JP4179331B2 - SiC単結晶の製造方法 - Google Patents
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Description
上記Si融液に、希土類元素の少なくとも1種と、Sn、Geのうちのいずれか1種とを添加することを特徴とする。
希土類元素は、Si融液中のCの溶解度を高める効果があり、それによりSiC単結晶の成長の駆動力が大きくなり、成長速度が向上する。
Sn、Al、Geは、表面活性剤として成長表面全体を一様に活性化させる効果があり、平坦な成長表面が安定して維持される。すなわち、成長表面が荒れる多結晶化(多核化)の原因は、成長表面の多数箇所で位置的および時間的にバラバラに結晶が核発生するためであり、成長表面全体として活性化させることにより全面で均一に結晶核を発生させることができ、平坦成長を安定して確保できる。
図示したSiC単結晶製造炉100は、黒鉛るつぼ10内のSi融液M内に内部から融液面Sへ向けて温度低下する温度勾配を維持しつつ、融液面Sの直下に黒鉛棒12により保持したSiC種結晶14を起点としてSiC単結晶を成長させる炉である。
10 黒鉛るつぼ
12 黒鉛棒
14 SiC種結晶
18 断熱材
20 石英管
22 誘導コイル
22A 誘導コイル22の上段コイル
22B 誘導コイル22の下段コイル
M Si融液
S 融液面
Claims (3)
- 黒鉛るつぼ内のSi融液内に内部から融液面に向けて温度低下する温度勾配を維持しつつ、該融液面の直下に保持したSiC種結晶を起点としてSiC単結晶を成長させる方法において、
上記Si融液に、希土類元素の少なくとも1種と、Sn、Geのうちのいずれか1種とを添加することを特徴とするSiC単結晶の製造方法。 - 請求項1において、上記希土類元素がDyまたはCeであることを特徴とする方法。
- 請求項1または2において、下記添加元素を含む上記Si融液全体に対して、上記希土類元素の添加量が5〜30at%であり、上記Sn、Geのうちのいずれか1種の添加量が5〜20at%であることを特徴とする方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006106145A JP4179331B2 (ja) | 2006-04-07 | 2006-04-07 | SiC単結晶の製造方法 |
US12/296,145 US8118933B2 (en) | 2006-04-07 | 2007-04-05 | Method of manufacturing a silicon carbide single crystal |
PCT/IB2007/001003 WO2007116315A1 (en) | 2006-04-07 | 2007-04-05 | Method of manufacturing a silicon carbide single crystal |
CN2007800111568A CN101473074B (zh) | 2006-04-07 | 2007-04-05 | 碳化硅单晶的制造方法 |
KR1020087024338A KR101070412B1 (ko) | 2006-04-07 | 2007-04-05 | 탄화 규소 단결정 제조 방법 |
EP07734322A EP2004883B1 (en) | 2006-04-07 | 2007-04-05 | Method of manufacturing a silicon carbide single crystal |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006106145A JP4179331B2 (ja) | 2006-04-07 | 2006-04-07 | SiC単結晶の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007277049A JP2007277049A (ja) | 2007-10-25 |
JP4179331B2 true JP4179331B2 (ja) | 2008-11-12 |
Family
ID=38357949
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006106145A Expired - Fee Related JP4179331B2 (ja) | 2006-04-07 | 2006-04-07 | SiC単結晶の製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8118933B2 (ja) |
EP (1) | EP2004883B1 (ja) |
JP (1) | JP4179331B2 (ja) |
KR (1) | KR101070412B1 (ja) |
CN (1) | CN101473074B (ja) |
WO (1) | WO2007116315A1 (ja) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4811354B2 (ja) * | 2007-06-11 | 2011-11-09 | トヨタ自動車株式会社 | SiC単結晶の製造方法 |
JP4450074B2 (ja) * | 2008-01-15 | 2010-04-14 | トヨタ自動車株式会社 | 炭化珪素単結晶の成長方法 |
JP4450075B2 (ja) | 2008-01-15 | 2010-04-14 | トヨタ自動車株式会社 | 炭化珪素単結晶の成長方法 |
JP4697235B2 (ja) * | 2008-01-29 | 2011-06-08 | トヨタ自動車株式会社 | p型SiC半導体単結晶の製造方法およびそれにより製造されたp型SiC半導体単結晶 |
JP4888432B2 (ja) * | 2008-04-01 | 2012-02-29 | トヨタ自動車株式会社 | 4H−SiC単結晶の製造方法 |
JP4992821B2 (ja) * | 2008-05-13 | 2012-08-08 | トヨタ自動車株式会社 | SiC単結晶の製造方法 |
KR101108884B1 (ko) * | 2009-11-02 | 2012-01-30 | 동의대학교 산학협력단 | 탄화물 합성 방법 |
JP5170127B2 (ja) * | 2010-02-18 | 2013-03-27 | トヨタ自動車株式会社 | SiC単結晶の製造方法 |
JP5318047B2 (ja) * | 2010-08-27 | 2013-10-16 | 新日鐵住金株式会社 | SiC単結晶の製造方法 |
JP5355533B2 (ja) | 2010-11-09 | 2013-11-27 | 新日鐵住金株式会社 | n型SiC単結晶の製造方法 |
US10167573B2 (en) | 2010-11-26 | 2019-01-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method of producing SiC single crystal |
JP5656623B2 (ja) * | 2010-12-28 | 2015-01-21 | トヨタ自動車株式会社 | SiC単結晶の製造装置および製造方法 |
JP5746362B2 (ja) * | 2011-10-31 | 2015-07-08 | トヨタ自動車株式会社 | SiC単結晶の製造方法 |
JP5828810B2 (ja) * | 2012-07-18 | 2015-12-09 | 新日鐵住金株式会社 | 溶液成長法に用いられるSiC単結晶の製造装置、当該製造装置に用いられる坩堝及び当該製造装置を用いたSiC単結晶の製造方法 |
EP2876189B1 (en) * | 2012-07-19 | 2019-03-27 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | APPARATUS FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL |
JP5876390B2 (ja) * | 2012-08-30 | 2016-03-02 | トヨタ自動車株式会社 | SiC単結晶の製造方法 |
JP5741652B2 (ja) * | 2013-08-30 | 2015-07-01 | トヨタ自動車株式会社 | n型SiC単結晶及びその製造方法 |
EP2881499B1 (en) | 2013-12-06 | 2020-03-11 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for growing silicon carbide crystal |
JP6533716B2 (ja) | 2015-08-06 | 2019-06-19 | 信越化学工業株式会社 | SiC単結晶の製造方法 |
EP3316279B1 (en) | 2015-10-26 | 2022-02-23 | LG Chem, Ltd. | Silicon-based molten composition and method for manufacturing sic single crystals using same |
EP3285280B1 (en) * | 2015-10-26 | 2022-10-05 | LG Chem, Ltd. | Silicon-based molten composition and method for manufacturing sic single crystals using same |
JP2017119594A (ja) | 2015-12-28 | 2017-07-06 | 東洋炭素株式会社 | 単結晶SiCの製造方法及び収容容器 |
CN106521629B (zh) * | 2016-09-19 | 2018-12-28 | 山东天岳晶体材料有限公司 | 一种获得液体硅的方法及实现该方法的坩埚 |
KR102142424B1 (ko) * | 2017-06-29 | 2020-08-07 | 주식회사 엘지화학 | 실리콘계 용융 조성물 및 이를 이용하는 실리콘카바이드 단결정의 제조 방법 |
JP7352058B2 (ja) * | 2017-11-01 | 2023-09-28 | セントラル硝子株式会社 | 炭化ケイ素単結晶の製造方法 |
JP7282214B2 (ja) * | 2020-01-24 | 2023-05-26 | 日本碍子株式会社 | 希土類含有SiC基板及びSiCエピタキシャル層の製法 |
CN114761629B (zh) * | 2020-01-24 | 2024-06-25 | 日本碍子株式会社 | 双轴取向SiC复合基板以及半导体器件用复合基板 |
CN114133137B (zh) * | 2021-12-15 | 2023-10-20 | 中国建筑材料科学研究总院有限公司 | 一种中子探测玻璃闪烁体及其制备方法与应用 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000264790A (ja) | 1999-03-17 | 2000-09-26 | Hitachi Ltd | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
JP4880164B2 (ja) * | 2000-02-15 | 2012-02-22 | ザ フォックス グループ,インコーポレイティド | 低欠陥密度炭化ケイ素材料 |
JP4589493B2 (ja) | 2000-07-24 | 2010-12-01 | 奥多摩工業株式会社 | 篩分け装置 |
JP4561000B2 (ja) | 2001-05-31 | 2010-10-13 | 住友金属工業株式会社 | 炭化珪素(SiC)単結晶の製造方法 |
JP4100228B2 (ja) | 2002-04-15 | 2008-06-11 | 住友金属工業株式会社 | 炭化珪素単結晶とその製造方法 |
JP4196791B2 (ja) | 2003-09-08 | 2008-12-17 | トヨタ自動車株式会社 | SiC単結晶の製造方法 |
JP2006321681A (ja) | 2005-05-19 | 2006-11-30 | Toyota Motor Corp | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
-
2006
- 2006-04-07 JP JP2006106145A patent/JP4179331B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-04-05 EP EP07734322A patent/EP2004883B1/en not_active Not-in-force
- 2007-04-05 WO PCT/IB2007/001003 patent/WO2007116315A1/en active Application Filing
- 2007-04-05 KR KR1020087024338A patent/KR101070412B1/ko active IP Right Grant
- 2007-04-05 US US12/296,145 patent/US8118933B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-04-05 CN CN2007800111568A patent/CN101473074B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101473074B (zh) | 2012-01-25 |
WO2007116315A8 (en) | 2009-02-26 |
KR101070412B1 (ko) | 2011-10-06 |
WO2007116315A1 (en) | 2007-10-18 |
KR20080100478A (ko) | 2008-11-18 |
US20090178610A1 (en) | 2009-07-16 |
EP2004883A1 (en) | 2008-12-24 |
CN101473074A (zh) | 2009-07-01 |
EP2004883B1 (en) | 2012-03-21 |
JP2007277049A (ja) | 2007-10-25 |
US8118933B2 (en) | 2012-02-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080408 |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080818 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110905 Year of fee payment: 3 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110905 Year of fee payment: 3 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120905 Year of fee payment: 4 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130905 Year of fee payment: 5 |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |