JP2836166B2 - チツプキヤリア - Google Patents

チツプキヤリア

Info

Publication number
JP2836166B2
JP2836166B2 JP2032087A JP3208790A JP2836166B2 JP 2836166 B2 JP2836166 B2 JP 2836166B2 JP 2032087 A JP2032087 A JP 2032087A JP 3208790 A JP3208790 A JP 3208790A JP 2836166 B2 JP2836166 B2 JP 2836166B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
spacer
silicone resin
chip carrier
present
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2032087A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH03235355A (ja
Inventor
睦夫 辻
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Priority to JP2032087A priority Critical patent/JP2836166B2/ja
Priority to CA002021682A priority patent/CA2021682C/en
Priority to FR9009314A priority patent/FR2650121B1/fr
Publication of JPH03235355A publication Critical patent/JPH03235355A/ja
Priority to US07/962,074 priority patent/US5264726A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2836166B2 publication Critical patent/JP2836166B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電子機器等の配線基板に実装されるICをキ
ャップに内蔵してなるチップキャリアに関するものであ
る。
〔従来の技術〕
従来、この種のチップキャリアは、チップの回路にα
線による悪影響を防止する必要上、基板に対するICの実
装前にICの回路面に高粘度のα線遮蔽用のシリコーン樹
脂がポッティングによって塗装されている。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところで、従来のチップキャリアにおいては、シリコ
ーン樹脂の塗布がポッティングによって行われるもので
あるため、回路面にシリコーン樹脂が山状に形成されて
いた。この結果、IC上のシリコーン樹脂と基板との間に
寸法が均一に設定されず、ICのリード成形を困難なもの
にするという問題があった。また、シリコーン樹脂を塗
布硬化させる際にICに高温熱が加わり、ICの信頼性が低
下するという問題もあった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、IC
のリード成形を簡単に行うことができると共に、ICの信
頼性を向上させることができるチップキャリアを提供す
るものである。
〔課題を解決するための手段〕
本発明に係るチップキャリアは、基板と、その表面に
形成した複数のパッドに接続されるリードを有し基板の
表面に回路面を対向させた状態で実装されるICと、前記
基板と前記ICとの間に介在されICを基板上に保持するス
ペーサと、前記ICの裏面を内面に接着した状態でこのIC
を基板との間に封止するキャップとからなるチップキャ
リアにおいて、前記ICの回路面に対向する面にα線遮断
用のシリコーン樹脂を塗布したシリコーンラバーを、前
記スペーサとして設けたものである。
〔作用〕
本発明においては、α線遮蔽用のシリコーン樹脂をIC
の回路面に対向する面に塗布したシリコーンラバーを、
スペーサとして用いることにより、このスペーサの厚さ
を所定の寸法に設定することができる。
〔実施例〕
以下、本発明の構成等を図に示す実施例によって詳細
に説明する。
図は本発明に係るチップキャリアの一実施例を示す断
面図である。同図において、符号1で示すものは絶縁性
を有する基板で、表面には後述するTABIC(以下,単にI
Cと称する)のリードに例えば金−金熱圧着法によって
接続する複数のパッド2が形成されており、裏面にはこ
のパッド2に内部配線3を介して複数のバンプ4が形成
されている。5は絶縁性を有するキャップで、前記基板
1上に設けられている。6はその回路面7に複数のリー
ド8を有するICで、前記基板1上に複数のパッド2を介
して実装され、かつ前記キャップ5内に接着剤9によっ
て固着されている。10はシリコーンラバーからなるスペ
ーサで、前記基板1上に接着11によって固着されてお
り、前記IC6を前記基板1上に保持するように構成され
ている。このスペーサ10には、前記回路面7を覆うα線
遮蔽用のシリコーン樹脂12(例えば東レシリコーン製JC
R6110あるいは東芝シリコーンTSJ3130等)によって塗布
・硬化処理が施されている。このシリコーン樹脂12は、
前記基板1および前記スペーサ10から発生するα線を遮
断し得る厚さ(50μm)より大きい寸法に設定されてい
る。
このように構成されたチップキャリアにおいては、α
線遮蔽用のシリコーン樹脂12によって基板1,リード8お
よびスペーサ10から発生するα線を遮断することができ
る。
また、本実施例においては、α線遮蔽用のシリコーン
樹脂12が塗布されたスペーサ10の厚さを所定の寸法に設
定することができるから、IC6と基板1間の寸法を均一
な寸法に設定することができる。
さらに、本実施例において、IC6にシリコーン樹脂を
塗布硬化させる必要がないことは、スペーサ10に対する
シリコーン樹脂12の塗布時にIC6の高温熱が加わること
がなくなる。
また、本実施例によれば、シリコーンラバーからなる
スペーサ10の存在によって、IC6の裏面をキャップ5の
内面に接着剤9により固着した状態で前記基板1上に保
持し、IC6の裏面をキャップ5の内面に押し当てて、こ
のキャップ5を介してのIC6からの放熱を促進させるこ
とができる。
なお、本実施例におけるチップキャリアの製造は、接
着剤11によって基板1上にスペーサ10を固着し、次いで
リード8が成形されたIC6をスペーサ10上に保持し、し
かる後リード8とパッド2を金−金熱圧着法によって接
続してから、接着剤9によってキャップ5にIC6を固着
すると共に、基板1にキャップ5を固着することにより
行う。
また、本実施例におけるスペーサ10を製造するには、
所定の厚さをもつシリコーンラバーシートに所定の厚さ
をもつシリコーン樹脂12をスピンコータ等によって塗布
し、次にこれを硬化させてから所定の形状,大きさに切
断するか、あるいは打ち抜くことにより行う。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明に係るチップキャリアによ
れば、基板とその表面に回路面を対向させた状態で実装
されるICとの間に介在されるスペーサとして、前記ICの
回路面に対向する面にα線遮蔽用のシリコーン樹脂を塗
布したシリコーンラバーを設けているので、α線遮蔽用
のシリコーン樹脂によって基板、リードおよびスペーサ
から発生するα線を遮蔽することができ、ICのα線によ
るソフトエラーの発生を防止するこができる。
また、本発明によれば、α線遮蔽用のシリコーン樹脂
を塗布したスペーサの厚さを所定の寸法に設定すること
ができるから、ICと基板間の寸法を均一な寸法に設定す
ることができ、ICのリード成形を簡単に行うことができ
る。
さらに、本発明によれば、従来のようにICにシリコー
ン樹脂を塗布硬化させる必要がなく、しかもスペーサに
対するシリコーン樹脂の塗布時にICに高温熱が加わるこ
とがないから、ICの信頼性を向上させることができると
いった利点もある。
【図面の簡単な説明】
図は本発明に係るチップキャリアを示す断面図である。 1……基板、2……パッド、4……バンプ、5……キャ
ップ、6……IC、7……回路面、8……リード、10……
スペーサ、12……シリコーン樹脂。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板と、前記基板の表面に形成した複数の
    パッドに接続されるリードを有し前記基板の表面に回路
    面を対向させた状態で実装されるICと、前記基板と前記
    ICとの間に介在され前記ICを前記基板上に保持するスペ
    ーサと、前記ICの裏面を内面に接着した状態で前記ICを
    前記基板との間に封止するキャップとからなるチップキ
    ャリアにおいて、 前記ICの回路面に対向する面にα線遮断用のシリコーン
    樹脂を塗布したシリコーンラバーを、前記スペーサとし
    て設けたことを特徴とするチップキャリア。
JP2032087A 1989-07-21 1990-02-13 チツプキヤリア Expired - Lifetime JP2836166B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2032087A JP2836166B2 (ja) 1990-02-13 1990-02-13 チツプキヤリア
CA002021682A CA2021682C (en) 1989-07-21 1990-07-20 Chip-carrier with alpha ray shield
FR9009314A FR2650121B1 (fr) 1989-07-21 1990-07-20 Support de puce electronique
US07/962,074 US5264726A (en) 1989-07-21 1992-10-16 Chip-carrier

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2032087A JP2836166B2 (ja) 1990-02-13 1990-02-13 チツプキヤリア

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH03235355A JPH03235355A (ja) 1991-10-21
JP2836166B2 true JP2836166B2 (ja) 1998-12-14

Family

ID=12349099

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2032087A Expired - Lifetime JP2836166B2 (ja) 1989-07-21 1990-02-13 チツプキヤリア

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2836166B2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH03235355A (ja) 1991-10-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2815324B2 (ja) 単一の封止材を有するチップ・キャリアおよび形成方法
JP3219043B2 (ja) 半導体装置のパッケージ方法および半導体装置
JPH0846098A (ja) 直接的熱伝導路を形成する装置および方法
US6894380B2 (en) Packaged stacked semiconductor die and method of preparing same
US4709301A (en) Package
JPS63239827A (ja) 半導体装置
TW200410385A (en) Semiconductor packaging structure
JP2836166B2 (ja) チツプキヤリア
JP2845218B2 (ja) 電子部品の実装構造およびその製造方法
JPS5848950A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2836165B2 (ja) チツプキヤリア
JPH02278750A (ja) チップキャリア
JPH08236560A (ja) 半導体集積回路装置およびその製造方法
JP3141020B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2570880B2 (ja) チップキャリア
JPS5922349A (ja) 半導体装置
JPH03280559A (ja) チップキャリア
JP2549659B2 (ja) 半導体装置
JP2576496B2 (ja) 半導体記憶装置
CA2021682C (en) Chip-carrier with alpha ray shield
JPS5891663A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH0897334A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH0685111A (ja) テープキャリア型半導体装置及びその組立方法
JPS5891662A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0353549A (ja) チツプキヤリア型半導体装置