JP2023130812A - 微小振動体の実装構造 - Google Patents
微小振動体の実装構造 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023130812A JP2023130812A JP2022035318A JP2022035318A JP2023130812A JP 2023130812 A JP2023130812 A JP 2023130812A JP 2022035318 A JP2022035318 A JP 2022035318A JP 2022035318 A JP2022035318 A JP 2022035318A JP 2023130812 A JP2023130812 A JP 2023130812A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- micro
- electrode
- vibrator
- wiring
- mounting board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title abstract 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 26
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 21
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 15
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 15
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 2
- 238000000708 deep reactive-ion etching Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000003708 edge detection Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000005300 metallic glass Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
- B81B7/0032—Packages or encapsulation
- B81B7/007—Interconnections between the MEMS and external electrical signals
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
- G01C19/00—Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
- G01C19/56—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
- G01C19/567—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces using the phase shift of a vibration node or antinode
- G01C19/5691—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces using the phase shift of a vibration node or antinode of essentially three-dimensional vibrators, e.g. wine glass-type vibrators
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
- G01C19/00—Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
- G01C19/56—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
- G01C19/5705—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces using masses driven in reciprocating rotary motion about an axis
- G01C19/5712—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces using masses driven in reciprocating rotary motion about an axis the devices involving a micromechanical structure
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
- B81B3/0018—Structures acting upon the moving or flexible element for transforming energy into mechanical movement or vice versa, i.e. actuators, sensors, generators
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
- B81C99/0035—Testing
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
- G01C19/00—Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
- G01C19/56—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
- G01C19/5783—Mountings or housings not specific to any of the devices covered by groups G01C19/5607 - G01C19/5719
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Gyroscopes (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
【課題】表面電極を有する微小振動体が実装基板に接合された実装構造にて、当該表面電極のうち実装基板との接合部分以外の部分に接触せずとも、当該表面電極の印加電圧を検出可能とする。【解決手段】実装基板3は、互いに離れて配置される複数の分割内枠部51と、異なる分割内枠部に接続される電圧印加用配線42Aおよび電圧検出用配線42Bと、を有し、微小振動体2の接続部22が接続される。電圧検出用配線42Bは、実装基板3において電圧印加用配線42Aと距離を隔てて配置され、電圧印加用配線42Aとは電気的に独立している。配線42A、42Bは、それぞれ、異なる分割内枠部51に接続されると共に、実装基板3のうち分割内枠部51側の一端が表面電極23に接続される電極接続部421となっている。【選択図】図8
Description
本発明は、三次元曲面を有する微小振動体の実装構造に関する。
近年、車両の自動運転のシステム開発が進められており、この種のシステムでは、高精度の自己位置の推定技術が必要である。例えば、いわゆるレベル3の自動運転向けに、GNSS(Global Navigation Satellite Systemの略)とIMU(Inertial Measurement Unitの略)とを備える自己位置推定システムの開発が進められている。IMUは、例えば、3軸のジャイロセンサと3軸の加速度センサから構成される6軸の慣性力センサである。将来的に、いわゆるレベル4以上の自動運転を実現するためには、現状よりもさらに高感度のIMUが求められる。
このような高感度のIMUを実現するためのジャイロセンサとしては、BRG(Bird-bath Resonator Gyroscopeの略)が有力視されており、ワイングラスモードで振動する略半球形状の三次元曲面を有する微小振動体が実装基板に搭載されてなる。この微小振動体は、振動の状態を表すQ値が106以上に達するため、従来よりも高感度が見込まれる。
この種の微小振動体と実装基板との実装構造としては、例えば、特許文献1に記載のものが挙げられる。この実装構造は、微小振動体のうち略半球形の三次元曲面の頂点付近からその半球の内側中心に向かって凹むように延設された有底筒状の接合部が、実装基板のうち略環状枠体に囲まれた接合領域に挿入されている。この実装構造は、微小振動体の全面を覆う表面電極と実装基板の接合領域に形成された配線とが接合されており、実装基板の当該配線を介して微小振動体の表面電極に所定の電圧を印加可能となっている。
さて、このBRGは、実装基板に形成された配線を介して、当該配線と電気的に接続された接合領域に接合された微小振動体の表面電極に電圧を印加する構成であり、電圧印加の安定性を確保するためには、微小振動体と実装基板との接合信頼性が重要である。また、この実装構造では、微小振動体の表面電極に電圧が印加されているか否かを確認するためには、表面電極のうち実装基板との接合部分以外の部分にプロービングをし、電圧検出を行う必要がある。
しかし、微小振動体の表面電極に直接プローブを接触させると、表面電極や表面電極に覆われた基材に傷が付くおそれがある。また、表面電極や基材に傷が付くと、微小振動体のQ値が低下してしまう。さらに、例えば、実装基板に蓋材が取り付けられ、微小振動体が封止されると、微小振動体の表面電極にプローブを接触させることができないため、表面電極の印加電圧を検出できなくなってしまう。
本発明は、上記の点に鑑み、三次元曲面形状およびこれを覆う表面電極を有する微小振動体が実装基板に接合された実装構造にて、当該表面電極のうち実装基板との接合部分以外の部分に接触せずとも、当該表面電極の印加電圧を検出可能とすることを目的とする。
上記目的を達成するため、請求項1に記載の微小振動体の実装構造は、半球形状の三次元曲面を有する曲面部(21)と、曲面部から半球形状の中心に向かって延設された接続部(22)と、接続部および曲面部の少なくとも一部を覆う表面電極(23)とを有する微小振動体(2)と、2つ以上の配線(42)を有し、微小振動体の一部が接続される実装基板(3)と、を備え、配線のうち内枠領域の側に位置する一端は、表面電極のうち接続部を覆う部分と接続される電極接続部(421)であり、2つ以上の配線は、表面電極に電圧を印加するための電圧印加用配線(42A)、および表面電極に印加される電圧を検出するための電圧検出用配線(42B)をそれぞれ少なくとも1つ以上含み、電圧検出用配線は、実装基板において電圧印加用配線と距離を隔てて配置されている。
この微小振動体の実装構造は、微小振動体の表面電極のうち接続部を覆う部分が、実装基板に形成された電圧検出用配線の一端である電極接続部と接合されてなる。この電圧検出用配線は、実装基板に形成された配線のうち微小振動体の表面電極への電圧印加用配線とは距離を隔てて配置され、実装基板において電圧印加用配線とは電気的に独立している。そのため、この実装構造は、電圧検出用配線を介することで、微小振動体の表面電極のうち実装基板との接合部以外の部分に直接触れることなく、表面電極の電圧を検出可能である。よって、この実装構造は、微小振動体の表面電極やこれに覆われた基材への傷付きやQ値の低下を防ぎつつ、微小振動体と実装基板との接合信頼性を電圧印加用配線と電圧検出用配線を両端に持つ経路の電気抵抗などの電気的特性による確認が可能となっている。
なお、各構成要素等に付された括弧付きの参照符号は、その構成要素等と後述する実施形態に記載の具体的な構成要素等との対応関係の一例を示すものである。
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
(第1実施形態)
第1実施形態の実装構造1について、図面を参照して説明する。本実施形態の実装構造1は、ワイングラスモードで振動する微小振動体2を有し、微小振動体2の振動特性を利用した各種デバイス、例えば、BRG等のジャイロセンサやクロックデバイス等に適用されると好適である。本明細書では、実装構造1がBRGに適用された場合を代表例として説明するが、実装構造1は、この用途を限定するものではなく、勿論、ジャイロセンサとは異なる慣性センサ等の他の用途にも適用されうる。
第1実施形態の実装構造1について、図面を参照して説明する。本実施形態の実装構造1は、ワイングラスモードで振動する微小振動体2を有し、微小振動体2の振動特性を利用した各種デバイス、例えば、BRG等のジャイロセンサやクロックデバイス等に適用されると好適である。本明細書では、実装構造1がBRGに適用された場合を代表例として説明するが、実装構造1は、この用途を限定するものではなく、勿論、ジャイロセンサとは異なる慣性センサ等の他の用途にも適用されうる。
図2では、後述する微小振動体2の構成を分かり易くするため、微小振動体2の一部を省略して断面を示しつつ、微小振動体2の外郭のうち図2に示す角度から見えない部分については破線で示している。図10~図12では、後述する実装基板3のうちブリッジ配線42および分割内枠部51の他の構成例を分かり易くするため、分割内枠部51の含む所定領域を示すと共に、実装基板3の他の構成要素を省略している。また、図10~図12では、断面を示すものではないが、ブリッジ配線42にハッチングを施している。
以下、説明の便宜上、図1に示すように、紙面における左右方向に沿った方向を「x方向」と、同紙面上においてx方向に直交する方向を「y方向」と、xy平面に対する法線方向を「z方向」と、それぞれ称する。図3以降の図中のx、y、z方向は、図1のx、y、z方向にそれぞれ対応するものである。また、本明細書における「上」とは、図中のz方向に沿った方向であって、矢印側を意味し、「下」とは上の反対側を意味する。さらに、本明細書では、例えば図1等に示すように、z方向上側から実装構造1または実装基板3を見た状態を「上面視」と称することがある。
本実施形態の実装構造1は、例えば図1に示すように、微小振動体2と、実装基板3とを備え、微小振動体2の一部が実装基板3に接合されてなる。実装構造1は、ワイングラスモードで振動することが可能な薄肉の微小振動体2と実装基板3のうち後述する複数の電極部53との間における静電容量の変化に基づき、実装構造1に印加された角速度を検出する構成となっている。
微小振動体2は、例えば図2に示すように、半球形状の三次元曲面の外形を含む曲面部21と、曲面部21のなす仮想半球の頂点側から当該半球の中心側に向かうように延設された接続部22とを備える。接続部22は、例えば、有底筒状の凹部となっている。微小振動体2は、例えば、曲面部21が椀状の三次元曲面を有し、その振動のQ値が105以上となっている。
曲面部21のうち接続部22とは反対側の端部をリム211として、リム211は、例えば、略円筒形状とされる。微小振動体2は、実装基板3に搭載された際に、リム211が、表面2a側が実装基板3のうち後述する複数の電極部53と向き合うと共に、複数の電極部53の間隔が等間隔となるように搭載される。微小振動体2は、実装基板3への実装時において、リム211を含む曲面部21が他の部材とは接触しない中空状態になる部位である。微小振動体2は、実装基板3に搭載されたとき、中空状態のリム211がワイングラスモードで振動可能な構造となっている。
微小振動体2は、例えば、図2や図3に示すように、外径が大きいほうの面を表面2aとし、その反対面を裏面2bとして、この両面の一部または全部を覆う表面電極23を有する。微小振動体2は、接続部22のうち裏面2b側の面が実装基板3と向き合う実装面22bとなっている。微小振動体2は、本実施形態では、例えば、接続部22の底面のうち実装面22bとは反対の面が微小振動体2の吸着搬送に用いられる吸着面22aとなっている。
表面電極23は、例えば、限定するものではないが、下地側からCr(クロム)あるいはTi(チタン)と、Au(金)やPt(白金)等の任意の導電性材料との積層膜、またはTiN(窒化チタン)等の基材と密着性のある導電性材料の単層膜で構成される。表面電極23は、例えば、スパッタリングや蒸着、ALD(原子層堆積法)等の任意の成膜法により微小振動体2の表面2aおよび裏面2bに成膜される。表面電極23は、本実施形態では、少なくとも実装面22bおよびリム211の表面2aに成膜され、これらの部位が電気的に接続される構成となっている。表面電極23は、微小振動体2の表裏面の全域を覆うベタ形状であってもよいし、前述の構成となるようにパターニングされ、表裏面の一部を覆うパターン形状であってもよい。微小振動体2は、表面電極23のうち接続部22の実装面22bを覆う部分が、実装基板3のうち後述する電極接続部421と接合部材52を介して接続される。
微小振動体2は、例えば、石英、ホウケイ酸ガラスなどの添加物含有のガラス、金属ガラス、シリコンやセラミック等の材料で構成される。なお、微小振動体2は、三次元曲面形状とされた曲面部21および接続部22を形成でき、ワイングラスモードでの振動が可能なものであればよく、前述の材料に限定されない。微小振動体2は、例えば、後述する形成工程により、上記した材料で構成された薄肉基材を加工して形成されることで、曲面部21および接続部22の厚みが10μm~100μmといった具合のマイクロメートルオーダーの薄肉部材となっている。微小振動体2は、例えば、実装基板3の厚み方向に沿った方向を高さ方向として、高さ方向の寸法が2.5mm、リム211の表面2a側の外径が5mmといったミリサイズの形状となっている。
微小振動体2は、例えば、次のような工程により形成される。
まず、例えば図4Aに示すように、石英板20、三次元曲面形状を形成するための型Mおよび型Mを冷却するための冷却体Cを用意する。型Mは、例えば、石英板20に三次元曲面形状を形成する際のスペースとなる凹部M1と、凹部M1の中心において、凹部M1の深さ方向に沿って延設され、加工時に石英板20の一部を支える支柱部M2とを備える。型Mは、凹部M1の底面に減圧用の貫通孔M11が形成されている。冷却体Cは、型Mが嵌め込まれる嵌め込み部C1と、嵌め込み部C1の底面に排気用の排気口C11とを備え、石英板20を加工する際に型Mを冷却する役割を果たす。石英板20は、型Mの凹部M1の全域を覆うように配置される。
続けて、例えば図4Bに示すように、石英板20に向けてトーチTから火炎Fを吹きかけ、石英板20を溶融させる。このとき、型Mの凹部M1は、図示しない真空機構により冷却体Cの排気口C11を通じて真空引きされている。これにより、石英板20のうち溶融した部分は、凹部M1の底面に向かって引き延ばされると共に、その中心周辺領域が支柱部M2により支えられた状態となる。その後、石英板20の加熱をやめて冷却することで、石英板20は、略半球形の三次元曲面形状とされた曲面部位201と、支柱部M2に支えられることで曲面部位201の中心近傍で凹む形状となった凹部位202とが形成される。また、石英板20は、凹部M1の外側に位置する部分が、曲面部位201の外周端に位置し、平坦形状とされた端部203となる。
次いで、型Mの凹部M1を常圧に戻し、加工後の石英板20を取り外し、例えば図4Cに示すように、任意の硬化性樹脂材料によりなる封止材Eで石英板20を封止する。その後、例えば、封止材Eを端部203側の面から図4Cの一点鎖線で示す部分まで研磨およびCMP(Chemical Mechanical Polishingの略)を行い、封止材Eごと端部203を除去する。これにより、石英板20は、環状曲面を有する曲面部21と、曲面部21の頂点から凹んだ接続部22とを有する形状となる。
そして、加熱や薬液を用いた溶解等の任意の方法により、封止材Eをすべて除去し、石英板20を取り出す。最後に、例えば、スパッタリングや蒸着等の成膜プロセスにより、上記した加工後の石英板20の表裏面の両面に表面電極23を形成する。表面電極23は、必要に応じて、図示しないマスク等を用いる等の公知の方法によりパターニングされてもよい。
なお、微小振動体2は、例えば、上記のような製造プロセスにより製造されるが、この製法例に限定されるものではない。例えば、図4Bに示す石英板20を溶融するための熱源は、トーチTによる火炎Fに代わって、火炎Fを用いた場合と同等面積で石英板20を加熱できるヒータであってもよい。このように、微小振動体2の製造工程については、適宜変更されてもよく、他の公知の方法が採用されても構わない。
また、微小振動体2は、Z方向を回転軸として回転対称な略ハーフトロイダル形状とされるが、曲面部21が椀状の三次元曲面形状を有し、ワイングラスモードで振動可能な構成であればよく、図示したBRの形状にのみ限定されるものではない。例えば、接続部22は、有底筒状の凹部のほか、柱状の形状とされてもよい。
実装基板3は、例えば図5に示すように、下部基板4と、上部基板5とを備え、これらが接合された構成となっている。例えば、実装基板3は、絶縁材料のホウケイ酸ガラスにより構成された下部基板4に、半導体材料のSi(シリコン)により構成された上部基板5を陽極接合することで得られる。実装基板3は、例えば、上部基板5の側に、複数の分割内枠部51と、分割内枠部51を囲むように互いに離れて配置された複数の電極部53と、電極部53を囲むように互いに離れて配置された分割外枠部54とを備える。また、実装基板3は、下部基板4側に、例えば、複数の分割内枠部51と複数の電極部53とを隔てつつ、複数の分割内枠部51を囲む円環形状の溝41と、溝41の内側と外側とを跨ぐ複数のブリッジ配線42とを備える。
溝41は、例えば、図6や図7に示すように、複数の分割内枠部51と複数の電極部53との間に設けられる溝であり、ウェットエッチング等により形成される。溝41は、例えば図8や図9に示すように、微小振動体2のリム211の外径に対応する寸法とされ、微小振動体2を実装基板3に実装したときに、リム211を実装基板3に接触させないために設けられる。
複数のブリッジ配線42は、例えばAl(アルミニウム)等の導電性材料により構成されると共に、複数の電極部53の間を通過する配置とされ、複数の電極部53とは電気的に独立している。複数のブリッジ配線42は、例えば図7に示すように、下部基板4において溝41を跨ぐと共に、一端側が分割内枠部51に、他端が分割外枠部54にそれぞれ接続されており、これらを電気的に接続している。ブリッジ配線42は、例えば、少なくとも2つ形成され、異なる分割内枠部51に接続される。ブリッジ配線42は、実装基板3のうち分割内枠部51に囲まれた領域を内枠領域として、内枠領域側の一端が微小振動体2の表面電極23と接続される電極接続部421となっている。
複数のブリッジ配線42は、微小振動体2の表面電極23に電圧を印加するための電圧印加用配線42Aと、表面電極23の電圧を検出するための電圧検出用配線42Bとを少なくとも1つ以上有している。電圧検出用配線42Bは、実装基板3において電圧印加用配線42Aと距離を隔てて配置され、微小振動体2が接続される前においては電圧印加用配線42Aとは電気的に独立している。言い換えると、電圧検出用配線42Bの電極接続部421は、少なくとも電圧印加用配線42Aの電極接続部421とは電気的に独立している。ブリッジ配線42は、例えば、電極接続部421とは反対の他端が分割外枠部54あるいは外部に取り出し可能な図示しない端子に接続され、微小振動体2が図示しない蓋材で封止された後においても、表面電極23への電圧印加および電圧検出を可能としている。
なお、図5では、電圧印加用配線42Aが3つ、電圧検出用配線42Bが1つ、合計4つのブリッジ配線42が実装基板3に形成され、個々のブリッジ配線42が電気的に独立している例を示しているが、この例に限定されるものではない。ブリッジ配線42は、互いに電気的に独立した電圧印加用配線42Aと電圧検出用配線42Bを1つ以上有していればよく、その数や配置等については適宜変更されうる。また、電圧印加用配線42Aは、複数形成されている場合、他の電圧印加用配線42Aとは電気的に独立していてもよいし、電気的に接続されていてもよい。これは、電圧検出用配線42Bについても同様である。
複数の分割内枠部51は、上面視にて、例えば、全体として断続的な円環形状となす形状とされ、互いに離れて配置されている。複数の分割内枠部51は、少なくとも2以上配置されると共に、例えば図8や図9に示すように、その外側および内側が微小振動体2に当接しない寸法となっている。複数の分割内枠部51は、例えば、少なくとも1つが電圧印加用配線42Aに接続され、少なくとも他の1つが電圧検出用配線42Bに接続されている。複数の分割内枠部51は、ブリッジ配線42が接続されていないものを有していてもよい。
なお、複数の分割内枠部51は、例えば図5に示すように、4つ形成され、円環形状の枠体を4つに等分割して得られる形状とされるが、これに限定されるものではなく、その数、配置、形状や寸法等については適宜変更されうる。例えば、複数の分割内枠部51は、図10に示すように、円環形状の枠体を2つに分割して得られる形状とされ、その1つに電圧印加用配線42Aが、残る1つに電圧検出用配線42Bが、それぞれ接続される構成であってもよい。複数の分割内枠部51は、例えば図11に示すように、円環形状の枠体を三分割して得られる形状とされ、その1つに電圧印加用配線42Aが、他の1つに電圧検出用配線42Bがそれぞれ接続され、残る1つにブリッジ配線42が接続されない構成であってもよい。複数の分割内枠部51は、例えば図12に示すように、上面視にて、楕円形状とされつつ、3つ形成され、実装基板3のうち微小振動体2の接続部22と対向する領域を対向領域R1として、互いに離れて対向領域R1を囲む構成であってもよい。
また、複数のブリッジ配線42のうち電極接続部421は、本実施形態では、例えば図10~図12に示すように、互いに距離を隔てつつ、その一部が対向領域R1内に配置される構成であればよい。つまり、電極接続部421は、上面視にて、分割内枠部51の内郭に沿った形状であってもよいし、円形状、楕円形状等の他の形状であってもよく、その形状、配置や寸法等については分割内枠部51や微小振動体2の接続部22に応じて適宜変更されうる。
複数の電極部53は、溝41の外周側の位置において、分割内枠部51を囲むように互いに離れて配置されている。例えば、複数の電極部53は、図5に示すように、上面視にて、内周側および外周側の辺がそれぞれ円弧状となっており、内周側および外周側の辺それぞれを繋げると、径の異なる断続的な円を描く状態となっている。言い換えると、複数の電極部53は、分割内枠部51を囲む円環を所定間隔で均等に分割した構成となっている。
複数の電極部53は、例えば図6に示すように、それぞれ上面に電極膜531が形成されている。複数の電極部53は、例えば、電極膜531に図示しないワイヤが接続され、図示しない外部の回路基板等と電気的に接続されることで、電位の制御が可能となっている。複数の電極部53は、いずれも、例えば図1や図8に示すように、微小振動体2が搭載されたとき、微小振動体2のリム211と所定の距離を隔てた状態となり、それぞれが微小振動体2とキャパシタを形成する。つまり、実装基板3は、複数の電極部53を介して、微小振動体2との間の静電容量を検出したり、微小振動体2との間に静電引力を生じさせ、微小振動体2をワイングラスモードで振動させたりすることが可能となっている。
なお、図1等には、実装基板3に16個の電極部53が互いに離れて環を描くように均等配置された例を示しているが、これに限定されるものではなく、電極部53の数や配置については微小振動体2の形状やサイズ等に応じて適宜変更されうる。
分割外枠部54は、例えば、上面視にて分割内枠部51を囲む枠体が溝55により複数に分割された構成とされると共に、図5や図7に示すように、上面にAl等によりなる電極膜541を備える。複数の分割外枠部54は、例えば、それぞれ、異なるブリッジ配線42を介して異なる分割内枠部51に電気的に接続されると共に、電極膜541に図示しないワイヤが接続される。これにより、複数の分割外枠部54は、図示しない外部の回路基板等と電気的に接続されると共に、図示しない外部の電源等により、分割外枠部54を介した微小振動体2の表面電極23の電位制御および電圧検出を可能とする。
なお、分割外枠部54のうち電圧検出用配線42Bに接続されたものは、少なくとも電圧印加用配線42Aが接続された分割外枠部54とは電気的に独立した構成とされる。また、分割外枠部54は、図5に示す4つ形成される例に限定されるものではなく、その数、配置、形状や寸法等については、ブリッジ配線42の数などに応じて適宜変更されうる。
接合部材52は、微小振動体2と実装基板3との接合に用いられる導電性材料であり、ブリッジ配線42の電極接続部421と微小振動体2の表面電極23とを電気的に接続する。接合部材52は、例えば、AuSn(金錫)、Ag(銀)、Auなどの導電性材料を有してなるペースト状の導電材とされ、シリンジ等を用いて電極接続部421に塗布される。接合部材52は、実装基板3の電極接続部421のそれぞれに配置されるが、例えば図8に示すように、少なくとも電圧検出用配線42Bの電極接続部421と電圧印加用配線42Aの電極接続部421とを跨がないように配置される。これは、電圧検出用配線42Bが接合部材52により電圧印加用配線42Aに直接接続され、表面電極23の印加電圧と電圧印加用配線42Aの印加電圧との切り分けができなくなることを防ぐためである。
つまり、実装構造1は、例えば図13に示すように、微小振動体2の表面電極23の異なる位置に電圧印加用配線42Aと電圧検出用配線42Bとが接続され、配線42A、42Bが直接接続されず、表面電極23を介して電気的に接続された構造である。そして、これらの配線42A、42Bがそれぞれ外部端子に接続されており、表面電極23のうち実装基板3との接合部以外の部位に接触することなく、外部からの電圧印加および電圧検出が可能となっている。また、微小振動体2が図示しない蓋材により封止された場合であっても、配線42A、42Bが外部端子に接続されているため、表面電極23の電圧印加および電圧検出が可能となる。なお、実装基板3の複数の電極部53は、ワイングラスモードで駆動させるための駆動電極、および静電容量を検出するための検出電極を有し、図示しないワイヤ等で外部に接続されつつ、表面電極23のうちリム211を覆う部分と対向している。また、図13では、見易くするために、表面電極23に電圧印加用配線42Aおよび電圧検出用配線42Bが1つずつ接続された構成例を示しているが、配線42A、42Bは、少なくともそれぞれ1つ以上あればよく、この例に限定されない。
実装基板3は、例えば、次のような工程により製造されうる。
まず、例えば、ホウケイ酸ガラスによりなる下部基板4を用意し、バッファードフッ酸を用いたウェットエッチングにより円環状の溝41を形成する。その後、溝41を跨ぐと共に、分割内枠部51の形成予定位置よりも内側に電極接続部421を有するブリッジ配線42を、例えばAlのスパッタによる成膜を用いたリフトオフ法により形成する。なお、ブリッジ配線42の厚みは、例えば、0.1μm程度とされる。
続けて、例えば、SiによりなるSi基板(後の上部基板5)を用意し、ホウケイ酸ガラスの下部基板4と陽極接合する。次にSi基板に後の分割内枠部51、複数の電極部53、分割外枠部54となる領域に区画する溝を公知のエッチング方法により形成する。
具体的には、例えば、DRIE(Deep Reactive Ion Etchingの略)によりトレンチエッチングを行って、下部基板4を部分的に露出させ、分割内枠部51、複数の電極部53、分割外枠部54の各領域を分離させる。これにより、Si基板は、互いに離隔した分割内枠部51、複数の電極部53、および分割外枠部54を備える上部基板5となる。また、下部基板4に形成された溝41は、このSi基板の区画工程により、上部基板5から露出した状態となる。
最後に、例えば、複数の電極部53および分割外枠部54の上面にスパッタ等により電極膜531、541を形成する。このような工程の結果、上記した構造の実装基板3が得られる。そして、実装基板3は、微小振動体2が搭載される際に、下部基板4のうち電極接続部421上に接合部材52が配置される。
なお、図5等で示す1つの実装基板3は、例えば、ウエハに上記構造の複数の実装基板3となる領域を形成し、ダイシングカット等により個片化することにより得られる。言い換えると、実装基板3の製造については、ウエハレベルでの対応が可能である。
上記のような工程で製造された実装基板3を図示しないマウンタ装置に吸着固定し、図示しない搬送装置により微小振動体2を搬送し、接合部材52上に接続部22の実装面22bを接触させ、接合部材52を固化することで微小振動体2を搭載することができる。例えば、微小振動体2の吸着面22aに図示しない搬送装置の真空吸着可能な把持機構を接触させ、真空吸着を行うことで微小振動体2を搬送できる。そして、図示しないマウンタ装置の加熱機構により実装基板3を加熱し、微小振動体2を搭載後に冷却し、接合部材52を固化させることで、微小振動体2が実装基板3に接合される。
なお、微小振動体2の実装基板3に対する位置合わせについては、例えば、微小振動体2および実装基板3を撮像し、公知の画像処理技術によりエッジ検出により特徴点を抽出することで、相対位置を調整するといった方法で行うことができる。
以上が、微小振動体2の実装構造1の基本的な構成である。実装構造1は、BRGを構成する場合、駆動時には、複数の電極部53の一部と微小振動体2との間に静電引力を生じさせることで、微小振動体2をワイングラスモードで振動させる。このBRGは、微小振動体2が振動状態のときに、外部からコリオリ力が印加されると、微小振動体2が変位してその振動モードの節の位置が変化する。このBRGは、この振動モードの節の変化を微小振動体2と複数の電極部53との静電容量で検出することで、当該BRGに働く角速度の検出が可能となっている。
本実施形態によれば、微小振動体2の表面電極23が、実装基板3に形成され、互いに電気的に独立した電圧印加用配線42Aおよび電圧検出用配線42Bに接続され、これらのブリッジ配線42を介して外部と電気的に接続可能な実装構造1となっている。そのため、微小振動体2を実装基板3に接続した後において、電圧検出用配線42Bを介して微小振動体2の表面電極23の電圧検出をすることができる。これにより、表面電極23の電圧検出において、表面電極23のうち実装基板3との接合部以外の部分を直接プロービングする必要がなくなり、微小振動体2の基材や表面電極23の傷付きやこれに伴うQ値低下を防止できる実装構造1となる。また、この実装構造1を備えるBRGは、表面電極23の印加電圧の検査工程が簡便化され、微小振動体2と実装基板3との接合状態に起因する故障検知が可能であるため、歩留まりが向上し、信頼性向上および製造コスト低減の効果も得られる。
(第1実施形態の変形例)
実装基板3は、例えば図14に示すように、複数の分割内枠部51に囲まれた内枠領域R2に、電極接続部421を隔てる複数の分割溝43が形成されていてもよい。
実装基板3は、例えば図14に示すように、複数の分割内枠部51に囲まれた内枠領域R2に、電極接続部421を隔てる複数の分割溝43が形成されていてもよい。
図14では、図10と同様に、実装基板3のうちブリッジ配線42および分割内枠部51の構成を分かり易くするため、分割内枠部51の含む所定領域を示すと共に、実装基板3の他の構成要素を省略している。また、図14では、断面を示すものではないが、ブリッジ配線42にハッチングを施している。これらは、後述する図20、図23についても同様である。
分割溝43は、微小振動体2と実装基板3の電極接続部421とを接合する接合部材52が濡れ広がった場合に、接合部材52の余剰部分が流れ込むように、複数の電極接続部421それぞれの近傍に形成される。複数の分割溝43は、例えば、電極接続部421と同数形成されると共に、互いに距離を隔てて配置され、別個独立した構成とされる。分割溝43は、例えば図15に示すように、電極接続部421それぞれの上に配置された接合部材52の余剰部分が流れ込むことで、異なる電極接続部421が接合部材52により電気的に直接接続されることを防止する役割を果たす。これにより、電圧印加用配線42Aと電圧検出用配線42Bとが直接接続されることをより確実に防止することができ、微小振動体2の表面電極23の電圧検出を安定して行うことが可能となる。なお、微小振動体2は、実装面22bの一部が実装基板3のうち内枠領域R2の一部と当接しており、実装面22bが実装基板3に突き当てられた突き当て部にもなっている。
なお、複数の分割溝43は、少なくとも電圧印加用配線42Aの近傍に形成されたものと電圧検出用配線42Bの近傍に形成されたものとが離隔した構成であればよく、数、配置、形状、幅や深さの寸法等については適宜変更されうる。また、複数の分割溝43は、溝41と同じ工程で形成されてもよいし、溝41とは別工程でウェットエッチング等により形成されてもよい。
本変形例によっても、上記第1実施形態と同様の効果が得られる実装構造1となる。また、実装基板3が複数の分割溝43を有することで、電圧印加用配線42Aと電圧検出用配線42Bとが接合部材52の回り込むにより直接接続されて絶縁不良となることをより確実に防止できる効果も得られる。
(第2実施形態)
第2実施形態の実装構造1について、図面を参照して説明する。
第2実施形態の実装構造1について、図面を参照して説明する。
図16、図20では、微小振動体2と実装基板3との接合状態を分かり易くするため、実装基板3のうち分割内枠部51を含む所定の領域のみを示し、実装基板3の他の部位については省略している。図16~図19、図21では、見易くするため、微小振動体2のうち接続部22の実装面22b側の一部構成のみを示し、微小振動体2の他の部分については省略している。また、図16~図19では、表面電極23のパターン形状を分かり易くするため、断面を示すものではないが、表面電極23にハッチングを施すと共に、図面に示す角度からは見えない一部の外郭を破線で示している。
本実施形態の実装構造1は、例えば図16に示すように、微小振動体2の表面電極23のうち接続部22の側壁面を覆う部分が枝分かれした分岐電極231となっている。この実装構造1は、微小振動体2の複数の分岐電極231が、接合部材52を介して、それぞれ実装基板3の異なる分割内枠部51に接続されている。この実装構造1は、上記した点で上記第1実施形態と相違する。本実施形態では、この相違点について主に説明する。
微小振動体2は、本実施形態では、接続部22の実装面22bが表面電極23から露出すると共に、表面電極23のうち複数の分岐電極231が接合部材52により実装基板3に接合されている。微小振動体2は、複数の分岐電極231が接合部材52によりそれぞれ異なるブリッジ配線42の電極接続部421に接続されている。微小振動体2は、本実施形態では、接続部22の裏面2b側における側壁面22c(以下、単に「側壁面22c」という)のうち隣接する分岐電極231に挟まれた部位が、表面電極23から露出している。その結果、本実施形態の実装構造1も図13に示す上記第1実施形態と同様の電気接続構造になっている。
表面電極23は、本実施形態では、例えば図17に示すように、側壁面22cのうち実装面22b側の端部である下端近傍であって、実装基板3の複数の分割内枠部51に対応する位置に分岐電極231を有する構成となっている。言い換えると、表面電極23は、例えばブリッジ配線42が接続された分割内枠部51と同じ数だけ枝分かれした分岐電極231を有している。
分岐電極231は、隣接する他の分岐電極231と接合部材52を介して直接接続されないように、例えば、図16に示すように、その幅が分割内枠部51の幅よりも小さくされる。分岐電極231は、例えば図18に示すように、金属あるいは樹脂などの任意の材料で構成されたキャップマスクCPを接続部22の実装面22b側に取り付けた状態で、スパッタリング等の真空成膜により表面電極23を成膜することで形成される。
本実施形態によっても、上記第1実施形態と同様の効果が得られる実装構造1となる。
(第2実施形態の変形例)
実装構造1は、例えば図19に示すように、実装面22bに実装基板3との位置決め用の底面凸部24を有した構成であってもよい。この場合、実装基板3は、例えば図20に示すように、対向領域R1内に微小振動体2の底面凸部24と嵌合する嵌合凹部44を有した構成とされる。
実装構造1は、例えば図19に示すように、実装面22bに実装基板3との位置決め用の底面凸部24を有した構成であってもよい。この場合、実装基板3は、例えば図20に示すように、対向領域R1内に微小振動体2の底面凸部24と嵌合する嵌合凹部44を有した構成とされる。
微小振動体2の底面凸部24は、例えば図4Aで示す型Mとして、支柱部M2の先端面に突起部を有するものを用意し、上記第1実施形態で説明した工程と同様の工程を経ることで形成されうる。底面凸部24は、例えば図19に示すように、その表面に分岐電極231の1つが延設された構成とされるが、これに限定されるものではなく、表面電極23から露出する構成であってもよい。なお、前者の表面電極23の構成については、底面凸部24の一部と接続部22の側壁面22cのうち分岐電極231の形成予定部分の1つとを繋ぐ溝を有するキャップマスクCPを用いることにより形成することができる。
嵌合凹部44は、例えば図21に示すように、微小振動体2を実装基板3上に載置した際に底面凸部24と嵌合可能となるように、底面凸部24の外径と同程度の内径とされ、少なくとも底面凸部24の高さ以上の深さとされている。嵌合凹部44は、例えば、溝41と同様に、ウェットエッチング等により形成される。なお、実装基板3は、例えば図22に示すように、嵌合凹部44に加えて、嵌合凹部44と電極接続部421とを隔てる複数の分割溝43を有する構成であってもよい。なお、微小振動体2は、実装面22bのうち底面凸部24の周囲に位置する部分が、実装基板3のうち内枠領域R2における嵌合凹部44の外側または分割溝43の外側に位置する部分に突き当てられた状態とされた突き当て部となっている。
本変形例によっても、上記第2実施形態と同様の効果が得られる実装構造1となる。また、本変形例によれば、微小振動体2が底面凸部24を、実装基板3が嵌合凹部44を、それぞれ有することで微小振動体2と実装基板3との位置決めが簡便化され、歩留まりがより向上し、より接続信頼性の高い実装構造1となる効果が得られる。さらに、実装基板3が複数の分割溝43を有する場合には、第1実施形態の変形例と同様の効果も得られる。
(第3実施形態)
第3実施形態の実装構造1について、図面を参照して説明する。
第3実施形態の実装構造1について、図面を参照して説明する。
図23では、微小振動体2と実装基板3との接合状態を分かり易くするため、微小振動体2のうち接続部22を含む所定の領域および実装基板3のうち分割内枠部51を含む所定の領域のみを示し、微小振動体2および実装基板3の他の部位については省略している。図24では、実装基板3のうち分割内枠部51を含む所定の領域のみを示し、実装基板3の他の部位については省略している。
本実施形態の実装構造1は、例えば図23に示すように、微小振動体2の表面電極23と実装基板3の電極接続部421とが当接し、接合部材52を介さずに直接接合されている点で上記第1実施形態と相違する。本実施形態では、この相違点について主に説明する。
表面電極23は、本実施形態では、接合部材52等の他の部材を介することなく、実装基板3の電極接続部421と接合されている。表面電極23および電極接続部421は、例えば、限定するものではないが、AlとCu等のように互いに拡散し合うことが可能な導電性材料で構成され、拡散接合を利用して接合されている。
表面電極23は、例えば、次のような工程により電極接続部421と接合されうる。例えば、表面電極23と電極接続部421との接合面が酸化されないように、減圧あるいは不活性ガス雰囲気等の環境下にて、微小振動体2を実装基板3に搭載し、表面電極23と電極接続部421とを当接させる。そして、表面電極23により電極接続部421を加圧しつつ、表面電極23および電極接続部421が共晶点以上、かつこれらの構成材料の融点未満の温度になるように実装基板3を加熱する。これにより、表面電極23および電極接続部421の接触部分において相互の構成材料が他方のバルクに拡散し、共晶層が形成される。このとき、必要に応じて最初の加圧よりも圧力を高くした二次加圧を行ってもよい。その後、冷却を行うことで、表面電極23および電極接続部421が液相を経ることなく、他の部材を介さずに直接接合した状態となる。
なお、本実施形態における表面電極23と電極接続部421との接合は、「直接接合」、「固相接合」、「共晶接合」、「拡散接合」等と称されうる。
本実施形態によっても、上記第1実施形態と同様の効果が得られる実装構造1となる。また、本実施形態では、接合部材52を用いないため、電圧印加用配線42Aと電圧検出用配線42Bとが直接接続されることがなく、絶縁不良をより確実に防止できる効果も得られる。
(第3実施形態の変形例)
実装基板3は、例えば図24に示すように、微小振動体2との対向領域R1内であって、複数の電極接続部421に囲まれた領域に、補助電極45を有する構成であってもよい。補助電極45は、例えば、すべての電極接続部421から距離を隔てて配置され、電極接続部421とは電気的に独立している。補助電極45は、微小振動体2の表面電極23との接合面積を増やし、微小振動体2と実装基板3との接合強度を向上する役割を果たす。補助電極45は、電圧印加用配線42Aと電圧検出用配線42Bとが電気的に独立する構成を保つことができればよく、電圧印加用配線42Aまたは電圧検出用配線42Bに接続されていてもよい。
実装基板3は、例えば図24に示すように、微小振動体2との対向領域R1内であって、複数の電極接続部421に囲まれた領域に、補助電極45を有する構成であってもよい。補助電極45は、例えば、すべての電極接続部421から距離を隔てて配置され、電極接続部421とは電気的に独立している。補助電極45は、微小振動体2の表面電極23との接合面積を増やし、微小振動体2と実装基板3との接合強度を向上する役割を果たす。補助電極45は、電圧印加用配線42Aと電圧検出用配線42Bとが電気的に独立する構成を保つことができればよく、電圧印加用配線42Aまたは電圧検出用配線42Bに接続されていてもよい。
本変形例によっても、上記第3実施形態と同様の効果が得られる実装構造1となる。また、本変形例によれば、補助電極45により微小振動体2と実装基板3との接合強度が向上し、接合信頼性がより向上する効果が得られる。
(他の実施形態)
本開示は、実施例に準拠して記述されたが、本開示は当該実施例や構造に限定されるものではないと理解される。本開示は、様々な変形例や均等範囲内の変形をも包含する。加えて、様々な組み合わせや形態、さらには、それらの一要素のみ、それ以上、あるいはそれ以下、を含む他の組み合わせや形態をも、本開示の範疇や思想範囲に入るものである。
本開示は、実施例に準拠して記述されたが、本開示は当該実施例や構造に限定されるものではないと理解される。本開示は、様々な変形例や均等範囲内の変形をも包含する。加えて、様々な組み合わせや形態、さらには、それらの一要素のみ、それ以上、あるいはそれ以下、を含む他の組み合わせや形態をも、本開示の範疇や思想範囲に入るものである。
(1)例えば、実装構造1は、微小振動体2が分岐電極231を有さない一方で、底面凸部24を有し、実装基板3が嵌合凹部44を有する構成であってもよい。また、この場合において、実装基板3は、複数の分割溝を有する構成であってもよいし、電極接続部421が接合部材52を介さずに表面電極23に直接接合されてもよい。このように、実装構造1は、明らかに両立しない場合を除き、上記各実施形態およびその変形例の構成要素を自由に組み合わせた構成とされうる。
(2)また、実装構造1は、例えば図25に示すように、実装基板3の電極部53が上部基板5を構成する基部を有さず、金属配線532のみで形成された構成であってもよい。この場合、電極部53は、金属配線532のうち微小振動体2のリム211の下面211aと対向する部分となり、z方向において微小振動体2の曲面部21を振動させることが可能である。リム211の下面211aとは、リム211のうち微小振動体2の表面2aと裏面2bとを繋ぐ面であって、実装基板3と対向する部分である。さらに、実装構造1は、電圧印加用配線42Aおよび電圧検出用配線42Bが上部基板5の基部で構成された分割外枠部54に代わって、下部基板4上に形成された導電膜46に接続され、導電膜46を端子部とする構成であってもよい。なお、導電膜46は、配線42と一体であってもよいし、別体であってもよい。
(3)実装構造1は、例えば図26に示すように、微小振動体2が搭載される実装基板3が分割内枠部51を有しない構成であってもよい。この場合において、微小振動体2は、例えば図27に示すように、接合部材52を介して配線42の電極接続部421と接合されてもよいし、図28に示すように表面電極23と配線42の電極接続部421とが直接接合されてもよい。前者の場合、実装基板3は、電圧印加用配線42Aと電圧検出用配線42Bとが接合部材52により直接接続されようにする観点から、電極接続部421間に分割溝43を有した構成とされると、より好ましい。
(4)実装構造1は、例えば図29に示すように、配線42の電極接続部421が、実装基板3のうち微小振動体2の接続部22と向き合う対向領域R1まで延設されておらず、接合部材52および分割内枠部51を介して表面電極23と接続されてもよい。この場合、配線42は、例えば、一端が分割内枠部51の直下あるいは対向領域R1の外側にまで延設されるにとどまり、対向領域R1もしくは分割内枠部51よりも内側の領域には突き出ていない構成とされる。このとき、分割内枠部51は、例えば、導電性シリコンにより構成され、接合部材52と共に、配線42と表面電極23とを電気的に接続している。
(5)なお、上記各実施形態において、実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、上記各実施形態において、実施形態の構成要素の個数、数値、量、範囲等の数値が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に特定の形状、位置関係等に限定される場合等を除き、その形状、位置関係等に限定されるものではない。
2・・・微小振動体、21・・・曲面部、22・・・接続部、22b・・・実装面、
22c・・・側壁面、23・・・表面電極、231・・・分岐電極、24・・・底面凸部、
3・・・実装基板、42・・・配線、42A・・・電圧印加用配線、
42B・・・電圧検出用配線、421・・・電極接続部、43・・・分割溝、
44・・・嵌合凹部、51・・・分割内枠部、52・・・接合部材、53・・・電極、
R1・・・対向領域、R2・・・内枠領域
22c・・・側壁面、23・・・表面電極、231・・・分岐電極、24・・・底面凸部、
3・・・実装基板、42・・・配線、42A・・・電圧印加用配線、
42B・・・電圧検出用配線、421・・・電極接続部、43・・・分割溝、
44・・・嵌合凹部、51・・・分割内枠部、52・・・接合部材、53・・・電極、
R1・・・対向領域、R2・・・内枠領域
Claims (5)
- 微小振動体の実装構造であって、
半球形状の三次元曲面を有する曲面部(21)と、前記曲面部から前記半球形状の中心に向かって延設された接続部(22)と、前記接続部および前記曲面部の少なくとも一部を覆う表面電極(23)とを有する微小振動体(2)と、
2つ以上の配線(42)を有し、前記微小振動体の一部が接続される実装基板(3)と、を備え、
前記配線のうち一端は、前記表面電極のうち前記接続部を覆う部分と接続される電極接続部(421)であり、
2つ以上の前記配線は、前記表面電極に電圧を印加するための電圧印加用配線(42A)、および前記表面電極に印加される電圧を検出するための電圧検出用配線(42B)をそれぞれ少なくとも1つ以上含み、
前記電圧検出用配線は、前記実装基板において前記電圧印加用配線と距離を隔てて配置されている、微小振動体の実装構造。 - 前記実装基板は、前記電圧検出用配線と前記電圧印加用配線とを隔てる分割溝(43)が形成されている、請求項1に記載の微小振動体の実装構造。
- 前記表面電極のうち前記接続部の側壁面(22c)を覆う部分は、前記電極接続部と同じ数以上に枝分かれし、かつ前記電極接続部に対応する位置に配置された分岐電極(231)となっており、
前記微小振動体は、前記側壁面のうち隣接する前記分岐電極に挟まれた領域が前記表面電極から露出しており、
複数の前記電極接続部は、接合部材(52)を介して、それぞれ異なる前記分岐電極に接続されている、請求項1または2に記載の微小振動体の実装構造。 - 前記微小振動体は、前記接続部の底面である実装面(22b)に底面凸部(24)を有し、
前記実装基板のうち前記微小振動体の前記接続部と対向する領域を対向領域(R1)として、前記実装基板は、前記対向領域に、前記底面凸部が嵌合する嵌合凹部(44)を有する、請求項1ないし3のいずれか1つに記載の微小振動体の実装構造。 - 前記電極接続部は、前記表面電極の一部と当接し、他の部材を介さずに前記表面電極と接合されている、請求項1ないし4のいずれか1つに記載の微小振動体の実装構造。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022035318A JP2023130812A (ja) | 2022-03-08 | 2022-03-08 | 微小振動体の実装構造 |
US18/169,438 US20230288203A1 (en) | 2022-03-08 | 2023-02-15 | Mounting structure of micro vibrator |
CN202310202688.0A CN116730274A (zh) | 2022-03-08 | 2023-03-06 | 微振动器的安装结构 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022035318A JP2023130812A (ja) | 2022-03-08 | 2022-03-08 | 微小振動体の実装構造 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023130812A true JP2023130812A (ja) | 2023-09-21 |
JP2023130812A5 JP2023130812A5 (ja) | 2024-05-29 |
Family
ID=87908570
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022035318A Pending JP2023130812A (ja) | 2022-03-08 | 2022-03-08 | 微小振動体の実装構造 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230288203A1 (ja) |
JP (1) | JP2023130812A (ja) |
CN (1) | CN116730274A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11874112B1 (en) * | 2022-10-04 | 2024-01-16 | Enertia Microsystems Inc. | Vibratory gyroscopes with resonator attachments |
-
2022
- 2022-03-08 JP JP2022035318A patent/JP2023130812A/ja active Pending
-
2023
- 2023-02-15 US US18/169,438 patent/US20230288203A1/en active Pending
- 2023-03-06 CN CN202310202688.0A patent/CN116730274A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20230288203A1 (en) | 2023-09-14 |
CN116730274A (zh) | 2023-09-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5090929B2 (ja) | 高性能mems実装アーキテクチャ | |
JP2000186931A (ja) | 小型電子部品及びその製造方法並びに該小型電子部品に用いるビアホールの成形方法 | |
US20220316880A1 (en) | Inertial sensor | |
JP2011011329A (ja) | 集積化微小電気機械システム(mems)センサ装置 | |
JP2008046078A (ja) | 微小電気機械システム素子およびその製造方法 | |
US20220315411A1 (en) | Inertial sensor and method for manufacturing the same | |
US9880000B2 (en) | Manufacturing method of inertial sensor and inertial sensor | |
US20230288203A1 (en) | Mounting structure of micro vibrator | |
US20220187072A1 (en) | Support structure for micro-vibrator and method of manufacturing inertial sensor | |
JP2018185188A (ja) | 物理量センサー、物理量センサーの製造方法、物理量センサーデバイス、電子機器および移動体 | |
JP4957123B2 (ja) | センサーユニットおよびその製造方法 | |
US20230324175A1 (en) | Mounting structure of micro vibrator | |
JP2007205739A (ja) | 力学量センサおよび力学量センサの製造方法 | |
US11733044B2 (en) | Inertial sensor and method for manufacturing the same | |
JP6299142B2 (ja) | 振動子、振動子の製造方法、電子デバイス、電子機器および移動体 | |
US20230280366A1 (en) | Physical Quantity Sensor, Inertial Measurement Unit, And Method For Manufacturing Physical Quantity Sensor | |
JP2007192587A (ja) | 力学量センサ用配線基板、力学量センサ用配線基板の製造方法および力学量センサ | |
JP5151085B2 (ja) | センサーユニットおよびその製造方法 | |
JP2022155449A (ja) | 慣性センサ | |
JPH1062448A (ja) | 外力検出装置 | |
JP2024008633A (ja) | 慣性センサおよびその製造方法 | |
JP2022133714A (ja) | 慣性センサおよび慣性センサの製造方法 | |
JP7415911B2 (ja) | 微小振動体の位置決め構造、慣性センサの製造方法 | |
JP2023101889A (ja) | 慣性センサー、慣性センサーの製造方法および慣性計測装置 | |
JP2000261002A (ja) | 小型電子部品及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240521 |