JP2000299379A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

半導体装置及びその製造方法

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Rohm Co Ltd
Fujitsu Ltd
Hitachi Ltd
Mitsubishi Electric Corp
NEC Corp
Oki Electric Industry Co Ltd
Sharp Corp
Sanyo Electric Co Ltd
Sony Corp
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Rohm Co Ltd
Fujitsu Ltd
Hitachi Ltd
Matsushita Electronics Corp
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NEC Corp
Oki Electric Industry Co Ltd
Sharp Corp
Sanyo Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 多層配線構造において、配線長の短縮化、配
線の直線化を図り、同時に放射ノイズ防止対策を施す。 【解決手段】 半導体素子が形成された複数の半導体基
板同士が接合されてなる半導体装置が開示される。各半
導体基板上には、絶縁層が積層形成され、この絶縁層を
貫通して形成され半導体素子の配線層と接続される接続
配線が形成される。複数の半導体基板のうちの少なくと
もいずれかの半導体基板の接合面には、導電材料よりな
り接続配線に対応して孔部がパターニング形成された導
体層が形成されている。そして、半導体基板を常温ウエ
ハ接合することにより各半導体基板に形成された接続配
線が互いに接続されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板上の積
層膜及び配線層の固相接合を用いて接合一体化した半導
体装置及びその製造方法に関するものであり、特に、放
射ノイズを低減するための改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の分野において、従来、ノイ
ズを解消するための電磁波ノイズシールドとしては、例
えば特開平５−４７７６７号公報等に記載されるよう
に、半導体基板上の配線層の周囲を絶縁体を介して導電
体で包み込むようにして構成したものが知られている。
【０００３】そしてさらに、特開平５−４７９４３号公
報等に見られるように、アナログ・デジタル混在型半導
体集積装置において、高周波のデジタル信号線とノイズ
の影響を受けやすいアナログ信号線がレイアウト上交差
する部分で、デジタル信号線とアナログ信号線の間にシ
ールド線を配置し、かつアナログ信号線の上下層及び側
面にシールド線を配置することが行われている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来例
では、同一半導体基板上の配線を絶縁体を介して導電体
で包み込む構造にすることで放射ノイズの影響を防止し
ている。この構造は、同一半導体基板上での放射ノイズ
を防止する点では有用である。
【０００５】しかしながら、多層配線半導体基板での放
射ノイズを防止する対策を考えた場合、上記構造をその
まま採用することはできない。
【０００６】すなわち、多層配線半導体基板では、多層
配線構造にするため、多層成膜プロセスを必要であり、
多層成膜の層数の増加に従って、次第に多層成膜表面は
凹凸状になり、平面平滑性が失われて行く。さらに層数
を増して行くと、表面上の凹凸は激しくなり、プロセス
における断線となる影響を及ぼす。したがって、上記シ
ールド線の形成は困難である。
【０００７】そして、今後、半導体素子の高速化がさら
に進歩した場合、配線長の短縮化（高密度化）と配線の
直線化が必要になってくる。すなわち、このような高速
化においては、放射ノイズレベルは高くなるため、放射
ノイズ防止対策と同時に、配線長の短縮化（高密度化）
と配線の直線化が必要となる。
【０００８】このことは、半導体基板の素子構造と密接
な関係にあり、素子構造を取り巻く接地層、電源層及び
配線層から掘り下げて半導体素子の高速化を考えること
が必要である。
【０００９】本発明は、このような従来の実情に鑑みて
提案されたものであり、多層配線構造において、配線長
の短縮化、配線の直線化が可能であり、放射ノイズ防止
対策も十分に施すことが可能な新規な半導体装置を提供
することを目的とし、さらにはその製造方法を提供する
ことを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明の半導体装置は、半導体素子が形成された
複数の半導体基板同士が接合されてなる半導体装置にお
いて、各半導体基板上には、絶縁層が積層形成され、こ
の絶縁層を貫通して形成され半導体素子の配線層と接続
される接続配線が形成されるとともに、上記複数の半導
体基板のうちの少なくともいずれかの半導体基板の接合
面には、導電材料よりなり上記接続配線に対応して孔部
がパターニング形成された導体層が形成されており、上
記半導体基板の接合により各半導体基板に形成された接
続配線が互いに接続されていることを特徴とする。
【００１１】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
半導体素子が形成された複数の半導体基板同士を接合す
る半導体装置の製造方法において、半導体基板上に、絶
縁層を積層形成し、この絶縁層に半導体素子の配線層と
接続される接続配線を形成する工程と、上記複数の半導
体基板のうちの少なくともいずれかの半導体基板の接合
面に導電材料よりなり上記接続配線に対応して孔部がパ
ターニング形成された導体層を形成する工程と、各半導
体基板の接合面を平滑化する工程と、重ね合わせた半導
体基板の両側から圧縮荷重を印加し、上記半導体基板同
士を接合するとともに、各半導体基板に形成された接続
配線を互いに接続する工程とを有することを特徴とす
る。
【００１２】本発明では、例えば、両基板の素子を搭載
したいずれもの半導体基板上に配線電極、接地電極をそ
れぞれ設け、さらにこれらの半導体基板表面に絶縁層を
設け、絶縁層の上に導体層である接地層を成膜し、これ
らの絶縁層及び接地層に孔部を形成し、この孔部に充填
される導電材料を介して接地層電極と接地層を電気的に
連絡する。この後、多層の成膜した両半導体基板表面を
平滑平面化し、この後、両半導体基板の平滑平面同士を
相対向させ、アライメント操作後、両基板に荷重を印加
して接合する。
【００１３】この手法によって、すなわち、両基板間に
接地層を形成することにより、一方の半導体基板上の各
素子から発生した放射ノイズを接地層で吸収するととも
に、他方の半導体基板上の各素子から発生した放射ノイ
ズをやはり接地層で吸収し、互いに他方の半導体基板上
の各素子への影響をなくすことが可能になり、あるいは
この逆も可能である。そして、両基板の間に両基板に共
通の接地層を設けているので、両基板の接地配線を孔部
を介して３次元的に行うことができ、接地配線長を短縮
化できる。
【００１４】次に、両半導体基板に共通の接地層及び電
源層を両半導体基板間に設ける事によって、すなわち一
方の素子を搭載した半導体基板上に配線電極、接地電極
及び電源電極をそれぞれ設け、さらに半導体基板表面に
絶縁層、接地層及び絶縁層を順次成膜し、これらの絶縁
層、接地層及び絶縁層に孔部を形成し、当該孔部内に導
電体を充填し、それぞれ接地層は接地電極に電気的に連
絡させ、他の孔部内の導電体は電源電極に、そしてもう
一つの他の孔部内の導電体は配線電極にそれぞれ電気的
に連絡させ、そして各孔部内接地配線、孔部内電源配線
及び孔部内配線のいづれも絶縁体で互いに電気的に絶縁
を取り、この後、平滑平面化する。
【００１５】そして、他方の素子と搭載した半導体基板
上に配線電極、接地電極及び電源電極をそれぞれ設け、
さらに半導体基板表面に絶縁層，電源層を順次成膜し、
これらの絶縁層、電源層に孔部をそれぞれ形成し、孔部
内に導電体を充填し、それぞれ接地層は接地電極に、他
の孔部内の導電体は電源層に電気的に連結させ、そして
もう一つの他の孔部内の導電体は配線電極に電気的に連
結させ、そして各孔部内の接地配線、孔部内電源配線及
び孔部内配線のいづれも絶縁体で互いに電気的に絶縁を
取り、この後平滑平面にする。そして、この後、両基板
を相対向し、孔部内配線同士、孔部内接地配線同士及び
孔部内電源配線と電源層をそれぞれ整合するようにアラ
イメント操作し、この後、両基板に印加荷重を作用し、
接合する。
【００１６】この方法によって両基板の各素子における
接地及び電源を両基板の間に挟むようにそれぞれ接地層
及び電源層として設けているので、配線の短縮化にとっ
て有効であり、かつ、一方の半導体基板から発生する放
射ノイズを接地層で吸収することが可能となる。
【００１７】本発明は、上記したように両基板を接合す
ることによって接地層及び電源層を両基板の間に挟むよ
うに設け、これによって配線の短縮化及び放射ノイズの
両基板からの相互干渉を防ぐための方法を提供するもの
である。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した半導体装
置の構造及びその製造方法について、図面を参照しなが
ら詳細に説明する。
【００１９】図１及び図２は、本発明を適用した半導体
装置の特徴を最も良く表わす図面であり、本例において
は、半導体素子を搭載している一対の半導体基板１，２
が接合一体化されてなる。
【００２０】各基板１及び基板２上には、それぞれ半導
体素子の配線である配線層３，４が形成されており、孔
部（以下、本明細書においてはスルーホールと称す
る。）内に形成された接続配線（以下、本明細書におい
てはスルーホール配線と称する。）５，６はこれら配線
層３，４とそれぞれ電気的に連結されている。なお、上
記スルーホール配線３，４は、いわゆるスルーホール配
線の他、いわゆるプラグ等、孔部内の導電体を介して電
気的接続を取るものであれば如何なるものであってもよ
い。
【００２１】また、基板１，２上には、それぞれ絶縁層
７，８が積層形成されており、上記スルーホール配線
５，６は、これら絶縁層７，８に設けられたスルーホー
ル１４，１５内に導電材料を充填することにより形成さ
れている。
【００２２】上記絶縁層７，８上には、さらに、導電金
属等よりなる接地配線層９，１０が積層形成されてい
る。
【００２３】この接地配線層９，１０は、ほとんどベタ
パターンとして形成されるものであるが、上記スルーホ
ール配線５，６に対応して、上記絶縁層７，８に形成さ
れたスルーホール１４，１５と連なる孔（スルーホー
ル）１６，１７が穿設されている。
【００２４】なお、このスルーホール１６，１７は、上
記スルーホール１４，１５よりも若干大きく形成されて
おり、上記スルーホール配線５，６との間の間隙に絶縁
材料１２，１３を埋め込むことで、接地配線層９，１０
とスルーホール配線５，６との間の絶縁を確保してい
る。したがって、上記スルーホール１６，１７は、上記
スルーホール配線５，６との間の間隙に埋め込まれた絶
縁材料１２，１３が絶縁破壊しない程度の大きさとする
ことが好ましい。
【００２５】上記構成において、先ず、基板１上にフォ
トリソ工程、成膜工程及びリフトオフ工程を用いてスル
ーホール１４を形成し、この後さらに、スルーホール１
４内に図１に示すように、フォトリソ工程及びリフトオ
フ工程を用いてスルーホール配線５を形成する。この
後、絶縁層７上にスルーホール１６を有する接地配線層
９を形成し、このスルーホール１６の中にもスルーホー
ル配線５を形成する。
【００２６】この後、接地配線層９とスルーホール配線
５の間に、絶縁材料１２を形成する。その後、表面を平
滑研磨する。
【００２７】同様に、基板２上に絶縁層８、接地配線層
１０、スルーホール１５、絶縁材料１３及びスルーホー
ル配線６を形成し、この後、表面を平滑研磨する。
【００２８】このようにして用意した基板１，２を、接
地配線層９，１０同士が相対向するように整合し、両基
板１，２の両側から印加荷重を印加する。
【００２９】この印加荷重によって、基板１，２は、図
２に示すように、スルーホール配線５，６同士、接地配
線層９，１０同士がそれぞれ接合する。接合後、スルー
ホール配線５，６同士、接地配線層９，１０同士の電気
的導通を確認した。なお、接地配線層９，１０は、基板
１の接地電極（図示なし）及び基板２の接地電極（図示
なし）にそれぞれ電気的に連結されている。
【００３０】また、本例においては、絶縁層７，８にＳ
ｉ酸化膜を、接地電極層９，１０に銅を、スルーホール
配線５，６に銅を、絶縁材料１２，１３にＳｉ酸化膜を
用いた。この他にも、絶縁層７，８及び絶縁材料１２，
１３にＡ１酸化膜、窒化Ｓｉを用い、かつ接地電極層
９，１０及びスルーホール配線５，６にＡｕ，Ａｌを用
いることもできる。
【００３１】図３及び図４は、半導体素子を搭載してい
る一対の半導体基板１，２のうちの一方の基板１にのみ
接地配線層を形成した例である。
【００３２】各基板１及び基板２上には、それぞれ半導
体素子の配線である配線層３，４が形成されており、ス
ルーホール内に形成されたスルーホール配線５，６はこ
れら配線層３，４とそれぞれ電気的に連結されているこ
とは、先の例と同様である。
【００３３】また、基板１，２上には、それぞれ絶縁層
７，８が積層形成されており、上記スルーホール配線
５，６は、これら絶縁層７，８に設けられたスルーホー
ル１４，１５内に導電材料を充填することにより形成さ
れている。
【００３４】そして、一方の基板１においてのみ、上記
絶縁層７上に、導電金属等よりなる接地配線層９が積層
形成されている。
【００３５】この接地配線層９は、ほとんどベタパター
ンとして形成されるものであるが、上記スルーホール配
線５に対応して、上記絶縁層７に形成されたスルーホー
ル１４と連なる孔（スルーホール）１６が穿設されてい
る。
【００３６】なお、このスルーホール１６は、上記スル
ーホール１４よりも若干大きく形成されており、上記ス
ルーホール配線５との間の間隙に絶縁材料１２を埋め込
むことで、接地配線層９とスルーホール配線５との間の
絶縁を確保している。
【００３７】上記構成において、先ず、基板１上にフォ
トリソ工程、成膜工程及びリフトオフ工程を用いてスル
ーホール１４を形成し、この後さらに、スルーホール１
４内に図３に示すように、フォトリソ工程及びリフトオ
フ工程を用いてスルーホール配線５を形成する。この
後、絶縁層７上にスルーホール１６を有する接地配線層
９を形成し、このスルーホール１６の中にもスルーホー
ル配線５を形成する。
【００３８】この後、接地配線層９とスルーホール配線
５の間に、絶縁材料１２を形成する。その後、表面を平
滑研磨する。
【００３９】同様に、基板２上に絶縁層８、スルーホー
ル１５及びスルーホール配線６を形成し、この後、表面
を平滑研磨する。
【００４０】このようにして用意した基板１，２を、接
地配線層９と絶縁層８が相対向するように整合し、両基
板１，２の両側から印加荷重を印加する。
【００４１】この印加荷重によって、基板１，２は、図
４に示すように、スルーホール配線５，６同士、接地配
線層９と絶縁層８とがそれぞれ接合される。接合後、ス
ルーホール配線５，６同士の電気的導通を確認した。な
お、接地配線層９は、基板１の接地電極（図示なし）に
電気的に連結されている。
【００４２】また、本例においては、絶縁層７，８にＳ
ｉ酸化膜を、接地電極層９に銅を、スルーホール配線
５，６に銅を、絶縁材料１２にＳｉ酸化膜を用いた。こ
の他にも、絶縁層７，８及び絶縁材料１２にＡ１酸化
膜、窒化Ｓｉを用い、かつ接地電極層９及びスルーホー
ル配線５，６にＡｕ，Ａｌを用いることもできる。
【００４３】図５及び図６は、半導体素子を搭載してい
る一対の半導体基板１，２のうちの一方の基板１に電源
配線層を、他方の基板２に接地配線層を形成した例であ
る。
【００４４】各基板１及び基板２上には、それぞれ半導
体素子の配線である配線層３，４が形成されており、ス
ルーホール内に形成されたスルーホール配線５，６はこ
れら配線層３，４とそれぞれ電気的に連結されているこ
とは、先の例と同様である。
【００４５】また、基板１，２上には、それぞれ絶縁層
７，８が積層形成されており、上記スルーホール配線
５，６は、これら絶縁層７，８に設けられたスルーホー
ル１４，１５内に導電材料を充填することにより形成さ
れている。
【００４６】そして、一方の基板２においてのみ、上記
絶縁層８上に、導電金属等よりなる接地配線層１０が積
層形成されている。
【００４７】この接地配線層１０は、ほとんどベタパタ
ーンとして形成されるものであるが、上記スルーホール
配線６に対応して、上記絶縁層８に形成されたスルーホ
ール１５と連なる孔（スルーホール）１７が穿設されて
いる。
【００４８】なお、このスルーホール１７は、上記スル
ーホール１５よりも若干大きく形成されており、上記ス
ルーホール配線６との間の間隙に絶縁材料１３を埋め込
むことで、接地配線層１０とスルーホール配線６との間
の絶縁を確保している。
【００４９】一方、他方の基板１においては、絶縁層が
多層化されており、絶縁層７と絶縁層１１の間に電源配
線層２０が配されている。
【００５０】この電源配線層２０や絶縁層１１にもスル
ーホール１８やスルーホール１９が形成されており、ス
ルーホール配線５がこれらを貫通して形成されるととも
に、絶縁材料１２を埋め込むことにより、電源配線層２
０とスルーホール配線の絶縁が確保されている。
【００５１】上記構成において、先ず、基板１上にフォ
トリソ工程、成膜工程及びリフトオフ工程を用いてスル
ーホール１４を形成し、この後さらに、スルーホール１
４内に図５に示すように、フォトリソ工程及びリフトオ
フ工程を用いてスルーホール配線５を形成する。この
後、絶縁層７上にスルーホール１８を有する電源配線層
２０やスルーホール１９を有する絶縁層１１を形成し、
このスルーホール１８，１９の中にもスルーホール配線
５を形成する。
【００５２】この後、電源配線層２０とスルーホール配
線５の間に、絶縁材料１２を形成する。その後、表面を
平滑研磨する。
【００５３】同様に、基板２上に絶縁層８、スルーホー
ル１５、スルーホール配線６及び接地配線層１０を形成
し、この後、表面を平滑研磨する。
【００５４】このようにして用意した基板１，２を、絶
縁層１１と接地配線層１０とが相対向するように整合
し、両基板１，２の両側から印加荷重を印加する。
【００５５】この印加荷重によって、基板１，２は、図
６に示すように、スルーホール配線５，６同士、絶縁層
１１と接地配線層１０とがそれぞれ接合される。
【００５６】上記各構造において、外部駆動回路との接
続法としては、半導体素子において公知の手法がいずれ
も採用可能である。
【００５７】例えば、図７に示すように、半導体チップ
Ａと半導体チップＢとを接合した半導体装置（その構造
は、上述した図２、図４、図６のいずれかに示すもので
あり、各半導体チップＡ，Ｂは、上述の通り半導体基板
上に絶縁層、各種配線層等を形成したものである。）に
おいて、一方の半導体チップＡの外形寸法を半導体チッ
プＢよりも大きく設定し、半導体チップＡの接合面に露
呈する接続パッドＰに接続ワイヤＷをワイヤボンディン
グすればよい。
【００５８】あるいは、図８に示すように、半導体チッ
プＡと半導体チップＢとをほぼ同一サイズとし、一方の
半導体チップＢの背面側に形成した接続パッドＰの接続
ワイヤＷをワイヤボンディングしてもよい。この場合に
は、上記パッドＰがスルーホール配線を介して半導体チ
ップＢの所定の配線層、あるいは半導体チップＡの接合
面に臨む配線層と電気的に接続されている必要がある。
【００５９】次に、上記構造の半導体装置の製造方法に
ついて説明する。
【００６０】本発明の製造方法は、常温ウエハ接合を利
用したもので、その概略工程としては、例えば図９に示
すプロセス、あるいは図１０に示すプロセスを挙げるこ
とができる。
【００６１】図９は、直接異種デバイス基板を常温ウエ
ハ接合する製造プロセスの一例であり、この製造プロセ
スにおいては、先ず、図９Ａに示すように、ＳＯＩ基板
あるいはヘテロエピ基板のような第１の半導体基板２１
を用意する。
【００６２】この半導体基板２１は、シリコンベース２
１ａ上にエッチングストップ層２１ｂ及びデバイス層２
１ｃを積層形成してなるものであり、図９Ｂに示すよう
に、デバイス層２１ｃをエッチングして半導体チップと
する。
【００６３】次いで、図９Ｃに示すように、任意の配線
が施された配線基板あるいは異種デバイス基板の如き第
２の半導体基板２２を上記デバイス層２１ｃ上に常温ウ
エハ接合する。
【００６４】常温ウエハ接合は、２つのウエハ表面が互
いに近づくと、安定な配列がくずれて原子間に結合が生
じ、ある距離にまで近づくと内部と同じ結合となって、
最後は一体化するという現象を応用したもので、接着剤
を用いる必要がなく、加熱も不要であるという利点を有
する。
【００６５】実際の固体の表面は、金属であれば酸化
や、有機物等の吸着により安定化しており、単に接触さ
せるでけでは結合しない。しかし、安定な表面層をアル
ゴン等の不活性原子をぶつけて除去し、不安定で活性な
表面を露出させることで、結合の原理に忠実に従った常
温接合が可能となる。
【００６６】したがって、上記常温ウエハ接合に際して
は、接合面の平滑化や表面活性化が必要不可欠である。
【００６７】このようにして第２の半導体基板２２を常
温ウエハ接合した状態が図９Ｄであり、次いで、図９Ｅ
に示すように第１の半導体基板２１のシリコンベース２
１ａをエッチング除去し、さらに図９Ｆに示すようにエ
ッチングストップ層２１ｂをエッチング除去して３次元
的集積回路を完成する。
【００６８】最後に、図９Ｇに示すように、各半導体チ
ップに対応して切断・分割し、所定のサイズの半導体装
置とする。
【００６９】図１０は、ダミー基板を用いる方法で、デ
バイス層２１ｃのエッチング（図１０Ｂ）までは図９の
プロセスと同じである。
【００７０】この方法では、デバイス層２１ｃをエッチ
ング形成した後、この上にダミー基板３１を重ね合わせ
て接合し（図１０Ｃ〜図１０Ｄ）、図１０Ｅに示すよう
に第１の半導体基板２１のシリコンベース２１ａをエッ
チング除去し、さらに図１０Ｆに示すようにエッチング
ストップ層２１ｂをエッチング除去する。
【００７１】こうしてダミー基板３１上にデバイス層２
１ｃのみを残存させ、次いで図１０Ｇに示すように、配
線基板あるいは異種デバイス基板の如き第２の半導体基
板２２上にこれを常温ウエハ接合する。この工程によ
り、上記デバイス層２１ｃは第２の半導体基板２２上に
転写されることになる。
【００７２】最後に、図１０Ｈに示すように、ダミー基
板３１を剥離除去し、一点鎖線位置で切断して、図１０
Ｉに示すような３次元的集積回路を完成する。
【００７３】以上が大まかな製造プロセスであるが、上
記接地配線層等を有する構造の半導体装置を製造するた
めの具体的プロセスの例を、以下に列挙する。
【００７４】製造プロセスの具体例１ 本例においては、半導体素子が形成された半導体基板同
士の接合を以下の工程により行う。
【００７５】（１）第１の半導体基板上に予め配線電極
を取出す工程 （２）第１の基板に絶縁層及び接地層を順次それぞれ積
層し、絶縁層及び接地層に該配線電極とつながるスルー
ホールを形成する工程 （３）スルーホール内に配線電極と電気的に連結するス
ルーホール配線を形成する工程 （４）接地層のスルーホール内のスルーホール配線と接
地層との間に絶縁層を形成する工程 （５）一方の基板表面を平滑にする工程、 （６）次に、第２の半導体基板上に予め配線電極を取り
出す工程 （７）第２の基板に絶縁層及び接地層を順次それぞれ積
層し、絶縁層及び接地層に配線電極とつながるスルーホ
ールを形成する工程 （８）スルーホール内に配線電極を電気的に連結するス
ルーホール配線を形成する工程 （９）接地層のスルーホール内にスルーホール配線と接
地層との間に絶縁体を形成する工程 （１０）この他方の半導体表面を平滑する工程 （１１）第１及び第２の半導体基板上のスルーホール配
線同士及び接地層同士を相対向するように整合する工程 （１２）両基板の両側から圧縮荷重を印加する工程 （１３）圧縮荷重によってスルーホール配線同士及び接
地層同士を電気的に接合し、かつ機械的に接合する工程 製造プロセスの具体例２ 本例においては、半導体素子が形成された半導体基板同
士の接合を以下の工程により行う。
【００７６】（１）第１の半導体基板上に予め配線電極
を取出す工程 （２）第１の基板に絶縁層及び接地層を順次それぞれ積
層し、絶縁層及び接地層に配線電極とつながるスルーホ
ールを形成する工程 （３）スルーホール内に配線電極と電気的に連結するス
ルーホール内配線を形成する工程 （４）接地層のスルーホール内のスルーホール内配線と
接地層との間に絶縁層を形成する工程 （５）第１の基板表面を平滑にする工程 （６）次に、第２の半導体基板上に予め配線電極を取出
す工程 （７）第２の基板に絶縁層を形成し、絶縁層に配線電極
とつながるスルーホールを形成する工程 （８）スルーホール内に配線電極を電気的に連結するス
ルーホール配線を形成する工程 （９）この第２の半導体表面を平滑する工程 （１０）第１及び第２の半導体基板上のスルーホール内
配線同士及び第１の基板の接地層と第２の基板の絶縁層
が相対向するように整合する工程 （１１）両基板の両側から圧縮加重を印加する工程 （１２）圧縮荷重によってスルーホール配線同士を電気
的に接合し、かつ第１の基板の接地層と第２の基板の絶
縁層を機械的に接合する工程 製造プロセスの具体例３ 本例においては、半導体素子が形成された半導体基板同
士の接合を以下の工程により行う。
【００７７】（１）第１の半導体基板上に予め配線電極
を取出す工程 （２）第１の基板に絶縁層、接地層及び絶縁層を順次積
層し、絶縁層、接地層及び絶縁層に配線電極につながる
スルーホールを形成する工程 （３）スルーポル内に配線電極と電気的に連結するスル
ーホール配線を形成する工程 （４）接地層のスルーホール内のスルーホール配線と接
地層との間に絶縁層を形成する工程 （５）第１の基板表面を平滑にする工程 （６）次に第２の半導体墓板に予め配線電極を取出す工
程 （７）第２の基板に絶縁層及び電源層を順次それぞれ積
層し、絶縁層及び電源層に配線電極とつながるスルーホ
ールを形成する工程 （８）スルーホール内に配線電極を電気的に連結するス
ルーホール配線を形成する工程 （９）電源層のスルーホール配線と電源層との間に絶縁
体を形成する工程 （１０）第２の半導体基板表面を平滑する工程 （１１）第１及び第２の半導体基板上のスルーホール配
線同士、及び絶縁層と電源層を相対向するように整合す
る工程 （１２）両基板の両側から圧縮荷重を印加する工程 （１３）圧縮荷重によってスルーホール配線同士を電気
的に接合し、かつ絶縁層と電源層を機械的に接合する工
程 製造プロセスの具体例４ 本例においては、半導体素子が形成された半導体基板同
士の接合を以下の工程により行う。
【００７８】（１）第１の基板に配線電極及び接地電極
をそれぞれ取出す工程 （２）第１の基板に絶縁層及び接地層を順次それぞれ積
層し、絶縁層に接地電極とつながるスルーホールを形成
する工程 （３）スルーホール内に接地電極と電気的に連結するス
ルーホール接地配線を形成する工程 （４）第１の基板表面を平滑にする工程 （５）次に第２の半導体基板上に予め接地電極を取出す
工程 （６）第２の基板に絶縁層及び接地層を順次それぞれ積
層し、絶縁層に接地電極とつながるスルーホールを形成
する （７）スルーホール内に接地電極と電気的に連結するス
ルーホール接地配線を形成する工程 （８）この他方の半導体表面を平滑する工程 （９）第１及び第２の半導体基板上の接地層同士を相対
向するように整合する工程 （１０）両基板の両側から圧縮荷重を印加する工程 （１１）圧縮荷重によって接地層同士を電気的に接合
し、かつ機械的に接合する工程 製造プロセスの具体例５ 本例においては、半導体素子が形成された半導体基板同
士の接合を以下の工程により行う。
【００７９】（１）第１の半導体基板上に予め接地電極
を取出す工程、 （２）第１の基板に絶縁層及び接地層を順次積層し、絶
縁層に接地電極とつながるスルーホールを形成する工程 （３）スルーホール内に接地電極と電気的に連結するス
ルーホール接地配線を形成する工程 （４）第１の基板表面を平滑にする工程 （５）次に、第２の半導体基板上に予め接地電極を取出
す工程 （６）第２の基板に絶縁層を形成し、絶縁層に接地電極
とつながるスルーホールを形成する工程 （７）スルーホール内に接地電極を電気的に連結するス
ルーホール接地配線を形成する工程 （８）この第２の半導体表面を平滑する工程 （１０）第１及び第２の半導体基板上のそれぞれ接地層
及びスルーホール接地配線が相対向するように整合する
工程 （１１）両基板の両側から圧縮加重を印加する工程 （１２）圧縮荷重によって接地層及びスルーホール接地
配線と電気的に接合し、かつ第１の基板の接地層と第２
の基板の絶縁層同士を機械的に接合する工程 製造プロセスの具体例６ 本例においては、半導体素子が形成された半導体基板同
士の接合を以下の工程により行う。
【００８０】（１）第１の半導体基板上に予め接地電極
を取り出す工程 （２）第１の基板に絶縁層、接地層を順次積層し、絶縁
層に接地電極につながるスルーホールを形成する工程 （３）スルーホール内に接地電極と電気的に連結するス
ルーホール接地配線を形成する工程 （４）次に第１半導体基板表面を平滑にする工程 （５）次に接地層上に絶縁層を積層する工程 （６）第１基板表面を平滑にする工程 （７）次に第２の半導体基板に接地電極を取出す工程 （８）第２の基板に絶縁層を積層し、絶縁層に電源電極
とつながるスルーホールを形成する工程 （９）スルーホール内に接地電極を電気的に連結するス
ルーホール接地配線を形成する工程 （１０）第２の基板表面を平滑にする工程 （１１）第２の半導体基板上にスルーホール電源配線と
電気的に連結する電源層を積層する工程 （１２）第１及び第２の半導体基板上の絶縁体と電源層
を相対向するように整合する工程 （１３）両基板の両側から圧繕荷重を印加する工程 （１４）圧縮荷重によって絶縁層と電源層を機械的に接
合する工程 製造プロセスの具体例７ 本例においては、半導体素子が形成された半導体基板同
士の接合を以下の工程により行う。
【００８１】（１）第１の半導体基板上に予め配線電
極、接地電極、電源電極を取出す工程 （２）第１の基板に絶縁層、接地層及び絶縁層を順次積
層し、絶縁層、接地層及び絶縁層に電源電極につながる
スルーホールを形成する工程 （３）スルーホール内に接地電極と電気的に連結するス
ルーホール内電源配線を形成する工程 （４）接地層、電源層及び接地層のスルーホール内のス
ルーホール内電源配線との間に絶縁層を形成する工程 （５）第１の基板表面を平滑にする工程 （６）次に第２の半導体基板に電源電極を取出す工程 （７）第２の基板に絶縁層及び電源層を順次それぞれ積
層し、絶縁層及び電源層に電源電極とつながるスルーホ
ールを形成する工程 （８）スルーホール内に電源電極を電気的に連結するス
ルーホール内電源配線を形成する工程 （９）第２の半導体基板表面を平滑する工程と、 （１０）第１及び第２の半導体基板上のスルーホール内
電源配線同士、及び絶縁層と電源層を相対向するように
整合する工程 （１１）両基板の両側から圧緒荷重を印加する工程 （１２）圧縮荷重によってスルーホール内電源配線同士
を電気的に接合し、かつ絶縁層と電源層を機械的に接合
する工程 製造プロセスの具体例８ 製造プロセスの具体例１において、配線を取り出す工程
と並行して次の工程を行う。
【００８２】（１）第１の半導体基板上に予め接地電極
を取出す工程 （２）第１の基板に絶縁層を積層し、絶縁層に接地電極
とつながるスルーホールを形成する工程 （３）スルーホール内に接地電極と電気的に連結するス
ルーホール内接地配線を形成する工程 （４）絶縁層上にスルーホール内接地配線と電気的に結
合する接地層を形成する工程 （５）一方の基板表面を平滑にする工程 （６）次に、第２の半導体基板上に予め接地電極を取出
す工程 （７）第２の基板に絶縁層を積層し、絶縁層に接地電極
とつながるスルーホールを形成する工程 （８）スルーホール内に接地電極と電気的に接合するス
ルーホール内接地配線を形成する工程 （９）絶縁層上にスルーホール内接地配線と電気的に結
合する接地層を形成する工程 以上、製造プロセスの具体例を例示したが、本発明の製
造方法がこれに限られるものではなく、種々の変更が可
能であることは言うまでもない。
【００８３】最後に、本発明の応用例について説明す
る。
【００８４】本発明の半導体装置によれば、高度に集積
された３次元集積回路を実現することができ、これを応
用することで、次のようなメリットが発揮される。
【００８５】イ．配線層とデバイス層の２層接合→配線
層の分離による歩留まりの向上 ロ．デバイス層の多層接合→デバイス間距離の短縮によ
る高速化 ハ．異種デバイス層の２層接合→アナログ・デジタルの
分離、高速化 ニ．光デバイス素子のシリコン基板への接合→光デバイ
スの電子基板への実装 ホ．異種半導体基板の接合→複合基板の実現によるヘテ
ロエピ基板の実現 常温接合による半導体装置の形態としては、接合形態に
より大きく分類することができ、ウエハ−ダイ（チッ
プ）接合を利用したものと、ウエハ−ウエハ接合を利用
したものが挙げられる。
【００８６】前者の例としては、例えば図１１に示すよ
うな、フラットパネルコンピュータを挙げることができ
る。
【００８７】このフラットパネルコンピュータは、従
来、プリント基板上に搭載していた各種ＬＳＩをガラス
基板上に直接貼り付けて構成されるもので、フラットパ
ネル自体が携帯型コンピュータとなる。
【００８８】図１１に示す例では、ガラス基板４１上
に、表示部４２、ＣＰＵ４３、メモリ（ＲＡＭ）４４、
メモリ（ＲＯＭ）４５、入出力ＬＳＩ４６等が直接貼り
合わされている。
【００８９】図１２は、異種プロセスＬＳＩをチップ・
オン・チップで接合してなる例を示すもので、ウエハ５
１上に異種プロセスＬＳＩチップ５２が個別に貼り合わ
されている。本例は、異種プロセスＬＳＩによるシステ
ムＬＳＩ実現手法の一つであり、インターポーザ基板が
不要であるためＬＳＩ上のバッファを無くして性能を向
上させることができる。
【００９０】後者の例としては、ウエハレベルでの３次
元積層デバイス、システムＬＳＩ（ＳＯＣ）で機能ブロ
ック間を繋ぐ配線層部分を貼り合わせで形成する配線層
貼り合わせＬＳＩ、ＬＳＩ上のパッケージ部分をウエハ
レベルで貼り合わせる構造、基板とＬＳＩとのプロセス
ルールギャップを縮める新構造高密度モジュール基板等
を挙げることができる。
【００９１】いずれの場合にも、高機能ＬＳＩを実現す
ることができ、平面微細化技術の限界を越える３次元集
積回路の実現が可能である。
【００９２】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明においては、半導体素子を搭載した第１基板と第２基
板との間に導体層（接地層）を設けているので、例え
ば、第１基板上の半導体素子からの放射ノイズは、第２
の基板上の半導体素子への影響を及ぼすことなく遮断さ
れる．また、第１基板と第２基板との間の信号の伝達
は、第１及び第２の基板間に挟まれる接地層に設けた接
続配線（スルーホール配線）を介して行うことが可能で
ある。
【００９３】さらに、例えば第１，第２基板に接地層と
なる導体層と平行して電源層となる導体層を設ければ、
孔部（スルーホール）を介して第１の基板及び第２の基
板の各電源として用いることができ、効率的である。
【００９４】また、本発明の製造方法においては、別々
の工程で形成し半導体素子を搭載した第１基板と第２基
板を常温ウエハ接合技術によって接合している。このた
め、機能の異なる半導体基板同士による多層基板を簡便
に形成することができ、効率的な製造が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用した半導体装置の一例を示すもの
であり、接合一体化する前の状態を示す要部概略断面図
である。
【図２】図１の半導体装置を接合一体化した状態を示す
要部概略断面図である。
【図３】本発明を適用した半導体装置の他の例を示すも
のであり、接合一体化する前の状態を示す要部概略断面
図である。
【図４】図３の半導体装置を接合一体化した状態を示す
要部概略断面図である。
【図５】本発明を適用した半導体装置のさらに他の例を
示すものであり、接合一体化する前の状態を示す要部概
略断面図である。
【図６】図５の半導体装置を接合一体化した状態を示す
要部概略断面図である。
【図７】外部駆動回路との接続構造の一例を示す模式図
である。
【図８】外部駆動回路との接続構造の他の例を示す模式
図である。
【図９】常温ウエハ接合による製造プロセスの一例を工
程順に示す概略断面図である。
【図１０】常温ウエハ接合による製造プロセスの他の例
を工程順に示す概略断面図である。
【図１１】応用例としてのフラットパネルコンピュータ
の一例を示す模式図である。
【図１２】異種プロセスＬＳＩをチップ・オン・チップ
で接合したシステムＬＳＩの一例を示す模式図である。
【符号の説明】
１，２ 半導体基板、５，６ スルーホール配線、７、
８、１１ 絶縁層、９，１０ 接地配線層、１２，１３
絶縁材料、２０ 電源配線層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 000000295 沖電気工業株式会社 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 (71)出願人 000001889 三洋電機株式会社 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 (71)出願人 000005049 シャープ株式会社 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 (71)出願人 000003078 株式会社東芝 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 (71)出願人 000004237 日本電気株式会社 東京都港区芝五丁目７番１号 (71)出願人 000005108 株式会社日立製作所 東京都千代田区神田駿河台四丁目６番地 (71)出願人 000005843 松下電子工業株式会社 大阪府高槻市幸町１番１号 (71)出願人 000006013 三菱電機株式会社 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 (71)出願人 000116024 ローム株式会社 京都府京都市右京区西院溝崎町21番地 (72)発明者 須賀 唯知 東京都目黒区駒場４−６−１ Ｆターム(参考） 5F033 HH08 HH11 HH13 JJ08 JJ11 JJ13 NN40 QQ00 QQ37 QQ46 RR03 RR04 RR06 TT07 VV03 VV04 VV05 XX01 XX23

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体素子が形成された複数の半導体基
    板同士が接合されてなる半導体装置において、 各半導体基板上には、絶縁層が積層形成され、この絶縁
    層を貫通して形成され半導体素子の配線層と接続される
    接続配線が形成されるとともに、 上記複数の半導体基板のうちの少なくともいずれかの半
    導体基板の接合面には、導電材料よりなり上記接続配線
    に対応して孔部がパターニング形成された導体層が形成
    されており、 上記半導体基板の接合により各半導体基板に形成された
    接続配線が互いに接続されていることを特徴とする半導
    体装置。
  2. 【請求項２】 上記半導体基板同士が常温接合技術によ
    り接合されていることを特徴とする請求項１記載の半導
    体装置。
  3. 【請求項３】 接合される一対の半導体基板の接合面に
    それぞれ導体層が形成されており、これら導体層を構成
    する金属材料同士が接合されていることを特徴とする請
    求項１記載の半導体装置。
  4. 【請求項４】 接合される一対の半導体基板のうちの一
    方の半導体基板の接合面に導体層が形成されており、こ
    の導体層と他方の半導体基板の絶縁層とが接合されてい
    ることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
  5. 【請求項５】 上記他方の半導体基板において、導体層
    が絶縁層の中途位置に積層形成されていることを特徴と
    する請求項４記載の半導体装置。
  6. 【請求項６】 上記導体層は、接地層として機能するこ
    とを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
  7. 【請求項７】 上記導体層は、電源層として機能するこ
    とを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
  8. 【請求項８】 上記導体層は、半導体素子と電気的に接
    続されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装
    置。
  9. 【請求項９】 上記導体層に形成される孔部の内径寸法
    は、上記接続配線を形成するために絶縁層に形成される
    孔部の内径寸法よりも大であることを特徴とする請求項
    １記載の半導体装置。
  10. 【請求項１０】 接合面において互いに接続される接続
    配線は、上記導体層に設けられた孔部に絶縁材料を埋め
    込むことにより導体層と絶縁されていることを特徴とす
    る請求項９記載の半導体装置。
  11. 【請求項１１】 半導体素子が形成された複数の半導体
    基板同士を接合する半導体装置の製造方法において、 半導体基板上に、絶縁層を積層形成し、この絶縁層に半
    導体素子の配線層と接続される接続配線を形成する工程
    と、 上記複数の半導体基板のうちの少なくともいずれかの半
    導体基板の接合面に導電材料よりなり上記接続配線に対
    応して孔部がパターニング形成された導体層を形成する
    工程と、 各半導体基板の接合面を平滑化する工程と、 重ね合わせた半導体基板の両側から圧縮荷重を印加し、
    上記半導体基板同士を接合するとともに、各半導体基板
    に形成された接続配線を互いに接続する工程とを有する
    ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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DE2000118358 DE10018358B4 (de) 1999-04-13 2000-04-13 Halbleiter-Bauteil und dessen Herstellungsverfahren
FR0004753A FR2792458B1 (fr) 1999-04-13 2000-04-13 Dispositif a semi-conducteur et son procede de fabrication
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Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006517344A (ja) * 2003-02-07 2006-07-20 ジプトロニクス・インコーポレイテッド 室温金属直接ボンディング
JP2007535158A (ja) * 2004-04-27 2007-11-29 エス．オー．アイ．テック、シリコン、オン、インシュレター、テクノロジーズ チップおよび関連する支持体を製作する方法
JP2008227447A (ja) * 2007-03-09 2008-09-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd 半導体構造の製造方法
JP2010153799A (ja) * 2008-12-24 2010-07-08 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 冷却機構を含む接合型半導体構造体とその形成方法
JP2012033894A (ja) * 2010-06-30 2012-02-16 Canon Inc 固体撮像装置
JP2012038951A (ja) * 2010-08-09 2012-02-23 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置、半導体回路基板および半導体回路基板の製造方法
JP2012094720A (ja) * 2010-10-27 2012-05-17 Sony Corp 固体撮像装置、半導体装置、固体撮像装置の製造方法、半導体装置の製造方法、及び電子機器
JP2012129521A (ja) * 2010-12-16 2012-07-05 Soytec 半導体構造同士を直接結合する方法、およびこの方法を使用して形成された結合された半導体構造
KR20130007972A (ko) 2011-07-05 2013-01-21 소니 주식회사 반도체 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 전자 기기
JP2013526029A (ja) * 2010-05-18 2013-06-20 コアレイズ オーワイ レーザ光を用いた基板の封止および接触の方法ならびに電子モジュール
US8513810B2 (en) 2008-07-31 2013-08-20 Nec Corporation Semiconductor device and method of manufacturing same
US8778773B2 (en) 2010-12-16 2014-07-15 Soitec Methods for directly bonding together semiconductor structures, and bonded semiconductor structures formed using such methods
KR20140115948A (ko) 2013-03-22 2014-10-01 소니 주식회사 반도체 장치 및 제조 방법
US8896125B2 (en) 2011-07-05 2014-11-25 Sony Corporation Semiconductor device, fabrication method for a semiconductor device and electronic apparatus
JP2016106420A (ja) * 2005-08-11 2016-06-16 ジプトロニクス・インコーポレイテッド ３ｄｉｃ方法および装置
DE10302603B4 (de) * 2002-01-24 2017-04-13 Kanji Otsuka Schaltungsstruktur mit einer in einem Chip angeordneten Treiberschaltung und einer Strom / Masse-Leitung
JP2017117828A (ja) * 2015-12-21 2017-06-29 ソニー株式会社 固体撮像素子および電子装置
KR20170121167A (ko) 2015-03-03 2017-11-01 소니 주식회사 반도체 장치 및 전자 기기
US9953941B2 (en) 2015-08-25 2018-04-24 Invensas Bonding Technologies, Inc. Conductive barrier direct hybrid bonding
JP2020123731A (ja) * 2014-10-08 2020-08-13 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体装置および製造方法、並びに、電子機器
US10840205B2 (en) 2017-09-24 2020-11-17 Invensas Bonding Technologies, Inc. Chemical mechanical polishing for hybrid bonding
JP2020191467A (ja) * 2010-06-30 2020-11-26 キヤノン株式会社 固体撮像装置
US11011494B2 (en) 2018-08-31 2021-05-18 Invensas Bonding Technologies, Inc. Layer structures for making direct metal-to-metal bonds at low temperatures in microelectronics
US11158573B2 (en) 2018-10-22 2021-10-26 Invensas Bonding Technologies, Inc. Interconnect structures
US11393779B2 (en) 2018-06-13 2022-07-19 Invensas Bonding Technologies, Inc. Large metal pads over TSV
US11728313B2 (en) 2018-06-13 2023-08-15 Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Offset pads over TSV
US11804377B2 (en) 2018-04-05 2023-10-31 Adeia Semiconductor Bonding Technologies, Inc. Method for preparing a surface for direct-bonding
US11929347B2 (en) 2020-10-20 2024-03-12 Adeia Semiconductor Technologies Llc Mixed exposure for large die

Families Citing this family (295)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2773261B1 (fr) 1997-12-30 2000-01-28 Commissariat Energie Atomique Procede pour le transfert d'un film mince comportant une etape de creation d'inclusions
US6956348B2 (en) 2004-01-28 2005-10-18 Irobot Corporation Debris sensor for cleaning apparatus
JP3440057B2 (ja) * 2000-07-05 2003-08-25 唯知 須賀 半導体装置およびその製造方法
US7298031B1 (en) * 2000-08-09 2007-11-20 Micron Technology, Inc. Multiple substrate microelectronic devices and methods of manufacture
US6607937B1 (en) 2000-08-23 2003-08-19 Micron Technology, Inc. Stacked microelectronic dies and methods for stacking microelectronic dies
US6690134B1 (en) 2001-01-24 2004-02-10 Irobot Corporation Method and system for robot localization and confinement
US20020163072A1 (en) * 2001-05-01 2002-11-07 Subhash Gupta Method for bonding wafers to produce stacked integrated circuits
US7064447B2 (en) 2001-08-10 2006-06-20 Micron Technology, Inc. Bond pad structure comprising multiple bond pads with metal overlap
US6864118B2 (en) * 2002-01-28 2005-03-08 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Electronic devices containing organic semiconductor materials
TW542454U (en) * 2002-06-21 2003-07-11 Molex Inc Electrical connector
FR2848336B1 (fr) 2002-12-09 2005-10-28 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'une structure contrainte destinee a etre dissociee
WO2004061961A1 (en) * 2002-12-31 2004-07-22 Massachusetts Institute Of Technology Multi-layer integrated semiconductor structure having an electrical shielding portion
US7064055B2 (en) 2002-12-31 2006-06-20 Massachusetts Institute Of Technology Method of forming a multi-layer semiconductor structure having a seamless bonding interface
JP3981026B2 (ja) * 2003-01-30 2007-09-26 株式会社東芝 多層配線層を有する半導体装置およびその製造方法
US6803649B1 (en) * 2003-05-16 2004-10-12 Intel Corporation Electronic assembly
US7109092B2 (en) 2003-05-19 2006-09-19 Ziptronix, Inc. Method of room temperature covalent bonding
FR2856844B1 (fr) * 2003-06-24 2006-02-17 Commissariat Energie Atomique Circuit integre sur puce de hautes performances
JP2005123362A (ja) * 2003-10-16 2005-05-12 Hitachi Ltd 接続用取付基板及びディスクアレイ制御装置の接続用取付基板
FR2861497B1 (fr) 2003-10-28 2006-02-10 Soitec Silicon On Insulator Procede de transfert catastrophique d'une couche fine apres co-implantation
FR2864336B1 (fr) * 2003-12-23 2006-04-28 Commissariat Energie Atomique Procede de scellement de deux plaques avec formation d'un contact ohmique entre celles-ci
FR2872627B1 (fr) * 2004-06-30 2006-08-18 Commissariat Energie Atomique Assemblage par adhesion moleculaire de deux substrats
DE102004037826B4 (de) * 2004-08-04 2006-06-14 Infineon Technologies Ag Halbleitervorrichtung mit miteinander verbundenen Halbleiterbauelementen
TWI246175B (en) * 2004-10-11 2005-12-21 Ind Tech Res Inst Bonding structure of device packaging
JP2006196668A (ja) * 2005-01-13 2006-07-27 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
US7620476B2 (en) 2005-02-18 2009-11-17 Irobot Corporation Autonomous surface cleaning robot for dry cleaning
WO2006123300A2 (en) * 2005-05-18 2006-11-23 Kolo Technologies, Inc. Micro-electro-mechanical transducers
US8105941B2 (en) * 2005-05-18 2012-01-31 Kolo Technologies, Inc. Through-wafer interconnection
WO2006134580A2 (en) * 2005-06-17 2006-12-21 Kolo Technologies, Inc. Micro-electro-mechanical transducer having an insulation extension
US7526739B2 (en) * 2005-07-26 2009-04-28 R3 Logic, Inc. Methods and systems for computer aided design of 3D integrated circuits
US7880565B2 (en) * 2005-08-03 2011-02-01 Kolo Technologies, Inc. Micro-electro-mechanical transducer having a surface plate
FR2889887B1 (fr) 2005-08-16 2007-11-09 Commissariat Energie Atomique Procede de report d'une couche mince sur un support
FR2891281B1 (fr) * 2005-09-28 2007-12-28 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'un element en couches minces.
US7528494B2 (en) * 2005-11-03 2009-05-05 International Business Machines Corporation Accessible chip stack and process of manufacturing thereof
WO2007056808A1 (en) * 2005-11-18 2007-05-24 Ewise Systems Pty Ltd A method and apparatus for facilitating a secure transaction
US7674638B2 (en) 2005-11-25 2010-03-09 Panasonic Electric Works Co., Ltd. Sensor device and production method therefor
WO2007061050A1 (ja) * 2005-11-25 2007-05-31 Matsushita Electric Works, Ltd. センサ装置及びその製造方法
KR101076665B1 (ko) 2005-11-25 2011-10-26 파나소닉 전공 주식회사 센서 장치 및 그 제조 방법
TW200733264A (en) * 2005-11-25 2007-09-01 Matsushita Electric Works Ltd Method of producing wafer-level package structure
EP3257809A1 (en) 2005-11-25 2017-12-20 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Wafer level package structure and production method therefor
JP4682028B2 (ja) * 2005-11-28 2011-05-11 Ｈｏｙａ株式会社 導電層の製造方法、導電層、及び、信号伝送基板
JP2007311990A (ja) * 2006-05-17 2007-11-29 Pentax Corp 通信装置
US7446017B2 (en) * 2006-05-31 2008-11-04 Freescale Semiconductor, Inc. Methods and apparatus for RF shielding in vertically-integrated semiconductor devices
US8021981B2 (en) * 2006-08-30 2011-09-20 Micron Technology, Inc. Redistribution layers for microfeature workpieces, and associated systems and methods
US7901989B2 (en) * 2006-10-10 2011-03-08 Tessera, Inc. Reconstituted wafer level stacking
US8513789B2 (en) 2006-10-10 2013-08-20 Tessera, Inc. Edge connect wafer level stacking with leads extending along edges
US7829438B2 (en) 2006-10-10 2010-11-09 Tessera, Inc. Edge connect wafer level stacking
FR2910179B1 (fr) 2006-12-19 2009-03-13 Commissariat Energie Atomique PROCEDE DE FABRICATION DE COUCHES MINCES DE GaN PAR IMPLANTATION ET RECYCLAGE D'UN SUBSTRAT DE DEPART
US7952195B2 (en) * 2006-12-28 2011-05-31 Tessera, Inc. Stacked packages with bridging traces
US7827519B2 (en) * 2006-12-29 2010-11-02 Cadence Design Systems, Inc. Method, system, and computer program product for preparing multiple layers of semiconductor substrates for electronic designs
FR2913145B1 (fr) 2007-02-22 2009-05-15 Stmicroelectronics Crolles Sas Assemblage de deux parties de circuit electronique integre
US7528492B2 (en) 2007-05-24 2009-05-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Test patterns for detecting misalignment of through-wafer vias
US8476735B2 (en) 2007-05-29 2013-07-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Programmable semiconductor interposer for electronic package and method of forming
US7939941B2 (en) * 2007-06-27 2011-05-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Formation of through via before contact processing
JP5302522B2 (ja) * 2007-07-02 2013-10-02 スパンション エルエルシー 半導体装置及びその製造方法
US7825517B2 (en) 2007-07-16 2010-11-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for packaging semiconductor dies having through-silicon vias
US8461672B2 (en) * 2007-07-27 2013-06-11 Tessera, Inc. Reconstituted wafer stack packaging with after-applied pad extensions
US8551815B2 (en) 2007-08-03 2013-10-08 Tessera, Inc. Stack packages using reconstituted wafers
US8043895B2 (en) 2007-08-09 2011-10-25 Tessera, Inc. Method of fabricating stacked assembly including plurality of stacked microelectronic elements
US7973413B2 (en) 2007-08-24 2011-07-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Through-substrate via for semiconductor device
US8044497B2 (en) * 2007-09-10 2011-10-25 Intel Corporation Stacked die package
US8350382B2 (en) * 2007-09-21 2013-01-08 Infineon Technologies Ag Semiconductor device including electronic component coupled to a backside of a chip
US8476769B2 (en) * 2007-10-17 2013-07-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Through-silicon vias and methods for forming the same
US8227902B2 (en) * 2007-11-26 2012-07-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Structures for preventing cross-talk between through-silicon vias and integrated circuits
US7588993B2 (en) 2007-12-06 2009-09-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Alignment for backside illumination sensor
US7843064B2 (en) 2007-12-21 2010-11-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Structure and process for the formation of TSVs
US8671476B2 (en) * 2008-02-05 2014-03-18 Standard Textile Co., Inc. Woven contoured bed sheet with elastomeric yarns
US8853830B2 (en) 2008-05-14 2014-10-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System, structure, and method of manufacturing a semiconductor substrate stack
CN102067310B (zh) * 2008-06-16 2013-08-21 泰塞拉公司 带有边缘触头的晶片级芯片规模封装的堆叠及其制造方法
US8288872B2 (en) 2008-08-05 2012-10-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Through silicon via layout
US8399273B2 (en) * 2008-08-18 2013-03-19 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Light-emitting diode with current-spreading region
US20100062693A1 (en) * 2008-09-05 2010-03-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Two step method and apparatus for polishing metal and other films in semiconductor manufacturing
US8278152B2 (en) * 2008-09-08 2012-10-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Bonding process for CMOS image sensor
US9524945B2 (en) 2010-05-18 2016-12-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Cu pillar bump with L-shaped non-metal sidewall protection structure
US8653648B2 (en) * 2008-10-03 2014-02-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Zigzag pattern for TSV copper adhesion
US7928534B2 (en) 2008-10-09 2011-04-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Bond pad connection to redistribution lines having tapered profiles
US8030780B2 (en) 2008-10-16 2011-10-04 Micron Technology, Inc. Semiconductor substrates with unitary vias and via terminals, and associated systems and methods
KR20100048610A (ko) 2008-10-31 2010-05-11 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 그 형성 방법
US8624360B2 (en) 2008-11-13 2014-01-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Cooling channels in 3DIC stacks
DE102009007625A1 (de) * 2008-11-14 2010-05-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verbundsubstrat für einen Halbleiterchip
US8158456B2 (en) * 2008-12-05 2012-04-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of forming stacked dies
US7989318B2 (en) 2008-12-08 2011-08-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for stacking semiconductor dies
US8513119B2 (en) * 2008-12-10 2013-08-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of forming bump structure having tapered sidewalls for stacked dies
US8736050B2 (en) 2009-09-03 2014-05-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Front side copper post joint structure for temporary bond in TSV application
US8264077B2 (en) * 2008-12-29 2012-09-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Backside metal of redistribution line with silicide layer on through-silicon via of semiconductor chips
US7910473B2 (en) * 2008-12-31 2011-03-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Through-silicon via with air gap
US20100171197A1 (en) * 2009-01-05 2010-07-08 Hung-Pin Chang Isolation Structure for Stacked Dies
US8749027B2 (en) * 2009-01-07 2014-06-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Robust TSV structure
US8399354B2 (en) 2009-01-13 2013-03-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Through-silicon via with low-K dielectric liner
US8501587B2 (en) 2009-01-13 2013-08-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Stacked integrated chips and methods of fabrication thereof
US8168529B2 (en) 2009-01-26 2012-05-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Forming seal ring in an integrated circuit die
US8314483B2 (en) 2009-01-26 2012-11-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. On-chip heat spreader
US8820728B2 (en) * 2009-02-02 2014-09-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor wafer carrier
US8704375B2 (en) * 2009-02-04 2014-04-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Barrier structures and methods for through substrate vias
US9142586B2 (en) 2009-02-24 2015-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Pad design for backside illuminated image sensor
US8531565B2 (en) 2009-02-24 2013-09-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Front side implanted guard ring structure for backside illuminated image sensor
US7932608B2 (en) * 2009-02-24 2011-04-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Through-silicon via formed with a post passivation interconnect structure
US8643149B2 (en) * 2009-03-03 2014-02-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Stress barrier structures for semiconductor chips
US8487444B2 (en) * 2009-03-06 2013-07-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Three-dimensional system-in-package architecture
EP2406821A2 (en) * 2009-03-13 2012-01-18 Tessera, Inc. Stacked microelectronic assemblies having vias extending through bond pads
US8344513B2 (en) * 2009-03-23 2013-01-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Barrier for through-silicon via
US8232140B2 (en) 2009-03-27 2012-07-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for ultra thin wafer handling and processing
US8329578B2 (en) 2009-03-27 2012-12-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Via structure and via etching process of forming the same
US8552563B2 (en) 2009-04-07 2013-10-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Three-dimensional semiconductor architecture
US8691664B2 (en) * 2009-04-20 2014-04-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Backside process for a substrate
US8759949B2 (en) * 2009-04-30 2014-06-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer backside structures having copper pillars
US8432038B2 (en) 2009-06-12 2013-04-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Through-silicon via structure and a process for forming the same
FR2947098A1 (fr) 2009-06-18 2010-12-24 Commissariat Energie Atomique Procede de transfert d'une couche mince sur un substrat cible ayant un coefficient de dilatation thermique different de celui de la couche mince
US8158489B2 (en) * 2009-06-26 2012-04-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Formation of TSV backside interconnects by modifying carrier wafers
US8871609B2 (en) * 2009-06-30 2014-10-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Thin wafer handling structure and method
US9305769B2 (en) 2009-06-30 2016-04-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Thin wafer handling method
US8247906B2 (en) 2009-07-06 2012-08-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Supplying power to integrated circuits using a grid matrix formed of through-silicon vias
US8264066B2 (en) * 2009-07-08 2012-09-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Liner formation in 3DIC structures
US8841766B2 (en) 2009-07-30 2014-09-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Cu pillar bump with non-metal sidewall protection structure
US8377816B2 (en) * 2009-07-30 2013-02-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of forming electrical connections
US8859424B2 (en) 2009-08-14 2014-10-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor wafer carrier and method of manufacturing
US8324738B2 (en) 2009-09-01 2012-12-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Self-aligned protection layer for copper post structure
US8252665B2 (en) 2009-09-14 2012-08-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Protection layer for adhesive material at wafer edge
US8791549B2 (en) 2009-09-22 2014-07-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer backside interconnect structure connected to TSVs
CN102033877A (zh) * 2009-09-27 2011-04-27 阿里巴巴集团控股有限公司 检索方法和装置
US8647925B2 (en) * 2009-10-01 2014-02-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Surface modification for handling wafer thinning process
US8264067B2 (en) * 2009-10-09 2012-09-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Through silicon via (TSV) wire bond architecture
US7969013B2 (en) * 2009-10-22 2011-06-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Through silicon via with dummy structure and method for forming the same
US8659155B2 (en) * 2009-11-05 2014-02-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Mechanisms for forming copper pillar bumps
US8283745B2 (en) * 2009-11-06 2012-10-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of fabricating backside-illuminated image sensor
US8405201B2 (en) 2009-11-09 2013-03-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Through-silicon via structure
US10297550B2 (en) 2010-02-05 2019-05-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. 3D IC architecture with interposer and interconnect structure for bonding dies
US8610270B2 (en) * 2010-02-09 2013-12-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device and semiconductor assembly with lead-free solder
US8252682B2 (en) * 2010-02-12 2012-08-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for thinning a wafer
US8237272B2 (en) * 2010-02-16 2012-08-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Conductive pillar structure for semiconductor substrate and method of manufacture
US8390009B2 (en) 2010-02-16 2013-03-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Light-emitting diode (LED) package systems
US8222139B2 (en) 2010-03-30 2012-07-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Chemical mechanical polishing (CMP) processing of through-silicon via (TSV) and contact plug simultaneously
US8466059B2 (en) 2010-03-30 2013-06-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Multi-layer interconnect structure for stacked dies
US8507940B2 (en) 2010-04-05 2013-08-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Heat dissipation by through silicon plugs
US8174124B2 (en) 2010-04-08 2012-05-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Dummy pattern in wafer backside routing
US8455995B2 (en) 2010-04-16 2013-06-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. TSVs with different sizes in interposers for bonding dies
US8519538B2 (en) 2010-04-28 2013-08-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Laser etch via formation
US9293366B2 (en) 2010-04-28 2016-03-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Through-substrate vias with improved connections
US8441124B2 (en) 2010-04-29 2013-05-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Cu pillar bump with non-metal sidewall protection structure
US8866301B2 (en) 2010-05-18 2014-10-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Package systems having interposers with interconnection structures
US9048233B2 (en) 2010-05-26 2015-06-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Package systems having interposers
US9059026B2 (en) 2010-06-01 2015-06-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. 3-D inductor and transformer
US8471358B2 (en) 2010-06-01 2013-06-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. 3D inductor and transformer
US9018758B2 (en) 2010-06-02 2015-04-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Cu pillar bump with non-metal sidewall spacer and metal top cap
US8362591B2 (en) 2010-06-08 2013-01-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Integrated circuits and methods of forming the same
US8411459B2 (en) 2010-06-10 2013-04-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Interposer-on-glass package structures
US8500182B2 (en) 2010-06-17 2013-08-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Vacuum wafer carriers for strengthening thin wafers
US8896136B2 (en) 2010-06-30 2014-11-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Alignment mark and method of formation
US8319336B2 (en) 2010-07-08 2012-11-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Reduction of etch microloading for through silicon vias
US8338939B2 (en) 2010-07-12 2012-12-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. TSV formation processes using TSV-last approach
US8999179B2 (en) 2010-07-13 2015-04-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Conductive vias in a substrate
US8722540B2 (en) 2010-07-22 2014-05-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Controlling defects in thin wafer handling
US9299594B2 (en) 2010-07-27 2016-03-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Substrate bonding system and method of modifying the same
US8674510B2 (en) 2010-07-29 2014-03-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Three-dimensional integrated circuit structure having improved power and thermal management
US8846499B2 (en) 2010-08-17 2014-09-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Composite carrier structure
US8546254B2 (en) 2010-08-19 2013-10-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Mechanisms for forming copper pillar bumps using patterned anodes
US8507358B2 (en) 2010-08-27 2013-08-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Composite wafer semiconductor
US8693163B2 (en) 2010-09-01 2014-04-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Cylindrical embedded capacitors
US8928159B2 (en) 2010-09-02 2015-01-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing & Company, Ltd. Alignment marks in substrate having through-substrate via (TSV)
US8502338B2 (en) 2010-09-09 2013-08-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Through-substrate via waveguides
US8928127B2 (en) 2010-09-24 2015-01-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Noise decoupling structure with through-substrate vias
US8525343B2 (en) 2010-09-28 2013-09-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Device with through-silicon via (TSV) and method of forming the same
US9190325B2 (en) 2010-09-30 2015-11-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. TSV formation
US8580682B2 (en) 2010-09-30 2013-11-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Cost-effective TSV formation
JP2013542599A (ja) * 2010-09-30 2013-11-21 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド 半導体ウェハを処理するための方法、半導体ウェハおよび半導体デバイス
US8836116B2 (en) 2010-10-21 2014-09-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer level packaging of micro-electro-mechanical systems (MEMS) and complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) substrates
US8519409B2 (en) 2010-11-15 2013-08-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Light emitting diode components integrated with thermoelectric devices
US8567837B2 (en) 2010-11-24 2013-10-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Reconfigurable guide pin design for centering wafers having different sizes
US9153462B2 (en) 2010-12-09 2015-10-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Spin chuck for thin wafer cleaning
US8773866B2 (en) 2010-12-10 2014-07-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Radio-frequency packaging with reduced RF loss
US8236584B1 (en) 2011-02-11 2012-08-07 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Method of forming a light emitting diode emitter substrate with highly reflective metal bonding
US9059262B2 (en) 2011-02-24 2015-06-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Integrated circuits including conductive structures through a substrate and methods of making the same
US8487410B2 (en) 2011-04-13 2013-07-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Through-silicon vias for semicondcutor substrate and method of manufacture
US8716128B2 (en) 2011-04-14 2014-05-06 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Methods of forming through silicon via openings
US8546235B2 (en) 2011-05-05 2013-10-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Integrated circuits including metal-insulator-metal capacitors and methods of forming the same
EP2717300B1 (en) 2011-05-24 2020-03-18 Sony Corporation Semiconductor device
US8674883B2 (en) 2011-05-24 2014-03-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Antenna using through-silicon via
US8900994B2 (en) 2011-06-09 2014-12-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for producing a protective structure
US8552485B2 (en) 2011-06-15 2013-10-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor structure having metal-insulator-metal capacitor structure
US8587127B2 (en) 2011-06-15 2013-11-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor structures and methods of forming the same
US8766409B2 (en) 2011-06-24 2014-07-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and structure for through-silicon via (TSV) with diffused isolation well
US8531035B2 (en) 2011-07-01 2013-09-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Interconnect barrier structure and method
US8872345B2 (en) 2011-07-07 2014-10-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Forming grounded through-silicon vias in a semiconductor substrate
US8604491B2 (en) 2011-07-21 2013-12-10 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Wafer level photonic device die structure and method of making the same
US8445296B2 (en) 2011-07-22 2013-05-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and methods for end point determination in reactive ion etching
US8809073B2 (en) 2011-08-03 2014-08-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and methods for de-embedding through substrate vias
US9159907B2 (en) 2011-08-04 2015-10-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Hybrid film for protecting MTJ stacks of MRAM
US8748284B2 (en) 2011-08-12 2014-06-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of manufacturing decoupling MIM capacitor designs for interposers
US8525278B2 (en) 2011-08-19 2013-09-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. MEMS device having chip scale packaging
US8546886B2 (en) 2011-08-24 2013-10-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Controlling the device performance by forming a stressed backside dielectric layer
US8604619B2 (en) 2011-08-31 2013-12-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Through silicon via keep out zone formation along different crystal orientations
US8803322B2 (en) 2011-10-13 2014-08-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Through substrate via structures and methods of forming the same
US8659126B2 (en) 2011-12-07 2014-02-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Integrated circuit ground shielding structure
US8610247B2 (en) 2011-12-30 2013-12-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Structure and method for a transformer with magnetic features
US9087838B2 (en) 2011-10-25 2015-07-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Structure and method for a high-K transformer with capacitive coupling
US8896089B2 (en) 2011-11-09 2014-11-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Interposers for semiconductor devices and methods of manufacture thereof
US11264262B2 (en) 2011-11-29 2022-03-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer debonding and cleaning apparatus
US10381254B2 (en) 2011-11-29 2019-08-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer debonding and cleaning apparatus and method
US9390949B2 (en) 2011-11-29 2016-07-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer debonding and cleaning apparatus and method of use
US8803316B2 (en) 2011-12-06 2014-08-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. TSV structures and methods for forming the same
US8546953B2 (en) 2011-12-13 2013-10-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Through silicon via (TSV) isolation structures for noise reduction in 3D integrated circuit
US8890293B2 (en) 2011-12-16 2014-11-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Guard ring for through vias
US8580647B2 (en) 2011-12-19 2013-11-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Inductors with through VIAS
US8618631B2 (en) 2012-02-14 2013-12-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. On-chip ferrite bead inductor
US10180547B2 (en) 2012-02-23 2019-01-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Optical bench on substrate
US9618712B2 (en) 2012-02-23 2017-04-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Optical bench on substrate and method of making the same
US9293521B2 (en) 2012-03-02 2016-03-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Concentric capacitor structure
US8860114B2 (en) 2012-03-02 2014-10-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Structure and method for a fishbone differential capacitor
US9312432B2 (en) 2012-03-13 2016-04-12 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Growing an improved P-GaN layer of an LED through pressure ramping
US9139420B2 (en) 2012-04-18 2015-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. MEMS device structure and methods of forming same
US9583365B2 (en) 2012-05-25 2017-02-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of forming interconnects for three dimensional integrated circuit
US8735219B2 (en) 2012-08-30 2014-05-27 Ziptronix, Inc. Heterogeneous annealing method and device
US9484211B2 (en) 2013-01-24 2016-11-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Etchant and etching process
US9490133B2 (en) 2013-01-24 2016-11-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Etching apparatus
US9041152B2 (en) 2013-03-14 2015-05-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Inductor with magnetic material
US10096515B2 (en) 2013-03-15 2018-10-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Interconnect structure for stacked device
US9356066B2 (en) 2013-03-15 2016-05-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Interconnect structure for stacked device and method
WO2015000527A1 (de) 2013-07-05 2015-01-08 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren zum bonden von metallischen kontaktflächen unter lösen einer auf einer der kontaktflächen aufgebrachten opferschicht in mindestens einer der kontaktflächen
US9293392B2 (en) * 2013-09-06 2016-03-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. 3DIC interconnect apparatus and method
JP6212720B2 (ja) * 2013-09-20 2017-10-18 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 半導体装置及びその製造方法
US9437572B2 (en) * 2013-12-18 2016-09-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Conductive pad structure for hybrid bonding and methods of forming same
US20150262902A1 (en) 2014-03-12 2015-09-17 Invensas Corporation Integrated circuits protected by substrates with cavities, and methods of manufacture
US9786613B2 (en) 2014-08-07 2017-10-10 Qualcomm Incorporated EMI shield for high frequency layer transferred devices
US11069734B2 (en) 2014-12-11 2021-07-20 Invensas Corporation Image sensor device
US9741620B2 (en) 2015-06-24 2017-08-22 Invensas Corporation Structures and methods for reliable packages
US10886250B2 (en) 2015-07-10 2021-01-05 Invensas Corporation Structures and methods for low temperature bonding using nanoparticles
US9852988B2 (en) 2015-12-18 2017-12-26 Invensas Bonding Technologies, Inc. Increased contact alignment tolerance for direct bonding
US10446532B2 (en) 2016-01-13 2019-10-15 Invensas Bonding Technologies, Inc. Systems and methods for efficient transfer of semiconductor elements
US10204893B2 (en) 2016-05-19 2019-02-12 Invensas Bonding Technologies, Inc. Stacked dies and methods for forming bonded structures
KR102555408B1 (ko) * 2016-06-30 2023-07-13 엘지디스플레이 주식회사 비표시 영역으로 연장하는 신호 배선들을 포함하는 디스플레이 장치
US10446487B2 (en) 2016-09-30 2019-10-15 Invensas Bonding Technologies, Inc. Interface structures and methods for forming same
US10580735B2 (en) 2016-10-07 2020-03-03 Xcelsis Corporation Stacked IC structure with system level wiring on multiple sides of the IC die
TWI822659B (zh) 2016-10-27 2023-11-21 美商艾德亞半導體科技有限責任公司 用於低溫接合的結構和方法
US10002844B1 (en) 2016-12-21 2018-06-19 Invensas Bonding Technologies, Inc. Bonded structures
US10796936B2 (en) 2016-12-22 2020-10-06 Invensas Bonding Technologies, Inc. Die tray with channels
CN110178212B (zh) 2016-12-28 2024-01-09 艾德亚半导体接合科技有限公司 堆栈基板的处理
US20180182665A1 (en) 2016-12-28 2018-06-28 Invensas Bonding Technologies, Inc. Processed Substrate
KR20230156179A (ko) 2016-12-29 2023-11-13 아데이아 세미컨덕터 본딩 테크놀로지스 인코포레이티드 집적된 수동 컴포넌트를 구비한 접합된 구조체
TWI738947B (zh) 2017-02-09 2021-09-11 美商英帆薩斯邦德科技有限公司 接合結構與形成接合結構的方法
WO2018169968A1 (en) 2017-03-16 2018-09-20 Invensas Corporation Direct-bonded led arrays and applications
US10515913B2 (en) 2017-03-17 2019-12-24 Invensas Bonding Technologies, Inc. Multi-metal contact structure
US10508030B2 (en) 2017-03-21 2019-12-17 Invensas Bonding Technologies, Inc. Seal for microelectronic assembly
JP2018163970A (ja) 2017-03-24 2018-10-18 東芝メモリ株式会社 半導体装置及びその製造方法
US10784191B2 (en) 2017-03-31 2020-09-22 Invensas Bonding Technologies, Inc. Interface structures and methods for forming same
US10269756B2 (en) 2017-04-21 2019-04-23 Invensas Bonding Technologies, Inc. Die processing
US10529634B2 (en) 2017-05-11 2020-01-07 Invensas Bonding Technologies, Inc. Probe methodology for ultrafine pitch interconnects
US10879212B2 (en) 2017-05-11 2020-12-29 Invensas Bonding Technologies, Inc. Processed stacked dies
IT201700053902A1 (it) 2017-05-18 2018-11-18 Lfoundry Srl Metodo di bonding ibrido per wafer a semiconduttore e relativo dispositivo integrato tridimensionale
US10446441B2 (en) 2017-06-05 2019-10-15 Invensas Corporation Flat metal features for microelectronics applications
US10217720B2 (en) 2017-06-15 2019-02-26 Invensas Corporation Multi-chip modules formed using wafer-level processing of a reconstitute wafer
US11195748B2 (en) 2017-09-27 2021-12-07 Invensas Corporation Interconnect structures and methods for forming same
US11031285B2 (en) 2017-10-06 2021-06-08 Invensas Bonding Technologies, Inc. Diffusion barrier collar for interconnects
US10658313B2 (en) 2017-12-11 2020-05-19 Invensas Bonding Technologies, Inc. Selective recess
CN109911839B (zh) * 2017-12-12 2023-10-13 中国科学院半导体研究所 能抑制光噪声的微电极、采用其的电路及其制备方法
US11011503B2 (en) 2017-12-15 2021-05-18 Invensas Bonding Technologies, Inc. Direct-bonded optoelectronic interconnect for high-density integrated photonics
US10923408B2 (en) 2017-12-22 2021-02-16 Invensas Bonding Technologies, Inc. Cavity packages
US11380597B2 (en) 2017-12-22 2022-07-05 Invensas Bonding Technologies, Inc. Bonded structures
US10727219B2 (en) 2018-02-15 2020-07-28 Invensas Bonding Technologies, Inc. Techniques for processing devices
US11169326B2 (en) 2018-02-26 2021-11-09 Invensas Bonding Technologies, Inc. Integrated optical waveguides, direct-bonded waveguide interface joints, optical routing and interconnects
US11256004B2 (en) 2018-03-20 2022-02-22 Invensas Bonding Technologies, Inc. Direct-bonded lamination for improved image clarity in optical devices
US11244916B2 (en) 2018-04-11 2022-02-08 Invensas Bonding Technologies, Inc. Low temperature bonded structures
US10790262B2 (en) 2018-04-11 2020-09-29 Invensas Bonding Technologies, Inc. Low temperature bonded structures
US10964664B2 (en) 2018-04-20 2021-03-30 Invensas Bonding Technologies, Inc. DBI to Si bonding for simplified handle wafer
US11004757B2 (en) 2018-05-14 2021-05-11 Invensas Bonding Technologies, Inc. Bonded structures
US11276676B2 (en) 2018-05-15 2022-03-15 Invensas Bonding Technologies, Inc. Stacked devices and methods of fabrication
CN112514059B (zh) 2018-06-12 2024-05-24 隔热半导体粘合技术公司 堆叠微电子部件的层间连接
FR3082656B1 (fr) 2018-06-18 2022-02-04 Commissariat Energie Atomique Circuit integre comprenant des macros et son procede de fabrication
US10910344B2 (en) 2018-06-22 2021-02-02 Xcelsis Corporation Systems and methods for releveled bump planes for chiplets
US11664357B2 (en) 2018-07-03 2023-05-30 Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Techniques for joining dissimilar materials in microelectronics
US11158606B2 (en) 2018-07-06 2021-10-26 Invensas Bonding Technologies, Inc. Molded direct bonded and interconnected stack
US11462419B2 (en) 2018-07-06 2022-10-04 Invensas Bonding Technologies, Inc. Microelectronic assemblies
US11515291B2 (en) 2018-08-28 2022-11-29 Adeia Semiconductor Inc. Integrated voltage regulator and passive components
US20200075533A1 (en) 2018-08-29 2020-03-05 Invensas Bonding Technologies, Inc. Bond enhancement in microelectronics by trapping contaminants and arresting cracks during direct-bonding processes
US11244920B2 (en) 2018-12-18 2022-02-08 Invensas Bonding Technologies, Inc. Method and structures for low temperature device bonding
WO2020150159A1 (en) 2019-01-14 2020-07-23 Invensas Bonding Technologies, Inc. Bonded structures
US11901281B2 (en) 2019-03-11 2024-02-13 Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Bonded structures with integrated passive component
JP2020150079A (ja) * 2019-03-12 2020-09-17 キオクシア株式会社 半導体記憶装置およびその製造方法
US10854578B2 (en) 2019-03-29 2020-12-01 Invensas Corporation Diffused bitline replacement in stacked wafer memory
US11373963B2 (en) 2019-04-12 2022-06-28 Invensas Bonding Technologies, Inc. Protective elements for bonded structures
US11205625B2 (en) 2019-04-12 2021-12-21 Invensas Bonding Technologies, Inc. Wafer-level bonding of obstructive elements
US11610846B2 (en) 2019-04-12 2023-03-21 Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Protective elements for bonded structures including an obstructive element
US11355404B2 (en) 2019-04-22 2022-06-07 Invensas Bonding Technologies, Inc. Mitigating surface damage of probe pads in preparation for direct bonding of a substrate
US11385278B2 (en) 2019-05-23 2022-07-12 Invensas Bonding Technologies, Inc. Security circuitry for bonded structures
US11296053B2 (en) 2019-06-26 2022-04-05 Invensas Bonding Technologies, Inc. Direct bonded stack structures for increased reliability and improved yield in microelectronics
US11862602B2 (en) 2019-11-07 2024-01-02 Adeia Semiconductor Technologies Llc Scalable architecture for reduced cycles across SOC
US11762200B2 (en) 2019-12-17 2023-09-19 Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Bonded optical devices
US11876076B2 (en) 2019-12-20 2024-01-16 Adeia Semiconductor Technologies Llc Apparatus for non-volatile random access memory stacks
WO2021133741A1 (en) 2019-12-23 2021-07-01 Invensas Bonding Technologies, Inc. Electrical redundancy for bonded structures
US11721653B2 (en) 2019-12-23 2023-08-08 Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Circuitry for electrical redundancy in bonded structures
US11742314B2 (en) 2020-03-31 2023-08-29 Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Reliable hybrid bonded apparatus
US11735523B2 (en) 2020-05-19 2023-08-22 Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Laterally unconfined structure
US11631647B2 (en) 2020-06-30 2023-04-18 Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Integrated device packages with integrated device die and dummy element
US11764177B2 (en) 2020-09-04 2023-09-19 Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Bonded structure with interconnect structure
US11728273B2 (en) 2020-09-04 2023-08-15 Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Bonded structure with interconnect structure
US11990448B2 (en) 2020-09-18 2024-05-21 Intel Corporation Direct bonding in microelectronic assemblies
US20220093492A1 (en) * 2020-09-18 2022-03-24 Intel Corporation Direct bonding in microelectronic assemblies

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4829018A (en) * 1986-06-27 1989-05-09 Wahlstrom Sven E Multilevel integrated circuits employing fused oxide layers
JPH0391227A (ja) * 1989-09-01 1991-04-16 Nippon Soken Inc 半導体基板の接着方法
JPH0547767A (ja) * 1991-08-19 1993-02-26 Yamaha Corp 集積回路装置の配線構造
JPH0547943A (ja) * 1991-08-19 1993-02-26 Seiko Epson Corp 半導体集積装置
JPH05121283A (ja) * 1991-10-24 1993-05-18 Sony Corp 半導体装置の製造方法
EP0610709B1 (de) * 1993-02-11 1998-06-10 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Herstellung einer dreidimensionalen Schaltungsanordnung
JPH10502493A (ja) * 1994-07-05 1998-03-03 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト 三次元回路装置の製造方法
US6423571B2 (en) * 1994-09-20 2002-07-23 Hitachi, Ltd. Method of making a semiconductor device having a stress relieving mechanism
DE59510543D1 (de) * 1994-11-17 2003-03-06 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Befestigung eines ersten Substrates auf einem zweiten Substrat und Verwendung des Verfahrens zur Herstellung einer dreidimensionalen Schaltungsanordnung
JPH1083980A (ja) * 1996-09-06 1998-03-31 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
US6097096A (en) * 1997-07-11 2000-08-01 Advanced Micro Devices Metal attachment method and structure for attaching substrates at low temperatures

Cited By (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10302603B4 (de) * 2002-01-24 2017-04-13 Kanji Otsuka Schaltungsstruktur mit einer in einem Chip angeordneten Treiberschaltung und einer Strom / Masse-Leitung
US8524533B2 (en) 2003-02-07 2013-09-03 Ziptronix, Inc. Room temperature metal direct bonding
US10141218B2 (en) 2003-02-07 2018-11-27 Invensas Bonding Technologies, Inc. Room temperature metal direct bonding
US9385024B2 (en) 2003-02-07 2016-07-05 Ziptronix, Inc. Room temperature metal direct bonding
JP2015164190A (ja) * 2003-02-07 2015-09-10 ジプトロニクス・インコーポレイテッド 室温金属直接ボンディング
US8846450B2 (en) 2003-02-07 2014-09-30 Ziptronix, Inc. Room temperature metal direct bonding
JP2006517344A (ja) * 2003-02-07 2006-07-20 ジプトロニクス・インコーポレイテッド 室温金属直接ボンディング
JP2007535158A (ja) * 2004-04-27 2007-11-29 エス．オー．アイ．テック、シリコン、オン、インシュレター、テクノロジーズ チップおよび関連する支持体を製作する方法
JP4782107B2 (ja) * 2004-04-27 2011-09-28 エス．オー．アイ．テック、シリコン、オン、インシュレター、テクノロジーズ チップおよび関連する支持体を製作する方法
JP2016106420A (ja) * 2005-08-11 2016-06-16 ジプトロニクス・インコーポレイテッド ３ｄｉｃ方法および装置
US11289372B2 (en) 2005-08-11 2022-03-29 Invensas Bonding Technologies, Inc. 3D IC method and device
US9716033B2 (en) 2005-08-11 2017-07-25 Ziptronix, Inc. 3D IC method and device
US11011418B2 (en) 2005-08-11 2021-05-18 Invensas Bonding Technologies, Inc. 3D IC method and device
US11515202B2 (en) 2005-08-11 2022-11-29 Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. 3D IC method and device
US10147641B2 (en) 2005-08-11 2018-12-04 Invensas Bonding Technologies, Inc. 3D IC method and device
JP2008227447A (ja) * 2007-03-09 2008-09-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd 半導体構造の製造方法
US8513810B2 (en) 2008-07-31 2013-08-20 Nec Corporation Semiconductor device and method of manufacturing same
JP2010153799A (ja) * 2008-12-24 2010-07-08 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 冷却機構を含む接合型半導体構造体とその形成方法
JP2013526029A (ja) * 2010-05-18 2013-06-20 コアレイズ オーワイ レーザ光を用いた基板の封止および接触の方法ならびに電子モジュール
US10847558B2 (en) 2010-06-30 2020-11-24 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state imaging apparatus and method for manufacturing the solid-state imaging apparatus having sealing portion disposed in bonded members
JP2022132369A (ja) * 2010-06-30 2022-09-08 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP2020191467A (ja) * 2010-06-30 2020-11-26 キヤノン株式会社 固体撮像装置
US9972650B2 (en) 2010-06-30 2018-05-15 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state imaging apparatus and method for manufacturing the solid-state imaging apparatus having sealing portion disposed in bonded members
JP2012033894A (ja) * 2010-06-30 2012-02-16 Canon Inc 固体撮像装置
JP2012038951A (ja) * 2010-08-09 2012-02-23 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置、半導体回路基板および半導体回路基板の製造方法
CN102376664A (zh) * 2010-08-09 2012-03-14 三菱电机株式会社 半导体装置、半导体电路基板以及半导体电路基板的制造方法
US9136304B2 (en) 2010-10-27 2015-09-15 Sony Corporation Solid-state imaging device, semiconductor device, manufacturing methods thereof, and electronic apparatus
JP2012094720A (ja) * 2010-10-27 2012-05-17 Sony Corp 固体撮像装置、半導体装置、固体撮像装置の製造方法、半導体装置の製造方法、及び電子機器
US8778773B2 (en) 2010-12-16 2014-07-15 Soitec Methods for directly bonding together semiconductor structures, and bonded semiconductor structures formed using such methods
JP2012129521A (ja) * 2010-12-16 2012-07-05 Soytec 半導体構造同士を直接結合する方法、およびこの方法を使用して形成された結合された半導体構造
KR20210107592A (ko) 2011-07-05 2021-09-01 소니그룹주식회사 반도체 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 전자 기기
US11569123B2 (en) 2011-07-05 2023-01-31 Sony Corporation Semiconductor device, fabrication method for a semiconductor device and electronic apparatus
KR20200070189A (ko) 2011-07-05 2020-06-17 소니 주식회사 반도체 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 전자 기기
US8896125B2 (en) 2011-07-05 2014-11-25 Sony Corporation Semiconductor device, fabrication method for a semiconductor device and electronic apparatus
KR20220126271A (ko) 2011-07-05 2022-09-15 소니그룹주식회사 반도체 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 전자 장치
KR20190071647A (ko) 2011-07-05 2019-06-24 소니 주식회사 반도체 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 전자 기기
KR20130007972A (ko) 2011-07-05 2013-01-21 소니 주식회사 반도체 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 전자 기기
KR20140115948A (ko) 2013-03-22 2014-10-01 소니 주식회사 반도체 장치 및 제조 방법
US9190275B2 (en) 2013-03-22 2015-11-17 Sony Corporation Bonding substrates with electrical connection through insulating film
JP7095013B2 (ja) 2014-10-08 2022-07-04 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体装置および製造方法、並びに、電子機器
JP2020123731A (ja) * 2014-10-08 2020-08-13 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体装置および製造方法、並びに、電子機器
KR20230010002A (ko) 2015-03-03 2023-01-17 소니그룹주식회사 반도체 장치 및 전자 기기
KR20170121167A (ko) 2015-03-03 2017-11-01 소니 주식회사 반도체 장치 및 전자 기기
US11830838B2 (en) 2015-08-25 2023-11-28 Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Conductive barrier direct hybrid bonding
US11264345B2 (en) 2015-08-25 2022-03-01 Invensas Bonding Technologies, Inc. Conductive barrier direct hybrid bonding
US9953941B2 (en) 2015-08-25 2018-04-24 Invensas Bonding Technologies, Inc. Conductive barrier direct hybrid bonding
US10262963B2 (en) 2015-08-25 2019-04-16 Invensas Bonding Technologies, Inc. Conductive barrier direct hybrid bonding
JP2017117828A (ja) * 2015-12-21 2017-06-29 ソニー株式会社 固体撮像素子および電子装置
US10917602B2 (en) 2015-12-21 2021-02-09 Sony Corporation Stacked imaging device with Cu-Cu bonding portion
US11552041B2 (en) 2017-09-24 2023-01-10 Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Chemical mechanical polishing for hybrid bonding
US10840205B2 (en) 2017-09-24 2020-11-17 Invensas Bonding Technologies, Inc. Chemical mechanical polishing for hybrid bonding
US11804377B2 (en) 2018-04-05 2023-10-31 Adeia Semiconductor Bonding Technologies, Inc. Method for preparing a surface for direct-bonding
US11393779B2 (en) 2018-06-13 2022-07-19 Invensas Bonding Technologies, Inc. Large metal pads over TSV
US11728313B2 (en) 2018-06-13 2023-08-15 Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Offset pads over TSV
US11749645B2 (en) 2018-06-13 2023-09-05 Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. TSV as pad
US11955445B2 (en) 2018-06-13 2024-04-09 Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Metal pads over TSV
US11011494B2 (en) 2018-08-31 2021-05-18 Invensas Bonding Technologies, Inc. Layer structures for making direct metal-to-metal bonds at low temperatures in microelectronics
US11158573B2 (en) 2018-10-22 2021-10-26 Invensas Bonding Technologies, Inc. Interconnect structures
US11756880B2 (en) 2018-10-22 2023-09-12 Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Interconnect structures
US11929347B2 (en) 2020-10-20 2024-03-12 Adeia Semiconductor Technologies Llc Mixed exposure for large die

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