例のコモンモードチョークコイル６では、外部電極接続部６５、６６が当該コイル６の外周囲の長辺側に露出して形成されているので外部電極の電極幅を大きくすることができる。これにより、コモンモードチョークコイル６のＰＣＢへの実装強度を向上させることができる。表６は、コモンモードチョークコイル６の２種類の構成パターンを例示している。

次に、本実施の形態の変形例７によるコモンモードチョークコイル７について図３４（ｃ）を用いて説明する。図３４（ｃ）は、本変形例によるコモンモードチョークコイル７の内部構造を示す平面図である。上記変形例２のコモンモードチョークコイル２は外周囲の両短辺側に形成された外部電極接続部６３、６４を備えている。これに対して本変形例のコモンモードチョークコイル７は、図３４（ｃ）に示すように、当該コイル７の外周囲の両長辺側に形成された外部電極接続部６５、６６と、当該外周囲の短辺に沿って延伸して閉磁路１４５の一構成要素になるコア４５ａ、４５ｂにそれぞれ巻き回された第１及び第２ヘリカルコイル部２３、２４とを備えている点に特徴を有している。閉磁路１４５はＨ状の中空部を備えた薄板直方体形状に形成されている。閉磁路１４５は、その中空部の中心を通り、素子形成面の短辺側にほぼ平行に延伸する仮想直線に対して対称になっている。コア４５ａには第１ヘリカルコイル部２３が巻き回され、コア４５ｂには第２ヘリカルコイル部２４が巻き回されている。本変形例では、閉磁路１４５の中空部はＨ状に形成されているが、長方形状に形成されていてもよい。本変形例のコモンモードチョークコイル７は、上記変形例５のコモンモードチョークコイル６と同様の効果を得ることができる。表７は、コモンモードチョークコイル７の２種類の構成パターンを例示している。

次に、本実施の形態の変形例８によるコモンモードチョークコイル８について図３４（ｄ）を用いて説明する。図３４（ｄ）は、本変形例によるコモンモードチョークコイル８の内部構造を示す平面図である。図３４（ｄ）に示すように、本変形例のコモンモードチョークコイル８は、枠状の磁性部材部４８と、磁性部材部４８の内周側のほぼ中央で長手方向に延伸して張り渡されたコア４７とを備えた閉磁路１４７と、コア４７に巻き回された２重らせん構造の第１及び第２ヘリカルコイル部２５、２６とを備えた点に特徴を有している。第１ヘリカルコイル部２５の両端部は、リード線１６５ａ、１６５ｂを介して外部電極接続部６５にそれぞれ電気的に接続されている。同様に第２ヘリカルコイル部２６の両端部は、リード線１６６ａ、１６６ｂを介して外部電極接続部６６にそれぞれ電気的に接続されている。リード線１６５ａ、１６６ｂは閉磁路１４７の上層に形成され、リード線１６５ｂ、１６６ａは閉磁路１４７の下層に形成されている。本変形例のコモンモードチョークコイル８は、上記変形例６及び７のコモンモードチョークコイル６、７と同様の効果が得られる。表８は、コモンモードチョークコイル８の２種類の構成パターンを例示している。

〔第２の実施の形態〕
本発明の第２の実施の形態によるコモンモードチョークコイル及びその製造方法について図３６乃至図５７を用いて説明する。本実施の形態によるコモンモードチョークコイル２０１はその製造方法に特徴を有している。当該製造方法により完成したコモンモードチョークコイル２０１の構成は、上記第１の実施の形態のコモンモードチョークコイル１と同様であるため説明は省略する。なお、第１の実施の形態と同一の機能、作用を奏する構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。

本実施の形態によるコモンモードチョークコイル２０１の製造方法について図３６乃至図５７を用いて説明する。図３６乃至図５７は、１個のコモンモードチョークコイル１の素子形成領域を示している。図３６(ａ)乃至図５７(ａ)は、図３６(ｂ)乃至図５７(ｂ)のＡ−Ａ線で切断した断面図であり、図３６(ｂ)乃至図５７(ｂ)は、コモンモードチョークコイル１の製造方法を示す平面図である。

まず、上記第１の実施の形態のコモンモードチョークコイル１と同様の製造方法により、シリコン基板５１上に絶縁層（下部絶縁層）５２と、Ｃｕの導電層（第１導電層）８１、８２を形成する（図４乃至図８参照）。

次に、全面にレジストを塗布して厚さ２０〜３０μｍのレジスト層（第２レジスト層）３５３を形成する。次に、図３６（ａ）及び図３６（ｂ）に示すように、レジスト層３５３をパターニングして、細長状に形成された複数の導電層８１、８２の両端部をそれぞれ露出させる開口（第２開口）２８３ａ、２８４ａと、素子形成領域の外周囲の長辺の内側近傍で各短辺に沿って並んで形成された導電層８１、８２を露出する開口２６３ａ、２６４ａとをレジスト層３５３に形成する。図３６（ｂ）に示すように、複数の導電層８１、８２の一端部上にそれぞれ形成された複数の開口２８３ａ、２８４ａは一直線上に交互に等間隔に配置され、他端部上にそれぞれ形成された複数の開口２８３ａ、２８４ａは一直線上に交互に等間隔に配置される。次に、図３７（ａ）及び図３７（ｂ）に示すように、開口２６３ａ、２８３ａ内の導電層８１上に厚さ１０〜１８μｍ程度のＣｕの導電層（第２導電層）２８３を形成し、開口２６４ａ、２８４ａ内の導電層８２上に同一形成材料で同一厚さの導電層（第２導電層）２８４を形成する。導電層２８３、２８４は例えばパターンめっき法により同時に形成される。これにより、導電層２８３は下層の導電層８１と電気的に接続され、導電層２８４は下層の導電層８２と電気的に接続される。

次に、図３８（ａ）及び図３８（ｂ）に示すように、レジスト層３５３をエッチングにより除去する。次に、図３９（ａ）及び図３９（ｂ）に示すように、レジスト層３５３の除去により露出した電極膜７２と、当該電極膜７２の下層の電極膜７１とをドライエッチング（ミリング）により除去する。電極膜７１、７２を除去する際に、導電層８１、８２、２８３、２８４の表面も電極膜７１、７２の膜厚と同程度の厚さ分だけエッチングされる。しかし、導電層８１、８２、２８３、２８４は電極膜７１、７２に比べて十分に厚く形成されているので、当該ドライエッチングにより完全に除去されることはない。また、後程説明する各電極膜の除去は、電極膜７１、７２の除去と同様の方法が用いられる。以上の工程によって、電極膜７１、７２及び導電層８１が積層された積層構造のコイル底部３１が形成され、電極膜７１、７２及び導電層８２が積層された積層構造のコイル底部３２が形成される。コイル底部３１、３２はシリコン基板５１上に交互に並列して形成される。同時に、導電層２８３で形成されたコイル側部２３３ａ、２３３ｂがコイル底部３１両端部にそれぞれ配置され、導電層２８４で形成されたコイル側部２３４ａ、２３４ｂがコイル底部３２両端部にそれぞれ配置される。図３９（ｂ）において、コイル側部２３３ａ、２３４ａは、図中左側に一直線上に交互に等間隔に配置され、コイル側部２３３ｂ、２３４ｂは、図中右側に一直線上に交互に等間隔に配置される。

次に、図４０（ａ）及び図４０（ｂ）に示すように、全面にアルミナをスパッタリング法により成膜して厚さ１７〜２８μｍの絶縁層（第１絶縁層）２５４を形成する。次に、図４１（ａ）及び図４１（ｂ）に示すように、ＣＭＰ（化学的機械的研磨）法により、コイル側部２３３ａ、２３３ｂ、２３４ａ、２３４ｂ上部が露出するまで絶縁層２５４表面を研磨して平坦面（ＣＭＰ面）２５４ａを形成する。コイル側部２３３ａ、２３３ｂ、２３４ａ、２３４ｂが露出したか否かの確認は目視により行う。

次に、全面にレジストを塗布して厚さ３μｍ程度のレジスト層（第１介在レジスト層）３５２を形成する。次に、図４２（ａ）及び図４２（ｂ）に示すように、レジスト層３５２をパターニングして、絶縁層２５４を露出させる開口（第１介在開口）３８２ａをレジスト層３５２に形成する。開口３８２ａは、素子形成領域をその法線方向に見て、長方形状に開口された開口３６１ａと、コの字状に開口された開口３６２ａとからなる長方形の枠状に形成される。開口３８２ａは、コイル側部２３３ａ、２３４ａが外周側に配置され、コイル側部２３３ｂ、２３４ｂが内周側に配置されるように形成される。開口３６１ａは、素子形成領域をその法線方向に見て、コイル側部２３３ａ、２３４ａとコイル側部２３３ｂ、２３４ｂとの間でコイル底部３１、３２と所定の角度で交差して配置される。

次に、図４３（ａ）及び図４３（ｂ）に示すように、開口３８２ａに露出した絶縁層２５４を反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によりエッチングして、開口３８２ａとほぼ同じ形状に開口されて深さ８〜１３μｍの溝部３８２を絶縁層２５４に形成する。その際、溝部３８２の底部にコイル底部３１、３２が露出せず、溝部３８２の側部にコイル側部２３３ａ、２３３ｂ、２３４ａ、２３４ｂが露出しないようにする。次に、図４４（ａ）及び図４４（ｂ）に示すように、レジスト層３５２をエッチングにより除去する。

次に、図４５（ａ）及び図４５（ｂ）に示すように、全面に膜厚１０ｎｍ程度のＴｉの電極膜２９１をスパッタリング法により形成し、次いで電極膜２９１上に膜厚１００ｎｍ程度のＮｉＦｅの電極膜（第１介在電極膜）２９２をスパッタリング法により形成する。溝部３８２の側部には、溝部３８２底部に形成される電極膜２９１、２９２よりも薄い膜厚の電極膜２９１、２９２が形成される。電極膜２９１は、電極膜２９２と絶縁層２５４との密着性を向上させるバッファ膜として形成される。また、電極膜２９２は、後程説明する磁性部材層３０１のパターンめっき用の電極膜として用いられる。

次に、電極膜２９２上にレジストを塗布して厚さ３μｍ程度のレジスト層３５４を形成する。次に、図４６（ａ）及び図４６（ｂ）に示すように、レジスト層３５４をパターニングして、溝部３８２とほぼ同じ形状に開口されて溝部３８２内の電極膜２９２を露出させる開口３０１ａをレジスト層３５４に形成する。開口３０１ａは溝部３６１上を開口する開口２４１ａと、溝部３６２上を開口する開口２４２ａとからなる長方形の枠状に形成される。

次に、図４７（ａ）及び図４７（ｂ）に示すように、溝部３８２内の電極膜２９２上に厚さ５〜１０μｍのＮｉＦｅの磁性部材層（第１磁性部材層）３０１を例えばパターンめっき法により形成する。なお、磁性部材層３０１の形成材料は、ＮｉＦｅ以外の高透磁率を有する材料でもよい。次に、図４８（ａ）及び図４８（ｂ）に示すように、レジスト層３５４をエッチングにより除去する。

次に、図４９（ａ）及び図４９（ｂ）に示すように、レジスト層３５４の除去により露出した電極膜２９２と、当該電極膜２９２の下層の電極膜２９１とをドライエッチングにより除去する。電極膜２９１、２９２を除去する際に、磁性部材層３０１の表面も電極膜２９１、２９２の膜厚と同程度の厚さ分だけエッチングされる。しかし、磁性部材層３０１は電極膜２９１、２９２に比べて十分に厚く形成されているので、当該ドライエッチングにより完全に除去されることはない。以上の工程により、磁性部材層３０１で構成されたコア２４１が溝部３６１に形成され、コア２４１と同一の構成を有し、コア２４１と協働して閉磁路３４１を形成する磁性部材部２４２が溝部３６２に形成される。

次に、全面にレジストを塗布して厚さ５μｍ程度のレジスト層を形成する。次に、図５０（ａ）及び図５０（ｂ）に示すように、当該レジスト層をパターニングして、閉磁路３４１と、閉磁路３４１周囲の電極膜２９１、２９２とが覆われる枠状のレジスト層３６７を形成する。レジスト層３６７は、電極膜２９１、２９２及び閉磁路３４１と、後程説明するコイル上部２３５、２３６とを絶縁させる有機絶縁膜として用いられる。次に、図５１（ａ）及び図５１（ｂ）に示すように、絶縁性を高めるためにレジスト層３６７を加熱して硬化する（キュア）。

次に、図５２（ａ）及び図５２（ｂ）に示すように、全面に厚さ１０ｎｍ程度のＴｉの電極膜２７５をスパッタリング法により形成し、次いで電極膜２７５上に厚さ１００ｎｍ程度のＣｕの電極膜（第２電極膜）２７６をスパッタリング法により形成する。電極膜２７５、２７６は、コイル側部２３３ａ、２３３ｂ、２３４ａ、２３４ｂと電気的に接続され、レジスト層３６７によって電極膜２９１、２９２及び閉磁路３４１と絶縁される。

次に、電極膜２７６上にレジストを塗布して厚さ１０〜１５μｍのレジスト層（第３レジスト層）３５９を形成する。次に、図５３（ａ）及び図５３（ｂ）に示すように、レジスト層３５９をパターニングして、電極膜２７６を細長状に露出する複数の開口（第３開口）２８７ａ、２８８ａと、開口２６３ａ、２６４ａ内に形成された導電層２８３、２８４上の電極膜２７６を露出する開口２６７ａ、２６８ａとを形成する。これにより、素子形成領域をその法線方向に見て、コイル側部２３３ａ上の電極膜２７６が一端部に露出し、当該コイル側部２３３ａ直下のコイル底部３１とコイル底部３２を挟んで隣接するコイル底部３１上に配置されたコイル側部２３３ｂ上の電極膜２７６が他端部に露出する開口２８７ａと、コイル側部２３４ａ上の電極膜２７６が一端部に露出し、当該コイル側部２３４ａ直下のコイル底部３２とコイル底部３１を挟んで隣接するコイル底部３２上に配置されたコイル側部２３４ｂ上の電極膜２７６が他端部に露出する開口２８８ａとがほぼ等間隔に交互に並列して形成される。また、開口２８７ａは、素子形成領域をその法線方向に見て、コア２４１を挟んでコイル底部３２に交差して対向して形成される。一方、開口２８８ａは同方向に見て、コア２４１を挟んでコイル底部３１に交差して対向して形成される。また、素子形成領域の両短辺側に配置される開口２８７ａの一端部は開口２６７ａに繋げられた状態にそれぞれ形成される。

次に、図５４（ａ）及び図５４（ｂ）に示すように、開口２６７ａ、２８７ａ内の電極膜２７６上に厚さ７〜１０μｍのＣｕの導電層（第３導電層）２８７を形成し、開口２６８ａ、２８８ａ内の電極膜２７６上に同一形成材料で同一厚さの導電層（第３導電層）２８８を形成する。導電層２８７、２８８はパターンめっき法により同時に形成され、電極膜２７６に電気的にそれぞれ接続される。次に、図５５（ａ）及び図５５（ｂ）に示すように、レジスト層３５９を除去する。次に、図５６（ａ）及び図５６（ｂ）に示すようにレジスト層３５９の除去により露出した電極膜２７６と、当該電極膜２７６の下層の電極膜２７５とを除去する。これにより、電極膜２７５、２７６及び導電層２８７が積層された積層構造のコイル上部２３５が形成され、電極膜２７５、２７６及び導電層２８８が積層された積層構造のコイル上部２３６が形成される。

以上の工程によって、コイル底部３１、コイル側部２３３ａ、コイル上部２３５及びコイル側部２３３ｂで構成される１巻きのコイルを２巻き有する第１ヘリカルコイル部２１１が形成され、同時にコイル底部３２、コイル側部２３４ａ、コイル上部２３６、及びコイル側部２３４ｂで構成される１巻きのコイルを２巻き有する第２ヘリカルコイル部２１２が形成される。第１及び第２ヘリカルコイル部２１１、２１２は２重らせん構造に形成される。また、導電層８１、２８３、２８７の積層構造の外部電極接続部２６１が開口６１ａ、２６３ａ、２６７ａに同時に形成され、導電層８２、２８４、２８８の積層構造の外部電極接続部２６２が開口６２ａ、２６４ａ、２６８ａに同時に形成される。

コイル上部２３５、２３６は交互に並列して配置される。また、素子形成領域をその法線方向に見て、コイル上部２３５はコア２４１を挟んでコイル底部３２と交差し、コイル上部２３６はコア２４１を挟んでコイル底部３１と交差する。

次に、図５７（ａ）及び図５７（ｂ）に示すように、コイル上部２３５、２３６の保護膜として、全面にアルミナをスパッタリング法により成膜して厚さ１０μｍ程度の絶縁層２５８を形成する。絶縁層２５８の形成材料として、アルミナ以外の絶縁性材料を用いてもよい。以上の工程により、絶縁層５２、２５４、２５８が積層された積層構造の絶縁層６０が形成される。第１及び第２ヘリカルコイル部２１１、２１２及び閉磁路３４１は絶縁層６０に内包される。

次に、シリコン基板５１を裏面から削り所望の板厚に揃える、または完全に除去する。次に、所定の切断線に沿ってウエハを切断し、ウエハ上に形成された複数のコモンモードチョークコイル２０１を素子形成領域毎にチップ状に分離する。外部電極接続部２６１の一部は絶縁層２６０の外表面に露出される。次に、図示は省略するが、切断面に露出した外部電極接続部２６１、２６２に電気的にそれぞれ接続される外部電極を当該切断面に形成する。次に、必要に応じて角部の面取りを行い、コモンモードチョークコイル２０１が完成する。

以上説明したように、本実施の形態のコモンモードチョークコイルの製造方法によれば、コイル側部を構成する導電層２８３、２８４は１回のパターンめっき工程で形成されるので、当該導電層を２回のパターンめっき工程で形成する上記第１の実施の形態のコモンモードチョークコイルの製造方法に比べて製造工程数を削減できる。これにより、コモンモードチョークコイルの製造コストの低減を図ることができる。

〔第３の実施の形態〕
本発明の第３の実施の形態によるコモンモードチョークコイル及びその製造方法について図５８乃至図１０４を用いて説明する。まず、本実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１について図５８乃至図６０を用いて説明する。図５８は、本実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１の内部構造を示す平面図である。図５９は、図５８のαの方向から見たコモンモードチョークコイル４０１の内部構造を示す正面図である。図５９では、理解を容易にするため、実際には同一平面内に形成されていないコイル底部４３１とコイル上部４３５とを同一平面内に示している。また、図６０は図５９のβの方向から見たコモンモードチョークコイル４０１の内部構造を示す側面図である。図５８及び図６０では、隠れ線は破線で表している。

本実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１は、上記第１の実施の形態によるコモンモードチョークコイル１に対して、閉磁路５４１がコイル底部４３１、４３２の形成面に対してほぼ直交して形成されている点に特徴を有している。

図５８乃至図６０に示すように、コモンモードチョークコイル４０１は、単結晶シリコンで形成されたシリコン基板５１上に絶縁層４６０、第１ヘリカルコイル部４１１、第２ヘリカルコイル部４１２及び閉磁路５４１を薄膜形成技術で形成した全体として直方体状の外形を有している。

図６０に示すように、閉磁路５４１は、コモンモードチョークコイル４０１をその側面から見て、細長い枠状の形状を有し、絶縁層４６０内に形成されている。閉磁路５４１は、閉磁路５４１の底部となる直方体形状のコア４４１と、コア４４１の両端部上に形成された閉磁路側部５１３と、閉磁路側部５１３に両端部が接続された閉磁路上部５１５とを有している。

第１及び第２ヘリカルコイル部４１１、４１２は、それぞれヘリカル状（らせん状）にコア４４１に巻き回されて絶縁層４６０内に形成されている。第１及び第２ヘリカルコイル部４１１、４１２は、らせん軸がシリコン基板５１の基板面に対してほぼ平行になるように形成されている。また、第１及び第２ヘリカルコイル部４１１、４１２のらせん軸はほぼ一致している。

第１ヘリカルコイル部４１１は、例えば直方体状にそれぞれ形成されたコイル底部４３１、コイル側部４３３ａ、コイル上部４３５及びコイル側部４３３ｂにより構成される１巻きのコイルをｎ巻き（図５８では２巻き）有している。同様に、第２ヘリカルコイル部４１２は、例えば直方状にそれぞれ形成されたコイル底部４３２、コイル側部４３４ａ、コイル上部４３６及びコイル側部４３４ｂにより構成される１巻きのコイルをｎ巻き（図５８では２巻き）有している。コイル底部４３１とコイル底部４３２とは、コア４４１の下層（シリコン基板５１側）で交互に等間隔に配置され、コイル上部４３５とコイル上部４３６とは、コア４４１と閉磁路上部５１５との間で交互に等間隔に配置されている。

第１ヘリカルコイル部４１１の１巻きと、当該１巻きのコイルに隣接する第２ヘリカルコイル部４１２の１巻きとの間隔ａは、例えば１０〜５０μｍに形成されている。第１及び第２ヘリカルコイル部４１１、４１２は、コイルの抵抗値を低くするため、例えばＣｕで形成されている。図５９に示すように、第１ヘリカルコイル部４１１の１巻きのコイルは、らせん軸方向に見て、矩形状に形成されている。シリコン基板５１の基板面に垂直な方向の第１ヘリカルコイル部４１１の内径ｅは例えば５〜３０μｍに形成されている。同様に、第２ヘリカルコイル部４１２の１巻きのコイルは矩形状に形成されている。シリコン基板５１の基板面に垂直な方向の第２ヘリカルコイル部４１２の内径ｅは例えば５〜３０μｍに形成されている。電流が流れる方向に直交する第１及び第２ヘリカルコイル部４１１、４１２の断面は、ほぼ一定の大きさに形成されている。

図５８及び図５９に示すように、コイル底部４３１は、長辺の長さｃが例えば２０〜３００μｍで厚さｄが例えば２〜１０μｍの複数の細長状に形成されている。コイル底部４３１は、下部絶縁層５２上に等間隔に並列して配置されている。コイル底部４３１はシリコン基板５１の短辺に対して所定の角度に傾いて並列して配置されている。

コイル底部４３１の長手方向の一端部（図５８及び図５９の図中、左側の端部）上には第１ヘリカルコイル部４１１の内径ｅに等しい高さのコイル側部４３３ａが形成され、他端部（図５８及び図５９の図中、右側の端部）上にはコイル側部４３３ａとほぼ同じ高さのコイル側部４３３ｂが形成されている。

コイル側部４３３ａ、４３３ｂ上には、例えばコイル底部４３１とほぼ同一形状（長辺の長さｃ＝２０〜３００μｍ、厚さｇ＝２〜１０μｍ）の複数の細長状のコイル上部４３５が等間隔に並列して配置されている。図５８に示すように、コイル上部４３５の一端部はコイル側部４３３ａに電気的に接続され、他端部は当該コイル側部４３３ａ直下のコイル底部４３１とコイル底部４３２を挟んで隣接するコイル底部４３１の他端部上に形成されたコイル側部４３３ｂに電気的に接続されている。

コイル底部４３１の間には、コイル底部４３２がコイル底部４３１にほぼ並列して配置されている。コイル底部４３２は、コイル底部４３１と同一材料で同一形状に同一形成方法で同時に形成されている。コイル底部４３２の長手方向の一端部（図５８及び図５９の図中、左側の端部）上にはコイル側部４３４ａが形成され、他端部（図５８及び図５９の図中、右側の端部）上にはコイル側部４３４ｂが形成されている。コイル側部４３４ａ、４３４ｂは、コイル側部４３３ａ、４３３ｂと同一材料で同一形状に同一形成方法で同時に形成されている。コイル側部４３４ａは、コイル側部４３３ａと交互に一直線上にほぼ等間隔に配置され、コイル側部４３４ｂは、コイル側部４３３ｂと交互に一直線上にほぼ等間隔に配置されている。

コイル側部４３４ａ、４３４ｂ上には、複数の細長状のコイル上部４３６が等間隔に並列して配置されている。コイル上部４３６はコイル上部４３５の間にコイル上部４３５とほぼ並列して配置されている。コイル上部４３６は、コイル上部４３５と同一材料で同一形状に同一形成方法で同時に形成されている。図５８に示すように、コイル上部４３６の一端部はコイル側部４３４ａと電気的に接続され、他端部は当該コイル側部４３４ａ直下のコイル底部４３２とコイル底部４３１を挟んで隣接するコイル底部４３２の他端部上に形成されたコイル側部４３４ｂと電気的に接続されている。また、図５８に示すように、シリコン基板５１の基板面をその法線方向に見て、コイル上部４３５はコイル底部４３２と所定の角度で交差し、コイル上部４３６はコイル底部４３１と所定の角度で交差して配置されている。

図５８乃至図６０に示すように、第１及び第２ヘリカルコイル部４１１、４１２の内周側には、例えば全長ｂが１００〜３００μｍで幅ｗが例えば１０〜２００μｍであり、厚さｈが例えば５〜１０μｍの直方体状のコア４４１が貫通して配置されている。コア４４１は、第１及び第２ヘリカルコイル部４１１、４１２のらせん軸にほぼ一致して延伸して形成されている。また、コア４４１は、シリコン基板５１の基板面をその法線方向に見て、コイル底部４３１、４３２及びコイル上部４３５、４３６と所定の角度をなして交差して配置されている。コア４４１は、例えばＮｉＦｅなどの高透磁率を有する材料で形成されている。コア４４１が高透磁率を有する材料で形成されているため、コモンモードチョークコイル４０１のインダクタンス値が大きくなり、インピーダンス特性等の電気的特性の向上を図ることができる。

図５８及び図６０に示すように、２つの閉磁路側部５１３は、直方体状にそれぞれ形成されて第１及び第２ヘリカルコイル部４１１、４１２の外側に対向配置されている。コア４４１とほぼ同一の形状に形成された閉磁路上部５１５は、２つの閉磁路側部５１３に張り渡されてコア４４１に対向して配置されている。

閉磁路側部５１３及び閉磁路上部５１５は、コア４４１と同一の形成材料で形成され、コア４４１と協働して環状の閉磁路５４１を形成している。閉磁路５４１はコイル底部４３１の形成面にほぼ直交して形成されている。閉磁路５４１の両側部には、シリコン基板５１の基板面をその法線方向に見て、コイル側部４３３ａ、４３３ｂ、４３４ａ、４３４ｂが配置されている。閉磁路５４１は高透磁率を有する材料で環状に形成されているので、磁束の漏洩を防止することができる。

図５９に示すように、絶縁層４６０は、シリコン基板５１上に絶縁層（下部絶縁層）５２、絶縁層４５４、絶縁層４５６、絶縁層４５８及び絶縁層４５９が順次積層されて形成されている。絶縁層４５２、４５４、４５６、４５８、４５９は、例えばアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）でそれぞれ形成されている。絶縁層５２上にはコイル底部４３１、４３２が形成されている。絶縁層４５４上にはコア４４１が形成されている。絶縁層４５６上にはコイル上部４３５、４３６が形成されている。絶縁層４５８上には、閉磁路上部５１５が形成されている。このように、コモンモードチョークコイル４０１は、コア４４１やコイル底部４３１等と各絶縁層４５２〜４５９とが積層された積層構造を有している。

図５８に示すように、第１ヘリカルコイル部４１１の両端部は、直方体形状の外部電極接続部４６１にそれぞれ電気的に接続されている。同様に、第２ヘリカルコイル部４１２の両端部は、直方体形状の外部電極接続部４６２にそれぞれ電気的に接続されている。外部電極接続部４６１、４６２の一部は、絶縁層４６０の対向する一対の側面にそれぞれ露出して形成されている。図示は省略するが外部電極接続部４６１、６２の露出部を覆ってコモンモードチョークコイル４０１の側面には外部電極が形成されている。コモンモードチョークコイル４０１は当該外部電極を用いてＰＣＢに半田付けされて実装される。

以上説明したように、本実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１は、第１の実施の形態によるコモンモードチョークコイル１と同様に、第１及び第２ヘリカルコイル部４１１、４１２のらせん軸がシリコン基板５１の基板面に対してほぼ平行に形成されているので、コイルの巻き数が増えても厚さはほとんど変わらない。従って、コモンモードチョークコイル４０１は、コイルの巻き数が多くても、シリコン基板５１の基板面に対してコイルのらせん軸が垂直に向くコモンモードチョークコイルと比較して低背化することができる。また、コモンモードチョークコイル４０１はヘリカルコイルを有しているので、コイルの巻き数が多くても、同一平面内にスパイラル状のコイルを有するコモンモードチョークコイルと比較して小型化できる。さらに、閉磁路５４１はシリコン基板５１の基板面に対してほぼ直交する平面内に形成されているので、コモンモードチョークコイル４０１はコモンモードチョークコイル１より実装面積を小さくすることができる。

次に、本実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１の製造方法について図６１乃至図１０４を用いて説明する。コモンモードチョークコイル４０１はウエハ上に同時に多数形成されるが、図６１乃至図１０４は、１個のコモンモードチョークコイル４０１の素子形成領域を示している。図６１(ａ)乃至図１０４(ａ)は、図６１(ｂ)乃至図１０４(ｂ)のＡ−Ａ線で切断した断面図であり、図６１(ｂ)乃至図８９(ｂ)は、コモンモードチョークコイル４０１の製造方法を示す平面図である。図１０４（ｃ）は、図１０４（ｂ）のＢ−Ｂ線で切断した断面図である。

まず、図６１（ａ）及び図６１（ｂ）に示すように、単結晶シリコンで形成された板厚０．８ｍｍ程度のシリコン基板５１上に、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）を例えばスパッタリング法により成膜して厚さ３μｍ程度の絶縁層（下部絶縁層）５２を形成する。表面が十分に平滑な絶縁性基板を用いる場合には、絶縁層５２の形成はしなくてもよい。また、絶縁層５２の形成材料として有機絶縁物を用いてもよいが、アルミナは有機絶縁物に比べてより平坦な面を形成し易いので好適である。後程説明する各絶縁層は、絶縁層５２と同様の方法で形成される。

次に、図６２（ａ）に示すように絶縁層５２上に、膜厚１０ｎｍ程度のチタン（Ｔｉ）の電極膜７１を例えばスパッタリング法により形成する。電極膜７１は、後程説明するＣｕの電極膜７２の密着性を向上させるためのバッファ膜として用いられる。バッファ膜の形成材料は、例えばクロム（Ｃｒ）などの他の金属材料でもよい。次に、図６２（ａ）及び図６２（ｂ）に示すように、電極膜７１上に膜厚１００ｎｍ程度のＣｕの電極膜（第１電極膜）７２を例えばスパッタリング法により形成する。電極膜７２は、後程説明する導電層４８１、４８２のパターンめっき用の電極膜として用いられる。後程説明する各電極膜は、電極膜７１、７２と同様の方法で形成される。

次に、電極膜７２上にレジストを例えばスピンコート法により塗布して厚さ１０〜１５μｍのレジスト層（第１レジスト層）５５１を形成する。後程説明する各レジスト層はレジスト層５５１と同様の方法で形成される。次に、図６３（ａ）及び図６３（ｂ）に示すように、レジスト層５５１をパターニングして、電極膜７２を露出させる開口４６１ａ、４６２ａ及び開口（第１開口）４８１ａ、４８２ａをレジスト層５５１に形成する。開口４６１ａ、４６２ａは素子形成領域の外周囲の長辺の内側近傍で各短辺に沿って並んで形成される。複数の細長状の開口４８１ａ、４８２ａは、交互にほぼ等間隔に並列して形成される。開口４８１ａ、４８２ａは素子形成領域の短辺に対して所定の角度で形成される。当該短辺側に配置される２つの開口４８２ａの一端部は、開口４６２ａに繋がれて形成される。

次に、図６４（ａ）及び図６４（ｂ）に示すように、開口４６１ａ、４８１ａ内の電極膜７２上に厚さ７〜１０μｍのＣｕの導電層（第１導電層）４８１を形成し、開口４６２ａ、４８２ａ内の電極膜７２上に同一形成材料で同一厚さの導電層（第１導電層）４８２を形成する。導電層４８１、４８２は例えばパターンめっき法により同時に形成され、下層の電極膜７２に電気的にそれぞれ接続される。導電層４８１、４８２の形成材料にＣｕを用いるのは、最終的に形成される第１及び第２ヘリカルコイル部４１１、４１２の抵抗値を低くするためである。また、後程説明する各Ｃｕの導電層の形成及びパターニングには、導電層４８１、４８２と同様の方法が用いられる。次に、図６５（ａ）及び図６５（ｂ）に示すように、レジスト層５５１をエッチングにより除去する。

次に、全面にレジストを塗布して厚さ１５〜２０μｍのレジスト層（第２レジスト層）５５３を形成する。次に、図６６（ａ）及び図６６（ｂ）に示すように、レジスト層５５３をパターニングして、開口４８１ａ、４８２ａ内に形成された導電層４８１、４８２の両端部を露出させる複数の開口（第２開口）４８３ａ、４８４ａと、開口４６１ａ、４６２ａ内に形成された導電層４８１、４８２を露出する開口４６３ａ、４６４ａとをレジスト層５５３に形成する。図６６（ｂ）に示すように、複数の導電層４８１、４８２の一端部上にそれぞれ形成された複数の開口４８３ａ、４８４ａは一直線上に交互に等間隔に配置され、他端部上にそれぞれ形成された複数の開口４８３ａ、４８４ａは一直線上に交互に等間隔に配置される。次に、図６７（ａ）及び図６７（ｂ）に示すように、開口４６３ａ、４８３ａ内の導電層４８１上に厚さ３μｍ程度のＣｕの導電層（第２導電層）４８３を形成し、開口４６４ａ、４８４ａ内の導電層４８２上に同一形成材料で同一厚さの導電層（第２導電層）４８４を形成する。導電層４８３、４８４は、パターンめっき法により同時に形成される。これにより、導電層４８３は下層の導電層４８１と電気的に接続され、導電層４８４は下層の導電層４８２と電気的に接続される。

次に、図６８（ａ）及び図６８（ｂ）に示すように、レジスト層５５３をエッチングにより除去する。次に、図６９（ａ）及び図６９（ｂ）に示すように、レジスト層５５３の除去により露出した電極膜７２と、当該電極膜７２の下層の電極膜７１とをドライエッチング（ミリング）により除去する。電極膜７１、７２を除去する際に、導電層４８１〜４８４の表面も電極膜７１、７２の膜厚と同程度の厚さ分だけエッチングされる。しかし、導電層４８１〜４８４は電極膜７１、７２に比べて十分に厚く形成されているので、当該ドライエッチングにより完全に除去されることはない。また、後程説明する各電極膜の除去は、電極膜７１、７２の除去と同様の方法が用いられる。以上の工程によって、電極膜７１、７２及び導電層４８１が積層された積層構造のコイル底部４３１が形成され、電極膜７１、７２及び導電層４８２が積層された積層構造のコイル底部４３２が形成される。コイル底部４３１、４３２はシリコン基板５１上に交互に並列して形成される。

次に、図７０（ａ）及び図７０（ｂ）に示すように、全面にアルミナをスパッタリング法により成膜して厚さ１０〜１３μｍの絶縁層（第１絶縁層）４５４を形成する。次に、図７１（ａ）及び図７１（ｂ）に示すように、ＣＭＰ（化学的機械的研磨）法により、導電層４８３、４８４上部が露出するまで絶縁層４５４表面を研磨して平坦面（ＣＭＰ面）４５４ａを形成する。導電層４８３、４８４が露出したか否かの確認は目視により行う。

次に、図７２（ａ）及び図７２（ｂ）に示すように絶縁層４５４の平坦面４５４ａ上に膜厚１０ｎｍ程度のＴｉの電極膜４９１をスパッタリング法により形成し、次いで電極膜４９１上に膜厚１００ｎｍ程度のＮｉＦｅの電極膜（第１中間電極膜）４９２をスパッタリング法により形成する。電極膜４９１は電極膜７１と同様に、電極膜４９２の密着性を良くするためのバッファ膜として形成される。また、電極膜４９２は、後程説明する磁性部材層５０１のパターンめっき用の電極膜として用いられる。

次に、電極膜４９２上にレジストを塗布して厚さ８〜１３μｍのレジスト層（第１中間レジスト層）５５５を形成する。次に、図７３（ａ）及び図７３（ｂ）に示すように、レジスト層５５５をパターニングして、電極膜４９２を露出させる開口（第１中間開口）４４１ａをレジスト層５５５に形成する。開口４４１ａは素子形成領域をその法線方向に見て長方形状に形成され、コイル底部４３１、４３２の両端部上の導電層４８３、４８４の間にコイル底部４３１、４３２と所定の角度で交差して配置される。

次に、図７４（ａ）及び図７４（ｂ）に示すように、開口４４１ａ内の電極膜４９２上に厚さ５〜１０μｍのＮｉＦｅの磁性部材層（第１磁性部材層）５０１を例えばパターンめっき法により形成する。なお、磁性部材層５０１の形成材料は、ＮｉＦｅ以外の高透磁率を有する材料でもよい。次に、図７５（ａ）及び図７５（ｂ）に示すように、レジスト層５５５をエッチングにより除去する。

次に、全面にレジストを塗布して厚さ１０〜１５μｍのレジスト層（第３中間レジスト層）５６３を形成する。次に、図７６（ａ）及び図７６（ｂ）に示すように、レジスト層５６３をパターニングして、磁性部材層５０１の両端部を露出させる開口（第３中間開口）５０３ａをレジスト層５６３に形成する。開口５０３ａは、素子形成領域をその法線方向に見て、コイル底部４３１、４３２の外側で長方形状に形成される。次に、図７７（ａ）及び図７７（ｂ）に示すように、開口５０３ａ内の磁性部材層５０１上に厚さ３μｍ程度のＮｉＦｅの磁性部材層（第２磁性部材層）５０３をパターンめっき法により形成する。

次に、図７８（ａ）及び図７８（ｂ）に示すように、レジスト層５６３をエッチングにより除去する。次に、図７９（ａ）及び図７９（ｂ）に示すように、レジスト層５６３の除去により露出した電極膜４９２と、当該電極膜４９２の下層の電極膜４９１とをドライエッチング（ミリング）により除去する。電極膜４９１、４９２を除去する際に、磁性部材層５０１、５０３の表面も電極膜４９１、４９２の膜厚と同程度の厚さ分だけエッチングされる。しかし、磁性部材層５０１、５０３は電極膜４９１、４９２に比べて十分に厚く形成されているので、当該ドライエッチングにより完全に除去されることはない。以上の工程により、電極膜４９１、４９２及び磁性部材層５０１が積層された積層構造のコア４４１が形成される。

次に、図８０（ａ）及び図８０（ｂ）に示すように、全面に厚さ１０ｎｍ程度のＴｉの電極膜４７３をスパッタリング法により形成し、次いで電極膜４７３上に厚さ１００ｎｍ程度のＣｕの電極膜（第２中間電極膜）４７４をスパッタリング法により形成する。電極膜４７３、４７４は下層の導電層４８３、４８４と電気的に接続される。

次に、電極膜４７４上にレジストを塗布して厚さ１５〜２３μｍのレジスト層（第２中間レジスト層）５５７を形成する。次に、図８１（ａ）及び図８１（ｂ）に示すように、レジスト層５５７をパターニングして、開口４８３ａ、４８４ａ内に形成された導電層４８３、４８４上の電極膜４７４を露出させる開口（第２中間開口）４８５ａ、４８６ａと、開口４６３ａ、４６４ａ内に形成された導電層４８３、４８４上の電極膜４７４を露出させる開口４６５ａ、４６６ａとをレジスト層５５７に形成する。

次に、図８２（ａ）及び図８２（ｂ）に示すように、開口４６５ａ、４８５ａ内の電極膜４７４上に厚さ１０〜１８μｍのＣｕの導電層（第１中間導電層）４８５を形成し、開口４６６ａ、４８６ａ内の電極膜４７４上に同一形成材料で同一厚さの導電層（第１中間導電層）４８６を形成する。導電層４８５、４８６はパターンめっき法により形成され、下層の電極膜４７４に電気的にそれぞれ接続される。次に、図８３（ａ）及び図８３（ｂ）に示すように、レジスト層５５７をエッチングにより除去する。次に、図８４（ａ）及び図８４（ｂ）に示すように、レジスト層５５７の除去により露出した電極膜４７４と、当該電極膜４７４の下層の電極膜４７３とをドライエッチングにより除去する。以上の工程によって、導電層４８３、電極膜４７３、４７４及び導電層４８５が積層された積層構造のコイル側部４３３ａ、４３３ｂと、導電層４８４、電極膜４７３、４７４及び導電層４８６が積層された積層構造のコイル側部４３４ａ、４３４ｂとが形成される。図８４（ｂ）において、コイル側部４３３ａ、４３４ａは、左側に一直線上に交互に等間隔に配置され、コイル側部４３３ｂ、４３４ｂは、右側に一直線上に交互に等間隔に配置される。

次に、図８５（ａ）及び図８５（ｂ）に示すように、全面にアルミナをスパッタリング法により成膜して厚さ１０〜１８μｍの絶縁層（第２絶縁層）４５６を形成する。次に、図８６（ａ）及び図８６（ｂ）に示すように、ＣＭＰ法により、磁性部材層５０３が露出するまで絶縁層４５６を研磨して平坦面４５６ａを形成する。その際、コイル側部４３３ａ、４３３ｂ、４３４ａ、４３４ｂ及び開口４６５ａ、４６６ａ内に形成された導電層４８５、４８６も研磨され、表面が平坦面４５６ａに露出する。

次に、図８７（ａ）及び図８７（ｂ）に示すように、絶縁層４５６の平坦面４５６ａ上に厚さ１０ｎｍ程度のＴｉの電極膜４７５をスパッタリング法により形成し、次いで電極膜４７５上に厚さ１００ｎｍ程度のＣｕの電極膜（第２電極膜）４７６をスパッタリング法により形成する。電極膜４７５、４７６は、電極膜４７３、４７４及び導電層４８５を介して導電層４８３と電気的に接続され、電極膜４７３、４７４及び導電層４８６を介して導電層４８４と電気的に接続される。

次に、電極膜４７６上にレジストを塗布して厚さ１０〜１５μｍのレジスト層（第３レジスト層）５５９を形成する。次に、図８８（ａ）及び図８８（ｂ）に示すように、レジスト層５５９をパターニングして、電極膜４７６を細長状に露出する複数の開口（第３開口）４８７ａ、４８８ａと、開口４６５ａ、４６６ａ内に形成された導電層４８５、４８６上の電極膜４７６を露出する開口４６７ａ、４６８ａとを形成する。これにより、素子形成領域をその法線方向に見て、コイル側部４３３ａ上の電極膜４７６が一端部に露出し、当該コイル側部４３３ａ直下のコイル底部４３１とコイル底部４３２を挟んで隣接するコイル底部４３１上のコイル側部４３３ｂ上の電極膜４７６が他端部に露出する開口４８７ａと、コイル側部４３４ａ上の電極膜４７６が一端部に露出し、当該コイル側部４３４ａ直下のコイル底部４３２とコイル底部４３１を挟んで隣接するコイル底部４３２上のコイル側部４３４ｂ上の電極膜４７６が他端部に露出する開口４８８ａとがほぼ等間隔に交互に並列して形成される。また、開口４８７ａは、素子形成領域をその法線方向に見て、コア４４１を挟んでコイル底部４３２に交差して対向して形成される。一方、開口４８８ａは同方向に見て、コア４４１を挟んでコイル底部４３１に交差して対向して形成される。また、素子形成領域の短辺側に配置される開口４８７ａの一端部は開口４６７ａに繋げられて形成される。

次に、図８９（ａ）及び図８９（ｂ）に示すように、開口４６７ａ、４８７ａ内の電極膜４７６上に厚さ７〜１０μｍのＣｕの導電層（第３導電層）４８７を形成し、開口４６８ａ、４８８ａ内の電極膜４７６上に同一形成材料で同一厚さの導電層（第３導電層）８８を形成する。導電層４８７、４８８は、パターンめっき法により同時に形成され、下層の電極膜４７６に電気的にそれぞれ接続される。次に、図９０（ａ）及び図９０（ｂ）に示すように、レジスト層５５９を除去する。次に、図９１（ａ）及び図９１（ｂ）に示すようにレジスト層５５９の除去により露出した電極膜４７６と、当該電極膜４７６の下層の電極膜４７５とを除去する。これにより、電極膜４７５、４７６及び導電層４８７が積層された積層構造のコイル上部４３５が形成され、電極膜４７５、４７６及び導電層４８８が積層された積層構造のコイル上部４３６が形成される。

