JP2001288267A - 高純度シリコーンラダーポリマーの製造方法 - Google Patents
高純度シリコーンラダーポリマーの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体の表面保護膜、層間絶縁膜などに好適
に使用することができる項純度シリコーンラダーポリマ
ーを簡易に製造する。 【解決手段】 オルガノシラン化合物を有機溶媒に溶解
させて、超純水を用いて加水分解して得たプレポリマー
を、必要に応じて超純水により洗浄したのち、有機溶媒
に溶解させて、触媒の不存在下で加熱する。
に使用することができる項純度シリコーンラダーポリマ
ーを簡易に製造する。 【解決手段】 オルガノシラン化合物を有機溶媒に溶解
させて、超純水を用いて加水分解して得たプレポリマー
を、必要に応じて超純水により洗浄したのち、有機溶媒
に溶解させて、触媒の不存在下で加熱する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高純度シリコーン
ラダーポリマーの製造方法に関する。さらに詳しくは、
本発明は、半導体などの保護膜、層間絶縁膜などとして
好適に使用し得る高純度シリコーンラダーポリマーの製
造方法に関する。
ラダーポリマーの製造方法に関する。さらに詳しくは、
本発明は、半導体などの保護膜、層間絶縁膜などとして
好適に使用し得る高純度シリコーンラダーポリマーの製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、シリコーンラダーポリマー
は、この分子構造に起因して耐熱性、電気絶縁性、耐薬
品性に優れており、電子部品あるいは半導体装置などの
保護膜、層間絶縁膜用材料として用いられている。この
シリコーンラダーポリマーの従来の製造方法は、文献
（特開昭６０−１２４９４３号公報）に提案されてい
る。従来の製造方法では、まず有機溶媒溶液中でトリエ
トキシランを加水分解し、そののち減圧下で重合させ、
ジメチルクロロシランで末端を修飾し、有機溶媒で精製
してシリコーンラダーポリマーを得る。
は、この分子構造に起因して耐熱性、電気絶縁性、耐薬
品性に優れており、電子部品あるいは半導体装置などの
保護膜、層間絶縁膜用材料として用いられている。この
シリコーンラダーポリマーの従来の製造方法は、文献
（特開昭６０−１２４９４３号公報）に提案されてい
る。従来の製造方法では、まず有機溶媒溶液中でトリエ
トキシランを加水分解し、そののち減圧下で重合させ、
ジメチルクロロシランで末端を修飾し、有機溶媒で精製
してシリコーンラダーポリマーを得る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
ような従来の製造方法によりシリコーンラダーポリマー
が得られたとしても、製造されたシリコーンラダーポリ
マーには、多量の不純物や副生成物が含まれている。こ
れは、末端修飾後の精製が不充分であったり、加水分解
後の反応を３５℃という高温で行なうなど不純物や副生
成物が除去されにくい条件で製造されたことによるもの
である。また製造されたシリコーンラダーポリマーの分
子量は１０万以下にとどまり、厚膜形成は困難であっ
た。
ような従来の製造方法によりシリコーンラダーポリマー
が得られたとしても、製造されたシリコーンラダーポリ
マーには、多量の不純物や副生成物が含まれている。こ
れは、末端修飾後の精製が不充分であったり、加水分解
後の反応を３５℃という高温で行なうなど不純物や副生
成物が除去されにくい条件で製造されたことによるもの
である。また製造されたシリコーンラダーポリマーの分
子量は１０万以下にとどまり、厚膜形成は困難であっ
た。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、ナトリウム、
カリウム、鉄、銅、鉛、マグネシウム、マンガンおよび
塩素の各含有量が１ｐｐｍ以下であり、ウランおよびト
リウムの各含有量が１ｐｐｂ以下である一般式（１）：
カリウム、鉄、銅、鉛、マグネシウム、マンガンおよび
塩素の各含有量が１ｐｐｍ以下であり、ウランおよびト
リウムの各含有量が１ｐｐｂ以下である一般式（１）：
【０００５】
【化３】
【０００６】（式中、Ｒ1およびＲ2は、フッ素原子、水
素原子、低級アルキル基、アルケニル基、アリール基、
水素原子の一部もしくは全てがフッ素原子に置換された
低級アルキル基、水素原子の一部もしくは全てがフッ素
原子に置換されたアルケニル基、または、水素原子の一
部もしくは全てがフッ素原子に置換されたアリール基で
あって、同種でも異種でもよく、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5および
Ｒ6は、水素原子、低級アルキル基、または、水素原子
の一部もしくは全てがフッ素原子に置換された低級アル
キル基であって、同種でも異種でもよく、ｎは５〜１０
０００の自然数を示す）で表わされる高純度シリコーン
ラダーポリマーの製造方法であって、（ａ）一種または
二種以上のオルガノシラン化合物を有機溶媒に溶解させ
て、超純水を用いて加水分解してプレポリマーを得る工
程、（ｂ）得られたプレポリマーを超純水により洗浄す
る工程、および（ｃ）洗浄したプレポリマーを有機溶媒
に溶解させて、触媒の不存在下で加熱する工程を有する
ことを特徴とする高純度シリコーンラダーポリマーの製
造方法（請求項１）、オルガノシラン化合物が、一般式
（２）： Ｒ7ＳｉＯＲ8ＯＲ9ＯＲ10 （Ｒ7は、フッ素原子、水素原子、低級アルキル基、ア
ルケニル基、アリール基、水素原子の一部もしくは全て
がフッ素原子に置換された低級アルキル基、水素原子の
一部もしくは全てがフッ素原子に置換されたアルケニル
基、または、水素原子の一部もしくは全てがフッ素原子
に置換されたアリール基であり、Ｒ8、Ｒ9およびＲ
10は、水素原子、低級アルキル基、または、水素原子の
一部もしくは全てがフッ素原子に置換された低級アルキ
ル基であって、同種でも異種でもよい）で表わされるオ
ルガノトリアルコキシシラン化合物である請求項１記載
の高純度シリコーンラダーポリマーの製造方法（請求項
２）、オルガノシラン化合物が、一般式（３）： Ｒ11ＳｉＣｌ3 （Ｒ11は、フッ素原子、水素原子、低級アルキル基、ア
ルケニル基、アリール基、水素原子の一部もしくは全て
がフッ素原子に置換された低級アルキル基、水素原子の
一部もしくは全てがフッ素原子に置換されたアルケニル
基、または、水素原子の一部もしくは全てがフッ素原子
に置換されたアリール基である）で表わされるオルガノ
トリクロロシラン化合物である請求項１記載の高純度シ
リコーンラダーポリマーの製造方法（請求項３）、ナト
リウム、カリウム、鉄、銅、鉛、マグネシウム、マンガ
ンおよび塩素の各含有量が１ｐｐｍ以下であり、ウラン
およびトリウムの各含有量が１ｐｐｂ以下である一般式
（１）：
素原子、低級アルキル基、アルケニル基、アリール基、
水素原子の一部もしくは全てがフッ素原子に置換された
低級アルキル基、水素原子の一部もしくは全てがフッ素
原子に置換されたアルケニル基、または、水素原子の一
部もしくは全てがフッ素原子に置換されたアリール基で
あって、同種でも異種でもよく、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5および
Ｒ6は、水素原子、低級アルキル基、または、水素原子
の一部もしくは全てがフッ素原子に置換された低級アル
キル基であって、同種でも異種でもよく、ｎは５〜１０
０００の自然数を示す）で表わされる高純度シリコーン
ラダーポリマーの製造方法であって、（ａ）一種または
二種以上のオルガノシラン化合物を有機溶媒に溶解させ
て、超純水を用いて加水分解してプレポリマーを得る工
程、（ｂ）得られたプレポリマーを超純水により洗浄す
る工程、および（ｃ）洗浄したプレポリマーを有機溶媒
に溶解させて、触媒の不存在下で加熱する工程を有する
ことを特徴とする高純度シリコーンラダーポリマーの製
造方法（請求項１）、オルガノシラン化合物が、一般式
（２）： Ｒ7ＳｉＯＲ8ＯＲ9ＯＲ10 （Ｒ7は、フッ素原子、水素原子、低級アルキル基、ア
ルケニル基、アリール基、水素原子の一部もしくは全て
がフッ素原子に置換された低級アルキル基、水素原子の
一部もしくは全てがフッ素原子に置換されたアルケニル
基、または、水素原子の一部もしくは全てがフッ素原子
に置換されたアリール基であり、Ｒ8、Ｒ9およびＲ
10は、水素原子、低級アルキル基、または、水素原子の
一部もしくは全てがフッ素原子に置換された低級アルキ
ル基であって、同種でも異種でもよい）で表わされるオ
ルガノトリアルコキシシラン化合物である請求項１記載
の高純度シリコーンラダーポリマーの製造方法（請求項
２）、オルガノシラン化合物が、一般式（３）： Ｒ11ＳｉＣｌ3 （Ｒ11は、フッ素原子、水素原子、低級アルキル基、ア
ルケニル基、アリール基、水素原子の一部もしくは全て
がフッ素原子に置換された低級アルキル基、水素原子の
一部もしくは全てがフッ素原子に置換されたアルケニル
基、または、水素原子の一部もしくは全てがフッ素原子
に置換されたアリール基である）で表わされるオルガノ
トリクロロシラン化合物である請求項１記載の高純度シ
リコーンラダーポリマーの製造方法（請求項３）、ナト
リウム、カリウム、鉄、銅、鉛、マグネシウム、マンガ
ンおよび塩素の各含有量が１ｐｐｍ以下であり、ウラン
およびトリウムの各含有量が１ｐｐｂ以下である一般式
（１）：
【０００７】
【化４】
【０００８】（式中、Ｒ1およびＲ2は、フッ素原子、水
素原子、低級アルキル基、アルケニル基、アリール基、
水素原子の一部もしくは全てがフッ素原子に置換された
低級アルキル基、水素原子の一部もしくは全てがフッ素
原子に置換されたアルケニル基、または、水素原子の一
部もしくは全てがフッ素原子に置換されたアリール基で
あって、同種でも異種でもよく、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5および
Ｒ6は、水素原子、低級アルキル基、または、水素原子
の一部もしくは全てがフッ素原子に置換された低級アル
キル基であって、同種でも異種でもよく、ｎは５〜１０
０００の自然数を示す）で表わされる高純度シリコーン
ラダーポリマーの製造方法であって、（ａ）一種または
二種以上のオルガノシラン化合物を有機溶媒に溶解させ
て、超純水を用いて加水分解してプレポリマーを得る工
程、および（ｃ）得られたプレポリマーを有機溶媒に溶
解させて、触媒の不存在下で加熱する工程を有すること
を特徴とする高純度シリコーンラダーポリマーの製造方
法（請求項４）、オルガノシラン化合物が、一般式
（２）： Ｒ7ＳｉＯＲ8ＯＲ9ＯＲ10 （Ｒ7は、フッ素原子、水素原子、低級アルキル基、ア
ルケニル基、アリール基、水素原子の一部もしくは全て
がフッ素原子に置換された低級アルキル基、水素原子の
一部もしくは全てがフッ素原子に置換されたアルケニル
基、または、水素原子の一部もしくは全てがフッ素原子
に置換されたアリール基であり、Ｒ8、Ｒ9およびＲ
10は、水素原子、低級アルキル基、または、水素原子の
一部もしくは全てがフッ素に置換された低級アルキル基
であって、同種でも異種でもよい）で表わされるオルガ
ノトリアルコキシシラン化合物である請求項４記載の高
純度シリコーンラダーポリマーの製造方法（請求項
５）、オルガノシラン化合物が、一般式（３）： Ｒ11ＳｉＣｌ3 （Ｒ11は、フッ素原子、水素原子、低級アルキル基、ア
ルケニル基、アリール基、水素原子の一部もしくは全て
がフッ素原子に置換された低級アルキル基、水素原子の
一部もしくは全てがフッ素原子に置換されたアルケニル
基、または、水素原子の一部もしくは全てがフッ素原子
に置換されたアリール基である）で表わされるオルガノ
トリクロロシラン化合物である請求項４記載の高純度シ
リコーンラダーポリマーの製造方法（請求項６）、さら
に（ｄ）得られた高純度シリコーンラダーポリマーを粉
末にし、貧溶媒と混合撹拌することによって精製する工
程を有する請求項１、２、３、４、５または６記載の高
純度シリコーンラダーポリマーの製造方法（請求項
７）、ならびに、さらに（ｄ）得られた高純度シリコー
ンラダーポリマーの有機溶媒溶液を不純物除去装置に通
すことによって精製する工程を有する請求項１、２、
３、４、５または６記載の高純度シリコーンラダーポリ
マーの製造方法（請求項８）にかかわる。
素原子、低級アルキル基、アルケニル基、アリール基、
水素原子の一部もしくは全てがフッ素原子に置換された
低級アルキル基、水素原子の一部もしくは全てがフッ素
原子に置換されたアルケニル基、または、水素原子の一
部もしくは全てがフッ素原子に置換されたアリール基で
あって、同種でも異種でもよく、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5および
Ｒ6は、水素原子、低級アルキル基、または、水素原子
の一部もしくは全てがフッ素原子に置換された低級アル
キル基であって、同種でも異種でもよく、ｎは５〜１０
０００の自然数を示す）で表わされる高純度シリコーン
ラダーポリマーの製造方法であって、（ａ）一種または
二種以上のオルガノシラン化合物を有機溶媒に溶解させ
て、超純水を用いて加水分解してプレポリマーを得る工
程、および（ｃ）得られたプレポリマーを有機溶媒に溶
解させて、触媒の不存在下で加熱する工程を有すること
を特徴とする高純度シリコーンラダーポリマーの製造方
法（請求項４）、オルガノシラン化合物が、一般式
（２）： Ｒ7ＳｉＯＲ8ＯＲ9ＯＲ10 （Ｒ7は、フッ素原子、水素原子、低級アルキル基、ア
ルケニル基、アリール基、水素原子の一部もしくは全て
がフッ素原子に置換された低級アルキル基、水素原子の
一部もしくは全てがフッ素原子に置換されたアルケニル
基、または、水素原子の一部もしくは全てがフッ素原子
に置換されたアリール基であり、Ｒ8、Ｒ9およびＲ
10は、水素原子、低級アルキル基、または、水素原子の
一部もしくは全てがフッ素に置換された低級アルキル基
であって、同種でも異種でもよい）で表わされるオルガ
ノトリアルコキシシラン化合物である請求項４記載の高
純度シリコーンラダーポリマーの製造方法（請求項
５）、オルガノシラン化合物が、一般式（３）： Ｒ11ＳｉＣｌ3 （Ｒ11は、フッ素原子、水素原子、低級アルキル基、ア
ルケニル基、アリール基、水素原子の一部もしくは全て
がフッ素原子に置換された低級アルキル基、水素原子の
一部もしくは全てがフッ素原子に置換されたアルケニル
基、または、水素原子の一部もしくは全てがフッ素原子
に置換されたアリール基である）で表わされるオルガノ
トリクロロシラン化合物である請求項４記載の高純度シ
リコーンラダーポリマーの製造方法（請求項６）、さら
に（ｄ）得られた高純度シリコーンラダーポリマーを粉
末にし、貧溶媒と混合撹拌することによって精製する工
程を有する請求項１、２、３、４、５または６記載の高
純度シリコーンラダーポリマーの製造方法（請求項
７）、ならびに、さらに（ｄ）得られた高純度シリコー
ンラダーポリマーの有機溶媒溶液を不純物除去装置に通
すことによって精製する工程を有する請求項１、２、
３、４、５または６記載の高純度シリコーンラダーポリ
マーの製造方法（請求項８）にかかわる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下に本発明をさらに詳細に説明
する。
する。
【００１０】本発明は、ナトリウム、カリウム、鉄、
銅、鉛、マグネシウム、マンガンおよび塩素の各含有量
が１ｐｍ以下であり、ウランおよびトリウムの各含有量
が１ｐｐｂ以下である一般式（１）で表わされる高純度
シリコーンラダーポリマーの製造方法にかかわる。
銅、鉛、マグネシウム、マンガンおよび塩素の各含有量
が１ｐｍ以下であり、ウランおよびトリウムの各含有量
が１ｐｐｂ以下である一般式（１）で表わされる高純度
シリコーンラダーポリマーの製造方法にかかわる。
【００１１】一般式（１）中、Ｒ1およびＲ2は、フッ素
原子、水素原子、低級アルキル基、アルケニル基、アリ
ール基、水素原子の一部もしくは全てがフッ素原子に置
換された低級アルキル基、水素原子の一部もしくは全て
がフッ素原子に置換されたアルケニル基、または、水素
原子の一部もしくは全てがフッ素原子に置換されたアリ
ール基である。Ｒ1とＲ2は同種でも異種でもよく、各Ｒ
1および各Ｒ2は同種でも異種でもよい。
原子、水素原子、低級アルキル基、アルケニル基、アリ
ール基、水素原子の一部もしくは全てがフッ素原子に置
換された低級アルキル基、水素原子の一部もしくは全て
がフッ素原子に置換されたアルケニル基、または、水素
原子の一部もしくは全てがフッ素原子に置換されたアリ
ール基である。Ｒ1とＲ2は同種でも異種でもよく、各Ｒ
1および各Ｒ2は同種でも異種でもよい。
【００１２】低級アルキル基としては、たとえば、炭素
数が１〜７のアルキル基、具体的には、メチル基、エチ
ル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチ
ル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル
基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−へプチル基などをあげること
ができる。アルケニル基としては、たとえば、炭素数が
２〜５のアルケニル基、具体的には、ビニル基、アリル
基、２−ブテニル基、１−ペンテニル基、２−ペンテニ
ル基、３−ペンテニル基、１−エン−ｎ−ヘキシル基、
２−エン−ｎ−ヘキシル基、３−エン−ｎ−ヘキシル
基、４−エン−ｎ−ヘキシル基、２−フェニルビニル
基、３−フェニルアリル基などをあげることができる。
アリール基としては、たとえば、フェニル基などをあげ
ることができる。
数が１〜７のアルキル基、具体的には、メチル基、エチ
ル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチ
ル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル
基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−へプチル基などをあげること
ができる。アルケニル基としては、たとえば、炭素数が
２〜５のアルケニル基、具体的には、ビニル基、アリル
基、２−ブテニル基、１−ペンテニル基、２−ペンテニ
ル基、３−ペンテニル基、１−エン−ｎ−ヘキシル基、
２−エン−ｎ−ヘキシル基、３−エン−ｎ−ヘキシル
基、４−エン−ｎ−ヘキシル基、２−フェニルビニル
基、３−フェニルアリル基などをあげることができる。
アリール基としては、たとえば、フェニル基などをあげ
ることができる。
【００１３】水素原子の一部もしくは全てがフッ素原子
に置換されたアルキル基としては、たとえば、モノフル
オロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチ
ル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピ
ル基、３−トリフルオロメチルプロピル基などをあげる
ことができる。水素原子の一部もしくは全てがフッ素原
子に置換されたアルケニル基としては、たとえば、トリ
フルオロビニル基、ペンタフルオロアリル基、ヘプタフ
ルオロプロピニル基などをあげることができる。水素原
子の一部もしくは全てがフッ素原子に置換されたアリー
ル基としては、たとえば、４−フルオロフェニル基、３
−トリフルオロメチルフェニル基、４−トリフルオロメ
チルフェニル基などをあげることができる。
に置換されたアルキル基としては、たとえば、モノフル
オロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチ
ル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピ
ル基、３−トリフルオロメチルプロピル基などをあげる
ことができる。水素原子の一部もしくは全てがフッ素原
子に置換されたアルケニル基としては、たとえば、トリ
フルオロビニル基、ペンタフルオロアリル基、ヘプタフ
ルオロプロピニル基などをあげることができる。水素原
子の一部もしくは全てがフッ素原子に置換されたアリー
ル基としては、たとえば、４−フルオロフェニル基、３
−トリフルオロメチルフェニル基、４−トリフルオロメ
チルフェニル基などをあげることができる。
【００１４】一般式（１）中、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6
は、水素原子、低級アルキル基、または、水素原子の一
部もしくは全てがフッ素原子に置換された低級アルキル
基である。Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6は、同種でも異種で
もよい。低級アルキル基としては、たとえば、炭素数が
１〜７のアルキル基、具体的には、メチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル
基、ｉｓｏ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル
基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基などをあげること
ができる。水素原子の一部もしくは全てがフッ素原子に
置換されたアルキル基としては、たとえば、モノフルオ
ロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル
基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル
基、３−トリフルオロメチルプロピル基などをあげるこ
とができる。
は、水素原子、低級アルキル基、または、水素原子の一
部もしくは全てがフッ素原子に置換された低級アルキル
基である。Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6は、同種でも異種で
もよい。低級アルキル基としては、たとえば、炭素数が
１〜７のアルキル基、具体的には、メチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル
基、ｉｓｏ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル
基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基などをあげること
ができる。水素原子の一部もしくは全てがフッ素原子に
置換されたアルキル基としては、たとえば、モノフルオ
ロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル
基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル
基、３−トリフルオロメチルプロピル基などをあげるこ
とができる。
【００１５】一般式（１）中、ｎは５〜１００００、好
ましくは５〜５０００の自然数を示す。
ましくは５〜５０００の自然数を示す。
【００１６】一般式（１）で表わされるシリコーンラダ
ーポリマーは、プレポリマーを有機溶媒に溶解させて、
触媒の不存在下で加熱することによって製造することが
できる。プレポリマーを超純水により洗浄したのち、有
機溶媒に溶解させて、触媒の不存在下で加熱することに
よって製造することもできる。
ーポリマーは、プレポリマーを有機溶媒に溶解させて、
触媒の不存在下で加熱することによって製造することが
できる。プレポリマーを超純水により洗浄したのち、有
機溶媒に溶解させて、触媒の不存在下で加熱することに
よって製造することもできる。
【００１７】プレポリマーは、たとえば、一般式（１）
においてｎが５〜６００である構造を有することができ
る。
においてｎが５〜６００である構造を有することができ
る。
【００１８】（ａ）工程：プレポリマーの製造 シリコーンラダープレポリマーは、一種または二種以上
のオルガノシラン化合物を有機溶媒に溶解して、超純水
を用いて加水分解することによって製造することができ
る。加水分解は冷却下で行なうことが好ましい。シリコ
ーンラダープレポリマーは、たとえば、特開平６−５６
９９８号公報、特開平６−２４８０８３号公報、特開平
８−２４５７９２号公報および特開平１１−２９２９７
１号公報などに記載の方法を用いて製造することができ
る。
のオルガノシラン化合物を有機溶媒に溶解して、超純水
を用いて加水分解することによって製造することができ
る。加水分解は冷却下で行なうことが好ましい。シリコ
ーンラダープレポリマーは、たとえば、特開平６−５６
９９８号公報、特開平６−２４８０８３号公報、特開平
８−２４５７９２号公報および特開平１１−２９２９７
１号公報などに記載の方法を用いて製造することができ
る。
【００１９】オルガノシラン化合物としては、たとえ
ば、一般式（２）：Ｒ7ＳｉＯＲ8ＯＲ 9ＯＲ10で表わさ
れるオルガノトリアルコキシシラン化合物を用いること
ができる。一般式（２）中、Ｒ7は、フッ素原子、水素
原子、低級アルキル基、アルケニル基、アリール基、水
素原子の一部もしくは全てがフッ素原子に置換された低
級アルキル基、水素原子の一部もしくは全てがフッ素原
子に置換されたアルケニル基、水素原子の一部もしくは
全てがフッ素原子に置換されたアリール基である。
ば、一般式（２）：Ｒ7ＳｉＯＲ8ＯＲ 9ＯＲ10で表わさ
れるオルガノトリアルコキシシラン化合物を用いること
ができる。一般式（２）中、Ｒ7は、フッ素原子、水素
原子、低級アルキル基、アルケニル基、アリール基、水
素原子の一部もしくは全てがフッ素原子に置換された低
級アルキル基、水素原子の一部もしくは全てがフッ素原
子に置換されたアルケニル基、水素原子の一部もしくは
全てがフッ素原子に置換されたアリール基である。
【００２０】低級アルキル基としては、たとえば、炭素
数が１〜７のアルキル基、具体的には、メチル基、エチ
ル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチ
ル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル
基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基などをあげること
ができる。アルケニル基としては、たとえば、炭素数が
２〜５のアルケニル基、具体的には、ビニル基、アリル
基、２−ブテニル基、１−ペンテニル基、２−ペンテニ
ル基、３−ペンテニル基、１−エン−ｎ−ヘキシル基、
２−エン−ｎ−ヘキシル基、３−エン−ｎ−ヘキシル
基、４−エン−ｎ−ヘキシル基、２−フェニルビニル
基、３−フェニルアリル基などをあげることができる。
アリール基としては、たとえば、フェニル基などをあげ
ることができる。
数が１〜７のアルキル基、具体的には、メチル基、エチ
ル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチ
ル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル
基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基などをあげること
ができる。アルケニル基としては、たとえば、炭素数が
２〜５のアルケニル基、具体的には、ビニル基、アリル
基、２−ブテニル基、１−ペンテニル基、２−ペンテニ
ル基、３−ペンテニル基、１−エン−ｎ−ヘキシル基、
２−エン−ｎ−ヘキシル基、３−エン−ｎ−ヘキシル
基、４−エン−ｎ−ヘキシル基、２−フェニルビニル
基、３−フェニルアリル基などをあげることができる。
アリール基としては、たとえば、フェニル基などをあげ
ることができる。
【００２１】水素原子の一部もしくは全てがフッ素原子
に置換されたアルキル基としては、たとえば、モノフル
オロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチ
ル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピ
ル基、３−トリフルオロメチルプロピル基などをあげる
ことができる。水素原子の一部もしくは全てがフッ素原
子に置換されたアルケニル基としては、たとえば、トリ
フルオロビニル基、ペンタフルオロアリル基、ヘプタフ
ルオロプロピニル基などをあげることができる。水素原
子の一部もしくは全てがフッ素原子に置換されたアリー
ル基としては、たとえば、４−フルオロフェニル基、３
−トリフルオロメチルフェニル基、４−トリフルオロメ
チルフェニル基などをあげることができる。
に置換されたアルキル基としては、たとえば、モノフル
オロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチ
ル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピ
ル基、３−トリフルオロメチルプロピル基などをあげる
ことができる。水素原子の一部もしくは全てがフッ素原
子に置換されたアルケニル基としては、たとえば、トリ
フルオロビニル基、ペンタフルオロアリル基、ヘプタフ
ルオロプロピニル基などをあげることができる。水素原
子の一部もしくは全てがフッ素原子に置換されたアリー
ル基としては、たとえば、４−フルオロフェニル基、３
−トリフルオロメチルフェニル基、４−トリフルオロメ
チルフェニル基などをあげることができる。
【００２２】一般式（２）中、Ｒ8、Ｒ9およびＲ10は、
水素原子、低級アルキル基、または、水素原子の一部も
しくは全てがフッ素原子に置換された低級アルキル基で
ある。Ｒ8、Ｒ9およびＲ10は、同種でも異種でもよい。
水素原子、低級アルキル基、または、水素原子の一部も
しくは全てがフッ素原子に置換された低級アルキル基で
ある。Ｒ8、Ｒ9およびＲ10は、同種でも異種でもよい。
【００２３】低級アルキル基としては、たとえば、炭素
数が１〜７のアルキル基、具体的には、メチル基、エチ
ル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチ
ル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル
基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基などをあげること
ができる。水素原子の一部もしくは全てがフッ素原子に
置換されたアルキル基としては、たとえば、モノフルオ
ロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル
基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル
基、３−トリフルオロメチルプロピル基などをあげるこ
とができる。
数が１〜７のアルキル基、具体的には、メチル基、エチ
ル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチ
ル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル
基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基などをあげること
ができる。水素原子の一部もしくは全てがフッ素原子に
置換されたアルキル基としては、たとえば、モノフルオ
ロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル
基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル
基、３−トリフルオロメチルプロピル基などをあげるこ
とができる。
【００２４】一般式（２）で表わされるオルガノトリア
ルコキシシラン化合物は、あらかじめ減圧下で窒素気流
中で蒸留して精製したものを用いることが好ましい。
ルコキシシラン化合物は、あらかじめ減圧下で窒素気流
中で蒸留して精製したものを用いることが好ましい。
【００２５】一般式（２）で表わされるオルガノトリア
ルコキシシラン化合物としては、たとえば、フルオロト
リメトキシシラン、フルオロトリエトキシシラン、フル
オロトリプロポキシシラン、トリフルオロメチルトリメ
トキシシラン、トリフルオロメチルトリエトキシシラ
ン、トリフルオロメチルトリプロポキシシラン、３−ト
リフルオロメチルプロピルトリメトキシシラン、３−ト
リフルオロメチルプロピルトリエトキシシラン、３−ト
リフルオロメチルプロピルトリプロポキシシラン、３−
トリフルオロメチルフェニルトリメトキシシラン、３−
トリフルオロメチルフェニルトリエトキシシラン、３−
トリフルオロメチルフェニルトリプロポキシシラン、フ
ェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラ
ン、フェニルトリプロポキシシラン、２−フェニルビニ
ルトリメトキシシラン、２−フェニルビニルトリエトキ
シシラン、２−フェニルビニルトリプロポキシシラン、
３−フェニルアリルトリメトキシシラン、３−フェニル
アリルトリエトキシシラン、３−フェニルアリルトリプ
ロポキシシラン、トリメトキシシラン、トリエトキシシ
ラン、トリプロポキシシラン、ビニルトリメトキシシラ
ン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリプロポキシ
シラン、アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキ
シシラン、アリルトリプロポキシシラン、メチルトリメ
トキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ
プロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチル
トリエトキシシラン、エチルトリプロポキシシラン、ｎ
−プロピルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエト
キシシラン、ｎ−プロピルトリプロポキシシランなどが
あげられるが、これらのみに限定されるものではない。
ルコキシシラン化合物としては、たとえば、フルオロト
リメトキシシラン、フルオロトリエトキシシラン、フル
オロトリプロポキシシラン、トリフルオロメチルトリメ
トキシシラン、トリフルオロメチルトリエトキシシラ
ン、トリフルオロメチルトリプロポキシシラン、３−ト
リフルオロメチルプロピルトリメトキシシラン、３−ト
リフルオロメチルプロピルトリエトキシシラン、３−ト
リフルオロメチルプロピルトリプロポキシシラン、３−
トリフルオロメチルフェニルトリメトキシシラン、３−
トリフルオロメチルフェニルトリエトキシシラン、３−
トリフルオロメチルフェニルトリプロポキシシラン、フ
ェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラ
ン、フェニルトリプロポキシシラン、２−フェニルビニ
ルトリメトキシシラン、２−フェニルビニルトリエトキ
シシラン、２−フェニルビニルトリプロポキシシラン、
３−フェニルアリルトリメトキシシラン、３−フェニル
アリルトリエトキシシラン、３−フェニルアリルトリプ
ロポキシシラン、トリメトキシシラン、トリエトキシシ
ラン、トリプロポキシシラン、ビニルトリメトキシシラ
ン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリプロポキシ
シラン、アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキ
シシラン、アリルトリプロポキシシラン、メチルトリメ
トキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ
プロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチル
トリエトキシシラン、エチルトリプロポキシシラン、ｎ
−プロピルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエト
キシシラン、ｎ−プロピルトリプロポキシシランなどが
あげられるが、これらのみに限定されるものではない。
【００２６】オルガノシラン化合物としては、たとえ
ば、一般式（３）：Ｒ11ＳｉＣｌ3で表わされるトリク
ロロシラン化合物を用いることができる。一般式（３）
中、Ｒ 11は、フッ素原子、水素原子、低級アルキル基、
アルケニル基、アリール基、水素原子の一部もしくは全
てがフッ素原子に置換された低級アルキル基、水素原子
の一部もしくは全てがフッ素原子に置換されたアルケニ
ル基、または、水素原子の一部もしくは全てがフッ素原
子に置換されたアリール基を示す。
ば、一般式（３）：Ｒ11ＳｉＣｌ3で表わされるトリク
ロロシラン化合物を用いることができる。一般式（３）
中、Ｒ 11は、フッ素原子、水素原子、低級アルキル基、
アルケニル基、アリール基、水素原子の一部もしくは全
てがフッ素原子に置換された低級アルキル基、水素原子
の一部もしくは全てがフッ素原子に置換されたアルケニ
ル基、または、水素原子の一部もしくは全てがフッ素原
子に置換されたアリール基を示す。
【００２７】低級アルキル基としては、たとえば、炭素
数が１〜７のアルキル基、具体的には、メチル基、エチ
ル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチ
ル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル
基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基などをあげること
ができる。アルケニル基としては、たとえば、炭素数が
２〜５のアルケニル基、具体的には、ビニル基、アリル
基、２−ブテニル基、１−ペンテニル基、２−ペンテニ
ル基、３−ペンテニル基、１−エン−ｎ−ヘキシル基、
２−エン−ｎ−ヘキシル基、３−エン−ｎ−ヘキシル
基、４−エン−ｎ−ヘキシル基、２−フェニルビニル
基、３−フェニルアリル基などをあげることができる。
アリール基としては、たとえば、フェニル基などをあげ
ることができる。
数が１〜７のアルキル基、具体的には、メチル基、エチ
ル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチ
ル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル
基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基などをあげること
ができる。アルケニル基としては、たとえば、炭素数が
２〜５のアルケニル基、具体的には、ビニル基、アリル
基、２−ブテニル基、１−ペンテニル基、２−ペンテニ
ル基、３−ペンテニル基、１−エン−ｎ−ヘキシル基、
２−エン−ｎ−ヘキシル基、３−エン−ｎ−ヘキシル
基、４−エン−ｎ−ヘキシル基、２−フェニルビニル
基、３−フェニルアリル基などをあげることができる。
アリール基としては、たとえば、フェニル基などをあげ
ることができる。
【００２８】水素原子の一部もしくは全てがフッ素原子
に置換されたアルキル基としては、たとえば、モノフル
オロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチ
ル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピ
ル基、３−トリフルオロメチルプロピル基などをあげる
ことができる。水素原子の一部もしくは全てがフッ素原
子に置換されたアルケニル基としては、たとえば、トリ
フルオロビニル基、ペンタフルオロアリル基、ヘプタフ
ルオロプロピニル基などをあげることができる。水素原
子の一部もしくは全てがフッ素原子に置換されたアリー
ル基としては、たとえば、４−フルオロフェニル基、３
−トリフルオロメチルフェニル基、４−トリフルオロメ
チルフェニル基などをあげることができる。
に置換されたアルキル基としては、たとえば、モノフル
オロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチ
ル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピ
ル基、３−トリフルオロメチルプロピル基などをあげる
ことができる。水素原子の一部もしくは全てがフッ素原
子に置換されたアルケニル基としては、たとえば、トリ
フルオロビニル基、ペンタフルオロアリル基、ヘプタフ
ルオロプロピニル基などをあげることができる。水素原
子の一部もしくは全てがフッ素原子に置換されたアリー
ル基としては、たとえば、４−フルオロフェニル基、３
−トリフルオロメチルフェニル基、４−トリフルオロメ
チルフェニル基などをあげることができる。
【００２９】一般式（３）で表わされるトリクロロシラ
ン化合物はあらかじめ減圧下で窒素気流中で蒸留して精
製したものを用いることが好ましい。精製された一般式
（３）で表わされるトリクロロシラン化合物は、空気中
の湿気によって容易に加水分解して塩化水素を発生する
ので、湿気を含む空気中に曝さないようにして取り扱う
ことが好ましい。
ン化合物はあらかじめ減圧下で窒素気流中で蒸留して精
製したものを用いることが好ましい。精製された一般式
（３）で表わされるトリクロロシラン化合物は、空気中
の湿気によって容易に加水分解して塩化水素を発生する
ので、湿気を含む空気中に曝さないようにして取り扱う
ことが好ましい。
【００３０】一般式（３）で表わされるオルガノトリア
ルコキシシラン化合物としては、たとえば、フルオロト
リクロロシラン、トリフルオロメチルトリクロロシラ
ン、３−トリフルオロメチルプロピルトリクロロシラ
ン、３−トリフルオロメチルフェニルトリクロロシラ
ン、フェニルトリクロロシラン、２−フェニルビニルト
リクロロシラン、３−フェニルアリルトリクロロシラ
ン、トリメトキシシラン、トリクロロシラン、ビニルト
リクロロシラン、アリルトリクロロシラン、メチルトリ
クロロシラン、エチルトリクロロシラン、ｎ−プロピル
トリクロロシランなどがあげられるが、これらのみに限
定されるものではない。
ルコキシシラン化合物としては、たとえば、フルオロト
リクロロシラン、トリフルオロメチルトリクロロシラ
ン、３−トリフルオロメチルプロピルトリクロロシラ
ン、３−トリフルオロメチルフェニルトリクロロシラ
ン、フェニルトリクロロシラン、２−フェニルビニルト
リクロロシラン、３−フェニルアリルトリクロロシラ
ン、トリメトキシシラン、トリクロロシラン、ビニルト
リクロロシラン、アリルトリクロロシラン、メチルトリ
クロロシラン、エチルトリクロロシラン、ｎ−プロピル
トリクロロシランなどがあげられるが、これらのみに限
定されるものではない。
【００３１】まず、オルガノシラン化合物を有機溶媒に
溶解させる。オルガノシラン化合物を溶解させる有機溶
媒としては、オルガノシラン化合物の加水分解物が溶解
する非水系の有機溶媒を用いることができる。オルガノ
シラン化合物を溶解させる有機溶媒としては、たとえ
ば、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトンなど
のケトン、ジエチルエーテル、イソプロピルエーテルな
どのエーテル、キシレン、トルエン、ベンゼンなどの芳
香族炭化水素、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルな
どのエステル、メチルアルコール、エチルアルコール、
プロピルアルコール、ブチルアルコールなどのアルコー
ルなどをあげることができる。オルガノシラン化合物を
溶解させる有機溶媒としては、電子工業用高純度薬品
（ＥＬグレード）が好ましい。有機溶媒は、１種を単独
でまたは２種以上を混合して用いることができる。
溶解させる。オルガノシラン化合物を溶解させる有機溶
媒としては、オルガノシラン化合物の加水分解物が溶解
する非水系の有機溶媒を用いることができる。オルガノ
シラン化合物を溶解させる有機溶媒としては、たとえ
ば、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトンなど
のケトン、ジエチルエーテル、イソプロピルエーテルな
どのエーテル、キシレン、トルエン、ベンゼンなどの芳
香族炭化水素、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルな
どのエステル、メチルアルコール、エチルアルコール、
プロピルアルコール、ブチルアルコールなどのアルコー
ルなどをあげることができる。オルガノシラン化合物を
溶解させる有機溶媒としては、電子工業用高純度薬品
（ＥＬグレード）が好ましい。有機溶媒は、１種を単独
でまたは２種以上を混合して用いることができる。
【００３２】つぎに有機溶媒に溶解したオルガノシラン
化合物を超純水を用いて加水分解する。オルガノシラン
化合物の加水分解は冷却下で行なうことが好ましい。加
水分解は、たとえば−３０℃〜４０℃、好ましくは−２
０℃〜３０℃とすることができる。加水分解の温度が低
いと、滴下した超純水が凝固し、加水分解が有効に進行
しない傾向があり、高いと、反応が不均一となり、得ら
れた化合物は有機溶媒に不溶となる傾向がある。
化合物を超純水を用いて加水分解する。オルガノシラン
化合物の加水分解は冷却下で行なうことが好ましい。加
水分解は、たとえば−３０℃〜４０℃、好ましくは−２
０℃〜３０℃とすることができる。加水分解の温度が低
いと、滴下した超純水が凝固し、加水分解が有効に進行
しない傾向があり、高いと、反応が不均一となり、得ら
れた化合物は有機溶媒に不溶となる傾向がある。
【００３３】オルガノシラン化合物の有機溶媒溶液に、
超純水または塩化水素を含有する超純水を滴下すること
によって、オルガノシラン化合物を加水分解することが
できる。とくに一般式（２）で表わされる化合物を加水
分解する際、有効である。超純水としては、不純物をで
きる限り除いた比抵抗が１６ＭΩ・ｃｍ以上の純水を用
いることができる。オルガノシラン化合物の加水分解に
用いることができる塩化水素を含有する超純水として
は、オルガノシラン化合物１モル部に対して０．０１〜
０．２３モル部の塩化水素（ＥＬグレード）を含有する
純水を用いることができる。超純水を滴下し終えた後
は、加水分解反応を完結するために、さらに１〜５時間
撹拌を継続することが好ましい。
超純水または塩化水素を含有する超純水を滴下すること
によって、オルガノシラン化合物を加水分解することが
できる。とくに一般式（２）で表わされる化合物を加水
分解する際、有効である。超純水としては、不純物をで
きる限り除いた比抵抗が１６ＭΩ・ｃｍ以上の純水を用
いることができる。オルガノシラン化合物の加水分解に
用いることができる塩化水素を含有する超純水として
は、オルガノシラン化合物１モル部に対して０．０１〜
０．２３モル部の塩化水素（ＥＬグレード）を含有する
純水を用いることができる。超純水を滴下し終えた後
は、加水分解反応を完結するために、さらに１〜５時間
撹拌を継続することが好ましい。
【００３４】反応終了後は、反応液は有機溶媒層と水層
の２層に分離する。たとえば、分液漏斗などを用いて下
層の水層を除去することによって、プレポリマーを含む
有機溶媒層を回収することができる。
の２層に分離する。たとえば、分液漏斗などを用いて下
層の水層を除去することによって、プレポリマーを含む
有機溶媒層を回収することができる。
【００３５】プレポリマーは、有機溶媒に溶解した状態
で回収することができ、また、溶媒を留去して液状また
は粉末として回収することができる。
で回収することができ、また、溶媒を留去して液状また
は粉末として回収することができる。
【００３６】（ｂ）工程：プレポリマーの洗浄 回収された有機溶媒層（プレポリマー）は、必要に応じ
て超純水を用いて洗浄することができる。反応終了後、
洗浄を行なう場合、本発明はかかる洗浄方法によって限
定されるものではなく、公知の種々の方法を採用するこ
とができる。
て超純水を用いて洗浄することができる。反応終了後、
洗浄を行なう場合、本発明はかかる洗浄方法によって限
定されるものではなく、公知の種々の方法を採用するこ
とができる。
【００３７】たとえば、有機溶媒層１００容量部に対し
て、たとえば５０〜１０００容量部、好ましくは１００
〜５００容量部の超純水と混合し、撹拌または振とうし
たのち、有機溶媒層（プレポリマー）を取り出す方法に
よってプレポリマーを洗浄することができる。この洗浄
方法を採用する場合は、この洗浄の操作を３回以上繰り
返して行なうことによって、プレポリマー中のナトリウ
ムイオン、カリウムイオンをはじめ、多量に発生する塩
素イオンを容易に取り除くことができる。これらの不純
物が除去されるのは、得られるプレポリマーが梯子型構
造を有するものであり、不純物が分子内に取り込まれに
くいためであると考えられる。
て、たとえば５０〜１０００容量部、好ましくは１００
〜５００容量部の超純水と混合し、撹拌または振とうし
たのち、有機溶媒層（プレポリマー）を取り出す方法に
よってプレポリマーを洗浄することができる。この洗浄
方法を採用する場合は、この洗浄の操作を３回以上繰り
返して行なうことによって、プレポリマー中のナトリウ
ムイオン、カリウムイオンをはじめ、多量に発生する塩
素イオンを容易に取り除くことができる。これらの不純
物が除去されるのは、得られるプレポリマーが梯子型構
造を有するものであり、不純物が分子内に取り込まれに
くいためであると考えられる。
【００３８】（ｃ）工程：プレポリマーの脱水縮合 プレポリマーを有機溶媒に溶解させて、加熱することに
よって、本発明のシリコーンラダーポリマーを製造する
ことができる。本発明では、従来技術で用いられていた
触媒の不存在下で加熱することによって、シリコーンラ
ダーポリマーを製造する。従来技術で用いられていた触
媒としては、たとえば、求核試薬、具体的には、水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化セシウムなどの水
酸化物などをあげることができる。
よって、本発明のシリコーンラダーポリマーを製造する
ことができる。本発明では、従来技術で用いられていた
触媒の不存在下で加熱することによって、シリコーンラ
ダーポリマーを製造する。従来技術で用いられていた触
媒としては、たとえば、求核試薬、具体的には、水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化セシウムなどの水
酸化物などをあげることができる。
【００３９】本発明者が実験したところ、従来の製造方
法で合成したシリコーンラダーポリマーで形成した薄膜
を加熱すると白煙が生じる場合があったが、本発明の製
造方法で合成したシリコーンラダーポリマーで形成した
薄膜は、加熱しても白煙を生じなかった。したがって、
本発明によれば、半導体プロセスにおいて大幅な信頼性
向上を期待することができる。
法で合成したシリコーンラダーポリマーで形成した薄膜
を加熱すると白煙が生じる場合があったが、本発明の製
造方法で合成したシリコーンラダーポリマーで形成した
薄膜は、加熱しても白煙を生じなかった。したがって、
本発明によれば、半導体プロセスにおいて大幅な信頼性
向上を期待することができる。
【００４０】加水分解反応終了後、プレポリマーの洗浄
（（ｂ）工程）を行なわない場合は、水層を除去し、溶
媒を留去したのち、さらに有機溶媒に溶解させて、加熱
することができる。加水分解反応終了後、プレポリマー
の洗浄（（ｂ）工程）を行なう場合は、液状または粉末
として回収したプレポリマーを有機溶媒に溶解させて、
加熱することができる。プレポリマーを溶解させた有機
溶媒は、たとえば、フッ素樹脂製撹拌棒、還流冷却器お
よびデーンスタークトラップを備えた石英ガラス製フラ
スコに移して、加熱することができる。
（（ｂ）工程）を行なわない場合は、水層を除去し、溶
媒を留去したのち、さらに有機溶媒に溶解させて、加熱
することができる。加水分解反応終了後、プレポリマー
の洗浄（（ｂ）工程）を行なう場合は、液状または粉末
として回収したプレポリマーを有機溶媒に溶解させて、
加熱することができる。プレポリマーを溶解させた有機
溶媒は、たとえば、フッ素樹脂製撹拌棒、還流冷却器お
よびデーンスタークトラップを備えた石英ガラス製フラ
スコに移して、加熱することができる。
【００４１】プレポリマーを溶解させる有機溶媒として
は、たとえば、メチルイソブチルケトン、メチルエチル
ケトンなどのケトン、ジエチルエーテル、イソプロピル
エーテルなどのエーテル、キシレン、トルエン、ベンゼ
ンなどの芳香族炭化水素、酢酸メチル、酢酸エチル、酢
酸ブチルなどのエステル、メチルアルコール、エチルア
ルコール、プロピルアルコール、ブチルアルコールなど
のアルコールなどがあげられる。プレポリマーを溶解さ
せる有機溶媒としては、電子工業用高純度薬品（ＥＬグ
レード）が好ましい。有機溶媒は１種を単独でまたは２
種以上を混合して用いることができる。
は、たとえば、メチルイソブチルケトン、メチルエチル
ケトンなどのケトン、ジエチルエーテル、イソプロピル
エーテルなどのエーテル、キシレン、トルエン、ベンゼ
ンなどの芳香族炭化水素、酢酸メチル、酢酸エチル、酢
酸ブチルなどのエステル、メチルアルコール、エチルア
ルコール、プロピルアルコール、ブチルアルコールなど
のアルコールなどがあげられる。プレポリマーを溶解さ
せる有機溶媒としては、電子工業用高純度薬品（ＥＬグ
レード）が好ましい。有機溶媒は１種を単独でまたは２
種以上を混合して用いることができる。
【００４２】加熱温度は、４０℃以上であればよく、４
０〜２００℃とすることが好ましく、５０〜１５０℃と
することがより好ましい。加熱温度が４０℃未満である
と脱水縮合反応が進行しない可能性があり、また、加熱
温度が高いと反応が不均一となり、得られた化合物は有
機溶媒に不溶となる傾向がある。
０〜２００℃とすることが好ましく、５０〜１５０℃と
することがより好ましい。加熱温度が４０℃未満である
と脱水縮合反応が進行しない可能性があり、また、加熱
温度が高いと反応が不均一となり、得られた化合物は有
機溶媒に不溶となる傾向がある。
【００４３】加熱時間は、０．５時間以上であればよ
く、長時間反応させてもあまり分子量が大きくならずむ
しろ立体規則性がくずれる可能性があるという点から、
０．５〜２０時間であることが好ましく、１〜１０時間
であることがより好ましい。０．５時間未満であると、
同様に脱水縮合反応が進行しない可能性がある。 かく
して重合度（ｎ）が５〜１００００である前記一般式
（１）で示されるシリコーンラダーポリマーが得られ
る。溶媒の種類および使用量ならびに縮合反応の温度お
よび時間を適宜選択することによって得られるシリコー
ンラダーポリマーの重合度（ｎ）を調整することができ
る。
く、長時間反応させてもあまり分子量が大きくならずむ
しろ立体規則性がくずれる可能性があるという点から、
０．５〜２０時間であることが好ましく、１〜１０時間
であることがより好ましい。０．５時間未満であると、
同様に脱水縮合反応が進行しない可能性がある。 かく
して重合度（ｎ）が５〜１００００である前記一般式
（１）で示されるシリコーンラダーポリマーが得られ
る。溶媒の種類および使用量ならびに縮合反応の温度お
よび時間を適宜選択することによって得られるシリコー
ンラダーポリマーの重合度（ｎ）を調整することができ
る。
【００４４】（ｄ）工程：シリコーンラダーポリマーの
精製 シリコーンラダーポリマーに微量ながら不純物が含有さ
れている場合には以下の方法によって精製することがで
きる。まず、シリコーンラダーポリマーを固形物として
回収できる場合はその固形物を乾燥させる。また、固形
物として回収できないシリコーンラダーポリマーは有機
溶媒の一部もしくは全てを留去し、貧溶媒に徐々に滴下
して固形物として析出させて濾別し、その固形物を乾燥
させる。
精製 シリコーンラダーポリマーに微量ながら不純物が含有さ
れている場合には以下の方法によって精製することがで
きる。まず、シリコーンラダーポリマーを固形物として
回収できる場合はその固形物を乾燥させる。また、固形
物として回収できないシリコーンラダーポリマーは有機
溶媒の一部もしくは全てを留去し、貧溶媒に徐々に滴下
して固形物として析出させて濾別し、その固形物を乾燥
させる。
【００４５】つぎに乳鉢などを用いて固形物を粉砕して
粉末にする。粉砕装置としては、固形物を粉砕できるも
のであればとくに制限なく用いることができる。つぎに
粉末にしたシリコーンラダーポリマーを貧溶媒に添加し
て、撹拌する。そののち、固形物を回収し、乾燥させ
る。乳鉢などを用いて固形物を粉砕して貧溶媒に添加
し、撹拌する操作を１回以上行なう。本操作の回数を多
くすることによって純度を良好にすることができる。
粉末にする。粉砕装置としては、固形物を粉砕できるも
のであればとくに制限なく用いることができる。つぎに
粉末にしたシリコーンラダーポリマーを貧溶媒に添加し
て、撹拌する。そののち、固形物を回収し、乾燥させ
る。乳鉢などを用いて固形物を粉砕して貧溶媒に添加
し、撹拌する操作を１回以上行なう。本操作の回数を多
くすることによって純度を良好にすることができる。
【００４６】また、シリコーンラダーポリマーは、たと
えば、不純物除去装置を用いる方法で精製することがで
きる。一般式（１）で表わされるシリコーンラダーポリ
マーが完全に有機溶媒に溶解している場合、その有機溶
媒溶液を不純物除去装置に通すことによって、シリコー
ンラダーポリマーを精製することができる。不純物除去
装置としては、たとえばイオン交換体を用いることがで
きる。本操作の回数を多くすることによって純度を良好
にすることができる。そののち、有機溶媒を留去するこ
とによって、シリコーンラダーポリマーを回収すること
ができる。
えば、不純物除去装置を用いる方法で精製することがで
きる。一般式（１）で表わされるシリコーンラダーポリ
マーが完全に有機溶媒に溶解している場合、その有機溶
媒溶液を不純物除去装置に通すことによって、シリコー
ンラダーポリマーを精製することができる。不純物除去
装置としては、たとえばイオン交換体を用いることがで
きる。本操作の回数を多くすることによって純度を良好
にすることができる。そののち、有機溶媒を留去するこ
とによって、シリコーンラダーポリマーを回収すること
ができる。
【００４７】また、シリコーンラダープレポリマーの有
機溶媒溶液中に、イオン交換体を混入させ、攪拌するこ
とによって不純物を除去してもよい。この工程は、中和
後もしくは中和後有機溶媒溶液としたのち、または、加
熱時もしくは加熱後行なうことができる。さらに、上記
４工程のうち、どの工程を何回併用してもよい。
機溶媒溶液中に、イオン交換体を混入させ、攪拌するこ
とによって不純物を除去してもよい。この工程は、中和
後もしくは中和後有機溶媒溶液としたのち、または、加
熱時もしくは加熱後行なうことができる。さらに、上記
４工程のうち、どの工程を何回併用してもよい。
【００４８】シリコーンラダーポリマーを赤外分光法で
分析すると、該ポリマーが梯子型構造を有することを示
すＳｉ−Ｏ−Ｓｉの非対称伸縮振動に帰属される吸収ピ
ークが１１３５ｃｍ-1と１０４５ｃｍ-1に観測される。
得られるポリマーがシリコーンラダーポリマーであるこ
とは、これらの吸収ピークによって確認することができ
る。
分析すると、該ポリマーが梯子型構造を有することを示
すＳｉ−Ｏ−Ｓｉの非対称伸縮振動に帰属される吸収ピ
ークが１１３５ｃｍ-1と１０４５ｃｍ-1に観測される。
得られるポリマーがシリコーンラダーポリマーであるこ
とは、これらの吸収ピークによって確認することができ
る。
【００４９】
【実施例】本発明の高純度シリコーンラダーポリマーの
製造方法を実施例に基づいてさらに詳細に説明するが、
本発明はかかる実施例のみに限定されるものではない。
製造方法を実施例に基づいてさらに詳細に説明するが、
本発明はかかる実施例のみに限定されるものではない。
【００５０】実施例１〜４ （ａ）工程 表１に示すオルガノシラン化合物（種々のアルコキシシ
ランおよびトリクロロシラン）を減圧窒素気流下で蒸留
した。オルガノシラン化合物およびＥＬグレードの有機
溶媒を表１に示す配合量で配合した溶液を滴下漏斗、温
度計および撹拌棒を取り付けた２Ｌの４つ口フラスコへ
移して、表１に示す温度（加水分解温度）に冷却した。
冷却および撹拌下で表１に示す量の超純水を徐々に滴下
した。このときの発熱はあまり激しくなく、この滴下を
０．５〜２時間かけて行なった。滴下終了後、２時間撹
拌を継続して、加水分解反応を完結させた。
ランおよびトリクロロシラン）を減圧窒素気流下で蒸留
した。オルガノシラン化合物およびＥＬグレードの有機
溶媒を表１に示す配合量で配合した溶液を滴下漏斗、温
度計および撹拌棒を取り付けた２Ｌの４つ口フラスコへ
移して、表１に示す温度（加水分解温度）に冷却した。
冷却および撹拌下で表１に示す量の超純水を徐々に滴下
した。このときの発熱はあまり激しくなく、この滴下を
０．５〜２時間かけて行なった。滴下終了後、２時間撹
拌を継続して、加水分解反応を完結させた。
【００５１】（ｃ）工程 得られたプレポリマー溶液を分液漏斗に移し、静置して
２層に分離させた。下層の水層を除去して、プレポリマ
ーを含む有機層を回収した。そののち、表１に示す有機
溶媒にプレポリマーを溶解させて、加熱した。
２層に分離させた。下層の水層を除去して、プレポリマ
ーを含む有機層を回収した。そののち、表１に示す有機
溶媒にプレポリマーを溶解させて、加熱した。
【００５２】（ｄ）工程 所定の時間加熱した反応溶液を放冷後、有機溶媒を留去
してポリマー成分含有量が表２に示す濃度となるよう
に、精製したテトラヒドロフランを加え、充分に撹拌し
て溶液としたのち、１０倍量の貧溶媒に滴下し、シリコ
ーンラダーポリマーの沈澱物を回収した。つぎに、乳鉢
でシリコーンラダーポリマーを粉末にし、貧溶媒に添加
して、撹拌を行なった。そののち、シリコーンラダーポ
リマーの固形物を回収した。この操作を２回繰り返して
シリコーンラダーポリマーを得た。
してポリマー成分含有量が表２に示す濃度となるよう
に、精製したテトラヒドロフランを加え、充分に撹拌し
て溶液としたのち、１０倍量の貧溶媒に滴下し、シリコ
ーンラダーポリマーの沈澱物を回収した。つぎに、乳鉢
でシリコーンラダーポリマーを粉末にし、貧溶媒に添加
して、撹拌を行なった。そののち、シリコーンラダーポ
リマーの固形物を回収した。この操作を２回繰り返して
シリコーンラダーポリマーを得た。
【００５３】実施例５〜８ （ａ）工程 表１に示すオルガノシラン化合物（種々のアルコキシシ
ランおよびトリクロロシラン）を減圧窒素気流下で蒸留
した。オルガノシラン化合物およびＥＬグレードの有機
溶媒を表１に示す配合量で配合した溶液を滴下漏斗、温
度計および撹拌棒を取り付けた２Ｌの４つ口フラスコへ
移して、表１に示す温度（加水分解温度）に冷却した。
冷却および撹拌下で表１に示す量の超純水を徐々に滴下
した。このときの発熱はあまり激しくなく、この滴下を
０．５〜２時間かけて行なった。滴下終了後、２時間撹
拌を継続し、加水分解反応を完結させた。
ランおよびトリクロロシラン）を減圧窒素気流下で蒸留
した。オルガノシラン化合物およびＥＬグレードの有機
溶媒を表１に示す配合量で配合した溶液を滴下漏斗、温
度計および撹拌棒を取り付けた２Ｌの４つ口フラスコへ
移して、表１に示す温度（加水分解温度）に冷却した。
冷却および撹拌下で表１に示す量の超純水を徐々に滴下
した。このときの発熱はあまり激しくなく、この滴下を
０．５〜２時間かけて行なった。滴下終了後、２時間撹
拌を継続し、加水分解反応を完結させた。
【００５４】（ｃ）工程 得られたプレポリマー溶液を分液漏斗に移し、静置して
２層に分離させた。下層の水層を除去して、プレポリマ
ーを含む有機層を回収した。そののち、表１に示す有機
溶媒にプレポリマーを溶解させて、加熱した。
２層に分離させた。下層の水層を除去して、プレポリマ
ーを含む有機層を回収した。そののち、表１に示す有機
溶媒にプレポリマーを溶解させて、加熱した。
【００５５】（ｄ）工程 所定の時間加熱した反応溶液（シリコーンラダーポリマ
ーの有機溶媒溶液）を放冷後、イオン交換体に通した。
この操作を２回繰り返してシリコーンラダーポリマーを
得た。
ーの有機溶媒溶液）を放冷後、イオン交換体に通した。
この操作を２回繰り返してシリコーンラダーポリマーを
得た。
【００５６】実施例９〜１２ ２層に分離させたプレポリマー溶液の下層の水層を除去
して回収したプレポリマーを含む有機層に該有機層と同
体積の超純水を加えて振とうして洗浄する操作を５回繰
り返したのち（（ｂ）工程）、表１に示す有機溶媒にプ
レポリマーを溶解させて、加熱したほかは実施例１〜４
と同様としてシリコーンラダーポリマーを得た。
して回収したプレポリマーを含む有機層に該有機層と同
体積の超純水を加えて振とうして洗浄する操作を５回繰
り返したのち（（ｂ）工程）、表１に示す有機溶媒にプ
レポリマーを溶解させて、加熱したほかは実施例１〜４
と同様としてシリコーンラダーポリマーを得た。
【００５７】実施例１３〜１６ ２層に分離させたプレポリマー溶液の下層の水層を除去
して回収したプレポリマーを含む有機層に該有機層と同
体積の超純水を加えて振とうして洗浄する操作を５回繰
り返したのち（（ｂ）工程）、表１に示す有機溶媒にプ
レポリマーを溶解させて、加熱したほかは実施例５〜８
と同様としてシリコーンラダーポリマーを得た。
して回収したプレポリマーを含む有機層に該有機層と同
体積の超純水を加えて振とうして洗浄する操作を５回繰
り返したのち（（ｂ）工程）、表１に示す有機溶媒にプ
レポリマーを溶解させて、加熱したほかは実施例５〜８
と同様としてシリコーンラダーポリマーを得た。
【００５８】
【表１】
【００５９】＜同定＞実施例１〜１６で得られた各シリ
コーンラダーポリマーの構造を赤外分光法（日本分光
（株）製、品番：ＦＴ／ＩＲ−１１１型）で調べたとこ
ろ、１１００ｃｍ-1付近にシロキサン結合のダブルピー
クが見られた（ジャーナル オブ ポリマーサイエンス
（１９６３年刊）、Ｃ−１巻、８３ページ）ことから、
これらのポリマーはいずれも一般式（１）で表わされる
構造を有することが確認された。
コーンラダーポリマーの構造を赤外分光法（日本分光
（株）製、品番：ＦＴ／ＩＲ−１１１型）で調べたとこ
ろ、１１００ｃｍ-1付近にシロキサン結合のダブルピー
クが見られた（ジャーナル オブ ポリマーサイエンス
（１９６３年刊）、Ｃ−１巻、８３ページ）ことから、
これらのポリマーはいずれも一般式（１）で表わされる
構造を有することが確認された。
【００６０】＜評価＞実施例１〜１６で得られたシリコ
ーンラダーポリマーの重量平均分子量をゲルパーミエー
ションクロマトグラフィー（日本分光（株）製、品番：
ＴＲＩ−ＲＯＴＡＲ−）で測定し、ナトリウムイオン、
カリウムイオン、鉄イオン、銅イオンおよび鉛イオンの
各濃度を原子吸光分析装置（島津製作所（株）製、品
番：ＩＣ−５００）で、塩素イオン濃度をイオンクロマ
トグラフィー分析装置（横河北辰電機（株）製、品番：
ＩＣ−５００）で、放射性元素のウランおよびトリウム
の各濃度を分光蛍光光度計（日立製作所（株）製、品
番：ＭＰＦ−４）で分析した。
ーンラダーポリマーの重量平均分子量をゲルパーミエー
ションクロマトグラフィー（日本分光（株）製、品番：
ＴＲＩ−ＲＯＴＡＲ−）で測定し、ナトリウムイオン、
カリウムイオン、鉄イオン、銅イオンおよび鉛イオンの
各濃度を原子吸光分析装置（島津製作所（株）製、品
番：ＩＣ−５００）で、塩素イオン濃度をイオンクロマ
トグラフィー分析装置（横河北辰電機（株）製、品番：
ＩＣ−５００）で、放射性元素のウランおよびトリウム
の各濃度を分光蛍光光度計（日立製作所（株）製、品
番：ＭＰＦ−４）で分析した。
【００６１】得られたシリコーンラダーポリマーの重量
平均分子量、ならびに、ナトリウム、カリウムおよび塩
素の各含有量を表２に示す。得られたシリコーンラダー
ポリマーの鉄、銅、鉛、マグネシウムおよびマンガンの
各含有量は、いずれも０．８ｐｐｍ以下であり、ウラン
およびトリウムの各含有量は、いずれも１ｐｐｂ以下で
あった。この結果より、得られたシリコーンラダーポリ
マーが高純度であることがわかる。
平均分子量、ならびに、ナトリウム、カリウムおよび塩
素の各含有量を表２に示す。得られたシリコーンラダー
ポリマーの鉄、銅、鉛、マグネシウムおよびマンガンの
各含有量は、いずれも０．８ｐｐｍ以下であり、ウラン
およびトリウムの各含有量は、いずれも１ｐｐｂ以下で
あった。この結果より、得られたシリコーンラダーポリ
マーが高純度であることがわかる。
【００６２】得られた高純度シリコーンラダーポリマー
およびアニソールに溶解させた高純度シリコーンラダー
ポリマーを２５℃にて保存したところ、１年以上粘度が
一定であった。
およびアニソールに溶解させた高純度シリコーンラダー
ポリマーを２５℃にて保存したところ、１年以上粘度が
一定であった。
【００６３】得られた高純度シリコーンラダーポリマー
のアニソール溶液をＳｉ基板に塗布し、熱硬化させたと
ころ、ピンホールを生じることなく良好な膜が得られ
た。
のアニソール溶液をＳｉ基板に塗布し、熱硬化させたと
ころ、ピンホールを生じることなく良好な膜が得られ
た。
【００６４】
【表２】
【００６５】比較例１〜４ 表３に示す配合量および加水分解温度とするほかは、実
施例１〜１６と同様にして、表３に示すオルガノシラン
化合物（種々のトリアルコキシシラントリクロロシラ
ン）の加水分解を行なった。比較例１および３では、加
水分解温度が−５０℃と低く、滴下した超純水は凝固し
て加水分解反応が進行せず、分子量がきわめて小さかっ
た。また比較例２および４では、加水分解温度が７０℃
と高く、また反応濃度が高かったため、反応途中でゲル
化が起こった。
施例１〜１６と同様にして、表３に示すオルガノシラン
化合物（種々のトリアルコキシシラントリクロロシラ
ン）の加水分解を行なった。比較例１および３では、加
水分解温度が−５０℃と低く、滴下した超純水は凝固し
て加水分解反応が進行せず、分子量がきわめて小さかっ
た。また比較例２および４では、加水分解温度が７０℃
と高く、また反応濃度が高かったため、反応途中でゲル
化が起こった。
【００６６】
【表３】
【００６７】
【発明の効果】本発明のシリコーンラダーポリマーの製
造方法（請求項１および４）によれば、きわめて高純度
のシリコーンラダーポリマーを容易に製造することがで
き、また、得られるシリコーンラダーポリマーは粘度安
定性において良好で、Ｓｉ基板上に良好な膜を成膜する
ことができることより、半導体の表面保護膜、層間絶縁
膜などに好適に使用することができ、したがって半導体
素子の信頼性向上に寄与することができる。
造方法（請求項１および４）によれば、きわめて高純度
のシリコーンラダーポリマーを容易に製造することがで
き、また、得られるシリコーンラダーポリマーは粘度安
定性において良好で、Ｓｉ基板上に良好な膜を成膜する
ことができることより、半導体の表面保護膜、層間絶縁
膜などに好適に使用することができ、したがって半導体
素子の信頼性向上に寄与することができる。
【００６８】本発明のシリコーンラダーポリマーの製造
方法（請求項２、３、５および６）によれば、立体規則
性の良好な高純度シリコーンラダーポリマーを得ること
ができる。
方法（請求項２、３、５および６）によれば、立体規則
性の良好な高純度シリコーンラダーポリマーを得ること
ができる。
【００６９】本発明のシリコーンラダーポリマーの製造
方法（請求項７および８）によれば、とくにきわめて高
純度のシリコーンラダーポリマーを容易かつ簡易に製造
することができる。
方法（請求項７および８）によれば、とくにきわめて高
純度のシリコーンラダーポリマーを容易かつ簡易に製造
することができる。
フロントページの続き (72)発明者 田口 元久 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 Ｆターム(参考） 4J035 BA12 CA01K CA132 CA162 EB02 LA03 LB20 5F058 AA03 AC03 AF04 AH02 AH03 BA06 BB07 BF46 BJ02 BJ03
Claims (8)
- 【請求項１】 ナトリウム、カリウム、鉄、銅、鉛、マ
グネシウム、マンガンおよび塩素の各含有量が１ｐｐｍ
以下であり、ウランおよびトリウムの各含有量が１ｐｐ
ｂ以下である一般式（１）： 【化１】 （式中、Ｒ1およびＲ2は、フッ素原子、水素原子、低級
アルキル基、アルケニル基、アリール基、水素原子の一
部もしくは全てがフッ素原子に置換された低級アルキル
基、水素原子の一部もしくは全てがフッ素原子に置換さ
れたアルケニル基、または、水素原子の一部もしくは全
てがフッ素原子に置換されたアリール基であって、同種
でも異種でもよく、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6は、水素原
子、低級アルキル基、または、水素原子の一部もしくは
全てがフッ素原子に置換された低級アルキル基であっ
て、同種でも異種でもよく、ｎは５〜１００００の自然
数を示す）で表わされる高純度シリコーンラダーポリマ
ーの製造方法であって、（ａ）一種または二種以上のオ
ルガノシラン化合物を有機溶媒に溶解させて、超純水を
用いて加水分解してプレポリマーを得る工程、（ｂ）得
られたプレポリマーを超純水により洗浄する工程、およ
び（ｃ）洗浄したプレポリマーを有機溶媒に溶解させ
て、触媒の不存在下で加熱する工程を有することを特徴
とする高純度シリコーンラダーポリマーの製造方法。 - 【請求項２】 オルガノシラン化合物が、一般式
（２）： Ｒ7ＳｉＯＲ8ＯＲ9ＯＲ10 （Ｒ7は、フッ素原子、水素原子、低級アルキル基、ア
ルケニル基、アリール基、水素原子の一部もしくは全て
がフッ素原子に置換された低級アルキル基、水素原子の
一部もしくは全てがフッ素原子に置換されたアルケニル
基、または、水素原子の一部もしくは全てがフッ素原子
に置換されたアリール基であり、Ｒ8、Ｒ9およびＲ
10は、水素原子、低級アルキル基、または、水素原子の
一部もしくは全てがフッ素原子に置換された低級アルキ
ル基であって、同種でも異種でもよい）で表わされるオ
ルガノトリアルコキシシラン化合物である請求項１記載
の高純度シリコーンラダーポリマーの製造方法。 - 【請求項３】 オルガノシラン化合物が、一般式
（３）： Ｒ11ＳｉＣｌ3 （Ｒ11は、フッ素原子、水素原子、低級アルキル基、ア
ルケニル基、アリール基、水素原子の一部もしくは全て
がフッ素原子に置換された低級アルキル基、水素原子の
一部もしくは全てがフッ素原子に置換されたアルケニル
基、または、水素原子の一部もしくは全てがフッ素原子
に置換されたアリール基である）で表わされるオルガノ
トリクロロシラン化合物である請求項１記載の高純度シ
リコーンラダーポリマーの製造方法。 - 【請求項４】 ナトリウム、カリウム、鉄、銅、鉛、マ
グネシウム、マンガンおよび塩素の各含有量が１ｐｐｍ
以下であり、ウランおよびトリウムの各含有量が１ｐｐ
ｂ以下である一般式（１）： 【化２】 （式中、Ｒ1およびＲ2は、フッ素原子、水素原子、低級
アルキル基、アルケニル基、アリール基、水素原子の一
部もしくは全てがフッ素原子に置換された低級アルキル
基、水素原子の一部もしくは全てがフッ素原子に置換さ
れたアルケニル基、または、水素原子の一部もしくは全
てがフッ素原子に置換されたアリール基であって、同種
でも異種でもよく、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6は、水素原
子、低級アルキル基、または、水素原子の一部もしくは
全てがフッ素原子に置換された低級アルキル基であっ
て、同種でも異種でもよく、ｎは５〜１００００の自然
数を示す）で表わされる高純度シリコーンラダーポリマ
ーの製造方法であって、（ａ）一種または二種以上のオ
ルガノシラン化合物を有機溶媒に溶解させて、超純水を
用いて加水分解してプレポリマーを得る工程、および
（ｃ）プレポリマーを有機溶媒に溶解させて、触媒の不
存在下で加熱する工程を有することを特徴とする高純度
シリコーンラダーポリマーの製造方法。 - 【請求項５】 オルガノシラン化合物が、一般式
（２）： Ｒ7ＳｉＯＲ8ＯＲ9ＯＲ10 （Ｒ7は、フッ素原子、水素原子、低級アルキル基、ア
ルケニル基、アリール基、水素原子の一部もしくは全て
がフッ素原子に置換された低級アルキル基、水素原子の
一部もしくは全てがフッ素原子に置換されたアルケニル
基、または、水素原子の一部もしくは全てがフッ素原子
に置換されたアリール基であり、Ｒ8、Ｒ9およびＲ
10は、水素原子、低級アルキル基、または、水素原子の
一部もしくは全てがフッ素に置換された低級アルキル基
であって、同種でも異種でもよい）で表わされるオルガ
ノトリアルコキシシラン化合物である請求項４記載の高
純度シリコーンラダーポリマーの製造方法。 - 【請求項６】 オルガノシラン化合物が、一般式
（３）： Ｒ11ＳｉＣｌ3 （Ｒ11は、フッ素原子、水素原子、低級アルキル基、ア
ルケニル基、アリール基、水素原子の一部もしくは全て
がフッ素原子に置換された低級アルキル基、水素原子の
一部もしくは全てがフッ素原子に置換されたアルケニル
基、または、水素原子の一部もしくは全てがフッ素原子
に置換されたアリール基である）で表わされるオルガノ
トリクロロシラン化合物である請求項４記載の高純度シ
リコーンラダーポリマーの製造方法。 - 【請求項７】 さらに（ｄ）得られた高純度シリコーン
ラダーポリマーを粉末にし、貧溶媒と混合撹拌する工程
を有する請求項１、２、３、４、５または６記載の高純
度シリコーンラダーポリマーの製造方法。 - 【請求項８】 さらに（ｄ）得られた高純度シリコーン
ラダーポリマーの有機溶媒溶液を不純物除去装置に通す
ことによって精製する工程を有する請求項１、２、３、
４、５または６記載の高純度シリコーンラダーポリマー
の製造方法。
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