JPS60245260A - 半導体素子 - Google Patents
半導体素子Info
- Publication number
- JPS60245260A JPS60245260A JP10219384A JP10219384A JPS60245260A JP S60245260 A JPS60245260 A JP S60245260A JP 10219384 A JP10219384 A JP 10219384A JP 10219384 A JP10219384 A JP 10219384A JP S60245260 A JPS60245260 A JP S60245260A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- heat
- resistant resin
- adhesive
- wire bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3157—Partial encapsulation or coating
- H01L23/3192—Multilayer coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は放射線じゃへい材あるいは応力緩和材を半導体
素子表面に設けた半導体素子に関する。
素子表面に設けた半導体素子に関する。
従来例の構成とその問題点
メモリ機能を主体とする半導体装置においては、パッケ
ージ材料から放出されるα線による誤動作を防ぐ目的で
、また大面積の素子を樹脂封止した半導体装置において
は素子に加わる応力を緩和する目的でそれぞれ、素子表
面に適当な樹脂膜を設けることがある。その樹脂膜形成
方法としては、第１に、液状の未硬化樹脂を素子表面に
適量滴下、硬化させる方法、第２に、耐熱性樹脂膜と接
着剤膜からなるシート材を素子表面に貼付し、キュアー
する方法がある。
ージ材料から放出されるα線による誤動作を防ぐ目的で
、また大面積の素子を樹脂封止した半導体装置において
は素子に加わる応力を緩和する目的でそれぞれ、素子表
面に適当な樹脂膜を設けることがある。その樹脂膜形成
方法としては、第１に、液状の未硬化樹脂を素子表面に
適量滴下、硬化させる方法、第２に、耐熱性樹脂膜と接
着剤膜からなるシート材を素子表面に貼付し、キュアー
する方法がある。
両者において硬化あるいはキューアー後の樹脂膜厚を比
較すると、第１の場合が１００〜４００ Ｉｌｍである
のに対し、第２の場合は６０γ１００μｍであり、とく
に薄型の樹脂封止された半導体装置では第２の方法が有
利となシ主流になっている。
較すると、第１の場合が１００〜４００ Ｉｌｍである
のに対し、第２の場合は６０γ１００μｍであり、とく
に薄型の樹脂封止された半導体装置では第２の方法が有
利となシ主流になっている。
ところで、上記第２の方法は、第１図に示すように、あ
らかじめ接着剤膜１と耐熱性樹脂膜２を貼り合わせたシ
ートを適当なサイズに打ち抜き、ワイヤボンド前の半導
体素子３０表面に貼付し、１００〜１５０’Ｃで０．５
〜１時間キュアーを行なうものであるが、このときシー
トの打ち抜き切断面に接着剤が露出しているため、接着
剤中の残留溶剤や低分子量晟分が気化し、周囲のワイヤ
ボンド用電極４の表面に達し、ここで再凝縮して絶縁性
の薄脂を形成するため、後のワイヤボンド工程において
電極とワイヤとの良好な電気的接続を妨げることがある
。かかる問題を解消する方法として、ワイヤボンド工程
後にシートを貼付する方法があるが、この方法では素子
の周辺に張られたワイヤのためにシート貼付作業の自由
度が低下したり１．貼付装置のツールあるいはシートが
ワイヤに接触してワイヤの変形や断線をまねくことがあ
る。
らかじめ接着剤膜１と耐熱性樹脂膜２を貼り合わせたシ
ートを適当なサイズに打ち抜き、ワイヤボンド前の半導
体素子３０表面に貼付し、１００〜１５０’Ｃで０．５
〜１時間キュアーを行なうものであるが、このときシー
トの打ち抜き切断面に接着剤が露出しているため、接着
剤中の残留溶剤や低分子量晟分が気化し、周囲のワイヤ
ボンド用電極４の表面に達し、ここで再凝縮して絶縁性
の薄脂を形成するため、後のワイヤボンド工程において
電極とワイヤとの良好な電気的接続を妨げることがある
。かかる問題を解消する方法として、ワイヤボンド工程
後にシートを貼付する方法があるが、この方法では素子
の周辺に張られたワイヤのためにシート貼付作業の自由
度が低下したり１．貼付装置のツールあるいはシートが
ワイヤに接触してワイヤの変形や断線をまねくことがあ
る。
発明の目的
本発明の目的はワイヤボンド工程前に貼付、キュアーを
行なっても電極とワイヤとの接続に支障をきたすことの
ない半導体素子を提供することにある。
行なっても電極とワイヤとの接続に支障をきたすことの
ない半導体素子を提供することにある。
発明の構成
本発明の半導体素子は、耐熱性樹脂膜とそれより小面積
の接着剤膜とでなる保護シートにより、半導体能動領域
をおおったものでこれによシ、保護シートを半導体素子
表面に貼付した際、接着剤膜が霧出しないため、従来例
に見られた問題点が排除される。
の接着剤膜とでなる保護シートにより、半導体能動領域
をおおったものでこれによシ、保護シートを半導体素子
表面に貼付した際、接着剤膜が霧出しないため、従来例
に見られた問題点が排除される。
実施例の説明
第２図は本発明実施例で用いたシートの構造の一例を示
す断面図である。ポリイミド等の耐熱性樹脂膜２に、そ
れより小面積のシリコーン樹脂を主成分とする接着剤膜
１が付着している。膜厚はどちらも３０〜６０μ−ある
。形状は適用しようとする半導体素子においてｅｔ線か
ら保護すべき領域、あるいは応力の緩和を必要とする領
域が接着′側腹１で完全に覆われるようにする。接着剤
膜１ ′に対する耐熱性樹脂膜２のオーパーツ・ングｄ
は０．６〜１．ＯＮが適当である。同シートを半導体素
子に貼付した状態の断面図を第３図に示す。貼付時に適
度の圧力を加えると耐熱性樹脂膜のオーバーハング部は
接着剤膜の切断面を覆う形状になる。
す断面図である。ポリイミド等の耐熱性樹脂膜２に、そ
れより小面積のシリコーン樹脂を主成分とする接着剤膜
１が付着している。膜厚はどちらも３０〜６０μ−ある
。形状は適用しようとする半導体素子においてｅｔ線か
ら保護すべき領域、あるいは応力の緩和を必要とする領
域が接着′側腹１で完全に覆われるようにする。接着剤
膜１ ′に対する耐熱性樹脂膜２のオーパーツ・ングｄ
は０．６〜１．ＯＮが適当である。同シートを半導体素
子に貼付した状態の断面図を第３図に示す。貼付時に適
度の圧力を加えると耐熱性樹脂膜のオーバーハング部は
接着剤膜の切断面を覆う形状になる。
この構造によりキュア一時に接着剤から発生するガスが
電極にまで達するのを防止できる。なお耐熱性樹脂膜の
オーバーハングは必ずしもシートの金運にわたって設け
る必要はなく、たとえば電極列が素子表面の両端に集中
して設けられているような半導体素子に適用する場合に
は、第４図にその要部斜視図を示すように、その電極列
４に面する辺にのみ耐熱性樹脂膜２のオーバーハングを
設けたシートを用いてもよい。
電極にまで達するのを防止できる。なお耐熱性樹脂膜の
オーバーハングは必ずしもシートの金運にわたって設け
る必要はなく、たとえば電極列が素子表面の両端に集中
して設けられているような半導体素子に適用する場合に
は、第４図にその要部斜視図を示すように、その電極列
４に面する辺にのみ耐熱性樹脂膜２のオーバーハングを
設けたシートを用いてもよい。
発明の効果
本発明によれば、素子表面に貼付した後のキュア一時に
接着剤から発生する残留溶剤や低分子量成分を含むガス
が周辺の電極に到達せず、電極表面に絶縁性の薄膜を形
成することが方いためワイヤボンド工程に先立ってシー
トの貼付、ならびにキュアーを行なっても後のワイヤボ
ンド工程において電極とワイヤの良好な接続が可能とな
る。またワイヤボンド工程に先立ってシートの貼付がで
きることから、貼付作業時にワイヤによる妨害がなく、
貼付作業の自由度が高まシ、高速で確実な貼付が可能と
なる。
接着剤から発生する残留溶剤や低分子量成分を含むガス
が周辺の電極に到達せず、電極表面に絶縁性の薄膜を形
成することが方いためワイヤボンド工程に先立ってシー
トの貼付、ならびにキュアーを行なっても後のワイヤボ
ンド工程において電極とワイヤの良好な接続が可能とな
る。またワイヤボンド工程に先立ってシートの貼付がで
きることから、貼付作業時にワイヤによる妨害がなく、
貼付作業の自由度が高まシ、高速で確実な貼付が可能と
なる。
第１図は従来の半導体素子保護シートを貼付した半導体
素子の断面図、第２図は本発明の実施例で用いた半導体
素子用保護シートの構造を示す断面図、第３図は本発明
実施例半導体素子の断面図、斜視図である。 １・・・・・・接着剤膜、２・・・・・・耐熱性樹脂膜
、３・・・四半導体素子、４・・・・・・電極（列）。
素子の断面図、第２図は本発明の実施例で用いた半導体
素子用保護シートの構造を示す断面図、第３図は本発明
実施例半導体素子の断面図、斜視図である。 １・・・・・・接着剤膜、２・・・・・・耐熱性樹脂膜
、３・・・四半導体素子、４・・・・・・電極（列）。
Claims (1)
- 耐熱性樹脂膜とそれよシ小面積の接着剤膜とでなる保護
シートによシ半導体能動領域をおおった半導体素子
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10219384A JPS60245260A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10219384A JPS60245260A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 半導体素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60245260A true JPS60245260A (ja) | 1985-12-05 |
Family
ID=14320824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10219384A Pending JPS60245260A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60245260A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6255741B1 (en) | 1998-03-17 | 2001-07-03 | Denso Corporation | Semiconductor device with a protective sheet to affix a semiconductor chip |
| JP2007220708A (ja) * | 2006-02-14 | 2007-08-30 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1984
- 1984-05-21 JP JP10219384A patent/JPS60245260A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6255741B1 (en) | 1998-03-17 | 2001-07-03 | Denso Corporation | Semiconductor device with a protective sheet to affix a semiconductor chip |
| JP2007220708A (ja) * | 2006-02-14 | 2007-08-30 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
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