TWI788360B - 製造鹵矽氧烷的方法 - Google Patents

Abstract

一種生產鹵矽氧烷的方法，該方法包含：i)將水、鹵矽烷、和第一溶劑組合以形成反應混合物，ii)部分水解並縮合該鹵矽烷以形成包含該鹵矽氧烷、該溶劑、未反應鹵矽烷、和鹵化氫的反應產物混合物，iii)將第二溶劑加入至i)中的該反應混合物或至ii)中的該反應產物混合物，其中該第二溶劑具有≥該鹵矽氧烷沸點的沸點，及iv)從該反應產物混合物中回收該鹵矽氧烷。

Description

製造鹵矽氧烷的方法

生產鹵矽氧烷的方法，該方法包含將水、鹵矽烷、和溶劑組合以形成反應混合物，並且造成該鹵矽烷的部分水解並縮合以形成包含該鹵矽氧烷、鹵化氫、溶劑和未反應鹵矽烷的反應產物混合物，以及從該反應產物混合物中回收該鹵矽氧烷。

鹵矽氧烷可用於數種工業程序中。例如，在利用對其他氯矽烷和氯矽氧烷的水解來生產加成式聚矽氧烷的過程中，鹵矽氧烷可用作為中間物。此外，鹵矽氧烷可用於諸如填料處理的其他程序中。

鹵矽氧烷（諸如1,1,3,3-四氯二矽氧烷）已藉由三氯矽烷在 -78℃下在二乙醚中部分水解來生產。

已有教示數種加成式合成方法以用於製造六氯二矽氧烷，其包括用氯來氯化二矽氧烷、藉由氧或三氧化硫來高溫氧化四氯化矽、或藉由三氧化硫或丙酮來氧化六氯二矽烷。亦已有教示四氯化矽的部分水解。

已有教示製造1,1,1,3,3-五氯二矽氧烷的高溫程序，該程序涉及熱解以形成二氯矽酮(dichlorosilanone)，該二氯矽酮插入三氯矽烷即形成目標化合物。

然而，這些方法具有缺點。例如，該等方法可能需要極端溫度，或在單離氯矽氧烷時會有困難。這兩者問題在工業規模上會造成困難。因此，需要可用於以工業規模來生產鹵矽氧烷的新式鹵矽氧烷生產方法，其不需要極端溫度，並且允許鹵矽氧烷從溶劑中移除而不是溶劑從鹵矽氧烷中移除。

本發明係關於一種生產鹵矽氧烷的方法，該方法包含：i)將水、鹵矽烷、和第一溶劑組合以形成反應混合物，ii)部分水解並縮合該鹵矽烷以形成包含該鹵矽氧烷、該溶劑、未反應鹵矽烷、和鹵化氫的反應產物混合物，iii)將第二溶劑加入至i)中的該反應混合物、至ii)中的該反應產物混合物、或至i)中的該反應混合物與ii)中的該反應產物混合物，其中該第二溶劑具有≥該鹵矽氧烷沸點的沸點，及iv)從該反應產物混合物中回收該鹵矽氧烷。

本發明的方法允許藉由部分水解而更容易地以工業規模來生產鹵矽氧烷，並且允許將所得鹵矽氧烷從溶劑中單離出來，而不是必須將溶劑從鹵矽氧烷中移除。

一種生產鹵矽氧烷的方法，該方法包含： i) 將水、鹵矽烷、和第一溶劑組合以形成反應混合物， ii) 部分水解並縮合該鹵矽烷以形成包含該鹵矽氧烷、該溶劑、未反應鹵矽烷、和鹵化氫的反應產物混合物， iii) 將第二溶劑加入至i)中的該反應混合物或ii)中的該反應產物混合物，其中該第二溶劑具有≥該鹵矽氧烷沸點的沸點，及 iv) 從該反應產物混合物中回收該鹵矽氧烷。

將水、鹵矽烷、和第一溶劑組合於i)中以形成反應混合物。

鹵矽烷係具有一個或多於一個、替代地2或更多個鹵素原子、替代地氯原子的矽烷，並且其餘的價鍵結至具有1至8個碳原子、替代地1至3個碳原子、替代地2個碳原子的烴基、氫原子、或具有1至8個碳原子、替代地1至3個碳原子、替代地2個碳原子的烴基、和氫原子。在一個實施例中，鹵矽烷係根據式(I) R¹ _a X_b SiH_4-a-b (I) 其中R¹ 係具有1至8個碳原子、替代地1至3個碳原子、替代地2個碳原子的烴基，替代地R¹ 代表甲基和乙烯基(ethenyl)，X係鹵素、替代地氯，a係0至2的整數，b係1至4、替代地2至4的整數、替代地3或4、替代地2、替代地3、替代地4。

R¹ 所代表的烴基一般具有1至8個碳原子、替代地1至3個碳原子、替代地2個碳原子。R¹ 所代表具有至少3個碳原子的基團可具有支鏈或直鏈結構。R¹ 所代表的基團之實例包括但不限於烷基（諸如甲基、乙基、丙基、1-甲基乙基、丁基、1-甲基丙基、2-甲基丙基、1-乙基乙基、戊基、己基、和環己基）、烯基（諸如乙烯基、丙烯基、丁烯基、和己烯基）、炔基（諸如乙炔基、丙炔基、丁炔基、和己炔基）、和芳基（諸如苯基、苄基、和甲基苯基）。

鹵矽烷的實例包括但不限於二氯甲基乙烯基矽烷(MeViSiCl₂ )、三氯乙烯基矽烷(ViSiCl₃ )、三氯矽烷(HSiCl₃ )、四氯矽烷(SiCl₄ )、或三氯矽烷與四氯矽烷的混合物。製造二氯甲基乙烯基矽烷、三氯乙烯基矽烷、三氯矽烷、和四氯矽烷的方法在所屬技術領域中係已知的，並且可商購獲得。

第一溶劑是任何與水、鹵矽烷和鹵矽氧烷相容的溶劑，並且其中鹵矽烷的水解並縮合會發生。如本文所使用，「相容」意指溶劑不會與鹵矽烷、水、鹵矽氧烷反應，但會溶解。

在一個實施例中，第一溶劑在100 ml的溶劑中具有＞ 1.5克的水溶度、替代地在100 ml溶劑中大於25克的水溶度、替代地水與該溶劑可以所有比例混溶。水溶度係在25℃和標準壓力下藉由將不同比例的水與特定溶劑混合並且記錄任何不混溶性來判定。所屬技術領域中具有通常知識者會如何知道如何判定水混溶性，並且在文獻中報導了許多溶劑的值。第一溶劑不是水。溶劑亦可與鹵矽烷和鹵矽氧烷混溶並且不會與鹵矽烷和鹵矽氧烷反應。

第一溶劑的實例包括但不限於醚類溶劑（包括二烷基醚、四氫呋喃、乙二醇醚、冠醚、和二

烷(dioxane)）、極性非質子溶劑（包括酮、腈、甲醯胺、乙醯胺、亞碸、乙酸酯、磷醯胺(phosphoramide)、吡咯啶酮、硝基烷烴、或碳酸酯）。替代地，第一溶劑係乙腈、四氫呋喃、四乙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二丁醚、或聚(乙二醇)二甲醚、或其組合、替代地四氫呋喃、乙腈、或四乙二醇二甲醚。這些溶劑可商購獲得。

第一溶劑係藉由所屬技術領域中已知的方法來與水和鹵矽烷組合。所屬技術領域中具有通常知識者會知道如何組合鹵矽烷與第一溶劑。在一個實施例中，可將反應混合物的組分以任何順序加入、替代地先伴隨攪拌將水與溶劑組合，接著將水與溶劑的組合物與鹵矽烷組合、替代地先伴隨攪拌將水與溶劑組合，接著伴隨攪拌將組合的水與溶劑混合物加入至鹵矽烷。一般而言，在一段時間內伴隨攪拌將組合的水與溶劑加入至鹵矽烷。所屬技術領域中具有通常知識者會瞭解，添加順序的微小變化（諸如保留一些溶劑不與水組合，以用於在水加入後加入）不會實質上改變本發明。

水與第一溶劑的組合一般在分開的反應器或其他容器或槽中組合，並且將水與第一溶劑的組合物從該分開的反應器、槽或容器中加入至其等與鹵矽烷組合的反應器中以進行鹵矽烷的部分水解，替代地將水與第一溶劑的組合物從其等組合的反應器中加入至含有鹵矽烷的反應器中以進行部分水解並縮合。所屬技術領域中具有通常知識者會知道如何挑選合適的反應器和/或容器以用於水與第一溶劑的組合以及水和第一溶劑與鹵矽烷的組合。

水與第一溶劑組合時的添加速率不是關鍵性的，但溶劑與水一般在與鹵矽烷組合之前組合。

將組合的水與第一溶劑添加至鹵矽烷的添加速率足以讓反應進行，但又不會快到發生非所欲的放熱，替代地在至多5小時的期間內、替代地在至多2小時的期間內、替代地在至多1.5小時的期間內、替代地在至多1小時的期間內將水-溶劑組合物加入至鹵矽烷。

反應混合物包含水、鹵矽烷和溶劑，並且具有高於溶劑熔點的溫度、替代地介於-70℃和鹵矽烷的回流溫度之間的溫度、替代地介於-30℃和鹵矽烷的回流溫度之間的溫度、替代地介於0℃和鹵矽烷的回流溫度之間的溫度、替代地介於10℃和30℃之間的溫度。所屬技術領域中具有通常知識者會瞭解如何判定溶劑的熔點。鹵矽烷的回流溫度一般在至多100 kPa的壓力下至多100℃、或在至多150 kPa的壓力下至多150℃。所屬技術領域中具有通常知識者會知道如何控制反應混合物的溫度。例如，可使用周圍空氣溫度來讓冷的反應混合物溫熱、或者可使用加熱包、蒸汽夾套、或所屬技術領域中已知的其他加熱反應方法來使其溫熱。替代地，反應混合物可能需要冷卻以防止非所欲的放熱。所屬技術領域中具有通常知識者會知道如何冷卻反應混合物（如有需要）。

反應混合物係在0.1 kPa至多150 kPa的壓力下、替代地5 kPa至110 kPa的壓力下、替代地90 kPa至101 kPa的壓力下。所屬技術領域中具有通常知識者會知道如何控制反應混合物的壓力。

反應混合物中水與鹵矽烷的比例足以部分水解鹵矽烷並且形成鹵矽氧烷，替代地反應混合物中水對鹵矽烷的莫耳比係4:1至1:100、替代地2:1至1:10、替代地1:1至1:10、替代地1:1至1:1.5。

反應混合物中的第一溶劑濃度可有所變化。所屬技術領域中具有通常知識者會知道如何改變溶劑的濃度以控制諸如但不限於反應速率和溶解力的性質。以反應混合物的總重量計，反應混合物包含至多90%、替代地至多75%、替代地至多50%、替代地25至50%、替代地30至75%的溶劑。

鹵矽烷會部分水解並縮合於ii)中以形成包含鹵矽氧烷、第一溶劑、鹵化氫、和未反應鹵矽烷的反應產物混合物。

反應產物混合物所包含的鹵矽氧烷係氯矽氧烷、替代地鹵二矽氧烷、替代地氯二矽氧烷、替代地1,1,3,3-四氯二矽氧烷、替代地1,1,1,3,3-五氯二矽氧烷、替代地六氯二矽氧烷、替代地1,1,3,3-四氯二矽氧烷、1,1,1,3,3-五氯二矽氧烷、與六氯二矽氧烷中二者或更多者的混合物。鹵矽氧烷可使用所屬技術領域中已知的分析方法和儀器或其組合來鑑定。例如，鹵矽氧烷可使用²⁹ Si-NMR、¹ H-NMR和/或氣相層析術來判定。

鹵化氫的鹵素離子係來自鹵矽烷，並且因此鹵化氫包含與鹵矽烷相同的鹵素原子。

溶劑和鹵矽烷係如以上針對反應混合物所述。未反應的鹵矽烷與針對反應混合物所述的鹵矽烷相同。

反應產物混合物可包含額外材料。額外材料的實例包括但不限於具有三個或更多個矽原子的聚合水解副產物。

鹵矽烷是藉由使反應混合物經受上述反應混合物的溫度和壓力條件直到部分水解完成而進行部分水解並縮合。在一些實施例中，部分水解並縮合會在高於組合水、溶劑、和鹵矽烷時的溫度之溫度下發生。所屬技術領域中具有通常知識者會知道如何提高反應混合物的溫度以造成鹵矽烷的部分水解並縮合發生。在另一個實施例中，反應混合物係維持在低於20℃的溫度下以防止非所要的放熱。

使部分水解並縮合進行直到形成至少一些、替代地所欲量的鹵矽氧烷、替代地使部分水解並縮合進行至多48小時、替代地進行12小時、替代地進行5小時、替代地進行1小時。所屬技術領域中具有通常知識者會知道如何判定何時完成部分水解並縮合，並且形成鹵矽氧烷。例如，本方法可使用層析法（諸如具有導熱偵測器的氣相層析）來監測，並且當未生產出進一步的鹵矽氧烷時使反應停止。

鹵矽烷的水解可以藉由限制反應混合物中水的量及/或在完全水解發生之前藉由所屬技術領域中已知的方法（諸如降低反應物的溫度、與額外溶劑混合稀釋反應混合物）停止水解來提供僅部分水解，並且可以在完全水解發生之前從反應混合物中回收鹵矽氧烷產物。

一般在攪拌下進行部分水解並縮合。所屬技術領域中具有通常知識者會知道如何根據所採用的反應容器來攪拌反應混合物。

部分水解並縮合係在一般用於鹵矽烷的水解並縮合的任何反應器中進行。例如，水解並縮合可在圓底燒瓶、密封管反應器、或夾套反應器中進行。所屬技術領域中具有通常知識者會知道如何挑選適用於部分水解並縮合的反應器。

於iii)中，將第二溶劑加入至i)中的該反應混合物或ii)中的該反應產物混合物，其中該第二溶劑具有≥該鹵矽氧烷沸點的沸點。

第二溶劑具有至少為鹵矽氧烷沸點的沸點、替代地溶劑具有至少100℃、替代地110℃的沸點。

第二溶劑的實例包括但不限於烴溶劑（包含烷烴、烯烴、或芳族化合物）、醚類溶劑（包含二烷基醚、乙二醇醚、冠醚、或二

烷）、或極性非質子溶劑（包含酮、腈、甲醯胺、乙醯胺、亞碸、乙酸酯、磷醯胺、吡咯啶酮、硝基烷烴、或碳酸酯）。

在一個實施例中，第二溶劑係四乙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二丁醚、或聚(乙二醇)二甲醚。這些溶劑可商購獲得。

第一溶劑和第二溶劑可相同或不同、替代地第一溶劑和第二溶劑不同、替代地第一溶劑和第二溶劑相同。

第二溶劑係藉由所屬技術領域中已知的習知方式來加入。所屬技術領域中具有通常知識者會知道如何將第二溶劑加入至反應混合物、反應產物混合物、或反應混合物和反應產物混合物兩者。在一個實施例中，第二溶劑係與第一溶劑一起加入於i)中。在另一個實施例中，第一溶劑與第二溶劑相同，並且具有如以上關於鹵矽氧烷所述的沸點，並且鹵矽氧烷可直接從第一溶劑中回收。當第一溶劑具有低於鹵矽氧烷沸點的沸點時，則需要第二溶劑以藉由諸如蒸餾的方法從第二溶劑中移除鹵矽氧烷。

於iv)中從該反應產物混合物中回收該鹵矽氧烷。

鹵矽氧烷可藉由所屬技術領域中已知的方法來回收。回收鹵矽氧烷的方法之實例包括但不限於蒸餾、真空汽提、蒸發、萃取、或層析術。在一個實施例中，鹵矽氧烷係藉由蒸餾或真空汽提來回收。藉由從第二溶劑中回收鹵矽氧烷，該程序允許更容易地回收並且較不會產生副產物，減少浪費，並且可能消除從產物鹵矽氧烷過濾出不溶性副產物的需要。

藉由本發明的方法所生產的鹵矽氧烷可在製造加成矽氧烷或處理填料時用作為前驅物或中間物。

若本申請案中未指明，則溫度和壓力係標準溫度和壓力。

本發明的方法允許藉由從沸點溫度高於鹵矽氧烷的溶劑中移除鹵矽氧烷而不是從鹵矽氧烷中移除較低沸點溶劑來回收鹵矽氧烷。 實例

包括以下實例來說明本發明較佳的實施例。本技術領域中具有通常知識者將理解的是，以下實例中公開的技術表示發明人發明的技術可在實施本發明時發揮良好的功能，因此可被視為構成其較佳實施模式。然而，鑒於本公開，本技術領域中具有通常知識者應理解的是，在未偏離本發明之精神和範圍下，可以在公開的具體實施例中進行許多變化，而且仍獲得相同或類似的結果。所有的百分比都是重量百分比(wt.%)。 表1.在實例中所使用之縮寫清單。

表2.各種實例組分的沸點和熔點。

實例1 TCDSO的合成：

水-TEGDME溶液係藉由將6.65 g (0.37 mol)的水加入至100 g的預乾燥TEGDME來製備。在0至18℃下在30分鐘內在攪拌下，將水-TEGDME溶液加入至在250 ml圓底燒瓶中之100.0 g (0.74 mol)的三氯矽烷(TCS)。在加入後，使澄清的反應混合物在室溫下升溫並攪拌1小時。然後在真空下將反應混合物汽提至1托，同時將燒瓶逐漸加熱至多60℃。在真空汽提期間，將粗產物(25.0 g)冷凝在冷阱中。粗產物含有2% HCl、72%未反應TCS、26% TCDSO、和小於1%氯高級矽氧烷(chloro higher siloxanes)（所有數字均係GC-TCD積分百分比）。TCDSO的產率估計為8.5%。之後使粗產物通過管柱進行分餾而產出99+% TCDSO。 實例2 較大規模的TCDSO合成：

水-TEGDME溶液係藉由將50.0 g (2.77 mol)的水加入至1 L的TEGDME來製備。在1 hr內將水-TEGDME溶液加入至在2 L攪拌夾套反應器中之1125 g (8.30 mol)的三氯矽烷(TCS)，同時將內容物的溫度維持在低於20℃。在加入後，使澄清的反應混合物通過乾冰阱而在真空下汽至1托，之後將來自阱(327 g)的大部分TCS之材料倒空。然後將反應器內容物逐漸加熱至多70℃，同時繼續在完全真空下汽提。在真空汽提期間，將粗產物(246 g)冷凝在乾冰阱中。粗產物含有71%未反應TCS、25% TCDSO、和小於3%氯高級矽氧烷（所有數字均係GC-TCD積分百分比）。基於H₂ O，TCDSO的產率估計為10.3%。之後使粗產物通過管柱進行分餾而產出99+% TCDSO。 實例3 PCDSO的合成：

水-TEGDME溶液係藉由將0.133 g (7.38 mmol)的水加入至2.0 g的預乾燥TEGDME來製備。在0℃下在5分鐘內在攪拌下，將水-TEGDME溶液加入至在50 ml圓底燒瓶中之1.00 g (7.38 mmol)的三氯矽烷與1.25 g (7.38 mmol)的四氯化矽(STC)之預混物。在加入後，使澄清的反應混合物在室溫下升溫並攪拌1小時。基於GC-TCD分析，PCDSO和TCDSO係以約1.7:1重量比形成。 實例4 HCDSO的合成：

水-TEGDME溶液係藉由將0.265 g (14.7 mmol)的水加入至10.0 g的預乾燥TEGDME來製備。然後在0℃下在7分鐘內在攪拌下，將水-TEGDME溶液加入至在50 ml圓底燒瓶中之5.00 g (29.4 mmol)的四氯矽烷(STC)。在加入後，使澄清的反應混合物在室溫下升溫並攪拌2小時。用GC-TCD偵測到HCDSO和幾種副產物。在室溫下使反應混合物濃稠1天後，副產物消失並且轉化成HCDSO提升。過程中未形成凝膠。 實例5 HCDSO在四氫呋喃中的合成

水-四氫呋喃溶液係藉由將1.61 g (0.09 mol)的水加入至閃爍小瓶中之31.13 g (0.42 mol)的無水四氫呋喃來製備。在正壓氬氣吹掃中，在室溫下將水-四氫呋喃溶液快速倒入裝有61.05 g (0.36 mol)的SiCl₄ 之100-mL圓底燒瓶中，同時攪拌。在加入期間，在燒瓶壁上觀察到溫和回流。將反應在室溫下攪拌2小時，然後在大氣壓力下分餾而獲得95%純材料。產量= 5.3029 g（已單離的，22.7%，使用水作為限量試劑）。 比較例1 HCDSO在-40℃下在二乙醚中的合成

在50 mL舒倫克(Schlenk)燒瓶中，將7.08 g (0.04 mol)的SiCl₄ 溶於5.81 g (0.08 mol)的二乙醚中，並且將反應冷卻至-40℃同時攪拌。水-二乙醚混合物係藉由在閃爍小瓶中組合0.17 g (0.009 mol)的水與6.10 g (0.08 mol)的二乙醚來製備。經由注射器將濕溶劑逐滴加入至反應燒瓶，同時反應混合物在30分鐘的過程中維持劇烈攪拌。在加入結束時，使反應維持在-40℃下額外2小時，之後使其升溫至室溫，此時反應混合物變得混濁。藉由GC-TCD分析反應混合物的等分試樣而發現HCDSO含量係2.7 wt%，此給其19.2%的最大產率（使用水作為限量試劑）。原位產率是真實值的過高估計，因為其假定所有組分都已納入。此假定是無效的，因為在特性分析期間排除了顯著量的固體沉澱物。由於大量固體沉澱，在-40℃以上在二乙醚中的反應是不實際的。 實例6 CMVDSO在升溫下的合成

於250 ml圓底燒瓶内裝入51.9 g (0.367 mol)的二氯甲基乙烯基矽烷(Cl₂ SiMeVinyl)。在起始材料於燒瓶中回流的同時，在39分鐘內逐滴加入3.31 g (0.184 mol)的水於30.0 ml的TEGDME中之溶液。反應溫度在80和93℃之間變化。透過1.0 M NaOH洗滌器將HCl副產物排出。在加入後，將反應混合物維持在90℃下60分鐘。然後在真空下在至多90℃的罐溫下，將其蒸餾至1托壓力。在0℃下冷凝出來的餾出物含有10.4 g的CMVDSO，其佔單離產率的25%。 實例7 CMVDSO的合成

於250 ml圓底燒瓶内裝入60.0 g (0.425 mol)的二氯甲基乙烯基矽烷(Cl₂ SiMeVinyl)。在起始材料於燒瓶中回流的同時，在35分鐘內逐滴加入1.92 g (0.106 mol)的水於30.0 ml的TEGDME中之溶液。反應溫度在87和96℃之間變化。透過1.0 M NaOH洗滌器將HCl副產物排出。在加入後，將反應混合物維持在90℃下60分鐘。然後在真空下在至多90℃的罐溫下，將其蒸餾至1托壓力。在0℃下冷凝出來的餾出物含有9.8 g的CMVDSO，其佔單離產率的41%。在此粗產物中分餾出99.6%純CMVDSO。 實例8 CVDSO在升溫下的合成

於250 ml圓底燒瓶内裝入120.0 g (0.743 mol)的三氯乙烯基矽烷(Cl₃ SiVinyl)。在起始材料於燒瓶中回流的同時，在20分鐘內逐滴加入3.34 g (0.186 mol)的水於52.8 ml的TEGDME中之溶液。反應溫度在83和95℃之間變化。透過1.0 M NaOH洗滌器將HCl副產物排出。在加入後，將反應混合物維持在90℃下60分鐘。然後在真空下在至多90℃的罐溫下，將其蒸餾至1托壓力。在0℃下冷凝出來的餾出物含有11.0 g的CVDSO，其佔單離產率的22%。在此粗產物中分餾出99.6%純CVDSO。

無

無

Claims (11)

1. 一種生產鹵矽氧烷的方法，該方法包含：i)將水、鹵矽烷、和第一溶劑組合以形成反應混合物，ii)部分水解並縮合該鹵矽烷以形成包含鹵矽氧烷、該溶劑、未反應鹵矽烷、和鹵化氫的反應產物混合物，iii)將第二溶劑加入至i)中的反應混合物、至ii)中的反應產物混合物、或至i)中的反應混合物與ii)中的反應產物混合物，其中該第二溶劑具有

   

   該鹵矽氧烷沸點的沸點，及iv)從該反應產物混合物中回收該鹵矽氧烷，其中該鹵矽氧烷係鹵二矽氧烷。
2. 如請求項1的方法，其中該鹵矽烷係二氯甲基乙烯基矽烷、三氯乙烯基矽烷、三氯矽烷、四氯矽烷、或三氯矽烷與四氯矽烷的混合物。
3. 如請求項1的方法，其中該鹵二矽氧烷係1,3-二氯-1,3-二甲基-1,3-二乙烯基二矽氧烷、1,1,3,3-四氯-1,3-二乙烯基二矽氧烷、1,1,3,3-四氯二矽氧烷、1,1,1,3,3-五氯二矽氧烷、或六氯二矽氧烷。
4. 如請求項1的方法，其中該部分水解並縮合係在-30℃至該鹵矽烷的回流溫度之溫度下。
5. 如請求項1的方法，其中該反應混合物係在0.1kPa至多150kPa的壓力下。
6. 如請求項1的方法，其中該第二溶劑係包含烷烴、烯烴或芳族化合物之烴溶劑，包含二烷基醚、乙二醇醚、冠醚或二

   

   烷之醚類溶劑，或包含 酮、腈、甲醯胺、乙醯胺、亞碸、乙酸酯、磷醯胺、吡咯啶酮、硝基烷烴或碳酸酯之極性非質子溶劑。
7. 如請求項1的方法，其中該第二溶劑係四乙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二丁醚或聚(乙二醇)二甲醚。
8. 如請求項1的方法，其中藉由蒸餾、真空汽提、蒸發、萃取或層析術從該反應產物混合物中回收該鹵矽氧烷。
9. 如請求項1的方法，其中組合以形成該反應混合物之水與鹵矽烷的莫耳比係4：1至1：100。
10. 如請求項1的方法，其中該反應混合物中的第一溶劑量係至多75%(w/w)。
11. 如請求項1的方法，其中該第一溶劑與該第二溶劑相同。