JP2003077674A - 有機電界発光素子 - Google Patents
有機電界発光素子Info
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Abstract
可能な有機電界発光素子を提供する。 【解決手段】 基板1上に、陽極2及び陰極8に挟持さ
れた発光層5を有する有機電界発光素子。発光層5は、
(1)電子輸送性および/または正孔輸送性を有するホ
スト材料、(2)室温で、燐光発光を示す化合物A、及
び、(3)室温で、燐光発光および/または蛍光発光を
示す化合物Bを含有し、該素子の最大発光波長が上記
(3)由来であることを特徴とする。(3)由来の発光
が(2)によって強められ、発光効率が向上すると共
に、(3)として蛍光化合物を選択することにより、素
子の輝度の経時劣化も抑制することができる。
Description
関するものであり、詳しくは、有機化合物から成る発光
層に電界をかけて光を放出する薄膜型デバイスに関する
ものである。
しては、無機材料のII−VI族化合物半導体であるZn
S、CaS、SrS等に、発光中心であるMnや希土類
元素(Eu、Ce、Tb、Sm等)をドープしたものが
一般的であるが、上記の無機材料から作製したEL素子
は、 1)交流駆動が必要(50〜1000Hz)、 2)駆動電圧が高い(〜200V)、 3)フルカラー化が困難(特に青色)、 4)周辺駆動回路のコストが高い、 という問題点を有している。
有機薄膜を用いたEL素子の開発が行われるようになっ
た。特に、発光効率を高めるため、電極からのキャリア
ー注入の効率向上を目的として電極の種類の最適化を行
い、芳香族ジアミンから成る正孔輸送層と8−ヒドロキ
シキノリンのアルミニウム錯体から成る発光層とを設け
た有機電界発光素子の開発(Appl. Phys. Lett., 51巻,
913頁,1987年)により、従来のアントラセン等の単結
晶を用いたEL素子と比較して発光効率の大幅な改善が
なされている。また、例えば、8−ヒドロキシキノリン
のアルミニウム錯体をホスト材料として、クマリン等の
レーザー用蛍光色素をドープすること(J. Appl. Phy
s., 65巻, 3610頁,1989年)で、発光効率の向上や発光
波長の変換等も行われており、実用特性に近づいてい
る。
子の他にも、発光層の材料として、ポリ(p−フェニレ
ンビニレン)、ポリ[2-メトキシ-5-(2-エチルヘキシル
オキシ)-1,4-フェニレンビニレン]、ポリ(3-アルキル
チオフェン)等の高分子材料を用いた電界発光素子の開
発や、ポリビニルカルバゾール等の高分子に低分子の発
光材料と電子移動材料を混合した素子の開発も行われて
いる。
ではなく燐光を用いることも検討されている。燐光を用
いる、即ち、三重項励起状態からの発光を利用すれば、
従来の蛍光(一重項)を用いた素子と比べて、3倍程度
の効率向上が期待される。この目的のためにクマリン誘
導体やベンゾフェノン誘導体を発光層とすることが検討
されたが(第51回応用物理学会連合講演会、28a-PB-7、
1990年)、極めて低い輝度しか得られなかった。その
後、三重項状態を利用する試みとして、ユーロピウム錯
体を用いることが検討されてきたが、これも高効率の発
光には至らなかった。
いることで、高効率の赤色発光が可能なことが報告され
た(Nature, 395巻,151頁,1998年)。その後、以下に
示すイリジウム錯体(T−2)を発光層にドープするこ
とで、さらに緑色発光で効率が大きく改善されている
(Appl. Phys. Lett., 75巻,4頁,1999年)。
ラットパネル・ディスプレイ等の表示素子、さらには蛍
光灯や標識灯等の光源として応用するためには、素子の
発光効率をさらに改善する必要がある。
用いた有機電界発光素子は比較的高効率で発光するが、
(T−1)を用いた有機電界発光素子は、(T−2)を
用いた素子と比較して、発光効率が低い。この主な原因
は、発光層中のホスト材料と燐光物質の関係にあると推
定される。
生成確率は3倍あり、そのため、三重項励起子からの発
光(すなわち燐光)を利用できれば発光効率は向上す
る。しかし、燐光性物質単独では膜の安定性が悪く、電
極から注入された電荷(正孔・電子)の移動度が低いた
め、発光効率が上がらない。また、ホスト材料単独では
三重項励起子からの発光はなく、そのほとんどは熱とな
って失活するため、発光効率が上がらない。これを解決
する方法として、発光層として、蛍光性を示すホスト材
料中に燐光性物質を分散させる方法がとられている。
励起子を燐光性物質の三重項励起子として利用し、これ
を発光させるものである。しかし、この方法はエネルギ
ー移動を伴うため、ホスト材料中の励起三重項準位と燐
光性物質の励起三重項準位が近くないとエネルギー移動
確率が低くなり、発光に寄与しなくなる。前述の(T−
1)および(T−2)を用いた素子の場合は、使用した
ホスト材料の励起三重項準位は(T−2)の励起三重項
準位の方に近いと考えられる。
を利用した有機電界発光素子において、単独では高効率
で発光しない燐光材料を、高輝度かつ高効率に発光させ
る方法につき検討した。
・ディスプレイ等の表示素子に応用するためには、素子
の発光効率を改善すると同時に駆動時の安定性を十分に
確保する必要がある。しかしながら、前述の文献に記載
の燐光分子(T−2)を用いた有機電界発光素子は、高
効率発光ではあるが、駆動安定性が実用には不十分であ
り(Jpn. J. Appl. Phys.,38巻,L1502頁,1999年)、
高効率な表示素子の実現は困難な状況である。
化によると推定される。
率で電子−正孔対(励起子)となる。一般に、三重項励
起子による発光(燐光)は一重項励起子による発光(蛍
光)に比べその寿命が長く、逆に、一重項励起子の方が
三重項励起子よりも熱的な安定性は高い。
入される電荷は増え、それに伴い励起子とならない電荷
の量も増加する。また励起子となったものの中でも発光
層中で発光に寄与せず熱失活するものが増加するため、
発光層の温度が上昇する。
子と比較して熱的安定性に劣ることから、素子が劣化す
ると考えられる。このことは燐光分子(T−2)を用い
た有機電界発光素子の発光効率が、注入電流の上昇とと
もに大きく低下する事からも推定される(Appl. Phys.,
Lett., 75巻,4頁,1999年)。
光素子は、実用化に向けて素子の駆動安定性に大きな問
題を抱えているのが実状である。
・ディスプレイ等の表示素子に応用するためには、多色
表示を実現する必要がある。最近は、有機電界発光素子
の用途として有望な携帯電話などの小型表示素子にも多
色表示が求められている。
ルカラー表示等の多色表示を実現する方法としては、従
来より 1)赤(R)、緑(G)、青(B)等、所望の色を発光
画素とする方法 2)白色発光層の上にカラーフィルターを配置し、発光
色を着色する方法 3)青色発光層の上に蛍光変換層を配置し、発光色を変
換する方法等が提案されている。
などのように、発光を吸収する層がないため光の利用効
率が高く、高効率な自発光型多色表示素子として理想的
である。しかし、この方法は各発光色に適した材料を各
々揃える必要がある。
8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体をホスト材
料として、クマリン等のレーザー用蛍光色素をドープす
ること(J. Appl. Phys.,65巻,3610頁,1989年)で、
発光波長の変換が行われている。
をドーピングする方法は、いずれも一重項励起子による
発光を利用するため、前述したように、原理的に励起子
の生成確率が低く、十分な発光効率が得られていない。
また、(T−1)や(T−2)のような燐光分子を用い
る方法は、室温で燐光発光する分子自体が非常に少ない
のが現状であり、所望の色を揃えるには至っていない。
高い駆動安定性を有し、多色表示可能な有機電界発光素
子を実現すべく検討し、本発明に至った。
子は、基板上に、陽極および陰極に挟持された発光層を
有する有機電界発光素子において、該発光層が、 (1)電子輸送性および/または正孔輸送性を有するホ
スト材料 (2)室温で、燐光発光を示す化合物A及び (3)室温で、燐光発光または蛍光発光を示し、かつ、
その最大発光波長が上記化合物Aの最大発光波長より長
波長である化合物B を含有し、該素子の最大発光波長が上記化合物Bに由来
することを特徴とする。
の高い発光効率を示さない、蛍光化合物 である、上記構成要素(3)の化合物Bに対し、構成要
素(2)の、室温で燐光発光を示す化合物Aを併用する
ことにより、化合物Aが増感剤の役割を果たし、化合物
Bの発光が強められることを見出した。そして、この結
果として、多様な発光色の素子を得ることができ、有機
電界発光素子を用いたマルチカラー表示やフルカラー表
示のフラットパネル・ディスプレイを実現する上で極め
て有効な有機電界発光素子を実現した。
合物である場合、輝度の劣化と発光効率低下の抑制効果
もあるため好ましい。そして、燐光発光化合物Aと併用
することにより、蛍光化合物B由来の発光色を示す、燐
光発光に近い発光効率を実現することが可能であり、同
時に、燐光発光素子において顕著な、輝度の経時劣化
と、高輝度での発光時の発光効率の低下を抑制し、駆動
安定性を高めることが可能である。
の実施の形態を詳細に説明する。
スト材料 (2)室温で、燐光発光を示す化合物A及び (3)室温で、燐光発光または蛍光発光を示し、かつ、
その最大発光波長が上記化合物Aの最大発光波長より長
波長である化合物B を含有し、化合物B由来の最大発光波長を有するもので
あり、好ましくはホスト材料を主成分として、化合物A
およびBを副成分として含む発光層を有する有機電界発
光素子である。
材料のうち50重量%以上を占めるものを意味し、「副
成分」とは該発光層を形成する材料のうち50重量%未
満を占めるものを意味する。即ち、「化合物AおよびB
を副成分とする」とは、化合物Aと化合物Bの総量が、
発光層形成材料の50重量%未満であることを意味す
る。
の励起三重項準位、および、化合物Bの励起三重項準位
(化合物Bが燐光化合物の場合)または励起一重項準位
(化合物Bが蛍光化合物の場合)より高いエネルギー状
態の励起三重項準位を有することが好ましい。
転移温度(Tg)を有し、正孔および/または電子を効
率良く輸送することができる化合物であることが必要で
ある。
り、トラップとなったり発光を消光したりする不純物が
製造時や使用時に発生しにくい化合物であることが要求
される。
は、例えば下記一般式(I)または(II)で表わされる
化合物、もしくは下記一般式(III)で表わされる基を
有する化合物が挙げられる。
ニレン基は任意の置換基を有していても良い。Z1は直
接結合または2価の連結基を示す。)
3族、12族、または13族から選ばれる金属を表わ
し、nは該金属の価数を表わす。Lは任意の置換基を表
わし、jは置換基Lの数を表わし0または1である。X
2は炭素原子または窒素原子を表わす。環Aは含窒素複
素環を示し、置換基を有していても良い。環Bは芳香族
炭化水素環または芳香族複素環を示し、置換基を有して
いても良い。)
立に、水素原子または任意の置換基を表わし、R51と
R52、R53とR54はそれぞれ結合して環を形成し
ていても良い。X3は酸素原子または硫黄原子を示
す。)
ルカルバゾール骨格を有する化合物として、好ましくは
下記一般式(I−1)で表わされる化合物が挙げられ
る。
に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル
基、アルケニル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、ア
ルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ
基、アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、ハロアル
キル基、水酸基、アリールオキシ基、置換基を有してい
ても良い芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基を表
わし、R1 とR2 、R3 とR4 、R5 とR6 、R7 とR
8 、R9 とR10、R11とR12、R13とR14,R15とR16
はそれぞれ互いに結合して環を形成しても良い。Z1は
直接結合または2価の連結基を示す。)
的には水素原子;塩素原子、フッ素原子などのハロゲン
原子;メチル基、エチル基等の炭素数1〜6のアルキル
基;ベンジル基等のアラルキル基;ビニル基等の炭素数
2〜6のアルケニル基;シアノ基;アミノ基;アシル
基;メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の
炭素数2〜6のアルコキシカルボニル基;カルボキシル
基;メトキシ基、エトキシ基等の炭素数1〜6のアルコ
キシ基;ジエチルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基等
のアルキルアミノ基;ジベンジルアミノ基、ジフェネチ
ルアミノ基などのアラルキルアミノ基;トリフルオロメ
チル基等のハロアルキル基;水酸基;フェノキシ基、ベ
ンジルオキシ基などのアリールオキシ基;置換基を有し
ていても良いフェニル基、ナフチル基等の芳香族炭化水
素環基;置換基を有していても良いチエニル基、ピリジ
ル基等の芳香族複素環基が挙げられる。
環基が有し得る置換基としては、フッ素原子等のハロゲ
ン原子;メチル基、エチル基等の炭素数1〜6のアルキ
ル基;ビニル基等の炭素数2〜6のアルケニル基;メト
キシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の炭素数2
〜6のアルコキシカルボニル基;メトキシ基、エトキシ
基等の炭素数1〜6のアルコキシ基;フェノキシ基、ベ
ンジルオキシ基などのアリールオキシ基;ジメチルアミ
ノ基、ジエチルアミノ基等のアルキルアミノ基;アセチ
ル基等のアシル基;トリフルオロメチル基等のハロアル
キル基;シアノ基などが挙げられる。
6 、R7 とR8 、R9 とR10、R11とR12、R13 とR
14 、R15 とR16 はそれぞれ隣接する置換基同士で結
合し、ベンゼン環、シクロヘキサン環等の5〜7員環を
形成していても良い。
水素原子、アルキル基、またはシアノ基である。
1として、好ましくは直接結合、酸素原子、硫黄原子、
以下に示す連結基、
たは芳香族複素環基、または、以下の連結基のいずれか
が挙げられる。
も任意の置換基を有していて良く、またAr1〜Ar6は置
換基を有していても良い芳香族炭化水素環基または芳香
族複素環基、または以下の一般式(I−2)で表される
基が挙げられる。
ェニレン基は、任意の置換基を有していても良い。)
1の好ましい連結基のうち、芳香族炭化水素環基として
は、フェニレン基、ナフチレン基、アントラニル基、ナ
フタセン基等の、5〜6員環の単環または2〜4縮合環
が挙げられ、芳香族複素環基としては、2価のチオフェ
ン環残基、フラン環残基、ピリジン環残基、ピリミジン
環残基またはキノリン環残基等の、5〜6員環の単環ま
たは2〜3縮合環が挙げられる。
複素環基は、メチル基、エチル基等の炭素数1〜6のア
ルキル基、フッ素原子等のハロゲン原子、トリフルオロ
メチル基等のα−ハロアルキル基等の置換基を有しても
良い。
基、ナフチル基、アントラニル基、ナフタセニル基等
の、5〜6員環の単環または2〜4縮合環である芳香族
炭化水素環基、またはチエニル基、フリル基、ピリジル
基、ピリミジニル基、キノリル基等の、5〜6員環の単
環または2〜3縮合環である芳香族複素環基が挙げられ
る。これらの芳香族炭化水素環基および芳香族複素環基
は、メチル基、エチル基等のアルキル基、フッ素原子等
のハロゲン原子、トリフルオロメチル基等のα−ハロア
ルキル基等の置換基を有しても良い。
ましくは下記式(I−3)で表わされる。
に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル
基、アルケニル基、シアノ基、置換基を有していても良
いアミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カル
ボキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アラル
キルアミノ基、ハロアルキル基、水酸基、アリールオキ
シ基、置換基を有していても良い芳香族炭化水素環基ま
たは芳香族複素環基を表わし、R17とR18、R19と
R20,R21とR22,R23とR24はそれぞれ互いに結合し
て環を形成していても良い。)
して、具体的には、水素原子;ハロゲン原子;メチル
基、エチル基等の炭素数1〜6のアルキル基;ベンジル
基等のアラルキル基;ビニル基等の炭素数2〜6のアル
ケニル基;シアノ基;アミノ基;アシル基;メトキシカ
ルボニル基、エトキシカルボニル基等の炭素数2〜6の
アルコキシカルボニル基;カルボキシル基;メトキシ
基、エトキシ基等の炭素数1〜6のアルコキシ基;ジエ
チルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基等のアルキルア
ミノ基;ジベンジルアミノ基、ジフェネチルアミノ基な
どのアラルキルアミノ基;トリフルオロメチル基等のハ
ロアルキル基;水酸基;フェノキシ基、ベンジルオキシ
基などのアリールオキシ基;置換基を有していても良い
フェニル基、ナフチル基等の芳香族炭化水素環基;置換
基を有していても良いチエニル基、ピリジル基等の芳香
族複素環基が挙げられる。
環基が有し得る置換基としては、フッ素原子等のハロゲ
ン原子;メチル基、エチル基等の炭素数1〜6のアルキ
ル基;ビニル基等の炭素数2〜6のアルケニル基;メト
キシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の炭素数2
〜6のアルコキシカルボニル基;メトキシ基、エトキシ
基等の炭素数1〜6のアルコキシ基;フェノキシ基、ベ
ンジルオキシ基などのアリールオキシ基;ジメチルアミ
ノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基、アセ
チル基等のアシル基;トリフルオロメチル基等のハロア
ルキル基;シアノ基などが挙げられる。
R22,R23とR24はそれぞれ隣接する置換基同士で結合
し、ベンゼン環やシクロヘキサン環などの5〜7員環を
形成していても良い。
ましい具体例を以下に示すが、これらに限定するもので
はない。
けるホスト材料として前記一般式(II)で表わされる有
機金属錯体化合物を使用しても良い。前記一般式(II)
で表わされるホスト材料としては、特に下記一般式(II
−1)で表わされる有機金属錯体や、下記一般式(II−
2)で表わされる混合配位子錯体、または下記一般式
(II−3)で表わされる二核金属錯体が好ましい。
金属を表わし、n、X2、環Aおよび環Bは一般式(I
I)におけると同義である。)
わし、X2、環Aおよび環Bは一般式(II)におけると
同義である。L1は下記一般式(II−2a)、(II−2
b)または(II−2c)を表わす。)
c)式中、Ar11〜Ar15は置換基を有していても
良い芳香族炭化水素環基または置換基を有していても良
い芳香族複素環基を表わし、Z2はシリコンまたはゲル
マニウムを表わす。)
価の金属を表わし、X2、環A及び環Bは一般式(II)
におけると同義であり、X2’はX2と、環A’は環A
と、また環B’は環Bとそれぞれ同義である。)
(II−3)で表わされる化合物1分子中に含まれる、複
数の下記構造部分
存在する下記構造部分
は、環A、環A’、環B、環B’、X2およびX2’)
は、同じであっても良いし、異なっていても良い。合成
が容易である点からは、すべて同じであることが好まし
い。
合物におけるM3およびM3’も、同じであっても異な
っていても良く、合成が容易である点からは、同じであ
ることが好ましい。
−3)で表わされる化合物の環A、環A’、環B、およ
び環B’は、それぞれ下記のものから選ばれるものが好
ましい。 [環Aおよび環A’]置換基を有していても良い5員環
または6員環の含窒素芳香族複素環であり、該環に5ま
たは6員環の芳香族炭化水素環または芳香族複素環が1
または2個縮合して縮合環を形成しても良い。 [環Bおよび環B’]置換基を有していても良い6員環
の芳香族炭化水素環または芳香族複素環であり、該環に
5または6員環の芳香族炭化水素環または芳香族複素環
が1または2個縮合して縮合環を形成しても良い。
−3)で表わされる化合物の環A、環A’、環B、およ
び環B’として、より好ましくは各々単環であり、中で
もそれぞれ下記から選ばれる環が好ましい。 [環Aおよび環A’]それぞれ置換基を有していても良
い、ジアゾール環、チアゾール環、オキサゾール環、チ
アジアゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール
環、ピリジン環、ジアジン環、トリアジン環[環Bおよ
び環B’]それぞれ置換基を有していても良い、ベンゼ
ン環、ピリジン環、ジアジン環、トリアジン環
〜(II−3)で表わされる化合物の環A、環A’、環
B、および環B’は、それぞれ下記構造式から選ばれる
ことが最も好ましい。
素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、ア
ルケニル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、アルコキ
シカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アル
キルアミノ基、アラルキルアミノ基、ハロアルキル基、
水酸基、アリールオキシ基、置換基を有していても良い
芳香族炭化水素環基または置換基を有していても良い芳
香族複素環基を表わし、R31とR32、R31とR
33、R34とR35、R35とR36、R36とR
37はそれぞれ互いに結合して環を形成していても良
い。)
素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、ア
ルケニル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、アルコキ
シカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アル
キルアミノ基、アラルキルアミノ基、ハロアルキル基、
水酸基、アリールオキシ基、置換基を有していても良い
芳香族炭化水素環基または置換基を有していても良い芳
香族複素環基を表わし、R38とR39、R39とR
40、R40とR41はそれぞれ互いに結合して環を形
成していても良い。)
ける2本の結合手は、前記式(II)および(II−1)〜
(II−3)における環Bおよび環B’構造の定義を満た
す限り、酸素原子、または環Aおよび環A’における原
子X2、X2’のうち、いずれがいずれに結合していて
も良い。
子;ハロゲン原子;メチル基、エチル基等の炭素数1〜
6のアルキル基;ベンジル基等のアラルキル基;ビニル
基等の炭素数2〜6のアルケニル基;シアノ基;アミノ
基;アシル基;カルボキシル基;メトキシ基、エトキシ
基等の炭素数1〜6のアルコキシ基;メトキシカルボニ
ル基、エトキシカルボニル基等の炭素数2〜6のアルコ
キシカルボニル基;フェノキシ基、ベンジルオキシ基な
どのアリールオキシ基;ジエチルアミノ基、ジイソプロ
ピルアミノ基等のジアルキルアミノ基;ジベンジルアミ
ノ基;ジフェネチルアミノ基などのジアラルキルアミノ
基;トリフルオロメチル基等のα−ハロアルキル基;水
酸基;置換基を有していても良いフェニル基、ナフチル
基等の芳香族炭化水素環基;置換基を有していても良い
チエニル基、ピリジル基等の芳香族複素環基を表わす。
環基が有し得る置換基としては、フッ素原子等のハロゲ
ン原子;メチル基、エチル基等の炭素数1〜6のアルキ
ル基;ビニル基等の炭素数2〜6のアルケニル基;メト
キシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の炭素数2
〜6のアルコキシカルボニル基;メトキシ基、エトキシ
基等の炭素数1〜6のアルコキシ基;フェノキシ基、ベ
ンジルオキシ基などのアリールオキシ基;ジメチルアミ
ノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基;アセ
チル基等のアシル基;トリフルオロメチル基等のハロア
ルキル基;シアノ基などが挙げられる。
R34とR35、R35とR36、R36とR37、R
38とR39、R39とR40、R40とR41がそれ
ぞれ隣接する基同士で結合して形成する環としては、ベ
ンゼン環、またはシクロヘキサン環等が挙げられる。
子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロア
ルキル基または置換基を有していても良い芳香族炭化水
素基であるか、または隣接する基同士で結合して環を形
成する。
3)で表わされる化合物の金属M(M 1、M2、M3お
よびM3’)は、周期律表1族、2族、3族、12族、
13族から選ばれる金属であれば特に限定されないが、
好ましくは亜鉛、アルミニウム、ガリウム、ベリリウ
ム、およびマグネシウムが挙げられる。
−3)で表わされる化合物の好ましい具体例を以下に示
すが、これらに限定するものではない。
分として単独で用いても良いし、必要に応じて、各々混
合して用いても良い。
層におけるホスト材料として、前記一般式(III)で表
される基を有する化合物を使用してもよい。
R52、R53とR54がそれぞれ結合して形成する環として
は、ベンゼン環やシクロヘキサン環が挙げられる。
は、具体的には、水素原子;ハロゲン原子;メチル基、
エチル基等の炭素数1〜6のアルキル基;ベンジル基等
のアラルキル基;ビニル基等のアルケニル基;シアノ
基;アミノ基;アシル基;メトキシ基、エトキシ基等の
炭素数1〜6のアルコキシ基;メトキシカルボニル基、
エトキシカルボニル基等の炭素数1〜6のアルコキシカ
ルボニル基;フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのア
リールオキシ基;ジエチルアミノ基、ジイソプロピルア
ミノ基等のジアルキルアミノ基;ジベンジルアミノ基、
ジフェネチルアミノ基などのジアラルキルアミノ基;ト
リフルオロメチル基等のα−ハロアルキル基;水酸基;
置換基を有していてもよいフェニル基、ナフチル基等の
芳香族炭化水素環基;置換基を有していてもよいチエニ
ル基、ピリジル基等の芳香族複素環基を表わし、前記置
換基としては、フッ素原子等のハロゲン原子;メチル
基、エチル基等の炭素数1〜6のアルキル基;ビニル基
等のアルケニル基;メトキシカルボニル基、エトキシカ
ルボニル基等の炭素数1〜6のアルコキシカルボニル
基;メトキシ基、エトキシ基等の炭素数1〜6のアルコ
キシ基;フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリー
ルオキシ基;ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等の
ジアルキルアミノ基、アセチル基等のアシル基、トリフ
ルオロメチル基等のハロアルキル基、シアノ基が挙げら
れる。なお、上述の置換基のうち、炭素数1〜6のアル
キル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基は、直
鎖であっても分岐していても良い。以下の置換基の例示
においても同様である。
しい具体例を以下に示すが、これらに限定するものでは
ない。
化合物は、低分子であっても高分子であってもよい。高
分子の場合は、主鎖に含有されていてもよいし、また、
側鎖として含有されていてもよい。
の低分子化合物である場合が好ましく、一般式(III)
で表される基を有する化合物は、化合物全体としての環
の合計数が6〜20であるのが好ましく、より好ましく
は7〜18である。また、一般式(III)で表される基
を有する化合物は、分子内に一般式(III)で表される
単位を2〜3個有している化合物が好ましい。
前記(S−1)あるいは(S−2)であるのが特に好ま
しい。
物は、下記一般式(III−1)または(III−2)で表さ
れる化合物であることが好ましい。
子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケ
ニル基、アリル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、ア
ルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ
基、アルキルアミノ基、α−ハロアルキル基、水酸基、
置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基または芳
香族複素環基を表わし、R55とR56、R57とR58、R59
とR60、R61とR62はそれぞれ互いに結合して環を形成
しても良い。X4およびX5は各々独立に、酸素原子また
は硫黄原子を示し、Q1は置換基を有していても良い芳
香族炭化水素環基または芳香族複素環基からなる2価の
連結基を示す。)
子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケ
ニル基、アリル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、ア
ルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ
基、アルキルアミノ基、α−ハロアルキル基、水酸基、
置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基または芳
香族複素環基を表わし、R63とR64、R65とR66、R67
とR68、R69とR70、R71とR72、R73とR74はそれぞ
れ互いに結合して環を形成してもよい。X6〜X8は各々
独立に、酸素原子または硫黄原子を示し、Q2は置換基
を有していてもよい芳香族炭化水素環基または芳香族複
素環基からなる3価の連結基を示す。)
R62は各々独立に、水素原子;ハロゲン原子;メチル
基、エチル基等の炭素数1〜6のアルキル基;ベンジル
基等のアラルキル基;ビニル基等のアルケニル基;シア
ノ基;アミノ基;アシル基;メトキシ基、エトキシ基等
の炭素数1〜6のアルコキシ基;メトキシカルボニル
基、エトキシカルボニル基等の炭素数1〜6のアルコキ
シカルボニル基;フェノキシ基、ベンジルオキシ基など
のアリールオキシ基;ジエチルアミノ基、ジイソプロピ
ルアミノ基等のジアルキルアミノ基;ジベンジルアミノ
基、ジフェネチルアミノ基などのジアラルキルアミノ
基;トリフルオロメチル基等のα−ハロアルキル基;水
酸基;置換基を有していてもよいフェニル基、ナフチル
基等の芳香族炭化水素環基;置換基を有していてもよい
チエニル基、ピリジル基等の芳香族複素環基を表わし、
前記置換基としては、フッ素原子等のハロゲン原子;メ
チル基、エチル基等の炭素数1〜6のアルキル基;ビニ
ル基等のアルケニル基;メトキシカルボニル基、エトキ
シカルボニル基等の炭素数1〜6のアルコキシカルボニ
ル基;メトキシ基、エトキシ基等の炭素数1〜6のアル
コキシ基;フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリ
ールオキシ基;ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等
のジアルキルアミノ基、アセチル基等のアシル基、トリ
フルオロメチル基等のハロアルキル基、シアノ基を示
す。R55とR56、R57とR58、R59とR60、R 61とR62
はそれぞれ結合して、ベンゼン環、シクロヘキサン環等
を形成してもよい。X4〜X5は各々独立に、酸素原子ま
たは硫黄原子を示す。Q1は置換基を有していてもよい
芳香族芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基からな
る2価の連結基を示す。連結基Q1の好ましい例を以下
に示す。
2)、(A−6)、(A−8)、(A−10)あるいは
(A−12)が好ましい。そして、これら連結基Q1を
有し、環構造として(S−1)または(S−2)を有す
る化合物であるものが最も好ましい。
物の好ましい具体例を表1,2に示すが、これらに限定
するものではない。
R74は各々独立に、水素原子;ハロゲン原子;メチル
基、エチル基等の炭素数1〜6のアルキル基;ベンジル
基等のアラルキル基;ビニル基等のアルケニル基;シア
ノ基;アミノ基;アシル基;メトキシ基、エトキシ基等
の炭素数1〜6のアルコキシ基;メトキシカルボニル
基、エトキシカルボニル基等の炭素数1〜6のアルコキ
シカルボニル基;フェノキシ基、ベンジルオキシ基など
のアリールオキシ基;ジエチルアミノ基、ジイソプロピ
ルアミノ基等のジアルキルアミノ基;ジベンジルアミノ
基、ジフェネチルアミノ基などのジアラルキルアミノ
基;トリフルオロメチル基等のα−ハロアルキル基;水
酸基;置換基を有していてもよいフェニル基、ナフチル
基等の芳香族炭化水素環基;置換基を有していてもよい
チエニル基、ピリジル基等の芳香族複素環基を表わし、
前記置換基としては、フッ素原子等のハロゲン原子;メ
チル基、エチル基等の炭素数1〜6のアルキル基;ビニ
ル基等のアルケニル基;メトキシカルボニル基、エトキ
シカルボニル基等の炭素数1〜6のアルコキシカルボニ
ル基;メトキシ基、エトキシ基等の炭素数1〜6のアル
コキシ基;フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリ
ールオキシ基;ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等
のジアルキルアミノ基、アセチル基等のアシル基、トリ
フルオロメチル基等のハロアルキル基、シアノ基を示
す。R63とR64、R65とR66、R67とR68、R 69と
R70、R71とR72、R73とR74はそれぞれ互いに結合し
て、ベンゼン環、シクロヘキサン環等を形成していても
良い。X6〜X8は各々独立に、酸素原子または硫黄原子
を示す。Q2は置換基を有していてもよい芳香族芳香族
炭化水素環基または芳香族複素環基からなる3価の連結
基を示す。連結基Q2の好ましい例を以下に示す。
1)、(B−2)あるいは(Bー7)が好ましい。最も
好ましくは、これら連結基を有し、環構造として(S−
1)または(S−2)を有する場合である。
物の好ましい具体例を表3,4に示すが、これらに限定
するものではない。
化合物は、発光層中に1種のみが含まれていてもよく、
2種以上が含まれていてもよい。
(I)〜(III)のほかに、下記化合物等を使用しても
良い。
式で表わすことができる化合物を複数種併用しても良い
し、また同じ一般式では表わせない化合物を2種以上併
用しても良い。
層のホスト材料として最も好ましいのは前記一般式
(I)で表わされる化合物である。
室温で燐光発光を示す化合物Aについて説明する。
項準位と、後述する化合物Bの励起三重項準位(化合物
Bが燐光化合物の場合)または励起一重項準位(化合物
Bが蛍光化合物の場合)との間に、励起三重項準位を有
するものが好ましい。
ら選ばれる金属を含む有機金属錯体が好ましい。
荷移動が起こりやすいという点から、周期律表第5周期
または第6周期の金属が好ましく、具体的にはルテニウ
ム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウ
ム、イリジウム、白金および金が挙げられる。
(IV)で表わされる化合物が挙げられる。
も良い芳香族炭化水素環または置換基を有していても良
い含窒素芳香族複素環を表わし、環Eは置換基を有して
いても良い含窒素芳香族複素環を表す。環Dが有する基
と環Eが有する基が結合してこれらに縮合する環を形成
しても良い。M4は周期律表7ないし11族から選ばれ
る金属、L2は任意の2座配位子、mはM4の価数、k
は0≦k<mの整数を表わす。)
有していても良い芳香族炭化水素環または芳香族複素環
を表わし、好ましくは、フェニル基、ナフチル基、アン
トリル基、チエニル基、ピリジル基、フリル基、ベンゾ
チエニル基、ベンゾフリル基、キノリル基、またはイソ
キノリル基を表わす。
複素環基が有していても良い置換基としては、フッ素原
子等のハロゲン原子;メチル基、エチル基等の炭素数1
〜6のアルキル基;ビニル基等の炭素数2〜6のアルケ
ニル基;メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基
等の炭素数2〜6のアルコキシカルボニル基;メトキシ
基、エトキシ基等の炭素数1〜6のアルコキシ基;フェ
ニル基、ナフチル基などの芳香族炭化水素環基;フェノ
キシ基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基;ジ
メチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミ
ノ基;アセチル基等のアシル基;トリフルオロメチル基
等のハロアルキル基;シアノ基等が挙げられる。
好ましくは、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジン基、
トリアジン基、ベンゾチアゾール基、ベンゾオキサゾー
ル基、ベンゾイミダゾール基、キノリル基、イソキノリ
ル基、キノキサリン基、またはフェナントリジン基を表
わす。これらは置換基を有していても良い。
い置換基としては、フッ素原子等のハロゲン原子;メチ
ル基、エチル基等の炭素数1〜6のアルキル基;ビニル
基等の炭素数2〜6のアルケニル基;メトキシカルボニ
ル基、エトキシカルボニル基等の炭素数2〜6のアルコ
キシカルボニル基;メトキシ基、エトキシ基等の炭素数
1〜6のアルコキシ基;フェニル基、ナフチル基などの
芳香族炭化水素環基;フェノキシ基、ベンジルオキシ基
などのアリールオキシ基;ジメチルアミノ基、ジエチル
アミノ基等のジアルキルアミノ基;アセチル基等のアシ
ル基;トリフルオロメチル基等のハロアルキル基;シア
ノ基等が挙げられる。
置換基が結合して、全体で一つの縮合環を形成しても良
く、この縮合環としては7,8−ベンゾキノリン基等が
挙げられる。
しくはアルキル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素環基
またはシアノ基が挙げられる。
挙げられるが、これらに限定されるものではない。な
お、以下の例では環Dおよび環Eにおける置換基の記載
を省略しているが、これらは前記したような置換基を有
していても良い。
子L2は、1価の2座配位子であれば良く特に制限はな
いが、立体障害を考慮するとあまり嵩高くないものが好
ましく、例えば下記配位子が挙げられる。
立に炭素数1〜4のアルキル基または炭素数1〜4のハ
ロゲン化アルキル基を表わす。なお、芳香族炭化水素環
および芳香族複素環における置換基は記載を省略し
た。)
いものは以下のものである。
は、前記一般式(IV)における中心金属M4の価数を満
たす限り、どのような組み合わせで、何個ずつ配位して
いてもかまわないが、特に下記一般式(IV−1)または
(IV−2)で表わされる化合物が好ましい。
びM6は周期律表7ないし11族から選ばれる金属、m
は該金属の価数を表わす。環D1および環D2は置換基
を有していても良い芳香族炭化水素環基または芳香族複
素環を表わし、環E1および環E2は、置換基を有して
いても良い、含窒素芳香族複素環を表わす。環D1が有
する置換基と環E1が有する置換基が結合して、これら
に縮合する環を形成していても良く、また環D2が有す
る置換基と環E2が有する置換基が結合して、これらに
縮合する環を形成していても良い。)
の具体例を以下に記載するが、これらに限定されるもの
ではない。
V)で表される有機金属錯体の他に、以下の一般式
(V)で示される有機金属錯体を用いることもできる。
素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、ア
ルケニル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、アルコキ
シカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アル
キルアミノ基、アラルキルアミノ基、ハロアルキル基、
水酸基、アリールオキシ基、置換基を有していても良い
芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基を表わす。R
81とR82、R84とR85、R87とR88、およびR90とR91
は、それぞれ互いに連結して環を形成していても良い。
M7は周期律表7ないし11族から選ばれた金属、X9〜
X12は炭素または窒素を表わす。但し、X9〜X12のい
ずれかが窒素原子の場合は、該窒素原子に結合する
R83、R86、R89またはR92は無い(存在しない))。
一般式(IV−1),(IV−2)におけるM5,M6と同様
に、周期律表第5周期または第6周期の金属が好まし
く、具体的にはルテニウム、ロジウム、パラジウム、
銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金または金
が挙げられ、特に好ましくは、白金、パラジウム等の2
価の金属が挙げられる。
体の具体例を以下に示すが、下記の化合物に限定される
わけではない。
温で、燐光発光または蛍光発光を示す化合物Bについて
説明する。
ついて説明する。
中において、化合物Aが増感剤の役目を果たすため、化
合物B由来の発光が強まることが特徴である。そのため
には燐光化合物Bが、燐光化合物Aの励起三重項準位よ
り低いエネルギー状態の励起三重項準位を有することが
重要である。
述したものと同様の化合物が挙げられる。これらの中か
ら、化合物Aとのエネルギー準位の関係が上記要件を満
たすような化合物を選択することが好ましい。
はBとしてイリジウムを含む錯体を少なくとも1種含有
することが好ましい。中でも、化合物Aおよび化合物B
としてイリジウム錯体を少なくとも各1種ずつ含有する
か、化合物Aおよび化合物Bのうち一方としてイリジウ
ム錯体を、他方として白金錯体を、各々少なくとも1種
ずつ含有することが好ましい。
ついて説明する。
における発光層中で、化合物Aが増感剤の役割を果たす
ためには、蛍光化合物Bが、化合物Aの励起三重項準位
より低いエネルギー状態の励起一重項準位を有すること
が重要である。
ムーズなエネルギー移動を実現するためには、化合物B
の最大発光波長が、化合物Aの最大発光波長より長波長
であることが重要である。化合物Aの最大発光波長と
は、化合物Aの燐光発光スペクトルにおける最大発光波
長を意味する。化合物Bの最大発光波長とは、化合物B
が燐光化合物である場合は燐光発光スペクトルにおける
最大発光波長、化合物Bが蛍光化合物である場合は蛍光
発光スペクトルにおける最大発光波長を表わす。
定条件に特に制限はなく、同じ条件で測定した値同士を
較べれば良い。例えば化合物Aおよび化合物Bを、各々
同じ溶媒に溶解した溶液、各々の化合物のみで形成した
単層膜、または各々の化合物を発光層にドープした以外
は全く同じ構成の有機電界発光素子の発光スペクトル、
などで比較する。
を示すペリレン、ピレン、アントラセンおよびそれらの
誘導体等、緑色発光を示すキナクリドン誘導体、クマリ
ン誘導体等、黄色発光を示すルブレン、ペリミドン誘導
体等、赤色発光を示すクマリン誘導体、ベンゾピラン誘
導体、ローダミン誘導体、フェノキサゾン誘導体、ベン
ゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン誘
導体等が挙げられる。
燐光化合物Aに応じて、レーザー研究,8巻,694
頁,803頁,958頁(1980年);同9巻,85
頁(1981年)、に列挙されている蛍光化合物など
は、蛍光化合物Bとして使用することができる。
は赤色発光を示す蛍光化合物が好ましい。
ついて、図面を参照しながら説明するが、本発明の有機
電界発光素子の構造は何ら図示のものに限定されるもの
ではない。
施の形態を模式的に示す断面図であり、1は基板、2は
陽極、3は陽極バッファ層、4は正孔輸送層、5は発光
層、6は正孔阻止層、7は電子輸送層、8は陰極を各々
表わす。以下、図1に示す素子を中心に説明する。
ものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラ
スチックフィルムやシートなどが用いられる。特にガラ
ス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカー
ボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂の板が好
ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性
に留意する必要がある。基板のガスバリア性が小さすぎ
ると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣
化することがあるので好ましくない。このため、合成樹
脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設
けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つ
である。
は正孔輸送層4への正孔注入の役割を果たすものであ
る。この陽極2は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッ
ケル、パラジウム、白金等の金属、インジウムおよび/
またはスズの酸化物などの金属酸化物、ヨウ化銅などの
ハロゲン化金属、カーボンブラック、あるいは、ポリ
(3-メチルチオフェン)、ポリピロール、ポリアニリン
等の導電性高分子などにより構成される。陽極2の形成
は通常、スパッタリング法、真空蒸着法などにより行わ
れることが多い。また、銀などの金属微粒子、ヨウ化銅
などの微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物
微粒子、導電性高分子微粉末などを用いる場合には、適
当なバインダー樹脂溶液に分散し、基板1上に塗布する
ことにより陽極2を形成することもできる。さらに、導
電性高分子の場合は、電解重合により直接基板1上に薄
膜を形成したり、基板1上に導電性高分子を塗布して陽
極2を形成することもできる(Appl.Phys.Lett.,60
巻,2711頁,1992年)。
積層して形成された積層構造であっても良い。
異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率
を、通常、60%以上、好ましくは80%以上とすることが
望ましく、この場合、厚みは、通常、5〜1000nm、好ま
しくは10〜500nm程度である。不透明でよい場合は陽極
2の厚みは基板1と同程度でも良い。また、さらには上
記の陽極2の上に異なる導電材料を積層することも可能
である。
る。正孔輸送層4の材料に要求される条件としては、陽
極2からの正孔注入効率が高く、かつ、注入された正孔
を効率よく輸送することができる材料であることが挙げ
られる。そのためには、イオン化ポテンシャルが小さ
く、可視光の光に対して透明性が高く、しかも正孔移動
度が大きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純
物が製造時や使用時に発生しにくいことが要求される。
また、発光層5に接するために発光層5からの発光を消
光したり、発光層5との間でエキサイプレックスを形成
して効率を低下させないことが求められる。上記の一般
的要求以外に、車載表示用の応用を考えた場合、素子に
はさらに耐熱性が要求されるため、Tgとして75℃以上の
値を有する材料が望ましく、特に85℃以上の値を有する
材料が好ましい。
ば、4,4'-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]
ビフェニルで代表される2個以上の3級アミンを含み2
個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジア
ミン(特開平5−234681号公報)、4,4',4"-トリス(1-
ナフチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン等のスタ
ーバースト構造を有する芳香族アミン化合物(J. Lumi
n., 72-74巻、985頁、1997年)、トリフェニルアミンの
四量体から成る芳香族アミン化合物(Chem.Commun., 21
75頁、1996年)、2,2',7,7'-テトラキス-(ジフェニルア
ミノ)-9,9'-スピロビフルオレン等のスピロ化合物(Syn
th. Metals, 91巻、209頁、1997年)等が挙げられる。
これらの化合物は、単独で用いても良いし、必要に応じ
て、各々、混合して用いても良い。
として、ポリビニルカルバゾール、ポリビニルトリフェ
ニルアミン(特開平7− 53953号公報)、テトラフェニ
ルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホ
ン(Polym. Adv. Tech., 7巻、33頁、1996年)等の高分
子材料が挙げられる。
正孔輸送材料の1種または2種以上に、必要により正孔
のトラップにならないバインダー樹脂や塗布性改良剤な
どの添加剤を添加し、溶解して塗布溶液を調製し、スピ
ンコート法などの方法により陽極2上に塗布し、乾燥し
て正孔輸送層4を形成する。バインダー樹脂としては、
ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル等が
挙げられる。バインダー樹脂は添加量が多いと正孔移動
度を低下させるので、少ない方が望ましく、通常、正孔
輸送層4中の含有量で50重量%以下が好ましい。
には、正孔輸送材料を真空容器内に設置されたルツボに
入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで10−4Pa程度に
まで排気した後、ルツボを加熱して、正孔輸送材料を蒸
発させ、ルツボと向き合って置かれた、陽極2が形成さ
れた基板1上に正孔輸送層4を形成させる。
好ましくは 10〜100nmである。このように薄い膜を一様
に形成するためには、一般に真空蒸着法がよく用いられ
る。
る。発光層5は、少なくとも(1)電子輸送性および/
または正孔輸送性を有するホスト材料、(2)室温で、
燐光発光を示す化合物A、(3)室温で、燐光発光また
は蛍光発光を示す化合物B、を含有する。この発光層5
は、電界を与えられた電極間において、陽極2から注入
されて正孔輸送層4を移動する正孔と、陰極8から注入
されて正孔阻止層6を移動する電子との再結合により励
起されて、強い発光を示す。その発光スペクトルにおけ
る最大発光波長は、上記化合物Bに由来するものであ
る。
ない範囲で、上記(1)〜(3)以外の成分を含有して
いても良い。
層全体に対し0.1〜30重量%の範囲が好ましい。化
合物Aの含有量が0.1重量%未満では、素子の発光効
率向上に十分に寄与することができない可能性があり、
30重量%を超えると濃度消光が生じ、発光効率の低下
が起こる恐れがある。
用する場合、その含有量も、発光層全体に対して0.1
〜30重量%程度が好ましいが、より好ましくは化合物
Aと化合物Bの総量が、発光層全体の0.1〜30重量
%の範囲内の場合である。エネルギー移動の点からは、
化合物Aと化合物Bとの割合は(化合物B)/(化合物
A)=0.3〜3(モル比)が好ましい。
用する場合、その含有量は、発光層全体の0.05〜1
0重量%が好ましく、0.05〜2重量%がより好まし
い。
一に分布していても良く、膜厚方向に分布をもって、不
均一に存在していても良い。
m、好ましくは20〜100nmである。正孔輸送層4
と同様の方法にて薄膜形成される。
の陰極側の界面に接するように積層され、正孔輸送層4
から移動してくる正孔が陰極8に到達するのを阻止する
役割と、陰極8から注入された電子を効率よく発光層5
の方向に輸送することができる化合物より形成される。
正孔阻止層6を構成する材料に求められる物性として
は、電子移動度が高く正孔移動度が低いことが必要とさ
れる。正孔阻止層6は正孔と電子を発光層5内に閉じこ
めて、発光効率を向上させる機能を有する。
て、好ましくは、下記一般式(VI)で表わされる混合配
位子錯体が挙げられる。
素原子または任意の置換基を表わす。Q3はアルミニウ
ム、ガリウム、インジウムから選ばれる金属原子を表わ
す。Y 1は以下に示す一般式(VI−1)、(VI−2)、
(VI−3)のいずれかで表わされる。
良い芳香族炭化水素環基または置換基を有していても良
い芳香族複素環基を表わし、Y2はシリコンまたはゲル
マニウムを表わす。))
は各々独立に水素原子または任意の置換基を表すが、好
ましくは水素原子;塩素、臭素等のハロゲン原子;メチ
ル基、エチル基等の炭素数1〜6のアルキル基;ベンジ
ル基等のアラルキル基;ビニル基等の炭素数2〜6のア
ルケニル基;シアノ基;アミノ基;アシル基;メトキシ
基、エトキシ基等の炭素数1〜6のアルコキシ基;メト
キシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の炭素数2
〜6のアルコキシカルボニル基;カルボキシル基;フェ
ノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基;
ジエチルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基等のアルキ
ルアミノ基;ジベンジルアミノ基、ジフェネチルアミノ
基などのアラルキルアミノ基;トリフルオロメチル基等
のハロアルキル基;水酸基;置換基を有していても良い
フェニル基、ナフチル基等の芳香族炭化水素環基;置換
基を有していても良いチエニル基、ピリジル基等の芳香
族複素環基を表わす。
環基が有しうる置換基としては、フッ素原子等のハロゲ
ン原子;メチル基、エチル基等の炭素数1〜6のアルキ
ル基;ビニル基等の炭素数2〜6のアルケニル基;メト
キシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の炭素数2
〜6のアルコキシカルボニル基;メトキシ基、エトキシ
基等の炭素数1〜6のアルコキシ基;フェノキシ基、ベ
ンジルオキシ基などのアリールオキシ基;ジメチルアミ
ノ基、ジエチルアミノ基等のアルキルアミノ基;アセチ
ル基等のアシル基;トリフルオロメチル基等のハロアル
キル基;シアノ基等が挙げられる。
子、アルキル基、ハロゲン原子またはシアノ基が挙げら
れる。またR104としては、シアノ基が特に好ましい。
て、具体的には、置換基を有していても良いフェニル
基、ビフェニル基、ナフチル基等の芳香族炭化水素環基
またはチエニル基、ピリジル基等の芳香族複素環基が挙
げられる。中でも5員環、6員環、5員環および/また
は6員環が2個または3個縮合したもの、あるいはこれ
らが直接結合で2個または3個結合したものが好まし
い。芳香族炭化水素環基と芳香族複素環基では、芳香族
炭化水素環基が好ましい。
ては、例えばR101〜R106が芳香族炭化水素環基または
芳香族複素環基の場合に有しうる置換基として、前述し
たものと同様の基が挙げられる。
ましい具体例を以下に示すが、これらに限定するもので
はない。
の混合配位子錯体の他に、以下の構造式で示される1,
2,4−トリアゾール環残基を少なくとも1個有する化
合物も用いることができる。
アゾール環残基を少なくとも1個有する化合物の具体例
を以下に示すが、これらに限定されるものではない。
が、これらの化合物におけるベンゼン環およびナフタレ
ン環は、更に置換基を有していても良い。該置換基とし
ては、例えばR101〜R106が芳香族炭化水素環基または
芳香族複素環基である場合に有しうる置換基として、前
述したものと同様の基が挙げられる。
式で示されるフェナントロリン環を少なくとも1個有す
る化合物も用いることができる。
環を少なくとも1個有する化合物の具体例を以下に示す
が、これらに限定されるものではない。
4−トリアゾール環残基を有する化合物の場合と同様、
構造式中に明記したもの以外にも置換基を有していても
よく、この場合の置換基としては、例えばR101〜R106
が芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基である場合
に有しうる置換基として、前述したものと同様の基が挙
げられる。
物は正孔阻止層6中に、単独で用いても良いし、必要に
応じて、2種以上を混合して用いても良い。
nm、好ましくは 0.5〜50nmである。正孔阻止層6も正孔
輸送層4と同様の方法で形成することができるが、通常
は真空蒸着法が用いられる。
に電子を注入する役割を果たす。陰極8として用いられ
る材料は、前記陽極2に使用される材料を用いることが
可能であるが、効率よく電子注入を行なうには、仕事関
数の低い金属が好ましく、スズ、マグネシウム、インジ
ウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属ま
たはそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグ
ネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、ア
ルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙
げられる。
る。
的で、この上にさらに、仕事関数が高く大気に対して安
定な金属層を積層することは素子の安定性を増す上で好
ましい。この目的のために、アルミニウム、銀、銅、ニ
ッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。
目的として、図2に示す如く、正孔阻止層6と陰極8の
間に電子輸送層7を設けることが考えられる。電子輸送
層7は、電界を与えられた電極間において陰極8から注
入された電子を効率よく正孔阻止層6の方向に輸送する
ことができる化合物より形成される。
送性化合物としては、陰極8からの電子注入効率が高
く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率
よく輸送することができる化合物であることが必要であ
る。
−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯
体(特開昭59−194393号公報)、10-ヒドロキシベンゾ
[h]キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジ
スチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、3-または
5-ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金
属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミ
ダゾリルベンゼン(米国特許第 5,645,948号)、キノキ
サリン化合物(特開平6−207169号公報)、フェナント
ロリン誘導体(特開平5−331459号公報)、2-t-ブチル
-9,10-N,N'-ジシアノアントラキノンジイミン、n型水
素化非晶質炭化シリコン、n型硫化亜鉛、n型セレン化
亜鉛などが挙げられる。
好ましくは10〜100 nmである。
て塗布法あるいは真空蒸着法により正孔輸送層6上に積
層することにより形成される。通常は、真空蒸着法が用
いられる。
かつ、有機層全体の陽極2への付着力を改善させる目的
で、図3に示す如く、正孔輸送層4と陽極2との間に陽
極バッファ層3を挿入することも行われている。陽極バ
ッファ層3を挿入することで、初期の素子の駆動電圧が
下げると同時に、素子を定電流で連続駆動した時の電圧
上昇も抑制される効果が得られる。陽極バッファ層3に
用いられる材料に要求される条件としては、陽極2との
コンタクトがよく均一な薄膜が形成でき、熱的に安定、
すなわち、融点及びガラス転移温度が高く、融点として
は 300℃以上、ガラス転移温度としては 100℃以上が要
求される。さらに、イオン化ポテンシャルが低く陽極2
からの正孔注入が容易なこと、正孔移動度が大きいこと
が挙げられる。
アニン等のフタロシアニン化合物(特開昭63−295695号
公報)、ポリアニリン(Appl. Phys. Lett., 64巻、124
5頁,1994年)、ポリチオフェン(Optical Materials, 9
巻、125頁、1998年)等の有機化合物や、スパッタ・カ
ーボン膜(Synth. Met., 91巻、73頁、1997年)や、バ
ナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、モリブデン酸化物
等の金属酸化物(J.Phys. D, 29巻、2750頁、1996年)
が報告されている。
にして薄膜形成可能であるが、無機物の場合には、さら
に、スパッタ法や電子ビーム蒸着法、プラズマCVD法
が用いられる。
3の膜厚は、通常、3〜100nm、好ましくは 5〜50nmであ
る。
層7との界面にLiF 、MgF2、Li2O等の極薄絶縁膜(膜
厚0.1〜5nm)を挿入することも、素子の効率を向上させ
る有効な方法である(Appl. Phys. Lett., 70巻,152
頁,1997年;特開平10−74586号公報;IEEETrans. Elec
tron. Devices,44巻,1245頁,1997年)。
上に陰極8、正孔阻止層6、発光層5、正孔輸送層4、
陽極2の順に積層することも可能であり、既述したよう
に少なくとも一方が透明性の高い2枚の基板の間に本発
明の有機電界発光素子を設けることも可能である。同様
に、図2および図3に示した前記各層構成とは逆の構造
に積層することも可能である。更に、図1,図2および
図3に示した各層以外にも、陽極または陰極と発光層と
の間に任意の層を有していても良い。
子、アレイ状に配置された構造からなる素子、陽極と陰
極がX−Yマトリックス状に配置された構造のいずれに
おいても適用することができる。
説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の
実施例の記載に限定されるものではない。
で作製した。
(ITO)透明導電膜を 150nm堆積したもの(ジオマテ
ック社製;電子ビーム成膜品;シート抵抗15Ω)を通常
のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを用いて 2
mm幅のストライプにパターニングして陽極2を形成し
た。パターン形成したITO基板を、アセトンによる超
音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールに
よる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、
最後に紫外線オゾン洗浄を行って、真空蒸着装置内に設
置した。上記装置の粗排気を油回転ポンプにより行った
後、装置内の真空度が2×10-6Torr(約2.7×10-4Pa)以
下になるまで液体窒素トラップを備えた油拡散ポンプを
用いて排気した。
ンボートに入れた以下に示す銅フタロシアニン(結晶形
はβ型)を加熱して、真空度1.4×10-6Torr(約1.9×10
-4Pa)、蒸着速度0.1nm/秒で蒸着を行ない、膜厚10nm
の陽極バッファ層3を形成した。
ルツボに入れた、以下に示す、4,4'-ビス[N-(1-ナフ
チル)-N-フェニルアミノ]ビフェニルをルツボの周囲
のタンタル線ヒーターで加熱して蒸着を行った。この時
のルツボの温度は、270〜260℃の範囲で制御した。蒸着
時の真空度9.0×10-7Torr(約1.2×10-4Pa)、蒸着速度
は0.2nm/秒で膜厚60nmの正孔輸送層4を形成した。
物(H−1)を、副成分の燐光性有機金属錯体として、
本文中に(T−2)で示したイリジウム錯体、(T−
8)で示した白金錯体を別々のセラミックルツボに設置
し、3元同時蒸着法により成膜を行った。化合物(H−
1)のルツボ温度は 250〜260℃に、蒸着速度は 0.1nm
/秒に制御し、イリジウム錯体(T−2)は250〜260
℃、白金錯体(T−8)は260〜275℃の温度範囲に制御
し、膜厚30nmでイリジウム錯体(T−2)が5重量%、
白金錯体(T−8)が5重量%含有された発光層5を正
孔輸送層4の上に積層した。蒸着時の真空度は1.3×10
-6Torr(約1.7×10-4Pa)であった。
(HB−12)をルツボ温度を 220℃として、蒸着速度
0.1nm/秒で10nmの膜厚で積層した。蒸着時の真空度は7.
0×10- 7Torr(約0.9×10-4Pa)であった。
7として以下の構造式に示すアルミニウムの8−ヒドロ
キシキノリン錯体、Al(C9H6NO)3を同様にして蒸着し
た。この時のアルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯
体のルツボ温度は300〜310℃の範囲で制御し、蒸着時の
真空度は6.0×10-7Torr(約0.8×10−4Pa)、蒸着速度
は0.2nm/秒で膜厚は35nmとした。
層6及び電子輸送層7を真空蒸着する時の基板温度は室
温に保持した。
素子を一旦前記真空蒸着装置内より大気中に取り出し
て、陰極蒸着用のマスクとして 2mm幅のストライプ状シ
ャドーマスクを、陽極2のITOストライプとは直交す
るように素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置
して有機層の形成時と同様にして装置内の真空度が2×1
0-6Torr(約2.7×10-4Pa)以下になるまで排気した。
ネシウム(MgF2)をモリブデンボートを用いて、蒸着
速度0.1nm/秒、真空度7.0×10-6Torr(約9.3×10-4P
a)で、1.5 nmの膜厚で電子輸送層7の上に成膜した。
次に、アルミニウムを同様にモリブデンボートにより加
熱して、蒸着速度0.5nm/秒、真空度1×10-5Torr(約1.3
×10-3Pa)で膜厚40nmのアルミニウム層を形成した。さ
らに、その上に、陰極の導電性を高めるために銀を、同
様にモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度0.3nm/
秒、真空度1×10-5Torr(約1.3×10-3Pa)で膜厚40nmの
銀層を形成して陰極8を完成させた。以上の3層型陰極
8の蒸着時の基板温度は室温に保持した。
光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。この
素子の発光特性を表5に示す。表5において、発光効率
は 100cd/m2での値、輝度/電流は輝度−電流密度特性
の傾きを、電圧は 100cd/m2での値を各々示す。この素
子の発光スペクトルの極大波長は 584nmであり、白金錯
体(T−8)からのものと同定された。
を除いた他は実施例1と同様にして素子を作製した。こ
の素子の発光特性を表5に示す。この素子の発光スペク
トルの極大波長は実施例1と同様 585nmであり、白金錯
体(T−8)からのものと同定された。
他は実施例1と同様にして素子を作製した。この素子の
発光特性を表5に示す。この素子の発光スペクトルの極
大波長は実施例1と同様 585nmであり、白金錯体(T−
8)からのものと同定された。
を除いた他は実施例2と同様にして素子を作製した。こ
の素子の発光特性を表5に示す。この素子の発光スペク
トルの極大波長は実施例1と同様 585nmであり、白金錯
体(T−8)からのものと同定された。
の代わりに(T−17)で示したイリジウム錯体を用い
た他は実施例1と同様にして素子を作製した。この素子
の発光特性を表5に示す。素子の発光スペクトルの極大
波長は 618nmであり、イリジウム錯体(T−17)から
のものと同定された。
を除いた他は実施例3と同様にして素子を作製した。こ
の素子の発光特性を表5に示す。この素子の発光スペク
トルの極大波長は実施例3と同様 618nmであり、イリジ
ウム錯体(T−17)からのものと同定された。
もに燐光性有機金属錯体(T−8)、または(T−1
7)の発光が認められたが、ホスト材料である(H−
1)または(H−34)に燐光性有機金属錯体(T−
8)のみ、または(T−17)のみをドープした比較例
1〜3の素子よりも、増感剤の役割を果たす有機金属錯
体(T−2)を併用した場合の方が最大発光輝度や発光
効率等が向上することが分かる。
分の燐光性有機金属錯体として(T−2)、(T−8)
または(T−17)を各々単独で使用した他は実施例1
と同様に、それぞれ有機電界発光素子を形成した。発光
層中の(T−2)、(T−8)および(T−17)の含
有量はいずれも5重量%であった。
を表6に示す。
で作製した。
(ITO)透明導電膜を 150nm堆積したもの(ジオマテ
ック社製;電子ビーム成膜品;シート抵抗15Ω)を通常
のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを用いて 2
mm幅のストライプにパターニングして陽極2を形成し
た。パターン形成したITO基板を、アセトンによる超
音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールに
よる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、
最後に紫外線オゾン洗浄を行って、真空蒸着装置内に設
置した。上記装置の粗排気を油回転ポンプにより行った
後、装置内の真空度が2×10-6Torr(約2.7×10-4Pa)以
下になるまで液体窒素トラップを備えた油拡散ポンプを
用いて排気した。
クルツボに入れた、4,4'-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フ
ェニルアミノ]ビフェニルをルツボの周囲のタンタル線
ヒーターで加熱して蒸着を行った。この時のルツボの温
度は、280〜260℃の範囲で制御した。蒸着時の真空度1.
3×10-6Torr(約1.7×10-4Pa)、蒸着速度は0.3nm/秒
で膜厚60nmの正孔輸送層4を得た。
物(H−1)を、副成分の燐光性有機金属錯体として、
本文中に(T−2)で示したイリジウム錯体、および下
記に示す蛍光化合物(Dye−1)を別々のセラミック
ルツボに設置し、3元同時蒸着法により成膜を行った。
化合物(H−1)のルツボ温度は220℃に、蒸着速度は
0.2nm/秒に制御し、イリジウム錯体(T−2)は290〜
300℃、蛍光化合物(Dye−1)は190〜195℃の温度
範囲に制御し、膜厚30nmでイリジウム錯体(T−2)が
5重量%、蛍光化合物(Dye−1)が2重量%含有さ
れた発光層5を正孔輸送層4の上に積層した。蒸着時の
真空度は1.0×10-6Torr(約1.3×10-4Pa)であった。
(HB−12)をルツボ温度を220℃として、蒸着速度
0.2nm/秒で10nmの膜厚で積層した。蒸着時の真空度は
1.2×10 -6Torr(約1.6×10-4Pa)であった。
アルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯体Al(C9H6NO)
3を同様にして蒸着した。この時のアルミニウムの8−
ヒドロキシキノリン錯体のルツボ温度は290〜300℃の範
囲で制御し、蒸着時の真空度は1.0×10-6Torr(約1.3×
10-4Pa)、蒸着速度は0.2nm/秒で膜厚は35nmとした。
び電子輸送層を真空蒸着する時の基板温度は室温に保持
した。
素子を一度前記真空蒸着装置内より大気中に取り出し
て、陰極蒸着用のマスクとして2mm幅のストライプ状シ
ャドーマスクを、陽極2のITOストライプとは直交す
るように素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置
して有機層と同様にして装置内の真空度が2.0×10-6Tor
r(約2.7×10-4Pa)以下になるまで排気した。
ネシウム(MgF2)をモリブデンボートを用いて、蒸
着速度0.1nm/秒、真空度7.0×10-6Torr(約9.3×10-4P
a)で、15nmの膜厚で電子輸送層7の上に成膜した。次
に、アルミニウムを同様にモリブデンボートにより加熱
して、蒸着速度0.5nm/秒、真空度1×10-5Torr(約1.3
×10-3Pa)で膜厚40nmのアルミニウム層を形成した。さ
らに、その上に、陰極の導電性を高めるために銀を、同
様にモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度0.3nm
/秒、真空度1×10-5Torr(約1.3×10-3Pa)で膜厚40nm
の銀層を形成して陰極8を完成させた。以上の3層型陰
極8の蒸着時の基板温度は室温に保持した。
面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。この素
子の発光特性を表7に示す。表7において、発光効率は
100cd/m2での値、輝度/電流は輝度−電流密度特性の傾
きを、電圧は100cd/m2での値を各々示す。素子の発光ス
ペクトルの極大波長は561nmであり、蛍光化合物(Dy
e−1)からのものと同定された。
500時間保存したところ、500時間保存後も非発光
部は発光部全体の1%未満で実用に耐えるものであっ
た。
を除いた他は実施例4と同様にして素子を作製した。こ
の素子の発光特性を表7に示す。素子の発光スペクトル
の極大波長は実施例4と同様560nmであり、蛍光化合物
(Dye−1)からのものと同定された。
す(Dye−2)を用いた(含有量:1重量%)他は実
施例4と同様にして素子を作製した。この素子の発光特
性を表7に示す。素子の発光スペクトルの極大波長は59
0nmであり、蛍光化合物(Dye−2)からのものと同
定された。
す(Dye−3)を用いた(含有量:0.5重量%)他
は実施例4と同様にして素子を作製した。この素子の発
光特性を表7に示す。素子の発光スペクトルの極大波長
は535nmであり、蛍光化合物(Dye−3)からのもの
と同定された。
を除いた他は、実施例4と同様にして素子を作製した。
下の抑制効果の確認試験]実施例4〜6および比較例5
で作製した素子について、輝度を向上させながら発光効
率の変化を観察した。結果を図4〜6に示す。図4〜6
における発光効率は、いずれも最大発光効率で規格化し
た値である。
物を併用しない比較例5の素子より、高輝度での発光時
の発光効率の低下が少なかった。
認試験]実施例4〜6および比較例5で作製した素子に
ついて、電流密度J=250mA/cm2で駆動したと
きの、輝度の経時変化を観察した。結果を図7〜9に示
す。図7〜9における輝度は、いずれも最大輝度(初期
輝度)で規格化した値である。
物を併用しない比較例5の素子より、輝度の低下が少な
かった。
光素子によると、(a)単独では高効率で発光しない燐
光発光化合物、または(b)様々な発光色を示すが、い
ずれも燐光発光化合物ほどの高い発光効率を示さない、
蛍光発光化合物である化合物Bに対し、室温で燐光発光
を示す化合物Aを併用することにより、化合物Bの発光
が強められ、素子の発光効率が向上する。
ることができるため、有機電界発光素子を用いたマルチ
カラー表示やフルカラー表示のフラットパネル・ディス
プレイを実現する上で、非常に有意義である。
合物である場合、輝度の劣化と発光効率低下の抑制効果
もあるため好ましい。燐光化合物Aと併用することによ
り、蛍光化合物B由来の発光色を示し、燐光発光に近い
発光効率の有機電界発光素子を実現することが可能とな
ると同時に、燐光発光素子において顕著な、輝度の経時
劣化および高輝度での発光時の発光効率低下を抑制する
ことができ、駆動安定性の高い素子を得ることができ
る。
を示した模式的断面図である。
例を示した模式的断面図である。
例を示した模式的断面図である。
高輝度発光時の輝度変化を示した図である。
高輝度発光時の輝度変化を示した図である。
高輝度発光時の輝度変化を示した図である。
連続駆動時の輝度変化を示した図である。
連続駆動時の輝度変化を示した図である。
連続駆動時の輝度変化を示した図である。
Claims (21)
- 【請求項1】 基板上に、陽極および陰極に挟持された
発光層を有する有機電界発光素子において、該発光層
が、(1)電子輸送性および/または正孔輸送性を有す
るホスト材料(2)室温で、燐光発光を示す化合物A及
び(3)室温で、燐光発光または蛍光発光を示し、か
つ、その最大発光波長が上記化合物Aの最大発光波長よ
り長波長である化合物Bを含有し、該素子の最大発光波
長が上記化合物Bに由来することを特徴とする有機電界
発光素子。 - 【請求項2】 前記化合物Aが周期律表7ないし11族
から選ばれる金属を含む有機金属錯体であることを特徴
とする請求項1に記載の有機電界発光素子。 - 【請求項3】 前記化合物Bが室温で燐光発光を示す、
周期律表7ないし11族から選ばれる金属を含む有機金
属錯体であることを特徴とする請求項1に記載の有機電
界発光素子。 - 【請求項4】 周期律表7ないし11族から選ばれる金
属が、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウ
ム、オスミウム、イリジウム、白金、および金から選ば
れることを特徴とする請求項2または3に記載の有機電
界発光素子。 - 【請求項5】 前記有機金属錯体が、下記一般式(IV)
で表わされる化合物であることを特徴とする請求項2な
いし4のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。 【化1】 ((IV)式中、環Dは置換基を有していても良い芳香族
炭化水素環または置換基を有していても良い含窒素芳香
族複素環を表わし、環Eは置換基を有していても良い含
窒素芳香族複素環を表す。環Dが有する基と環Eが有す
る基が結合してこれらに縮合する環を形成しても良い。
M4は周期律表7ないし11族から選ばれる金属、L2
は任意の2座配位子、mはM4の価数、kは0≦k<m
の整数を表わす。) - 【請求項6】 前記有機金属錯体が、下記一般式(IV−
1)または(IV−2)で表わされる化合物から選ばれる
ことを特徴とする請求項2ないし4のいずれか1項に記
載の有機電界発光素子。 【化2】 ((IV−1),(IV−2)式中、M5およびM6は周期
律表7ないし11族から選ばれる金属、mは該金属の価
数を表わす。環D1および環D2は置換基を有していて
も良い芳香族炭化水素環基または芳香族複素環を表わ
し、環E1および環E2は、置換基を有していても良
い、含窒素芳香族複素環を表わす。環D1が有する置換
基と環E1が有する置換基が結合して、これらに縮合す
る環を形成していても良く、また環D2が有する置換基
と環E2が有する置換基が結合して、これらに縮合する
環を形成していても良い。) - 【請求項7】 前記有機金属錯体が、下記一般式(V)
で表わされる化合物から選ばれることを特徴とする請求
項2ないし4のいずれか1項に記載の有機電界発光素
子。 【化3】 ((V)式中、R81〜R92は水素原子、ハロゲン原
子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シアノ
基、アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カ
ルボキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アラ
ルキルアミノ基、ハロアルキル基、水酸基、アリールオ
キシ基、置換基を有していても良い芳香族炭化水素環基
または芳香族複素環基を表わし、R81とR82、R
84とR85、R87とR88、R90とR91は、そ
れぞれ互いに結合して環を形成していても良い。M7は
周期律表7ないし11族から選ばれる金属、X9〜X
12は炭素または窒素を表わす。但し、X9〜X12の
いずれかが窒素原子の場合は、該窒素原子に結合するR
83、R86、R89またはR92は無い。) - 【請求項8】 前記化合物Aおよび/または化合物Bと
してイリジウム錯体を含有することを特徴とする請求項
1ないし7のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。 - 【請求項9】 前記化合物Aおよび化合物Bのうちの一
方としてイリジウム錯体を含有し、他方として白金錯体
を含有することを特徴とする請求項8に記載の有機電界
発光素子。 - 【請求項10】 前記化合物Aおよび化合物Bとしてイ
リジウム錯体を含有することを特徴とする請求項8に記
載の有機電界発光素子。 - 【請求項11】 前記ホスト材料が下記一般式(I)で
表わされる化合物であることを特徴とする請求項1ない
し10のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。 【化4】 ((I)式中、カルバゾリル基およびフェニレン基は任
意の置換基を有していても良い。Z1は直接結合または
2価の連結基を示す。) - 【請求項12】 一般式(I)で表わされる化合物が、
下記一般式(I−1)で表わされることを特徴とする請
求項11に記載の有機電界発光素子。 【化5】 ((I−1)式中、R1〜R16は各々独立に、水素原
子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケ
ニル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、アルコキシカ
ルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アルキル
アミノ基、アラルキルアミノ基、ハロアルキル基、水酸
基、アリールオキシ基、置換基を有していても良い芳香
族炭化水素環基または芳香族複素環基を表わし、R1と
R2、R3とR4、R5とR6、R7とR8、R9とR
10、R11とR12、R13とR 14、R15とR
16はそれぞれ互いに結合して環を形成していても良
い。Z1は直接結合または2価の連結基を示す。) - 【請求項13】 一般式(I)または(I−1)におけ
るZ1が、直接結合、酸素原子、硫黄原子、以下に示す
連結基、 【化6】 置換基を有していても良い2価の芳香族炭化水素環基ま
たは芳香族複素環基、または、以下の連結基のいずれか 【化7】 (上記各構造中のベンゼン環部分は、いずれも任意の置
換基を有していても良く、またAr1〜Ar6は置換基
を有していても良い芳香族炭化水素環基あるいは芳香族
複素環基、または以下の式(I−2) 【化8】 で表わされる基のいずれかである。なお、式(I−2)
中におけるカルバゾリル基およびフェニレン基は、任意
の置換基を有していても良い。)であることを特徴とす
る請求項11または12に記載の有機電界発光素子。 - 【請求項14】 式(I−2)で表わされる基が下記式
(I−3)で表わされることを特徴とする請求項13に
記載の有機電界発光素子。 【化9】 ((I−3)式中、R17〜R24は各々独立に、水素
原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アル
ケニル基、シアノ基、置換基を有していても良いアミノ
基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル
基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アラルキルアミ
ノ基、ハロアルキル基、水酸基、アリールオキシ基、置
換基を有していても良い芳香族炭化水素環基または芳香
族複素環基を表わし、R17とR18、R19と
R20、R21とR22、R23とR24はそれぞれ互
いに結合して環を形成していても良い。) - 【請求項15】 前記ホスト材料が下記一般式(II)で
表わされる化合物であることを特徴とする請求項1ない
し10のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。 【化10】 ((II)式中、Mは周期律表1族、2族、3族、12
族、または13族から選ばれる金属を表わし、nは該金
属の価数を表わす。Lは任意の置換基を表わし、jは置
換基Lの数を表わし0または1である。X2は炭素原子
または窒素原子を表わす。環Aは含窒素複素環を示し、
置換基を有していても良い。環Bは芳香族炭化水素環ま
たは芳香族複素環を示し、置換基を有していても良
い。) - 【請求項16】 一般式(II)で表わされる化合物が、
下記一般式(II−1)、(II−2)または(II−3)の
いずれかで表わされることを特徴とする請求項15に記
載の有機電界発光素子。 【化11】 ((II−1)式中、M1は1ないし3価の金属を表わ
し、n、X2、環Aおよび環Bは一般式(II)における
と同義である。) 【化12】 ((II−2)式中、M2は3価の金属を表わし、X2、
環Aおよび環Bは一般式(II)におけると同義である。
L1は下記一般式(II−2a)、(II−2b)または
(II−2c)を表わす。) 【化13】 ((II−2a)、(II−2b)、(II−2c)式中、A
r11〜Ar15は置換基を有していても良い芳香族炭
化水素環基または置換基を有していても良い芳香族複素
環基を表わし、Z2はシリコンまたはゲルマニウムを表
わす。) 【化14】 ((II−3)式中、M3およびM3’は3価の金属を表
わし、X2、環A及び環Bは一般式(II)におけると同
義であり、X2’はX2と、環A’は環Aと、また環
B’は環Bとそれぞれ同義である。) - 【請求項17】 前記ホスト材料が下記一般式(III)
で表わされる基を有する化合物であることを特徴とする
請求項1ないし10のいずれか1項に記載の有機電界発
光素子。 【化15】 ((III)式中、R51〜R54は各々独立に、水素原
子または任意の置換基を表わし、R51とR52、R
53とR54はそれぞれ結合して環を形成していても良
い。X3は酸素原子または硫黄原子を示す。) - 【請求項18】 一般式(III)で表わされる化合物の
分子量が400〜1200程度であることを特徴とする
請求項17に記載の有機電界発光素子。 - 【請求項19】 一般式(III)で表わされる化合物
が、下記一般式(III−1)または(III−2)で表わさ
れることを特徴とする請求項17または18に記載の有
機電界発光素子。 【化16】 ((III−1)式中、R55〜R62は各々独立に、水
素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、ア
ルケニル基、アリル基、シアノ基、アミノ基、アシル
基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコ
キシ基、アルキルアミノ基、α−ハロアルキル基、水酸
基、置換基を有していても良い芳香族炭化水素環基また
は芳香族複素環基を表わし、R55とR56、R57と
R58、R5 9とR60、R61とR62はそれぞれ互
いに結合して環を形成していても良い。X4およびX5
は各々独立に、酸素原子または硫黄原子を示し、Q1は
置換基を有していても良い芳香族炭化水素環基または芳
香族複素環基からなる2価の連結基を示す。) 【化17】 ((III−2)式中、R63〜R74は各々独立に、水
素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、ア
ルケニル基、アリル基、シアノ基、アミノ基、アシル
基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコ
キシ基、アルキルアミノ基、α−ハロアルキル基、水酸
基、置換基を有していても良い芳香族炭化水素環基また
は芳香族複素環基を表わし、R63とR64、R65と
R66、R6 7とR68、R69とR70、R71とR
72、R73とR74はそれぞれ互いに結合して環を形
成していても良い。X6〜X8は各々独立に、酸素原子
または硫黄原子を示し、Q2は置換基を有していても良
い芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基からなる3
価の連結基を示す。) - 【請求項20】 前記化合物Bが、緑色発光、黄色発光
または赤色発光を示す蛍光化合物であることを特徴とす
る請求項1ないし19のいずれか1項に記載の有機電界
発光素子。 - 【請求項21】 前記発光層と陰極との間に、正孔阻止
層を有することを特徴とする請求項1ないし20のいず
れか1項に記載の有機電界発光素子。
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Cited By (52)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002338588A (ja) * | 2001-03-14 | 2002-11-27 | Canon Inc | 金属配位化合物、電界発光素子及び表示装置 |
JP2003208988A (ja) * | 2001-11-09 | 2003-07-25 | Konica Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 |
JP2003272861A (ja) * | 2002-03-12 | 2003-09-26 | Konica Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた表示装置 |
JP2004171808A (ja) * | 2002-11-18 | 2004-06-17 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 |
JP2004221062A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-08-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子 |
JP2005071986A (ja) * | 2003-08-04 | 2005-03-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子 |
WO2005030900A1 (ja) * | 2003-09-25 | 2005-04-07 | Nippon Steel Chemical Co., Ltd. | 有機電界発光素子 |
JP2005116520A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子 |
JP2005163036A (ja) * | 2003-11-18 | 2005-06-23 | Chi Mei Electronics Corp | 発光材料としてのイリジウム錯体および有機発光ダイオードデバイス |
JP2005190949A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子 |
JP2005267982A (ja) * | 2004-03-17 | 2005-09-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子 |
WO2005112520A1 (ja) * | 2004-05-18 | 2005-11-24 | Nippon Hoso Kyokai | 発光素子 |
JP2006066562A (ja) * | 2004-08-26 | 2006-03-09 | Japan Science & Technology Agency | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2006128632A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-05-18 | Canon Inc | 有機エレクトロルミネッセント素子、及びディスプレイ装置 |
JP2006140182A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子 |
JP2006193546A (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
JP2006270053A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-10-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子 |
JP2006344891A (ja) * | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Fujifilm Holdings Corp | 有機電界発光素子 |
JP2007142111A (ja) * | 2005-11-17 | 2007-06-07 | Takasago Internatl Corp | 発光素子及び表示装置 |
JP2007515788A (ja) * | 2003-12-05 | 2007-06-14 | イーストマン コダック カンパニー | 添加剤を含む有機エレクトロルミネセンスデバイス |
JP2007522661A (ja) * | 2004-02-10 | 2007-08-09 | メルク パテント ゲーエムベーハー | リン光エレクトロルミネセンス素子 |
JP2007227948A (ja) * | 2007-03-29 | 2007-09-06 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた表示装置 |
US7329984B2 (en) | 2004-12-13 | 2008-02-12 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Organic EL devices |
US7388327B2 (en) | 2003-08-29 | 2008-06-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device and display apparatus |
CN100395618C (zh) * | 2004-12-25 | 2008-06-18 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 金属络合物、光源与背光模组 |
JP2008205488A (ja) * | 2008-03-22 | 2008-09-04 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 |
WO2008120355A1 (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-09 | Pioneer Corporation | 有機el素子 |
JP2008252094A (ja) * | 2008-03-22 | 2008-10-16 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 |
US7505487B2 (en) | 2003-04-23 | 2009-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser oscillator including phosphorescent material |
JP2009170812A (ja) * | 2008-01-18 | 2009-07-30 | Mitsui Chemicals Inc | 有機電界発光素子 |
JP2009534846A (ja) * | 2006-04-20 | 2009-09-24 | ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション | 多重ドーパント発光層有機発光デバイス |
US7611779B2 (en) | 2003-03-27 | 2009-11-03 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
US7732606B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-06-08 | Fujifilm Corporation | Light-emitting device |
JP2010147115A (ja) * | 2008-12-17 | 2010-07-01 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US7749616B2 (en) | 2004-07-15 | 2010-07-06 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescent element and display device using the same |
KR100988882B1 (ko) | 2003-07-22 | 2010-10-20 | 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 | 전기 발광 이리듐 화합물 및 이를 발광 도판트로서채용하고 있는 표시소자 |
US7911132B2 (en) | 2005-02-28 | 2011-03-22 | Fujifilm Corporation | Organic light emitting diode having electron and hole mobility in light emitting layer and display using the same |
JP2011071194A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Canon Inc | 有機発光素子 |
KR101032590B1 (ko) * | 2003-09-19 | 2011-05-06 | 후지필름 가부시키가이샤 | 유기 전기 발광 소자 |
JP4941291B2 (ja) * | 2005-03-17 | 2012-05-30 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2012512535A (ja) * | 2008-12-17 | 2012-05-31 | メルク パテント ゲーエムベーハー | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2013080898A (ja) * | 2011-09-22 | 2013-05-02 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 有機発光素子及びこれを用いた表示装置 |
US8518558B2 (en) | 2007-03-29 | 2013-08-27 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescent element |
JP2014534950A (ja) * | 2011-09-28 | 2014-12-25 | ソルヴェイ(ソシエテ アノニム) | 発光素子用のスピロビフルオレン化合物 |
WO2016084648A1 (ja) * | 2014-11-25 | 2016-06-02 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、それが具備された照明装置及び表示装置 |
WO2018097153A1 (ja) * | 2016-11-25 | 2018-05-31 | コニカミノルタ株式会社 | 発光性膜、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機材料組成物及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
WO2018186101A1 (ja) * | 2017-04-07 | 2018-10-11 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
CN110729410A (zh) * | 2019-10-31 | 2020-01-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光二极管、显示面板及制作方法 |
CN112602207A (zh) * | 2018-09-12 | 2021-04-02 | 默克专利有限公司 | 电致发光器件 |
CN112640147A (zh) * | 2018-09-12 | 2021-04-09 | 默克专利股份公司 | 电致发光装置 |
US11424417B2 (en) | 2018-11-16 | 2022-08-23 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic electroluminescence device and compound for organic electroluminescence device |
US11985893B2 (en) | 2019-11-08 | 2024-05-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic electroluminescence device and aromatic compound for organic electroluminescence device |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4523990B1 (ja) | 2009-08-31 | 2010-08-11 | 富士フイルム株式会社 | 有機電界発光素子用材料及び有機電界発光素子 |
-
2001
- 2001-10-04 JP JP2001308336A patent/JP4039023B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (71)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002338588A (ja) * | 2001-03-14 | 2002-11-27 | Canon Inc | 金属配位化合物、電界発光素子及び表示装置 |
JP2003208988A (ja) * | 2001-11-09 | 2003-07-25 | Konica Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 |
JP2003272861A (ja) * | 2002-03-12 | 2003-09-26 | Konica Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた表示装置 |
JP2004171808A (ja) * | 2002-11-18 | 2004-06-17 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 |
JP2004221062A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-08-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子 |
US7611779B2 (en) | 2003-03-27 | 2009-11-03 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
US7505487B2 (en) | 2003-04-23 | 2009-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser oscillator including phosphorescent material |
KR100988882B1 (ko) | 2003-07-22 | 2010-10-20 | 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 | 전기 발광 이리듐 화합물 및 이를 발광 도판트로서채용하고 있는 표시소자 |
JP2005071986A (ja) * | 2003-08-04 | 2005-03-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子 |
US7388327B2 (en) | 2003-08-29 | 2008-06-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device and display apparatus |
JP2005116520A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子 |
KR101032590B1 (ko) * | 2003-09-19 | 2011-05-06 | 후지필름 가부시키가이샤 | 유기 전기 발광 소자 |
JP4593470B2 (ja) * | 2003-09-25 | 2010-12-08 | 新日鐵化学株式会社 | 有機電界発光素子 |
JPWO2005030900A1 (ja) * | 2003-09-25 | 2007-11-15 | 新日鐵化学株式会社 | 有機電界発光素子 |
WO2005030900A1 (ja) * | 2003-09-25 | 2005-04-07 | Nippon Steel Chemical Co., Ltd. | 有機電界発光素子 |
JP4543136B2 (ja) * | 2003-11-18 | 2010-09-15 | 奇美電子股▲ふん▼有限公司 | 発光材料としてのイリジウム錯体および有機発光ダイオードデバイス |
JP2005163036A (ja) * | 2003-11-18 | 2005-06-23 | Chi Mei Electronics Corp | 発光材料としてのイリジウム錯体および有機発光ダイオードデバイス |
JP2007515788A (ja) * | 2003-12-05 | 2007-06-14 | イーストマン コダック カンパニー | 添加剤を含む有機エレクトロルミネセンスデバイス |
JP2005190949A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子 |
JP4521182B2 (ja) * | 2003-12-26 | 2010-08-11 | 富士フイルム株式会社 | 有機電界発光素子 |
JP2007522661A (ja) * | 2004-02-10 | 2007-08-09 | メルク パテント ゲーエムベーハー | リン光エレクトロルミネセンス素子 |
JP2005267982A (ja) * | 2004-03-17 | 2005-09-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子 |
JPWO2005112520A1 (ja) * | 2004-05-18 | 2008-03-27 | 日本放送協会 | 発光素子 |
WO2005112520A1 (ja) * | 2004-05-18 | 2005-11-24 | Nippon Hoso Kyokai | 発光素子 |
JP5008974B2 (ja) * | 2004-05-18 | 2012-08-22 | 日本放送協会 | 発光素子 |
US7749616B2 (en) | 2004-07-15 | 2010-07-06 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescent element and display device using the same |
JP2006066562A (ja) * | 2004-08-26 | 2006-03-09 | Japan Science & Technology Agency | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US7732606B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-06-08 | Fujifilm Corporation | Light-emitting device |
JP2006128632A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-05-18 | Canon Inc | 有機エレクトロルミネッセント素子、及びディスプレイ装置 |
JP2006140182A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子 |
US7329984B2 (en) | 2004-12-13 | 2008-02-12 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Organic EL devices |
CN100395618C (zh) * | 2004-12-25 | 2008-06-18 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 金属络合物、光源与背光模组 |
JP2006193546A (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
US7911132B2 (en) | 2005-02-28 | 2011-03-22 | Fujifilm Corporation | Organic light emitting diode having electron and hole mobility in light emitting layer and display using the same |
US7936123B2 (en) | 2005-02-28 | 2011-05-03 | Fujifilm Corporation | Organic light emitting diode having electron and hole mobility in light emitting layer and display using the same |
JP2006270053A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-10-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子 |
JP4941291B2 (ja) * | 2005-03-17 | 2012-05-30 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2006344891A (ja) * | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Fujifilm Holdings Corp | 有機電界発光素子 |
JP2007142111A (ja) * | 2005-11-17 | 2007-06-07 | Takasago Internatl Corp | 発光素子及び表示装置 |
JP2013191879A (ja) * | 2006-04-20 | 2013-09-26 | Universal Display Corp | 多重ドーパント発光層有機発光デバイス |
JP2009534846A (ja) * | 2006-04-20 | 2009-09-24 | ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション | 多重ドーパント発光層有機発光デバイス |
US8518558B2 (en) | 2007-03-29 | 2013-08-27 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescent element |
JP2007227948A (ja) * | 2007-03-29 | 2007-09-06 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた表示装置 |
JPWO2008120355A1 (ja) * | 2007-03-29 | 2010-07-15 | パイオニア株式会社 | 有機el素子 |
WO2008120355A1 (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-09 | Pioneer Corporation | 有機el素子 |
JP2009170812A (ja) * | 2008-01-18 | 2009-07-30 | Mitsui Chemicals Inc | 有機電界発光素子 |
JP2008205488A (ja) * | 2008-03-22 | 2008-09-04 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 |
JP2008252094A (ja) * | 2008-03-22 | 2008-10-16 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 |
JP2012512535A (ja) * | 2008-12-17 | 2012-05-31 | メルク パテント ゲーエムベーハー | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2010147115A (ja) * | 2008-12-17 | 2010-07-01 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2011071194A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Canon Inc | 有機発光素子 |
JP2013080898A (ja) * | 2011-09-22 | 2013-05-02 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 有機発光素子及びこれを用いた表示装置 |
US10825992B2 (en) | 2011-09-28 | 2020-11-03 | Sumitomo Chemical Co., Ltd | Spirobifluorene compounds for light emitting devices |
JP2014534950A (ja) * | 2011-09-28 | 2014-12-25 | ソルヴェイ(ソシエテ アノニム) | 発光素子用のスピロビフルオレン化合物 |
JP2015500793A (ja) * | 2011-09-28 | 2015-01-08 | ソルヴェイ(ソシエテ アノニム) | 発光素子用のスピロビフルオレン化合物 |
WO2016084648A1 (ja) * | 2014-11-25 | 2016-06-02 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、それが具備された照明装置及び表示装置 |
JPWO2016084648A1 (ja) * | 2014-11-25 | 2017-08-31 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、それが具備された照明装置及び表示装置 |
JPWO2018097153A1 (ja) * | 2016-11-25 | 2019-10-17 | コニカミノルタ株式会社 | 発光性膜、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機材料組成物及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
WO2018097153A1 (ja) * | 2016-11-25 | 2018-05-31 | コニカミノルタ株式会社 | 発光性膜、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機材料組成物及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
WO2018186101A1 (ja) * | 2017-04-07 | 2018-10-11 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
JPWO2018186101A1 (ja) * | 2017-04-07 | 2020-03-05 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
JP2022500870A (ja) * | 2018-09-12 | 2022-01-04 | メルク パテント ゲーエムベーハー | エレクトロルミネッセントデバイス |
CN112602207A (zh) * | 2018-09-12 | 2021-04-02 | 默克专利有限公司 | 电致发光器件 |
CN112640147A (zh) * | 2018-09-12 | 2021-04-09 | 默克专利股份公司 | 电致发光装置 |
JP2022500871A (ja) * | 2018-09-12 | 2022-01-04 | メルク パテント ゲーエムベーハー | エレクトロルミネッセントデバイス |
CN112640147B (zh) * | 2018-09-12 | 2024-04-26 | 默克专利股份公司 | 电致发光装置 |
US12035620B2 (en) | 2018-09-12 | 2024-07-09 | Merck Patent Gmbh | Composition and an electronic device containing a sensitizer and a fluorescent emitter |
US11424417B2 (en) | 2018-11-16 | 2022-08-23 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic electroluminescence device and compound for organic electroluminescence device |
CN110729410A (zh) * | 2019-10-31 | 2020-01-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光二极管、显示面板及制作方法 |
CN110729410B (zh) * | 2019-10-31 | 2022-06-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光二极管、显示面板及制作方法 |
US11985893B2 (en) | 2019-11-08 | 2024-05-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic electroluminescence device and aromatic compound for organic electroluminescence device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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JP4039023B2 (ja) | 2008-01-30 |
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