DE60316759T2 - Epoxy-polysiloxanharzzusammensetzungen, damit eingekapselte Halbleitereinrichtungen und Verfahren - Google Patents

Epoxy-polysiloxanharzzusammensetzungen, damit eingekapselte Halbleitereinrichtungen und Verfahren Download PDF

Info

Publication number
DE60316759T2
DE60316759T2 DE2003616759 DE60316759T DE60316759T2 DE 60316759 T2 DE60316759 T2 DE 60316759T2 DE 2003616759 DE2003616759 DE 2003616759 DE 60316759 T DE60316759 T DE 60316759T DE 60316759 T2 DE60316759 T2 DE 60316759T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
epoxy
present
component
epoxy resin
siloxane
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE2003616759
Other languages
English (en)
Other versions
DE60316759D1 (de
Inventor
Thomas Bert Gorczyca
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
General Electric Co
Original Assignee
General Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by General Electric Co filed Critical General Electric Co
Publication of DE60316759D1 publication Critical patent/DE60316759D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE60316759T2 publication Critical patent/DE60316759T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/42—Polycarboxylic acids; Anhydrides, halides or low molecular weight esters thereof
    • C08G59/4284—Polycarboxylic acids; Anhydrides, halides or low molecular weight esters thereof together with other curing agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/045—Polysiloxanes containing less than 25 silicon atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/12—Polysiloxanes containing silicon bound to hydrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/14—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • C08G77/16—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups to hydroxyl groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/14—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • C08G77/18—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups to alkoxy or aryloxy groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/20—Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/70—Siloxanes defined by use of the MDTQ nomenclature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
    • H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31511—Of epoxy ether
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31652—Of asbestos
    • Y10T428/31663—As siloxane, silicone or silane

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

  • Diese Erfindung betrifft Epoxyharz-Zusammensetzungen und damit eingekapselte Festkörper-Bauelemente. Diese Erfindung betrifft außerdem eine Methode zum Einkapseln eines Festkörper-Bauelements.
  • Festkörper-Bauelemente, manchmal auch als Halbleiter-Bauelemente oder optoelektronische Bauelemente bezeichnet, umfassen lichtemittierende Dioden (LEDs), ladungsgekoppelte Bauelemente (CCDs), Bauelemente mit Großintegration (Large Scale Integrations – LSIs), Photodioden, Vertical Cavity Surface Emitting Lasers (VCSELs), Phototransistoren, Photokuppler, optoelektronische Kuppler und ähnliches. Solche Bauelemente zeigen oftmals spezielle Erfordernisse bei der Verpackung. Hocheffiziente weiße Festkörper-LEDs mit hoher Lumenzahl erfordern ein neuartiges Verpackungsmaterial, das anspruchsvolleren Bedingungen standhalten kann als solchen, die für typische längerwellige LEDs von geringer Intensität erforderlich sind. Die herkömmlichen Verpackungsmaterialien werden oftmals einen graduellen Verlust der optischen und mechanischen Eigenschaften aufgrund einer Kombination von Wärme-, Oxidations- und Photoabbau-Prozessen erfahren.
  • Daher besteht ein fortgesetzter Bedarf an neuartigen Verpackungsmaterialien für Festkörper-Bauelemente, wobei solche Verpackungsmaterialien erwünschterweise Eigenschaften besitzen, wie etwa eine hohe Transmission in einem Wellenlängenbereich von nahem UV-Licht bis zu sichtbarem Licht, eine langfristige Wärmebeständigkeit, Oxidationsstabilität, UV-Stabilität, thermische Komplianz, Feuchtigkeitsbeständigkeit, Transparenz, Bruchfestigkeit, Eigenschaften der Polierbarkeit, Verträglichkeit mit anderen Materialien, die zur Umhüllung des Festkörper-Bauelements bei geringer Farbgebung verwendet werden, und hoher Reflektionsindex.
  • Die vorliegenden Erfinder haben härtbare Harzzusammensetzungen entdeckt, die für die Einkapselung von Festkörper-Bauelementen, wie etwa lichtemittierenden Dioden, ideal geeignet sind.
  • Gemäß eines ersten Aspekts der Erfindung wird eine härtbare Epoxyharz-Zusammensetzung zum Einkapseln eines Festkörper-Bauelements bereitgestellt, welches umfasst (A) ein Silikonharz, umfassend ein Silikonharz mit funktionellen Hydroxylgruppen, (B) ein Epoxyharz, umfassend ein Bisphenol A-Epoxyharz, (C) ein Anhydrid-Härtungsmittel, umfassend Hexahydro-4-methylphthalsäureanhydrid, (D) ein oberflächenaktives Siloxan, umfassend ein Siloxan mit funktionellen Ethylenoxidgruppen, und (E) einen Zinkoctoat-Hilfshärtungskatalysator, worin Komponente (A) in einer Menge von mehr als 40 Gew.-% vorhanden ist; Komponente (B) in einer Menge in einem Bereich von zwischen 1 Gew.-% und 20 Gew.-% vorhanden ist; Komponente (C) in einer Menge von weniger als 40 Gew.-% vorhanden ist; und Komponenten (D) und (E) in einer Menge in einem Bereich von zwischen 0,008 Gew.-% und 10 Gew.-% vorhanden sind, bezogen auf das kombinierte Gewicht von Silikonharz (A), Epoxyharz (B), Anhydrid-Härtungsmittel (C), oberflächenaktivem Siloxan (D) und Hilfshärtungskatalysator (E).
  • Gemäß eines zweiten Aspekts der Erfindung wird eine Methode zum Einkapseln eines LED (1)-Bauelements bereitgestellt, umfassend: Anordnen eines LED (1)-Bauelements in einer Verpackung und Bereitstellen eines Mittels (11) zum Einkapseln, umfassend: (A) ein Silikonharz, umfassend ein Silikonharz mit funktionellen Hydroxylgruppen, (B) ein Epoxyharz, umfassend Bisphenol F, (C) ein Anhydrid-Härtungsmittel, umfassend Hexahydro-4-methylphthalsäureanhydrid, (D) ein oberflächenaktives Siloxan, umfassend ein Siloxan mit funktionellen Ethylenoxidgruppen, und (E) einen Hilfshärtungskatalysator, umfassend Zinkoctoat, worin Komponente (A) in einer Menge von mehr als 40 Gew.-% vorhanden ist; Komponente (B) in einer Menge in einem Bereich von zwischen 1 Gew.-% und 20 Gew.-% vorhanden ist; Komponente (C) in einer Menge von weniger als 40 Gew.-% vorhanden ist; und Komponenten (D) und (E) in einer Menge in einem Bereich von zwischen 0,008 Gew.-% und 10 Gew.-% vorhanden sind, bezogen auf das kombinierte Gewicht von Silikonharz (A), Epoxyharz (B), Anhydrid-Härtungsmittel (C), oberflächenaktivem Siloxan (D) und Hilfshärtungskatalysator (E).
  • Die Erfindung wird nun in größerer Ausführlichkeit anhand von Beispielen unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben werden, bei denen:
  • 1 ein schematisches Diagramm eines LED-Bauelements zeigt.
  • 2 ein schematisches Diagramm eines Vertical Cavity Surface Emitting Laser-Bauelements zeigt.
  • 3 ein schematisches Diagramm eines LED-Arrays auf einem Kunststoffsubstrat zeigt.
  • 4 die UV-VIS-nahes IR-Transmissionsdaten für ein Silikon-enthaltende Epoxymischungen zeigt.
  • 5 die UV-VIS-Absorptionsspektren für Silikon-enthaltende Epoxymischungen zeigt.
  • 6 den Brechungsindex gegen die Wellenlängendaten für Silikon-enthaltende Epoxymischungen zeigt.
  • Die Erfinder der vorliegenden Erfindung haben festgestellt, dass es unter Verwendung von oberflächenaktiven Siloxanen möglich ist, Silikonharze mit Epoxyharzen zu kompatibilisieren, um ein Mittel zum Einkapseln für ein Festkörper-Bauelement herzustellen, das Klarheit, optimale Glasübergangseigenschaften, die gewünschten Wärmeausdehnungseigenschaften, Feuchtigkeitsbeständigkeit, Brechungsindex-Werte als auch Transmissionseigenschaften bei bestimmten Wellenlängen aufweist. Die Zusammensetzung zum Einkapseln umfasst (A) mindestens ein Silikonharz, (B) mindestens ein Epoxyharz, (C) mindestens ein Anhydrid-Härtungsmittel (D) mindestens ein oberflächenaktives Siloxan und (E) mindestens einen Hilfshärtungskatalysator. Beschichtungen unter Verwendung dieser Zusammensetzungen zum Einkapseln bieten eine Beständigkeit gegen Durchfeuchtung als auch Wärmebeständigkeit. Die erhaltene Zusammensetzung kann auch in Form von Klebstoffen und Dielektrika für die Fertigung von Multichip-Modulen verwendet werden. Der Klebstoff wird zur Anbringung von Chips auf einem Substrat oder Flex, als ein Klebstoff zum Laminieren eines dielektrischen Films, wie etwa Kapton, und als eine dielektrische oder Oberflächenschicht, die eine feuchtigkeitsbeständige und abriebsfeste Schutzschicht bildet, verwendet. Die erhaltenen Formulierungen können auch als einkapselnde Mittel zum Einbetten von Bauelementen in der Fertigung von Multichip-Modulen verwendet werden.
  • Silikonharze, die als Komponente (A) in der vorliegenden Erfindung nützlich sind, umfassen solche, die durch die nachstehende Struktur (I) gegeben sind.
  • Figure 00040001
  • Bei einigen Ausführungsformen umfassen die Silikonharze das Silikonharz der Struktur (I), worin z typischerweise in einem Bereich von zwischen 1 und 10, und typischererweise in einem Bereich von zwischen 2 und 5, liegt; R ausgewählt ist aus Hydroxyl, C1-22-Alkyl, C1-22-Alkoxy, C2-22-Alkenyl, C6-14-Aryl, C6-22-Alkyl-substituiertem Aryl und C6-22-Aralkyl. Außerdem kann das Silikonharz eine verzweigte Struktur sein, bei der R ein OSiR3-Substituent sein kann, worin R3 Hydroxyl, C1-22-Alkyl, C1-22-Alkoxy, C2-22-Alkenyl, C6-14-Aryl, C6-22-Alkyl-substituiertes Aryl und C6-22-Aralkyl sein kann.
  • Zu Epoxyharzen (B), die in dem Mittel zum Einkapseln der vorliegenden Erfindung nützlich sind, zählen solche, die beschrieben sind in "Chemistry and Technology of the Epoxy Resins,", B. Ellis (Hrsg.), Chapman Hill 1993, New York und "Epoxy Resins Chemistry and Technology," C. May und Y. Tanaka, Marcell Dekker 1972, New York. Zu Epoxyharzen, die für die vorliegende Erfindung verwendet werden können, zählen solche, die durch Reagieren einer Hydroxyl-, Carboxyl- oder Aminenthaltenden Verbindung mit Epichlorhydrin, vorzugsweise in der Gegenwart eines basischen Katalysators, wie etwa eines Metallhydroxids, zum Beispiel Natriumhydroxid, hergestellt werden könnten. Ebenfalls umfasst sind Epoxyharze, die durch Reagieren einer Verbindung, die mindestens eine und vorzugsweise zwei oder mehrere Kohlenstoff-Kohlenstoff-Doppelbindungen enthält, mit einem Peroxid, zum Beispiel einer Peroxysäure, hergestellt werden. Zu Beispielen der Epoxyharze, die bei der vorliegenden Erfindung nützlich sind, zählen aliphatische Epoxyharze, cycloaliphatische Epoxyharze, Bisphenol-A-Epoxyharze, Bisphenol-F-Epoxyharze, Phenolnovo-lac-Epoxyharze, Cresolnovolac-Epoxyharze, Biphenyl-Epoxyharze, Biphenyl-Epoxyharze, 4,4'-Biphenyl-Epoxyharze, polyfunktionelle Epoxyharze, Divinylbenzoldioxid und 2-Glycidylphenylglycidylether. Diese Epoxyharze können einzeln oder in einer Kombination aus mindestens zwei Epoxyharzen verwendet werden. Bevorzugte Epoxyharze für die vorliegende Erfindung sind cycloaliphatische Epoxyharze und aliphatische Epoxyharze. Zu aliphatischen Epoxyharzen zählen Verbindungen, die mindestens eine aliphatische Gruppe und mindestens eine Epoxygruppe enthalten. Zu Beispielen der aliphatischen Epoxies zählen Butadiendioxid, Dimethylpentandioxid, Diglycidylether, 1,4-Butandioldiglycidylether, Diethylenglykoldiglycidylether und Dipentendioxid.
  • Cyloaliphatische Epoxyharze sind Verbindungen, die mindestens eine cycloaliphatische Gruppe und mindestens eine Oxirangruppe enthalten. Zum Beispiel können cycloaliphatische Epoxies eine cycloaliphatische Gruppe und mindestens zwei Oxiranringe pro Molekül enthalten. Zu spezifischen Beispielen zählen 2-(3,4-Epoxy)-cyclohexyl-5,5-spiro-(3,4-epoxy)cyclohexan-m-dioxan, 3,4-Epoxycyclohexylalkyl-3,4-epoxycyclohexancarboxylat, 3,4-Epoxy-6-methylcyclohexylmethyl-3,4-epoxy-6-methylcyclohexancarboxylat, Vinylcyclohexandioxid, Bis(3,4-epoxycyclohexylmethyl)adipat, Bis(3,4-epoxy-6-methylcyclohexylmethyl)adipat, exo-exo-Bis(2,3-epoxycyclopentyl)ether, endo-exo-Bis(2,3-epoxycyclopentyl)ether, 2,2-Bis(4-(2,3-epoxypropoxy)cyclohexyl)propan, 2,6-Bis(2,3-epoxypropoxycyclohexyl-p-dioxan), 2,6-Bis(2,3-epoxypropoxy)norbonen, der Diglycidylether von Linolsäuredimer, Limonendioxid, 2,2-Bis(3,4-epoxycyclohexyl)propan, Dicyclopentadiendioxid, 1,2-Epoxy-6-(2,3-epoxypropoxy)hexahydro-4,7-methanoindan, p-(2,3-Epoxy)cyclopentylphenyl-2,3-epoxypropylether, 1-(2,3-Epoxypropoxy)phenyl-5,6-epoxyhexahydro-4,7-methanoindan, o-(2,3-Epoxy)cyclopentylphenyl-2,3-epoxypropylether, 1,2-Bis[5-(1,2-epoxy)-4,7-hexahydromethanoindanoxyl]ethan, Cyclopentenylphenylglycidylether, Cyclohexandioldiglycidylether und Diglycidylhexahydrophthalat.
  • Zu weiteren Beispielen der Epoxyharze (B) der vorliegenden Erfindung zählen solche der nachstehend angegebenen Struktur (II), (III), (IV) und (V).
  • Figure 00060001
  • Additive, wie etwa Wärmestabilisatoren oder Antioxidantien, können mit den aromatischen Epoxyharzen zur Verminderung einer Entfärbung verwendet werden. Flexibilisatoren sind in der Zusammensetzung zur Verminderung der Brüchigkeit nützlich und umfassen aliphatische Epoxyharze, Siloxanharze und ähnliches.
  • Zu Beispielen der Anhydrid-Härtungsmittel, die als Komponente (C) nützlich sind, zählen typischerweise solche der nachstehenden Strukturen (VI) und (VII)
    Figure 00070001
    und Bicyclo[2.2.1]hept-5-en-2,3-dicarboxylanhydrid, Methylbicyclo[2.2.1]hept-5-en-2,3-dicarboxylanhydrid, Bicyclo[2.2.1]hept-5-en-2,3-dicarboxylanhydrid, Phthalsäureanhydrid, Pyromellitdianhydrid, Hexahydrophthalsäureanhydrid, Hexahydro-4-methylphthalsäureanhydrid, Dodecenylsuccinanhydrid, Dichlormaleinanhydrid, Chlorendicanhydrid, Tetrachlorphthalsäureanhydrid und dergleichen. Gemische, die mindestens zwei Anhydrid-Härungsmittel umfassen, können ebenfalls verwendet werden. Anschauliche Beispiele sind beschrieben in "Chemistry and Technology of the Epoxy Resins", B. Ellis (Hrsg.) Chapman Hill, New York, 1993, und in "Epoxy Resins Chemistry and Technology", herausgegeben von C. A. May, Marcel Dekker, New York, 2. Auflage, 1988.
  • Die Erfinder haben festgestellt, dass es unter Verwendung von oberflächenaktiven Siloxanen (D) möglich ist, verschiedene Komponenten in einer Zusammensetzung zum Einkapseln zu vermengen, was zu Homogenität, Klarheit, gering streuenden Eigenschaften, Feuchtigkeitsbeständigkeit und Flexibilität führt und außerdem die Zusammensetzung bruchfest macht. Oberflächenaktive Siloxane werden zum Kompatibilisieren der verschiedenen, bei der vorliegenden Erfindung verwendeten Materialien verwendet. Oberflächenaktive Siloxane können zum Kompatibilisieren eines inkompatiblen Materials in eine homogene Phase (d. h. gleichförmige Phase) durch eine Herabsetzung der Grenzflächenspannung zum Erhalt erwünschter und erforderlicher Eigenschaften verwendet werden. Zum Beispiel kann das Silikonharz mit dem Epoxyharz unter Verwendung eines oberflächenaktiven Siloxans kompatibilisiert werden. Die bei der vorliegenden Erfindung verwendeten oberflächenaktiven Siloxane können mit Polyethylenglykol, Polypropylenglykol, Polypropylenglykolethern und substituierten Siloxan-Polymeren funktionalisiert werden. Die oberflächenaktiven Siloxane können einzeln oder in einer Kombination davon verwendet werden. Die oberflächenaktiven Siloxane der vorliegenden Erfindung können zum Kompatibilisieren des Silikonharzes mit dem Epoxyharz, Härtungsmitteln und optionalen Brechungsindex-Modifikatoren und Wärmestabilisatoren in eine homogene Zusammensetzung verwendet werden, die, wenn gehärtet, eine einkapselnde Zusammensetzung ergeben kann, die klar und transparent bei Eigenschaften der Feuchtigkeitsbeständigkeit, Lösungsmittelfestigkeit, Bruchfestigkeit, Wärmebeständigkeit als auch einer UV-Absorption und Lichtdurchlässigkeit in gegebenen Wellenlängenbereichen sein kann. Das bei der vorliegenden Erfindung verwendete oberflächenaktive Siloxan kann von der allgemeinen Struktur (VIII) sein
    Figure 00080001
    worin R1 und R2 unabhängig bei jedem Vorkommen ausgewählt sind aus Ethylenoxid, Propylenoxid und Methylen. Bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann R1 Ethylenoxid sein, wohingegen R2 eine Methylgruppe sein kann. Bei einer anderen Ausführungsform kann R1 eine Methylgruppe sein, wohingegen R2 eine Ethylenoxidgruppe sein kann. Bei einer dritten Ausführungsform kann R1 eine Methylgruppe sein, wohingegen R2 ein Gemisch aus Ethylenoxid- und Propylenoxidgruppen sein kann. Die Werte von x und y in Struktur (VIII) können in einem Bereich von zwischen 0 und 20 bei einer Ausführungsform liegen, wohingegen sie in einem Bereich von zwischen von 3 und 15 bei einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung liegen können. Bei einer dritten Ausführungsform der vorlie genden Erfindung können die Werte von x und y in Struktur (VIII) in einem Bereich von zwischen 5 und 10 liegen. Der prozentuale Anteil des Siliziums in dem oberflächenaktiven Mittel kann typischerweise in einem Bereich von zwischen 10 Gew.-% und 80 Gew.-% des Gesamtgewichts des oberflächenaktiven Siloxans bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung liegen, wohingegen er in einem Bereich von zwischen 20 Gew.-% und 60 Gew.-% des Gesamtgewichts des oberflächenaktiven Siloxans bei einer zweiten Ausführungsform der Erfindung liegen kann. Bei einer dritten Ausführungsform kann der Siliziumgehalt in einem Bereich von zwischen 25 und 50 Gew.-% des Gesamtgewichts des oberflächenaktiven Siloxans liegen. Das bei der vorliegenden Erfindung verwendete oberflächenaktive Siloxan kann Viskositäten in einem Bereich von zwischen 10 mm2/Sekunde und 2000 mm2/Sekunde bei einer Ausführungsform aufweisen, wohingegen es Viskositäten in einem Bereich von zwischen 100 mm2/Sekunde und 1000 mm2/Sekunde bei einer zweiten Ausführungsform und in einem Bereich von zwischen 300 mm2/Sekunde und 600 mm2/Sekunde bei einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung aufweisen kann. Sofern vorhanden, liegt das Molekulargewicht des Polyethers in dem oberflächenaktiven Siloxan typischerweise in einem Bereich von zwischen 100 und 2000 bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, wohingegen es in einem Bereich von zwischen 200 und 1500 bei einer zweiten Ausführungsform und in einem Bereich von zwischen 500 und 1000 bei einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung liegen kann. Bei einer weiteren Ausführungsform ist ein oberflächenaktives Siloxan, das zum Kompatibilisieren des Silikonharzes und des Epoxyharzes verwendet werden kann, in der nachstehend angegebenen Struktur (IX) wiedergegeben.
  • Figure 00090001
  • Anschauliche Beispiele der Hilfshärtungskatalysatoren (E) sind beschrieben in "Chemistry and Technology of the Epoxy Resins" herausgegeben von B. Ellis, Chapman Hall, New York, 1993, und in "Epoxy Resins Chemistry and Technology", herausgegeben von C. A. May, Marcel Dekker, New York, 2. Auflage, 1988. Bei ver schiedenen Ausführungsformen umfasst der Hilfshärtungskatalysator ein organometallisches Salz, ein Sulfoniumsalz oder ein Iodoniumsalz. Bei besonderen Ausführungsformen umfasst der Hilfshärtungskatalysator mindestens eines aus einem Metallcarboxylat, einem Metallacetylacetonat, Zinkoctoat, Stannooctoat, Triarylsulfoniumhexafluorphosphat, Triarylsulfoniumhexafluorantimonat (wie etwa CD 1010, vertrieben von Sartomer Corporation), Diaryliodoniumhexafluorantimonat oder Diaryliodoniumtetrakis(pentafluorphenyl)borat. Diese Verbindungen können einzeln oder in einer Kombination von mindestens zwei Verbindungen verwendet werden.
  • Die Mengen an Silikonharz (A), Epoxyharz (B), Anhydrid-Härtungsmittel (C), oberflächenaktivem Siloxan (D) und Hilfshärtungskatalysator (E) können über einen breiten Bereich variiert werden. Bei verschiedenen Ausführungsformen ist die Menge an Silikonharz (A) in der Zusammensetzung mehr als 40 Gew.-%, bezogen auf das kombinierte Gewicht des Silikonharzes (A), Epoxyharzes (B), Anhydrid-Härtungsmittels (C), oberflächenaktiven Siloxans (D) und Hilfshärtungskatalysators (E). Bei einigen Ausführungsformen liegt die Menge an Silikonharz (A) in der Zusammensetzung in einem Bereich von zwischen 40 Gew.-% und 99 Gew.-%, bezogen auf das kombinierte Gewicht von Silikonharz (A), Epoxyharz (B), Anhydrid-Härtungsmittel (C), oberflächenaktivem Siloxan (D) und Hilfshärtungskatalysator (E). Bei anderen Ausführungsformen liegt die Menge an Silikonharz (A) in der Zusammensetzung in einem Bereich von zwischen 76 Gew.-% und 99 Gew.-%, bezogen auf das kombinierte Gewicht von Silikonharz (A), Epoxyharz (B), Anhydrid-Härtungsmittel (C), oberflächenaktivem Siloxan (D) und Hilfshärtungskatalysator (E). Werden das Silikonharz, das Epoxyharz, das oberflächenaktive Siloxan, das Anhydrid-Härtungsmittel und der Hilfshärtungskatalysator miteinander vermengt, um eine einkapselnde Zusammensetzung zu erhalten, und wird die Zusammensetzung gehärtet und poliert, so kann die resultierende Oberfläche transparent und klar sein und kann das einkapselnde Material bruchfest und ohne Lichtstreuung sein.
  • Bei verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beträgt die Menge an Anhydrid-Härtungsmittel (C) in der Zusammensetzung weniger als 40 Gew.-%, bezogen auf das kombinierte Gewicht von Silikonharz (A), Epoxyharz (B), Anhydrid-Härtungsmittel (C), oberflächenaktivem Siloxan (D) und Hilfshärtungskatalyator (E).
  • Bei anderen Ausführungsformen beträgt die Menge an Härtungsmittel (C) in der Zusammensetzung weniger als 25 Gew.-%, bezogen auf das kombinierte Gewicht von Silikonharz (A), Epoxyharz (B), Anhydrid-Härtungsmittel (C), oberflächenaktivem Siloxan (D) und Hilfshärtungskatalyator (E). Bei einigen Ausführungsformen liegt die Menge an Anhydrid-Härtungsmittel (C) in der Zusammensetzung in einem Bereich von zwischen 1 Gew.-% und 24 Gew.-%, bezogen auf das kombinierte Gewicht von Silikonharz (A), Epoxyharz (B), Anhydrid-Härtungsmittel (C), oberflächenaktivem Siloxan (D) und Hilfshärtungskatalyator (E). Bei weiteren Ausführungsformen liegt die Menge an Anhydrid-Härtungsmittel (C) in der Zusammensetzung in einem Bereich von zwischen 1 Gew.-% und 20 Gew.-%, bezogen auf das kombinierte Gewicht von Silikonharz (A), Epoxyharz (B), Anhydrid-Härtungsmittel (C), oberflächenaktivem Siloxan (D) und Hilfshärtungskatalyator (E).
  • Bei verschiedenen Ausführungsformen beträgt die Menge an Hilfshärtungskatalysator (E) in der Zusammensetzung weniger als 10 Gew.-%, bezogen auf das kombinierte Gewicht von Silikonharz (A), Epoxyharz (B), Anhydrid-Härtungsmittel (C), oberflächenaktivem Siloxan (D) und Hilfshärtungskatalyator (E). Bei einigen Ausführungsformen liegt die Menge an Hilfshärtungskatalysator (E) in der Zusammensetzung in einem Bereich von zwischen 0,008 Gew.-% und 10 Gew.-%, bezogen auf das kombinierte Gewicht von Silikonharz (A), Epoxyharz (B), Anhydrid-Härtungsmittel (C), oberflächenaktivem Siloxan (D) und Hilfshärtungskatalyator (E). Bei weiteren Ausführungsformen liegt die Menge an Hilfshärtungskatalysator (E) in der Zusammensetzung in einem Bereich von zwischen 0,01 Gew.-% und 5 Gew.-%, bezogen auf das kombinierte Gewicht von Silikonharz (A), Epoxyharz (B), Anhydrid-Härtungsmittel (C), oberflächenaktivem Siloxan (D) und Hilfshärtungskatalyator (E). Bei einigen Ausführungsformen liegt die Menge an Hilfshärtungskatalysator (E) in der Zusammensetzung in einem Bereich von zwischen 0,01 Gew.-% und 1,0 Gew.-%, bezogen auf das kombinierte Gewicht von Silikonharz (A), Epoxyharz (B), Anhydrid-Härtungsmittel (C), oberflächenaktivem Siloxan (D) und Hilfshärtungskatalyator (E). Bei weiteren Ausführungsformen liegt die Menge an Hilfshärtungskatalysator (E) in der Zusammensetzung in einem Bereich von zwischen 0,01 Gew.-% und 0,5 Gew.-%, bezogen auf das kombinierte Gewicht von Silikonharz (A), Epoxyharz (B), Anhydrid-Härtungsmittel (C), oberflächenaktivem Siloxan (D) und Hilfshärtungskata lyator (E).
  • Ein oder mehrere Wärmestabilisatoren, UV-Stabilisatoren oder Gemische davon können wahlweise in den Zusammensetzungen der Erfindung vorhanden sein. Solche Stabilisatoren können die Bildung von Farbe während der Verarbeitung des Mittels zum Einkapseln vermindern. Beispiele der Stabilisatoren sind beschrieben bei J. F. Rabek, "Photostabilization of Polymers; Principles and Applications", Elsevier Applied Sicence, NY, 1990, und in "Plastics Additives Handbook", 5. Auflage, herausgegeben von H. Zweifel, Hanser Publishers, 2001. Anschauliche Beispiele für geeignete Stabilisatoren umfassen organische Phosphite und Phosphonite, wie etwa Triphenylphosphit, Diphenylalkylphosphite, Phenyldialkylphosphite, Tri(nonylphenyl)phosphit, Trilaurylphosphit, Trioctadecylphosphit, Distearylpentaerythritoldiphosphit, Tris(2,4-di-tert-butylphenyl)phosphit, Diisodecylpentaerythritoldiphosphit, Di(2,4-ditert-butylphenyl)pentaerythritoldiphosphit, Tristearylsorbitoltriphosphit und Tetrakis(2,4-di-tert-butylphenyl)-4,4'-biphenyldiphosphonit. Anschauliche Beispiele für geeignete Stabilisatoren umfassen außerdem Schwefel-enthaltende Phosphorverbindungen, wie etwa Trismethylthiophosphit, Trisethylthiophosphit, Trispropylthiophosphit, Trispentylthiophosphit, Trishexylthiophosphit, Triheptylthiophosphit, Trisoctylthiophosphit, Trisnonylthiophosphit, Trilaurylthiophosphit, Trispentylthiophosphit, Trisbenzylthiophosphit, Bispropiothiomethylphosphit, Bispropiothiononylphosphit, Bisnonylthiomethylphosphit, Bisnonylthiobutylphosphit, Methylethylthiobutylphosphit, Methylethylthiopropiophosphit, Methylnonylthiobutylphosphit, Methylnonylthiolaurylphosphit und Pentylnonylthiolaurylphosphit. Diese Verbindungen können einzeln oder in einer Kombination von mindestens zwei Verbindungen verwendet werden.
  • Geeignete Stabilisatoren umfassen auch sterisch gehinderte Phenole. Anschauliche Beispiele der sterisch gehinderten Phenol-Stabilisatoren umfassen 2-tertiäresAlkylsubstituierte Phenol-Derivate, 2-tertiäres Amyl-substitutierte Phenol-Derivate, 2-tertiäres Octyl-substituierte Phenol-Derivate, 2-tertiäres Butyl-substituierte Phenol-Derivate, 2,6-di-tertiäres Butyl-substituierte Phenol-Derivate, 2-tertiäres Butyl-6-methyl-(oder -6-methylen)-substituierte Phenol-Derivate und 2,6-Dimethyl-substituierte Phenol-Derivate. Diese Verbindungen können einzeln oder in einer Kombination von mindestens zwei Verbindungen verwendet werden. Bei gewissen speziellen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung umfassen sterisch gehinderte Phenol-Stabilisatoren Alpha-Tocopherol und butyliertes Hydroxytoluol.
  • Geeignete Stabilisatoren umfassen außerdem sterisch gehinderte Amine, für die anschauliche Beispiele Bis(2,2,6,6-tetramethylpiperidyl)sebacat, Bis(1,2,2,6,6-pentamethylpiperidyl)sebacat, n-Butyl-3,5-di-tert-butyl-4-hydroxybenzylmalonsäurebis(1,2,2,6,6-pentamethylpiperidyl)ester, ein Kondensationsprodukt von 1-Hydroxyethyl-2,2,2,6-tetramethyl-4-hydroxypiperidin und Succinsäure, ein Kondensationsprodukt von N,N'-(2,2,6,6-Tetramethylpiperidyl)-hexamethylendiamin und 4-tert-Octylamino-2,6-dichlor-s-triazin, Tris(2,2,6,6-tetramethylpiperidyl)-nitrilotriacetat, Tetrakis(2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl)-1,2,3,4-butantetracarboxylat und 1,1'-(1,2-Ethandiyl)-bis-(3,3,5,5-tetramethylpiperazinon) umfassen. Diese Verbindungen können einzeln oder in einer Kombination von mindestens zwei Verbindungen verwendet werden.
  • Geeignete Stabilisatoren umfassen außerdem Verbindungen, die Peroxid zerstören, wobei anschauliche Beispiele dafür die Ester der Beta-Thiodipropionsäure umfassen, zum Beispiel die Lauryl-, Stearyl-, Myristyl- oder Tridecylester; Mercaptobenzimidazol oder das Zinksalz von 2-Mercaptobenzimidazol; Zinkdibutyl-dithiocarbamat; Dioctadecyldisulfid; und Pentaerythritol-tetrakis-(beta-dodecylmercapto)propionat. Diese Verbindungen können einzeln oder in einer Kombination von mindestens zwei Verbindungen verwendet werden.
  • Optionale Komponenten bei der vorliegenden Erfindung umfassen außerdem Härtungsmodifikatoren, welche die Rate der Härtung des Epoxyharzes modifizieren können. Bei verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung umfassen Härtungsmodifikatoren mindestens einen Härtungsbeschleuniger oder Härtungshemmer. Die Härtungsmodifikatoren können Verbindungen umfassen, die Heteroatome enthalten, die freie Elektronenpaare besitzen. Phosphite können als Härtungsmodifikatoren verwendet werden. Anschauliche Beispiele der Phosphite umfassen Trialkylphosphite, Triarylphosphite, Trialkylthiophosphite und Triarylthiophosphite. Bei einigen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung umfassen die Phosphite Triphenylphosphit, Benzyldiethylphosphit oder Tributylphosphit. Weitere geeignete Härtungsmodifikatoren umfassen sterisch gehinderte Amine und 2,2,6,6-Tetramethylpiperidyl-Reste, wie zum Beispiel Bis(2,2,6,6-Tetramethylpiperidyl)sebacat. Gemische von Härtungsmodifikatoren können ebenfalls verwendet werden.
  • Optionale Komponenten bei der vorliegenden Erfindung umfassen außerdem Haftvermittler, die bei verschiedenen Ausführungsformen darin hilfreich sein können, das Epoxyharz an eine Matrix, wie etwa eine Glasmatrix, zu binden oder eine starke Bindung an die Oberfläche herzustellen, sodass kein vorzeitiges Versagen eintreten kann. Haftvermittler umfassen Verbindungen, die sowohl Silan- als auch Mercapto-Komponenten enthalten, wofür anschauliche Beispiele Mercaptomethyltriphenylsilan, Beta-Mercaptoethyltriphenylsilan, Beta-Mercaptopropyltriphenylsilan, Gamma-Mercaptopropyldiphenylmethylsilan, Gamma-Mercaptopropylphenyldimethylsilan, Delta-Mercaptobutylphenyldimethylsilan, Delta-Mercaptobutyltriphenylsilan, Tris(beta-mercaptoethyl)phenylsilan, Tris(gamma-mercaptopropyl)phenylsilan, Tris(gamma-mercaptopropyl)methylsilan, Tris(gamma-mercaptopropyl)ethylsilan und Tris(gamma-mercaptopropyl)benzylsilan umfassen. Haftvermittler umfassen außerdem Verbindungen, die sowohl eine Alkoxysilan- als auch eine organische Komponente umfassen, wofür anschauliche Beispiele Verbindungen der Formel (R5O3)Si-R6 umfassen, worin R5 eine Alkylgruppe ist und R6 ausgewählt ist aus der Gruppe, bestehend aus Vinyl, 3-Gylcidoxypropyl, 3-Mercaptopropyl, 3-Acryloxypropyl, 3-Methacryloxypropyl und CnH2n+1, worin n einen Wert im Bereich von zwischen 4 und 16 aufweist. Bei einigen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung ist R5 Methyl oder Ethyl. Bei anderen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung umfassen die Haftvermittler Verbindungen, die sowohl eine Alkoxysilan- als auch eine Epoxy-Komponente enthalten. Haftvermittler können einzeln oder in einer Kombination von mindestens zwei Verbindungen verwendet werden.
  • Optionale Komponenten bei der vorliegenden Erfindung umfassen außerdem Brechungsindex-Modifikatoren. Während Licht von dem Chip mit einem relativ hohen Diffraktionsindex (typischerweise in einem Bereich von zwischen 2,8 und 3,2) zu dem Epoxy-Einkapselungsmittel mit einem relativ niedrigen Brechungsindex (typischerweise in einem Bereich von zwischen 1,2 und 1,6) wandert, wird ein Teil des Lichts zu dem Chip in dem kritischen Winkel zurückgeworfen. Dem Epoxy zugege bene Modifikatoren mit einem hohen Brechungsindex erhöhen dessen Brechungsindex, wodurch eine bessere Passung der beiden Brechungsindizes und ein Zunahme der Menge an emittiertem Licht erreicht wird. Solche Materialien erhöhen den Brechungsindex des Epoxy, ohne die Transparenz des Epoxy-Einkapselungsmittels signifikant zu beeinträchtigen. Modifikatoren dieses Typs umfassen Additive mit einem hohen Brechungsindex. Diese Materialien umfassen optisch transparente organische oder anorganische Stoffe, wie etwa Silikonflüssigkeiten, und Agglomerate von Partikeln oder Strukturen, deren Größe geringer ist als die Größe der Wellenlänge des emittierten Lichts. Solche Agglomerate werden manchmal als Nanopartikel bezeichnet. Beispiele der Agglomerate umfassen eine Vielfalt von transparenten Metalloxiden oder Materialien der Gruppe II-VI, die relativ frei von Lichtstreuung sind. Bei einer Ausführungsform ist ein nanopartikuläres Material Titandioxid. Bei anderen Ausführungsformen können andere Arten von transparenten Metalloxiden oder Kombinationen von Metalloxiden verwendet werden. Zum Beispiel können Magnesiumoxid, Yttriumoxid, Zirconiumdioxid, Ceriumoxide, Aluminiumoxid, Bleioxide und Compositmaterialien, wie z. B. solche, die Yttriumoxid und Zirconiumoxid umfassen, zur Herstellung von Nanopartikeln verwendet werden. Bei anderen Ausführungsformen werden Nanopartikel aus den Materialien einer der Gruppen II-VI hergestellt, umfassend Zinkselenid, Zinksulfid und Legierungen, die aus Zn, Se, S und Te hergestellt sind. Alternativ können auch Galliumnitrid, Sliziumnitrid oder Aluminiumnitrid zur Herstellung der Nanopartikel verwendet werden. Brechungsindex-Modifikatoren können einzeln oder in einer Kombination von mindestens zwei Verbindungen verwendet werden. Bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung liegt der Brechungsindex der Zusammensetzung zum Einkapseln in einem Bereich von zwischen 0,1 und 10,0. Bei einer zweiten Ausführungsform liegt der Brechungsindex in einem Bereich von zwischen 0,5 und 5,0, und bei einer dritten Ausführungsform liegt der Brechungsindex in einem Bereich von zwischen 1,0 und 2,5. Bei vielen Ausführungsformen liegt der Brechungsindex in einem Bereich von zwischen 1,0 und 2,0.
  • Die Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung können durch Kombinieren der verschiedenen Komponenten, einschließlich optionaler Komponenten, in einer zweckdienlichen Reihenfolge hergestellt werden. Bei verschiedenen Ausführungsformen werden alle Komponenten miteinander vermischt. Bei anderen Ausführungs formen können zwei oder mehr Komponenten vorab vermischt und dann anschließend mit den anderen Komponenten kombiniert werden. Bei einer Ausführungsform umfassen die Komponenten der Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung eine Zusammensetzung aus zwei Partnern, wobei die verschiedenen Komponenten vorab in mindestens zwei separaten Zusammensetzungen vermischt werden, bevor diese zum Erhalt einer fertigen Zusammensetzung kombiniert werden.
  • Die Einkapselungstechniken für Festkörper-Bauelemente umfassen das Gießen, Transferformen von Harz und ähnliches. Nachdem das Festkörper-Bauelement in das ungehärtete Harz eingehüllt worden ist, was typischerweise in einer Gussform vorgenommen wird, wird das Harz gehärtet. Diese Harze können in ein oder mehreren Stufen unter Anwendung von Methoden wie Wärme-, UV-, Elektronenstrahltechniken oder Kombinationen davon gehärtet werden. Zum Beispiel kann das Wärmehärten bei Temperaturen bei einer Ausführungsform in einem Bereich von zwischen 20°C und 200°C, bei einer anderen Ausführungsform in einem Bereich von zwischen 80°C und 200°C, bei einer weiteren Ausführungsform in einem Bereich von zwischen 100°C und 200°C und bei noch einer weiteren Ausführungsform in einem Bereich von zwischen 120°C und 160°C vorgenommen werden. Bei noch weiteren Ausführungsformen können diese Materialien photochemisch gehärtet werden, dabei anfänglich bei etwa Raumtemperatur. Obschon eine gewisse Wärmeabweichung aus der photochemischen Reaktion und der anschließenden Aushärtung erfolgen kann, ist typischerweise keine externe Erhitzung erforderlich. Bei einigen Ausführungsformen können diese Materialien in zwei Stufen gehärtet werden, wobei zum Beispiel eine anfängliche Wärme- oder UV-Härtung zur Herstellung eines teilgehärteten oder Epoxyharzes im B-Stadium angewendet werden kann. Dieses Material, das leicht handhabbar ist, kann dann unter Anwendung beispielsweise von Wärme- oder UV-Techniken weiter ausgehärtet werden, um ein Material mit der gewünschten Wärmeleistung (zum Beispiel Glasübergangstemperatur (Tg) und Koeffizient der Wärmeausdehnung (CTE)), optischen Eigenschaften und Feuchtigkeitsbeständigkeit, die für eingekapselte Festkörper-Bauelemente erforderlich sind, zu produzieren.
  • Werden das Silikonharz (A), das Epoxyharz (B), das oberflächenaktive Siloxan (D), das Anhydrid-Härtungsmittel (C) und der Hilfshärtungskatalysator (E) gemischt und gehärtet, um das einkapselnde Material zu erhalten, so variiert der oberhalb der Glasübergangstemperatur gemessene Koeffizient der Wärmeexpansion in einem Bereich von zwischen 10 und 100 bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, in einem Bereich von zwischen 50 und 90 bei einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und in einem Bereich von zwischen 60 und 85 bei einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Der Koeffizient der Wärmeausdehnung, wenn unterhalb der Glasübergangstemperatur gemessen, variiert in einem Bereich von zwischen 50 und 300 bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, wohingegen bei einer zweiten Ausführungsform der Koeffizient der Wärmeausdehnung in einem Bereich von zwischen 100 und 275 variiert, und bei einer dritten Ausführungsform der Koeffizient der Wärmeausdehnung in einem Bereich von zwischen 150 und 250 variiert.
  • Das Silikonharz (A), das Epoxyharz (B), das oberflächenaktive Siloxan (D), das Anhydrid-Härtungsmittel (C) und der Hilfshärtungskatalysator (E) können, wenn zu einer einkapselnden Zusammensetzung vermischt, die gewünschten Glasübergangs-Werte ergeben. Bei einer Ausführungsform liegt die Glasübergangstemperatur der Zusammensetzung in einem Bereich von zwischen 10°C und 250°C, wohingegen bei einer zweiten Ausführungsform die Glasübergangstemperatur in einem Bereich von zwischen 20°C und 200°C liegt. Bei einer dritten Ausführungsform variiert die Glasübergangstemperatur der einkapselnden Zusammensetzungen in einem Bereich von zwischen 24°C und 150°C.
  • Die Epoxyharz-Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung können bei Anwendungen verwendet werden, die für Epoxyharz-Zusammensetzungen bekannt sind. Solche Anwendungen umfassen Beschichtungen, Einbettverbindungen und Einkapselungsmittel für Festkörper-Bauelemente. Bei einer Ausführungsform ist das Festkörper-Bauelement ein LED 1. 1 veranschaulicht ein LED 1 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung schematisch. Das LED 1 enthält einen LED-Chip 4, der elektrisch verbunden ist mit einem Leiterrahmen (Lead Frame) 5. Zum Beispiel kann der LED-Chip 4 direkt an eine anodische oder kathodische Elektrode des Leiterrahmens 5 elektrisch angeschlossen werden und durch eine Leitung 7 mit der entgegengesetzten kathodischen oder anodischen Elektrode des Leiter rahmens 5 verbunden werden, wie in 1 veranschaulicht. Bei einer besonderen, in 1 veranschaulichten Ausführungsform trägt der Leiterrahmen 5 den LED-Chip 4. Die Leitung 7 kann dabei weggelassen werden, und der LED-Chip 4 kann beide Elektroden des Leiterrahmens 5 mit dem Boden des LED-Chips 4 überbrücken, welcher die Kontaktschichten enthält, die sowohl die anodische als auch die kathodische Elektrode des Leiterrahmens 5 kontaktieren. Der Leiterrahmen 5 ist an eine Energiezufuhr, wie etwa eine Strom- oder Spannungsquelle, oder einen anderen Kreislauf (nicht gezeigt), angeschlossen.
  • Der LED-Chip 4 sendet Strahlung von der Strahlen-emittierenden Oberfläche 9 ab. Der LED 1 kann sichtbare, ultraviolette oder infrarote Strahlung aussenden. Der LED-Chip 4 kann jeglichen LED-Chip 4 umfassen, der eine p-n-Junktion von jeglichen Halbleiterschichten, die zum Aussenden der gewünschten Strahlung fähig sind, umfasst. Zum Beispiel kann der LED-Chip 4 Halbleiterschichten mit jeglicher gewünschten Verbindung der Gruppe III-V enthalten, wie etwa GaAs, GaAlAS, GaN, InGaN, GaP, etc., oder Halbleiterschichten aus Verbindungen der Gruppe II-VI, wie etwa ZnSe, ZnSSe, CdTe, etc., oder Halbleiterschichten aus der Gruppe IV-IV, wie etwa SiC. Der LED-Chip 4 kann außerdem weitere Schichten enthalten, wie etwa Deckschichten (cladding layers), Wellenleiterschichten und Kontaktschichten.
  • Das LED 1 ist mit einem Mittel zum Einkapseln 11 der vorliegenden Erfindung verpackt. Eine alternative Bezeichnung für das Mittel zum Einkapseln ist einkapselndes Material. Bei einer Ausführungsform enthält die LED-Verpackung das Mittel zum Einkapseln 11, das in einer Verpackung lokalisiert ist, wie etwa einer Schale 14. Die Schale 14 kann aus jeglichem Kunststoff oder einem anderen Material bestehen, wie etwa Polycarbonat, welches für die LED-Strahlung transparent ist. Die Schale 14 kann jedoch weggelassen werden, um die Prozessierung zu vereinfachen, wenn das Mittel zum Einkapseln 11 eine ausreichende Zähigkeit und Starrheit aufweist, um ohne eine Schale 14 verwendbar zu sein. Somit würde die äußere Oberfläche des Mittels zum Einkapseln 11 bei einigen Ausführungsformen als einer Schale 14 oder Verpackung dienen. Die Schale 14 enthält eine Licht- oder Strahlungs-emittierende Oberfläche 15 oberhalb des LED-Chips 4 und eine nicht-emittierende Oberfläche 16 angrenzend an den Leiterrahmen 5. Die Strahlungs-emittierende Oberfläche 15 kann gekrümmt sein, um wie eine Linse zu wirken, und/oder kann gefärbt sein, um als ein Filter zu wirken. Bei verschiedenen Ausführungsformen kann die nicht-emittierende Oberfläche 16 für die LED-Strahlung undurchlässig sein, und kann aus opaken Materialien wie Metall hergestellt sein. Die Schale 14 kann außerdem einen Reflektor um den LED-Chip 4 enthalten, oder andere Komponenten, wie etwa Resistoren etc., sofern erwünscht.
  • Bei anderen Ausführungsformen können die einkapselnden Materialien wahlweise einen Phosphor enthalten, um die Farbausgabe des LED 1 zu optimieren. Zum Beispiel kann ein Phosphor als ein Phosphorpulver eingestreut oder mit dem Mittel zum Einkapseln 11 vermischt werden oder kann als ein Dünnfilm auf den LED-Chip 4 aufgeschichtet oder auf die innere Oberfläche der Schale 14 beschichtet werden. Jegliches Phosphormaterial kann mit dem LED-Chip verwendet werden. Zum Beispiel kann ein gelb emittierender Cerium-dotierter Yttriumaluminiumgranatphosphor (YAG:Ce3 +) mit einem blau emittierenden LED-Chip mit InGaN-Aktivschicht verwendet werden, um eine sichtbare gelbe und blaue Lichtausgabe zu produzieren, welche für einen menschlichen Beobachter weiß erscheint. Weitere Kombinationen von LED-Chips und Phosphoren können je nach Wunsch verwendet werden.
  • Während der verpackte LED-Chip 4 durch den Leiterrahmen 5 gemäß einer Ausführungsform getragen wird, wie in 1 veranschaulicht, kann der LED 1 verschiedene weitere Strukturen aufweisen. Zum Beispiel kann der LED-Chip 4 durch die Bodenfläche 16 der Schale 14 oder durch einen Sockel (nicht gezeigt), der auf dem Boden der Schale 14 angebracht ist, anstelle durch den Leiterrahmen 5 getragen werden.
  • Bei einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann die einkapselnde Zusammensetzung mit einem Vertical Cavity Surface Emitting Laser (VCSEL) verwendet werden. Ein schematisches Diagramm des Bauelements ist in 2 gezeigt. Der VCSEL 30 kann in das Innere einer Tasche 32 einer Anordnung für eine gedruckte Schaltung (Leiterplatte) 33 eingebettet sein. Eine Wärmesenke 34 kann in die Tasche 32 der Leiterplatte 33 platziert werden, und der VCSEL 30 kann auf der Wärmesenke 34 zu sitzen kommen. Die einkapselnde Zusammensetzung 36 der Erfindung kann in den Hohlraum 35 der Tasche 32 in der Leiterplatte 33 injiziert wer den und kann um den VCSEL herumfließen und ihn von allen Seiten einkapseln und dabei außerdem einen Oberflächenbeschichtungsfilm 36 auf der Oberfläche des VCSEL 30 bilden. Der Oberflächenbeschichtungsfilm 36 schützt den VCSEL 30 vor Beschädigung und Abbau und ist zugleich träge gegenüber Feuchtigkeit, und ist außerdem transparent und polierbar. Die Laserstrahlen 37, die aus dem VCSEL emittieren, können auf die Spiegel 38 auftreffen und dabei aus der Tasche 32 der Leiterplatte 33 herausreflektiert werden.
  • Bei einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann ein LED-Array 3 auf einem Kunststoffsubstrat erzeugt werden, wie in 3 veranschaulicht. Die LED-Chips 3 oder der Rohchip 4 sind physisch und elektrisch auf die Kathodenleitungen 26 aufgesetzt. Die obersten Flächen der LED-Chips 4 sind mit den Anodenleitungen 25 über die Anschlussdrähte 27 elektrisch verbunden. Die Anschlussdrähte können mittels bekannter Drahtbondier-Techniken an einem leitfähigen Chip-Pad befestigt werden. Die Leitungen 26, 25 umfassen einen Leiterrahmen und können aus einem Metall hergestellt sein, wie etwa einem silberplattierten Kupfer. Der Leiterrahmen und das LED-Chip-Array 3 sind in einer Kunststoffverpackung 29 enthalten, wie zum Beispiel einer Polycarbonat-Verpackung, einer Polyvinylchlorid-Verpackung oder einer Polyetherimid-Verpackung. Bei einigen Ausführungsformen umfasst das Polycarbonat ein Bisphenol A-Polycarbonate. Die Kunststoffverpackung 29 ist mit einem Mittel zum Einkapseln 11 der vorliegenden Erfindung befüllt. Die Verpackung 29 enthält angeschrägte innere Seitenwände 18, die die LED-Chips 4 umschließen, und die dabei einen lichtstreuenden Hohlraum 20 bilden, was einen Streufluss des LED-Lichts gewährleistet.
  • Ohne genauere Darlegung wird davon ausgegangen, dass ein Fachmann des Gebiets unter Zugrundelegung der hierin wiedergegebenen Beschreibung die vorliegende Erfindung in ihrem vollsten Umfang nützen kann. Die folgenden Beispiele sind zur Bereitstellung einer zusätzlichen Orientierung für die Fachleute des Gebiets in der Durchführung der beanspruchten Erfindung aufgenommen. Die bereitgestellten Beispiele sind lediglich repräsentativ für die Arbeit, die zu den Lehren der vorliegenden Anmeldung beiträgt. Entsprechend sollen diese Beispiele in keinster Weise eine Beschränkung der Erfindung, wie in den Ansprüchen im Anhang definiert, darstellen.
  • BEISPIEL 1
  • Die folgende Verfahrensweise wurde zur Herstellung der in Tabelle 1 gezeigten Probe 1 angewendet. In ein kleines Gefäß wurden 11,4 Gramm 26018 (Phenylpropyhydroxysilikon von Dow Chemicals), 7,5 Gramm Hexahydrophthalanhydrid (HHPA) (Ciba Geigy) und 0,4 Gramm SF1488 (oberflächenaktives Polydimethylsiloxan von General Electric Co.) eingebracht. Ein Deckel wurde auf das Gefäß gesetzt und die Inhaltsstoffe wurden unter Verwendung eines Mikrowellenofens auf eine Temperatur von etwa 80°C erhitzt und vermischt, bis alle Komponenten vollständig aufgelöst waren. Nachdem die Auflösung vollständig war, wurde die Probe auf unter 50°C abgekühlt, und 15 Gramm CY179 (cycloaliphatisches Epoxyharz von Ciba Geigy), 0,1 Gramm Irganox 1010 (Antioxidans von Ciba) und 0,3 Gramm Zinnethylhexaonat wurden zugegeben. Das Material wurde vermengt und durch einen Filter mit einer nominalen Porengröße von 5 Mikron in ein sauberes Gefäß filtriert. Nach der Filtration wurde die Epoxymischung entgast, indem sie in einen auf weniger als 60°C eingestellten Vakuumofen für etwa 30 Minuten unter Anlegen von Vakuum gestellt wurde. Nach der Entgasung wurde das Material zum Einkapseln von Komponenten verwendet. Eine Probenscheibe des Materials wurde hergestellt, indem die Mischung in eine Aluminiumschale gegossen wurde, bedeckt wurde und das Epoxy für 1 Stunde bei 80°C, mit einer Rampe auf 180°C über 1 Stunde und Halten bei dieser Temperatur für 2 Stunden, ausgehärtet. Weitere Epoxyharz-Einkapselungsmittel wurden unter Anwendung der Verfahrensweise für Probe 1 durch Kombinieren der verschiedenen Epoxy- und Silikon-umfassenden Harze, Aushärtungsmittel und weiterer Komponenten und Aushärten unter den in Tabelle 1 gezeigten spezifizierten Bedingungen hergestellt. Alle Mengenangaben sind in Gramm. Während Proben 1–3 Vakuum-entgast und für 1 Stunde bei 140°C gehärtet wurden, was klare, harte und transparente Proben ergab, wurden Proben 4, 5, 6 und 7 Filter-entgast und für 70 Minuten bei 150°C gebrannt, was klare hellorangefarbene Proben ergab. Probe 8 wurde für 2 Stunden bei 175–180°C entgast, was eine klare hellorangefarbene Probe ergab. Alle Proben waren polierbar und brachen nicht aufgrund von Erschütterung. Tabelle 1:
    Epoxy-Härtungs-studien Probe 1 Probe 2 Probe 3 Probe 4 Probe 5 Probe 6 Probe 7 Probe 8
    CY 179 15,00 5,00 21,00
    Epon 862, Bis F Epoxy 10,00
    Shell Eponex 1510 24,00 10,75
    Araldite AY 238 7,60
    Silikoftal ED 5,10 10,80 5,50 5,00 10,80
    Z6018 11,40 5,60 5,09 4,50 5,00 14,60 13,00
    HHPA 7,50 4,50 2,09 6,60 6,00 14,40 10,00 11,00
    Epicuron B-4400- Dianhydrid 3,00
    Sn-Octoat 0,30 0,20 0,11 0,27 0,25 0,60 0,20
    Ciba Irga-nox1010 0,10 0,10 0,10 0,11 0,13 0,29 0,10 0,15
    SF 1488 0,40 0,30 0,25 0,55 0,50 0,70 0,27 0,5
    fertige Probendicke/mils 158 161 143 230 253 258 275 258
    Silikon-Komponente % 33 52 88 40 38 27 34 27
    Tg/°C 140 87 24 92 64 64 55 148
  • Die in der Erfindung verwendeten Zusammensetzungen zum Einkapseln sind in Tabelle 2 gezeigt. Tabelle 2:
    Komponente, Gew.-% Material-typ Eine Komponente % HHPA B-4400 optionale Inhaltsstoffe Oberflächen-aktives Mittel
    CY 179 Epoxy 0–50%
    Epon 882 BisF Epoxy Epoxy 0–50%
    Shell Eponex1510 Epoxy 0–50 %
    Araldite AY 238 Epoxy 0–50 %
    Silkoftal EDZ6018 Silikonepoxy 0–50 %
    HHPA Anhydrid-Härter 0–50%
    Epiclon B 4400 Dian-hydrid Anhydrid-Härter 0–10%
    Sn-Ocotat Beschleunigungskatalysator 0,5%
    Ciba Irganox 1010 Antioxidans 0–5
    SF 1488 oberflächenaktives Silikon 0,5-10 %
    Ciba Tinuvin UV-Absorbenz 0–5
    Z 6018 Silikonharz 1–50
  • Das UV-Vis-nahes IR-Transmissionsspektrum für Silikon-enthaltende Epoxymischungen mit oberflächenaktiven Siloxanen ist in 4 für die in Tabellen 1 und 2 beschriebenen Zusammensetzungen gezeigt. Die Spektren geben die Transmission in einem Bereich von zwischen 500 nm und 1100 nm an.
  • 5 zeigt die UV-Vis-Absorptionsspektren für Silikon-enthaltende Epoxymischungen. (Die Zusammensetzungen sind in Tabellen 1 und 2 angegeben). Keine Absorptionen sind jenseits von 500 nm erkennbar.
  • Der Brechungsindex gegen die Wellenlängendaten für die Silikon-Epoxy-Mischungen ist in 6 für die in Tabellen 1 und 2 angegebenen Zusammensetzungen gezeigt. Die Brechungsindex-Werte nahmen von 1,58 bei 350 nm auf 1,49 bei 1700 nm ab.

Claims (7)

  1. Härtbare Epoxyharz-Zusammensetzung zum Einkapseln eines Festkörper-Bauelementes, umfassend (A) ein Siliconharz, umfassend ein Siliconharz mit funktionellen Hydroxylgruppen, (B) ein Epoxyharz, umfassend ein Bisphenol A-Epoxyharz, (C) ein Anhydrid-Härtungsmittel, umfassend Hexahydro-4-methylphthalsäureanhydrid, (D) ein oberflächen-aktives Siloxan, umfassend ein Siloxan mit funktionellen Ethylenoxidgruppen und (E) einen Zinkoctoat-Hilfshärtungs-katalysator, worin Komponente (A) in einer Menge von mehr als 40 Gew.-% vorhanden ist, Komponente (B) in einer Menge in einem Bereich zwischen 1 Gew.-% und 20 Gew.-% vorhanden ist, Komponente (C) in einer Menge von weniger als 40 Gew.-% vorhanden ist und Komponenten (D) und (E) in einer Menge in einem Bereich zwischen 0,008 Gew.-% und 10 Gew.-% vorhanden sind, bezogen auf das kombinierte Gewicht von Siliconharz (A), Epoxyharz (B), Anhydrid-Härtungsmittel (C), oberflächenaktives Siloxan (D) und Hilfshärtungs-katalysator (E).
  2. Zusammensetzung nach Anspruch 1, weiter umfassend mindestens einen von einem Wärmestabilisator, einem UV-Stabilisator oder Kombinationen davon.
  3. Verpacktes Festkörper-Bauelement, umfassend: (a) eine Verpackung, (b) einen Chip (4) und (c) ein Mittel (11) zum Einkapseln, wie in Anspruch 1 oder 2 beansprucht.
  4. Verpacktes Festkörper-Bauelement nach Anspruch 3, worin das Festkörper-Bauelement ein Halbleiter-Bauelement ist.
  5. LED (1)-Bauelement, umfassend: (a) eine Verpackung, (b) einen LED-Chip (4) und (c) ein Mittel (11) zum Einkapseln, wie in Anspruch 1 oder 2 beansprucht.
  6. LED (1) nach Anspruch 5, worin das Mittel (11) zum Einkapseln weiter mindestens einen von einem Wärmestabilisator, einem UV-Stabilisator oder Kombinationen davon umfasst.
  7. Verfahren zum Einkapseln eines LED (1)-Bauelementes, umfassend: Anordnen eines LED (1)-Bauelementes in einer Verpackung und Bereitstellen eines Mittels (11) zum Einkapseln, umfassend: (A) ein Siliconharz, umfassend ein Silicon mit funktionellen Hydroxylgruppen, (B) ein Epoxyharz, umfassend Bisphenol F, (C) ein Anhydrid-Härtungsmittel, umfassend Hexahydro-4-methylphthalsäureanhydrid, (D) ein oberflächen-aktives Siloxan, umfassend ein Siloxan mit funktionellen Ethylenoxidgruppen und (E) einen Hilfshärtungskatalysator, umfassend Zinkoctoat, worin Komponente (A) in einer Menge von mehr als 40 Gew.-% vorhanden ist, Komponente (B) in einer Menge in einem Bereich zwischen 1 Gew.-% und 20 Gew.-% vorhanden ist, Komponente (C) in einer Menge von weniger als 40 Gew.-% vorhanden ist und Komponenten (D) und (E) in einer Menge in einem Bereich zwischen 0,008 Gew.-% und 10 Gew.-% vorhanden sind, bezogen auf das kombinierte Gewicht von Siliconharz (A), Epoxyharz (B), Anhydrid-Härtungsmittel (C), oberflä-chenaktives Siloxan (D) und Hilfshärtungskatalysator (E).
DE2003616759 2002-10-07 2003-10-07 Epoxy-polysiloxanharzzusammensetzungen, damit eingekapselte Halbleitereinrichtungen und Verfahren Expired - Lifetime DE60316759T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US265422 1988-10-31
US10/265,422 US6800373B2 (en) 2002-10-07 2002-10-07 Epoxy resin compositions, solid state devices encapsulated therewith and method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE60316759D1 DE60316759D1 (de) 2007-11-22
DE60316759T2 true DE60316759T2 (de) 2008-07-17

Family

ID=32030326

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2003616759 Expired - Lifetime DE60316759T2 (de) 2002-10-07 2003-10-07 Epoxy-polysiloxanharzzusammensetzungen, damit eingekapselte Halbleitereinrichtungen und Verfahren

Country Status (8)

Country Link
US (1) US6800373B2 (de)
EP (1) EP1408087B1 (de)
JP (2) JP4988141B2 (de)
CN (2) CN100480352C (de)
AT (1) ATE375380T1 (de)
DE (1) DE60316759T2 (de)
ES (1) ES2292912T3 (de)
TW (1) TWI304415B (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010046281A1 (de) 2010-09-21 2012-03-22 Ntc Nano Tech Coatings Gmbh Pigmentierte Zweikomponenten-Schutzbeschichtung
DE102012214440B3 (de) * 2012-08-14 2013-10-24 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Planaroptisches Element, Sensorelement und Verfahren zu deren Herstellung

Families Citing this family (92)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10131698A1 (de) * 2001-06-29 2003-01-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP4102112B2 (ja) * 2002-06-06 2008-06-18 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
US6800373B2 (en) * 2002-10-07 2004-10-05 General Electric Company Epoxy resin compositions, solid state devices encapsulated therewith and method
US7607801B2 (en) * 2003-10-31 2009-10-27 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting apparatus
US6946728B2 (en) * 2004-02-19 2005-09-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. System and methods for hermetic sealing of post media-filled MEMS package
TWI257718B (en) * 2004-03-18 2006-07-01 Phoseon Technology Inc Direct cooling of LEDs
ATE520740T1 (de) * 2004-10-25 2011-09-15 Dow Corning Ein carbinolfunktionelles silikonharz oder ein anhydridfunktionelles silikonharz enthaltende beschichtungszusammensetzungen
JP2008518049A (ja) * 2004-10-25 2008-05-29 ダウ・コーニング・コーポレイション カルビノール官能基シリコーン樹脂もしくは無水物官能基シリコーン樹脂を含有している成型可能な組成物
US7807012B2 (en) * 2004-10-25 2010-10-05 Dow Corning Corporation Moldable compositions containing carbinol functional silicone resins or anhydride functional silicone resins
JP2006156668A (ja) * 2004-11-29 2006-06-15 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法
DE102005009066A1 (de) * 2005-02-28 2006-09-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optischen und eines strahlungsemittierenden Bauelementes und optisches sowie strahlungsemittierendes Bauelement
EP2286721B1 (de) 2005-03-01 2018-10-24 Masimo Laboratories, Inc. Konfidenzmessung physiologischer Parameter
MY143212A (en) * 2005-03-01 2011-03-31 Nitto Denko Corp Photosemiconductor encapsulant of epoxy resin, anhydride and aromatic silicone resin
JP4799883B2 (ja) * 2005-03-01 2011-10-26 日東電工株式会社 エポキシ樹脂組成物硬化体およびその製法ならびにそれを用いた光半導体装置
US7378455B2 (en) * 2005-06-30 2008-05-27 General Electric Company Molding composition and method, and molded article
US7429800B2 (en) * 2005-06-30 2008-09-30 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Molding composition and method, and molded article
US20070004871A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 Qiwei Lu Curable composition and method
US20070045800A1 (en) * 2005-08-19 2007-03-01 Brian King Opto-coupler with high reverse breakdown voltage and high isolation potential
US20070066698A1 (en) 2005-09-20 2007-03-22 Yang Wenliang P Dual cure compositions, methods of curing thereof and articles therefrom
US20070066710A1 (en) * 2005-09-21 2007-03-22 Peters Edward N Method for electrical insulation and insulated electrical conductor
CN102850721A (zh) * 2005-11-25 2013-01-02 日立化成工业株式会社 电子零件用液状树脂组合物及电子零件装置
DE102006010729A1 (de) * 2005-12-09 2007-06-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optisches Element, Herstellungsverfahren hierfür und Verbund-Bauteil mit einem optischen Element
DE102005060860A1 (de) * 2005-12-20 2007-06-28 Robert Bosch Gmbh Elektronikkomponente mit Vergussmasse
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
US8059006B2 (en) 2007-05-18 2011-11-15 Schweitzer Engineering Laboratories, Inc. System and method for communicating power system information through a radio frequency device
US7692538B2 (en) * 2006-05-19 2010-04-06 Schweitzer Engineering Laboratories, Inc. User interface for monitoring a plurality of faulted circuit indicators
US7683261B2 (en) * 2006-05-19 2010-03-23 Schweitzer Engineering Laboratories, Inc. Article and method for providing a seal for an encapsulated device
WO2007137192A2 (en) 2006-05-19 2007-11-29 Schweitzer Engineering Laboratories, Inc. Apparatus and system for adjusting settings of a power system device using a magnetically coupled actuator
CA2654411C (en) 2006-05-19 2013-10-22 Schweitzer Engineering Laboratories, Inc. User interface for monitoring a plurality of faulted circuit indicators
WO2008066951A2 (en) * 2006-05-19 2008-06-05 Schweitzer Engineering Laboratories, Inc. System and apparatus for optical communications through a semi-opaque material
NZ572627A (en) * 2006-05-19 2011-11-25 Schweitzer Engineering Lab Inc Selecting memory locations within a power system device or fault indicator for viewing
WO2007139781A2 (en) * 2006-05-23 2007-12-06 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device
KR101390087B1 (ko) * 2006-06-16 2014-04-28 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 에폭시ㆍ실리콘 혼성 수지 조성물 및 발광 반도체 장치
CN100462384C (zh) * 2006-06-22 2009-02-18 上海交通大学 一种环氧真空压力浸渍树脂的制备方法
US8265723B1 (en) 2006-10-12 2012-09-11 Cercacor Laboratories, Inc. Oximeter probe off indicator defining probe off space
KR100834351B1 (ko) * 2006-11-24 2008-06-02 제일모직주식회사 멀티칩 패키지　밀봉용 에폭시 수지 조성물　및 이를이용한 멀티칩 패키지
JP5143020B2 (ja) * 2006-12-04 2013-02-13 パナソニック株式会社 封止材料及び実装構造体
EP2139383B1 (de) 2007-03-27 2013-02-13 Masimo Laboratories, Inc. Optischer sensor mit mehreren wellenlängen
US8374665B2 (en) 2007-04-21 2013-02-12 Cercacor Laboratories, Inc. Tissue profile wellness monitor
US8337163B2 (en) 2007-12-05 2012-12-25 General Electric Company Fiber composite half-product with integrated elements, manufacturing method therefor and use thereof
US8665102B2 (en) 2008-07-18 2014-03-04 Schweitzer Engineering Laboratories Inc Transceiver interface for power system monitoring
JP5410732B2 (ja) * 2008-09-30 2014-02-05 東京応化工業株式会社 感光性樹脂組成物及び封止剤
US8079820B2 (en) 2008-12-18 2011-12-20 General Electric Company Blade module, a modular rotor blade and a method for assembling a modular rotor blade
JP2010163566A (ja) * 2009-01-16 2010-07-29 Three M Innovative Properties Co エポキシ樹脂組成物
JP5478603B2 (ja) * 2009-03-05 2014-04-23 新日鉄住金化学株式会社 エポキシ樹脂組成物
KR101151063B1 (ko) * 2009-03-31 2012-06-01 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 전자 부품용 액상 수지 조성물 및 전자 부품 장치
JP5556133B2 (ja) * 2009-03-31 2014-07-23 日立化成株式会社 電子部品用液状樹脂組成物及び電子部品装置
US9839381B1 (en) 2009-11-24 2017-12-12 Cercacor Laboratories, Inc. Physiological measurement system with automatic wavelength adjustment
DE112010004682T5 (de) 2009-12-04 2013-03-28 Masimo Corporation Kalibrierung für mehrstufige physiologische Monitore
TWI408174B (zh) * 2010-02-09 2013-09-11 Nanya Plastics Corp 應用在光學封裝及塗佈之環氧矽氧烷樹脂組成物
CN102741348B (zh) * 2010-02-10 2014-11-12 琳得科株式会社 固化性组合物、固化物和固化性组合物的使用方法
CN102725872A (zh) * 2010-03-10 2012-10-10 松下电器产业株式会社 Led包封树脂体，led装置和led装置的制造方法
JP6157118B2 (ja) * 2010-03-23 2017-07-05 株式会社朝日ラバー 可撓性反射基材、その製造方法及びその反射基材に用いる原材料組成物
CN103068941A (zh) * 2010-06-23 2013-04-24 陶氏环球技术有限责任公司 粉末涂料组合物
CA2804049A1 (en) 2010-06-28 2012-01-19 Dow Global Technologies Llc Curable resin compositions
CN102339936B (zh) * 2010-07-27 2015-04-29 展晶科技(深圳)有限公司 发光装置封装结构及其制造方法
US20120040106A1 (en) 2010-08-16 2012-02-16 Stefan Simmerer Apparatus for impregnating a fiber material with a resin and methods for forming a fiber-reinforced plastic part
KR20130138792A (ko) * 2010-09-29 2013-12-19 코닌클리케 필립스 엔.브이. 파장 변환된 발광 장치
CN102443246B (zh) * 2010-10-13 2014-01-22 明德国际仓储贸易(上海)有限公司 含硅树脂封装组成物
DE102010042588A1 (de) 2010-10-18 2012-04-19 Everlight Usa, Inc. Siliconhaltiges Einkapselungsmittel
CN102030970A (zh) * 2010-11-23 2011-04-27 上海旌纬微电子科技有限公司 一种电子元件包封用的环氧树脂组合物及其制备方法
JP5832740B2 (ja) * 2010-11-30 2015-12-16 株式会社ダイセル 硬化性エポキシ樹脂組成物
CN103703048B (zh) * 2011-07-29 2016-09-21 Abb研究有限公司 可固化环氧树脂组合物
KR20140082708A (ko) * 2011-09-28 2014-07-02 헨켈 아게 운트 코. 카게아아 옥세탄 함유 화합물 및 그의 조성물
US20120138223A1 (en) 2011-09-29 2012-06-07 General Electric Company Uv-ir combination curing system and method of use for wind blade manufacture and repair
CN102516501A (zh) * 2011-11-22 2012-06-27 中国科学院上海有机化学研究所 一种用于制作led透镜的光固化材料
US8526156B2 (en) 2011-12-21 2013-09-03 Schweitzer Engineering Laboratories Inc High speed signaling of power system conditions
JP6047294B2 (ja) * 2012-03-30 2016-12-21 株式会社ダイセル 硬化性エポキシ樹脂組成物
JP5899025B2 (ja) * 2012-03-30 2016-04-06 株式会社ダイセル 硬化性エポキシ樹脂組成物
DE102012211323A1 (de) * 2012-06-29 2014-01-02 Evonik Industries Ag Härter für Epoxidharzsysteme und deren Verwendung
CN102775736A (zh) * 2012-08-16 2012-11-14 上纬（上海）精细化工有限公司 一种led封装材料、以及用于该封装材料的组合物
CN103665882B (zh) * 2012-09-19 2016-04-20 浙江三元电子科技有限公司 一种导热硅橡胶复合材料、导热硅胶片及其制备方法
CN102916117B (zh) * 2012-09-25 2015-08-26 中山大学 改善颜色空间分布和出光效率多峰光谱led及制作方法
JP6279830B2 (ja) * 2012-11-12 2018-02-14 日本化薬株式会社 硬化性樹脂組成物およびその硬化物
CN104884535B (zh) 2012-12-26 2017-05-10 第一毛织株式会社 用于光学元件的可固化聚硅氧烷组成物、包封材料、以及光学元件
FR3000408B1 (fr) * 2013-01-03 2015-02-27 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'un filtre destine a la filtration de nanoparticules, filtre obtenu et procede de collecte et d'analyse quantitative de nanoparticules associe.
JP6046497B2 (ja) * 2013-01-09 2016-12-14 株式会社ダイセル 硬化性エポキシ樹脂組成物
US20140254135A1 (en) * 2013-03-08 2014-09-11 Shat-R-Shield, Inc. Light-emitting diode light and heat device
US9698314B2 (en) * 2013-03-15 2017-07-04 General Electric Company Color stable red-emitting phosphors
JP6478449B2 (ja) 2013-08-21 2019-03-06 キヤノン株式会社 装置の製造方法及び機器の製造方法
DE102013222003A1 (de) * 2013-10-29 2015-04-30 Evonik Industries Ag Mittel für die Versiegelungen von Licht-emittierenden Dioden
CN104292755B (zh) * 2014-10-16 2017-02-01 苏州思莱特电子科技有限公司 一种高分子led封装材料及其制备方法
CN106008979A (zh) * 2015-03-27 2016-10-12 豪雅冠得股份有限公司 固化性树脂组合物及光半导体装置
US9871173B2 (en) 2015-06-18 2018-01-16 Cree, Inc. Light emitting devices having closely-spaced broad-spectrum and narrow-spectrum luminescent materials and related methods
KR101778848B1 (ko) * 2015-08-21 2017-09-14 엘지전자 주식회사 발광소자 패키지 어셈블리 및 이의 제조 방법
KR101933273B1 (ko) * 2016-05-30 2018-12-27 삼성에스디아이 주식회사 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자
EP3486957A4 (de) * 2016-07-14 2020-02-12 Zeon Corporation Infrarot-led
JP2018030999A (ja) * 2017-08-04 2018-03-01 日本化薬株式会社 硬化性樹脂組成物およびその硬化物
US10541353B2 (en) 2017-11-10 2020-01-21 Cree, Inc. Light emitting devices including narrowband converters for outdoor lighting applications
KR102146997B1 (ko) * 2017-12-29 2020-08-21 삼성에스디아이 주식회사 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 소자
CN110149434B (zh) * 2018-02-13 2021-09-14 深圳富泰宏精密工业有限公司 电子装置及其制备方法
US11397198B2 (en) 2019-08-23 2022-07-26 Schweitzer Engineering Laboratories, Inc. Wireless current sensor

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2072190B (en) * 1980-03-21 1983-12-21 Toray Silicone Co Siloxane-modified epoxy resin composition
JPH0682764B2 (ja) * 1985-11-28 1994-10-19 日東電工株式会社 半導体装置
DE3634084A1 (de) * 1986-10-07 1988-04-21 Hanse Chemie Gmbh Modifiziertes reaktionsharz, verfahren zu seiner herstellung und seine verwendung
JPH0725866B2 (ja) * 1988-04-19 1995-03-22 サンスター技研株式会社 エポキシ樹脂組成物
CA2010331A1 (en) * 1989-03-02 1990-09-02 James O. Peterson Low stress epoxy encapsulant compositions
JP2760889B2 (ja) * 1989-12-28 1998-06-04 日東電工株式会社 光半導体装置
JPH065464A (ja) * 1992-06-19 1994-01-14 Hitachi Chem Co Ltd コンデンサ用エポキシ樹脂組成物
JPH06296044A (ja) * 1993-04-08 1994-10-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｌｅｄ用エポキシ樹脂組成物
JP3399095B2 (ja) * 1994-07-04 2003-04-21 新日本理化株式会社 液状エポキシ樹脂組成物
DE19523897C2 (de) * 1995-06-30 2002-10-24 Bosch Gmbh Robert Verwendung von Silicon-modifizierten Epoxidharzen als Vergußmassen für elektrotechnische oder elektronische Bauteile
JPH09118738A (ja) * 1995-10-25 1997-05-06 Nippon Kayaku Co Ltd 低応力樹脂組成物
JP2710921B2 (ja) * 1995-11-13 1998-02-10 日東電工株式会社 半導体装置
JP3592825B2 (ja) * 1996-02-07 2004-11-24 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 硬化性エポキシ樹脂組成物および電子部品
WO1998002019A1 (en) 1996-07-10 1998-01-15 International Business Machines Corporation Siloxane and siloxane derivatives as encapsulants for organic light emitting devices
ES2237832T3 (es) * 1997-08-27 2005-08-01 Huntsman Advanced Materials (Switzerland) Gmbh Sistema de resina epoxi hidrofoba.
DE69934153T2 (de) * 1998-02-02 2007-09-20 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Verfahren zur Montage von Flip-Chip-Halbleiterbauelementen
US6204523B1 (en) 1998-11-06 2001-03-20 Lumileds Lighting, U.S., Llc High stability optical encapsulation and packaging for light-emitting diodes in the green, blue, and near UV range
JP2000204137A (ja) * 1999-01-14 2000-07-25 Toto Ltd 樹脂成形物、樹脂成形品及びそれらの製造方法
JP3397176B2 (ja) * 1999-06-25 2003-04-14 松下電工株式会社 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2002020586A (ja) * 2000-07-05 2002-01-23 Shin Etsu Chem Co Ltd エポキシ樹脂組成物
KR100739283B1 (ko) * 2001-03-13 2007-07-12 제이에스알 가부시끼가이샤 감방사선성 굴절율 변화성 조성물 및 그의 이용
US6632892B2 (en) * 2001-08-21 2003-10-14 General Electric Company Composition comprising silicone epoxy resin, hydroxyl compound, anhydride and curing catalyst
US6624216B2 (en) * 2002-01-31 2003-09-23 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation No-flow underfill encapsulant
US6800373B2 (en) * 2002-10-07 2004-10-05 General Electric Company Epoxy resin compositions, solid state devices encapsulated therewith and method

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010046281A1 (de) 2010-09-21 2012-03-22 Ntc Nano Tech Coatings Gmbh Pigmentierte Zweikomponenten-Schutzbeschichtung
WO2012041280A1 (de) 2010-09-21 2012-04-05 Ntc Nano Tech Coatings Gmbh Pigmentierte zweikomponenten-schutzbeschichtung
US9193889B2 (en) 2010-09-21 2015-11-24 Ntc Nano Tech Coatings Gmbh Pigmented two-component protective coating
DE102012214440B3 (de) * 2012-08-14 2013-10-24 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Planaroptisches Element, Sensorelement und Verfahren zu deren Herstellung
US10120131B2 (en) 2012-08-14 2018-11-06 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V Planar-optical element, sensor element having nanowires and method for the production thereof

Also Published As

Publication number Publication date
TW200415019A (en) 2004-08-16
EP1408087B1 (de) 2007-10-10
DE60316759D1 (de) 2007-11-22
CN101307183B (zh) 2011-06-29
JP2010202880A (ja) 2010-09-16
US20040067366A1 (en) 2004-04-08
US6800373B2 (en) 2004-10-05
ES2292912T3 (es) 2008-03-16
CN100480352C (zh) 2009-04-22
CN1534074A (zh) 2004-10-06
CN101307183A (zh) 2008-11-19
ATE375380T1 (de) 2007-10-15
TWI304415B (en) 2008-12-21
JP2004277697A (ja) 2004-10-07
EP1408087A1 (de) 2004-04-14
JP4988141B2 (ja) 2012-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60316759T2 (de) Epoxy-polysiloxanharzzusammensetzungen, damit eingekapselte Halbleitereinrichtungen und Verfahren
DE60208863T2 (de) Epoxyharz Verkapselungszusammensetzung
US6507049B1 (en) Encapsulants for solid state devices
US6632892B2 (en) Composition comprising silicone epoxy resin, hydroxyl compound, anhydride and curing catalyst
DE10213294B4 (de) Verwendung eines UV-beständigen Polymers in der Optoelektronik sowie im Außenanwendungsbereich, UV-beständiges Polymer sowie optisches Bauelement
US6878783B2 (en) Solid state device with encapsulant of cycloaliphatic epoxy resin, anhydride, and boron catalyst
JP2008007782A (ja) オプトエレクトロニックデバイス
DE112009002625T5 (de) Beschichtungsmittel, Substrat zum Montieren eines optischen Halbleiterelements unter Verwendung desselben und optische Halbleitervorrichtung
EP1287063A1 (de) Alterungsstabile epoxidharzsysteme, daraus hergestellte formstoffe und bauelemente und deren verwendung
JP2007138016A (ja) 絶縁性白色基板及び光半導体装置
US20070299162A1 (en) Optoelectronic device
DE102011114559B4 (de) Optoelektronisches Bauelement umfassend eine Haftschicht, Verfahren zur Herstellung einer Haftschicht in einem optoelektronischen Bauelement und Verwendung eines Klebstoffes zur Bildung von Haftschichten in optoelektronischen Bauelementen
TW201446873A (zh) 光半導體反射器用環氧樹脂組成物、光半導體裝置用熱硬化性樹脂組成物及使用其製得之光半導體裝置用引線框、密封型光半導體元件以及光半導體裝置
KR20140135554A (ko) 방열 조성물 및 이의 제조 방법, 방열 조성물을 포함하는 발광소자 패키지
KR102703006B1 (ko) 부가경화형 실록산 조성물
KR101405532B1 (ko) 에폭시 수지 조성물 및 이를 포함하는 광반도체 장치

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition