JP4702210B2

JP4702210B2 - 可動するセンサ構造体を有する半導体センサ装置の製造方法

Info

Publication number: JP4702210B2
Application number: JP2006202010A
Authority: JP
Inventors: 喬干古市
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2006-07-25
Filing date: 2006-07-25
Publication date: 2011-06-15
Anticipated expiration: 2026-07-25
Also published as: JP2008028319A

Description

本発明は、半導体で構成された可動するセンサ構造体を有するセンサチップにおいて、センサ構造体が保護キャップで覆われてなる半導体センサ装置の製造方法に関する。

従来、特許文献１において、センサチップに備えられた可動するセンサ構造体内への異物やウェハ研削時の切削水の浸入を防止できる構造が提案されている。具体的には、センサチップのうちセンサ構造体が備えられた側の面にシリコーン系の接着剤を介して保護キャップを貼り付けることにより、センサ構造体を保護キャップで覆い、異物などが浸入しないようにしている。
特開２０００−０３１３４９号公報

しかしながら、上記のように接着剤によってセンサチップと保護キャップとを接着する場合、これらの接着面積が小さいと接着強度が弱くなってしまう。このため、接着強度を大きくするために接着面積を増大する必要があるが、単に接着面積を増大させたのでは１チップあたりのチップサイズが大きくなり、製品コストが高くなってしまう。

また、センサチップと保護キャップとを接着する際、センサチップの接着面と保護キャップの接着面がどちらも平坦であると、接着剤が接着面からはみ出してしまったり、センサチップに備えられたセンサ構造体内に接着剤がはみ出して付着してしまうという問題も発生する。したがって、接着面積をある程度大きくしなければ接着強度を増加させることができない。

本発明は上記点に鑑みて、１チップあたりのチップサイズの増大が防止でき、かつ、接着強度も得られる構造の保護キャップもしくはセンサチップを有した半導体センサ装置の製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明では、センサチップ（１）におけるセンサ構造体（１ａ）の周囲および保護キャップ（２）における凹部（２ａ）の周囲の少なくとも一方に凹凸面（１ｃ、２ｂ）を形成することを第１の特徴としている。

このように構成された半導体センサ装置では、センサチップ（１）と保護キャップ（２）の少なくとも一方における接着面を凹凸面（１ｃ、２ｂ）としている。このため、接着面が単なる平面である場合と比べて接着面積を大きくすることができる。したがって、センサチップ（１）のチップサイズや保護キャップ（２）のサイズを大きくしなくても、接着面を大きくとることができ、センサチップ（１）と保護キャップ（２）との接着強度を大きくすることができる。

また、接着時における接着剤（３）のはみ出しに関しても、センサチップ（１）や保護キャップ（２）に形成した凹凸面（１ｃ、２ｂ）の凹みに接着剤（３）が入り込むようにできるため、接着剤（３）のはみ出しを抑制できる。

例えば、センサチップ（１）におけるセンサ構造体（１ａ）の周囲に形成された凹凸面（１ｃ）を断面ノコギリ状、波状、矩形波状、一定でない凹凸形状とすることができる。また、保護キャップ（２）における凹部（２ａ）の周囲に形成された凹凸面（２ｂ）を矩形波状、一定でない凹凸形状とすることができる。

また、本発明は、半導体ウェハ（１０）を用意し、該半導体ウェハ（１０）のうちセンサ構造体（１ａ）の形成予定領域の周囲に凹凸面（１ｃ）を形成する工程と、半導体ウェハ（１０）におけるセンサ構造体（１ａ）の形成予定領域にセンサ構造体（１ａ）を形成する工程と、保護キャップ（２）を形成するための保護用基材（２０）を用意し、該保護用基材（２０）に対して凹部（２ａ）を形成する工程と、保護用基材（２０）のうち凹部（２ａ）の周囲に接着剤（３）を配置する工程と、センサ構造体（１ａ）と凹部（２ａ）が一致するように、接着剤（３）を介して保護用基材（２０）を半導体ウェハ（１０）に対して固定する工程と、半導体ウェハ（１０）および保護用基材（２０）をチップ単位に分割することにより、センサチップ（１）および保護キャップ（２）を形成する工程と、を含んだ製造方法により、半導体センサ装置を製造することを第２の特徴としている。

このような製造方法により、本発明の第１の特徴に示した半導体センサ装置のうち、センサチップ（１）に凹凸面（１ｃ）が形成されたものを製造することができる。

この場合、半導体ウェハ（１０）に対して凹凸面（１ｃ）を形成する工程では、半導体ウェハ（１０）として面方位が（１１１）面のものを用意し、半導体ウェハ（１０）における凹凸面（１ｃ）の形成予定位置をストライプ状に露出させるマスク材（１１）を配置したのち、該マスク材（１１）を用いたウェットエッチングにより、該ウェットエッチングの面方位依存性により、凹凸面（１ｃ）をノコギリ状に形成することができる。

また、半導体ウェハ（１０）における凹凸面（１ｃ）の形成予定位置をストライプ状に露出させるマスク材（１１）を配置したのち、該マスク材（１１）を用いた等方性ウェットエッチングにより、凹凸面（１ｃ）を波状に形成することもできる。

また、半導体ウェハ（１０）における凹凸面（１ｃ）の形成予定位置をストライプ状に露出させるマスク材（１１）を配置したのち、該マスク材（１１）を用いた異方性ドライエッチングにより、凹凸面（１ｃ）を矩形波状に形成することもできる。

さらに、半導体ウェハ（１０）における凹凸面（１ｃ）の形成予定位置が露出するマスク材（１１）を配置したのち、該マスク材（１１）を用いてグラインディング処理を行うことで、凹凸面（１ｃ）を形成することもできる。

一方、本発明では、保護用基材（２０）のうち凹部（２ａ）の周囲に凹凸面（２ｂ）を形成する工程を備え、接着剤（３）を配置する工程で、保護用基材（２０）のうち凹部（２ａ）の周囲に位置する凹凸面（２ｂ）に対して接着剤（３）を塗布するようにすることもできる。

このようにすれば、本発明の第１の特徴に示した半導体センサ装置のうち、保護キャップ（２）に凹凸面（１ｂ）が形成されたものを製造することができる。

この場合、保護用基材（２０）に対して凹凸面（２ｂ）を形成する工程では、保護用基材（２０）における凹凸面（２ｂ）の形成予定位置をストライプ状に露出させるマスク材（１２）を配置したのち、該マスク材（１２）を用いた異方性ドライエッチングにより、凹凸面（２ｂ）を矩形波状に形成することができる。

また、保護用基材（２０）における凹凸面（２ｂ）の形成予定位置が露出するマスク材（１２）を配置したのち、該マスク材（１２）を用いてグラインディング処理を行うことで、凹凸面（１ｃ）を形成することもできる。

なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。

（第１実施形態）
図１に、本発明の第１実施形態にかかる可動するセンサ構造体を有した半導体センサ装置に相当する半導体加速度センサの断面構成を示す。この半導体加速度センサは、センサチップ１が樹脂モールドされた構造になっている。

センサチップ１は、加速度を受けて可動する梁構造体にて構成されたセンサ構造体１ａがシリコン基板上に形成され、このセンサ構造体１ａに設けられた可動電極とシリコン基板上に形成された固定電極との間の変位に基づいて加速度を検出するように構成されている。また、このセンサチップ１の表面には、可動電極、固定電極を外部と電気接続するためのパッド１ｂが形成されている。なお、図には、センサ構造体１ａを簡略化して示してあるが、加速度センサの構造自体は周知のものであるため、ここでは簡略化して示すことにする。

センサチップ１の表面には、センサ構造体１ａを保護するための保護キャップ２が設けられている。この保護キャップ２は、接着剤を構成する耐熱性粘着剤３によってセンサチップ１の上に接着されている。保護キャップ２および耐熱性粘着剤３は、後述するワイヤボンディング時、樹脂モールド時などの工程における熱処理温度（例えば１５０℃〜１８０℃）より高い耐熱性を有している。具体的には、保護キャップ２を構成するための保護用基材としては４００℃程度の耐熱性を有するポリイミド基材で構成される耐熱性樹脂シート２０（図３参照）を用いることができ、耐熱性粘着剤３としては２３０℃程度の耐熱性を有するシリコーン粘着剤を用いることができる。

図２（ａ）は、半導体加速度センサを耐熱性粘着剤３で切断してセンサチップ１側を見たときの上面レイアウトを模式的に示した図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）におけるＡ−Ａ’断面図、図２（ｃ）は、図２（ｂ）における領域Ｂの部分拡大図である。

図２（ａ）に示すように、センサチップ１の中心位置にセンサ構造体１ａが形成されているとすると、このセンサ構造体１ａを囲むように耐熱性粘着剤３が備えられ、保護キャップ２とセンサチップ１とを接着している。そして、図２（ｂ）に示すように、センサチップ１のうちセンサ構造体１ａの周囲、つまり耐熱性粘着剤３が備えられる場所が凹凸面１ｃとされている。この凹凸面１ｃは、図２（ｃ）に示すように、断面ノコギリ状を為している。このため、凹凸面１ｃでは部分的に表面積が大きくなり、耐熱性粘着剤３との接着面積が実質的に大きくされている。

また、図３（ａ）は、半導体加速度センサを耐熱性粘着剤３で切断して保護キャップ２側を見たときの上面レイアウトを模式的に示した図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）におけるＣ−Ｃ’断面図、図３（ｃ）は、図３（ｂ）における領域Ｄの部分拡大図である。

図３（ａ）に示すように、保護キャップ２の中心位置にセンサ構造体１ａと対応する凹部（キャビティ）２ａが形成されているとすると、この凹部２ａを囲むように耐熱性粘着剤３が備えられる。そして、図３（ｂ）に示すように、保護キャップ２における凹部２ａの形成予定位置の周囲、つまり耐熱性粘着剤３が備えられる場所が凹凸面２ｂとされている。この凹凸面２ｂは、図２（ｃ）に示すように、断面矩形波状を為している。このため、凹凸面２ｂでは部分的に表面積が大きくなり、耐熱性粘着剤３との接着面積が実質的に大きくされている。

なお、図２および図３は断面図ではないが、見やすくするために、凹凸面１ｃ、２ｂが形成された領域をハッチングで示してある。

また、図１に示すように、この保護キャップ２には、センサチップ１の表面に形成されたパッド１ｂを露出させるための開口部としてコンタクトホール２ｃが形成されており、パッド１ｂは、ワイヤ４によりリードフレーム５とボンディングされている。また、センサチップ１は、リードフレーム５の上に銀ペースト６によって接着固定されており、全体が樹脂７でモールドされている。

以上のように構成された半導体加速度センサにおいては、センサチップ１と保護キャップ２における接着面を凹凸面１ｃ、２ｂとすることで、単なる平面である場合と比べて接着面積が大きくなるようにしている。このため、センサチップ１のチップサイズや保護キャップ２のサイズを大きくしなくても、接着面を大きくとることができ、センサチップ１と保護キャップ２との接着強度を大きくすることができる。

また、接着時における耐熱性粘着剤３のはみ出しに関しても、センサチップ１や保護キャップ２に形成した凹凸面１ｃ、２ｂの凹みに耐熱性粘着剤３が入り込むようにできるため、耐熱性粘着剤３のはみ出しを抑制できる。このため、耐熱性粘着剤３がセンサ構造体１ａ側にはみ出すことによりセンサ構造体１ａに付着してしまうことを防止でき、センサ特性に影響を与えることを防止することができる。

次に、図１に示す半導体加速度センサの製造方法について説明する。図４および図５に、その製造工程を示し、これらの図を参照して説明する。

まず、図４（ａ）に示す工程では、半導体ウェハ１０を用意する。この半導体ウェハ１０は、例えば、面方位が（１１１）面となっているものを用意する。続いて、図４（ｂ）に示す工程では、半導体ウェハ１０のうち、センサ構造体１ａの形成予定領域の周囲に相当する部分が露出し、かつ、梁構造体１ａの形成予定領域に関してはストライプ状に露出させるマスク材１１を配置する。例えば、マスク材１１としては、レジストや酸化膜などを用いることができる。なお、本図では、マスク材１１にてセンサ構造体１ａの形成予定領域のみが覆われるようにしているが、耐熱性粘着剤３が備えられる接着面となる領域（凹凸面１ｃの形成予定領域）が露出していれば良く、それ以外は覆われるようにしても良い。

続いて、図４（ｃ）に示す工程では、マスク材１１にてセンサ構造体１ａを覆った状態でウェットエッチングを行う。このとき、半導体ウェハ１０の面方位を上述したように（１１１）面としているため、エッチングの面方位依存性により、半導体ウェハ１０のうちマスク材１１から露出した部分がノコギリ状となり、凹凸面１ｃが形成される。

この後、周知の手法により、半導体ウェハ１０に対して、センサ構造体１ａおよびアルミ（Ａｌ）のパッド１ｂを形成する。なお、センサ構造体１ａやパッド１ｂの形成方法に関しては、周知となっている様々な手法のいずれでも構わないため、ここでは省略する。また、このときに半導体ウェハ１０に耐熱性樹脂シート２との接着時に用いるアライメントキー（図示せず）を形成しておくと良い。

次に、図５（ａ）に示す工程では、保護キャップ２を形成するための保護用基材としてシリコーン系の耐熱性樹脂シート２０を用意する。このとき、後工程でのダイシングカットを容易にするため、耐熱性樹脂シート２０の厚みを例えば５０〜１５０μｍという薄さにしている。次に、図５（ｂ）に示す工程では、耐熱性樹脂シート２０に凹部２ａを設ける。具体的には、後述する図５（ｄ）に示す工程において耐熱性樹脂シート２０を半導体ウェハ１０に貼り合わせたとき、センサ構造体１ａが耐熱性樹脂シート２０と接触しないように、センサ構造体１ａと対応する位置に凹部２ａを形成する。例えば、凹部２ａの加工は、エキシマレーザを用いて行う。この場合、そのショット回数によって深さ方向の制御を行う。また、加工時のスループットを向上させるために、マスクを使用しレーザ光を多少ブロードにしたり、レーザ光を数本に分散あるいはレーザ発振器の台数を増やしたりする。

また、耐熱性樹脂シート２０のうち、半導体ウェハ１０のパッド１ｂが形成される位置と対応する位置にコンタクトホール２ｃを開ける。コンタクトホール２ｃの加工はエキシマレーザでもよいし、打ち抜きでもよい。また、その開口の大きさは、ワイヤボンディングできる大きさであれば、パッド１ｂより小さくても大きくてもよい。なお、凹部２ａとコンタクトホール２ｃは、どちらを先に加工しても問題はない。さらに、このとき、半導体ウェハ１０との位置合わせのためにアライメントキー（図示せず）を形成しておくと良い。このアライメントキーも例えばエキシマレーザを用いて形成することができる。

続いて、図５（ｃ）に示す工程では、耐熱性樹脂シート２０のうちセンサチップ１との接着面となる領域以外、例えば凹部２ａにマスク材１２を配置する。そして、マスク材１２を用いてウェットエッチングを行うことで、矩形波状の凹凸面２ｂが形成される。その後、マスク材１２を除去する。

続く、図５（ｄ）に示す工程では、耐熱性樹脂シート２０のうちセンサチップ１との接着面、つまり凹凸面２ｂに耐熱性粘着剤３を配置する。このとき、ダイシングカットを容易にするために、耐熱性粘着剤３の厚みを例えば１０〜２０μｍという薄さにしている。

この後、図５（ｅ）に示す工程では、半導体ウェハ１０の表面上に耐熱性樹脂シート２０を貼り合わせる。例えば、耐熱性樹脂シート２０に形成されたアライメントキーと半導体ウェハ１０に形成されたアライメントキーが合うように耐熱性樹脂シート２０と半導体ウェハ１０とを接着する。これにより、センサ構造体１ａが耐熱性樹脂シート２０の凹部２ａ内に収まるように、耐熱性樹脂シート２０と半導体ウェハ１０と接着される。なお、耐熱性樹脂シート２０と半導体ウェハ１０との接着においては、接着時に発生し易いボイドの低減や接着剤の粘着力を向上させるために、加熱したローラ等で耐熱性樹脂シート２０上を転がし、耐熱性樹脂シート２０を加熱して行うようにしてもよい。また、半導体ウェハ１０を加熱してローラを転がすようにしてもよい。

図５（ｆ）に示す工程では、コンタクトホール２ｃによって露出されたパッド１ｂなどを基準にして、ダイシングブレード８を用いて、半導体ウェハ１０のスクライブライン９に沿ってダイシングカットを行うことで、保護キャップ２に覆われたセンサチップ１を得る。

この後、ダイシングカットによってチップ化されたセンサチップ１を、図１に示すように、リードフレーム５の上に銀ペースト６で接着固定し、さらにワイヤ４によりパッド１ｂとリードフレーム５をボンディングした後、樹脂７でモールドして半導体加速度センサを完成させる。

なお、上記した製造方法において、センサチップ１をリードフレーム５の上に銀ペースト６で固定するとき１５０℃程度の熱処理が必要であり、またワイヤ４によるボンディング時に１５０℃程度の熱処理が必要であり、さらに樹脂モールド時に１８０℃程度の熱処理が必要であるが、保護キャップ２を構成するための耐熱性樹脂シート２０の耐熱温度は４００℃程度であり、耐熱性粘着剤３の耐熱温度は２３０℃程度であるため、耐熱性樹脂シート２０の形状を維持したまま、半導体加速度センサを完成させることができる。また、ダイシングカット時に、半導体ウェハ１０の裏面に粘着シートを貼り付けるようにすれば、カット後にもセンサチップ１をまとめることができるため、センサチップ１の収集の容易化を図ることもできる。

（第２実施形態）
上記第１実施形態では、センサチップ１に形成された凹凸面１ｃを断面ノコギリ状とする例について説明したが、他の形状であっても構わない。図６は、この凹凸面１ｃの部分のみを拡大した断面図であり、上述した図２（ｂ）の領域Ｂの拡大図に相当するものである。

この図に示すように、凹凸面１ｃの断面が半円を連続させたような波状としている。このような凹凸面１ｃは、センサチップ１のうちの接着面を等方性のウェットエッチングすることにより実現可能である。例えば、半導体ウェハ１０の面方位を（１１１）面以外としつつ、第１実施形態と同様、梁構造体１ａの形成予定領域に関してストライプ状に露出させるマスク材１１を配置し、マスク材１１が配置されていない部分をウェットエッチングすると凹凸面１ｃを図６に示すような断面形状とすることができる。このような凹凸面１ｃとしても、単に平面とした場合と比べて接着面積を大きくすることができるため、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。

（第３実施形態）
本実施形態も、第２実施形態と同様に、上記第１実施形態とは異なる形状の凹凸面１ｃを形成する場合について説明する。図７は、この凹凸面１ｃの部分のみを拡大した断面図であり、上述した図２（ｂ）の領域Ｂの拡大図に相当するものである。

この図に示すように、凹凸面１ｃを方形波状としている。このような凹凸面１ｃは、センサチップ１のうちの接着面を異方性のドライエッチングすることにより実現可能である。例えば、第１実施形態と同様、梁構造体１ａの形成予定領域に関してストライプ状に露出させるマスク材１１を配置し、マスク材１１が配置されていない部分をドライエッチングすると凹凸面１ｃを図７に示すような断面形状とすることができる。このような凹凸面１ｃとしても、単に平面とした場合と比べて接着面積を大きくすることができるため、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。

（第４実施形態）
本実施形態も、第２実施形態と同様に、上記第１実施形態とは異なる形状の凹凸面１ｃを形成する場合について説明する。図８は、この凹凸面１ｃの部分のみを拡大した断面図であり、上述した図２（ｂ）の領域Ｂの拡大図に相当するものである。

この図に示すように、凹凸面１ｃを様々な一定形状でない凹凸が形成された状態としている。このような凹凸面１ｃは、センサチップ１のうちの接着面をグラインダーにてグラインディング処理すること実現可能である。つまり、グラインダーによる研磨は一定には行われないため、図８に示すような断面形状となる。このような凹凸面１ｃとしても、単に平面とした場合と比べて接着面積を大きくすることができるため、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。

（第５実施形態）
上記第１実施形態では、保護キャップ２に形成された凹凸面２ｂを矩形波状とする例について説明したが、他の形状であっても構わない。図９は、この凹凸面２ｂの部分のみを拡大した断面図であり、上述した図３（ｂ）の領域Ｂの拡大図に相当するものである。

この図に示すように、凹凸面２ｂを様々な一定形状でない凹凸が形成された状態としている。このような凹凸面２ｂは、保護キャップ２のうちの接着面をグラインダーにてグラインディング処理すること実現可能である。つまり、グラインダーによる研磨は一定には行われないため、図９に示すような断面形状となる。このような凹凸面２ｂとしても、単に平面とした場合と比べて接着面積を大きくすることができるため、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。

（他の実施形態）
上記各実施形態では、センサチップ１の接着面を凹凸面１ｃとし、かつ、保護キャップ２の接着面も凹凸面２ｂとする場合について説明したが、これらのうちの少なくとも一方のみ採用すれば上記第１実施形態で示した効果を得ることができる。ただし、これら双方共に採用すれば、より接着面積を大きくすることができるため、より上記効果を得ることができる。

また、上記実施形態では、可動するセンサ構造体１ａを有するセンサとして加速度センサを例に挙げて説明したが、それ以外のセンサ、例えばヨーレートセンサ等に関しても、本発明を適用することができる。

本発明の第１実施形態における半導体加速度センサの断面構成を示す図である。（ａ）は、図１に示す半導体加速度センサを耐熱性粘着剤３で切断してセンサチップ１側を見たときの上面レイアウトを模式的に示した図であり、（ｂ）は、（ａ）におけるＡ−Ａ’断面図、（ｃ）は、（ｂ）における領域Ｂの部分拡大図である。（ａ）は、図１に示す半導体加速度センサを耐熱性粘着剤３で切断して保護キャップ２側を見たときの上面レイアウトを模式的に示した図であり、（ｂ）は、（ａ）におけるＣ−Ｃ’断面図、（ｃ）は、（ｂ）における領域Ｄの部分拡大図である。図１に示す半導体加速度センサの製造工程を示した図である。図４に続く半導体加速度センサの製造工程を示した図である。本発明の第２実施形態で説明する凹凸面１ｃの部分のみを拡大した断面図である。本発明の第３実施形態で説明する凹凸面１ｃの部分のみを拡大した断面図である。本発明の第４実施形態で説明する凹凸面１ｃの部分のみを拡大した断面図である。本発明の第５実施形態で説明する凹凸面２ｂの部分のみを拡大した断面図である。

符号の説明

１…センサチップ、１ａ…センサ構造体、１ｂ…パッド、１ｃ…凹凸面、２…保護キャップ、２ａ…凹部、２ｂ…凹凸面、２ｃ…コンタクトホール、３…耐熱性粘着剤、４…ワイヤ、５…リードフレーム、６…銀ペースト、７…樹脂、８…ダイシングブレード、９…スクライブライン、１０…半導体ウェハ、１１、１２…マスク材、１２…マスク材、２０…耐熱性樹脂シート。

Claims

半導体にて構成された可動するセンサ構造体（１ａ）を有するセンサチップ（１）と、
前記センサ構造体（１ａ）と対応する位置に凹部（２ａ）が形成され、該凹部（２ａ）の周囲（２ｂ）に接着剤（３）を塗布することで、該接着剤（３）を介して、前記センサチップ（１）に対して固定されるように構成された、前記センサ構造体（１ａ）を覆うための保護キャップ（２）と、を備えてなる半導体センサ装置の製造方法であって、
半導体ウェハ（１０）を用意し、該半導体ウェハ（１０）のうち前記センサ構造体（１ａ）の形成予定領域の周囲に凹凸面（１ｃ）を形成する工程と、
前記半導体ウェハ（１０）における前記センサ構造体（１ａ）の形成予定領域に前記センサ構造体（１ａ）を形成する工程と、
前記保護キャップ（２）を形成するための保護用基材（２０）を用意し、該保護用基材（２０）に対して前記凹部（２ａ）を形成する工程と、
前記保護用基材（２０）のうち前記凹部（２ａ）の周囲に対して接着剤（３）を配置する工程と、
前記センサ構造体（１ａ）と前記凹部（２ａ）が一致するように、前記接着剤（３）を介して前記保護用基材（２０）を前記半導体ウェハ（１０）に対して固定する工程と、
前記半導体ウェハ（１０）および前記保護用基材（２０）をチップ単位に分割することにより、前記センサチップ（１）および前記保護キャップ（２）を形成する工程と、を含み、
前記半導体ウェハ（１０）に対して前記凹凸面（１ｃ）を形成する工程では、前記半導体ウェハ（１０）として面方位が（１１１）面のものを用意し、前記半導体ウェハ（１０）における前記凹凸面（１ｃ）の形成予定位置をストライプ状に露出させるマスク材（１１）を配置したのち、該マスク材（１１）を用いたウェットエッチングにより、該ウェットエッチングの面方位依存性により、前記凹凸面（１ｃ）をノコギリ状に形成することを特徴とする半導体センサ装置の製造方法。
半導体にて構成された可動するセンサ構造体（１ａ）を有するセンサチップ（１）と、
前記センサ構造体（１ａ）と対応する位置に凹部（２ａ）が形成され、該凹部（２ａ）の周囲（２ｂ）に接着剤（３）を塗布することで、該接着剤（３）を介して、前記センサチップ（１）に対して固定されるように構成された、前記センサ構造体（１ａ）を覆うための保護キャップ（２）と、を備えてなる半導体センサ装置の製造方法であって、
半導体ウェハ（１０）を用意し、該半導体ウェハ（１０）のうち前記センサ構造体（１ａ）の形成予定領域の周囲に凹凸面（１ｃ）を形成する工程と、
前記半導体ウェハ（１０）における前記センサ構造体（１ａ）の形成予定領域に前記センサ構造体（１ａ）を形成する工程と、
前記保護キャップ（２）を形成するための保護用基材（２０）を用意し、該保護用基材（２０）に対して前記凹部（２ａ）を形成する工程と、
前記保護用基材（２０）のうち前記凹部（２ａ）の周囲に対して接着剤（３）を配置する工程と、
前記センサ構造体（１ａ）と前記凹部（２ａ）が一致するように、前記接着剤（３）を介して前記保護用基材（２０）を前記半導体ウェハ（１０）に対して固定する工程と、
前記半導体ウェハ（１０）および前記保護用基材（２０）をチップ単位に分割することにより、前記センサチップ（１）および前記保護キャップ（２）を形成する工程と、を含み、
前記半導体ウェハ（１０）に対して前記凹凸面（１ｃ）を形成する工程では、前記半導体ウェハ（１０）における前記凹凸面（１ｃ）の形成予定位置をストライプ状に露出させるマスク材（１１）を配置したのち、該マスク材（１１）を用いた等方性ウェットエッチングにより、前記凹凸面（１ｃ）を波状に形成することを特徴とする半導体センサ装置の製造方法。
半導体にて構成された可動するセンサ構造体（１ａ）を有するセンサチップ（１）と、
前記センサ構造体（１ａ）と対応する位置に凹部（２ａ）が形成され、該凹部（２ａ）の周囲（２ｂ）に接着剤（３）を塗布することで、該接着剤（３）を介して、前記センサチップ（１）に対して固定されるように構成された、前記センサ構造体（１ａ）を覆うための保護キャップ（２）と、を備えてなる半導体センサ装置の製造方法であって、
半導体ウェハ（１０）を用意し、該半導体ウェハ（１０）のうち前記センサ構造体（１ａ）の形成予定領域の周囲に凹凸面（１ｃ）を形成する工程と、
前記半導体ウェハ（１０）における前記センサ構造体（１ａ）の形成予定領域に前記センサ構造体（１ａ）を形成する工程と、
前記保護キャップ（２）を形成するための保護用基材（２０）を用意し、該保護用基材（２０）に対して前記凹部（２ａ）を形成する工程と、
前記保護用基材（２０）のうち前記凹部（２ａ）の周囲に対して接着剤（３）を配置する工程と、
前記センサ構造体（１ａ）と前記凹部（２ａ）が一致するように、前記接着剤（３）を介して前記保護用基材（２０）を前記半導体ウェハ（１０）に対して固定する工程と、
前記半導体ウェハ（１０）および前記保護用基材（２０）をチップ単位に分割することにより、前記センサチップ（１）および前記保護キャップ（２）を形成する工程と、を含み、
前記半導体ウェハ（１０）に対して前記凹凸面（１ｃ）を形成する工程では、前記半導体ウェハ（１０）における前記凹凸面（１ｃ）の形成予定位置をストライプ状に露出させるマスク材（１１）を配置したのち、該マスク材（１１）を用いた異方性ドライエッチングにより、前記凹凸面（１ｃ）を矩形波状に形成することを特徴とする半導体センサ装置の製造方法。
半導体にて構成された可動するセンサ構造体（１ａ）を有するセンサチップ（１）と、
前記センサ構造体（１ａ）と対応する位置に凹部（２ａ）が形成され、該凹部（２ａ）の周囲（２ｂ）に接着剤（３）を塗布することで、該接着剤（３）を介して、前記センサチップ（１）に対して固定されるように構成された、前記センサ構造体（１ａ）を覆うための保護キャップ（２）と、を備えてなる半導体センサ装置の製造方法であって、
半導体ウェハ（１０）を用意し、該半導体ウェハ（１０）のうち前記センサ構造体（１ａ）の形成予定領域の周囲に凹凸面（１ｃ）を形成する工程と、
前記半導体ウェハ（１０）における前記センサ構造体（１ａ）の形成予定領域に前記センサ構造体（１ａ）を形成する工程と、
前記保護キャップ（２）を形成するための保護用基材（２０）を用意し、該保護用基材（２０）に対して前記凹部（２ａ）を形成する工程と、
前記保護用基材（２０）のうち前記凹部（２ａ）の周囲に対して接着剤（３）を配置する工程と、
前記センサ構造体（１ａ）と前記凹部（２ａ）が一致するように、前記接着剤（３）を介して前記保護用基材（２０）を前記半導体ウェハ（１０）に対して固定する工程と、
前記半導体ウェハ（１０）および前記保護用基材（２０）をチップ単位に分割することにより、前記センサチップ（１）および前記保護キャップ（２）を形成する工程と、を含み、
前記半導体ウェハ（１０）に対して前記凹凸面（１ｃ）を形成する工程では、前記半導体ウェハ（１０）における前記凹凸面（１ｃ）の形成予定位置が露出するマスク材（１１）を配置したのち、該マスク材（１１）を用いてグラインディング処理を行うことで、前記凹凸面（１ｃ）を形成することを特徴とする半導体センサ装置の製造方法。
前記保護用基材（２０）のうち前記凹部（２ａ）の周囲に凹凸面（２ｂ）を形成する工程を有し、
前記接着剤（３）を配置する工程では、前記保護用基材（２０）のうち前記凹部（２ａ）の周囲に位置する前記凹凸面（２ｂ）に対して前記接着剤（３）を塗布することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の半導体センサ装置の製造方法。
前記保護用基材（２０）に対して前記凹凸面（２ｂ）を形成する工程では、前記保護用基材（２０）における前記凹凸面（２ｂ）の形成予定位置をストライプ状に露出させるマスク材（１２）を配置したのち、該マスク材（１２）を用いた異方性ドライエッチングにより、前記凹凸面（２ｂ）を矩形波状に形成することを特徴とする請求項５に記載の半導体センサ装置の製造方法。
半導体にて構成された可動するセンサ構造体（１ａ）を有するセンサチップ（１）と、
前記センサ構造体（１ａ）と対応する位置に凹部（２ａ）が形成され、該凹部（２ａ）の周囲（２ｂ）に接着剤（３）を塗布することで、該接着剤（３）を介して、前記センサチップ（１）に対して固定されるように構成された、前記センサ構造体（１ａ）を覆うための保護キャップ（２）と、を備えてなる半導体センサ装置の製造方法であって、
半導体ウェハ（１０）を用意し、前記半導体ウェハ（１０）における前記センサ構造体（１ａ）の形成予定領域に前記センサ構造体（１ａ）を形成する工程と、
前記保護キャップ（２）を形成するための保護用基材（２０）を用意し、該保護用基材（２０）に対して前記凹部（２ａ）を形成する工程と、
前記保護用基材（２０）のうち前記凹部（２ａ）の周囲に凹凸面（２ｂ）を形成する工程と、
前記保護用基材（２０）のうち前記凹部（２ａ）の周囲に位置する前記凹凸面（２ｂ）に対して接着剤（３）を配置する工程と、
前記センサ構造体（１ａ）と前記凹部（２ａ）が一致するように、前記接着剤（３）を介して前記保護用基材（２０）を前記半導体ウェハ（１０）に対して固定する工程と、
前記半導体ウェハ（１０）および前記保護用基材（２０）をチップ単位に分割することにより、前記センサチップ（１）および前記保護キャップ（２）を形成する工程と、を含み、
前記保護用基材（２０）に対して前記凹凸面（２ｂ）を形成する工程では、前記保護用基材（２０）における前記凹凸面（２ｂ）の形成予定位置をストライプ状に露出させるマスク材（１２）を配置したのち、該マスク材（１２）を用いた異方性ドライエッチングにより、前記凹凸面（２ｂ）を矩形波状に形成することを特徴とする半導体センサ装置の製造方法。
前記保護用基材（２０）に対して前記凹凸面（２ｂ）を形成する工程では、前記保護用基材（２０）における前記凹凸面（２ｂ）の形成予定位置が露出するマスク材（１２）を配置したのち、該マスク材（１２）を用いてグラインディング処理を行うことで、前記凹凸面（１ｃ）を形成することを特徴とする請求項５ないし７のいずれか１つに記載の半導体センサ装置の製造方法。
半導体にて構成された可動するセンサ構造体（１ａ）を有するセンサチップ（１）と、
前記センサ構造体（１ａ）と対応する位置に凹部（２ａ）が形成され、該凹部（２ａ）の周囲（２ｂ）に接着剤（３）を塗布することで、該接着剤（３）を介して、前記センサチップ（１）に対して固定されるように構成された、前記センサ構造体（１ａ）を覆うための保護キャップ（２）と、を備えてなる半導体センサ装置の製造方法であって、
半導体ウェハ（１０）を用意し、前記半導体ウェハ（１０）における前記センサ構造体（１ａ）の形成予定領域に前記センサ構造体（１ａ）を形成する工程と、
前記保護キャップ（２）を形成するための保護用基材（２０）を用意し、該保護用基材（２０）に対して前記凹部（２ａ）を形成する工程と、
前記保護用基材（２０）のうち前記凹部（２ａ）の周囲に凹凸面（２ｂ）を形成する工程と、
前記保護用基材（２０）のうち前記凹部（２ａ）の周囲に位置する前記凹凸面（２ｂ）に対して接着剤（３）を配置する工程と、
前記センサ構造体（１ａ）と前記凹部（２ａ）が一致するように、前記接着剤（３）を介して前記保護用基材（２０）を前記半導体ウェハ（１０）に対して固定する工程と、
前記半導体ウェハ（１０）および前記保護用基材（２０）をチップ単位に分割することにより、前記センサチップ（１）および前記保護キャップ（２）を形成する工程と、を含み、
前記保護用基材（２０）に対して前記凹凸面（２ｂ）を形成する工程では、前記保護用基材（２０）における前記凹凸面（２ｂ）の形成予定位置が露出するマスク材（１２）を配置したのち、該マスク材（１２）を用いてグラインディング処理を行うことで、前記凹凸面（１ｃ）を形成することを特徴とする記載の半導体センサ装置の製造方法。