JP2011102399A - 珪素含有高分子化合物及びその製造方法並びに耐熱性樹脂組成物及び耐熱性皮膜 - Google Patents
珪素含有高分子化合物及びその製造方法並びに耐熱性樹脂組成物及び耐熱性皮膜 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011102399A JP2011102399A JP2011006369A JP2011006369A JP2011102399A JP 2011102399 A JP2011102399 A JP 2011102399A JP 2011006369 A JP2011006369 A JP 2011006369A JP 2011006369 A JP2011006369 A JP 2011006369A JP 2011102399 A JP2011102399 A JP 2011102399A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- silicon
- polymer compound
- containing polymer
- general formula
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 155
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 123
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 229920006015 heat resistant resin Polymers 0.000 title claims abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title abstract description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title abstract description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 28
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims abstract description 16
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 claims abstract description 13
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract description 11
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 10
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 claims abstract description 8
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 8
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 claims abstract description 6
- CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N carbon carbon Chemical compound C.C CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 44
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 37
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 25
- 150000001282 organosilanes Chemical class 0.000 claims description 17
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 16
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 13
- 238000006459 hydrosilylation reaction Methods 0.000 claims description 12
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 11
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims description 9
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 4
- 238000003892 spreading Methods 0.000 claims description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 11
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 4
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 abstract description 2
- 125000000008 (C1-C10) alkyl group Chemical group 0.000 abstract 1
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 96
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 94
- -1 2,3-dihydroxyphenyl group Chemical group 0.000 description 51
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 48
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 45
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- MLFHJEHSLIIPHL-UHFFFAOYSA-N isoamyl acetate Chemical compound CC(C)CCOC(C)=O MLFHJEHSLIIPHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 20
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 18
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 17
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 17
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 16
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 16
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 16
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 15
- QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N triethoxysilane Chemical compound CCO[SiH](OCC)OCC QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 14
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical group [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229940117955 isoamyl acetate Drugs 0.000 description 14
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 11
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 10
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 10
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 9
- HMUNWXXNJPVALC-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)C(CN1CC2=C(CC1)NN=N2)=O HMUNWXXNJPVALC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 8
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 description 7
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 6
- KWEKXPWNFQBJAY-UHFFFAOYSA-N (dimethyl-$l^{3}-silanyl)oxy-dimethylsilicon Chemical compound C[Si](C)O[Si](C)C KWEKXPWNFQBJAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 5
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- SGOVZKFUAYSATN-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-4-(3-triethoxysilylpropyl)phenol Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCC1=CC=C(O)C(OC)=C1 SGOVZKFUAYSATN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 4
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 4
- 150000008280 chlorinated hydrocarbons Chemical class 0.000 description 4
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 4
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 4
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 4
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N Caprylic acid Natural products CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N Pyrrolidine Chemical compound C1CCNC1 RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 3
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 3
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N butan-1-amine Chemical compound CCCCN HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 3
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 3
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 3
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 3
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 239000012485 toluene extract Substances 0.000 description 3
- 125000004665 trialkylsilyl group Chemical group 0.000 description 3
- VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 1-Butene Chemical group CCC=C VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LDXJRKWFNNFDSA-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]ethanone Chemical compound C1CN(CC2=NNN=C21)CC(=O)N3CCN(CC3)C4=CN=C(N=C4)NCC5=CC(=CC=C5)OC(F)(F)F LDXJRKWFNNFDSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMFLAQDTYFTTSR-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-3-(3-triethoxysilylpropyl)phenol Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCC1=CC=CC(O)=C1OC SMFLAQDTYFTTSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ALYNCZNDIQEVRV-UHFFFAOYSA-N 4-aminobenzoic acid Chemical compound NC1=CC=C(C(O)=O)C=C1 ALYNCZNDIQEVRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N Piperazine Chemical compound C1CNCCN1 GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N Trifluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FHKPLLOSJHHKNU-INIZCTEOSA-N [(3S)-3-[8-(1-ethyl-5-methylpyrazol-4-yl)-9-methylpurin-6-yl]oxypyrrolidin-1-yl]-(oxan-4-yl)methanone Chemical compound C(C)N1N=CC(=C1C)C=1N(C2=NC=NC(=C2N=1)O[C@@H]1CN(CC1)C(=O)C1CCOCC1)C FHKPLLOSJHHKNU-INIZCTEOSA-N 0.000 description 2
- 125000003668 acetyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(=O)O[*] 0.000 description 2
- 125000004423 acyloxy group Chemical group 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011825 aerospace material Substances 0.000 description 2
- OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N alpha-ethylcaproic acid Natural products CCCCC(CC)C(O)=O OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YZXBAPSDXZZRGB-DOFZRALJSA-N arachidonic acid Chemical compound CCCCC\C=C/C\C=C/C\C=C/C\C=C/CCCC(O)=O YZXBAPSDXZZRGB-DOFZRALJSA-N 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 2
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 2
- JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N dibutylamine Chemical compound CCCCNCCCC JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JXTHNDFMNIQAHM-UHFFFAOYSA-N dichloroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(Cl)Cl JXTHNDFMNIQAHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 150000007529 inorganic bases Chemical class 0.000 description 2
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000003253 isopropoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(O*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 description 2
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 2
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- FBUKVWPVBMHYJY-UHFFFAOYSA-N nonanoic acid Chemical compound CCCCCCCCC(O)=O FBUKVWPVBMHYJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 2
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 2
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 2
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N salicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-N sebacic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCCCC(O)=O CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 125000004213 tert-butoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(O*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VBSUMMHIJNZMRM-UHFFFAOYSA-N triethoxy(2-phenylethyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCC1=CC=CC=C1 VBSUMMHIJNZMRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OBETXYAYXDNJHR-SSDOTTSWSA-M (2r)-2-ethylhexanoate Chemical compound CCCC[C@@H](CC)C([O-])=O OBETXYAYXDNJHR-SSDOTTSWSA-M 0.000 description 1
- NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N (2s)-2-[[4-[2-(2,4-diaminoquinazolin-6-yl)ethyl]benzoyl]amino]-4-methylidenepentanedioic acid Chemical compound C1=CC2=NC(N)=NC(N)=C2C=C1CCC1=CC=C(C(=O)N[C@@H](CC(=C)C(O)=O)C(O)=O)C=C1 NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N 0.000 description 1
- OYHQOLUKZRVURQ-NTGFUMLPSA-N (9Z,12Z)-9,10,12,13-tetratritiooctadeca-9,12-dienoic acid Chemical compound C(CCCCCCC\C(=C(/C\C(=C(/CCCCC)\[3H])\[3H])\[3H])\[3H])(=O)O OYHQOLUKZRVURQ-NTGFUMLPSA-N 0.000 description 1
- 125000004178 (C1-C4) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TZSNBHPFGNSWPO-UHFFFAOYSA-N 1,5-diphenylpenta-1,4-dien-3-one;platinum Chemical compound [Pt].[Pt].C=1C=CC=CC=1C=CC(=O)C=CC1=CC=CC=C1.C=1C=CC=CC=1C=CC(=O)C=CC1=CC=CC=C1.C=1C=CC=CC=1C=CC(=O)C=CC1=CC=CC=C1 TZSNBHPFGNSWPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYSCBCSGKXNZRH-UHFFFAOYSA-N 1-benzothiophene-2-carboxamide Chemical compound C1=CC=C2SC(C(=O)N)=CC2=C1 GYSCBCSGKXNZRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004973 1-butenyl group Chemical group C(=CCC)* 0.000 description 1
- 125000004972 1-butynyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C#C* 0.000 description 1
- PPNCOQHHSGMKGI-UHFFFAOYSA-N 1-cyclononyldiazonane Chemical compound C1CCCCCCCC1N1NCCCCCCC1 PPNCOQHHSGMKGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRFNSWBVXHLTCI-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-4-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]benzene Chemical compound CC(C)(C)OC1=CC=C(C=C)C=C1 GRFNSWBVXHLTCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006023 1-pentenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006017 1-propenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000530 1-propynyl group Chemical group [H]C([H])([H])C#C* 0.000 description 1
- 125000001617 2,3-dimethoxy phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C(OC([H])([H])[H])C(OC([H])([H])[H])=C1[H] 0.000 description 1
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 2-methylpyridine Chemical compound CC1=CC=CC=N1 BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003762 3,4-dimethoxyphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(OC([H])([H])[H])=C(OC([H])([H])[H])C([H])=C1* 0.000 description 1
- WADSJYLPJPTMLN-UHFFFAOYSA-N 3-(cycloundecen-1-yl)-1,2-diazacycloundec-2-ene Chemical compound C1CCCCCCCCC=C1C1=NNCCCCCCCC1 WADSJYLPJPTMLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBQVDAIIQCXKPI-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl prop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C=C KBQVDAIIQCXKPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004172 4-methoxyphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(OC([H])([H])[H])=C([H])C([H])=C1* 0.000 description 1
- AWQSAIIDOMEEOD-UHFFFAOYSA-N 5,5-Dimethyl-4-(3-oxobutyl)dihydro-2(3H)-furanone Chemical compound CC(=O)CCC1CC(=O)OC1(C)C AWQSAIIDOMEEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- AXHKSRLWALIUEQ-UHFFFAOYSA-N CCO[Si](C1=CC=C(C=C1)O)(OCC)OCCOC Chemical compound CCO[Si](C1=CC=C(C=C1)O)(OCC)OCCOC AXHKSRLWALIUEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N Decanoic acid Natural products CCCCCCCCCC(O)=O GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N N-dimethylaminoethanol Chemical compound CN(C)CCO UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DSVGQVZAZSZEEX-UHFFFAOYSA-N [C].[Pt] Chemical compound [C].[Pt] DSVGQVZAZSZEEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002777 acetyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 1
- ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N adamantane Chemical group C1C(C2)CC3CC1CC2C3 ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- DTOSIQBPPRVQHS-PDBXOOCHSA-N alpha-linolenic acid Chemical compound CC\C=C/C\C=C/C\C=C/CCCCCCCC(O)=O DTOSIQBPPRVQHS-PDBXOOCHSA-N 0.000 description 1
- 235000020661 alpha-linolenic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960004050 aminobenzoic acid Drugs 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940114079 arachidonic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000021342 arachidonic acid Nutrition 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229960004365 benzoic acid Drugs 0.000 description 1
- GONOPSZTUGRENK-UHFFFAOYSA-N benzyl(trichloro)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)CC1=CC=CC=C1 GONOPSZTUGRENK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004566 building material Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- FOCAUTSVDIKZOP-UHFFFAOYSA-N chloroacetic acid Chemical compound OC(=O)CCl FOCAUTSVDIKZOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- TXRFFSSLMRVELK-UHFFFAOYSA-N cycloocta-1,3-diene platinum Chemical compound [Pt].C1CCC=CC=CC1.C1CCC=CC=CC1 TXRFFSSLMRVELK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YAJIVAPCZRKADM-UHFFFAOYSA-L cycloocta-1,3-diene;platinum(2+);dichloride Chemical compound Cl[Pt]Cl.C1CCC=CC=CC1 YAJIVAPCZRKADM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010511 deprotection reaction Methods 0.000 description 1
- 229960005215 dichloroacetic acid Drugs 0.000 description 1
- NRKAORXHVBNFQC-UHFFFAOYSA-L dichloroplatinum;dimethyl(phenyl)phosphane Chemical compound Cl[Pt]Cl.CP(C)C1=CC=CC=C1.CP(C)C1=CC=CC=C1 NRKAORXHVBNFQC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N dipropylamine Chemical compound CCCNCCC WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- RSIHJDGMBDPTIM-UHFFFAOYSA-N ethoxy(trimethyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(C)C RSIHJDGMBDPTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- RRAFCDWBNXTKKO-UHFFFAOYSA-N eugenol Chemical compound COC1=CC(CC=C)=CC=C1O RRAFCDWBNXTKKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004464 hydroxyphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 229960004488 linolenic acid Drugs 0.000 description 1
- KQQKGWQCNNTQJW-UHFFFAOYSA-N linolenic acid Natural products CC=CCCC=CCC=CCCCCCCCC(O)=O KQQKGWQCNNTQJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- POPACFLNWGUDSR-UHFFFAOYSA-N methoxy(trimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)C POPACFLNWGUDSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CRVGTESFCCXCTH-UHFFFAOYSA-N methyl diethanolamine Chemical compound OCCN(C)CCO CRVGTESFCCXCTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZIYVHBGGAOATLY-UHFFFAOYSA-N methylmalonic acid Chemical compound OC(=O)C(C)C(O)=O ZIYVHBGGAOATLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N n-hexanoic acid Natural products CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004957 naphthylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003518 norbornenyl group Chemical group C12(C=CC(CC1)C2)* 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POPVULPQMGGUMJ-UHFFFAOYSA-N octasilsesquioxane cage Chemical class O1[SiH](O[SiH](O2)O[SiH](O3)O4)O[SiH]4O[SiH]4O[SiH]1O[SiH]2O[SiH]3O4 POPVULPQMGGUMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- 229960002969 oleic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000021313 oleic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUVINXPYWBROJD-UHFFFAOYSA-N para-methoxyphenyl Natural products COC1=CC=C(C=CC)C=C1 RUVINXPYWBROJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- SYKXNRFLNZUGAJ-UHFFFAOYSA-N platinum;triphenylphosphane Chemical compound [Pt].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 SYKXNRFLNZUGAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 229960004889 salicylic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- JXOHGGNKMLTUBP-HSUXUTPPSA-N shikimic acid Chemical compound O[C@@H]1CC(C(O)=O)=C[C@@H](O)[C@H]1O JXOHGGNKMLTUBP-HSUXUTPPSA-N 0.000 description 1
- JXOHGGNKMLTUBP-JKUQZMGJSA-N shikimic acid Natural products O[C@@H]1CC(C(O)=O)=C[C@H](O)[C@@H]1O JXOHGGNKMLTUBP-JKUQZMGJSA-N 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 1
- 229960004274 stearic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000002411 thermogravimetry Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005389 trialkylsiloxy group Chemical group 0.000 description 1
- IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N tributylamine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCCC IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNJBWRMUSHSURL-UHFFFAOYSA-N trichloroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(Cl)(Cl)Cl YNJBWRMUSHSURL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000026 trimethylsilyl group Chemical group [H]C([H])([H])[Si]([*])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- YFTHZRPMJXBUME-UHFFFAOYSA-N tripropylamine Chemical compound CCCN(CCC)CCC YFTHZRPMJXBUME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005292 vacuum distillation Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 230000002618 waking effect Effects 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/14—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/14—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
- C08G77/16—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups to hydroxyl groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/14—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
- C08G77/18—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups to alkoxy or aryloxy groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/20—Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D183/04—Polysiloxanes
- C09D183/06—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/312—Organic layers, e.g. photoresist
- H01L21/3121—Layers comprising organo-silicon compounds
- H01L21/3122—Layers comprising organo-silicon compounds layers comprising polysiloxane compounds
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31652—Of asbestos
- Y10T428/31663—As siloxane, silicone or silane
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明のケイ素含有高分子化合物は、下記一般式(5)で表され、重量平均分子量が500〜500,000である。
【化1】
〔式中、A2は炭素−炭素不飽和基を有する炭素数2〜10の有機基、R3は炭素数1〜20のアルキレン基、炭素数6〜20の2価の芳香族基もしくは炭素数3〜20の2価の脂環式基、nは0又は1、R4はH原子もしくは炭素数1〜10のアルキル基(1分子中のR4は同種でも2種以上の異種の組み合わせあってもよい。)、x,yは正の数であり、w,zは0又は正の数であって、0≦z/(w+x+y)≦2且つ0.01≦y/(w+x)≦5である。〕
【選択図】なし
Description
本発明のアルカリ可溶性珪素含有高分子化合物は、アルカリ現像レジスト材料等に有用である。
他の本発明の珪素含有高分子化合物は、エレクトロニクス分野、光機能材料分野等に有用である。
また、本発明の耐熱性樹脂組成物及び耐熱性皮膜は、その極めて高い耐熱性から、航空・宇宙材料、半導体用材料等として有用である。
一方、特許文献3及び4に開示された耐熱性樹脂組成物は、窒素雰囲気下、1,000℃における重量損失率が5%以下となる耐熱性にまでは至っていない。また、特許文献3及び5に開示された耐熱性樹脂組成物は、単離が難しく極めて高価な水素化オクタシルセスキオキサンを原料として用いているため実用的でなく、また、加熱重合時に不飽和基を有する単量体が気化してアウトガスとなり、作業環境を汚染するといった問題があった。
また、他の本発明は、高価な原料を用いることなく簡便な方法で、極めて高い耐熱性を有する硬化物が得られ、加熱しても作業環境を汚染するようなガスを発生しない新規な珪素含有高分子化合物、そのヒドロシリル化重合体を含有する耐熱性樹脂組成物及び耐熱性皮膜を提供することを目的とする。
1.下記一般式(1)で表され、重量平均分子量が500〜500,000であるアルカリ可溶性珪素含有高分子化合物。
2.上記一般式(1)において、0≦t/(s+u)≦0.2且つ0.2≦u/s≦5であり、室温において固体である上記1記載のアルカリ可溶性珪素含有高分子化合物。
3.上記一般式(1)で表されるアルカリ可溶性珪素含有高分子化合物の製造方法であって、下記一般式(2)で表される加水分解性基含有オルガノシランsモル、下記一般式(3)で表される加水分解性基含有オルガノシランtモル及び下記一般式(4)で表される加水分解性基含有珪素化合物uモル〔但し、s及びuは正の数であり、tは0又は正の数であって、0≦t/(s+u)≦1且つ0<u/s≦5である。〕を、加水分解共縮合反応させることを特徴とするアルカリ可溶性珪素含有高分子化合物の製造方法。
A1(R1)mSiM1 3 (2)
〔式中、A1は水酸基を有するかもしくはアルコキシ基を有するフェニル基、R1は炭素数1〜4のアルキレン基、M1は加水分解性基、mは0又は1である。〕
SiM3 4 (4)
〔式中、M3は加水分解性基である。〕
4.下記一般式(5)で表され、重量平均分子量が500〜500,000である珪素含有高分子化合物。
5.上記4記載の珪素含有高分子化合物におけるSi原子に結合するH原子と、上記4記載の珪素含有高分子化合物の他の化合物における炭素−炭素不飽和基との反応によるヒドロシリル化重合体を含有する耐熱性樹脂組成物。
6.窒素雰囲気下、昇温速度10℃/分で25℃から1,000℃まで加熱したときの重量損失率が5%以下である上記5記載の耐熱性樹脂組成物。
7.上記4記載の珪素含有高分子化合物の有機溶媒溶液を基材上に展開してなる被膜を熱ヒドロシリル化反応により硬化させた耐熱性皮膜。
本発明のアルカリ可溶性珪素含有高分子化合物の製造方法は、特定の原料成分を用いることで、分子量の大きな化合物を容易に製造することができる。
本発明の耐熱性樹脂組成物によると、窒素雰囲気下、昇温速度10℃/分で25℃から1,000℃まで加熱したときの重量損失率を5%以下とすることができる。
本発明の耐熱性皮膜は、窒素雰囲気下、昇温速度10℃/分で25℃から1,000℃まで加熱したときの重量損失率を5%以下とすることができる。
1.アルカリ可溶性珪素含有高分子化合物
本発明のアルカリ可溶性珪素含有高分子化合物(以下、「高分子化合物(I)」ともいう。)は、下記一般式(1)で表され、重量平均分子量が500〜500,000である。
〔式中、A1は水酸基を有するかもしくはアルコキシ基を有するフェニル基、R1は炭素数1〜4のアルキレン基、mは0又は1である。〕
[Si−O4/2] (8)
A1の好ましい例として、オルトヒドロキシフェニル基、メタヒドロキシフェニル基、パラヒドロキシフェニル基、2,3−ジヒドロキシフェニル基、2,4−ジヒドロキシフェニル基、3,4−ジヒドロキシフェニル基、3,5−ジヒドロキシフェニル基、オルトメトキシフェニル基、メタメトキシフェニル基、パラメトキシフェニル基、2,3−ジメトキシフェニル基、2,4−ジメトキシフェニル基、3,4−ジメトキシフェニル基、3,5−ジメトキシフェニル基、オルトエトキシフェニル基、メタエトキシフェニル基、パラエトキシフェニル基、2,3−ジエトキシフェニル基、2,4−ジエトキシフェニル基、3,4−ジエトキシフェニル基、3,5−ジエトキシフェニル基、オルトイソプロポキシフェニル基、メタイソプロポキシフェニル基、パライソプロポキシフェニル基、2,3−ジ−イソプロポキシフェニル基、2,4−ジ−イソプロポキシフェニル基、3,4−ジ−イソプロポキシフェニル基、3,5−ジ−イソプロポキシフェニル基、オルト−tert−ブトキシフェニル基、メタ−tert−ブトキシフェニル基、パラ−tert−ブトキシフェニル基、2,3−ジ−tert−ブトキシフェニル基、2,4−ジ−tert−ブトキシフェニル基、3,4−ジ−tert−ブトキシフェニル基、3,5−ジ−tert−ブトキシフェニル基、2−メトキシ−3−ヒドロキシフェニル基、2−メトキシ−4−ヒドロキシフェニル基、3−メトキシ−4−ヒドロキシフェニル基、3−メトキシ−5−ヒドロキシフェニル基、2−ヒドロキシ−3−メトキシフェニル基、2−ヒドロキシ−4−メトキシフェニル基、3−ヒドロキシ−4−メトキシフェニル基、3−ヒドロキシ−5−メトキシフェニル基、2−エトキシ−3−ヒドロキシフェニル基、2−エトキシ−4−ヒドロキシフェニル基、3−エトキシ−4−ヒドロキシフェニル基、3−エトキシ−5−ヒドロキシフェニル基、2−ヒドロキシ−3−エトキシフェニル基、2−ヒドロキシ−4−エトキシフェニル基、3−ヒドロキシ−4−エトキシフェニル基、3−ヒドロキシ−5−エトキシフェニル基等が挙げられる。
本発明の高分子化合物(I)において、s≧2の場合、1分子中のA1は同種であってもよく、また、2種以上の異種の組み合わせであってもよい。
mは0又は1である。
本発明の高分子化合物(I)に含まれるR2は同種であってもよく、また、2種以上の異種の組み合わせであってよい。
本発明のアルカリ可溶性珪素含有高分子化合物の製造方法は、上記一般式(1)で表される高分子化合物(I)の製造方法であり、下記一般式(2)で表される加水分解性基含有オルガノシランsモル、下記一般式(3)で表される加水分解性基含有オルガノシランtモル及び下記一般式(4)で表される加水分解性基含有珪素化合物uモル〔但し、s及びuは正の数であり、tは0又は正の数であって、0≦t/(s+u)≦1且つ0<u/s≦5である。〕を、加水分解共縮合反応させるものである。
〔式中、A1は水酸基を有するかもしくはアルコキシ基を有するフェニル基、R1は炭素数1〜4のアルキレン基、M1は加水分解性基、mは0又は1である。〕
SiM3 4 (4)
〔式中、M3は加水分解性基である。〕
上記一般式(3)で表される化合物としては、トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン等が挙げられる。
また、上記一般式(4)で表される化合物としては、テトラエトキシシラン等が挙げられる。
酸性触媒としては、無機酸及び有機酸を、各々、単独であるいは組み合わせて用いることができる。無機酸としては、例えば、塩酸、硫酸、燐酸、硝酸等が挙げられる。有機酸としては、例えば、酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、シュウ酸、マレイン酸、メチルマロン酸、アジピン酸、セバシン酸、没食子酸、酪酸、メリット酸、アラキドン酸、シキミ酸、2−エチルヘキサン酸、オレイン酸、ステアリン酸、リノール酸、リノレイン酸、サリチル酸、安息香酸、p−アミノ安息香酸、p−トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、モノクロロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、ギ酸、マロン酸、スルホン酸、フタル酸、フマル酸、クエン酸、酒石酸等が挙げられる。
金属キレート化合物としては、例えば、チタンキレート化合物、ジルコニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物等が挙げられる。
本発明の高分子化合物(I)の製造方法においては、酸性触媒を用いることが好ましく、揮発性の高い塩酸、硝酸等が特に好ましい。
トリアルキルシリル基で保護した場合には、このトリアルキルシリル基が加水分解して、上記一般式(7)で表される1官能性シロキサン単位として本発明の珪素含有高分子化合物中に取り込まれ得る。
他の本発明の珪素含有高分子化合物(以下、「高分子化合物(II)」ともいう。)は、下記一般式(5)で表され、重量平均分子量が500〜500,000である。
[Si−O4/2] (9)
[H−Si−O3/2] (10)
[A2−(R3)n−Si−O3/2 (11)
〔式中、A2は炭素−炭素不飽和基を有する炭素数2〜10の有機基、R3は炭素数1〜20のアルキレン基、炭素数6〜20の2価の芳香族基もしくは炭素数3〜20の2価の脂環式基、nは0又は1である。〕
A2の好ましい例として、ビニル基、オルトスチリル基、メタスチリル基、パラスチリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、アクリロキシ基、メタクリロキシ基、1−プロペニル基、1−ブテニル基、1−ペンテニル基、3−メチル−1−ブテニル基、フェニルエテニル基、エチニル基、1−プロピニル基、1−ブチニル基、1−ペンチニル基、3−メチル−1−ブチニル基、フェニルブチニル基等が挙げられる。
上記一般式(5)において、y≧2の場合、1分子中のA2は同種であってもよく、また、2種以上の異種の組み合わせであってもよい。
炭素数1〜20のアルキレン基としては、好ましくは、メチレン基、エチレン基、n−プロピレン基、i−プロピレン基、n−ブチレン基、i−ブチレン基等である。
炭素数6〜20の2価の芳香族基としては、好ましくは、フェニレン基、ナフチレン基等が挙げられる。
炭素数3〜20の2価の脂環式基としては、好ましくは、ノルボルネン骨格、トリシクロデカン骨格、アダマンタン骨格等を有する2価の炭化水素基等である。
nは0又は1である。
本発明の高分子化合物(II)に含まれるR4は同種であってもよく、また、2種以上の異種の組み合わせであってよい。
〔式中、M4は加水分解性基である。〕
HSiM5 3 (14)
〔式中、M5は加水分解性基である。〕
A2(R3)nSiM6 3 (15)
〔式中、A2は炭素−炭素不飽和基を有する炭素数2〜10の有機基、R3は炭素数1〜20のアルキレン基、炭素数6〜20の2価の芳香族基もしくは炭素数3〜20の2価の脂環式基、M6は加水分解性基である。〕
本発明の耐熱性樹脂組成物は、上記の珪素含有高分子化合物(II)におけるSi原子に結合するH原子と、上記の珪素含有高分子化合物(II)の他の化合物における炭素−炭素不飽和基との反応によるヒドロシリル化重合体を含有することを特徴とする。
触媒を用いる場合は、白金含有触媒を用いることが好ましい。
白金含有触媒としては、従来、ヒドロシリル化反応に使用されているものを用いることができ、白金ジビニルシロキサン、白金環状ビニルメチルシロキサン、トリス(ジベンジリデンアセトン)二白金、塩化白金酸、ビス(エチレン)テトラクロロ二白金、シクロオクタジエンジクロロ白金、ビス(シクロオクタジエン)白金、ビス(ジメチルフェニルホスフィン)ジクロロ白金、テトラキス(トリフェニルホスフィン)白金、白金カーボン等が挙げられる。
本発明の耐熱性皮膜は、上記珪素含有高分子化合物(II)の有機溶媒溶液を基材上に展開してなる被膜を熱ヒドロシリル化反応により硬化させたものである。
上記基材の形状としては、シート、板、角、管、円、球等が挙げられ、これらの複合体であってもよい。
従って、上記基材の具体例としては、板状ガラス、シリコンウエハ、各種形状のプラスチック成形体、建材、金属板等が挙げられる。
尚、皮膜の形成に際しては、通常、大気中又は窒素ガス等の不活性ガス中において、上記有機溶媒溶液を基材の表面に塗布等によって展開し、被膜とした後、適宜の時間、即ち、1分〜10時間、好ましくは1分から1時間にわたり、加熱処理される。この加熱によって、有機溶媒を乾燥除去され、皮膜が形成される。上記加熱処理の温度は、通常、40℃以上300℃未満の範囲であるが、好ましくは50〜200℃の範囲である。尚、上記加熱処理は、この範囲の温度において、同じ温度で行ってもよいし、昇温、降温等を組み合わせて行ってもよい。
1.アルカリ可溶性珪素含有高分子化合物の製造
参考例1〔3−(3−メトキシ−4−ヒドロキシフェニル)プロピルトリエトキシシランの合成〕
撹拌機、還流管、滴下ロート及び温度計を備えた四つ口フラスコに、3−(3−メトキシ−4−ヒドロキシフェニル)プロペン164g(1.0モル)と、塩化白金酸の2質量%イソプロパノール溶液を白金量換算で100ppmとを加え、50〜60℃で加熱撹拌しながら、滴下ロートよりトリエトキシシラン164g(1.0モル)を5時間かけて滴下し、反応させた。反応終了後、減圧蒸留して目的物〔3−(3−メトキシ−4−ヒドロキシフェニル)プロピルトリエトキシシラン〕を289g(0.88モル)得た。収率は88%であった。
反応生成物の物性を以下に示す。
沸点 : 130℃/2mmHg
1H−NMR δ(ppm):
0.6〜0.8(m,2H),1.1〜1.3(m,9H),1.6〜1.9(m,2H),2.4〜2.6(m,2H),3.5〜4.1(m,9H),5.48(s,1H),6.5〜6.7(m,2H),6.7〜7.0(m,1H)
撹拌機、還流管、滴下ロート及び温度計を備えた四つ口フラスコに、参考例1で得られた3−(3−メトキシ−4−ヒドロキシフェニル)プロピルトリエトキシシラン65.7g(0.2モル)、テトラエトキシシラン33.3g(0.16モル)、ヘキサメチルジシロキサン3.2g(0.02モル)及びトルエン37.0gを加え、70℃で加熱撹拌しながら、水20g、濃塩酸0.5g及びエタノール10gの混合物を約1時間かけて滴下し、反応させた。
滴下終了後、75℃で4時間還流を続けた。次いで、反応系に水150gを加え、静置することで2層に分離させた。高分子成分を含む下層を分取し、上層をトルエン100gにより抽出した。次いで、トルエン抽出物と上記高分子成分とを合わせ、水分定量受器を装着したフラスコに戻し、共沸によって水及びエタノールを留出させた。冷却後、ろ過、濃縮により、珪素含有高分子化合物47.8gを得た。収率は85%であった。
分子量(GPC,テトラヒドロフラン溶媒,標準ポリスチレン換算):
Mw=8.5×103
Mn=4.4×103
軟化点 : 95〜100℃
1H−NMR δ(ppm):
−0.4〜0.4(br,1.8H),0.5〜2.7(br,6H),3.4〜4.3(br,3H),6.4〜7.2(br,3H)
29Si−NMR δ(ppm):
−114〜−102(br,0.79Si),−70〜−63(br,1Si),8〜15(br,0.18Si)
上記実施例1−1と同様にして、参考例1で得られた3−(2−メトキシ−3−ヒドロキシフェニル)プロピルトリエトキシシランを、テトラエトキシシラン、ヘキサメチルジシロキサン等と表1に示す比率で仕込み、珪素含有高分子化合物を製造した。反応生成物の物性は、表1に併記した。
撹拌機、還流管、滴下ロート及び温度計を備えた四つ口フラスコに、p−(tert−ブトキシ)スチレン176g(1.0モル)と、塩化白金酸の2質量%イソプロパノール溶液を白金量換算で100ppmとを加え、50〜60℃で加熱撹拌しながら、滴下ロートよりトリエトキシシラン164g(1.0モル)を5時間かけて滴下し、反応させた。反応終了後、減圧蒸留して目的物〔2−p−(tert−ブトキシ)フェニルエチルトリエトキシシラン〕を313g(0.92モル)得た。収率は92%であった。
反応生成物の物性を以下に示す。
沸点 : 115℃/3mmHg
1H−NMR δ(ppm):
0.5〜0.7(m,2H),1.0〜1.5(m,18H),2.4〜2.7(m,2H)、3.5〜4.1(m,6H),6.5〜6.7(m,2H),6.7〜7.0(m,2H)
撹拌機、還流管、滴下ロート及び温度計を備えた四つ口フラスコに、参考例2で得られた2−p−(tert−ブトキシ)フェニルエチルトリエトキシシラン68.1g(0.2モル)、テトラエトキシシラン33.3g(0.16モル)、ヘキサメチルジシロキサン3.2g(0.02モル)及びトルエン41.5gを加え、70℃で加熱撹拌しながら、水20g、濃塩酸0.5g及びエタノール10gの混合物を約1時間かけて滴下し、反応させた。その後、実施例1−1と同様にして、分離、濃縮により珪素含有高分子化合物51.7gを得た。収率は88%であった。
分子量(GPC,テトラヒドロフラン溶媒,標準ポリスチレン換算):
Mw=5.6×103
Mn=3.2×103
軟化点 : 120〜130℃
1H−NMR δ(ppm):
−0.4〜0.4(br,1.8H),0.5〜2.7(br,13H),6.4〜7.2(br,4H)
29Si−NMR δ(ppm):
−113〜−101(br,0.78Si),−72〜−64(br,1Si),7〜15(br,0.15Si)
実施例2−1
撹拌機、還流管、滴下ロート及び温度計を備えた四つ口フラスコに、トリエトキシシラン24.7g(0.15モル)、ビニルトリメトキシシラン22.2g(0.15モル)、ヘキサメチルジシロキサン2.4g(0.015モル)及びトルエン37.0gを加え、70℃で加熱撹拌しながら、水20g、濃塩酸0.5g及びエタノール10gの混合物を約1時間かけて滴下し、反応させた。
滴下終了後、75℃で4時間還流を続けた。次いで、反応系に水150gを加え、静置することで2層に分離させた。高分子成分を含む下層を分取し、上層をトルエン100gにより抽出した。トルエン抽出物と上記高分子成分とを合わせ、水分定量受器を装着したフラスコに戻し、共沸によって水及びエタノールを留出させた。冷却後、ろ過、濃縮により、珪素含有高分子化合物(P1)19.0gを得た。収率は85%であった。
分子量(GPC,テトラヒドロフラン溶媒,標準ポリスチレン換算):
Mw=2.0×103
Mn=1.0×103
粘度(25℃) : 1.2×100Pa・s
1H−NMR δ(ppm):
−0.4〜0.4(br,1.8H),4.2〜5.0(br,1H),5.4〜6.2(br,3H)
29Si−NMR δ(ppm):
−89〜−82(br,1Si),−70〜−63(br,0.99Si),8〜15(br,0.19Si)
上記実施例2−1と同様にして、トリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン及びヘキサメチルジシロキサンを表2に示す比率で仕込み、珪素含有高分子化合物(P2)〜(P5)を製造した。反応生成物の物性は、表2に併記した。
撹拌機、還流管、滴下ロート及び温度計を備えた四つ口フラスコに、トリエトキシシラン24.7g(0.15モル)、ビニルトリメトキシシラン22.2g(0.15モル)、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン2.0g(0.015モル)及びトルエン37.0gを加え、70℃で加熱撹拌しながら、水20g、濃塩酸0.5g及びエタノール10gの混合物を約1時間かけて滴下し、反応させた。その後、実施例2−1と同様の操作により、分離、濃縮により珪素含有高分子化合物(P6)19.2gを得た。収率は88%であった。
分子量(GPC,テトラヒドロフラン溶媒,標準ポリスチレン換算):
Mw=2.2×103
Mn=1.2×103
粘度(25℃) :1.1×100Pa・s
1H−NMR δ(ppm):
−0.4〜0.4(br,1.2H),4.2〜5.0(br,1.2H),5.4〜6.2(br,3H)
29Si−NMR δ(ppm):
−89〜−82(br,1Si),−70〜−63(br,0.98Si),−12〜−5(br,0.2Si)
撹拌機、還流管、滴下ロート及び温度計を備えた四つ口フラスコに、トリエトキシシラン24.7g(0.15モル)、パラスチリルトリメトキシシラン33.7g(0.15モル)及びトルエン37.0gを加え、70℃で加熱撹拌しながら、水20g、濃塩酸0.5g及びエタノール10gの混合物を約1時間かけて滴下し、反応させた。その後、実施例2−1と同様の操作により、分離、濃縮により珪素含有高分子化合物(P7)27.8gを得た。収率は89%であった。
分子量(GPC,テトラヒドロフラン溶媒,標準ポリスチレン換算):
Mw=6.2×103
Mn=3.2×103
粘度(25℃) : 5.2×101Pa・s
1H−NMR δ(ppm):
4.2〜5.0(br,1H),5.3〜6.8(br,3H),7.1〜7.8(br,4H)
29Si−NMR δ(ppm):
−89〜−82(br,1Si),−70〜−63(br,0.99Si)
撹拌機、還流管、滴下ロート及び温度計を備えた四つ口フラスコに、トリエトキシシラン24.7g(0.15モル)、パラスチリルトリメトキシシラン33.7g(0.15モル)、ヘキサメチルジシロキサン2.4g(0.015モル)及びトルエン37.0gを加え、70℃で加熱撹拌しながら、水20g、濃塩酸0.5g及びエタノール10gの混合物を約1時間かけて滴下し、反応させた。その後、実施例2−1と同様の操作により、分離、濃縮により珪素含有高分子化合物(P8)28.3gを得た。収率は84%であった。
分子量(GPC,テトラヒドロフラン溶媒,標準ポリスチレン換算):
Mw=2.3×103
Mn=1.4×103
粘度(25℃) : 3.8×100Pa・s
1H−NMR δ(ppm):
−0.4〜0.4(br,1.8H),4.2〜5.0(br,1H),5.3
〜6.8(br,3H),7.1〜7.8(br,4H)
29Si−NMR δ(ppm):
−89〜−82(br,1Si),−70〜−63(br,1Si),8〜15
(br,0.2Si)
撹拌機、還流管、滴下ロート及び温度計を備えた四つ口フラスコに、トリエトキシシラン24.7g(0.15モル)、パラスチリルトリメトキシシラン33.7g(0.15モル)、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン2.0g(0.015モル)及びトルエン37.0gを加え、70℃で加熱撹拌しながら、水20g、濃塩酸0.5g及びエタノール10gの混合物を約1時間かけて滴下し、反応させた。その後、実施例2−1と同様の操作により、分離、濃縮により珪素含有高分子化合物(P9)27.6gを得た。収率は83%であった。
分子量(GPC,テトラヒドロフラン溶媒,標準ポリスチレン換算):
Mw=2.2×103
Mn=1.2×103
粘度(25℃) : 4.1×100Pa・s
1H−NMR δ(ppm):
−0.4〜0.4(br,1.2H),4.2〜5.0(br,1.2H),5.3〜6.8(br,3H),7.1〜7.8(br,4H)
29Si−NMR δ(ppm):
−89〜−82(br,1Si),−70〜−63(br,0.99Si),−12〜−5(br,0.19Si)
撹拌機、還流管、滴下ロート及び温度計を備えた四つ口フラスコに、トリエトキシシラン24.7g(0.15モル)、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン37.7g(0.15モル)、ヘキサメチルジシロキサン2.4g(0.015モル)及びトルエン37.0gを加え、70℃で加熱撹拌しながら、水20g、濃塩酸0.5g及びエタノール10gの混合物を約1時間かけて滴下し、反応させた。その後、実施例1と同様の操作により、分離、濃縮により珪素含有高分子化合物(P10)34.3gを得た。収率は92%であった。
分子量(GPC,テトラヒドロフラン溶媒,標準ポリスチレン換算):
Mw=2.4×103
Mn=1.5×103
粘度(25℃) : 3.2×100Pa・s
1H−NMR δ(ppm):
−0.4〜0.4(br,1.8H), 0.5〜1.0(br,2H),1.5〜2.5(br,5H),3.6〜4.2(br,2H),4.3〜5.0(br,1H),5.7〜7.1(br,2H)
29Si−NMR δ(ppm):
−89〜−82(br,1Si),−70〜−63(br,0.99Si),8〜15(br,0.2Si)
撹拌機、還流管、滴下ロート及び温度計を備えた四つ口フラスコに、トリエトキシシラン24.7g(0.15モル)、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン35.2g(0.15モル)、ヘキサメチルジシロキサン2.4g(0.015モル)及びトルエン37.0gを加え、70℃で加熱撹拌しながら、水20g、濃塩酸0.5g及びエタノール10gの混合物を約1時間かけて滴下し、反応させた。その後、実施例1と同様の操作により、分離、濃縮により珪素含有高分子化合物(P11)31.7gを得た。収率は90%であった。
分子量(GPC,テトラヒドロフラン溶媒,標準ポリスチレン換算):
Mw=2.3×103
Mn=1.1×103
粘度(25℃) :3.2×100Pa・s
1H−NMR δ(ppm):
−0.4〜0.4(br,1.8H), 0.5〜1.0(br,2H),1.9〜2.5(br,2H),3.6〜4.2(br,2H),4.3〜5.0(br,1H),5.7〜7.1(br,3H)
29Si−NMR δ(ppm):
−89〜−82(br,1Si),−70〜−63(br,0.98Si),8〜15(br,0.2Si)
実施例2−12
実施例2−1で得られた珪素含有高分子化合物(P1)10gと塩化白金酸1mgとを、室温で5分間攪拌した後、120℃で1時間加熱した。これにより、不溶不融の樹脂組成物が得られた。この加熱の際、不飽和基を有する化合物が気化することはなかった。
この樹脂組成物の熱重量測定を行ったところ、窒素雰囲気下、昇温速度10℃/分で25℃から加熱したとき、625℃において、重量損失率は5.0%であった。また、同条件で、空気雰囲気下で加熱したときは、84.3%が残存し、Td5(加熱前の質量を基準として、重量損失の割合が5質量%となった温度)は405℃であった(表3参照)。また、示差走査熱量計(DSC)によると、500℃までの温度範囲において、ガラス転移点と見られる挙動は、はっきりとは確認されなかった。
実施例2−2〜2−5で得られた珪素含有高分子化合物(P2)〜(P5)を用い、実施例2−12と同様にして樹脂組成物を調製し、同様の評価を行った。その結果を表3に示す。
実施例2−6で得られた珪素含有高分子化合物(P6)10gと塩化白金酸1mgとを、室温で5分間攪拌した後、120℃で1時間加熱した。これにより、不溶不融の樹脂組成物が得られた。この加熱の際、不飽和基を有する化合物が気化することはなかった。
この樹脂組成物の熱重量測定を行ったところ、窒素雰囲気下、昇温速度10℃/分で25℃から加熱したとき、1065℃において、重量損失率は5.0%であった。また、同条件で、空気雰囲気下で加熱したときは、90.2%が残存し、Td5は620℃であった(表4参照)。また、500℃までの温度範囲において、ガラス転移点と見られる挙動は、はっきりとは確認されなかった。
実施例2−7〜2−11で得られた珪素含有高分子化合物(P7)〜(P11)を用い、実施例2−17と同様にして樹脂組成物を調製し、同様の評価を行った。その結果を表4に示す。
実施例2−23
実施例2−1で得られた珪素含有高分子化合物(P1)0.1gにテトラヒドロフラン0.9gを加え、樹脂溶液を調製した。
その後、この樹脂溶液を、直径3インチのシリコンウエハ上に、回転数1,000rpmで30秒間スピンコートした。次いで、直ちに110℃で10分間加熱し、膜厚0.5μmの皮膜を得た。この皮膜はクラックのない平滑な膜であった。また、得られた皮膜を、400℃×30分及び700℃×30分の各条件で加熱したところ、クラックは発生しなかった(表5参照)。尚、表5の皮膜の状態を示す欄において、クラックが発生しなかった場合に「○」、クラックが発生した場合に「×」と表示した。
実施例2−2〜2−5で得られた珪素含有高分子化合物(P2)〜(P5)を用い、実施例2−23と同様にしてシリコンウエハ上に、皮膜を形成させ、同様の評価を行った。その結果を表5に示す。
実施例2−6で得られた珪素含有高分子化合物(P6)0.1gにテトラヒドロフラン0.9gを加え、樹脂溶液を調製した。
その後、この樹脂溶液を、直径3インチのシリコンウエハ上に、回転数1,000rpmで30秒間スピンコートした。次いで、直ちに110℃で10分間加熱して膜厚0.6μmからなる皮膜を得た。この皮膜はクラックのない平滑な膜であった。また、得られた皮膜を、400℃×30分及び700℃×30分の各条件で加熱したところ、クラックは発生しなかった(表6参照)。
実施例2−7〜2−9で得られた珪素含有高分子化合物(P7)〜(P9)を用い、実施例2−28と同様にしてシリコンウエハ上に、皮膜を形成させ、同様の評価を行った。その結果を表6に示す。
実施例3−1
撹拌機、還流管、滴下ロート及び温度計を備えた四つ口フラスコに、トリエトキシシラン44.4g(0.27モル)、ビニルトリメトキシシラン4.4g(0.03モル)及びトルエン37.0gを加え、70℃で加熱撹拌しながら、水20g、濃塩酸0.5g及びエタノール10gの混合物を約1時間かけて滴下し、反応させた。
滴下終了後、75℃で4時間還流を続けた。次いで、反応系に水150gを加え、静置することで2層に分離させた。高分子成分を含む下層を分取し、上層をトルエン100gにより抽出した。トルエン抽出物と上記高分子成分とを合わせ、水分定量受器を装着したフラスコに戻し、共沸によって水及びエタノールを留出させた。冷却後、ろ過、濃縮により、珪素含有高分子化合物(Q1)14.5gを得た。収率は87%であった。
[H−Si−O3/2]l[CH2=CH−Si−O3/2]m (27)
〔式中、l:m=0.9:0.1である。〕
分子量(GPC,テトラヒドロフラン溶媒,標準ポリスチレン換算):
Mw=4.5×103
Mn=3−1×103
粘度(25℃) : 4.3×100Pa・s
1H−NMR δ(ppm):
4.2〜4.7(br,3H),5.4〜6.2(br,1H)
29Si−NMR δ(ppm):
−89〜−82(br,1Si),−70〜−63(br,0.11Si)
撹拌機、還流管、滴下ロート及び温度計を備えた四つ口フラスコに、トリエトキシシラン44.4g(0.27モル)、パラスチリルトリメトキシシラン6.7g(0.03モル)及びトルエン37.0gを加え、70℃で加熱撹拌しながら、水20g、濃塩酸0.5g及びエタノール10gの混合物を約1時間かけて滴下し、反応させた。その後、実施例3−1と同様にして、分離、濃縮により、珪素含有高分子化合物(Q2)16.9gを得た。収率は89%であった。
分子量(GPC,テトラヒドロフラン溶媒,標準ポリスチレン換算):
Mw=7.4×103
Mn=3.8×103
粘度(25℃) : 8.3×101Pa・s
1H−NMR δ(ppm):
4.2〜5.0(br,3H),5.4〜6.2(br,1H),7.1〜7.8(br,1.3H)
29Si−NMR δ(ppm):
−89〜−82(br,1Si),−70〜−63(br,0.11Si)
撹拌機、還流管、滴下ロート及び温度計を備えた四つ口フラスコに、トリエトキシシラン34.5g(03−1モル)、ビニルトリメトキシシラン4.4g(0.03モル)、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン4.0g(0.03モル)及びトルエン37.0gを加え、70℃で加熱撹拌しながら、水20g、濃塩酸0.5g及びエタノール10gの混合物を約1時間かけて滴下し、反応させた。その後、実施例3−1と同様にして、分離、濃縮により、珪素含有高分子化合物(Q3)16.7gを得た。収率は88%であった。
分子量(GPC,テトラヒドロフラン溶媒,標準ポリスチレン換算):
Mw=2.2×103
Mn=1.2×103
粘度(25℃) : 1.1×100Pa・s
1H−NMR δ(ppm):
−0.4〜0.4(br,4H),4.2〜4.7(br,3H),5.4〜6.2(br,1H)
29Si−NMR δ(ppm):
−89〜−82(br,1Si),−70〜−63(br,0.15Si),−12〜−5(br,0.29Si)
撹拌機、還流管、滴下ロート及び温度計を備えた四つ口フラスコに、テトラエトキシシラン25.0g(0.12モル)、トリエトキシシラン14.8g(0.09モル)、ビニルトリメトキシシラン4.4g(0.03モル)、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン4.0g(0.03モル)及びトルエン37.0gを加え、70℃で加熱撹拌しながら、水20g、濃塩酸0.5g及びエタノール10gの混合物を約1時間かけて滴下し、反応させた。その後、実施例3−1と同様にして、分離、濃縮により、珪素含有高分子化合物(Q4)16.9gを得た。収率は92%であった。
分子量(GPC,テトラヒドロフラン溶媒,標準ポリスチレン換算):
Mw=5.8×103
Mn=2.2×103
粘度(25℃) : 1.2×101Pa・s
1H−NMR δ(ppm):
−0.4〜0.4(br,4H),4.2〜4.7(br,1.6H),5.4〜6.2(br,1H)
29Si−NMR δ(ppm):
−112〜−105(br,1Si),−89〜−82(br,0.75Si),−70〜−63(br,0.25Si),−12〜−5(br,0.49Si)
撹拌機、還流管、滴下ロート及び温度計を備えた四つ口フラスコに、テトラエトキシシラン37.5g(0.18モル)、トリエトキシシラン4.9g(0.03モル)、ビニルトリメトキシシラン4.4g(0.03モル)、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン4.0g(0.03モル)及びトルエン37.0gを加え、70℃で加熱撹拌しながら、水20g、濃塩酸0.5g及びエタノール10gの混合物を約1時間かけて滴下し、反応させた。その後、実施例3−1と同様にして、分離、濃縮により、珪素含有高分子化合物(Q5)17.7gを得た。収率は94%であった。
分子量(GPC,テトラヒドロフラン溶媒,標準ポリスチレン換算):
Mw=8.2×103
Mn=3.2×103
粘度(25℃) : 2.3×101Pa・s
1H−NMR δ(ppm):
−0.4〜0.4(br,4H),4.2〜4.7(br,1H),5.4〜6.2(br,1H)
29Si−NMR δ(ppm):
−112〜−105(br,1Si),−89〜−82(br,0.17Si),−70〜−63(br,0.16Si),−12〜−5(br,0.50Si)
実施例3−6
実施例3−1で得られた珪素含有高分子化合物(Q1)10gと塩化白金酸1mgとを、室温で5分間攪拌した後、120℃で1時間加熱した。これにより、樹脂組成物が得られた。この樹脂組成物の溶解性を、低級アルコール、ケトン等により調べたところ、不溶であった。
また、この樹脂組成物の熱重量測定を行ったところ、窒素雰囲気下、昇温速度10℃/分で25℃から1,000℃まで加熱したときの重量損失率は、1.2%であった。空気雰囲気下、同条件で加熱したときの重量損失率は、2.3%であった(表7参照)。
更に、DSCによると、500℃まで温度範囲において、ガラス転移点と見られる挙動は、はっきりとは確認されなかった。
尚、表7における「不溶不融」は、有機溶媒に不溶であり、加熱しても溶融しない性質であることを意味する。
実施例3−2〜3−5で得られた珪素含有高分子化合物(Q2)〜(Q5)について、実施例3−6と同様にして樹脂組成物を調製し、同様の評価を行った。その結果を表7に示す。
実施例3−11
実施例3−1で得られた珪素含有高分子化合物(Q1)0.1gにテトラヒドロフラン0.9gを加え、樹脂溶液を調製した。
その後、この樹脂溶液を、直径3インチのシリコンウエハ上に、回転数1,000rpmで30秒間スピンコートした。次いで、直ちに110℃で10分間加熱し、膜厚0.5μmの皮膜を得た。この皮膜はクラックのない平滑な膜であった。また、得られた皮膜を、400℃×30分及び700℃×30分の各条件で加熱したところ、クラックは発生しなかった(表8参照)。尚、表8の皮膜の状態を示す欄において、クラックが発生しなかった場合に「○」、クラックが発生した場合に「×」と表示した。
実施例3−2〜3−5で得られた珪素含有高分子化合物(Q2)〜(Q5)について、実施例3−11と同様にしてシリコンウエハ上に、皮膜を形成させ、同様の評価を行った。その結果を表8に示す。
Claims (7)
- 上記一般式(1)において、0≦t/(s+u)≦0.2且つ0.2≦u/s≦5であり、室温において固体である請求項1記載のアルカリ可溶性珪素含有高分子化合物。
- 上記一般式(1)で表されるアルカリ可溶性珪素含有高分子化合物の製造方法であって、下記一般式(2)で表される加水分解性基含有オルガノシランsモル、下記一般式(3)で表される加水分解性基含有オルガノシランtモル及び下記一般式(4)で表される加水分解性基含有珪素化合物uモル〔但し、s及びuは正の数であり、tは0又は正の数であって、0≦t/(s+u)≦1且つ0<u/s≦5である。〕を、加水分解共縮合反応させることを特徴とするアルカリ可溶性珪素含有高分子化合物の製造方法。
A1(R1)mSiM1 3 (2)
〔式中、A1は水酸基を有するかもしくはアルコキシ基を有するフェニル基、R1は炭素数1〜4のアルキレン基、M1は加水分解性基、mは0又は1である。〕
〔式中、R2は炭素数1〜4のアルキル基、M2は加水分解性基である。〕
SiM3 4 (4)
〔式中、M3は加水分解性基である。〕 - 請求項4記載のケイ素含有高分子化合物におけるSi原子に結合するH原子と、請求項4記載のケイ素含有高分子化合物の他の化合物における炭素−炭素不飽和基との反応によるヒドロシリル化重合体を含有する耐熱性樹脂組成物。
- 窒素雰囲気下、昇温速度10℃/分で25℃から1,000℃まで加熱したときの重量損失率が5%以下である請求項5記載の耐熱性樹脂組成物。
- 請求項4記載のケイ素含有高分子化合物の有機溶媒溶液を基材上に展開してなる被膜を熱ヒドロシリル化反応により硬化させた耐熱性皮膜。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011006369A JP5601212B2 (ja) | 2003-07-29 | 2011-01-14 | 珪素含有高分子化合物、耐熱性樹脂組成物及び耐熱性皮膜 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003203411 | 2003-07-29 | ||
JP2003203412 | 2003-07-29 | ||
JP2003203411 | 2003-07-29 | ||
JP2003203412 | 2003-07-29 | ||
JP2011006369A JP5601212B2 (ja) | 2003-07-29 | 2011-01-14 | 珪素含有高分子化合物、耐熱性樹脂組成物及び耐熱性皮膜 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005512082A Division JP4702055B2 (ja) | 2003-07-29 | 2004-07-29 | 珪素含有高分子化合物及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011102399A true JP2011102399A (ja) | 2011-05-26 |
JP5601212B2 JP5601212B2 (ja) | 2014-10-08 |
Family
ID=34106861
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005512082A Expired - Fee Related JP4702055B2 (ja) | 2003-07-29 | 2004-07-29 | 珪素含有高分子化合物及びその製造方法 |
JP2011006369A Expired - Lifetime JP5601212B2 (ja) | 2003-07-29 | 2011-01-14 | 珪素含有高分子化合物、耐熱性樹脂組成物及び耐熱性皮膜 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005512082A Expired - Fee Related JP4702055B2 (ja) | 2003-07-29 | 2004-07-29 | 珪素含有高分子化合物及びその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7811637B2 (ja) |
EP (2) | EP2159249B1 (ja) |
JP (2) | JP4702055B2 (ja) |
KR (2) | KR101100463B1 (ja) |
CN (2) | CN100430432C (ja) |
WO (1) | WO2005010077A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160055155A (ko) | 2013-09-13 | 2016-05-17 | 도아고세이가부시키가이샤 | 유기 규소 화합물 함유 열경화성 조성물 및 그의 경화물 |
JP2017095643A (ja) * | 2015-11-27 | 2017-06-01 | 信越化学工業株式会社 | ケイ素含有縮合物、ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物、及びパターン形成方法 |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7811637B2 (en) | 2003-07-29 | 2010-10-12 | Toagosei Co., Ltd. | Silicon-containing polymer, process for producing the same, heat-resistant resin composition, and heat-resistant film |
