JP2003255546A - アルカリ可溶性シロキサン重合体、ポジ型レジスト組成物、レジストパターン及びその製造方法、並びに、電子回路装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 酸素プラズマ耐性、解像性、保存安定性等に
優れたポジ型レジスト組成物等の提供。 【解決手段】 下記式（１）で表されるアルカリ可溶性
シロキサン重合体と、１，２−ナフトキノンジアジド基
を有する感光性化合物とを含有し、１μｍの塗膜のｉ線
透過率が５〜６０％であるポジ型レジスト組成物。 【化１】 前記式（１）中、Ｒ^１及びＲ^２は、一価の有機基を表
し、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよ
い。Ａは、下記式（２）で表されるフェノール性水酸基
を有する基を意味する。ａ＋ｂ＋ｃ＝１である。 【化２】 前記式（２）中、Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５は、水素原子又は
一価の有機基を表し、互いに同一であってもよいし、異
なっていてもよい。ｍは、整数を表す。ｎは、１〜５の
整数を表す。０．２５≦ａ≦０．６０であり、０≦ｃ≦
０．２５である態様、酸素プラズマエッチング処理され
るレジスト膜に用いられる態様などが好ましい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ヘッド、半導
体素子等の電子回路装置の製造に好適な微細パターンを
形成するレジストパターン及び該レジストパターンを短
時間で効率的に製造可能なレジストパターンの製造方
法、該レジストパターンの製造に好適であり、ｉ線を用
いた２層レジスト法における上層レジストとして特に好
適であり、電子回路素子の高集積化に寄与し得るポジ型
レジスト組成物、該ポジ型レジストに好適なアルカリ可
溶性シロキサン重合体、並びに、前記レジストパターン
を用いて形成した微細パターンを有してなる電子回路装
置及び該電子回路装置を短時間で効率的に製造可能な電
子回路装置の製造方法、に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子、磁気バブルメモリ素子、表
面バブルメモリ素子などの微細パターンを持つ電子回路
素子の形成には、従来からレジストプロセスが多用され
ている。ポジ型レジスト組成物は、一般に、ネガ型レジ
スト組成物に比べ解像性が優れている（例えば、特許文
献１及び２参照）。該ポジ型レジスト組成物としては、
例えば、波長３００〜５００ｎｍの光に感光性を示すア
ルカリ可溶性樹脂と、キノンジアジド基を有する化合物
とを含有する組成物が知られている（例えば、特許文献
２参照）。ところが、近年、電子回路素子の高集積化に
伴い、配線の多層化による基板表面の高段差化が進んで
いるため、前記ポジ型レジスト組成物を用いたとして
も、従来の単層レジストプロセスでは充分な解像性が得
られなくなってきている。

【０００３】そこで、近時、有機樹脂層を下層として形
成して基板段差を平坦化し、その上にレジスト層を上層
として薄く形成し、該上層のみをパターニングして上層
パターンを形成した後、酸素プラズマエッチング処理に
よって該上層のパターンを下層に転写する２層レジスト
法が検討されている。該２層レジスト法の場合、前記下
層により基板段差を平坦化すると共に前記基板からの光
反射を防止でき、また前記上層を薄くできることから、
従来の単層レジスト法に比べて、解像性を著しく向上さ
せることができる。前記２層レジスト法においては、前
記上層が酸素プラズマエッチング処理されることから、
前記レジスト層の材料には、酸素プラズマ耐性に優れた
有機ケイ素重合体が用いられてきた。しかし、高性能な
電子回路装置を製造する観点からは、前記レジスト層の
材料においては、前記酸素プラズマ耐性のみならず、解
像性、保存安定性にも優れることが望まれている。ま
た、ケイ素原子含有ポリマーを含むレジスト組成物から
得られるレジスト膜をハーフトーンマスクによりパター
ンニングした場合、本来形成使用とするレジストパター
ン周辺部に、ハーフトーンマスクにおけるハーフトーン
部分を透過した光によって感光して形成されたサイドロ
ーブと呼ばれるゴーストパターンが生じてしまうという
問題があるため、その改善も望まれている。

【０００４】前記酸素プラズマ耐性のみならず、解像
性、保存安定性にも優れた有機ケイ素化合物、該有機ケ
イ素化合物を用い、ハーフトーンマスクによりパターン
ニングした場合において、前記サイドローブの発生が少
ないレジスト膜を形成可能なポジ型レジスト組成物は、
未だ提供されていないのが現状である。

【０００５】

【特許文献１】特開平３−１０３８５５号公報

【特許文献２】特開平５−５３３１６号公報

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる要望
に応え、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的
を達成することを課題とする。即ち、本発明は、磁気ヘ
ッド、半導体素子等の電子回路装置の製造に好適な微細
パターンを形成するレジストパターン及び該レジストパ
ターンを短時間で効率的に製造可能なレジストパターン
の製造方法、該レジストパターンの製造に好適であり、
酸素プラズマ耐性、解像性、保存安定性等に優れ、ｉ線
を用いた２層レジスト法における上層レジストの材料と
して特に好適であり、ハーフトーンマスクを用いてパタ
ーンニングした場合にサイドローブの発生が少ないレジ
スト膜を形成可能であり、電子回路素子の高集積化に寄
与し得るポジ型レジスト組成物、並びに、前記レジスト
パターンを用いて形成した微細パターンを有してなる電
子回路装置及び該電子回路装置を短時間で効率的に製造
可能な電子回路装置の製造方法、を提供することを目的
とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
の手段は、後述の（付記１）〜（付記３９）として記載
した通りである。本発明のポジ型レジスト組成物（第一
の形態）は、下記式（１）で表されるアルカリ可溶性シ
ロキサン重合体と、感光性化合物とを含有し、１μｍの
塗膜のｉ線透過率が５〜６０％である。本発明のポジ型
レジスト組成物（第二の形態）は、ポリカルボン酸系界
面活性剤及びＨＬＢ値が９以下であるノニオン界面活性
剤から選択される少なくとも１種の界面活性剤と、水酸
基と直接結合しているケイ素原子が全ケイ素原子数の１
９％以下であるアルカリ可溶性シロキサン重合体と、感
光性化合物とを含有する、あるいは、ポリカルボン酸系
界面活性剤、ソルビタンエステル系界面活性剤、ポリエ
チレングリコールモノエステル系界面活性剤及びポリエ
チレングリコールモノエーテル系界面活性剤から選択さ
れる少なくとも１種の界面活性剤と、水酸基と直接結合
しているケイ素原子が全ケイ素原子数の１８％以下であ
るアルカリ可溶性シロキサン重合体と、感光性化合物と
を含有する。本発明のポジ型レジスト組成物は、酸素プ
ラズマ耐性、解像性、保存安定性等に優れ、ｉ線を用い
た２層レジスト法における上層レジストとして特に好適
であり、ハーフトーンマスクを用いてパターニングした
場合にサイドローブの発生が少ないレジスト膜を形成可
能である。

【０００８】本発明のアルカリ可溶性シロキサン重合体
は、下記式（１）で表され、１μｍの塗膜のｉ線透過率
が５〜６０％であるポジ型レジスト組成物に用いられ
る。

【化９】 前記式（１）中、Ｒ^１及びＲ^２は、一価の有機基を表
し、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよ
い。Ａは、下記式（２）で表されるフェノール性水酸基
を有する基を表す。ａ＋ｂ＋ｃ＝１である。

【化１０】 前記式（２）中、Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５は、水素原子又は
一価の有機基を表し、互いに同一であってもよいし、異
なっていてもよい。ｍは、整数を表す。ｎは、１〜５の
整数を表す。該アルカリ可溶性シロキサン重合体は、酸
素プラズマ耐性、解像性、保存安定性等に優れ、ｉ線を
用いた２層レジスト法における上層レジストの材料とし
て特に好適であり、ハーフトーンマスクを用いてパター
ニングした場合にサイドローブの発生が少ないレジスト
膜を形成可能なポジ型レジスト組成物に特に好適であ
る。

【０００９】本発明のレジストパターンの製造方法は、
本発明のポジ型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形
成するレジスト膜形成工程と、該レジスト膜に現像処理
を行ってレジストパターンを形成するレジストパターン
形成工程とを含む。該レジストパターンの製造方法で
は、前記レジスト膜形成工程において、前記ポジ型レジ
スト組成物を用いたレジスト膜が形成される。前記パタ
ーン形成工程において、該レジスト膜の現像処理が行わ
れ、レジストパターンが形成される。本発明のレジスト
パターンは、本発明のレジストパターンの製造方法によ
り製造される。該レジストパターンは、酸素プラズマ耐
性、解像性、保存安定性等に優れ、ｉ線を用いた２層レ
ジスト法における上層レジストとして特に好適であり、
磁気ヘッド、半導体素子等の電子回路装置の製造に好適
である。

【００１０】本発明の電子回路装置は、本発明のレジス
トパターンを用いて形成されたパターンを少なくとも有
してなる。該電子回路装置は、前記レジストパターンに
より形成されたパターンを有しているので高性能であ
る。本発明の電子回路装置の製造方法は、本発明のレジ
ストパターンの製造方法により下地層上にレジストパタ
ーンを形成するレジストパターン形成工程と、該レジス
トパターンをマスクとしてエッチング及びリフトオフの
いずれかにより前記下地層をパターニングするパターニ
ング工程とを含む。該電子回路装置の製造方法では、前
記レジストパターン形成工程において、下地層上にレジ
ストパターンが形成される。前記パターニング工程にお
いて、該レジストパターンをマスクとしてエッチング又
はリフトオフが行われ、前記下地層がパターニングされ
る。

【００１１】

【発明の実施の形態】（ポジ型レジスト組成物及びアル
カリ可溶性シロキサン重合体）本発明のポジ型レジスト
組成物としては、第一の形態に係るポジ型レジストと、
第二の形態に係るポジ型レジストとが挙げられる。前記
第一の形態に係るポジ型レジストは、前記式（１）で表
されるアルカリ可溶性シロキサン重合体と、感光性化合
物とを含有し、１μｍの塗膜のｉ線透過率が５〜６０％
である。前記第二の形態に係るポジ型レジストは、ポリ
カルボン酸系界面活性剤及びＨＬＢ値が９以下であるノ
ニオン界面活性剤から選択される少なくとも１種の界面
活性剤と、水酸基と直接結合しているケイ素原子が全ケ
イ素原子数の１９％以下であるアルカリ可溶性シロキサ
ン重合体と、感光性化合物とを含有する。

【００１２】前記第一の形態に係るポジ型レジストの場
合、厚みが１μｍの塗膜のｉ線透過率としては、５〜６
０％であることが必要であり、１０〜５０％であるのが
好ましく、１４〜３９％であるのがより好ましい。ま
た、前記第二の形態に係るポジ型レジストの場合、該ｉ
線透過率は、５〜６０％であることが好ましく、１０〜
５０％であるのがより好ましく、１４〜３９％であるの
が更に好ましい。前記１μｍの塗膜のｉ線透過率が、５
％未満であると、レジスト膜の上下での感光量が異なる
ので解像性が低下することがあり、６０％を超えると、
露光部と未露光部との溶解速度差が十分にとれないこと
がある一方、５〜６０％であるとそのようなことがな
く、１０〜５０％であると前記解像性、前記溶解速度差
が良好であり、１４〜３９％であると特に良好である。

【００１３】前記厚みが１μｍの塗膜のｉ線透過率は、
例えば、下記数式から算出することができる。即ち、下
記数式中、「Ｔ」は、前記アルカリ可溶性シロキサン重
合体１００質量部と、１，２−ナフトキノンジアジド基
を有する感光性化合物５０質量部と、後述する式（１
５）で表されるフェノール化合物１．５質量部とを含有
する２−ヘプタノン溶液（固形分２５質量％）をガラス
基板上にスピンコートしてなる、厚み０．５５μｍの塗
膜のｉ線透過率（％）の実測値を表す。該ｉ線透過率
（％）は、前記ガラス基板自体のｉ線透過率を対照とし
て分光光度計（日立（株）製、Ｕ−３５００）を用いて
測定することができる。この実測値であるｉ線透過率
（％）である「Ｔ」に基づき、下記数式より、１，２−
ナフトキノンジアジド基を有する感光性化合物による厚
み１μｍの塗膜のｉ線吸光度「Ａ」を算出することがで
きる。次に、前記ｉ線吸光度「Ａ」の値と、該ポジ型レ
ジスト組成物中の全固形分に対する、１，２−ナフトキ
ノンジアジド基を有する感光性化合物の重量比「Ｗ」と
に基づき、下記数式により、前記ポジ型レジスト組成物
による厚み１μｍの塗膜のｉ線吸光度「Ａ’」を算出す
ることができる。次に、該ｉ線吸光度「Ａ’」に基づ
き、下記数式により、該ポジ型レジスト組成物の厚み１
μｍの塗膜のｉ線透過率「Ｔ’」（％）を算出すること
ができる。

【００１４】

【数１】

【００１５】本発明のポジ型レジスト組成物は、前記第
一の形態では、アルカリ可溶性シロキサン重合体と、感
光性化合物とを含有してなり、さらに必要に応じて適宜
選択した、界面活性剤、その他の成分を含有してなる。
前記第二の形態では、アルカリ可溶性シロキサン重合体
と、感光性化合物と、界面活性剤とを含有してなり、さ
らに必要に応じて適宜選択したその他の成分を含有して
なる。

【００１６】−アルカリ可溶性シロキサン重合体− 本発明において、前記アルカリ可溶性シロキサン重合体
における「アルカリ可溶性」とは、該アルカリ可溶性シ
ロキサン重合体自体がアルカリ可溶性であることのほ
か、前記感光性化合物によりアルカリ可溶性となること
も含む。なお、本発明においては、前記アルカリ可溶性
シロキサン重合体を、アルカリ可溶性ポリオルガノシロ
キサン樹脂と称することがある。また、前記「アルカリ
可溶性」とは、ｐＨ７超で可溶性であることを意味す
る。前記アルカリ可溶性シロキサン重合体の分子骨格構
造としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択す
ることができるが、例えば、直鎖状、かご状、ラダー
状、これらの複合構造などが挙げられる。

【００１７】前記第一の形態に係るポジ型レジスト組成
物における前記アルカリ可溶性シロキサン重合体は、下
記式（１）で表される。なお、前記式（１）で表される
アルカリ可溶性シロキサン重合体の内、厚みが１μｍの
塗膜のｉ線の透過率が５〜６０％であるポジ型レジスト
組成物に用いられるものが、本発明のアルカリ可溶性シ
ロキサン重合体である。

【００１８】

【化１１】 前記式（１）中、Ｒ^１及びＲ^２は、一価の有機基を表
し、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよ
い。

【００１９】前記一価の有機基としては、直鎖状、分岐
状、環状のいずれであってもよい。前記一価の有機基の
炭素数としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選
択することができ、炭素数１〜２０が好ましく、前記分
岐状のものの場合には３〜２０が好ましく、前記環状の
ものの場合には３〜２０が好ましく、前記環状の中でも
芳香族環を含むものの場合には６〜２０が好ましい。

【００２０】前記一価の有機基としては、例えば、脂肪
族炭化水素基、芳香族炭化水素基などが好適に挙げられ
る。これらは、ハロゲン原子、アルキル基等で置換され
ていてもよい。

【００２１】前記脂肪族炭化水素基としては、例えば、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル
基、ヘキシル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｔ−
ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロ
ペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。

【００２２】前記芳香族炭化水素基としては、例えば、
フェニル基、ナフチル基、アンスリル基、トリル基、キ
シリル基、ジメチルフェニル基、トリメチルフェニル
基、エチルフェニル基、ジエチルフェニル基、トリエチ
ルフェニル基、プロピルフェニル基、ブチルフェニル
基、メチルナフチル基、ジメチルナフチル基、トリメチ
ルナフチル基、ビニルナフチル基、エテニルナフチル
基、メチルアンスリル基、エチルアンスリル基などが挙
げられる。

【００２３】前記式（１）中、Ａは、下記式（２）で表
されるフェノール性水酸基を有する基を表し、下記式
（６）及び下記式（７）のいずれかで表されるものが好
ましい。

【００２４】

【化１２】 前記式（２）中、Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５は、水素原子又は
前記一価の有機基を表し、互いに同一であってもよい
し、異なっていてもよい。ｍは、整数を表し、１〜３が
塗布適性等の点で好ましい。ｎは、１〜５の整数を表
す。

【００２５】

【化１３】

【００２６】

【化１４】

【００２７】前記式（１）中、ａ＋ｂ＋ｃ＝１である。
ａ、ｂ及びｃは、各分子骨格が前記。アルカリ可溶性シ
ロキサン重合体に占める割合を表し、その数値が大きい
程、全体に占める割合が大きいことを意味する。この
内、前記ａとしては、０．２５≦ａ≦０．６０が好まし
く、０．４０≦ａ≦０．６０がより好ましい。前記ａ
が、アルカリ可溶性が十分でないことがあり、露光部と
未露光部との溶解速度差がとれないことがある一方、
０．２５未満であると、酸素プラズマエッチング耐性が
十分でないことがあり、前記数値範囲内であるとそのよ
うなことはなく、該数値範囲内において数値が大きい
程、酸素プラズマエッチング耐性に優れる。また、前記
ｃとしては、０≦ｃ≦０．２５が好ましく、０．０２≦
ｃ≦０．２０がより好ましい。前記ｃが、前記数値範囲
外であると、露光部と未露光部との溶解速度差がとれな
かったり、保存安定性が悪かったりすることがある一
方、前記数値範囲であるとそのようなことはなく、該数
値範囲内において大きい程、塗布適性が良好であり、前
記数値範囲内において小さい程、保存安定性が良好であ
る。

【００２８】前記第二の形態に係るポジ型レジスト組成
物における前記アルカリ可溶性シロキサン重合体は、水
酸基と直接結合しているケイ素原子が全ケイ素原子数の
１９％以下であり、下記式（Ｉ）で表されるものが好ま
しい。なお、前記水酸基と直接結合しているケイ素原子
が全ケイ素原子数の割合としては、１９％以下であれば
特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ
るが、２〜１５％以下が好ましく、２〜１３％以下が特
に好ましい。前記割合が、１９％を超えると、前記サイ
ドローブの発生抑制効果が十分でないことがあり、一
方、１９％以下であればそのようなことはなく、前記サ
イドローブの発生抑制効果が得られ、前記好ましい数値
範囲、前記より好ましい数値範囲内であると、その効果
が顕著である点で有利である。

【００２９】前記水酸基と直接結合しているケイ素原子
数が全ケイ素原子数に対する割合としては、例えば、
^２９Ｓｉ−ＮＭＲにより測定することができる。

【００３０】

【化１５】式（Ｉ） (Ｒ_A)_ｄ(Ｏ_1/2ＳｉＲ¹⁷Ｒ¹⁸−Ｂ)_ｅ(Ｏ_1/2ＳｉＲ¹⁹Ｒ²⁰
ＯＨ)_ｆ(Ｏ_1/2ＳｉＲ¹⁹Ｒ²⁰ＯＲ²¹)_ｇ ただし、Ｒ_Aは、下記式（II）〜（Ｖ）で表されるオル
ガノシロキサン残基を表す。Ｂは、下記式（VI）又は下
記式（VII）で表される基を表す。Ｒ¹⁷〜Ｒ²⁰は、互い
に独立して、水素原子、酸素原子又は一価の有機基を表
す。Ｒ²¹は、一価の有機基又はシリル基を表す。ｄ＋ｅ
＋ｆ＋ｇ＝１としたとき、０．２５≦ｄ≦０．６０であ
り、かつｆ≦０．１９である。なお、前記一価の有機基
としては、上述した通りである。Ｒ¹⁷〜Ｒ²⁰が酸素原子
である場合には、該酸素原子の両端はケイ素原子であ
る。

【００３１】

【化１６】（Ｏ_４／２Ｓｉ） 式（II） （Ｏ_３／２Ｓｉ） 式（III） （Ｏ_２／２Ｓｉ） 式（IV） （Ｏ_１／２Ｓｉ） 式（Ｖ）

【００３２】

【化１７】

【００３３】

【化１８】 ―（ＣＲ^２３Ｒ^２４）_ｍ−ＣＯＯＲ^２５ 式（VII） ただし、前記式（VI）及び（VII）において、Ｒ^３〜Ｒ
^５及びＲ^２２〜Ｒ^２５は、水素原子又は一価の有機基を
表す。該一価の有機基としては、上述した通りである。
Ｂ’は、−Ｏ−又は−ＣＯＯ−を表す。Ｂ’が複数ある
場合、該複数のＢ’は互いに同一であってもよいし、異
なっていてもよい。ｍは、０〜３の整数を表す。ｎは、
１〜５の整数を表す。

【００３４】前記式（Ｉ）中、ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＝１であ
る。ｄ、ｅ、ｆ及びｇは、各分子骨格が前記アルカリ可
溶性シロキサン重合体に占める割合を表し、その数値が
大きい程、全体に占める割合が大きいことを意味する。
この内、前記ｄとしては、０．２５≦ｄ≦０．６０であ
り、０．３５≦ｄ≦０．６０がより好ましい。前記ｄ
が、０．６０を超えると、アルカリ可溶性が十分でない
ことがあり、露光部と未露光部との溶解速度差がとれな
いことがある一方、０．２５未満であると、酸素プラズ
マエッチング耐性が十分でないことがあり、前記数値範
囲内であるとそのようなことはなく、該数値範囲内にお
いて数値が大きい程、酸素プラズマエッチング耐性に優
れる。また、前記ｆとしては、ｆ≦０．１９であり、
０．０２≦ｆ≦０．１３がより好ましい。前記ｆが、
０．１９を超えると、前記サイドローブの発生抑制効果
が十分でないことがあり、前記数値範囲であるとそのよ
うなことはなく、該数値範囲内において数値が大きい
程、感度が高くなり、前記数値範囲内において数値が小
さい程、保存安定性が良好である。

