JP2021070601A - 単結晶成長方法 - Google Patents
単結晶成長方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021070601A JP2021070601A JP2019197405A JP2019197405A JP2021070601A JP 2021070601 A JP2021070601 A JP 2021070601A JP 2019197405 A JP2019197405 A JP 2019197405A JP 2019197405 A JP2019197405 A JP 2019197405A JP 2021070601 A JP2021070601 A JP 2021070601A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- crystal growth
- crystal
- temperature difference
- head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 210
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000005092 sublimation method Methods 0.000 claims description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 18
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 4
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
本実施形態に係る単結晶成長方法は、昇華法を用いた単結晶成長方法である。昇華法は、原料から昇華したガスを種結晶の表面で再結晶化することで単結晶を成長させる方法である。例えば、内部に結晶成長空間を有する坩堝の底部に原料を充填し、蓋に種結晶を設置し、坩堝を加熱する。加熱された原料は、種結晶に向って昇華し、種結晶表面で再結晶化する。再結晶化により種結晶表面に単結晶が成長する。
図4は、実施例1にかかる単結晶成長装置の結晶成長過程の温度分布をシミュレーションで求めた結果である。シミュレーションにはSTR社製のVirtual Reactorを用いた。当該シミュレーションは、炉内の温度分布のシミュレーションに広く用いられているものであり、実際の実験結果と高い相関を有することが確認されている。シミュレーションは、二次元軸対象のモデルで計算した。
Claims (4)
- 原料から昇華したガスを種結晶の表面で再結晶化させることで単結晶が成長する昇華法を用いた単結晶成長方法であって、
前記単結晶が10mm以上成長した結晶成長過程において、
前記単結晶のテイルの径方向の温度差を、前記単結晶のヘッドの径方向の温度差より小さくし、
前記テイルは、前記単結晶の前記種結晶と接する前記単結晶の底面であり、
前記ヘッドは、前記単結晶の内部において、前記結晶成長面に接し前記底面と平行な面である、単結晶成長方法。 - 前記結晶成長過程の単結晶内において、任意の2つの等温面のうち前記結晶成長面側の等温面を前記底面側の等温面より大きく湾曲させる、請求項1に記載の単結晶成長方法。
- 前記テイルの径方向の温度差が15度以下である、請求項1又は2に記載の単結晶成長方法。
- 前記ヘッドの径方向の温度差が15度以下である、請求項1から3のいずれか一項に記載の単結晶成長方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019197405A JP7447431B2 (ja) | 2019-10-30 | 2019-10-30 | 単結晶成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019197405A JP7447431B2 (ja) | 2019-10-30 | 2019-10-30 | 単結晶成長方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021070601A true JP2021070601A (ja) | 2021-05-06 |
JP7447431B2 JP7447431B2 (ja) | 2024-03-12 |
Family
ID=75712524
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019197405A Active JP7447431B2 (ja) | 2019-10-30 | 2019-10-30 | 単結晶成長方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7447431B2 (ja) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003523918A (ja) * | 2000-02-15 | 2003-08-12 | ザ フォックス グループ,インコーポレイティド | 低欠陥密度炭化ケイ素を成長させる方法及び装置、並びに得られる物質 |
JP2007314358A (ja) * | 2006-05-23 | 2007-12-06 | Bridgestone Corp | 炭化ケイ素単結晶の製造装置及びその製造方法 |
KR20110012173A (ko) * | 2009-07-30 | 2011-02-09 | 네오세미테크 주식회사 | 두 개의 발열체를 이용한 대구경 탄화규소 단결정 성장 장치 |
JP2011219287A (ja) * | 2010-04-06 | 2011-11-04 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法及び炭化珪素単結晶インゴット |
WO2013031856A1 (ja) * | 2011-08-29 | 2013-03-07 | 新日鐵住金株式会社 | 炭化珪素単結晶基板及びその製造方法 |
JP2014185055A (ja) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | インゴット、炭化珪素基板およびインゴットの製造方法 |
JP2017206408A (ja) * | 2016-05-18 | 2017-11-24 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
-
2019
- 2019-10-30 JP JP2019197405A patent/JP7447431B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003523918A (ja) * | 2000-02-15 | 2003-08-12 | ザ フォックス グループ,インコーポレイティド | 低欠陥密度炭化ケイ素を成長させる方法及び装置、並びに得られる物質 |
JP2007314358A (ja) * | 2006-05-23 | 2007-12-06 | Bridgestone Corp | 炭化ケイ素単結晶の製造装置及びその製造方法 |
KR20110012173A (ko) * | 2009-07-30 | 2011-02-09 | 네오세미테크 주식회사 | 두 개의 발열체를 이용한 대구경 탄화규소 단결정 성장 장치 |
JP2011219287A (ja) * | 2010-04-06 | 2011-11-04 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法及び炭化珪素単結晶インゴット |
WO2013031856A1 (ja) * | 2011-08-29 | 2013-03-07 | 新日鐵住金株式会社 | 炭化珪素単結晶基板及びその製造方法 |
JP2014185055A (ja) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | インゴット、炭化珪素基板およびインゴットの製造方法 |
JP2017206408A (ja) * | 2016-05-18 | 2017-11-24 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7447431B2 (ja) | 2024-03-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4388538B2 (ja) | 炭化珪素単結晶製造装置 | |
JP6111873B2 (ja) | 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法 | |
JP7076279B2 (ja) | SiC単結晶成長装置およびSiC単結晶の成長方法 | |
JP6200018B2 (ja) | 炭化珪素単結晶ウェハ | |
JP7217627B2 (ja) | SiC単結晶の製造装置及びSiC単結晶製造用の構造体 | |
JP2021070601A (ja) | 単結晶成長方法 | |
JP7186534B2 (ja) | 結晶成長装置 | |
KR20130022596A (ko) | 잉곳 제조 장치 및 원료 제공 방법 | |
US11453959B2 (en) | Crystal growth apparatus including heater with multiple regions and crystal growth method therefor | |
CN116446046A (zh) | 一种热交换物理气相输运法生长碳化硅晶体的装置及方法 | |
JP2021066638A (ja) | 結晶成長装置及び結晶成長方法 | |
JP2021102531A (ja) | SiC単結晶製造装置およびSiC単結晶の製造方法 | |
JP7242989B2 (ja) | SiC単結晶製造装置 | |
JP7347173B2 (ja) | 結晶成長装置 | |
KR20130020488A (ko) | 잉곳 제조 장치 | |
KR101886271B1 (ko) | 잉곳 제조 장치 및 잉곳 제조 방법 | |
JP2018104225A (ja) | SiCインゴットの製造方法 | |
JP7306217B2 (ja) | 坩堝及びSiC単結晶成長装置 | |
JP2020093974A (ja) | 結晶成長装置及び坩堝 | |
JP2021084822A (ja) | 単結晶製造装置 | |
KR20130014273A (ko) | 잉곳 제조 장치 | |
KR20130074705A (ko) | 단결정 성장 장치 및 단결정 성장 방법 | |
JP2016185885A (ja) | インゴットおよびインゴットの製造方法 | |
KR20130117178A (ko) | 잉곳 제조 장치 | |
KR20130022597A (ko) | 잉곳 제조 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200629 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220921 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20230131 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20230201 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20230307 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230407 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230425 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230623 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230912 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231113 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240130 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240212 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7447431 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |