DE19911916B4 - Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit Schutzlage - Google Patents

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Abstract

Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, das die folgenden Schritte aufweist:
Bereitstellen einer Klebelage (20), welche aus einer Harzschicht (2, 2a) und einem Klebstoff (3) gebildet ist,
Bilden von Vertiefungen (20a) und Öffnungen (20b, 20e) in der Klebelage (20), wobei die Vertiefungen unter Verwendung eines Excimerlasers auf der Klebeseite ausgebildet werden,
Bereitstellen eines Halbleiterwafers (10), der eine Halbleiterstruktur mit Trägerstrukturen (1a) und Anschlußflächen (1b) aufweist,
Verbinden des Wafers (10) mit der Klebelage (20) derart, daß die Trägerstrukturen (1a) in den Vertiefungen (20a) untergebracht sind und die Öffnungen (20b, 20e) bis zu den Anschlußflächen (1b) reichen,
Schneiden des Halbleiterwafers (10) durch Zerteilen in eine Vielzahl von Halbleiterchips (1), und
Vergießen von einem der Halbleiterchips (1) mit Harz (7).

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, die einen Halbleiterchip beinhaltet, der mit einer Schutzlage bedeckt ist.
  • Im allgemeinen beinhaltet ein Halbleitersensor für eine physikalische Größe, wie zum Beispiel ein Halbleiterbeschleunigungssensor oder ein Halbleiterdrucksensor ein bewegliches Teil, das auf einem Siliziumchip ausgebildet ist. Ein derartiger Sensor gibt in Übereinstimmung mit einer Versetzung des beweglichen Teils ein elektrisches Signal aus, das einer physikalischen Größe, wie zum Beispiel einer Beschleunigung oder einem Druck, entspricht.
  • Zum Beispiel offenbart die JP-A-9-211022 einen Beschleunigungssensor, der eine Trägerstruktur, die als ein bewegliches Teil auf einem Siliziumsubstrat ausgebildet ist und nach einem Aufnehmen einer Beschleunigung versetzt wird, eine bewegliche Elektrode, die auf der Trägerstruktur angeordnet ist, und eine bewegliche Elektrode beinhaltet, die derart auf dem Siliziumsubstrat ausgebildet ist, daß sie der beweglichen Elektrode gegenüberliegt. Der Beschleunigungssensor erfaßt eine Beschleunigung auf der Grundlage einer Änderung eines Abstands zwischen der beweglichen Elektrode und der festen Elektrode.
  • Diese Art einer Halbleitervorrichtung beinhaltet im allgemeinen eine Schutzabdeckung zum Bedecken und Schützen des beweglichen Teils. Wie es in der JP-A-6-347475 offenbart ist, kann ein Glassubstrat, welches durch Anodenkopplung mit einem Halbleiterwafer verbunden ist, als die Schutzabdeckung verwendet werden. In diesem Fall ist es jedoch wahrscheinlich, daß das Glassubstrat aufgrund einer Oberflächenrauheit seiner Verbindungsgrenzflächen Lücken an dem Verbindungsabschnitt mit dem Halbleiterwafer ausbildet. Deshalb gelangt, wenn ein Zerteilen ausgeführt wird, Schleifwasser derart leicht durch die Lücken in die Halbleitervorrichtung, daß verschiedene Probleme verursacht werden. Zum Beispiel kann das Wasser aufgrund seiner Oberflächenspannung die Bewegung des beweglichen Teils stören.
  • Andererseits offenbart die JP-A-9-27466 kein Glassubstrat sondern eine UV-härtende Lage als eine Schutzabdeckung. Wenn die UV-härtende Lage als die Schutzabdeckung verwendet wird, tritt das derartige Problem nicht auf, daß Schleifwasser während des Zerteilens in die Halbleitervorrichtung gelangt. Jedoch wird die UV-härtende Lage bei einer Temperatur von ungefähr 80°C bis 90°C verformt. Aufgrund dessen muß die UV-härtende Lage von der Halbleitervorrichtung abgenommen werden, wenn nachfolgende Schritte, wie zum Beispiel ein Drahtkontaktierungsschritt, ausgeführt werden, die eine Temperatur erfordern, die höher als diese ist. Dies führt zu einer Erhöhung einer Anzahl von Herstellungsschritten.
  • Weiterhin gibt es eine Struktur eines Typs mit beidseitig freiliegenden Oberflächen, die eine Trägerstruktur (ein bewegliches Teil) als ein Erfassungsteil aufweist, das auf beiden Oberflächen eines Chip freigelegt ist. Bei einer derartigen Struktur ist es wahrscheinlich, daß ein Klebstoff das Erfassungsteil derart berührt, daß die Bewegung des beweglichen Teils gestört wird, wenn der Chip durch den Klebstoff auf einem Leiterrahmen befestigt wird oder durch einen Klebstoff an einem Gehäuse befestigt wird. Wenn der Sensorchip des Typs mit beidseitig freiliegenden Oberflächen mit Harz vergossen wird, berührt das Harz leicht das bewegliche Teil. Auch dann, wenn der Sensorchip an dem Leiterrahmen oder dem Gehäuse befestigt wird, kann das Harz leicht das bewegliche Teil durch Gehen durch eine Lücke an dem Verbindungsabschnitt des Chip berühren.
  • Als relevanter Stand der Technik werden die DE 196 28 237 A1 und die WO 93/22788 A1 angesehen.
  • Die vorliegende Erfindung ist im Hinblick auf die vorhergehenden Probleme geschaffen worden. Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einem Halbleiterchip zu schaffen, der mit einer Schutzlage bedeckt ist und mit niedrigen Kosten mit einer niedrigen Zahl von Herstellungsschritten hergestellt werden kann. Des weiteren ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, zu verhindern, daß Klebstoff und Gußharz während eines Herstellungsverfahrens ein bewegliches Teil eines Halbleiterchip verkleben.
  • Die Lösung der Aufgabe erfolgt durch die Merkmale des Anspruchs 1.
  • Eine hauptseitige Schutzharzlage, die eine Öffnung aufweist, ist durch einen hauptseitigen wärmebeständigen Klebstoff derart mit einem Halbleiterchip verbunden, daß eine Anschlußfläche auf dem Halbleiterchip über die Öffnung freigelegt ist. Die Anschlußfläche ist mit einem Draht verbunden. Die hauptseitige Schutzharzlage und der hauptseitige wärmebeständige Klebstoff weisen erste und zweite wärmebeständige Temperaturen auf, die höher als eine erste Temperatur sind, bei welcher der Draht durch Kontaktieren an der Anschlußfläche befestigt werden kann. Da die hauptseitige Schutzharzlage durch den wärmebeständigen Klebstoff mit dem Halbleiterchip verbunden ist, dringt während eines Zerteilens kein Schleifwasser durch den Verbindungsabschnitt ein. Da die ersten und zweiten wärmebeständigen Temperaturen höher als die Temperatur sind, bei welcher der Draht durch Kontaktieren an der Anschlußfläche befestigt werden kann, kann das Drahtkontaktieren ohne Entfernen der hauptseitigen Schutzharzlage an dem Halbleiterchip ausge führt werden, was zu einer verringerten Anzahl von Herstellungsschritten führt.
  • Die ersten und zweiten wärmebeständigen Temperaturen der hauptseitigen Schutzharzlage und des hauptseitigen wärmebeständigen Klebstoffs sind höher als eine Temperatur, bei welcher der Halbleiterchip an einem Leiterrahmen befestigt werden kann. Deshalb kann der Halbleiterchip ohne Entfernen der Schutzharzlage an dem Leiterrahmen befestigt werden. Die ersten und zweiten wärmebeständigen Temperaturen sind höher als eine Temperatur, bei welcher der Halbleiterchip mit Harz vergossen werden kann. Deshalb kann der Halbleiterchip ohne Entfernen der Schutzharzlage mit Harz vergossen werden.
  • Die ersten und zweiten wärmebeständigen Temperaturen sind höher als eine Temperatur, bei welcher der Halbleiterchip an einem Gehäuse befestigt werden kann. Deshalb kann der Halbleiterchip zusammen mit der Schutzharzlage an dem Gehäuse befestigt werden. Vorzugsweise besteht die hauptseitige Schutzharzlage aus Polyimid und beinhaltet der hauptseitige wärmebeständige Klebstoff einen Silikonklebstoff.
  • Wenn die Halbleiterstruktur an beiden Oberflächen des Halbleiterchip freiliegt, wird weiterhin eine rückseitige Schutzharzlage derart mit dem Halbleiterchip verbunden, daß sie die Halbleiterstruktur auf einer der hauptseitigen Schutzharzlage gegenüberliegenden Seite bedeckt. Die rückseitige Schutzharzlage kann durch einen rückseitigen wärmebeständigen Klebstoff mit dem Halbleiterchip verbunden sein. Vorzugsweise besteht die rückseitige Schutzharzlage aus Polyimid und beinhaltet der rückseitige wärmebeständige Klebstoff ebenso einen Silikonklebstoff.
  • Die rückseitige Schutzharzlage ist gegenüber den Temperaturen beständig, bei welchen der Draht an der Anschluß fläche befestigt, der Halbleiterchip an dem Leiterrahmen befestigt, der Halbleiterchip mit Harz vergossen und der Halbleiterchip an dem Gehäuse befestigt werden kann, ebenso wie es die hauptseitige Schutzharzlage und der hauptseitige wärmebeständige Klebstoff sind. Das heißt, die hauptseitigen und rückseitigen Schutzharzlagen werden bei den zuvor beschriebenen Temperaturen nicht thermisch verformt. Dies läßt zu, daß die Schutzlagen während der zuvor beschriebenen Herstellungsschritte auf dem Halbleiterchip verbleiben. Auch dann, wenn die Halbleiterstruktur auf den beiden Oberflächen des Halbleiterchip freigelegt ist, berühren der Klebstoff und das Harz während den Herstellungsschritten nicht die Halbleiterstruktur, da die Halbleiterstruktur von den hauptseitigen und rückseitigen Schutzlagen bedeckt wird. Weiterhin kann das Eindringen von Schleifwasser während eines Zerteilens verhindert werden.
  • Die vorliegende Erfindung wird nachstehend anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die beiliegende Zeichnung näher erläutert. Dabei bildet das erste Ausführungsbeispiel den Gegenstand der vorliegenden Erfindung, während die übrigen Ausführungsbeispiele deren Erläuterung dienen.
  • Es zeigen:
  • 1 eine Querschnittsansicht eines Halbleiterbeschleunigungssensors gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel;
  • 2A bis 2E Querschnittsansichten eines Herstellungsverfahrens des in 1 gezeigten Beschleunigungssensors auf eine schrittartige Weise;
  • 3 eine eine Grundrißgestaltung einer wärmebeständigen Klebstofflage gemäß dem ers ten Ausführungsbeispiel schematisch darstellende Draufsicht;
  • 4 eine eine Grundrißgestaltung eines Halbleiterwafers gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel schematisch darstellende Draufsicht;
  • 5 eine perspektivische Ansicht eines Zustands, in dem ein Zerteilen ausgeführt wird, gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel;
  • 6A bis 6D Querschnittsansichten eines Herstellungsverfahrens eines Halbleiterbeschleunigungssensors gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel auf eine schrittartige Weise;
  • 7A bis 7D Querschnittsansichten eines Herstellungsverfahrens eines Halbleiterbeschleunigungssensors gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel auf eine schrittartige Weise;
  • 8 eine Querschnittsansicht eines Halbleiterbeschleunigungssensors gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel;
  • 9 eine Querschnittsansicht eines Halbleiterbeschleunigungssensors gemäß einem fünften Ausführungsbeispiel;
  • 10A bis 10D Querschnittsansichten eines Herstellungsverfahrens des in 9 gezeigten Beschleunigungssensors gemäß dem fünften Ausführungsbeispiel;
  • 11 eine eine Grundrißgestaltung eines Halbleiterwafers gemäß dem fünften Ausführungsbeispiel schematisch dargestellte Draufsicht;
  • 12 eine perspektivische Ansicht eines Zustands, in dem ein Zerteilen ausgeführt wird, gemäß dem fünften Ausführungsbeispiel;
  • 13A bis 13C Querschnittsansichten eines weiteren Herstellungsverfahrens des in 9 gezeigten Beschleunigungssensors gemäß einem sechsten Ausführungsbeispiel;
  • 14A bis 14C Querschnittsansichten eines weiteren Herstellungsverfahrens des in 9 gezeigten Beschleunigungssensors gemäß einem siebenten Ausführungsbeispiel; und
  • 15 eine Querschnittsansicht eines Halbleiterbeschleunigungssensors gemäß einem achten Ausführungsbeispiel.
  • Nachstehend erfolgt die Beschreibung eines ersten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.
  • Es wird auf 1 verwiesen. Ein Halbleiterbeschleunigungssensor gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel beinhaltet einen Sensorchip 1, der durch Vergießen mit Harz verkapselt ist. Der "Sensorchip 1 weist eine Struktur auf, die im wesentlichen die gleiche wie die ist, die in der JP-A-9-211022 offenbart ist. Kurz gesagt ist eine Trägerstruktur, die als ein bewegliches Teil nach einem Aufnehmen einer Beschleunigung versetzt wird, auf einem Siliziumsubstrat ausgebildet und wird die Beschleunigung auf der Grundlage einer Ände rung eines Abstands zwischen einer beweglichen Elektrode, die auf der Trägerstruktur vorgesehen ist, und einer festen Elektrode erfaßt, die auf dem Siliziumsubstrat vorgesehen ist. In 1 ist lediglich die Trägerstruktur mit dem Bezugszeichen 1a bezeichnet. Anschlußflächen 1b sind auf der Oberfläche des Sensorchip 1 derart ausgebildet, daß die bewegliche Elektrode und die feste Elektrode elektrisch mit einer äußeren Schaltung verbunden sind. Eine wärmebeständige Harzlage 2 zum Schützen der Trägerstruktur als eine Schutzabdeckung ist durch einen wärmebeständigen Klebstoff 3 mit der Oberfläche des Sensorschip 1 verbunden. Der wärmebeständige Klebstoff 3 ist gegenüber Wärmebehandlungstemperaturen (zum Beispiel 150°C bis 180°C) für einen Drahtkontaktierungsschritt und einen Harzvergußschritt, die nachstehend beschrieben werden, beständig. Genauer gesagt besteht die wärmebeständige Harzlage 2 aus einem Material auf Polyimidbasis, das eine wärmebeständige Temperatur von ungefähr 400°C aufweist und ist der wärmebeständige Klebstoff 3 ein Silikonklebstoff, der eine wärmebeständige Temperatur von ungefähr 230°C aufweist. Dies bedeutet, daß das Material auf Polyimidbasis bei einer Temperatur, die gleich oder kleiner als 400°C ist, nicht thermisch verformt wird und das der Silikonklebstoff bei einer Temperatur, die gleich oder kleiner als 230°C ist, nicht thermisch verformt wird.
  • Die wärmebeständige Harzlage 2 weist Kontaktlöcher 20b zum derartigen Freilegen der Anschlußflächen 1b aus diesen auf, daß die Anschlußflächen 1b durch Kontaktieren über Drähte 4 mit einem Leiterrahmen 5 verbunden sind. Der Sensorchip 1 ist durch eine Silberpaste 6 fest an dem Leiterrahmen 5 angebracht und der Sensorchip 1 und der Leiterrahmen 5 sind vollständig durch Vergießen mit Harz 7 verkapselt.
  • Als nächstes wird ein Verfahren zum Herstellen des Beschleunigungssensors unter Bezugnahme auf die 2A bis 2E erklärt.
  • Es folgt eine Beschreibung eines in 2A gezeigten Schritts.
  • Eine wärmebeständige Klebelage 20, die ein Teil 2 auf Polyimidbasis aufweist, das mit dem Silikonklebstoff 3 bedeckt ist, wird vorbereitet. Eine Dicke des Teils 2 auf Polyimidbasis befindet sich vorzugsweise in einem Bereich von 50 μm bis 150 μm zum Erleichtern eines Zerteilens in einem nachfolgenden Schritt und eine Dicke des Silikonklebstoffs 3 befindet sich vorzugsweise in einem Bereich von 10 μm bis 20 μm.
  • Es folgt eine Beschreibung eines in 2B gezeigten Schritts.
  • Vertiefungen 20a werden derart auf der wärmebeständigen Klebelage 20 ausgebildet, daß verhindert werden kann, daß Trägerstrukturen 1a in einem in 2D gezeigten Schritt, in welchem die wärmebeständige Klebelage 20 mit einem Halbleiterwafer 10 verbunden wird, die wärmebeständige Klebelage 20 berühren. Die Vertiefungen 20A werden unter Verwendung eines Excimerlasers ausgebildet, während eine Anzahl von Feuerzeiten gesteuert wird, um erwünschte Tiefen von ihnen zu erzielen. Es ist vorstellbar, zum Verbessern eines Durchsatzes der Verarbeitung den Laserstrahl durch eine Maske aufzuweiten, um den Laserstrahl in mehrere Strahlen aufzuteilen, oder eine Anzahl von Lasergeneratoren zu erhöhen.
  • Weiterhin werden die Kontaktlöcher 20b an Positionen, die den Anschlußflächen 1b des Halbleiterwafers 10 entsprechen, in der wärmebeständigen Klebelage 20 ausgebildet. Die Verarbeitung der Kontaktlöcher 20b kann durch den Excimer laser oder durch Stanzen durchgeführt werden. Jede Öffnungsfläche der Kontaktlöcher 20b kann kleiner oder größer als die der jeweiligen Anschlußflächen 1b sein, vorausgesetzt, daß das Drahtkontaktieren auf diesen ausgeführt wird. Die Reihenfolge zum Ausbilden der Vertiefungen 20a und der Kontaktlöcher 20b ist nicht festgelegt und die Kontaktlöcher 20b können vor einem Ausbilden der Vertiefungen 20a ausgebildet werden.
  • 3 zeigt eine Grundrißgestaltung der wärmebeständigen Klebelage 20. Die Vertiefungen 20a und die Kontaktlöcher 20b sind derart ausgebildet, daß sie Positionen entsprechen, an denen Sensorchips auf dem Halbleiterwafer 10 auszubilden sind. Weiterhin sind zum Ausrichten bezüglich des Halbleiterwafers 10 Ausrichtungsmarkierungen 20C auf der wärmebeständigen Klebelage 20 ausgebildet. Die Ausrichtungsmarkierungen 20c sind Durchgangslöcher, die durch einen Excimerlaser ausgebildet werden.
  • Es folgt eine Beschreibung eines in 2C gezeigten Schritts.
  • Als nächstes wird der Halbleiterwafer 10 vorbereitet, auf welchem die Trägerstrukturen 1a und die Aluminium- bzw. Al-Anschlußflächen 1b ausgebildet werden. 4 zeigt eine Grundrißgestaltung des Halbleiterwafers 10. Wie es in dieser Figur gezeigt ist, sind zum Ausrichten bezüglich der wärmebeständigen Klebelage 20 Ausrichtungsmarkierungen 1c ausgebildet. In 4 sind die Anschlußflächen 4 weggelassen.
  • Es folgt eine Beschreibung eines in 2D gezeigten Schritts.
  • Die wärmebeständige Klebelage 20 wird derart auf der Oberfläche des Halbleiterwafers 10 angebracht, daß jede Ausrichtungsmarkierung 20c der wärmebeständigen Klebelage 20 mit einer entsprechenden Ausrichtungsmarkierung 1c des Halbleiterwafers 10 übereinstimmt. Demgemäß werden die Trägerstrukturen 1a jeweils in den Vertiefungen 20a untergebracht.
  • Bei dem Verbindungsschritt kann eine erwärmte Walze oder dergleichen auf der wärmebeständigen Klebelage 20 gewalzt werden, um die Lage 20 zu erwärmen, oder kann eine Walze oder dergleichen auf dem erwärmten Halbleiterwafer 10 gewalzt werden, um ein Erzeugen von Hohlräumen zu verhindern und um eine Klebefestigkeit des Klebstoffs zu verbessern. Das Ausrichten der wärmebeständigen Klebelage 20 und des Halbleiterwafers 10 kann unter Verwendung einer CCD-Kamera, die zwischen der wärmebeständigen Klebelage 20 und dem Halbleiterwafer 10 angeordnet ist, vor einem Verbinden ausgeführt werden. In einigen Fällen kann die Breite der wärmebeständigen Klebelage 20 verglichen mit der des Halbleiterwafers 10 verschmälert werden, so daß ein Reißmuster und dergleichen freigelegt werden. Demgemäß wird einfach nach einem Verbinden geprüft, ob die wärmebeständige Klebelage 20 und der Halbleiterwafer 10 an bestimmten Positionen sicher miteinander verbunden sind. Außerdem können nachfolgende Schritte gleichmäßig ausgeführt werden.
  • Es folgt eine Beschreibung eines in 2E gezeigten Schritts.
  • Der Halbleiterwafer 10 wird durch Zerteilen entlang des Reißmusters mit den Anschlußflächen 1b, die aus den Kontaktlöchern 20b freiliegen und als eine Referenz dienen, in die Sensorchips 1 geteilt. 5 zeigt einen Zustand, in dem der Halbleiterwafer 10 durch eine Zerteilklinge 8 zerteilt wird. In 2E bezeichnet das Bezugszeichen 9 Schneideabschnitte, die von der Zerteilklinge 8 geschnitten werden.
  • Danach wird, wie es 1 gezeigt ist, einer der Sensorchips 1, der durch Zerteilen geschnitten ist, durch eine Silberpaste 6 an dem Leiterrahmen 5 befestigt. Die Anschlußflächen 1b werden durch Drahtkontaktieren durch die Drähte 4 elektrisch mit dem Leiterrahmen verbunden und dann wird der Halbleiterbeschleunigungssensor mit Harz 7 vergossen.
  • Bei dem zuvor beschriebenen Herstellungsverfahren wird, wenn der Sensorchip 1 durch die Silberpaste 6 an dem Leiterrahmen 5 befestigt wird, eine Wärmebehandlung bei ungefähr 150°C durchgeführt. Wenn das Drahtkontaktieren unter Verwendung der Drähte 4 durchgeführt wird, wird eine weitere Wärmebehandlung bei ungefähr 150°C durchgeführt. Weiterhin wird, wenn das Vergießen unter Verwendung des Harzes 7 durchgeführt wird, eine Wärmebehandlung bei ungefähr 180°C durchgeführt. Im Gegensatz dazu beträgt, wie es zuvor beschrieben worden ist, die wärmebeständige Temperatur des Teils 2 auf Polyimidbasis ungefähr 400°C und beträgt die wärmebeständige Temperatur des Silikonklebstoffs 3 ungefähr 230°C. Deshalb kann der Halbleiterbeschleunigungssensor hergestellt werden, während die Form der wärmebeständigen Klebelage 20 erhalten bleibt. Im übrigen wird der Halbleiterwafer 10 bei dem Zerteilschritt an der Klebelage angebracht; jedoch ist eine Erklärung, die die Klebelage betrifft, in dem zuvor beschriebenen Herstellungsverfahren weggelassen.
  • Nachstehend erfolgt die Beschreibung eines zweiten Ausführungsbeispiels.
  • In dem ersten Ausführungsbeispiel wird, nachdem die Kontaktlöcher 20b in der wärmebeständigen Klebelage 20 ausgebildet worden sind, die wärmebeständige Klebelage 20 mit dem Halbleiterwafer 10 verbunden; jedoch können die Kontaktlöcher 20b wie folgt ausgebildet werden, nachdem die wärmebeständige Klebelage 20 mit dem Halbleiterwafer 10 verbunden worden ist.
  • Das Verfahren zum Herstellen des Halbleiterbeschleunigungssensors auf diese Weise wird unter Bezugnahme auf die 6A bis 6D erklärt. Zuerst wird wie in dem ersten Ausführungsbeispiel die wärmebeständige Klebelage 20, die aus dem Teil 2 auf Polyimidbasis besteht, auf welches der Silikonklebstoff 3 aufgetragen ist, vorbereitet, wie es in 6A gezeigt ist. Dann werden, wie es in 6B gezeigt ist, die Vertiefungen 20A auf der wärmebeständigen Klebelage 20 ausgebildet. Danach wird, wie es 6C gezeigt ist, die wärmebeständige Klebelage 20 auf der Oberfläche des Halbleiterwafers 10 angebracht, nachdem ein Ausrichten derart ausgeführt worden ist, daß die Trägerstrukturen 1a in den Vertiefungen 20a der wärmebeständigen Klebelage 20 untergebracht sind.
  • Als nächstes werden die Kontaktlöcher 20b durch einen Excimerlaser in der wärmebeständigen Klebelage 20 geöffnet, um zum Drahtkontaktieren die Anschlußflächen 1b von dieser freizulegen.
  • Wenn die Anschlußflächen 1b aus Aluminium bzw. Al bestehen, sind Verarbeitungsschwellwerte der wärmebeständigen Klebelage 20 und von Al zueinander unterschiedlich, wodurch eine hohe Selektivität vorgesehen wird. Deshalb wird, sobald die Anschlußflächen 1b freigelegt werden, eine Ätzgeschwindigkeit durch einen Excimerlaser plötzlich verringert oder wird null. Danach wird wie in dem ersten Ausführungsbeispiel ein Zerteilen ausgeführt, um einzelne Sensorchips 1 auszubilden, und schließlich wird der Halbleiterbeschleunigungssensor, der in 1 gezeigt ist, vervollständigt.
  • Nachstehend erfolgt die Beschreibung eines dritten Ausführungsbeispiels.
  • In den ersten und zweiten Ausführungsbeispielen werden die Vertiefungen 20a auf der wärmebeständigen Klebelage 20 ausgebildet, um die Trägerstrukturen darin unterzubringen; jedoch können Durchgangslöcher in der wärmebeständigen Klebelage 20 ausgebildet werden, um die Vertiefungen mit einer anderen wärmebeständigen Klebelage auszubilden.
  • Das Herstellungsverfahren in diesem Fall wird insbesondere unter Bezugnahme auf die 7A bis 7D erklärt. Zuerst wird eine erste wärmebeständige Klebelage 20, die das Teil 2 auf Polyimidbasis und den Silikonklebstoff 3 beinhaltet, der auf das Teil 2 auf Polyimidbasis aufgetragen ist, vorbereitet, wie es in 7A gezeigt ist. Die Dicke des Teils 2 auf Polyimidbasis befindet sich vorzugsweise in einem Bereich von 50 µm bis 150 µm und die Dicke des Silikonklebstoffs 3 befindet sich vorzugsweise in einem Bereich von 10 μm bis 20 µm. Dann werden, wie es in 7B gezeigt ist, durch einen Excimerlaser, Stanzen oder dergleichen Durchgangslochabschnitte 20c und Kontaktlöcher 20d für die Anschlußflächen 1b in der wärmebeständigen Klebelage 20 ausgebildet.
  • Danach wird eine zweite wärmebeständige Klebelage 21, die im wesentlichen den gleichen Aufbau wie die aufweist, die in 7A gezeigt ist, vorbereitet und, wie es in 7C gezeigt ist, wird sie mit der ersten wärmebeständigen Klebelage 20 durch Verkleben vereinigt, um dadurch eine wärmebeständige Klebelage 22 auszubilden. Demgemäß werden die Durchgangslochabschnitte 20c sichtbare Vertiefungen. In der wärmebeständigen Klebelage 22 dienen das Teil 2 auf Polyimidbasis der ersten wärmbeständigen Klebelage 20 und die zweite wärmebeständige Klebelage 21 zusammenwirkend als eine wärmebeständige Harzlage 2a.
  • Danach wird die wärmebeständige Klebelage 22 derart auf der Oberfläche des Halbleiterwafers 10 angebracht, daß die Trägerstrukturen jeweils in den sichtbaren Vertiefungen un tergebracht werden. Dann werden, wie es in 7D gezeigt ist, durch einen Excimerlaser Löcher in der zweiten wärmebeständigen Klebelage 21 derart ausgebildet, daß sie mit den jeweiligen Kontaktlöchern 20b in der ersten wärmebeständigen Klebelage 20 verbunden sind, wodurch Kontaktlöcher 20e ausgebildet werden, die die Anschlußflächen aus diesen freilegen. Die Kontaktlöcher 20e können durch Schneiden der ersten wärmebeständigen Klebelage 21 unter Verwendung einer Zerteilklinge mit einer Schnittbreite ausgebildet werden, welche das Drahtkontaktieren nicht nachteilig beeinträchtigt. Danach wird wie in dem ersten Ausführungsbeispiel der Halbleiterwafer durch Zerteilen in einzelne Sensorchips geteilt und wird der in 1 gezeigte Halbleiterbeschleunigungssensor vervollständigt. Daher können in dem dritten Ausführungsbeispiel die Vertiefungen zum Unterbringen der Trägerstrukturen in ihnen unter Verwendung der Durchgangslöcher, die in der wärmebeständigen Klebelage ausgebildet sind, einfach ausgebildet werden.
  • In den zuvor beschriebenen ersten bis dritten Ausführungsbeispielen wird die wärmebeständige Klebelage, die das wärmebeständige Harzteil beinhaltet, das mit dem wärmebeständigen Klebstoff bedeckt ist, mit dem Halbleiterwafer verbunden. Alternativ können, nachdem der wärmebeständige Klebstoff durch Siebdruck oder dergleichen auf entweder die wärmebeständige Harzschicht oder den Halbleiterwafer gedruckt worden ist, die zwei Teile miteinander verbunden werden.
  • Nachstehend erfolgt die Beschreibung eines vierten Ausführungsbeispiels.
  • Der in 1 gezeigte Halbleiterbeschleunigungssensor wird durch Vergießen mit Harz verkapselt; jedoch kann der Sensorchip 1 in einem Keramikgehäuse untergebracht werden, wie es in 8 gezeigt ist. In 8 ist der Aufbau des Sensorchip 1, der die Trägerstruktur 1a beinhaltet, die von der wärmebeständigen Klebelage 2 geschützt wird, im wesentlichen der gleiche wie der, der in 1 gezeigt ist. Der Sensorchip 1 ist in einem Vertiefungsabschnitt eines Keramikgehäusekörpers 30 untergebracht. Der Gehäusekörper 30 hält metallische Drähte 31, die durch den Gehäusekörper 30 gehen und die Anschlußflächen 1b des Sensorchips 1 und eine äußere Schaltung elektrisch verbinden. Ein keramischer Deckelabschnitt 32 ist durch einen Klebstoff 33 an dem Gehäusekörper 30 angebracht, um dadurch hermetisch das Innere des Gehäuses abzudichten. Im übrigen ist der Sensorchip 1 durch eine Silberpaste 34 an dem Gehäusekörper 30 befestigt.
  • Bei dem Herstellungsverfahren des Halbleiterbeschleunigungssensors, der den zuvor beschriebenen Aufbau aufweist, wird, wenn der Sensorchip 1 durch die Silberpaste 34 an dem Gehäusekörper 30 befestigt wird, eine Wärmebehandlung bei ungefähr 150°C durchgeführt. Bei dem Kontaktierungsschritt der Drähte 4 wird auf eine ähnliche Weise eine Wärmebehandlung bei ungefähr 150°C durchgeführt. Weiterhin wird, wenn der Deckelabschnitt 32 an dem Gehäusekörper 30 angebracht wird, eine Wärmebehandlung bei ungefähr 180°C durchgeführt. Bei diesen Wärmebehandlungen kann die Form des Teils 2 auf Polyimidbasis ähnlich zu dem ersten Ausführungsbeispiel erhalten bleiben, da die wärmebeständigen Temperaturen des Teils 2 auf Polyimidbasis und des Silikonklebstoffs 3 höher als die zuvor beschriebenen Wärmebehandlungstemperaturen sind.
  • Das Herstellungsverfahren und der Aufbau der wärmebeständigen Klebelage in dem zweiten oder dritten Ausführungsbeispiel kann ebenso an diejenigen in diesem Ausführungsbeispiel angewendet werden. Wenn der Silikonklebstoff Silanolradikale (Si-OH) beinhaltet, kann die Wärmebeständigkeit weiter verbessert werden. Ein Polyimidklebstoff kann anstelle des Silikonklebstoffs verwendet werden.
  • Nachstehend erfolgt die Beschreibung eines fünften Ausführungsbeispiels.
  • In den nachstehend beschriebenen fünften bis achten Ausführungsbeispielen wird die vorliegende Erfindung an einer Halbleitervorrichtung angewendet, die einen Halbleiterchip eines Typs mit beidseitig freiliegenden Oberflächen mit einer Struktur beinhaltet, bei welcher beide Oberflächen freigelegt sind.
  • 9 zeigt einen Halbleiterbeschleunigungssensor gemäß dem fünften Ausführungsbeispiel, bei welchem ein Sensorchip 100 mit Harz 7 vergossen ist. Im weiteren Verlauf werden gleiche Teile und Komponenten wie in den ersten bis vierten Ausführungsbeispielen mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet. Es wird auf 9 verwiesen. Der Sensorchip 100 beinhaltet ein SOI-Substrat und dergleichen und eine Trägerstruktur 100a, die einen Aufbau aufweist, der im wesentlichen der gleiche wie der der Trägerstruktur 1a ist, die in 1 gezeigt ist, ist unter Verwendung von Mikroverarbeitungsverfahren, Photolithographieverfahren und dergleichen auf dem Substrat ausgebildet. Die Trägerstruktur 100a ist auf beiden Seiten einer Hauptoberfläche (einer oberen Fläche in 9) und einer rückseitigen Oberfläche (einer unteren Fläche in 9) des Sensorchip 100 freigelegt.
  • Eine wärmebeständige Harzlage 2, die in 1 gezeigt ist, ist als eine Abdeckung zum Schützen der Hauptoberfläche zum Schützen der Trägerstruktur 100a durch einen wärmebeständigen Klebstoff 3, der in 1 gezeigt ist, an die Hauptoberfläche des Sensorchip 100 geklebt. Im weiteren Verlauf wird die wärmebeständige Harzlage 2 als eine erste wärmebeständige Harzlage 2 bezeichnet, um sie von einer zweiten wärmebeständigen Harzlage 102, die nachstehend beschrieben wird, zu unterscheiden. Die erste wärmebeständige Harzlage 2 weist Kontaktlöcher 20a zum Freilegen von An schlußflächen 100a aus ihnen auf, die auf der Oberfläche des Sensorchip 100 ausgebildet sind. Die Anschlußflächen 100b sind durch Kontaktieren durch Drähte 4 mit einem Leiterrahmen 5 verbunden. Die Anschlußflächen 100b sind im wesentlichen zu den in 1 gezeigten Anschlußflächen 1b ähnlich.
  • Die zweite wärmebeständige Harzlage 102 ist als eine Abdeckung zum Schützen der rückseitigen Oberfläche zum Schützen der Trägerstruktur 100a an der rückseitigen Oberfläche des Sensorchip 100 angeordnet. Die zweite wärmebeständige Harzlage 102 kann durch Erwärmen weich gemacht werden, um eine Haftkraft hervorzubringen, wodurch sie an der rückseitigen Oberfläche des Sensorchip 100 angebracht wird. Die zweite wärmebeständige Harzlage 102 bedeckt den im allgemeinen gesamten Bereich der rückseitigen Oberfläche des Sensorchip 100, um die Trägerstruktur 100a zu schützen.
  • Die ersten und zweiten wärmebeständigen Harzlagen 2, 102 und der wärmebeständige Klebstoff 3 weisen Wärmebeständigkeitscharakteristiken auf, die im wesentlichen die gleichen wie diejenigen der wärmebeständigen Harzlage und des wärmebeständigen Klebstoffs sind, die in dem ersten Ausführungsbeispiel beschrieben worden sind. Genauer gesagt beinhalten die ersten und zweiten wärmebeständigen Harzlagen 2, 102 jeweils Teile auf Polyimidbasis und besteht der wärmebeständige Klebstoff aus Silikonklebstoff oder Polyimidklebstoff.
  • Der Sensorchip 100 ist durch die zweite wärmebeständige Harzlage 102 an dem Leiterrahmen 5 befestigt und ist vollständig mit dem Harz 7 vergossen. Die zweite wärmebeständige Harzlage 102 kann aus einem Polyimidklebstoffilm bestehen, welcher durch Erwärmen weich gemacht wird.
  • Als nächstes wird ein Herstellungsverfahren des in 9 gezeigten Beschleunigungssensors unter Bezugnahme auf die
  • 10A bis 10D erklärt. Punkte dieses Herstellungsverfahrens, die zu denjenigen in den 2A bis 2E in dem ersten Ausführungsbeispiel unterschiedlich sind, sind, daß das Verfahren an dem Halbleiterchip des Typs mit beidseitig freiliegenden Oberflächen angewendet wird und daß die zweite wärmebeständige Harzlage 102 auf der rückseitigen Oberfläche des Chip vorgesehen wird.
  • Zuerst wird in einem Schritt, der in 10A gezeigt ist, ein Halbleiterwafer 110, auf welchem Trägerstrukturen 100a, die an einer Hauptoberfläche und einer rückseitigen Oberfläche des Wafers 110 freiliegen, und die Aluminiumanschlußflächen 100b ausgebildet sind, vorbereitet. 11 zeigt eine Grundrißgestaltung des Halbleiterwafers 110, obgleich sie die Anschlußflächen 100b von diesem wegläßt. Wie es in dieser Figur gezeigt ist, werden die Trägerstrukturen 100a an Positionen ausgebildet, die Chips entsprechen, und werden Ausrichtungsmarkierungen 100 zum Ausrichten bezüglich einer wärmebeständigen Klebelage 20 ausgebildet.
  • In einem in 10B gezeigten Schritt wird die wärmebeständige Klebelage 20 auf die Weise, die im wesentlichen die gleiche, wie die des in 2C gezeigten Schritts ist, mit der Hauptoberfläche des Halbleiterwafers 110 verbunden. Im übrigen besteht die wärmebeständige Klebelage 20 aus der ersten wärmebeständigen Harzlage 2, die aus dem Teil auf Polyimidbasis besteht, das mit dem wärmebeständigen Klebstoff 3 bedeckt ist, der aus Silikonklebstoff besteht, und weist die Vertiefungen 20a, die Kontaktlöcher 20b und die Ausrichtungsmarkierungen 20c auf sich auf, die in den in den 2A und 2B gezeigten Schritten ausgebildet werden. Demgemäß ist die erste wärmebeständige Harzlage 2 mit dem sich dazwischen befindenden wärmebeständigen Klebstoff 3 mit dem Halbleiterwafer 110 verbunden.
  • Als nächstes wird in einem in 10C gezeigten Schritt die zweite wärmebeständige Harzlage 102, welche aus einem Teil auf Polyimidbasis besteht, das eine Fläche aufweist, die zum Bedecken der gesamten rückseitigen Oberfläche des Halbleiterwafers 110 ausreichend ist, durch Erwärmen weich gemacht und mit der hinteren Oberfläche des Halbleiterwafers 110 verbunden. Zu diesem Zeitpunkt kann, da die Trägerstruktur (das Erfassungsteil) 100a von der wärmebeständigen Klebelage 20 auf der Hauptoberfläche des Wafers 110 geschützt wird, die zweite wärmebeständige Harzlage 102 einfach an dem Wafer 110 angebracht werden, welcher umgedreht bzw. auf den Kopf gestellt wird.
  • Dann wird in einem in 10D gezeigten Schritt, der Halbleiterwafer 110, mit welchem die ersten und zweiten wärmebeständigen Harzlagen 2, 102 verbunden sind, durch Zerteilen in Chips geteilt. Dieses Zerteilen wird im wesentlichen auf die gleiche Weise wie die in 2 gezeigte ausgeführt. 12 zeigt einen Zustand, in dem der Wafer 110 durch eine Zerteilklinge 8 geschnitten wird. Danach wird einer der Chips 100, der durch Zerteilen geteilt ist, wie es in 9 gezeigt ist, durch Weichmachen der zweiten wärmebeständigen Harzlage 102, die an den Leiterrahmen zu kleben ist, an dem Leiterrahmen 5 befestigt. Weiterhin wird, nachdem die Anschlußflächen 100b durch Kontaktieren über die Drähte 4 mit dem Leiterrahmen 5 verbunden worden sind, der Sensorchip 100 mit dem Harz 7 vergossen, wodurch der Halbleiterbeschleunigungssensor vervollständigt ist.
  • Bei dem zuvor beschriebenen Herstellungsverfahren wird, wenn der Sensorchip 100 an dem Leiterrahmen 5 befestigt wird, eine Wärmebehandlung bei ungefähr 180°C durchgeführt. Bei dem Kontaktierungsschritt der Drähte 4 wird eine weitere Wärmebehandlung bei ungefähr 150°C durchgeführt. Weiterhin wird bei dem Harzvergußschritt eine Wärmebehandlung bei ungefähr 180°C durchgeführt. Jedoch bleiben wie in dem ersten Ausführungsbeispiel die Formen der ersten und zweiten wärmebeständigen Harzlagen 2, 102 während dieser Wärmebehandlungen erhalten, da die Teile auf Polyimidbasis, die die ersten und zweiten wärmebeständigen Harzlagen 2, 102 bilden, eine wärmebeständige Temperatur von ungefähr 400°C aufweisen.
  • Außerdem kann in diesem Ausführungsbeispiel, da die Seite der rückseitigen Oberfläche des Sensorchip 100, auf welcher die Trägerstruktur 100a freigelegt ist, durch die zweite wärmebeständige Harzlage 102 mit dem Leiterrahmen verbunden ist, ein Anbringen des Sensorchip 100 an dem Leiterrahmen mit irgendeinem Klebstoff weggelassen werden, wodurch ein derartiges Problem verhindert wird, daß Klebstoff an der Trägerstruktur 100a klebt. Weiterhin klebt, wenn der Chip 100 mit Harz vergossen wird, aufgrund des Vorhandenseins der zweiten wärmebeständigen Harzlage 102 das Harz nicht an der Trägerstruktur 100a durch Eindringen von der rückseitigen Oberfläche 100. In diesem Ausführungsbeispiel bestehen die ersten und zweiten wärmebeständigen Harzlagen 2, 102 aus transparenten Teilen auf Polyimidbasis. Deshalb können eine bewegliche Elektrode der Trägerstruktur 100a und eine feste Elektrode durch die Lagen 2, 102 beobachtet werden. Dies läßt eine visuelle Untersuchung in einem Zustand zu, in dem die Lagen, das heißt, die Schutzabdeckungen, an dem Sensorchip 100 angebracht werden.
  • Nachstehend erfolgt die Beschreibung eines sechsten Ausführungsbeispiels.
  • Ein weiteres Herstellungsverfahren des in 9 gezeigten Halbleiterbeschleunigungssensors wird unter Bezugnahme auf die 13A bis 13C erklärt. Das Herstellungsverfahren in dem sechsten Ausführungsbeispiel ist gegenüber dem in den 6A bis 6D in dem zweiten Ausführungsbeispiel gezeigten Verfahren abgeändert.
  • Zuerst wird in einem Schritt, der in 13A gezeigt ist, die wärmebeständige Klebelage 20, welche durch die in den 6A und 6B gezeigten Schritten derart ausgebil det wird, daß sie die Vertiefungen 20a aufweist, mit der Hauptoberfläche des Halbleiterwafers 110 verbunden. Das Verfahren ist im wesentlichen das gleiche wie das des in 6C gezeigten Schritts. Als nächstes werden in einem in 13B gezeigten Schritt die Kontaktlöcher 20b zum Drahtkontaktieren an Positionen, die den Anschlußflächen 100b entsprechen, im wesentlichen auf die gleiche Weise wie die, die in 6D gezeigt ist, ausgebildet. Dann wird in einem in 13C gezeigten Schritt, die zweite wärmebeständige Harzlage 102 im wesentlichen auf die gleiche Weise, wie sie unter Bezugnahme auf 10C in dem fünften Ausführungsbeispiel beschrieben worden ist, mit der rückseitigen Oberfläche des Halbleiterwafers 110 verbunden. Danach wird wie in dem fünften Ausführungsbeispiel der Wafer 110 durch Zerteilen in Chips geteilt und schließlich wird der Halbleiterbeschleunigungssensor, der in 9 gezeigt ist, vervollständigt. Demgemäß können die gleichen Effekte wie diejenigen in dem fünften Ausführungsbeispiel erzielt werden.
  • Nachstehend erfolgt die Beschreibung eines siebten Ausführungsbeispiels.
  • Ein weiteres Herstellungsverfahren des in 9 gezeigten Halbleiterbeschleunigungssensors, das zu denjenigen in dem fünften und sechsten Ausführungsbeispiel unterschiedlich ist, wird unter Bezugnahme auf die 14A bis 14C erklärt. Das Herstellungsverfahren in dem siebten Ausführungsbeispiel ist von dem in dem unter Bezugnahme auf die 7A bis 7D in dem dritten Ausführungsbeispiel erklärten abgeändert.
  • Zuerst wird in einem in 14A gezeigten Schritt die wärmebeständige Klebelage 22, welche durch die in den 7A, 7B und 7C gezeigten Schritte ausgebildet worden ist, mit der Hauptoberfläche des Halbleiterwafers 110 verbunden. Das Verfahren ist im wesentlichen das gleiche wie das des in 7D gezeigten Schritts. In diesem Ausfüh rungsbeispiel entspricht die wärmebeständige Harzlage 2a der wärmebeständigen Klebelage 22 der ersten wärmebeständigen Harzlage 2a.
  • Als nächstes wird in einem in 14B gezeigten Schritt die zweite wärmebeständige Harzlage 102 im wesentlichen auf die gleiche Weise wie der unter Bezugnahme auf 10C in dem fünften Ausführungsbeispiel erklärte Schritt mit der rückseitigen Oberfläche des Halbleiterwafers 110 verbunden. Danach wird ähnlich zu dem fünften Ausführungsbeispiel ein Zerteilen derart ausgeführt, daß der Wafer 110 in einzelne Chips geteilt wird, wie es in 14C gezeigt ist, und schließlich wird der Halbleiterbeschleunigungssensor, der in 9 gezeigt ist, vervollständigt. Demgemäß können die gleichen Effekte wie diejenigen in dem fünften Ausführungsbeispiel erzielt werden.
  • Nachstehend erfolgt die Beschreibung eines achten Ausführungsbeispiels.
  • In dem achten Ausführungsbeispiel wird der in 9 gezeigte Sensorchip 100 nicht mit Harz vergossen, sondern in einem Keramikgehäuse untergebracht. Das heißt, in dem achten Ausführungsbeispiel wird der Sensorchip 100 eines Typs mit beidseitig freiliegenden Oberflächen an der Struktur in dem vierten Ausführungsbeispiel angewendet. 15 zeigt den Halbleiterbeschleunigungssensor in diesem Ausführungsbeispiel.
  • Der Aufbau des Sensorchip 100, der mit den ersten und zweiten wärmebeständigen Harzlagen 2, 102 bedeckt ist, ist im wesentlichen der gleiche wie der in 9 gezeigte. Der Sensorchip 100 ist mit der zweiten wärmebeständigen Harzlage 102, die an die innere Wand des Vertiefungsabschnitts geklebt ist, fest in einem Vertiefungsabschnitt eines Keramikgehäusekörpers 30 untergebracht.
  • Die ersten und zweiten wärmebeständigen Harzlagen 2, 102 weisen Wärmebeständigkeitscharakteristiken auf, die gegenüber einer Wärmebehandlungstemperatur zum Befestigen des Sensorchip 100 an dem Gehäuse beständig sind. Das heißt, bei dem Herstellungsverfahren des Halbleiterbeschleunigungssensors, der einen zuvor beschriebenen Aufbau aufweist, wird eine Wärmebehandlung bei ungefähr 180°C durchgeführt, wenn der Sensorchip 100 an dem Gehäusekörper 30 angebracht wird. Bei dem Kontaktierungsschritt für die Drähte 4 wird eine Wärmebehandlung bei ungefähr 150°C durchgeführt. Weiterhin wird, wenn ein keramischer Deckelabschnitt 32 durch einen Klebstoff 33 an dem Gehäusekörper befestigt wird, eine Wärmebehandlung bei ungefähr 180°C durchgeführt.
  • Ungeachtet dieser Wärmebehandlungen kann auf ähnliche Weise, da die wärmebeständigen Temperaturen der Teile auf Polyimidbasis, die die ersten und zweiten wärmebeständigen Harzlagen 2, 102 bilden und des Silikonklebstoffs, der den wärmebeständigen Klebstoff 3 bildet, höher als die zuvor beschriebenen Wärmebehandlungstemperaturen sind, der Halbleiterbeschleunigungssensor hergestellt werden, während die Formen der wärmebeständigen Harzlagen 2, 102 erhalten bleiben. Weiterhin tritt in diesem Ausführungsbeispiel kein derartiges Problem auf, daß der Klebstoff an der Trägerstruktur 100a klebt, da die zweite wärmebeständige Harzlage 102 vorhanden ist. Es ist ersichtlich, daß die Herstellungsverfahren und Aufbauten in den sechsten und siebten Ausführungsbeispielen an diesem Ausführungsbeispiel angewendet werden können.
  • Wenn der Silikonklebstoff Silanolradikale (Si-OH) beinhaltet, kann die Wärmebeständigkeit weiter verbessert werden. Polyimidklebstoffe können anstelle des Silikonklebstoffs verwendet werden. Die zweite wärmebeständige Harzlage 102 kann durch einen wärmebeständigen Klebstoff, der ähnlich zu dem wärmebeständigen Klebstoff 3 ist, mit dem Halbleiterwafer 110 verbunden werden. Weiterhin kann die zweite wärmebeständige Harzlage 102 durch den wärmebeständigen Klebstoff entweder mit dem Leiterrahmen 5 oder dem Vertiefungsabschnitt des Gehäusekörpers 30 verbunden werden. In diesem Fall wird durch die sich dazwischen befindende zweite wärmebeständige Harzlage 102 verhindert, daß der wärmebeständige Klebstoff an der Trägerstruktur 100a klebt.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf das Sensorelement beschränkt, das ein bewegliches Teil, wie zum Beispiel eine Trägerstruktur, beinhaltet und kann an anderen Halbleiterelementen, die zum Beispiel eine Luftbrückenverbindungsstruktur beinhalten, die eine kleine mechanische Festigkeit aufweist, angewendet werden.
  • Wie oben beschrieben, ist eine wärmebeständige Harzlage als eine Schutzabdeckung zum Schützen einer Trägerstruktur, die auf einem Halbleiterchip vorgesehen ist, durch einen wärmebeständigen Klebstoff mit dem Halbleiterchip verbunden. Die wärmebeständige Harzlage besteht aus einem Teil auf Polyimidbasis und der wärmebeständige Klebstoff besteht aus einem Silikonklebstoff. Die wärmebeständige Harzlage wird während eines Herstellungsverfahrens des Halbleiterchip nicht verformt. Außerdem dringt während eines Zerteilens kein Schleifwasser in den Halbleiterchip ein.

Claims (15)

  1. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, das die folgenden Schritte aufweist: Bereitstellen einer Klebelage (20), welche aus einer Harzschicht (2, 2a) und einem Klebstoff (3) gebildet ist, Bilden von Vertiefungen (20a) und Öffnungen (20b, 20e) in der Klebelage (20), wobei die Vertiefungen unter Verwendung eines Excimerlasers auf der Klebeseite ausgebildet werden, Bereitstellen eines Halbleiterwafers (10), der eine Halbleiterstruktur mit Trägerstrukturen (1a) und Anschlußflächen (1b) aufweist, Verbinden des Wafers (10) mit der Klebelage (20) derart, daß die Trägerstrukturen (1a) in den Vertiefungen (20a) untergebracht sind und die Öffnungen (20b, 20e) bis zu den Anschlußflächen (1b) reichen, Schneiden des Halbleiterwafers (10) durch Zerteilen in eine Vielzahl von Halbleiterchips (1), und Vergießen von einem der Halbleiterchips (1) mit Harz (7).
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Öffnungen (20b, 20e) unter Verwendung des Excimerlasers ausgebildet werden.
  3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Harzschicht (2, 2a) aus Polyimid gebildet wird.
  4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Harzschicht (2, 2a) in einer Dicke in einem Bereich von 50 µm bis 150 µm ausgebildet wird.
  5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Klebstoff (3) als Silikonklebstoff ausgebildet wird.
  6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Klebstoff (3) in einer Dicke in einem Bereich von 10 μm bis 20 μm ausgebildet wird.
  7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß mehr als ein Excimerlaser vorgesehen wird.
  8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Laserstrahl des Excimerlasers durch eine Maske aufgeweitet wird.
  9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Wafer (10) und die Klebelage (20) jeweils mit übereinstimmenden Ausrichtungsmarkierungen (1c, 20c) versehen werden.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausrichtungsmarkierungen (20c) der Klebelage (20) unter Verwendung des Excimerlasers ausgebildet werden.
  11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Vergießen mit Harz (7) einer der Halbleiterchips (1) durch eine Silberpaste (6) an einem Leiterrahmen (5) befestigt wird und die Anschlußflächen (1b) des Halbleiterchips durch Drahtkontaktieren mit dem Leiterrahmen verbunden werden.
  12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß das Befestigen eines der Halbleiterchips (1) an dem Leiterrahmen (5) und das Verbinden der Anschlußflächen (1b) des Halbleiterchips mit dem Leiterrahmen jeweils unter Anwendung einer Wärmebehandlung erfolgen.
  13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß das Befestigen eines der Halbleiterchips (1) an dem Leiterrahmen (5) und das Verbinden der Anschlußflächen (1b) des Halbleiterchips mit dem Leiterrahmen jeweils unter Anwendung einer Wärmebehandlung bei 150°C erfolgen.
  14. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Vergießen mit Harz (7) von einem der Halbleiterchips (1) unter Anwendung einer Wärmebehandlung erfolgt.
  15. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Vergießen mit Harz (7) von einem der Halbleiterchips (1) unter Anwendung einer Wärmebehandlung bei 180°C erfolgt.
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