JP2006041201A - 封止型電子部品及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 接着剤を特に限定することなく、デバイスと保護部材とを確実に接着し信頼性の高い封止性をもつ封止型電子部品を提供する
【解決手段】 基板5と、基板5上に形成もしくは搭載されたデバイス1と、デバイス1を覆いそれを保護する透明な保護部材2とを有し、デバイス1と保護部材2との間をその周辺部において光硬化型材料3を用いて密封して、保護部材2上から光(紫外線)をあて光硬化型材料3を光硬化させ、さらにこの硬化した光硬化型材料3を覆うとともに保護部材2を基板5に固着するように熱硬化型材料4を塗布し、これを熱硬化させて封止型電子部品型を形成したことを特徴とする。
【選択図】図1
【解決手段】 基板5と、基板5上に形成もしくは搭載されたデバイス1と、デバイス1を覆いそれを保護する透明な保護部材2とを有し、デバイス1と保護部材2との間をその周辺部において光硬化型材料3を用いて密封して、保護部材2上から光(紫外線)をあて光硬化型材料3を光硬化させ、さらにこの硬化した光硬化型材料3を覆うとともに保護部材2を基板5に固着するように熱硬化型材料4を塗布し、これを熱硬化させて封止型電子部品型を形成したことを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、デバイスが封止された封止型電子部品に関するものである。
従来から図8に示すように、電子回路を形成した半導体素子や、半導体微小構造/微小電気機械システム(MEMS:マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム)などのデバイス本体6を有するデバイス(半導体チップ)1を、保護キャップ(保護部材)15によって密封した封止型電子部品が用いられている。図8はその封止型電子部品の断面図を示すもので、基板5上に搭載されたデバイス1を取り囲むように基板5との間で気密封止する保護キャップ15が設けられている。
ここで、基板5と保護キャップ15との接合部には、接着剤14が塗布されている。この接着剤14は熱硬化型接着剤であり、保護キャップ15を基板5上の所定の位置に設置した後、熱処理炉で過熱し、接着剤14を熱硬化させることで基板5と保護キャップ15とを接着するとともに、基板5と保護キャップ15との間の空間を封止していた。
しかし、この方法では、熱処理で保護キャップ15内部(つまり基板5と保護キャップ15との間の空間)の空気が膨張し、内圧が上昇することによって、接着剤14に対して圧力が加わり、接着剤14の一部に貫通ピンホールが発生し封止不良になることがあった。
この問題を解決するため、特開昭56−116649号公報や特開昭63−122249号公報には、加熱硬化の必要のない紫外線硬化型接着剤を用いることが提案されている。この方法では基板(5)上に紫外線硬化型接着剤をディスペンサ等を用いて塗布し、これに保護キャップ(15)を搭載して常温で紫外線を照射し紫外線硬化型接着剤を硬化させることによって、封止を行っている。
また、特開平10−270585号公報には、図9に示すように、保護キャップ15の内部及び外部に露出した接着剤16、17を異なる硬化手段で硬化させるものが提案されている。
特開昭56−116619号公報
特開昭63−122249号公報
特開平10−270585号公報
しかしながら、上述した図8に示した従来技術では接着剤14の硬化に紫外線を用いるので、保護キャップ内15内の空気の膨張がなく、信頼性の高い封止性が得られるが、硬化できるのは保護キャップ15の外部に露出した接着剤14だけであり、保護キャップ15内に露出した接着剤14を硬化させることができない。このためこの未硬化の接着剤14が、様々な使用環境によりデバイス本体6に到達もしくは侵入し、悪影響を及ぼす恐れがある。
また、図9に示した従来技術では保護キャップ15の内部及び外部に露出した接着剤16,17を異なる硬化手段で硬化させているので、未硬化の接着剤が残留することはないが、使用する接着剤16,17の種類が限定される。
本発明は、上記従来技術に鑑みて発明されたものであり、接着剤を特に限定することなく、デバイスと保護キャップ(保護部材)とを確実に接着し信頼性の高い封止性(気密性)をもつ封止型電子部品及びその製造方法を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明は、基板と、該基板上に形成もしくは搭載されたデバイスと、該デバイスを覆い保護する透明な保護部材と、前記デバイスと前記保護部材との間をそれら周辺部で密封する光硬化型材料と、該光硬化型材料を覆うとともに保護部材を前記基板に固着する熱硬化型材料を有することを特徴とする。
本発明の封止型電子部品においては、透明(光透過)の保護部材を用いることにより光硬化型接着剤の内部及び外部を、光(紫外線)により硬化させて、その硬化した光硬化型接着剤の外部周辺を熱硬化型材料で硬化させているので、ピンホールを発生させず気密性の高い封止を行うことができる。
本発明の実施の形態を図1乃至図7に基づいて説明する。
図1は、本発明の封止型電子部品の実施形態の断面図、図2乃至図7は、基本構造は図1の実施形態と同様で、保護部材2の周辺もしくはデバイス1の周辺の構造に変化をもたせた実施形態を示す。
先ず図1について説明する。図1は、基板5と、基板5上に形成または搭載されたデバイス1と、デバイス1(デバイス本体6)を囲いそれを保護する保護部材2とを有する封止型電子部品の断面を示している。ここで、保護部材2は光を透過する部材であり、透明もしくは紫外線を透過する材料である。そして、保護部材2とデバイス1とはそれら周辺部が光硬化型接着剤3により接着され、保護部材2とデバイス1との間の空間つまりデバイス本体6の周辺の空間は気密封止されている。そしてさらに、光硬化型接着剤3を覆うように、かつ、デバイス1及び保護部材2の両者を覆うように熱硬化型材料4が設けられて、基板5にデバイス1及び保護部材2の周辺が固定されている。
ここで、基板5の材料としてはセラミック、金属、プラスチックなどが考えられ、デバイス本体6の種類については、電子回路や、加速度センサやジャイロセンサ、MEMS、また微小駆動機構(MEMSアクチュエータ)によってミラー(反射板)を光経路に出し入れして光の方向を切り替える光スイッチなどなどが考えられる。また、保護部材2としてはガラスや紫外線透過材料が考えられる。
この実施形態の封止型電子部品は次の手順によって形成される。デバイス1において、そのデバイス本体6周辺に光硬化型材料3を塗布し、その上に保護材料2を搭載する。次に、保護材料2の上面から光硬化型材料3に光を照射して光硬化型材料3を硬化させる。ここでは、封止材料2が光を透過するものであるので、封止材料2の内部外部に関係なく光硬化型材料3全体が硬化される。つまり未硬化部が残ることを防ぐことができる。また、熱硬化ではなく光硬化であるので熱膨張による貫通ピンホールの発生もない。尚、ここで、光硬化型材料2が紫外線により硬化するものであれば紫外光を照射する。
次に、光硬化型接着剤3を覆うように、かつ、デバイス1及び保護部材2の両者を覆うようにかつ基板5に接着するように熱硬化型材料4を塗布し、その後、熱を加えて熱硬化型材料4を硬化させる。ここで、前の工程で光硬化型接着剤3を硬化させデバイス1及び保護部材2の間を気密封止しているので、熱硬化型材料4を熱硬化させる際に熱膨張により貫通ピンホールを発生させることがない。
さらに、デバイス1と保護部材2の外周を、光硬化型接着剤3と、それを覆うように熱硬化型接着剤4で固着しているので、気密性及び信頼性の高い封止が行える。
このような構造または製造方法により、先にデバイス1と封止材料2との間を、封止材料2が光透過性を利用して光硬化型接着剤3の内部及び外部を光(紫外線)により硬化させて気密封止し、その後その硬化した光硬化型接着剤3の外部周辺を熱硬化型材料4で覆い硬化させているので、光硬化型接着剤の未硬化部が残ることなく、かつ、熱膨張による貫通ピンホールを発生させず気密性及び信頼性の高い封止を行うことができるという効果を奏する。
図2は、デバイス1と封止材料2との間の光硬化型接着剤3の塗布部位にスペーサ7を設けたものである。光硬化型接着剤3の塗布量が過剰となった場合、これに保護部材2を搭載すると内部つまりデバイス本体6へ侵入する恐れがあるが、このようにスペーサ7を設けることで、その侵入を低減することができる。特にこの構造は、デバイス1上にワイヤボンディングなどの高さのある構造を有するものに有効である。
図3は保護部材2の外周に段差(枠)を設けたものであり、図4はデバイス1においてデバイス本体6の周囲に段差(枠)を設けたものである。このように保護部材2もしくはデバイス1に段差を設けると、光硬化型接着剤3の塗布量が過剰の状態で保護部材2を搭載しても、段差の箇所でギャップが拡がることことによって光硬化型接着剤3の内部への侵入を抑えることができる。尚、図3及び図4では段差を保護部材2、デバイス1の一方に設けているが、双方に設けてもよい。
図5は、保護部材2とデバイス1周辺の双方に凹凸構造を設けたものである。これにより光硬化型接着剤3の塗布量が過剰の状態で保護部材2を搭載しても、光硬化型接着剤3が凹部に侵入して、光硬化型接着剤3の内部への侵入を抑えることができるとともに、接着強度を上げることができる。尚、ここでは、保護部材2とデバイス1の双方に凹凸構造を設けているが、何れか一方でもよい。
図6は、デバイス1においてデバイス本体6周辺に溝部12を設けたものである。これにより、光硬化型接着剤3の塗布量が過剰の状態で保護部材2を搭載しても、光硬化型接着剤3が溝部12の側面もしくは底部で留めて、光硬化型接着剤3の内部への侵入を抑えることができる。さらに図7に示すように壁13を設ければ、より光硬化型接着剤3の内部への侵入を抑えることができる。
尚、上述の実施形態では、基板5にデバイス1が搭載されたものを記載したが、デバイス1自体が基板であってもよい。
1 デバイス
2 保護部材
3 光硬化型接着剤
4 熱硬化型接着剤
5 基板
6 デバイス本体(回路構成部もしくは半導体構造部)
7 スペーサ
8 段差
9 段差
10 凹凸
11 凹凸
12 溝部
13 壁
14 接着剤
15 保護キャップ(保護部材)
16 接着剤(保護キャップ内側)
17 接着剤(保護キャップ外側)
2 保護部材
3 光硬化型接着剤
4 熱硬化型接着剤
5 基板
6 デバイス本体(回路構成部もしくは半導体構造部)
7 スペーサ
8 段差
9 段差
10 凹凸
11 凹凸
12 溝部
13 壁
14 接着剤
15 保護キャップ(保護部材)
16 接着剤(保護キャップ内側)
17 接着剤(保護キャップ外側)
Claims (6)
- 基板と、該基板上に形成もしくは搭載されたデバイスと、該デバイスを覆い保護する透明な保護部材と、前記デバイスと前記保護部材との間をそれら周辺部で密封する光硬化型材料と、該光硬化型材料を覆うとともに保護部材を前記基板に固着する熱硬化型材料を有することを特徴とする封止型電子部品。
- 前記光硬化型材料の部位に前記デバイスと前記保護部材の隙間を保持するスペーサを設けたことを特徴とする請求項1記載の封止型電子部品。
- 前記デバイスと前記保護部材とが互いに対面する面の少なくとも一方の面の周辺に凹凸を設けたことを特徴とする請求項1記載の封止型電子部品。
- 前記デバイスの主表面において、該デバイスの周辺に段差または溝または壁を設けたことを特徴とする請求項1記載の封止型電子部品。
- 前記保護部材の前記デバイスの対面において、該保護部材の周辺に段差を設けたことを特徴とする請求項1記載の封止型電子部品。
- 基板に形成または搭載されたデバイスの周辺に光硬化型接着剤を塗布し前記デバイスを覆うようにかつ前記デバイスとの間の空間を密封するように透明な保護部材を設ける工程と、その後、前記保護部材の上面から光を照射して前記光硬化型接着剤を硬化させる工程と、その後、前記保護部材と前記光硬化型接着剤を覆うように前記基板に固着させる熱硬化型接着剤を塗布する工程と、その後、熱を加えて前記熱硬化型接着剤を硬化させる工程とを有することを特徴とする封止型電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004219433A JP2006041201A (ja) | 2004-07-27 | 2004-07-27 | 封止型電子部品及びその製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007281042A (ja) * | 2006-04-04 | 2007-10-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気密パッケ−ジおよび気密パッケージの製造方法 |
JP2008028319A (ja) * | 2006-07-25 | 2008-02-07 | Denso Corp | 可動するセンサ構造体を有する半導体センサ装置 |
JP2012029083A (ja) * | 2010-07-23 | 2012-02-09 | Nec Corp | 電気音響変換器 |
JP2013247359A (ja) * | 2012-05-23 | 2013-12-09 | Freescale Semiconductor Inc | キャビティ型半導体パッケージおよびそのパッケージング方法 |
JPWO2021070442A1 (ja) * | 2019-10-11 | 2021-04-15 |
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2004
- 2004-07-27 JP JP2004219433A patent/JP2006041201A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007281042A (ja) * | 2006-04-04 | 2007-10-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気密パッケ−ジおよび気密パッケージの製造方法 |
JP2008028319A (ja) * | 2006-07-25 | 2008-02-07 | Denso Corp | 可動するセンサ構造体を有する半導体センサ装置 |
JP4702210B2 (ja) * | 2006-07-25 | 2011-06-15 | 株式会社デンソー | 可動するセンサ構造体を有する半導体センサ装置の製造方法 |
JP2012029083A (ja) * | 2010-07-23 | 2012-02-09 | Nec Corp | 電気音響変換器 |
JP2013247359A (ja) * | 2012-05-23 | 2013-12-09 | Freescale Semiconductor Inc | キャビティ型半導体パッケージおよびそのパッケージング方法 |
JPWO2021070442A1 (ja) * | 2019-10-11 | 2021-04-15 | ||
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