JP2014185055A - インゴット、炭化珪素基板およびインゴットの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
インゴット1は、炭化珪素からなる種基板11と、種基板11上に成長した炭化珪素層13とを備えている。炭化珪素層13は、成長方向において15mm以上の厚みを有している。炭化珪素層13では、成長方向に沿って存在し、隣接する2点間の距離が5mmである複数の測定点S1,S2,S3において格子定数を測定した場合に、格子定数の最大値と格子定数の最小値との差が0.004nm以下となる。
【選択図】図4
Description
S10)として、種基板および原料準備工程が実施される。この工程(S10)では、図7を参照して、炭化珪素単結晶からなる種基板11と、多結晶の炭化珪素粉末や炭化珪素焼結体からなる原料12とがそれぞれ準備される。そして、種基板11および原料12は、図7に示すようにカーボン製の坩堝2内において互いに対向した状態で配置される。
Claims (6)
- 炭化珪素からなる種基板と、
前記種基板上に成長した炭化珪素層とを備え、
前記炭化珪素層は、成長方向において15mm以上の厚みを有し、
前記炭化珪素層では、前記成長方向に沿って存在し、隣接する2点間の距離が5mmである複数の測定点において格子定数を測定した場合に、前記格子定数の最大値と前記格子定数の最小値との差が0.004nm以下である、インゴット。 - 前記測定点は、前記炭化珪素層における前記種基板側とは反対側の成長表面上の点を含む、請求項1に記載のインゴット。
- 前記成長方向から見たときの幅が100mm以上である、請求項1または2に記載のインゴット。
- ポリタイプが4H型である、請求項1〜3のいずれか1項に記載のインゴット。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載のインゴットを切断することにより得られる、炭化珪素基板。
- 炭化珪素からなる種基板および原料を準備する工程と、
前記原料を昇華させて前記種基板上に炭化珪素層を成長させる工程とを備え、
前記炭化珪素層を成長させる工程では、前記炭化珪素層の成長開始から前記炭化珪素層の成長完了までの間において、前記炭化珪素層における前記種基板側とは反対側の成長表面の温度の最大値と前記成長表面の温度の最小値との差が30℃以下に維持される、インゴットの製造方法。
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