JP2003523918A - 低欠陥密度炭化ケイ素を成長させる方法及び装置、並びに得られる物質 - Google Patents

低欠陥密度炭化ケイ素を成長させる方法及び装置、並びに得られる物質

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Abstract

(57)【要約】 低転位密度炭化ケイ素（ＳｉＣ）、並びにこれを成長させる設備及び方法を提供する。昇華技術を使用するＳｉＣ結晶の成長は好ましくは、２つの段階の分けることができる。成長の第２の段階の間には、結晶は通常の方向に成長すると共に、横方向に拡がる。転位及び他の材料欠陥は、軸方向に成長した材料中に伝播することがあるが、横方向に成長した材料中での欠陥の伝播及び発生は、なくらならないまでも実質的に減少する。結晶が所望の直径に拡張した後で、第２の段階を開始し、ここでは横方向の成長を抑制し、通常の成長を促進する。実質的に減少した欠陥密度は、横方向に成長した第１の段階の材料に基づく軸方向に成長した材料中で維持される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 ［発明の分野］ 本発明は一般に炭化ケイ素、特に低欠陥密度炭化ケイ素を成長させる方法及び
設備に関する。
【０００２】 ［発明の背景］ 炭化ケイ素（ＳｉＣ）は、様々な半導体の用途、特に高出力取り扱い許容性を
必要とする用途のための理想的な候補となる多くの特性を有する。議論のあると
ころだが、ＳｉＣの最も重要な特性は、その間接バンドギャップである。これは
、直接バンドギャップ材料で得ることができる電圧ジャンクションよりも大きい
電圧ジャンクションを提供する能力と比較的大きい再結合寿命をもたらす。この
材料の大きいバンドギャップでは５００℃までで漏電が無視でき、それによって
過剰な漏電及び熱喪失なしに、高温操作を行うことができる。ＳｉＣデバイスの
切り替え周波数は、ケイ素又はガリウムヒ素から作ったデバイスのそれよりもか
なり大きい。これは、ＳｉＣの大きい破壊強さ、及び少数キャリア段階でのもた
らされる減少、及び関連する切り替え損失による。最後に、ＳｉＣの高い結合温
度及び大きい熱伝導性によって、ＳｉＣによって作られたデバイスは、冷却の必
要性が少ない。
【０００３】 ＳｉＣに基づく半導体デバイスは、ケイ素から作ったデバイスと比較してかな
り改良されているが、これらの改良を実現するためには、材料は従来得られてい
たよりも欠陥がかなり少ないようにして作らなければならない。「ＳｉＣ Ｐｏ
ｗｅｒ Ｄｅｖｉｃｅｓ， Ｎａｖａｌ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｒｅｖｉｅｗｓ」
、Ｖｏｌ．５１、Ｎｏ．１（１９９９年）において著者が示しているように、Ｓ
ｉＣによって作られたデバイスを大型化するためには、転位の密度及びマイクロ
パイプの密度を減少させなければならない。従来のＳｉＣ材料は、転位密度が、
１０５〜１０６／ｃｍ２、マイクロパイプ密度が１０２〜１０３／ｃｍ２である
。いくらかのかなり高品質なＳｉＣ材料は、１０４／ｃｍ２程度の転位密度で成
長させている。残念ながら、この転位密度でさえも、多くの半導体の用途では、
少なくとも１桁程度大きすぎる。前記文献第２１頁参照。
【０００４】 米国特許第５，６７９，１５３号明細書は、液相エピタキシャルを使用するＳ
ｉＣエピタキシャル層の成長技術を開示している。ここではマイクロパイプの密
度は実質的に減少しており又はなくなっている。開示されている技術の１つの面
では、ＳｉＣのエピタキシャル層はバルク単結晶ＳｉＣ上で作られており、エピ
タキシャル層は、バルク結晶から伝播するマイクロパイプ欠陥を閉じるのに十分
な厚さを有する。デバイス製造のために電気的に活性な領域を作るために、化学
気相堆積によって、第２のエピタキシャル層を第１のエピタキシャル層上に作っ
ている。この技術に基づいて、マイクロパイプ密度が０〜５０マイクロパイプ／
表面ｃｍ２のＳｉＣ層を特許請求している。
【０００５】 マイクロパイプ密度が小さいＳｉＣ材料を得る技術が開示されているが、これ
らの技術はバルク材料を成長させない、すなわち少なくともミリメートル単位の
厚さ又はそれよりも厚い材料、好ましくはセンチメートル単位の厚さの材料を成
長させない。更にこれらの技術は、材料の転位密度に影響を与えない。従って欠
陥密度が、１０３／ｃｍ２程度、好ましくは１０２／ｃｍ２程度、より好ましく
は１０／ｃｍ２程度又はそれよりも少ないバルクＳｉＣ材料を成長させる技術が
この技術分野で求められている。本発明は、そのような技術及び得られる材料を
提供する。
【０００６】 ［発明の概略］ 本発明では、低転位密度炭化ケイ素（ＳｉＣ）、並びにこれを成長させる方法
及び装置を提供する。昇華技術を使用するＳｉＣ結晶の成長は、２つの成長段階
に分けられる。成長の第１の段階では、結晶は通常の方向に成長し、同時に横方
向に拡がる。好ましくはこの段階において、軸方向の成長速度に対する横方向の
成長速度の比は、０．３５〜１．７５である。転位及び他の材料欠陥は、軸方向
に成長した材料内に伝播することができるが、横方向に成長した材料内での欠陥
の伝播及び発生は、完全にはなくならないものの実質的に減少している。結晶が
所望の直径に拡がった後で、成長の第２の段階を開始する。ここでは横方向の成
長を抑制し、通常の成長を促進する。好ましくはこの段階において、軸方向の成
長速度に対する横方向の成長速度の比は、０．０１〜０．３、より好ましくは０
．１〜０．３である。実質的に減少した欠陥密度は、第１の段階で横方向に成長
した材料に基づいて軸方向に成長した材料内において維持される。
【０００７】 本発明の１つの面では、ＳｉＣ材料は、転位及びマイクロパイプの両方を含む
欠陥の密度が小さい。成長したＳｉＣの欠陥密度は、１０４／ｃｍ２未満、好ま
しくは１０３／ｃｍ２未満、より好ましくは１０２／ｃｍ２未満、更により好ま
しくは１０／ｃｍ２未満である。少なくとも１つの態様では、成長したＳｉＣは
軸方向に成長した領域と横方向に成長した領域とを有し、横方向に成長した領域
が所望の低欠陥密度を有する。本発明の他の態様では、ＳｉＣは、第１の欠陥密
度の中央領域と、この中央領域を囲んでいる第２の欠陥密度を有する周縁部領域
とを有する。第２の欠陥密度は、第１の欠陥密度よりも実質的に小さく、１０３ ／ｃｍ２未満、好ましくは１０２／ｃｍ２未満、より好ましくは１０／ｃｍ２未
満である。本発明の他の態様では、ＳｉＣ材料は、ＳｉＣ種結晶、ＳｉＣ種結晶
の成長表面で始まり軸方向成長成長経路に続く第１の結晶成長領域、及びＳｉＣ
種結晶の成長表面で始まり横方向拡張成長経路に続く所望の欠陥密度の第２の結
晶成長領域を有する。横方向成長経路は、通常の、すなわち軸方向の成長経路に
対して、少なくとも２５°、好ましくは少なくとも４５°の角度である。
【０００８】 本発明の他の面では、転位密度が小さいＳｉＣ材料を成長させる方法を提供す
る。少なくとも１つの態様では、ＳｉＣ種結晶を昇華系に導入し、少なくとも１
つの成長段階の間に、軸方向及び横方向の両方の結晶成長を促進する。種結晶か
ら横方向に成長する結晶へのマイクロパイプを含む転位欠陥の伝播は、この領域
における転位欠陥の発生と同様に、実質的に減少している。本発明の少なくとも
１つの他の態様では、ＳｉＣ種結晶を昇華系に導入し、昇華をもたらすのに十分
な温度まで加熱する。昇華系における温度勾配及び結晶化成長面と隣接表面との
温度差は、結晶化面が軸方向及び横方向の両方に拡がる第１の段階の自由空間結
晶拡張、及びそれに続く、結晶化面が軸方向に拡がり横方向の拡張が抑制される
第２の段階の自由空間結晶拡張を促進する。
【０００９】 本発明の他の態様では、低転位密度のＳｉＣ材料を成長させるために使用する
設備を提供する。本発明の少なくとも１つの態様では、この設備は、好ましくは
円錐状表面の使用によって、横方向の結晶拡張を促進する環状の要素を有する。
環状の要素は、ＳｉＣ種結晶の端部から結晶の成長が起こらないようにするため
に使用することもできる。環状の要素は、横方向の結晶の絞りを促進する好まし
くは円錐状の第２の表面も有することができる。好ましくは環状要素の内側表面
は、ＴａｘＣｙ又はＮｂｘＣｙのいずれかでできている。本発明の少なくとも１
つの態様では、この設備は、ＳｉＣ種結晶の非成長表面に結合したグラファイト
ヒートシンク、好ましくはＴａｘＣｙ又はＮｂｘＣｙのいずれかでできている内
側表面を有する成長容器、及びるつぼに温度勾配を提供する手段を有する。
【００１０】 本発明の利点及び性質は、明細書の他の部分及び図面を参照することによって
更に理解することができる。
【００１１】 ［特定の態様の説明］ （０００１）炭化ケイ素（ＳｉＣ）種結晶における転位は主に、〈０００１〉
結晶方向におけるねじれ及びらせん転位である。マイクロパイプ欠陥は、バーガ
ースベクトルが大きく、らせんの中心が空の基本的にらせん状の転位である。本
発明の発明者等は、適当な条件において軸方向ではなく半径方向（すなわち横方
向）に結晶を成長させることによって、〈０００１〉転位の増殖が抑制されるこ
とを見出した。これによって、適当な条件下では、昇華技術を使用して、欠陥の
ないＳｉＣ結晶を成長させることができる。
【００１２】 本発明の好ましい態様では、図１に示しているように、結晶成長を２つの段階
に分ける。第１の成長段階においては、結晶は通常の方向（すなわち垂直方向）
に成長しており、同時に横方向に拡がっている。好ましくはこの段階において、
軸方向の成長速度に対する横方向の成長速度の比は、０．３５〜１．７５である
。結晶が所望の直径に拡がった後で、横方向の成長を抑制し、通常の成長を促進
する（すなわち第２の成長段階）。好ましくはこの段階において、軸方向の成長
速度に対する横方向の成長速度の比は、０．０１〜０．３、より好ましくは０．
１〜０．３である。好ましい態様ではこの比は小さすぎずに、それによってわず
かに凸型の成長表面を達成し、この表面の特異点化を防ぐ。横方向の結晶成長は
るつぼの大きさによって制限され、またこれは、主に必要とされる温度勾配を達
成する能力によって制限される。
【００１３】 本発明では、転位及び他の欠陥は中央領域１０１において伝播するが、欠陥の
伝播および発生は、横方向成長領域１０３において、完全にはなくならないもの
の、実質的に減少する。更に実質的に減少した欠陥密度は、横方向成長材料に基
づく軸方向成長材料内、すなわち領域１０５においても維持される。好ましくは
成長条件を選択して、図２に示されているように、成長の間に中央領域１０１の
大きさを小さくする。
【００１４】 欠陥のない横方向結晶成長を達成するために、本発明の発明者等は、好ましく
は多数の条件を適合させることを見出した。以下で更に詳細に説明するこれらの
条件としては以下のものを挙げることができる： （ｉ）高品質の種結晶−好ましくは種結晶の成長表面は欠陥がなく、それによ
って成長結晶の中央領域における欠陥の伝播を最少化する。 （ｉｉ）種結晶の後面を保護して、結晶を通って成長結晶の質に影響を与える
ことがある転位及び他の微視的な欠陥（例えば面欠陥）の発生を防ぐ。 （ｉｉｉ）適当な成長角度の選択−一般に図１の角度１０７は、２５°超、好
ましくは４５°超であるべきである。この角度は主に、第１に供給源と種結晶と
の間の垂直温度勾配、第２にるつぼの中心とるつぼの壁との間の軸方向温度勾配
の２つの要素によって決定される。 （ｉｖ）適当な種結晶直径の選択−一般的に種結晶の直径は、成長させる結晶
の直径の３０％未満であるべきである。 （ｖ）多結晶成長の抑制−横方向に成長する材料とるつぼの壁との接触をなく
し、結晶の自由空間拡張を保証することが必要である。これは、横方向成長結晶
とるつぼの側壁との間の温度差を維持することによって達成される。
【００１５】 図３は、欠陥のないＳｉＣを達成するために使用される基本的な方法を示して
おり、対応する図４は、炉及びるつぼの好ましい設計を示している。初めにＳｉ
Ｃ種結晶４０１を選択及び調製する（工程３０１）。種結晶４０１は、任意の既
知の技術を使用して成長させることができる（例えばレーリー（Ｌｅｌｙ）法）
。好ましい態様では、典型的に欠陥が１０５／ｃｍ２程度又はそれ未満の、最小
欠陥の種結晶を使用する。また好ましくは、種結晶はマイクロパイプ欠陥を有す
るにしても最少のマイクロパイプ欠陥を有する。成長させる結晶の直径に対する
種結晶４０１の直径の比は好ましくは０．３未満である。
【００１６】 本発明の好ましい態様では、表面の機械的欠陥は、従来の表面調製技術、例え
ば研削、研磨及び化学エッチングを使用して種結晶の表面から除去する。この態
様では、約５０μｍを除去するが、所望の表面を達成するために、５０μｍの層
を超える追加の材料の除去が必要なこともある。好ましくは表面仕上げのＲＭＳ
粗さは、５０Å又はそれ未満である。
【００１７】 結晶成長の間には、グラファイト化を防ぐことが重要である（工程３０３）。
従って好ましくは、蒸発の間に種結晶４０１の後面を保護する。種結晶４０１の
非成長表面を保護する好ましい方法は、結晶の成長表面を、タンタルディスクの
平らな研磨された面に配置することである。その後、数分間にわたって減圧雰囲
気において１，７００〜１，７５０℃でウェハーをアニール処理し、密なグラフ
ァイト層４０３を、タンタルディスクに接触していない種結晶表面に作る。黒色
表面グラファイト層４０３を作った後で、これをホルダー４０５に取り付ける。
好ましくはホルダー４０５は、グラファイト又は熱分解グラファイトでできてお
り、グラファイトに基づく接着剤を使用して、種結晶４０１をホルダー４０５に
取り付ける。ここでこの接着剤は、これら２つの表面の間の接合部の空隙をなく
す。グラファイト化を防ぐのに役立つだけでなく、上述の結晶取り付け方法は、
種結晶の背面とるつぼのふた（例えば種結晶ホルダー）の間の空隙によってもた
らされる取り付け領域における局所的な温度の不均一化も防ぐ。
【００１８】 他の態様では、密なグラファイト層４０３を種結晶の全表面に堆積させ、その