【００３５】前記Ｒ²¹が前記シリル基である場合、該シ
リル基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選
択することができるが、例えば、トリメチルシリル基、
トリエチルシリル基、イソプロピルジメチルシリル基、
ｔ−ブチルジメチルシリル基、（トリフェニルメチル）
ジメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基、メ
チルジイソプロピルシリル基、メチルジt−ブチルシリ
ル基、トリベンジルシリル基、トリイソプロピルシリル
基、トリフェニルシリル基、クロロメチルジメチルシリ
ル基、などが挙げられる。

【００３６】前記式（Ｉ）中、前記Ｒ_Aで表されるオル
ガノシロキサン残基は、下記式（II'）〜（IV’）で表
される有機ケイ素化合物から選択される少なくとも１種
を縮合して得られるオルガノシロキサン残基、又は、前
記式（II'）〜（IV’）で表される少なくとも１種の有
機ケイ素化合物と下記式（Ｖ）で表される有機ケイ素化
合物とを縮合して得られる。

【００３７】

【化１９】 (Ｒ^２６Ｏ)_４Ｓｉ （II'） (Ｒ^２６Ｏ)_３ＳｉＲ^２７ （III'） (Ｒ^２６Ｏ)_２ＳｉＲ^２８Ｒ^２９ （IV'） (Ｒ^２６Ｏ)ＳｉＲ^３０Ｒ^３１Ｒ^３２ （Ｖ'） 前記式（II'）〜（IV’）中、Ｒ^２６は、メチル基又は
エチル基を表す。Ｒ^{２ ７}〜Ｒ^３２は、水素原子又は一価
の有機基を表す。

【００３８】なお、前記式（Ｉ）で表されるアルカリ可
溶性シロキサン重合体において、ｇ＝０であり、ｄ＋ｅ
＋ｆ＝１であり、Ｒ_Ａが前記式（II）で表されるオルガ
ノシロキサン残基であり、Ｒ¹⁷及びＲ^1８が一価の有機
基であり、Ｒ¹⁹及びＲ²⁰が酸素原子であり、Ｂが前記式
（VI）で表され、Ｂ'が−Ｏ−であり、Ｒ^２２が水素原
子である場合が、前記式（１）で表されるアルカリ可溶
性シロキサン重合体である。

【００３９】前記アルカリ可溶性シロキサン重合体の重
量平均分子量としては、特に制限はなく、目的に応じて
適宜選択することができるが、１，０００〜５０，００
０が好ましく、２，０００〜２０，０００がより好まし
く、４，０００〜１５，０００が特に好ましい。前記重
量平均分子量が、１，０００未満であると、露光部と未
露光部との溶解速度差がとれないことがあり、５０，０
００を超えると解像性が悪くなることがあり、２，００
０〜２０，０００であると、前記サイドローブの発生抑
制向上効果が十分であり、解像性及び感度も良好である
点で有利である。

【００４０】前記アルカリ可溶性シロキサン重合体の分
子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）としては、実用的な範囲内で
あれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択すること
ができるが、１〜５が好ましく、露光部と未露光部との
溶解速度差を十分にとる等の観点からは、１〜３がより
好ましい。

【００４１】前記アルカリ可溶性シロキサン重合体とし
ては、適宜合成したものであってもよいし、市販品であ
ってもよく、特に制限はなく目的に応じて適宜選択する
ことができる。

【００４２】前記アルカリ可溶性シロキサン重合体の合
成方法としては、特に制限はなく、公知の方法の中から
適宜選択することができ、化学増幅型である場合、例え
ば、下記＜１＞又は＜２＞の方法により、非化学増幅型
である場合、例えば、下記＜３＞又は＜４＞の方法など
が好適に挙げられる。

【００４３】前記＜１＞の方法は、オルガノアルコキシ
シランを、酸触媒又はアルカリ触媒により、水の存在下
で縮合した後、末端のシラノール基を、保護基で保護さ
れたアルカリ可溶性基を有するクロロシラン化合物で封
止する方法である。前記＜２＞に記載の方法は、保護さ
れたアルカリ可溶性基を有するオルガノアルコキシシラ
ンを、酸触媒又はアルカリ触媒により、水の存在下で縮
合する方法である。前記＜３＞の方法は、オルガノアル
コキシシランを、酸触媒又はアルカリ触媒により、水の
存在下で縮合した後、末端のシラノール基を、保護基で
保護されたアルカリ可溶性基を有するクロロシラン化合
物で封止した後、該アルカリ可溶性基を脱保護する（該
アルカリ可溶性基の一部をアルカリ可溶性の調節のため
再度、保護してもよい）方法である。前記＜４＞の方法
は、保護基で保護されたアルカリ可溶性基を有するオル
ガノアルコキシシランを、酸触媒又はアルカリ触媒によ
り、水の存在下で縮合し、該アルカリ可溶性基を脱保護
する（該アルカリ可溶性基の一部をアルカリ可溶性の調
節のため再度、保護してもよい）方法である。

【００４４】ここで、前記オルガノアルコキシシランと
しては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択するこ
とができるが、例えば、テトラメトキシシラン、メチル
トリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、トリ
メチルメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、ジ
エチルジメトキシシラン、トリエチルメトキシシラン、
フェニルトリメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシ
ラン、トリフェニルメトキシシラン、メチルフェニルジ
メトキシシラン、ジメチルフェニルメトキシシラン等の
オルガノメトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチ
ルトリエトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ト
リメチルエトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、
ジエチルジエトキシシラン、トリエチルエトキシシラ
ン、フェニルトリエトキシシラン、ジフェニルジエトキ
シシラン、トリフェニルエトキシシラン、メチルフェニ
ルジエトキシシラン、ジメチルフェニルエトキシシラン
等のオルガノエトキシシラン、などが挙げられる。

【００４５】前記保護基で保護されたアルカリ可溶性基
を有するクロロシランは、分子内にビニル基、アリル基
等の不飽和結合及び保護されたアルカリ可溶性基を有す
る化合物と、ジアルキルクロロヒドロシラン化合物とを
遷移金属触媒の存在下、ヒドロシリル化することによ
り、容易に製造することができる。また、分子内に前記
保護基で保護されたアルカリ可溶性基を有する有機金属
化合物と、ジアルキルジクロロシラン化合物とを縮合反
応させることにより、容易に製造することができる。

【００４６】なお、前記アルカリ可溶性基としては、フ
ェノール性水酸基、カルボキシル基などが挙げられ、こ
れらの中でも、露光光としてｇ線又はｉ線を用いる場合
にはフェノール性水酸基が好ましい。

【００４７】前記保護基で保護されたアルカリ可溶性基
における該保護基としては、例えば、メトキシメチル
基、ベンジルオキシメチル基、ｔ−ブトキシメチル基、
２-メトキシエトキシメチル基、２，２，２−トリクロ
ロエトキシメチル基、２−（トリメチルシリル）エトキ
シメチル基、テトラハイドロピラニル基、３−ブロモテ
トラハイドロピラニル基、テトラハイドロチオピラニル
基、４-メトキシテトラハイドロピラニル基、テトラハ
イドロフラニル基、１−エトキシエチル基、１−メチル
−１−メトキシエチル基、１−（イソプロポキシ）エチ
ル基、２，２，２−トリクロロエチル基、２−（フェニ
ルセレニル）エチル基、t−ブチル基、ベンジル基、３
−メチル−２−ピコリルN-オキシド基、ジフェニルメチ
ル基、５−ジベンゾスベリル基、トリフェニルメチル
基、９−アンスリル基、トリメチルシリル基、トリエチ
ルシリル基、イソプロピルジメチルシリル基、ｔ−ブチ
ルジメチルシリル基、（トリフェニルメチル）ジメチル
シリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基、メチルジイ
ソプロピルシリル基、メチルジt−ブチルシリル基、ト
リベンジルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリ
フェニルシリル基、クロロメチルジメチルシリル基、ホ
ルミル基、アセチル基、メトキシカルボニル基、エトキ
シカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカル
ボニル基、イソブチルオキシカルボニル基、カーボネー
ト基、ベンジルカーボネート基、アダマンチル基、など
が挙げられる。

【００４８】前記酸触媒としては、例えば、塩酸、酢酸
などが挙げられる。また、前記アルカリ触媒としては、
例えば、アンモニア、トリエチルアミンなどが挙げられ
る。

【００４９】また、前記アルカリ可溶性シロキサン重合
体の合成方法として、例えば、前記式（１）で表される
アルキル可溶性シロキサン重合体の場合には、下記式
（３）及び（４）のいずれかで表される有機ケイ素化合
物の少なくとも１種と、テトラアルコキシシランから選
択される少なくとも１種とを反応させ、ｔ−ブチル基が
残存するときは、該ｔ−ブチル基を水素原子に置換させ
る方法が挙げられる。

【００５０】

【化２０】 前記式（３）中、Ｒ^１及びＲ^２は、前記一価の有機基を
表し、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよ
い。Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５は、水素原子又は前記一価の有
機基を表し、互いに同一であってもよいし、異なってい
てもよい。Ｙは、Ｘ又はＯＲ^６を表す。Ｘは、ハロゲン
原子を表す。Ｒ^６は、水素原子又はアルキル基を表す。
該アルキル基としては、特に制限はなく目的に応じて適
宜選択することができるが、例えば、メチル基、エチル
基などが好適に挙げられる。Ｒ^７は、Ｙ＝Ｘのときｔ−
ブチル基を表し、Ｙ＝ＯＲ^６のとき水素原子又はｔ−ブ
チル基を表す。ｍは、整数を表し、１〜３が好ましい。
ｋは、１〜５の整数を表す。

【００５１】前記式（３）で表される有機ケイ素化合物
は、公知の方法に従って合成することができ、例えば、
該式（３）で表される有機ケイ素化合物の内、Ｙ＝Ｘで
あり、かつＲ^７＝ｔ−ブチル基であるものは、例えば、
下記式（９）と下記式（１０）とを遷移金属触媒の存在
下でヒドロシリル化することにより合成することができ
る。

【００５２】

【化２１】 前記式（９）中、Ｙ、Ｒ^１及びＲ^２は、上述した通りで
ある。

【００５３】

【化２２】 前記式（１０）中、Ｂは、ビニル基、アリル基等の不飽
和結合を有する前記一価の有機基を表し、ｌは、１〜５
の整数を表す。Ｒ^５は、上述した通りである。

【００５４】また、前記式（３）で表される有機ケイ素
化合物の内、Ｙ＝ＯＲ^６であるものは、例えば、前記式
（９）においてＹ＝ＯＲ^６であるものと、前記式（１
０）においてｔ−ブチル基の代りにＲ^７であるものとを
遷移金属触媒の存在下でヒドロシリル化することにより
合成することができる。

【００５５】

【化２３】 前記式（４）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^８及びＲ^９は、前記一
価の有機基を表し、互いに同一であってもよいし、異な
っていてもよい。Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^１０、Ｒ^１１及
びＲ^１２は、水素原子又は前記一価の有機基を表し、互
いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。Ｒ^７
及びＲ^１３は、水素原子又はｔ−ブチル基を表す。ｊ及
びｍは、整数を表し、１〜３が好ましい。ｉ及びｋは、
１〜５の整数を表す。

【００５６】前記式（４）で表される有機ケイ素化合物
は、公知の方法に従って合成することができ、例えば、
Ｒ^７及びＲ^１３がｔ−ブチル基であるものは、前記式
（３）において、Ｙ＝Ｘであり、かつＲ^７＝ｔ−ブチル
基であるものを室温以下の温度で加水分解・縮合反応す
ることにより、また、Ｒ^７及びＲ^１３が水素原子である
ものは、前記式（３）を加水分解・縮合反応後、酸性
下、加熱反応することにより合成することができる。ま
た、例えば、下記式（１８）で表される化合物、下記式
（１９）で表される化合物及び下記式（２０）で表され
る化合物を遷移金属触媒存在下で、ヒドロシリル化する
ことにより合成することができる。

【００５７】

【化２４】 前記式（１８）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^８及びＲ^９は、上述
した通りである。

【００５８】

【化２５】 前記式（１９）中、Ｂは、ビニル基、アリル基等の不飽
和結合を有する前記一価の有機基を表す。Ｒ^１２、Ｒ
^１３及びｉは、上述した通りである。

【００５９】

【化２６】 前記式（２０）中、Ｂは、ビニル基、アリル基等の不飽
和結合を有する前記一価の有機基を表す。Ｒ^５、Ｒ^７及
びｋは、上述した通りである。

【００６０】前記テトラアルコキシシランとしては、特
に制限はなく目的に応じて適宜選択することができる
が、例えば、テトラメトキシシラン及びテトラエトキシ
シランの少なくとも一方であるのが好ましい。

【００６１】前記反応としては、例えば、酸触媒存在下
での加水分解・縮合反応などが挙げられる。前記酸触媒
としては、例えば、塩酸、酢酸などが挙げられる。

【００６２】本発明においては、前記式（１）で表され
るアルカリ可溶性シロキサン重合体は、そのシラノール
基の一部を下記式（５）と反応させたものであってもよ
い。前記反応としては、例えば、酸触媒存在下での置換
反応などが挙げられる。前記酸触媒としては、例えば、
塩酸、酢酸、ｐ−トルエンスルホン酸などが挙げられ
る。

【００６３】

【化２７】 前記式（５）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^８及びＲ^９は、前記一
価の有機基を表し、互いに同一であってもよいし、異な
っていてもよい。Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^１０、Ｒ^１１及
びＲ^１２は、水素原子又は前記一価の有機基を表し、互
いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。ｊ及
びｍは、整数を表し、１〜３が好ましい。ｉ及びｎは、
１〜５の整数を表す。

【００６４】また、本発明においては、前記式（１）で
表されるアルカリ可溶性シロキサン重合体は、そのシラ
ノール基の一部を、前記式（３）におけるＹ＝Ｘであり
かつＲ^７＝ｔ−ブチル基であるものと、ピリジン等の弱
アルカリ下で反応させた後、ｔ−ブチル基を酸により水
素原子に置換させたものであってもよい。前記酸として
は、例えば、塩酸、酢酸、ｐ−トルエンスルホン酸など
が挙げられる。

【００６５】また、本発明においては、前記式（１）で
表されるアルカリ可溶性シロキサン重合体は、そのシラ
ノール基の水素原子の一部が下記式（８）で置換されて
いてもよい。

【化２８】 前記式（８）中、Ｒ^１４、Ｒ^１５及びＲ^１６は、前記一
価の有機基を表し、互いに同一であってもよいし、異な
っていてもよい。

【００６６】前記アルカリ可溶性シロキサン重合体が、
そのシラノール基の水素原子の一部が前記式（８）で置
換されてなるものである場合、該アルカリ可溶性シロキ
サン重合体において、前記式（８）で置換された置換率
としては、５〜９０％であるのが好ましく、３０〜７０
％であるのがより好ましい。

【００６７】−感光性化合物− 前記感光性化合物（「光反応性化合物」と称することが
ある）としては、露光光の波長域に吸収域を有し、該露
光光の吸収により化学反応を生ずることにより、アルカ
リ可溶性を変化させることができれば特に制限はなく、
前記露光光の種類等に応じて適宜選択することができ
る。前記感光性化合物の具体例としては、前記ポジ型レ
ジスト組成物が非化学増幅型である場合には、１，２−
ナフトキノンジアジド基を有する化合物などが好適に挙
げられ、前記ポジ型レジスト組成物が化学増幅型である
場合には、光酸発生剤などが好適に挙げられる。なお、
前記１，２−ナフトキノンジアジド基を有する化合物と
しては、例えば、１，２−ナフトキノンジアジド基を有
するエステル化合物が好適に挙げられ、その中でも、
１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステ
ル、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エ
ステル、などがより好ましい。これらは、１種単独で使
用してもよいし、２種以上併用してもよい。

【００６８】前記感光性化合物としては、適宜合成した
ものであってもよいし、市販品であってもよい。前者の
場合であって、該感光性化合物が前記１，２−ナフトキ
ノンジアジド基を有するエステル化合物である場合を例
にすれば、ナフトキノンジアジドスルホン酸クロライド
等のナフトキノンジアジドスルホン酸ハロゲン化物と、
フェノール性水酸基を有する化合物とを弱アルカリの存
在下で縮合反応させることにより合成することができ
る。

【００６９】前記露光光としては、例えば、ｇ線、ｉ
線、ＫｒＦエキシマレーザー光、などが挙げられる。前
記露光光としてｇ線又はｉ線を用いる場合、該感光性化
合物としてはキノンジアジド化合物を選択し、前記アル
カリ可溶性ポリオルガノシロキサン樹脂がアルカリ可溶
性基としてフェノール性水酸基を有するものを選択し、
前記ポジ型レジスト組成物を非化学増幅型とすることが
好ましい。

【００７０】前記キノンジアジド化合物としては、特に
制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる
が、例えば、１，２−ベンゾキノンジアジド−４−スル
ホン酸エステル、１，２−ナフトキノンジアジド−４−
スルホン酸エステル、１，２−ナフトキノンジアジド−
５−スルホン酸エステル等が挙げられる。前記キノンジ
アジド化合物は、例えば、ベンゾキノンジアジドスルホ
ン酸又は１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸と、
フェノール性水酸基を有する化合物とを、弱アルカリの
存在下に縮合させることにより製造することができる。
られる。

【００７１】前記フェノール性水酸基を有する化合物と
しては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、フロロ
グルシン、没食子酸アルキルエステル、特開平２−２６
９３５１号公報に記載の下記式（２１）で表される化合
物、特開平６−２３６０３０号公報に記載の下記式（２
２）で表される化合物、特開平５−３４９１８号公報に
記載の下記式（２３）で表される化合物、特開平５−３
４９１８号公報に記載の下記式（２４）で表される化合
物、特開平１０−２３２４９３号公報に記載の下記式
（２５）又は下記式（２６）で表される化合物などが挙
げられる。

【００７２】

【化２９】 前記式（２１）中、Ｙ^1A〜Ｙ^4Aは、それぞれ、水素原
子、アルキル基、ハロゲン又は水酸基を表す。なお、こ
れらの少なくとも１つは、水酸基を表す。Ｚ^1A〜Ｚ
^6Aは、それぞれ、水素原子、アルキル基、アリール基、
ハロゲン、又は酸基を表す。これらの少なくとも１つ
は、水酸基を表す。Ｒ^1A及びＲ^2Aは、それぞれ、水素原
子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、ア
ルコキシ基、又はアリール基を表す。Ｒ^1A及びＲ^2Aの少
なくとも一方が水素原子である場合、−（Ｒ^1A）Ｃ（Ｒ
^2A）−に対するオルソ位に位置する水酸基に対してさら
にオルソ位がアルキル基又はアリール基を表す。

【００７３】

【化３０】 前記式（２２）中、Ｙ^1B、Ｙ^2B及びＺ^1B〜Ｚ^7B は、そ
れぞれ、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１
〜４のアルキル基、水素原子、又は水酸基を表す。Ｙ^1B
及びＹ^2B のうち、少なくとも１つは水酸基を表す。Ｚ
^1B〜Ｚ^7Bのうち少なくとも２つは水酸基を表す。Ｒ^1B〜
Ｒ^6Bは、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素
数２〜４のアルケニル基、シクロアルキル基、又はアリ
ール基を表す。

【００７４】

【化３１】 前記式（２３）中、Ｙ^1D、Ｙ^2D及びＺ^1D〜Ｚ^7Dは、それ
ぞれ、水素原子、水酸基又は炭素数１〜４のアルキル基
を表す。この場合、Ｙ^1D及びＹ^2Dの少なくとも一方は、
及びＺ^1D〜Ｚ^7D中の少なくとも２つは、水酸基を表す。
Ｒ^1D〜Ｒ^6Dは、それぞれ、水素原子、炭素数１〜１０の
アルキル基、炭素数２〜４のアルケニル基、炭素数５〜
８のシクロアルキル基、又はアリール基を表す。

【００７５】

【化３２】 前記式（２４）中、Ｙ^1E及びＹ^2Eは、それぞれ、水素原
子、水酸基又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。この
場合、Ｙ^1E及びＹ^2Eの少なくとも一方は、水酸基を表
す。Ｚ^1E〜Ｚ^7Eは、それぞれ、水素原子、ハロゲン原
子、水酸基、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数５〜８
のシクロアルキル基、又はアリール基を表す。この場
合、Ｚ^1E〜Ｚ^7Eの少なくとも２つは、水酸基を表す。Ｒ
^1E〜Ｒ^5Eは、それぞれ、水素原子、炭素数１〜１０のア
ルキル基、炭素数２〜４のアルケニル基、シクロヘキシ
ル基又はアリール基を表す。この場合、Ｒ^4E及びＲ^5Eの
どちらか一方は、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数
２〜４のアルケニル基、シクロヘキシル基、又はアリー
ル基を表す。

【００７６】

【化３３】 前記式（２５）中、ｋは、０〜４の整数を表す。Ｒ^1G〜
Ｒ^14G（ただし、ｋ＝０のときはＲ^1G〜Ｒ^10G）は、それ
ぞれ、水素原子、水酸基、炭素数１〜６のアルキル基、
炭素数１〜６のシクロアルキル基、又は炭素数１〜６の
アルコキシ基を表す。この場合、Ｒ^1G〜Ｒ^14G（ただ
し、ｋ＝０のときはＲ^1G〜Ｒ^10G）の少なくとも１つ
は、水酸基を表す。Ｒ^15G〜Ｒ^18Gは、それぞれ、水素原
子、炭素数１〜６のアルキル基及び炭素数１〜６のシク
ロアルキル基から選択される少なくとも１種、又は、水
酸基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のシク
ロアルキル及び炭素数１〜６のアルコキシ基から選択さ
れる少なくとも１種、により置換されていてもよいフェ
ニル基を表す。

【００７７】

【化３４】 前記式（２６）中、Ｒ^1J及びＲ^2Jは、それぞれ、水素原
子、炭素数１〜６のアルキル基、又は炭素数１〜１０の
アリール基を表す。ｐ及びｑは、それぞれ、０〜３の整
数を表し、ｐ＋ｑ≧１である。

【００７８】本発明においては、前記式（２１）〜式
（２６）の中でも前記式（２２）、前記式（２３）又は
前記式（２５）で表される化合物と、１，２−ナフトキ
ノンジアジド−５−スルホン酸とを縮合したものであっ
て、かつ縮合生成物が平均１．５〜３個の１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホン酸エステル基を有して
いるものが好ましい。

【００７９】なお、前記露光光としてＫｒＦエキシマレ
ーザー光を用いる場合、前記感光性化合物に光酸発生剤
を用い、前記アルカリ可溶性シロキサン重合体として、
酸により脱離する保護基がついたアルカリ可溶性基を有
するものを用い、化学増幅型のポジ型レジスト組成物と
することが好ましい。

【００８０】前記光酸発生剤としては、特に制限はな
く、目的に応じて適宜選択することができるが、例え
ば、オニウム塩化合物、有機ハロゲン化合物、スルホン
化合物、スルホネート化合物、などが挙げられ、具体的
には、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスル
ホネート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウム
ヘキサフルオロアンチモネート、４−メトキシフェニル
フェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト、ビス（４−tert−ブチルフェニル）ヨードニウム
テトラフルオロボレート、ビス（４−tert−ブチルフェ
ニル）ヨードニウム ヘキサフルオロホスフェート、ビ
ス（４−tert−ブチルフェニル）ヨードニウム ヘキサ
フルオロアンチモネート、ビス（４−tert−ブチルフェ
ニル）ヨードニウム トリフルオロメタンスルホネー
ト、トリフェニルスルホニウム ヘキサフルオロホスフ
ェート、トリフェニルスルホニウム ヘキサフルオロア
ンチモネート、トリフェニルスルホニウム トリフルオ
ロメタンスルホネート、４−メトキシフェニルジフェニ
ルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、４−
メトキシフェニルジフェニルスルホニウム トリフルオ
ロメタンスルホネート、ｐ−トリルジフェニルスルホニ
ウム トリフルオロメタンスルホネート、２，４，６−
トリメチルフェニルジフェニルスルホニウム トリフル
オロメタンスルホネート、４−tert−ブチルフェニルジ
フェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネー
ト、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウム
ヘキサフルオロホスフェート、４−フェニルチオフェ
ニルジフェニルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモ
ネート、１−（２−ナフトイルメチル）チオラニウム
ヘキサフルオロアンチモネート、１−（２−ナフトイル
メチル）チオラニウム トリフルオロメタンスルホネー
ト、４−ヒドロキシ−１−ナフチルジメチルスルホニウ
ム ヘキサフルオロアンチモネート、４−ヒドロキシ−
１−ナフチルジメチルスルホニウム トリフルオロメタ
ンスルホネート、２−メチル−４，６−ビス（トリクロ
ロメチル）−１，３，５−トリアジン、２，４，６−ト
リス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、
２−フェニル−４，６−ビス(トリクロロメチル)−１，
３，５−トリアジン、２−（４−クロロフェニル）−
４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリ
アジン、２−（４−メトキシフェニル）−４，６−ビス
(トリクロロメチル)−１，３，５−トリアジン、２−
（４−メトキシ−１−ナフチル）−４，６−ビス（トリ
クロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（ベン
ゾ［ｄ］［１，３］ジオキソラン−５−イル）−４，６
−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジ
ン、２−（４−メトキシスチリル）−４，６−ビス(ト
リクロロメチル)−１，３，５−トリアジン、２−
（３，４，５−トリメトキシスチリル）−４，６−ビス
（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−
（３，４−ジメトキシスチリル）−４，６−ビス（トリ
クロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（２，
４−ジメトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロ
メチル）−１，３，５−トリアジン、２−（２−メトキ
シスチリル）−４，６−ビス(トリクロロメチル)−１，
３，５−トリアジン、２−（４−ブトキシスチリル）−
４，６−ビス(トリクロロメチル)−１，３，５−トリア
ジン、２−（４−ペンチルオキシスチリル）−４，６−
ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、
１−ベンゾイル−１−フェニルメチル ｐ−トルエンス
ルホネート（通称：ベンゾイントシレート）、２−ベン
ゾイル−２−ヒドロキシ−２−フェニルエチル ｐ−ト
ルエンスルホネート（通称：α−メチロールベンゾイン
トシレート）、１，２，３−ベンゼントリイル トリス
メタンスルホネート、２，６−ジニトロベンジル ｐ−
トルエンスルホネート、２−ニトロベンジル ｐ−トル
エンスルホネート、４−ニトロベンジル ｐ−トルエン
スルホネート、ジフェニル ジスルホン、ジ−ｐ−トリ
ル ジスルホン、ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメ
タン、ビス（４−クロロフェニルスルホニル）ジアゾメ
タン、ビス（ｐ−トリルスルホニル）ジアゾメタン、ビ
ス（４−tert−ブチルフェニルスルホニル）ジアゾメタ
ン、ビス（２，４−キシリルスルホニル）ジアゾメタ
ン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、
（ベンゾイル）（フェニルスルホニル）ジアゾメタン、
Ｎ−（フェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ
−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）スクシンイ
ミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）フ
タルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキ
シ）−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミ
ド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ナフ
タルイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキ
シ）ナフタルイミド、などが挙げられる。これらは、１
種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよ
い。

【００８１】前記感光性化合物の前記ポジ型レジスト組
成物における含有量としては、特に制限はなく目的に応
じて適宜選択することができるが、前記アルカリ可溶性
シロキサン重合体が非化学増幅型である場合には、全固
形分に対し、１０〜５０質量％が好ましく、前記アルカ
リ可溶性シロキサン重合体が化学増幅型である場合に
は、０．１〜１０質量％であるのが好ましい。前記感光
性化合物の全固形分中の含有量が、前記非化学増幅型の
場合には１０質量％未満であると、また、前記化学増幅
型の場合には０．１質量％未満であると、露光部と未露
光部との溶解速度差が十分にとれないことがあり、一
方、前記非化学増幅型の場合には５０質量％を超える
と、酸素プラズマ耐性が低下したり、レジスト膜の上下
での感光量が異なるので解像性が低下することがあり、
また、前記化学増幅型の場合には１０質量％を超える
と、酸の発生が多すぎるために、解像性が低下すること
がある。

【００８２】前記感光性化合物のｉ線吸光度としては、
特に制限はなく目的に応じて適宜選択することができる
が、厚みが１μｍの塗膜のｉ線吸光度としては、１．０
０〜３．５０であるのが好ましく、１．１０〜２．５０
であるのがより好ましい。前記感光性化合物のｉ線吸光
度が、前記数値範囲内にないと、前記ポジ型レジスト組
成物による厚みが１μｍの塗膜のｉ線透過率を５〜６０
％にすることができないことがあり、また、１．００未
満であると、露光部と未露光部との溶解速度差が十分に
とれないことがあり、３．５０を超えると、レジスト膜
の上下での感光量が異なるので、解像性が低下すること
がある。

【００８３】前記感光性化合物による厚みが１μｍの塗
膜のｉ線吸光度は、例えば、バインダーとなる樹脂中に
該感光性化合物を分散させて調製した塗膜の透過率を実
測することにより求めることができ、例えば、該ｉ線吸
光度を「Ａ」とすると、該ｉ線吸光度「Ａ」は、下記数
式から算出することができる。下記数式中、「Ｔ」は、
前記アルカリ可溶性シロキサン重合体１００質量部と、
前記感光性化合物５０質量部と、後述する式（１５）で
表されるフェノール化合物１．５質量部とを含有する２
−ヘプタノン溶液をガラス基板上にスピンコートしてな
る厚みが０．５５μｍである塗膜のｉ線透過率（％）の
実測値である。該ｉ線透過率「Ｔ」（％）は、前記ガラ
ス基板自体のｉ線透過率（％）を対照として分光光度計
（例えば、日立（株）製、Ｕ−３５００）を用いて測定
することができる。

【００８４】

【数２】

【００８５】−界面活性剤− 前記界面活性剤は、前記第一の形態の場合にも好適に使
用することができるが、前記第二の形態の場合に特に好
適に使用することができ、前記第二の形態における前記
アルカリ可溶性シロキサン重合体（即ち、前記水酸基と
直接結合しているケイ素原子が全ケイ素原子数の割合が
１９％以下であるもの）に併用することにより、前記サ
イドローブの発生を効果的に抑制することができる。前
記界面活性剤としては、特に制限はなく、目的に応じて
適宜選択することができるが、例えば、ポリカルボン酸
系界面活性剤、ソルビタンエステル系界面活性剤、ポリ
エチレングリコールモノエステル系界面活性剤及びポリ
エチレングリコールモノエーテル系界面活性剤から選択
される少なくとも１種である第一の態様、あるいは、ポ
リカルボン酸系界面活性剤及びＨＬＢ値が９以下である
ノニオン界面活性剤から選択される少なくとも１種であ
る第二の態様、などが好適に挙げられる。前記界面活性
剤は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用し
てもよい。

【００８６】前記界面活性剤のＨＬＢ値としては、前記
第一の態様の場合、９以下であるのが好ましく、８以下
であるのがより好ましく、前記第二の態様の場合、９以
下である必要があり、８以下であるのが好ましい。前記
ＨＬＢ値が９を超えると、前記サイドローブの発生抑制
効果が十分でない傾向がある。

【００８７】なお、前記ＨＬＢ値は、Griffin W. C.に
よる、「Classification of Surface-Active Agents by
HLB、 Journal of the Society of Cosmetic Chemist
s 1 (1949): 311頁より」記載の乳化試験法により求め
ることができる。また、前記ＨＬＢ値が既知の界面活性
剤の混合物である場合は、Griffin W. C.による、「Cal
culation of HLB Values of Non-Ionic Surfactants、
Journal of the Society of Cosmetic Chemists 5 (1
954): 259頁より」に記載のように、該混合物中に含ま
れる各界面活性剤のＨＬＢ値と各界面活性剤の該混合物
に含まれる重量比との積の総和を算出することにより求
めることができる。

【００８８】前記ポリカルボン酸系界面活性剤として
は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することが
でき、例えば、無水マレイン酸共重合体、などが好適に
挙げられ、市販品としては花王（株）製のデモールＥＰ
などが好適に挙げられる。

【００８９】前記ソルビタンエステル系界面活性剤とし
ては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択すること
ができ、例えば、ソルビタン脂肪酸エステル、などが好
適に挙げられる。これらの中でも、ソルビタンモノオレ
エート、ソルビタントリオレエート、ソルビタンモノラ
ウリレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタン
モノステアリテート、ソルビタンセスキオレエートが特
に好適に挙げられる。

【００９０】前記ポリエチレングリコールモノエステル
系界面活性剤としては、特に制限はなく、目的に応じて
適宜選択することができ、例えば、ポリエチレングリコ
ールアルキル脂肪酸エステル、ポリエチレングリコール
脂肪酸エステル、などが好適に挙げられる。これらの中
でも、ポリエチレングリコールが２〜２０個のエチレン
オキサイドユニットからなるものが好ましく、具体的に
は、ポリエチレングリコールモノオレートが特に好適に
挙げられる。前記ポリエチレングリコールモノエーテル
系界面活性剤としては、特に制限はなく、目的に応じて
適宜選択することができ、例えば、ポリエチレングリコ
ールと、アルコール誘導体又はフェノール誘導体との縮
合物、などが好適に挙げられる。これらの中でも、ポリ
エチレングリコールが２〜２０個のエチレンオキサイド
ユニットからなるものであるのが好ましく、具体的に
は、ポリエチレングリコールモノセチルエーテル、ポリ
エチレングリコールモノドデシルエーテル、ポリエチレ
ングリコールモノラウリレート、ポリエチレングリコー
ルモノノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコー
ルモノオクチルフェニルエーテル、ポリエチレングリコ
ールベンジルエーテルが特に好適に挙げられる。

【００９１】前記界面活性剤の前記ポジ型レジスト組成
物における含有量としては、該ポジ型レジスト組成物の
固形分質量に対し、０．１〜３０質量％であるのが好ま
しく、０．３〜１０質量％がより好ましい。前記含有量
が０．１質量％未満であると、前記サイドローブの発生
抑止効果が十分でない傾向があり、３０質量％を超える
と、感度及び解像度が悪化する傾向がある。

【００９２】−その他の成分− 前記その他の成分としては、特に制限はなく目的に応じ
て適宜選択することができ、例えば、溶剤、フェノール
性水酸基を有する低分子化合物、などが好適に挙げられ
る。前記溶剤としては、前記アルカリ可溶性シロキサン
重合体、前記感光性化合物、前記界面活性剤等の各成分
を溶解可能であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜
選択することができるが、例えば、メチルセルソルブア
セテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルア
セテート等のグリコールエステル類、ピルビン酸エチ
ル、酢酸ｎ−アミル、乳酸エチル、メチル−３−メトキ
シプロピオネート、エチル−３−エトキシプロピオネー
ト等のエステル類、２−ヘプタノン、γ−ブチロラクト
ン、エチルアミルケトン等のケトン類、などが好適に挙
げられる。前記溶剤は、１種単独で使用してもよいし、
２種以上を併用してもよい。

【００９３】前記フェノール性水酸基を有する低分子化
合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択
することができるが、例えば、下記式（１３）で表され
るフェノール化合物、下記式（１４）で表されるフェノ
ール化合物、下記式（１５）で表されるフェノール化合
物、下記式（１６）で表されるフェノール化合物、下記
式（１７）で表されるフェノール化合物、などが挙げら
れる。

【００９４】

【化３５】

【００９５】

【化３６】

【００９６】

【化３７】

【００９７】

【化３８】

【００９８】

【化３９】

【００９９】−ポジ型レジスト組成物の調製− 前記ポジ型レジスト組成物の調製方法としては、特に制
限はなく、公知の方法の中から適宜選択することができ
るが、例えば、前記アルカリ可溶性シロキサン重合体、
前記感光性化合物、前記界面活性剤等の成分を混合等す
ることにより、あるいはこれらの各成分を前記溶剤に溶
解等させることにより、液状のポジ型レジスト組成物を
調製することができる。前記ポジ型レジスト組成物の調
製の具体例としては、（１）溶媒を容器中で攪拌しなが
ら、前記アルカリ可溶性シロキサン重合体、前記感光性
化合物、前記界面活性剤等を順次又は一括して添加して
溶解させる方法、（２）前記アルカリ可溶性シロキサン
重合体、前記感光性化合物、前記界面活性剤等に溶媒を
添加した後、攪拌溶解させる方法、などが挙げられる。
なお、以上のようにして調製した前記ポジ型レジスト組
成物の固形分濃度としては、特に制限はなく、膜厚、成
膜方法等に応じて適宜選択することができ、通常、１〜
５０質量％程度である。

【０１００】−ポジ型レジスト組成物の使用、用途等− 本発明のポジ型レジスト組成物は、例えば、基板上に塗
布等することによりレジスト膜を形成し該レジスト膜に
対し、露光光として例えばｉ線を用いて微細パターン状
に露光した後、ベーク、現像等を行うことにより、レジ
ストパターンによる微細パターンを形成することができ
る。本発明のポジ型レジスト組成物により形成されるレ
ジストパターンの形成方法、大きさ、厚み等について
は、特に制限はなく、光源、目的解像度、形成パターン
の高さ、２層レジスト法の場合には下層に対するエッチ
ングレート比、等に応じて適宜選択することができ、特
に厚みについては、加工対象である下地層（基材）、エ
ッチング条件等により適宜決定することができ、通常、
０．１〜１０μｍ程度であり、２層レジスト法による上
層レジストに使用する場合には１μｍ以下程度が好まし
い。

【０１０１】前記ポジ型レジスト組成物の塗布の方法と
しては、特に制限はなく、公知の方法の中から適宜選択
することができ、例えば、スピンコート法、バーコート
法、ダイコート法、などが挙げられる。

【０１０２】前記ポジ型レジスト組成物は、各種分野に
おいて使用されるが、以下の本発明のレジストパターン
及びレジストパターンの製造方法並びに電子回路装置及
び電子回路装置の製造方法に好適に用いることができ、
また、ｉ線用レジストとして好適に使用することがで
き、多層のレジスト膜における上層に用いられるのがよ
り好ましく、酸素プラズマエッチング処理されるレジス
ト膜に用いられるのが特に好ましい。

【０１０３】なお、前記ポジ型レジスト化合物は、位相
差シフトマスクを用いたパターニングに好適に使用する
ことができる。この場合、前記位相差シフトマスクとし
ては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択すること
ができるが、例えば、ハーフトーンマスクなどが好適に
挙げられる。該ポジ型レジスト組成物を用いて得られる
レジスト膜は、前記サイドローブの発生抑制効果に優
れ、高い酸素プラズマ耐性を示すので、該ポジ型レジス
ト組成物を使用してハーフトーンマスクによりパターニ
ングを行った場合、前記サイドローブの発生を抑制しつ
つ高精度にパターニングを行うことができる。このた
め、該ポジ型レジスト組成物を使用すると、高性能な半
導体装置が効率よく得られる。

【０１０４】前記ポジ型レジスト組成物は、各種電子回
路装置の製造等に好適に使用されるが、電子回路装置か
ら選択される少なくとも１種の製造に特に好適に使用す
ることができる。前記電子回路装置としては、特に制限
はなく目的に応じて適宜選択することができるが、例え
ば、各種半導体装置、磁気へッド、高電子移動度トラン
ジスタ、プラズマディスプレイなどが挙げられ、これら
の中でも、磁気へッド、高電子移動度トランジスタ、プ
ラズマディスプレイなどが好適に挙げられる。

【０１０５】（レジストパターン）本発明のレジストパ
ターンは、以下に説明する本発明のレジストパターンの
製造方法により好適に製造することができる。本発明の
レジストパターンは、例えば、マスクパターン、レチク
ルパターン、磁気ヘッド、ＬＣＤ（液晶ディスプレ
イ）、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）、ＳＡＷ
フィルタ（弾性表面波フィルタ）等の機能部品、光配線
の接続に利用される光部品、マイクロアクチュエータ等
の微細部品、高電子移動度トランジスタ、半導体装置、
などに好適に使用することができ、後述する本発明の電
子回路装置に好適に使用することができる。以下、本発
明のレジストパターンの製造方法について説明を通じて
本発明のレジストパターンをも説明する。

【０１０６】（レジストパターンの製造方法）本発明の
レジストパターンの製造方法は、レジスト膜形成工程
と、レジストパターン形成工程とを少なくとも含み、更
に必要に応じてその他の工程を含む。

【０１０７】−レジスト膜形成工程− 前記レジスト膜形成工程は、本発明の前記ポジ型レジス
ト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程である。前
記レジスト膜の形成方法としては、特に制限はなく、公
知の方法の中から適宜選択することができるが、例え
ば、前記ポジ型レジスト組成物を塗布等することにより
レジスト膜を形成する方法が好適に挙げられる。前記塗
布の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて公知
の塗布方法の中から適宜選択することができ、例えば、
スピンコート法などが好適に挙げられる。前記レジスト
膜は、下地層（基材）上に形成することができ、該下地
層（基材）としては、特に制限はなく、目的に応じて適
宜選択することができるが、該レジストパターンが半導
体装置等の電子回路装置に形成される場合には、該下地
層（基材）としては、例えばシリコンウエハ等の半導体
基板などが好適に挙げられる。

【０１０８】−レジストパターン形成工程− 前記レジストパターン形成工程は、前記レジスト膜形成
工程で形成したレジスト膜に対し、露光、ベーク、現像
を行って所望のパターンを形成する工程である。

【０１０９】前記露光は、露光光として、ｇ線、ｉ線、
ＫｒＦエキシマレーザー光などを用いて行うことができ
るが、これらの中でもｉ線を特に好適に用いて行うこと
ができる。前記露光を選択的に行う方法としては、特に
制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる
が、マスク（ハーフトーンマスク）パターン等を用いた
公知の方法が挙げられる。また、前記露光には露光装置
を用いることができる。前記露光を行う条件としては、
特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ
る。

【０１１０】前記ベークの条件、方法等としては、特に
制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる
が、例えば、温度が７０〜１５０℃程度であり、９０〜
１３０℃が好ましく、時間が１０秒〜５分程度であり、
４０秒〜１００秒が好ましい。

【０１１１】前記現像の方法、条件等としては、特に制
限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例え
ば、弱アルカリ水溶液による現像が好適に挙げられる。

【０１１２】本発明のレジストパターンの製造方法によ
ると、例えば、基板上に前記ポジ型レジスト組成物を塗
布等することによりレジスト膜を形成した後、該レジス
ト膜に対し、ｉ線等を用いて微細パターン状に露光し、
ベーク、現像等を行うことにより、レジストパターンに
よる微細パターンを形成することができる。

【０１１３】本発明のレジストパターンの製造方法によ
り製造されたレジストパターンは、本発明の前記レジス
トパターンであり、該レジストパターンは、例えば、マ
スクパターン、レチクルパターン、磁気ヘッド、ＬＣＤ
（液晶ディスプレイ）、ＰＤＰ（プラズマディスプレイ
パネル）、ＳＡＷフィルタ（弾性表面波フィルタ）等の
機能部品、光配線の接続に利用される光部品、マイクロ
アクチュエータ等の微細部品、半導体装置、などに好適
に使用することができ、後述する本発明の電子回路装置
に好適に使用することができる。本発明のレジストパタ
ーンの製造方法は、ラインアンドスペース等の孤立のレ
ジスト抜けパターンの形成に特に好適であり、以下の本
発明の電子回路装置及び電子回路装置の製造方法に特に
好適に用いることができる。

【０１１４】（電子回路装置及び電子回路装置の製造方
法）本発明の電子回路装置は、本発明の前記レジストパ
ターンを用いて形成されたパターンを有してなること以
外には、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択した公
知の部材等を有してなる。本発明の電子回路装置の具体
例としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択す
ることができるが、磁気ヘッド、高電子移動度トランジ
スタデバイス（ＨＥＭＴ）、プラズマディスプレイ、フ
ラッシュメモリ、ＤＲＡＭ、ＦＲＡＭ等の各種半導体装
置、などが挙げられ、これらの中でも、磁気ヘッド、高
電子移動度トランジスタデバイス（ＨＥＭＴ）、プラズ
マディスプレイ等が好適に挙げられる。本発明の電子回
路装置は、以下に説明する本発明の電子回路装置の製造
方法により好適に製造することができる。

【０１１５】本発明の電子回路装置の製造方法は、レジ
ストパターン形成工程と、パターニング工程とを含み、
更に必要に応じて適宜選択したその他の工程とを含む。

【０１１６】−レジストパターン形成工程− 前記レジストパターン形成工程は、前記レジストパター
ンの製造方法により下地層上にレジストパターンを形成
する工程である。なお、前記レジストパターンを形成す
る下地層としては、各種電子回路装置における各種部材
の表面層が挙げられ、例えば、シリコンウエハ等の半導
体装置の基板乃至その表面層が好適に挙げられる。

【０１１７】前記電子回路装置として、例えば高電子移
動度トランジスタデバイス（ＨＥＭＴ）用のＴ型ゲート
電極等を製造する場合には、前記レジストパターン形成
工程において、例えば、前記ポジ型レジスト組成物によ
るレジスト膜を少なくとも２層形成し、２層構造の場合
には上層に大き目の開口部を形成した後に下層に該開口
部よりも小さい開口部を形成すればよく、３層構造の場
合には中層に大き目の開口部を形成した後に下層に該開
口部よりも小さい開口部を形成すればよい。なお、この
とき、該レジスト膜には本発明の前記ポジ型レジスト組
成物を使用することができるが、特に、前記レジスト膜
が２層構造の場合には上層に本発明の前記ポジ型レジス
ト組成物を好適に使用することができる。

【０１１８】−パターニング工程− 前記パターニング工程は、前記レジストパターン形成工
程により形成したレジストパターンをマスクとして用い
てエッチングを行うことにより前記下地層をパターニン
グする工程である。前記エッチングの方法としては、特
に制限はなく、公知の方法の中から目的に応じて適宜選
択することができるが、例えば、酸素プラズマによるド
ライエッチングが好適に挙げられる。該エッチングの条
件としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択す
ることができる。

【０１１９】本発明の電子回路装置の製造方法による
と、例えば、磁気ディスク、高電子移動度トランジスタ
デバイス（ＨＥＭＴ）、プラズマディスプレイ、フラッ
シュメモリ、ＤＲＡＭ、ＦＲＡＭ等の各種半導体装置、
などを初めとする各種電子回路装置を効率的に製造する
ことができる。

【０１２０】

【実施例】以下、本発明の実施例を具体的に説明する
が、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものでは
ない。

【０１２１】＜合成例１＞攪拌棒、温度計、滴下ロー
ト、還流管及び窒素導入管を装着し、内部を窒素フロー
した１０００ｍｌ四つ口フラスコに、エタノール１００
ｍｌ、２−〔４−（ｔｅｒｔ−ブトキシ）フェニル〕エ
チルジメチルクロロシランと１−〔４−（ｔｅｒｔ−ブ
トキシ）フェニル〕エチルジメチルクロロシランとの
７：３混合物１１９ｇ、及びテトラエトキシシラン１８
７．２ｇを仕込んだ。これに、前記滴下ロートからエタ
ノール２５ｍｌとイオン交換水６５ｇとの混合液をゆっ
くり滴下した。該滴下は、３４℃を超えないようにフラ
スコを水浴で冷やしながら行った。滴下終了後、６０℃
で１時間攪拌反応した。前記滴下ロートを長いガラス管
状の窒素導入管に変えて液中に差し込み、窒素をバブリ
ングしてエタノールを留去しながら、６０℃で２０時間
攪拌反応させた。こうして得た反応液に４−メチル−２
−ヘプタノン（ＭＩＢＫ）３００ｍｌを加え室温まで冷
却した。この反応液をナス型フラスコに移し、ロータリ
ーエバポレーターにて残存エタノールを４−メチル−２
−ヘプタノン（ＭＩＢＫ）と共に留去して、４−メチル
−２−ヘプタノン（ＭＩＢＫ）濃縮液を得た。

【０１２２】次に、攪拌棒、温度計、長いガラス管状の
窒素導入管、水分定量受器及び還流管を装着した１００
０ｍｌ四つ口フラスコ中に、前記４−メチル−２−ヘプ
タノン（ＭＩＢＫ）濃縮液を入れ、さらに４−メチル−
２−ヘプタノン（ＭＩＢＫ）を追加した。この中へ、室
温で２−〔４−（ｔｅｒｔ−ブトキシ）フェニル〕エチ
ルジメチルクロロシランと１−〔４−（ｔｅｒｔ−ブト
キシ）フェニル〕エチルジメチルクロロシランとの７：
３混合物６０ｇを加え、次にピリジン２１ｇを加えた。
これを室温で１５時間攪拌した。得られた反応液にイオ
ン交換水を加え、攪拌・静置し、水層を除去した。水洗
は繰り返して４回行った。

【０１２３】有機層を前記フラスコに移し、この中へ６
Ｎ塩酸１００ｍｌを加え、７０℃で８時間攪拌反応させ
た。反応液を静置後、水層を除去し、イオン交換水を加
え、攪拌・静置し、水層を除去した。水洗は繰り返して
４回行った。有機層をろ過後、ロータリーエバポレータ
ーで溶媒を留去した。残留物をエタノール５００ｍｌに
溶かし、攪拌しながら、この中へｎ−ヘキサン１５００
ｍｌを加えた。１５分間攪拌した後、静置し、上澄み液
をデカンテーションで除いた。沈殿液をエタノール５０
０ｍｌに溶かし、攪拌しながら、この中へｎ−ヘキサン
１５００ｍｌを加えた。沈殿液をナス型フラスコに移
し、ロータリーエバポレーターで溶媒を留去した。残留
物にアセトンを加えて溶かし、再びロータリーエバポレ
ーターで溶媒を留去して、下記式（１１）で表されるア
ルカリ可溶性シロキサン重合体２５０ｇを得た。該合成
例１のアルカリ可溶性シロキサン重合体は、重量平均分
子量（Ｍｗ）がポリスチレン換算で６６００であり、分
子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．３８であり、各ユニッ
トのモル比は、^２９Ｓｉ−ＮＭＲ及び^１H−ＮＭＲより
分析した結果、ｄ＝０．４８、ｅ＝０．１１、ｆ＝０．
２５、ｇ＝０．１６であった。

【０１２４】

【化４０】

【０１２５】＜合成例２＞攪拌棒、温度計、滴下ロー
ト、還流管及び窒素導入管を装着し、内部を窒素フロー
した１０００ｍｌ四つ口フラスコに、２−〔４−（ｔｅ
ｒｔ−ブトキシ）フェニル〕エチルジメチルクロロシラ
ンと１−〔４−（ｔｅｒｔ−ブトキシ）フェニル〕エチ
ルジメチルクロロシランとの７：３混合物１１９ｇ、４
−メチル−２−ヘプタノン（ＭＩＢＫ）４１７ｇ、アセ
トン２０６ｇ、イオン交換水５２０ｇ及び濃塩酸５２ｍ
ｌを仕込んだ。これを６０℃に昇温し、滴下ロートから
テトラエトキシシラン１８７．２ｇを３０分で滴下し、
滴下終了後、６０℃で５．５時間攪拌反応した。反応液
を室温に戻し、ろ過後、４−メチル−２−ヘプタノン
（ＭＩＢＫ）１０００ｍｌ及びイオン交換水を加え、攪
拌・静置し、水層を除去した。水洗は繰り返して３回行
った。有機層を液相分離ろ紙でろ過して回収した。

【０１２６】次に、攪拌棒、温度計、長いガラス管状の
窒素導入管、水分定量受器及び還流管を装着した１００
０ｍｌ四つ口フラスコ中へ、前記有機層を入れた。９０
℃に昇温し、窒素導入管から液中に窒素をバブリングし
ながら、水を４−メチル−２−ヘプタノン（ＭＩＢＫ）
と共沸させて留去して脱水を行った。放冷後、滴下ロー
トを装着して水分定量受器を外し、室温で、この中へ２
−〔４−（ｔｅｒｔ−ブトキシ）フェニル〕エチルジメ
チルクロロシランと１−〔４−（ｔｅｒｔ−ブトキシ）
フェニル〕エチルジメチルクロロシランとの７：３混合
物６０ｇを加え、ピリジン２１ｇを加え、６０℃で２時
間攪拌反応させた。更にクロロメチルジメチルクロロシ
ラン３６ｇを加え、ピリジン１９ｇを加え、これを６０
℃で１．５時間、室温で１３時間攪拌した。イオン交換
水を加え、攪拌・静置し、水層を除去した。水洗は繰り
返して４回行った。有機層を回収し、ロータリーエバポ
レーターにかけて脱水と溶媒留去とを行い、残留物を得
た。

【０１２７】得られた残留物を４−メチル−２−ヘプタ
ノン（ＭＩＢＫ）５００ｇに溶かしてフラスコに移し、
この中へ６N塩酸６２ｍｌを加え、７０℃で８時間攪拌
反応させた。反応液を静置後、水層を除去し、イオン交
換水を加え、攪拌・静置し、水層を除去した。水洗は繰
り返して５回行った。有機層をろ過後、ロータリーエバ
ポレーターで溶媒を留去した。この残留物をエタノール
１００ｍｌに溶かし、この溶液をｎ−ヘキサン２５００
ｍｌ中に攪拌しながら加えた。１０分間攪拌した後、静
置し、上澄み液をデカンテーションで除いた。沈殿液を
エタノール１００ｍｌに溶かし、ｎ−ヘキサン２５００
ｍｌ中に攪拌しながら加えた。沈殿液をナス型フラスコ
に移し、ロータリーエバポレーターで溶媒を留去した。
残留物にアセトンを加えて溶かし、再びロータリーエバ
ポレーターで溶媒を留去して、下記式（１２）で表され
るアルカリ可溶性シロキサン重合体１３４ｇを得た。該
合成例２のアルカリ可溶性シロキサン重合体は、重量平
均分子量（Ｍｗ）がポリスチレン換算で７５００であ
り、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．４２であり、各
ユニットのモル比は、^２９Ｓｉ−ＮＭＲ及び^１H−ＮＭ
Ｒより分析した結果、ｄ＝０．５２、ｅ＝０．１１、ｆ
＝０．２５、ｇ＝０．０８、ｈ＝０．０４であった。

【０１２８】

【化４１】

【０１２９】＜合成例３＞前記合成例１と同様の方法に
より、前記式（１１）で表されるアルカリ可溶性シロキ
サン重合体を得た。該合成例３のアルカリ可溶性シロキ
サン重合体は、重量平均分子量（Ｍｗ）がポリスチレン
換算で４０００であり、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）が
１．２３であり、各ユニットのモル比は、^２９Ｓｉ−Ｎ
ＭＲ及び^１H−ＮＭＲより分析した結果、ｄ＝０．４
６、ｅ＝０．１２、ｆ＝０．２８、ｇ＝０．１４であっ
た。

【０１３０】＜合成例４＞前記合成例１と同様の方法に
より、前記式（１１）で表されるアルカリ可溶性シロキ
サン重合体を得た。該合成例４のアルカリ可溶性シロキ
サン重合体は、重量平均分子量（Ｍｗ）がポリスチレン
換算で６４００であり、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）が
１．３０であり、各ユニットのモル比は、^２９Ｓｉ−Ｎ
ＭＲ及び^１H−ＮＭＲより分析した結果、ｄ＝０．４
９、ｅ＝０．１０、ｆ＝０．２２、ｇ＝０．１９であっ
た。

【０１３１】＜合成例５＞前記合成例２と同様の方法に
より、前記式（１２）で表されるアルカリ可溶性シロキ
サン重合体を得た。該合成例５のアルカリ可溶性シロキ
サン重合体は、重量平均分子量（Ｍｗ）がポリスチレン
換算で１０５００であり、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）
が２．２２であり、各ユニットのモル比は、^２９Ｓｉ−
ＮＭＲ及び ^１H−ＮＭＲより分析した結果、ｄ＝０．５
５、ｅ＝０．１０、ｆ＝０．２４、ｇ＝０．０９、ｈ＝
０．０２であった。

【０１３２】＜合成例６＞前記合成例２と同様の方法に
より、前記式（１２）で表されるアルカリ可溶性シロキ
サン重合体を得た。該合成例６のアルカリ可溶性シロキ
サン重合体は、重量平均分子量（Ｍｗ）がポリスチレン
換算で９０００であり、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）が
１．７７であり、各ユニットのモル比は、^２９Ｓｉ−Ｎ
ＭＲ及び^１H−ＮＭＲより分析した結果、ｄ＝０．５
９、ｅ＝０．１０、ｆ＝０．２３、ｇ＝０．０４、ｈ＝
０．０３であった。

【０１３３】＜合成例７＞合成例２と同様の方法によ
り、下記式（２７）で表されるアルカリ可溶性シロキサ
ン重合体を１１２ｇ得た。該合成例８のアルカリ可溶性
シロキサン重合体の分子量は、ポリスチレン換算で７３
００であり、分散度は１．３９であり、各ユニットのモ
ル比は、^２９Ｓｉ−ＮＭＲより分析した結果、ｄ２＝
０．５５、（ｅ２＋ｆ２＋ｈ２）＝０．３３、ｇ２＝
０．１２であった。

【化４２】

【０１３４】（実施例１）ｉ線レジスト(住友化学工業
（株）製、スミレジストＰＦＩ−３８Ａ９)：エポキシ
樹脂(住友化学工業（株）製、スミエポキシ ＥＳＣＮ
−１９５ＸＬ７)：２−ヘプタノン=５：１：１の混合溶
液を作製し、これを０．２μｍフィルターで濾過し、下
地液とした。この下地液をシリコン基板上に２０００ｒ
ｐｍでスピンコートした後、ホットプレート上で２７０
℃、２時間焼成し、厚みが１．４５μｍの下地層を前記
シリコン基板上に形成した。

【０１３５】前記合成例２のアルカリ可溶性シロキサン
重合体、下記感光性化合物１、下記感光性化合物２、２
−ヘプタノン、γ−ブチロラクトンを、１００：３０：
３０：４７５．７：４．３の質量比で混合した溶液を調
製し、ポジ型レジスト組成物とした（ポジ型レジスト組
成物１）。なお、ポジ型レジスト組成物１は、スピンコ
ート前に０．２μｍフィルターを用いて濾過してから使
用した。

【０１３６】なお、前記感光性化合物１は、下記式（１
３）で表されるフェノール化合物１モルに１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホン酸クロリドを２モル縮
合させた生成物であり、前記感光性化合物２は、下記式
（１４）で表されるフェノール化合物１モルに１，２−
ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリドを１．
８モル縮合させた生成物である。

【０１３７】

【化４３】

【０１３８】

【化４４】

【０１３９】このポジ型レジスト組成物１を、前記下地
層上にスピンコートした後、９０℃で１分間加熱し、該
下地層上に０．５５μｍのポジ型レジスト組成物１によ
るレジスト膜を形成した。これにステッパー（ニコン
（株）製、ＮＳＲ２００５ｉ９Ｃ、ＮＡ＝０．５７、ｓ
ｉｇｍａ＝０．６０）を用い、３６５ｎｍの光をライン
アンドスペースパターンを通して照射し、前記レジスト
膜に対しパターニングを行った。

【０１４０】前記レジスト膜が形成された前記シリコン
基板を１１０℃で６０秒加熱し、２３℃まで冷却した
後、テトラメチルアンモウムヒドロキシド２．３８質量
％水溶液で1分間パドル現像した後、水で１５秒間リン
スすることにより、所望のラインアンドスペースパター
ンを形成するレジストパターンを得た。得られたレジス
トパターンの断面を電子顕微鏡で観察した。０．８μｍ
のラインアンドスペースのライン部とスペース部との前
記下地層上での幅が等幅となる照射量（３００ｍＪ／ｃ
ｍ^２）において、スリット部の解像度を評価したとこ
ろ、０．２９μｍまで解像した。

【０１４１】（実施例２）実施例１において、合成例２
のアルカリ可溶性シロキサン重合体を合成例３のアルカ
リ可溶性シロキサン重合体に変更した以外は、実施例１
と同様の方法で、ポジ型レジスト組成物２を得た。この
ポジ型レジスト組成物２を、実施例１と同様に、下地層
上にスピンコートした後、９０℃で１分間加熱し、該下
地層上に０．５５μｍのポジ型レジスト組成物２による
レジスト膜を形成した。このレジスト膜に対し、実施例
１と同様に露光〜リンスの操作を行い、ラインアンドス
ペースパターンを形成するレジストパターンを得た。得
られたレジストパターンの断面を電子顕微鏡で観察し
た。０．８μｍのラインアンドスペースのライン部とス
ペース部との前記下地層上での幅が等幅となる照射量
（２５０ｍＪ／ｃｍ^２）において、スリット部の解像度
を評価したところ、０．２５μｍまで解像した。

【０１４２】（実施例３）実施例１において、合成例２
のアルカリ可溶性シロキサン重合体を合成例４のアルカ
リ可溶性シロキサン重合体に変更した以外は、実施例１
と同様の方法で、ポジ型レジスト組成物３を得た。この
ポジ型レジスト組成物３によるレジスト膜の酸素プラズ
マエッチング耐性を調べるために、平行平板型のドライ
エッチング装置を用い、ｒｆパワー１００Ｗ／ｃｍ^２、
酸素流量５０ｓｃｃｍ、ガス圧５．０Ｐａの条件で、該
レジスト膜の酸素プラズマエッチングを行った。その結
果、ポジ型レジスト組成物３によるレジスト膜の１１０
℃で６０秒焼成後のエッチング速度は、０Å／ｍｉｎで
あった。これに対して、同エッチング条件でのノボラッ
ク系のｉ線レジスト（住友化学工業（株）製、スミレジ
ストＰＦＩ−３８Ａ９）によるレジスト膜の２７０℃で
２時間焼成後のエッチング速度は、２０５０Å／ｍｉｎ
であり、ポジ型レジスト組成物３が十分な酸素プラズマ
耐性を有することが判った。

【０１４３】（実施例４）実施例１において、合成例２
のアルカリ可溶性シロキサン重合体を合成例１のアルカ
リ可溶性シロキサン重合体に変更した以外は、実施例１
と同様の方法で、ポジ型レジスト組成物４を得た。この
ポジ型レジスト組成物４の保存安定性を調べるため、溶
液中の粒子数の経時変化を測定した。ポジ型レジスト組
成物４の溶液を調製した後、１日放置し、０．２μｍフ
ィルターでろ過した直後の値を初期値とした。５℃で２
０日保存した後の該溶液中における０．３μｍ以上の粒
子数は、初期値１４９個／ｍｌに対して１５７個／ｍｌ
であり、２３℃で２０日保存した後の該溶液中における
０．３μｍ以上の粒子数は、初期値１３７個／ｍｌに対
して１２７個／ｍｌであり、４０℃で１０日保存した後
の該溶液中における０．３μｍ以上の粒子数は、初期値
１２５個／ｍｌに対して１２９個／ｍｌであり、該溶液
中の粒子数はほとんど変化しないことが判った。

【０１４４】なお、比較実験として特公平５−５８４４
６号公報に記載のＳｉ含有ポジ型レジスト組成物の保存
安定性を調べるため、その溶液を調製した後、１日放置
し、０．２μｍフィルターでろ過した直後の値を初期値
とした。５℃で２０日保存した後の該溶液中における
０．３μｍ以上の粒子数は、初期値１５０個／ｍｌに対
して３６２個／ｍｌであり、２３℃で２０日保存した後
の該溶液中における０．３μｍ以上の粒子数は、初期値
１４６個／ｍｌに対して４８７５個／ｍｌであり、該溶
液中の粒子数はかなり変動していることが判った。な
お、４０℃で１０日保存した後では該溶液はゲル化し
た。

【０１４５】（実施例５）前記合成例５のアルカリ可溶
性シロキサン重合体、下記感光性化合物３、下記式（１
５）で表されるフェノール化合物、２−ヘプタノン、γ
−ブチロラクトンを、１００：５０：５：４６０．８：
４．２の質量比で混合した溶液を作製し、ポジ型レジス
ト組成物とした（ポジ型レジスト組成物５）。なお、ポ
ジ型レジスト組成物５は、スピンコート前に０．２μｍ
フィルターを用いて濾過してから使用した。

【０１４６】

【化４５】 なお、前記感光性化合物３は、下記式（１６）で表され
るフェノール化合物１モルに１，２−ナフトキノンジア
ジド−５−スルホン酸クロリドを３モル縮合させた生成
物である。

【０１４７】

【化４６】

【０１４８】このポジ型レジスト組成物５を、前記下地
層上にスピンコートした後、９０℃で１分間加熱し、該
下地層上に０．５５μｍのポジ型レジスト組成物５によ
るレジスト膜を形成した。これに実施例１と同様の露光
〜リンスの操作を行い、ラインアンドスペースパターン
を形成するレジストパターンを得た。

【０１４９】得られたレジストパターンの断面を電子顕
微鏡で観察した。０．８μｍのラインアンドスペースの
ライン部とスペース部との前記下地層上での幅が等幅と
なる照射量（４２５ｍＪ／ｃｍ^２）において、スリット
部の解像度を評価したところ、０．３０μｍまで解像し
た。

【０１５０】（実施例６）前記合成例５のアルカリ可溶
性シロキサン重合体、前記感光性化合物３、下記感光性
化合物４、前記式（１５）で表されるフェノール化合
物、２−ヘプタノン、γ−ブチロラクトンを、１００：
２３．１：２６．９：１．５：４５０．４：４．１の質
量比で混合した溶液を作製し、ポジ型レジスト組成物６
とした（ポジ型レジスト組成物６）。なお、ポジ型レジ
スト組成物６は、スピンコート前に０．２μｍフィルタ
ーを用いて濾過してから使用した。なお、前記感光性化
合物４は、下記式（１７）で表されるフェノール化合物
１モルに１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン
酸クロリドを２モル縮合させた生成物である。

【０１５１】

【化４７】

【０１５２】このポジ型レジスト組成物６を、前記下地
層上にスピンコートした後、９０℃で１分間加熱し、該
下地層上に０．５５μｍのポジ型レジスト組成物層６に
よるレジスト膜を形成した。これに実施例１と同様の露
光〜リンスの操作を行い、ラインアンドスペースパター
ンを形成するレジストパターン得た。

【０１５３】得られたレジストパターンの断面を電子顕
微鏡で観察した。０．８μｍのラインアンドスペースの
ライン部とスペース部との前記下地層上での幅が等幅と
なる照射量（４５０ｍＪ／ｃｍ^２）において、スリット
部の解像度を評価したところ、０．２５μｍまで解像し
た。

【０１５４】（実施例７）前記合成例６のアルカリ可溶
性シロキサン重合体、前記感光性化合物１、前記感光性
化合物４、前記式（１６）で表されるフェノール化合
物、２−ヘプタノン、γ−ブチロラクトンを、１００：
２３．１：２６．９：１．５：４５０．４：４．１の質
量比で混合した溶液を作製し、ポジ型レジスト組成物７
とした（ポジ型レジスト組成物７）。なお、ポジ型レジ
スト組成物７は、スピンコート前に０．２μｍフィルタ
ーを用いて濾過してから使用した。このポジ型レジスト
組成物７を、前記下地層上にスピンコートした後、９０
℃で１分間加熱し、該下地層上に０．５５μｍのポジ型
レジスト組成物７によるレジスト膜を形成した。これに
実施例１と同様の露光〜リンスの操作を行い、ラインア
ンドスペースパターンを形成するレジストパターンを得
た。

【０１５５】得られたレジストパターンの断面を電子顕
微鏡で観察した。０．８μｍのラインアンドスペースの
ライン部とスペース部との前記下地層上での幅が等幅と
なる照射量（５００ｍＪ／ｃｍ^２）において、スリット
部の解像度を評価したところ、０．２７μｍまで解像し
た。

【０１５６】（実施例８）前記ポジ型レジスト組成物３
の調製直後と保存（２３℃で６ヵ月保存）後とにおける
レジスト特性を比較した結果、保存（２３℃で６ヵ月保
存）後でも調製直後と同様の感度、解像性を示した。な
お、比較実験として市販のポジ型レジスト組成物（富士
写真フイルムオーリン社製、ＦＨ−ＳＰ）の調製直後と
保存（２３℃で６ヵ月保存）後とにおけるレジスト特性
を比較した結果、保存（２３℃で６ヵ月保存）後では調
製直後に比べて感度、解像性が劣化した。

【０１５７】ここで、前記ポジ型レジスト組成物１〜７
それぞれの厚みが１μｍの塗膜のｉ線透過率Ｔ（％）
を、前記数式を用いて以下の方法により算出した。ま
ず、前記合成例１〜６において合成したアルカリ可溶性
シロキサン重合体１〜６及び前記式（１５）で表される
フェノール化合物の、ｉ線透過率は１００％であった。
前記数式中、ＡとＴとの関係式において、「Ｔ」は、ア
ルカリ可溶性シロキサン重合体１００質量部、前記式
（１５）で表されるフェノール化合物１．５質量部、及
び感光性化合物５０質量部の２−ヘプタノン溶液（固形
分２５％）をガラス基板上にスピンコートして作製した
厚み０．５５μｍの塗膜のｉ線透過率（％）を意味す
る。この塗膜のｉ線透過率（％）は、上記ガラス基板と
同様のガラス基板を対照として分光光度計（日立（株）
製、Ｕ−３５００）を用いて測定した実測値である。こ
の実測値「Ｔ」から、前記ＡとＴとの関係式により、各
感光性化合物を厚み１μｍに塗布した場合における塗膜
の吸光度「Ａ」を算出した。その結果を表１に示した。

【０１５８】

【表１】

【０１５９】次に、実施例１〜７で調製したポジ型レジ
スト組成物１〜７の厚みが１μｍの塗膜のｉ線吸光度
「Ａ’」を、前記数式中、ＡとＡ’との関係式におい
て、先に算出しておいた各感光性化合物１〜４の吸光度
「Ａ」の値、及びポジ型レジスト組成物中の全固形分に
対する当該感光性化合物の重量比「Ｗ」に基づいて算出
した。この吸光度「Ａ’」に基づいて、前記数式中、
Ａ’とＴ’との関係式から、ポジ型レジスト組成物によ
る厚みが１μｍの塗膜のｉ線透過率「Ｔ’」（％）を算
出した。その結果を表２に示した。

【０１６０】

【表２】

【０１６１】（実施例９）前記合成例２のアルカリ可溶
性シロキサン重合体(全ケイ素原子に占めるＳｉ−ＯＨ
となっているケイ素原子の割合が８％)と、感光性化合
物５と、２−ヘプタノンと、γ−ブチロラクトンと、界
面活性剤[ポリエチレングリコールベンジルエーテル(商
品名:BA-1、青木油脂工業（株）製;HLB=5.8)]とを、質
量比（前記合成例７のアルカリ可溶性シロキサン重合
体：感光性化合物５：２−ヘプタノン：γ−ブチロラク
トン：界面活性剤[ポリエチレングリコールベンジルエ
ーテル(商品名:BA-1、青木油脂工業（株）製;HLB=5.
8)]）で１００：６０：４７５．７：４．３：１の質量
比で混合した溶液からなるポジ型レジスト組成物８を調
製した。なお、このポジ型レジスト組成物８は、スピン
コート前に０．２μｍフィルターを用いて濾過し、使用
した。

【０１６２】なお、前記感光性化合物５としては、前記
式（１３）で表されるフェノール化合物１モルに対して
1,2-ナフトキノンシ゛アシ゛ト゛-5-スルホン酸クロリト゛を２モル用いた縮合
生成物と、前記式（１４）で表されるフェノール化合物
１モルに対して1,2-ナフトキノンシ゛アシ゛ト゛-5-スルホン酸クロリト゛を1.8
モル用いた縮合生成物を等量混合したものを用いた。

【０１６３】まず、ｉ線レジスト(商品名：スミレジス
トPFI-38A9；住友化学工業(株)製)：エポキシ樹脂(商品
名：スミエポキシ ESCN-195XL7；住友化学工業(株)
製)：２−ヘプタノン＝５：１：１の質量比で混合した
溶液を調製し、これを０．２μｍフィルターで濾過し、下地
層形成用塗布液とした。この下地層形成用塗布液をシリ
コン基板上に２０００ｒｐｍでスピンコートした後、ホ
ットプレート上で２７０℃、２時間焼成し、厚みが１．
４５μｍの下地層を前記シリコン基板上に形成した。

【０１６４】次に、前記ポジ型レジスト組成物８を、前
記下地層上に、スピンコートした後、９０℃、１分間加
熱することにより、厚みが０.５５μｍのレジスト膜を
形成した。

【０１６５】次に、該レジスト膜にステッパー（NSR200
5i9C；ニコン製、NA=0.57, sigma=0.40）を用いて３６
５ｎｍの光をホールパターンのホール径４００ｎｍ、デ
ューティ比＝１：２、ハーフトーンシフタ部の透過率が
６％のハーフトーンマスクを通して600mJ/cm²照射し
た。

【０１６６】前記該レジスト膜が形成された前記シリコ
ン基板を１１０℃で６０秒間加熱し、２３℃まで冷却し
た後、テトラメチルアンモウムハイドロキシド２．３８
％水溶液で１分間パドル現像した後、水で１５秒間リン
スすることにより、前記ホールパターンを形成するレジ
ストパターンを形成した。形成したレジストパターンの
断面を電子顕微鏡で観察し、サイドローブ部の最深部の
膜厚をポジ型レジスト組成物によるレジスト膜の厚みで
除した膜厚比を求め、表３に記載の値を得た。なお、前
記界面活性剤であるポリエチレングリコールベンジルエ
ーテルを添加した場合は、後述の比較実験１のようにこ
れを添加しない場合に比べてサイドローブの発生が抑制
されていた。

【０１６７】（実施例１０）実施例９で用いた界面活性
剤を、ソルビタントリオレエート(商品名:SPAN85、関東
化学（株）製;HLB=2.1)に変更した以外は、実施例９と
同様にしてホールパターンを形成した。形成したレジス
トパターンの断面を電子顕微鏡で観察し、サイドローブ
部の最深部の膜厚をポジ型レジスト組成物によるレジス
ト膜の厚みで除した膜厚比を求め、表３に記載の値を得
た。前記界面活性剤であるソルビタントリオレエートを
添加した場合は、前記比較実験１の場合に比べてサイド
ローブの発生が抑制されていた。

【０１６８】（実施例１１）実施例９の界面活性剤を、
ソルビタンモノステアリレート(商品名:SP-S10、花王
（株）製;HLB=4.7)に変更した以外は、実施例９と同様
な操作を行い、ホールパターンを形成した。得られたレ
ジストパターンの断面を電子顕微鏡で観察し、サイドロ
ーブ部の最深部の膜厚をポジ型レジスト組成物によるレ
ジスト膜の厚みで除した膜厚比を求め、表３に記載の値
を得た。前記界面活性剤であるソルビタンモノステアリ
レートを添加した場合は、前記比較実験１の場合に比べ
てサイドローブの発生が抑制されていた。

【０１６９】（実施例１２）実施例９の界面活性剤を、
ポリカルボン酸系界面活性剤のデモールＥＰ（花王
（株）製）に変更した以外は、実施例９と同様な操作を
行い、ホールパターンを形成した。形成したレジストパ
ターンの断面を電子顕微鏡で観察し、サイドローブ部の
最深部の膜厚をポジ型レジスト組成物によるレジスト膜
の厚みで除した膜厚比を求め、表３に記載の値を得た。
前記ポリカルボン酸系界面活性剤のデモールＥＰの添加
を添加した場合は、比較実験１の場合に比べてサイドロ
ーブの発生が抑制されていた。

【０１７０】（比較実験１）実施例９における界面活性
剤を添加しない以外は、実施例９と同様にしてホールパ
ターンを形成した。形成したレジストパターンの断面を
電子顕微鏡で観察し、サイドローブ部の最深部の膜厚を
ポジ型レジスト組成物によるレジスト膜の厚みで除した
膜厚比を求め、表３に記載の値を得た。

【０１７１】（実施例１３）実施例９における合成例２
のアルカリ可溶性シロキサン重合体(全ケイ素原子に占
めるＳｉ−ＯＨとなっているケイ素原子の割合が８％)
を、合成例７のアルカリ可溶性シロキサン重合体（同割
合が１２％）に変更した以外は、実施例９と同様にして
ホールパターンを形成した。形成したパターンの断面を
電子顕微鏡で観察し、サイドローブ部の最深部の膜厚を
ポジ型レジスト組成物によるレジスト膜の厚みで除した
膜厚比を求め、表３に記載の値を得た。前記界面活性剤
であるポリエチレングリコールベンジルエーテルを添加
した場合は、比較実験２に比べてサイドローブの発生が
抑制されていた。

【０１７２】（実施例１４）実施例１０における合成例
２のアルカリ可溶性シロキサン重合体(全ケイ素原子に
占めるＳｉ−ＯＨとなっているケイ素原子の割合が８
％)を、合成例７のアルカリ可溶性シロキサン重合体
（同割合が１２％）に変更した以外は、実施例１０と同
様にしてホールパターンを形成した。形成したレジスト
パターンの断面を電子顕微鏡で観察し、サイドローブ部
の最深部の膜厚をポジ型レジスト組成物によるレジスト
膜の厚みで除した膜厚比を求め、表３に記載の値を得
た。前記界面活性剤であるポリエチレングリコールベン
ジルエーテルを添加した場合は、比較実験２に比べてサ
イドローブの発生が抑制されていた。

【０１７３】（実施例１５）実施例１１における合成例
２のアルカリ可溶性シロキサン重合体(全ケイ素原子に
占めるＳｉ−ＯＨとなっているケイ素原子の割合が８
％)を、合成例７のアルカリ可溶性シロキサン重合体
（同割合が１２％）に変更した以外は、実施例１１と同
様にしてホールパターンを形成した。形成したレジスト
パターンの断面を電子顕微鏡で観察し、サイドローブ部
の最深部の膜厚をポジ型レジスト組成物によるレジスト
膜の厚みで除した膜厚比を求め、表３に記載の値を得
た。前記界面活性剤であるソルビタンモノステアリレー
トを添加した場合は、前記比較実験２の場合に比べてサ
イドローブの発生が抑制されていた。

【０１７４】（比較実験２）実施例１３において、界面
活性剤を添加しなかった以外は、実施例１３と同様にし
てホールパターンを形成した。形成したレジストパター
ンの断面を電子顕微鏡で観察し、サイドローブ部の最深
部の膜厚をポジ型レジスト組成物によるレジスト膜で除
した膜厚比を求め、表３に記載の値を得た。

【０１７５】（実施例１６）実施例９における合成例２
のアルカリ可溶性シロキサン重合体(全ケイ素原子に占
めるＳｉ−ＯＨとなっているケイ素原子の割合が８％)
を、合成例４のアルカリ可溶性シロキサン重合体(同割
合が１９％)に変更し、及び露光量を４００mJ/cm²に変
更した以外は、実施例９と同様にしてホールパターンを
形成した。形成したレジストパターンの断面を電子顕微
鏡で観察し、サイドローブ部の最深部の膜厚をポジ型レ
ジスト組成物によるレジスト膜で除した膜厚比を求め、
表３に記載の値を得た。前記界面活性剤であるポリエチ
レングリコールベンジルエーテルを添加した場合は、比
較実験３に比べてサイドローブの発生が抑制されてい
た。

【０１７６】（比較実験３）実施例１６において界面活
性剤を添加しなかった以外は、実施例１６と同様にして
ホールパターンを形成した。形成したレジストパターン
の断面を電子顕微鏡で観察し、サイドローブ部の最深部
の膜厚をポジ型レジスト組成物によるレジスト膜で除し
た膜厚比を求め、表３に記載の値を得た。

【０１７７】

【表３】

【０１７８】表３の結果から、特定の界面活性剤を添加
した実施例９〜１６の各ポジ型レジスト組成物の場合、
該特定の界面活性剤を添加する前の比較実験１〜３の各
ポジ型レジスト組成物の場合に比し、サイドローブ部に
おける膜厚比が大きくなっており、サイドローブの発生
が効果的に抑制されたことが明らかである。

【０１７９】（実施例１７）図１及び図２は、２層レジ
スト法における上層に本発明のポジ型レジスト組成物を
用いて、レジストパターンを形成した実施例を説明する
ための工程図であり、ラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）
パターンにおけるライン部と直交方向に沿って切った断
面図である。

【０１８０】図１（Ａ）に示すように、下地としてシリ
コン基板１を用意し、シリコン基板１上に、図１（Ｂ）
に示すように、第１レジスト層３（即ち、遠紫外光に感
応するポジ型レジスト層、日本ゼオン（株）製のＺＥＰ
７０００Ｂを用いて形成）を、回転塗布法により形成し
た。次に、これをホットプレート上で１８０℃で９０秒
間加熱した。この熱処理後の第１レジスト層３の厚みは
約５５０ｎｍであった。なお、シリコン基板１と第１レ
ジスト層３との密着性を高めるために第１レジスト層３
を形成する前にシリコン基板１の表面を疎水性にする前
処理を行ってもよく、この実施例ではこの前処理を行っ
た。具体的には、第１レジスト層３を形成する前にシリ
コン基板１を、ホットプレート上で２００℃で１００秒
間加熱した後、ヘキサメチルジシラザンの蒸気に１００
℃に加熱しながら３０秒間さらすことにより前記前処理
を行った。

【０１８１】次に、図１（Ｃ）に示すように、第１レジ
スト層３上に、第２レジスト層５（即ち、紫外線（ｉ
線）に感応する本発明の前記ポジ型レジスト組成物によ
る層）を形成した。次に、これをホットプレート上で９
０℃で９０秒間加熱した。この加熱処理後の第２レジス
ト層５の厚みは約１５００ｎｍであった。なお、第２レ
ジスト層５に対する加熱処理の際、第１レジスト層３と
第２レジスト層５との界面には、図１（Ｄ）に示すよう
に、両レジストの相互熱拡散に起因する混合層（インタ
ーレイヤー）７が生成した。この混合層７の厚みは、そ
の測定が困難なため明確ではないが数１０ｎｍ程度と推
定された。

【０１８２】次に、第２レジスト層５に対し、ｉ線を用
いてラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）パターンを形成す
るためにフォトマスクを用いて選択的に露光を行った。
具体的には、図２（Ｅ）に示すように、所望のラインア
ンドスペース（Ｌ／Ｓ）パターンに対応するパターンを
有したフォトマスク９（遮光部９ａを有する）を介し
て、高圧水銀ランプによるｉ線（波長３６５ｎｍ）を照
射して露光を行った。

【０１８３】露光後、この対象物をホットプレート上で
１１０℃、９０秒間加熱処理し、いわゆる露光後ベーク
（Post Exposure Bake）を行い、ホットプレート上で室
温まで戻した。次に、この対象物に対し、現像液（東京
応化工業（株）製、ＮＭＤ−３（２．３８質量％））を
用いてパドル方式による現像処理を行い、次いで純水に
よりリンスを行った。その後、水を蒸発させるためにこ
の対象物を、ホットプレート上で１２０℃、９０秒間加
熱した。以上により、第２レジスト層５のパターニング
が終了し、図２（Ｆ）に示すように、第２レジスト層５
における、ｉ線による露光部５ａが除去されたパターン
５ｘが形成された。

【０１８４】ここで、酸素プラズマエッチング処理を行
ったところ、第２レジスト層５によるパターン５ｘは、
酸素プラズマエッチング耐性に優れることからエッチン
グされず、混合層７及び第２レジスト層５がエッチング
されて、第２レジスト層５によるパターン５ｘが混合層
７及び第２レジスト層５にも転写され、パターン５ｘと
同じ形状の積層パターン１０ａが形成された。

【０１８５】（実施例１８）ここでは、図３に示すよう
な磁気ヘッド（ＭＲ型ヘッド）における端子１２にＭＲ
素子部１１を以下のようにして作製した。即ち、図４
（ａ）に示すように、支持材２１の上にアルミナ層２２
を設け、その上にＮｉＦｅによる下部シールド層２３と
アルミナによる下部ギャップ層２４とを順次形成し、更
に下部ギャップ層２４上にＭＲパターン２５を備えた基
板の表面に、第１レジスト層２６を形成する。次に、こ
の第１レジスト層２６を形成した基板を被処理基板とし
て、図４（ｂ）に示すように、その全面に単色光２７を
照射して表層を改質し、後にその上に形成する第２レジ
スト層との混合（ミキシング）を防ぐようにした。こう
して表層を改質した第１レジスト層２６の上に、図４
（ｃ）に示すように、第２レジスト層２９を形成した
後、所望のマスクパターンを有するフォトマスクを用い
てｉ線３０を照射して選択的に露光を行った。なお、図
４（ｃ）においては、この露光による露光部３１及び３
２が存在している。露光後にベークを行い、現像処理を
行った。

【０１８６】すると、図５（ｄ）に示すように、第１レ
ジスト層２６によるパターン２６'が第２レジスト層２
９によるパターン２９'の下に食い込んだ形状のレジス
トパターンが形成された。なお、図５（ｅ）のように、
ＭＲ素子２５上のレジストパターン下部を中空としても
よい。次に、以上のようにして２層レジストパターンを
形成した基板表面に、図５（ｆ）に示すように、端子形
成材料３３を製膜した。その後、現像液を用いて前記２
層レジストパターンを溶解し、剥離除去（リフトオフ）
して、図５（ｇ）に示すように、前記２層レジストパタ
ーンが形成されていなかった部分に、端子形成材料３３
によるパターンを形成した。なお、図５（ｇ）におけ
る、ＭＲパターン２５が図３におけるＭＲ素子部１１に
相当し、端子形成材料３３によるパターンが図３におけ
る端子１２に相当する。

【０１８７】ここで、次に、図６及び図７を参照しなが
ら中空リフトオフプロセスについて説明する。図６は、
ＭＲ素子４１に接続する端子４２を、第１レジスト層４
３と第２レジスト層４４との２層レジストを利用して形
成した状態を示す平面図である。第１レジスト層４３
は、第２レジスト層４４の下部に食い込んだ形で形成さ
れており、その外周の輪郭が破線で示されている。ＭＲ
素子４１の部分（図６（上側）の円Ａで示された部分）
を拡大したのが図６（下側）であり、ここでも第２レジ
スト層４４下の第１レジスト層４３はその外周の輪郭が
破線で示されており、ＭＲ素子４１の上方には、第２レ
ジスト層４４のみが存在し、この部分が中空構造になっ
ている。図７の断面図に示すように、図７（上側）は、
図６（下側）の５０−５０線断面図であり、ＭＲ素子４
１と第２レジスト層４４との間には中空部分が形成され
ている。図７（下側）は、図６（下側）の５０'−５０'
線断面図であり、ここに示されるように、基板４０上に
形成した第１レジスト層４３上に第２レジスト層４４が
形成されている。図７（上側）及び図７（下側）におい
て、第２レジスト層４４上にある端子形成材料による膜
（４２）は、後のリフトオフ処理により、第１レジスト
層４３及び第２レジスト層４４による２層レジストと共
に除去される。

【０１８８】また、ここで、磁気ヘッド（ＭＲヘッド）
用のＭＲ素子をリフトオフプロセスにより作製した例に
ついて説明する。図８（ａ）に示すように、支持材６１
上にアルミナ層６２を設け、その上にＮｉＦｅによる下
部シールド層６３とアルミナによる下部ギャップ層６４
とを順次形成し、下部ギャップ層６４上にＭＲ素子を形
成するためのＭＲ膜６５を備えた基板を用意した。次
に、該基板の表面におけるＭＲ膜６５をパターニングし
て、図８（ｂ）に示すように、ＭＲ素子６６を形成し
た。続いて、図８（ｃ）に示すように、前記基板の下部
ギャップ層６４上に、マスクパターン６７を利用して端
子６８を形成した。そしてリフトオフにより、図８
（ｄ）に示すように、マスクパターン６７を除去した。
その後、図８（ｅ）に示すように、イオンミリングによ
り、下部シールド層６３及び下部ギャップ層６４のパタ
ーニングを行って下部シールド６３'と下部ギャップ６
４'とを形成した。一方、図９（ａ）に示すように、前
記基板にパターニングを行って下部シールド６３'と下
部ギャップ６４'とを形成し、図９（ｂ）に示すよう
に、ＭＲ素子６６の形成とリフトオフによる端子６８の
形成とを行った後、図９（ｃ）に示すように、下部シー
ルド６３'と下部ギャップ６４'とのパターニングを更に
行って、最終的な形状の下部シールド６３”と下部ギャ
ップ６４”とを形成してもよい。

【０１８９】次に、ここで、磁気ヘッドの他の製造例に
ついて図１０及び図１１を参照して説明する。図１０
（ａ）に示すように、支持材（図示せず）上に設けたア
ルミナ層（図示せず）上に、ＮｉＦｅによる下部シール
ド層８３、アルミナによる下部ギャップ層８４、ＭＲ素
子を形成するためのＭＲ膜８５を、順次形成した基板を
用い、その表面に、第１レジスト層のレジスト材料とし
て、日本マクダーミッド社製のポリメチルグルタルイミ
ドを厚みが０．３μｍとなるようにしてスピンコート
し、１８０℃で２分間ベーキングして第１レジスト層８
６を形成した。その後、該基板を表面処理チャンバ内の
ホットプレート上に移し、波長１７２ｎｍの光（Ｘｅ₂
エキシマ光）にて照射距離１ｍｍで２０秒間、全面照射
処理を行った。次に、この基板を再びコーターカップに
戻して回転させながら本発明の前記ポジ型レジスト組成
物を滴下し、厚みが２．０ｎｍとなるようにスピンコー
トし、１１０℃で２分間ベーキングして、第２レジスト
層８７を第１レジスト層８６上に形成した。続いて、図
１０（ｃ）に示すように、ｇ線ステッパにて所定のマス
クパターンを用いてｉ線８８を照射し，露光後、２．３
８質量％テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド
水溶液を用いて現像した。この際、第１レジスト層８６
及び第２レジスト層８７は、同時に現像され、図１０
（ｄ）に示すように、２層レジストパターン８９が形成
された。２層レジストパターン８９は、下層が上層より
も１．０μｍ食い込んだ形状であることが光学顕微鏡に
よる観察で確認された。次に、図１１（ｅ）に示すよう
に、この２層レジストパターン８９をマスクとしてＭＲ
膜８５をイオンミリングにてパターニングしてＭＲ素子
８５ａを形成後、図１１（ｆ）に示すように、端子とな
る金属膜８１をスパッタ形成し、次いで２層レジストパ
ターン８９をレジスト剥離剤(富士ハント社製、ＭＳ−
２００１)を用いて剥離し、エタノールで洗浄後、乾燥
して端子８１を形成した。

【０１９０】（実施例１９）図１２は、ＨＥＭＴのＴゲ
ート電極の製造例の工程図であり、図１２（ａ）に示す
ように、まず、表層部にバッファ・エピタキシャル層、
二次電子供給用エピタキシャル層、キャップ・エピタキ
シャル層が順次形成されたＧａＡｓ基板９０上に、ネガ
型の第１電子ビームレジスト（シプレイ社製、ＳＡＬ−
６０１）を塗布し、ベークングした。その後、ゲート長
が０．１μｍで厚みが１μｍの孤立ライン形状のレジス
トパターン９１を形成するために電子ビームによる露光
を行った。露光後、ネガ型の第１電子ビームレジストを
現像し、水洗し、乾燥させることにより、ゲート長が
０．１μｍで厚みが１μｍの孤立ライン形状のレジスト
パターン９１を形成した。次に、図１２（ｂ）に示すよ
うに、レジストパターン９１のぬれ性を制御する目的
で、酸素プラズマ（例えば、電力１００Ｗ、処理時間３
０秒、酸素流量２００ｓｃｃｍの条件）により処理し
た。次に、図１２（ｃ）に示すように、絶縁膜の一種で
あるスピン・オン・グラス（ＳＯＧ）であるＯＣＤ（東
京応化工業社製）を厚みが０．５μｍとなるようにＧａ
Ａｓ基板９０上に塗布し、１１０℃で２時間ベークし
た。以上により絶縁膜９２を形成した。この後、Ｏ_２ア
ッシャーにより孤立ライン形状のレジストパターン９１
を除去することにより、絶縁膜９２の断面がテーパ形状
をした開口部９２ａ（テーパ角度＝６０度）を形成し
た。次に、図１２（ｄ）に示すように、ＧａＡｓ基板９
０の全面に下部ゲート電極用の第１金属配線層９３とし
て、ＴｉＷを厚みが０．１μｍとなるようにスパッタ法
にて堆積させた。第１金属配線層９３上に、本発明のポ
ジ型レジスト組成物を厚みが０．６μｍとなるように塗
布し、ベークングしてレジスト層９４を形成した。この
後、開口部９２ａよりも大きな開口を有し断面形状が逆
テーパ形状である開口部９４ａを形成するために露光を
行い、レジスト層９４を現像し、水洗し、乾燥させ、ゲ
ート長が０．５μｍである開口部９４ａを形成した。そ
の後、ＧａＡｓ基板９０の全面に、上部ゲート電極用の
第２金属配線層９５としてＴｉ、Ａｌをこの順に厚みが
０．５μｍとなるように蒸着法により堆積させた。図１
２（ｅ）に示すように、開口部９２ａに形成されている
第２金属配線層９５部分を残し、不要な第２金属配線層
９５及びその下のレジスト層９４を有機溶剤を用いてリ
フトオフさせた。次に、図１２（ｆ）に示すように、残
した第２金属配線層９５部分をマスクとしてＲＩＥによ
り、第２金属配線層９５部分の下側に形成されている第
１金属配線層９３を残し、不要な第１金属配線層９３を
除去し、更にその下の絶縁膜９２をＮＨ_４Ｆ液を用いて
除去することにより、微細なＴゲート電極を製造した。

【０１９１】（実施例２０）ここで、図１３を参照しな
がら、プラズマディスプレイにおける隔壁形成プロセス
を説明する。図１３（ａ）〜（ｇ）は、隔壁形成プロセ
スの各工程を示す断面図である。まず、図１３（ａ）に
示すように、ガラス基板１００上にアドレス電極１０１
を形成した。ガラス基板１００は、例えば、厚みが２．
８ｍｍのソーダガラスや高歪点ガラスなどが用いられ
る。アドレス電極１０１の形成後に、例えば誘電体ガラ
スからなる下地層１０２を形成した。なお、以下便宜
上、ガラス基板１００、アドレス電極１０１及び下地層
１０２を総称的に基板１０３と称することがある。次
に、図１３（ｂ）に示すように、基板１０３上に感光性
被覆層１０４を形成した。感光性被覆層１０４として、
本発明の前記ポジ型レジスト組成物を用いて厚みを１２
０μｍとした。次に、図１３（ｃ）に示すように、所定
のパターン幅及びピッチを有するフォトマスク１０５を
用いてｉ線を照射し、露光を行った。露光量は、フォト
マスク１０５のパターン幅及びピッチに応じて適正化さ
せた。図１３（ｄ）に示すように、露光後に現像を行っ
た。現像液は、１質量％炭酸ナトリウム水溶液を使用
し、約３分間現像後に水洗した。その後、図１３（ｅ）
に示すように、基板１０３の上部からプラズマ溶射を行
い、感光性被覆層１０４の溝中に隔壁材料からなる溶射
膜１０７を堆積させた。具体的には、プラズマ溶射トー
チ１０８には冷却ガスポート１１０が設置されており、
プラズマジェット１０９の溶射と同時に、冷却ガス１１
１を基板１０３へ吹き付けた。なお、冷却ガス１１１に
は窒素ガスを用いた。冷却ガス１１１の作用により、溶
射時の熱による感光性被覆層１０４へのダメージが軽減
し、精度のよい隔壁形成が可能となった。また、この溶
射工程で、溶射膜１０７は、感光性被覆層１０４の溝の
内部に主として堆積され、また、感光性被覆層１０４の
表面から上方に盛り上がるように堆積した。しかし、そ
の周囲の感光性被覆層１０４上には、溶射膜はほとんど
堆積（付着）しなかった。次に、図１３（ｆ）に示すよ
うに、感光性被覆層１０４の表面から飛び出した溶射膜
１０７の部分を主に研磨によって除去して、感光性被覆
層１０４の溝の内部に堆積した溶射膜１０７の表面を平
坦化した。次に、図１３（ｇ）に示すように、基板１０
３を、酸素を含む高温雰囲気中にて焼成することによ
り、有機物系の感光性樹脂を燃やして二酸化炭素などの
ガスにして排除し、所定形状の隔壁１０７を基板１０３
上に形成した。以上により、プラズマディスプレイにお
ける隔壁を形成した。

【０１９２】この実施例のプラズマディスプレイパネル
においては、互いに対向して配置された前面基板１５０
と背面基板１５１とを備えている。前面基板１５０上に
は、表示電極１５２及び１５３、誘電体層１５４、及び
ＭｇＯ誘電体保護層１５５が、この順に形成されてい
る。また、背面基板１５１の上には、アドレス電極１５
６及び誘電体層１５７が形成されており、その上には、
更に隔壁１５８が形成され、隔壁１５８の側面には、蛍
光体層１５９が塗布されている。前面基板１５０と背面
基板１５１との間には、放電ガス１６０が所定の圧力で
封入されている。放電ガス１６０を表示電極１５２及び
１５３の間で放電させて紫外線を発生させ、その紫外線
を蛍光体層１５９に照射することによって、カラー表示
を含む画像表示が可能になっている。

【０１９３】（実施例２１） −フラッシュメモリ及びその製造− 実施例２１は、本発明のポジ型レジスト組成物を用いた
本発明の電子回路装置及びその製造方法の一例である。
なお、この実施例２１では、以下のレジスト膜２６、２
７、２９、３２及び３４が、本発明のポジ型レジスト組
成物を用いて形成したものである。

【０１９４】図１６における（ａ）及び（ｂ）は、ＦＬ
ＯＴＯＸ型又はＥＴＯＸ型と呼ばれるＦＬＯＴＯＸ型又
はＥＴＯＸ型と呼ばれるＦＬＡＳＨ ＥＰＲＯＭの上面
図（平面図）であり、図１７における（ａ）〜（ｃ）、
図１８における（ｄ）〜（ｆ）、図１９（ｇ）〜（ｉ）
は、該ＦＬＡＳＨ ＥＰＲＯＭの製造方法に関する一例
を説明するための断面概略図であり、図１７〜図１９に
おける、左図はメモリセル部（第１素子領域）であっ
て、フローティングゲート電極を有するＭＯＳトランジ
スタの形成される部分のゲート幅方向（図１６における
Ｘ方向）の断面（Ａ方向断面）概略図であり、中央図は
前記左図と同部分のメモリセル部であって、前記Ｘ方向
と直交するゲート長方向（図１６におけるＹ方向）の断
面（Ｂ方向断面）概略図であり、右図は周辺回路部（第
２素子領域）のＭＯＳトランジスタの形成される部分の
断面（図１６におけるＡ方向断面）概略図である。

【０１９５】まず、図１７（ａ）に示すように、ｐ型の
Ｓｉ基板２２２上の素子分離領域に選択的にＳｉＯ_２膜
によるフィールド酸化膜２２３を形成した。その後、メ
モリセル部（第１素子領域）のＭＯＳトランジスタにお
ける第１ゲート絶縁膜２２４ａを厚みが１００〜３００
Åとなるように熱酸化にてＳｉＯ_２膜により形成し、ま
た別の工程で、周辺回路部（第２素子領域）のＭＯＳト
ランジスタにおける第２ゲート絶縁膜２２４ｂを厚みが
１００〜５００Åとなるように熱酸化にてＳｉＯ_２膜に
より形成した。なお、第１ゲート絶縁膜２２４ａ及び第
２ゲート絶縁膜２２４ｂを同一厚みにする場合には、同
一の工程で同時に酸化膜を形成してもよい。

【０１９６】次に、前記メモリセル部（図１７（ａ）の
左図及び中央図）にｎ型ディプレションタイプのチャネ
ルを有するＭＯＳトランジスタを形成するため、閾値電
圧を制御する目的で前記周辺回路部（図１７（ａ）の右
図）をレジスト膜２６によりマスクした。そして、フロ
ーティングゲート電極直下のチャネル領域となる領域
に、ｎ型不純物としてドーズ量１×１０^１１〜１×１０
^１４ｃｍ^−２のリン（Ｐ）又は砒素（Ａｓ）をイオン注
入法により導入し、第１閾値制御層２２５ａを形成し
た。なお、このときのドーズ量及び不純物の導電型は、
ディプレッションタイプにするかアキュミレーションタ
イプにするかにより適宜選択することができる。

【０１９７】次に、前記周辺回路部（図１７（ｂ）の右
図）にｎ型ディプレションタイプのチャネルを有するＭ
ＯＳトランジスタを形成するため、閾値電圧を制御する
目的でメモリセル部（図１７（ｂ）の左図及び中央図）
をレジスト膜２２７によりマスクした。そして、ゲート
電極直下のチャネル領域となる領域に、ｎ型不純物とし
てドーズ量１×１０^１１〜１×１０^１４ｃｍ^−２のリン
（Ｐ）又は砒素（Ａｓ）をイオン注入法により導入し、
第２閾値制御層２２５ｂを形成した。

【０１９８】次に、前記メモリセル部（図１７（ｃ）の
左図及び中央図）のＭＯＳトランジスタのフローティン
グゲート電極、及び前記周辺回路部（図１７（ｃ）の右
図）のＭＯＳトランジスタのゲート電極として、厚みが
５００〜２０００Åである第１ポリシリコン膜（第１導
電体膜）２２８を全面に形成した。

【０１９９】その後、図１８（ｄ）に示すように、マス
クとして形成したレジスト膜２２９により第１ポリシリ
コン膜２２８をパターニングして前記メモリセル部（図
１８（ｄ）の左図及び中央図）のＭＯＳトランジスタに
おけるフローティングゲート電極２２８ａを形成した。
このとき、図１８（ｄ）に示すように、Ｘ方向は最終的
な寸法幅になるようにパターニングし、Ｙ方向はパター
ニングせずＳ／Ｄ領域層となる領域はレジスト膜２２９
により被覆されたままにした。

【０２００】次に、（図１８（ｅ）の左図及び中央図）
に示すように、レジスト膜２２９を除去した後、フロー
ティングゲート電極２２８ａを被覆するようにして、Ｓ
ｉＯ _２膜からなるキャパシタ絶縁膜２３０ａを厚みが約
２００〜５００Åとなるように熱酸化にて形成した。こ
のとき、前記周辺回路部（図１８（ｅ）の右図）の第１
ポリシリコン膜２２８上にもＳｉＯ_２膜からなるキャパ
シタ絶縁膜２３０ｂが形成される。なお、ここでは、キ
ャパシタ絶縁膜２３０ａ及び２３０ｂはＳｉＯ _２膜のみ
で形成されているが、ＳｉＯ_２膜及びＳｉ_３Ｎ_４膜が２
〜３積層された複合膜で形成されていてもよい。

【０２０１】次に、図１８（ｅ）に示すように、フロー
ティングゲート電極２２８ａ及びキャパシタ絶縁膜２３
０ａを被覆するようにして、コントロールゲート電極と
なる第２ポリシリコン膜（第２導電体膜）２３１を厚み
が５００〜２０００Åとなるように形成した。

【０２０２】次に、図１８（ｆ）に示すように、前記メ
モリセル部（図１８（ｆ）の左図及び中央図）をレジス
ト膜２３２によりマスクし、前記周辺回路部（図１８
（ｆ）の右図）の第２ポリシリコン膜２３１及びキャパ
シタ絶縁膜２３０ｂを順次、エッチングにより除去し、
第１ポリシリコン膜２２８を表出させた。

【０２０３】次に、図１９（ｇ）に示すように、前記メ
モリセル部（図１９（ｇ）の左図及び中央図）の第２ポ
リシリコン膜２３１、キャパシタ絶縁膜２３０ａ及びＸ
方向だけパターニングされている第１ポリシリコン膜２
２８ａに対し、レジスト膜２３２をマスクとして、第１
ゲート部２３３ａの最終的な寸法となるようにＹ方向の
パターニングを行い、Ｙ方向に幅約１μｍのコントロー
ルゲート電極２３１ａ／キャパシタ絶縁膜２３０ｃ／フ
ローティングゲート電極２２８ｃによる積層を形成する
と共に、前記周辺回路部（図１９（ｇ）の右図）の第１
ポリシリコン膜２２８に対し、レジスト膜２３２をマス
クとして、第２ゲート部２３３ｂの最終的な寸法となる
ようにパターニングを行い、幅約１μｍのゲート電極２
２８ｂを形成した。

【０２０４】次に、前記メモリセル部（図１９（ｈ）の
左図及び中央図）のコントロールゲート電極２３１ａ／
キャパシタ絶縁膜２３０ｃ／フローティングゲート電極
２２８ｃによる積層をマスクとして、素子形成領域のＳ
ｉ基板２２２にドーズ量１×１０^１４〜１×１０^１６ｃ
ｍ^−２のリン（Ｐ）又は砒素（Ａｓ）をイオン注入法に
より導入し、ｎ型のＳ／Ｄ領域層２３５ａ及び２３５ｂ
を形成すると共に、前記周辺回路部（図１９（ｈ）の右
図）のゲート電極２２８ｂをマスクとして、素子形成領
域のＳｉ基板２２２にｎ型不純物としてドーズ量１×１
０^１４〜１×１０^１６ｃｍ^−２のリン（Ｐ）又は砒素
（Ａｓ）をイオン注入法により導入し、Ｓ／Ｄ領域層２
３６ａ及び２３６ｂを形成した。

【０２０５】次に、前記メモリセル部（図１９（ｉ）の
左図及び中央図）の第１ゲート部２３３ａ及び前記周辺
回路部（図１９（ｉ）の右図）の第２ゲート部２３３ｂ
を、ＰＳＧ膜による層間絶縁膜２３７を厚みが約５００
０Åとなるようにして被覆形成した。その後、Ｓ／Ｄ領
域層２３５ａ及び２３５ｂ並びにＳ／Ｄ領域層２３６ａ
及び２３６ｂ上に形成した層間絶縁膜２３７に、コンタ
クトホール２３８ａ及び２３８ｂ並びにコンタクトホー
ル２３９ａ及び２３９ｂを形成した後、Ｓ／Ｄ電極２４
０ａ及び２４０ｂ並びにＳ／Ｄ電極２４１ａ及び２４１
ｂを形成した。以上により、図１９（ｉ）に示すよう
に、半導体装置としてＦＬＡＳＨ ＥＰＲＯＭを製造し
た。

【０２０６】このＦＬＡＳＨ ＥＰＲＯＭにおいては、
前記周辺回路部（図１７（ａ）〜図１８（ｆ）における
右図）の第２ゲート絶縁膜２２４ｂが形成後から終始、
第１ポリシリコン膜２２８又はゲート電極２２８ｂによ
り被覆されている（図１７（ｃ）〜図１８（ｆ）におけ
る右図）ので、第２ゲート絶縁膜２２４ｂは最初に形成
された時の厚みを保持したままである。このため、第２
ゲート絶縁膜２２４ｂの厚みの制御を容易に行うことが
できると共に、閾値電圧の制御のための導電型不純物濃
度の調整も容易に行うことができる。なお、上記実施例
では、第１ゲート部２３３ａを形成するのに、まずゲー
ト幅方向（図１６におけるＸ方向）に所定幅でパターニ
ングした後、ゲート長方向（図１６におけるＹ方向）に
パターニングして最終的な所定幅としているが、逆に、
ゲート長方向（図１６におけるＹ方向）に所定幅でパタ
ーニングした後、ゲート幅方向（図１６におけるＸ方
向）にパターニングして最終的な所定幅としてもよい。

【０２０７】図２０（ａ）〜（ｃ）に示すＦＬＡＳＨ
ＥＰＲＯＭの製造例は、上記実施例において図１８
（ｆ）で示した工程の後が図２０（ａ）〜（ｃ）に示す
ように変更した以外は上記実施例と同様である。即ち、
図２０（ａ）に示すように、前記メモリセル部（図２０
（ａ）における左図及び中央図）の第２ポリシリコン膜
２３１及び前記周辺回路部（図２０（ａ）の右図）の第
１ポリシリコン膜２２８上に、タングステン（Ｗ）膜又
はチタン（Ｔｉ）膜からなる高融点金属膜（第４導電体
膜）２４２を厚みが約２０００Åとなるようにして形成
しポリサイド膜を設けた点でのみ上記実施例と異なる。
図２０（ａ）の後の工程、即ち図２０（ｂ）〜（ｃ）に
示す工程は、図１９（ｇ）〜（ｉ）と同様に行った。図
１９（ｇ）〜（ｉ）と同様の工程については説明を省略
し、図２０（ａ）〜（ｃ）においては図１９（ｇ）〜
（ｉ）と同じものは同記号で表示した。以上により、図
２０（ｃ）に示すように、半導体装置としてＦＬＡＳＨ
ＥＰＲＯＭを製造した。

【０２０８】このＦＬＡＳＨ ＥＰＲＯＭにおいては、
コントロールゲート電極２３１ａ及びゲート電極２２８
ｂ上に、高融点金属膜（第４導電体膜）２４２ａ及び２
４２ｂを有するので、電気抵抗値を一層低減することが
できる。なお、ここでは、高融点金属膜（第４導電体
膜）として高融点金属膜（第４導電体膜）２４２ａ及び
２４２ｂを用いているが、チタンシリサイド（ＴｉＳ
ｉ）膜等の高融点金属シリサイド膜を用いてもよい。

【０２０９】図２１（ａ）〜（ｃ）に示すＦＬＡＳＨ
ＥＰＲＯＭの製造例は、上記実施例において、前記周辺
回路部（第２素子領域）（図２１（ａ）における右図）
の第２ゲート部２３３ｃも、前記メモリセル部（第１素
子領域）（図２１（ａ）における左図及び中央図）の第
１ゲート部２３３ａと同様に、第１ポリシリコン膜２２
８ｂ（第１導電体膜）／ＳｉＯ_２膜２３０ｄ（キャパシ
タ絶縁膜）／第２ポリシリコン膜２３１ｂ（第２導電体
膜）という構成にし、図２１（ｂ）又は（ｃ）に示すよ
うに、第１ポリシリコン膜２２８ｂ及び第２ポリシリコ
ン膜２３１ｂをショートさせてゲート電極を形成してい
る点で異なること以外は上記実施例と同様である。

【０２１０】ここでは、図２１（ｂ）に示すように、第
１ポリシリコン膜２２８ｂ（第１導電体膜）／ＳｉＯ_２
膜２３０ｄ（キャパシタ絶縁膜）／第２ポリシリコン膜
２３１ｂ（第２導電体膜）を貫通する開口部２５２ａ
を、例えば図２１（ａ）に示す第２ゲート部２３３ｃと
は別の箇所、例えば絶縁膜２５４上に形成し、開口部２
５２ａ内に第３導電体膜、例えばＷ膜又はＴｉ膜等の高
融点金属膜２５３ａを埋め込むことにより、第１ポリシ
リコン膜２２８ｂ及び第２ポリシリコン膜２３１ｂをシ
ョートさせている。また、図２１（ｃ）に示すように、
第１ポリシリコン膜２２８ｂ（第１導電体膜）／ＳｉＯ
_２膜２３０ｄ（キャパシタ絶縁膜）を貫通する開口部２
５２ｂを形成して開口部２５２ｂの底部に下層の第１ポ
リシリコン膜２２８ｂを表出させた後、開口部２５２ｂ
内に第３導電体膜、例えばＷ膜又はＴｉ膜等の高融点金
属膜２５３ｂを埋め込むことにより、第１ポリシリコン
膜２２８ｂ及び第２ポリシリコン膜２３１ｂをショート
させている。

【０２１１】このＦＬＡＳＨ ＥＰＲＯＭにおいては、
前記周辺回路部の第２ゲート部２３３ｃは、前記メモリ
セル部の第１ゲート部２３３ａと同構造であるので、前
記メモリセル部を形成する際に同時に前記周辺回路部を
形成することができ、製造工程を簡単にすることができ
効率的である。なお、ここでは、第３導電体膜２５３ａ
又は２５３ｂと、高融点金属膜（第４導電体膜）２４２
とをそれぞれ別々に形成しているが、共通の高融点金属
膜として同時に形成してもよい。

【０２１２】（実施例２２） −磁気ヘッドの製造− 実施例２２は、本発明のポジ型レジスト組成物を用いた
本発明のレジストパターンの応用例としての磁気ヘッド
の製造に関する。なお、この実施例２２では、以下のレ
ジストパターン３０２及び３２６が、本発明のポジ型レ
ジスト組成物を用いて形成したものである。

【０２１３】図２２（Ａ）〜（Ｄ）は、磁気ヘッドの製
造を説明するための工程図である。まず、図２２（Ａ）
に示すように、層間絶縁層３００上に、厚みが６μｍと
なるようにレジスト膜を形成し、露光、現像を行って、
渦巻状の薄膜磁気コイル形成用の開口パターンを有する
レジストパターン３０２を形成した。次に、図２２
（Ｂ）に示すように、層間絶縁層３００上における、レ
ジストパターン３０２上及びレジストパターン３０２が
形成されていない部位、即ち開口部３０４の露出面上
に、厚みが０．０１μｍであるＴｉ密着膜と厚みが０．
０５μｍであるＣｕ密着膜とが積層されてなるメッキ下
地層３０６を蒸着法により形成した。次に、図２２
（Ｃ）に示すように、層間絶縁層３００上における、レ
ジストパターン３０２が形成されていない部位、即ち開
口部３０４の露出面上に形成されたメッキ下地層３０６
の表面に、厚みが３μｍであるＣｕメッキ膜からなる薄
膜導体３０８を形成した。次に、図２２（Ｄ）に示すよ
うに、レジストパターン３０２を溶解除去し層間絶縁層
３００上からリフトオフすると、薄膜導体３０８の渦巻
状パターンによる薄膜磁気コイル３１０が形成される。
以上により磁気ヘッドを製造した。

【０２１４】ここで得られた磁気ヘッドは、本発明のポ
ジ型レジスト組成物を用いてレジストパターン３０２に
より渦巻状パターンが微細に形成されているので、薄膜
磁気コイル３１０は微細かつ精細であり、しかも量産性
に優れる。

【０２１５】図２３〜図２８は、他の磁気ヘッドの製造
を説明するための工程図である。図２３に示すように、
セラミック製の非磁性基板３１２上にスパッタリング法
によりギャップ層３１４を被覆形成した。なお、非磁性
基板３１２上には、図示していないが予め酸化ケイ素に
よる絶縁体層及びＮｉ−Ｆｅパーマロイからなる導電性
下地層がスパッタリング法により被覆形成され、更にＮ
ｉ−Ｆｅパーマロイからなる下部磁性層が形成されてい
る。そして、図示しない前記下部磁性層の磁性先端部と
なる部分を除くギャップ層３１４上の所定領域に熱硬化
樹脂により樹脂絶縁膜３１６を形成した。次に、樹脂絶
縁膜３１６上にポジ型レジスト組成物を塗布してレジス
ト膜３１８を形成した。

【０２１６】次に、図２４に示すように、レジスト膜３
１８に露光、現像を行い、渦巻状パターンを形成した。
そして、図２５に示すように、この渦巻状パターンのレ
ジスト膜３１８を数百℃で一時間程度熱硬化処理を行
い、突起状の第１渦巻状パターン３２０を形成した。更
に、その表面にＣｕからなる導電性下地層３２２を被覆
形成した。

【０２１７】次に、図２６に示すように、導電性下地層
３２２上にポジ型レジスト組成物をスピンコート法によ
り塗布してレジスト膜３２４を形成した後、レジスト膜
３２４を第１渦巻状パターン３２０上にパターニングし
てレジストパターン３２６を形成した。次に、図２７に
示すように、導電性下地層３２２の露出面上に、即ちレ
ジストパターン３２６が形成されていない部位上に、Ｃ
ｕ導体層３２８をメッキ法により形成した。その後、図
２８に示すように、レジストパターン３２６を溶解除去
することにより、導電性下地層３２２上からリフトオフ
し、Ｃｕ導体層３２８による渦巻状の薄膜磁気コイル３
３０を形成した。以上により、図２９の平面図に示すよ
うな、樹脂絶縁膜３１６上に磁性層からなる書き込み磁
極３３２を有し、表面に薄膜磁気コイル３３０が設けら
れた磁気ヘッドを製造した。なお、ここでは磁性層から
なる書き込み磁極３３２のパターンは、本発明のポジ型
レジスト組成物を上層に、ノボラックレジストを下層と
し、露光、現像を行って形成した上層パターンを酸素プ
ラズマで下層に垂直転写した後、めっき膜を形成し、レ
ジスト剥離、めっきベースエッチングを順次行って形成
した。

【０２１８】ここで得られた磁気ヘッドは、本発明のポ
ジ型レジスト組成物を用いて形成されたレジストパター
ン３２６により渦巻状パターンが微細に形成されている
ので、薄膜磁気コイル３３０及び磁性層からなる書き込
み磁極３３２の先端部分は微細、精細かつ高アスペクト
比であり、しかも量産性に優れる。

【０２１９】ここで、本発明の好ましい態様を付記する
と、以下の通りである。 （付記１） 下記式（１）で表されるアルカリ可溶性シ
ロキサン重合体と、感光性化合物とを含有し、厚みが１
μｍの塗膜のｉ線透過率が５〜６０％であることを特徴
とするポジ型レジスト組成物。

【化４８】 前記式（１）中、Ｒ^１及びＲ^２は、一価の有機基を表
し、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよ
い。Ａは、下記式（２）で表されるフェノール性水酸基
を有する基を表す。ａ＋ｂ＋ｃ＝１である。

【化４９】 前記式（２）中、Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５は、水素原子又は
一価の有機基を表し、互いに同一であってもよいし、異
なっていてもよい。ｍは、整数を表す。ｎは、１〜５の
整数を表す。 （付記２） 厚みが１μｍの塗膜のｉ線透過率が１４〜
３９％である付記１に記載のポジ型レジスト組成物。 （付記３） 式（１）中、０．２５≦ａ≦０．６０であ
り、０≦ｃ≦０．２５である付記１又は２に記載のポジ
型レジスト組成物。 （付記４） 式（１）中、０．４０≦ａ≦０．６０であ
る付記１から３のいずれかに記載のポジ型レジスト組成
物。 （付記５） 式（１）中、０．０２≦ｃ≦０．２０であ
る付記１から４のいずれかに記載のポジ型レジスト組成
物。 （付記６） アルカリ可溶性シロキサン重合体の重量平
均分子量が１，０００〜３０，０００である付記１から
５のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。 （付記７） アルカリ可溶性シロキサン重合体の分子量
分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）が１〜５である付記１から６のい
ずれかに記載のポジ型レジスト組成物。 （付記８） 式（２）中、ｍが１〜３の整数を表す付記
１から７のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。 （付記９） アルカリ可溶性シロキサン重合体が、下記
式（３）及び（４）のいずれかで表される有機ケイ素化
合物の少なくとも１種と、テトラアルコキシシランから
選択される少なくとも１種とを反応させて得られた付記
１から８のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。

【化５０】 前記式（３）中、Ｒ^１及びＲ^２は、一価の有機基を表
し、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよ
い。Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５は、水素原子又は一価の有機基
を表し、互いに同一であってもよいし、異なっていても
よい。Ｙは、Ｘ又はＯＲ^６を表す。Ｘは、ハロゲン原子
を表す。Ｒ^６は、水素原子又はアルキル基を表す。Ｒ^７
は、Ｙ＝Ｘのときｔ−ブチル基を表し、Ｙ＝ＯＲ^６のと
き水素原子又はｔ−ブチル基を表す。ｍは、整数を表
す。ｋは、１〜５の整数を表す。

【化５１】 前記式（４）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^８及びＲ^９は、一価の
有機基を表し、互いに同一であってもよいし、異なって
いてもよい。Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^１０、Ｒ^{１ １}及びＲ
^１２は、水素原子又は一価の有機基を表し、互いに同一
であってもよいし、異なっていてもよい。Ｒ^７及びＲ
^１３は、水素原子又はｔ−ブチル基を表し、互いに同一
であってもよいし、異なっていてもよい。ｊ及びｍは、
整数を表す。ｉ及びｋは、１〜５の整数を表す。 （付記１０） 反応が、酸触媒存在下での加水分解・縮
合反応である付記９に記載のポジ型レジスト組成物。 （付記１１） テトラアルコキシシランが、テトラメト
キシシラン及びテトラエトキシシランの少なくとも一方
である付記９又は１０に記載のポジ型レジスト組成物。 （付記１２） アルカリ可溶性シロキサン重合体が、そ
のシラノール基の一部が下記一般式（５）と反応して得
られた付記９から１１のいずれかに記載のポジ型レジス
ト組成物。

【化５２】 前記式（５）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^８及びＲ^９は、一価の
有機基を表し、互いに同一であってもよいし、異なって
いてもよい。Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^１０、Ｒ^{１ １}及びＲ
^１２は、水素原子又は一価の有機基を表し、互いに同一
であってもよいし、異なっていてもよい。ｊ及びｍは、
整数を表す。ｉ及びｎは、１〜５の整数を表す。 （付記１３） アルカリ可溶性シロキサン重合体が、そ
のシラノール基の一部が下記式（３）におけるＹ＝Ｘで
あり、かつＲ^７＝ｔ−ブチル基であるものと反応した
後、ｔ−ブチル基が酸により水素原子に置換されてなる
付記９から１１のいずれかに記載のポジ型レジスト組成
物。

【化５３】 前記式（３）中、Ｒ^１及びＲ^２は、一価の有機基を表
し、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよ
い。Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５は、水素原子又は一価の有機基
を表し、互いに同一であってもよいし、異なっていても
よい。Ｘは、ハロゲン原子を表す。ｍは、整数を表す。
ｋは、１〜５の整数を表す。 （付記１４） 式（１）中、Ａが、下記式（６）及び下
記式（７）のいずれかで表される付記１から１３のいず
れかに記載のポジ型レジスト組成物。

【化５４】

【化５５】 （付記１５） アルカリ可溶性シロキサン重合体が、そ
のシラノール基の水素原子の一部が下記式（８）で置換
されてなる付記１から１４のいずれかに記載のポジ型レ
ジスト組成物。

【化５６】 前記式（８）中、Ｒ^１４、Ｒ^１５及びＲ^１６は、一価の
有機基を表し、互いに同一であってもよいし、異なって
いてもよい。 （付記１６） 式（８）で置換された置換率が５〜９０
％である付記１５に記載のポジ型レジスト組成物。 （付記１７） ポリカルボン酸系界面活性剤及びＨＬＢ
値が９以下であるノニオン界面活性剤から選択される少
なくとも１種の界面活性剤と、水酸基と直接結合してい
るケイ素原子が全ケイ素原子数の１９％以下であるアル
カリ可溶性シロキサン重合体と、感光性化合物とを含有
することを特徴とするポジ型レジスト組成物。 （付記１８） ポリカルボン酸系界面活性剤、ソルビタ
ンエステル系界面活性剤、ポリエチレングリコールモノ
エステル系界面活性剤及びポリエチレングリコールモノ
エーテル系界面活性剤から選択される少なくとも１種の
界面活性剤と、水酸基と直接結合しているケイ素原子が
全ケイ素原子数の１９％以下であるアルカリ可溶性シロ
キサン重合体と、感光性化合物とを含有することを特徴
とするポジ型レジスト組成物。 （付記１９） 界面活性剤のＨＬＢ値が９以下である付
記１８に記載のポジ型レジスト組成物。 （付記２０） アルカリ可溶性シロキサン重合体が、下
記式（Ｉ）で表される付記１７から１９のいずれかに記
載のポジ型レジスト組成物。

【化５７】式（Ｉ） (Ｒ_A)_ｄ(Ｏ_1/2ＳｉＲ¹⁷Ｒ¹⁸−Ｂ)_ｅ(Ｏ_1/2ＳｉＲ¹⁹Ｒ²⁰
ＯＨ)_ｆ(Ｏ_1/2ＳｉＲ¹⁹Ｒ²⁰ＯＲ²¹)_ｇ ただし、Ｒ_Aは、下記式（II）〜（Ｖ）で表されるオル
ガノシロキサン残基を表す。Ｂは、下記式（VI）又は下
記式（VII）で表される基を表す。Ｒ¹⁷〜Ｒ²⁰は、互い
に独立して、水素原子、酸素原子又は一価の有機基を表
す。Ｒ²¹は、一価の有機基又はシリル基を表す。ｄ＋ｅ
＋ｆ＋ｇ＝１としたとき、０．２５≦ｄ≦０．６０であ
り、かつｆ≦０．１９である。

【化５８】（Ｏ_４／２Ｓｉ） 式（II） （Ｏ_３／２Ｓｉ） 式（III） （Ｏ_２／２Ｓｉ） 式（IV） （Ｏ_１／２Ｓｉ） 式（Ｖ）

【化５９】

【化６０】 ―（ＣＲ^２３Ｒ^２４）_ｍ−ＣＯＯＲ^２５ 式（VII） ただし、前記式（VI）及び式（VII）において、Ｒ^３〜
Ｒ^５及びＲ^２２〜Ｒ^{２ ５}は、水素原子又は一価の有機基
を表す。Ｂ’は、−Ｏ−又は−ＣＯＯ−を表す。ｍは、
０〜３の整数を表す。ｎは、１〜５の整数を表す。 （付記２１） Ｒ_Aが、下記式（II'）〜（IV’）で表さ
れる有機ケイ素化合物から選択される少なくとも１種を
縮合して得られるオルガノシロキサン残基、又は、前記
式（II'）〜（IV’）で表される少なくとも１種の有機
ケイ素化合物と、下記式（Ｖ）で表される有機ケイ素化
合物とを縮合して得られるオルガノシロキサン残基であ
る付記２０に記載のポジ型レジスト組成物。

【化６１】 (Ｒ^２６Ｏ)_４Ｓｉ （II'） (Ｒ^２６Ｏ)_３ＳｉＲ^２７ （III'） (Ｒ^２６Ｏ)_２ＳｉＲ^２８Ｒ^２９ （IV'） (Ｒ^２６Ｏ)ＳｉＲ^３０Ｒ^３１Ｒ^３２ （Ｖ'） ただし、前記式（II'）〜（IV’）中、Ｒ^２６は、メチ
ル基又はエチル基を表す。Ｒ^２７〜Ｒ^３２は、水素原子
又は一価の有機基を表す。 （付記２２） アルカリ可溶性シロキサン重合体が下記
式（１）で表され、１μｍの塗膜のｉ線透過率が５〜６
０％であるポジ型レジスト組成物に用いられる付記１７
から２１のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。

【化６２】 前記式（１）中、Ｒ^１及びＲ^２は、一価の有機基を表
し、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよ
い。Ａは、下記式（２）で表されるフェノール性水酸基
を有する基を表す。ａ＋ｂ＋ｃ＝１である。

【化６３】 前記式（２）中、Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５は、水素原子又は
一価の有機基を表し、互いに同一であってもよいし、異
なっていてもよい。ｍは、整数を表す。ｎは、１〜５の
整数を表す。 （付記２３） 感光性化合物が１，２−ナフトキノンジ
アジド基を有する付記１７から２２のいずれかに記載の
ポジ型レジスト組成物。 （付記２４） 位相差シフトマスクを用いたパターニン
グに用いられる付記１７から２３のいずれかに記載のポ
ジ型レジスト組成物。 （付記２５） 位相差シフトマスクがハーフトーンマス
クである付記２４に記載のポジ型レジスト組成物。 （付記２６） アルカリ可溶性シロキサン重合体が非化
学増幅型であり、感光性化合物の含有量が、全固形分に
対し、１０〜５０質量％である付記１から２５のいずれ
かに記載のポジ型レジスト組成物。 （付記２７） アルカリ可溶性シロキサン重合体が化学
増幅型であり、感光性化合物の含有量が、全固形分に対
し、０．１〜１０質量％である付記１から２５のいずれ
かに記載のポジ型レジスト組成物。 （付記２８） 感光性化合物のｉ線吸光度が１．００〜
３．５０である付記１から２７のいずれかに記載のポジ
型レジスト組成物。 （付記２９） ｉ線用レジスト組成物である付記１から
２８のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。 （付記３０） 多層のレジスト膜における上層に用いら
れる付記１から２８のいずれかに記載のポジ型レジスト
組成物。 （付記３１） 酸素プラズマエッチング処理されるレジ
スト膜に用いられる付記１から３０のいずれかに記載の
ポジ型レジスト組成物。 （付記３２） 磁気へッド、高電子移動度トランジスタ
及びプラズマディスプレイから選択される少なくとも１
種の製造に用いられる付記１から３１のいずれかに記載
のポジ型レジスト組成物。 （付記３３） 下記式（１）で表され、１μｍの塗膜の
ｉ線透過率が５〜６０％であるポジ型レジスト組成物に
用いられることを特徴とするアルカリ可溶性シロキサン
重合体。

【化６４】 前記式（１）中、Ｒ^１及びＲ^２は、一価の有機基を表
し、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよ
い。Ａは、下記式（２）で表されるフェノール性水酸基
を有する基を表す。ａ＋ｂ＋ｃ＝１である。

【化６５】 前記式（２）中、Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５は、水素原子又は
一価の有機基を表し、互いに同一であってもよいし、異
なっていてもよい。ｍは、整数を表す。ｎは、１〜５の
整数を表す。 （付記３４） 付記１から３２のいずれかに記載のポジ
型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成するレジス
ト膜形成工程と、該レジスト膜に現像処理を行ってレジ
ストパターンを形成するレジストパターン形成工程とを
含むことを特徴とするレジストパターンの製造方法。 （付記３５） 付記３４に記載のレジストパターンの製
造方法により製造されることを特徴とするレジストパタ
ーン。 （付記３６） 厚みが１μｍ以下である付記３５に記載
のレジストパターン。 （付記３７） 付記３５又は３６に記載のレジストパタ
ーンを用いて形成されたパターンを少なくとも有してな
ることを特徴とする電子回路装置。 （付記３８） 付記３４に記載のレジストパターンの製
造方法により下地層上にレジストパターンを形成するレ
ジストパターン形成工程と、該レジストパターンをマス
クとしてエッチング及びリフトオフのいずれかにより前
記下地層をパターニングするパターニング工程とを含む
ことを特徴とする電子回路装置の製造方法。

【０２２０】

【発明の効果】本発明によると、前記要望に応え、従来
における前記諸問題を解決することができ、磁気ヘッ
ド、半導体素子等の電子回路装置の製造に好適であり、
微細パターンを形成可能なレジストパターン及び該レジ
ストパターンを短時間で効率的に製造可能なレジストパ
ターンの製造方法、該レジストパターンの製造に好適で
あり、酸素プラズマ耐性、解像性、保存安定性等に優
れ、ｉ線を用いた２層レジスト法における上層レジスト
の材料として特に好適であり、ハーフトーンマスクを用
いてパターンニングした場合にサイドローブの発生が少
ないレジスト膜を形成可能であり、電子回路素子の高集
積化に寄与し得るポジ型レジスト組成物、並びに、前記
レジストパターンを用いて形成した微細パターンを有し
てなる電子回路装置及び該電子回路装置を短時間で効率
的に製造可能な電子回路装置の製造方法、を提供するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、２層レジスト法における上層に本発明
のポジ型レジスト組成物を用いて、レジストパターンを
形成した実施例を説明するための工程図（その１）であ
る。

【図２】図２は、２層レジスト法における上層に本発明
のポジ型レジスト組成物を用いて、レジストパターンを
形成した実施例を説明するための工程図（その２）であ
る。

【図３】図３は、磁気ヘッド（ＭＲ型ヘッド）における
ＭＲ素子部の一例を示す概略説明図である。

【図４】図４は、図３に示すＭＲ素子部の製造の工程例
を示す概略説明図（その１）である。

【図５】図５は、図３に示すＭＲ素子部の製造の工程例
を示す概略説明図（その２）である。

【図６】図６は、ＭＲ素子に接続する端子を、第１レジ
スト層と第２レジスト層との２層レジストを利用して形
成した状態を示す平面図である。

【図７】図７は、図６における５０−５０断面図及び５
０'−５０’断面図である。

【図８】図８は、磁気ヘッド（ＭＲヘッド）用のＭＲ素
子をリフトオフプロセスにより作製した一例を示す工程
図（その１）である。

【図９】図９は、磁気ヘッド（ＭＲヘッド）用のＭＲ素
子をリフトオフプロセスにより作製した一例を示す工程
図（その２）である。

【図１０】図１０は、磁気ヘッド（ＭＲヘッド）用のＭ
Ｒ素子をミリングプロセスにより作製した一例を示す工
程図（その１）である。

【図１１】図１１は、磁気ヘッド（ＭＲヘッド）用のＭ
Ｒ素子をミリングプロセスにより作製した一例を示す工
程図（その２）である。

【図１２】図１２は、ＨＥＭＴのＴゲート電極の製造例
を示す工程図である。

【図１３】図１３は、プラズマディスプレイパネルにお
ける隔壁形成プロセス例を示す工程図（その１）であ
る。

【図１４】図１４は、プラズマディスプレイパネルにお
ける隔壁形成プロセス例を示す工程図（その２）であ
る。

【図１５】図１５は、プラズマディスプレイパネルの模
式図である。

【図１６】図１６は、本発明の電子回路装置としての半
導体装置の一例であるＦＬＡＳＨＥＰＲＯＭを説明する
ための上面図である。

【図１７】図１７は、本発明の電子回路装置としての半
導体装置の製造方法に関する一例であるＦＬＡＳＨ Ｅ
ＰＲＯＭの製造方法を説明するための断面概略図（その
１）である。

【図１８】図１８は、本発明の電子回路装置としての半
導体装置の製造方法に関する一例であるＥＰＲＯＭの製
造方法を説明するための断面概略図（その２）である。

【図１９】図１９は、本発明の電子回路装置としての半
導体装置の製造方法に関する一例であるＥＰＲＯＭの製
造方法を説明するための断面概略図（その３）である。

【図２０】図２０は、本発明の電子回路装置としての半
導体装置の製造方法に関する他の一例であるＥＰＲＯＭ
の製造方法を説明するための断面概略図である。

【図２１】図２１は、本発明の電子回路装置としての半
導体装置の製造方法に関する他の一例であるＥＰＲＯＭ
の製造方法を説明するための断面概略図である。

【図２２】図２２は、本発明のポジ型レジスト組成物を
用いて形成したレジストパターンを磁気ヘッドの製造に
応用した一例を説明するための断面概略図である。

【図２３】図２３は、本発明のポジ型レジスト組成物を
用いて形成したレジストパターンを磁気ヘッドの製造に
応用した他の例の工程（その１）を説明するための断面
概略図である。

【図２４】図２４は、本発明のポジ型レジスト組成物を
用いて形成したレジストパターンを磁気ヘッドの製造に
応用した他の例の工程（その２）を説明するための断面
概略図である。

【図２５】図２５は、本発明のポジ型レジスト組成物を
用いて形成したレジストパターンを磁気ヘッドの製造に
応用した他の例の工程（その３）を説明するための断面
概略図である。

【図２６】図２６は、本発明のポジ型レジスト組成物を
用いて形成したレジストパターンを磁気ヘッドの製造に
応用した他の例の工程（その４）を説明するための断面
概略図である。

【図２７】図２７は、本発明のポジ型レジスト組成物を
用いて形成したレジストパターンを磁気ヘッドの製造に
応用した他の例の工程（その５）を説明するための断面
概略図である。

【図２８】図２８は、本発明のポジ型レジスト組成物を
用いて形成したレジストパターンを磁気ヘッドの製造に
応用した他の例の工程（その６）を説明するための断面
概略図である。

【図２９】図２９は、図２３〜図２８の工程で製造され
た磁気ヘッドの一例を示す平面図である。

【符号の説明】

１ シリコン基板 ３ 第１レジスト層 ５ 第２レジスト層（本発明のポジ型レジスト
組成物による層） ５ａ 露光部 ５ｘ パターン ７ 混合層（インターレイヤー） ９ フォトマスク ９ａ 遮光部 １０ａ 積層パターン １１ ＭＲ素子部 １２ 端子 ２１ 支持材 ２２ アルミナ層 ２３ 下部シールド層 ２４ 下部ギャップ層 ２５ ＭＲパターン ２６ 第１レジスト層 ２７ 単色光 ２９ 第２レジスト層 ３０ ｉ線 ３１ 露光部 ３２ 露光部 ３３ 端子形成材料 ４１ ＭＲ素子 ４２ 端子 ４３ 第１レジスト層 ４４ 第２レジスト層 ６１ 支持材 ６２ アルミナ層 ６３ 下部シールド層 ６３’ 下部シールド ６４ 下部ギャップ層 ６４’ 下部ギャップ ６５ ＭＲ膜 ６６ ＭＲ素子 ６７ マスクパターン ６８ 端子 ８１ 金属膜 ８３ 下部シールド層 ８４ 下部ギャップ層 ８５ ＭＲ膜 ８５ａ ＭＲ素子 ８６ 第１レジスト層 ８７ 第２レジスト層 ８８ ｉ線 ８９ ２層レジストパターン ９０ ＧａＡｓ基板 ９１ レジストパターン ９２ 絶縁膜 ９２ａ 開口部 ９３ 第１金属配線層 ９４ レジスト層 ９４ａ 開口部 ９５ 第２金属配線層 １００ ガラス基板 １０１ アドレス電極 １０２ 下地層 １０３ 基板 １０４ 感光性樹脂層 １０５ フォトマスク １０７ 溶射膜 １０８ プラズマ溶射トーチ １０９ プラズマジェット １１０ 冷却ガスポート １１１ 冷却ガス １５０ 前面基板 １５１ 背面基板 １５２ 表示電極 １５３ 表示電極 １５４ 誘電体層 １５５ ＭｇＯ誘電体層保護層 １５６ アドレス電極 １５７ 誘電体層 １５８ 隔壁 １５９ 蛍光体層 １６０ 放電ガス ２２２ Ｓｉ基板（半導体基板） ２２３ フィールド酸化膜 ２２４ａ 第１ゲート絶縁膜 ２２４ｂ 第２ゲート絶縁膜 ２２５ａ 第１閾値制御層 ２２５ｂ 第２閾値制御層 ２２６ レジスト膜 ２２７ レジスト膜 ２２８ 第１ポリシリコン層（第１導電体膜） ２２８ａ フローティングゲート電極 ２２８ｂ ゲート電極（第１ポリシリコン膜） ２２８ｃ フローティングゲート電極 ２２９ レジスト膜 ２３０ａ キャパシタ絶縁膜 ２３０ｂ キャパシタ絶縁膜 ２３０ｃ キャパシタ絶縁膜 ２３０ｄ ＳｉＯ_２膜 ２３１ 第２ポリシリコン層（第２導電体膜） ２３１ａ コントロールゲート電極 ２３１ｂ 第２ポリシリコン膜 ２３２ レジスト膜 ２３３ａ 第１ゲート部 ２３３ｂ 第２ゲート部 ２３３ｃ 第２ゲート部 ２３４ レジスト膜 ２３５ａ Ｓ／Ｄ（ソース・ドレイン）領域層 ２３５ｂ Ｓ／Ｄ（ソース・ドレイン）領域層 ２３６ａ Ｓ／Ｄ（ソース・ドレイン）領域層 ２３６ａ Ｓ／Ｄ（ソース・ドレイン）領域層 ２３７ 層間絶縁膜 ２３８ａ コンタクトホール ２３８ｂ コンタクトホール ２３９ａ コンタクトホール ２３９ｂ コンタクトホール ２４０ａ Ｓ／Ｄ（ソース・ドレイン）電極 ２４０ｂ Ｓ／Ｄ（ソース・ドレイン）電極 ２４１ａ Ｓ／Ｄ（ソース・ドレイン）電極 ２４１ｂ Ｓ／Ｄ（ソース・ドレイン）電極 ２４２ 高融点金属膜（第４導電体膜） ２４２ａ 高融点金属膜（第４導電体膜） ２４２ｂ 高融点金属膜（第４導電体膜） ２４４ａ 第１ゲート部 ２４４ｂ 第２ゲート部 ２４５ａ Ｓ／Ｄ（ソース・ドレイン）領域層 ２４５ｂ Ｓ／Ｄ（ソース・ドレイン）領域層 ２４６ａ Ｓ／Ｄ（ソース・ドレイン）領域層 ２４６ｂ Ｓ／Ｄ（ソース・ドレイン）領域層 ２４７ 層間絶縁膜 ２４８ａ コンタクトホール ２４８ｂ コンタクトホール ２４９ａ コンタクトホール ２４９ｂ コンタクトホール ２５０ａ Ｓ／Ｄ（ソース・ドレイン）電極 ２５０ｂ Ｓ／Ｄ（ソース・ドレイン）電極 ２５１ａ Ｓ／Ｄ（ソース・ドレイン）電極 ２５１ｂ Ｓ／Ｄ（ソース・ドレイン）電極 ２５２ａ 開口部 ２５２ｂ 開口部 ２５３ａ 高融点金属膜（第３導電体膜） ２５３ｂ 高融点金属膜（第３導電体膜） ２５４ 絶縁膜 ３００ 層間絶縁層 ３０２ レジストパターン ３０４ 開口部 ３０６ メッキ下地層 ３０８ 薄膜導体（Ｃｕメッキ膜） ３１０ 薄膜磁気コイル ３１２ 非磁性基板 ３１４ ギャップ層 ３１６ 樹脂絶縁層 ３１８ レジスト膜 ３１８ａ レジストパターン ３２０ 第１渦巻状パターン ３２２ 導電性下地層 ３２４ レジスト膜 ３２６ レジストパターン ３２８ Ｃｕ導体膜 ３３０ 薄膜磁気コイル ３３２ 磁性層からなる書き込み磁極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小澤 美和 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 須田 章一 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 矢作 公 茨城県つくば市北原６番 住友化学工業株 式会社内 (72)発明者 山口 扶美 茨城県つくば市北原６番 住友化学工業株 式会社内 (72)発明者 森川 通孝 茨城県つくば市北原６番 住友化学工業株 式会社内 Ｆターム(参考） 2H025 AA02 AA09 AA11 AB16 AC01 AD03 BE01 BG00 CB33 CC04 CC20 FA39 FA44 2H096 AA25 BA09 EA02 GA08 4J035 BA06 CA041 CA051 CA081 GA01 GB09

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記式（１）で表されるアルカリ可溶性
   シロキサン重合体と、感光性化合物とを含有し、厚みが
   １μｍの塗膜のｉ線透過率が５〜６０％であることを特
   徴とするポジ型レジスト組成物。 【化１】 前記式（１）中、Ｒ^１及びＲ^２は、一価の有機基を表
   し、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよ
   い。Ａは、下記式（２）で表されるフェノール性水酸基
   を有する基を表す。ａ＋ｂ＋ｃ＝１である。 【化２】 前記式（２）中、Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５は、水素原子又は
   一価の有機基を表し、互いに同一であってもよいし、異
   なっていてもよい。ｍは、整数を表す。ｎは、１〜５の
   整数を表す。
2. 【請求項２】 式（１）中、０．２５≦ａ≦０．６０で
   あり、０≦ｃ≦０．２５である請求項１に記載のポジ型
   レジスト組成物。
3. 【請求項３】 ポリカルボン酸系界面活性剤及びＨＬＢ
   値が９以下であるノニオン界面活性剤から選択される少
   なくとも１種の界面活性剤と、水酸基と直接結合してい
   るケイ素原子が全ケイ素原子数の１９％以下であるアル
   カリ可溶性シロキサン重合体と、感光性化合物とを含有
   することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
4. 【請求項４】 ポリカルボン酸系界面活性剤、ソルビタ
   ンエステル系界面活性剤、ポリエチレングリコールモノ
   エステル系界面活性剤及びポリエチレングリコールモノ
   エーテル系界面活性剤から選択される少なくとも１種の
   界面活性剤と、水酸基と直接結合しているケイ素原子が
   全ケイ素原子数の１９％以下であるアルカリ可溶性シロ
   キサン重合体と、感光性化合物とを含有することを特徴
   とするポジ型レジスト組成物。
5. 【請求項５】 アルカリ可溶性シロキサン重合体が、下
   記式（Ｉ）で表される請求項１から４のいずれかに記載
   のポジ型レジスト組成物。 【化３】式（Ｉ） (Ｒ_A)_ｄ(Ｏ_1/2ＳｉＲ¹⁷Ｒ¹⁸−Ｂ)_ｅ(Ｏ_1/2ＳｉＲ¹⁹Ｒ²⁰
   ＯＨ)_ｆ(Ｏ_1/2ＳｉＲ¹⁹Ｒ²⁰ＯＲ²¹)_ｇ ただし、Ｒ_Aは、下記式（II）〜（Ｖ）で表されるオル
   ガノシロキサン残基を表す。Ｂは、下記式（６）又は下
   記式（７）で表される基を表す。Ｒ¹⁷〜Ｒ²⁰は、互いに
   独立して、水素原子、酸素原子又は一価の有機基を表
   す。Ｒ²¹は、一価の有機基又はシリル基を表す。ｄ＋ｅ
   ＋ｆ＋ｇ＝１としたとき、０．２５≦ｄ≦０．６０であ
   り、かつｆ≦０．１９である。 【化４】（Ｏ_４／２Ｓｉ） 式（II） （Ｏ_３／２Ｓｉ） 式（III） （Ｏ_２／２Ｓｉ） 式（IV） （Ｏ_１／２Ｓｉ） 式（Ｖ） 【化５】 【化６】 ―（ＣＲ^２３Ｒ^２４）_ｍ−ＣＯＯＲ^２５ 式（７） ただし、前記式（６）及び（７）において、Ｒ^３〜Ｒ^５
   及びＲ^２２〜Ｒ^２５は、水素原子又は一価の有機基を表
   す。Ｂ’は、−Ｏ−又は−ＣＯＯ−を表す。ｍは、０〜
   ３の整数を表す。ｎは、１〜５の整数を表す。
6. 【請求項６】 下記式（１）で表され、厚みが１μｍの
   塗膜のｉ線透過率が５〜６０％であるポジ型レジスト組
   成物に用いられることを特徴とするアルカリ可溶性シロ
   キサン重合体。 【化７】 前記式（１）中、Ｒ^１及びＲ^２は、一価の有機基を表
   し、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよ
   い。Ａは、下記式（２）で表されるフェノール性水酸基
   を有する基を表す。ａ＋ｂ＋ｃ＝１である。 【化８】 前記式（２）中、Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５は、水素原子又は
   一価の有機基を表し、互いに同一であってもよいし、異
   なっていてもよい。ｍは、整数を表す。ｎは、１〜５の
   整数を表す。
7. 【請求項７】 請求項１から５のいずれかに記載のポジ
   型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成するレジス
   ト膜形成工程と、該レジスト膜に現像処理を行ってレジ
   ストパターンを形成するレジストパターン形成工程とを
   含むことを特徴とするレジストパターンの製造方法。
8. 【請求項８】 請求項７に記載のレジストパターンの製
   造方法により製造されることを特徴とするレジストパタ
   ーン。
9. 【請求項９】 請求項８に記載のレジストパターンを用
   いて形成されたパターンを少なくとも有してなることを
   特徴とする電子回路装置。
10. 【請求項１０】 請求項７に記載のレジストパターンの
    製造方法により下地層上にレジストパターンを形成する
    レジストパターン形成工程と、該レジストパターンをマ
    スクとしてエッチング及びリフトオフのいずれかにより
    前記下地層をパターニングするパターニング工程とを含
    むことを特徴とする電子回路装置の製造方法。