JP2011102399A - 珪素含有高分子化合物及びその製造方法並びに耐熱性樹脂組成物及び耐熱性皮膜 - Google Patents

珪素含有高分子化合物及びその製造方法並びに耐熱性樹脂組成物及び耐熱性皮膜 Download PDF

Info

Publication number
JP2011102399A
JP2011102399A JP2011006369A JP2011006369A JP2011102399A JP 2011102399 A JP2011102399 A JP 2011102399A JP 2011006369 A JP2011006369 A JP 2011006369A JP 2011006369 A JP2011006369 A JP 2011006369A JP 2011102399 A JP2011102399 A JP 2011102399A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
silicon
polymer compound
containing polymer
general formula
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2011006369A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5601212B2 (ja
Inventor
Kunikazu Tauchi
久仁和 田内
Hiroshi Suzuki
浩 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toagosei Co Ltd
Original Assignee
Toagosei Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toagosei Co Ltd filed Critical Toagosei Co Ltd
Priority to JP2011006369A priority Critical patent/JP5601212B2/ja
Publication of JP2011102399A publication Critical patent/JP2011102399A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5601212B2 publication Critical patent/JP5601212B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/075Silicon-containing compounds
    • G03F7/0757Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/14Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/14Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • C08G77/16Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups to hydroxyl groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/14Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • C08G77/18Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups to alkoxy or aryloxy groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/20Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/04Polysiloxanes
    • C09D183/06Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02282Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/312Organic layers, e.g. photoresist
    • H01L21/3121Layers comprising organo-silicon compounds
    • H01L21/3122Layers comprising organo-silicon compounds layers comprising polysiloxane compounds
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31652Of asbestos
    • Y10T428/31663As siloxane, silicone or silane

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)

Abstract

【課題】高価な原料を用いることなく簡便な方法で、窒素雰囲気下、1,000℃における加熱重量損失率が5%以下であり、極めて高い耐熱性を有する硬化物が得られる、新規なケイ素含有高分子化合物、そのヒドロシリル化重合体、その重合体を含有する耐熱性樹脂組成物及び耐熱性皮膜を提供することにある。
【解決手段】本発明のケイ素含有高分子化合物は、下記一般式(5)で表され、重量平均分子量が500〜500,000である。
【化1】
Figure 2011102399


〔式中、Aは炭素−炭素不飽和基を有する炭素数2〜10の有機基、Rは炭素数1〜20のアルキレン基、炭素数6〜20の2価の芳香族基もしくは炭素数3〜20の2価の脂環式基、nは0又は1、RはH原子もしくは炭素数1〜10のアルキル基(1分子中のRは同種でも2種以上の異種の組み合わせあってもよい。)、x,yは正の数であり、w,zは0又は正の数であって、0≦z/(w+x+y)≦2且つ0.01≦y/(w+x)≦5である。〕
【選択図】なし

Description

本発明は、珪素含有高分子化合物及びその製造方法並びに耐熱性樹脂組成物及び耐熱性皮膜に関し、更に詳しくは、アルカリ性溶液に可溶であり且つ新規な珪素含有高分子化合物及びその製造方法、並びに、他の新規な珪素含有高分子化合物及びこれを用いて得られるヒドロシリル化重合体を含有する耐熱性樹脂組成物、珪素含有高分子化合物の熱ヒドロシリル化反応により形成される耐熱性皮膜に関する。
本発明のアルカリ可溶性珪素含有高分子化合物は、アルカリ現像レジスト材料等に有用である。
他の本発明の珪素含有高分子化合物は、エレクトロニクス分野、光機能材料分野等に有用である。
また、本発明の耐熱性樹脂組成物及び耐熱性皮膜は、その極めて高い耐熱性から、航空・宇宙材料、半導体用材料等として有用である。
従来、アルカリ可溶性珪素含有高分子化合物として、特許文献1に開示されたポリオルガノシルセスキオキサン、特許文献2に開示されたオルガノポリシロキサン等が知られている。また、珪素含有化合物用いた耐熱性樹脂組成物として、特許文献3に開示された水素化オクタシルセスキオキサン−ビニル基含有化合物共重合体、特許文献4に開示された含珪素硬化性組成物、特許文献5に開示された含シルセスキオキサンポリマー等が知られている。
特開昭62−96526号公報 特開平1−292036号公報 特開2000−265065号公報 特開2001−89662号公報 特開平9−296044号公報
上記の特許文献1及び2に開示されたアルカリ可溶性珪素含有高分子化合物は、分子量の大きい化合物が得られにくいという問題があった。
一方、特許文献3及び4に開示された耐熱性樹脂組成物は、窒素雰囲気下、1,000℃における重量損失率が5%以下となる耐熱性にまでは至っていない。また、特許文献3及び5に開示された耐熱性樹脂組成物は、単離が難しく極めて高価な水素化オクタシルセスキオキサンを原料として用いているため実用的でなく、また、加熱重合時に不飽和基を有する単量体が気化してアウトガスとなり、作業環境を汚染するといった問題があった。
本発明は、分子量の大きい、新規なアルカリ可溶性珪素含有高分子化合物及びその製造方法を提供することを目的とする。
また、他の本発明は、高価な原料を用いることなく簡便な方法で、極めて高い耐熱性を有する硬化物が得られ、加熱しても作業環境を汚染するようなガスを発生しない新規な珪素含有高分子化合物、そのヒドロシリル化重合体を含有する耐熱性樹脂組成物及び耐熱性皮膜を提供することを目的とする。
本発明は以下のとおりである。
1.下記一般式(1)で表され、重量平均分子量が500〜500,000であるアルカリ可溶性珪素含有高分子化合物。
Figure 2011102399
〔式中、Aは水酸基を有するかもしくはアルコキシ基を有するフェニル基、Rは炭素数1〜4のアルキレン基、mは0又は1、Rは炭素数1〜4のアルキル基(1分子中のRは同種でも2種以上の異種の組み合わせあってもよい。)、s及びuは正の数であり、tは0又は正の数であって、0≦t/(s+u)≦1且つ0<u/s≦5である。〕
2.上記一般式(1)において、0≦t/(s+u)≦0.2且つ0.2≦u/s≦5であり、室温において固体である上記1記載のアルカリ可溶性珪素含有高分子化合物。
3.上記一般式(1)で表されるアルカリ可溶性珪素含有高分子化合物の製造方法であって、下記一般式(2)で表される加水分解性基含有オルガノシランsモル、下記一般式(3)で表される加水分解性基含有オルガノシランtモル及び下記一般式(4)で表される加水分解性基含有珪素化合物uモル〔但し、s及びuは正の数であり、tは0又は正の数であって、0≦t/(s+u)≦1且つ0<u/s≦5である。〕を、加水分解共縮合反応させることを特徴とするアルカリ可溶性珪素含有高分子化合物の製造方法。
(RSiM (2)
〔式中、Aは水酸基を有するかもしくはアルコキシ基を有するフェニル基、Rは炭素数1〜4のアルキレン基、Mは加水分解性基、mは0又は1である。〕
Figure 2011102399
〔式中、Rは炭素数1〜4のアルキル基、Mは加水分解性基である。〕
SiM (4)
〔式中、Mは加水分解性基である。〕
4.下記一般式(5)で表され、重量平均分子量が500〜500,000である珪素含有高分子化合物。
Figure 2011102399
〔式中、Aは炭素−炭素不飽和基を有する炭素数2〜10の有機基、Rは炭素数1〜20のアルキレン基、炭素数6〜20の2価の芳香族基もしくは炭素数3〜20の2価の脂環式基、nは0又は1、RはH原子もしくは炭素数1〜10のアルキル基(1分子中のRは同種でも2種以上の異種の組み合わせあってもよい。)、x,yは正の数であり、w,zは0又は正の数であって、0≦z/(w+x+y)≦2且つ0.01≦y/(w+x)≦5である。〕
5.上記4記載の珪素含有高分子化合物におけるSi原子に結合するH原子と、上記4記載の珪素含有高分子化合物の他の化合物における炭素−炭素不飽和基との反応によるヒドロシリル化重合体を含有する耐熱性樹脂組成物。
6.窒素雰囲気下、昇温速度10℃/分で25℃から1,000℃まで加熱したときの重量損失率が5%以下である上記5記載の耐熱性樹脂組成物。
7.上記4記載の珪素含有高分子化合物の有機溶媒溶液を基材上に展開してなる被膜を熱ヒドロシリル化反応により硬化させた耐熱性皮膜。
本発明のアルカリ可溶性珪素含有高分子化合物は、特定の構造を有し、分子量が大きくても、アルカリ可溶性に優れる。また、特定の単位を所定量含有させることで、軟化点を広範囲にとることができ、レジスト材料等の用途において好適である。
本発明のアルカリ可溶性珪素含有高分子化合物の製造方法は、特定の原料成分を用いることで、分子量の大きな化合物を容易に製造することができる。
他の本発明の珪素含有高分子化合物は、特定の構造を有し、高い耐熱性を有し、加熱しても作業環境を汚染するようなガスを発生しない硬化物を得ることができる。
本発明の耐熱性樹脂組成物によると、窒素雰囲気下、昇温速度10℃/分で25℃から1,000℃まで加熱したときの重量損失率を5%以下とすることができる。
本発明の耐熱性皮膜は、窒素雰囲気下、昇温速度10℃/分で25℃から1,000℃まで加熱したときの重量損失率を5%以下とすることができる。
以下、本発明を詳しく説明する。
1.アルカリ可溶性珪素含有高分子化合物
本発明のアルカリ可溶性珪素含有高分子化合物(以下、「高分子化合物(I)」ともいう。)は、下記一般式(1)で表され、重量平均分子量が500〜500,000である。
Figure 2011102399
〔式中、Aは水酸基を有するかもしくはアルコキシ基を有するフェニル基、Rは炭素数1〜4のアルキレン基、mは0又は1、Rは炭素数1〜4のアルキル基(1分子中のRは同種でも2種以上の異種の組み合わせあってもよい。)、s及びuは正の数であり、tは0又は正の数であって、0≦t/(s+u)≦1且つ0<u/s≦5である。〕
本発明の珪素含有高分子化合物(I)は、上記一般式(1)で表されるように、下記一般式(6)で表される3官能性シロキサン単位と、下記一般式(7)で表される1官能性シロキサン単位と、下記式(8)で表される4官能性シロキサン単位とを含む。これらの単位は、各々、同一又は異なる如何なるシロキサン単位と結合していてもよい。
[A−(R−Si−O3/2] (6)
〔式中、Aは水酸基を有するかもしくはアルコキシ基を有するフェニル基、Rは炭素数1〜4のアルキレン基、mは0又は1である。〕
Figure 2011102399
〔式中、Rは炭素数1〜4のアルキル基である。〕
[Si−O4/2] (8)
上記一般式(1)及び(6)において、Aは水酸基を有するかもしくはアルコキシ基を有するフェニル基であるが、このフェニル基に結合した水酸基もしくはアルコキシ基は、各々、1種単独であるいは2種以上を含んでよい。
の好ましい例として、オルトヒドロキシフェニル基、メタヒドロキシフェニル基、パラヒドロキシフェニル基、2,3−ジヒドロキシフェニル基、2,4−ジヒドロキシフェニル基、3,4−ジヒドロキシフェニル基、3,5−ジヒドロキシフェニル基、オルトメトキシフェニル基、メタメトキシフェニル基、パラメトキシフェニル基、2,3−ジメトキシフェニル基、2,4−ジメトキシフェニル基、3,4−ジメトキシフェニル基、3,5−ジメトキシフェニル基、オルトエトキシフェニル基、メタエトキシフェニル基、パラエトキシフェニル基、2,3−ジエトキシフェニル基、2,4−ジエトキシフェニル基、3,4−ジエトキシフェニル基、3,5−ジエトキシフェニル基、オルトイソプロポキシフェニル基、メタイソプロポキシフェニル基、パライソプロポキシフェニル基、2,3−ジ−イソプロポキシフェニル基、2,4−ジ−イソプロポキシフェニル基、3,4−ジ−イソプロポキシフェニル基、3,5−ジ−イソプロポキシフェニル基、オルト−tert−ブトキシフェニル基、メタ−tert−ブトキシフェニル基、パラ−tert−ブトキシフェニル基、2,3−ジ−tert−ブトキシフェニル基、2,4−ジ−tert−ブトキシフェニル基、3,4−ジ−tert−ブトキシフェニル基、3,5−ジ−tert−ブトキシフェニル基、2−メトキシ−3−ヒドロキシフェニル基、2−メトキシ−4−ヒドロキシフェニル基、3−メトキシ−4−ヒドロキシフェニル基、3−メトキシ−5−ヒドロキシフェニル基、2−ヒドロキシ−3−メトキシフェニル基、2−ヒドロキシ−4−メトキシフェニル基、3−ヒドロキシ−4−メトキシフェニル基、3−ヒドロキシ−5−メトキシフェニル基、2−エトキシ−3−ヒドロキシフェニル基、2−エトキシ−4−ヒドロキシフェニル基、3−エトキシ−4−ヒドロキシフェニル基、3−エトキシ−5−ヒドロキシフェニル基、2−ヒドロキシ−3−エトキシフェニル基、2−ヒドロキシ−4−エトキシフェニル基、3−ヒドロキシ−4−エトキシフェニル基、3−ヒドロキシ−5−エトキシフェニル基等が挙げられる。
本発明の高分子化合物(I)において、s≧2の場合、1分子中のAは同種であってもよく、また、2種以上の異種の組み合わせであってもよい。
上記一般式(1)及び(6)において、Rは炭素数1〜4のアルキレン基である。Rの好ましい例として、メチレン基、エチレン基、n−プロピレン基、i−プロピレン基、n−ブチレン基、i−ブチレン基等が挙げられる。
mは0又は1である。
上記一般式(1)及び(7)において、Rは炭素数1〜4のアルキル基である。Rの好ましい例として、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基等が挙げられる。
本発明の高分子化合物(I)に含まれるRは同種であってもよく、また、2種以上の異種の組み合わせであってよい。
上記一般式(1)において、s及びuは正の数であり、tは0又は正の数であって、0≦t/(s+u)≦1且つ0<u/s≦5である。これらの範囲を外れると、合成し難くなったり、本発明の高分子化合物(I)がアルカリ可溶性とならない。尚、s、t及びuが、0≦t/(s+u)≦0.2且つ0.2≦u/s≦5を満たす場合には、本発明の珪素含有高分子化合物(I)は室温(25℃)において固体となり、取り扱いが容易となる。
尚、本発明の高分子化合物(I)は、製造過程で残存する若干の水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子等を含んでもよい。
本発明の珪素含有高分子化合物(I)は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(以下、「GPC」という。)による、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)が500〜500,000である。この範囲を外れると合成し難くなる。
本発明の珪素含有高分子化合物は、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液のようなアルカリ性水溶液に可溶であり、また炭化水素溶媒、芳香族系炭化水素溶媒、塩素化炭化水素溶媒、アルコール溶媒、エーテル溶媒、アミド溶媒、ケトン溶媒、エステル溶媒、セロソルブ溶媒のような各種有機溶媒に可溶である。したがって、LSI製造時における微細加工に用いるアルカリ現像レジスト材料等へ応用できる。
2.アルカリ可溶性珪素含有高分子化合物の製造方法
本発明のアルカリ可溶性珪素含有高分子化合物の製造方法は、上記一般式(1)で表される高分子化合物(I)の製造方法であり、下記一般式(2)で表される加水分解性基含有オルガノシランsモル、下記一般式(3)で表される加水分解性基含有オルガノシランtモル及び下記一般式(4)で表される加水分解性基含有珪素化合物uモル〔但し、s及びuは正の数であり、tは0又は正の数であって、0≦t/(s+u)≦1且つ0<u/s≦5である。〕を、加水分解共縮合反応させるものである。
(RSiM (2)
〔式中、Aは水酸基を有するかもしくはアルコキシ基を有するフェニル基、Rは炭素数1〜4のアルキレン基、Mは加水分解性基、mは0又は1である。〕
Figure 2011102399
〔式中、Rは炭素数1〜4のアルキル基、Mは加水分解性基である。〕
SiM (4)
〔式中、Mは加水分解性基である。〕
上記一般式(2)、(3)及び(4)における加水分解性基M、M及びMは、各々、同一であってよいし、異なるものであってよい。これらの加水分解性基としては、加水分解性を有するものであれば特に限定されず、例えば、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、メトキシエトキシ基等のアルコキシ基、アセトキシ基等のアシロキシ基、トリメチルシロキシ基等のトリアルキルシロキシ基等が挙げられる。
上記一般式(2)で表される化合物としては、3−(3−メトキシ−4−ヒドロキシフェニル)プロピルトリエトキシシラン、3−(2−メトキシ−3−ヒドロキシフェニル)プロピルトリエトキシシラン、3−メトキシ−4−ヒドロキシフェニルトリエトキシシラン、2−p−(tert−ブトキシ)フェニルエチルトリエトキシシラン等が挙げられる。
上記一般式(3)で表される化合物としては、トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン等が挙げられる。
また、上記一般式(4)で表される化合物としては、テトラエトキシシラン等が挙げられる。
尚、上記一般式(2)で表される加水分解性基含有オルガノシラン、上記一般式(3)で表される加水分解性基含有オルガノシラン及び上記一般式(4)で表される加水分解性基含有珪素化合物の各モル数は、上記一般式(1)における条件、即ち、s及びuが正の数であり、tが0又は正の数であり、0≦t/(s+u)≦1且つ0<u/s≦5を満足する条件とする。この条件を満足させながら、各モル比を変化させることにより、分子量、軟化点、水酸基又はアルコキシ基を有するフェニル基の量、アルカリ可溶性の度合等を自由に制御することができる。
上記3種の珪素化合物を用いた加水分解共縮合反応の方法は、公知の方法を適用することができ、通常、触媒を用いて行われる。その触媒としては、酸性触媒、塩基性触媒、金属キレート化合物等が挙げられる。
酸性触媒としては、無機酸及び有機酸を、各々、単独であるいは組み合わせて用いることができる。無機酸としては、例えば、塩酸、硫酸、燐酸、硝酸等が挙げられる。有機酸としては、例えば、酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、シュウ酸、マレイン酸、メチルマロン酸、アジピン酸、セバシン酸、没食子酸、酪酸、メリット酸、アラキドン酸、シキミ酸、2−エチルヘキサン酸、オレイン酸、ステアリン酸、リノール酸、リノレイン酸、サリチル酸、安息香酸、p−アミノ安息香酸、p−トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、モノクロロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、ギ酸、マロン酸、スルホン酸、フタル酸、フマル酸、クエン酸、酒石酸等が挙げられる。
塩基性触媒としては、無機塩基及び有機塩基を、各々、単独であるいは組み合わせて用いることができる。無機塩基としては、例えば、アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等が挙げられる。有機塩基としては、例えば、ピリジン、ピロール、ピペラジン、ピロリジン、ピペリジン、ピコリン、モノメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、モノエチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、モノプロピルアミン、ジプロピルアミン、トリプロピルアミン、モノブチルアミン、ジブチルアミン、トリブチルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、ジメチルモノエタノールアミン、モノメチルジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジアザビシクロオクラン、ジアザビシクロノナン、ジアザビシクロウンデセン、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド等が挙げられる。
金属キレート化合物としては、例えば、チタンキレート化合物、ジルコニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物等が挙げられる。
本発明の高分子化合物(I)の製造方法においては、酸性触媒を用いることが好ましく、揮発性の高い塩酸、硝酸等が特に好ましい。
上記加水分解共縮合反応は、40〜80℃の範囲の温度で行うことが好ましい。40℃より低い温度では、加水分解速度が低下し、未反応のアルコキシ基を有するオルガノポリシロキサンが生成する場合がある。また、反応時間も長くなり生産性が低下する傾向にある。尚、この加水分解縮合反応において、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系炭化水素類、メタノール、エタノール等のアルコール類、アセトン等のケトン類、エステル類、エーテル類、塩素化炭化水素類等の有機溶剤を併用することができ、その場合には、反応は、有機溶剤を加熱還流させながら行うのが好ましい。反応時間は、上記3種のオルガノシランの種類、反応温度等の条件により異なるが、通常、1〜10時間である。
尚、本発明の高分子化合物(I)は、上記一般式(2)で表される加水分解性基含有オルガノシランにおいて、Aがヒドロキシフェニル基である場合、その水酸基を、メチル基、エトキシエチル基、t−ブチル基等の炭素数1〜4のアルキル基、アセチル基等の炭素数1〜4のアシル基、あるいは、トリメチルシリル基、t−ブチルジメチルシリル基等の炭素数1〜4のアルキル基がSi原子に結合したトリアルキルシリル基で保護されている化合物を、上記一般式(2)のオルガノシランに代えて用い、加水分解共縮合反応させた後、脱保護することによって得ることもできる。
トリアルキルシリル基で保護した場合には、このトリアルキルシリル基が加水分解して、上記一般式(7)で表される1官能性シロキサン単位として本発明の珪素含有高分子化合物中に取り込まれ得る。
3.珪素含有高分子化合物
他の本発明の珪素含有高分子化合物(以下、「高分子化合物(II)」ともいう。)は、下記一般式(5)で表され、重量平均分子量が500〜500,000である。
Figure 2011102399
〔式中、Aは炭素−炭素不飽和基を有する炭素数2〜10の有機基、Rは炭素数1〜20のアルキレン基、炭素数6〜20の2価の芳香族基もしくは炭素数3〜20の2価の脂環式基、nは0又は1、RはH原子もしくは炭素数1〜10のアルキル基(1分子中のRは同種でも2種以上の異種の組み合わせあってもよい。)、x,yは正の数であり、w,zは0又は正の数であって、0≦z/(w+x+y)≦2且つ0.01≦y/(w+x)≦5である。〕
本発明の珪素含有高分子化合物(II)は、上記一般式(5)で表されるように、下記式(9)で表される4官能性シロキサン単位と、下記式(10)で表される3官能性シロキサン単位と、下記式(11)で表される3官能性シロキサン単位と、下記式(12)で表される1官能性シロキサン単位と、を含む。これらの単位は、各々、同一又は異なる如何なるシロキサン単位と結合していてもよい。尚、本発明の珪素含有高分子化合物(II)は、下記式(9)で表される4官能性シロキサン単位、及び、下記一般式(12)で表される1官能性シロキサン単位は、含まれなくてもよい。
[Si−O4/2] (9)
[H−Si−O3/2] (10)
[A−(R−Si−O3/2 (11)
〔式中、Aは炭素−炭素不飽和基を有する炭素数2〜10の有機基、Rは炭素数1〜20のアルキレン基、炭素数6〜20の2価の芳香族基もしくは炭素数3〜20の2価の脂環式基、nは0又は1である。〕
Figure 2011102399
〔式中、RはH原子もしくは炭素数1〜10のアルキル基である。〕
上記一般式(5)において、Aは炭素−炭素不飽和基を有する炭素数2〜10の有機基であり、炭素−炭素の二重結合又は三重結合を持つ官能基が好ましい。
の好ましい例として、ビニル基、オルトスチリル基、メタスチリル基、パラスチリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、アクリロキシ基、メタクリロキシ基、1−プロペニル基、1−ブテニル基、1−ペンテニル基、3−メチル−1−ブテニル基、フェニルエテニル基、エチニル基、1−プロピニル基、1−ブチニル基、1−ペンチニル基、3−メチル−1−ブチニル基、フェニルブチニル基等が挙げられる。
上記一般式(5)において、y≧2の場合、1分子中のAは同種であってもよく、また、2種以上の異種の組み合わせであってもよい。
上記一般式(5)及び(11)において、Rは炭素数1〜20のアルキレン基、炭素数6〜20の2価の芳香族基もしくは炭素数3〜20の2価の脂環式基である。
炭素数1〜20のアルキレン基としては、好ましくは、メチレン基、エチレン基、n−プロピレン基、i−プロピレン基、n−ブチレン基、i−ブチレン基等である。
炭素数6〜20の2価の芳香族基としては、好ましくは、フェニレン基、ナフチレン基等が挙げられる。
炭素数3〜20の2価の脂環式基としては、好ましくは、ノルボルネン骨格、トリシクロデカン骨格、アダマンタン骨格等を有する2価の炭化水素基等である。
nは0又は1である。
上記一般式(5)及び(12)において、RはH原子もしくは炭素数1〜10のアルキル基である。Rの好ましい例として、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基等が挙げられる。
本発明の高分子化合物(II)に含まれるRは同種であってもよく、また、2種以上の異種の組み合わせであってよい。
上記一般式(5)において、x,yは正の数であり、w,zは、各々、0又は正の数であって、0≦z/(w+x+y)≦2且つ0.01≦y/(w+x)≦5である。尚、w=0の場合、好ましくは0.2≦y/x≦5であり、w≧1の場合、好ましくは0.01≦y/(w+x)≦2である。これらの範囲を外れると、合成し難くなったり、高い耐熱性をもつ硬化物とならない。
本発明の高分子化合物(II)は、製造過程で残存する若干の水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子等を含んでもよい。
本発明の珪素含有高分子化合物(II)は、GPCによる、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)が500〜500,000である。この範囲を外れると合成し難くなる。
本発明の珪素含有高分子化合物(II)は、下記一般式(13)で表される加水分解性基含有珪素化合物wモル、下記一般式(14)で表される加水分解性基含有珪素化合物xモル、下記一般式(15)で表される加水分解性基含有オルガノシランyモル及び下記一般式(16)で表される加水分解性基含有オルガノシランzモルを、加水分解共縮合反応させることにより得られる。
SiM (13)
〔式中、Mは加水分解性基である。〕
HSiM (14)
〔式中、Mは加水分解性基である。〕
(RSiM (15)
〔式中、Aは炭素−炭素不飽和基を有する炭素数2〜10の有機基、Rは炭素数1〜20のアルキレン基、炭素数6〜20の2価の芳香族基もしくは炭素数3〜20の2価の脂環式基、Mは加水分解性基である。〕
Figure 2011102399
〔式中、RはH原子もしくは炭素数1〜10のアルキル基(本単位中のRは同種でも2種以上の異種の組み合わせあってもよい。)、Mは加水分解性基である。〕
上記一般式(13)、(14)、(15)及び(16)における加水分解性基M、M、M及びMは、各々、同一であってよいし、異なるものであってよい。これらの加水分解性基としては、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、メトキシエトキシ基等のアルコキシ基、アセトキシ基等のアシロキシ基、トリメチルシロキシ基等のトリアルキルシロキシ基等が挙げられる。
上記一般式(13)で表される加水分解性基含有珪素化合物、上記一般式(14)で表される加水分解性基含有珪素化合物、上記一般式(15)で表される加水分解性基含有オルガノシラン及び上記一般式(16)で表される加水分解性基含有オルガノシランを用いる際の各モル数は、上記一般式(5)における条件、即ち、x,yは正の数であり、w,zは0又は正の数であって、0≦z/(w+x+y)≦2且つ0.01≦y/(w+x)≦5を満足する条件とすることが好ましい。尚、w=0の場合、好ましくは0.2≦y/x≦5であり、w≧1の場合、好ましくは0.01≦y/(w+x)≦2である。この条件を満足させながら、各モル比を変化させることにより、分子量、樹脂粘度、耐熱性等を自由に制御することができる。
