JP2015093829A - 気相蒸着装置及びそれを使用した気相蒸着法 - Google Patents
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Abstract
【課題】坩堝のチャンバ内の温度勾配分布を修正する気相蒸着装置とこの装置を使用した気相蒸着法の提供。【解決手段】本発明の気相蒸着装置は、坩堝、ヒートシンク、断熱材、熱反射器を含み、前記坩堝は内部に堆積エリアが形成され、前記ヒートシンクは一部が前記坩堝に組み込まれ、前記堆積エリアからの熱を伝達することができ、前記断熱材は前記堆積エリアの周囲に前記堆積エリアを被覆することなく固定され、前記熱反射器は、前記堆積エリアを被覆することなく前記断熱材の空いた表面に固定され、前記坩堝の内部側壁から前記堆積エリアに向かって延伸された傾斜を有する反射面を備え、前記断熱材は、前記坩堝、前記ヒートシンク、前記熱反射器と比較して相対的に低い熱伝導性を有し、前記熱反射器は前記チャンバ内で熱放射を反射し、前記熱反射器内部の複数の孔を介して前記断熱材及び前記チャンバに連通される。【選択図】図1
Description
本発明は、気相蒸着に使用される坩堝に関し、特に、坩堝が加熱される間のチャンバ内部の垂直方向と水平方向の温度勾配差を減少し、チャンバ内部の温度勾配差の減少によって堆積速度の向上を達成すると同時に、格子整合堆積を形成する、坩堝チャンバ内部の特殊な設計に関する。
近年、気相蒸着は特に半導体製造をはじめとする産業で広く使用されている。気相蒸着法では基板が蒸気に暴露され、蒸気中の分子が基板上に堆積されて核が形成され、SiO2、ポリサイド、Al−Cuなどの薄膜が形成される。
気相蒸着の過程では、堆積物の格子均一性に影響を与える温度が重要要素である。基板と蒸気が入れられる加熱されたチャンバ内の温度勾配差が蒸気の流速にバラ付を生じ、原子層の堆積に直接影響する可能性がある。従って、チャンバ内部で円滑な温度勾配を形成することは、蒸気流を安定化させ、蒸気流の堆積速度を向上し、気相蒸着の好ましい品質を得ることにつながる。
本発明の目的は、坩堝のチャンバ内における水平方向と垂直方向の温度勾配分布を修正する内部構造を備えた気相蒸着装置と、この気相蒸着装置を使用した気相蒸着法を提供することにある。
前述の目的を達するため、本発明の気相蒸着装置は、坩堝、ヒートシンク、断熱材、熱反射器(thermal reflector)を含む。
前記坩堝は内部にチャンバを備え、かつ坩堝の内部上壁に堆積エリアが形成される。
前記ヒートシンクは一部が前記坩堝に組み込まれ、且つ前記ヒートシンクの一部が前記堆積エリアからの熱を伝達するために露出される。
前記断熱材は前記堆積エリアの周囲に前記堆積エリアを被覆することなく固定される。
前記熱反射器は内部に複数の孔を備えた材料から成り、前記堆積エリアを被覆することなく前記断熱材の空いた表面(free surface)に固定され、前記坩堝の内部側壁から前記堆積エリアに向かって延伸された上方向の傾斜を有する反射面を備えている。
前記断熱材は、前記坩堝、前記ヒートシンク、前記熱反射器と比較して相対的に低い熱伝導性を有する。
前記熱反射器は前記チャンバ内で熱放射を反射し、前記複数の孔を介して前記断熱材及び前記チャンバに連通される。
前記坩堝は内部にチャンバを備え、かつ坩堝の内部上壁に堆積エリアが形成される。
前記ヒートシンクは一部が前記坩堝に組み込まれ、且つ前記ヒートシンクの一部が前記堆積エリアからの熱を伝達するために露出される。
前記断熱材は前記堆積エリアの周囲に前記堆積エリアを被覆することなく固定される。
前記熱反射器は内部に複数の孔を備えた材料から成り、前記堆積エリアを被覆することなく前記断熱材の空いた表面(free surface)に固定され、前記坩堝の内部側壁から前記堆積エリアに向かって延伸された上方向の傾斜を有する反射面を備えている。
前記断熱材は、前記坩堝、前記ヒートシンク、前記熱反射器と比較して相対的に低い熱伝導性を有する。
前記熱反射器は前記チャンバ内で熱放射を反射し、前記複数の孔を介して前記断熱材及び前記チャンバに連通される。
前述の目的を達するため、本発明の前記気相蒸着装置を使用した気相蒸着法は、
前記堆積エリア上に固定された基板と、前記チャンバの底部に対称に配置された少なくとも1つの物質を含むソースを用意する工程と、
前記坩堝を第1温度まで加熱し、第1チャンバ圧を15〜120分提供して前記ソースを気化させる工程と、
前記第1チャンバ圧を第2チャンバ圧に1分低下させる工程と、
前記坩堝12の温度を5〜120分第2温度まで加熱して第1核形成を行う工程と、
第2チャンバ圧を第3チャンバ圧に5〜120分低下させて第2核形成を行う工程と、
前記坩堝の温度を第3温度まで加熱し、同時に第3チャンバ圧を第4チャンバ圧まで低下させて第3核形成を行う工程と、を含む。
第3核形成における堆積速度は、前記第1及び第2核形成における前記堆積速度より速い。
前記堆積エリア上に固定された基板と、前記チャンバの底部に対称に配置された少なくとも1つの物質を含むソースを用意する工程と、
前記坩堝を第1温度まで加熱し、第1チャンバ圧を15〜120分提供して前記ソースを気化させる工程と、
前記第1チャンバ圧を第2チャンバ圧に1分低下させる工程と、
前記坩堝12の温度を5〜120分第2温度まで加熱して第1核形成を行う工程と、
第2チャンバ圧を第3チャンバ圧に5〜120分低下させて第2核形成を行う工程と、
前記坩堝の温度を第3温度まで加熱し、同時に第3チャンバ圧を第4チャンバ圧まで低下させて第3核形成を行う工程と、を含む。
第3核形成における堆積速度は、前記第1及び第2核形成における前記堆積速度より速い。
本発明と、その多くの利点について、以下の詳細な説明と図面を組み合わせることでより理解が促進されるであろう。
図1に示すように、本発明の気相蒸着装置は、ハウジング11、坩堝12、ヒートシンク13、断熱リング14、熱反射器15を含む。
前記ハウジング11は断熱材料で成り、これは従来技術であるが、さらに前記ハウジング11の上部に第1開口部111が形成され、かつ前記ハウジング11の底部に第2開口部112が形成される。
前記坩堝12は前記ハウジング11内部にしっかりと固定され、チャンバ121がその内部に定義される。前記坩堝12は、前記坩堝12の内部上壁に形成され、下に向かって突出した堆積エリア122を備えている。前記坩堝12はさらに、前記坩堝12の上部に形成され、かつ前記ハウジング11の第1開口部111に連通された凹陥部(符号なし)を備えている。
前記ヒートシンク13は、カーバイドまたはグラファイトから成るブロック体であり、第1開口部111に挿入して設置され、前記坩堝12の前記凹陥部にしっかりと取り付けられる。前記ヒートシンク13は、熱応力と垂直方向の熱の伝達制御装置として使用され、前記ヒートシンク13を介して前記堆積エリア122に蓄積された熱が放散され、堆積される材料の内部における熱応力の発生が回避される。
前記断熱リング14は、前記堆積エリア122に重なることなく、前記ハウジング11の内側上壁の一部に設置される。前記断熱リング14は炭素から成る。名前に示されるように、前記断熱リング14は堆積プロセス中にいかなる熱も伝導及び生成しない。さらに、前記断熱リング14は気化したSiなどの物質を引き付ける能力を備え、それにより、チャンバ121内の過飽和は気相蒸着の品質に影響する可能性があるため、気相蒸着プロセスで好ましい蒸気濃度を得ることができる。
前記熱反射器15もリング状であり、前記断熱リング14の底面に設置される。前記熱反射器15は前記坩堝12の内部側壁から前記堆積エリア122まで延伸された上方向の傾斜を有する反射面を備え、前記反射面と水平方向間の夾角は30度未満である。前記熱反射器15は、金属炭化物または1500〜3000℃の温度範囲に耐え得る、前記坩堝12と同じ材質から成る。前記熱反射器15は前記チャンバ内部のあらゆる場所からの熱放射をチャンバ121の底部に反射して、垂直方向の温度勾配差を減少する。さらに、熱が急速に生成されるとき、前記熱反射器15は前記チャンバ121の上部で熱を横方向に伝達する。それによって、前記チャンバ121内の水平方向の温度勾配差を修正または減少することができる。
前記断熱リング14の前述の引き付け能力に関して、具体的に、前記断熱リング14は前記チャンバ121内の相対的に低温のスポットであり、ケイ素原子などの気化した物質がそこへ向かって移動する傾向があり、前記熱反射器15を通過し(前記熱反射器15は内部に複数の孔を備えており、特定の大きさの粒子を通過させることができる)、前記断熱リング14と反応して炭化ケイ素(SiC)が形成される。
前記チャンバ121内の垂直方向の温度勾配は、前記坩堝12の底部で熱を放散するために使用される前記第2開口部112からさらに修正することができる。
本発明の気相蒸着装置を使用した気相蒸着法は次の工程を含む。
工程1: 図1に示すように、前記堆積エリア122上に固定した基板2と、前記チャンバ121の底部に対称に配置されたソース3を用意する。前記ソース3は、少なくとも1つの物質を含み、少なくとも1つの物質の割合は堆積の要件に応じて調整することができる。
図2に示すように、加熱温度とチャンバ圧はいずれも、残りの工程における前記気相蒸着装置の動作時間に応じて変化する。
工程2(0−tS):前記坩堝12を1800〜2000℃の範囲内の温度(T1)まで加熱し、500〜700torrの範囲内のチャンバ圧(Ps)を15〜120分提供する。前記少なくとも1つの物質を含むソース3が潜在する熱を吸収して気化される。前記坩堝121の加熱手段は従来技術であるため、ここでは説明を省略する。
工程3(tS−t1):前記チャンバ圧を120〜200torrの範囲内(P1)に1分減少する。
工程4(t1−t2):前記坩堝12を1900〜2300℃の温度範囲(T2)まで5〜120分加熱して第1核形成を行う。
工程5(t2−t3): 前記チャンバ圧を50〜120torrの範囲(P2)に5〜120分減少して第2核形成を行う。
工程4と5の間、前記チャンバ121内の相対的に高い温度と相対的に低い圧力で、気化した物質が前記熱反射器15を通過して前記断熱リング14に相対して低い温度勾配で接近することができる。従って、前記熱反射器15は前記堆積エリア122周囲で水平方向の温度勾配を調整する機能を有し、さらに堆積の横方向の成長を補助する。
工程6(>t3):前記坩堝12を1950〜2380℃の温度範囲(T3)まで加熱し、同時にチャンバ圧を急速に0.1〜50torr(P3)まで減少して第3核形成を行う。工程6の間、前記チャンバ121内に分布する垂直方向の温度勾配は前記ヒートシンク13と前記第2開口部112の補助によってより高密度になる傾向があり、安定した核形成で前記堆積速度が大幅に向上される。
まとめると、本発明の気相蒸着装置は、前記ヒートシンク13、前記断熱リング14、前記熱反射器15を含み、気相蒸着プロセスの実行中に、前記坩堝12内のチャンバ121における水平方向及び垂直方向に温度勾配分布を修正するように設計されている。それによって前記温度勾配差が減少され、一方で前記堆積速度が向上される。
上述の実施例においては、本発明の範囲を逸脱することなく、多くの変更及び調整が当然ながら可能である。従って、科学と役立つ技術の進歩を促進するために、本発明は開示され、かつ本発明の範囲によってのみ限定されることが意図されている。
11 ハウジング
111 第1開口部
112 第2開口部
12 坩堝
121 チャンバ
122 堆積エリア
13 ヒートシンク
14 断熱リング
15 熱反射器
2 基板
3 ソース
111 第1開口部
112 第2開口部
12 坩堝
121 チャンバ
122 堆積エリア
13 ヒートシンク
14 断熱リング
15 熱反射器
2 基板
3 ソース
Claims (12)
- 気相蒸着装置であって、坩堝と、ヒートシンクと、断熱材と、熱反射器を含み、
前記坩堝は内部にチャンバが定義され、内部上壁に堆積エリアが形成され、
前記ヒートシンクは、前記坩堝に一部が組み込まれ、且つ前記ヒートシンクの一部が前記堆積エリアからの熱を伝達するために露出され、
前記断熱材は、前記堆積エリアの周囲に前記堆積エリアを被覆することなく固定され、
前記熱反射器は、内部に複数の孔を備えた材料から成り、前記堆積エリアを被覆することなく、前記断熱材の空いた表面(free surface)に固定され、前記坩堝の内部側壁から前記堆積エリアに向かって延伸された傾斜を有する反射面を備え、
そのうち、前記断熱材が前記坩堝、前記ヒートシンク、前記熱反射器と比較して相対的により低い熱伝導性を有し、
前記熱反射器が前記チャンバ内で熱放射を反射し、前記複数の孔を介して前記断熱材及び前記チャンバに連通されたことを特徴とする、気相蒸着装置。 - 前記堆積エリアが、前記坩堝の内壁上に形成されたことを特徴とする、請求項1に記載の気相蒸着装置。
- 前記断熱材がリング状であり、前記坩堝の内壁に設置されたことを特徴とする、請求項1に記載の気相蒸着装置。
- 前記断熱材がリング状であり、前記坩堝の内壁に設置されたことを特徴とする、請求項2に記載の気相蒸着装置。
- 前記熱反射器の前記反射面と水平方向間の角度が30度未満であることを特徴とする、請求項1に記載の気相蒸着装置。
- 前記熱反射器の前記反射面と水平方向間の角度が30度未満であることを特徴とする、請求項2に記載の気相蒸着装置。
- 前記熱反射器の前記反射面と水平方向間の角度が30度未満であることを特徴とする、請求項3に記載の気相蒸着装置。
- 前記ヒートシンクがカーバイドまたはグラファイトから成ることを特徴とする、請求項7に記載の気相蒸着装置。
- 前記断熱材の材料が炭素であることを特徴とする、請求項8に記載の気相蒸着装置。
- 前記熱反射器が金属炭化物または前記坩堝と同じ材質から成ることを特徴とする、請求項9に記載の気相蒸着装置。
- 請求項1に記載の気相蒸着装置を使用した気相蒸着法であって、
前記堆積エリア上に固定された基板と、前記チャンバの底部に対称に配置された少なくとも1つの物質を含むソースを用意する工程と、
前記坩堝を第1温度まで加熱し、第1チャンバ圧を15〜120分提供して前記ソースを気化させる工程と、
前記第1チャンバ圧を第2チャンバ圧に1分低下させる工程と、
前記坩堝の温度を5〜120分第2温度まで加熱して第1核形成を行う工程と、
第2チャンバ圧を第3チャンバ圧に5〜120分低下させて第2核形成を行う工程と、
前記坩堝の温度を第3温度まで加熱し、同時に第3チャンバ圧を第4チャンバ圧まで低下させて第3核形成を行う工程と、
を含み、そのうち、前記第3核形成における堆積速度が、前記第1及び第2核形成における前記堆積速度より速いことを特徴とする、気相蒸着法。 - 前記第1温度が1800〜2000℃の範囲内であり、前記第2温度が1900〜2300℃の範囲内であり、前記第3温度が1950〜2380℃の範囲内であり、前記第1チャンバ圧が500〜700torrの範囲内であり、前記第2チャンバ圧が120〜200torrの範囲内であり、前記第3チャンバ圧が50〜120torrの範囲内であり、前記第4チャンバ圧が0.1〜50torrの範囲内であることを特徴とする、請求項11に記載の気相蒸着法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107164733A (zh) * | 2016-03-07 | 2017-09-15 | 三星显示有限公司 | 薄膜形成装置及使用其制造显示设备的方法 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105420675A (zh) * | 2015-12-30 | 2016-03-23 | 山东大学 | 一种减少蒸发镀膜设备中衬底或其上的材料受烘烤升温影响的装置及应用 |
US10727094B2 (en) * | 2016-01-29 | 2020-07-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Thermal reflector device for semiconductor fabrication tool |
CN106367812A (zh) * | 2016-10-21 | 2017-02-01 | 北京鼎泰芯源科技发展有限公司 | 一种提高碳化硅粉源径向温度均匀性的石墨坩埚 |
CN113471095B (zh) * | 2020-03-31 | 2024-05-14 | 长鑫存储技术有限公司 | 应用于半导体工艺的腔室 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1160390A (ja) * | 1997-08-07 | 1999-03-02 | Denso Corp | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
JP2003523918A (ja) * | 2000-02-15 | 2003-08-12 | ザ フォックス グループ,インコーポレイティド | 低欠陥密度炭化ケイ素を成長させる方法及び装置、並びに得られる物質 |
JP2009274933A (ja) * | 2008-05-16 | 2009-11-26 | Mitsubishi Electric Corp | 単結晶成長装置および単結晶の製造方法 |
JP2012240906A (ja) * | 2011-05-24 | 2012-12-10 | Showa Denko Kk | 炭化珪素単結晶製造装置、及び炭化珪素単結晶の製造方法 |
JP2013504513A (ja) * | 2009-09-15 | 2013-02-07 | トゥー‐シックス・インコーポレイテッド | SiC単結晶の昇華成長方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6863728B2 (en) * | 2001-02-14 | 2005-03-08 | The Fox Group, Inc. | Apparatus for growing low defect density silicon carbide |
CN101680112A (zh) * | 2007-01-16 | 2010-03-24 | Ii-Vi有限公司 | 借助多层生长导向器的直径导向式SiC升华生长 |
JP5403671B2 (ja) * | 2009-06-10 | 2014-01-29 | 昭和電工株式会社 | 炭化珪素単結晶の製造装置 |
-
2013
- 2013-11-12 US US14/077,949 patent/US20150132486A1/en not_active Abandoned
-
2014
- 2014-07-18 JP JP2014147992A patent/JP2015093829A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1160390A (ja) * | 1997-08-07 | 1999-03-02 | Denso Corp | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
JP2003523918A (ja) * | 2000-02-15 | 2003-08-12 | ザ フォックス グループ,インコーポレイティド | 低欠陥密度炭化ケイ素を成長させる方法及び装置、並びに得られる物質 |
JP2009274933A (ja) * | 2008-05-16 | 2009-11-26 | Mitsubishi Electric Corp | 単結晶成長装置および単結晶の製造方法 |
JP2013504513A (ja) * | 2009-09-15 | 2013-02-07 | トゥー‐シックス・インコーポレイテッド | SiC単結晶の昇華成長方法 |
JP2012240906A (ja) * | 2011-05-24 | 2012-12-10 | Showa Denko Kk | 炭化珪素単結晶製造装置、及び炭化珪素単結晶の製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107164733A (zh) * | 2016-03-07 | 2017-09-15 | 三星显示有限公司 | 薄膜形成装置及使用其制造显示设备的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20150132486A1 (en) | 2015-05-14 |
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