後で例えば表面（ｅｐｉ）研磨技術を使用して成長表面から除去する。
【００１９】 種結晶の非成長表面を蒸発から保護するために、本発明の好ましい態様では、
種結晶４０１を、環状要素４０７を含む多要素系内内にシールする（工程３０５
）。環状要素４０７はシール系に必須なだけではなく、結晶の所望の横方向成長
を行わせるのにも役立つ。この要素４０７の外側表面は筒状であり、内側表面は
一般に円錐状で、ＴａｘＣｙ又はＮｂｘＣｙによってコーティングされている。
好ましくは要素４０７の内側表面は、図４に示すように、一対の円錐状表面を構
成している。
【００２０】 種結晶４０１は、気体不透過性のグラファイト箔４０９を使用して、環状要素
４０７に押しつけられシールされている。示されているように、環状要素４０７
の一部の内径は、種結晶４０１に隣接しており、間に配置された気体不透過性の
箔４０９は、結晶４０１の外径よりも小さい。従って結晶４０１の端部は露出さ
れておらず、典型的に結晶端部から始まる結晶欠陥の成長が制御される。ここで
結晶端部とは、結晶表側表面と結晶の側面との接合部として定義される。結晶端
部の露出を防ぐことに加えて、環状要素４０７は、所望の横方向温度勾配を達成
する手段を提供し、従って上述のように、結晶の横方向成長を制御する手段を提
供する。
【００２１】 本発明の好ましい態様では、環状要素４０７の内側表面は、一対の円錐状表面
を構成しており、この一対の円錐状表面は、結晶成長表面のわずかなネックダウ
ン（局部絞り）を提供する。このように、横方向の拡張の前に、結晶成長表面は
初めの期間の絞りを受ける。他の態様では、環状要素４０７は、横方向に拡張す
る結晶表面の範囲を定める単一の円錐状内側表面を構成している。他の態様では
、環状要素４０７は、横方向に拡張する結晶表面の範囲を定める単一の円錐状内
側表面、及び横方向の拡張の前に結晶成長界面が初めに絞りを受けることを確実
にする種結晶にすぐに隣接する非円錐状内側表面を構成している。好ましい態様
でのように、他の態様では、要素４０７の箔４０９に接触する（且つ結晶４０１
に隣接する）部分の内径は、種結晶４０１の外径よりも小さく、それによって端
部欠陥の成長を制御している。
【００２２】 第２の気体不透過性グラファイト箔４１１を使用して、種結晶４０１の後面と
ホルダー４０５をグラファイトヒートシンク４１３にシールする。箔４１１は、
結晶４０１／ホルダー４０５とヒートシンク４１３との間の良好な熱的接触を達
成するのに役立ち、熱的接触は好ましくはヒートシンク界面全体にわたって連続
である。示されているように、グラファイトヒートシンク４１３の外径は、環状
要素４０７の外径に実質的に等しい。ヒートシンク４１３、ホルダー４０５、種
結晶４０１、環状要素４０７、並びにシール４０９及び４１１でできている積層
体を、薄壁グラファイト筒状体４１５内に押しつけて取り付け（工程３０７）、
それによってＳｉ、ＳｉＣ及び／又はＳｉＣ２のような反応性のガスが種結晶４
０１の非成長表面に達することを防ぐ。
【００２３】 供給源４１７は、成長容器４１９内に配置する（工程３０９）。その後、種結
晶４０１、多要素シール系及びグラファイト筒状体４１５を、成長容器内に配置
する（工程３１１）。成長容器４１９は、ＴａｘＣｙ、ＮｂｘＣｙ又はグラファ
イトによって作る。成長容器４１９のためにグラファイトを使用する場合、容器
の内壁をＴａｘＣｙ又はＮｂｘＣｙでコーティングする。好ましくは種結晶成長
表面と供給物質４１７との間の距離は、供給源４１７の直径の３０％未満であり
、準平衡蒸気相条件を維持できるようにする。
【００２４】 供給源４１７は、結晶成長の間の供給物粒子の形成を抑制する様式で作る。本
発明の好ましい態様では、エレクトロニクス等級のＳｉＣ粉末又はＳｉとＣの粉
末の混合物を約２，１００〜２，５００℃で約１時間にわたってアニール処理す
ることによってこの目的は達成される。アニール処理によって、密な堆積物が形
成され、これは結晶成長の間の粒子の形成をなくす。本発明で使用してドープさ
れたＳｉＣ結晶を得るためには、所望のドーパント及び／又は不純物（例えば窒
素、ホウ素、アルミニウム、インジウム、バナジウム、モリブデン、スカンジウ
ム、クロム、鉄、マンガン、スズ及びジルコニウム）を供給源４１７に含有させ
る。
【００２５】 成長容器４１９をツーピースグラファイトるつぼ４２１内に配置する（工程３
１３）。ここでこのツーピースグラファイトるつぼ４２１の形状（例えばテーパ
ーの部分）は、以下で詳細に説明する温度勾配を提供するように設計する。グラ
ファイト化を防ぐために、本発明では、成長容器内の蒸気の化学量論量、すなわ
ち炭素に対するケイ素の比は、結晶成長の間に比較的一定に維持しなければなら
ない。この目的を達成するための１つの方法は、材料の損失を最少化することで
ある。従って本発明の好ましい態様では、成長プロセスの間の材料の損失速度は
、１時間当たり初期供給源重量の０．５％未満に維持する。特にこの損失速度は
、第１に、グラファイトるつぼ４２１を、好ましくは示されているように高周波
誘導炉である高温炉４２３内に配置することによって達成する（工程３１５）。
グラファイト発泡体４２５を使用して、炉からの熱損失を抑制する。その後、成
長容器と共に炉を、１０−５ｔｏｒｒ又はそれ未満の圧力まで減圧し（工程３１
７）、そして約１，５００℃の温度まで加熱する（工程３１９）。好ましくは異
なる熱膨張率の異なるタイプのグラファイトを使用して、容器４１９をその後シ
ールし、それによってグラファイト化を防ぐ（工程３２１）。
【００２６】 容器をシールした後で、炉に純粋なアルゴン又は微量の窒素を伴うアルゴンを
満たす（工程３２３）。成長結晶の所望の抵抗率を得るために、ガス充填炉の分
圧を１０−１〜１０−４ｔｏｒｒに維持する。るつぼ４２１及び容器４１９を、
６〜２０℃／分の速度で、１，９００〜２，４００℃の温度に加熱する（工程３
２５）。
【００２７】 結晶成長の間に、るつぼ４２１を、約１〜５回転／分の速度で軸方向に回転さ
せる（工程３２７）。結晶が成長したら、るつぼ４２１と炉４２３の相対的な位
置を変更することによって、要求される温度勾配を少なくとも部分的に達成する
（工程３２９）。典型的にこの動きの速度は、結晶成長の速度にほぼ等しく、す
なわち０．１〜１．５ｍｍ／時間である。
【００２８】 （好ましい結晶成長法） 上述の方法及び設備に加えて、本発明の発明者等は、ある種の成長法が好まし
いことを見出した。上述のように、成長の間の結晶の自由空間拡張は、欠陥のな
いＳｉＣを達成するために重要である。従って、環状要素４０７、種結晶ホルダ
ー４０５、グラファイト筒状体４１５、及び成長容器４１９を含む表面のような
、種結晶４０１を囲む全ての表面での多結晶堆積物の形成を防ぐことが重要であ
る。問題となる表面の温度が種の温度よりも高いことを確実にすることは、多結
晶堆積を防ぐための好ましい技術である。しかしながら同時に、種と隣接する表
面との温度差は大きすぎないことが重要である。この温度差が大きすぎると、横
方向の結晶成長が起こらないことがある。従って本発明の発明者等は、結晶化面
と結晶化面の前側の隣接する表面との間の温度差は１〜５℃であるべきだという
ことを見出した。
【００２９】 本発明の発明者等は、結晶が横方向に拡張する間に、種４０１と供給源４１７
との間で、５〜２５℃、好ましくは５〜１０℃の温度降下を維持すべきであると
いうことを見出した。この温度差は、通常の（すなわち横方向ではない）結晶成
長の抑制に役立つ。好ましくは温度勾配は横方向の位置に依存しており、それに
よって種の中心において温度差が最小であり、中心からの横方向の距離と共に温
度差が大きくなる。結果として、凸型の結晶成長面が形成され、これはマイクロ
パイプ伝播をなくすのに役立つ。
【００３０】 上述のように、好ましくは通常の結晶成長と横方向の結晶成長との角度（例え
ば図１の角度１０７）は２５°超である。この角度が２５°未満である場合、種
結晶４０１の欠陥及び初期結晶成長の間に発生することがある全ての欠陥は、新
たに成長した結晶を通って伝播し続ける。この角度が４５°超である場合、本発
明の好ましい態様でのように、典型的に全ての欠陥が、側面に向かって移動し、
側面に達すると、それ以上は成長プロセスに関与しない。全ての欠陥が成長プロ
セスに関与しなくなるわけではない場合には、横方向に成長した材料における欠
陥密度は典型的に１０２／ｃｍ２程度又はそれ未満、より典型的には１０／ｃｍ ２ 程度又はそれ未満である。この角度が２５〜４５°の中間の場合には、横方向
に成長している結晶体への欠陥の拡張が典型的に観察される。しかしながら種結
晶４０１が高品質である場合、この範囲内の角度は、十分に低欠陥密度の結晶を
もたらすことができる。
【００３１】 初めに、横方向結晶成長が優勢であり（工程３３１）、横方向に成長した結晶
は、マイクロパイプがなく、且つ欠陥（例えば転位、マイクロパイプ）の密度が
、１０４／ｃｍ２未満、好ましくは１０３／ｃｍ２未満、より好ましくは１０２ ／ｃｍ２未満、更により好ましくは１０／ｃｍ２未満であり、更により好ましく
は１ｃｍ２当たりの欠陥がゼロである。観察されるように、この材料はグラファ
イト含有物がない。横方向結晶成長が主である結晶成長は、所望の結晶直径に達
成するまで継続する。ここでこの結晶直径は一般に成長容器によって決定され、
図５で示されている態様では環状要素４０７によって決定される。結晶が所望の
直径に達したら（工程３３３）、垂直温度勾配を変更して、通常の、すなわち垂
直方向の結晶成長を促進する（工程３３５）。温度勾配の所望の変更を達成する
ために、炉４２３とるつぼ４２１の相対的な位置を変更する。本発明の好ましい
態様では、炉４２３は誘導炉であり、炉のコイルをるつぼ４２１に対して移動さ
せる。あるいは又は炉とるつぼの相対的な位置を変更するのに加えて、炉の部分
の温度を変更することができる。好ましくは軸方向温度勾配、すなわち供給源と
成長表面との温度勾配は、１０〜５０℃／ｃｍであり、０．４〜１．５ｍｍ／時
間の所望の通常成長の速度をもたらす。
【００３２】 結晶成長の最終段階においては、有意の横方向結晶拡張を防ぐことが重要であ
る。また上述のように、るつぼの側壁（例えば成長容器４１９、グラファイト筒
状体４１５及び環状要素４０７の側壁）にＳｉＣ堆積物ができるのを防ぐことも
重要である。従って種結晶の温度と比較して比較的高い側壁温度を維持し、好ま
しくは温度差が少なくとも１０℃、より好ましくは１０〜３０℃、更により好ま
しくは１０〜１５℃になるようにする。比較的高温の側壁は、成長結晶の側面を
放射加熱し、それによって結晶の通常成長表面よりも高温の結晶側壁を達成する
。結果として、全ての蒸気種が、結晶の通常成長表面で消費され、るつぼの側壁
での成長が抑制される。更に、この温度差は、成長している結晶がるつぼの側壁
と接触しないことを確実にする。このような接触は欠陥の主な原因である。
【００３３】 本発明の発明者等は、成長している結晶中の温度勾配を比較的小さく維持しな
ければならない、好ましくは５℃／ｃｍ程度又はそれ未満にしなければならない
ことを見出した。この温度勾配が大きすぎると、成長している結晶中でひずみが
もたらされ、結果として転位又は他の欠陥が形成される。
【００３４】 （詳細な成長領域） 図５は、本発明の好ましい態様における重要な成長領域の断面図である。この
態様では、ＳｉＣ種結晶５０１が環状要素５０３の一部に保持されている。グラ
ファイト箔環状体５０５が、環状要素５０３と結晶５０１の成長表面との間に配
置されており、この箔環状体５０５は、種結晶を環状要素にシールしている。結
晶５０１の側面及び後面は、グラファイト箔５０７で覆われている。グラファイ
トディスク５０９は、グラファイト箔５０７を介して種結晶５０１と組み合わさ
れている。ディスク５０９及び中間のグラファイト箔５０７の主要な目的は、結
晶５０１からの熱の除去を補助することである。更にディスク５０９は、結晶５
０１のための支持表面及びグラファイト環状体５１１で結晶に圧力を適用するの
に便利な手段を提供し、それによって結晶と要素５０３との間のシールを達成し
ている。グラファイト箔５０５及び５０７は、典型的に０．２５〜０．８０ｍｍ
の厚さである。
【００３５】 環状要素５０３は好ましくは、グラファイト筒状体５１３内に押しつける。典
型的に０．２５〜０．８０ｍｍの厚さのグラファイト箔５１５を、好ましくは環
状要素５０３の外壁と筒状体５１３の内壁との間に配置し、良好な圧力及び熱シ
ールを達成するのに役立てる。グラファイト発泡体５１７を使用して、炉からの
熱の損失を抑制する。
【００３６】 本発明のこの態様では、環状要素５０３は、内側表面５１９がＴａｘＣｙ又は
ＮｂｘＣｙによってコーティングされたグラファイトで作る。要素５０３の最大
内径である直径Ｄは３０ｍｍであるが、この直径を大きくし、それによって比較
的大きい成長結晶を得ることに大きな制限はない。要素５０３の最小内径である
直径ｄは、Ｄ／ｄの比が３よりも大きくなるように選択する。角度５２１は、上
述のように２５°よりも大きく、好ましくは９０°未満であるように選択する。
【００３７】 （熱解析） 図６〜１０は、本発明の特定の態様に関して、成長セル及び成長結晶中におけ
る計算温度分布を示している。図６〜９では、種結晶は基体６０１として示され
ており、結晶成長界面は表面６０３として示されており、また環状要素は要素６
０５として示されている。この解析に関して、環状要素６０５は、図４及び５の
環状要素で示されるような一対の円錐状表面ではなく、単一の円錐表面からなっ
ている。
【００３８】 図６及び７は、約４時間の成長後の温度分布を示しており、図８及び９は、約
２２時間の成長後の温度分布を示している。図６及び８の環状要素の円錐角度は
４５°であり。図７及び９の環状要素の円錐角度は７０°である。
【００３９】 図１０は、環状要素セル壁（線１００１）及び結晶界面（線１００３）での１
次元温度分布を示している。線１００１及び１００３で示されているデータ点に
対応する環状要素壁の箇所及び結晶界面の箇所はそれぞれ図１１で示されている
。
【００４０】 （熱弾性応力分布） 上述のように、成長結晶内における温度勾配は比較的小さく、好ましくは５℃
／ｃｍ又はそれ未満に維持しなければならない。図１２及び１３は、図６及び８
で示されている温度分布に関して計算した、熱弾性応力テンソルσｒｚ（パスカ
ル）の一次成分の分布を示している。示されている熱弾性応力成分は、転位の勾
配すべりに対応するものである。
【００４１】 計算結果は、σｒｚ値が結晶の主要部におけるＳｉＣ塑性しきい値を超えない
ことを示している。従って成長結晶内で発生する転位の可能性は無視できる。
【００４２】 当業者が理解するように、本発明は、本発明の精神又は本質的な特徴内の他の
態様によって実施することができる。従って本明細書において示された開示及び
例は説明のためのものであり、特許請求の範囲において示される本発明の範囲を
限定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は、本発明で成長させた欠陥のない成長領域の概略を示している。
【図２】 図２は、結晶成長の間における中心領域の減少の概略を示している。
【図３】 図３は、低欠陥密度ＳｉＣを達成するために使用する基本的な方法を示してい
る。
【図４】 図４は、昇華系の好ましい設計を示している。
【図５】 図５は、本発明の好ましい設計における重要な成長領域の詳細な断面を示して
いる。
【図６】 図６は、円錐角度４５°の環状要素及び約４時間の成長時間での、成長セル及
び成長結晶内の計算温度分布を示している。
【図７】 図７は、円錐角度７０°の環状要素及び約４時間の成長時間での、成長セル及
び成長結晶内の計算温度分布を示している。
【図８】 図８は、円錐角度４５°の環状要素及び約２２時間の成長時間での、成長セル
及び成長結晶内の計算温度分布を示している。
【図９】 図９は、円錐角度７０°の環状要素及び約２２時間の成長時間での、成長セル
及び成長結晶内の計算温度分布を示している。
【図１０】 図１０は、環状要素セル壁及び結晶界面にわたる一次元的な温度分布を示して
いる。
【図１１】 図１１は、図１０のデータ点に対応する環状要素壁の複数の箇所及び結晶界面
の複数の箇所を示している。
【図１２】 図１２は、図６で示されている温度分布に関して計算した熱弾性応力テンソル
の一次的な成分の分布を示している。
【図１３】 図１３は、図８で示されている温度分布に関して計算した熱弾性応力テンソル
の一次的な成分の分布を示している。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ，ＴＲ)，ＯＡ(ＢＦ ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ， ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，Ｇ Ｍ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ， ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ， ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，Ｂ Ｚ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ ，ＤＭ，ＤＺ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ， ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，Ｊ Ｐ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ， ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＭＺ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，Ｒ Ｏ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ， ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ (72)発明者 モクホフ，エフゲニ ニコラエビチ ロシア国，195279，サンクトペテルスブル グ，イリノフスキ アベニュ，21−１− 225 (72)発明者 ロエンコフ，アレクサンドル ドミトリエ ビチ ロシア国，195220，サンクトペテルスブル グ，グラジダンスキ アベニュ，９−11 (72)発明者 マカロフ，ユ アメリカ合衆国，バージニア 23229，リ ッチモンド，カバルリイ ドライブ，9206 −ビー (72)発明者 ユレビチ，カルポフ セルゲイ ロシア国，194292，サンクトペテルスブル グ，クルトゥリ アベニュ，24−１−44 (72)発明者 ラム，マルク スピリドノビチ ロシア国，197198，サンクトペテルスブル グ，ブロキナ ストリート 23−３ (72)発明者 ヘラバ，ヘイッキ アメリカ合衆国，カリフォルニア 94600， ピードモント，マグノリア アベニュ 331 Ｆターム(参考） 4G077 AA02 BE08 DA02 DA18 DA19 EA02 EG25 HA06 HA12 SA04 SA07

Claims (79)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 マイクロパイプ及び転位で構成されている欠陥の密度が１０ ４ ／ｃｍ２未満の単結晶バルク炭化ケイ素基体を含む炭化ケイ素材料。
  2. 【請求項２】 前記欠陥密度が１０３／ｃｍ２未満である、請求項１に記載
    の炭化ケイ素材料。
  3. 【請求項３】 前記欠陥密度が１０２／ｃｍ２未満である、請求項１に記載
    の炭化ケイ素材料。
  4. 【請求項４】 前記欠陥密度が１０／ｃｍ２未満である、請求項１に記載の
    炭化ケイ素材料。
  5. 【請求項５】 前記単結晶バルク炭化ケイ素基体の厚さが少なくとも１ｍｍ
    である、請求項１に記載の炭化ケイ素材料。
  6. 【請求項６】 前記単結晶バルク炭化ケイ素基体の厚さが少なくとも１ｃｍ
    である、請求項１に記載の炭化ケイ素材料。
  7. 【請求項７】 第１の欠陥密度の単結晶炭化ケイ素種結晶、ここで前記欠陥
    はマイクロパイプ及び転位で構成されている； 前記単結晶炭化ケイ素種結晶から成長した第２の欠陥密度の、再結晶化炭化ケ
    イ素の軸方向領域、ここで前記欠陥はマイクロパイプ及び転位で構成されている
    ；並びに 前記単結晶炭化ケイ素種結晶から成長した第３の欠陥密度の、再結晶化炭化ケ
    イ素の横方向領域、ここで前記欠陥はマイクロパイプ及び転位で構成されている
    ； を含む、炭化ケイ素材料であって、前記第３の欠陥密度が、前記第１の欠陥密度
    未満であり且つ前記第２の欠陥密度未満であり、また前記第３の欠陥密度が１０ ４ ／ｃｍ２未満である、炭化ケイ素材料。
  8. 【請求項８】 前記第３の欠陥密度が１０３／ｃｍ２未満である、請求項７
    に記載の炭化ケイ素材料。
  9. 【請求項９】 前記第３の欠陥密度が１０２／ｃｍ２未満である、請求項７
    に記載の炭化ケイ素材料。
  10. 【請求項１０】 前記第３の欠陥密度が１０／ｃｍ２未満である、請求項７
    に記載の炭化ケイ素材料。
  11. 【請求項１１】 前記再結晶化炭化ケイ素の軸方向領域が第１の厚さを有し
    、前記再結晶化炭化ケイ素の横方向領域が、前記第１の厚さと実質的に等価の第
    ２の厚さを有し、また前記第１の厚さが少なくとも１ｍｍである、請求項７に記
    載の炭化ケイ素材料。
  12. 【請求項１２】 前記再結晶化炭化ケイ素の軸方向領域が第１の厚さを有し
    、前記再結晶化炭化ケイ素の横方向領域が、前記第１の厚さと実質的に等価の第
    ２の厚さを有し、また前記第１の厚さが少なくとも１ｃｍである、請求項７に記
    載の炭化ケイ素材料。
  13. 【請求項１３】 第１の領域及び第２の領域を有する単結晶炭化ケイ素結晶
    を含む炭化ケイ素材料であって、前記第１の領域が前記単結晶炭化ケイ素結晶の
    中央部に位置しており、且つ第１の欠陥密度を有し、また前記第２の領域が軸方
    向に配置された前記第１の領域を取り囲んでおり、且つ第２の欠陥密度を有し、
    前記欠陥はマイクロパイプ及び転位で構成されており、ここで前記第２の欠陥密
    度は前記第１の欠陥密度よりも小さく、また前記第２の欠陥密度は１０３／ｃｍ ２ 未満である、第１の領域及び第２の領域を有する単結晶炭化ケイ素結晶を含む
    炭化ケイ素材料。
  14. 【請求項１４】 前記第１の欠陥密度が１０４／ｃｍ２超である、請求項１
    ３に記載の炭化ケイ素材料。
  15. 【請求項１５】 前記第２の欠陥密度が１０２／ｃｍ２未満である、請求項
    １３に記載の炭化ケイ素材料。
  16. 【請求項１６】 前記第２の欠陥密度が１０／ｃｍ２未満である、請求項１
    ３に記載の炭化ケイ素材料。
  17. 【請求項１７】 前記単結晶炭化ケイ素結晶の厚さが少なくとも１ｍｍであ
    る、請求項１３に記載の炭化ケイ素材料。
  18. 【請求項１８】 前記単結晶炭化ケイ素結晶の厚さが少なくとも１ｃｍであ
    る、請求項１３に記載の炭化ケイ素材料。
  19. 【請求項１９】 第１の欠陥密度の単結晶炭化ケイ素種結晶、ここで前記欠
    陥はマイクロパイプ及び転位で構成されており、前記単結晶炭化ケイ素種結晶は
    成長表面を有する； 前記単結晶炭化ケイ素種結晶の前記成長表面から始まっている再結晶化炭化ケ
    イ素の第１の領域、ここで前記再結晶化炭化ケイ素の第１の領域に対応する結晶
    化成長面の第１の部分は軸方向成長経路に続いており、前記再結晶化炭化ケイ素
    の第１の領域は第２の欠陥密度を有し、前記欠陥はマイクロパイプ及び転位で構
    成されている；並びに 前記単結晶炭化ケイ素種結晶の前記成長表面から始まっている再結晶化炭化ケ
    イ素の第２の領域、ここで前記再結晶炭化ケイ素の第２の領域に対応する前記結
    晶化成長面の第２の部分は横方向拡張成長経路に続いており、前記結晶化成長面
    の前記第２の部分の外側端部は、通常の成長軸から２５°超の角度であり、前記
    再結晶炭化ケイ素の第２の領域は第３の欠陥密度を有し、この欠陥はマイクロパ
    イプ及び転位で構成されている； を含む、炭化ケイ素材料であって、前記第３の欠陥密度は、前記第１の欠陥密度
    未満で、且つ前記第２の欠陥密度未満であり、また前記第３の欠陥密度が１０４ ／ｃｍ２未満である、炭化ケイ素材料。
  20. 【請求項２０】 前記第２の欠陥密度が１０５／ｃｍ２超である、請求項１
    ９に記載の炭化ケイ素材料。
  21. 【請求項２１】 前記第３の欠陥密度が１０３／ｃｍ２未満である、請求項
    １９に記載の炭化ケイ素材料。
  22. 【請求項２２】 前記第３の欠陥密度が１０２／ｃｍ２未満である、請求項
    １９に記載の炭化ケイ素材料。
  23. 【請求項２３】 前記第３の欠陥密度が１０／ｃｍ２未満である、請求項１
    ９に記載の炭化ケイ素材料。
  24. 【請求項２４】 前記再結晶化炭化ケイ素の第１及び第２の領域の厚さが少
    なくとも１ｍｍである、請求項１９に記載の炭化ケイ素材料。
  25. 【請求項２５】 前記再結晶化炭化ケイ素の第１及び第２の領域の厚さが少
    なくとも１ｃｍである、請求項１９に記載の炭化ケイ素材料。
  26. 【請求項２６】 前記角度が４５°超である、請求項１９に記載の炭化ケイ
    素材料。
  27. 【請求項２７】 昇華系に単結晶炭化ケイ素種結晶を導入すること； 第１の成長段階の間に、軸方向結晶成長を進行させて軸方向成長領域を作るこ
    と、ここで前記単結晶炭化ケイ素種結晶に起因する複数の転位欠陥及びマイクロ
    パイプの少なくとも一部は、前記軸方向領域に伝播する；並びに 前記第１の成長段階の間に、横方向結晶成長を進行させて横方向成長領域を作
    ること、ここで前記単結晶炭化ケイ素種結晶から前記横方向成長領域への前記複
    数の転位欠陥及びマイクロパイプの伝播は、実質的に減少している； を含む、低欠陥密度炭化ケイ素を成長させる方法。
  28. 【請求項２８】 第２の成長段階の間に、横方向成長を抑制することを更に
    含み、ここで前記軸方向成長領域及び前記横方向成長領域の軸方向結晶成長を、
    前記第２の成長段階の間に継続する、請求項２７に記載の方法。
  29. 【請求項２９】 第２の成長段階の間に、横方向結晶絞りを行うことを更に
    含み、ここでこの第２の成長段階を前記第１の成長段階の前に行う、請求項２７
    に記載の方法。
  30. 【請求項３０】 横方向結晶成長を進行させる前記工程が、少なくとも２５
    °の角度の横方向結晶成長を進行させる工程を更に含む、請求項２７に記載の方
    法。
  31. 【請求項３１】 横方向結晶成長を進行させる前記工程が、少なくとも４５
    °の角度の横方向結晶成長を進行させる工程を更に含む、請求項２７に記載の方
    法。
  32. 【請求項３２】 前記単結晶炭化ケイ素種結晶から前記横方向成長領域に伝
    播する又は前記横方向成長領域において始まる複数の転位欠陥及びマイクロパイ
    プが、前記横方向成長領域において１０４／ｃｍ２未満の欠陥密度をもたらす、
    請求項２７に記載の方法。
  33. 【請求項３３】 前記単結晶炭化ケイ素種結晶から前記横方向成長領域に伝
    播する又は前記横方向成長領域において始まる複数の転位欠陥及びマイクロパイ
    プが、前記横方向成長領域において１０３／ｃｍ２未満の欠陥密度をもたらす、
    請求項２７に記載の方法。
  34. 【請求項３４】 前記単結晶炭化ケイ素種結晶から前記横方向成長領域に伝
    播する又は前記横方向成長領域において始まる複数の転位欠陥及びマイクロパイ
    プが、前記横方向成長領域において１０２／ｃｍ２未満の欠陥密度をもたらす、
    請求項２７に記載の方法。
  35. 【請求項３５】 前記単結晶炭化ケイ素種結晶から前記横方向成長領域に伝
    播する又は前記横方向成長領域において始まる複数の転位欠陥及びマイクロパイ
    プが、前記横方向成長領域において１０／ｃｍ２未満の欠陥密度をもたらす、請
    求項２７に記載の方法。
  36. 【請求項３６】 成長表面と複数の非成長表面とを有する単結晶炭化ケイ素
    種結晶を、昇華系に導入すること； 炭化ケイ素源を昇華させるのに十分な温度に、炭化ケイ素源を加熱すること； 第１の段階の自由空間結晶拡張を開始すること、ここでは結晶化成長面は、横
    方向及び軸方向に拡がって成長炭化ケイ素結晶を作り、ここで横方向拡張は、通
    常の成長軸から少なくとも２５°の角度である； 第２の段階の自由空間結晶拡張を開始すること、ここでは結晶化成長面は、軸
    方向に拡がり、横方向の拡張は抑制されている； を含む、低欠陥密度炭化ケイ素の成長方法であって、 前記第１の段階の開始工程が、 前記成長表面と前記炭化ケイ素源との温度差を維持すること、ここで前記成長
    表面の温度は、前記炭化ケイ素源の温度よりも５℃〜２５℃低い； 前記結晶化成長面と隣接する表面との１℃〜５℃の温度差を維持すること； ５℃／ｃｍ又はそれ未満の、前記成長炭化ケイ素結晶中の温度勾配を維持する
    こと； を更に含み、且つ前記第２の段階の開始工程が、 １０℃〜５０℃／ｃｍの前記成長表面と前記炭化ケイ素源との間の軸方向温度
    勾配を維持すること； 前記結晶化成長面と隣接する表面との少なくとも１０℃の温度差を維持するこ
    と； ５℃／ｃｍ又はそれ未満の、前記成長炭化ケイ素結晶中の温度勾配を維持する
    こと； を更に含む、低欠陥密度炭化ケイ素の成長方法。
  37. 【請求項３７】 前記横方向拡張が、前記通常の成長軸から少なくとも４５
    °の角度である、請求項３６に記載の方法。
  38. 【請求項３８】 前記第１の段階の開始工程の間に、前記成長表面の前記温
    度が、前記炭化ケイ素源の前記温度よりも５℃〜１０℃低い、請求項３６に記載
    の方法。
  39. 【請求項３９】 前記単結晶炭化ケイ素種結晶の前記複数の非成長表面のグ
    ラファイト化を防ぐ工程を更に含む、請求項３６に記載の方法。
  40. 【請求項４０】 前記単結晶炭化ケイ素種結晶の前記複数の非成長表面のグ
    ラファイト化を防ぐ前記工程が、 前記単結晶炭化ケイ素種結晶の前記成長表面を、タンタルディスクの表面に配
    置すること；及び 前記単結晶炭化ケイ素種結晶をアニール処理すること； を含み、ここで前記単結晶炭化ケイ素種結晶の前記複数の非成長表面のグラファ
    イト化を防ぐ前記工程を、前記導入工程の前に行う、請求項３９に記載の方法。
  41. 【請求項４１】 前記昇華系の成長容器内でのグラファイト化を防ぐ工程を
    更に含む、請求項３６に記載の方法。
  42. 【請求項４２】 自由空間結晶拡張の前記第１及び第２の段階の間に比較的
    安定な蒸気化学量論量を維持する工程を更に含む、請求項３６に記載の方法。
  43. 【請求項４３】 自由空間結晶拡張の前記第１及び第２の段階の間に１時間
    当たり初期供給源重量の０．５％未満の材料損失速度を維持する工程を更に含む
    、請求項３６に記載の方法。
  44. 【請求項４４】 前記単結晶炭化ケイ素種結晶を前記昇華系に導入する前記
    工程の前に、前記単結晶炭化ケイ素種結晶の前記成長表面から機械的欠陥を除去
    する工程を更に含む、請求項３６に記載の方法。
  45. 【請求項４５】 自由空間結晶拡張の前記第１及び第２の段階の間に、１〜
    ５回転／分の速度で、前記昇華系のるつぼを軸方向に回転させる工程を更に含む
    、請求項３６に記載の方法。
  46. 【請求項４６】 前記反応ガス源の直径の３０％未満の距離で、前記炭化ケ
    イ素源と前記単結晶炭化ケイ素種結晶の成長表面とを離す工程を更に含む、請求
    項３６に記載の方法。
  47. 【請求項４７】 自由空間結晶拡張の前記第１及び第２の段階の間の供給物
    粒子の形成を抑制する工程を更に含む、請求項３６に記載の方法。
  48. 【請求項４８】 前記供給源粒子の形成を抑制する工程が、アニール処理し
    た炭化ケイ素粉末又はケイ素粉末と炭素粉末のアニール処理した混合物から前記
    反応性ガス源を作る工程を更に含む、請求項４８に記載の方法。
  49. 【請求項４９】 前記炭化ケイ素粉末又は前記ケイ素粉末と炭素粉末の混合
    物を、約２，１００℃〜約２，５００℃の温度でアニール処理する、請求項４８
    に記載の方法。
  50. 【請求項５０】 窒素、ホウ素、アルミニウム、インジウム、バナジウム、
    モリブデン、スカンジウム、クロム、鉄、マグネシウム、スズ及びジルコニウム
    からなる群より選択されるドーパント及び不純物を、前記炭化ケイ素源に含有さ
    せる工程を更に含む、請求項３６に記載の方法。
  51. 【請求項５１】 前記単結晶炭化ケイ素種結晶の前記複数の非成長表面の少
    なくとも１つを、ヒートシンクに結合する工程を更に含む、請求項３６に記載の
    方法。
  52. 【請求項５２】 前記単結晶炭化ケイ素種結晶の前記複数の非成長表面の少
    なくとも１つを、ヒートシンクに結合する工程が、前記単結晶炭化ケイ素種結晶
    の前記複数の非成長表面の少なくとも１つと前記ヒートシンクとの間に、グラフ
    ァイト箔を配置する工程を更に含む、請求項５１に記載の方法。
  53. 【請求項５３】 前記単結晶炭化ケイ素種結晶の前記成長表面の端部の、前
    記炭化ケイ素源への露出を防ぐ工程を更に含む、請求項３６に記載の方法。
  54. 【請求項５４】 前記成長表面の端部の前記炭化ケイ素源への露出を防ぐ前
    記工程が、前記単結晶炭化ケイ素種結晶の成長表面の外側領域を環状要素に結合
    する工程を更に含む、請求項５３に記載の方法。
  55. 【請求項５５】 前記単結晶炭化ケイ素種結晶の前記成長表面の前記外側領
    域を前記環状要素に結合する前記工程が、前記単結晶炭化ケイ素種結晶の前記成
    長表面の前記外側領域と前記環状要素の間にグラファイト箔を配置する工程を更
    に含む、請求項５４に記載の方法。
  56. 【請求項５６】 前記単結晶炭化ケイ素種結晶の前記複数の非成長表面の、
    前記炭化ケイ素源への露出を防ぐ工程を更に含む、請求項３６に記載の方法。
  57. 【請求項５７】 前記自由空間結晶成長の第１及び第２の段階を開始する前
    に、前記昇華系の成長容器をシールする工程を更に含む、請求項３６に記載の方
    法。
  58. 【請求項５８】 前記成長容器をシールする前記工程が、 前記成長容器を１０−５ｔｏｒｒ又はそれ未満の圧力まで減圧すること； 前記成長容器を約１，５００℃の温度まで加熱すること；及び 前記成長容器をグラファイト内にシールすること； を更に含む、請求項５７に記載の方法。
  59. 【請求項５９】 単結晶炭化ケイ素種結晶の成長表面と結合可能な第１の環
    状部分と、結晶成長面の横方向に拡がる部分の範囲を定める第１の円錐状内側表
    面とを有する環状要素、ここで前記第１の円錐状内側表面と環状要素の軸との角
    度は２５°超である； 前記単結晶炭化ケイ素種結晶の非成長表面に結合可能なグラファイトヒートシ
    ンク； 前記環状要素及び炭化ケイ素源に結合可能な成長容器； 前記成長容器を実質的に囲んでいるグラファイトるつぼ； 前記成長容器に少なくとも第１の温度勾配と第２の温度勾配を提供する第１の
    加熱手段、ここで前記第１の温度勾配は、軸方向の結晶成長を促進し、且つ横方
    向の結晶成長を促進し、また前記第２の温度勾配は、軸方向の結晶成長を促進し
    、且つ横方向の結晶成長を抑制する；並びに 結晶成長面温度よりも高い隣接表面温度を維持する第２の加熱手段； を具備する、炭化ケイ素成長の間の転位を抑制する設備。
  60. 【請求項６０】 前記環状要素の前記第１の環状部分と前記単結晶炭化ケイ
    素種結晶の前記成長表面との間に配置されたグラファイト箔を更に具備し、ここ
    で前記グラファイト箔が、前記環状要素の前記第１の環状部分を前記単結晶炭化
    ケイ素種結晶の成長表面に対してシールしている、請求項５９に記載の設備。
  61. 【請求項６１】 前記環状要素の前記第１の環状部分の内径が、前記単結晶
    炭化ケイ素種結晶の前記成長表面の外径よりも小さい、請求項５９に記載の設備
    。
  62. 【請求項６２】 前記第１の円錐状内側表面が、ＴａｘＣｙ及びＮｂｘＣｙ からなる材料の群より選択される材料でコーティングされている、請求項５９に
    記載の設備。
  63. 【請求項６３】 前記環状要素が、前記第１の環状部分と前記第１の円錐状
    内側表面との間に配置された第２の円錐状内側表面を更に有し、この第２の円錐
    状内側表面が、前記結晶成長面の横方向絞り部分を定める、請求項５９に記載の
    設備。
  64. 【請求項６４】 前記第２の円錐状内側表面が、ＴａｘＣｙ及びＮｂｘＣｙ からなる材料の群より選択される材料でコーティングされている、請求項６３に
    記載の設備。
  65. 【請求項６５】 前記第１の円錐状内側表面と前記環状要素との間の前記角
    度が４５°超である、請求項５９に記載の設備。
  66. 【請求項６６】 前記グラファイトヒートシンクと前記単結晶炭化ケイ素種
    結晶の前記非成長表面との間に配置されたグラファイト箔を更に具備し、このグ
    ラファイト箔が、前記グラファイトヒートシンクと前記単結晶炭化ケイ素種結晶
    の前記非成長表面との間の連続熱接触を作っている、請求項５９に記載の設備。
  67. 【請求項６７】 グラファイト筒状体を更に具備し、ここで前記環状要素の
    外側部分と前記グラファイトヒートシンクの外側部分とが、前記グラファイト筒
    状体の内側表面に対してシールされている、請求項５９に記載の設備。
  68. 【請求項６８】 前記成長容器の内側表面が、ＴａｘＣｙ及びＮｂｘＣｙか
    らなる材料の群より選択される材料でできている、請求項５９に記載の設備。
  69. 【請求項６９】 前記成長容器が、炭化ケイ素源の直径の３０％未満の距離
    で、前記炭化ケイ素源と前記単結晶炭化ケイ素種結晶の前記成長表面とを離して
    いる、請求項５９に記載の設備。
  70. 【請求項７０】 前記加熱手段が高周波誘導炉である、請求項５９に記載の
    設備。
  71. 【請求項７１】 前記加熱手段が抵抗加熱炉である、請求項５９に記載の設
    備。
  72. 【請求項７２】 前記成長容器をシールする手段を更に具備し、このシール
    手段が、１時間当たり初期炭化ケイ素源重量の０．５％未満の物質損失速度を維
    持するのに十分なものである、請求項５９に記載の設備。
  73. 【請求項７３】 前記シール手段がグラファイト発泡体を含む、請求項７２
    に記載の設備。
  74. 【請求項７４】 るつぼの回転手段を更に具備している、請求項５９に記載
    の設備。
  75. 【請求項７５】 前記第１の温度勾配が、前記単結晶炭化ケイ素種結晶と前
    記炭化ケイ素源との間で５℃〜２５℃の温度降下をもたらす、請求項５９に記載
    の設備。
  76. 【請求項７６】 前記炭化ケイ素源と前記結晶成長面との間の前記第２の温
    度勾配が、１０℃〜５０℃／ｃｍである、請求項５９に記載の設備。
  77. 【請求項７７】 前記第１の加熱手段と前記第２の加熱手段とが同じである
    、請求項５９に記載の設備。
  78. 【請求項７８】 前記隣接表面の温度が、前記結晶成長面の温度よりも１〜
    ５℃高い、請求項５９に記載の設備。
  79. 【請求項７９】 環状要素であって、 単結晶炭化ケイ素種結晶の成長表面にシール可能に結合可能な第１の環状部
    分、ここで前記環状要素のこの第１の環状部分の内径は、前記単結晶炭化ケイ素
    種結晶の前記成長表面の外径よりも小さい； 結晶成長面の横方向に拡張する部分の範囲を定める第１の円錐状内側表面、
    ここでこの第１の円錐状内側表面と環状要素の軸との間の角度が２５°超であり
    、前記第１の円錐状内側表面は、ＴａｘＣｙ及びＮｂｘＣｙからなる材料の群よ
    り選択される材料でできている； 前記第１の環状部分と前記第１の円錐状内側表面との間に配置された第２の
    円錐状内側表面、ここでこの第２の円錐状内側表面は、前記結晶成長面の横方向
    絞り部分の範囲を定め、前記第２の円錐状内側表面は、ＴａｘＣｙ及びＮｂｘＣ ｙ からなる材料の群より選択される材料でできている； を有する環状要素； 前記単結晶炭化ケイ素種結晶の非成長表面に結合可能なグラファイトヒートシ
    ンク； 前記環状要素及び炭化ケイ素源に結合可能で、ＴａｘＣｙ及びＮｂｘＣｙから
    なる材料の群より選択される材料でできている成長容器； 前記成長容器を実質的に囲んでいるグラファイトるつぼ； 前記成長容器に少なくとも第１の温度勾配と第２の温度勾配を提供する第１の
    加熱手段、ここで前記第１の温度勾配は、軸方向の結晶成長を促進し、且つ横方
    向の結晶拡張を促進し、また前記第２の温度勾配は、軸方向の結晶成長を促進し
    、且つ横方向の結晶成長を抑制する；並びに 結晶成長面温度よりも高い隣接表面温度を維持する第２の加熱手段； を具備する、炭化ケイ素成長の間の転位を抑制する設備。
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