WO2005037891A1 (en) * | 2003-10-10 | 2005-04-28 | Dow Corning Corporation | Carbinol-function silicine resins |
US7326766B2 (en) * | 2005-09-07 | 2008-02-05 | Momentive Performance Materials Inc. | Method for production of high solids silicone resin coating solution |
EP1788011B1 (en) | 2005-11-14 | 2013-01-09 | Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. | Silicon-containing polymers and optical waveguides formed therefrom |
JP5263171B2 (ja) * | 2007-11-19 | 2013-08-14 | 東亞合成株式会社 | ポリシロキサンおよびその製造方法ならびに硬化物の製造方法 |
DE102008057684A1 (de) * | 2008-11-17 | 2010-05-20 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Dialkoxy- oder Dihydroxyphenylreste enthaltende Silane, daraus hergestellte Klebstoffe sowie Verfahren zur Herstellung der Silane und der Klebstoffe |
JP5526321B2 (ja) * | 2009-08-24 | 2014-06-18 | 独立行政法人 宇宙航空研究開発機構 | 宇宙空間用硬化性組成物、宇宙空間用硬化物、及び、宇宙空間用複合膜 |
JP2011052170A (ja) * | 2009-09-04 | 2011-03-17 | Toagosei Co Ltd | 硬化性塗布組成物および硬化被膜 |
WO2013099909A1 (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-04 | 東亞合成株式会社 | ポリシロキサンの製造方法 |
DE102012202521A1 (de) * | 2012-02-20 | 2013-08-22 | Evonik Goldschmidt Gmbh | Verzweigte Polysiloxane und deren Verwendung |
EP3080219A1 (en) * | 2013-12-09 | 2016-10-19 | 3M Innovative Properties Company | Curable silsesquioxane polymers, compositions, articles, and methods |
JP2014224266A (ja) * | 2014-08-04 | 2014-12-04 | 東亞合成株式会社 | 硬化性塗布組成物および硬化被膜 |
JP2017528577A (ja) | 2014-09-22 | 2017-09-28 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | シルセスキオキサンポリマーコア、シルセスキオキサンポリマー外層、及び反応性基を含む硬化性ポリマー |
US9957416B2 (en) * | 2014-09-22 | 2018-05-01 | 3M Innovative Properties Company | Curable end-capped silsesquioxane polymer comprising reactive groups |
WO2017043054A1 (ja) * | 2015-09-07 | 2017-03-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 真空ガラスパネル、ガラス窓、および真空ガラスパネルの製造方法 |
WO2018110613A1 (ja) | 2016-12-13 | 2018-06-21 | 三菱ケミカル株式会社 | ポリオルガノシロキサン、ポリオルガノシロキサン組成物、及びその硬化物、並びにポリオルガノシロキサンを含む電解コンデンサ用電解液及びそれを用いた電解コンデンサ |
JP7091683B2 (ja) * | 2017-02-06 | 2022-06-28 | 三菱ケミカル株式会社 | オルガノポリシロキサン |
US10941251B2 (en) * | 2018-03-22 | 2021-03-09 | Momentive Performance Materials Inc. | Silicone polymer and composition comprising the same |
US11319414B2 (en) * | 2018-03-22 | 2022-05-03 | Momentive Performance Materials Inc. | Silicone polymer |
WO2019235497A1 (ja) | 2018-06-04 | 2019-12-12 | 東亞合成株式会社 | 撥水撥油膜組成物及びその利用 |
JP7276348B2 (ja) | 2018-10-18 | 2023-05-18 | 東亞合成株式会社 | シルセスキオキサン誘導体組成物及びその利用 |
WO2021261133A1 (ja) * | 2020-06-22 | 2021-12-30 | 東亞合成株式会社 | 光硬化性組成物、その硬化物、及び硬化物の製造方法 |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6296526A (ja) * | 1985-10-24 | 1987-05-06 | Hitachi Ltd | アルカリ可溶性ポリオルガノシルセスキオキサン重合体 |
JPH01123229A (ja) * | 1987-11-09 | 1989-05-16 | Toray Silicone Co Ltd | パターン形成用材料およびパターン形成方法 |
JPH01292036A (ja) * | 1988-05-18 | 1989-11-24 | Toray Dow Corning Silicone Co Ltd | アルカリ可溶性オルガノポリシロキサン |
JPH04184444A (ja) * | 1990-11-20 | 1992-07-01 | Fujitsu Ltd | 感光性耐熱樹脂組成物と半導体装置の製造方法 |
JPH05323612A (ja) * | 1992-05-25 | 1993-12-07 | Oki Electric Ind Co Ltd | 放射線感応性樹脂組成物 |
JPH06128378A (ja) * | 1991-03-08 | 1994-05-10 | Asahi Chem Ind Co Ltd | ケイ素化合物及びその製造法 |
JPH06148895A (ja) * | 1992-11-06 | 1994-05-27 | Toray Ind Inc | 感光性樹脂組成物およびこれを用いたパターン形成方法 |
JPH08245792A (ja) * | 1995-03-10 | 1996-09-24 | Mitsubishi Electric Corp | シリコーンラダーポリマー、シリコーンラダープレポリマーおよびそれらの製造方法 |
JPH09249749A (ja) * | 1996-03-19 | 1997-09-22 | Fujitsu Ltd | アルカリ可溶性シロキサン重合体 |
JP2001288267A (ja) * | 2000-04-04 | 2001-10-16 | Mitsubishi Electric Corp | 高純度シリコーンラダーポリマーの製造方法 |
US6596404B1 (en) * | 2001-07-26 | 2003-07-22 | Dow Corning Corporation | Siloxane resins |
JP2003255546A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-09-10 | Fujitsu Ltd | アルカリ可溶性シロキサン重合体、ポジ型レジスト組成物、レジストパターン及びその製造方法、並びに、電子回路装置及びその製造方法 |
JP2004161867A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-06-10 | Toagosei Co Ltd | ケイ素系アルカリ可溶性樹脂 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3278567D1 (en) * | 1981-10-03 | 1988-07-07 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | Solvent-soluble organopolysilsesquioxanes, processes for producing the same, and compositions and semiconductor devices using the same |
US4745169A (en) | 1985-05-10 | 1988-05-17 | Hitachi, Ltd. | Alkali-soluble siloxane polymer, silmethylene polymer, and polyorganosilsesquioxane polymer |
US5010159A (en) | 1989-09-01 | 1991-04-23 | Dow Corning Corporation | Process for the synthesis of soluble, condensed hydridosilicon resins containing low levels of silanol |
EP0594175B1 (en) * | 1992-10-23 | 1997-06-18 | Mitsubishi Chemical Corporation | Process for producing aromatic polycarbonate |
JP3119028B2 (ja) | 1993-04-02 | 2000-12-18 | 富士ゼロックス株式会社 | 通信装置の発呼装置 |
JPH06296526A (ja) | 1993-04-14 | 1994-10-25 | Showa:Kk | リクライニング装置用渦巻きばねの取付方法及びその取付構造 |
DE4344309A1 (de) * | 1993-12-23 | 1995-06-29 | Wacker Chemie Gmbh | Lösliche Organopolysiloxan-Radikalmakroinitiatoren zur Pfropfcopolymerisation |
US5516884A (en) * | 1994-03-09 | 1996-05-14 | The Penn State Research Foundation | Preparation of polycarbynes and diamond-like carbon materials made therefrom |
JP2884074B2 (ja) | 1996-03-08 | 1999-04-19 | 工業技術院長 | 新規含シルセスキオキサンポリマーとその製造法および耐熱性素材 |
SE511846C2 (sv) | 1997-05-15 | 1999-12-06 | Sandvik Ab | Sätt att smältfassintra en titanbaserad karbonitridlegering |
US6177199B1 (en) * | 1999-01-07 | 2001-01-23 | Alliedsignal Inc. | Dielectric films from organohydridosiloxane resins with low organic content |
US6962727B2 (en) * | 1998-03-20 | 2005-11-08 | Honeywell International Inc. | Organosiloxanes |
US6140445A (en) * | 1998-04-17 | 2000-10-31 | Crompton Corporation | Silane functional oligomer |
JP2000119595A (ja) * | 1998-10-14 | 2000-04-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 焼成皮膜形成用オルガノポリシロキサン組成物 |
JP2000169585A (ja) | 1998-12-07 | 2000-06-20 | Dow Corning Asia Ltd | 水素シルセスキオキサン樹脂及び変性された水素シルセスキオキサン樹脂の製造方法 |
JP2000265065A (ja) | 1999-03-17 | 2000-09-26 | Dow Corning Asia Ltd | 有機溶剤可溶性の水素化オクタシルセスキオキサン−ビニル基含有化合物共重合体の製造方法 |
EP1059322A3 (en) | 1999-06-09 | 2002-05-29 | Dow Corning Corporation | Silicone resins and process for synthesis |
US6281285B1 (en) * | 1999-06-09 | 2001-08-28 | Dow Corning Corporation | Silicone resins and process for synthesis |
JP2001089662A (ja) | 1999-09-22 | 2001-04-03 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 硬化性組成物及びそれを用いた成形体の作製方法 |
GB0108274D0 (en) * | 2001-04-03 | 2001-05-23 | Dow Corning | preparation of silicone resins |
TWI268949B (en) * | 2001-08-30 | 2006-12-21 | Teijin Chemicals Ltd | Flame retardant aromatic polycarbonate resin composition and molded articles thereof |
US20060003252A1 (en) * | 2002-12-02 | 2006-01-05 | Taku Hirayama | Chemical amplification type silicone based positive photoresist composition |
US7811637B2 (en) | 2003-07-29 | 2010-10-12 | Toagosei Co., Ltd. | Silicon-containing polymer, process for producing the same, heat-resistant resin composition, and heat-resistant film |
-
2004
- 2004-07-29 US US10/565,682 patent/US7811637B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-07-29 CN CNB2004800217342A patent/CN100430432C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-07-29 EP EP20090169247 patent/EP2159249B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-07-29 KR KR1020107028035A patent/KR101100463B1/ko active IP Right Grant
- 2004-07-29 KR KR1020067001936A patent/KR101054569B1/ko active IP Right Grant
- 2004-07-29 CN CN2008100917320A patent/CN101255233B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2004-07-29 WO PCT/JP2004/010853 patent/WO2005010077A1/ja active Application Filing
- 2004-07-29 EP EP04748064A patent/EP1650250A4/en not_active Withdrawn
- 2004-07-29 JP JP2005512082A patent/JP4702055B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-10-02 US US12/572,591 patent/US8329815B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2011
- 2011-01-14 JP JP2011006369A patent/JP5601212B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6296526A (ja) * | 1985-10-24 | 1987-05-06 | Hitachi Ltd | アルカリ可溶性ポリオルガノシルセスキオキサン重合体 |
JPH01123229A (ja) * | 1987-11-09 | 1989-05-16 | Toray Silicone Co Ltd | パターン形成用材料およびパターン形成方法 |
JPH01292036A (ja) * | 1988-05-18 | 1989-11-24 | Toray Dow Corning Silicone Co Ltd | アルカリ可溶性オルガノポリシロキサン |
JPH04184444A (ja) * | 1990-11-20 | 1992-07-01 | Fujitsu Ltd | 感光性耐熱樹脂組成物と半導体装置の製造方法 |
JPH06128378A (ja) * | 1991-03-08 | 1994-05-10 | Asahi Chem Ind Co Ltd | ケイ素化合物及びその製造法 |
JPH05323612A (ja) * | 1992-05-25 | 1993-12-07 | Oki Electric Ind Co Ltd | 放射線感応性樹脂組成物 |
JPH06148895A (ja) * | 1992-11-06 | 1994-05-27 | Toray Ind Inc | 感光性樹脂組成物およびこれを用いたパターン形成方法 |
JPH08245792A (ja) * | 1995-03-10 | 1996-09-24 | Mitsubishi Electric Corp | シリコーンラダーポリマー、シリコーンラダープレポリマーおよびそれらの製造方法 |
JPH09249749A (ja) * | 1996-03-19 | 1997-09-22 | Fujitsu Ltd | アルカリ可溶性シロキサン重合体 |
JP2001288267A (ja) * | 2000-04-04 | 2001-10-16 | Mitsubishi Electric Corp | 高純度シリコーンラダーポリマーの製造方法 |
US6596404B1 (en) * | 2001-07-26 | 2003-07-22 | Dow Corning Corporation | Siloxane resins |
JP2003255546A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-09-10 | Fujitsu Ltd | アルカリ可溶性シロキサン重合体、ポジ型レジスト組成物、レジストパターン及びその製造方法、並びに、電子回路装置及びその製造方法 |
JP2004161867A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-06-10 | Toagosei Co Ltd | ケイ素系アルカリ可溶性樹脂 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160055155A (ko) | 2013-09-13 | 2016-05-17 | 도아고세이가부시키가이샤 | 유기 규소 화합물 함유 열경화성 조성물 및 그의 경화물 |
US9663598B2 (en) | 2013-09-13 | 2017-05-30 | Toagosei Co., Ltd. | Organosilicon compound-containing thermosetting composition and cured product thereof |
JP2017095643A (ja) * | 2015-11-27 | 2017-06-01 | 信越化学工業株式会社 | ケイ素含有縮合物、ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物、及びパターン形成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101255233B (zh) | 2011-12-28 |
JP5601212B2 (ja) | 2014-10-08 |
KR20110008327A (ko) | 2011-01-26 |
CN100430432C (zh) | 2008-11-05 |
KR101054569B1 (ko) | 2011-08-04 |
CN1829762A (zh) | 2006-09-06 |
US7811637B2 (en) | 2010-10-12 |
US20070134424A1 (en) | 2007-06-14 |
WO2005010077A1 (ja) | 2005-02-03 |
KR20060052926A (ko) | 2006-05-19 |
US8329815B2 (en) | 2012-12-11 |
EP1650250A4 (en) | 2009-08-12 |
KR101100463B1 (ko) | 2011-12-29 |
US20100029841A1 (en) | 2010-02-04 |
EP2159249A1 (en) | 2010-03-03 |
EP1650250A1 (en) | 2006-04-26 |
JPWO2005010077A1 (ja) | 2006-11-30 |
JP4702055B2 (ja) | 2011-06-15 |
CN101255233A (zh) | 2008-09-03 |
EP2159249B1 (en) | 2014-09-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5601212B2 (ja) | 珪素含有高分子化合物、耐熱性樹脂組成物及び耐熱性皮膜 | |
TWI232468B (en) | Composition for film formation and material for insulating film formation | |
TWI425029B (zh) | Polysiloxane and its manufacturing method and method for producing hardened product | |
TWI384016B (zh) | 矽氧烷樹脂塗料 | |
TW591082B (en) | Halogenated resin compositions | |
JP7510060B2 (ja) | 樹脂組成物、感光性樹脂組成物、硬化膜、硬化膜の製造方法、パターン硬化膜およびパターン硬化膜の作製方法 | |
JP2011510133A (ja) | シルセスキオキサン樹脂 | |
TW200806714A (en) | Organic silica film and method for forming the same, composition for forming insulating film of semiconductor device and method for producing the same, wiring structure and semiconductor device | |
TW200907580A (en) | Photosensitive resin composition | |
JP5158594B2 (ja) | ナフタレン環を有するシリコーン重合体、およびその組成物 | |
JPH1129640A (ja) | 光カチオン硬化性組成物の製造方法及び光カチオン硬化性ハードコート剤組成物 | |
JP4281305B2 (ja) | 3層レジスト中間層用樹脂組成物 | |
JP2004359953A (ja) | シロキサン系樹脂及びこれを用いた半導体層間絶縁膜 | |
JP5376210B2 (ja) | 縮合多環式炭化水素基を有するシリコーン共重合体及びその製造方法 | |
JP2009007515A (ja) | 微細パターン転写材料用組成物および微細パターンの形成方法 | |
JP5915878B2 (ja) | シリコーン重合体の製造方法 | |
JP4380229B2 (ja) | 新規化合物およびその用途 | |
JP2005105011A (ja) | ポリアミド酸エステル組成物 | |
JP7397558B2 (ja) | 撥水撥油膜組成物及びその利用 | |
JPH0733783A (ja) | ケイ素化合物 | |
TW202231737A (zh) | 樹脂組成物、固化膜、固化膜的製造方法、附多層膜之基板、附圖案之基板的製造方法、光敏性樹脂組成物、圖案固化膜的製造方法、聚合物的製造方法以及樹脂組成物的製造方法 | |
WO2021261133A1 (ja) | 光硬化性組成物、その硬化物、及び硬化物の製造方法 | |
JP2007046011A (ja) | 膜形成用組成物、絶縁膜、およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20121026 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130403 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130702 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130826 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140527 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20140617 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140702 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140722 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140804 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5601212 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |