JP2011071194A - 有機発光素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】低電圧で駆動することができ、発光効率が良好で、連続駆動寿命の長い有機発光素子を提供する。
【解決手段】陽極2と陰極4と、陽極2と陰極4との間に挟持され少なくとも発光層3を含む有機化合物層と、から構成され、発光層3が、主成分であるホストと、第1ドーパントと、第2ドーパントと、を有し、該第2ドーパントのみが発光し、該ホストと、該第1ドーパントと、該第2ドーパントとの間に下記(a)乃至(c)の関係が成り立つことを特徴とする、有機発光素子11。
(a)第1極大発光波長(H)<第1極大発光波長(D1)<第1極大発光波長(D2)
(b)LUMO(D2)<LUMO(D1)<LUMO(H)
(c)HOMO(D2)≦HOMO(H)<HOMO(D1)
【選択図】図1
【解決手段】陽極2と陰極4と、陽極2と陰極4との間に挟持され少なくとも発光層3を含む有機化合物層と、から構成され、発光層3が、主成分であるホストと、第1ドーパントと、第2ドーパントと、を有し、該第2ドーパントのみが発光し、該ホストと、該第1ドーパントと、該第2ドーパントとの間に下記(a)乃至(c)の関係が成り立つことを特徴とする、有機発光素子11。
(a)第1極大発光波長(H)<第1極大発光波長(D1)<第1極大発光波長(D2)
(b)LUMO(D2)<LUMO(D1)<LUMO(H)
(c)HOMO(D2)≦HOMO(H)<HOMO(D1)
【選択図】図1
Description
本発明は、有機発光素子に関する。
有機発光素子は、陽極と陰極との間に発光性有機化合物を含む薄膜を挟持させてなる発光素子である。また各電極から電子及びホール(正孔)を注入することにより、発光性化合物の励起子を生成させ、この励起子が基底状態に戻る際に有機発光素子は光を放出する。
有機発光素子における最近の進歩は著しく、その特徴は、低印加電圧で高輝度、発光波長の多様性、高速応答性、薄型、軽量の発光デバイス化が可能であることが挙げられる。このことから、有機発光素子は広汎な用途への可能性を示唆している。
しかしながら、現状ではまだ改善の余地がある。具体的には、実用化を考える上で更なる高輝度の光出力あるいは高い光変換効率が必要となるからである。また、長時間の使用による経時変化や酸素を含む雰囲気気体や湿気等による劣化等の耐久性の面において改善が必要である。
ところで、主にホストからなる有機発光層に発光分子(ドーパント)を微量添加する技術が知られている。この技術は、有機発光素子の発光効率や発光寿命を改善するのに極めて重要であり、様々な改良が行われている。
また関連する技術として、発光層内に発光分子の役割を果たすドーパント以外にキャリア輸送あるいは励起エネルギー移動の役割を果たすドーパントをさらに含ませる技術も知られている。
これらの技術の中で、発光層に注入されたキャリアをドーパントに捕捉させることで電荷を発光層内に閉じ込める技術が提案されている。例えば、正孔トラップ材料及び電子トラップ材料を含む発光層を有する有機発光素子が開示されている(特許文献1参照)。
ここで特許文献1に開示されている有機発光素子は、発光層内に含有される正孔トラップ材料及びに正孔が蓄積され、電子トラップ材料に電子が蓄積する。これにより正孔トラップ材料又は電子トラップ材料が発光する。しかし電荷が蓄積する材料について、その材料が発光する際に、蓄積した電荷が励起子と反応して消光が起こることで発光に寄与しない電荷が生じる可能性がある。また特許文献1に開示されている正孔トラップ材料は、窒素原子を含有しているため、発光層内における電子の電荷輸送担体となりにくく、キャリアバランスが悪くなりやすい。さらに特許文献1に開示されている正孔トラップ材料は、電荷移動錯体を形成しやすく発光効率の低下や発光寿命の低下等につながる可能性がある。ここで、電荷移動錯体の形成を抑制するために特許文献1に開示されている正孔トラップ材料を低濃度で使用したとしても、十分な正孔トラップ性や正孔注入性を得られない可能性がある。
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、低電圧で駆動することができ、発光効率が良好で、連続駆動寿命の長い有機発光素子を提供することにある。
本発明の有機発光素子は、陽極と陰極と、
該陽極と該陰極との間に挟持され少なくとも発光層を含む有機化合物層と、から構成され、
該発光層が、主成分であるホストと、第1ドーパントと、第2ドーパントと、を有し、
下記(1)及び(2)の関係
(1)LUMO(H)>LUMO(D2)
(2)HOMO(H)≧HOMO(D2)
を満たす有機発光素子において、
該ホストと、該第1ドーパントと、該第2ドーパントとの間に下記(a)乃至(c)の関係が成り立ち、第2ドーパントのみが発光することを特徴とする、有機発光素子。
(a)第1極大発光波長(H)<第1極大発光波長(D1)<第1極大発光波長(D2)
(b)LUMO(D2)<LUMO(D1)<LUMO(H)
(c)HOMO(D2)≦HOMO(H)<HOMO(D1)
((a)において、第1極大発光波長(H)、第1極大発光波長(D1)及び第1極大発光波長(D2)は、それぞれホスト、第1ドーパント、第2ドーパントの第1極大発光波長を表す。(b)において、LUMO(H)、LUMO(D1)及びLUMO(D2)は、それぞれホスト、第1ドーパント、第2ドーパントのLUMOを表す。(c)において、HOMO(H)、HOMO(D1)及びHOMO(D2)は、それぞれホスト、第1ドーパント、第2ドーパントのHOMOを表す。)
該陽極と該陰極との間に挟持され少なくとも発光層を含む有機化合物層と、から構成され、
該発光層が、主成分であるホストと、第1ドーパントと、第2ドーパントと、を有し、
下記(1)及び(2)の関係
(1)LUMO(H)>LUMO(D2)
(2)HOMO(H)≧HOMO(D2)
を満たす有機発光素子において、
該ホストと、該第1ドーパントと、該第2ドーパントとの間に下記(a)乃至(c)の関係が成り立ち、第2ドーパントのみが発光することを特徴とする、有機発光素子。
(a)第1極大発光波長(H)<第1極大発光波長(D1)<第1極大発光波長(D2)
(b)LUMO(D2)<LUMO(D1)<LUMO(H)
(c)HOMO(D2)≦HOMO(H)<HOMO(D1)
((a)において、第1極大発光波長(H)、第1極大発光波長(D1)及び第1極大発光波長(D2)は、それぞれホスト、第1ドーパント、第2ドーパントの第1極大発光波長を表す。(b)において、LUMO(H)、LUMO(D1)及びLUMO(D2)は、それぞれホスト、第1ドーパント、第2ドーパントのLUMOを表す。(c)において、HOMO(H)、HOMO(D1)及びHOMO(D2)は、それぞれホスト、第1ドーパント、第2ドーパントのHOMOを表す。)
本発明によれば、低電圧、高効率かつ連続駆動寿命の長い有機発光素子を提供することができる。
本発明の有機発光素子は、陽極と陰極と、該陽極と該陰極との間に挟持され少なくとも発光層を含む有機化合物層と、から構成される。
以下、図面を参照しながら、本発明の有機発光素子について説明する。
図1は、本発明の有機発光素子の実施形態を示す断面模式図である。尚、図1の(a)乃至(f)は、それぞれ本発明の有機発光素子における第一乃至第六の実施形態である。
図1(a)の有機発光素子11は、基板1上に、陽極2、発光層3及び陰極4がこの順に設けられている。図1(a)の有機発光素子11は、発光層3が正孔輸送性能、電子輸送性能及び発光性の性能を全て有している場合に有用である。また図1(a)の有機発光素子11は、発光層3に、正孔輸送性材料、電子輸送性材料及び発光材料が混合されている場合にも有用である。
図1(b)の有機発光素子12は、基板1上に、陽極2、正孔輸送層5、発光層3、電子輸送層6及び陰極4がこの順に設けられている。図1(b)の有機発光素子12は、キャリア輸送の機能を有する層と発光の機能を有する層を分離したものであり、正孔輸送性、電子輸送性、発光性の各特性を有した化合物と適時組み合わせて使用することができる。このため極めて材料選択の自由度が増すと共に、中央の発光層3に各電荷あるいは励起子を有効に閉じこめて、発光効率の向上を図ることも可能になる。
図1(c)の有機発光素子13は、図1(b)の有機発光素子12において、陽極2と正孔輸送層5との間に正孔注入層7が挿入されている。正孔注入層7を設けることにより、陽極2と正孔輸送層5との密着性や正孔注入性が改善されるので、低電圧化に効果的である。
図1(d)の有機発光素子14は、図1(b)の有機発光素子12において、電子輸送層6と陰極4との間に電子注入層9が挿入されている。電子注入層9を設けることにより、陰極4と電子輸送層6との密着性や電子注入性が改善されるので、低電圧化に効果的である。
図1(e)の有機発光素子15は、図1(b)の有機発光素子12において、発光層3と電子輸送層6との間に、励起子が陰極4側に抜けることを阻害する層(ホール/エキシトンブロッキング層8)が挿入されている。特に、HOMOが非常に低い化合物をホール/エキシトンブロッキング層8に含ませることは、発光効率の向上に効果的である。
図1(f)の有機発光素子16は、図1(e)の有機発光素子14において、電子輸送層6と陰極4との間に電子注入層9が挿入されている。電子注入層9を設けることにより、陰極4と電子輸送層6との密着性や電子注入性が改善されるので、低電圧化に効果的である。
図1(g)の有機発光素子17は、図1(c)の有機発光素子13において、電子輸送層6と陰極4との間に電子注入層9が挿入されている。電子注入層9を設けることにより、陰極4と電子輸送層6との密着性や電子注入性が改善されるので、低電圧化に効果的である。
ただし、図1に示される有機発光素子はあくまでごく基本的な素子構成であり、本発明はこれらに限定されるものではない。例えば、電極と有機化合物層との界面に絶縁性層、接着層あるいは干渉層を設ける、正孔輸送層がHOMOが異なる2層から構成される等の多様な層構成をとることができる。
本発明において、素子を構成する発光層は、ホストと、第1ドーパントと、第2ドーパントと、を有しており、これらのうち第2ドーパントのみが発光する。また、ホストと、第1ドーパントと、第2ドーパントとの間には下記(1)及び(2)の関係を満たしている。
(1)LUMO(H)>LUMO(D2)
(2)HOMO(H)≧HOMO(D2)
(1)LUMO(H)>LUMO(D2)
(2)HOMO(H)≧HOMO(D2)
本発明において、発光層とは、電極間に配置される有機化合物層のうち発光機能を有する層をいう。そして発光層に含まれるホストは、発光層に含まれる材料のうち主成分である材料である。ここで主成分とは、具体的には、発光層内の含有率が50重量%以上である材料をいう。このため2種類のドーパント(第1ドーパント、第2ドーパント)の発光層内の総含有率は50重量%未満である。ただし、発光材料の濃度が高すぎると濃度消光による効率低下を引き起こす可能性があるため、発光材料である第2ドーパントの発光層内の含有率は、好ましくは20重量%以下であり、より好ましくは10重量%以下である。尚、ホスト、第1ドーパント及び第2ドーパントの具体例については、後述する。
本発明において、発光層に含まれるホストと、第1ドーパントと、第2ドーパントとの間には、下記(a)乃至(c)の関係が成り立つ。
(a)第1極大発光波長(H)<第1極大発光波長(D1)<第1極大発光波長(D2)
(b)LUMO(D2)<LUMO(D1)<LUMO(H)
(c)HOMO(D2)≦HOMO(H)<HOMO(D1)
(a)第1極大発光波長(H)<第1極大発光波長(D1)<第1極大発光波長(D2)
(b)LUMO(D2)<LUMO(D1)<LUMO(H)
(c)HOMO(D2)≦HOMO(H)<HOMO(D1)
以上のような構成にすることで、発光層中の電荷を伝導する役割をホストに持たせつつ酸化還元に安定な第2ドーパントを発光させることができる。また上記(a)〜(c)を満たすような第1ドーパントを含ませることにより、発光層への正孔の注入が促進されると共に、第2ドーパントに蓄積される電子の一部を非局在化させることができる。さらに上記(a)〜(c)を満たすような第1ドーパントを含ませることにより、励起エネルギーを第2ドーパントへ効率よく移動させることができる。詳細については以下に説明する。
まず(a)の関係について説明する。(a)において、第1極大発光波長(H)、第1極大発光波長(D1)及び第1極大発光波長(D2)は、それぞれホスト、第1ドーパント、第2ドーパントの第1極大発光波長を表す。
ここで、第1極大発光波長とは、発光スペクトルのピークのうち一番短波長側にあるピークの波長をいう。そして上記(a)が成り立つことにより、ホストが励起状態になるときに有するエネルギーを第2ドーパントへ移動させることが可能となる。また第1ドーパントが有する励起エネルギー等のエネルギーを第2ドーパントへ移動させることが可能となる。従って、所望の発光波長以外での発光が抑制され、第2ドーパントから発せられる色純度の高い発光を効率よく得ることができる。また、発光材料の量子収率の温度依存性が異なることによる高温駆動時の発光色の変化も抑制できる。ここで、第2ドーパントのみが発光するためには、第2ドーパントの吸収波長域とホスト及び第1ドーパントの発光波長域とが重なるようにそれぞれ材料を選択することが望ましい。これによって、ホストからの第2ドーパントへのエネルギー移動及び第1ドーパントから第2ドーパントへのエネルギー移動をいずれも促進することができるので素子の発光効率を向上させることが可能となる。また、ホスト、第2ドーパントの他に第1ドーパントを併せて使用することで、第2ドーパントの会合による濃度消光の抑制、第1ドーパントの混合による成膜性の向上という利点を有することになる。
次に(b)の関係において説明する。(b)において、LUMO(H)、LUMO(D1)及びLUMO(D2)は、それぞれホスト、第1ドーパント、第2ドーパントのLUMOを表す。
ここで、図面を参照しながら(b)及び(c)の具体的な態様について説明する。図2は、本発明の有機発光素子のエネルギーダイアグラムの具体例を示す図である。図2のエネルギーダイアグラムには、真空準位を基準として、ホスト材料のLUMO(最低非占有軌道)準位とHOMO(最高占有軌道)準位、第1ドーパントのLUMO準位とHOMO準位、第2ドーパントのLUMO準位とHOMO準位が示されている。ここで図2においては、HOMO準位及びLUMO準位は負の値である。
本発明において、(b)を満たすことにより、第2ドーパントのLUMOが発光層内で一番低いエネルギー準位となる。これは、発光材料である第2ドーパントの還元電位が一番低くなることを意味する。ここで還元電位が低くなるとは、電子によって還元されるのにより大きなエネルギーが必要になるということである。即ち、本発明において、発光材料である第2ドーパントが電子による還元に対して最も安定である。有機発光素子の通電による発光劣化は今のところ原因は明らかではないが、少なくとも発光材料の変化に関連するものと想定される。よって、発光材料が電子による還元に対して安定であることにより、有機発光素子の通電時に発生する発光材料の電子による還元による材料変化が抑制される。このため、有機発光素子の発光劣化を抑制することができる。また、発光層に注入された電子は第2ドーパントに捕捉され、電子移動度が低下するので、電子輸送層近傍でホールと電子とを再結合させることができる。また(b)を満たすことにより、発光層に注入された電子が正孔輸送層へ移動し正孔輸送層の構成材料(正孔輸送性材料)が不安定なアニオン状態になることを抑制するという利点を有することになる。従って、有機発光素子の通電による正孔輸送層及び正孔輸送層と発光層との界面の劣化を抑制することができる。一方、発光の機能を担う第2ドーパントに電子が蓄積すると、蓄積される電子によって励起子の失活やこの失活に伴う消光が起こりやすくなる。ここで本発明においては(b)の関係を満たすため、発光層に注入される電子の一部が第1ドーパントに捕捉されるので、第2ドーパントが発光する際に発光層に注入される電子による消光を抑制することができる。
ここで発光層内の電子移動度をより小さくするには、ホストと第2ドーパントとの間で下記(b1)の関係が成り立つのが好ましい。
(b1)|LUMO(D2)−LUMO(H)|≧0.1eV
より好ましくは、ホストと第2ドーパントとの間で下記(b2)の関係が成り立つ場合である。
(b2)|LUMO(D2)−LUMO(H)|≧0.4eV
(b1)|LUMO(D2)−LUMO(H)|≧0.1eV
より好ましくは、ホストと第2ドーパントとの間で下記(b2)の関係が成り立つ場合である。
(b2)|LUMO(D2)−LUMO(H)|≧0.4eV
この時のメカニズムについて考察する。ホストに注入された電子はエネルギー準位の低い第1ドーパント又は第2ドーパントに捕捉される。しかし発光層内の主成分はホストであり、ホストが発光層内の主な伝導準位を形成するため、捕捉された電子の一部がホストへ戻り、発光層内を伝導する。そのため、|LUMO(D2)−LUMO(H)|の値を大きくすれば、電子移動度は小さくなる。そこで、上記(b)及び図2に示されるように、第1ドーパントのLUMOをホストのLUMOと第2ドーパントのLUMOとの間に設定する。これにより発光材料である第2ドーパントに電子が蓄積するのを抑制し、第2ドーパントに過剰に電子が蓄積することによって生じる励起子の消光を防ぐことができる。
本発明では、ホストと、第1ドーパントと、第2ドーパントとの間で下記(b3)及び(b4)の関係が成り立つのが好ましい。
(b3)|LUMO(D1)−LUMO(D2)|≧0.1eV
(b4)|LUMO(D1)−LUMO(H)|≧0.1eV
(b3)|LUMO(D1)−LUMO(D2)|≧0.1eV
(b4)|LUMO(D1)−LUMO(H)|≧0.1eV
なぜなら、上記(b3)を満たしていない場合、第1ドーパントのLUMOと第2ドーパントのLUMOとが過度に近接することになり、第1ドーパントと第2ドーパントとの間で電子の移動が行われやすくなる。そうすると、第1ドーパントに電子が蓄積されやすくなり、第2ドーパントへ電子が蓄積されにくくなるからである。また、上記(b4)を満たしていない場合、ホストのLUMOと第1ドーパントのLUMOとが過度に近接することになり、ホストと第1ドーパントとの間で電子の移動が行われやすくなる。そうすると、第1ドーパント及び第2ドーパントに電子を蓄積させるという目的が達せられなくなるからである。
以下に、好ましい構成例を示す。ただし、本発明はこの構成例に限定されるものではない。
例えば、|LUMO(H)−LUMO(D2)|=0.6eVの場合、上記(b3)の関係が成り立つように、LUMO(D1)とLUMO(D2)との間には、下記(b5)の関係が成り立つのが好ましい。
(b5)0.1eV≦|LUMO(D1)−LUMO(D2)|≦0.5eV
(b5)0.1eV≦|LUMO(D1)−LUMO(D2)|≦0.5eV
上記(b5)が成り立つ場合であって、|LUMO(D1)−LUMO(D2)|が0.1eV付近であれば、発光層内の第1ドーパントの含有率は小さい方が好ましい。なぜなら、|LUMO(D1)−LUMO(D2)|の値が小さければ、第1ドーパントと第2ドーパントとの間で電子が移動する際に障壁となるエネルギー差が小さくなる。このため第1ドーパントの含有率が小さくても第1ドーパントと第2ドーパントとの間で電子の授受が起こりやすくなるからである。一方、上記(b5)が成り立つ場合であって、|LUMO(D1)−LUMO(D2)|が0.5eV付近であれば、発光層内の第1ドーパントの含有率を大きくする方が好ましい。なぜなら、|LUMO(D1)−LUMO(D2)|の値が大きければ、第1ドーパントと第2ドーパントとの間で電子が移動する際に障壁となるエネルギーが大きくなる。このため第1ドーパントの含有率を大きくして、第1ドーパントと第2ドーパントとの間の距離を小さくする必要があるからである。このように第1ドーパントと第2ドーパントとの間の距離を小さくすることで第1ドーパントと第2ドーパントとの間で電子の授受が起きやすくなる。
本発明において、発光層内に含まれるホストの含有率は50重量%以上であるので、第1ドーパント及び第2ドーパントの含有率はいずれも50重量%未満である。ここで発光層内における第2ドーパントの含有率をx重量%とすると、ホストのLUMO、第1ドーパントのLUMO及び第2ドーパントのLUMOと、第1ドーパントの含有率との関係が下記数式に示すように簡単に見積もることができる。
ここで、|LUMO(H)−LUMO(D2)|=0.6eV、発光層内の第2ドーパントの含有率が5重量%の場合、(b5)を考慮すると、好適な発光層内の第1ドーパントの含有率は、7.5重量%以上37.5重量%以下である。また後述するように、第1ドーパントは、良好な正孔注入性を持つことが好ましい。このため、第1ドーパントの含有率は10重量%以上であることが特に好ましい。よって、下記(b6)の関係が成り立つことが特に好ましい。
(b6)|LUMO(D1)−LUMO(D2)|>0.2eV
(b6)|LUMO(D1)−LUMO(D2)|>0.2eV
次に(c)の関係について説明する。(c)において、HOMO(H)、HOMO(D1)及びHOMO(D2)は、それぞれホスト、第1ドーパント、第2ドーパントのHOMOを表す。
本発明では、(c)の関係を満たすことで、陽極から注入された正孔を、正孔輸送層を伝導させたのち速やかに発光層に注入させることができる。これにより、発光層内の正孔密度が高くなり発光層内で過剰に蓄積された電子が注入された正孔と再結合して消費されると共に駆動電圧が低くなる。
また発光層内において、第1ドーパントのHOMOが一番高いので、正孔は第1ドーパントに蓄積されやすくなる。このため、発光材料である第2ドーパントが不安定なカチオン状態になることを抑制できるため、このカチオン状態の形成によって生じる材料の劣化や輝度の低下を抑制することができる。
発光層に注入された正孔は、陰極から注入された電子と再結合し励起子を生成したのち、発光材料である第2ドーパントから発光する。ここで正孔と電子とが再結合する場所は第2ドーパント分子上でも構わないが、ホスト分子上や第1ドーパント分子上で再結合してもよい。つまり正孔と電子との再結合によりホスト分子や第1ドーパント分子の励起子を生成してから、この励起子が有するエネルギーを発光材料である第2ドーパントにエネルギー移動させることで、最終的に第2ドーパントが発光すればよい。こうすることで、電子の蓄積しやすい第2ドーパントにおいて励起子を失活させてしまう消光等の現象を抑制することができるので、発光効率の低下を抑制することができる。よって、発光層内の第1ドーパントに正孔を蓄積させた上で、この第1ドーパント上で正孔と電子とを再結合させるのが好ましい。また、発光層内で消費される励起子を多くすることができるので低電圧かつ高い発光効率が得られる。さらに、第2ドーパントを効率よく発光させることができるためので発光材料の劣化も抑制できるので、連続駆動時の輝度劣化を抑制することができる。
本発明においては、HOMO(H)≧HOMO(D2)の関係が成立している。つまり、ホスト及び第2ドーパントのHOMOが同程度であっても、発光層内に含まれる材料のうち主成分となるのがホストであるため、第2ドーパントには正孔が蓄積しにくいと考えられる。ここで下記(c1)の関係が成り立つのが好ましい。
(c1)HOMO(H)>HOMO(D2)
(c1)HOMO(H)>HOMO(D2)
本発明の構成においては、第2ドーパントに正孔を捕捉させるにはエネルギー障壁を越えなければならない。そこで正孔を捕捉しやすい第1ドーパントを介在させることで、発光材料である第2ドーパントは不安定なカチオン状態になりにくく、材料劣化による輝度低下も抑制することができるからである。
次に、ホスト、第1ドーパント及び第2ドーパントの具体例について説明する。
本発明において、ホストは、第1ドーパント及び第2ドーパントよりも化合物自体の発光波長が短い化合物である。好ましくは、アントラセン骨格、ピレン骨格、フルオレン骨格、フルオランテン骨格、ベンゾフルオランテン骨格、テトラセン骨格、トリフェニレン骨格、クリセン骨格等から構成される化合物である。好ましくは、ピレン骨格を有する化合物である。この理由については後述する。また上述した骨格に、炭化水素式芳香環基及びアルキル基を有していてもよい。
炭化水素式芳香環基として、具体的には、フェニル基、ナフチル基、アズレニル基、アセナフチレニル基、インダセニル基、ビフェニレル基、フルオレニル基、アントラセニル基、フェナントリル基、ピレニル基、クリセニル基、ベンゾフルオレニル基、テトラフェニル基、ナフタセニル基、トリフェニレニル基、フルオランテニル基、ピセニル基、ペンタセニル基、ペリレニル基、ベンゾフルオランテニル基等が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。尚、この炭化水素芳香環基には、さらに上述した炭化水素式芳香環基、アルキル基等の置換基をさらに有してもよい。
アルキル基として、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、s−ブチル基、イソブチル基、ターシャリーブチル基等が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。
本発明者らの検討によれば、ピレン骨格を有する化合物は、電子及び正孔のいずれもが注入されたとしても化合物自体が劣化しにくい傾向にあることが判明した。一方で、本発明の有機発光素子を構成する発光層に含まれるホストは、電子及び正孔をドーパント(第1ドーパント、第2ドーパント)へ輸送する役割を果たす。このためピレン骨格を有する化合物をホストとして用いるのが好ましい。また、ピレン骨格を有する化合物は、特に、電子輸送性に優れている。即ち、ピレン骨格を有する化合物は、電子移動度が大きく、ホール移動度はそれに比べて小さい。従って、発光層にピレン骨格を有する化合物を含めると、素子を低い電圧で駆動することが可能となり、また電力効率を高めることが可能となる。
以下に、ホストの具体例を挙げる。ただし、本発明は、もちろんこれらに限定されるものではない。
本発明において、第1ドーパントは、好ましくは、良好な正孔注入性を有する化合物である。
後述するが、第2ドーパントが、電子トラップ性を持つ5員環構造を有する化合物が好ましいこと、及び第2ドーパントとの相溶性の観点から、第1ドーパントも5員環構造を有する化合物が好ましい。特に、下記に示す縮合環D1−a及びD1−bのいずれかを基本骨格に持つ化合物が好ましい。
上記に示す縮合環D1−a及びD1−bのうち、分子量の観点及び分子内に広がるπ共役の広さという観点から、縮合環D1−bを基本骨格に持つ化合物がより好ましい。
また、分子間相互作用を抑制するために上記D1−a、D1−bの基本骨格に立体障害の大きい置換基、例えば、ターシャリーブチル基、フェニル基、2−メチルフェニル基、3−メチルフェニル基、4−メチルフェニル基、4−エチルフェニル基、3,5−ジメチルフェニル基、2,6−ジエチルフェニル基、メシチル基、3−iso―プロピルフェニル基、3−tert−ブチルフェニル基、4−iso―プロピルフェニル基、4−tert−ブチルフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基等の置換基を有していることがより好ましい。
以下に、第1ドーパントの具体例を挙げる。ただし、本発明は、もちろんこれらに限定されるものではない。
本発明において、第2ドーパントは、(b)の関係を満たすことを前提として、ホストのLUMOを考慮した上で適宜選択される。ホストのLUMOは、一般的には、−2.7eV程度であるので、LUMO(D2)は、好ましくは、−3.1eV以下である。
第2ドーパントは、好ましくは、基本骨格中に5員環構造を有する化合物である。5員環構造は電子吸引性を有し電子をトラップする性質を有するからである。また本発明においては、|LUMO(D2)−LUMO(H)|の値は大きい方が好ましいので、第2ドーパントは、より好ましくは、基本骨格中に2個以上の5員環構造を有する化合物である。基本骨格中に2個以上の5員環構造を有することで、LUMOが下がりやすく、発光層内の電子をより捕捉しやすくなるため、結果として電子移動度を小さくすることができるからである。
本発明者等の検討により、第2ドーパントを含んだ発光層の電子移動度は、好ましくは、10-6cm2/Vs以下であり、より好ましくは、10-8cm2/Vs以下である。このように、発光層内に電子移動度を小さくさせる第2ドーパントを含ませることで、発光領域を発光層の陰極側界面に局在させることができる。よって、電子が発光層内を伝導し正孔輸送層に到達することによって起こる正孔輸送層に含まれる化合物の不安定なアニオン化を防止することがきる。
ここで、発光層内の電子移動度はTOF(Time of Flight)法による過渡電流測定によって測定することが可能である。具体的な測定方法として、以下のプロセス(i)乃至(iii)による測定がある。
(i)真空蒸着法により、ITO付ガラス基板上に約2μmの薄膜を作製する。
(ii)対向電極としてアルミニウムを蒸着する。
(iii)このサンプルをTOF測定装置(TOF−301、(株)オプテル社製)を用いて、4×105V/cmの電界強度での値を測定する。
(i)真空蒸着法により、ITO付ガラス基板上に約2μmの薄膜を作製する。
(ii)対向電極としてアルミニウムを蒸着する。
(iii)このサンプルをTOF測定装置(TOF−301、(株)オプテル社製)を用いて、4×105V/cmの電界強度での値を測定する。
第2ドーパントは、好ましくは、以下の縮合環を基本骨格に持つ化合物である。
なぜなら、上記縮合環は、LUMOが分子内に広く非局在化しており、中性状態から電子をトラップした状態の構造変化が少ないと考えられるからである。また、5員環構造を同一骨格内に2つ持つためLUMOが小さくなりやすいからである。さらに、上記の縮合環を基本骨格に持つ発光材料は、半値幅を狭くしやすく色純度の高い緑発光を得ることができるため好ましい。尚、濃度消光を抑制するために、基本骨格である上記の縮合環に立体障害の大きい置換基をさらに有していることがより好ましい。
以下に、第2ドーパントの具体例を挙げる。ただし、本発明は、もちろんこれらに限定されるものではない。
ところで発光層に含まれるホストは、キャリアを輸送する役割を有しているが、その際、ホストは供給されるキャリアによって酸化還元を繰り返している。一方、炭化水素のみからなる化合物は、酸化還元反応を繰り返しても化合物自体が劣化しにくい傾向にある。このためホストは、炭化水素のみからなる化合物にするのが好ましい。こうすることで連続駆動寿命が改善できる。
また、第1ドーパント及び第2ドーパントにおいても、ホストとの相溶性の観点から炭化水素のみからなる化合物である縮合環芳香族化合物にするのが好ましい。本発明においては、第1ドーパント又は第2ドーパントに電子が蓄積し、第1ドーパントに正孔が蓄積する。ここで第1ドーパントのアニオン状態と第2ドーパントのカチオン状態が近接していると電荷移動錯体を形成しやすく、発光効率の低下や発光色の変化が起こりやすい。特に、孤立電子対を持つような窒素原子や酸素原子等を含有している化合物では、孤立電子対を持つ原子の電荷密度が高くなるためので電荷移動錯体をより形成しやすくなる。そこで、第1ドーパント及び第2ドーパントを炭化水素のみからなる化合物にする。こうすることで、電荷移動錯体の形成が抑制できると共に、発光効率の低下や発光色の変化を抑制することができる。
また、第1ドーパントを炭化水素のみから構成することで、ヘテロ化合物と比較して化合物自体のバイポーラー性を高くすることができる。本発明においては、発光層内において第1ドーパントは正孔及び電子を蓄積する可能性があるので、第1ドーパントをバイポーラー性とすることが好ましい。また、第1ドーパントは正孔を蓄積するため、耐酸化性に優れた化合物であることが好ましい。さらに、基底状態から正孔を蓄積した状態(SOMO、Singly Occupied Molecular Orbital)の構造変化が少ないことが好ましい。これを実現するためには、LUMOが分子内の比較的広い領域に非局在化することが好ましいと考えられる。
本発明において、発光層内の第1ドーパントの含有率は、好ましくは、10重量%乃至35重量%である。第1ドーパントの含有率が10重量%未満であると、第1ドーパントの優れた正孔注入特性が得られなくなり駆動電圧が高くなる。またこれに付随して発光効率が低下するため好ましくない。一方、第1ドーパントの含有率が35重量%を超えると、発光層内の電子が第1ドーパントを介して発光層内を伝導するため発光層内の電子トラップ性が低下していまい、寿命が低下してしまうため好ましくない。
一方、本発明において、上記(a)乃至(c)の関係に加えて下記(d)及び(e)の関係が成り立つことが好ましい。
(d)|第2極大発光波長(H)−第1極大発光波長(D1)|≦7nm
(e)|第2極大発光波長(D1)−第1極大発光波長(D2)|≦7nm
(d)|第2極大発光波長(H)−第1極大発光波長(D1)|≦7nm
(e)|第2極大発光波長(D1)−第1極大発光波長(D2)|≦7nm
(d)において、第2極大発光波長(H)は、ホストの第2極大発光波長を表す。ここで第1極大発光波長とは、発光スペクトルのピークのうち一番短波長側にあるピークの波長をいう。一方、第2極大発光波長とは、発光スペクトルのピークのうち2番目に長波長側にあるピークの波長をいう。尚、第2極大発光波長を求める際にピーク波長が不明瞭な場合はピーク分離を行った上で第2極大発光波長を求める。また(e)において、第2極大発光波長(D1)は、第1ドーパントの第2極大発光波長を表す。
エネルギー移動は、ドナー分子の発光スペクトルとアクセプター分子の吸収スペクトルが重なる領域において等しいエネルギーにある準位の間で起こる。そして本発明の有機発光素子を構成する発光層に含まれる第1ドーパントや第2ドーパントは、いずれかがバイポーラー性を持つと共に、基底状態から励起状態への構造変化が少ない化合物である。従って、第1ドーパントや第2ドーパントの発光スペクトルの第1極大発光波長は、吸収スペクトルの第1極大吸収波長に対応しており波長はほぼ同等だと考えられる。よって、第1ドーパントよりエネルギー移動を受ける第2ドーパントの第1極大発光波長付近に第1ドーパントの発光ピークが存在することが好ましい。より好ましくは、(e)の関係が成り立つことが好ましい。これにより、第1ドーパントから第2ドーパントへエネルギー移動が起こりやすくなり、本発明の効果が得られやすくなる。また(d)の関係が成り立つことにより、(e)の関係が成り立つ場合と同様に本発明の効果が得られやすくなる。
ところで第2ドーパントは、蛍光性(一重項励起状態からの発光)であっても、りん光性(三重項励起状態からの発光)であってもよい。第2ドーパントとしてりん光性発光材料を用いる場合、発光層に含まれる他の材料は、りん光性発光材料よりも高い三重項エネルギーを持つことが、発光材料から効率よく発光を得るために必要である。
次に、本発明の有機発光素子を構成する他の部材について説明する。
正孔注入層や正孔輸送層の構成材料である正孔注入輸送性材料としては、陽極からの正孔注入を容易にし、また注入された正孔を発光層に輸送する優れた移動度を有することが好ましい。正孔注入輸送性能を有する低分子及び高分子系材料としては、トリアリールアミン誘導体、フェニルジアミン誘導体、トリアゾール誘導体、カルバゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、オキサゾール誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポリフィリン誘導体、及びポリビニルカルバゾール、ポリシリレン、ポリチオフェン、その他導電性高分子が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。
電子注入層や電子輸送層の構成材料である電子注入輸送性材料としては、陰極からの電子の注入を容易にし、注入された電子を発光層に輸送する機能を有するものから任意に選ぶことができ、正孔輸送材料の正孔移動度とのバランス等を考慮し選択される。電子注入輸送性能を有する材料としては、オキサジアゾール誘導体、ピラジン誘導体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、ペリレン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、アントラセン誘導体、クリセン誘導体、フルオレン誘導体、フルオレノン誘導体、アントロン誘導体、フェナントロリン誘導体、フルオランテン誘導体、有機金属錯体等が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。また、イオン化ポテンシャルの大きい材料はホールブロック層としても使用できる。
陽極の構成材料としては、仕事関数がなるべく大きなものがよい。例えば、金、白金、銀、銅、ニッケル、パラジウム、コバルト、セレン、バナジウム、タングステン等の金属単体あるいはこれらを2種類以上混合してなる合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム酸化錫インジウム(ITO)、酸化亜鉛インジウム等の金属酸化物が使用できる。またポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリフェニレンスルフィド等の導電性ポリマーも使用できる。これらの電極物質は一種類を単独で使用してもよいし、複数種類を併用して使用してもよい。また、陽極は一層で構成されていてもよいし、多層で構成されていてもよい。
一方、陰極の構成材料としては、仕事関数の小さなものがよい。例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウム、アルミニウム、インジウム、ルテニウム、チタニウム、マンガン、イットリウム、銀、鉛、錫、クロム等の金属単体あるいはこれらを2種類以上混合してなる合金(例えば、リチウム−インジウム、ナトリウム−カリウム、マグネシウム−銀、アルミニウム−リチウム、アルミニウム−マグネシウム、マグネシウム−インジウム等)が使用できる。酸化錫インジウム(ITO)等の金属酸化物の利用も可能である。これらの電極物質は一種類を単独で使用してもよいし、複数種類を併用して使用してもよい。また、陰極は一層で構成されていてもよいし、多層で構成されていてもよい。また陰極と電子輸送層との間に、電子輸送材料とアルカリ金属、アルカリ土類金属、あるいはその酸化物の共蒸着層を電子注入層として形成することもできる。電子注入層は駆動電圧の低電圧化に効果的である。
本発明で用いる基板としては、特に限定するものではないが、金属製基板、セラミックス製基板等の不透明性基板、ガラス、石英、プラスチックシート等の透明性基板が用いられる。また、基板にカラーフィルター膜、蛍光色変換フィルター膜、誘電体反射膜等を用いて発色光をコントロールする事も可能である。また、基板上に薄膜トランジスタ(TFT)を作成し、それに接続して素子を作成することも可能である。
尚、作製した素子に対して、酸素や水分等との接触を防止する目的で保護層あるいは封止層を設けることもできる。保護層としては、ダイヤモンド薄膜、金属酸化物、金属窒化物等の無機材料膜、フッ素樹脂、ポリパラキシレン、ポリエチレン、シリコーン樹脂、ポリスチレン樹脂等の高分子膜、さらには、光硬化性樹脂等が挙げられる。また、ガラス、気体不透過性フィルム、金属等をカバーし、適当な封止樹脂により素子自体をパッケージングすることもできる。
本発明の有機発光素子を構成する有機化合物層は、種々の方法により形成される。一般的には、真空蒸着法、イオン化蒸着法、スパッタリング、プラズマCVDにより薄膜を形成する。あるいは、適当な溶媒に溶解させて公知の塗布法(例えば、スピンコーティング、ディッピング、キャスト法、LB法、インクジェット法等)により薄膜を形成する。特に、塗布法で成膜する場合は、適当な結着樹脂と組み合わせて膜を形成することもできる。
上記結着樹脂としては、広範囲な結着性樹脂より選択でき、例えば、ポリビニルカルバゾール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリスチレン樹脂、ABS樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ブチラール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリスルホン樹脂、尿素樹脂等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、これらの樹脂は、ホモポリマーであってもよいし共重合体ポリマーであってもよい。さらに、これらの樹脂は、一種類を単独で使用してもよいし、複数種類を併用して使用してもよい。一方で、必要に応じて、公知の可塑剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤等の添加物を併用してもよい。
本発明の有機発光素子は、単一のデバイスとして使用してもよいし、あるいは複数組み合わせて装置やアレイの態様で使用してもよい。有機発光素子が複数組み合わせてなる有機発光装置の場合、構成部材である有機発光素子を、例えば、パッシブ駆動あるいはアクティブマトリクス駆動で発光させる。また有機発光素子が複数組み合わせてなる有機発光装置の場合、各素子の発光色は、単一色であってもよいし、二種類以上であってでもよい。各素子の発光色が二種類以上である場合、フルカラー発光が可能となる。また本発明の有機発光素子は、基板側から光を取り出すことができるいわゆるボトムエミッション構造であってもよく、基板側とは反対の側から光を取り出すいわゆるトップエミッション構造であってもよい。また素子に相当する構造が少なくとも一つ積層されている、いわゆるタンデム構造を形成してもよい。
本発明の有機発光素子は、照明やディスプレイや電子写真方式の画像形成装置の露光光源としても利用できる。照明に用いる場合、有機発光素子は1つでもよい。ディスプレイや電子写真方式の画像形成装置の露光光源には複数の有機発光素子を利用することが好ましい。ディスプレイとはテレビジョンやパソコンの表示部や電子機器に搭載される表示部といった画像表示装置のことである。電子機器に搭載される表示部として好ましくは車内の表示部であったり、デジタルカメラの画像表示部であったり、あるいは複写機やレーザービームプリンターといった事務機器の操作パネルをあげることができる。
ところでモバイル機器における表示装置には、電源の制限から、特に低消費電力であることが望まれている。ここで本発明の有機発光素子を備えているデジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラ等のモバイル機器に搭載するRGBフルカラー表示装置について、図面を参照しながら以下に説明する。図3は、本発明の有機発光素子を備えている表示装置を示す断面模式図である。図3の表示装置20は、本発明の有機発光素子を表示部の画素、特に、緑(G)画素に有しているのが好ましい。尚、図3の表示装置の製造方法については、後述する実施例で詳細に述べる。
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明していくが、本発明はこれらに限定されるものではない。
[合成例1]例示化合物D1−20の合成
下記に示される合成スキームにより、第1ドーパントである例示化合物D1−20を合成した。
下記に示される合成スキームにより、第1ドーパントである例示化合物D1−20を合成した。
(1)XX−2の合成
Journal of American Chemical Society,91,918(1969)に記載されている方法に従い、XX−1からXX−2を合成した。
Journal of American Chemical Society,91,918(1969)に記載されている方法に従い、XX−1からXX−2を合成した。
(2)XX−4の合成
20mLの反応容器に、以下に示す試薬、溶媒を仕込んだ。
XX−2:1.8g(7.7mmol)
XX−3:1.6g(7.7mmol)
トルエン:10mL
エタノール:100mL
20mLの反応容器に、以下に示す試薬、溶媒を仕込んだ。
XX−2:1.8g(7.7mmol)
XX−3:1.6g(7.7mmol)
トルエン:10mL
エタノール:100mL
次に、反応溶液を攪拌しながら、0.5N−水酸化カリウムエタノール溶液(20mL)をゆっくり滴下した。次に、反応溶液を75℃に加熱し、この温度(75℃)で3時間攪拌した。次に、反応溶液を室温まで冷却し、析出した結晶を濾過した。次に、この結晶を、水、メタノールで順次洗浄することにより、XX−4を1.8g(収率58%)を得た。
(3)例示化合物D1−20の合成
50mlの反応容器に、以下に示す試薬、溶媒を仕込んだ。
XX−4:0.9g(2.2mmol)
XX−5:0.8g(4.4mmol)
キシレン:60mL
50mlの反応容器に、以下に示す試薬、溶媒を仕込んだ。
XX−4:0.9g(2.2mmol)
XX−5:0.8g(4.4mmol)
キシレン:60mL
次に、反応溶液を還流させながら1時間攪拌した。反応終了後、反応溶液を減圧濃縮し、シリカゲルクロマトグラフィー(展開溶媒:クロロホルム/ヘキサン=1/5)で分離精製を行った。次に、トルエン−エタノールから再結晶することにより、例示化合物D1−20を黄色粉末として0.2g(0.38mmol、収率18%)を得た。
マススペクトル(MS)測定と核磁気共鳴スペクトル(NMR)測定の測定により、化合物の構造確認を行った。即ち、マトリックス支援レーザ脱離イオン化法マススペクトル(MALDI−MS)測定によりこの化合物のM+である504を確認した。またNMRの測定結果を以下に示す。
1H−NMR(CDCl3,500MHz) σ(ppm):8.57(d,1H),8.37(d,1H),8.19(s,1H),8.16(s,1H),7.85(m,2H),7.81−7.64(m,10H),7.60(m,2H),7.51−7.45(m,2H),7.40(m,2H),6.82(s,1H),6.69(s,1H).
[合成例2]例示化合物D1−25の合成
(1)xx−8の合成
(1)xx−8の合成
反応容器に、以下に示す試薬、溶媒を仕込んだ。
XX−6:40g(170mmol)
XX−7:6.2g(42mmol)
AlCl3:10g
XX−6:40g(170mmol)
XX−7:6.2g(42mmol)
AlCl3:10g
次に、反応容器内にアルゴンを導入することで反応系内をアルゴン雰囲気にした。次に、反応溶液を80℃に加熱し、この温度(80℃)で2時間攪拌した。次に、反応溶液を冷却した後、HCl水溶液(1.0M)を加えた。次に、クロロホルムを加えて分液操作を行い、有機層を回収した。次に、この有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、溶媒を減圧留去することで粗生成物を得た。次に、この粗生成物をトルエンで再結晶することによりxx−8を9.2g(収率56%)得た。
(2)xx−9の合成
反応容器に、以下に示す試薬、溶媒を仕込んだ。
XX−8:6g(15.6mmol)
濃硫酸:30ml
XX−8:6g(15.6mmol)
濃硫酸:30ml
次に、反応容器内にアルゴンを導入することで反応系内をアルゴン雰囲気にした。次に、反応溶液を130℃に加熱し、この温度(130℃)で2時間攪拌した。次に、反応溶液を室温まで冷却し、析出した結晶をろ過した。次に、この結晶を、水、メタノールで順次洗浄することによりxx−9を3.6g(収率63%)得た。
(3)xx−11の合成
反応容器に、以下に示す試薬、溶媒を仕込んだ。
XX−9:3g(8.2mmol)
XX−10:2.5g(8.2mmol)
トルエン:40ml
エタノール:10ml
2M炭酸ナトリウム水溶液:10ml
XX−9:3g(8.2mmol)
XX−10:2.5g(8.2mmol)
トルエン:40ml
エタノール:10ml
2M炭酸ナトリウム水溶液:10ml
次に、反応容器内にアルゴンを導入することで反応系内をアルゴン雰囲気にした。次に、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム150mgを加えた。次に、反応溶液を75℃に加熱し、この温度(75℃)で12時間攪拌した。次に、反応溶液を冷却した後、析出した結晶をろ過した。次に、この結晶を、水、メタノールで順次洗浄することによりxx−11を2.4g(収率64%)得た。
(4)xx−12の合成
反応容器に、以下に示す試薬、溶媒を仕込んだ。
XX−11:2g(4.4mmol)
ジアザビシクロウンデセン:2g
ジメチルホルムアミド:100ml
XX−11:2g(4.4mmol)
ジアザビシクロウンデセン:2g
ジメチルホルムアミド:100ml
次に、反応容器内にアルゴンを導入することで反応系内をアルゴン雰囲気にした。次に、ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウムジクロライド150mgを加えた。次に、反応溶液を120℃に加熱し、この温度(120℃)で2時間攪拌した。次に、反応溶液を冷却した後、析出した結晶をろ過した。次に、この結晶を、水、メタノールで順次洗浄することによりxx−12を1g(収率60%)得た。
(5)xx−13の合成
反応容器に、以下に示す試薬、溶媒を仕込んだ。
xx−12:1g(2.6mmol)
THF:50mL
xx−12:1g(2.6mmol)
THF:50mL
次に、反応容器内にアルゴンを導入して反応系内をアルゴン置換した後、ドライアイス浴で−78℃に冷却した。次に、フェニルリチウム溶液(1.9M)4mLを滴下した後、反応溶液を室温で2時間攪拌した。反応終了後、反応溶液を氷水内に注いだ後、酢酸エチルを加えて分液操作を行い、有機層を回収した。次に、この有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、溶媒を減圧留去することで粗生成物を得た。次に、この粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィー(展開溶媒:ヘプタン/酢酸エチル=3/1)で分離精製を行った。次に、トルエン−エタノールから再結晶することにより、xx−13を630mg(収率45%)得た。
(6)例示化合物D1−25の合成
50mLの反応容器に、以下に示す試薬、溶媒を仕込んだ。
xx−13:0.5g(0.9mmol)
NaH2PO2・H2O:1.6g(19mmol)
ヨウ化カリウム:1.2g(7.5mmol)
酢酸:50mL
xx−13:0.5g(0.9mmol)
NaH2PO2・H2O:1.6g(19mmol)
ヨウ化カリウム:1.2g(7.5mmol)
酢酸:50mL
次に、反応容器内にアルゴンを導入することで反応系内をアルゴン雰囲気にした。次に、反応溶液を80℃に加熱し、この温度(80℃)で12時間攪拌した。反応終了後、反応溶液を氷水に注ぎ、析出した結晶をろ過し、粗生成物を得た。次に、この粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィー(展開溶媒:ヘプタン/トルエン=6/1)で分離精製を行った。次に、トルエン−エタノールから再結晶することにより、例示化合物D1−25を黄色粉末として61mg(収率14%)を得た。
マススペクトル(MS)測定と核磁気共鳴スペクトル(NMR)測定の測定により、化合物の構造確認を行った。即ち、マトリックス支援レーザー脱離イオン化マススペクトル(MALDI−MS)測定によりこの化合物のM+である504を確認した。また、NMRの測定結果を以下に示す。
1H−NMR(CDCl3,400MHz)σ(ppm):8.64(d,1H),8.45(d,1H),8.28(s,1H),8.16(s,1H),8.11(s,1H)7.95(m,2H),7.75−7.55(m,14H),7.36−7.33(m,3H)
1H−NMR(CDCl3,400MHz)σ(ppm):8.64(d,1H),8.45(d,1H),8.28(s,1H),8.16(s,1H),8.11(s,1H)7.95(m,2H),7.75−7.55(m,14H),7.36−7.33(m,3H)
[実施例等で使用した化合物について]
後述する実施例及び比較例において使用した材料のうち、ホスト、第1ドーパント又は第2ドーパントとして使用した材料を以下に列挙する。
後述する実施例及び比較例において使用した材料のうち、ホスト、第1ドーパント又は第2ドーパントとして使用した材料を以下に列挙する。
上記に列挙したホスト、第1ドーパント、第2ドーパントのHOMO、LUMO、第1極大発光波長、第2極大発光波長を表1に示す。
尚、HOMO、LUMOは、以下に示す方法により評価した。
(i)HOMO
真空蒸着法により薄膜(膜厚20nm)を作製し、光電子分光装置(理研計器(株)社製、AC−2)を用いて、大気下における光電子分光測定により評価した。
真空蒸着法により薄膜(膜厚20nm)を作製し、光電子分光装置(理研計器(株)社製、AC−2)を用いて、大気下における光電子分光測定により評価した。
(ii)LUMO
真空蒸着法により薄膜(膜厚20nm)を作製し、紫外−可視光吸収スペクトルが立ち上がり始める波長から算出したエネルギーギャップより求めた。尚、紫外−可視光吸収スペクトルは、日立製分光光度計U−3010を用いて測定した。
真空蒸着法により薄膜(膜厚20nm)を作製し、紫外−可視光吸収スペクトルが立ち上がり始める波長から算出したエネルギーギャップより求めた。尚、紫外−可視光吸収スペクトルは、日立製分光光度計U−3010を用いて測定した。
[実施例1]
図1(d)に示されるトップエミッション構造の有機発光素子を、以下に示す方法で作製した。
図1(d)に示されるトップエミッション構造の有機発光素子を、以下に示す方法で作製した。
スパッタリング法により、支持体であるガラス基板(基板1)上に、アルミニウム合金(AlNd)を成膜し、下部反射電極を形成した。このとき下部反射電極の膜厚を100nmとした。次に、スパッタリング法により、下部反射電極上にITOを成膜し下部透明電極を形成した。このとき透明電極の膜厚を80nmとした。尚、下部反射電極及び下部透明電極は陽極2として機能する。
次に、スピンコーターで塗布することにより、陽極2を含めた基板上に、アクリル製の樹脂膜を成膜した。このとき樹脂膜の膜厚は1.5μmであった。次に、フォトリソグラフィにより、陽極の周辺部に素子分離膜形成されるように、樹脂膜について所望のパターニングを行った。この際に半径3mmの開口部を設けた。次に、素子分離膜まで形成された基板を、アセトン、イソプロピルアルコール(IPA)で順次超音波洗浄した。次に、当該基板をIPAで煮沸洗浄した後乾燥させた。次に、この基板の表面に対してUV/オゾン洗浄を施した。
次に、真空蒸着法により、陽極2上に、下記に示される化合物1を成膜し正孔輸送層6を形成した。このとき正孔輸送層6の膜厚を110nmとした。
次に、真空蒸着法により、正孔輸送層6上に、ホスト(H−1)、第1ドーパント(D1−1)及び第2ドーパント(D2−7)を、重量比にして[H−1]:[D1−1]:[D2−7]=68:30:2となるように共蒸着して発光層3を形成した。このとき発光層3の膜厚を20nmとした。
次に、真空蒸着法により、発光層3上に、下記に示される化合物2を成膜し電子輸送層7を形成した。このとき電子輸送層7の膜厚を20nmとした。
次に、真空蒸着法により、電子輸送層7上に、上記化合物2と炭酸セシウムとを、層中のセシウム濃度が20重量%となるように共蒸着して電子注入層9を形成した。このとき電子注入層9の膜厚を60nmとした。
次に、スパッタリング法により、電子注入層9上に、ITOを成膜して上部透明電極(陰極4)を形成した。このとき上部透明電極の膜厚を30nmとした。次に、窒素雰囲気下のグローブボックス内において、陰極4まで形成した基板1を、乾燥材を入れたガラスキャップにより封止した。以上により、有機発光素子14を得た。
得られた有機発光素子について、電流密度が10mA/cm2の電流を印加した時の発光効率及び電圧を評価した。また電流密度が100mA/cm2になるように電圧を印加した時において、輝度が90%に減少するまでの時間(耐久時間)を評価した。結果を表2に示す。
[実施例2]
実施例1において、第1ドーパントとしてD1−1の代わりにD1−10を使用した。そしてホスト(H−1)、第1ドーパント(D1−10)及び第2ドーパント(D2−7)を、重量比にして[H−1]:[D1−10]:[D2−7]=82:15:2となるように共蒸着して発光層3を形成した。これらを除いては実施例1と同様の方法により有機発光素子を得た。
実施例1において、第1ドーパントとしてD1−1の代わりにD1−10を使用した。そしてホスト(H−1)、第1ドーパント(D1−10)及び第2ドーパント(D2−7)を、重量比にして[H−1]:[D1−10]:[D2−7]=82:15:2となるように共蒸着して発光層3を形成した。これらを除いては実施例1と同様の方法により有機発光素子を得た。
得られた有機発光素子について、実施例1と同様の方法により評価した。結果を表2に示す。
[実施例3]
実施例2において、ホスト(H−1)、第1ドーパント(D1−10)及び第2ドーパント(D2−7)を、重量比にして[H−1]:[D1−10]:[D2−7]=68:30:2となるように共蒸着して発光層3を形成した。これを除いては実施例2と同様の方法により有機発光素子を得た。
実施例2において、ホスト(H−1)、第1ドーパント(D1−10)及び第2ドーパント(D2−7)を、重量比にして[H−1]:[D1−10]:[D2−7]=68:30:2となるように共蒸着して発光層3を形成した。これを除いては実施例2と同様の方法により有機発光素子を得た。
得られた有機発光素子について、実施例1と同様の方法により評価した。結果を表2に示す。
[実施例4]
実施例2において、ホスト(H−1)、第1ドーパント(D1−10)及び第2ドーパント(D2−7)を、重量比にして[H−1]:[D1−10]:[D2−7]=58:40:2となるように共蒸着して発光層3を形成した。これを除いては実施例2と同様の方法により有機発光素子を得た。
実施例2において、ホスト(H−1)、第1ドーパント(D1−10)及び第2ドーパント(D2−7)を、重量比にして[H−1]:[D1−10]:[D2−7]=58:40:2となるように共蒸着して発光層3を形成した。これを除いては実施例2と同様の方法により有機発光素子を得た。
得られた有機発光素子について、実施例1と同様の方法により評価した。結果を表2に示す。
[比較例1]
実施例1において、第1ドーパント(D1−1)を使用せず、ホスト(H−1)及び第2ドーパント(D2−7)を、重量比にして[H−1]:[D2−7]=98:2となるように共蒸着して発光層3を形成した。これを除いては実施例1と同様の方法により有機発光素子を得た。
実施例1において、第1ドーパント(D1−1)を使用せず、ホスト(H−1)及び第2ドーパント(D2−7)を、重量比にして[H−1]:[D2−7]=98:2となるように共蒸着して発光層3を形成した。これを除いては実施例1と同様の方法により有機発光素子を得た。
得られた有機発光素子について、実施例1と同様の方法により評価した。結果を表2に示す。
[比較例2]
実施例2において、ホスト(H−1)、第1ドーパント(D1−10)及び第2ドーパント(D2−7)を、重量比にして[H−1]:[D1−10]:[D2−7]=48:50:2となるように共蒸着して発光層3を形成した。これを除いては実施例2と同様の方法により有機発光素子を得た。
実施例2において、ホスト(H−1)、第1ドーパント(D1−10)及び第2ドーパント(D2−7)を、重量比にして[H−1]:[D1−10]:[D2−7]=48:50:2となるように共蒸着して発光層3を形成した。これを除いては実施例2と同様の方法により有機発光素子を得た。
得られた有機発光素子について、実施例1と同様の方法により評価した。結果を表2に示す。
[比較例3]
実施例2において、ホスト(H−1)、第1ドーパント(D1−10)及び第2ドーパント(D2−2)を、重量比にして[H−1]:[D1−10]:[D2−7]=28:70:2なるように共蒸着して発光層3を形成した。これを除いては実施例2と同様の方法により有機発光素子を得た。
実施例2において、ホスト(H−1)、第1ドーパント(D1−10)及び第2ドーパント(D2−2)を、重量比にして[H−1]:[D1−10]:[D2−7]=28:70:2なるように共蒸着して発光層3を形成した。これを除いては実施例2と同様の方法により有機発光素子を得た。
得られた有機発光素子について、実施例1と同様の方法により評価した。結果を表2に示す。
[比較例4]
実施例1において、発光層の構成材料として、第1ドーパント(D1−1)の代わりに、上記化合物1を使用した。また発光層を形成する際に、ホスト(H−1)、第1ドーパント(化合物1)及び第2ドーパント(D2−7)を、重量比にして[H−1]:[化合物1]:[D2−7]=88:10:2なるように共蒸着して発光層3を形成した。これらを除いては実施例1と同様の方法により有機発光素子を作製した。
実施例1において、発光層の構成材料として、第1ドーパント(D1−1)の代わりに、上記化合物1を使用した。また発光層を形成する際に、ホスト(H−1)、第1ドーパント(化合物1)及び第2ドーパント(D2−7)を、重量比にして[H−1]:[化合物1]:[D2−7]=88:10:2なるように共蒸着して発光層3を形成した。これらを除いては実施例1と同様の方法により有機発光素子を作製した。
得られた有機発光素子について、実施例1と同様の方法により評価した。結果を表2に示す。
[比較例5]
比較例4において、ホスト(H−1)、第1ドーパント(化合物1)及び第2ドーパント(D2−7)を、重量比にして[H−1]:[化合物1]:[D2−7]=68:30:2なるように共蒸着して発光層3を形成した。これを除いては、比較例4と同様に有機発光素子を作製した。
比較例4において、ホスト(H−1)、第1ドーパント(化合物1)及び第2ドーパント(D2−7)を、重量比にして[H−1]:[化合物1]:[D2−7]=68:30:2なるように共蒸着して発光層3を形成した。これを除いては、比較例4と同様に有機発光素子を作製した。
得られた有機発光素子について、実施例1と同様の方法により評価した。結果を表2に示す。
表2より、実施例(実施例1乃至4)と比較例1とを比較すると、効率、電圧、耐久時間が改善していることがわかる。また実施例(実施例1乃至4)で作製した有機発光素子の発光スペクトルは、比較例1で作製した有機発光素子の発光スペクトルとほぼ同じである。しかし第1極大発光波長が第2ドーパントよりも短波長側にあるホストや第1ドーパントの発光は観測されなかった。比較例1と比較例2及び3とを比較すると、効率、電圧においては比較例2及び3の方がよいものの耐久時間が悪化した。これは発光層内の主成分が第1ドーパントであるため、第1ドーパントを介する電子の伝導が生じてしまい、本発明の効果が得られていないと考えられる。他方、比較例1と比較例4及び5とを比較すると、駆動電圧が低減されるものの、効率及び耐久時間が共に改善されなかった。これは、化合物1を第1ドーパントとして使用すると、(a)及び(b)の要件を満たさなくなるので、発光層内に注入された電子が第2ドーパントにのみ蓄積することが原因と考えられる。また、化合物1は窒素原子を含んでいるので、電荷移動錯体の形成及び第2ドーパントに蓄積した電子による消光が発生し、発光効率の低下及び寿命の悪化が起こったと考えられる。
よって、第1ドーパントから第2ドーパントへのエネルギー移動が起こりやすくなるので、本発明の効果がより顕著に表れると考えられる。一方、比較例1と比較例2及び3とを比較すると、効率、電圧においては比較例2及び3の方がよいものの耐久時間が悪化した。これは発光層内の主成分が第1ドーパントであるため、第1ドーパントを介する電子の伝導が生じてしまい、本発明の効果が得られていないと考えられる。他方、比較例1と比較例4及び5とを比較すると、駆動電圧が低減されるものの、効率及び耐久時間が共に改善されなかった。これは、化合物1を第1ドーパントとして使用すると、(a)及び(b)の要件を満たさなくなるので、発光層内に注入された電子が第2ドーパントにのみ蓄積することが原因と考えられる。また、化合物1は窒素原子を含んでいるので、電荷移動錯体の形成及び第2ドーパントに蓄積した電子による消光が発生し、発光効率の低下及び寿命の悪化が起こったと考えられる。
[実施例5]
実施例3において、ホストとしてH−1の代わりにH−10を使用したことを除いては、実施例3と同様の方法により有機発光素子を作製した。
実施例3において、ホストとしてH−1の代わりにH−10を使用したことを除いては、実施例3と同様の方法により有機発光素子を作製した。
得られた有機発光素子について、実施例1と同様の方法により評価した。結果を表3に示す。
[比較例6]
実施例5において、発光層を形成する際に第1ドーパント(D1−10)を使用せず、ホスト(H−10)及び第2ドーパント(D2−2)を、重量比にして[H−10]:[D2−7]=98:2となるように共蒸着して発光層3を形成した。これを除いては実施例5と同様の方法により有機発光素子を作製した。
実施例5において、発光層を形成する際に第1ドーパント(D1−10)を使用せず、ホスト(H−10)及び第2ドーパント(D2−2)を、重量比にして[H−10]:[D2−7]=98:2となるように共蒸着して発光層3を形成した。これを除いては実施例5と同様の方法により有機発光素子を作製した。
得られた有機発光素子について、実施例1と同様の方法により評価した。結果を表3に示す。
表3より、実施例5と比較例6とを比較すると、効率、電圧、耐久時間において改善がなされていることがわかる。また、ホストや第1ドーパントに由来する発光は観測されなかった。
[実施例6]
実施例1において、第1ドーパントとして、D1−1の代わりにD1−20を使用し、第2ドーパントとして、D2−7の代わりにD2−15を使用したことを除いては、実施例1と同様の方法により有機発光素子を作製した。
実施例1において、第1ドーパントとして、D1−1の代わりにD1−20を使用し、第2ドーパントとして、D2−7の代わりにD2−15を使用したことを除いては、実施例1と同様の方法により有機発光素子を作製した。
得られた有機発光素子について、実施例1と同様の方法により評価した。結果を表4に示す。
[実施例7]
実施例6において、ホストとして、H−1の代わりにH−5を使用したことを除いては、実施例6と同様の方法により有機発光素子を作製した。
実施例6において、ホストとして、H−1の代わりにH−5を使用したことを除いては、実施例6と同様の方法により有機発光素子を作製した。
得られた有機発光素子について、実施例1と同様の方法により評価した。結果を表4に示す。
[比較例7]
実施例6において、ホストとして、H−1の代わりに化合物3を使用したことを除いては、実施例6と同様の方法により有機発光素子を作製した。
実施例6において、ホストとして、H−1の代わりに化合物3を使用したことを除いては、実施例6と同様の方法により有機発光素子を作製した。
得られた有機発光素子について、実施例1と同様の方法により評価した。結果を表4に示す。
実施例6では比較例1と比較して、効率、電圧、耐久時間が改善している。比較例7においては、第1ドーパント材料を用いなかった場合よりも効率、電圧、耐久時間は改善されず、実施例7乃至8と比較しても、効率、電圧、耐久時間は悪化していた。一方、実施例7乃至8及び比較例7において、ホストや第1ドーパントの発光は観測されず、第2ドーパント由来の発光スペクトルのみが観測された。
[実施例8]
図1(f)に示されるトップエミッション構造の有機発光素子を、以下に示す方法で作製した。まず実施例1と同様の方法で、基板1上に陽極2及び素子分離膜を形成した。次に、実施例1と同様の方法で陽極2上に正孔輸送層を形成した。次に、真空蒸着法により、正孔輸送層6上にホスト(H−1)、第1ドーパント(D1−25)及び第2ドーパント(D2−15)を、重量比にして[H−1]:[D1−25]:[D2−15]=68:30:2となるように共蒸着して発光層3を形成した。このとき発光層3の膜厚を20nmとした。次に、真空蒸着法により、発光層3上に、下記に示される化合物4を成膜し、ホール/エキシトンブロッキング層8を形成した。このときホール/エキシトンブロッキング層8の膜厚を10nmとした。
図1(f)に示されるトップエミッション構造の有機発光素子を、以下に示す方法で作製した。まず実施例1と同様の方法で、基板1上に陽極2及び素子分離膜を形成した。次に、実施例1と同様の方法で陽極2上に正孔輸送層を形成した。次に、真空蒸着法により、正孔輸送層6上にホスト(H−1)、第1ドーパント(D1−25)及び第2ドーパント(D2−15)を、重量比にして[H−1]:[D1−25]:[D2−15]=68:30:2となるように共蒸着して発光層3を形成した。このとき発光層3の膜厚を20nmとした。次に、真空蒸着法により、発光層3上に、下記に示される化合物4を成膜し、ホール/エキシトンブロッキング層8を形成した。このときホール/エキシトンブロッキング層8の膜厚を10nmとした。
次に、真空蒸着法により、ホール/エキシトンブロッキング層8上に、化合物2を成膜し電子輸送層7を形成した。このとき電子輸送層7の膜厚を10nmとした。以下、実施例1と同様の方法により、電子注入層9及び陰極を形成することにより有機発光素子を得た。得られた有機発光素子について、実施例1と同様の方法により評価した。結果を表5に示す。
[実施例9]
実施例8において、第1ドーパントとして、D1−25の代わりにD1−41を使用したことを除いては、実施例8と同様の方法により有機発光素子を作製した。得られた有機発光素子について、実施例1と同様の方法により評価した。結果を表5に示す。
実施例8において、第1ドーパントとして、D1−25の代わりにD1−41を使用したことを除いては、実施例8と同様の方法により有機発光素子を作製した。得られた有機発光素子について、実施例1と同様の方法により評価した。結果を表5に示す。
[実施例10]
図1(g)に示されるトップエミッション構造の有機発光素子を、以下に示す方法で作製した。まず実施例1と同様の方法で、基板1上に陽極2及び素子分離膜を形成した。次に、真空蒸着法により、陽極2上に、化合物1を成膜し正孔注入層7を形成した。このとき正孔輸送層7の膜厚を100nmとした。次に、真空蒸着法により、正孔注入層7上に、下記に示される化合物5を成膜し正孔輸送層6を形成した。このとき正孔輸送層6の膜厚を10nmとした。
図1(g)に示されるトップエミッション構造の有機発光素子を、以下に示す方法で作製した。まず実施例1と同様の方法で、基板1上に陽極2及び素子分離膜を形成した。次に、真空蒸着法により、陽極2上に、化合物1を成膜し正孔注入層7を形成した。このとき正孔輸送層7の膜厚を100nmとした。次に、真空蒸着法により、正孔注入層7上に、下記に示される化合物5を成膜し正孔輸送層6を形成した。このとき正孔輸送層6の膜厚を10nmとした。
以下、実施例1と同様の方法により、発光層3、電子輸送層6、電子注入層9及び陰極4を形成することにより有機発光素子を得た。得られた有機発光素子について、実施例1と同様の方法により評価した。結果を表5に示す。
[比較例8]
実施例8において、第1ドーパントを使用せず、ホスト(H−1)及び第2ドーパント(D2−15)を、重量比において[H−1]:[D2−15]=98:2となるように共蒸着して発光層3を形成した。これらを除いてはこれらを除いては実施例8と同様の方法により有機発光素子を作製した。得られた有機発光素子について、実施例1と同様の方法により評価した。結果を表5に示す。
実施例8において、第1ドーパントを使用せず、ホスト(H−1)及び第2ドーパント(D2−15)を、重量比において[H−1]:[D2−15]=98:2となるように共蒸着して発光層3を形成した。これらを除いてはこれらを除いては実施例8と同様の方法により有機発光素子を作製した。得られた有機発光素子について、実施例1と同様の方法により評価した。結果を表5に示す。
[比較例9]
実施例10において、第1ドーパントを使用せず、ホスト(H−1)及び第2ドーパント(D2−15)を、重量比において[H−1]:[D2−15]=98:2となるように共蒸着して発光層3を形成した。これらを除いてはこれらを除いては実施例10と同様の方法により有機発光素子を作製した。得られた有機発光素子について、実施例1と同様の方法により評価した。結果を表5に示す。
実施例10において、第1ドーパントを使用せず、ホスト(H−1)及び第2ドーパント(D2−15)を、重量比において[H−1]:[D2−15]=98:2となるように共蒸着して発光層3を形成した。これらを除いてはこれらを除いては実施例10と同様の方法により有機発光素子を作製した。得られた有機発光素子について、実施例1と同様の方法により評価した。結果を表5に示す。
上記表5より、実施例(実施例8、9)と比較例8とを比較すると、実施例の方が効率、電圧、耐久時間の点で改善されていることがわかる。またホストや第1ドーパントに由来する発光は観測されなかった。一方、上記表5より実施例10と比較例9とを比較すると、実施例の方が効率、電圧、耐久時間の点で改善されていることがわかる。またホストや第1ドーパントに由来する発光は観測されなかった。
また実施例1、3、5乃至9、並びに比較例5及び7について、本発明の構成要件である(a)、(b)及び(c)の関係を満たしているか否か、並びに本発明の効果が表れているか否かについて評価した。結果を表6に示す。具体的には、第1極大発光波長において、(a)の関係を満たしていれば○とし、満たしていなければ×とした。一方、LUMOにおいて、(b)の関係を満たしていれば○とし、満たしていなければ×とした。他方、HOMOにおいて、(c)の関係を満たしていれば○とし、満たしていなければ×とした。尚、効果に関しては第1ドーパントを含まない有機発光素子よりも効率、電圧、耐久時間がすべて改善したものを○とし、改善しなかったものを×とした。
次に、実施例1、3、5乃至9について、(d)及び(e)の関係を満たしているか否かについて評価した。結果を表7に示す。ここで表7には、|第2極大発光波長(H)−第1極大発光波長(D1)|の値及び|第2極大発光波長(D1)−第1極大発光波長(D2)|の値、並びに耐久時間が示されている。
上記表7の結果から、実施例1、3、5乃至9における有機発光素子を表示装置のアレイとして使用した場合、以下に述べる事項が判明する。仮に、初期輝度を1000cd/m2と設定した場合において、耐久時間は、それぞれ7.7万時間、12万時間、8.9万時間、11万時間、8.9万時間、13万時間、4.5万時間と概算される。ここで表示装置として使用する場合、発光部分の輝度が10%以上低下すると色ずれ等に問題が生じるため、実用化に向けて、輝度10%劣化時間は8万時間以上がより好ましい。ところで表7より、実施例3及び5乃至9で使用した第1ドーパントは共に使用したホスト及び第2ドーパントとの間で下記(d)及び(e)の関係を満たしている。
(d)|第2極大発光波長(H)−第1極大発光波長(D1)|≦7nm
(e)|第2極大発光波長(D1)−第1極大発光波長(D2)|≦7nm
(d)|第2極大発光波長(H)−第1極大発光波長(D1)|≦7nm
(e)|第2極大発光波長(D1)−第1極大発光波長(D2)|≦7nm
よって、ホストから第1ドーパントへのエネルギー移動及び第1ドーパントから第2ドーパントへのエネルギー移動が起こりやすくなるので実施例1と比較して本発明の効果が顕著に表れていると考えられる。よって、上記(d)及び(e)を満たす有機発光素子は、より実用的であるといえる。
[実施例11]
図3に示される表示装置を、以下に示す方法により作製した。まず基板1上に、低温ポリシリコンからなり有機発光素子を駆動するのに必要なTFT駆動回路21、及び平坦化膜22を順次形成した。次に、平坦化膜22上に、陽極2及び画素分離膜25を所望の位置に設けた。ここでTFT駆動回路は、例えば、(640×3色)×480の画素が対角3.5インチのサイズで二次元的に配列されたものである。一方、図3の表示装置20は、陽極2が、例えば、膜厚50nmのAg合金薄膜から反射膜23と、膜厚60nmのITO薄膜からなる透明電極24とがこの順で積層される積層電極膜である。また各画素に設けられる陽極2は、平坦化膜22に形成されたコンタクトホール(不図示)を通じ、TFT駆動回路21に接続されている。また各画素間には、ポリイミド樹脂からなる画素分離膜25が形成されている。
図3に示される表示装置を、以下に示す方法により作製した。まず基板1上に、低温ポリシリコンからなり有機発光素子を駆動するのに必要なTFT駆動回路21、及び平坦化膜22を順次形成した。次に、平坦化膜22上に、陽極2及び画素分離膜25を所望の位置に設けた。ここでTFT駆動回路は、例えば、(640×3色)×480の画素が対角3.5インチのサイズで二次元的に配列されたものである。一方、図3の表示装置20は、陽極2が、例えば、膜厚50nmのAg合金薄膜から反射膜23と、膜厚60nmのITO薄膜からなる透明電極24とがこの順で積層される積層電極膜である。また各画素に設けられる陽極2は、平坦化膜22に形成されたコンタクトホール(不図示)を通じ、TFT駆動回路21に接続されている。また各画素間には、ポリイミド樹脂からなる画素分離膜25が形成されている。
次に、上記基板1を、アセトン、イソプロピルアルコール(IPA)で順次超音波洗浄した。次に、基板1をIPAで煮沸洗浄した後乾燥させた。次に、基板1の表面に対してUV/オゾン洗浄を施した。次に、処理した基板1を真空装置に導入した後、後述する有機化合物層及び陰極を形成することで発光色が三色(R,G,B)のいずれかである有機発光素子を複数備える表示装置を作製した。
まず始めに、真空蒸着法により、化合物1を成膜し全画素に共通する正孔注入層7を形成した。このとき正孔注入層7の膜厚を60nmとした。次に、シャドーマスクを用いて、青色画素に相当する領域に選択的に化合物5を成膜し、正孔輸送層5を形成した。このとき正孔注入層の膜厚を10nmとした。次に、下記に示される化合物6及び化合物7を重量比にして[化合物6]:[化合物7]=95:5となるように共蒸着して青色発光層31を形成した。このとき青色発光層31の膜厚を35nmとした。
次に、シャドーマスクを用いて、緑色画素に相当する領域に選択的に化合物1を成膜し正孔注入層7の膜厚を調整した。このとき緑色画素に相当する領域に選択的に成膜された薄膜の膜厚は50nmであった。次に、ホスト(H1−1)、第1ドーパント(D1−25)、及び第2ドーパント(D2−15)を重量比にして[H−1]:[D1−25]:[D2−15]=68:30:2となるように共蒸着して緑色発光層32を形成した。このとき、緑色発光層32の膜厚を20nmとした。
次に、シャドーマスクを用いて、赤色画素に相当する領域に選択的に化合物1を成膜し正孔注入層7の膜厚を調整した。このとき赤色画素に相当する領域に選択的に成膜された薄膜の膜厚は120nmであった。次に、下記に示される化合物8及び化合物9を、重量比にして[化合物8]:[化合物9]=90:10となるように共蒸着して赤色発光層33を形成した。このとき赤色発光層33の膜厚を30nmとした。
次に、真空蒸着法により、化合物2を成膜し全画素に共通する電子輸送層6を形成した。このとき電子輸送層6の膜厚を20nmとした。次に、真空蒸着法により、電子輸送層6上に、化合物3と炭酸セシウムとを、層中のセシウム濃度が20重量%となるように共蒸着して電子注入層7を形成した。このとき電子注入層7の膜厚を60nmとした。次に、スパッタリング法により、電子注入層7上に、ITOを成膜して上部透明電極(陰極4)を形成した。このとき上部透明電極の膜厚を30nmとした。
次に、有機発光素子が形成されている基板を、窒素雰囲気下のグローブボックス内において、乾燥材を入れたガラスキャップにより封止した。最後に、ガラスキャップ上には、外光反射防止の目的で、円偏向板28を設けた。以上により表示装置を得た。
得られた表示装置を駆動すると、輝度が高く耐久性の良好な鮮明なフルカラー動画表示が得られた。また、電源容量に限りのあるモバイル機器等の表示装置として、消費電力の観点からも有効であった。
以上のことから本発明の有機発光素子は長寿命であるといえる。
1:基板、2:陽極、3:発光層、4:陰極、5:正孔輸送層、6:電子輸送層、7:正孔注入層、8:ホール/エキシトンブロッキング層、9:電子注入層、11(12,13,14,15,16,17):有機発光素子、20:表示装置、21:TFT駆動回路、22:平坦化膜、23:反射膜、24:透明電極、25:画素分離膜、26:キャップガラス、27:乾燥材、28:円偏向板、31:青色発光層、32:緑色発光層、33:赤色発光層
Claims (4)
- 陽極と陰極と、
該陽極と該陰極との間に挟持され少なくとも発光層を含む有機化合物層と、から構成され、
該発光層が、主成分であるホストと、第1ドーパントと、第2ドーパントと、を有し、
下記(1)及び(2)の関係
(1)LUMO(H)>LUMO(D2)
(2)HOMO(H)≧HOMO(D2)
を満たす有機発光素子において、
該ホストと、該第1ドーパントと、該第2ドーパントとの間に下記(a)乃至(c)の関係が成り立ち、第2ドーパントのみが発光することを特徴とする、有機発光素子。
(a)第1極大発光波長(H)<第1極大発光波長(D1)<第1極大発光波長(D2)
(b)LUMO(D2)<LUMO(D1)<LUMO(H)
(c)HOMO(D2)≦HOMO(H)<HOMO(D1)
((a)において、第1極大発光波長(H)、第1極大発光波長(D1)及び第1極大発光波長(D2)は、それぞれホスト、第1ドーパント、第2ドーパントの第1極大発光波長を表す。(b)において、LUMO(H)、LUMO(D1)及びLUMO(D2)は、それぞれホスト、第1ドーパント、第2ドーパントのLUMOを表す。(c)において、HOMO(H)、HOMO(D1)及びHOMO(D2)は、それぞれホスト、第1ドーパント、第2ドーパントのHOMOを表す。) - 前記ホスト、前記第1ドーパント及び前記第2ドーパントが炭化水素のみからなる化合物であることを特徴とする、請求項1に記載の有機発光素子。
- 前記発光層内の前記第1ドーパントの含有率が10重量%乃至35重量%であることを特徴とする、請求項1又は2に記載の有機発光素子。
- さらに下記(d)及び(e)の関係が成り立つことを特徴とする、請求項1乃至3のいずれか1項に記載の有機発光素子。
(d)|第2極大発光波長(H)−第1極大発光波長(D1)|≦7nm
(e)|第2極大発光波長(D1)−第1極大発光波長(D2)|≦7nm
((d)において、第2極大発光波長(H)は、ホストの第2極大発光波長を表す。(e)において、第2極大発光波長(D1)は、第1ドーパントの第2極大発光波長を表す。)
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013219101A (ja) * | 2012-04-05 | 2013-10-24 | Canon Inc | 有機発光素子 |
WO2018097153A1 (ja) * | 2016-11-25 | 2018-05-31 | コニカミノルタ株式会社 | 発光性膜、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機材料組成物及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
WO2019194298A1 (ja) * | 2018-04-05 | 2019-10-10 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5634159B2 (ja) * | 2010-08-03 | 2014-12-03 | キヤノン株式会社 | 新規有機化合物およびそれを有する有機発光素子 |
KR102046157B1 (ko) * | 2012-12-21 | 2019-12-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CN103247666A (zh) * | 2013-04-25 | 2013-08-14 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种红外oled显示装置及其制造方法 |
JP6864634B2 (ja) * | 2015-05-20 | 2021-04-28 | プロテインシンプル | 検体の電気泳動分離および分析のためのシステムおよび方法 |
US10290816B2 (en) * | 2015-11-16 | 2019-05-14 | The Regents Of The University Of Michigan | Organic electroluminescent materials and devices |
CN105679958B (zh) * | 2016-04-20 | 2018-03-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电致发光器件及其制作方法、显示装置 |
KR20180013536A (ko) * | 2016-07-29 | 2018-02-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 백색 유기 발광 소자 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치 |
CN109791994B (zh) * | 2016-09-28 | 2021-10-01 | 夏普株式会社 | 显示装置及其制造方法 |
CN108281565A (zh) * | 2017-01-05 | 2018-07-13 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种电极及应用其的有机电致发光器件 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003068465A (ja) * | 2001-06-15 | 2003-03-07 | Canon Inc | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
JP2003077674A (ja) * | 2000-10-04 | 2003-03-14 | Mitsubishi Chemicals Corp | 有機電界発光素子 |
JP2005100957A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-04-14 | Canon Inc | 発光素子及び表示装置 |
JP2006128632A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-05-18 | Canon Inc | 有機エレクトロルミネッセント素子、及びディスプレイ装置 |
WO2007124172A2 (en) * | 2006-04-20 | 2007-11-01 | Universal Display Corporation | Multiple dopant emissive layer oleds |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101355141B (zh) * | 2001-06-15 | 2012-02-29 | 佳能株式会社 | 有机电致发光元件 |
JP4287198B2 (ja) * | 2002-11-18 | 2009-07-01 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP3970253B2 (ja) * | 2003-03-27 | 2007-09-05 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2004319456A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-11-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP3883999B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2007-02-21 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
JP3728309B2 (ja) | 2003-09-30 | 2005-12-21 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント素子用有機化合物 |
JP4721668B2 (ja) * | 2004-07-29 | 2011-07-13 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2006073640A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびそれを備える有機エレクトロルミネッセンス装置 |
JP4653469B2 (ja) | 2004-12-01 | 2011-03-16 | 出光興産株式会社 | 有機電界発光素子 |
JP4999291B2 (ja) | 2005-06-30 | 2012-08-15 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびそれを備える表示装置又は発光装置 |
JP2007011063A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2010245061A (ja) | 2007-07-07 | 2010-10-28 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機el素子 |
-
2009
- 2009-09-24 JP JP2009219063A patent/JP5479009B2/ja active Active
-
2010
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003077674A (ja) * | 2000-10-04 | 2003-03-14 | Mitsubishi Chemicals Corp | 有機電界発光素子 |
JP2003068465A (ja) * | 2001-06-15 | 2003-03-07 | Canon Inc | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
JP2005100957A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-04-14 | Canon Inc | 発光素子及び表示装置 |
JP2006128632A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-05-18 | Canon Inc | 有機エレクトロルミネッセント素子、及びディスプレイ装置 |
WO2007124172A2 (en) * | 2006-04-20 | 2007-11-01 | Universal Display Corporation | Multiple dopant emissive layer oleds |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013219101A (ja) * | 2012-04-05 | 2013-10-24 | Canon Inc | 有機発光素子 |
WO2018097153A1 (ja) * | 2016-11-25 | 2018-05-31 | コニカミノルタ株式会社 | 発光性膜、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機材料組成物及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
JPWO2018097153A1 (ja) * | 2016-11-25 | 2019-10-17 | コニカミノルタ株式会社 | 発光性膜、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機材料組成物及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
US11302882B2 (en) | 2016-11-25 | 2022-04-12 | Merck Patent Gmbh | Luminescent film, organic electroluminescent element, organic material composition and method for producing organic electroluminescent element |
US11910628B2 (en) | 2016-11-25 | 2024-02-20 | Merck Patent Gmbh | Luminescent film, organic electroluminescent element, organic material composition and method for producing organic electroluminescent element |
WO2019194298A1 (ja) * | 2018-04-05 | 2019-10-10 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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EP2481106A1 (en) | 2012-08-01 |
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