JP2002334845A - サファイア基板上に窒化ガリウム半導体層を製造するペンディオエピタキシャル方法およびそれにより製造された窒化ガリウム半導体構造体 - Google Patents
サファイア基板上に窒化ガリウム半導体層を製造するペンディオエピタキシャル方法およびそれにより製造された窒化ガリウム半導体構造体Info
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Abstract
化ガリウムデバイスを製造することを可能とする。 【解決手段】 窒化ガリウム半導体層は、サファイア基
板上の下層の窒化ガリウム層をエッチングして、下層の
窒化ガリウムにおける少なくとも一つの柱および下層の
窒化ガリウム層における少なくとも一つの溝を規定する
ことによって製造される。少なくとも一つの柱は窒化ガ
リウム頂部および窒化ガリウム側壁を含む。少なくとも
一つの溝はサファイア底を含む。窒化ガリウム側壁は少
なくとも一つの溝内に横方向成長され、それによって窒
化ガリウム半導体層を形成する。横方向成長工程を行う
前に、溝底からの窒化ガリウムの成長が少なくとも一つ
の柱の窒化ガリウム側壁の少なくとも一つの溝内への横
方向成長と干渉するのを防止するために、サファイア底
をマスクする。
Description
トロニックデバイスおよび製造方法に関し、特に、窒化
ガリウム半導体デバイスおよびそのための製造方法に関
する。
タ、フィールドエミッタおよびオプトエレクトロニック
デバイスを含むがそれらに限定されないマイクロエレク
トロニックデバイスのために広く研究されている。ここ
で用いられるように、窒化ガリウムは、窒化アルミニウ
ムガリウム、窒化インジウムガリウムおよび窒化アルミ
ニウムインジウムガリウムのような窒化ガリウムの合金
も含むことが理解されるであろう。
デバイスの製造における主要な問題は、低欠陥密度を有
する窒化ガリウム半導体層の製造である。欠陥密度に寄
与する一つのものは、窒化ガリウム層が成長される基板
であることが知られている。したがって、窒化ガリウム
層はサファイア基板上に成長されてきたが、それら自身
が炭化ケイ素基板上に形成された窒化アルミニウムバッ
ファ層上に窒化ガリウム層を成長させることにより欠陥
密度を減少させることが知られている。これらの進歩に
かかわらず、欠陥密度を引き続き減少させることが望ま
しい。
化ガリウムからなる下層を露出させる少なくとも一つの
開口を含むマスクを形成し、この少なくとも一つの開口
を通しておよびマスク上に窒化ガリウムからなる下層を
横方向成長させることにより低欠陥密度の窒化ガリウム
層を製造することも知られている。この技術はしばし
ば、「エピタキシャル横方向成長」(ELO)と呼ばれ
る。窒化ガリウムからなる層は、窒化ガリウムがマスク
上で会合してマスク上に単一の層を形成するまで横方向
成長させることができる。比較的低欠陥密度の窒化ガリ
ウムの連続層を形成するために、横方向成長された窒化
ガリウム層上に、下層のマスクの開口からずれた少なく
とも一つの開口を含む第2のマスクを形成することがで
きる。次に再びELOが第2のマスクの開口を通して行
われ、それによって第2の低欠陥密度の連続した窒化ガ
リウム層が成長される。その後、マイクロエレクトロニ
ックデバイスがこの第2の成長層に形成される。窒化ガ
リウムのELOは、例えば、Appl.Phys.Lett.Vol.71,N
o.18,November 3,1997,pp.2638-2640の Namらによる有
機金属気相エピタキシーによる低欠陥密度GaN層の横
方向エピタキシーという題名の刊行物およびAppl.Phys.
Lett.Vol.71,No.17,October 27,1997,pp.2472-2474の Z
helevaらによる選択成長GaN構造体における横方向エ
ピタキシーによる転位密度の低減という題名の刊行物に
記述されており、それらの開示が参考のためにここに挙
げられる。
つの溝または柱を形成してそこに少なくとも一つの側壁
を規定することにより低欠陥密度の窒化ガリウムからな
る層を製造することも知られている。その後、この少な
くとも一つの側壁から窒化ガリウムからなる層が横方向
成長される。横方向成長は、好適には、横方向成長した
層が溝と会合するまで行われる。横方向成長はまた、好
適には、側壁から成長される窒化ガリウム層が柱の頂上
の上に横方向成長するまで続ける。横方向成長を促進さ
せ、窒化ガリウムの核生成および縦方向の成長を起こさ
せるために、柱の頂上および/または溝の底をマスクす
ることができる。溝および/または柱の側壁からの横方
向成長は「ペンディオエピタキシー(pendeoepitaxy)」
と呼ばれ、例えば、Journal of Electronic Materials,
Vol.28,No.4,February 1999,pp.L5-L8の Zhelevaらによ
るペンディオエピタキシー:窒化ガリウム膜の横方向成
長の新しいアプローチという題名の刊行物およびApplie
d Physics Letters,Vol.75,No.2,July 1999,pp.196-198
の Linthicumらによる窒化ガリウム薄膜のペンディオエ
ピタキシーという題名の刊行物に記述されており、それ
らの開示が参考のためにここに挙げられる。
マイクロエレクトロニクスへの応用のための比較的大き
な低欠陥の窒化ガリウム層を提供することができる。し
かしながら、窒化ガリウムデバイスの量産を制限する一
つの問題は、炭化ケイ素基板上への窒化ガリウム層の成
長である。炭化ケイ素の増大する商業上の重要性にかか
わらず、炭化ケイ素基板はまだ比較的高価である。さら
に、裏面からの光照射が望まれる光学デバイスにおいて
炭化ケイ素基板を使用することは、炭化ケイ素は透明で
あるため、困難である。したがって、窒化ガリウムのマ
イクロエレクトロニック構造を製造するための下層の炭
化ケイ素基板の使用は、窒化ガリウムデバイスのコスト
および/または応用に悪影響を与える。
ァイア基板上にある下層の窒化ガリウム層における柱の
側壁を、溝底からの窒化ガリウムの縦方向成長が柱の窒
化ガリウム側壁のペンディオエピタキシャル成長と干渉
するのを防止するために下層の窒化ガリウム層および/
またはサファイア基板を処理することによって、ペンデ
ィオエピタキシャルに成長させる。これによって、広く
入手可能なサファイア基板を窒化ガリウムのペンディオ
エピタキシーに使用することができ、それによって窒化
ガリウムデバイスのコストの低減および/または応用の
幅の向上が可能となる。
ァイア基板上の下層の窒化ガリウム層をエッチングし
て、下層の窒化ガリウム層における少なくとも一つの柱
および下層の窒化ガリウム層における少なくとも一つの
柱を規定することによって製造される。少なくとも一つ
の柱は、窒化ガリウム頂部および窒化ガリウム側壁を含
む。少なくとも一つの溝は溝底を含む。窒化ガリウム側
壁は、少なくとも一つの溝の中に横方向成長され、それ
によって窒化ガリウム半導体層を形成する。しかしなが
ら、横方向成長工程を実行する前に、溝底からの窒化ガ
リウムの成長が少なくとも一つの柱の窒化ガリウム側壁
の少なくとも一つの溝の中への横方向成長と干渉するの
を防止するために、サファイア基板および/または下層
の窒化ガリウム層が処理される。
し、そのサファイア底からの窒化ガリウムの縦方向成長
が少なくとも一つの柱の窒化ガリウム側壁の少なくとも
一つの溝の中への横方向成長と干渉するのを防止するた
めに、少なくとも一つの溝の下まで十分に深くエッチン
グされる。その代わりに、あるいは、それに加えて、溝
底をマスクでマスクしてもよい。更に他の例では、下層
の窒化ガリウム層は、サファイア基板を露出させ、サフ
ァイア底を形成するために、選択的にエッチングされ
る。窒化ガリウム柱の頂部も、窒化ガリウム上と比較し
てその上の窒化ガリウムの核生成を減少させるためにマ
スクしてもよい。成長後、少なくとも一つのマイクロエ
レクトロニックデバイスが窒化ガリウム半導体層に形成
される。
リウム層は、サファイア基板を選択的に露出させ、下層
の窒化ガリウム層に少なくとも一つの柱および少なくと
も一つの溝を規定するために、エッチングされる。少な
くとも一つの柱はそれぞれ窒化ガリウム頂部および窒化
ガリウム側壁を含む。少なくとも一つの溝はサファイア
底を含む。少なくとも一つの柱の窒化ガリウム側壁は少
なくとも一つの溝に横方向成長され、それによって窒化
ガリウム半導体層を形成する。
ガリウム層をエッチングする時に、下層の窒化ガリウム
層およびサファイア基板における少なくとも一つの柱な
らびに下層の窒化ガリウム層およびサファイア基板にお
ける少なくとも一つの溝を規定するために、サファイア
基板も同様にエッチングされる。少なくとも一つの柱は
それぞれ窒化ガリウム頂部、窒化ガリウム側壁およびサ
ファイア側壁を含む。少なくとも一つの溝はサファイア
底を含む。より好適には、サファイア底からの窒化ガリ
ウムの縦方向成長が、少なくとも一つの柱の窒化ガリウ
ム側壁を少なくとも一つの溝の中に横方向成長させる工
程と干渉するのを防止するために、サファイア基板が十
分に深くエッチングされる。例えば、サファイア底の幅
に対するサファイア側壁の高さの比は約1/4を超え
る。他の実施形態においては、サファイア底は、サファ
イア上と比較してその上の窒化ガリウムの核生成を減少
させるマスクでマスクされる。
基板は、その上の窒化アルミニウムバッファ層を含む。
エッチング工程の間、窒化ガリウム層および窒化アルミ
ニウムバッファ層は両者とも、サファイア基板を選択的
に露出させるためにエッチングされる。他の実施形態に
おいては、サファイア基板も、溝がサファイア基板に延
在するように、選択的にエッチングされる。
壁を窒化ガリウム頂部の上に横方向成長させることによ
ってペンディオエピタキシャルに進行し、それによって
窒化ガリウム半導体層を形成する。ペンディオエピタキ
シャル成長の前に、窒化ガリウム頂部は、窒化ガリウム
上と比較してその上への窒化ガリウの核生成を減少させ
るマスクでマスクされる。
クでマスクされ、それによってサファイア基板を露出さ
せる必要性がなくなる。すなわち、サファイア基板上の
下層の窒化ガリウム層は、下層の窒化ガリウムにおける
少なくとも一つの柱および下層の窒化ガリウム層におけ
る少なくとも一つの溝を規定するために、エッチングさ
れる。少なくとも一つの柱は頂部および側壁を含み、少
なくとも一つの溝は溝底を含む。少なくとも一つの底は
マスクでマスクされ、少なくとも一つの柱の側壁は少な
くとも一つの溝の中に横方向成長され、それによって窒
化ガリウム半導体層を形成する。上述のように、柱の頂
部もマスクされる。好適には、少なくとも一つの底およ
び少なくとも一つの頂部が、例えば横方向頂部および底
上にはマスクを形成するが、側壁上にはマスクを形成し
ない方向性堆積を行うことによって、同時にマスクされ
る。上述したように、窒化アルミニウムバッファ層が存
在する時、それは柱および溝を規定するためにエッチン
グされ、あるいは、その窒化アルミニウムバッファ層上
にマスクが形成される。他の例では、溝底は窒化ガリウ
ム層自身に位置し、窒化ガリウム溝底は上述のようにマ
スクされる。
実施形態は、サファイア基板およびこのサファイア基板
上の下層の窒化ガリウム層を含むことができる。下層の
窒化ガリウム層は、その中に少なくとも一つの柱および
少なくとも一つの溝を含む。少なくとも一つの柱は窒化
ガリウム頂部および窒化ガリウム側壁を含む。少なくと
も一つの溝はサファイア底を含む。横方向の窒化ガリウ
ム層は、少なくとも一つの柱の窒化ガリウム側壁から少
なくとも一つの溝に横方向に延在する。好ましい実施形
態においては、少なくとも一つの柱がそれぞれ窒化ガリ
ウム頂部、窒化ガリウム側壁およびサファイア側壁を含
み、少なくとも一つの溝がサファイア底を含むように、
少なくとも一つの溝がサファイア基板に延在する。サフ
ァイア底は、好適には、その上に縦方向の窒化ガリウム
層がなく、サファイア底の幅に対するサファイア側壁の
高さの比が約1/4を超える。サファイア底上にマスク
が含まれてもよく、サファイア基板と下層の窒化ガリウ
ム層との間に窒化アルミニウムバッファ層も含まれても
よい。窒化ガリウム頂部の上にマスクが含まれてもよ
い。底の上のマスクおよび頂部の上のマスクは好適には
同一材料からなる。
他の実施形態はまた、サファイア基板およびこのサファ
イア基板上の下層の窒化ガリウム層を含むことができ
る。下層の窒化ガリウム層は、その中に少なくとも一つ
の柱および少なくとも一つの溝を含む。少なくとも一つ
の柱は、窒化ガリウム頂部および窒化ガリウム側壁を含
み、少なくとも一つの溝は溝底を含む。少なくとも一つ
の溝底の上にマスクが含まれ、窒化ガリウム層は少なく
とも一つの柱の窒化ガリウム側壁から少なくとも一つの
溝の中に横方向に延在する。好ましい実施形態において
は、溝底はサファイア底である。マスクは、好適には溝
底の上のマスクと同一材料からなる窒化ガリウム頂部の
上に設けられる。上述のように、窒化アルミニウムバッ
ファ層もまた設けられる。少なくとも一つのマイクロエ
レクトロニックデバイスが窒化ガリウム半導体層に形成
される。
きる窒化ガリウム半導体層を成長させるための基板とし
てサファイアを使用することができる。それによって、
低コストおよび/または高い入手可能性の窒化ガリウム
デバイスが提供される。
下、この発明の好適な実施形態について添付図面を参照
しながらより完全に説明する。この発明は、しかしなが
ら、多くの異なる形態で実施することができ、以下に述
べる実施形態に限定されると解釈されてはならない。む
しろ、これらの実施形態は、この開示が完全かつ完璧
で、当業者にこの発明の範囲を十分に伝えるように、提
供されるものである。図においては、明確さのために、
層および領域の厚さを誇張してある。全体を通して同様
な符号は同様の要素を指す。層、領域または基板のよう
な要素が他の要素の「上」にあると言うときは、それは
他の要素の上に直接形成することもできるし、あるい
は、介在する要素が存在してもよいことが理解されるで
あろう。さらに、ここに説明し、図示する各実施形態は
その相補的な導電型の実施形態も同様に含むものであ
る。
による窒化ガリウム半導体構造体の製造方法を説明す
る。図1に示すように、下層の窒化ガリウム層104が
基板102上に成長される。基板102は、好適には
(0001)(c面)方位、また好適には窒化アルミニ
ウムおよび/または窒化ガリウムバッファ層102bを
含むサファイア(Al2 O3 )基板102aを含む。こ
こで用いられる結晶学的な指定の約束は当業者にとって
周知であり、更に説明する必要はない。窒化ガリウム層
104は厚さが0.5μmと2.0μmとの間であり、
コールドウォール縦型誘導加熱有機金属気相エピタキシ
ーシステムにおいて、26μmol/minのトリエチ
ルガリウム、1500sccmのアンモニアおよび30
00sccmの水素希釈ガスを用いて、サファイア基板
102a上に成長された低温(600℃)窒化アルミニ
ウムバッファ層および/または低温(500℃)窒化ガ
リウムバッファ層102bの上に1000℃で成長され
る。窒化アルミニウムバッファ層を含むサファイア基板
上の窒化ガリウム層の成長については、Appl.Phys.Let
t.42(5),March 1,1983,pp.427-429のYoshida らによる
AlNコートサファイア基板を用いて反応性分子線エピ
タキシーによりエピタキシャル成長されたGaN膜の電
気的およびルミネッセント特性の改善という題名の刊行
物、Appl.Phys.Lett.48(5),February 1986,pp.353-355
のAmano らによるAlNバッファ層を用いた高品質Ga
N膜の有機金属気相エピタキシャル成長という題名の刊
行物、J.Appl.Phys.73(9),May 1,1993,pp.4700-4702 の
Kuzniaらによるサファイア基板上の高品質単結晶GaN
の成長に及ぼすバッファ層の影響という題名の刊行物、
Japanese Journal of Applied Physics,Vol.30,No.10A,
October 1991,pp.L1705-L1707のNakamuraらによるGa
Nバッファ層を用いたGaN成長という題名の刊行物、
および、Journal of Electronic Materials,Vol.24,No.
4,1995,pp.269-273 のDoverspikeによるC面およびA面
サファイア上に成長されたGaN膜の性質に及ぼすGa
NおよびAlNバッファ層の影響という題名の刊行物に
記述されている。その開示が参考のためにここに挙げら
れる。
ム層104はその中に複数の側壁105を含む。当業者
により、側壁105は、「メサ(mesa)」、「ペデスタ
ル(pedestals)」または「カラム(column)」とも呼ば
れる複数の間隔のあいた柱によって規定されていると考
えてもよい。側壁105はまた、下層の窒化ガリウム層
104にある「井戸」とも呼ばれる複数の溝によって規
定されていると考えてもよい。側壁105はまた、一連
の交互に並んだ溝107および柱106によって規定さ
れていると考えてもよい。更に、単一の柱106を設け
てもよく、これはその単一の柱に隣接する少なくとも一
つの溝107によって規定されていると考えてもよい。
側壁105を規定する柱106および溝107は、選択
エッチングおよび/または選択エピタキシャル成長およ
び/または他の従来技術によって製造することができる
ことが理解されるであろう。更に、側壁は基板102に
対して直交している必要はなく、それに対して傾斜して
いてもよいことも理解されるであろう。最後に、側壁1
05は図1においては断面で示されているが、柱106
および溝107は真っ直ぐなV形状または他の形状をし
た延びた領域を規定することも理解されるであろう。図
1に示すように、溝107は好適にはバッファ層102
bおよび基板102aに延在し、その結果、続く窒化ガ
リウム成長は溝底の上よりも側壁105上に優先的に起
こる。
104の側壁105は横方向成長されて溝107の中に
横方向の窒化ガリウム層108aを形成する。窒化ガリ
ウムの横方向成長は、1000−1100℃および45
Torrで得られる。13−39μmol/minの前
駆体TEGおよび1500sccmのNH3 を3000
sccmのH2 希釈ガスと組み合わせて用いてもよい。
窒化ガリウム合金が形成されるならば、これに加えて例
えばアルミニウムまたはインジウムの従来の前駆体も用
いてもよい。ここで用いられるように、「横方向(late
ral)」という用語は側壁105と直交する方向を意味す
る。側壁105からの横方向成長中に柱106上にも何
らかの縦方向成長が起こることも理解されるであろう。
ここで用いられるように、「縦方向(vertical)」とい
う用語は側壁105と平行な方向を意味する。
気相にさらされると、窒化ガリウムがサファイア上に核
生成することが分かった。よって、窒化ガリウムの縦方
向成長がサファイアの溝底から起こり、これは、窒化ガ
リウム側壁の少なくとも一つの溝の中への横方向成長と
干渉し得る。あるいは、アンモニアの存在により、サフ
ァイアの表面の露出した領域は、窒化アルミニウムに変
換される。不幸なことに、窒化ガリウムは窒化アルミニ
ウム上で良好に核生成することができ、それによって溝
底からの窒化ガリウムの縦方向成長が可能となり、これ
が窒化ガリウム側壁の横方向成長と干渉し得る。
ルミニウムへの変換は、窒化ガリウムを成長させるため
に高い成長温度を用いることによって減少させることが
でき、好適にはなくすことができる。例えば、従来の約
1000℃の温度よりも約1100℃の温度を用いても
よい。しかしながら、これでもなお、サファイア基板の
底の上への窒化ガリウムの核生成を防げない。
サファイアの溝底107aからの窒化ガリウムの縦方向
成長が、少なくとも一つの柱の窒化ガリウム側壁を少な
くとも一つの溝の中に横方向成長させる工程と干渉する
のを防止するために、十分に深くエッチングされる。例
えば、サファイア溝の幅xに対するサファイア側壁の高
さyの比は少なくとも1/4とされる。窒化ガリウムの
成長中の横方向成長に対する縦方向成長の比によって、
他の比を用いてもよい。以下に述べる条件の下で、窒化
ガリウムの横方向成長速度を縦方向成長速度よりも速く
することができる。これらの条件の下で、および、十分
に深い溝を用いて、柱からの側壁成長は、サファイア基
板上の窒化ガリウムの核生成を生じる溝内の縦方向窒化
ガリウム成長が横方向成長と干渉する前に、溝の上で会
合することができる。
ム層108aの成長を続けると、下層の窒化ガリウム層
104の上、特に柱106の上に縦方向成長が起きて縦
方向の窒化ガリウム層108bが形成される。縦方向成
長の成長条件は、図2に関連して説明したものと同じで
ある。図3にも示されているように、溝107への継続
した縦方向成長が溝の底に起こる。ボイド109は好適
には横方向窒化ガリウム層108aと溝底107aとの
間に残す。
が界面108cにおける溝107で会合して溝内に連続
的な窒化ガリウム半導体層を形成するまで成長を続ける
ことができる。全成長時間は約60分である。図5に示
すように、その後横方向窒化ガリウム半導体層108a
にマイクロエレクトロニックデバイス110が形成され
る。縦方向窒化ガリウム層108bにもデバイスを形成
してもよい。
形態による窒化ガリウム半導体構造体100を説明す
る。窒化ガリウム構造体100は基板102を含む。こ
の基板は、サファイア基板102aおよびこのサファイ
ア基板102a上の窒化アルミニウムバッファ層102
bを含む。窒化アルミニウムおよび/または窒化ガリウ
ムバッファ層102bは約200−300Åである。
2aと反対側のバッファ層102bの上にも含まれてい
る。下層の窒化ガリウム層104は、厚さが約0.5μ
mと2.0μmとの間であり、有機金属気相エピタキシ
ー(MOVPE)を用いて形成される。下層の窒化ガリ
ウム層は一般に、望ましくない比較的高い欠陥密度を有
する。例えば、約108 cm-2と1010cm-2との間の
転位密度が下層の窒化ガリウム層に存在する。これらの
高い欠陥密度は、バッファ層102bと下層の窒化ガリ
ウム層104との間の格子定数の不整合および/または
他の原因により発生する。これらの高い欠陥密度は、下
層の窒化ガリウム層104に形成されるマイクロエレク
トロニックデバイスの性能に強い影響を与える。
リウム層104は、複数の柱106および/または複数
の溝107によって規定される複数の側壁105を含
む。上述のように、側壁は傾斜してもよく、種々の延び
た形状であってもよい。柱106は窒化ガリウム頂部、
窒化ガリウム側壁およびサファイア側壁を含み、少なく
とも一つの溝はサファイア底107aを含む。サファイ
ア底107aは、好適にはその上に縦方向の窒化ガリウ
ム層がない。サファイア底の幅に対するサファイア側壁
の高さの比は好適には少なくとも1/4である。
ム層108aは下層の窒化ガリウム層104の複数の側
壁105から延在する。横方向窒化ガリウム層108a
は、有機金属気相エピタキシーを用いて、約1000−
1100℃および45Torrで形成される。横方向窒
化ガリウム層108aを形成するために、13−39μ
mol/minのトリエチルガリウム(TEG)の前駆
体および1500sccmのアンモニア(NH3 )を3
000sccmのH2 希釈ガスと組み合わせて用いても
よい。窒化ガリウム半導体構造体100は、柱106か
ら縦方向に延在する縦方向窒化ガリウム層108bも含
む。
108aは、界面108cで会合して溝内に連続的な横
方向窒化ガリウム半導体層108aを形成する。下層の
窒化ガリウム層104における転位密度は一般的に、下
層の窒化ガリウム層104から縦方向のものと同一の密
度を有する側壁105から横方向に伝播しないことが分
かった。よって、横方向窒化ガリウム層108aは、比
較的低い欠陥密度、例えば104 cm-2以下の欠陥密度
を有することができる。したがって、横方向窒化ガリウ
ム層108bは、デバイス品質の窒化ガリウム半導体材
料を形成する。よって、図5に示すように、横方向窒化
ガリウム半導体層108bにマイクロエレクトロニック
デバイス110が形成される。横方向成長は側壁105
から起こるので、図5の窒化ガリウム半導体構造体10
0を製造するためにマスクを用いる必要がないことも理
解されるであろう。
示す。図6に示すように、マスク201が溝底107a
´の上に形成される。溝底107a´上にマスク201
を形成する時、その溝はサファイア基板102aにエッ
チングする必要はない。むしろ、図6に示すように、溝
は、窒化アルミニウムバッファ層102bを通してのみ
エッチングされる。しかしながら、当業者により、図1
に示すように、溝はサファイア基板102aにもエッチ
ングされ、サファイア基板における溝底107aはマス
ク201でマスクされることが理解されるであろう。更
に他の例においては、溝は、図6に示すように窒化アル
ミニウムバッファ層102bを完全に貫通してというよ
りも、窒化アルミニウムバッファ層102bの中に部分
的にのみエッチングされる。更に別の例においては、溝
は窒化アルミニウムバッファ層102bにエッチングさ
れる必要はなく、むしろマスク201が窒化アルミニウ
ムバッファ層102bの露出した部分の上に形成され
る。更に別の例においては、溝は窒化アルミニウムバッ
ファ層に延在せず、むしろ窒化ガリウム層104の内部
で終端し、マスク201は窒化ガリウム底の上に形成さ
れる。最後に、マスク201は窒化アルミニウムバッフ
ァ層102bと同一の厚さを有するように示されている
が、同一の厚さを有している必要はないことが理解され
るであろう。むしろ、それはより薄いか、より厚い。
ケイ素、窒化ケイ素およびタングステンのようないくつ
かの金属のようないくつかの非晶質および結晶質の材料
の上では、感知できるほどに核生成しないことが分かっ
た。したがって、二酸化ケイ素、窒化ケイ素および/ま
たはタングステンのようなマスク材料を成長させるため
に、熱的蒸着または電子ビーム蒸着のような「照準線」
成長技術が用いられる。窒化ガリウムはマスク上では明
確には核生成しないので、柱の側壁からのみ成長が開始
するようにすることができる。図6−10の残りのプロ
セス工程は図1−5のそれに対応し、ここで再び説明を
する必要がない。
形態を示す。図11−16において、サファイア基板1
02aは、図1−5に関連して説明したように、サファ
イア底からの窒化ガリウムの縦方向成長が、少なくとも
一つの柱の窒化ガリウム側壁を少なくとも一つの溝内に
横方向成長させる工程と干渉するのを防止するために十
分に深くエッチングされるが、ここで再び説明する必要
はない。しかしながら、図1−5と対照的に、図11−
16においては、二酸化ケイ素、窒化ケイ素および/ま
たはタングステンマスク209のようなマスクが下層の
窒化ガリウム層104上に含まれる。マスク209は厚
さが約1000Åまたはそれ以下の厚さを有し、二酸化
ケイ素および/または窒化ケイ素の低圧化学気相成長
(CVD)を用いて下層の窒化ガリウム層104の上に
形成される。あるいは、タングステンを形成するために
電子ビームまたは熱的蒸着が用いられる。マスク209
は、従来のフォトリソグラフィー技術を用いて、その中
に開口のアレイが形成されるようにパターニングされ
る。
層が開口のアレイを通じてエッチングされ、下層の窒化
ガリウム層104における複数の柱106およびそれら
の間の複数の溝107を規定する。柱のそれぞれは、側
壁105およびその上にマスク209を有する頂部を含
む。柱106および溝107は好適には上述のようにマ
スキングおよびエッチングによって形成されるが、柱
は、下層の窒化ガリウム層から柱を選択的に成長させ、
次に柱の頂部の上にキャッピング層を形成することによ
っても形成されることが理解されるであろう。選択成長
と選択エッチングとの組み合わせも用いられる。
層104の側壁105は横方向成長されて、溝107内
の横方向窒化ガリウム層108aを形成する。横方向成
長は上述のように進行する。柱106の頂部の上の成長
および/または核生成はマスク209により減少し、好
適にはなくなることが理解されるであろう。
層108aの成長を続けると、開口のアレイを通じて横
方向窒化ガリウム層108aの縦方向の成長が起きる。
縦方向成長の条件は、図12に関連して説明したものと
同じである。
ウム層108aの成長を続けると、マスク209上に横
方向成長が起きて、横方向窒化ガリウム層108bが形
成される。この成長の成長条件は、図12に関連して説
明したものと同じである。
部が界面108cにおける溝107で会合して溝内に連
続的な横方向窒化ガリウム半導体層108aを形成する
まで成長を続けることができる。
部が界面108dにおけるマスク209上で会合して連
続的な横方向窒化ガリウム半導体層108bを形成する
まで成長を続けることができる。全成長時間は約60分
である。単一の連続成長工程が用いられる。図16に示
すように、その後横方向窒化ガリウム半導体層108a
にマイクロエレクトロニックデバイス110が形成され
る。横方向窒化ガリウム層108bにマイクロエレクト
ロニックデバイスを形成してもよい。
の更に他の実施形態を説明する。図17−22は、図6
−10に示されているように溝107の底の上のマスク
201を、図11に示されているように柱106の頂部
の上のマスク209と組み合わせたものである。溝の底
のマスク201および柱106の頂部の上のマスク20
9は、好適には同時に形成され、好適には同一の材料か
らなることが理解されるであろう。したがって、例え
ば、二酸化ケイ素、窒化ケイ素および/またはタングス
テンのような金属のようなマスク材料の熱的蒸着または
電子ビーム蒸着のような照準線堆積技術が用いられる。
エッチング工程の後にマスク材料が形成されるならば、
それは縦方向の表面、すなわち柱106の最表面および
溝107の底面(底)のみを覆う。窒化ガリウムは好適
にはほとんど核生成せず、もしマスク201および20
9上で全く核生成しなければ、窒化ガリウムは好適には
柱の側壁105から成長するのみである。別の例では、
マスク201および209は、異なる材料からなり、お
よび/または、異なる厚さである。図17−22の残り
の工程は図11−16と同様であり、再び詳細に説明す
る必要はない。
サファイア底、層102bの露出した窒化アルミニウム
底、あるいは、層104の露出した窒化ガリウム底の上
に形成されることが理解されるであろう。言い換える
と、溝は、窒化ガリウム層104を完全に貫通して窒化
ガリウム層104に部分的に、窒化アルミニウム層10
2bを完全に貫通して窒化アルミニウムバッファ層10
2bに部分的に、および/またはサファイア基板102
aに部分的に、エッチングされる。更に、マスク201
の厚さは窒化アルミニウム層102bよりも薄いか厚
い。したがって、窒化ガリウム半導体層の成長のために
サファイア基板を用いることができ、それによって低コ
ストおよび/または高い入手可能性が得られる。
型的な実施形態を開示した。特定の用語が使用された
が、それらは一般的および記述的な意味で使用されたに
過ぎず、限定の目的ではなく、この発明の範囲は以下の
請求項に記載される。
化ガリウムマイクロエレクトロニック構造体の断面図で
ある。
化ガリウムマイクロエレクトロニック構造体の断面図で
ある。
化ガリウムマイクロエレクトロニック構造体の断面図で
ある。
化ガリウムマイクロエレクトロニック構造体の断面図で
ある。
化ガリウムマイクロエレクトロニック構造体の断面図で
ある。
ガリウムマイクロエレクトロニック構造体の断面図であ
る。
ガリウムマイクロエレクトロニック構造体の断面図であ
る。
ガリウムマイクロエレクトロニック構造体の断面図であ
る。
ガリウムマイクロエレクトロニック構造体の断面図であ
る。
化ガリウムマイクロエレクトロニック構造体の断面図で
ある。
の窒化ガリウムマイクロエレクトロニック構造体の断面
図である。
の窒化ガリウムマイクロエレクトロニック構造体の断面
図である。
の窒化ガリウムマイクロエレクトロニック構造体の断面
図である。
の窒化ガリウムマイクロエレクトロニック構造体の断面
図である。
の窒化ガリウムマイクロエレクトロニック構造体の断面
図である。
の窒化ガリウムマイクロエレクトロニック構造体の断面
図である。
の窒化ガリウムマイクロエレクトロニック構造体の断面
図である。
の窒化ガリウムマイクロエレクトロニック構造体の断面
図である。
の窒化ガリウムマイクロエレクトロニック構造体の断面
図である。
の窒化ガリウムマイクロエレクトロニック構造体の断面
図である。
の窒化ガリウムマイクロエレクトロニック構造体の断面
図である。
の窒化ガリウムマイクロエレクトロニック構造体の断面
図である。
Claims (17)
- 【請求項1】 サファイア基板上の下層の窒化ガリウム
層をエッチングして、上記サファイア基板を選択的に露
出させるとともに、上記下層の窒化ガリウム層に少なく
とも一つの柱および少なくとも一つの溝を規定し、上記
少なくとも一つの柱はそれぞれ窒化ガリウム頂部および
窒化ガリウム側壁を含み、上記少なくとも一つの溝はサ
ファイア底を含む工程と、 サファイア上と比較してその上の窒化ガリウムの核生成
を減少させるマスクで上記サファイア底をマスクする工
程と、 上記少なくとも一つの柱の上記窒化ガリウム側壁を上記
少なくとも一つの溝に横方向成長させ、それによって窒
化ガリウム半導体層を形成する工程とを有する窒化ガリ
ウム半導体層の製造方法。 - 【請求項2】 サファイア基板上の下層の窒化ガリウム
層をエッチングして、上記下層の窒化ガリウム層におけ
る少なくとも一つの柱および上記下層の窒化ガリウム層
における少なくとも一つの溝を規定し、上記少なくとも
一つの柱は頂部および側壁を含み、上記少なくとも一つ
の溝は底を含む工程と、 上記少なくとも一つの底をマスクでマスキングする工程
と、 上記少なくとも一つの柱の上記側壁を上記少なくとも一
つの溝に横方向成長させ、それによって窒化ガリウム半
導体層を形成する工程とを有する窒化ガリウム半導体層
の製造方法。 - 【請求項3】 上記エッチングする工程は、上記下層の
窒化ガリウム層をエッチングして上記サファイア基板を
露出させ、それによって少なくとも一つのサファイア底
を形成する工程を有し、 上記マスキングする工程は、上記少なくとも一つのサフ
ァイア底を、サファイア上と比較してその上の窒化ガリ
ウムの核生成を減少させるマスクでマスキングする工程
を有することを特徴とする請求項2記載の方法。 - 【請求項4】 上記エッチングする工程は、 上記サファイア基板上の上記下層の窒化ガリウム層なら
びに窒化アルミニウムおよび/または窒化ガリウムバッ
ファ層をエッチングして、上記下層の窒化ガリウム層お
よび上記バッファ層における少なくとも一つの柱ならび
に上記下層の窒化ガリウム層および上記バッファ層にお
ける少なくとも一つの溝を規定し、上記少なくとも一つ
の柱は頂部および側壁を含み、上記少なくとも一つの溝
は窒化アルミニウム底を含むことを特徴とする請求項2
記載の方法。 - 【請求項5】 上記マスキングする工程は、 上記サファイア基板上の上記下層の窒化ガリウム層なら
びに窒化アルミニウムおよび/または窒化ガリウムバッ
ファ層ならびに上記サファイア基板をエッチングして、
上記下層の窒化ガリウム層、上記バッファ層および上記
サファイア基板における少なくとも一つの柱ならびに上
記下層の窒化ガリウム層、上記バッファ層および上記サ
ファイア基板における少なくとも一つの溝を規定し、上
記少なくとも一つの柱は頂部および側壁を含み、上記少
なくとも一つの溝はサファイア底を含むことを特徴とす
る請求項2記載の方法。 - 【請求項6】 上記横方向成長させる工程は、上記少な
くとも一つの柱の上記窒化ガリウム側壁を上記窒化ガリ
ウム頂部上に横方向成長させ、それによって窒化ガリウ
ム半導体層を形成する工程を有することを特徴とする請
求項2記載の方法。 - 【請求項7】 サファイア基板上の下層の窒化ガリウム
層をエッチングして、上記下層の窒化ガリウム層におけ
る少なくとも一つの柱および上記下層の窒化ガリウム層
における少なくとも一つの溝を規定し、上記少なくとも
一つの柱は窒化ガリウム頂部および窒化ガリウム側壁を
含み、上記少なくとも一つの溝は溝底を含む工程と、 上記少なくとも一つの柱の上記窒化ガリウム側壁を上記
少なくとも一つの溝に横方向成長させ、それによって窒
化ガリウム半導体層を形成する工程とを有し、 上記横方向成長させる工程に先立って、上記溝底からの
窒化ガリウムの縦方向成長が、上記少なくとも一つの柱
の上記窒化ガリウム側壁を上記少なくとも一つの溝に横
方向成長させる工程と干渉するのを防止するために、上
記サファイア基板および上記下層の窒化ガリウム層のう
ちの少なくとも一つを処理する工程を行い、 上記処理する工程は、上記溝底をマスクでマスキングす
る工程を有する窒化ガリウム半導体層の製造方法。 - 【請求項8】 サファイア基板と、 上記サファイア基板上の下層の窒化ガリウム層であっ
て、上記下層の窒化ガリウム層はその中に少なくとも一
つの柱および少なくとも一つの溝を含み、上記少なくと
も一つの柱は窒化ガリウム頂部および窒化ガリウム側壁
を含み、上記少なくとも一つの溝はサファイア底を含む
ものと、 上記サファイア底の上のマスクと、 上記少なくとも一つの柱の上記窒化ガリウム側壁から上
記少なくとも一つの溝に横方向に延在する横方向窒化ガ
リウム層とを有する窒化ガリウム半導体構造体。 - 【請求項9】 上記サファイア基板と上記下層の窒化ガ
リウム層との間の窒化アルミニウムおよび/または窒化
ガリウムバッファ層を更に有し、上記少なくとも一つの
柱および上記少なくとも一つの溝は上記バッファ層を通
って延在していることを特徴とする請求項8記載の構造
体。 - 【請求項10】 上記横方向窒化ガリウム層は更に上記
窒化ガリウム頂部上に延在し、それによって窒化ガリウ
ム半導体層を形成していることを特徴とする請求項8記
載の構造体。 - 【請求項11】 サファイア基板と、 上記サファイア基板上の下層の窒化ガリウム層であっ
て、上記下層の窒化ガリウム層はその中に少なくとも一
つの柱および少なくとも一つの溝を含み、上記少なくと
も一つの柱はそれぞれ窒化ガリウム頂部および窒化ガリ
ウム側壁を含み、上記少なくとも一つの溝は溝底を含む
ものと、 上記少なくとも一つの溝底の上のマスクと、 上記少なくとも一つの柱の上記窒化ガリウム側壁から上
記少なくとも一つの溝に横方向に延在する横方向窒化ガ
リウム層とを有する窒化ガリウム半導体構造体。 - 【請求項12】 上記溝底はサファイア溝底であること
を特徴とする請求項11記載の構造体。 - 【請求項13】 上記サファイア基板と上記下層の窒化
ガリウム層との間の窒化アルミニウムバッファおよび/
または窒化ガリウムバッファ層を更に有し、上記少なく
とも一つの柱および上記少なくとも一つの溝は上記バッ
ファ層に延在していることを特徴とする請求項11記載
の構造体。 - 【請求項14】 上記サファイア基板と上記下層の窒化
ガリウム層との間の窒化アルミニウムバッファ層を更に
有し、上記少なくとも一つの柱および上記少なくとも一
つの溝は上記バッファ層を通って延在していることを特
徴とする請求項11記載の構造体。 - 【請求項15】 上記サファイア基板と上記下層の窒化
ガリウム層との間の窒化アルミニウムバッファ層を更に
有し、上記少なくとも一つの柱および上記少なくとも一
つの溝は上記バッファ層を通って上記サファイア基板に
延在していることを特徴とする請求項11記載の構造
体。 - 【請求項16】 上記横方向窒化ガリウム層は更に上記
窒化ガリウム頂部上に延在し、それによって窒化ガリウ
ム半導体層を形成していることを特徴とする請求項11
記載の構造体。 - 【請求項17】 上記窒化ガリウム半導体層における少
なくとも一つのマイクロエレクトロニックデバイスを更
に有することを特徴とする請求項11記載の構造体。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005109424A (ja) * | 2003-02-14 | 2005-04-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 多数の半導体基体の製造方法および電子的な半導体基体 |
JP2006511341A (ja) * | 2002-12-18 | 2006-04-06 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 結晶成長のための温度制御が改良された高圧高温装置 |
JP2015065465A (ja) * | 2014-12-04 | 2015-04-09 | ▲さん▼圓光電股▲ふん▼有限公司 | 発光ダイオード装置の製造方法 |
Families Citing this family (150)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA2258080C (en) | 1997-04-11 | 2007-06-05 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Nitride semiconductor growth method, nitride semiconductor substrate, and nitride semiconductor device |
US6265289B1 (en) | 1998-06-10 | 2001-07-24 | North Carolina State University | Methods of fabricating gallium nitride semiconductor layers by lateral growth from sidewalls into trenches, and gallium nitride semiconductor structures fabricated thereby |
US6177688B1 (en) | 1998-11-24 | 2001-01-23 | North Carolina State University | Pendeoepitaxial gallium nitride semiconductor layers on silcon carbide substrates |
US6521514B1 (en) * | 1999-11-17 | 2003-02-18 | North Carolina State University | Pendeoepitaxial methods of fabricating gallium nitride semiconductor layers on sapphire substrates |
US6403451B1 (en) * | 2000-02-09 | 2002-06-11 | Noerh Carolina State University | Methods of fabricating gallium nitride semiconductor layers on substrates including non-gallium nitride posts |
JP2001267242A (ja) * | 2000-03-14 | 2001-09-28 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体及びその製造方法 |
TW518767B (en) * | 2000-03-31 | 2003-01-21 | Toyoda Gosei Kk | Production method of III nitride compound semiconductor and III nitride compound semiconductor element |
WO2002013245A1 (en) | 2000-08-04 | 2002-02-14 | The Regents Of The University Of California | Method of controlling stress in gallium nitride films deposited on substrates |
US7619261B2 (en) * | 2000-08-07 | 2009-11-17 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for manufacturing gallium nitride compound semiconductor |
US6649287B2 (en) | 2000-12-14 | 2003-11-18 | Nitronex Corporation | Gallium nitride materials and methods |
US6956250B2 (en) | 2001-02-23 | 2005-10-18 | Nitronex Corporation | Gallium nitride materials including thermally conductive regions |
US6611002B2 (en) | 2001-02-23 | 2003-08-26 | Nitronex Corporation | Gallium nitride material devices and methods including backside vias |
US7233028B2 (en) | 2001-02-23 | 2007-06-19 | Nitronex Corporation | Gallium nitride material devices and methods of forming the same |
JP3679720B2 (ja) * | 2001-02-27 | 2005-08-03 | 三洋電機株式会社 | 窒化物系半導体素子および窒化物系半導体の形成方法 |
JP3795771B2 (ja) * | 2001-06-13 | 2006-07-12 | 日本碍子株式会社 | Elo用iii族窒化物半導体基板 |
US20030132433A1 (en) * | 2002-01-15 | 2003-07-17 | Piner Edwin L. | Semiconductor structures including a gallium nitride material component and a silicon germanium component |
JP3912117B2 (ja) * | 2002-01-17 | 2007-05-09 | ソニー株式会社 | 結晶成長方法、半導体発光素子及びその製造方法 |
JP4092927B2 (ja) * | 2002-02-28 | 2008-05-28 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物系化合物半導体、iii族窒化物系化合物半導体素子及びiii族窒化物系化合物半導体基板の製造方法 |
US20060276043A1 (en) * | 2003-03-21 | 2006-12-07 | Johnson Mark A L | Method and systems for single- or multi-period edge definition lithography |
US7135720B2 (en) * | 2003-08-05 | 2006-11-14 | Nitronex Corporation | Gallium nitride material transistors and methods associated with the same |
US7122827B2 (en) | 2003-10-15 | 2006-10-17 | General Electric Company | Monolithic light emitting devices based on wide bandgap semiconductor nanostructures and methods for making same |
US20050145851A1 (en) * | 2003-12-17 | 2005-07-07 | Nitronex Corporation | Gallium nitride material structures including isolation regions and methods |
US7071498B2 (en) * | 2003-12-17 | 2006-07-04 | Nitronex Corporation | Gallium nitride material devices including an electrode-defining layer and methods of forming the same |
KR100512580B1 (ko) * | 2003-12-31 | 2005-09-06 | 엘지전자 주식회사 | 결함이 적은 질화물 반도체 박막 성장 방법 |
KR20050077902A (ko) | 2004-01-29 | 2005-08-04 | 엘지전자 주식회사 | 질화물 반도체 박막의 성장 방법 |
KR101094403B1 (ko) * | 2004-01-29 | 2011-12-15 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 휨이 감소된 사파이어/질화갈륨 적층체 |
US20050186764A1 (en) * | 2004-02-20 | 2005-08-25 | National Chiao Tung University | Method for lifting offGaN pseudomask epitaxy layerusing wafer bonding way |
CN100387547C (zh) | 2004-05-06 | 2008-05-14 | 旭硝子株式会社 | 层积电介质的制造方法 |
US7084441B2 (en) | 2004-05-20 | 2006-08-01 | Cree, Inc. | Semiconductor devices having a hybrid channel layer, current aperture transistors and methods of fabricating same |
US7339205B2 (en) * | 2004-06-28 | 2008-03-04 | Nitronex Corporation | Gallium nitride materials and methods associated with the same |
US7361946B2 (en) * | 2004-06-28 | 2008-04-22 | Nitronex Corporation | Semiconductor device-based sensors |
US7687827B2 (en) * | 2004-07-07 | 2010-03-30 | Nitronex Corporation | III-nitride materials including low dislocation densities and methods associated with the same |
US20060017064A1 (en) * | 2004-07-26 | 2006-01-26 | Saxler Adam W | Nitride-based transistors having laterally grown active region and methods of fabricating same |
EP1831919A2 (en) * | 2004-10-28 | 2007-09-12 | Nitronex Corporation | Gallium nitride/silicon based monolithic microwave integrated circuit |
KR100674829B1 (ko) * | 2004-10-29 | 2007-01-25 | 삼성전기주식회사 | 질화물계 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
CN1300387C (zh) * | 2004-11-12 | 2007-02-14 | 南京大学 | 无掩膜横向外延生长高质量氮化镓 |
JP4604241B2 (ja) * | 2004-11-18 | 2011-01-05 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 炭化ケイ素mos電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
US7456443B2 (en) * | 2004-11-23 | 2008-11-25 | Cree, Inc. | Transistors having buried n-type and p-type regions beneath the source region |
US7709859B2 (en) * | 2004-11-23 | 2010-05-04 | Cree, Inc. | Cap layers including aluminum nitride for nitride-based transistors |
US7393733B2 (en) | 2004-12-01 | 2008-07-01 | Amberwave Systems Corporation | Methods of forming hybrid fin field-effect transistor structures |
US7247889B2 (en) | 2004-12-03 | 2007-07-24 | Nitronex Corporation | III-nitride material structures including silicon substrates |
US7161194B2 (en) * | 2004-12-06 | 2007-01-09 | Cree, Inc. | High power density and/or linearity transistors |
US7355215B2 (en) * | 2004-12-06 | 2008-04-08 | Cree, Inc. | Field effect transistors (FETs) having multi-watt output power at millimeter-wave frequencies |
US20060131606A1 (en) * | 2004-12-18 | 2006-06-22 | Amberwave Systems Corporation | Lattice-mismatched semiconductor structures employing seed layers and related fabrication methods |
KR100682881B1 (ko) * | 2005-01-19 | 2007-02-15 | 삼성코닝 주식회사 | 결정 성장 방법 |
US7465967B2 (en) * | 2005-03-15 | 2008-12-16 | Cree, Inc. | Group III nitride field effect transistors (FETS) capable of withstanding high temperature reverse bias test conditions |
JP4818732B2 (ja) * | 2005-03-18 | 2011-11-16 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体素子の製造方法 |
US8575651B2 (en) * | 2005-04-11 | 2013-11-05 | Cree, Inc. | Devices having thick semi-insulating epitaxial gallium nitride layer |
US7626217B2 (en) * | 2005-04-11 | 2009-12-01 | Cree, Inc. | Composite substrates of conductive and insulating or semi-insulating group III-nitrides for group III-nitride devices |
US7615774B2 (en) * | 2005-04-29 | 2009-11-10 | Cree.Inc. | Aluminum free group III-nitride based high electron mobility transistors |
US7544963B2 (en) * | 2005-04-29 | 2009-06-09 | Cree, Inc. | Binary group III-nitride based high electron mobility transistors |
US7365374B2 (en) * | 2005-05-03 | 2008-04-29 | Nitronex Corporation | Gallium nitride material structures including substrates and methods associated with the same |
EP2595177A3 (en) * | 2005-05-17 | 2013-07-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities related methods for device fabrication |
US20070267722A1 (en) * | 2006-05-17 | 2007-11-22 | Amberwave Systems Corporation | Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication |
US9153645B2 (en) | 2005-05-17 | 2015-10-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication |
US8324660B2 (en) | 2005-05-17 | 2012-12-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication |
US20060267043A1 (en) * | 2005-05-27 | 2006-11-30 | Emerson David T | Deep ultraviolet light emitting devices and methods of fabricating deep ultraviolet light emitting devices |
TW200703463A (en) | 2005-05-31 | 2007-01-16 | Univ California | Defect reduction of non-polar and semi-polar III-nitrides with sidewall lateral epitaxial overgrowth (SLEO) |
US8168000B2 (en) * | 2005-06-15 | 2012-05-01 | International Rectifier Corporation | III-nitride semiconductor device fabrication |
US9331192B2 (en) * | 2005-06-29 | 2016-05-03 | Cree, Inc. | Low dislocation density group III nitride layers on silicon carbide substrates and methods of making the same |
US20070018198A1 (en) * | 2005-07-20 | 2007-01-25 | Brandes George R | High electron mobility electronic device structures comprising native substrates and methods for making the same |
KR101329388B1 (ko) * | 2005-07-26 | 2013-11-14 | 앰버웨이브 시스템즈 코포레이션 | 다른 액티브 영역 물질의 집적회로 집적을 위한 솔루션 |
US7638842B2 (en) * | 2005-09-07 | 2009-12-29 | Amberwave Systems Corporation | Lattice-mismatched semiconductor structures on insulators |
US20070054467A1 (en) * | 2005-09-07 | 2007-03-08 | Amberwave Systems Corporation | Methods for integrating lattice-mismatched semiconductor structure on insulators |
KR20080072833A (ko) * | 2005-10-04 | 2008-08-07 | 니트로넥스 코오포레이션 | 광대역 애플리케이션을 위한 갈륨 나이트라이드 물질트랜지스터 및 방법 |
US7566913B2 (en) | 2005-12-02 | 2009-07-28 | Nitronex Corporation | Gallium nitride material devices including conductive regions and methods associated with the same |
WO2007064689A1 (en) | 2005-12-02 | 2007-06-07 | Nitronex Corporation | Gallium nitride material devices and associated methods |
US8435879B2 (en) | 2005-12-12 | 2013-05-07 | Kyma Technologies, Inc. | Method for making group III nitride articles |
US7709269B2 (en) * | 2006-01-17 | 2010-05-04 | Cree, Inc. | Methods of fabricating transistors including dielectrically-supported gate electrodes |
US7592211B2 (en) | 2006-01-17 | 2009-09-22 | Cree, Inc. | Methods of fabricating transistors including supported gate electrodes |
KR101203692B1 (ko) * | 2006-02-16 | 2012-11-21 | 삼성전자주식회사 | 펜데오 에피탁시 성장용 기판 및 그 형성 방법 |
GB2436398B (en) * | 2006-03-23 | 2011-08-24 | Univ Bath | Growth method using nanostructure compliant layers and HVPE for producing high quality compound semiconductor materials |
WO2007112066A2 (en) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Amberwave Systems Corporation | Lattice-mismatched semiconductor structures and related methods for device fabrication |
TWI304278B (en) * | 2006-06-16 | 2008-12-11 | Ind Tech Res Inst | Semiconductor emitting device substrate and method of fabricating the same |
TW200805452A (en) * | 2006-07-06 | 2008-01-16 | Nat Univ Chung Hsing | Method of making a low-defect-density epitaxial substrate and the product made therefrom |
JP5155536B2 (ja) * | 2006-07-28 | 2013-03-06 | 一般財団法人電力中央研究所 | SiC結晶の質を向上させる方法およびSiC半導体素子の製造方法 |
US20100269819A1 (en) * | 2006-08-14 | 2010-10-28 | Sievers Robert E | Human Powered Dry Powder Inhaler and Dry Powder Inhaler Compositions |
US8173551B2 (en) * | 2006-09-07 | 2012-05-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Defect reduction using aspect ratio trapping |
US20080070355A1 (en) * | 2006-09-18 | 2008-03-20 | Amberwave Systems Corporation | Aspect ratio trapping for mixed signal applications |
WO2008039534A2 (en) * | 2006-09-27 | 2008-04-03 | Amberwave Systems Corporation | Quantum tunneling devices and circuits with lattice- mismatched semiconductor structures |
US7799592B2 (en) * | 2006-09-27 | 2010-09-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Tri-gate field-effect transistors formed by aspect ratio trapping |
US20080187018A1 (en) * | 2006-10-19 | 2008-08-07 | Amberwave Systems Corporation | Distributed feedback lasers formed via aspect ratio trapping |
GB0701069D0 (en) * | 2007-01-19 | 2007-02-28 | Univ Bath | Nanostructure template and production of semiconductors using the template |
US8453665B2 (en) * | 2007-03-15 | 2013-06-04 | The University Of Akron | Self-acting self-circulating fluid system without external pressure source and use in bearing system |
US7825328B2 (en) * | 2007-04-09 | 2010-11-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Nitride-based multi-junction solar cell modules and methods for making the same |
WO2008124154A2 (en) | 2007-04-09 | 2008-10-16 | Amberwave Systems Corporation | Photovoltaics on silicon |
US8304805B2 (en) | 2009-01-09 | 2012-11-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor diodes fabricated by aspect ratio trapping with coalesced films |
US8237151B2 (en) * | 2009-01-09 | 2012-08-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Diode-based devices and methods for making the same |
US8329541B2 (en) * | 2007-06-15 | 2012-12-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | InP-based transistor fabrication |
JP2010532916A (ja) * | 2007-07-12 | 2010-10-14 | ラティス パワー (チアンシ) コーポレイション | 区割りされた基板に作成された半導体デバイスに対する高品質境界を取得するための方法 |
US7745848B1 (en) | 2007-08-15 | 2010-06-29 | Nitronex Corporation | Gallium nitride material devices and thermal designs thereof |
JP2010538495A (ja) | 2007-09-07 | 2010-12-09 | アンバーウェーブ・システムズ・コーポレーション | 多接合太陽電池 |
US8652947B2 (en) * | 2007-09-26 | 2014-02-18 | Wang Nang Wang | Non-polar III-V nitride semiconductor and growth method |
KR101226077B1 (ko) * | 2007-11-27 | 2013-01-24 | 삼성전자주식회사 | 측벽 스페이서 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의제조 방법 |
JP5353113B2 (ja) * | 2008-01-29 | 2013-11-27 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物系化合物半導体の製造方法 |
US8026581B2 (en) * | 2008-02-05 | 2011-09-27 | International Rectifier Corporation | Gallium nitride material devices including diamond regions and methods associated with the same |
JP4247413B1 (ja) * | 2008-03-19 | 2009-04-02 | 株式会社 東北テクノアーチ | デバイスの製造方法 |
US8343824B2 (en) * | 2008-04-29 | 2013-01-01 | International Rectifier Corporation | Gallium nitride material processing and related device structures |
US8183667B2 (en) | 2008-06-03 | 2012-05-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Epitaxial growth of crystalline material |
US8274097B2 (en) | 2008-07-01 | 2012-09-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Reduction of edge effects from aspect ratio trapping |
US8981427B2 (en) | 2008-07-15 | 2015-03-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Polishing of small composite semiconductor materials |
US9250249B2 (en) | 2008-09-08 | 2016-02-02 | Enzo Biochem, Inc. | Autophagy and phospholipidosis pathway assays |
KR101216541B1 (ko) | 2008-09-19 | 2012-12-31 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 에피텍셜층 과성장에 의한 장치의 형성 |
US20100072515A1 (en) | 2008-09-19 | 2010-03-25 | Amberwave Systems Corporation | Fabrication and structures of crystalline material |
US8367520B2 (en) * | 2008-09-22 | 2013-02-05 | Soitec | Methods and structures for altering strain in III-nitride materials |
FR2936904B1 (fr) * | 2008-10-03 | 2011-01-14 | Soitec Silicon On Insulator | Procedes et structures pour alterer la contrainte dans des materiaux nitrure iii. |
US8253211B2 (en) | 2008-09-24 | 2012-08-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor sensor structures with reduced dislocation defect densities |
US8680581B2 (en) | 2008-12-26 | 2014-03-25 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for producing group III nitride semiconductor and template substrate |
US8313967B1 (en) * | 2009-01-21 | 2012-11-20 | Stc.Unm | Cubic phase, nitrogen-based compound semiconductor films epitaxially grown on a grooved Si <001> substrate |
EP2415083B1 (en) | 2009-04-02 | 2017-06-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Devices formed from a non-polar plane of a crystalline material and method of making the same |
KR101640830B1 (ko) * | 2009-08-17 | 2016-07-22 | 삼성전자주식회사 | 기판 구조체 및 그 제조 방법 |
JP5685379B2 (ja) * | 2010-01-28 | 2015-03-18 | 株式会社豊田中央研究所 | 窒化物半導体装置の製造方法 |
CN101820041A (zh) * | 2010-04-01 | 2010-09-01 | 晶能光电(江西)有限公司 | 降低硅衬底led外延应力的方法以及结构 |
TWI562195B (en) * | 2010-04-27 | 2016-12-11 | Pilegrowth Tech S R L | Dislocation and stress management by mask-less processes using substrate patterning and methods for device fabrication |
WO2011146015A1 (en) | 2010-05-18 | 2011-11-24 | Agency For Science, Technology And Research | Method of forming a light emitting diode structure and a light emitting diode structure |
EP2416350A1 (en) * | 2010-08-06 | 2012-02-08 | Imec | A method for selective deposition of a semiconductor material |
US8592292B2 (en) * | 2010-09-02 | 2013-11-26 | National Semiconductor Corporation | Growth of multi-layer group III-nitride buffers on large-area silicon substrates and other substrates |
KR20120082715A (ko) * | 2011-01-14 | 2012-07-24 | 삼성엘이디 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
US10052848B2 (en) | 2012-03-06 | 2018-08-21 | Apple Inc. | Sapphire laminates |
US9221289B2 (en) | 2012-07-27 | 2015-12-29 | Apple Inc. | Sapphire window |
JP5731455B2 (ja) * | 2012-09-07 | 2015-06-10 | 日本電信電話株式会社 | 光変調器およびその製造方法 |
CN108281378B (zh) * | 2012-10-12 | 2022-06-24 | 住友电气工业株式会社 | Iii族氮化物复合衬底、半导体器件及它们的制造方法 |
JP6322890B2 (ja) | 2013-02-18 | 2018-05-16 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物複合基板およびその製造方法、ならびにiii族窒化物半導体デバイスの製造方法 |
US9232672B2 (en) | 2013-01-10 | 2016-01-05 | Apple Inc. | Ceramic insert control mechanism |
JP5928366B2 (ja) * | 2013-02-13 | 2016-06-01 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物半導体の製造方法 |
WO2014125688A1 (ja) | 2013-02-18 | 2014-08-21 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物複合基板およびその製造方法、積層iii族窒化物複合基板、ならびにiii族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法 |
US9574135B2 (en) * | 2013-08-22 | 2017-02-21 | Nanoco Technologies Ltd. | Gas phase enhancement of emission color quality in solid state LEDs |
US9678540B2 (en) | 2013-09-23 | 2017-06-13 | Apple Inc. | Electronic component embedded in ceramic material |
US9632537B2 (en) | 2013-09-23 | 2017-04-25 | Apple Inc. | Electronic component embedded in ceramic material |
US9154678B2 (en) | 2013-12-11 | 2015-10-06 | Apple Inc. | Cover glass arrangement for an electronic device |
US9225056B2 (en) | 2014-02-12 | 2015-12-29 | Apple Inc. | Antenna on sapphire structure |
JP2017533574A (ja) | 2014-09-18 | 2017-11-09 | インテル・コーポレーション | シリコンcmos互換性半導体装置における欠陥伝播制御のための傾斜側壁カット面を有するウルツ鉱ヘテロエピタキシャル構造物 |
WO2016048328A1 (en) | 2014-09-25 | 2016-03-31 | Intel Corporation | Iii-n epitaxial device structures on free standing silicon mesas |
KR102423219B1 (ko) | 2014-12-18 | 2022-07-20 | 인텔 코포레이션 | N-채널 갈륨 질화물 트랜지스터들 |
JP2016174054A (ja) * | 2015-03-16 | 2016-09-29 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその製造方法 |
US9337022B1 (en) * | 2015-06-17 | 2016-05-10 | Globalfoundries Inc. | Virtual relaxed substrate on edge-relaxed composite semiconductor pillars |
US10406634B2 (en) | 2015-07-01 | 2019-09-10 | Apple Inc. | Enhancing strength in laser cutting of ceramic components |
US9799520B2 (en) | 2015-09-08 | 2017-10-24 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | Parasitic channel mitigation via back side implantation |
US9773898B2 (en) | 2015-09-08 | 2017-09-26 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | III-nitride semiconductor structures comprising spatially patterned implanted species |
US9806182B2 (en) | 2015-09-08 | 2017-10-31 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | Parasitic channel mitigation using elemental diboride diffusion barrier regions |
US20170069721A1 (en) | 2015-09-08 | 2017-03-09 | M/A-Com Technology Solutions Holdings, Inc. | Parasitic channel mitigation using silicon carbide diffusion barrier regions |
US9627473B2 (en) | 2015-09-08 | 2017-04-18 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | Parasitic channel mitigation in III-nitride material semiconductor structures |
US10211294B2 (en) | 2015-09-08 | 2019-02-19 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | III-nitride semiconductor structures comprising low atomic mass species |
US9673281B2 (en) | 2015-09-08 | 2017-06-06 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | Parasitic channel mitigation using rare-earth oxide and/or rare-earth nitride diffusion barrier regions |
US9704705B2 (en) | 2015-09-08 | 2017-07-11 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | Parasitic channel mitigation via reaction with active species |
US10087547B2 (en) * | 2015-12-21 | 2018-10-02 | The Regents Of The University Of California | Growth of single crystal III-V semiconductors on amorphous substrates |
US9960127B2 (en) | 2016-05-18 | 2018-05-01 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | High-power amplifier package |
US10134658B2 (en) | 2016-08-10 | 2018-11-20 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | High power transistors |
US11233053B2 (en) | 2017-09-29 | 2022-01-25 | Intel Corporation | Group III-nitride (III-N) devices with reduced contact resistance and their methods of fabrication |
US11038023B2 (en) | 2018-07-19 | 2021-06-15 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | III-nitride material semiconductor structures on conductive silicon substrates |
Family Cites Families (54)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52147087A (en) | 1976-06-01 | 1977-12-07 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor light emitting display device |
EP0193830A3 (en) | 1980-04-10 | 1986-10-01 | Massachusetts Institute Of Technology | Solar cell device incorporating plural constituent solar cells |
US4522661A (en) | 1983-06-24 | 1985-06-11 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Low defect, high purity crystalline layers grown by selective deposition |
US4651407A (en) | 1985-05-08 | 1987-03-24 | Gte Laboratories Incorporated | Method of fabricating a junction field effect transistor utilizing epitaxial overgrowth and vertical junction formation |
US5326716A (en) | 1986-02-11 | 1994-07-05 | Max Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften E.V. | Liquid phase epitaxial process for producing three-dimensional semiconductor structures by liquid phase expitaxy |
US4876210A (en) | 1987-04-30 | 1989-10-24 | The University Of Delaware | Solution growth of lattice mismatched and solubility mismatched heterostructures |
US4866005A (en) | 1987-10-26 | 1989-09-12 | North Carolina State University | Sublimation of silicon carbide to produce large, device quality single crystals of silicon carbide |
US4912064A (en) | 1987-10-26 | 1990-03-27 | North Carolina State University | Homoepitaxial growth of alpha-SiC thin films and semiconductor devices fabricated thereon |
US4865685A (en) | 1987-11-03 | 1989-09-12 | North Carolina State University | Dry etching of silicon carbide |
US5156995A (en) | 1988-04-01 | 1992-10-20 | Cornell Research Foundation, Inc. | Method for reducing or eliminating interface defects in mismatched semiconductor epilayers |
JP3026087B2 (ja) | 1989-03-01 | 2000-03-27 | 豊田合成株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法 |
US4985742A (en) * | 1989-07-07 | 1991-01-15 | University Of Colorado Foundation, Inc. | High temperature semiconductor devices having at least one gallium nitride layer |
US4946547A (en) | 1989-10-13 | 1990-08-07 | Cree Research, Inc. | Method of preparing silicon carbide surfaces for crystal growth |
JPH03132016A (ja) | 1989-10-18 | 1991-06-05 | Canon Inc | 結晶の形成方法 |
JPH04188678A (ja) | 1990-11-19 | 1992-07-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子 |
JP3267983B2 (ja) | 1991-02-14 | 2002-03-25 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2954743B2 (ja) | 1991-05-30 | 1999-09-27 | 京セラ株式会社 | 半導体発光装置の製造方法 |
JP3352712B2 (ja) | 1991-12-18 | 2002-12-03 | 浩 天野 | 窒化ガリウム系半導体素子及びその製造方法 |
JPH0818159A (ja) | 1994-04-25 | 1996-01-19 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ素子及びその作製方法 |
JPH0864791A (ja) | 1994-08-23 | 1996-03-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | エピタキシャル成長方法 |
US5631190A (en) | 1994-10-07 | 1997-05-20 | Cree Research, Inc. | Method for producing high efficiency light-emitting diodes and resulting diode structures |
JPH08116093A (ja) | 1994-10-17 | 1996-05-07 | Fujitsu Ltd | 光半導体装置 |
JPH08125251A (ja) | 1994-10-21 | 1996-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 六方晶半導体リング共振器 |
JP2953326B2 (ja) | 1994-11-30 | 1999-09-27 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子の製造方法 |
JP2795226B2 (ja) | 1995-07-27 | 1998-09-10 | 日本電気株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
AU6946196A (en) | 1995-09-18 | 1997-04-09 | Hitachi Limited | Semiconductor material, method of producing the semiconductor material, and semiconductor device |
JPH0993315A (ja) | 1995-09-20 | 1997-04-04 | Iwatsu Electric Co Ltd | 通信機器構造 |
JP3396356B2 (ja) | 1995-12-11 | 2003-04-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置,及びその製造方法 |
JP3409958B2 (ja) | 1995-12-15 | 2003-05-26 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
KR100214073B1 (ko) | 1995-12-16 | 1999-08-02 | 김영환 | 비피에스지막 형성방법 |
JPH09174494A (ja) | 1995-12-21 | 1997-07-08 | Toyox Co Ltd | 屋根材の角孔開け機 |
JP2982949B2 (ja) | 1996-01-26 | 1999-11-29 | 油井 一夫 | 透明瓶内封入用揺動型マスコット人形、およびそれを使った置物 |
JPH09277448A (ja) | 1996-04-15 | 1997-10-28 | Fujikura Ltd | プラスチックラミネート紙の接続方法 |
JPH09290098A (ja) | 1996-04-26 | 1997-11-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 衣類乾燥機 |
JPH09324997A (ja) | 1996-06-05 | 1997-12-16 | Toshiba Corp | 熱交換器および熱交換器の製造方法 |
US5710057A (en) | 1996-07-12 | 1998-01-20 | Kenney; Donald M. | SOI fabrication method |
US5795798A (en) * | 1996-11-27 | 1998-08-18 | The Regents Of The University Of California | Method of making full color monolithic gan based leds |
KR19980079320A (ko) | 1997-03-24 | 1998-11-25 | 기다오까다까시 | 고품질 쥐에이엔계층의 선택성장방법, 고품질 쥐에이엔계층 성장기판 및 고품질 쥐에이엔계층 성장기판상에 제작하는 반도체디바이스 |
JPH10275936A (ja) | 1997-03-28 | 1998-10-13 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子の製法 |
CA2258080C (en) | 1997-04-11 | 2007-06-05 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Nitride semiconductor growth method, nitride semiconductor substrate, and nitride semiconductor device |
US5877070A (en) | 1997-05-31 | 1999-03-02 | Max-Planck Society | Method for the transfer of thin layers of monocrystalline material to a desirable substrate |
US5915194A (en) | 1997-07-03 | 1999-06-22 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of National Aeronautics And Space Administration | Method for growth of crystal surfaces and growth of heteroepitaxial single crystal films thereon |
TW393785B (en) | 1997-09-19 | 2000-06-11 | Siemens Ag | Method to produce many semiconductor-bodies |
FR2769924B1 (fr) * | 1997-10-20 | 2000-03-10 | Centre Nat Rech Scient | Procede de realisation d'une couche epitaxiale de nitrure de gallium, couche epitaxiale de nitrure de gallium et composant optoelectronique muni d'une telle couche |
JP3036495B2 (ja) | 1997-11-07 | 2000-04-24 | 豊田合成株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 |
US6051849A (en) | 1998-02-27 | 2000-04-18 | North Carolina State University | Gallium nitride semiconductor structures including a lateral gallium nitride layer that extends from an underlying gallium nitride layer |
SE512259C2 (sv) | 1998-03-23 | 2000-02-21 | Abb Research Ltd | Halvledaranordning bestående av dopad kiselkarbid vilken innefattar en pn-övergång som uppvisar åtminstone en ihålig defekt och förfarande för dess framställning |
US6500257B1 (en) | 1998-04-17 | 2002-12-31 | Agilent Technologies, Inc. | Epitaxial material grown laterally within a trench and method for producing same |
US6064078A (en) * | 1998-05-22 | 2000-05-16 | Xerox Corporation | Formation of group III-V nitride films on sapphire substrates with reduced dislocation densities |
US6265289B1 (en) * | 1998-06-10 | 2001-07-24 | North Carolina State University | Methods of fabricating gallium nitride semiconductor layers by lateral growth from sidewalls into trenches, and gallium nitride semiconductor structures fabricated thereby |
US6335546B1 (en) * | 1998-07-31 | 2002-01-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor structure, method for producing a nitride semiconductor structure, and light emitting device |
US6177688B1 (en) * | 1998-11-24 | 2001-01-23 | North Carolina State University | Pendeoepitaxial gallium nitride semiconductor layers on silcon carbide substrates |
US6521514B1 (en) * | 1999-11-17 | 2003-02-18 | North Carolina State University | Pendeoepitaxial methods of fabricating gallium nitride semiconductor layers on sapphire substrates |
US6261929B1 (en) * | 2000-02-24 | 2001-07-17 | North Carolina State University | Methods of forming a plurality of semiconductor layers using spaced trench arrays |
-
1999
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006511341A (ja) * | 2002-12-18 | 2006-04-06 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 結晶成長のための温度制御が改良された高圧高温装置 |
JP2005109424A (ja) * | 2003-02-14 | 2005-04-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 多数の半導体基体の製造方法および電子的な半導体基体 |
JP2015065465A (ja) * | 2014-12-04 | 2015-04-09 | ▲さん▼圓光電股▲ふん▼有限公司 | 発光ダイオード装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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