JP2000031349A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

半導体装置およびその製造方法

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純朋 猪俣
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峰一 酒井
Yasuki Shimoyama
泰樹 下山
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 保護キャップを有する半導体加速度センサに
おいて、ダイシングカット時の研削水の侵入による問題
などをなくした構成とする。 【解決手段】 半導体チップ１に形成された梁構造体１
ａを保護する保護キャップとして耐熱性樹脂シート２を
用い、この耐熱性樹脂シート２を耐熱性接着剤３によっ
て半導体チップ１の上に接着した構成とする。耐熱性樹
脂シート２としてはポリイミド基材を用い、耐熱性粘着
剤３としてはシリコーン粘着剤を用いる。このように耐
熱性樹脂シート２を耐熱性粘着剤３によって半導体チッ
プ１上に接着することによって、ダイシングカット時に
研削水の侵入といった問題が回避された構造とすること
ができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体で構成され
た構造体を有する半導体チップにおいて、構造体が保護
キャップで覆われてなる半導体装置およびその製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体加速度センサや半導体圧力
センサなどの半導体力学量センサにおいては、シリコン
チップに可動部が形成され、可動部の変位により加速度
や圧力等の物理量を電気信号に変換して取り出すように
なっている。例えば、特開平９−２１１０２２号公報に
は、加速度を受けて変位する可動部としての梁構造体が
シリコン基板上に形成され、梁構造体に設けられた可動
電極と、可動電極に対向してシリコン基板上に形成され
た固定電極との間の変位に基づいて加速度を検出する加
速度センサが記載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような半導体装置
においては、可動部を保護するために、保護キャップで
可動部を覆うことが行われている。この保護キャップと
しては、特開平６−３４７４７５号公報に記載されてい
るようにガラス基板を用いるものがある。この場合、半
導体ウェハ上にガラス基板が陽極接合法により接合され
る。ガラス基板を保護キャップとして用いた場合、半導
体ウェハとガラス基板の間の接合部において、例えば接
合面の表面荒さなどによって隙間ができると、ダイシン
グカット時にその隙間から研削水が侵入し、水の表面張
力により可動部が動かなくなるなどの問題が発生する。
【０００４】また、特開平９−２７４６６号公報には、
ガラス基板ではなく、ＵＶ硬化性シートを保護キャップ
として用いるものが記載されている。このＵＶ硬化性シ
ートを用いればダイシングカット時の研削水の侵入とい
う問題は回避されるが、ＵＶ硬化性シートは、８０〜９
０℃程度の温度で形状が変化してしまうため、それより
も高い温度を必要とするワイヤボンディングなどの後工
程までには、ＵＶ硬化性シートを取り外しておく必要が
ある。このため、工程数が増えるという問題がある。
【０００５】本発明は上記した問題を解決することを第
１の目的とする。さらに、センシング部である梁構造体
（可動部）がチップの表面だけでなく裏面からも露出す
る構造（両面露出タイプ）もある。このようなセンサ構
造においては、チップをリードフレームにダイマウント
する際や、チップをパッケージ内に収納し接着剤で固定
する際に、チップとリードフレームあるいはパッケージ
とを接着させるための接着剤が、チップの裏面からセン
シング部（可動部）へ這い上がり、センシング部が動か
なくなるという問題が発生する。
【０００６】また、上記両面露出タイプのチップを樹脂
モールドする構造においては、樹脂がセンシング部へ付
着したり、また、リードフレームやパッケージに接着さ
れた上記両面露出タイプのチップを樹脂モールドする構
造であっても、樹脂が、チップの裏面の接着部分の隙間
からセンシング部へ這い上がる恐れがある。本発明は両
面露出タイプのチップを用いる半導体装置において、上
記第１の目的を達成しつつ、上記の接着剤またはモール
ド樹脂の這い上がりを防止することを第２の目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１〜請求項１０記
載の発明は上記第１の目的を達成するため成されたもの
である。即ち、請求項１に記載の発明においては、半導
体チップ（１）の上に、半導体チップ（１）の表面に形
成されたパッド（１ｂ）を露出させるための開口部（２
０ｂ、２０ｅ）を有する耐熱性樹脂シート（２、２’）
を耐熱性接着剤（３）によって接着し、耐熱性樹脂シー
ト（２、２’）および耐熱性接着剤（３）を、ワイヤボ
ンディングを行うときの熱処理温度以上の耐熱性を有す
るものとしたことを特徴としている。
【０００８】このように耐熱性樹脂シート（２、２’）
を耐熱性接着剤（３）を用いて半導体チップ（１）の上
に接着することにより、ダイシングカット時の研削水の
侵入といった問題が回避された構造のものとすることが
でき、また耐熱性樹脂シート（２、２’）および耐熱性
接着剤（３）としてワイヤボンディングを行うときの熱
処理温度以上の耐熱性を有するものとしているから、耐
熱性樹脂シート（２、２’）を残したままワイヤボンデ
ィングが行われた構造の半導体装置を提供することがで
きる。
【０００９】請求項２、３に記載の発明においては、請
求項１に記載の発明と同様、耐熱性樹脂シート（２、
２’）を耐熱性接着剤（３）を用いて半導体チップ
（１）の上に接着した構成とし、耐熱性樹脂シート
（２、２’）および耐熱性接着剤（３）として半導体チ
ップ（１）を樹脂モールドするときに必要とされる熱処
理温度以上の耐熱性を有するものとしているから、耐熱
性樹脂シート（２、２’）を残したまま樹脂モールドさ
れた構造の半導体装置を提供することができる。
【００１０】請求項４、５に記載の発明においては、請
求項１に記載の発明と同様、耐熱性樹脂シート（２、
２’）を耐熱性接着剤（３）を用いて半導体チップ
（１）の上に接着した構成とし、耐熱性樹脂シート
（２、２’）および耐熱性接着剤（３）として半導体チ
ップ（１）をパッケージ（３０〜３３）内へ収納すると
きに必要とされる熱処理温度以上の耐熱性を有するもの
としているから、耐熱性樹脂シート（２、２’）を残し
たままパッケージされた構造の半導体装置を提供するこ
とができる。
【００１１】なお、上記した耐熱性樹脂シート（２、
２’）としては、請求項６に記載の発明のように、ポリ
イミド基材を用いて構成されたものとすることができ、
耐熱性粘着剤（３）としては、請求項７に記載の発明の
ように、シリコーン粘着剤を用いたものとすることがで
きる。また、請求項８乃至１０に記載の発明によれば、
上記したような半導体装置を適切に製造することができ
る。
【００１２】また、請求項１１〜請求項２０記載の発明
は上記第２の目的を達成するために、上記両面露出タイ
プの半導体チップを有する半導体装置及びその製造方法
に関して成されたものである。即ち、請求項１１記載の
発明においては、表面及び裏面に露出した構造体（１０
０ａ）を有する半導体チップ（１００）の表面に、該半
導体チップの表面に形成されたパッド（１００ｂ）を露
出させるための開口部（２０ｂ、２０ｅ）を有する第１
の耐熱性樹脂シート（２、２’）を耐熱性接着剤（３）
によって接着し、該半導体チップの裏面に、第２の耐熱
性樹脂シート（１０２）を接着し、これら第１及び第２
のシートが接着された半導体チップを、該パッドとワイ
ヤボンディングするためのリードフレーム（５）に固定
すると共に、第１及び第２のシート及び耐熱性接着剤
を、ワイヤボンディングを行うときの熱処理温度および
該半導体チップを該リードフレームに固定するときの熱
処理温度のうち最も高い温度以上の耐熱性を有するもの
としたことを特徴としている。
【００１３】それによって、ダイシングカット時の研削
水の侵入といった問題が回避された構造のものとでき、
第１及び第２の耐熱性樹脂シート（２、２’、１０２）
を残したままワイヤボンディング及び半導体チップ（１
００）のリードフレーム（５）への固定が行われた構造
の半導体装置を提供できるとともに、該半導体チップの
裏面側の構造体（１００ａ）は、該第２の耐熱性樹脂シ
ートによって該リードフレームに接着されているから接
着剤が不要であり、そもそも接着剤の這い上がりという
問題が無くなる。また、該半導体チップの裏面は該第２
の耐熱性樹脂シートによって覆われているから、リード
フレームと接着剤を介して接着した場合でも接着剤の這
い上がりを防止できる。
【００１４】また、請求項１２記載の発明においては、
両面露出タイプの半導体チップ（１００）の表面及び裏
面を、それぞれ、耐熱性接着剤（３）によって接着され
た第１の耐熱性樹脂シート（２、２’）及び第２の耐熱
性樹脂シート（１０２）によって覆い、これら各耐熱性
樹脂シート及び耐熱性接着剤を、該半導体チップを樹脂
（７）でモールドするときに必要とされる熱処理温度以
上の耐熱性を有するものとしているから、該第１及び第
２の耐熱性樹脂シートを残したまま樹脂モールドされた
構造の半導体装置を提供できるとともに、該第２の耐熱
性樹脂シートによって樹脂（７）の這い上がりを防止で
きる。
【００１５】また、請求項１３記載の発明においては、
両面露出タイプの半導体チップ（１００）の表面及び裏
面を、それぞれ、耐熱性接着剤（３）によって接着され
た第１の耐熱性樹脂シート（２、２’）及び第２の耐熱
性樹脂シート（１０２）によって覆い、さらに、該半導
体チップをパッケージ（３０〜３３）内に収納し、該第
２の耐熱性樹脂シートと該パッケージとを接着すること
によって該半導体チップを該パッケージの内部に固定す
るとともに、これら各耐熱性樹脂シート及び各耐熱性接
着剤を、該半導体チップを該パッケージに固定するとき
の熱処理温度以上の耐熱性を有するものとしたことを特
徴としている。
【００１６】それによって、該第１及び第２の耐熱性樹
脂シートを残したままパッケージされた構造の半導体装
置を提供できるとともに、請求項１１記載の発明と同様
の理由から、該第２の耐熱性樹脂シートによって接着剤
の這い上がりを防止できる。ここで、請求項１４記載の
発明のように、第１及び第２の耐熱性樹脂シート（２、
２’、１０２）のいずれか一方が、透明材料よりなるも
のとすれば、該シートをつけたまま半導体チップ（１０
０）における構造体（１００ａ）等の状態を目視検査で
きる。
【００１７】また、請求項１８記載の発明によれば、請
求項１１の半導体装置を適切に製造することができ、請
求項１９記載の発明によれば、請求項１２の半導体装置
を適切に製造することができ、請求項２０記載の発明に
よれば、請求項１３の半導体装置を適切に製造すること
ができる。）なお、上記した括弧内の符号は、後述する
実施形態記載の具体的手段との対応関係を示すものであ
る。
【００１８】
【発明の実施の形態】（第１実施形態）図１に、本発明
の第１実施形態にかかる半導体加速度センサの断面構成
を示す。この半導体加速度センサは、センサチップ１が
樹脂モールドされた構造になっている。
【００１９】センサチップ１は、特開昭９−２１１０２
２号公報に記載されたものと同様の構成のもので、加速
度を受けて変位する可動部としての梁構造体がシリコン
基板上に形成され、この梁構造体に設けられた可動電極
とシリコン基板上に形成された固定電極との間の変位に
基づいて加速度を検出するように構成されている。な
お、図には、梁構造体１ａのみが示されている。また、
このセンサチップ１の表面には、可動電極、固定電極を
外部と電気接続するためのパッド１ｂが形成されてい
る。
【００２０】センサチップ１の表面には、梁構造体１ａ
を保護するための保護キャップとして耐熱性樹脂シート
２が設けられている。この耐熱性樹脂シート２は、耐熱
性粘着剤３によってセンサチップ１の上に接着されてい
る。耐熱性樹脂シート２および耐熱性粘着剤３は、後述
するワイヤボンディング時、樹脂モールド時などの工程
における熱処理温度（例えば１５０℃〜１８０℃）より
高い耐熱性を有している。具体的には、耐熱性樹脂シー
ト２としては４００℃程度の耐熱性を有するポリイミド
基材を用いることができ、耐熱性粘着剤３としては２３
０℃程度の耐熱性を有するシリコーン粘着剤を用いるこ
とができる。
【００２１】この耐熱性樹脂シート２には、センサチッ
プ１の表面に形成されたパッド１ｂを露出させるための
開口部としてコンタクトホール２０ｂが形成されてお
り、パッド１ｂは、ワイヤ４によりリードフレーム５と
ボンディングされている。また、センサチップ１は、リ
ードフレーム５の上に銀ペースト６によって接着固定さ
れており、全体が樹脂７でモールドされている。
【００２２】次に、図１に示す加速度センサの製造方法
について説明する。図２にその製造工程を示す。 〔図２（ａ）の工程〕ポリイミド基材２上にシリコーン
粘着剤３を塗布した耐熱性粘着シート２０を用意する。
この耐熱性粘着シート２０において、後工程でのダイシ
ングカットを容易にするため、ポリイミド基材２の厚み
は５０〜１５０μｍとし、シリコーン粘着剤３の厚みは
１０〜２０μｍとする。 〔図２（ｂ）の工程〕耐熱性粘着シート２０に凹部２０
ａを設ける。これは、図２（ｄ）の工程において耐熱性
粘着シート２０を半導体ウェハ１０に貼り合わせたと
き、梁構造体１ａが耐熱性粘着シート２０と接触しない
ようにするためである。凹部２０ａの加工は、エキシマ
レーザを用いて行う。この場合、そのショット回数によ
って深さ方向の制御を行う。また、加工時のスループッ
トを向上させるために、マスクを使用しレーザ光を多少
ブロードにしたり、レーザ光を数本に分散あるいはレー
ザ発振器の台数を増やしたりする。
【００２３】また、半導体ウェハ１０のパッド１ｂが形
成される位置にコンタクトホール２０ｂを開ける。コン
タクトホール２０ｂの加工はエキシマレーザでもよい
し、打ち抜きでもよい。また、その開口の大きさは、ワ
イヤボンディングできる大きさであれば、パッド１ｂよ
り小さくても大きくてもよい。なお、凹部２０ａとコン
タクトホール２０ｂは、どちらを先に加工しても問題は
ない。
【００２４】図３に、耐熱性粘着シート２０の平面構成
を示す。半導体ウェハ１０の各センサチップの位置に対
応して凹部２０ａとコンタクトホール２０ｂが形成され
ている。また、半導体ウェハ１０との位置合わせのため
にアライメントキー２０ｃを形成する。このアライメン
トキー２０ｃは、貫通孔であって、エキシマレーザを用
いて形成される。 〔図２（ｃ）の工程〕次に、梁構造体１ａおよびアルミ
（Ａｌ）のパッド１ｂが形成された半導体ウェハ１０を
用意する。
【００２５】図４に、半導体ウェハ１０の平面構成を示
す。図に示すように、各センサチップの位置に梁構造体
１ａが形成され、さらに耐熱性粘着シート２０との位置
合わせのためにＡｌによってアライメントキー１ｃが形
成されている。なお、この図４には、パッド１ｂが省略
して図示されている。 〔図２（ｄ）の工程〕半導体ウェハ１０の表面上に耐熱
性粘着シート２０を貼り合わせる。この場合、耐熱性粘
着シート２０に形成されたアライメントキー２０ｃと半
導体ウェハ１０に形成されたアライメントキー１ｃが合
うように耐熱性粘着シート２０と半導体ウェハ１０を貼
り合わせ、梁構造体１ａが耐熱性粘着シート２０の凹部
２０ａ内に収まるようにする。
【００２６】この貼り合わせにおいては、接着時に発生
し易いボイドの低減や接着剤の粘着力を向上させるため
に、加熱したローラ等で耐熱性粘着シート２０上を転が
し、耐熱性粘着シート２０を加熱して行うようにしても
よい。また、半導体ウェハ１０を加熱してローラを転が
すようにしてもよい。なお、耐熱性粘着シート２０と半
導体ウェハ１０の位置合わせは、上記したもの以外に、
ＣＣＤカメラを接着前に耐熱性粘着シート２０と半導体
ウェハ１０の間に入れ、ＣＣＤカメラを用いて位置合わ
せを行うようにすることもできる。また、場合によって
は、貼り合わせた後に所定の位置に確実に搭載されたか
否かを調べたり、後の工程をスムーズに行うようにする
ために、耐熱性粘着シート２０の幅を半導体ウェハ１０
より狭くして、半導体ウェハ１０のスクライブなどのパ
ターンを露出させておくようにしてもよい。 〔図２（ｅ）の工程〕コンタクトホール２０ｂによって
露出されたパッド１ｂなどを基準にして、半導体ウェハ
１０に形成されたスクライブパターンに沿ってダイシン
グカットを行う。図５に、ダイシングブレード８を用い
てダイシングカットを行っている状態を示す。なお、図
２（ｅ）において、９は、ダイシングブレード８によっ
てダイシングカットされた切断部を示している。
【００２７】この後、ダイシングカットによってチップ
化されたセンサチップ１を、図１に示すように、リード
フレーム５の上に銀ペースト６で接着固定し、さらにワ
イヤ４によりパッド１ｂとリードフレーム５をボンディ
ングした後、樹脂７でモールドして半導体加速度センサ
を完成させる。上記した製造方法において、センサチッ
プ１をリードフレーム５の上に銀ペースト６で固定する
とき１５０℃程度の熱処理が必要であり、またワイヤ４
によるボンディング時に１５０℃程度の熱処理が必要で
あり、さらに樹脂モールド時に１８０℃程度の熱処理が
必要であるが、耐熱性粘着シート２０におけるポリイミ
ド基材２の耐熱温度は４００℃程度であり、シリコーン
粘着剤３の耐熱温度は２３０℃程度であるため、耐熱性
粘着シート２０の形状を維持したまま、半導体加速度セ
ンサを完成させることができる。
【００２８】なお、上記した製造方法においては、ダイ
シングカット時に半導体ウェハ１０の裏面に貼り付ける
粘着シートを省略して説明している。 （第２実施形態）上記第１実施形態では、耐熱性粘着シ
ート２０にコンタクトホール２０ｂを形成した後に、耐
熱性粘着シート２０を半導体ウェハ１０に貼り付けるも
のを示したが、耐熱性粘着シート２０を半導体ウェハ１
０に貼り付けた後に、コンタクトホール２０ｂを形成し
てもよい。
【００２９】この場合の半導体加速度センサの製造方法
を図６に示す。まず、第１実施形態と同様に、ポリイミ
ド基材２上にシリコーン粘着剤３を塗布した構成の耐熱
性粘着シート２０を用意し（図６（ａ）参照）、耐熱性
粘着シート２０に凹部２０ａを形成する（図６（ｂ）参
照）。この後、耐熱性粘着シート２０を半導体ウェハ１
０の表面上に貼り合わせる（図６（ｃ）参照）。その
際、梁構造体１ａが耐熱性粘着シート２０の凹部２０ａ
内に収まるように位置合わせしてから接着する。
【００３０】次に、ワイヤボンディングするためにパッ
ド１ｂ上にコンタクトホール２０ｂを開ける。開口はエ
キシマレーザにより実施する。パッド１ｂの材料として
Ａｌを用いた場合、耐熱性粘着シート２０とＡｌでは加
工しきい値が異なる（選択性がよい）ことから、Ａｌが
露出した時点でエキシマレーザによるエッチング速度が
著しく低下あるいはエッチングが止まる。
【００３１】この後は、第１実施形態と同様に、ダイシ
ングカットを行ってチップ化し、最終的に図１に示す半
導体加速度センサを完成させる。 （第３実施形態）第１、第２実施形態では、耐熱性粘着
シート２０に凹部２０ａを形成するものを示したが、耐
熱性粘着シート２０に貫通孔を形成して凹部を形成する
ようにしてもよい。
【００３２】この場合の半導体加速度センサの製造方法
を図７に示す。まず、ポリイミド基材２上にシリコーン
粘着剤３を塗布した第１の耐熱性粘着シート２０を用意
する。ポリイミド基材２の厚みは５０〜１５０μｍと
し、シリコーン粘着剤３の厚みは１０〜２０μｍとする
（図７（ａ）参照）。そして、半導体ウェハ１０の梁構
造体１ａが第１の耐熱性粘着シート２０と接触しないよ
うに第１の耐熱性粘着シート２０に貫通部２０ｃとパッ
ド１ｂのコンタクトホール２０ｄを設ける（図７（ｂ）
参照）。貫通部２０ｃとコンタクトホール２０ｄの加工
は、エキシマレーザでも打ち抜きでもよい。
【００３３】次に、図７（ａ）と同一構成の第２の耐熱
性粘着シート２１を用意し、その上に第１の耐熱性粘着
シート２０を接着し一体化して、耐熱性粘着シート２２
を形成する（図７（ｃ）参照）。この耐熱性粘着シート
２２において、ポリイミド基材２と第２の耐熱性粘着シ
ート２１の部分が、耐熱性樹脂シート２’になる。そし
て、耐熱性粘着シート２２を半導体ウェハ１０の表面上
に接着し、エキシマレーザによりコンタクトホール２０
ｅを形成する（図７（ｄ）参照）。このコンタクトホー
ル２０ｅの形成は、ダイシングブレードを用いた切断に
より行うようにしてもよい。具体的には、ワイヤボンデ
ィングに支障を与えない程度のカット幅となるようなブ
レード幅で第２の耐熱性粘着シート２１をダイシングカ
ットする。
【００３４】この後は、第１実施形態と同様に、ダイシ
ングカットを行ってチップ化し、最終的に図１に示す半
導体加速度センサを完成させる。この第３実施形態のよ
うに貫通孔を用いることによって、耐熱性樹脂シートに
容易に凹部を形成することができる。なお、上記した第
１乃至第３実施形態においては、耐熱性樹脂シートに耐
熱性粘着剤が塗布された構成の耐熱性粘着シートを用い
て、耐熱性樹脂シートを半導体ウェハに接着するものを
示したが、スクリーン印刷等により耐熱性樹脂シートあ
るいは半導体ウェハ上に耐熱性粘着剤を塗布して両者を
接着するようにしてもよい。 （第４実施形態）図１に示す半導体加速度センサにおい
ては、センサチップ１を樹脂モールドしたものである
が、センサチップ１をセラミックパッケージ内に収納固
定して構成することもできる。
【００３５】図８に、その場合の半導体加速度センサの
断面構成を示す。耐熱性樹脂シート２によって梁構造体
１ａが保護されたセンサチップ１の部分の構成は、図１
に示すものと同じである。このセンサチップ１は、セラ
ミックのパッケージ本体部３０における凹部内に収納固
定されている。パッケージ本体部３０には、外部と電気
接続するための金属配線３１が内部を貫通して形成され
ており、金属配線３１とセンサチップ１におけるパッド
１ｂがワイヤ４によってボンディングされている。ま
た、セラミックの蓋部３２が、接着剤３３によってパッ
ケージ本体部３０に取り付けられており、このことによ
ってパッケージ内部が気密封止される。なお、センサチ
ップ１は、銀ペースト３４によってパッケージ本体部３
０内に固定されている。
【００３６】このようにセラミックパッケージされた構
成の半導体加速度センサにおいて、センサチップ１をパ
ッケージ本体部３０内に銀ペースト３４で固定するとき
に１５０℃程度の熱処理が必要であり、またワイヤ４に
よるボンディング時に１５０℃程度の熱処理が必要であ
り、さらにセラミック本体部３０に蓋部３２を接着剤３
３で固定するときに１８０℃程度の熱処理が必要である
が、この実施形態においても、ポリイミド基材２、シリ
コーン粘着剤３の耐熱温度が、上記した熱処理温度の最
高温度よりも高いため、ポリイミド基材２の形状を維持
したまま、半導体加速度センサを完成させることができ
る。
【００３７】なお、この実施形態においても、耐熱性樹
脂シートの製造方法およびその構成は、上記した第２、
第３実施形態のものを適用することができる。また、シ
リコーン接着剤としてシラノール基（Ｓｉ−ＯＨ）を有
する分子構造のものであれば、耐熱性を向上させること
ができる。そして、シリコーン粘着剤の代わりに、ポリ
イミド接着剤を使用してもよい。
【００３８】以下、第５ないし第８実施形態は、本発明
を半導体にて構成され表面及び裏面に露出した構造体を
有する半導体チップ（両面露出タイプ）を有する半導体
装置に適用したものである。 （第５実施形態）図９に、本発明の第５実施形態にかか
る半導体加速度センサの断面構成を示す。この半導体加
速度センサは、センサチップ１００が樹脂モールドされ
た構造になっている。なお、本実施形態及び以下の各実
施形態においては、上記第１〜第４実施形態と同一部分
には図中同一符号を付してある。
【００３９】センサチップ１００はＳＯＩ基板等からな
り、該基板に上記図１等に示した梁構造体１ａと同様の
構成を有する梁構造体１００ａがマイクロマシン技術や
ホトリソグラフ技術等を用いて形成されたものであっ
て、梁構造体１００ａはセンサチップ１００の表面（図
９中の上面）側及び裏面側（図９中の下面）側に露出し
ている。
【００４０】センサチップ１００の表面には、梁構造体
１００ａを保護するための表面保護キャップとして上記
図１等に示した耐熱性樹脂シート２が設けられている。
この耐熱性樹脂シート２は、上記図１等に示した耐熱性
粘着剤３によってセンサチップ１００の表面に接着され
ている。なお、本実施形態及び以下の各実施形態におい
ては、後述の第２の耐熱性樹脂シート１０２との区別の
ため、耐熱性樹脂シート２を第１の耐熱性樹脂シート２
ということとする。
【００４１】第１の耐熱性樹脂シート２には、センサチ
ップ１００の表面に形成されたパッド１００ｂを露出さ
せるための開口部としてコンタクトホール２０ａが形成
されおり、パッド１００ｂはワイヤ４によりリードフレ
ーム５とボンディングされている。なお、該パッド１０
０ｂは上記図１等に示すパッド１ｂと同様のものであ
る。
【００４２】また、センサチップ１００の裏面には、梁
構造体１００ａを保護するための裏面保護キャップとし
て第２の耐熱性樹脂シート１０２が設けられている。こ
の第２の耐熱性樹脂シート１０２は、加熱して軟化させ
ることで接着力を発揮するもので、センサチップ１００
の裏面に接着されている。第２の耐熱性樹脂シート１０
２は梁構造体１００ａを保護するようにセンサチップ１
００の裏面の略全域を覆っている。
【００４３】これら第１及び第２の耐熱性樹脂シート
２、１０２及び耐熱性接着剤３は、上記第１実施形態に
て述べた耐熱性樹脂シート及び耐熱性接着剤と同様の耐
熱性を有し、具体的には同じく上記ポリイミド基材、上
記シリコーン粘着剤あるいはポリイミド接着剤を採用で
きる。そして、センサチップ１００は、第２の耐熱性樹
脂シート１０２をリードフレーム５に接着することによ
って固定されており、全体が樹脂７でモールドされてい
る。
【００４４】ここで、第２の耐熱性樹脂シート１０２
は、加熱すれば軟化して接着剤となるポリイミドフィル
ム接着剤でもよい。次に、図９に示す加速度センサの製
造方法について説明する。図１０にその製造工程を示
す。本製造方法は、上記図２に示した第１実施形態の製
造方法に対して、両面露出タイプの半導体チップを用い
ること、及び、該チップの裏面側を覆う第２の耐熱性樹
脂シート１０２を設けることが主な相違点である。
【００４５】図１０（ａ）の工程では、表面及び裏面に
露出した梁構造体１００ａおよびアルミ（Ａｌ）のパッ
ド１００ｂが形成された半導体ウェハ１１０を用意す
る。図１１に、半導体ウェハ１１０の平面構成を示す。
図に示すように、各センサチップの位置に梁構造体１０
０ａが形成され、さらに耐熱性粘着シート２０との位置
合わせのためにＡｌによってアライメントキー１００ｃ
が形成されている。なお、この図１１には、パッド１０
０ｂが省略して図示されている。
【００４６】図１０（ｂ）の工程では、上記図２（ａ）
及び（ｂ）の工程により得られたポリイミド基材からな
る第１の耐熱性樹脂シート２上にシリコーン粘着剤から
なる耐熱性接着剤３を塗布した耐熱性粘着シート２０に
凹部２０ａとコンタクトホール２０ｂとアライメントキ
ー２０ｃとが形成されたものを、上記図２（ｃ）の工程
と同様の要領にて、半導体ウェハ１１０の表面上に貼り
合わせる。こうして、第１の耐熱性樹脂シート２が耐熱
性接着剤３を用いて半導体ウェハ１１０ａの表面に貼り
合わせられる。
【００４７】次に、図１０（ｃ）の工程では、半導体ウ
ェハ１１０の裏面を覆うだけの大きさを有するポリイミ
ド基材からなる第２の耐熱性樹脂シート１０２を加熱し
て軟化させ半導体ウェハ１１０の裏面に貼り付ける。こ
こで、ウェハ１１０の表面は耐熱性粘着シート２０によ
って梁構造体（センシング部）１００ａが保護されてい
るため、ウェハ１１０を裏返しにして容易に貼り付ける
ことができる。
【００４８】次に、図１０（ｄ）の工程では、第１およ
び第２の耐熱性樹脂シート２、１０２が貼り合わされた
半導体ウェハ１１０をダイシングカットしてチップ化す
る。この工程は上記図２（ｅ）の工程と同様の要領にて
行うことができる。図１２に、ダイシングブレード８を
用いてダイシングカットを行っている状態を示す。この
後、ダイシングカットによりチップ化されたセンサチッ
プ１００を、図９に示す様に、第２の耐熱性樹脂シート
１０２を加熱して軟化させリードフレーム５に接着固定
し、更に、ワイヤ４によりパッド１００ｂとリードフレ
ーム５とをボンディングした後、樹脂７でモールドして
半導体加速度センサを完成させる。
【００４９】上記した製造方法において、センサチップ
１００をリードフレーム５の上に固定するとき１８０℃
程度の熱処理が必要であり、またワイヤ４によるボンデ
ィング時に１５０℃程度の熱処理が必要であり、さらに
樹脂モールド時に１８０℃程度の熱処理が必要である
が、上記第１実施形態と同様、耐熱性粘着シート２０の
形状は維持したままであり、また、第２の耐熱性樹脂シ
ート１０２であるポリイミド基材の耐熱温度は４００℃
程度であるため、耐熱性樹脂シート１０２の形状も維持
したまま、半導体加速度センサを完成させることができ
る。
【００５０】また、本実施形態においては、センサチッ
プ１００の裏面側の構造体１００ａは第２の耐熱性樹脂
シート１０２によってリードフレーム５に接着されてい
るから、チップ１００をリードフレーム５にダイマウン
トする際に接着剤が不要であり、接着剤の這い上がりと
いう問題が無くなる。また、第２の耐熱性樹脂シート１
０２の介在によって、樹脂モールドの際に、樹脂７が、
チップ１００の裏面から梁構造体１００ａへ付着した
り、チップ１００の裏面の接着部分の隙間から侵入し梁
構造体１００ａへ這い上がるのを防止することができ
る。
【００５１】また、本実施形態では耐熱性樹脂シート
２、１０２としてポリイミド基材を用いており、ポリイ
ミド基材は透明性を有するので、各シート２、１０２を
透かして梁構造体１００ａの可動電極及び固定電極を確
認でき、シート即ち保護キャップをつけたままの状態で
目視検査が可能となる。 （第６実施形態）上記図９に示す半導体加速度センサの
別の製造方法を図１３に示す。本製造方法は、上記第２
実施形態に示した製造方法（図６参照）に対して、両面
露出タイプの半導体チップを用いること、及び、該チッ
プの裏面側を覆う第２の耐熱性樹脂シート１０２を設け
ることが主な相違点である。
【００５２】まず、図１３（ａ）の工程では、上記図６
（ａ）及び（ｂ）の工程により得られた凹部２０ａが形
成された耐熱性粘着シート２０を、半導体ウェハ１１０
の表面に貼り合わせる。要領は上記図６（ｃ）の工程と
同様である。次に、図１３（ｂ）の工程では、上記図６
（ｄ）と同様にして、ワイヤボンディングするためにパ
ッド１００ｂ上にコンタクトホール２０ｂを開ける。
【００５３】次に、図１３（ｃ）の工程では、上記第５
実施形態で述べた図１０（ｃ）の工程と同様にして、半
導体ウェハ１００の裏面に、第２の耐熱性樹脂シート１
０２を貼り付ける。この後は、第５実施形態と同様に、
ダイシングカットを行ってチップ化し、最終的に図９に
示す半導体加速度センサを完成させる。本実施形態にお
いても、上記第５実施形態と同様の効果を奏する。 （第７実施形態）図９に示す半導体加速度センサの上記
第５及び第６実施形態とは異なる製造方法を図１４に示
す。本製造方法は、上記第３実施形態に示した製造方法
（図７参照）に対して、両面露出タイプの半導体チップ
を用いること、及び、該チップの裏面側を覆う第２の耐
熱性樹脂シート１０２を設けることが主な相違点であ
る。
【００５４】まず、図１４（ａ）の工程では、上記図７
（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）の工程により得られた耐熱性
粘着シート２２を、半導体ウェハ１１０の表面に貼り合
わせる。要領は上記図７（ｄ）の工程と同様である。な
お、耐熱性粘着シート２２における耐熱性樹脂シート
２’は、本実施形態では第１の耐熱性樹脂シート２’に
相当する。
【００５５】次に図１４（ｂ）の工程では、上記第５実
施形態で述べた図１０（ｃ）の工程と同様にして、半導
体ウェハ１００の裏面に、第２の耐熱性樹脂シート１０
２を貼り付ける。この後は、第５実施形態と同様に、ダ
イシングカットを行ってチップ化し（図１４（ｃ）参
照）、最終的に図９に示す半導体加速度センサを完成さ
せる。本実施形態においても、上記第５実施形態と同様
の効果を奏する。 （第８実施形態）本実施形態は、図９に示す半導体加速
度センサにおけるセンサチップ１００を、樹脂モールド
ではなく、セラミックパッケージ内に収納固定して構成
したものであり、両面露出タイプのセンサチップ１００
を上記第４実施形態に適用した変形例である。図１５に
本実施形態の半導体加速度センサの断面構成を示す。
【００５６】第１及び第２の耐熱性樹脂シート２、１０
２によって梁構造体１００ａが保護されたセンサチップ
１００の部分の構成は、上記図９に示すものと同じであ
る。センサチップ１００は、パッケージ本体部３０にお
ける凹部内に収納され、該凹部の内壁面と第２の耐熱性
樹脂シート１０２とを接着することによって固定されて
いる。
【００５７】このようにセラミックパッケージされた構
成の半導体加速度センサにおいて、センサチップ１００
をパッケージ本体部３０内に固定するときに１８０℃程
度の熱処理が必要であり、またワイヤ４によるボンディ
ング時に１５０℃程度の熱処理が必要であり、さらにセ
ラミック本体部３０に蓋部３２を接着剤３３で固定する
ときに１８０℃程度の熱処理が必要であるが、この実施
形態においても、耐熱性樹脂シート２、１０２であるポ
リイミド基材、耐熱性接着剤３であるシリコーン粘着剤
の耐熱温度が、上記した熱処理温度の最高温度よりも高
いため、両耐熱性樹脂シート２、１０２の形状を維持し
たまま、半導体加速度センサを完成させることができ
る。
【００５８】そして、本実施形態においても、第２の耐
熱性樹脂シート１０２によって、接着剤の這い上がりと
いう問題は無くなる。なお、この実施形態においても、
耐熱性樹脂シートの製造方法およびその構成は、上記し
た第６、第７実施形態のものを適用することができる。
また、シリコーン接着剤としてシラノール基（Ｓｉ−Ｏ
Ｈ）を有する分子構造のものであれば、耐熱性を向上さ
せることができる。そして、シリコーン粘着剤の代わり
に、ポリイミド接着剤を使用してもよい。
【００５９】また、第２の耐熱性接着剤１０２は、耐熱
性接着剤３と同様の耐熱性接着剤によって半導体ウェハ
１１０の裏面に接着しても良い。また、第２の耐熱性樹
脂シート１０２とリードフレーム５及びパッケージ本体
部３０における凹部との接着も、耐熱性接着剤を介して
行っても良い。この場合、該耐熱性接着剤の這い上がり
は、第２の耐熱性樹脂シート１０２の介在によって、防
止することができる。
【００６０】さらに、本発明は、梁構造体などの可動部
を有するセンサ素子に限らず、エアーブリッジ配線構造
のように機械的強度が低い構造体を有する半導体素子に
対しても、同様に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態を示す半導体加速度セン
サの断面構成図である。
【図２】図１に示す半導体加速度センサの製造方法を示
す工程図である。
【図３】耐熱性粘着シート２０の平面構成を示す図であ
る。
【図４】半導体ウェハ１０の平面構成を示す図である。
【図５】ダイシングブレード８を用いてダイシングカッ
トを行っている状態を示す図である。
【図６】本発明の第２実施形態にかかる半導体加速度セ
ンサの製造方法を示す工程図である。
【図７】本発明の第３実施形態にかかる半導体加速度セ
ンサの製造方法を示す工程図である。
【図８】本発明の第４実施形態を示す半導体加速度セン
サの断面構成図である。
【図９】本発明の第５実施形態を示す半導体加速度セン
サの断面構成図である。
【図１０】図９に示す半導体加速度センサの製造方法を
示す工程図である。
【図１１】半導体ウェハ１１０の平面構成を示す図であ
る。
【図１２】第１および第２の耐熱性樹脂シート２、１０
２が貼り合わされた半導体ウェハ１１０をダイシングブ
レード８を用いてカットしている状態を示す図である。
【図１３】本発明の第６実施形態にかかる半導体加速度
センサの製造方法を示す工程図である。
【図１４】本発明の第７実施形態にかかる半導体加速度
センサの製造方法を示す工程図である。
【図１５】本発明の第８実施形態を示す半導体加速度セ
ンサの断面構成図である。
【符号の説明】
１、１００…センサチップ、１ａ、１００ａ…梁構造
体、２…耐熱性樹脂シート、３…耐熱性粘着剤、４…ワ
イヤ、５…リードフレーム、６…銀ペースト、７…樹
脂、２０…耐熱性粘着シート、２０ａ…凹部、２０ｂ、
１００ｂ…コンタクトホール、３０…パッケージ本体
部、３１…金属配線、３２…蓋部、３３…接着剤、１０
２…第２の耐熱性樹脂シート、１１０…半導体ウェハ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渥美 欣也 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内 (72)発明者 酒井 峰一 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内 (72)発明者 下山 泰樹 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内 (72)発明者 藤井 哲夫 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体にて構成された構造体（１ａ）を
    有し、表面に外部と電気接続するためのパッド（１ｂ）
    が形成された半導体チップ（１）と、 前記パッド（１ｂ）を露出させるための開口部（２０
    ｂ、２０ｅ）を有し、前記構造体（１ａ）を覆うように
    前記半導体チップの上に耐熱性接着剤（３）によって接
    着された耐熱性樹脂シート（２、２’）とを備え、 前記開口部（２０ｂ、２０ｅ）によって露出されている
    前記パッド（１ｂ）が、ワイヤ（４）によってボンディ
    ングされており、 前記耐熱性樹脂シート（２、２’）および前記耐熱性接
    着剤（３）が、前記ボンディングを行うときの熱処理温
    度以上の耐熱性を有していることを特徴とする半導体装
    置。
  2. 【請求項２】 保護キャップが形成された半導体チップ
    （１）を樹脂モールドしてなる半導体装置であって、 前記保護キャップが耐熱性樹脂シート（２、２’）によ
    って構成され、前記耐熱性樹脂シート（２、２’）が耐
    熱性接着剤（３）によって前記半導体チップ（１）の上
    に接着されており、 前記耐熱性樹脂シート（２、２’）および前記耐熱性接
    着剤（３）が、前記半導体チップ（１）を樹脂モールド
    するときに必要とされる熱処理温度以上の耐熱性を有し
    ていることを特徴とする半導体装置。
  3. 【請求項３】 半導体にて構成された構造体（１ａ）を
    有し、表面に外部と電気接続するためのパッド（１ｂ）
    が形成された半導体チップ（１）と、 前記パッド（１ｂ）を露出させるための開口部（２０
    ｂ、２０ｅ）を有し、前記構造体（１ａ）を覆うように
    前記半導体チップ（１）の上に耐熱性接着剤（３）によ
    って接着された耐熱性樹脂シート（２、２’）と、 前記半導体チップ（１）を固定するリードフレーム
    （５）と、 前記開口部（２０ｂ、２０ｅ）によって露出されている
    前記パッド（１ｂ）と前記リードフレーム（５）とをボ
    ンディングするワイヤ（４）とを備え、 樹脂（７）によってモールドされてなる半導体装置であ
    って、 前記耐熱性樹脂シート（２、２’）および前記耐熱性接
    着剤（３）が、前記ボンディングを行うときの熱処理温
    度、前記半導体チップ（１）を前記リードフレーム
    （５）に固定するときの熱処理温度、および前記樹脂モ
    ールドを行うときの熱処理温度のうち最も高い温度以上
    の耐熱性を有していることを特徴とする半導体装置。
  4. 【請求項４】 保護キャップが形成された半導体チップ
    （１）をパッケージ（３０〜３３）内に収納してなる半
    導体装置であって、 前記保護キャップが耐熱性樹脂シート（２、２’）によ
    って構成され、前記耐熱性樹脂シート（２、２’）が耐
    熱性接着剤（３）によって前記半導体チップ（１）の上
    に接着されており、 前記耐熱性樹脂シート（２、２’）および前記耐熱性接
    着剤（３）が、前記半導体チップ（１）を前記パッケー
    ジ（３０〜３３）内へ収納するときに必要とされる熱処
    理温度以上の耐熱性を有していることを特徴とする半導
    体装置。
  5. 【請求項５】 半導体にて構成された構造体（１ａ）を
    有し、表面に外部と電気接続するためのパッド（１ｂ）
    が形成された半導体チップ（１）と、 前記パッド（１ｂ）を露出させるための開口部（２０
    ｂ、２０ｅ）を有し、前記構造体（１ａ）を覆うように
    前記半導体チップ（１）の上に耐熱性接着剤（３）によ
    って接着された耐熱性樹脂シート（２、２’）と、 前記半導体チップ（１）を収納固定し、外部と電気接続
    するための電気的接続手段（３１）を有するパッケージ
    本体部（３０）と、 前記開口部（２０ｂ、２０ｅ）によって露出されている
    前記パッド（１ｂ）と前記電気的接続手段（３１）とを
    ボンディングするワイヤ（４）と、 前記パッケージ本体部（３０）に接着固定される蓋部
    （３２）とを備えてなる半導体装置であって、 前記耐熱性樹脂シート（２、２’）および前記耐熱性接
    着剤（３）が、前記ボンディングを行うときの熱処理温
    度、前記半導体チップ（１）を前記パッケージ本体部
    （３０）に収納固定するときの熱処理温度、および前記
    蓋部（３２）を前記パッケージ本体部（３０）に接着固
    定するときの熱処理温度のうち最も高い温度以上の耐熱
    性を有していることを特徴とする半導体装置。
  6. 【請求項６】 前記耐熱性樹脂シート（２、２’）が、
    ポリイミド基材を用いて構成されていることを特徴とす
    る請求項１乃至５のいずれか１つに記載の半導体装置。
  7. 【請求項７】 前記耐熱性粘着剤（３）としてシリコー
    ン粘着剤が用いられていることを特徴とする請求項１乃
    至６のいずれか１つに記載の半導体装置。
  8. 【請求項８】 半導体にて構成された構造体（１ａ）を
    有し、表面に外部と電気接続するためのパッド（１ｂ）
    が形成された半導体ウェハ（１０）を用意する工程と、 前記構造体（１ａ）を覆うための凹部（２０ａ、２０
    ｃ）を有する耐熱性樹脂シート（２、２’）を、耐熱性
    粘着剤（３）を用いて前記半導体ウェハ（１０）の上に
    貼り合わせる工程と、 前記耐熱性樹脂シート（２、２’）に前記パッド（１
    ｂ）を露出させるための開口部（２０ｂ、２０ｄ）を形
    成する工程と、 前記耐熱性樹脂シート（２、２’）が貼り合わされた前
    記半導体ウェハ（１０）をダイシングカットしてチップ
    化する工程と、 前記ダイシングカットにより得られた半導体チップ
    （１）において前記耐熱性樹脂シート（２、２’）の前
    記開口部（２０ｂ、２０ｅ）によって露出されている前
    記パッド（１ｂ）をワイヤ（４）にてボンディングする
    工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方
    法。
  9. 【請求項９】 半導体にて構成された構造体（１ａ）を
    有する半導体ウェハ（１０）を用意する工程と、 前記構造体（１ａ）を覆うための凹部（２０ａ、２０
    ｃ）を有する耐熱性樹脂シート（２、２’）を、耐熱性
    粘着剤（３）を用いて前記半導体ウェハ（１０）の上に
    貼り合わせる工程と、 前記耐熱性樹脂シート（２、２’）が貼り合わされた前
    記半導体ウェハ（１０）をダイシングカットしてチップ
    化する工程と、 前記ダイシングカットにより得られた半導体チップ
    （１）を前記耐熱性樹脂シート（２、２’）を残したま
    ま樹脂モールドする工程とを有することを特徴とする半
    導体装置の製造方法。
  10. 【請求項１０】 半導体にて構成された構造体（１ａ）
    を有する半導体ウェハ（１０）を用意する工程と、 前記構造体（１ａ）を覆うための凹部（２０ａ、２０
    ｃ）を有する耐熱性樹脂シート（２、２’）を、耐熱性
    粘着剤（３）を用いて前記半導体ウェハ（１０）の上に
    貼り合わせる工程と、 前記耐熱性樹脂シート（２、２’）が貼り合わされた前
    記半導体ウェハ（１０）をダイシングカットしてチップ
    化する工程と、 前記ダイシングカットにより得られた半導体チップ
    （１）を前記耐熱性シート（２、２’）を残したままパ
    ッケージ（３０〜３３）内に収納固定する工程とを有す
    ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  11. 【請求項１１】 半導体にて構成され表面及び裏面に露
    出した構造体（１００ａ）を有し、表面に外部と電気接
    続するためのパッド（１００ｂ）が形成された半導体チ
    ップ（１００）と、 前記パッドを露出させるための開口部（２０ｂ、２０
    ｅ）を有し、前記構造体を覆うように前記半導体チップ
    の表面に耐熱性接着剤（３）によって接着された第１の
    耐熱性樹脂シート（２、２’）と、 前記構造体を覆うように前記半導体チップの裏面に接着
    された第２の耐熱性樹脂シート（１０２）と、 前記半導体チップを固定するリードフレーム（５）とを
    備え、 前記半導体チップは、前記第２の耐熱性樹脂シートを前
    記リードフレームに接着することによって固定されてお
    り、 前記開口部によって露出されている前記パッドと前記リ
    ードフレームとが、ワイヤ（４）によってボンディング
    されており、 前記第１及び第２の耐熱性樹脂シート及び前記耐熱性接
    着剤は、前記ボンディングを行うときの熱処理温度およ
    び前記半導体チップを前記リードフレームに固定すると
    きの熱処理温度のうち最も高い温度以上の耐熱性を有し
    ていることを特徴とする半導体装置。
  12. 【請求項１２】 半導体にて構成され表面及び裏面に露
    出した構造体（１００ａ）を有する半導体チップ（１０
    ０）と、 前記構造体を覆うように前記半導体チップの表面に耐熱
    性接着剤（３）によって接着された第１の耐熱性樹脂シ
    ート（２、２’）と、 前記構造体を覆うように前記半導体チップの裏面に接着
    された第２の耐熱性樹脂シート（１０２）とを備え、 前記半導体チップと前記第１及び第２の耐熱性樹脂シー
    トとは樹脂（７）でモールドされており、 前記第１及び第２の耐熱性樹脂シート及び前記耐熱性接
    着剤は、前記樹脂のモールドを行うときに必要とされる
    熱処理温度以上の耐熱性を有していることを特徴とする
    半導体装置。
  13. 【請求項１３】 半導体にて構成され表面及び裏面に露
    出した構造体（１００ａ）を有する半導体チップ（１０
    ０）と、 前記構造体を覆うように前記半導体チップの表面に耐熱
    性接着剤（３）によって接着された第１の耐熱性樹脂シ
    ート（２、２’）と、 前記構造体を覆うように前記半導体チップの裏面に接着
    された第２の耐熱性樹脂シート（１０２）と、 前記半導体チップを収納するパッケージ（３０〜３３）
    とを備え、 前記半導体チップは、前記第２の耐熱性樹脂シートを前
    記パッケージに接着することによって前記パッケージの
    内部に固定されており、 前記第１及び第２の耐熱性樹脂シート及び前記耐熱性接
    着剤は、前記半導体チップを前記パッケージに固定する
    ときの熱処理温度以上の耐熱性を有していることを特徴
    とする半導体装置。
  14. 【請求項１４】 前記第１及び第２の耐熱性樹脂シート
    （２、２’、１０２）のいずれか一方が、透明材料より
    なることを特徴とする請求項１１ないし１３のいずれか
    １つに記載の半導体装置。
  15. 【請求項１５】 前記第１及び第２の耐熱性樹脂シート
    （２、２’、１０２）が、ポリイミド基材を用いて構成
    されていることを特徴とする請求項１１ないし１４のい
    ずれか１つに記載の半導体装置。
  16. 【請求項１６】 前記第２の耐熱性樹脂シート（１０
    ２）は、耐熱性接着剤（１０３）によって前記半導体チ
    ップ（１００）の裏面に接着されていることを特徴とす
    る請求項１１ないし１５のいずれか１つに記載の半導体
    装置。
  17. 【請求項１７】 前記耐熱性粘着剤（３、１０３）とし
    てシリコーン粘着剤が用いられていることを特徴とする
    請求項１１ないし１６のいずれか１つに記載の半導体装
    置。
  18. 【請求項１８】 半導体にて構成され表面及び裏面に露
    出した構造体（１００ａ）を有し、表面に外部と電気接
    続するためのパッド（１００ｂ）が形成された半導体ウ
    ェハ（１１０）を用意する工程と、 前記構造体を覆うための凹部（２０ａ、２０ｃ）を有す
    る第１の耐熱性樹脂シート（２、２’）を、耐熱性接着
    剤（３）を用いて前記半導体ウェハの表面に貼り合わせ
    る工程と、 前記第１の耐熱性樹脂シートに前記パッドを露出させる
    ための開口部（２０ｂ、２０ｄ）を形成する工程と、 前記構造体の裏面を覆うための第２の耐熱性樹脂シート
    （１０２）を、前記半導体ウェハの裏面に貼り合わせる
    工程と、 前記第１および第２の耐熱性樹脂シートが貼り合わされ
    た前記半導体ウェハをダイシングカットしてチップ化す
    る工程と、 前記ダイシングカットにより得られた半導体チップを、
    前記第２の耐熱性樹脂シートを前記リードフレームに接
    着することによって固定する工程と、 前記リードフレームに固定された半導体チップにおいて
    前記第１の耐熱性樹脂シートの前記開口部によって露出
    されている前記パッドと、前記リードフレームとをワイ
    ヤにてボンディングする工程とを有することを特徴とす
    る半導体装置の製造方法。
  19. 【請求項１９】 半導体にて構成され表面及び裏面に露
    出した構造体（１００ａ）を有する半導体ウェハ（１１
    ０）を用意する工程と、 前記構造体を覆うための凹部（２０ａ、２０ｃ）を有す
    る第１の耐熱性樹脂シート（２、２’）を、耐熱性接着
    剤（３）を用いて前記半導体ウェハの表面に貼り合わせ
    る工程と、 前記構造体の裏面を覆うための第２の耐熱性樹脂シート
    （１０２）を、前記半導体ウェハの裏面に貼り合わせる
    工程と、 前記第１および第２の耐熱性樹脂シートが貼り合わされ
    た前記半導体ウェハをダイシングカットしてチップ化す
    る工程と、 前記ダイシングカットにより得られた半導体チップを、
    前記第１及び第２の耐熱性樹脂シートを残したまま樹脂
    モールドする工程とを有することを特徴とする半導体装
    置の製造方法。
  20. 【請求項２０】 半導体にて構成され表面及び裏面に露
    出した構造体（１００ａ）を有する半導体ウェハ（１１
    ０）を用意する工程と、 前記構造体を覆うための凹部（２０ａ、２０ｃ）を有す
    る第１の耐熱性樹脂シート（２、２’）を、耐熱性接着
    剤（３）を用いて前記半導体ウェハの表面に貼り合わせ
    る工程と、 前記構造体の裏面を覆うための第２の耐熱性樹脂シート
    （１０２）を、前記半導体ウェハの裏面に貼り合わせる
    工程と、 前記第１および第２の耐熱性樹脂シートが貼り合わされ
    た前記半導体ウェハをダイシングカットしてチップ化す
    る工程と、 前記ダイシングカットにより得られた半導体チップを、
    前記第１及び第２の耐熱性樹脂シートを残したままパッ
    ケージ（３０〜３３）内に収納するとともに、前記第２
    の耐熱性樹脂シートを前記パッケージに接着することに
    よって前記パッケージに固定する工程とを有することを
    特徴とする半導体装置の製造方法。
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