JPH0656998A - 高純度シリコーンラダーポリマーおよびその製法 - Google Patents
高純度シリコーンラダーポリマーおよびその製法Info
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- JPH0656998A JPH0656998A JP20899492A JP20899492A JPH0656998A JP H0656998 A JPH0656998 A JP H0656998A JP 20899492 A JP20899492 A JP 20899492A JP 20899492 A JP20899492 A JP 20899492A JP H0656998 A JPH0656998 A JP H0656998A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 不純物の量がきわめて少なく、重量平均分子
量が10万以上の高純度シリコーンラダーポリマーをう
る。 【構成】 Na、K、Fe、Cu、Pb、Clの各含有
量が1ppm以下であり、U、Thの各含有量が1ppb以下
であり、その重合度が5〜1600の高純度シリコーンラダ
ーポリマー、フェニルトリアルコキシシランと低級アル
キルトリアルコキシシランの混合物を有機溶媒に溶解
し、塩化水素を含む超純水を用いて冷却下、共加水分解
し、前記共加水分解物を超純水で洗浄することを特徴と
する重合度が5〜16の前記シリコーンラダーポリマーの
製法および前記製法でえられたシリコーンラダーポリマ
ーを用い、その溶液に求核試薬を添加して脱水縮合さ
せ、えられた高分子量物を溶解再沈法により精製する重
合度が7〜1600の高純度シリコーンラダーポリマーの製
法。
量が10万以上の高純度シリコーンラダーポリマーをう
る。 【構成】 Na、K、Fe、Cu、Pb、Clの各含有
量が1ppm以下であり、U、Thの各含有量が1ppb以下
であり、その重合度が5〜1600の高純度シリコーンラダ
ーポリマー、フェニルトリアルコキシシランと低級アル
キルトリアルコキシシランの混合物を有機溶媒に溶解
し、塩化水素を含む超純水を用いて冷却下、共加水分解
し、前記共加水分解物を超純水で洗浄することを特徴と
する重合度が5〜16の前記シリコーンラダーポリマーの
製法および前記製法でえられたシリコーンラダーポリマ
ーを用い、その溶液に求核試薬を添加して脱水縮合さ
せ、えられた高分子量物を溶解再沈法により精製する重
合度が7〜1600の高純度シリコーンラダーポリマーの製
法。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、側鎖に低級アルキル基
を有する高純度シリコーンラダーポリマーおよびその製
法に関する。さらに詳しくは、半導体などの保護膜、層
間絶縁膜などとして好適に使用しうる高純度シリコーン
ラダーポリマーおよびその製法に関する。
を有する高純度シリコーンラダーポリマーおよびその製
法に関する。さらに詳しくは、半導体などの保護膜、層
間絶縁膜などとして好適に使用しうる高純度シリコーン
ラダーポリマーおよびその製法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来から、電子部品あるいは半導体など
の保護膜、層間絶縁膜用材料としてシリコーンラダーポ
リマーの製法が提案されている(特開平3-20331号公
報、特開平2-107638号公報)。
の保護膜、層間絶縁膜用材料としてシリコーンラダーポ
リマーの製法が提案されている(特開平3-20331号公
報、特開平2-107638号公報)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記シリコー
ンラダーポリマーを製造するばあいゲル化しやすいとい
った問題がある。
ンラダーポリマーを製造するばあいゲル化しやすいとい
った問題がある。
【0004】また、たとえば前記いずれかの製法により
シリコーンラダーポリマーがえられたとしても、製造さ
れたシリコーンラダーポリマーには、多量の不純物や副
生成物が含まれているという問題がある。これは、高分
子量化を高濃度で行ったり(特開平3-20331号公報)、
触媒を多量に使用する(特開平2-107638号公報)など不
純物や副生成物が除去されにくい条件で製造されている
ことによるものである。
シリコーンラダーポリマーがえられたとしても、製造さ
れたシリコーンラダーポリマーには、多量の不純物や副
生成物が含まれているという問題がある。これは、高分
子量化を高濃度で行ったり(特開平3-20331号公報)、
触媒を多量に使用する(特開平2-107638号公報)など不
純物や副生成物が除去されにくい条件で製造されている
ことによるものである。
【0005】また製造されたシリコーンラダーポリマー
の数平均分子量は、数万にとどまるため、厚膜形成が困
難であるという問題もある。
の数平均分子量は、数万にとどまるため、厚膜形成が困
難であるという問題もある。
【0006】
【課題を解決するための手段】そこで本発明者らは、前
記のごとく従来技術の問題点に鑑みて、かかる問題点を
解決すべく鋭意研究を重ねた結果、原料として一般式(I
I): C6H5Si(OR7 )3 (II) (式中、R7は低級アルキル基を示す)で表されるフェ
ニルトリアルコキシシランおよび一般式(III): R8Si(OR7 )3 (III) (式中、R7およびR8はそれぞれ低級アルキル基を示
す)で表される低級アルキルトリアルコキシシランの混
合物を用い、該原料の有機溶媒溶液に塩化水素を含む超
純水を滴下して共加水分解を行い、えられた共加水分解
物を超純水で洗浄して塩化水素を除去し、つぎにこの溶
液にゲル化しないよう少量の求核試薬を加えて、撹拌下
で加熱脱水縮合反応を行って高分子量化し、反応終了後
に電子工業用のメタノール中に反応溶液を滴下して反応
生成物を沈澱物として回収することにより半導体の保護
膜、層間絶縁膜などに好適に使用しうる厚膜形成可能な
高分子量の高純度シリコーンラダーポリマーがえられる
ことを見出し、本発明を完成するに至った。
記のごとく従来技術の問題点に鑑みて、かかる問題点を
解決すべく鋭意研究を重ねた結果、原料として一般式(I
I): C6H5Si(OR7 )3 (II) (式中、R7は低級アルキル基を示す)で表されるフェ
ニルトリアルコキシシランおよび一般式(III): R8Si(OR7 )3 (III) (式中、R7およびR8はそれぞれ低級アルキル基を示
す)で表される低級アルキルトリアルコキシシランの混
合物を用い、該原料の有機溶媒溶液に塩化水素を含む超
純水を滴下して共加水分解を行い、えられた共加水分解
物を超純水で洗浄して塩化水素を除去し、つぎにこの溶
液にゲル化しないよう少量の求核試薬を加えて、撹拌下
で加熱脱水縮合反応を行って高分子量化し、反応終了後
に電子工業用のメタノール中に反応溶液を滴下して反応
生成物を沈澱物として回収することにより半導体の保護
膜、層間絶縁膜などに好適に使用しうる厚膜形成可能な
高分子量の高純度シリコーンラダーポリマーがえられる
ことを見出し、本発明を完成するに至った。
【0007】すなわち本発明は、ナトリウム、カリウ
ム、鉄、銅、鉛および塩素の各含有量が1ppm以下であ
り、ウランおよびトリウムの各含有量が1ppb以下であ
る一般式(I):
ム、鉄、銅、鉛および塩素の各含有量が1ppm以下であ
り、ウランおよびトリウムの各含有量が1ppb以下であ
る一般式(I):
【0008】
【化4】 (式中、R1〜R4はそれぞれ水素原子または低級アルキ
ル基、nは5〜1600の自然数、R5およびR6はそれぞれ
フェニル基または低級アルキル基を示し、5〜1600個あ
るR5およびR6はそれぞれ同一であってもよいし、異な
っていてもよい)で表される高純度シリコーンラダーポ
リマー、一般式(II): C6H5Si(OR7 )3 (II) (式中、R7は低級アルキル基を示す)で表されるフェ
ニルトリアルコキシシランおよび一般式(III): R8Si(OR7 )3 (III) (式中、R7およびR8はそれぞれ低級アルキル基を示
す)で表される低級アルキルトリアルコキシシランの混
合物を有機溶媒に溶解し、塩化水素を含有する超純水を
用いて冷却下で共加水分解したのち、えられた共加水分
解物を超純水で洗浄することを特徴とする、ナトリウ
ム、カリウム、鉄、銅、鉛および塩素の各含有量が1pp
m以下であり、ウランおよびトリウムの各含有量が1ppb
以下である一般式(I):
ル基、nは5〜1600の自然数、R5およびR6はそれぞれ
フェニル基または低級アルキル基を示し、5〜1600個あ
るR5およびR6はそれぞれ同一であってもよいし、異な
っていてもよい)で表される高純度シリコーンラダーポ
リマー、一般式(II): C6H5Si(OR7 )3 (II) (式中、R7は低級アルキル基を示す)で表されるフェ
ニルトリアルコキシシランおよび一般式(III): R8Si(OR7 )3 (III) (式中、R7およびR8はそれぞれ低級アルキル基を示
す)で表される低級アルキルトリアルコキシシランの混
合物を有機溶媒に溶解し、塩化水素を含有する超純水を
用いて冷却下で共加水分解したのち、えられた共加水分
解物を超純水で洗浄することを特徴とする、ナトリウ
ム、カリウム、鉄、銅、鉛および塩素の各含有量が1pp
m以下であり、ウランおよびトリウムの各含有量が1ppb
以下である一般式(I):
【0009】
【化5】 (式中、R1〜R4はそれぞれ低級アルキル基、nは5〜
16の自然数、R5およびR6はそれぞれフェニル基または
低級アルキル基を示し、5〜16個あるR5およびR6はそ
れぞれ同一であってもよいし、異なっていてもよい)で
表される高純度シリコーンラダーポリマーの製法および
一般式(II): C6H5Si(OR7 )3 (II) (式中、R7は低級アルキル基を示す)で表されるフェ
ニルトリアルコキシシランおよび一般式(III): R8Si(OR7 )3 (III) (式中、R7およびR8はそれぞれ低級アルキル基を示
す)で表される低級アルキルトリアルコキシシランの混
合物を有機溶媒に溶解し、塩化水素を含有する超純水を
用いて冷却下で共加水分解したのち、えられた共加水分
解物を超純水で洗浄し、さらに前記洗浄により中和した
共加水分解物を含む溶液に求核試薬を添加して脱水縮合
せしめてえられた高分子量物を溶解再沈法によって精製
することを特徴とする、ナトリウム、カリウム、鉄、
銅、鉛および塩素の各含有量が1ppm以下であり、ウラ
ンおよびトリウムの各含有量が1ppb以下である一般式
(I):
16の自然数、R5およびR6はそれぞれフェニル基または
低級アルキル基を示し、5〜16個あるR5およびR6はそ
れぞれ同一であってもよいし、異なっていてもよい)で
表される高純度シリコーンラダーポリマーの製法および
一般式(II): C6H5Si(OR7 )3 (II) (式中、R7は低級アルキル基を示す)で表されるフェ
ニルトリアルコキシシランおよび一般式(III): R8Si(OR7 )3 (III) (式中、R7およびR8はそれぞれ低級アルキル基を示
す)で表される低級アルキルトリアルコキシシランの混
合物を有機溶媒に溶解し、塩化水素を含有する超純水を
用いて冷却下で共加水分解したのち、えられた共加水分
解物を超純水で洗浄し、さらに前記洗浄により中和した
共加水分解物を含む溶液に求核試薬を添加して脱水縮合
せしめてえられた高分子量物を溶解再沈法によって精製
することを特徴とする、ナトリウム、カリウム、鉄、
銅、鉛および塩素の各含有量が1ppm以下であり、ウラ
ンおよびトリウムの各含有量が1ppb以下である一般式
(I):
【0010】
【化6】 (式中、R1〜R4はそれぞれ水素原子または低級アルキ
ル基、nは7〜1600の自然数、R5およびR6はそれぞれ
フェニル基または低級アルキル基を示し、7〜1600個あ
るR5およびR6はそれぞれ同一であってもよいし、異な
っていてもよい)で表される高純度シリコーンラダーポ
リマーの製法に関する。
ル基、nは7〜1600の自然数、R5およびR6はそれぞれ
フェニル基または低級アルキル基を示し、7〜1600個あ
るR5およびR6はそれぞれ同一であってもよいし、異な
っていてもよい)で表される高純度シリコーンラダーポ
リマーの製法に関する。
【0011】
【作用】本発明の一般式(I)で表されるシリコーンラダ
ーポリマーは、骨格にシロキサン結合の梯子型構造を有
するために剛直で、それゆえ優れた耐熱性を有してい
る。また、ナトリウム、カリウム、鉄、銅、鉛および塩
素の各含有量が1ppm以下、ウラン、トリウムの各含有
量が1ppb以下と非常に高純度であり、半導体の保護
膜、層間絶縁膜などに好適に使用される。
ーポリマーは、骨格にシロキサン結合の梯子型構造を有
するために剛直で、それゆえ優れた耐熱性を有してい
る。また、ナトリウム、カリウム、鉄、銅、鉛および塩
素の各含有量が1ppm以下、ウラン、トリウムの各含有
量が1ppb以下と非常に高純度であり、半導体の保護
膜、層間絶縁膜などに好適に使用される。
【0012】本発明の製法では、きわめて高純度のシリ
コーンラダーポリマーをうることができる。
コーンラダーポリマーをうることができる。
【0013】
【実施例】本発明の高純度シリコーンラダーポリマー
は、ナトリウム、カリウム、鉄、銅、鉛および塩素の各
含有量が1ppm以下であり、ウランおよびトリウムの各
含有量が1ppb以下である一般式(I):
は、ナトリウム、カリウム、鉄、銅、鉛および塩素の各
含有量が1ppm以下であり、ウランおよびトリウムの各
含有量が1ppb以下である一般式(I):
【0014】
【化7】 で表される高純度シリコーンラダーポリマー(以下、シ
リコーンラダーポリマーという)である。
リコーンラダーポリマーという)である。
【0015】前記シリコーンラダーポリマーは、ナトリ
ウム、カリウム、鉄、銅、鉛および塩素の各含有量が1
ppm以下であり、ウランおよびトリウムの各含有量が1p
pb以下と極めて高純度であることに特徴があり、そのた
めに前記のように半導体の保護膜、層間絶縁膜などに好
適に使用しうる。
ウム、カリウム、鉄、銅、鉛および塩素の各含有量が1
ppm以下であり、ウランおよびトリウムの各含有量が1p
pb以下と極めて高純度であることに特徴があり、そのた
めに前記のように半導体の保護膜、層間絶縁膜などに好
適に使用しうる。
【0016】前記一般式(I)中R1〜R4は、水素原子ま
たはたとえばメチル基、エチル基、プロピル基などの炭
素数1〜5の低級アルキル基を示し、R1〜R4はそれぞ
れ同種でもよく、異種でもよい。
たはたとえばメチル基、エチル基、プロピル基などの炭
素数1〜5の低級アルキル基を示し、R1〜R4はそれぞ
れ同種でもよく、異種でもよい。
【0017】またR5およびR6はフェニル基またはたと
えばメチル基、エチル基、プロピル基などの炭素数1〜
5の低級アルキル基を示し、R5およびR6はそれぞれ同
種でもよく、異種でもよい。また、複数個あるR5また
はR6はそれぞれ同じでもよく、異なっていてもよい。
えばメチル基、エチル基、プロピル基などの炭素数1〜
5の低級アルキル基を示し、R5およびR6はそれぞれ同
種でもよく、異種でもよい。また、複数個あるR5また
はR6はそれぞれ同じでもよく、異なっていてもよい。
【0018】また一般式中、重合度を示すnは5〜1600
であるが、nが5〜16の値を有するシリコーンラダーポ
リマーとnが7〜1600のシリコーンラダーポリマーは、
後述するように好ましい製法が異なる。
であるが、nが5〜16の値を有するシリコーンラダーポ
リマーとnが7〜1600のシリコーンラダーポリマーは、
後述するように好ましい製法が異なる。
【0019】つぎに、前記した一般式(I)で表されるシ
リコーンラダーポリマーにおいて、nが5〜16の値を有
するシリコーンラダーポリマーの好ましい製法を説明す
る。
リコーンラダーポリマーにおいて、nが5〜16の値を有
するシリコーンラダーポリマーの好ましい製法を説明す
る。
【0020】まず、原料として一般式(II): C6H5Si(OR7 )3 (II) で表されるフェニルトリアルコキシシラン(以下、フェ
ニルトリアルコキシシランという)および一般式(III) R8Si(OR7 )3 (III) で表される低級アルキルトリアルコキシシラン(以下、
低級アルキルトリアルコキシシランという)の混合物を
有機溶媒に溶解し、塩化水素を含有する超純水を用いて
冷却下で共加水分解したのち、えられた共加水分解物を
超純水で洗浄することによりえられる。前記一般式(I
I)、一般式(III)中、R7〜R8は、たとえばメチル基、
エチル基、プロピル基などの炭素数1〜5の低級アルキ
ル基を示す。
ニルトリアルコキシシランという)および一般式(III) R8Si(OR7 )3 (III) で表される低級アルキルトリアルコキシシラン(以下、
低級アルキルトリアルコキシシランという)の混合物を
有機溶媒に溶解し、塩化水素を含有する超純水を用いて
冷却下で共加水分解したのち、えられた共加水分解物を
超純水で洗浄することによりえられる。前記一般式(I
I)、一般式(III)中、R7〜R8は、たとえばメチル基、
エチル基、プロピル基などの炭素数1〜5の低級アルキ
ル基を示す。
【0021】本発明で原料として用いられる前記フェニ
ルトリアルコキシシランの具体例としては、たとえば、
フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシ
ラン、フェニルトリプロポキシシランなどがあげられ
る。また、前記低級アルキルトリアルコキシシランの具
体例としては、たとえばメチルトリメトキシシラン、メ
チルトリエトキシシラン、メチルトリプロポキシシラ
ン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシ
ラン、エチルトリプロポキシシラン、n−プロピルトリ
メトキシシラン、n−プロピルトリエトキシシラン、n
−プロピルトリプロポキシシランなどがあげられるが、
これらのみに限定されるものではない。
ルトリアルコキシシランの具体例としては、たとえば、
フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシ
ラン、フェニルトリプロポキシシランなどがあげられ
る。また、前記低級アルキルトリアルコキシシランの具
体例としては、たとえばメチルトリメトキシシラン、メ
チルトリエトキシシラン、メチルトリプロポキシシラ
ン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシ
ラン、エチルトリプロポキシシラン、n−プロピルトリ
メトキシシラン、n−プロピルトリエトキシシラン、n
−プロピルトリプロポキシシランなどがあげられるが、
これらのみに限定されるものではない。
【0022】前記フェニルトリアルコキシシランおよび
低級アルキルトリアルコキシシランは、あらかじめ減圧
下で窒素気流中で蒸留して精製したものであるのが好ま
しい。これらの原料は、水分に対する反応性が低く、大
気中に放置しても変化しにくいが、加水分解および重縮
合もしがたいといった特徴を有している。
低級アルキルトリアルコキシシランは、あらかじめ減圧
下で窒素気流中で蒸留して精製したものであるのが好ま
しい。これらの原料は、水分に対する反応性が低く、大
気中に放置しても変化しにくいが、加水分解および重縮
合もしがたいといった特徴を有している。
【0023】まず、前記フェニルトリアルコキシシラン
および低級アルキルトリアルコキシシランを有機溶媒に
溶解させる。
および低級アルキルトリアルコキシシランを有機溶媒に
溶解させる。
【0024】有機溶媒に溶解させる際のフェニルトリア
ルコキシシランとアルキルトリアルコキシシランのモル
比は、100〜30:0〜70が好ましい。
ルコキシシランとアルキルトリアルコキシシランのモル
比は、100〜30:0〜70が好ましい。
【0025】前記有機溶媒としては加水分解物を溶解し
うる非水系の有機溶媒が好ましい。かかる有機溶媒の具
体例としては、たとえば、メチルイソブチルケトン、メ
チルエチルケトンなどのケトン類、ジエチルエーテル、
イソプロピルエーテルなどのエーテル類、キシレン、ト
ルエン、ベンゼンなどの芳香族炭化水素などがあげら
れ、前記有機溶媒のなかでは、ケトン類または芳香族炭
化水素が好ましい。また、前記有機溶媒は、電子工業用
高純度(以下、ELグレードという)の薬品が好まし
く、1種または2種以上を混合して用いることができ
る。
うる非水系の有機溶媒が好ましい。かかる有機溶媒の具
体例としては、たとえば、メチルイソブチルケトン、メ
チルエチルケトンなどのケトン類、ジエチルエーテル、
イソプロピルエーテルなどのエーテル類、キシレン、ト
ルエン、ベンゼンなどの芳香族炭化水素などがあげら
れ、前記有機溶媒のなかでは、ケトン類または芳香族炭
化水素が好ましい。また、前記有機溶媒は、電子工業用
高純度(以下、ELグレードという)の薬品が好まし
く、1種または2種以上を混合して用いることができ
る。
【0026】有機溶媒溶液中における低級フェニルトリ
アルコキシシランおよびアルキルアルコキシシランの合
計の濃度については、通常有機溶媒溶液中においてえら
れるプレポリマーの濃度が、0.1〜0.3g/mlとなるよう
に調整されるのが好ましい。かかるプレポリマーの濃度
が0.1g/ml未満であるばあい、重合反応速度が遅く、
またえられるプレポリマーが低分子量であるので、反応
停止後に洗浄した加水分解有機溶媒溶液は、有機層と水
層に層分離しにくくなり、また、0.3g/mlをこえるば
あい、共加水分解時に発生した熱が有効に発散しないた
めに部分的に重合が促進され、プレポリマー中に不規則
構造が導入されやすくなる。
アルコキシシランおよびアルキルアルコキシシランの合
計の濃度については、通常有機溶媒溶液中においてえら
れるプレポリマーの濃度が、0.1〜0.3g/mlとなるよう
に調整されるのが好ましい。かかるプレポリマーの濃度
が0.1g/ml未満であるばあい、重合反応速度が遅く、
またえられるプレポリマーが低分子量であるので、反応
停止後に洗浄した加水分解有機溶媒溶液は、有機層と水
層に層分離しにくくなり、また、0.3g/mlをこえるば
あい、共加水分解時に発生した熱が有効に発散しないた
めに部分的に重合が促進され、プレポリマー中に不規則
構造が導入されやすくなる。
【0027】このようにフェニルトリアルコキシシラン
および低級アルキルアルコキシシランの混合物を有機溶
媒に溶解した有機溶媒溶液には、塩化水素を含有する超
純水が冷却下に滴下され、共加水分解が行われる。
および低級アルキルアルコキシシランの混合物を有機溶
媒に溶解した有機溶媒溶液には、塩化水素を含有する超
純水が冷却下に滴下され、共加水分解が行われる。
【0028】ここで前記超純水としては、不純物をでき
る限り除いた比抵抗が16MΩ・cm以上の純水が用いられ
る。
る限り除いた比抵抗が16MΩ・cm以上の純水が用いられ
る。
【0029】共加水分解時に用いられる塩化水素を含有
する超純水中の塩化水素(ELグレード)量は、原料で
あるフェニルトリアルコキシシランおよび低級アルキル
トリアルコキシシランの混合物1モルに対して、0.02〜
0.23モル、さらには0.05〜0.20モルが好ましく、前記塩
化水素を含有する超純水の量は、全てのアルコキシシラ
ンの加水分解を充分に進行させるために、前記混合物1
モルに対し3〜30モル、さらには5〜25モルが好まし
い。塩化水素の量が0.02モルより少ないばあい、塩化水
素が脱水縮合反応の触媒として働く効果が低いので反応
速度が遅い。また、0.23モルをこえるばあい、添加量に
見合った触媒効果がえられないだけでなく、かえって脱
水縮合反応の進行を阻害する傾向がある。
する超純水中の塩化水素(ELグレード)量は、原料で
あるフェニルトリアルコキシシランおよび低級アルキル
トリアルコキシシランの混合物1モルに対して、0.02〜
0.23モル、さらには0.05〜0.20モルが好ましく、前記塩
化水素を含有する超純水の量は、全てのアルコキシシラ
ンの加水分解を充分に進行させるために、前記混合物1
モルに対し3〜30モル、さらには5〜25モルが好まし
い。塩化水素の量が0.02モルより少ないばあい、塩化水
素が脱水縮合反応の触媒として働く効果が低いので反応
速度が遅い。また、0.23モルをこえるばあい、添加量に
見合った触媒効果がえられないだけでなく、かえって脱
水縮合反応の進行を阻害する傾向がある。
【0030】滴下する時間は、部分的に重合が進行しな
いように0.5〜3時間、さらには1〜2時間が好まし
い。
いように0.5〜3時間、さらには1〜2時間が好まし
い。
【0031】前記有機溶剤溶液の冷却は、該有機溶剤溶
液の温度が、0〜30℃、さらには5〜25℃となるよう調
整されるのが好ましい。かかる温度が0℃よりも低いば
あい、滴下した超純水が凝固し、共加水分解が有効に進
行しない。また、30℃をこえるばあい、加えた塩化水素
の発散が進行しやすくなるので共加水分解が速やかに進
行しない。超純水を滴下する際には撹拌を行うが、超純
水を滴下し終えたのちも、共加水分解反応を完結するた
めに、さらに2〜5時間撹拌を継続するのが好ましい。
液の温度が、0〜30℃、さらには5〜25℃となるよう調
整されるのが好ましい。かかる温度が0℃よりも低いば
あい、滴下した超純水が凝固し、共加水分解が有効に進
行しない。また、30℃をこえるばあい、加えた塩化水素
の発散が進行しやすくなるので共加水分解が速やかに進
行しない。超純水を滴下する際には撹拌を行うが、超純
水を滴下し終えたのちも、共加水分解反応を完結するた
めに、さらに2〜5時間撹拌を継続するのが好ましい。
【0032】前記工程により、フェニルトリアルコキシ
シランと低級アルキルトリアルコキシシランの共加水分
解が行われ、一般式(I)で表される高純度シリコーンラ
ダーポリマーで、一般式(I)中のnが5〜16のポリマー
(以下、プレポリマーともいう)が反応液中に生成す
る。
シランと低級アルキルトリアルコキシシランの共加水分
解が行われ、一般式(I)で表される高純度シリコーンラ
ダーポリマーで、一般式(I)中のnが5〜16のポリマー
(以下、プレポリマーともいう)が反応液中に生成す
る。
【0033】前記共加水分解が終了後、反応液は有機溶
媒層と水層の2層に分離するので、2層に分離した前記
反応液を、たとえば分液漏斗などに移して下層の水層を
除去し、プレポリマーを含む有機溶媒層を回収する。
媒層と水層の2層に分離するので、2層に分離した前記
反応液を、たとえば分液漏斗などに移して下層の水層を
除去し、プレポリマーを含む有機溶媒層を回収する。
【0034】回収された有機溶媒層は、つぎに超純水に
よって洗浄される。超純水は共加水分解に用いたものと
同様のものが使用される。
よって洗浄される。超純水は共加水分解に用いたものと
同様のものが使用される。
【0035】洗浄方法にはとくに限定はなく、公知の種
々の洗浄方法が採用されうる。その一例をあげれば、回
収された有機溶媒層を前記超純水と混合し、撹拌あるい
は振とうしたのち、有機溶剤層を取り出す方法があげら
れる。
々の洗浄方法が採用されうる。その一例をあげれば、回
収された有機溶媒層を前記超純水と混合し、撹拌あるい
は振とうしたのち、有機溶剤層を取り出す方法があげら
れる。
【0036】このばあい、前記超純水の量は、前記有機
溶媒の容量に対し、1〜10倍量、さらには2〜5倍量が
好ましい。
溶媒の容量に対し、1〜10倍量、さらには2〜5倍量が
好ましい。
【0037】かかる洗浄方法を採用したばあいには、前
記した洗浄の操作を3回以上繰り返して行うことによ
り、プレポリマー中のナトリウムイオン、カリウムイオ
ンをはじめ、多量に存在する塩素イオンが容易に取り除
かれる。これらの不純物が除去されるのは、えられたプ
レポリマーが梯子型構造を有するものであり、不純物が
分子内に取り込まれにくいためであると考えられる。な
お、前記プレポリマーは分子量が小さく、適当な溶媒を
用いた通常の沈澱法によっては回収することができない
ので、溶媒を留去して乾固させ、粉末として回収するの
が好ましい。
記した洗浄の操作を3回以上繰り返して行うことによ
り、プレポリマー中のナトリウムイオン、カリウムイオ
ンをはじめ、多量に存在する塩素イオンが容易に取り除
かれる。これらの不純物が除去されるのは、えられたプ
レポリマーが梯子型構造を有するものであり、不純物が
分子内に取り込まれにくいためであると考えられる。な
お、前記プレポリマーは分子量が小さく、適当な溶媒を
用いた通常の沈澱法によっては回収することができない
ので、溶媒を留去して乾固させ、粉末として回収するの
が好ましい。
【0038】また、さらに高分子量のシリコーンラダー
ポリマーを製造するばあいは、原料として前記プレポリ
マーを含有する溶媒の溶液をそのまま使用することがで
きる。
ポリマーを製造するばあいは、原料として前記プレポリ
マーを含有する溶媒の溶液をそのまま使用することがで
きる。
【0039】かくしてナトリウム、カリウム、鉄、銅、
鉛および塩素の各含有量が1ppm以下で、ウランおよび
トリウムの各含有量が1ppb以下であり、重合度(n)
が5〜16の前記一般式(I)で示される高純度シリコーン
ラダーポリマー(プレポリマー)が回収される。
鉛および塩素の各含有量が1ppm以下で、ウランおよび
トリウムの各含有量が1ppb以下であり、重合度(n)
が5〜16の前記一般式(I)で示される高純度シリコーン
ラダーポリマー(プレポリマー)が回収される。
【0040】えられるシリコーンラダーポリマーの回収
率は、全てのアルコキシシランが加水分解され、ラダー
構造になるとして計算を行なうと、その回収率は通常80
〜95%となる。
率は、全てのアルコキシシランが加水分解され、ラダー
構造になるとして計算を行なうと、その回収率は通常80
〜95%となる。
【0041】前記プレポリマー中の不純物濃度は、イオ
ンクロマトグラフィー分析装置、ICP分析装置、原子
吸光分析装置により測定することができる。その測定方
法は以下のとおりである。
ンクロマトグラフィー分析装置、ICP分析装置、原子
吸光分析装置により測定することができる。その測定方
法は以下のとおりである。
【0042】まず使用前に酸で加熱洗浄、イオン交換水
洗浄を行い、充分に乾燥させた白金皿にシリコーンラダ
ーポリマー20gを秤量し、ヒートブロック上で充分加熱
し、デシケーター内で放冷する。
洗浄を行い、充分に乾燥させた白金皿にシリコーンラダ
ーポリマー20gを秤量し、ヒートブロック上で充分加熱
し、デシケーター内で放冷する。
【0043】そののち、500℃の電気炉に30分いれ、さ
らに650℃に温度をあげ3〜5時間加熱灰化させ、そこ
へ濃フッ酸15ml、濃硝酸5ml加え、ヒートブロック上で
加熱する。フッ酸を完全に除去するため、濃硝酸5mlを
加えて加熱し、蒸発後、さらにバーナーで焼く。
らに650℃に温度をあげ3〜5時間加熱灰化させ、そこ
へ濃フッ酸15ml、濃硝酸5ml加え、ヒートブロック上で
加熱する。フッ酸を完全に除去するため、濃硝酸5mlを
加えて加熱し、蒸発後、さらにバーナーで焼く。
【0044】放冷後、5Nの濃硝酸10mlを加え、数十分
加熱し、金属成分を溶解させその溶解液を50mlメスフラ
スコへ移し、超純水で希釈する。上記溶液を用い、IC
P分析装置(セイコー電子工業(株)製のSPS-1200AR)
によりFe、Cu濃度を測定し、また原子吸光分析装置
((株)島津製作所のAA-670)によりNa、K濃度を測
定する。
加熱し、金属成分を溶解させその溶解液を50mlメスフラ
スコへ移し、超純水で希釈する。上記溶液を用い、IC
P分析装置(セイコー電子工業(株)製のSPS-1200AR)
によりFe、Cu濃度を測定し、また原子吸光分析装置
((株)島津製作所のAA-670)によりNa、K濃度を測
定する。
【0045】Pb濃度については、まず使用前に酸で加
熱洗浄、イオン交換水洗浄を行い、充分に乾燥させた白
金皿にシリコーンラダーポリマー20gを秤量し、ヒート
ブロック上で充分加熱し、デシケーター内で放冷する。
熱洗浄、イオン交換水洗浄を行い、充分に乾燥させた白
金皿にシリコーンラダーポリマー20gを秤量し、ヒート
ブロック上で充分加熱し、デシケーター内で放冷する。
【0046】そののち、濃硝酸10ml、濃硫酸5mlを加
え、ヒートブロック上で加熱放冷し、さらに濃フッ酸15
mlを加え、ヒートブロック上で加熱し、つぎにバーナー
で焼く。この工程を数回繰り返したのち、濃硝酸5mlを
加えて加熱し、フッ酸を完全に除去する。放冷後2Nの
硝酸5mlを加え、数十分加熱し、金属成分を溶解させ、
その溶解液を10mlメスフラスコへ移し、超純水で希釈す
る。上記溶液を用い、IPC分析装置によりPb濃度を
測定する。
え、ヒートブロック上で加熱放冷し、さらに濃フッ酸15
mlを加え、ヒートブロック上で加熱し、つぎにバーナー
で焼く。この工程を数回繰り返したのち、濃硝酸5mlを
加えて加熱し、フッ酸を完全に除去する。放冷後2Nの
硝酸5mlを加え、数十分加熱し、金属成分を溶解させ、
その溶解液を10mlメスフラスコへ移し、超純水で希釈す
る。上記溶液を用い、IPC分析装置によりPb濃度を
測定する。
【0047】Cl濃度については、充分に洗剤洗浄、イ
オン交換水洗浄を行い、乾燥させたテフロン製加圧分解
器に、シリコーンラダーポリマーワニス5gを秤量し、
超純水10mlを加え、密栓する。そののち、熱風循環式オ
ーブン中、160℃で数時間煮沸を行い、Clを抽出し、
分液ロートで水層を分取し、イオンクロマトグラフィー
分析装置(ディオネックス(DIONEX)社の2010i型)でC
l濃度を測定する。
オン交換水洗浄を行い、乾燥させたテフロン製加圧分解
器に、シリコーンラダーポリマーワニス5gを秤量し、
超純水10mlを加え、密栓する。そののち、熱風循環式オ
ーブン中、160℃で数時間煮沸を行い、Clを抽出し、
分液ロートで水層を分取し、イオンクロマトグラフィー
分析装置(ディオネックス(DIONEX)社の2010i型)でC
l濃度を測定する。
【0048】つぎに、一般式(I)で示される高純度シリ
コーンラダーポリマーでその重合度(n)が7〜1600の
ものの製法について説明する。
コーンラダーポリマーでその重合度(n)が7〜1600の
ものの製法について説明する。
【0049】前記nが5〜16のシリコーンラダーポリマ
ーを製造する段階までは、前記の方法と全く同様であ
る。
ーを製造する段階までは、前記の方法と全く同様であ
る。
【0050】前記プレポリマーは、前述したように有機
溶媒中に溶解した状態で存在するか、または粉末として
回収される。
溶媒中に溶解した状態で存在するか、または粉末として
回収される。
【0051】前記プレポリマーが有機溶媒に溶解した状
態のばあい、前記プレポリマーを含む有機溶媒溶液を用
いて、つぎの工程を行う。また前記プレポリマーを粉末
として回収したばあい、前記プレポリマーを有機溶媒に
溶解した有機溶媒溶液を用いてつぎの工程を行う。
態のばあい、前記プレポリマーを含む有機溶媒溶液を用
いて、つぎの工程を行う。また前記プレポリマーを粉末
として回収したばあい、前記プレポリマーを有機溶媒に
溶解した有機溶媒溶液を用いてつぎの工程を行う。
【0052】すなわち、前記プレポリマーを含む有機溶
媒に求核試薬を添加して脱水縮合せしめ、えられた高分
子量物を溶解再沈法により精製する。
媒に求核試薬を添加して脱水縮合せしめ、えられた高分
子量物を溶解再沈法により精製する。
【0053】まずはじめに、たとえばフッ素樹脂製撹拌
棒、還流冷却器およびデーンスタークトラップを備えた
石英ガラス製フラスコに前記プレポリマーを含む有機溶
媒を移し、つぎに、該フラスコ内に求核試薬を添加し、
加熱することにより脱水縮合せしめることができる。
棒、還流冷却器およびデーンスタークトラップを備えた
石英ガラス製フラスコに前記プレポリマーを含む有機溶
媒を移し、つぎに、該フラスコ内に求核試薬を添加し、
加熱することにより脱水縮合せしめることができる。
【0054】プレポリマーの粉末を溶解させる有機溶媒
としては、前記プレポリマーを溶解しうる非水系の有機
溶媒が用いられる。
としては、前記プレポリマーを溶解しうる非水系の有機
溶媒が用いられる。
【0055】かかる有機溶媒の具体例としては、たとえ
ば、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトンなど
のケトン類、ジエチルエーテル、イソプロピルエーテル
などのエーテル類、キシレン、トルエン、ベンゼンなど
の芳香族炭化水素などがあげられるが、これらのなかで
は、ケトン類、芳香族炭化水素が好ましい。また、前記
有機溶媒は電子工業用高純度薬品(ELグレード)が好
ましく、また、それらの1種または2種以上を混合して
用いることができる。
ば、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトンなど
のケトン類、ジエチルエーテル、イソプロピルエーテル
などのエーテル類、キシレン、トルエン、ベンゼンなど
の芳香族炭化水素などがあげられるが、これらのなかで
は、ケトン類、芳香族炭化水素が好ましい。また、前記
有機溶媒は電子工業用高純度薬品(ELグレード)が好
ましく、また、それらの1種または2種以上を混合して
用いることができる。
【0056】前記有機溶媒の量は、前記有機溶媒中のプ
レポリマーの含有量が、0.01〜0.5g/ml、さらには0.0
5〜0.25g/mlになるような量を使用するのが好まし
い。
レポリマーの含有量が、0.01〜0.5g/ml、さらには0.0
5〜0.25g/mlになるような量を使用するのが好まし
い。
【0057】前記求核試薬としては、K、Na、Csな
どの水酸化物があげられ、前記化合物としては、ELグ
レードの水酸化カリウム、水酸化ナトリウムなどが好ま
しく用いられる。前記求核試薬の量は、プレポリマーに
対して0.05〜5%(重量%、以下同様)、さらには0.1
〜3%であるのが好ましい。前記求核試薬が0.05%未満
であるばあい、触媒活性が小さくなってプレポリマーの
反応速度が小さくなり、また、5%をこえるばあい、求
核試薬の存在で生じるシロキサン結合の解離が優先し
て、高分子量化しなくなる傾向がある。
どの水酸化物があげられ、前記化合物としては、ELグ
レードの水酸化カリウム、水酸化ナトリウムなどが好ま
しく用いられる。前記求核試薬の量は、プレポリマーに
対して0.05〜5%(重量%、以下同様)、さらには0.1
〜3%であるのが好ましい。前記求核試薬が0.05%未満
であるばあい、触媒活性が小さくなってプレポリマーの
反応速度が小さくなり、また、5%をこえるばあい、求
核試薬の存在で生じるシロキサン結合の解離が優先し
て、高分子量化しなくなる傾向がある。
【0058】前記求核試薬は、たとえばELグレードの
メタノールを代表例とするアルコールなどの溶媒に溶解
して添加することができる。
メタノールを代表例とするアルコールなどの溶媒に溶解
して添加することができる。
【0059】このように求核試薬が添加されたのち、有
機触媒層中で、プレポリマーは還流下、脱水縮合され
る。このさい、還流温度は40〜250℃、さらには100〜20
0℃が好ましく、還流温度が40℃より低いばあい、反応
が進行しないばあいがあり、また、還流温度が250℃よ
り高いばあい、部分的に重合が促進されるばあいがあ
る。
機触媒層中で、プレポリマーは還流下、脱水縮合され
る。このさい、還流温度は40〜250℃、さらには100〜20
0℃が好ましく、還流温度が40℃より低いばあい、反応
が進行しないばあいがあり、また、還流温度が250℃よ
り高いばあい、部分的に重合が促進されるばあいがあ
る。
【0060】還流時間は、1時間以上、さらには5〜20
時間が好ましい。還流時間が1時間よりも短いばあいに
は、反応が進行しないばあいがある。
時間が好ましい。還流時間が1時間よりも短いばあいに
は、反応が進行しないばあいがある。
【0061】かくして重合度(n)が7〜1600である前
記一般式(I)で示されるシリコーンラダーポリマーがえ
られる。前記ポリマーの重合度(n)は、溶媒と触媒の
種類およびそれらの使用量ならびに縮合反応時間を適宜
選択することにより調整される。
記一般式(I)で示されるシリコーンラダーポリマーがえ
られる。前記ポリマーの重合度(n)は、溶媒と触媒の
種類およびそれらの使用量ならびに縮合反応時間を適宜
選択することにより調整される。
【0062】えられたシリコーンラダーポリマーには、
求核試薬が不純物として微量ながら含有されているので
溶解再沈法によって精製される。前記溶解再沈法とは、
不純物を含有する物質を良溶媒に溶解させた溶液を貧溶
媒に徐々に滴下して再沈澱させる精製方法をいう。
求核試薬が不純物として微量ながら含有されているので
溶解再沈法によって精製される。前記溶解再沈法とは、
不純物を含有する物質を良溶媒に溶解させた溶液を貧溶
媒に徐々に滴下して再沈澱させる精製方法をいう。
【0063】本発明において、前記良溶媒としては、た
とえばエーテル系の溶媒が用いられる。かかる良溶媒の
具体例としてはテトラヒドロフラン、1,4−ジオキサ
ンなどがあげられる。なお、前記良溶媒は高純度のシリ
コーンラダーポリマーを回収するために、あらかじめ蒸
留されたのちに開孔径が0.5μmのフィルターでろ過され
ていることが好ましい。
とえばエーテル系の溶媒が用いられる。かかる良溶媒の
具体例としてはテトラヒドロフラン、1,4−ジオキサ
ンなどがあげられる。なお、前記良溶媒は高純度のシリ
コーンラダーポリマーを回収するために、あらかじめ蒸
留されたのちに開孔径が0.5μmのフィルターでろ過され
ていることが好ましい。
【0064】本発明において、前記貧溶媒としては、ア
ルコール系の溶媒があげられ、その具体例としては、メ
チルアルコール、エチルアルコールなどがあげられる。
なお、該貧溶媒としては、ELグレードの高純度のもの
が好ましい。
ルコール系の溶媒があげられ、その具体例としては、メ
チルアルコール、エチルアルコールなどがあげられる。
なお、該貧溶媒としては、ELグレードの高純度のもの
が好ましい。
【0065】前記良溶媒は、前記シリコーンラダーポリ
マーを含む反応溶液中の前記シリコーンラダーポリマー
の濃度が2〜8%となるように使用される。かかるシリ
コーンラダーポリマーの濃度が2%未満であるばあい、
シリコーンラダーポリマーが再沈しがたく、精製するの
が困難な傾向が生じ、また8%をこえるばあい、濃度が
高すぎて求核試薬が分子間に取り込まれやすくなるため
に、再沈させて精製することが困難となる傾向が生ず
る。
マーを含む反応溶液中の前記シリコーンラダーポリマー
の濃度が2〜8%となるように使用される。かかるシリ
コーンラダーポリマーの濃度が2%未満であるばあい、
シリコーンラダーポリマーが再沈しがたく、精製するの
が困難な傾向が生じ、また8%をこえるばあい、濃度が
高すぎて求核試薬が分子間に取り込まれやすくなるため
に、再沈させて精製することが困難となる傾向が生ず
る。
【0066】かかる貧溶媒は、前記反応溶液量(容量)
に対して5〜20倍となるように使用されるのが好まし
い。前記貧溶媒の容量が5倍未満であるばあい、不純物
イオンを除去しがたくなり、また20倍をこえるばあい、
溶媒が無駄となる。なお、反応液が前記貧溶媒に徐々に
滴下されるのは、不純物イオンの除去を効率よくするた
めである。したがって、前記の滴下は0.5〜2時間程度
かけて行うのが好ましい。
に対して5〜20倍となるように使用されるのが好まし
い。前記貧溶媒の容量が5倍未満であるばあい、不純物
イオンを除去しがたくなり、また20倍をこえるばあい、
溶媒が無駄となる。なお、反応液が前記貧溶媒に徐々に
滴下されるのは、不純物イオンの除去を効率よくするた
めである。したがって、前記の滴下は0.5〜2時間程度
かけて行うのが好ましい。
【0067】かくして貧溶媒に添加することにより沈澱
され、回収されたシリコーンラダーポリマーは、さらに
前記と同様に良溶媒に溶解され、ついで貧溶媒に滴下し
て沈澱物として回収される。この精製の操作を3〜5回
くり返すと求核試薬の含有量は1ppm以下となる。
され、回収されたシリコーンラダーポリマーは、さらに
前記と同様に良溶媒に溶解され、ついで貧溶媒に滴下し
て沈澱物として回収される。この精製の操作を3〜5回
くり返すと求核試薬の含有量は1ppm以下となる。
【0068】かくしてえられたシリコーンラダーポリマ
ーを赤外分光法で分析することにより、Si−C6H5に
帰属される吸収ピークが1595cm-1と1430cm-1に、また前
記ポリマーが梯子型構造を有することを示すSi−O−
Siの非対称伸縮振動に帰属される吸収ピークが1135cm
-1と1045cm-1に、さらに低級アルキル基に帰属される吸
収ピークが2800〜3200cm-1に観測される。これらの結果
から前記ポリマーがシリコーンラダーポリマーであるこ
とが確認される。
ーを赤外分光法で分析することにより、Si−C6H5に
帰属される吸収ピークが1595cm-1と1430cm-1に、また前
記ポリマーが梯子型構造を有することを示すSi−O−
Siの非対称伸縮振動に帰属される吸収ピークが1135cm
-1と1045cm-1に、さらに低級アルキル基に帰属される吸
収ピークが2800〜3200cm-1に観測される。これらの結果
から前記ポリマーがシリコーンラダーポリマーであるこ
とが確認される。
【0069】かくして、ナトリウム、カリウム、鉄、
銅、鉛および塩素の各含有量が1ppm以下で、ウランお
よびトリウムの各含有量が1ppb以下であり、重合度
(n)が7〜1600の前記一般式(I)で示される高純度シ
リコーンラダーポリマーがえられる。
銅、鉛および塩素の各含有量が1ppm以下で、ウランお
よびトリウムの各含有量が1ppb以下であり、重合度
(n)が7〜1600の前記一般式(I)で示される高純度シ
リコーンラダーポリマーがえられる。
【0070】前記高純度シリコーンラダーポリマー中の
不純物は、イオンクロマトグラフィー分析装置、ICP
分析装置、原子吸光分析装置により測定することができ
る。測定方法は前記の方法と同様である。
不純物は、イオンクロマトグラフィー分析装置、ICP
分析装置、原子吸光分析装置により測定することができ
る。測定方法は前記の方法と同様である。
【0071】つぎに本発明の高純度シリコーンラダーポ
リマーおよびその製法を実施例に基づいてさらに詳細に
説明するが、本発明はかかる実施例のみに限定されるも
のではない。
リマーおよびその製法を実施例に基づいてさらに詳細に
説明するが、本発明はかかる実施例のみに限定されるも
のではない。
【0072】[実施例1〜7]原料のフェニルトリアル
コキシシランおよび種々の低級アルキルトリアルコキシ
シランを減圧窒素気流下で蒸留した。
コキシシランおよび種々の低級アルキルトリアルコキシ
シランを減圧窒素気流下で蒸留した。
【0073】表1に示す蒸留したフェニルトリアルコキ
シシラン、低級アルキルトリアルコキシシランおよびE
Lグレードの溶媒を表1に示す配合量で配合した溶液を
滴下漏斗、温度計および撹拌棒を取り付けた2Lの4つ
口フラスコへ移し、表1に示す温度(加水分解温度)に
冷却した。
シシラン、低級アルキルトリアルコキシシランおよびE
Lグレードの溶媒を表1に示す配合量で配合した溶液を
滴下漏斗、温度計および撹拌棒を取り付けた2Lの4つ
口フラスコへ移し、表1に示す温度(加水分解温度)に
冷却した。
【0074】つぎに冷却および撹拌下で表1に示すモル
比の塩化水素を含む表1に示す量の超純水を徐々に滴下
した。なお、前記塩化水素は試薬特級を用い、超純水は
比抵抗が16MΩ・cmのものを用いた。滴下は1〜2時間
かけて行ったがこのときの発熱はあまり激しくなかっ
た。滴下終了後、3時間撹拌を継続し、共加水分解反応
を完結させた。
比の塩化水素を含む表1に示す量の超純水を徐々に滴下
した。なお、前記塩化水素は試薬特級を用い、超純水は
比抵抗が16MΩ・cmのものを用いた。滴下は1〜2時間
かけて行ったがこのときの発熱はあまり激しくなかっ
た。滴下終了後、3時間撹拌を継続し、共加水分解反応
を完結させた。
【0075】このプレポリマー溶液を分液漏斗に移し静
置してプレポリマー溶液を2層に分離させ、下層の水層
を除去し、プレポリマーを含む有機層を回収した。この
有機層に前記有機層と同体積の超純水を加えて振とうし
て洗浄した。この操作を5回くり返した。
置してプレポリマー溶液を2層に分離させ、下層の水層
を除去し、プレポリマーを含む有機層を回収した。この
有機層に前記有機層と同体積の超純水を加えて振とうし
て洗浄した。この操作を5回くり返した。
【0076】洗浄後のプレポリマーに含有された不純物
量をイオンクロマトグラフィー分析装置(横河北辰電機
(株)製、品番IC-500)により分析したところ、実施例
1〜7でえられたプレポリマー中に塩素イオンの含有量
はいづれも1回目の洗浄後では約1000ppm、3回目の洗
浄後では1ppm以下であった。また、カリウムイオン濃
度も洗浄に伴い減少し、3回目の洗浄後には、1ppm以
下であった。
量をイオンクロマトグラフィー分析装置(横河北辰電機
(株)製、品番IC-500)により分析したところ、実施例
1〜7でえられたプレポリマー中に塩素イオンの含有量
はいづれも1回目の洗浄後では約1000ppm、3回目の洗
浄後では1ppm以下であった。また、カリウムイオン濃
度も洗浄に伴い減少し、3回目の洗浄後には、1ppm以
下であった。
【0077】つぎに実施例1〜7でえられた各プレポリ
マーの重量平均分子量をゲルパーミエーションクロマト
グラフィー(日本分光(株)製、品番TRI-ROTAR-IV)に
て測定した。その結果を表2に示す。また、3回洗浄し
た後のプレポリマーの不純物量をイオンクロマトグラフ
ィー分析装置、ICP分析装置、原子吸光分析装置で測
定したところ、表2に示すようにナトリウム、カリウ
ム、鉄、銅、鉛および塩素の各含有量が1ppm以下であ
り、ウラン、トリウムの各含有量が1ppb以下であっ
た。測定方法は前記の方法と同様である。
マーの重量平均分子量をゲルパーミエーションクロマト
グラフィー(日本分光(株)製、品番TRI-ROTAR-IV)に
て測定した。その結果を表2に示す。また、3回洗浄し
た後のプレポリマーの不純物量をイオンクロマトグラフ
ィー分析装置、ICP分析装置、原子吸光分析装置で測
定したところ、表2に示すようにナトリウム、カリウ
ム、鉄、銅、鉛および塩素の各含有量が1ppm以下であ
り、ウラン、トリウムの各含有量が1ppb以下であっ
た。測定方法は前記の方法と同様である。
【0078】つぎに実施例1〜7でえられた各プレポリ
マーの構造を赤外分光法(日本分光(株)製、品番FT/I
R-111型)で調べたところ、1100cm-1付近にシロキサン
結合のダブルピークが見られ(ジャーナル オブ ポリ
マーサイエンス 1963年 C-1巻83頁参照)ことから、
これらのプレポリマーはいづれも一般式(I):
マーの構造を赤外分光法(日本分光(株)製、品番FT/I
R-111型)で調べたところ、1100cm-1付近にシロキサン
結合のダブルピークが見られ(ジャーナル オブ ポリ
マーサイエンス 1963年 C-1巻83頁参照)ことから、
これらのプレポリマーはいづれも一般式(I):
【0079】
【化8】 (式中、R1〜R4はそれぞれ水素原子または低級アルキ
ル基、nは5〜16の自然数、R5およびR6はそれぞれフ
ェニル基または低級アルキル基を示し、5〜16個あるR
5およびR6はそれぞれ同一であってもよいし、異なって
いてもよい)で表される構造を有する化合物の1つであ
ることが確認された。
ル基、nは5〜16の自然数、R5およびR6はそれぞれフ
ェニル基または低級アルキル基を示し、5〜16個あるR
5およびR6はそれぞれ同一であってもよいし、異なって
いてもよい)で表される構造を有する化合物の1つであ
ることが確認された。
【0080】[比較例1〜4]表1に示す配合量、加水
分解温度とするほかは、実施例1〜7と同様にして表1
に示すフェニルトリアルコキシシラン、低級アルキルト
リアルコキシシランの共加水分解を行った。比較例1お
よび3では、加水分解温度が−5℃と低く、滴下した超
純水は凝固して加水分解反応が進行せず、分子量がきわ
めて小さかった。また比較例2および4では、加水分解
温度が40℃と高く、超純水と共に滴下する塩化水素の蒸
発が激しく、このばあいも加水分解反応は進行しなかっ
た。したがって、溶液は水洗によって精製することはで
きなかった。
分解温度とするほかは、実施例1〜7と同様にして表1
に示すフェニルトリアルコキシシラン、低級アルキルト
リアルコキシシランの共加水分解を行った。比較例1お
よび3では、加水分解温度が−5℃と低く、滴下した超
純水は凝固して加水分解反応が進行せず、分子量がきわ
めて小さかった。また比較例2および4では、加水分解
温度が40℃と高く、超純水と共に滴下する塩化水素の蒸
発が激しく、このばあいも加水分解反応は進行しなかっ
た。したがって、溶液は水洗によって精製することはで
きなかった。
【0081】
【表1】
【0082】
【表2】 [実施例8〜14]実施例1〜7の方法にしたがって表
3の配合量で合成した高純度プレポリマーを含む溶液を
テフロン撹拌棒、デーンスタークトラップおよび温度計
をつけた2Lの石英ガラス製の4つ口フラスコに移し、
メタノール(ELグレード)に溶解した濃度0.1 g/ml
のKOH溶液を表4に示すように求核試薬として添加し
て、還流下で表4に示す時間、脱水縮合反応を行った。
3の配合量で合成した高純度プレポリマーを含む溶液を
テフロン撹拌棒、デーンスタークトラップおよび温度計
をつけた2Lの石英ガラス製の4つ口フラスコに移し、
メタノール(ELグレード)に溶解した濃度0.1 g/ml
のKOH溶液を表4に示すように求核試薬として添加し
て、還流下で表4に示す時間、脱水縮合反応を行った。
【0083】所定の時間加熱した反応溶液は放冷後、高
分子量シリコーンポリマーの含有量が表4に示す濃度と
なるようにテトラヒドロフラン(試薬特級)を加え、充
分に撹拌して溶液としたのち、10倍量のメチルアルコー
ル(ELグレード)に滴下し、高分子量のシリコーンラ
ダーポリマーの沈澱物を回収した。沈澱物を乾燥後、前
記と同じ所定の濃度のテトラヒドロフランを溶液とし、
沈澱させてシリコーンラダーポリマーを回収した。この
操作を4回くり返した。
分子量シリコーンポリマーの含有量が表4に示す濃度と
なるようにテトラヒドロフラン(試薬特級)を加え、充
分に撹拌して溶液としたのち、10倍量のメチルアルコー
ル(ELグレード)に滴下し、高分子量のシリコーンラ
ダーポリマーの沈澱物を回収した。沈澱物を乾燥後、前
記と同じ所定の濃度のテトラヒドロフランを溶液とし、
沈澱させてシリコーンラダーポリマーを回収した。この
操作を4回くり返した。
【0084】このようにして合成した高分子量シリコー
ンラダーポリマーの重量平均分子量をゲルパーミエーシ
ョンクロマトグラフィー(日本分光(株)製、品番TRI-
ROTAR-IV)にて測定し、ナトリウムイオン、カリウムイ
オン、鉄イオン、銅イオン、鉛イオン濃度を原子吸光分
析装置、ICP分析装置により分析し、また塩素イオン
濃度をイオンクロマトグラフィー分析装置により分析し
た。分析方法は前記の方法と同様である。また、放射性
元素のウラン、トリウムの各濃度を分光蛍光光度計
((株)日立製作所製、品番MPF-4)で分析した。その
結果を表5に示す。
ンラダーポリマーの重量平均分子量をゲルパーミエーシ
ョンクロマトグラフィー(日本分光(株)製、品番TRI-
ROTAR-IV)にて測定し、ナトリウムイオン、カリウムイ
オン、鉄イオン、銅イオン、鉛イオン濃度を原子吸光分
析装置、ICP分析装置により分析し、また塩素イオン
濃度をイオンクロマトグラフィー分析装置により分析し
た。分析方法は前記の方法と同様である。また、放射性
元素のウラン、トリウムの各濃度を分光蛍光光度計
((株)日立製作所製、品番MPF-4)で分析した。その
結果を表5に示す。
【0085】表5からわかるように高純度のシリコーン
ラダーポリマーがえられた。また、不純物イオン濃度は
再沈回数の増加に伴い減少した。
ラダーポリマーがえられた。また、不純物イオン濃度は
再沈回数の増加に伴い減少した。
【0086】[比較例5〜8]比較例1〜4にしたがっ
て表3に示すフェニルトリアルコキシシラン、低級アル
キルトリアルコキシシランの共加水分解を行った。
て表3に示すフェニルトリアルコキシシラン、低級アル
キルトリアルコキシシランの共加水分解を行った。
【0087】えられた加水分解物は、低分子量のために
水洗によっては精製することはできず、そのまま表4に
示す量のKOHを求核試薬として添加し、所定時間加熱
して脱水縮合反応を行った。
水洗によっては精製することはできず、そのまま表4に
示す量のKOHを求核試薬として添加し、所定時間加熱
して脱水縮合反応を行った。
【0088】加水分解物はわずかに重合したので、水洗
によって精製したが、表5に示すように不純物濃度は高
かった。
によって精製したが、表5に示すように不純物濃度は高
かった。
【0089】
【表3】
【0090】
【表4】
【0091】
【表5】 表1〜2および表3〜5の結果より、本発明の製造方法
によれば、ナトリウム、カリウム、塩素、鉄、銅、鉛、
ウランおよびトリウムといった不純物の含有量がきわめ
て少ない、高純度でまた高分子量のシリコーンラダーポ
リマーをうることができることがわかった。
によれば、ナトリウム、カリウム、塩素、鉄、銅、鉛、
ウランおよびトリウムといった不純物の含有量がきわめ
て少ない、高純度でまた高分子量のシリコーンラダーポ
リマーをうることができることがわかった。
【0092】
【発明の効果】本発明の高純度シリコーンラダーポリマ
ーは前記のように極めて高純度であり、重量平均分子量
が10万以上の高分子量ポリマーのばあい厚膜を形成する
ことができ、半導体の表面保護膜、層間絶縁膜などに好
適に使用することができる。また、前記シリコーンラダ
ーポリマーを半導体に用いることにより、半導体素子の
信頼性が向上する。
ーは前記のように極めて高純度であり、重量平均分子量
が10万以上の高分子量ポリマーのばあい厚膜を形成する
ことができ、半導体の表面保護膜、層間絶縁膜などに好
適に使用することができる。また、前記シリコーンラダ
ーポリマーを半導体に用いることにより、半導体素子の
信頼性が向上する。
【0093】本発明の製法によれば、きわめて高純度の
シリコーンラダーポリマーを製造することができる。
シリコーンラダーポリマーを製造することができる。
Claims (3)
- 【請求項1】 ナトリウム、カリウム、鉄、銅、鉛およ
び塩素の各含有量が1ppm以下であり、ウランおよびト
リウムの各含有量が1ppb以下である一般式(I): 【化1】 (式中、R1〜R4はそれぞれ水素原子または低級アルキ
ル基、nは5〜1600の自然数、R5およびR6はそれぞれ
フェニル基または低級アルキル基を示し、5〜1600個あ
るR5およびR6はそれぞれ同一であってもよいし、異な
っていてもよい)で表される高純度シリコーンラダーポ
リマー。 - 【請求項2】 一般式(II): C6H5Si(OR7 )3 (II) (式中、R7は低級アルキル基を示す)で表されるフェ
ニルトリアルコキシシランおよび一般式(III): R8Si(OR7 )3 (III) (式中、R7およびR8はそれぞれ低級アルキル基を示
す)で表される低級アルキルトリアルコキシシランの混
合物を有機溶媒に溶解し、塩化水素を含有する超純水を
用いて冷却下で共加水分解したのち、えられた共加水分
解物を超純水で洗浄することを特徴とする、ナトリウ
ム、カリウム、鉄、銅、鉛および塩素の各含有量が1pp
m以下であり、ウランおよびトリウムの各含有量が1ppb
以下である一般式(I): 【化2】 (式中、R1〜R4はそれぞれ水素原子または低級アルキ
ル基、nは5〜16の自然数、R5およびR6はそれぞれフ
ェニル基または低級アルキル基を示し、5〜16個あるR
5およびR6はそれぞれ同一であってもよいし、異なって
いてもよい)で表される高純度シリコーンラダーポリマ
ーの製法。 - 【請求項3】 一般式(II): C6H5Si(OR7 )3 (II) (式中、R7は低級アルキル基を示す)で表されるフェ
ニルトリアルコキシシランおよび一般式(III): R8Si(OR7 )3 (III) (式中、R7およびR8はそれぞれ低級アルキル基を示
す)で表される低級アルキルトリアルコキシシランの混
合物を有機溶媒に溶解し、塩化水素を含有する超純水を
用いて冷却下で共加水分解したのち、えられた共加水分
解物を超純水で洗浄し、さらに前記洗浄により中和した
共加水分解物を含む溶液に求核試薬を添加して脱水縮合
せしめてえられた高分子量物を溶解再沈法によって精製
することを特徴とする、ナトリウム、カリウム、鉄、
銅、鉛および塩素の各含有量が1ppm以下であり、ウラ
ンおよびトリウムの各含有量が1ppb以下である一般式
(I): 【化3】 (式中、R1〜R4はそれぞれ水素原子または低級アルキ
ル基、nは7〜1600の自然数、R5およびR6はそれぞれ
フェニル基または低級アルキル基を示し、7〜1600個あ
るR5およびR6はそれぞれ同一であってもよいし、異な
っていてもよい)で表される高純度シリコーンラダーポ
リマーの製法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20899492A JPH0656998A (ja) | 1992-08-05 | 1992-08-05 | 高純度シリコーンラダーポリマーおよびその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20899492A JPH0656998A (ja) | 1992-08-05 | 1992-08-05 | 高純度シリコーンラダーポリマーおよびその製法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0656998A true JPH0656998A (ja) | 1994-03-01 |
Family
ID=16565565
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20899492A Pending JPH0656998A (ja) | 1992-08-05 | 1992-08-05 | 高純度シリコーンラダーポリマーおよびその製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0656998A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6849209B2 (en) * | 2000-02-25 | 2005-02-01 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Article having predetermined surface shape and method for production thereof |
JP2005338380A (ja) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 反射防止膜形成用組成物、該反射防止膜形成用組成物からなる反射防止膜、および該反射防止膜形成用組成物を用いたレジストパターン形成方法 |
JP2009060007A (ja) * | 2007-09-03 | 2009-03-19 | Sekisui Chem Co Ltd | シルセスキオキサン系絶縁膜の製造方法 |
-
1992
- 1992-08-05 JP JP20899492A patent/JPH0656998A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6849209B2 (en) * | 2000-02-25 | 2005-02-01 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Article having predetermined surface shape and method for production thereof |
JP2005338380A (ja) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 反射防止膜形成用組成物、該反射防止膜形成用組成物からなる反射防止膜、および該反射防止膜形成用組成物を用いたレジストパターン形成方法 |
JP4563076B2 (ja) * | 2004-05-26 | 2010-10-13 | 東京応化工業株式会社 | 反射防止膜形成用組成物、該反射防止膜形成用組成物からなる反射防止膜、および該反射防止膜形成用組成物を用いたレジストパターン形成方法 |
JP2009060007A (ja) * | 2007-09-03 | 2009-03-19 | Sekisui Chem Co Ltd | シルセスキオキサン系絶縁膜の製造方法 |
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