尚、上記の各化合物を用いた加水分解共縮合反応において、上記一般式(16)で表される加水分解性基含有オルガノシランzモルを用いる代わりに、下記一般式(17)で表される加水分解性オルガノシラン0.5×zモルを用いることもできる。
Figure 2011102399
〔式中、RはH原子もしくは炭素数1〜10のアルキル基(1分子中のRは同種でも2種以上の異種の組み合わせあってもよい。)である。〕
上記の各化合物を用いた加水分解共縮合反応は、公知の方法を適用することができ、上記の珪素含有高分子化合物(I)の製造方法として記載した方法によることができる。
4.耐熱性樹脂組成物
本発明の耐熱性樹脂組成物は、上記の珪素含有高分子化合物(II)におけるSi原子に結合するH原子と、上記の珪素含有高分子化合物(II)の他の化合物における炭素−炭素不飽和基との反応によるヒドロシリル化重合体を含有することを特徴とする。
上記ヒドロシリル化重合体とする反応は、「ヒドロシリル化反応」と呼ばれ、触媒を使用してもしなくてもよい。
触媒を用いる場合は、白金含有触媒を用いることが好ましい。
白金含有触媒としては、従来、ヒドロシリル化反応に使用されているものを用いることができ、白金ジビニルシロキサン、白金環状ビニルメチルシロキサン、トリス(ジベンジリデンアセトン)二白金、塩化白金酸、ビス(エチレン)テトラクロロ二白金、シクロオクタジエンジクロロ白金、ビス(シクロオクタジエン)白金、ビス(ジメチルフェニルホスフィン)ジクロロ白金、テトラキス(トリフェニルホスフィン)白金、白金カーボン等が挙げられる。
ヒドロシリル化反応は、溶媒の存在下及び不存在下の何れにおける反応系でも進行する。溶媒を用いる場合は、従来、使用されている種々の溶媒を用いることができ、炭化水素類、芳香族系炭化水素類、塩素化炭化水素類、アルコール類、エーテル類、アミド類、ケトン類、エステル類、セロソルブ類等の有機溶媒が挙げられる。
ヒドロシリル化反応は、種々の温度で実施できるが、特に、40℃以上200℃未満で行うことが好ましい。
本発明の耐熱性樹脂組成物は、塊状、膜状等いずれの形態とした場合でも、耐熱性に優れるため、高温、例えば、300〜1,000℃という範囲の温度においても分解、変質等を起こすことなく、元の形態を維持することができる。特に、窒素雰囲気下、昇温速度10℃/分で25℃から1,000℃まで加熱したときの重量損失率を好ましくは5%以下とすることができる。また、酸素雰囲気下、昇温速度10℃/分で25℃から1,000℃まで加熱したときの重量損失率を好ましくは8%以下とすることができる。
5.耐熱性皮膜
本発明の耐熱性皮膜は、上記珪素含有高分子化合物(II)の有機溶媒溶液を基材上に展開してなる被膜を熱ヒドロシリル化反応により硬化させたものである。
上記有機溶媒溶液とするために用いる有機溶媒としては、上記珪素含有高分子化合物(II)を溶解し得るものであれば、何ら制限なく使用可能であり、炭化水素類、芳香族系炭化水素類、塩素化炭化水素類、アルコール類、エーテル類、アミド類、ケトン類、エステル類、セロソルブ類等の有機溶媒が挙げられる。
上記基材は、塗工等により被膜を形成できる材料、例えば、無機材料、有機材料、あるいは、これらの組み合わせによる材料からなるものであれば特に限定されない。好ましい材料としては、金属、合金、セラミックス、木材、プラスチック等が挙げられる。
上記基材の形状としては、シート、板、角、管、円、球等が挙げられ、これらの複合体であってもよい。
従って、上記基材の具体例としては、板状ガラス、シリコンウエハ、各種形状のプラスチック成形体、建材、金属板等が挙げられる。
上記の珪素含有高分子化合物の有機溶媒溶液を基材に塗布する方法としては、キャスト法、スピンコート法、バーコート法、スプレー法等が挙げられる。
尚、皮膜の形成に際しては、通常、大気中又は窒素ガス等の不活性ガス中において、上記有機溶媒溶液を基材の表面に塗布等によって展開し、被膜とした後、適宜の時間、即ち、1分〜10時間、好ましくは1分から1時間にわたり、加熱処理される。この加熱によって、有機溶媒を乾燥除去され、皮膜が形成される。上記加熱処理の温度は、通常、40℃以上300℃未満の範囲であるが、好ましくは50〜200℃の範囲である。尚、上記加熱処理は、この範囲の温度において、同じ温度で行ってもよいし、昇温、降温等を組み合わせて行ってもよい。
また、得られた皮膜を、窒素ガス等の不活性ガス中、100〜1,500℃の範囲の高温で、1分間以上にわたって熱処理することにより、耐熱性の硬化皮膜とすることができる。上記範囲の温度で熱処理することで、皮膜においてSi−HとC=C(もしくはC≡C)のあいだの熱ヒドロシリル化反応による硬化を進めることができる。好ましい温度は150〜1,000℃、更に好ましくは300〜1,000℃の範囲である。
本発明の耐熱性皮膜は、シルセスキオキサン系ポリマーの有する耐熱性、耐水性、耐薬品性、安定性、電気絶縁性、耐擦傷性等の機械的強度等において良好な諸特性を有する。従って、エレクトロニクス分野、光機能材料分野等をはじめとする広範な分野における物品、部品等の皮膜、層等として用いることができる。例えば、パッシベーション膜、レジスト膜、層間絶縁膜等の半導体用材料、航空・宇宙材料等に用いることができ、また、各種の保護膜として使用できるものである。
以下、本発明を、実施例により具体的に説明する。尚、「Me」は、メチル基を意味する。
1.アルカリ可溶性珪素含有高分子化合物の製造
参考例1〔3−(3−メトキシ−4−ヒドロキシフェニル)プロピルトリエトキシシランの合成〕
撹拌機、還流管、滴下ロート及び温度計を備えた四つ口フラスコに、3−(3−メトキシ−4−ヒドロキシフェニル)プロペン164g(1.0モル)と、塩化白金酸の2質量%イソプロパノール溶液を白金量換算で100ppmとを加え、50〜60℃で加熱撹拌しながら、滴下ロートよりトリエトキシシラン164g(1.0モル)を5時間かけて滴下し、反応させた。反応終了後、減圧蒸留して目的物〔3−(3−メトキシ−4−ヒドロキシフェニル)プロピルトリエトキシシラン〕を289g(0.88モル)得た。収率は88%であった。
反応生成物の物性を以下に示す。
沸点 : 130℃/2mmHg
H−NMR δ(ppm):
0.6〜0.8(m,2H),1.1〜1.3(m,9H),1.6〜1.9(m,2H),2.4〜2.6(m,2H),3.5〜4.1(m,9H),5.48(s,1H),6.5〜6.7(m,2H),6.7〜7.0(m,1H)
実施例1−1
撹拌機、還流管、滴下ロート及び温度計を備えた四つ口フラスコに、参考例1で得られた3−(3−メトキシ−4−ヒドロキシフェニル)プロピルトリエトキシシラン65.7g(0.2モル)、テトラエトキシシラン33.3g(0.16モル)、ヘキサメチルジシロキサン3.2g(0.02モル)及びトルエン37.0gを加え、70℃で加熱撹拌しながら、水20g、濃塩酸0.5g及びエタノール10gの混合物を約1時間かけて滴下し、反応させた。
滴下終了後、75℃で4時間還流を続けた。次いで、反応系に水150gを加え、静置することで2層に分離させた。高分子成分を含む下層を分取し、上層をトルエン100gにより抽出した。次いで、トルエン抽出物と上記高分子成分とを合わせ、水分定量受器を装着したフラスコに戻し、共沸によって水及びエタノールを留出させた。冷却後、ろ過、濃縮により、珪素含有高分子化合物47.8gを得た。収率は85%であった。
上記珪素含有高分子化合物の物性は、次の通りであり、下記式(18)で表される珪素含有高分子化合物であることを確認した。
Figure 2011102399
〔式中、l:m:n=1:0.2:0.8である。〕
分子量(GPC,テトラヒドロフラン溶媒,標準ポリスチレン換算):
Mw=8.5×10
Mn=4.4×10
軟化点 : 95〜100℃
H−NMR δ(ppm):
−0.4〜0.4(br,1.8H),0.5〜2.7(br,6H),3.4〜4.3(br,3H),6.4〜7.2(br,3H)
29Si−NMR δ(ppm):
−114〜−102(br,0.79Si),−70〜−63(br,1Si),8〜15(br,0.18Si)
実施例1−2〜1−5
上記実施例1−1と同様にして、参考例1で得られた3−(2−メトキシ−3−ヒドロキシフェニル)プロピルトリエトキシシランを、テトラエトキシシラン、ヘキサメチルジシロキサン等と表1に示す比率で仕込み、珪素含有高分子化合物を製造した。反応生成物の物性は、表1に併記した。
Figure 2011102399
実施例1−1〜1−5において得られた珪素含有高分子化合物は、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液、メタノール、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、メチルイソブチルケトン及び酢酸イソアミルには溶解したが、ヘキサン、四塩化炭素、クロロホルム、トルエン等には難溶であった。
参考例2〔2−p−(tert−ブトキシ)フェニルエチルトリエトキシシランの合成〕
撹拌機、還流管、滴下ロート及び温度計を備えた四つ口フラスコに、p−(tert−ブトキシ)スチレン176g(1.0モル)と、塩化白金酸の2質量%イソプロパノール溶液を白金量換算で100ppmとを加え、50〜60℃で加熱撹拌しながら、滴下ロートよりトリエトキシシラン164g(1.0モル)を5時間かけて滴下し、反応させた。反応終了後、減圧蒸留して目的物〔2−p−(tert−ブトキシ)フェニルエチルトリエトキシシラン〕を313g(0.92モル)得た。収率は92%であった。
反応生成物の物性を以下に示す。
沸点 : 115℃/3mmHg
H−NMR δ(ppm):
0.5〜0.7(m,2H),1.0〜1.5(m,18H),2.4〜2.7(m,2H)、3.5〜4.1(m,6H),6.5〜6.7(m,2H),6.7〜7.0(m,2H)
実施例1−6
撹拌機、還流管、滴下ロート及び温度計を備えた四つ口フラスコに、参考例2で得られた2−p−(tert−ブトキシ)フェニルエチルトリエトキシシラン68.1g(0.2モル)、テトラエトキシシラン33.3g(0.16モル)、ヘキサメチルジシロキサン3.2g(0.02モル)及びトルエン41.5gを加え、70℃で加熱撹拌しながら、水20g、濃塩酸0.5g及びエタノール10gの混合物を約1時間かけて滴下し、反応させた。その後、実施例1−1と同様にして、分離、濃縮により珪素含有高分子化合物51.7gを得た。収率は88%であった。
上記珪素含有高分子化合物の物性は、次の通りであり、下記式(19)で表される珪素含有高分子化合物が得られたことを確認した。
Figure 2011102399
〔式中、l:m:n=1:0.2:0.8である。〕
分子量(GPC,テトラヒドロフラン溶媒,標準ポリスチレン換算):
Mw=5.6×10
Mn=3.2×10
軟化点 : 120〜130℃
H−NMR δ(ppm):
−0.4〜0.4(br,1.8H),0.5〜2.7(br,13H),6.4〜7.2(br,4H)
29Si−NMR δ(ppm):
−113〜−101(br,0.78Si),−72〜−64(br,1Si),7〜15(br,0.15Si)
実施例1−6において得られた珪素含有高分子化合物は、上記水酸化ナトリウム水溶液、上記水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液等の無機系水溶液、メタノール、エタノール、テトラヒドロフラン、トルエン、ジメチルホルムアミド、メチルイソブチルケトン、酢酸イソアミル、ヘキサン、四塩化炭素等の有機溶媒に溶解した。
2.珪素含有高分子化合物の製造
実施例2−1
撹拌機、還流管、滴下ロート及び温度計を備えた四つ口フラスコに、トリエトキシシラン24.7g(0.15モル)、ビニルトリメトキシシラン22.2g(0.15モル)、ヘキサメチルジシロキサン2.4g(0.015モル)及びトルエン37.0gを加え、70℃で加熱撹拌しながら、水20g、濃塩酸0.5g及びエタノール10gの混合物を約1時間かけて滴下し、反応させた。
滴下終了後、75℃で4時間還流を続けた。次いで、反応系に水150gを加え、静置することで2層に分離させた。高分子成分を含む下層を分取し、上層をトルエン100gにより抽出した。トルエン抽出物と上記高分子成分とを合わせ、水分定量受器を装着したフラスコに戻し、共沸によって水及びエタノールを留出させた。冷却後、ろ過、濃縮により、珪素含有高分子化合物(P1)19.0gを得た。収率は85%であった。
上記珪素含有高分子化合物(P1)の物性は、次の通りであり、下記式(20)で表される珪素含有高分子化合物であることを確認した(表2参照)。
Figure 2011102399
〔式中、l:m:n=1:1:0.2である。〕
分子量(GPC,テトラヒドロフラン溶媒,標準ポリスチレン換算):
Mw=2.0×10
Mn=1.0×10
粘度(25℃) : 1.2×10Pa・s
H−NMR δ(ppm):
−0.4〜0.4(br,1.8H),4.2〜5.0(br,1H),5.4〜6.2(br,3H)
29Si−NMR δ(ppm):
−89〜−82(br,1Si),−70〜−63(br,0.99Si),8〜15(br,0.19Si)
実施例2−2〜2−5
上記実施例2−1と同様にして、トリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン及びヘキサメチルジシロキサンを表2に示す比率で仕込み、珪素含有高分子化合物(P2)〜(P5)を製造した。反応生成物の物性は、表2に併記した。
Figure 2011102399
実施例2−1〜2−5において得られた珪素含有高分子化合物(P1)〜(P5)は、いずれも、メタノール、エタノール、テトラヒドロフラン、トルエン、ジメチルホルムアミド、メチルイソブチルケトン、酢酸イソアミル、ヘキサン、四塩化炭素等の有機溶媒に溶解した。
実施例2−6
撹拌機、還流管、滴下ロート及び温度計を備えた四つ口フラスコに、トリエトキシシラン24.7g(0.15モル)、ビニルトリメトキシシラン22.2g(0.15モル)、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン2.0g(0.015モル)及びトルエン37.0gを加え、70℃で加熱撹拌しながら、水20g、濃塩酸0.5g及びエタノール10gの混合物を約1時間かけて滴下し、反応させた。その後、実施例2−1と同様の操作により、分離、濃縮により珪素含有高分子化合物(P6)19.2gを得た。収率は88%であった。
上記珪素含有高分子化合物(P6)の物性は、次の通りであり、下記式(21)で表される珪素含有高分子化合物であることを確認した。
Figure 2011102399
〔式中、l:m:n=1:1:0.2である。〕
分子量(GPC,テトラヒドロフラン溶媒,標準ポリスチレン換算):
Mw=2.2×10
Mn=1.2×10
粘度(25℃) :1.1×10Pa・s
H−NMR δ(ppm):
−0.4〜0.4(br,1.2H),4.2〜5.0(br,1.2H),5.4〜6.2(br,3H)
29Si−NMR δ(ppm):
−89〜−82(br,1Si),−70〜−63(br,0.98Si),−12〜−5(br,0.2Si)
実施例2−6において得られた珪素含有高分子化合物(P6)は、メタノール、エタノール、テトラヒドロフラン、トルエン、ジメチルホルムアミド、メチルイソブチルケトン、酢酸イソアミル、ヘキサン、四塩化炭素等の有機溶媒に溶解した。
実施例2−7
撹拌機、還流管、滴下ロート及び温度計を備えた四つ口フラスコに、トリエトキシシラン24.7g(0.15モル)、パラスチリルトリメトキシシラン33.7g(0.15モル)及びトルエン37.0gを加え、70℃で加熱撹拌しながら、水20g、濃塩酸0.5g及びエタノール10gの混合物を約1時間かけて滴下し、反応させた。その後、実施例2−1と同様の操作により、分離、濃縮により珪素含有高分子化合物(P7)27.8gを得た。収率は89%であった。
上記珪素含有高分子化合物(P7)の物性は、次の通りであり、下記式(22)で表される珪素含有高分子化合物であることを確認した。
Figure 2011102399
〔式中、l:m=1:1である。〕
分子量(GPC,テトラヒドロフラン溶媒,標準ポリスチレン換算):
Mw=6.2×10
Mn=3.2×10
粘度(25℃) : 5.2×10Pa・s
H−NMR δ(ppm):
4.2〜5.0(br,1H),5.3〜6.8(br,3H),7.1〜7.8(br,4H)
29Si−NMR δ(ppm):
−89〜−82(br,1Si),−70〜−63(br,0.99Si)
実施例2−7において得られた珪素含有高分子化合物(P7)は、メタノール、エタノール、テトラヒドロフラン、トルエン、ジメチルホルムアミド、メチルイソブチルケトン、酢酸イソアミル、ヘキサン、四塩化炭素等の有機溶媒に溶解した。
実施例2−8
撹拌機、還流管、滴下ロート及び温度計を備えた四つ口フラスコに、トリエトキシシラン24.7g(0.15モル)、パラスチリルトリメトキシシラン33.7g(0.15モル)、ヘキサメチルジシロキサン2.4g(0.015モル)及びトルエン37.0gを加え、70℃で加熱撹拌しながら、水20g、濃塩酸0.5g及びエタノール10gの混合物を約1時間かけて滴下し、反応させた。その後、実施例2−1と同様の操作により、分離、濃縮により珪素含有高分子化合物(P8)28.3gを得た。収率は84%であった。
上記珪素含有高分子化合物(P8)の物性は、次の通りであり、下記式(23)で表される珪素含有高分子化合物であることを確認した。
Figure 2011102399
〔式中、l:m:n=1:1:0.2である。〕
分子量(GPC,テトラヒドロフラン溶媒,標準ポリスチレン換算):
Mw=2.3×10
Mn=1.4×10
粘度(25℃) : 3.8×10Pa・s
H−NMR δ(ppm):
−0.4〜0.4(br,1.8H),4.2〜5.0(br,1H),5.3
〜6.8(br,3H),7.1〜7.8(br,4H)
29Si−NMR δ(ppm):
−89〜−82(br,1Si),−70〜−63(br,1Si),8〜15
(br,0.2Si)
実施例2−8において得られた珪素含有高分子化合物(P8)は、メタノール、エタノール、テトラヒドロフラン、トルエン、ジメチルホルムアミド、メチルイソブチルケトン、酢酸イソアミル、ヘキサン、四塩化炭素等の有機溶媒に溶解した。
実施例2−9
撹拌機、還流管、滴下ロート及び温度計を備えた四つ口フラスコに、トリエトキシシラン24.7g(0.15モル)、パラスチリルトリメトキシシラン33.7g(0.15モル)、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン2.0g(0.015モル)及びトルエン37.0gを加え、70℃で加熱撹拌しながら、水20g、濃塩酸0.5g及びエタノール10gの混合物を約1時間かけて滴下し、反応させた。その後、実施例2−1と同様の操作により、分離、濃縮により珪素含有高分子化合物(P9)27.6gを得た。収率は83%であった。
上記珪素含有高分子化合物(P9)の物性は、次の通りであり、下記式(24)で表される珪素含有高分子化合物であることを確認した。
Figure 2011102399
〔式中、l:m:n=1:1:0.2である。〕
分子量(GPC,テトラヒドロフラン溶媒,標準ポリスチレン換算):
Mw=2.2×10
Mn=1.2×10
粘度(25℃) : 4.1×10Pa・s
H−NMR δ(ppm):
−0.4〜0.4(br,1.2H),4.2〜5.0(br,1.2H),5.3〜6.8(br,3H),7.1〜7.8(br,4H)
29Si−NMR δ(ppm):
−89〜−82(br,1Si),−70〜−63(br,0.99Si),−12〜−5(br,0.19Si)
実施例2−9において得られた珪素含有高分子化合物(P9)は、メタノール、エタノール、テトラヒドロフラン、トルエン、ジメチルホルムアミド、メチルイソブチルケトン、酢酸イソアミル、ヘキサン、四塩化炭素等の有機溶媒に溶解した。
実施例2−10
撹拌機、還流管、滴下ロート及び温度計を備えた四つ口フラスコに、トリエトキシシラン24.7g(0.15モル)、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン37.7g(0.15モル)、ヘキサメチルジシロキサン2.4g(0.015モル)及びトルエン37.0gを加え、70℃で加熱撹拌しながら、水20g、濃塩酸0.5g及びエタノール10gの混合物を約1時間かけて滴下し、反応させた。その後、実施例1と同様の操作により、分離、濃縮により珪素含有高分子化合物(P10)34.3gを得た。収率は92%であった。
上記珪素含有高分子化合物(P10)の物性は、次の通りであり、下記式(25)で表される珪素含有高分子化合物であることを確認した。
Figure 2011102399
〔式中、l:m:n=1:1:0.2である。〕
分子量(GPC,テトラヒドロフラン溶媒,標準ポリスチレン換算):
Mw=2.4×10
Mn=1.5×10
粘度(25℃) : 3.2×10Pa・s
H−NMR δ(ppm):
−0.4〜0.4(br,1.8H), 0.5〜1.0(br,2H),1.5〜2.5(br,5H),3.6〜4.2(br,2H),4.3〜5.0(br,1H),5.7〜7.1(br,2H)
29Si−NMR δ(ppm):
−89〜−82(br,1Si),−70〜−63(br,0.99Si),8〜15(br,0.2Si)
実施例2−10において得られた珪素含有高分子化合物(P10)は、メタノール、エタノール、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、メチルイソブチルケトン、酢酸イソアミルには溶解したが、ヘキサン、四塩化炭素、クロロホルム、トルエン等には難溶であった。
実施例2−11
撹拌機、還流管、滴下ロート及び温度計を備えた四つ口フラスコに、トリエトキシシラン24.7g(0.15モル)、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン35.2g(0.15モル)、ヘキサメチルジシロキサン2.4g(0.015モル)及びトルエン37.0gを加え、70℃で加熱撹拌しながら、水20g、濃塩酸0.5g及びエタノール10gの混合物を約1時間かけて滴下し、反応させた。その後、実施例1と同様の操作により、分離、濃縮により珪素含有高分子化合物(P11)31.7gを得た。収率は90%であった。
上記珪素含有高分子化合物(P11)の物性は、次の通りであり、下記式(26)で表される珪素含有高分子化合物であることを確認した。
Figure 2011102399
〔式中、l:m:n=1:1:0.2である。〕
分子量(GPC,テトラヒドロフラン溶媒,標準ポリスチレン換算):
Mw=2.3×10
Mn=1.1×10
粘度(25℃) :3.2×10Pa・s
H−NMR δ(ppm):
−0.4〜0.4(br,1.8H), 0.5〜1.0(br,2H),1.9〜2.5(br,2H),3.6〜4.2(br,2H),4.3〜5.0(br,1H),5.7〜7.1(br,3H)
29Si−NMR δ(ppm):
−89〜−82(br,1Si),−70〜−63(br,0.98Si),8〜15(br,0.2Si)
実施例2−11において得られた珪素含有高分子化合物(P11)は、メタノール、エタノール、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、メチルイソブチルケトン、酢酸イソアミルには溶解したが、ヘキサン、四塩化炭素、クロロホルム、トルエン等には難溶であった。
3.耐熱性樹脂組成物の調製及び評価
実施例2−12
実施例2−1で得られた珪素含有高分子化合物(P1)10gと塩化白金酸1mgとを、室温で5分間攪拌した後、120℃で1時間加熱した。これにより、不溶不融の樹脂組成物が得られた。この加熱の際、不飽和基を有する化合物が気化することはなかった。
この樹脂組成物の熱重量測定を行ったところ、窒素雰囲気下、昇温速度10℃/分で25℃から加熱したとき、625℃において、重量損失率は5.0%であった。また、同条件で、空気雰囲気下で加熱したときは、84.3%が残存し、Td5(加熱前の質量を基準として、重量損失の割合が5質量%となった温度)は405℃であった(表3参照)。また、示差走査熱量計(DSC)によると、500℃までの温度範囲において、ガラス転移点と見られる挙動は、はっきりとは確認されなかった。
実施例2−13〜2−16
実施例2−2〜2−5で得られた珪素含有高分子化合物(P2)〜(P5)を用い、実施例2−12と同様にして樹脂組成物を調製し、同様の評価を行った。その結果を表3に示す。
Figure 2011102399
実施例2−17
実施例2−6で得られた珪素含有高分子化合物(P6)10gと塩化白金酸1mgとを、室温で5分間攪拌した後、120℃で1時間加熱した。これにより、不溶不融の樹脂組成物が得られた。この加熱の際、不飽和基を有する化合物が気化することはなかった。
この樹脂組成物の熱重量測定を行ったところ、窒素雰囲気下、昇温速度10℃/分で25℃から加熱したとき、1065℃において、重量損失率は5.0%であった。また、同条件で、空気雰囲気下で加熱したときは、90.2%が残存し、Td5は620℃であった(表4参照)。また、500℃までの温度範囲において、ガラス転移点と見られる挙動は、はっきりとは確認されなかった。
実施例2−18〜2−22
実施例2−7〜2−11で得られた珪素含有高分子化合物(P7)〜(P11)を用い、実施例2−17と同様にして樹脂組成物を調製し、同様の評価を行った。その結果を表4に示す。
Figure 2011102399
4.耐熱性皮膜の製造及び評価
実施例2−23
実施例2−1で得られた珪素含有高分子化合物(P1)0.1gにテトラヒドロフラン0.9gを加え、樹脂溶液を調製した。
その後、この樹脂溶液を、直径3インチのシリコンウエハ上に、回転数1,000rpmで30秒間スピンコートした。次いで、直ちに110℃で10分間加熱し、膜厚0.5μmの皮膜を得た。この皮膜はクラックのない平滑な膜であった。また、得られた皮膜を、400℃×30分及び700℃×30分の各条件で加熱したところ、クラックは発生しなかった(表5参照)。尚、表5の皮膜の状態を示す欄において、クラックが発生しなかった場合に「○」、クラックが発生した場合に「×」と表示した。
実施例2−24〜2−27
実施例2−2〜2−5で得られた珪素含有高分子化合物(P2)〜(P5)を用い、実施例2−23と同様にしてシリコンウエハ上に、皮膜を形成させ、同様の評価を行った。その結果を表5に示す。
Figure 2011102399
実施例2−28
実施例2−6で得られた珪素含有高分子化合物(P6)0.1gにテトラヒドロフラン0.9gを加え、樹脂溶液を調製した。
その後、この樹脂溶液を、直径3インチのシリコンウエハ上に、回転数1,000rpmで30秒間スピンコートした。次いで、直ちに110℃で10分間加熱して膜厚0.6μmからなる皮膜を得た。この皮膜はクラックのない平滑な膜であった。また、得られた皮膜を、400℃×30分及び700℃×30分の各条件で加熱したところ、クラックは発生しなかった(表6参照)。
実施例2−29〜2−31
実施例2−7〜2−9で得られた珪素含有高分子化合物(P7)〜(P9)を用い、実施例2−28と同様にしてシリコンウエハ上に、皮膜を形成させ、同様の評価を行った。その結果を表6に示す。
Figure 2011102399
5.珪素含有高分子化合物の製造
実施例3−1
撹拌機、還流管、滴下ロート及び温度計を備えた四つ口フラスコに、トリエトキシシラン44.4g(0.27モル)、ビニルトリメトキシシラン4.4g(0.03モル)及びトルエン37.0gを加え、70℃で加熱撹拌しながら、水20g、濃塩酸0.5g及びエタノール10gの混合物を約1時間かけて滴下し、反応させた。
滴下終了後、75℃で4時間還流を続けた。次いで、反応系に水150gを加え、静置することで2層に分離させた。高分子成分を含む下層を分取し、上層をトルエン100gにより抽出した。トルエン抽出物と上記高分子成分とを合わせ、水分定量受器を装着したフラスコに戻し、共沸によって水及びエタノールを留出させた。冷却後、ろ過、濃縮により、珪素含有高分子化合物(Q1)14.5gを得た。収率は87%であった。
上記珪素含有高分子化合物(Q1)の物性は、次の通りであり、下記式(27)で表される珪素含有高分子化合物であることを確認した。
[H−Si−O3/2[CH=CH−Si−O3/2 (27)
〔式中、l:m=0.9:0.1である。〕
分子量(GPC,テトラヒドロフラン溶媒,標準ポリスチレン換算):
Mw=4.5×10
Mn=3−1×10
粘度(25℃) : 4.3×10Pa・s
H−NMR δ(ppm):
4.2〜4.7(br,3H),5.4〜6.2(br,1H)
29Si−NMR δ(ppm):
−89〜−82(br,1Si),−70〜−63(br,0.11Si)
実施例3−1において得られた珪素含有高分子化合物(Q1)は、メタノール、エタノール、テトラヒドロフラン、トルエン、ジメチルホルムアミド、メチルイソブチルケトン、酢酸イソアミル、ヘキサン、四塩化炭素等の有機溶媒に溶解した。
実施例3−2
撹拌機、還流管、滴下ロート及び温度計を備えた四つ口フラスコに、トリエトキシシラン44.4g(0.27モル)、パラスチリルトリメトキシシラン6.7g(0.03モル)及びトルエン37.0gを加え、70℃で加熱撹拌しながら、水20g、濃塩酸0.5g及びエタノール10gの混合物を約1時間かけて滴下し、反応させた。その後、実施例3−1と同様にして、分離、濃縮により、珪素含有高分子化合物(Q2)16.9gを得た。収率は89%であった。
上記珪素含有高分子化合物(Q2)の物性は、次の通りであり、下記式(28)で表される珪素含有高分子化合物であることを確認した。
Figure 2011102399
〔式中、l:m=0.9:0.1である。〕
分子量(GPC,テトラヒドロフラン溶媒,標準ポリスチレン換算):
Mw=7.4×10
Mn=3.8×10
粘度(25℃) : 8.3×10Pa・s
H−NMR δ(ppm):
4.2〜5.0(br,3H),5.4〜6.2(br,1H),7.1〜7.8(br,1.3H)
29Si−NMR δ(ppm):
−89〜−82(br,1Si),−70〜−63(br,0.11Si)
実施例3−2において得られた珪素含有高分子化合物(Q2)は、メタノール、エタノール、テトラヒドロフラン、トルエン、ジメチルホルムアミド、メチルイソブチルケトン、酢酸イソアミル、ヘキサン、四塩化炭素等の有機溶媒に溶解した。
実施例3−3
撹拌機、還流管、滴下ロート及び温度計を備えた四つ口フラスコに、トリエトキシシラン34.5g(03−1モル)、ビニルトリメトキシシラン4.4g(0.03モル)、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン4.0g(0.03モル)及びトルエン37.0gを加え、70℃で加熱撹拌しながら、水20g、濃塩酸0.5g及びエタノール10gの混合物を約1時間かけて滴下し、反応させた。その後、実施例3−1と同様にして、分離、濃縮により、珪素含有高分子化合物(Q3)16.7gを得た。収率は88%であった。
上記珪素含有高分子化合物(Q3)の物性は、次の通りであり、下記式(29)で表される珪素含有高分子化合物であることを確認した。
Figure 2011102399
〔式中、l:m:n=0.7:0.1:0.2である。〕
分子量(GPC,テトラヒドロフラン溶媒,標準ポリスチレン換算):
Mw=2.2×10
Mn=1.2×10
粘度(25℃) : 1.1×10Pa・s
H−NMR δ(ppm):
−0.4〜0.4(br,4H),4.2〜4.7(br,3H),5.4〜6.2(br,1H)
29Si−NMR δ(ppm):
−89〜−82(br,1Si),−70〜−63(br,0.15Si),−12〜−5(br,0.29Si)
実施例3−3において得られた珪素含有高分子化合物(Q3)は、メタノール、エタノール、テトラヒドロフラン、トルエン、ジメチルホルムアミド、メチルイソブチルケトン、酢酸イソアミル、ヘキサン、四塩化炭素等の有機溶媒に溶解した。
実施例3−4
撹拌機、還流管、滴下ロート及び温度計を備えた四つ口フラスコに、テトラエトキシシラン25.0g(0.12モル)、トリエトキシシラン14.8g(0.09モル)、ビニルトリメトキシシラン4.4g(0.03モル)、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン4.0g(0.03モル)及びトルエン37.0gを加え、70℃で加熱撹拌しながら、水20g、濃塩酸0.5g及びエタノール10gの混合物を約1時間かけて滴下し、反応させた。その後、実施例3−1と同様にして、分離、濃縮により、珪素含有高分子化合物(Q4)16.9gを得た。収率は92%であった。
上記珪素含有高分子化合物(Q4)の物性は、次の通りであり、下記式(30)で表される珪素含有高分子化合物であることを確認した。
Figure 2011102399
〔式中、k:l:m:n=0.4:0.3:0.1:0.2である。〕
分子量(GPC,テトラヒドロフラン溶媒,標準ポリスチレン換算):
Mw=5.8×10
Mn=2.2×10
粘度(25℃) : 1.2×10Pa・s
H−NMR δ(ppm):
−0.4〜0.4(br,4H),4.2〜4.7(br,1.6H),5.4〜6.2(br,1H)
29Si−NMR δ(ppm):
−112〜−105(br,1Si),−89〜−82(br,0.75Si),−70〜−63(br,0.25Si),−12〜−5(br,0.49Si)
実施例3−4において得られた珪素含有高分子化合物(Q4)は、メタノール、エタノール、テトラヒドロフラン、トルエン、ジメチルホルムアミド、メチルイソブチルケトン、酢酸イソアミル、ヘキサン、四塩化炭素等の有機溶媒に溶解した。
実施例3−5
撹拌機、還流管、滴下ロート及び温度計を備えた四つ口フラスコに、テトラエトキシシラン37.5g(0.18モル)、トリエトキシシラン4.9g(0.03モル)、ビニルトリメトキシシラン4.4g(0.03モル)、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン4.0g(0.03モル)及びトルエン37.0gを加え、70℃で加熱撹拌しながら、水20g、濃塩酸0.5g及びエタノール10gの混合物を約1時間かけて滴下し、反応させた。その後、実施例3−1と同様にして、分離、濃縮により、珪素含有高分子化合物(Q5)17.7gを得た。収率は94%であった。
上記珪素含有高分子化合物(Q5)の物性は、次の通りであり、下記式(31)で表される珪素含有高分子化合物であることを確認した。
Figure 2011102399
〔式中、k:l:m:n=0.6:0.1:0.1:0.2である。〕
分子量(GPC,テトラヒドロフラン溶媒,標準ポリスチレン換算):
Mw=8.2×10
Mn=3.2×10
粘度(25℃) : 2.3×10Pa・s
H−NMR δ(ppm):
−0.4〜0.4(br,4H),4.2〜4.7(br,1H),5.4〜6.2(br,1H)
29Si−NMR δ(ppm):
−112〜−105(br,1Si),−89〜−82(br,0.17Si),−70〜−63(br,0.16Si),−12〜−5(br,0.50Si)
実施例3−5において得られた珪素含有高分子化合物(Q5)は、メタノール、エタノール、テトラヒドロフラン、トルエン、ジメチルホルムアミド、メチルイソブチルケトン、酢酸イソアミル、ヘキサン、四塩化炭素等の有機溶媒に溶解した。
6.耐熱性樹脂組成物の調製及び評価
実施例3−6
実施例3−1で得られた珪素含有高分子化合物(Q1)10gと塩化白金酸1mgとを、室温で5分間攪拌した後、120℃で1時間加熱した。これにより、樹脂組成物が得られた。この樹脂組成物の溶解性を、低級アルコール、ケトン等により調べたところ、不溶であった。
また、この樹脂組成物の熱重量測定を行ったところ、窒素雰囲気下、昇温速度10℃/分で25℃から1,000℃まで加熱したときの重量損失率は、1.2%であった。空気雰囲気下、同条件で加熱したときの重量損失率は、2.3%であった(表7参照)。
更に、DSCによると、500℃まで温度範囲において、ガラス転移点と見られる挙動は、はっきりとは確認されなかった。
尚、表7における「不溶不融」は、有機溶媒に不溶であり、加熱しても溶融しない性質であることを意味する。
実施例3−7〜3−10
実施例3−2〜3−5で得られた珪素含有高分子化合物(Q2)〜(Q5)について、実施例3−6と同様にして樹脂組成物を調製し、同様の評価を行った。その結果を表7に示す。
Figure 2011102399
7.耐熱性皮膜の製造及び評価
実施例3−11
実施例3−1で得られた珪素含有高分子化合物(Q1)0.1gにテトラヒドロフラン0.9gを加え、樹脂溶液を調製した。
その後、この樹脂溶液を、直径3インチのシリコンウエハ上に、回転数1,000rpmで30秒間スピンコートした。次いで、直ちに110℃で10分間加熱し、膜厚0.5μmの皮膜を得た。この皮膜はクラックのない平滑な膜であった。また、得られた皮膜を、400℃×30分及び700℃×30分の各条件で加熱したところ、クラックは発生しなかった(表8参照)。尚、表8の皮膜の状態を示す欄において、クラックが発生しなかった場合に「○」、クラックが発生した場合に「×」と表示した。
実施例3−12〜3−15
実施例3−2〜3−5で得られた珪素含有高分子化合物(Q2)〜(Q5)について、実施例3−11と同様にしてシリコンウエハ上に、皮膜を形成させ、同様の評価を行った。その結果を表8に示す。
Figure 2011102399

Claims (7)

  1. 下記一般式(1)で表され、重量平均分子量が500〜500,000であるアルカリ可溶性珪素含有高分子化合物。
    Figure 2011102399

    〔式中、Aは水酸基を有するかもしくはアルコキシ基を有するフェニル基、Rは炭素数1〜4のアルキレン基、mは0又は1、Rは炭素数1〜4のアルキル基(1分子中のRは同種でも2種以上の異種の組み合わせあってもよい。)、s及びuは正の数であり、tは0又は正の数であって、0≦t/(s+u)≦1且つ0<u/s≦5である。〕
  2. 上記一般式(1)において、0≦t/(s+u)≦0.2且つ0.2≦u/s≦5であり、室温において固体である請求項1記載のアルカリ可溶性珪素含有高分子化合物。
  3. 上記一般式(1)で表されるアルカリ可溶性珪素含有高分子化合物の製造方法であって、下記一般式(2)で表される加水分解性基含有オルガノシランsモル、下記一般式(3)で表される加水分解性基含有オルガノシランtモル及び下記一般式(4)で表される加水分解性基含有珪素化合物uモル〔但し、s及びuは正の数であり、tは0又は正の数であって、0≦t/(s+u)≦1且つ0<u/s≦5である。〕を、加水分解共縮合反応させることを特徴とするアルカリ可溶性珪素含有高分子化合物の製造方法。
    (RSiM (2)
    〔式中、Aは水酸基を有するかもしくはアルコキシ基を有するフェニル基、Rは炭素数1〜4のアルキレン基、Mは加水分解性基、mは0又は1である。〕
    Figure 2011102399

    〔式中、Rは炭素数1〜4のアルキル基、Mは加水分解性基である。〕
    SiM (4)
    〔式中、Mは加水分解性基である。〕
  4. 下記一般式(5)で表され、重量平均分子量が500〜500,000であるケイ素含有高分子化合物。
    Figure 2011102399

    〔式中、Aは炭素−炭素不飽和基を有する炭素数2〜10の有機基、Rは炭素数1〜20のアルキレン基、炭素数6〜20の2価の芳香族基もしくは炭素数3〜20の2価の脂環式基、nは0又は1、RはH原子もしくは炭素数1〜10のアルキル基(1分子中のRは同種でも2種以上の異種の組み合わせあってもよい。)、x,yは正の数であり、w,zは0又は正の数であって、0≦z/(w+x+y)≦2且つ0.01≦y/(w+x)≦5である。〕
  5. 請求項4記載のケイ素含有高分子化合物におけるSi原子に結合するH原子と、請求項4記載のケイ素含有高分子化合物の他の化合物における炭素−炭素不飽和基との反応によるヒドロシリル化重合体を含有する耐熱性樹脂組成物。
  6. 窒素雰囲気下、昇温速度10℃/分で25℃から1,000℃まで加熱したときの重量損失率が5%以下である請求項5記載の耐熱性樹脂組成物。
  7. 請求項4記載のケイ素含有高分子化合物の有機溶媒溶液を基材上に展開してなる被膜を熱ヒドロシリル化反応により硬化させた耐熱性皮膜。
JP2011006369A 2003-07-29 2011-01-14 珪素含有高分子化合物、耐熱性樹脂組成物及び耐熱性皮膜 Active JP5601212B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011006369A JP5601212B2 (ja) 2003-07-29 2011-01-14 珪素含有高分子化合物、耐熱性樹脂組成物及び耐熱性皮膜

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003203412 2003-07-29
JP2003203411 2003-07-29
JP2003203411 2003-07-29
JP2003203412 2003-07-29
JP2011006369A JP5601212B2 (ja) 2003-07-29 2011-01-14 珪素含有高分子化合物、耐熱性樹脂組成物及び耐熱性皮膜

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005512082A Division JP4702055B2 (ja) 2003-07-29 2004-07-29 珪素含有高分子化合物及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011102399A true JP2011102399A (ja) 2011-05-26
JP5601212B2 JP5601212B2 (ja) 2014-10-08

Family

ID=34106861

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005512082A Expired - Fee Related JP4702055B2 (ja) 2003-07-29 2004-07-29 珪素含有高分子化合物及びその製造方法
JP2011006369A Active JP5601212B2 (ja) 2003-07-29 2011-01-14 珪素含有高分子化合物、耐熱性樹脂組成物及び耐熱性皮膜

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005512082A Expired - Fee Related JP4702055B2 (ja) 2003-07-29 2004-07-29 珪素含有高分子化合物及びその製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (2) US7811637B2 (ja)
EP (2) EP1650250A4 (ja)
JP (2) JP4702055B2 (ja)
KR (2) KR101054569B1 (ja)
CN (2) CN100430432C (ja)
WO (1) WO2005010077A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160055155A (ko) 2013-09-13 2016-05-17 도아고세이가부시키가이샤 유기 규소 화합물 함유 열경화성 조성물 및 그의 경화물
JP2017095643A (ja) * 2015-11-27 2017-06-01 信越化学工業株式会社 ケイ素含有縮合物、ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物、及びパターン形成方法

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005010077A1 (ja) 2003-07-29 2005-02-03 Toagosei Co., Ltd. 珪素含有高分子化合物及びその製造方法並びに耐熱性樹脂組成物及び耐熱性皮膜
US7858697B2 (en) * 2003-10-10 2010-12-28 Dow Corning Corporation Carbinol functional silicone resins
US7326766B2 (en) * 2005-09-07 2008-02-05 Momentive Performance Materials Inc. Method for production of high solids silicone resin coating solution
EP1788011B1 (en) 2005-11-14 2013-01-09 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Silicon-containing polymers and optical waveguides formed therefrom
KR101512529B1 (ko) * 2007-11-19 2015-04-15 도아고세이가부시키가이샤 폴리실록산 및 그의 제조 방법 및 경화물의 제조 방법
DE102008057684A1 (de) * 2008-11-17 2010-05-20 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Dialkoxy- oder Dihydroxyphenylreste enthaltende Silane, daraus hergestellte Klebstoffe sowie Verfahren zur Herstellung der Silane und der Klebstoffe
JP5526321B2 (ja) * 2009-08-24 2014-06-18 独立行政法人 宇宙航空研究開発機構 宇宙空間用硬化性組成物、宇宙空間用硬化物、及び、宇宙空間用複合膜
JP2011052170A (ja) * 2009-09-04 2011-03-17 Toagosei Co Ltd 硬化性塗布組成物および硬化被膜
WO2013099909A1 (ja) * 2011-12-28 2013-07-04 東亞合成株式会社 ポリシロキサンの製造方法
DE102012202521A1 (de) * 2012-02-20 2013-08-22 Evonik Goldschmidt Gmbh Verzweigte Polysiloxane und deren Verwendung
US10066123B2 (en) * 2013-12-09 2018-09-04 3M Innovative Properties Company Curable silsesquioxane polymers, compositions, articles, and methods
JP2014224266A (ja) * 2014-08-04 2014-12-04 東亞合成株式会社 硬化性塗布組成物および硬化被膜
US9957416B2 (en) * 2014-09-22 2018-05-01 3M Innovative Properties Company Curable end-capped silsesquioxane polymer comprising reactive groups
JP2017528577A (ja) 2014-09-22 2017-09-28 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー シルセスキオキサンポリマーコア、シルセスキオキサンポリマー外層、及び反応性基を含む硬化性ポリマー
WO2017043054A1 (ja) * 2015-09-07 2017-03-16 パナソニックIpマネジメント株式会社 真空ガラスパネル、ガラス窓、および真空ガラスパネルの製造方法
EP3556795B1 (en) 2016-12-13 2021-10-27 Mitsubishi Chemical Corporation Polyorganosiloxane, polyorganosiloxane composition, cured product, polyorganosiloxane-containing electrolytic solution for electrolytic capacitor, and electrolytic capacitor using same
JP7091683B2 (ja) * 2017-02-06 2022-06-28 三菱ケミカル株式会社 オルガノポリシロキサン
US11319414B2 (en) * 2018-03-22 2022-05-03 Momentive Performance Materials Inc. Silicone polymer
WO2019235497A1 (ja) 2018-06-04 2019-12-12 東亞合成株式会社 撥水撥油膜組成物及びその利用
CN112888715B (zh) 2018-10-18 2023-11-03 东亚合成株式会社 倍半硅氧烷衍生物组合物及其用途
JPWO2021261133A1 (ja) * 2020-06-22 2021-12-30

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6296526A (ja) * 1985-10-24 1987-05-06 Hitachi Ltd アルカリ可溶性ポリオルガノシルセスキオキサン重合体
JPH01123229A (ja) * 1987-11-09 1989-05-16 Toray Silicone Co Ltd パターン形成用材料およびパターン形成方法
JPH01292036A (ja) * 1988-05-18 1989-11-24 Toray Dow Corning Silicone Co Ltd アルカリ可溶性オルガノポリシロキサン
JPH04184444A (ja) * 1990-11-20 1992-07-01 Fujitsu Ltd 感光性耐熱樹脂組成物と半導体装置の製造方法
JPH05323612A (ja) * 1992-05-25 1993-12-07 Oki Electric Ind Co Ltd 放射線感応性樹脂組成物
JPH06128378A (ja) * 1991-03-08 1994-05-10 Asahi Chem Ind Co Ltd ケイ素化合物及びその製造法
JPH06148895A (ja) * 1992-11-06 1994-05-27 Toray Ind Inc 感光性樹脂組成物およびこれを用いたパターン形成方法
JPH08245792A (ja) * 1995-03-10 1996-09-24 Mitsubishi Electric Corp シリコーンラダーポリマー、シリコーンラダープレポリマーおよびそれらの製造方法
JPH09249749A (ja) * 1996-03-19 1997-09-22 Fujitsu Ltd アルカリ可溶性シロキサン重合体
JP2001288267A (ja) * 2000-04-04 2001-10-16 Mitsubishi Electric Corp 高純度シリコーンラダーポリマーの製造方法
US6596404B1 (en) * 2001-07-26 2003-07-22 Dow Corning Corporation Siloxane resins
JP2003255546A (ja) * 2001-12-28 2003-09-10 Fujitsu Ltd アルカリ可溶性シロキサン重合体、ポジ型レジスト組成物、レジストパターン及びその製造方法、並びに、電子回路装置及びその製造方法
JP2004161867A (ja) * 2002-11-12 2004-06-10 Toagosei Co Ltd ケイ素系アルカリ可溶性樹脂

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3278567D1 (en) * 1981-10-03 1988-07-07 Japan Synthetic Rubber Co Ltd Solvent-soluble organopolysilsesquioxanes, processes for producing the same, and compositions and semiconductor devices using the same
US4745169A (en) * 1985-05-10 1988-05-17 Hitachi, Ltd. Alkali-soluble siloxane polymer, silmethylene polymer, and polyorganosilsesquioxane polymer
US5010159A (en) 1989-09-01 1991-04-23 Dow Corning Corporation Process for the synthesis of soluble, condensed hydridosilicon resins containing low levels of silanol
DE69311667T2 (de) * 1992-10-23 1997-11-20 Mitsubishi Chem Corp Herstellungsverfahren für aromatische Polycarbonate
JP3119028B2 (ja) 1993-04-02 2000-12-18 富士ゼロックス株式会社 通信装置の発呼装置
JPH06296526A (ja) 1993-04-14 1994-10-25 Showa:Kk リクライニング装置用渦巻きばねの取付方法及びその取付構造
DE4344309A1 (de) * 1993-12-23 1995-06-29 Wacker Chemie Gmbh Lösliche Organopolysiloxan-Radikalmakroinitiatoren zur Pfropfcopolymerisation
US5516884A (en) * 1994-03-09 1996-05-14 The Penn State Research Foundation Preparation of polycarbynes and diamond-like carbon materials made therefrom
JP2884074B2 (ja) 1996-03-08 1999-04-19 工業技術院長 新規含シルセスキオキサンポリマーとその製造法および耐熱性素材
SE511846C2 (sv) 1997-05-15 1999-12-06 Sandvik Ab Sätt att smältfassintra en titanbaserad karbonitridlegering
US6962727B2 (en) * 1998-03-20 2005-11-08 Honeywell International Inc. Organosiloxanes
US6177199B1 (en) * 1999-01-07 2001-01-23 Alliedsignal Inc. Dielectric films from organohydridosiloxane resins with low organic content
US6140445A (en) * 1998-04-17 2000-10-31 Crompton Corporation Silane functional oligomer
JP2000119595A (ja) * 1998-10-14 2000-04-25 Shin Etsu Chem Co Ltd 焼成皮膜形成用オルガノポリシロキサン組成物
JP2000169585A (ja) 1998-12-07 2000-06-20 Dow Corning Asia Ltd 水素シルセスキオキサン樹脂及び変性された水素シルセスキオキサン樹脂の製造方法
JP2000265065A (ja) 1999-03-17 2000-09-26 Dow Corning Asia Ltd 有機溶剤可溶性の水素化オクタシルセスキオキサン−ビニル基含有化合物共重合体の製造方法
US6281285B1 (en) * 1999-06-09 2001-08-28 Dow Corning Corporation Silicone resins and process for synthesis
EP1059322A3 (en) 1999-06-09 2002-05-29 Dow Corning Corporation Silicone resins and process for synthesis
JP2001089662A (ja) 1999-09-22 2001-04-03 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 硬化性組成物及びそれを用いた成形体の作製方法
GB0108274D0 (en) * 2001-04-03 2001-05-23 Dow Corning preparation of silicone resins
DE60206575T2 (de) * 2001-08-30 2006-07-13 Teijin Chemicals Ltd. Flammhemmende aromatische Polycarbonatharzzusammensetzung und daraus hergestellte Formmassen
DE10393820T5 (de) * 2002-12-02 2005-10-27 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., Kawasaki Positiv arbeitende Photoresistzusammensetzung auf Siliconbasis vom chemischen Amplifizierungstyp
WO2005010077A1 (ja) 2003-07-29 2005-02-03 Toagosei Co., Ltd. 珪素含有高分子化合物及びその製造方法並びに耐熱性樹脂組成物及び耐熱性皮膜

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6296526A (ja) * 1985-10-24 1987-05-06 Hitachi Ltd アルカリ可溶性ポリオルガノシルセスキオキサン重合体
JPH01123229A (ja) * 1987-11-09 1989-05-16 Toray Silicone Co Ltd パターン形成用材料およびパターン形成方法
JPH01292036A (ja) * 1988-05-18 1989-11-24 Toray Dow Corning Silicone Co Ltd アルカリ可溶性オルガノポリシロキサン
JPH04184444A (ja) * 1990-11-20 1992-07-01 Fujitsu Ltd 感光性耐熱樹脂組成物と半導体装置の製造方法
JPH06128378A (ja) * 1991-03-08 1994-05-10 Asahi Chem Ind Co Ltd ケイ素化合物及びその製造法
JPH05323612A (ja) * 1992-05-25 1993-12-07 Oki Electric Ind Co Ltd 放射線感応性樹脂組成物
JPH06148895A (ja) * 1992-11-06 1994-05-27 Toray Ind Inc 感光性樹脂組成物およびこれを用いたパターン形成方法
JPH08245792A (ja) * 1995-03-10 1996-09-24 Mitsubishi Electric Corp シリコーンラダーポリマー、シリコーンラダープレポリマーおよびそれらの製造方法
JPH09249749A (ja) * 1996-03-19 1997-09-22 Fujitsu Ltd アルカリ可溶性シロキサン重合体
JP2001288267A (ja) * 2000-04-04 2001-10-16 Mitsubishi Electric Corp 高純度シリコーンラダーポリマーの製造方法
US6596404B1 (en) * 2001-07-26 2003-07-22 Dow Corning Corporation Siloxane resins
JP2003255546A (ja) * 2001-12-28 2003-09-10 Fujitsu Ltd アルカリ可溶性シロキサン重合体、ポジ型レジスト組成物、レジストパターン及びその製造方法、並びに、電子回路装置及びその製造方法
JP2004161867A (ja) * 2002-11-12 2004-06-10 Toagosei Co Ltd ケイ素系アルカリ可溶性樹脂

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160055155A (ko) 2013-09-13 2016-05-17 도아고세이가부시키가이샤 유기 규소 화합물 함유 열경화성 조성물 및 그의 경화물
US9663598B2 (en) 2013-09-13 2017-05-30 Toagosei Co., Ltd. Organosilicon compound-containing thermosetting composition and cured product thereof
JP2017095643A (ja) * 2015-11-27 2017-06-01 信越化学工業株式会社 ケイ素含有縮合物、ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物、及びパターン形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN101255233A (zh) 2008-09-03
EP1650250A4 (en) 2009-08-12
US7811637B2 (en) 2010-10-12
KR20110008327A (ko) 2011-01-26
CN1829762A (zh) 2006-09-06
WO2005010077A1 (ja) 2005-02-03
CN100430432C (zh) 2008-11-05
US8329815B2 (en) 2012-12-11
EP2159249A1 (en) 2010-03-03
CN101255233B (zh) 2011-12-28
KR20060052926A (ko) 2006-05-19
US20070134424A1 (en) 2007-06-14
EP1650250A1 (en) 2006-04-26
US20100029841A1 (en) 2010-02-04
JP5601212B2 (ja) 2014-10-08
JP4702055B2 (ja) 2011-06-15
EP2159249B1 (en) 2014-09-10
JPWO2005010077A1 (ja) 2006-11-30
KR101100463B1 (ko) 2011-12-29
KR101054569B1 (ko) 2011-08-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5601212B2 (ja) 珪素含有高分子化合物、耐熱性樹脂組成物及び耐熱性皮膜
TWI232468B (en) Composition for film formation and material for insulating film formation
TWI425029B (zh) Polysiloxane and its manufacturing method and method for producing hardened product
TWI384016B (zh) 矽氧烷樹脂塗料
TW591082B (en) Halogenated resin compositions
JP2011510133A (ja) シルセスキオキサン樹脂
TW200806714A (en) Organic silica film and method for forming the same, composition for forming insulating film of semiconductor device and method for producing the same, wiring structure and semiconductor device
TW202033622A (zh) 樹脂組合物、感光性樹脂組合物、硬化膜、硬化膜之製造方法、圖案硬化膜及圖案硬化膜之製作方法
TW200907580A (en) Photosensitive resin composition
JP5158594B2 (ja) ナフタレン環を有するシリコーン重合体、およびその組成物
JPH1129640A (ja) 光カチオン硬化性組成物の製造方法及び光カチオン硬化性ハードコート剤組成物
JP4281305B2 (ja) 3層レジスト中間層用樹脂組成物
JP2004359953A (ja) シロキサン系樹脂及びこれを用いた半導体層間絶縁膜
JP5376210B2 (ja) 縮合多環式炭化水素基を有するシリコーン共重合体及びその製造方法
JP2009007515A (ja) 微細パターン転写材料用組成物および微細パターンの形成方法
JP5915878B2 (ja) シリコーン重合体の製造方法
JP4380229B2 (ja) 新規化合物およびその用途
JP2005105011A (ja) ポリアミド酸エステル組成物
JPH0733783A (ja) ケイ素化合物
TW202231737A (zh) 樹脂組成物、固化膜、固化膜的製造方法、附多層膜之基板、附圖案之基板的製造方法、光敏性樹脂組成物、圖案固化膜的製造方法、聚合物的製造方法以及樹脂組成物的製造方法
WO2021261133A1 (ja) 光硬化性組成物、その硬化物、及び硬化物の製造方法
JP2007046011A (ja) 膜形成用組成物、絶縁膜、およびその製造方法
JP2014224266A (ja) 硬化性塗布組成物および硬化被膜
JP2007046010A (ja) 膜形成用組成物、絶縁膜、およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20121026

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130403

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130702

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130826

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140527

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20140617

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140702

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140722

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140804

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5601212

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250