JPH1010148A - 半導体姿勢センシングチップ - Google Patents

半導体姿勢センシングチップ

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JPH1010148A
JPH1010148A JP8164764A JP16476496A JPH1010148A JP H1010148 A JPH1010148 A JP H1010148A JP 8164764 A JP8164764 A JP 8164764A JP 16476496 A JP16476496 A JP 16476496A JP H1010148 A JPH1010148 A JP H1010148A
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JP
Japan
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semiconductor
sensing chip
hinge
supported
attitude sensing
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP8164764A
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English (en)
Inventor
Tomishige Tai
富茂 田井
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Japan Aviation Electronics Industry Ltd
Original Assignee
Japan Aviation Electronics Industry Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 小型、低価格化を図る。 【解決手段】 1つのシリコン基板31に、それぞれ支
持部14に支持された振動子11a,11bと、ヒンジ
部22に支持された質量部21を一体形成し、それらを
用いて2軸の入力角速度を検出する2つの角速度センサ
と3軸の入力加速度を検出する加速度センサを構成す
る。姿勢観測用のセンサのパッケージは1個となり、チ
ップのパッケージング工程も1回で済む。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は飛行体や車両等の
位置、姿勢の観測等に用いられるセンサに関し、特に半
導体基板を用いて構成されるそのセンシングチップの構
造に関する。
【0002】
【従来の技術】飛行体や車両等の位置、姿勢の観測にお
いては、角速度及び加速度の測定が行われており、この
ため角速度センサと加速度センサが用いられている。こ
れら角速度センサ及び加速度センサは一般にセンサチッ
プをパッケージに収容した構成とされている。図3はこ
の種の角速度センサチップの構造を示したものである。
【0003】角速度センサチップはこの例ではビーム型
の振動子11を用いるものとされ、例えばシリコン基板
12を異方性エッチングすることにより、枠部13に支
持部14を介して支持された振動子11が形成される。
支持部14は幅狭肉薄とされて弾性変形可能とされてお
り、振動子11の長手方向の2箇所において、それぞれ
振動子11の両側に結合されている。
【0004】振動子11は図3Bに示すように、断面が
6角形状とされ、その外周上には支持部14結合部分及
び両端部分を除いて、圧電体15が全周に渡って形成さ
れている。圧電体15は酸化亜鉛などをスパッタした圧
電膜により構成される。図3Bに示すように、振動子1
1の6角形の3つの長辺部分において、圧電体15上に
電極16a〜16cが形成され、それら電極16a〜1
6cはそれぞれ異なる支持部14を通って枠部13に導
出される。電極16aは駆動電極とされ、電極16b,
16cは検出電極とされる。なお、圧電体15のない部
分においては電極16a〜16cは絶縁膜17によりシ
リコン基板12と絶縁されている。
【0005】枠部13上に設けられたGND電極18及
び駆動電極16a間に電圧を印加することにより、振動
子11は駆動され、即ちZ軸方向に屈曲振動する。この
状態でX軸回りに角速度Ωが入力すると、振動子11は
コリオリ力を受けてY軸方向に変位し、この変位による
歪によって圧電体15に生じる電圧を検出電極16b,
16cで検出することによって入力角速度Ωに比例した
出力を得ることができる。なお、コリオリ力の検出は検
出電極16b,16cの出力を差動出力として取り出す
ことによって行われ、一方検出電極16b,16cの出
力を加算することにより駆動状態のモニタ出力を得るこ
とができる。
【0006】一方、加速度センサチップは例えば図4に
示すような構造とされている。この例では質量部21は
4本のヒンジ部22によって枠部23に支持されてお
り、図4Bに示すように質量部21の重心GはZ軸方向
においてヒンジ部22の位置と所定量ずらされている。
この加速度センサチップも例えばシリコン基板24を異
方性エッチングすることにより形成される。
【0007】各ヒンジ部22にはそれぞれ6個のピエゾ
抵抗素子25が配設されており、加速度入力による質量
部21の変位によって発生する各ヒンジ部22の変形状
態(歪)がこれらピエゾ抵抗素子25によって検出され
る。なお、ピエゾ抵抗素子25は入力加速度のX,Y,
Z3軸の成分を検出可能なように組み合わされ、つまり
各々フルブリッジ回路を構成するように配線(図示せ
ず)されている。図中、26はリード線接続用のパッド
を示す。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来におい
ては上述したような構造を有する角速度センサチップ及
び加速度センサチップが各別にパッケージングされたも
のをそれぞれの入力方向に配置することによって、姿勢
観測等を行っており、各パッケージの大きさと配置によ
り観測ユニットの大きさが制限され、即ちユニットの小
型化を図るのが困難となっていた。
【0009】また、各センサチップを各別にパッケージ
ングするため、パッケージング工程が重複し、その分工
数がかかるものとなっていた。この発明の目的は従来の
欠点を除去し、姿勢観測ユニットの小型、低価格化を可
能とする姿勢センシングチップを提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明によれ
ば、枠部と、その枠部にそれぞれ支持部を介して支持さ
れた互いに平行でない2つのビーム型振動子と、枠部に
ヒンジ部を介して支持された質量部とが半導体基板より
一体に形成され、振動子を用いて互いに異なる軸回りの
入力角速度を検出する2つの角速度センサが構成され、
ヒンジ部に支持された質量部を用いて互いに直交する3
軸の入力加速度を検出する加速度センサが構成される。
【0011】請求項2の発明では請求項1の発明におい
て、半導体基板が方形とされ、その方形の隣接2辺にそ
れぞれ平行に、かつ近接して振動子が配置され、残りの
領域に質量部が配置される。請求項3の発明では請求項
1乃至2のいずれかの発明において、振動子上及びヒン
ジ部上にそれぞれ圧電素子が形成される。
【0012】
【発明の実施の形態】この発明の実施の形態を図面を参
照して実施例により説明する。なお、図3及び4と対応
する部分には同一符号を付し、その説明を省略する。図
1はこの発明の一実施例を示したものである。この例で
は図3に示した角速度センサチップ2個と、図4に示し
た加速度センサチップとが一体に形成される。角速度セ
ンサの振動子11a,11bは互いに垂直とされてお
り、即ちX軸方向及びY軸方向にそれぞれ沿って配され
る。この構成によれば単一のチップで、X,Y2軸の角
速度と、X,Y,Z3軸の加速度とを検出することがで
きる。
【0013】振動子11a,11b、支持部14、質量
部21及びヒンジ部22はシリコン基板31を異方性エ
ッチングすることにより形成される。この例ではシリコ
ン基板31は方形とされており、その方形の隣接2辺に
それぞれ平行に、かつ近接して2つの振動子11a,1
1bが配置され、残りの領域に質量部21が配置され
る。このように配置することにより、加速度センサ形成
部分を広くとることができるため、例えば質量部21を
大きくすることができ、あるいはヒンジ部22を長くす
ることができ、よって加速度の検出感度を向上させるこ
とができ、またシリコン基板31の全領域を有効に使用
することができる。なお、図中32は枠部を示す。
【0014】図2は加速度センサの検出素子として、圧
電素子を用いる例を示したものである。この例ではシリ
コン基板31の異方性エッチングにより形成されたヒン
ジ部22上に圧電体33が形成され、その上に電極34
が形成される。電極34は各ヒンジ部22に2つずつ形
成され、それらはヒンジ部22の両端部に位置される。
なお、この例では枠部32の、質量部21を囲む部分、
質量部21及びヒンジ部22に渡って絶縁膜35が形成
され、さらに圧電体33が形成されている。枠部32の
絶縁膜35上にはパッド36が設けられ、各パッド36
は導体パターン37を介して対応する電極34に接続さ
れている。
【0015】この図2に示した構成によれば、圧電体3
3は振動子11a,11b上の圧電体15の形成と同時
に形成することができ、よってその分作製工程の簡略化
を図ることができる。
【0016】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれば
2軸の角速度の検出と3軸の加速度の検出とを1つのセ
ンシングチップで行うことができるため、姿勢観測用の
センサのパッケージは1個となり、よって各別にパッケ
ージングされた角速度センサチップや加速度センサチッ
プを所定の方向に配置していた従来の姿勢観測ユニット
に比し、ユニットの大きさを小さくすることができ、ま
たパッケージングの工程が1回で済むため、その分組立
工数を削減することができる。従って、小型かつ安価な
観測ユニットを実現することができる。
【0017】しかも、請求項2の発明によれば各センサ
を良好にチップに配置でき、かつチップの全領域を有効
に使用することができ、請求項3の発明によれば角速度
センサ、加速度センサ共に圧電素子を用いることによ
り、作製工程を簡略化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】請求項2の発明の実施例を示す斜視図。
【図2】請求項3の発明の実施例を示す斜視図。
【図3】Aは従来の角速度センサチップを示す斜視図、
BはAの中央部切断端面図。
【図4】Aは従来の加速度センサチップを示す斜視図、
BはAの略断面図。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 枠部と、その枠部にそれぞれ支持部を介
    して支持された互いに平行でない2つのビーム型振動子
    と、上記枠部にヒンジ部を介して支持された質量部とが
    半導体基板より一体に形成され、 上記振動子を用いて互いに異なる軸回りの入力角速度を
    検出する2つの角速度センサが構成され、 上記ヒンジ部に支持された質量部を用いて互いに直交す
    る3軸の入力加速度を検出する加速度センサが構成され
    てなることを特徴とする半導体姿勢センシングチップ。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の半導体姿勢センシングチ
    ップにおいて、上記半導体基板が方形とされ、その方形
    の隣接2辺にそれぞれ平行に、かつ近接して上記振動子
    が配置され、残りの領域に上記質量部が配置されている
    ことを特徴とする半導体姿勢センシングチップ。
  3. 【請求項3】 請求項1乃至2記載のいずれかの半導体
    姿勢センシングチップにおいて、上記振動子上及び上記
    ヒンジ部上にそれぞれ圧電素子が形成されていることを
    特徴とする半導体姿勢センシングチップ。
JP8164764A 1996-06-25 1996-06-25 半導体姿勢センシングチップ Withdrawn JPH1010148A (ja)

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