JPH1062448A - 外力検出装置 - Google Patents

外力検出装置

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JPH1062448A
JPH1062448A JP8232535A JP23253596A JPH1062448A JP H1062448 A JPH1062448 A JP H1062448A JP 8232535 A JP8232535 A JP 8232535A JP 23253596 A JP23253596 A JP 23253596A JP H1062448 A JPH1062448 A JP H1062448A
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JP
Japan
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fixed
movable
electrode
substrate
mass
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JP8232535A
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English (en)
Inventor
Yasuhiro Negoro
泰宏 根来
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 電極突起を保護カバーからスルーホールを介
して外部に露出させることにより、固定部および可動部
を外部回路等に簡単な構造で接続でき、接続部の信頼性
を確実に向上できるようにする。 【解決手段】 加速度センサ21を、基板22と、この
基板22上に設けた各固定部24および可動部27から
なる加速度検出部23と、隔壁31および蓋体32を有
する保護カバー30とから構成する。そして、可動部2
7を、各支持部27A、各梁27Bおよび質量部27C
から構成する。また、各固定部24と可動部27との間
には、固定側くし状電極26と可動側くし状電極28と
からなる各変位検出部29を形成する。そして、各固定
部24と各支持部27Aには、蓋体32の各スルーホー
ル33を介して外部に露出される各電極突起35を突出
形成する。さらに、各電極突起35をボンディングワイ
ヤ37を介して外部の信号処理回路等に接続する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば加速度、角
速度等を静電容量の変化に基づいて検出するのに用いて
好適な外力検出装置に関する。
【0002】
【従来の技術】ここで、従来技術による外力検出装置と
して図16および図17に示す加速度センサを例に挙げ
て説明する。
【0003】図中、1はマイクロマシニング技術により
作製された加速度センサ、2は該加速度センサ1の本体
をなすように例えば高抵抗な単結晶のシリコンから形成
された四角形状の基板をそれぞれ示し、該基板2上には
後述の加速度検出部3が形成され、該加速度検出部3は
後述の保護カバー9により覆われている。
【0004】3は加速度を検出する加速度検出部を示
し、該加速度検出部3は、例えば低抵抗なシリコン板等
から形成され、後述する左,右の各固定部4と、該各固
定部4間に配設された可動部7とから構成されている。
【0005】4,4は低抵抗なシリコンにより形成され
た一対の固定部で、該各固定部4は絶縁層5を介して基
板2上に固着され、X軸方向に離間している。また、各
固定部4の側面には固定側くし状電極6が形成され、該
固定側くし状電極6は、可動部7の質量部7Cに向けて
くし状に突出する複数の電極板6A,6A,…(2個の
み図示)を有している。
【0006】7は低抵抗なシリコンにより形成された可
動部で、該可動部7は、基板2上に固着された一対の支
持部7Aと、基端側が該各支持部7Aにそれぞれ一体形
成され、基板2の中央側に向けて延びる梁7B,7B
と、該各梁7Bの先端側に一体形成され、該各梁7Bに
より基板2から離間した状態でY軸方向に変位可能に支
持された質量部7Cとから構成されている。
【0007】また、質量部7Cの側面には可動側くし状
電極8,8が形成され、該各可動側くし状電極8は各固
定部4に向けてくし状に突出する複数の電極板8A,8
A,…を有し、該各電極板8Aと固定側くし状電極6の
各電極板6Aとは、Y軸方向に微小な離間寸法をもって
対向している。
【0008】9は基板2との間で加速度検出部3を保護
する保護カバーで、該保護カバー9は図17に示す如
く、基板2の外周に位置して加速度検出部3を取囲むよ
うに形成された隔壁10と、該隔壁10を施蓋するよう
に例えばガラス等の絶縁材料により形成された蓋体11
とから構成されている。また、蓋体11の下側面は各固
定部4と各支持部7Aとに当接している。
【0009】12,12,…は蓋体11に穿設されたス
ルーホールを示し、該各スルーホール12は蓋体11と
各固定部4との当接位置および蓋体11と各支持部7A
との当接位置に開口している。
【0010】13,13,…は保護カバー9の各スルー
ホール12内に充填された例えば銀等の導電性材料を主
成分とした導電性ペーストで、該各導電性ペースト13
は下端側が各固定部4と各支持部7Aとに接触し、上端
側が後述の電極パッド14に接触している。
【0011】14,14,…は金属材料からなる環状の
電極パッドで、該各電極パッド14はスルーホール12
の外周側に位置して蓋体11の上面に固着され、該各電
極パッド14にはボンディングワイヤ15,15,…が
接続されている。
【0012】16,16,…は各スルーホール12の位
置で各固定部4と各支持部7Aに固着された他の電極パ
ッドで、該各電極パッド16は導電性ペースト13を各
固定部4と各支持部7Aに確実に接続するためのもので
ある。
【0013】これにより、加速度検出部3の各固定部4
および可動部7は、各導電性ペースト13、各電極パッ
ド14および各ボンディングワイヤ15を介して外部の
信号処理回路(図示せず)等に接続されている。
【0014】従来技術による加速度センサ1は上述の如
き構成を有するもので、次にその作動について説明す
る。
【0015】まず、例えば加速度センサ1に対してY軸
方向に加速度が加えられると、可動部7の質量部7Cが
この加速度に応じて各固定部4に対しY軸方向に変位す
るから、該各固定部4と可動部7との間では、固定側く
し状電極6の各電極板6Aと可動側くし状電極8の各電
極板8Aとの間の離間寸法が変化し、これらの間の静電
容量が変化する。
【0016】そして、この静電容量の変化は、各固定部
4および可動部7から各導電性ペースト13、各電極パ
ッド14および各ボンディングワイヤ15等を介して外
部の信号処理回路等に検出信号として導出することがで
き、加速度センサ1に加えられた加速度を静電容量の変
化として検出することができる。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来技術では、基板2と保護カバー9との間に画成した空
間内に加速度検出部3の質量部7C等を収容している。
このため、内部の加速度検出部3と外部の信号処理回路
等とは、保護カバー9の各スルーホール12内に充填し
た導電性ペースト13等を介して接続している。
【0018】即ち、保護カバー9の上面側には各スルー
ホール12の周囲に電極パッド14を形成し、保護カバ
ー9の下面側には加速度検出部3の各固定部4および各
支持部7A上に各電極パッド16を形成した上で、導電
性ぺースト13を各スルーホール12内に充填する。そ
して、各導電性ぺ−スト13を保護カバー9の上面側で
ボンディングワイヤ15に確実に接続し、保護カバー9
の下面側で加速度検出部3に確実に接続するようにして
いる。
【0019】このため、従来技術では、加速度検出部3
を外部の信号処理回路等に接続するための部品点数や接
続作業の工数が増大し、加速度センサ1の実装に手間が
かかるという問題がある。
【0020】また、導電性ペースト13の材料は、その
熱膨張率が低抵抗なシリコンからなる加速度検出部3
や、ガラス等からなる蓋体11と大きく異なる。このた
め、外部の温度変化等により導電性ペースト13が膨張
し、固定部4や保護カバー9に応力ひずみが発生し、導
電性ペースト13による接続部の信頼性が低下するとい
う問題がある。
【0021】さらに、各スルーホール12は、導電性ペ
ースト13を各スルーホール12の下端側まで確実に充
填するため、ある程度大きい穴径寸法に形成せざるを得
ず、このため従来技術では、各スルーホール12の穴径
寸法が障害となって加速度センサ1を小型化することが
できないという問題がある。
【0022】本発明は上述した従来技術の問題に鑑みな
されたもので、本発明は、固定部および可動部を外部の
信号処理回路等に簡単な構造で接続でき、接続部の信頼
性を向上させることのできる外力検出装置を提供するこ
とを目的としている。
【0023】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、本発明が採用する外力検出装置は、基板と、該
基板上に設けられた固定部と、前記基板上に設けられ、
該固定部との間に形成された離間寸法を外部から加わる
力によって変位させる可動部と、該可動部と固定部とを
覆うように前記基板上に設けられた保護カバーとを備え
ている。
【0024】そして、請求項1に記載の発明が採用する
構成の特徴は、前記保護カバーには前記固定部に対応す
る位置に開口する固定部側スルーホールを穿設し、前記
固定部には該固定部側スルーホール内に挿通する電極突
起を形成すると共に、前記保護カバーには前記可動部に
対応する位置に開口する可動部側スルーホールを穿設
し、前記可動部には該可動部側スルーホール内に挿通す
る電極突起を形成したことにある。
【0025】このように構成することにより、保護カバ
ーに覆われた固定部を該保護カバーの固定部側スルーホ
ール内に挿通された電極突起を介して外部の信号処理回
路等に簡単に接続できる。また、可動部も電極突起を介
して外部の信号処理回路に接続でき、固定部と可動部と
の間で検出した外部から加わる力を各電極突起を介して
外部の信号処理回路等に検出信号として導出することが
できる。
【0026】また、請求項2に記載の発明では、前記可
動部を、前記基板上に固定された支持部と、該支持部に
梁を介して変位可能に設けられた質量部とから構成し、
該質量部と固定部との間には外部から加わる加速度を質
量部の固定部に対する変位量として検出する変位検出手
段を設けたことにある。
【0027】これにより、外部から加わる加速度に応じ
て可動部の質量部を固定部に対し変位させることができ
るから、この加速度を変位位検出手段によって質量部の
固定に対する変位量として検出することができる。
【0028】さらに、請求項3に記載の発明では、前記
可動部を、前記基板上に固定された支持部と、該支持部
に梁を介して平行方向の2軸に変位可能に設けられた質
量部とから構成し、該質量部と固定部との間には質量部
を平行方向の2軸のうち一方の軸方向に振動させる振動
発生手段を設け、前記質量部と固定部との間には該振動
発生手段によって質量部を平行方向の2軸のうち一方の
軸方向に振動させた状態で垂直軸周りに加わる角速度を
前記質量部の平行方向のうち他方の軸方向に変位する変
位量として検出する変位検出手段を設けたことにある。
【0029】これにより、振動発生手段によって可動部
の質量部を平行方向の2軸のうち一方の軸方向に振動さ
せることができ、この状態で外部から垂直軸周りに角速
度が加えられたときには、該質量部をコリオリ力により
前記角速度に応じて平行方向の2軸のうち他方の軸方向
に変位させることができ、この角速度を変位検出手段に
よって質量部の固定部に対する変位量として検出するこ
とができる。
【0030】また、請求項4に記載の発明では、前記変
位検出手段を、前記質量部の前記固定部に対する変位を
静電容量の変化として検出する構成としたことにある。
【0031】これにより、可動部の質量部が外部から加
わる力に応じて固定部に対し変位したときには、該固定
部と質量部との間に形成されたコンデンサの電極間距離
または有効面積が変化することにより、この変位量を変
位検出手段により固定部と可動部との間の静電容量の変
化として検出でき、外部から加えられた力をこの静電容
量の変化として検出することができる。
【0032】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を添付図面
に従って詳細に説明する。
【0033】ここで、図1ないし図13は本発明による
第1の実施例を示し、本実施例では、外力検出装置とし
て加速度センサを例に挙げて説明する。なお、実施例で
は、前述した従来技術と同一の構成要素に同一の符号を
付し、その説明を省略するものとする。
【0034】図中、21は本実施例による加速度センサ
を示し、該加速度センサ21は従来技術による加速度セ
ンサ1とほぼ同様に、例えば単結晶のシリコン等から形
成された基板22と、該基板22上に形成された後述の
加速度検出部23と、保護カバー30とから構成されて
いる。
【0035】23は加速度を検出する加速度検出部を示
し、該加速度検出部23は、例えば低抵抗なシリコン板
等から形成され、後述の各固定部24,24と、該各固
定部24間に配設された可動部27とから構成されてい
る。
【0036】24,24は低抵抗なシリコンにより形成
された一対の固定部で、該各固定部24は図2に示すよ
うに、例えばシリコン酸化膜等からなる絶縁層25を介
して基板22上に固定され、X軸方向に互いに離間して
いる。また、各固定部24の側面には図1に示す如く固
定側くし状電極26が形成され、該固定側くし状電極2
6は、後述する可動部27の質量部27Cに向けてくし
状に突出する複数の電極板26A,26A,…を有して
いる。また、各固定部24の上面には、後述の各電極突
起35が垂直に突出形成されている。
【0037】27は低抵抗なシリコンにより形成された
可動部で、該可動部27は、Y軸方向に離間して基板2
2上に固定され、その上面に各電極突起35が垂直に突
出形成された一対の支持部27A,27Aと、基端側が
該各支持部27Aにそれぞれ一体形成され、基板22の
中央側に向けてX軸方向に延びる梁27B,27Bと、
該各梁27Bの先端側に一体形成され、該各梁27Bに
より基板22から離間した状態でY軸方向に変位可能に
支持された質量部27Cとから構成されている。
【0038】また、質量部27Cの左,右の側面には可
動側くし状電極28,28が形成され、該各可動側くし
状電極28は、各固定部24に向けてくし状に突出する
複数の電極板28A,28A,…を有し、該各電極板2
8Aと固定側くし状電極26の各電極板26Aとは、そ
れぞれY軸方向に微小な離間寸法をもって対向してい
る。さらに、質量部27Cには、エッチング処理用の貫
通穴27D,27D,…がZ軸方向に穿設されている。
【0039】29,29は各固定部24と可動部27と
の間に設けられた変位検出手段としての変位検出部で、
該各変位検出部29は、各固定部24の固定側くし状電
極26と、可動部27の各可動側くし状電極28とから
なるコンデンサとして構成され、可動部27の質量部2
7Cが各固定部24に対してY軸方向に変位したとき
に、この変位量を固定側くし状電極26と可動側くし状
電極28との間の静電容量の変化として検出するもので
ある。
【0040】30は基板22との間で加速度検出部23
を保護する保護カバーで、該保護カバー30は従来技術
とほぼ同様に、基板22の外周に固着され、加速度検出
部23を取囲むように四角形状に延びる隔壁31と、該
隔壁31を施蓋する例えばガラス等の絶縁材料からなる
蓋体32とから構成されている。
【0041】また、蓋体32の下面は加速度検出部23
の各固定部24および各支持部27Aにも当接してい
る。さらに、蓋体32の下面中央部には、該蓋体32を
加速度検出部23の梁27Bおよび質量部27C等から
離間させる凹部32Aが形成されている。そして、保護
カバー30は、基板22との間に形成された空間内に加
速度検出部23を密閉状態で収容し、該加速度検出部2
3内に外部からゴミ、水分等の異物が侵入するのを防止
している。
【0042】33,33は各固定部24に対応する位置
で蓋体32に穿設された固定部24側のスルーホールを
示し、該各スルーホール33は、蓋体32と各固定部2
4との当接位置に開口し、その内部には各電極突起35
が挿通されている。
【0043】34,34は可動部27の各支持部27A
に対応する位置で蓋体32に穿設された可動部27側の
スルーホールを示し、該各スルーホール34は図3に示
すように、蓋体32と各支持部27Aとの当接位置に開
口し、その内部には各電極突起35が挿通されている。
【0044】35,35,…は本実施例による例えば4
個の電極突起を示し、該各電極突起35は例えばエッチ
ング処理等により低抵抗なシリコン等から直方体状に形
成されている。また、各電極突起35は、基端側が各固
定部24および各支持部27Aにそれぞれ一体形成さ
れ、先端側が保護カバー30の各スルーホール33,3
4を介して外部に露出している。
【0045】36,36,…は図2および図3に示すよ
うに各電極突起35の先端側に固着された電極パッド
で、例えばアルミニウム、クロム、金、白金、ニッケル
またはチタン等の金属材料から形成されている。また、
各電極パッド36にはボンディングワイヤ37,37,
…が接続されている。
【0046】これにより、加速度検出部23は、各電極
突起35、各電極パッド36および各ボンディングワイ
ヤ37を介して外部の信号処理回路(図示せず)等に接
続されている。
【0047】このように構成される本実施例の加速度セ
ンサ21では、従来技術による加速度センサ1と同様
に、外部からY軸方向に加速度が加えられると、固定側
くし状電極26と可動側くし状電極28との間の静電容
量がこの加速度に応じて変化し、この静電容量の変化
は、各固定部24および各支持部27Aから各電極突起
35および各ボンディングワイヤ37等を介して外部の
信号処理回路等に検出信号として導出される。
【0048】次に、本実施例による加速度センサ21の
製造方法を図4ないし図10に基づいて説明する。
【0049】まず、図4は例えばリン、ホウ素等を熱拡
散等の手段により混入した低抵抗シリコン板38の下面
に対し、熱酸化あるいは減圧CVD等の手段を用いた酸
化膜形成工程によりシリコン酸化膜(SiO2 )からな
る絶縁層25を形成した状態を示している。
【0050】次に、図5に示す第1のエッチング工程で
は、エッチング処理の前にフォトリソグラフィ等の処理
により絶縁層25に対して各固定部24、可動部27お
よび隔壁31のパターニングを行っておく。続いて、第
1のエッチング工程でRIE等の処理により、絶縁層2
5をマスクとして低抵抗シリコン板38の下面から所定
時間だけ異方性のエッチングを行う。
【0051】この結果、低抵抗シリコン板38の下面に
は各溝38A,38Bが垂直方向に約50μmの深さ寸
法をもって形成され、該各溝38A,38Bにより各固
定部24、可動部27および隔壁31となる部分が画成
されると共に、可動部27の質量部27Cには各貫通穴
27Dも同時に形成される。
【0052】続いて、図6に示す第1の接合工程におい
ては、単結晶のシリコンからなる基板22を低抵抗シリ
コン板38の下面に対して直接接合等の手段により一体
に固着する。
【0053】次に、図7に示す第2のエッチング工程に
おいては、エッチング処理の前に低抵抗シリコン板38
の上面に対して各突起電極35の形成位置に各電極パッ
ド36を固着形成する。そして、その後は第1のエッチ
ング工程と同様に、低抵抗シリコン板38の上面に形成
した酸化膜またはフォトレジスト(図示せず)等に対し
てパターニング工程で各電極突起35のパターニングを
行っておく。続いて、第2のエッチング工程でこれをマ
スクとして異方性のエッチングを行い、低抵抗シリコン
板38の上面側を除去して各電極突起35を約350μ
mの高さ寸法をもって突出形成する。なお、第2のエッ
チング工程後にマスクとして残留した酸化膜やレジスト
等は、RIE処理またはBHF液によるエッチング処理
等によって除去する。
【0054】次に、図8に示す第3のエッチング工程で
は、絶縁層25をエッチング処理によって可動部27の
各梁27Bおよび質量部27Cの位置で除去し、これに
より加速度検出部23の各梁27Bおよび質量部27C
を基板22から離間させる。この場合、細幅な各梁27
Bと各貫通穴27Dを形成した質量部27Cの位置で
は、絶縁層25の体積に対する側面面積の比率が大き
く、そのエッチング速度が各固定部24や各支持部27
Aの位置よりも速いから、エッチング処理を行う時間を
適切に設定することにより、絶縁層25を各梁27Bお
よび質量部27Cの位置だけで選択的に除去できる。
【0055】一方、別工程で図9に示すカバーエッチン
グ工程では、保護カバー30の蓋体32を形成すべく用
意されたガラス基板39の下面に対し、エッチング処理
によって深さ寸法が10μm程度の凹部32Aを所定位
置に形成する。なお、ガラス基板39の厚さ寸法は35
0μm程度とする。
【0056】次に、図10に示すスルーホール形成工程
では、各スルーホール33,34をサンドブラスト法に
よりガラス基板39の所定位置に穿設し、保護カバー3
0の蓋体32を完成する。
【0057】最後に、第2の接合工程では、蓋体32を
図8に示す基板22上に加速度検出部23の上側から搭
載し、各電極突起35を各スルーホール33,34内に
挿通した後に、該蓋体32の外周側を陽極接合法により
隔壁31に接合する。そして、ワイヤボンディング工程
によって、各電極突起35の電極パッド36と外部の信
号処理回路等とを各ボンディングワイヤ37を介して接
続する。
【0058】かくして、本実施例では、保護カバー30
の蓋体32に対して加速度検出部23の各固定部24お
よび各支持部27Aの位置に開口する各スルーホール3
3,34を穿設し、加速度検出部23の各固定部24お
よび各支持部27Aには、該各スルーホール33,34
内に挿通する各電極突起35を突出形成したから、該各
電極突起35の先端側を各ボンディングワイヤ37等を
介して外部の信号処理回路等に容易に接続できる。この
結果、加速度検出部23により検出した加速度を各固定
部24,可動部27間の静電容量の変化として外部の信
号処理回路等に各電極突起35等を介して確実に導出す
ることができる。
【0059】従って、従来技術で述べた各導電性ペース
ト13や各電極パッド16等を用いることなく、加速度
検出部23を外部の信号処理回路等に簡単な構造で接続
できるから、これらの接続に関わる部品点数や接続に費
やす作業工数を従来技術に比べて確実に削減でき、各電
極突起35による接続部の信頼性を大幅に向上させるこ
とができる。
【0060】また、例えばエッチング処理等により形成
した各電極突起35を各スルーホール33,34内に挿
通するから、導電性ペースト13を各スルーホール3
3,34内に充填する必要がなくなり、該各スルーホー
ル33,34の穴径寸法を従来技術よりも小さくでき、
加速度センサ21をスルーホール33,34の穴径寸法
に制限されることなく容易に小型化することができる。
【0061】さらに、加速度検出部23と各電極突起3
5とを低抵抗なシリコン等からなる同一部材として一体
形成したから、外部の環境温度等の変化により導電性ペ
ースト13が膨張し、固定部24や保護カバー30に応
力ひずみが発生するのを確実に防止でき、加速度センサ
21の信頼性を大幅に向上させることができる。
【0062】なお、第1の実施例では、第1の変形例と
して図11に示すように、各電極突起35に替えて金属
材料からなる各電極突起35′を加速度検出部23に対
し例えばメッキ処理等により別体に形成する構成として
もよく、これにより各電極パッド36を省略でき、低抵
抗シリコン板38の厚さ寸法を予め薄く形成できると共
に、前述した第2のエッチング工程を省略できるから、
加速度センサ21の製造工程を簡略化することができ
る。
【0063】また、第1の実施例では、単結晶のシリコ
ンからなる基盤22上に、シリコン酸化膜からなる絶縁
層25を介して低抵抗なシリコンからなる加速度検出部
23を固定した外力検出装置としての加速度センサ21
を示したが、第2の変形例として図12に示すように、
基板22に替えて例えばガラス等の絶縁性材料からなる
基板22′を用いた構成とすることもできる。
【0064】この第2の変形例の場合、基板22′に
は、例えば陽極接合法等の手段によって加速度検出部2
3が直接に接合されている。そして、基板22′の上面
中央部には、加速度検出部23の可動部27を基板2
2′から離間させるための凹部22A′が蓋体32の凹
部32Aと同様に形成されている。
【0065】さらに、第1の実施例は、第3の変形例と
して図13に示すように、前述した本実施例の第1の変
形例に対しても基板22に替えて絶縁性の基板22′を
用いた構成とすることができる。
【0066】次に、図14は本発明による第2の実施例
を示し、本実施例の特徴は、前記第1の実施例による加
速度センサの基板と保護カバーとを上,下で反転させ、
電極突起を外部の回路基板に直接接続したことにある。
なお、本実施例においては、前記第1の実施例と同一の
構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するもの
とする。
【0067】図中、41は本実施例による加速度センサ
を示し、該加速度センサ41は前記第1の実施例で述べ
た加速度センサ21とほぼ同様に、例えばガラス等の絶
縁材料から蓋体32と同様に形成され凹部42Aを有す
る保護カバー42と、各固定部24および可動部27を
有し加速度検出部23と同様に形成された加速度検出部
43と、基板44とから構成されている。また、上側と
なる基板44の下面と加速度検出部43との間には、第
1の実施例と同様に絶縁層25を設けている。
【0068】45,45は各固定部24に対応する位置
で保護カバー42に穿設された固定部24側のスルーホ
ールを示し、該各スルーホール45は保護カバー42と
加速度検出部43の各固定部24との当接位置に開口
し、その内部には後述の各電極突起46が挿通されてい
る。
【0069】また、可動部27の各支持部(図示せず)
に対応する位置には、可動部27側のスルーホール(図
示せず)が各スルーホール45と同様に保護カバー42
にそれぞれ穿設され、これらのスルーホールは保護カバ
ー42と前記各支持部との当接位置に開口すると共に、
その内部には各電極突起46が挿通されている。
【0070】46,46,…(2個のみ図示)は電極突
起を示し、該各電極突起46は、例えばエッチング処理
等により低抵抗なシリコン等から直方体状に形成され、
基板側が加速度検出部43の各固定部24および各支持
部27Aに一体形成されている。また、各電極突起46
の先端側は、固定部側の各スルーホール45および可動
部側の各スルーホールを介して保護カバー42の下面側
に露出し、半田バンプ47,47を介して外部の回路基
板48上に形成された配線パターン(図示せず)等に接
続されている。
【0071】かくして、上記の如く構成された本実施例
でも、前記第1の実施例とほぼ同等の作用効果を得るこ
とができるが、特に本実施例では、加速度検出部43を
上,下逆向きに配設することにより、各電極突起46の
先端側を回路基板48上の各配線パターンに直接接続す
る構成としたから、第1の実施例におけるボンディング
ワイヤ37等を省略でき、加速度検出部43の信頼性を
さらに向上させることができる。
【0072】次に、図15は本発明による第3の実施例
を示し、本実施例の特徴は、角速度センサに対してスル
ーホールおよび電極突起を形成し、その検出信号を電極
突起を介して外部に導出する構成としたことにある。な
お、本実施例においては、前記第1の実施例と同一の構
成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものと
する。
【0073】図中、51は本実施例による外力検出装置
としての角速度センサを示し、該角速度センサ51は、
従来技術と同様の基板52と、該基板52上に形成され
た角速度を検出する角速度検出部53と、後述の保護カ
バー63とから構成されている。
【0074】54,54は低抵抗なシリコンにより形成
された一対の固定部で、該各固定部54は後述する可動
部58の質量部58CをY軸方向で挟むように基板52
上に固定され、その側面には、複数の電極板55A,5
5A,…を有する固定側振動用くし状電極55が形成さ
れている。
【0075】56,56は各固定部54と同様に形成さ
れた一対の固定部で、該各固定部56は可動部58の質
量部58CをX軸方向で挟むように基板52上に固定さ
れ、その側面には、複数の電極板57A,57A,…を
有する固定側検出用くし状電極57が形成されている。
【0076】58は低抵抗なシリコンによって形成され
た可動部で、該可動部58は基板52上に固定された4
個の支持部58A,58A,…と、基端側が該各支持部
58Aに一体形成され、基板52の中央部に向けて延び
る4本のL字状をなす梁58B,58B,…と、該各梁
58Bの先端側に一体形成され、該各梁58Bにより基
板52から離間した状態でX軸およびY軸方向に変位可
能に支持された質量部58Cとから構成されている。
【0077】また、質量部58Cの前,後の側面には、
固定側振動用くし状電極55の各電極板55AとX軸方
向で対向する複数の電極板59A,59A,…を有する
可動側振動用くし状電極59,59が形成されている。
さらに、質量部58Cの左,右の側面には、固定側検出
用くし状電極57の各電極板57AとY軸方向で対向す
る複数の電極板60A,60A,…を有する可動側検出
用くし状電極60,60が形成されている。また、質量
部58Cには、エッチング処理用の貫通穴58D,58
D,…がZ軸方向に形成されている。
【0078】61,61は各固定部54と可動部58と
の間に設けられた振動発生手段としての振動発生部で、
該各振動発生部61は、各固定側振動用くし状電極55
と各可動側振動用くし状電極59とから構成されてい
る。そして、各振動発生部61は互いに逆位相の振動駆
動信号を印加されることにより、可動部58の質量部5
8CをY軸方向に振動させるものである。
【0079】62,62は各固定部56と可動部58と
の間に設けられた変位検出手段としての変位検出部を示
し、該各変位検出部62は、各固定側検出用くし状電極
57と各可動側検出用くし状電極60とから構成され、
可動部58の質量部58CがX軸方向に変位したとき
に、この変位量を固定側検出用くし状電極57と可動側
検出用くし状電極60との間の静電容量の変化として検
出するものである。
【0080】63は角速度検出部53を保護する保護カ
バーで、該保護カバー63は前記第1の実施例と同様
に、角速度検出部53を取囲むように基板52の外周に
形成された隔壁64と、例えばガラス等の絶縁材料から
形成され、該隔壁64を角速度検出部53の上側から施
蓋するように例えばガラス等の絶縁材料から形成された
蓋体65とから構成されている。
【0081】66,66,…は各固定部54,56に対
応する位置で蓋体65に穿設された固定部54,56側
のスルーホールを示し、該各スルーホール66は蓋体6
5と各固定部54,56との当接位置に開口し、その内
部には各電極突起68が挿通されている。
【0082】67,67は各支持部58Aのうち2個に
対応する位置で蓋体65に穿設された可動部58側のス
ルーホールを示し、該各スルーホール67は蓋体65と
各支持部58Aとの当接位置に開口し、その内部には各
電極突起68が挿通されている。
【0083】68,68,…は本実施例による例えば6
個の電極突起を示し、該各電極突起68は第1の実施例
の電極突起35と同様に、例えばエッチング処理等によ
り低抵抗なシリコン等から直方体状に形成され、基板側
が角速度検出部53の各固定部54,56および各支持
部58Aに一体形成されている。また、各電極突起68
の先端側は保護カバー63の各スルーホール66,67
を介して外部に露出し、各電極パッド69および各ボン
ディングワイヤ70を介して外部の信号処理回路等に接
続されている。
【0084】なお、角速度センサ51は、前記第1の実
施例による加速度センサ21とほぼ同様の工程により製
造されるものである。
【0085】従って、角速度センサ51は、前述した振
動駆動信号が外部から各電極突起68を介して各振動発
生部61に印加されることにより、可動部58の質量部
58CがY軸方向に振動し、この状態でZ軸周りの角速
度Ωが加えられると、該質量部58Cはコリオリ力によ
りこの角速度Ωに応じた変位量(振幅)をもってX軸方
向に振動する。そして、変位検出部62は、質量部58
CのX軸方向の変位量を静電容量の変化として検出する
から、この静電容量の変化は角速度Ωとして各固定部5
4および可動部58から各電極突起68等を介して外部
の信号処理回路等に導出される。
【0086】かくして、上記の如く構成された本実施例
でも、前記第1の実施例とほぼ同等の作用効果を得るこ
とができる。
【0087】なお、前記各実施例では、各電極突起3
5,35′,46,68を直方体状に形成したが、本発
明はこれに限らず、電極突起を円柱状に形成してもよ
い。
【0088】また、前記第1の実施例では、第1および
第2のエッチング工程用のフォトレジストとして低抵抗
シリコン板38の表面に酸化膜(Si O2 )からなる絶
縁層25を形成したが、これに替えて例えばCVD法等
の手段により窒化珪素膜(Si N)等を形成してもよ
い。
【0089】また、前記第3の実施例では、角速度セン
サ51の各電極突起68を各ボンディングワイヤ70を
介して外部の信号処理回路等に接続する構成としたが、
本発明はこれに限らず、角速度センサ51を前記第2の
実施例のように上,下を反転させた状態で外部の回路基
板上に固定し、各電極突起68の先端側をこの回路基板
上の配線パターンに直接接続する構成としてもよい。
【0090】さらに、前記各実施例では、外力検出装置
として加速度センサ21,41または角速度センサ51
により加速度または角速度を検出する場合を例に挙げて
述べたが、本発明はこれに限らず、変位検出手段により
検出した質量部の変位量に基づいて外力検出装置の移動
距離や移動速度、または回転角度や角加速度等を検出す
る構成としてもよい。
【0091】
【発明の効果】以上詳述した通り、請求項1に記載の発
明によれば、保護カバーに覆われた固定部および可動部
を電極突起を介して外部の信号処理回路等に簡単に接続
し、検出信号を確実に導出できる。また、簡単な構造で
固定部および可動部を外部の信号処理回路等に接続でき
るから、これらの接続に費やす作業工数を削減でき、接
続部の信頼性を大幅に向上させることができる。さら
に、保護カバーの各スルーホール内に電極突起を挿通す
ることにより、例えば導電性ペースト等をこれらのスル
ーホール内に充填する必要がなくなり、当該外力検出装
置をスルーホールの穴径に制限されることなく小型化で
きる。
【0092】また、請求項2に記載の発明によれば、固
定部と質量部との間に、外部から加わる加速度を検出す
る変位検出手段を設けたから、外部から加わる加速度を
変位検出手段によって質量部の固定部に対する変位量と
して確実に検出でき、変位検出手段で検出した加速度を
各電極突起を介して外部の信号処理回路等に検出信号と
して確実に導出できる。
【0093】また、請求項3に記載の発明によれば、固
定部と質量部との間に、質量部を振動させる振動発生手
段と、外部から加わる角速度を検出する変位検出手段と
を設けたから、質量部を振動発生手段によって平行方向
に振動させた状態で、外部から垂直軸周りに加えられた
角速度を、変位検出手段によって質量部の固定部に対す
る他の平行方向の変位量として確実に検出でき、変位検
出手段で検出した角速度を各電極突起を介して外部の信
号処理回路等に検出信号として確実に導出できる。
【0094】さらに、請求項4に記載の発明によれば、
質量部の固定部に対する変位を変位検出手段により静電
容量の変化として検出する構成としたから、質量部が外
部から加わる力に応じて固定部に対し変位したときに
は、この変位量を変位検出手段により固定部と可動部と
の間の静電容量の変化として確実に検出できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例による加速度センサを示
す一部破断の平面図である。
【図2】図1中の矢示II−II方向からみた縦断面図であ
る。
【図3】図1の矢示III − III方向からみた縦断面図で
ある。
【図4】本発明の第1の実施例による加速度センサ用の
低抵抗シリコン板に酸化膜形成工程によって絶縁層を形
成した状態を示す縦断面図である。
【図5】第1のエッチング工程により、図4中の低抵抗
シリコン板の下面に対してパターニングおよびエッチン
グ処理を行った状態を示す縦断面図である。
【図6】図5による第1のエッチングに続く第1の接合
工程により、低抵抗シリコン板の下面に基板を接合した
状態を示す縦断面図である。
【図7】図6による第1の接合工程に続く第2のエッチ
ング工程により、低抵抗シリコン板の上面に対してパタ
ーニングおよびエッチング処理を行った状態を示す縦断
面図である。
【図8】図7による第2のエッチング工程に続く第3の
エッチング工程により、可動部の梁および質量部を基板
から離間させた状態を示す縦断面図である。
【図9】本発明の第1の実施例による加速度センサの蓋
体となるガラス基板にカバーエッチング工程によって凹
部を形成した状態を示す縦断面図である。
【図10】図9によるカバーエッチング工程に続くスル
ーホール形成工程により、ガラス基板にスルーホールを
形成した状態を示す縦断面図である。
【図11】第1の実施例における第1の変形例による加
速度センサを示す縦断面図である。
【図12】第1の実施例における第2の変形例による加
速度センサを示す縦断面図である。
【図13】第1の実施例における第3の変形例による加
速度センサを示す縦断面図である。
【図14】本発明の第2の実施例による加速度センサを
示す図2と同様の断面図である。
【図15】本発明の第3の実施例による角速度センサを
示す一部破断の平面図である。
【図16】従来技術による加速度センサを示す一部破断
の平面図である。
【図17】図16の矢示XVII−XVII方向からみた縦断面
図である。
【符号の説明】
21,41 加速度センサ(外力検出装置) 22,22′,44,52 基板 24,54,56 固定部 27,58 可動部 27A,58A 支持部 27B,58B 梁 27C,58C 質量部 29,62 変位検出部(変位検出手段) 30,42,63 保護カバー 33,45,66 スルーホール(固定部側スルーホー
ル) 34,67 スルーホール(可動部側スルーホール) 35,35′,46,68 電極突起 51 角速度センサ(外力検出装置) 61 振動発生部(振動発生手段)

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板と、該基板上に設けられた固定部
    と、前記基板上に設けられ、該固定部との間に形成され
    た離間寸法を外部から加わる力によって変位させる可動
    部と、該可動部と固定部とを覆うように前記基板上に設
    けられた保護カバーとを備えた外力検出装置において、 前記保護カバーには前記固定部に対応する位置に開口す
    る固定部側スルーホールを穿設し、前記固定部には該固
    定部側スルーホール内に挿通する電極突起を形成すると
    共に、前記保護カバーには前記可動部に対応する位置に
    開口する可動部側スルーホールを穿設し、前記可動部に
    は該可動部側スルーホール内に挿通する電極突起を形成
    したことを特徴とする外力検出装置。
  2. 【請求項2】 前記可動部は、前記基板上に固定された
    支持部と、該支持部に梁を介して変位可能に設けられた
    質量部とから構成し、該質量部と固定部との間には外部
    から加わる加速度を質量部の固定部に対する変位量とし
    て検出する変位検出手段を設けてなる請求項1に記載の
    外力検出装置。
  3. 【請求項3】 前記可動部は、前記基板上に固定された
    支持部と、該支持部に梁を介して平行方向の2軸に変位
    可能に設けられた質量部とから構成し、該質量部と固定
    部との間には質量部を平行方向の2軸のうち一方の軸方
    向に振動させる振動発生手段を設け、前記質量部と固定
    部との間には該振動発生手段によって質量部を平行方向
    の2軸のうち一方の軸方向に振動させた状態で垂直軸周
    りに加わる角速度を前記質量部の平行方向のうち他方の
    軸方向に変位する変位量として検出する変位検出手段を
    設けてなる請求項1に記載の外力検出装置。
  4. 【請求項4】 前記変位検出手段は、前記質量部の前記
    固定部に対する変位を静電容量の変化として検出してな
    る請求項2または3に記載の外力検出装置。
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