TWI605010B - 微機電系統封裝結構及其製作方法 - Google Patents

Description

微機電系統封裝結構及其製作方法

本發明是有關於一種封裝結構及其製作方法，且特別是有關於一種微機電系統封裝結構（Microelectromechanical System, MEMS）及其製作方法。

微機電系統（Microelectromechanical System, MEMS）是於微型化的封裝結構中所製作的微機電元件，且其相關的製造技術相當類似於製作積體電路（Integrated Circuits, ICs）的技術。然而，微機電元件與其周遭環境互動的方式則多於傳統的積體電路，例如力學、光學或磁力上的互動。

微機電系統裝置可以包括微小化的電機構件（例如是開關、反射鏡、電容器、加速器、感應器、電容感應器或致動器等），且微機電系統裝置可以以單塊（Single Block）的方式整合於積體電路中，從而顯著地改進插入損耗（Insertion Loss）或整體固態元件的電隔離效應（Electrical Isolation Effect）。然而，在巨觀世界的整體封裝結構下，微機電系統裝置是極為脆弱且有可能被在任意時刻下輕微的靜電或表面張力導致損害。因此，為了避免微機電系統裝置受到污染或破壞，現今以單塊的方式整合於積體電路中的微機電系統裝置藉由膠體密封基底與蓋體之間的空間。然而，膠體在高溫或高濕度環境下有可能裂開且易產生除氣現象（Outgassing Phenomena），使得在高溫或高濕度環境下使用一段時間後，濕氣有可能浸入基底與蓋體之間的空間，因而影響微機電系統裝置的正常操作。

本發明提供一種微機電系統封裝結構，其具有良好的濕氣阻隔特性。

本發明提供一種製作上述所提到的微機電系統封裝結構的製作方法。

本發明提供一種微機電系統（Microelectromechanical System, MEMS）封裝結構，包括基底、微機電系統裝置、第一蓋體、第二蓋體以及玻璃料。基底包括凹槽。微機電系統裝置配置於凹槽內。第一蓋體配置於凹槽內且覆蓋微機電系統裝置。第二蓋體配置於基底上且覆蓋凹槽。玻璃料配置於基底與第二蓋體之間以密封凹槽。

在本發明的一實施例中，上述的基底、玻璃料以及第二蓋體的熱膨脹係數實質上相似。

本發明提供一種微機電系統（Microelectromechanical System, MEMS）封裝結構，包括基底、微機電系統裝置、第一蓋體、第二蓋體、第一金屬框以及第一密封介質。基底包括凹槽。微機電系統裝置配置於凹槽內。第一蓋體配置於凹槽內且覆蓋微機電系統裝置。第一金屬框配置於第二蓋體的周圍且第二蓋體與第一金屬框共同配置於基底上且覆蓋凹槽。第一密封介質配置於第一金屬框與基底之間。

在本發明的一實施例中，上述的第一金屬框直接固定於第二蓋體。

在本發明的一實施例中，上述的第一金屬框藉由玻璃料固定於第二蓋體。

在本發明的一實施例中，上述的第一金屬框、玻璃料以及第二蓋體的熱膨脹係數實質上相似。

在本發明的一實施例中，上述的微機電系統封裝結構更包括第二金屬框與第二密封介質。第二金屬框配置於第一金屬框與第一密封介質之間。第二密封介質配置於第一金屬框與第二金屬框之間。

本發明提供一種製作微機電系統（Microelectromechanical System, MEMS）封裝結構的製作方法包括：提供基底，其中基體包括凹槽。配置被第一蓋體覆蓋的微機電系統裝置於凹槽內。配置玻璃料於第二蓋體上或基底上。配置第二蓋體於基底上，其中第二蓋體覆蓋凹槽且玻璃料配置於基底與第二蓋體之間。熔化玻璃料以密封凹槽。

在本發明的一實施例中，上述熔化步驟之前更包括：加熱玻璃料至小於玻璃料的熔點溫度的中介溫度。

在本發明的一實施例中，上述的第一金屬框、玻璃料以及第二蓋體的熱膨脹係數實質上相似。

本發明提供一種製作微機電系統（Microelectromechanical System, MEMS）封裝結構的製作方法包括：提供基底，其中基體包括凹槽。配置被第一蓋體覆蓋的微機電系統裝置於凹槽內。提供第二蓋體且配置第一金屬框於第二蓋體的周圍。配置第一密封介質於基底上或第一金屬框。共同配置第二蓋體與第一金屬框於基底上，其中第二蓋體與第一金屬框覆蓋凹槽，且第一密封介質配置於第一金屬框與基底之間。加熱第一密封介質以密封第一金屬框與基底。

在本發明的一實施例中，上述在配置第一金屬框於第二蓋體的周圍的步驟中，更包括：加熱至第二蓋體的一軟化溫度使第二蓋體固定於第一金屬框。拋光第二蓋體。

在本發明的一實施例中，上述的加熱至第二蓋體的一軟化溫度的步驟前，更包括：對第一金屬框進行高溫氧化製程。

在本發明的一實施例中，上述的配置第一金屬框於第二蓋體的周圍的步驟中，更包括：配置玻璃料於第一金屬框與第二蓋體之間。熔化玻璃料以使第一金屬框固定於第二蓋體。

在本發明的一實施例中，上述的第一金屬框、玻璃料以及第二蓋體的熱膨脹係數實質上相似。

在本發明的一實施例中，上述的微機電系統封裝結構的製造方法更包括：配置第二金屬框於第一密封介質上。配置第二密封介質於第二金屬框上，其中第二密封介質配置於第一金屬框與第二金屬框之間。加熱第二密封介質以密封第一金屬框與第二金屬框。

基於上述，本發明之實施例的微機電系統封裝結構利用第一蓋體覆蓋微機電系統裝置以避免微機電系統裝置受到污染且對微機電系統裝置提供第一濕氣保護。此外，微機電系統裝置與第一蓋體配置於基底的凹槽中，第二蓋體藉由玻璃料密封於基底或藉由環繞於第二蓋體的第一金屬框透過第一密封介質來密封於基底，以使第二蓋體、基底以及玻璃料的組合或第二蓋體、基底、第一金屬框以及第一密封介質的組合對微機電系統裝置提供第二濕氣保護。傳統上，第二蓋體藉由膠體黏結於基底，而這有可能衍生濕氣滲入的議題以及膠體在高溫環境下除氣的議題。在本發明之實施例的微機電系統封裝結構中，玻璃料以及環繞於第二蓋體的第一金屬框與第一密封介質代替了膠體，以使凹槽的空氣氣密性可以被提昇且除氣的議題也可以避免。因此，本發明之實施例的微機電系統封裝結構提供較好的濕氣阻隔特性。另外，上述提到的微機電系統封裝結構的製作方法進一步被提出。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1A至圖1D為根據本發明一實施例的微機電系統封裝結構的製作方法的概要示意圖。微機電系統（Microelectromechanical System, MEMS）封裝結構的製作方法包括下列步驟。請參照圖1A，提供基底110，其中基底110包括凹槽112。在本實施例中，基底110的材料為陶瓷材料（Ceramic），但基底110的材料並不以此為限。

接著，請參照圖1B，配置被一第一蓋體130覆蓋的至少一微機電系統裝置120於基底110的凹槽112內。第一蓋體130覆蓋在微機電系統裝置120上，其能夠避免微機電系統裝置120受到污染（汙染源例如是懸浮微粒）。詳言之，在本實施例中，微機電系統裝置120配置於晶片115的主動表面117上。晶片115例如是光學感應晶片中的電荷耦合器件（Charge Coupled Device，CCD）或互補式金屬氧化物半導體（Complementary Metal-oxide Semiconductor，CMOS），且主動表面117例如是一圖像感應區。但是晶片115的種類與主動表面117並不限於此。在本實施例中， 微機電系統裝置120為反射鏡，但微機電系統裝置120也可以是開關（Switches）、電容器（Capacitors）、加速器（Accelerometers）、感應器（Sensor）或制動器（Actuator），微機電系統裝置120的種類並不限於此。

第一蓋體130為透明的，以便使一外部光束（未繪示）能夠穿過第一蓋體130至微機電系統裝置120與晶片115的主動表面117。第一蓋體130為玻璃蓋體，但第一蓋體130的材料並不限於此。如圖1B所示，第一蓋體130覆蓋於晶片115上且包括空穴132，且微機電系統裝置120位於空穴132內。空穴132具有相對於主動表面117的頂表面132a。在本實施例中，頂表面132a與主動表面117的距離D大於反射鏡傾斜高度，頂表面132a與主動表面117的距離D例如是10微米，且晶片115與第一蓋體130之間的周邊間隙的高度H約在1微米至10微米之間。也就是說，晶片115與第一蓋體130之間的周邊間隙的高度H小於頂表面132a與主動表面117之間的距離D。

密封膠134配置於晶片115與第一蓋體130之間的周邊間隙以密封空穴132。如圖1B所示，密封膠134的厚度小於微機電系統裝置120的高度。密封膠134的厚度受限於晶片115與第一蓋體130之間的周邊間隙的高度H。因此，密封膠134的厚度約在1微米至10微米之間且隨著晶片115與第一蓋體130之間的周邊間隙的高度H而變化。

應注意的是，密封膠134為有機高分子化合物，例如是環氧樹酯（Epoxy Resin）。由於有機化合物的分子結構具有許多親水性基團，因此能夠阻擋外在的污染與濕氣，但分子結構無法完全地阻隔親水性基團與濕氣反應。因此，在本實施例中，溼氣阻隔層136塗佈於晶片115、密封膠134與第一蓋體130的周圍，用以有效地阻擋密封膠134的親水性基團與濕氣的反應，且更進一步提升空穴132的不可滲透性。在這種方式下，微機電系統裝置120能夠正常地運作於微機電系統封裝結構100中。

在本實施例中，溼氣阻隔層136可以以化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition，CVD）或物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition，CVD）的方式形成，但形成溼氣阻隔層136的方式並不限於此。此外，溼氣阻隔層136的材料可以是有較高緊密度的無機絕緣材料，例如是二氧化矽（silica）、氮化矽（silicon nitride）、氮氧化矽（silicon oxynitride）或其他不包含親水性基團的氮化物、氧化物與氮氧化物，因此溼氣阻隔層136的防潮性較密封膠134為強。也就是說，無機絕緣材料不具有親水性基團，且不會與溼氣反應，從而有效地阻絕溼氣。因此，溼氣阻隔層136能夠提供雙重保護，使得溼氣滲透的機率降低。

值得一提的是，圖1B中的微機電系統裝置120與第一蓋體130的配置方式為本發明的其中之一的實施例，微機電系統裝置120與第一蓋體130的配置方式並不限於此。

接著，請參照圖1C，配置玻璃料（glass frit）150於第二蓋體140上。第二蓋體140為玻璃蓋體。玻璃料150適於配置第二蓋體140的底表面。在本實施例中，玻璃料150為圓環形，但玻璃料150的形狀並不限於此。玻璃料150用於固定第二蓋體140與基底110以密封凹槽112。由於玻璃料150的材料特性，玻璃料150阻擋濕氣的能力較佳。在本實施例中，為了降低玻璃料150在高溫環境下裂開的機率，玻璃料150中的有機氣體添加物應被移除。在本實施例中，玻璃料150中的有機氣體添加物藉由兩段式（two-step）加熱被移除以進行除氣程序（Outgassing Procedure）。首先，玻璃料150加熱至小於玻璃料150的熔點溫度的中介溫度。在此步驟中，此時玻璃料150並未充分地熔化。接著，玻璃料150加熱至熔點溫度以完全地熔化，以形成無氣體的玻璃料150。在其他實施例中，玻璃料150也可以配置於基底110上。

請參照圖1D，配置第二蓋體140於基底110上，其中第二蓋體140覆蓋凹槽112，且玻璃料150配置於基底110與第二蓋體140之間。接著，熔化玻璃料150至熔點溫度以密封凹槽112，以形成微機電系統封裝結構100。在本實施例中，玻璃料150藉由雷射熔化，但是熔化玻璃料150的方式並不限於此。值得一提的是，基底110、玻璃料150以及第二蓋體140的熱膨脹係數實質上相似。如此一來，即使在高溫環境下，微機電系統封裝結構100僅輕微地變形。玻璃料150並不會輕易地裂開，因此在外部的氣體或蒸氣可以被玻璃料150所阻隔。

如圖1D所示，微機電系統封裝結構100包括基底110、微機電系統裝置120、第一蓋體130、第二蓋體140以及玻璃料150。基底110包括凹槽112。微機電系統裝置120配置於凹槽112內。第一蓋體130配置於凹槽112中且覆蓋微機電系統裝置120。第二蓋體140配置於基底110上且覆蓋凹槽112。玻璃料150配置於基底110與第二蓋體140之間，以密封凹槽112。

微機電系統封裝結構100利用第一蓋體130覆蓋於微機電系統裝置120以避免微機電系統裝置120受到污染，且對微機電系統裝置120提供第一濕氣保護。此外，微機電系統裝置120與第一蓋體130配置於基底110的凹槽112內，第二蓋體140藉由玻璃料150密封於基底110，因此第二蓋體140、玻璃料150與基底110的配置方式對微機電系統裝置120提供了第二濕氣保護。

圖2A至圖2D為根據本發明另一實施例的微機電系統封裝結構的製作方法的概要示意圖。另一個製作微機電系統（Microelectromechanical System, MEMS）封裝結構的製作方法被進一步提出。微機電系統封裝結構的製作方法包括下列步驟。

請參照圖2A，提供基底210，其中基體210包括凹槽212。在本實施例中，基底210的材料為陶瓷材料（Ceramic），但基底210的材料並不以此為限。接著，請參照圖2B，配置第一密封介質280於基底210上，且配置第二金屬框290於第一密封介質280上。接著，加熱第一密封介質280以固定第二金屬框290與基底210。在本實施例中，第一密封介質280可以是無機材料，如金屬、金屬合金、金屬化合物（金屬或非金屬氧化物）或玻璃料。更具體來說，第一密封介質280的材料可以是金銅合金（AgCu）、金錫合金（AuSn）、鉍錫合金 （BiSn）、銦銀合金（InAg）或玻璃料。第一密封介質280的熔點溫度隨材料而變化，且第一密封介質280的熔點一般來說介於約160度至約400度之間。此外，在本實施例中，第二金屬框290的材料例如是科瓦合金（Kovar Alloy）。科瓦合金由鎳、銅、鈷、鐵以及鎂所製成。當然，第二金屬框290的材料並不限於此。