以上の工程によって、コイル底部４３１、コイル側部４３３ａ、コイル上部４３５及びコイル側部４３３ｂで構成される１巻きのコイルを２巻き有する第１ヘリカルコイル部４１１が形成され、同時にコイル底部４３２、コイル側部４３４ａ、コイル上部４３６、及びコイル側部４３４ｂで構成される１巻きのコイルを２巻き有する第２ヘリカルコイル部４１２が形成される。第１及び第２ヘリカルコイル部４１１、４１２は２重らせん構造に形成される。また、導電層４８１、４８３、４８５、４８７の積層構造の外部電極接続部４６１が開口４６１ａ、４６３ａ、４６５ａ、４６７ａに同時に形成され、導電層４８２、４８４、４８６、４８８の積層構造の外部電極接続部４６２が開口４６２ａ、４６４ａ、４６６ａ、４６８ａに同時に形成される。

コイル上部４３５、４３６は交互に並列して配置される。また、コイル上部４３５は、素子形成領域をその法線方向に見て、コア４４１を挟んでコイル底部４３２と交差し、コイル上部４３６はコア４４１を挟んでコイル底部４３１と交差して配置される。

次に、図９２（ａ）及び図９２（ｂ）に示すように、全面に厚さ１０ｎｍ程度のＴｉの電極膜４９５をスパッタリング法により形成し、次いで電極膜４９５上に厚さ１００ｎｍ程度のＮｉＦｅの電極膜（第３電極膜）４９６をスパッタリング法により形成する。

次に、電極膜４９６上にレジストを塗布して厚さ１３〜１６μｍのレジスト層（第４レジスト層）５６５を形成する。次に、図９３（ａ）及び図９３（ｂ）に示すように、レジスト層５６５をパターニングして、磁性部材層５０３上の電極膜４９６を露出させる開口（第４開口）５０５ａをレジスト層５６５に形成する。次に、図９４（ａ）及び図９４（ｂ）に示すように、開口５０５ａ内の電極膜４９６上に厚さ１０〜１３μｍ程度のＮｉＦｅの磁性部材層（第３磁性部材層）５０５をパターンめっき法により形成する。

次に、図９５（ａ）及び図９５（ｂ）に示すように、レジスト層５６５をエッチングにより除去する。次に、図９６（ａ）及び図９６（ｂ）に示すように、レジスト層５６５の除去により露出した電極膜４９６と、当該電極膜４９６の下層の電極膜４９５とをドライエッチング（ミリング）により除去する。電極膜４９５、４９６を除去する際に、磁性部材層５０５の表面も電極膜４９５、４９６の膜厚と同程度の厚さ分だけエッチングされる。しかし、磁性部材層５０５は電極膜４９５、４９６に比べて十分に厚く形成されているので、当該ドライエッチングにより完全に除去されることはない。これにより、磁性部材層５０３、電極膜４９５、４９６及び磁性部材層５０５が積層された積層構造の閉磁路側部５１３が形成される。

次に、図９７（ａ）及び図９７（ｂ）に示すように、全面にアルミナをスパッタリング法により成膜して厚さ１３〜１６μｍの絶縁層（第３絶縁層）４５８を形成する。次に、図９８（ａ）及び図９８（ｂ）に示すように、ＣＭＰ法により、閉磁路側部５１３が露出するまで絶縁層４５８を研磨して平坦面４５８ａを形成する。

次に、図９９（ａ）及び図９９（ｂ）に示すように、全面に厚さ１０ｎｍ程度のＴｉの電極膜４９７をスパッタリング法により形成し、次いで電極膜４９７上に厚さ１００ｎｍ程度のＮｉＦｅの電極膜（第４電極膜）４９８をスパッタリング法により形成する。

次に、電極膜４９８上にレジストを塗布して厚さ８〜１３μｍのレジスト層（第５レジスト層）５６７を形成する。次に、図１００（ａ）及び図１００（ｂ）に示すように、レジスト層５６７をパターニングして、開口（第５開口）５０７ａをレジスト層５６７に形成する。開口５０７ａは、素子形成領域をその法線方向に見て、閉磁路側部５１３上の電極膜４９８が両端部に露出するようにコア４４１とほぼ同じ大きに形成される。次に、図１０１（ａ）及び図１０１（ｂ）に示すように、開口５０７ａ内の電極膜４９８上に厚さ５〜１０μｍのＮｉＦｅの磁性部材層（第４磁性部材層）５０７をパターンめっき法により形成する。

次に、図１０２（ａ）及び図１０２（ｂ）に示すように、レジスト層５６７をエッチングにより除去する。次に、図１０３（ａ）及び図１０３（ｂ）に示すように、レジスト層５６７の除去により露出した電極膜４９８と、当該電極膜４９８の下層の電極膜４９７とをドライエッチング（ミリング）により除去する。電極膜４９７、４９８を除去する際に、磁性部材層５０７の表面も電極膜４９７、４９８の膜厚と同程度の厚さ分だけエッチングされる。しかし、磁性部材層５０７は電極膜４９７、４９８に比べて十分に厚く形成されているので、当該ドライエッチングにより完全に除去されることはない。これにより、電極膜４７７、４７８及び磁性部材層５０７が積層された積層構造の閉磁路上部５１５が形成される。閉磁路上部５１５は、コイル上部４３５、４３６を介してコア４４１と対向して形成される。

以上の工程によって、コア４４１、閉磁路上部５１５及び２つの閉磁路側部５１３で構成された閉磁路５４１が形成される。閉磁路５４１は、素子形成領域にほぼ直交して形成される。

次に、図１０４（ａ）乃至図１０４（ｃ）に示すように、保護膜として全面にアルミナをスパッタリング法により成膜して厚さ１０μｍ程度の絶縁層４５９を形成する。図１０４(ａ)は、図１０４(ｂ)のＡ−Ａ線で切断した断面図であり、図１０４(ｃ)は、図１０４(ｂ)のＢ−Ｂ線で切断した断面図である。絶縁層４５９の形成材料として、アルミナ以外の絶縁性材料を用いてもよい。以上の工程により、絶縁層５２、４５４、４５６、４５８、４５９が積層された積層構造の絶縁層４６０が形成される。第１及び第２ヘリカルコイル部４１１、４１２及び閉磁路５４１は絶縁層４６０に内包される。

次に、シリコン基板５１を裏面から削り所望の板厚に揃える、または完全に除去する。次に、所定の切断線に沿ってウエハを切断し、ウエハ上に形成された複数のコモンモードチョークコイル４０１を素子形成領域毎にチップ状に分離する。外部電極接続部４６１、４６２の一部は絶縁層４６０の外表面に露出される。次に、図示は省略するが、切断面に露出した外部電極接続部４６１、４６２に電気的にそれぞれ接続される外部電極を当該切断面に形成する。次に、必要に応じて角部の面取りを行い、コモンモードチョークコイル４０１が完成する。

以上説明したように、本実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１の製造方法によれば、第１の実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の製造方法と同様に、基板面に対してほぼ平行ならせん軸を有する第１及び第２ヘリカルコイル部４１１、４１２及び閉磁路５４１を薄膜形成技術を用いて一連の製造工程で形成することができる。従って、対向配置された磁性基板を閉磁路の一部とする従来の薄膜型コモンモードチョークコイルに比べて、本実施の形態のコモンモードチョークコイル４０１は磁性基板の接着工程が不要となるので、製造工程数が削減されて製造コストの低コスト化を図ることができる。

〔第４の実施の形態〕
本発明の第４の実施の形態によるコモンモードチョークコイルについて図１０５乃至図１３６を用いて説明する。本実施の形態によるコモンモードチョークコイル６０１は製造方法に特徴を有している。当該製造方法により完成したコモンモードチョークコイル６０１の構成は、上記第３の実施の形態のコモンモードチョークコイル４０１と同様であるため説明は省略する。なお、第３の実施の形態と同一の機能、作用を奏する構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。

本実施の形態によるコモンモードチョークコイル６０１の製造方法について図１０５乃至図１３６を用いて説明する。図１０５乃至図１３６は、１個のコモンモードチョークコイル６０１の素子形成領域を示している。図１０５(ａ)乃至図１３６(ａ)は、図１０５(ｂ)乃至図１３６(ｂ)のＡ−Ａ線で切断した断面図であり、図１０５(ｂ)乃至図１３６(ｂ)は、コモンモードチョークコイル６０１の製造方法を示す平面図である。

まず、上記第３の実施の形態のコモンモードチョークコイル４０１と同様の製造方法により、シリコン基板５１上に絶縁層（下部絶縁層）５２と、Ｃｕの導電層（第１導電層）４８１、４８２を形成する（図６１乃至図６５参照）。

次に、全面にレジストを塗布して厚さ２０〜３０μｍのレジスト層（第２レジスト層）７５３を形成する。次に、図１０５（ａ）及び図１０５（ｂ）に示すように、レジスト層７５３をパターニングして、細長状に形成された複数の導電層４８１、４８２の両端部をそれぞれ露出させる開口（第２開口）６８３ａ、６８４ａと、素子形成領域の外周囲の長辺の内側近傍で各短辺に沿って並んで形成された導電層４８１、４８２を露出する開口６６３ａ、６６４ａとをレジスト層７５３に形成する。図１０５（ｂ）に示すように、複数の導電層４８１、４８２の一端部上にそれぞれ形成された複数の開口６８３ａ、６８４ａは一直線上に交互に等間隔に配置され、他端部上にそれぞれ形成された複数の開口６８３ａ、６８４ａは一直線上に交互に等間隔に配置される。次に、図１０６（ａ）及び図１０６（ｂ）に示すように、開口６６３ａ、６８３ａ内の導電層４８１上に厚さ１０〜１８μｍ程度のＣｕの導電層（第２導電層）６８３を形成し、開口６６４ａ、６８４ａ内の導電層４８２上に同一形成材料で同一厚さの導電層（第２導電層）６８４を形成する。導電層６８３、６８４は例えばパターンめっき法により同時に形成される。これにより、導電層６８３は下層の導電層４８１と電気的に接続され、導電層６８４は下層の導電層４８２と電気的に接続される。

次に、図１０７（ａ）及び図１０７（ｂ）に示すように、レジスト層７５３をエッチングにより除去する。次に、図１０８（ａ）及び図１０８（ｂ）に示すように、レジスト層７５３の除去により露出した電極膜７２と、当該電極膜７２の下層の電極膜７１とをドライエッチング（ミリング）により除去する。電極膜７１、７２を除去する際に、導電層４８１、４８２、６８３、６８４の表面も電極膜７１、７２の膜厚と同程度の厚さ分だけエッチングされる。しかし、導電層４８１、４８２、６８３、６８４は電極膜７１、７２の膜厚に比べて十分に厚く形成されているので、当該ドライエッチングにより完全に除去されることはない。また、後程説明する各電極膜の除去は、電極膜７１、７２の除去と同様の方法が用いられる。以上の工程によって、電極膜７１、７２及び導電層４８１が積層された積層構造のコイル底部４３１が形成され、電極膜７１、７２及び導電層４８２が積層された積層構造のコイル底部４３２が形成される。コイル底部４３１、４３２はシリコン基板５１上に交互に並列して形成される。同時に、導電層６８３で形成されたコイル側部６３３ａ、６３３ｂがコイル底部４３１両端部にそれぞれ配置され、導電層６８４で形成されたコイル側部６３４ａ、６３４ｂがコイル底部４３２両端部にそれぞれ配置される。図１０８（ｂ）において、コイル側部６３３ａ、６３４ａは、図中左側に一直線上に交互に等間隔に配置され、コイル側部６３３ｂ、６３４ｂは、図中右側に一直線上に交互に等間隔に配置される。

次に、図１０９（ａ）及び図１０９（ｂ）に示すように、全面にアルミナをスパッタリング法により成膜して厚さ１７〜２８μｍの絶縁層（第１絶縁層）６５４を形成する。次に、図１１０（ａ）及び図１１０（ｂ）に示すように、ＣＭＰ（化学的機械的研磨）法により、コイル側部６３３ａ、６３３ｂ、６３４ａ、６３４ｂ上部が露出するまで絶縁層６５４表面を研磨して平坦面（ＣＭＰ面）６５４ａを形成する。コイル側部６３３ａ、６３３ｂ、６３４ａ、６３４ｂが露出したか否かの確認は目視により行う。

次に、全面にレジストを塗布して厚さ３μｍ程度のレジスト層（第１介在レジスト層）７５２を形成する。次に、図１１１（ａ）及び図１１１（ｂ）に示すように、レジスト層７５２をパターニングして、絶縁層６５４を露出させる開口（第１介在開口）７６１ａをレジスト層７５２に形成する。開口７６１ａは、素子形成領域をその法線方向に見て、長方形状に形成され、コイル側部６３３ａ、６３４ａとコイル側部６３３ｂ、６３４ｂとの間にコイル底部４３１、４３２と所定の角度で交差して配置される。

次に、図１１２（ａ）及び図１１２（ｂ）に示すように、開口７６１ａに露出した絶縁層６５４を反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によりエッチングして、開口７６１ａとほぼ同じ形状に開口されて深さ８〜１３μｍの溝部７６１を絶縁層６５４に形成する。その際、溝部７６１の底部にコイル底部４３１、４３２が露出せず、溝部７６１の側部にコイル側部６３３ａ、６３３ｂ、６３４ａ、６３４ｂが露出しないようにする。次に、図１１３（ａ）及び図１１３（ｂ）に示すように、レジスト層７５２をエッチングにより除去する。

次に、図１１４（ａ）及び図１１４（ｂ）に示すように、全面に膜厚１０ｎｍ程度のＴｉの電極膜６９１をスパッタリング法により形成し、次いで電極膜６９１上に膜厚１００ｎｍ程度のＮｉＦｅの電極膜（第１介在電極膜）６９２をスパッタリング法により形成する。溝部７６１の側部には、溝部７６１底部に形成される電極膜６９１、６９２よりも薄い膜厚の電極膜６９１、６９２が形成される。電極膜６９１は、電極膜６９２と絶縁層６５４との密着性を向上させるバッファ膜として形成される。また、電極膜６９２は、後程説明する磁性部材層７０１のパターンめっき用の電極膜として用いられる。

次に、図１１５（ａ）及び図１１５（ｂ）に示すように、電極膜６９２上に厚さ７〜１０μｍのＮｉＦｅの磁性部材層（第１磁性部材層）７０１を例えばパターンめっき法により形成する。なお、磁性部材層７０１の形成材料は、ＮｉＦｅ以外の高透磁率を有する材料でもよい。

次に、図１１６（ａ）及び図１１６（ｂ）に示すように、ＣＭＰ法により、絶縁層６５４上部が露出するまで磁性部材層７０１、電極膜６９２及び電極膜６９１を研磨する。これにより、溝部７６１の外側に形成された電極膜６９１、６９２及び磁性部材層７０１は除去される。以上の工程により、磁性部材層７０１で構成されたコア６４１が溝部７６１に形成される。

次に、全面にレジストを塗布して厚さ５μｍ程度のレジスト層を形成する。次に、図１１７（ａ）及び図１１７（ｂ）に示すように、当該レジスト層をパターニングして、直方体形状を有し、コア６４１の両短辺端部及びその周りの電極膜２９１、２９２が露出されるレジスト層７６７をコア６４１及び電極膜２９１、２９２上に形成する。レジスト層７６７は、電極膜６９１、６９２及びコア６４１と、後程説明するコイル上部６３５、６３６とを絶縁させる有機絶縁膜として用いられる。次に、図１１８（ａ）及び図１１８（ｂ）に示すように、絶縁性を高めるためにレジスト層７６７を加熱して硬化する（キュア）。

次に、図１１９（ａ）及び図１１９（ｂ）に示すように、全面に厚さ１０ｎｍ程度のＴｉの電極膜６９３をスパッタリング法により形成し、次いで電極膜６９３上に厚さ１００ｎｍ程度のＮｉＦｅの電極膜（第２介在電極膜）６９４をスパッタリング法により形成する。

次に、全面にレジストを塗布して厚さ１０〜１５μｍのレジスト層（第２介在レジスト層）７６３を形成する。次に、図１２０（ａ）及び図１２０（ｂ）に示すように、レジスト層７６３をパターニングして、コア６４１の両端部上の電極膜６９４を露出させる開口（第２介在開口）７０３ａをレジスト層７６３に形成する。開口７０３ａは、素子形成領域をその法線方向に見て、コイル底部４３１、４３２の外側で長方形状に形成される。次に、図１２１（ａ）及び図１２１（ｂ）に示すように、開口７０３ａ内の電極膜６９４上に厚さ１０〜１５μｍのＮｉＦｅの磁性部材層（第２磁性部材層）７０３をパターンめっき法により形成する。

次に、図１２２（ａ）及び図１２２（ｂ）に示すように、レジスト層７６３をエッチングにより除去する。次に、図１２３（ａ）及び図１２３（ｂ）に示すように、レジスト層７６３の除去により露出した電極膜６９４と、当該電極膜６９４の下層の電極膜６９３とをドライエッチング（ミリング）により除去する。以上の工程により、電極膜６９３、６９４及び磁性部材層７０３が積層された積層構造の閉磁路側部７１３が形成される。

次に、図１２４（ａ）及び図１２４（ｂ）に示すように、全面に厚さ１０ｎｍ程度のＴｉの電極膜６７５をスパッタリング法により形成し、次いで電極膜６７５上に厚さ１００ｎｍ程度のＣｕの電極膜（第２電極膜）６７６をスパッタリング法により形成する。電極膜６７５、６７６は、コイル側部６３３ａ、６３３ｂ、６３４ａ、６３４ｂと電気的に接続され、レジスト層７６７によって電極膜６９１、６９２及びコア６４１と絶縁される。

次に、電極膜６７６上にレジストを塗布して厚さ１０〜１５μｍのレジスト層（第３レジスト層）７５９を形成する。次に、図１２５（ａ）及び図１２５（ｂ）に示すように、レジスト層７５９をパターニングして、電極膜６７６を細長状に露出する複数の開口（第３開口）６８７ａ、６８８ａと、開口６６３ａ、６６４ａ内に形成された導電層６８３、６８４上の電極膜６７６を露出する開口６６７ａ、６６８ａとを形成する。これにより、素子形成領域をその法線方向に見て、コイル側部６３３ａ上の電極膜６７６が一端部に露出し、当該コイル側部６３３ａ直下のコイル底部４３１とコイル底部４３２を挟んで隣接するコイル底部４３１上に配置されたコイル側部６３３ｂ上の電極膜６７６が他端部に露出する開口６８７ａと、コイル側部６３４ａ上の電極膜６７６が一端部に露出し、当該コイル側部６３４ａ直下のコイル底部４３２とコイル底部４３１を挟んで隣接するコイル底部４３２上に配置されたコイル側部６３４ｂ上の電極膜６７６が他端部に露出する開口６８８ａとがほぼ等間隔に交互に並列して形成される。また、開口６８７ａは、素子形成領域をその法線方向に見て、コア６４１を挟んでコイル底部４３２に交差して対向して形成される。一方、開口６８８ａは同方向に見て、コア６４１を挟んでコイル底部４３１に交差して対向して形成される。また、素子形成領域の両短辺側に配置される開口６８７ａの一端部は開口６６７ａに繋げられた状態にそれぞれ形成される。

次に、図１２６（ａ）及び図１２６（ｂ）に示すように、開口６６７ａ、６８７ａ内の電極膜６７６上に厚さ７〜１０μｍのＣｕの導電層（第３導電層）６８７を形成し、開口６６８ａ、６８８ａ内の電極膜６７６上に同一形成材料で同一厚さの導電層（第３導電層）６８８を形成する。導電層６８７、６８８はパターンめっき法により同時に形成され、電極膜６７６に電気的にそれぞれ接続される。次に、図１２７（ａ）及び図１２７（ｂ）に示すように、レジスト層７５９を除去する。次に、図１２８（ａ）及び図１２８（ｂ）に示すようにレジスト層７５９の除去により露出した電極膜６７６と、当該電極膜６７６の下層の電極膜６７５とを除去する。これにより、電極膜６７５、６７６及び導電層６８７が積層された積層構造のコイル上部６３５が形成され、電極膜６７５、６７６及び導電層６８８が積層された積層構造のコイル上部６３６が形成される。

以上の工程によって、コイル底部４３１、コイル側部６３３ａ、コイル上部６３５及びコイル側部６３３ｂで構成される１巻きのコイルを２巻き有する第１ヘリカルコイル部６１１が形成され、同時にコイル底部４３２、コイル側部６３４ａ、コイル上部６３６、及びコイル側部６３４ｂで構成される１巻きのコイルを２巻き有する第２ヘリカルコイル部６１２が形成される。第１及び第２ヘリカルコイル部６１１、６１２は２重らせん構造に形成される。また、導電層４８１、６８３、６８７の積層構造の外部電極接続部６６１が開口４６１ａ、６６３ａ、６６７ａに同時に形成され、導電層４８２、６８４、６８８の積層構造の外部電極接続部６６２が開口４６２ａ、６６４ａ、６６８ａに同時に形成される。

コイル上部６３５、６３６は交互に並列して配置される。また、素子形成領域をその法線方向に見て、コイル上部６３５はコア６４１を挟んでコイル底部４３２と交差し、コイル上部６３６はコア６４１を挟んでコイル底部４３１と交差して配置される。

次に、図１２９（ａ）及び図１２９（ｂ）に示すように、全面にアルミナをスパッタリング法により成膜して厚さ１０〜１５μｍの絶縁層（第２絶縁層）６５８を形成する。次に、図１３０（ａ）及び図１３０（ｂ）に示すように、ＣＭＰ法により、閉磁路側部７１３が露出するまで絶縁層６５８を研磨して平坦面６５８ａを形成する。

次に、図１３１（ａ）及び図１３１（ｂ）に示すように、全面に厚さ１０ｎｍ程度のＴｉの電極膜６９７をスパッタリング法により形成し、次いで電極膜６９７上に厚さ１００ｎｍ程度のＮｉＦｅの電極膜（第３電極膜）６９８をスパッタリング法により形成する。

次に、電極膜６９８上にレジストを塗布して厚さ７〜１２μｍのレジスト層（第４レジスト層）７６７を形成する。次に、図１３２（ａ）及び図１３２（ｂ）に示すように、レジスト層７６７をパターニングして、開口（第４開口）７０７ａをレジスト層７６７に形成する。開口７０７ａは、素子形成領域をその法線方向に見て、閉磁路側部７１３上の電極膜６９８が両端部に露出するようにコア６４１とほぼ同じ大きさに形成される。次に、図１３３（ａ）及び図１３３（ｂ）に示すように、開口７０７ａ内の電極膜６９８上に厚さ５〜１０μｍのＮｉＦｅの磁性部材層（第３磁性部材層）７０７をパターンめっき法により形成する。

次に、図１３４（ａ）及び図１３４（ｂ）に示すように、レジスト層７６７をエッチングにより除去する。次に、図１３５（ａ）及び図１３５（ｂ）に示すように、レジスト層７６７の除去により露出した電極膜６９８と、当該電極膜６９８の下層の電極膜６９７とをドライエッチング（ミリング）により除去する。電極膜６９７、６９８を除去する際に、磁性部材層７０７の表面も電極膜６９７、６９８の膜厚と同程度の厚さ分だけエッチングされる。しかし、磁性部材層７０７の膜厚は電極膜６９７、６９８の膜厚に比べて十分に厚く形成されているので、当該ドライエッチングにより完全に除去されることはない。これにより、電極膜６９７、６９８及び磁性部材層７０７が積層された積層構造の閉磁路上部７１５が形成される。閉磁路上部７１５は、コイル上部６３５、６３６を介してコア６４１と対向して形成される。

以上の工程によって、コア６４１、閉磁路上部７１５及び２つの閉磁路側部７１３で構成された閉磁路７４１が形成される。閉磁路７４１は、素子形成領域にほぼ直交して形成される。

次に、図１３６（ａ）乃至図１３６（ｃ）に示すように、保護膜として全面にアルミナをスパッタリング法により成膜して厚さ１０μｍ程度の絶縁層６５９を形成する。図１３６(ａ)は、図１３６(ｂ)のＡ−Ａ線で切断した断面図であり、図１３６(ｃ)は、図１３６(ｂ)のＢ−Ｂ線で切断した断面図である。絶縁層６５９の形成材料として、アルミナ以外の絶縁性材料を用いてもよい。以上の工程により、絶縁層５２、６５４、６５８、６５９が積層された積層構造の絶縁層６６０が形成される。第１及び第２ヘリカルコイル部６１１、６１２及び閉磁路７４１は絶縁層６６０に内包される。

次に、シリコン基板５１を裏面から削り所望の板厚に揃える、または完全に除去する。次に、所定の切断線に沿ってウエハを切断し、ウエハ上に形成された複数のコモンモードチョークコイル６０１を素子形成領域毎にチップ状に分離する。外部電極接続部６６１の一部は、絶縁層６６０の外表面に露出される。次に、図示は省略するが、切断面に露出した外部電極接続部６６１、６６２に電気的にそれぞれ接続される外部電極を当該切断面に形成する。次に、必要に応じて角部の面取りを行い、コモンモードチョークコイル６０１が完成する。

以上説明したように、本実施の形態のコモンモードチョークコイルの製造方法によれば、コイル側部を構成する導電層６８３、６８４は１回のパターンめっき工程で形成されるので、当該導電層を２回のパターンめっき工程で形成する上記第３の実施の形態のコモンモードチョークコイルの製造方法に比べて製造工程数を削減できる。これにより、コモンモードチョークコイルの製造コストの低減を図ることができる。

ここで、第１乃至第４の実施の形態によるコモンモードチョークコイルの製造方法及び従来の薄膜型コモンモードチョークコイルの製造方法について図１３７を用いて説明する。図１３７は、第１乃至第４の実施の形態及び従来のコモンモードチョークコイルの薄膜製造工程数を示している。図１３７は、図中の最左欄に薄膜製造工程の名称を示し、その隣から順に第１乃至第４の実施の形態及び従来のコモンモードチョークコイルの各製造工程の工程数を示している。また、図中の最下欄には、各コモンモードチョークコイルの薄膜製造工程数の合計が示されている。従来のコイルとして図１３７には、薄膜形成技術で形成された絶縁層及びスパイラル形状のコイル導体が対向配置された一対の磁性基板間に挟まれて、全体として直方体状の外形形状に形成された表面実装型のコモンモードチョークコイルの薄膜製造工程数が例示されている。

図１３７に示すように、コイル底部の形成面にほぼ平行に形成された閉磁路を有するコモンモードチョークコイル（第１及び第２の実施の形態）では、１回のコア部めっき工程で当該閉磁路が形成される。これに対し、コイル底部の形成面にほぼ直交する閉磁路を有するコモンモードチョークコイル（第３及び第４の実施の形態）では、３回のコア部めっき工程により当該閉磁路が形成される。このため、第１及び第２の実施の形態によるコイルの製造方法は、第３及び第４の実施の形態によるコイルの製造方法に比べてコア部めっき工程及びこれに関連するフォトプロセス工程が少なくなる。従って、第１及び第２の実施の形態によるコイルの製造方法によれば、第３及び第４の実施の形態によるコイルの製造方法の約２／３の総薄膜製造工程数でコモンモードチョークコイルが完成する。

第２の実施の形態（第４の実施の形態）のコモンモードチョークコイルの製造方法では、１回の導体めっき工程でコイル側部が形成される。これに対し、第１の実施の形態（第３の実施の形態）のコモンモードチョークコイルの製造方法では、２回の導体めっき工程でコイル側部が形成される。このため、第２の実施の形態（第４の実施の形態）のコイルの製造方法は、第１の実施の形態（第３の実施の形態）のコイルの製造方法に比べて導体めっき工程及びこれに関連するフォトプロセス工程が少なくなるので、総薄膜製造工程数の削減を図ることができる。しかし、第２の実施の形態（第４の実施の形態）のコイルの製造方法は、コイル側部を形成した後にコア形成用の溝部を形成しなければならないので、高度な薄膜形成技術が必要になる。このため、第１の実施の形態（第３の実施の形態）のコイルの製造方法は、コモンモードチョークコイルの製造のし易さという点において第２の実施の形態（第４の実施の形態）のコイルの製造方法より有効である。

第１の実施の形態によるコモンモードチョークコイルの製造方法は、従来のコモンモードチョークコイルの製造方法と薄膜製造工程数がほぼ同じである。第３及び第４の実施の形態によるコモンモードチョークコイルの製造方法は、従来のコモンモードチョークコイルの製造方法より薄膜製造工程数が増加している。ところが、従来のコモンモードチョークコイルは、図１３７に示す薄膜製造工程の他に、コイル導体が内包された絶縁層上に磁性基板を接着する接着工程が必要になる。このため、第１、第３及び第４の実施の形態によるコモンモードチョークコイルの製造方法は、従来のコモンモードチョークコイルの製造方法より全製造工程数の削減を図ることができる。

〔第５の実施の形態〕
本発明の第５の実施の形態によるコモンモードチョークコイル及びその製造方法について図１３８乃至図１６１を用いて説明する。上記第１乃至第４の実施の形態によるコモンモードチョークコイルでは、第１及び第２ヘリカルコイル部のコイルピッチが狭くなるとアルミナの絶縁層だけでは、第１及び第２ヘリカルコイル部同士が十分に絶縁されない可能性がある。そこで、本実施の形態によるコモンモードチョークコイル８０１は、第１及び第２ヘリカルコイル部１１、１２の絶縁を十分に確保するために、両コイル部１１、１２の間隙に絶縁用レジスト層（有機絶縁物）７７１、７７３を備えている点に特徴を有している（図１６１参照）。絶縁用レジスト層７７１、７７３は絶縁性を高めるために加熱して固化されている（キュア）。

コモンモードチョークコイル８０１の構成は、絶縁用レジスト層７７１、７７３を有している点を除いて、上記第１の実施の形態のコモンモードチョークコイル１と同様であるため詳細な説明は省略する。絶縁用レジスト層７７１、７７３の形成場所については、本実施の形態によるコモンモードチョークコイルの製造方法において説明する。以下の説明において、第１の実施の形態と同一の機能、作用を奏する構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。

本実施の形態によるコモンモードチョークコイル８０１の製造方法について図１３８乃至図１６１を用いて説明する。コモンモードチョークコイル８０１はウエハ上に同時に多数形成されるが、図１３８乃至図１６１は、１個のコモンモードチョークコイル８０１の素子形成領域を示している。図１３８(ａ)乃至図１６１(ａ)は、図１３８(ｂ)乃至図１６１(ｂ)のＡ−Ａ線で切断した断面図であり、図１３８(ｂ)乃至図１６１(ｂ)は、コモンモードチョークコイル８０１の製造方法を示す平面図である。

まず、上記第１の実施の形態のコモンモードチョークコイル１と同様の製造方法により、シリコン基板５１上に絶縁層（下部絶縁層）５２、コイル底部３１、３２及び導電層（第２絶縁層）８３、８４を形成する（図４乃至図１２参照）。

次に、全面にレジストを塗布して厚さ１５μｍ程度の絶縁用レジスト層７７１（有機絶縁物）を形成する。その際、導電層８３、８４表面が露出するようにする。次に、図１３８（ａ）及び図１３８（ｂ）に示すように、絶縁用レジスト層７７１をパターニングして、素子形成領域の外周囲近傍の絶縁層５２を露出させる。これにより、絶縁用レジスト層７７１はウエハ上の素子形成領域毎に島状に形成される。

次に、図１３９（ａ）及び図１３９（ｂ）に示すように、絶縁性を高めるために絶縁用レジスト層７７１を加熱して固化する（キュア）。隣接するコイル底部３１、３２同士は、その間隙に形成された絶縁用レジスト層７７１によって絶縁され、同様に隣接する導電層８３、８４同士は、その間隙に形成された絶縁用レジスト層７７１によって絶縁される。

次に、図１４０（ａ）及び図１４０（ｂ）に示すように、全面にアルミナをスパッタリング法により成膜して厚さ１７μｍ程度の絶縁層（第１絶縁層）５４を形成する。次に、図１４１（ａ）及び図１４１（ｂ）に示すように、ＣＭＰ（化学的機械的研磨）法により、導電層８３、８４上部が露出するまで絶縁層５４表面を研磨して平坦面（ＣＭＰ面）５４ａを形成する。導電層８３、８４が露出したか否かの確認は目視により行う。

次に、図１４２（ａ）及び図１４２（ｂ）に示すように絶縁層５４の平坦面５４ａ上に膜厚５ｎｍ程度のＴｉの電極膜９１をスパッタリング法により形成し、次いで電極膜９１上に膜厚５０ｎｍ程度のＮｉＦｅ（パーマロイ）の電極膜（第１中間電極膜）９２をスパッタリング法により形成する。電極膜９１は電極膜７１と同様に、電極膜９２の密着性を良くするためのバッファ膜として形成される。また、電極膜９２は、後程説明する磁性部材層１０１のパターンめっき用の電極膜として用いられる。

次に、電極膜９２上にレジストを塗布して厚さ１５μｍ程度のレジスト層（第１中間レジスト層）１５５を形成する。次に、図１４３（ａ）及び図１４３（ｂ）に示すように、レジスト層１５５をパターニングして、電極膜９２を露出させる開口（第１中間開口）１０１ａをレジスト層１５５に形成する。開口１０１ａは素子形成領域をその法線方向に見て、長方形の枠状に形成され、長方形状に開口された開口４１ａと、コの字状に開口された開口４２ａとを有している。開口１０１ａは、図１４３（ｂ）において、左側の導電層８３、８４が外周側に配置され、右側の導電層８３、８４が内周側に配置されるように形成される。また、開口４１ａは素子形成領域をその法線方向に見て、コイル底部３１、３２の両端部上の導電層８３、８４の間でコイル底部３１、３２と所定の角度で交差して配置される。

次に、図１４４（ａ）及び図１４４（ｂ）に示すように、開口１０１ａ内の電極膜９２上に厚さ１０μｍ程度のＮｉＦｅの磁性部材層（第１磁性部材層）１０１を例えばパターンめっき法により形成する。なお、磁性部材層１０１の形成材料は、ＮｉＦｅ以外の高透磁率を有する材料でもよい。次に、図１４５（ａ）及び図１４５（ｂ）に示すように、レジスト層１５５をエッチングにより除去する。次に、図１４６（ａ）及び図１４６（ｂ）に示すように、レジスト層１５５の除去により露出した電極膜９２と、当該電極膜９２の下層の電極膜９１とをドライエッチングにより除去する。電極膜９１、９２を除去する際に、磁性部材層１０１の表面も電極膜９１、９２の膜厚と同程度の厚さ分だけエッチングされる。しかし、磁性部材層１０１は電極膜９１、９２に比べて十分に厚く形成されているので、当該ドライエッチングにより完全に除去されることはない。以上の工程により、電極膜９１、９２及び磁性部材層１０１が積層された積層構造のコア４１が開口４１ａに形成され、コア４１と同一の積層構造を有し、コア４１と協働して閉磁路１４１を形成する磁性部材部４２が開口４２ａに形成される。

次に、図１４７（ａ）及び図１４７（ｂ）に示すように、全面に厚さ５ｎｍ程度のＴｉの電極膜７３をスパッタリング法により形成し、次いで電極膜７３上に厚さ１００ｎｍ程度のＣｕの電極膜（第２中間電極膜）７４をスパッタリング法により形成する。電極膜７３、７４は下層の導電層８３、８４と電気的に接続される。

次に、電極膜７４上にレジストを塗布して厚さ２０μｍ程度のレジスト層（第２中間レジスト層）１５７を形成する。次に、図１４８（ａ）及び図１４８（ｂ）に示すように、レジスト層１５７をパターニングして、開口８３ａ、８４ａ内に形成された導電層８３、８４上の電極膜７４を露出させる開口（第２中間開口）８５ａ、８６ａと、開口６３ａ、６４ａ内に形成された導電層８３、８４上の電極膜７４を露出させる開口６５ａ、６６ａとをレジスト層１５７に形成する。

次に、図１４９（ａ）及び図１４９（ｂ）に示すように、開口６５ａ、８５ａ内の電極膜７４上に厚さ１７μｍ程度のＣｕの導電層（第１中間導電層）８５を形成し、開口６６ａ、８６ａ内の電極膜７４上に同一形成材料で同一厚さの導電層（第１中間導電層）８６を形成する。導電層８５、８６はパターンめっき法により形成され、下層の電極膜７４に電気的にそれぞれ接続される。次に、図１５０（ａ）及び図１５０（ｂ）に示すように、レジスト層１５７をエッチングにより除去する。次に、図１５１（ａ）及び図１５１（ｂ）に示すように、レジスト層１５７の除去により露出した電極膜７４と、当該電極膜７４の下層の電極膜７３とをドライエッチングにより除去する。以上の工程によって、導電層８３、電極膜７３、７４及び導電層８５が積層された積層構造のコイル側部３３ａ、３３ｂと、導電層８４、電極膜７３、７４及び導電層８６が積層された積層構造のコイル側部３４ａ、３４ｂとが形成される。図１５１（ｂ）において、コイル側部３３ａ、３４ａは、左側に一直線上に交互に等間隔に配置され、コイル側部３３ｂ、３４ｂは、右側に一直線上に交互に等間隔に配置される。

次に、全面にレジストを塗布して厚さ１５μｍ程度のレジスト層（有機絶縁物）７７３を形成する。その際、コイル側部３３ａ、３３ｂ、３４ａ、３４ｂ表面が露出するようにする。次に、図１５２（ａ）及び図１５２（ｂ）に示すように、絶縁用レジスト層７７３をパターニングして、素子形成領域の外周囲近傍の絶縁層５４を露出させる。これにより、絶縁用レジスト層７７３はウエハ上の素子形成領域毎に島状に形成される。

次に、図１５３（ａ）及び図１５３（ｂ）に示すように、絶縁性を高めるために絶縁用レジスト層７７３を加熱して固化する（キュア）。隣接するコイル側部３３ａ、３４ａ同士は間隙に形成された絶縁用レジスト層７７３によって絶縁され、同様に隣接するコイル側部３３ｂ、３４ｂ同士は間隙に形成された絶縁用レジスト層７７３によって絶縁される。

次に、図１５４（ａ）及び図１５４（ｂ）に示すように、全面にアルミナをスパッタリング法により成膜して厚さ１７μｍ程度の絶縁層（第２絶縁層）５６を形成する。次に、図１５５（ａ）及び図１５５（ｂ）に示すように、ＣＭＰ法により、導電層８５、８６が露出するまで絶縁層５６を研磨して平坦面５６ａを形成する。その際、コア４１及び磁性部材部４２が露出するまで絶縁層５６を研磨しないようにする。

次に、図１５６（ａ）及び図１５６（ｂ）に示すように、絶縁層５６の平坦面５６ａ上に厚さ５ｎｍ程度のＴｉの電極膜７５をスパッタリング法により形成し、次いで電極膜７５上に厚さ１００ｎｍ程度のＣｕの電極膜（第２電極膜）７６をスパッタリング法により形成する。電極膜７５、７６は、電極膜７３、７４及び導電層８５を介して導電層８３と電気的に接続され、電極膜７３、７４及び導電層８６を介して導電層８４と電気的に接続される。

次に、電極膜７６上にレジストを塗布して厚さ１５μｍ程度のレジスト層（第３レジスト層）１５９を形成する。次に、図１５７（ａ）及び図１５７（ｂ）に示すように、レジスト層１５９をパターニングして、電極膜７６を細長状に露出する複数の開口（第３開口）８７ａ、８８ａと、開口６５ａ、６６ａ内に形成された導電層８５、８６上の電極膜７６を露出する開口６７ａ、６８ａとを形成する。これにより、素子形成領域をその法線方向に見て、コイル側部３３ａ上の電極膜７６が一端部に露出し、当該コイル側部３３ａ直下のコイル底部３１とコイル底部３２を挟んで隣接するコイル底部３１上のコイル側部３３ｂ上の電極膜７６が他端部に露出する開口８７ａと、コイル側部３４ａ上の電極膜７６が一端部に露出し、当該コイル側部３４ａ直下のコイル底部３２とコイル底部３１を挟んで隣接するコイル底部３２上のコイル側部３４ｂ上の電極膜７６が他端部に露出する開口８８ａとがほぼ等間隔に交互に並列して形成される。また、開口８７ａは、素子形成領域をその法線方向に見て、コア４１を挟んでコイル底部３２に交差して対向して形成される。一方、開口８８ａは同方向に見て、コア４１を挟んでコイル底部３１に交差して対向して形成される。また、素子形成領域の短辺側に配置される開口８７ａの一端部は開口６７ａとそれぞれ接続して形成される。

次に、図１５８（ａ）及び図１５８（ｂ）に示すように、開口６７ａ、８７ａ内の電極膜７６上に厚さ１０μｍ程度のＣｕの導電層（第３導電層）８７を形成し、開口６８ａ、８８ａ内の電極膜７６上に同一形成材料で同一厚さの導電層（第３導電層）８８を形成する。導電層８７、８８は、パターンめっき法により同時に形成され、下層の電極膜７６に電気的にそれぞれ接続される。次に、図１５９（ａ）及び図１５９（ｂ）に示すように、レジスト層１５９を除去する。次に、図１６０（ａ）及び図１６０（ｂ）に示すようにレジスト層１５９の除去により露出した電極膜７６と、当該電極膜７６の下層の電極膜７５とを除去する。これにより、電極膜７５、７６及び導電層８７が積層された積層構造のコイル上部３５が形成され、電極膜７５、７６及び導電層８８が積層された積層構造のコイル上部３６が形成される。

以上の工程によって、上記第１の実施の形態のコモンモードチョークコイル１と同様の構造を有し、各コイル部の間隙に絶縁用レジスト層７７１、７７３が備えられた第１及び第２ヘリカルコイル部１１、１２が形成される。これにより、第１及び第２ヘリカルコイル部１１、１２同士の絶縁性が向上される。

次に、図１６１（ａ）及び図１６１（ｂ）に示すように、コイル上部３５、３６の保護膜として、全面にアルミナをスパッタリング法により成膜して厚さ１５μｍ程度の絶縁層５８を形成する。絶縁層５８の形成材料として、アルミナ以外の絶縁性材料を用いてもよい。以上の工程により、絶縁層５２、５４、５６、５８が積層された積層構造の絶縁層６０が形成される。第１及び第２ヘリカルコイル部１１、１２、絶縁用レジスト層７７１、７７３及び閉磁路１４１は絶縁層６０に内包される。

次に、シリコン基板５１を裏面から削り所望の板厚に揃える、または完全に除去する。次に、所定の切断線に沿ってウエハを切断し、ウエハ上に形成された複数のコモンモードチョークコイル８０１を素子形成領域毎にチップ状に分離する。外部電極接続部６１、６２の一部は、絶縁層６０の外表面に露出する。次に、図示は省略するが、外部電極接続部６１、６２に電気的に接続される外部電極を形成する。次に、必要に応じて角部の面取りを行い、コモンモードチョークコイル８０１が完成する。

以上説明したように、本実施の形態によるコモンモードチョークコイル及びその製造方法によれば、コモンモードチョークコイル８０１は、加熱して固化されて絶縁性が向上した絶縁用レジスト層７７１、７７３を第１及び第２ヘリカルコイル部１１、１２の間隙に有している。従って、第１及び第２ヘリカルコイル部１１、１２のコイルピッチを狭くしても、両コイル部１１、１２同士の絶縁性が十分に確保されるので、コモンモードチョークコイル８０１の小型化が可能になる。

本発明は、上記実施の形態に限らず種々の変形が可能である。
上記第１乃至第５の実施の形態では、コア及び磁性部材部で構成された閉磁路を有するコモンモードチョークコイルを例に説明したが、本発明はこれに限られない。例えば、コモンモードチョークコイルはコアのみを有していてもよい。または、コモンモードチョークコイルはコア及び磁性部材部で構成された閉磁路を有していなくてもよい。

ところで、第１及び第２ヘリカルコイル部を内包する絶縁層の形成材料であるアルミナは非磁性材料である。このため、コモンモードチョークコイルの高性能化を図るためには、少なくとも透磁率が１以上の絶縁性材料で当該絶縁層を形成することが望ましい。これにより、コアを有するコモンモードチョークコイルでは、当該コアと絶縁層とで閉磁路が構成され、コアを有していないコモンモードチョークコイルでは、第１及び第２ヘリカルコイル部内周側の絶縁層と外周側の絶縁層とで閉磁路が構成される。当該閉磁路を有するコモンモードチョークコイルは、上記第１乃至第５の実施の形態のコモンモードチョークコイルに比べて電気的特性が若干劣るものの、コアや磁性部材部を形成する工程が不要になるため製造工程数が減少し、コモンモードチョークコイルの製造コストの低コスト化を図ることができる。

上記第１の実施の形態のコモンモードチョークコイルの製造方法において、導電層（第２導電層）８３、８４が絶縁層５４に露出する平坦面５４ａを形成した後の閉磁路及びそれに関連する形成工程（図１５乃至図２６参照）を省略し、電極膜７５及び電極膜（第２電極膜）７６の形成工程以降の各工程（図２７乃至図３２）を絶縁層５６に形成された平坦面５６ａに代えて平坦面５４ａ上に行うことにより、閉磁路を有していないコモンモードチョークコイルを製造することができる。また、上記第１の実施の形態において、開口４２ａを形成せずに開口４１ａのみを形成して磁性部材層１０１を形成することにより（図１６及び図１７参照）、コアのみを有するコモンモードチョークコイルを製造することができる。

上記第２の実施の形態のコモンモードチョークコイルの製造方法において、導電層（第２導電層）２８３、２８４が絶縁層２５４に露出する平坦面２５４ａを形成した後の閉磁路及びそれに関連する形成工程（図４２乃至図５１参照）を省略し、電極膜２７５及び電極膜（第２電極膜）２７６の形成工程以降の各工程を平坦面２５４ａ上に行うことにより、閉磁路を有していないコモンモードチョークコイルを製造することができる。また、上記第２の実施の形態において、開口３６２ａ及び溝部３６２を形成せずに開口３６１ａ及び溝部３６１ａのみを形成して磁性部材層３０１を形成することにより（図４２乃至図４７参照）、コアのみを有するコモンモードチョークコイルを製造することができる。

上記第１乃至第５の実施の形態では、基板としてシリコン基板５１が用いられるが、本発明はこれに限られない。例えば、シリコン以外の絶縁性基板又は磁性基板であっても、上記実施の形態と同様の効果が得られる。

上記第１乃至第５の実施の形態では、スパッタリング法により電極膜が形成されているが、本発明はこれに限られない。例えば、蒸着法等の薄膜形成技術を用いて電極膜を形成しても、上記実施の形態と同様の効果が得られる。

上記第１の実施の形態の変形例１乃至８におけるコモンモードチョークコイルの第１及び第２ヘリカルコイルの巻数やコアに対する巻き回し位置、及び外部電極接続部６３、６４の形状や形成場所等は、上記第２乃至第５の実施の形態によるコモンモードチョークコイルにも適用できる。

上記第２の実施の形態では、電極膜２９２上にレジスト層３５４を形成し、レジスト層３５４をパターニングして溝部３８２内の電極膜２９２を露出させる開口３０１ａをレジスト層３５４に形成し、溝部３８２内の電極膜２９２上に磁性部材層３０１をパターンめっき法により形成したコモンモードチョークコイル２０１を例に説明したが、本発明はこれに限られない。例えば、上記第２の実施の形態において、電極膜２９２上の全面に磁性部材層３０１をパターンめっき法により形成し、ＣＭＰ法により溝部３８２以外に形成された磁性部材層３０１を除去してもよい。このようにして形成されたコモンモードチョークコイルは、上記第２の実施の形態と同様の効果が得られる。

上記第４の実施の形態では、電極膜６９２上の全面に磁性部材層７０１をパターンめっき法により形成するコモンモードチョークコイル６０１を例に説明したが、本発明はこれに限られない。例えば、上記第４の実施の形態において、電極膜６９２上にレジスト層を形成し、当該レジスト層をパターニングして溝部７６１を露出させる開口をレジスト層に形成し、溝部７６１内の電極膜６９２上のみに磁性部材層７０１を形成してもよい。このようにして形成されたコモンモードチョークコイルは、上記第４の実施の形態と同様の効果が得られる。

上記第５の実施の形態では、上記第１の実施の形態のコモンモードチョークコイル１と同じ構造のコモンモードチョークコイル８０１を例に説明したが、本発明はこれに限られない。例えば、第２乃至第４の実施の形態のコモンモードチョークコイル２０１、４０１、６０１と同じ構造のコモンモードチョークコイルの第１及び第２のヘリカルコイル部同士の間隙に絶縁用レジスト層を形成しても、上記第５の実施の形態と同様の効果が得られる。

本発明の第１の実施の形態によるコモンモードチョークコイル１を示す平面図である。 本発明の第１の実施の形態によるコモンモードチョークコイル１を示す正面図である。 本発明の第１の実施の形態によるコモンモードチョークコイル１を示す側面図である。 本発明の第１の実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の製造方法を示す図である。 本発明の第１の実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の製造方法を示す図である。 本発明の第１の実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の製造方法を示す図である。 本発明の第１の実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の製造方法を示す図である。 本発明の第１の実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の製造方法を示す図である。 本発明の第１の実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の製造方法を示す図である。 本発明の第１の実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の製造方法を示す図である。 本発明の第１の実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の製造方法を示す図である。 本発明の第１の実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の製造方法を示す図である。 本発明の第１の実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の製造方法を示す図である。 本発明の第１の実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の製造方法を示す図である。 本発明の第１の実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の製造方法を示す図である。 本発明の第１の実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の製造方法を示す図である。 本発明の第１の実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の製造方法を示す図である。 本発明の第１の実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の製造方法を示す図である。 本発明の第１の実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の製造方法を示す図である。 本発明の第１の実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の製造方法を示す図である。 本発明の第１の実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の製造方法を示す図である。 本発明の第１の実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の製造方法を示す図である。 本発明の第１の実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の製造方法を示す図である。 本発明の第１の実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の製造方法を示す図である。 本発明の第１の実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の製造方法を示す図である。 本発明の第１の実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の製造方法を示す図である。 本発明の第１の実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の製造方法を示す図である。 本発明の第１の実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の製造方法を示す図である。 本発明の第１の実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の製造方法を示す図である。 本発明の第１の実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の製造方法を示す図である。 本発明の第１の実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の製造方法を示す図である。 本発明の第１の実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の製造方法を示す図である。 本発明の第１の実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の変形例を示す平面図である。 本発明の第１の実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の変形例を示す平面図である。 本発明の第１の実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の変形例を示す斜視図である。 本発明の第２の実施の形態によるコモンモードチョークコイル２０１の製造方法を示す図である。 本発明の第２の実施の形態によるコモンモードチョークコイル２０１の製造方法を示す図である。 本発明の第２の実施の形態によるコモンモードチョークコイル２０１の製造方法を示す図である。 本発明の第２の実施の形態によるコモンモードチョークコイル２０１の製造方法を示す図である。 本発明の第２の実施の形態によるコモンモードチョークコイル２０１の製造方法を示す図である。 本発明の第２の実施の形態によるコモンモードチョークコイル２０１の製造方法を示す図である。 本発明の第２の実施の形態によるコモンモードチョークコイル２０１の製造方法を示す図である。 本発明の第２の実施の形態によるコモンモードチョークコイル２０１の製造方法を示す図である。 本発明の第２の実施の形態によるコモンモードチョークコイル２０１の製造方法を示す図である。 本発明の第２の実施の形態によるコモンモードチョークコイル２０１の製造方法を示す図である。 本発明の第２の実施の形態によるコモンモードチョークコイル２０１の製造方法を示す図である。 本発明の第２の実施の形態によるコモンモードチョークコイル２０１の製造方法を示す図である。 本発明の第２の実施の形態によるコモンモードチョークコイル２０１の製造方法を示す図である。 本発明の第２の実施の形態によるコモンモードチョークコイル２０１の製造方法を示す図である。 本発明の第２の実施の形態によるコモンモードチョークコイル２０１の製造方法を示す図である。 本発明の第２の実施の形態によるコモンモードチョークコイル２０１の製造方法を示す図である。 本発明の第２の実施の形態によるコモンモードチョークコイル２０１の製造方法を示す図である。 本発明の第２の実施の形態によるコモンモードチョークコイル２０１の製造方法を示す図である。 本発明の第２の実施の形態によるコモンモードチョークコイル２０１の製造方法を示す図である。 本発明の第２の実施の形態によるコモンモードチョークコイル２０１の製造方法を示す図である。 本発明の第２の実施の形態によるコモンモードチョークコイル２０１の製造方法を示す図である。 本発明の第２の実施の形態によるコモンモードチョークコイル２０１の製造方法を示す図である。 本発明の第３の実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１を示す平面図である。 本発明の第３の実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１を示す正面図である。 本発明の第３の実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１を示す側面図である。 本発明の第３の実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１の製造方法を示す図である。 本発明の第３の実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１の製造方法を示す図である。 本発明の第３の実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１の製造方法を示す図である。 本発明の第３の実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１の製造方法を示す図である。 本発明の第３の実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１の製造方法を示す図である。 本発明の第３の実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１の製造方法を示す図である。 本発明の第３の実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１の製造方法を示す図である。 本発明の第３の実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１の製造方法を示す図である。 本発明の第３の実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１の製造方法を示す図である。 本発明の第３の実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１の製造方法を示す図である。 本発明の第３の実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１の製造方法を示す図である。 本発明の第３の実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１の製造方法を示す図である。 本発明の第３の実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１の製造方法を示す図である。 本発明の第３の実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１の製造方法を示す図である。 本発明の第３の実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１の製造方法を示す図である。 本発明の第３の実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１の製造方法を示す図である。 本発明の第３の実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１の製造方法を示す図である。 本発明の第３の実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１の製造方法を示す図である。 本発明の第３の実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１の製造方法を示す図である。 本発明の第３の実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１の製造方法を示す図である。 本発明の第３の実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１の製造方法を示す図である。 本発明の第３の実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１の製造方法を示す図である。 本発明の第３の実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１の製造方法を示す図である。 本発明の第３の実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１の製造方法を示す図である。 本発明の第３の実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１の製造方法を示す図である。 本発明の第３の実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１の製造方法を示す図である。 本発明の第３の実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１の製造方法を示す図である。 本発明の第３の実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１の製造方法を示す図である。 本発明の第３の実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１の製造方法を示す図である。 本発明の第３の実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１の製造方法を示す図である。 本発明の第３の実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１の製造方法を示す図である。 本発明の第３の実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１の製造方法を示す図である。 本発明の第３の実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１の製造方法を示す図である。 本発明の第３の実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１の製造方法を示す図である。 本発明の第３の実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１の製造方法を示す図である。 本発明の第３の実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１の製造方法を示す図である。 本発明の第３の実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１の製造方法を示す図である。 本発明の第３の実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１の製造方法を示す図である。 本発明の第３の実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１の製造方法を示す図である。 本発明の第３の実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１の製造方法を示す図である。 本発明の第３の実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１の製造方法を示す図である。 本発明の第３の実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１の製造方法を示す図である。 本発明の第３の実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１の製造方法を示す図である。 本発明の第３の実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１の製造方法を示す図である。 本発明の第４の実施の形態によるコモンモードチョークコイル６０１の製造方法を示す図である。 本発明の第４の実施の形態によるコモンモードチョークコイル６０１の製造方法を示す図である。 本発明の第４の実施の形態によるコモンモードチョークコイル６０１の製造方法を示す図である。 本発明の第４の実施の形態によるコモンモードチョークコイル６０１の製造方法を示す図である。 本発明の第４の実施の形態によるコモンモードチョークコイル６０１の製造方法を示す図である。 本発明の第４の実施の形態によるコモンモードチョークコイル６０１の製造方法を示す図である。 本発明の第４の実施の形態によるコモンモードチョークコイル６０１の製造方法を示す図である。 本発明の第４の実施の形態によるコモンモードチョークコイル６０１の製造方法を示す図である。 本発明の第４の実施の形態によるコモンモードチョークコイル６０１の製造方法を示す図である。 本発明の第４の実施の形態によるコモンモードチョークコイル６０１の製造方法を示す図である。 本発明の第４の実施の形態によるコモンモードチョークコイル６０１の製造方法を示す図である。 本発明の第４の実施の形態によるコモンモードチョークコイル６０１の製造方法を示す図である。 本発明の第４の実施の形態によるコモンモードチョークコイル６０１の製造方法を示す図である。 本発明の第４の実施の形態によるコモンモードチョークコイル６０１の製造方法を示す図である。 本発明の第４の実施の形態によるコモンモードチョークコイル６０１の製造方法を示す図である。 本発明の第４の実施の形態によるコモンモードチョークコイル６０１の製造方法を示す図である。 本発明の第４の実施の形態によるコモンモードチョークコイル６０１の製造方法を示す図である。 本発明の第４の実施の形態によるコモンモードチョークコイル６０１の製造方法を示す図である。 本発明の第４の実施の形態によるコモンモードチョークコイル６０１の製造方法を示す図である。 本発明の第４の実施の形態によるコモンモードチョークコイル６０１の製造方法を示す図である。 本発明の第４の実施の形態によるコモンモードチョークコイル６０１の製造方法を示す図である。 本発明の第４の実施の形態によるコモンモードチョークコイル６０１の製造方法を示す図である。 本発明の第４の実施の形態によるコモンモードチョークコイル６０１の製造方法を示す図である。 本発明の第４の実施の形態によるコモンモードチョークコイル６０１の製造方法を示す図である。 本発明の第４の実施の形態によるコモンモードチョークコイル６０１の製造方法を示す図である。 本発明の第４の実施の形態によるコモンモードチョークコイル６０１の製造方法を示す図である。 本発明の第４の実施の形態によるコモンモードチョークコイル６０１の製造方法を示す図である。 本発明の第４の実施の形態によるコモンモードチョークコイル６０１の製造方法を示す図である。 本発明の第４の実施の形態によるコモンモードチョークコイル６０１の製造方法を示す図である。 本発明の第４の実施の形態によるコモンモードチョークコイル６０１の製造方法を示す図である。 本発明の第４の実施の形態によるコモンモードチョークコイル６０１の製造方法を示す図である。 本発明の第４の実施の形態によるコモンモードチョークコイル６０１の製造方法を示す図である。 本発明の第１乃至第４の実施の形態及び従来のコモンモードチョークコイルの薄膜製造工程数を示す図である。 本発明の第５の実施の形態によるコモンモードチョークコイル８０１の製造方法を示す図である。 本発明の第５の実施の形態によるコモンモードチョークコイル８０１の製造方法を示す図である。 本発明の第５の実施の形態によるコモンモードチョークコイル８０１の製造方法を示す図である。 本発明の第５の実施の形態によるコモンモードチョークコイル８０１の製造方法を示す図である。 本発明の第５の実施の形態によるコモンモードチョークコイル８０１の製造方法を示す図である。 本発明の第５の実施の形態によるコモンモードチョークコイル８０１の製造方法を示す図である。 本発明の第５の実施の形態によるコモンモードチョークコイル８０１の製造方法を示す図である。 本発明の第５の実施の形態によるコモンモードチョークコイル８０１の製造方法を示す図である。 本発明の第５の実施の形態によるコモンモードチョークコイル８０１の製造方法を示す図である。 本発明の第５の実施の形態によるコモンモードチョークコイル８０１の製造方法を示す図である。 本発明の第５の実施の形態によるコモンモードチョークコイル８０１の製造方法を示す図である。 本発明の第５の実施の形態によるコモンモードチョークコイル８０１の製造方法を示す図である。 本発明の第５の実施の形態によるコモンモードチョークコイル８０１の製造方法を示す図である。 本発明の第５の実施の形態によるコモンモードチョークコイル８０１の製造方法を示す図である。 本発明の第５の実施の形態によるコモンモードチョークコイル８０１の製造方法を示す図である。 本発明の第５の実施の形態によるコモンモードチョークコイル８０１の製造方法を示す図である。 本発明の第５の実施の形態によるコモンモードチョークコイル８０１の製造方法を示す図である。 本発明の第５の実施の形態によるコモンモードチョークコイル８０１の製造方法を示す図である。 本発明の第５の実施の形態によるコモンモードチョークコイル８０１の製造方法を示す図である。 本発明の第５の実施の形態によるコモンモードチョークコイル８０１の製造方法を示す図である。 本発明の第５の実施の形態によるコモンモードチョークコイル８０１の製造方法を示す図である。 本発明の第５の実施の形態によるコモンモードチョークコイル８０１の製造方法を示す図である。 本発明の第５の実施の形態によるコモンモードチョークコイル８０１の製造方法を示す図である。 本発明の第５の実施の形態によるコモンモードチョークコイル８０１の製造方法を示す図である。

