JP2003272861A - 有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明の目的は、発光輝度、量子効率及び寿
命の向上し、かつ高効率な有機エレクトロルミネッセン
ス素子とそれを用いた表示装置を提供することである。 【解決手段】 下記一般式（１）で表される部分構造を
有する化合物またはその互変異性体を含有することを特
徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 【化１】 〔式中、Ｃは炭素原子、Ｎは窒素原子を表し、Ｚ₁₁は炭
素原子および窒素原子とともに芳香族環を形成するのに
必要な原子群を表し、Ｚ₁₂は炭素原子とともに非芳香族
環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｍは金属を表
す。〕

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、有機エレクトロル
ミネッセンス（以下、有機ＥＬとも略記する）素子及び
それを用いた表示装置に関し、詳しくは、発光輝度の高
い有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた
表示装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】発光型の電子ディスプレイデバイスとし
て、エレクトロルミネッセンスディスプレイ（ＥＬＤ）
がある。ＥＬＤの構成要素としては、無機エレクトロル
ミネッセンス素子や有機エレクトロルミネッセンス素子
が挙げられる。無機エレクトロルミネッセンス素子は平
面型光源として使用されてきたが、発光素子を駆動させ
るためには交流の高電圧が必要である。有機エレクトロ
ルミネッセンス素子は、発光する化合物を含有する発光
層を、陰極と陽極で挟んだ構成を有し、発光層に電子及
び正孔を注入して、再結合させることにより励起子（エ
キシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の
光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光する素子であ
り、数Ｖ〜数十Ｖ程度の電圧で発光が可能であり、さら
に、自己発光型であるために視野角に富み、視認性が高
く、薄膜型の完全固体素子であるために省スペース、携
帯性等の観点から注目されている。

【０００３】しかしながら、今後の実用化に向けた有機
ＥＬ素子においては、さらに低消費電力で効率よく高輝
度に発光する有機ＥＬ素子の開発が望まれている。

【０００４】本発明の有機ＥＬ素子のフルカラー化方式
は、燐光性化合物をドーパントとして用いることが特徴
である。

【０００５】特許第３０９３７９６号では、スチルベン
誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体又はトリススチリ
ルアリーレン誘導体に、微量の蛍光体をドープし、発光
輝度の向上、素子の長寿命化を達成している。

【０００６】また、８−ヒドロキシキノリンアルミニウ
ム錯体をホスト化合物として、これに微量の蛍光体をド
ープした有機発光層を有する素子（特開昭６３−２６４
６９２号公報）、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム
錯体をホスト化合物として、これにキナクリドン系色素
をドープした有機発光層を有する素子（特開平３−２５
５１９０号公報）が知られている。

【０００７】以上のように、励起一重項からの発光を用
いる場合、一重項励起子と三重項励起子の生成比が１：
３であるため発光性励起種の生成確率が２５％であるこ
とと、光の取り出し効率が約２０％であるため、外部取
り出し量子効率（η_ext）の限界は５％とされている。
ところが、プリンストン大より、励起三重項からの燐光
発光を用いる有機ＥＬ素子の報告（Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏ
ｅｔ ａｌ．，ｎａｔｕｒｅ、３９５巻、１５１〜１
５４ページ（１９９８年））がされて以来、室温で燐光
を示す材料の研究が活発になってきている。例えば、
Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏ ｅｔ ａｌ．，ｎａｔｕｒｅ、４
０３巻、１７号、７５０〜７５３ページ（２０００
年）、又米国特許第６，０９７，１４７号などにも開示
されている。

【０００８】励起三重項を使用すると、内部量子効率の
上限が１００％となるため、励起一重項の場合に比較し
て原理的に発光効率が４倍となり、冷陰極管とほぼ同等
の性能が得られ、照明用にも応用可能であり注目されて
いる。

【０００９】例えば、Ｓ．Ｌａｍａｎｓｋｙ ｅｔ ａ
ｌ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１２３巻、４３
０４ページ（２００１年）等においては、多くの化合物
がイリジウム錯体系など重金属錯体を中心に合成検討さ
れている。

【００１０】又、前述のＭ．Ａ．Ｂａｌｄｏ ｅｔ ａ
ｌ．，ｎａｔｕｒｅ、４０３巻、１７号、７５０〜７５
３ページ（２０００年）においては、ドーパントとし
て、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウムを用い
た検討がされている。

【００１１】その他、Ｍ．Ｅ．Ｔｏｍｐｓｏｎらは、Ｔ
ｈｅ １０ｔｈ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｗｏｒ
ｋｓｈｏｐ ｏｎ Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ ａｎｄ Ｏｒ
ｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ
（ＥＬ’００、浜松）において、ドーパントとしてＬ₂
Ｉｒ（ａｃａｃ）、例えば、（ｐｐｙ）₂Ｉｒ（ａｃａ
ｃ）を、又、Ｍｏｏｎ−Ｊａｅ Ｙｏｕｎ．０ｇ，Ｔｅ
ｔｓｕｏ Ｔｓｕｔｓｕｉ等は、やはり、Ｔｈｅ １０
ｔｈ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｗｏｒｋｓｈｏｐ
ｏｎ Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ ａｎｄ Ｏｒｇａｎｉｃ
Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ（ＥＬ’０
０、浜松）において、ドーパントとして、トリス（２−
（ｐ−トリル）ピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｔｐ
ｙ）₃）、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリン）イリジウム
（Ｉｒ（ｂｚｑ）₃）、Ｉｒ（ｂｚｑ）₂ＣｌＰ（Ｂｕ）
₃等を用いた検討を報告している。

【００１２】又、前記、Ｓ．Ｌａｍａｎｓｋｙ ｅｔ
ａｌ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１２３巻、４
３０４ページ（２００１年）等においても、各種イリジ
ウム錯体を用いて素子化する試みがなされている。

【００１３】又、高い発光効率を得るために、Ｔｈｅ
１０ｔｈ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｗｏｒｋｓｈ
ｏｐ ｏｎ Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ ａｎｄ Ｏｒｇａｎ
ｉｃＥｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ（ＥＬ
’００、浜松）で、Ｉｋａｉらは、ホール輸送性の化
合物を燐光性化合物のホストとして用いている方法を報
告している。また、Ｍ．Ｅ．Ｔｏｍｐｓｏｎらは、各種
電子輸送性材料を燐光性化合物のホストとして、これら
に新規なイリジウム錯体をドープして用いる方法を報告
している。さらに、Ｔｓｕｔｓｕｉらは、ホールブロッ
ク層の導入により高い発光効率を得る方法について報告
している。

【００１４】しかし、緑色発光については、理論限界で
ある２０％近くの外部取り出し効率が達成されているも
のの、その他の発光色についてはまだ十分な効率が得ら
れておらず改良が必要であった。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、特定
の構造を有する金属錯体を含有し、発光輝度、量子効率
及び寿命の向上し、かつ高効率な有機エレクトロルミネ
ッセンス素子とそれを用いた表示装置を提供することで
ある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、以
下の構成により達成された。

【００１７】１．前記一般式（１）で表される部分構造
を有する化合物またはその互変異性体を含有することを
特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。

【００１８】２．前記一般式（２）で表される部分構造
を有する化合物またはその互変異性体を含有することを
特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。

【００１９】３．前記一般式（３）で表される部分構造
を有する化合物またはその互変異性体を含有することを
特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。

【００２０】４．前記一般式（４）で表される部分構造
を有する化合物またはその互変異性体を含有することを
特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。

【００２１】５．前記一般式（５）で表される部分構造
を有する化合物またはその互変異性体を含有することを
特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。

【００２２】６．Ｍで表される金属が、イリジウム、白
金またはオスミウムであることを特徴とする前記１〜５
項のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセン
ス素子。

【００２３】７．前記一般式（１）〜（５）から選ばれ
る少なくとも１つの化合物を発光層に含有することを特
徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。

【００２４】８．前記１〜７項のいずれか１項に記載の
有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴
とする表示装置。

【００２５】以下、本発明の詳細について説明する。本
発明者等は、鋭意検討の結果、前記一般式（１）〜
（５）で表される特定構造を有する金属錯体化合物を用
いた有機ＥＬ素子が、高い外部取り出し効率を示すこと
を見出し、これらの化合物を組み合わせることにより、
高効率なフルカラー画像の表示装置が得られることを見
いだしたものである。

【００２６】はじめに、本発明に係る一般式（１）〜
（５）で表される特定構造を有する金属錯体化合物につ
いて説明する。

【００２７】前記一般式（１）において、Ｚ₁₁は炭素原
子および窒素原子とともに複素芳香族環を形成するのに
必要な原子群を表し、Ｚ₁₂は炭素原子とともに非芳香族
環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｍは金属を表
す。Ｚ₁₁で形成される芳香族環としては、例えば、ピリ
ジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ト
リアジン環、ベンズイミダゾール環、ベンズチアゾール
環、ベンズオキサゾール環、キナゾリン環、フタラジン
環等が挙げられる。Ｚ₁₂で形成される非芳香族環として
は、例えば、以下に記載の環が挙げられる。

【００２８】

【化６】

【００２９】一般式（１）において、好ましくはＺ₁₂で
表される非芳香環が、Ｒ−２またはＲ−６である。

【００３０】次に、一般式（２）について説明する。一
般式（２）において、Ｚ₂₁およびＺ₂₂は、各々炭素原子
および窒素原子とともに芳香環を形成するのに必要な原
子群を表し、Ｍは金属を表す。Ｚ₂₁で形成される芳香環
は、前記Ｚ₁₁と同様の芳香環が挙げられ、Ｚ₂₂で形成さ
れる芳香環としては、例えば、ピロール環、ピラゾール
環、イミダゾール環、トリアゾール環、インドール環、
ベンズイミダゾール環等が挙げられる。好ましくは、ピ
ロール環、トリアゾール環の時である。

【００３１】次に、一般式（３）について説明する。一
般式（３）において、Ｚ₃₁は炭素原子および窒素原子と
ともに芳香族環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｚ
₃₂は炭素原子とともに芳香族５員環を形成するのに必要
な、炭素、窒素または酸素原子により構成される原子群
を表し、Ｍは金属を表す。Ｚ₃₁で形成される芳香環とし
ては前記Ｚ₁₁と同様の芳香環が挙げられ、Ｚ₃₂で形成さ
れる芳香族５員環としては、例えば、ピロール環、フラ
ン環、イミダゾール環、ピラゾール環、オキサゾール
環、オキサジアゾール環等を挙げることができ、好まし
くは含窒素芳香環であり、より好ましくは窒素または酸
素原子が複数個含まれる含窒素芳香環である。

【００３２】次に、一般式（４）について説明する。一
般式（４）において、Ｚ₄₁は炭素原子および窒素原子と
ともに環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｚ₄₂は炭
素原子とともに環を形成するのに必要な原子群を表し、
Ｍは金属を表す。Ｚ₄₁で形成される芳香環は、前記Ｚ₁₁
と同様の芳香環が挙げられ、Ｚ₄₂で形成される芳香環
は、芳香環でも非芳香環でもかまわないが、好ましくは
非芳香環である。

【００３３】次に、一般式（５）について説明する。一
般式（５）において、Ｚ₅₁は炭素原子および窒素原子と
ともに複素芳香族環を形成するのに必要な原子群を表
し、Ｚ₅₂は炭素原子とともにアズレン環を形成するのに
必要な原子群を表し、Ｍは金属を表す。Ｚ₅₁で形成され
る芳香環はＺ₁₁と同様の芳香環が挙げられる。

【００３４】上記説明した一般式（１）〜（５）におい
て、Ｚ₁₁、Ｚ₁₂、Ｚ₂₁、Ｚ₂₂、Ｚ₃₁、Ｚ₃₂、Ｚ₄₁、
Ｚ₄₂、Ｚ₅₁およびＺ₅₂によって形成される環は、更に置
換基を有していても良く、また、置換基同士が結合し
て、更に環を形成しても良い。また、一般式（１）〜
（５）において、Ｍは元素の周期律表でVIII属の金属で
あることが好ましく、より好ましくはＭがイリジウム、
オスミウムまたは白金であり、最も好ましくはＭがイリ
ジウムである。

【００３５】以下に、一般式（１）〜（５）で表される
化合物の具体例を挙げるが、本発明は、これらに限定さ
れるものではない。

【００３６】

【化７】

【００３７】

【化８】

【００３８】

【化９】

【００３９】

【化１０】

【００４０】

【化１１】

【００４１】

【化１２】

【００４２】

【化１３】

【００４３】

【化１４】

【００４４】

【化１５】

【００４５】

【化１６】

【００４６】本発明に係る一般式（１）〜（５）で表さ
れる化合物は、当業者で公知の方法に従って合成するこ
とができ、例えば、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１
２３巻、４３０４ページ（２００１年）及びＩｎｏｒ
ｇ．Ｃｈｅｍ．，４０巻、１７０４ページ（２００１
年）等に記載のイリジウム錯体の合成例に準じて、得る
ことができる。

【００４７】本発明において、上記各化合物を含有する
有機エレクトロルミネッセンス素子とは、有機ＥＬ素子
を構成するいずれかの有機層を形成するか、または有機
層に含有されることを表す。好ましくは、発光層に含有
されることである。

【００４８】以下、本発明の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子の構成要素について説明する。

【００４９】本発明において、有機ＥＬ素子の層構成の
好ましい具体例を以下に示すが、本発明これに限定され
るものではない。

【００５０】（ｉ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極 （ii）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極 （iii）陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子
輸送層／陰極 （iv）陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸
送層／陰極バッファー層／陰極 （ｖ）陽極／陽極バッファー層／正孔輸送層／発光層／
正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極 有機ＥＬ素子における陽極としては、仕事関数の大きい
（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれ
らの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられ
る。このような電極物質の具体例としてはＡｕ等の金
属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、Ｓｎ
Ｏ₂、ＺｎＯ等の導電性透明材料が挙げられる。また、
ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ₂Ｏ₃−ＺｎＯ）等非晶質で透明導電膜
を作製可能な材料を用いてもよい。陽極は、これらの電
極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を
形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパタ
ーンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり
必要としない場合は（１００μｍ以上程度）、上記電極
物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを
介してパターンを形成してもよい。この陽極より発光を
取り出す場合には、透過率を１０％より大きくすること
が望ましく、また、陽極としてのシート抵抗は数百Ω／
□以下が好ましい。さらに膜厚は材料にもよるが、通常
１０〜１０００ｎｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範
囲で選ばれる。

【００５１】一方、陰極としては、仕事関数の小さい
（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合
金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質と
するものが用いられる。このような電極物質の具体例と
しては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグ
ネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネ
シウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合
物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／
酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）混合物、インジウム、リ
チウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられ
る。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久
性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が
大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、
マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム
混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウ
ム／酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）混合物、リチウム／
アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰
極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方
法により、薄膜を形成させることにより、作製すること
ができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□
以下が好ましく、膜厚は通常１０〜１０００ｎｍ、好ま
しくは５０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。なお、発光
を透過させるため、有機ＥＬ素子の陽極または陰極のい
ずれか一方が、透明または半透明であれば発光輝度が向
上し好都合である。

【００５２】次に、注入層、正孔輸送層、電子輸送層、
発光層等について説明する。注入層は必要に応じて設
け、電子注入層と正孔注入層があり、上記のごとく陽極
と発光層または正孔輸送層の間、及び、陰極と発光層ま
たは電子輸送層との間に存在させてもよい。

【００５３】注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上
のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有
機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０
日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極
材料」（１２３〜１６６頁）に詳細に記載されており、
正孔注入層（陽極バッファー層）と電子注入層（陰極バ
ッファー層）とがある。

【００５４】陽極バッファー層（正孔注入層）は、特開
平９−４５４７９号、同９−２６００６２号、同８−２
８８０６９号等にもその詳細が記載されており、具体例
として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニン
バッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッ
ファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリア
ニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性
高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。

【００５５】陰極バッファー層（電子注入層）は、特開
平６−３２５８７１号、同９−１７５７４号、同１０−
７４５８６号等にもその詳細が記載されており、具体的
にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属
バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金
属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表され
るアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニ
ウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。

【００５６】上記バッファー層（注入層）はごく薄い膜
であることが望ましく、素材にもよるが、その膜厚は
０．１〜１００ｎｍの範囲が好ましい。

【００５７】阻止層は、上記のごとく、有機化合物薄膜
の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものであ
る。例えば、特開平１１−２０４２５８号、同１１−２
０４３５９号及び「有機ＥＬ素子とその工業化最前線
（１９９８年１１月３０日 エヌ・ティー・エス社発
行）」の２３７頁等に記載されている正孔阻止（ホール
ブロック）層がある。

【００５８】正孔阻止層とは広義では電子輸送層であ
り、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力
が著しく小さい材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を
阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させるこ
とができる。

【００５９】一方、電子阻止層とは広義では正孔輸送層
であり、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する
能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電
子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させ
ることができる。

【００６０】正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有す
る材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も
正孔輸送層に含まれる。

【００６１】正孔輸送層、電子輸送層は単層もしくは複
数層設けることができる。本発明の有機ＥＬ素子におい
ては、発光層のホスト、発光層に隣接する正孔輸送層、
発光層に隣接する電子輸送層すべての材料の蛍光極大波
長が４１５ｎｍ以下であることが好ましい。

【００６２】発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸
送層から注入されてくる電子および正孔が再結合して発
光する層であり、発光する部分は、発光層内であっても
発光層と隣接層との界面であっても良い。

【００６３】発光層に使用される材料（以下、発光材料
という）は、蛍光または燐光を発する有機化合物または
錯体であることが好ましく、有機ＥＬ素子の発光層に使
用される公知のものの中から適宜選択して用いることが
できる。このような発光材料は、主に有機化合物であ
り、所望の色調により、例えば、Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓ
ｙｎｔｈ．，１２５巻，１７〜２５頁に記載の化合物等
を用いることができる。

【００６４】発光材料は、発光性能の他に、正孔輸送機
能や電子輸送機能を併せ持っていても良く、正孔輸送材
料や電子輸送材料の殆どが、発光材料としても使用でき
る。

【００６５】発光材料は、ｐ−ポリフェニレンビニレン
やポリフルオレンのような高分子材料でも良く、さらに
前記発光材料を高分子鎖に導入した、または前記発光材
料を高分子の主鎖とした高分子材料を使用しても良い。

【００６６】この発光層は、上記化合物を、例えば、真
空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法などの
公知の薄膜化法により製膜して形成することができる。
発光層としての膜厚は、特に制限はないが、通常は５ｎ
ｍ〜５μｍの範囲で選ばれる。この発光層は、これらの
発光材料１種又は２種以上からなる単一層構造であって
もよいし、あるいは、同一組成又は異種組成の複数層か
らなる積層構造であってもよい。本発明の有機ＥＬ素子
の好ましい態様は、発光層が２種以上の材料からなり、
その内の少なくとも１種が本発明に係る化合物の場合で
ある。

【００６７】また、この発光層は、特開昭５７−５１７
８１号公報に記載されているように、樹脂などの結着材
と共に上記発光材料を溶剤に溶かして溶液としたのち、
これをスピンコート法などにより薄膜化して形成するこ
とができる。このようにして形成された発光層の膜厚に
ついては、特に制限はなく、状況に応じて適宜選択する
ことができるが、通常は５ｎｍ〜５μｍの範囲である。

【００６８】発光層の材料が２種以上であるとき、主成
分をホスト、その他の成分をドーパントといい、本発明
の化合物は、好ましくはドーパントである。ドーパント
の混合比は、好ましくは質量比で０．１％以上、１５％
未満である。

【００６９】発光層のホスト化合物は、有機化合物また
は錯体であることが好ましく、本発明においては、好ま
しくは蛍光極大波長が４１５ｎｍ以下である。ホスト化
合物の極大波長を４１５ｎｍ以下にすることにより可視
光、特にＢＧＲ発光が可能となる。

【００７０】つまり蛍光極大波長を４１５ｎｍ以下にす
ることにより、通常のπ共役蛍光もしくは燐光材料にお
いて、π−π吸収を４２０ｎｍ以下に有するエネルギー
移動型のドーパント発光が可能である。また４１５ｎｍ
以下の蛍光を有することから非常にワイドエネルギーギ
ャップ（イオン化ポテンシャル−電子親和力、ＨＯＭＯ
−ＬＵＭＯ）であるので、キャリアトラップ型にも有利
に働く。

【００７１】このようなホスト化合物としては、有機Ｅ
Ｌ素子に使用される公知のものの中から任意のものを選
択して用いることができ、また後述の正孔輸送材料や電
子輸送材料の殆どが発光層ホスト化合物としても使用で
きる。

【００７２】ポリビニルカルバゾールやポリフルオレン
のような高分子材料でもよく、さらに前記ホスト化合物
を高分子鎖に導入した、または前記ホスト化合物を高分
子の主鎖とした高分子材料を使用してもよい。

【００７３】ホスト化合物としては、正孔輸送能、電子
輸送能を有しつつ、かつ、発光の長波長化を防ぎ、なお
かつ高Ｔｇ（ガラス転移温度）である化合物が好まし
い。

【００７４】正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有す
る材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も
正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層もしくは複数
層設けることができる。

【００７５】正孔輸送材料としては、特に制限はなく、
従来、光導伝材料において、正孔の電荷注入輸送材料と
して慣用されているものやＥＬ素子の正孔注入層、正孔
輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを選
択して用いることができる。

【００７６】正孔輸送材料は、正孔の注入もしくは輸
送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機
物、無機物のいずれであってもよい。例えばトリアゾー
ル誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導
体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及
びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリ
ールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサ
ゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレ
ノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シ
ラザン誘導体、アニリン系共重合体、また、導電性高分
子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられ
る。

【００７７】正孔輸送材料としては、上記のものを使用
することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第三
級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族
第三級アミン化合物を用いることが好ましい。

【００７８】芳香族第三級アミン化合物及びスチリルア
ミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テ
トラフェニル−４，４’−ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ’
−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）
−〔１，１’−ビフェニル〕−４，４’−ジアミン（Ｔ
ＰＤ）；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェ
ニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルア
ミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−
テトラ−ｐ−トリル−４，４’−ジアミノビフェニル；
１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−
４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチルアミ
ノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４−
ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，
Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（４−メトキシフェニ
ル）−４，４’−ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，
Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノジフェニル
エーテル；４，４’−ビス（ジフェニルアミノ）クオー
ドリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミ
ン；４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４’−〔４−（ジ
−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４−Ｎ，
Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベン
ゼン；３−メトキシ−４’−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ
スチルベンゼン；Ｎ−フェニルカルバゾール、さらに
は、米国特許第５，０６１，５６９号明細書に記載され
ている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例え
ば、４，４’−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェ
ニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４−３０８
６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニ
ットが３つスターバースト型に連結された４，４’，
４’’−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フ
ェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等
が挙げられる。

【００７９】さらに、これらの材料を高分子鎖に導入し
た、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材
料を用いることもできる。

【００８０】また、ｐ型−Ｓｉ，ｐ型−ＳｉＣ等の無機
化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用するこ
とができる。

【００８１】また、本発明においては、正孔輸送層の正
孔輸送材料は４１５ｎｍ以下に蛍光極大波長を有するこ
とが好ましい。すなわち、正孔輸送材料は、正孔輸送能
を有しつつかつ、発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高Ｔ
ｇである化合物が好ましい。

【００８２】この正孔輸送層は、上記正孔輸送材料を、
例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、イ
ンクジェット法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化
することにより形成することができる。正孔輸送層の膜
厚については特に制限はないが、通常は５〜５０００ｎ
ｍ程度である。この正孔輸送層は、上記材料の一種また
は二種以上からなる一層構造であってもよい。

【００８３】電子輸送層とは電子を輸送する機能を有す
る材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も
電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層もしくは複数
層設けることができる。

【００８４】さらに、必要に応じて用いられる電子輸送
層は、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能
を有していればよく、その材料としては従来公知の化合
物の中から任意のものを選択して用いることができる。

【００８５】この電子輸送層に用いられる材料（以下、
電子輸送材料という）の例としては、ニトロ置換フルオ
レン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオ
キシド誘導体、ナフタレンペリレンなどの複素環テトラ
カルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデン
メタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘
導体、オキサジアゾール誘導体などが挙げられる。さら
に、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジア
ゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾー
ル誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン
環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として
用いることができる。

【００８６】さらに、これらの材料を高分子鎖に導入し
た、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材
料を用いることもできる。

【００８７】また、８−キノリノール誘導体の金属錯
体、例えば、トリス（８−キノリノール）アルミニウム
（Ａｌｑ）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノ
ール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−
キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８
−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−
８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノ
ール）亜鉛（Ｚｎｑ）など、及びこれらの金属錯体の中
心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、Ｇａ又はＰｂ
に置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いる
ことができる。その他、メタルフリー若しくはメタルフ
タロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホ
ン酸基などで置換されているものも、電子輸送材料とし
て好ましく用いることができる。また、発光層の材料と
して例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材
料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送
層と同様に、ｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣなどの無機半導
体も電子輸送材料として用いることができる。

【００８８】電子輸送層に用いられる化合物は、４１５
ｎｍ以下に蛍光極大波長を有することが好ましい。すな
わち、電子輸送層に用いられる化合物は、電子輸送能を
有し、かつ発光の長波長化を防ぎ、それに加えて高Ｔｇ
である化合物が好ましい。

【００８９】本発明の有機ＥＬ素子に好ましく用いられ
る基体は、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定
はなく、また、透明のものであれば特に制限はないが、
好ましく用いられる基板としては例えばガラス、石英、
光透過性樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ま
しい基体は、有機ＥＬ素子にフレキシブル性を与えるこ
とが可能な樹脂フィルムである。

【００９０】樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチ
レンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレ
ート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポ
リエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリ
フェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、
ポリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート
（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（Ｃ
ＡＰ）等からなるフィルム等が挙げられる。

【００９１】樹脂フィルムの表面には、無機物もしくは
有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成
されていてもよい。

【００９２】本発明の有機エレクトロルミネッセンス素
子において、室温における発光の外部取り出し効率は１
％以上であることが好ましく、より好ましくは２％以上
である。ここに、外部取り出し量子効率（％）＝有機Ｅ
Ｌ素子外部に発光した光子数／有機ＥＬ素子に流した電
子数×１００である。

【００９３】また、カラーフィルター等の色相改良フィ
ルター等を併用してもよい。本発明の表示装置は、少な
くとも２種類の異なる発光極大波長を有する有機ＥＬ素
子からなるが、有機ＥＬ素子を作製する好適な例を説明
する。例として、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光
層／電子輸送層／電子注入層／陰極からなる有機ＥＬ素
子の作製法について説明すると、まず適当な基体上に、
所望の電極物質、例えば陽極用物質からなる薄膜を、１
μｍ以下、好ましくは１０〜２００ｎｍの膜厚になるよ
うに、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、
陽極を作製する。次に、この上に素子材料である正孔注
入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、
正孔阻止層の有機化合物薄膜を形成させる。

【００９４】この有機化合物薄膜の薄膜化の方法として
は、前記の如くスピンコート法、キャスト法、インクジ
ェット法、蒸着法、印刷法等があるが、均質な膜が得ら
れやすく、かつピンホールが生成しにくい等の点から、
真空蒸着法またはスピンコート法が特に好ましい。さら
に層ごとに異なる製膜法を適用してもよい。製膜に蒸着
法を採用する場合、その蒸着条件は、使用する化合物の
種類等により異なるが、一般にボート加熱温度５０〜４
５０℃、真空度１０^-6〜１０^-2Ｐａ、蒸着速度０．０１
〜５０ｎｍ／秒、基板温度−５０〜３００℃、膜厚０．
１ｎｍ〜５μｍの範囲で適宜選ぶことが望ましい。

【００９５】これらの層の形成後、その上に陰極用物質
からなる薄膜を、１μｍ以下好ましくは５０〜２００ｎ
ｍの範囲の膜厚になるように、例えば蒸着やスパッタリ
ング等の方法により形成させ、陰極を設けることによ
り、所望の有機ＥＬ素子が得られる。この有機ＥＬ素子
の作製は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰
極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異な
る製膜法を施してもかまわない。その際には作業を乾燥
不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。

【００９６】本発明の表示装置は、発光層形成時のみシ
ャドーマスクを設け、他層は共通であるのでシャドーマ
スク等のパターニングは不要であり、一面に蒸着法、キ
ャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法
等で膜を形成できる。

【００９７】発光層のみパターニングを行う場合、その
方法に限定はないが、好ましくは蒸着法、インクジェッ
ト法、印刷法である。蒸着法を用いる場合においてはシ
ャドーマスクを用いたパターニングが好ましい。

【００９８】また作製順序を逆にして、陰極、電子注入
層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽
極の順に作製することも可能である。

【００９９】このようにして得られた多色の表示装置
に、直流電圧を印加する場合には、陽極を＋、陰極を−
の極性として電圧２〜４０Ｖ程度を印加すると、発光が
観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は
流れずに発光は全く生じない。さらに、交流電圧を印加
する場合には、陽極が＋、陰極が−の状態になったとき
のみ発光する。なお、印加する交流の波形は任意でよ
い。

【０１００】本発明の表示装置は、表示デバイス、ディ
スプレー、各種発光光源として用いることができる。表
示デバイス、ディスプレーにおいて、青、赤、緑発光の
３種の有機ＥＬ素子を用いることにより、フルカラーの
表示が可能となる。

【０１０１】表示デバイス、ディスプレーとしてはテレ
ビ、パソコン、モバイル機器、ＡＶ機器、文字放送表
示、自動車内の情報表示等が挙げられる。特に、静止画
像や動画像を再生する表示装置として使用してもよく、
動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は
単純マトリックス（パッシブマトリックス）方式でもア
クティブマトリックス方式でもどちらでもよい。

【０１０２】発光光源としては、家庭用照明、車内照
明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、
光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理
機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限
定するものではない。

【０１０３】また、本発明の有機ＥＬ素子に共振器構造
を持たせた有機ＥＬ素子として用いてもよい。このよう
な共振器構造を有した有機ＥＬ素子の使用目的として
は、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信
処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれ
に限定するものではない。また、レーザー発振をさせる
ことにより、上記用途に使用してもよい。

【０１０４】

【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明す
るが、本発明の態様はこれに限定されない。

【０１０５】実施例１ 《有機ＥＬ素子の作製》陽極として、ガラス上にＩＴＯ
（インジウムチンオキシド）を厚さ１５０ｎｍで成膜し
た基板（ＮＨテクノグラス社製：ＮＡ−４５）にパター
ニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支
持基板を、ｉ−プロピルアルコールで超音波洗浄し、乾
燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。

【０１０６】この透明支持基板を、市販の真空蒸着装置
の基板ホルダーに固定し、一方、５つのモリブデン製抵
抗加熱ボートに、α―ＮＰＤ、ＣＢＰ、比較化合物１、
ＢＣ、Ａｌｑ₃をそれぞれ入れ真空蒸着装置に取付け
た。

【０１０７】次いで、真空槽を４×１０^-4Ｐａまで減圧
した後、α―ＮＰＤの入った前記加熱ボートに通電して
加熱し、蒸着速度０．１〜０．２ｎｍ／ｓｅｃで透明支
持基板に膜厚が５０ｎｍになるように蒸着し、正孔注入
／輸送層を設けた。さらに、ＣＢＰの入った前記加熱ボ
ートと比較化合物１の入ったボートをそれぞれ独立に通
電してＣＢＰと比較化合物１の蒸着速度が１００：７に
なるように調節し、膜厚が３０ｎｍになるように蒸着
し、発光層を設けた。

【０１０８】ついで、ＢＣの入った前記加熱ボートに通
電して加熱し、蒸着速度０．１〜０．２ｎｍ／ｓｅｃで
厚さ１０ｎｍの電子輸送層を設けた。更に、Ａｌｑ₃の
入った前記加熱ボートを通電して加熱し、蒸着速度０．
１〜０．２ｎｍ／ｓｅｃで膜厚４０ｎｍの電子注入層を
設けた。

【０１０９】次に、真空槽を開け、電子輸送層上にステ
ンレス鋼製の長方形穴あきマスクを設置し、一方、モリ
ブデン製抵抗加熱ボートにマグネシウム３ｇを入れ、タ
ングステン製の蒸着用バスケットに銀を０．５ｇ入れ、
再び真空槽を２×１０^-4Ｐａまで減圧した後、マグネシ
ウム入りのボートに通電して蒸着速度１．５〜２．０ｎ
ｍ／ｓｅｃでマグネシウムを蒸着した。この際、同時に
銀のバスケットを加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃ
で銀を蒸着し、前記マグネシウムと銀との混合物から成
る陰極（２００ｎｍ）とすることにより、図１に記載の
構成からなる比較用の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−１を作
製した。

【０１１０】次いで、上記有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−１
の作製において、発光層の比較化合物１を表１に記載の
各化合物に変更した以外は同様にして、有機ＥＬ素子Ｏ
ＬＥＤ１−２〜１−１９を作製した。

【０１１１】

【化１７】

【０１１２】《有機ＥＬ素子の評価》以上のようにして
作製した各有機ＥＬ素子を、温度２３度の乾燥窒素ガス
雰囲気下で１０Ｖ直流電圧印加による連続点灯を行い、
点灯開始時の発光輝度（Ｌ）（ｃｄ／ｍ₂）、外部取り
出し量子効率（η）及び輝度が半減するまでの時間（半
減寿命：τ）を測定した。また、点灯開始時の色度を測
定し、ＣＩＥ色度図上での色名を評価した。なお、上記
各測定において、発光輝度は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１
−１を１００とした時の相対値で表し、外部取り出し量
子効率（η）は有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−１を１００と
した時の相対値で表し、輝度の半減する時間（半減寿
命：τ）は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−１の輝度が半減
する時間を１００とした相対値で表した。

【０１１３】以上により得られた結果を表１に示す。

【０１１４】

【表１】

【０１１５】表１より明らかなように、有機ＥＬ素子Ｏ
ＬＥＤ１−１〜１−１２の青から青緑発光の有機ＥＬ素
子においては、比較化合物１を用いたＯＬＥＤ１−１に
対して、本発明に係る化合物を発光層に用いた有機ＥＬ
素子は、発光輝度、量子効率および半減寿命のいずれに
おいても優れていることが分かる。また、ＯＬＥＤ１−
１３〜１−１５の緑色発光の有機ＥＬ素子においても同
様に、発光層に比較化合物２を用いた有機ＥＬ素子に対
し、本発明に係る化合物を用いた有機ＥＬ素子は、特
に、半減寿命において優れていることが分かる。また、
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−１６〜１−１９の赤色発光の
有機ＥＬ素子においても、本発明に係る化合物を用いた
有機ＥＬ素子は、発光輝度、量子効率及び半減寿命に優
れていることが分かる。

【０１１６】実施例２ 《多色表示装置の作製》 （青色発光素子の作製）ガラス基板上にＩＴＯを膜厚２
００ｎｍで蒸着して陽極（シート抵抗３０Ω／□）を形
成した。この陽極上にシャドーマスクをかけ、化合物１
を膜厚６０ｎｍに真空蒸着して正孔輸送層とした。その
上にＴＣＴＡと例示化合物１−１２（ＴＣＴＡ：１−１
２＝９３：７）を共蒸着して、膜厚４０ｎｍの青色発光
層とした。更に、化合物２を蒸着して膜厚３０ｎｍと
し、正孔阻止層の役割も兼ねた電子輸送層を設けた。そ
の上に、さらに、Ａｌｑ₃を膜厚２０ｎｍに真空蒸着し
電子輸送層とした。これを青色発光素子とした。

【０１１７】（緑色発光素子の作製）次に、シャドーマ
スクを横にずらし、陽極上に化合物１を膜厚３０ｎｍに
真空蒸着して正孔輸送層とした。その上にＴＣＴＡと例
示化合物２−２０（ＴＣＴＡ：２−２０＝９３：７）を
共蒸着して、膜厚２０ｎｍの緑色発光層とした。更に、
化合物２を蒸着して膜厚３０ｎｍとし、正孔阻止層の役
割も兼ねた電子輸送層を設けた。その上に、さらに、Ａ
ｌｑ₃を膜厚２０ｎｍに真空蒸着し電子輸送層とした。
これを緑色発光素子とした。

【０１１８】（赤色発光素子の作製）更に、シャドーマ
スクを横にずらし、陽極上に化合物１を膜厚４０ｎｍに
真空蒸着して正孔輸送層とした。その上にＴＣＴＡと例
示化合物２−６（ＴＣＴＡ：２−６＝９３：７）を共蒸
着して、膜厚３０ｎｍの赤色発光層とした。更に、化合
物２を蒸着して膜厚３０ｎｍとし、正孔阻止層の役割も
兼ねた電子輸送層を設けた。その上に、さらに、Ａｌｑ
₃を膜厚３０ｎｍに真空蒸着し電子輸送層とした。これ
を赤色発光素子とした。

【０１１９】

【化１８】

【０１２０】

【化１９】

【０１２１】次いで、シャドーマスクをはずし、ＬｉＦ
を膜厚０．５ｎｍで一面蒸着し、最後にシャドーマスク
をかけ、Ａｌを膜厚２００ｎｍ蒸着し、青色、緑色、赤
色発光素子を同一基板上に有する多色表示装置を作製し
た。

【０１２２】図２に、作製したフルカラー表示装置の表
示部の模式図を示した。図２において、同一基板上に、
複数の走査線５及びデータ線６を含む配線部と、並置し
た複数の画素３（発光の色が青領域の画素、緑領域の画
素、赤領域の画素等）とを有し、配線部の走査線５及び
複数のデータ線６は、それぞれ導電材料からなり、走査
線５とデータ線６は格子状に直交して、直交する位置で
画素３に接続している（詳細は図示せず）。複数の画素
３は、それぞれの発光色に対応した有機ＥＬ素子、アク
ティブ素子であるスイッチングトランジスタと駆動トラ
ンジスタそれぞれが設けられたアクティブマトリクス方
式で駆動されており、走査線５から走査信号が印加され
ると、データ線６から画像データ信号を受け取り、受け
取った画像データに応じて発光する。この様に各赤、
緑、青の画素を適宜、並置することによって、多色表示
が可能となる。

【０１２３】上記構成からなる多色表示装置を駆動した
結果、輝度の高い鮮明なフルカラー動画表示を得ること
ができた。

【０１２４】実施例３ 以下のようにして、図３に記載の層構成の多色表示装置
を作製した。

【０１２５】ガラス基板１上に、ＩＴＯを膜厚２００ｎ
ｍで蒸着して陽極２０（シート抵抗３０Ω／□）を形成
した。この陽極２０上に、真空蒸着法により化合物１を
膜厚６０ｎｍに一面蒸着して正孔輸送層２１を形成し
た。次いで、シャドーマスクをかけ、ＴＣＴＡと例示化
合物１−１２（ＴＣＴＡ：１−１２＝９３：７）を共蒸
着して、膜厚３３ｎｍの青色発光層２２を形成した。

【０１２６】次に、シャドーマスクを横にずらし、ＴＣ
ＴＡと例示化合物２−２０（ＴＣＴＡ：２−２０＝９
３：７）を共蒸着し、膜厚３３ｎｍの緑色発光層２３を
形成した。

【０１２７】更に、シャドーマスクを横にずらし、ＴＣ
ＴＡと例示化合物２−６（ＴＣＴＡ：２−６＝９３：
７）を共蒸着して膜厚３３ｎｍの赤色発光層２４を形成
した。

【０１２８】次に、シャドーマスクをはずし、化合物２
を膜厚３０ｎｍで一面蒸着して、正孔阻止層の役割も兼
ねた電子輸送層２５を設けた。その上に、さらに、Ａｌ
ｑ₃を膜厚２０ｎｍとなるよう真空蒸着して電子輸送層
２６とした。

【０１２９】最後に、シャドーマスクをかけ、Ａｌを膜
厚２００ｎｍ蒸着して陰極２７を形成することで、図３
の層構成からなる多色表示装置を作製した。

【０１３０】この多色表示装置を駆動した結果、輝度の
高い鮮明な動画を表示することができた。

【０１３１】

【発明の効果】本発明により、発光輝度、量子効率及び
寿命の向上した有機エレクトロルミネッセンス素子とこ
れを用いた高輝度な表示装置を提供することができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】有機エレクトロルミネッセンス素子の構成の一
例を示す断面図である。

【図２】有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた多
色表示装置の表示部の一例を示す模式図である。

【図３】有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた多
色表示装置の他の一例を示す模式図である。

【符号の説明】

１ ガラス基板 ２ 配線部 ３ 画素 ５ 走査線 ６ データ線 ２０ 陽極 ２１ 正孔輸送層 ２２ 青色発光層 ２３ 緑色発光層 ２４ 赤色発光層 ２５、２６ 電子輸送層 ２７ 陰極

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式（１）で表される部分構造を
   有する化合物またはその互変異性体を含有することを特
   徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 【化１】 〔式中、Ｃは炭素原子、Ｎは窒素原子を表し、Ｚ₁₁は炭
   素原子および窒素原子とともに芳香族環を形成するのに
   必要な原子群を表し、Ｚ₁₂は炭素原子とともに非芳香族
   環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｍは金属を表
   す。〕
2. 【請求項２】 下記一般式（２）で表される部分構造を
   有する化合物またはその互変異性体を含有することを特
   徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 【化２】 〔式中、Ｃは炭素原子、Ｎは窒素原子を表し、Ｚ₂₁およ
   びＺ₂₂は、それぞれ炭素原子および窒素原子とともに芳
   香環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｍは金属を表
   す。〕
3. 【請求項３】 下記一般式（３）で表される部分構造を
   有する化合物またはその互変異性体を含有することを特
   徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 【化３】 〔式中、Ｃは炭素原子、Ｎは窒素原子を表し、Ｚ₃₁は炭
   素原子および窒素原子とともに芳香族環を形成するのに
   必要な原子群を表し、Ｚ₃₂は炭素原子とともに５員芳香
   族環を形成するのに必要な炭素原子、窒素原子または酸
   素原子により構成される原子群を表し、Ｍは金属を表
   す。〕
4. 【請求項４】 下記一般式（４）で表される部分構造を
   有する化合物またはその互変異性体を含有することを特
   徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 【化４】 〔式中、Ｃは炭素原子、Ｎは窒素原子を表し、Ｚ₄₁は炭
   素原子および窒素原子とともに環を形成するのに必要な
   原子群を表し、Ｚ₄₂は炭素原子とともに環を形成するの
   に必要な原子群を表し、Ｍは金属を表す。〕
5. 【請求項５】 下記一般式（５）で表される部分構造を
   有する化合物またはその互変異性体を含有することを特
   徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 【化５】 〔式中、Ｃは炭素原子、Ｎは窒素原子を表し、Ｚ₅₁は炭
   素原子および窒素原子とともに芳香族環を形成するのに
   必要な原子群を表し、Ｚ₅₂は炭素原子とともにアズレン
   環を形成する原子群を表し、Ｍは金属を表す。〕
6. 【請求項６】 Ｍで表される金属が、イリジウム、白金
   またはオスミウムであることを特徴とする請求項１〜５
   のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス
   素子。
7. 【請求項７】 前記一般式（１）〜（５）から選ばれる
   少なくとも１つの化合物を発光層に含有することを特徴
   とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
8. 【請求項８】 請求項１〜７のいずれか１項に記載の有
   機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴と
   する表示装置。