符号の説明

１〜８、２０１、４０１、６０１、８０１ コモンモードチョークコイル
１１〜２６ ヘリカルコイル部
３１、３１ａ、３２、３２ａ、１３１、１３２ コイル底部
３３ａ、３３ｂ、３４ａ、３４ｂ、１３３ａ、１３３ｂ、１３４ａ、１３４ｂ コイル側部
３５、３５ａ、３６、３６ａ、１３５、１３６ コイル上部
４１、４３ａ、４３ｂ、４５ａ、４５ｂ、４７ コア
４２、４８ 磁性部材部
５１ シリコン基板
５２、５４、５６、５８、６０ 絶縁層
５４ａ、５６ａ 平坦面
６１〜６６ 外部電極接続部
４１ａ、４２ａ、６１ａ〜６８ａ、８１ａ〜８８ａ、１０１ａ 開口
７１、７３、７５、９１ Ｔｉの電極膜
７２、７４、７６ Ｃｕの電極膜
８１〜８８ 導電層
９２ ＮｉＦｅの電極膜
１０１ 磁性部材層
１４１、１４３、１４５、１４７ 閉磁路
１５１、１５３、１５５、１５７、１５９、３６７ レジスト層
１６３ａ〜１６６ａ、１６３ｂ〜１６６ｂ リード線
３６１、３６２、３８２ 溝部
５１３ 閉磁路側部
５１５ 閉磁路上部
７７１、７７３ 絶縁用レジスト層
ＩＰ１ 第１仮想平面
ＩＰ２ 第２仮想平面

Claims (16)

1. 下部絶縁層上に並列する複数の細長状の第１導電層と、前記第１導電層の両端部上に形成された第２導電層と、前記第２導電層上に形成され、一端部が前記第２導電層に電気的に接続し、他端部が前記第２導電層直下の前記第１導電層と隣接する前記第１導電層上に形成された前記第２導電層に電気的に接続する第３導電層とを備え、前記第１、第２、第３及び第２導電層で１巻きのコイルが構成された第１ヘリカルコイル部と、
   前記第１ヘリカルコイル部と同様の構成を備えた第２ヘリカルコイル部と
   を有することを特徴とするコモンモードチョークコイル。
2. 請求項１記載のコモンモードチョークコイルであって、
   前記第１及び第２ヘリカルコイル部の内周側を貫通するコアと、
   前記コアに接続されて前記コアと協働して閉磁路を形成する磁性部材部とを有すること
   を特徴とするコモンモードチョークコイル。
3. 請求項２記載のコモンモードチョークコイルであって、
   前記閉磁路は、前記第１導電層の形成面にほぼ平行に形成されていること
   を特徴とするコモンモードチョークコイル。
4. 請求項２記載のコモンモードチョークコイルであって、
   前記閉磁路は、前記第１導電層の形成面にほぼ直交して形成されていること
   を特徴とするコモンモードチョークコイル。
5. 請求項２乃至４のいずれか１項に記載のコモンモードチョークコイルであって、
   前記コアは、高透磁率を有する材料で形成されていること
   を特徴とするコモンモードチョークコイル。
6. 請求項１乃至５のいずれか１項に記載のコモンモードチョークコイルであって、
   前記第１ヘリカルコイル部の前記１巻きのコイルを構成する前記第１、第２、第３及び第２導電層のうちの３つの導電層を含む第１仮想平面と、前記第２ヘリカルコイル部の１巻きのコイルを構成する第１、第２、第３及び第２導電層のうちの３つの導電層を含む第２仮想平面とは、前記第１及び第２ヘリカルコイル部のらせん軸にほぼ直交していること
   を特徴とするコモンモードチョークコイル。
7. 請求項６記載のコモンモードチョークコイルであって、
   前記第１及び第２仮想平面は前記コアの延伸方向にほぼ直交していること
   を特徴とするコモンモードチョークコイル。
8. 請求項６又は７に記載のコモンモードチョークコイルであって、
   前記第１ヘリカルコイル部の前記１巻きのコイルを構成する前記第１、第２、第３及び第２導電層のうちの前記第１仮想平面に含まれていない導電層は、前記第２仮想平面に交差せずに形成され、前記第２ヘリカルコイル部の１巻きのコイルを構成する前記第１、第２、第３及び第２導電層のうちの前記第２仮想平面に含まれていない導電層は、前記第１仮想平面に交差せずに形成されていること
   を特徴とするコモンモードチョークコイル。
9. 基板上に第１電極膜を形成し、
   前記第１電極膜上に第１レジスト層を形成し、
   前記第１電極膜を露出させて並列する複数の細長状の第１開口を前記第１レジスト層に形成し、
   めっき法を用いて前記第１開口を介して前記第１電極膜と電気的に接続された第１導電層をそれぞれ形成し、
   前記第１レジスト層を除去してから全面に第２レジスト層を形成し、
   前記第１導電層の両端部を露出させる複数の第２開口を前記第２レジスト層に形成し、
   めっき法を用いて前記第２開口を介して前記第１導電層と電気的に接続された第２導電層をそれぞれ形成し、
   前記第２レジスト層及び前記第２レジスト層の下層の前記第１電極膜を除去し、
   前記第２導電層上部を露出させた第１絶縁層を形成し、
   前記第１絶縁層上に前記第２導電層に電気的に接続された第２電極膜を形成し、
   前記第２電極膜上に第３レジスト層を形成し、
   前記基板面をその法線方向に見て、一端部が前記第２導電層と重なり、他端部が前記第２導電層直下の前記第１導電層と隣接する前記第１導電層上に形成された前記第２導電層と重なる位置に前記第２電極膜を露出させて並列する複数の細長状の第３開口を前記第３レジスト層に形成し、
   めっき法を用いて前記第３開口を介して前記第２電極膜に電気的に接続された第３導電層をそれぞれ形成し、
   前記第３レジスト層及び前記第３レジスト層の下層の前記第２電極膜を除去し、
   前記第１、第２、第３及び第２導電層で１巻きのコイルが構成された第１ヘリカルコイル部を形成し、
   同様にして第２ヘリカルコイル部を前記第１ヘリカルコイル部と同時に形成すること
   を特徴とするコモンモードチョークコイルの製造方法。
10. 請求項９記載のコモンモードチョークコイルの製造方法であって、
    前記第２導電層と前記第２電極膜との間に第１中間電極膜を形成し、
    前記第１中間電極膜上に第１中間レジスト層を形成し、
    前記第１中間電極膜を露出させ、前記基板面をその法線方向に見て、前記第１導電層と交差する第１中間開口を前記第１中間レジスト層に形成し、
    めっき法を用いて前記第１中間開口内の前記第１中間電極膜上に第１磁性部材層を形成し、
    前記第１中間レジスト層及び前記第１中間レジスト層の下層の前記第１中間電極膜を除去し、
    前記第１磁性部材層で構成されて前記第１及び第２ヘリカルコイル部の内周側を貫通するコアを形成し、
    全面に前記第２導電層と電気的に接続された第２中間電極膜を形成し、
    前記第２中間電極膜上に第２中間レジスト層を形成し、
    前記第２導電層上の前記第２中間電極膜を露出させる第２中間開口を前記第２中間レジスト層に形成し、
    めっき法を用いて前記第２中間開口を介して前記第２中間電極膜と電気的に接続された第１中間導電層を形成し、
    前記第２中間レジスト層及び前記第２中間レジスト層の下層の前記第２中間電極膜を除去し、
    前記第１中間導電層を露出させた第２絶縁層を前記第１絶縁層上に形成し、
    前記第２電極膜を、前記第２中間電極膜及び前記第１中間導電層を介して前記第２導電層と電気的に接続して前記第１及び第２ヘリカルコイル部を形成すること
    を特徴とするコモンモードチョークコイルの製造方法。
11. 請求項１０記載のコモンモードチョークコイルの製造方法であって、
    前記第１中間開口を環状に形成し、
    前記コアと協働して閉磁路を形成する磁性部材部を前記コアと同時に前記第１中間開口に形成すること
    を特徴とするコモンモードチョークコイルの製造方法。
12. 請求項１０記載のコモンモードチョークコイルの製造方法であって、
    前記第１中間レジスト層及び前記第１中間レジスト層下部の前記第１中間電極膜を除去する工程に代えて、
    前記第１中間レジスト層を除去し、
    前記第１中間電極膜及び前記第１磁性部材層上に第３中間レジスト層を形成し、
    前記第１磁性部材層の両端部を露出させる第３中間開口を前記第３中間レジスト層に形成し、
    めっき法を用いて前記第３中間開口内の前記第１磁性部材層上に第２磁性部材層を形成し、
    前記第３中間レジスト層及びその下層の前記第１中間電極膜を除去して前記コアを形成し、
    前記第１及び第２ヘリカルコイル部を形成した後に、
    前記第２絶縁層及び前記第２磁性部材層上に第３電極膜を形成し、
    前記第３電極膜上に第４レジスト層を形成し、
    前記第２磁性部材層上の前記第３電極膜を露出させる第４開口を前記第４レジスト層に形成し、
    めっき法を用いて前記第４開口内の前記第３電極膜上に第３磁性部材層を形成し、
    前記第４レジスト層及びその下層の前記第３電極膜を除去し、
    前記第３磁性部材層を露出させる第３絶縁層を形成し、
    前記第３絶縁層上に第４電極膜を形成し、
    前記第４電極膜上に第５レジスト層を形成し、
    前記第３磁性部材層上の前記第４電極膜を両端部で露出させる第５開口を前記第５レジスト層に形成し、
    めっき法を用いて前記第５開口内の前記第４電極膜上に第４磁性部材層を形成し、
    前記第５レジスト層及び前記第５レジスト層下部の前記第４電極膜を除去して、
    前記コア及び前記第２乃至第４磁性部材層で構成された閉磁路を形成すること
    を特徴とするコモンモードチョークコイルの製造方法。
13. 請求項９記載のコモンモードチョークコイルの製造方法であって、
    前記第１絶縁層を形成した後に、
    前記第２導電層と前記第２電極膜との間に第１介在レジスト層を形成し、
    前記第１絶縁層を露出させ、前記基板面をその法線方向に見て前記第１導電層と交差する第１介在開口を前記第１介在レジスト層に形成し、
    前記第１介在開口下部の前記第１絶縁層に溝部を形成し、
    前記第１介在レジスト層を除去し、
    前記溝部及び前記第１絶縁層上に第１介在電極膜を形成し、
    めっき法を用いて前記溝部内の前記第１介在電極膜上に第１磁性部材層を形成し、
    前記第１磁性部材層で構成された前記第１及び第２ヘリカルコイル部の内周側を貫通するコアを形成し、
    前記第１絶縁層上に前記第２電極膜を形成すること
    を特徴とするコモンモードチョークコイルの製造方法。
14. 請求項１３記載のコモンモードチョークコイルの製造方法であって、
    前記第１介在開口を環状に形成し、
    前記コアと協働して閉磁路を形成する磁性部材部を前記コアと同時に前記第１介在開口に形成すること
    を特徴とするコモンモードチョークコイルの製造方法。
15. 請求項１３記載のコモンモードチョークコイルの製造方法であって、
    前記第１絶縁層を形成した後に、
    前記第１絶縁層上に第２介在電極膜を形成し、
    前記第２介在電極膜上に第２介在レジスト層を形成し、
    前記コアの両端部上の前記第２介在電極膜を露出させる第２介在開口を前記第２介在レジスト層に形成し、
    めっき法を用いて前記第２介在開口内の前記前記第２介在電極膜上に第２磁性部材層を形成し、
    前記第２介在レジスト層及び前記第２介在レジスト層の下層の前記第２介在電極膜を除去し、
    前記第１絶縁層上に前記第２電極膜を形成し、
    前記第１及び第２ヘリカルコイル部を形成した後に、
    前記第２磁性部材層を露出させる第２絶縁層を形成し、
    前記第２絶縁層上に第３電極膜を形成し、
    前記第３電極膜上に第４レジスト層を形成し、
    前記第２磁性部材層上の前記第３電極膜が両端部に露出する第４開口を前記第４レジスト層に形成し、
    めっき法を用いて前記第４開口内の前記第３電極膜上に第３磁性部材層を形成し、
    前記第４レジスト層及び前記第４レジスト層下部の前記第３電極膜を除去して、
    前記コア及び前記第２及び第３磁性部材層で構成された閉磁路を形成すること
    を特徴とするコモンモードチョークコイルの製造方法。
16. 請求項９乃至１５のいずれか１項に記載のコモンモードチョークコイルの製造方法であって、
    前記第１及び第２ヘリカルコイル部の間隙に有機絶縁物を形成し、
    前記有機絶縁物を加熱して固化して前記第１及び第２ヘリカルコイル部同士を絶縁すること
    を特徴とするコモンモードチョークコイルの製造方法。
    

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