請參照圖2C，配置被第一蓋體230覆蓋的至少一微機電系統裝置220於凹槽212內。在本實施例中的微機電系統裝置220與第一蓋體230的種類與配置方式相似於前述實施例所提到的微機電系統裝置120與第一蓋體130的種類與配置方式，在此不再贅述。當然，在其他實施例中，微機電系統裝置220與第一蓋體230的種類與配置方式也可以不同於如圖1B所示的微機電系統裝置120與第一蓋體130的種類與配置方式。

請參照圖2D，提供第二蓋體240且配置第一金屬框270於第二蓋體240的周圍。在本實施例中，第一金屬框270的材料例如是科瓦合金（Kovar Alloy）。科瓦合金由鎳、銅、鈷、鐵以及鎂所製成。當然，第一金屬框270的材料並不限於此。在本實施例中，第一金屬框270藉由在高溫中熔化而直接固定於第二蓋體240的周圍。在固定第一金屬框270於第二蓋體240之前，第一金屬框270可以先進行高溫氧化製程。在高溫氧化製程中，第一金屬框270加熱至大約600度。第一金屬框270的高溫氧化製程可以提昇接續的第一金屬框270與第二蓋體240的熔化過程，因此第一金屬框270與第二蓋體240可以密封地固定。

在高溫氧化製程之後，第一金屬框270與第二蓋體240加熱至第二蓋體240的一軟化溫度（Softening Temperature），使第二蓋體240固定於第一金屬框270。在本實施例中，第一金屬框270與第二蓋體240加熱至大約900度，因此第二蓋體240熔合及焊接於第一金屬框270。當然，第二蓋體240的軟化溫度並不限於此。

在固定步驟後，因為第二蓋體240的分子排列在高溫環境下可能會改變，第二蓋體240的透光率可能會下降。因此，第二蓋體240的上表面與底表面可以進行拋光以提升其透光率。接著，一黑圖案（如光學鉻圖案與抗反射圖案（Anti-Reflection Pattern），未繪示）可以塗佈在第二蓋體240的上表面或底表面上並用以遮光。

接著，請參照圖2E，配置第二密封介質285於第二金屬框290上，且配置第一金屬框270在第二密封介質285上，以使第二蓋體240與第一金屬框270能夠固定於基底210且共同覆蓋凹槽212。特別是，在本實施例中，第一金屬框270的厚度小於第二蓋體240的厚度，若第一金屬框270直接配置在第一密封介質280上，第二蓋體240中較低的部分可能位於凹槽212內，且會與第一蓋體230接觸。因此，在本實施例中，第二金屬框290配置於第一密封介質280上，第二密封介質285配置於第二金屬框290上，且第一金屬框270配置於第二密封介質285上。第二金屬框290可以被認為是第一金屬框270的延伸，以使第一蓋體230與第二蓋體240之間的空間產生。接著，加熱第二密封介質285以密封第一金屬框270與第二金屬框290，以使凹槽212密封，而形成微機電系統封裝結構200。

必須一提的是，第一密封介質280與第二金屬框290配置於基底210上的步驟順序並不限於此，只要是在固定第一金屬框270於基底210的步驟之前即可。此外，在其他實施例中，第二密封介質285、第二金屬框290以及第一密封介質280也可以依序被配置於第一金屬框270的底表面上，接著第二蓋體240、第一金屬框270、第二密封介質285、第二金屬框290以及第一密封介質280可作為一個整體（as a whole）配置於基底210上。

此外，值得一提的是，基底210、第一密封介質280以及第二金屬框290的熱膨脹係數實質上相同，且第一金屬框270、第二密封介質285以及第二金屬框290的熱膨脹係數實質上相同以維持凹槽212的空氣氣密性。

如圖2E所示，微機電系統封裝結構200包括基底210、微機電系統裝置220、第一蓋體230、第二蓋體240、第一金屬框270、第一密封介質280、第二金屬框290以及第二密封介質285。基底210包括凹槽212。微機電系統裝置220配置於凹槽212內。第一蓋體230配置於凹槽212內且覆蓋微機電系統裝置220。第一金屬框270配置於第二蓋體240的周圍且第一金屬框270直接固定於第二蓋體240。第一密封介質280配置於基底210上。第二金屬框290配置於第一密封介質280上。第二密封介質285配置於第二金屬框290上。第二蓋體240與第一金屬框270共同配置於第二密封介質285且覆蓋凹槽210。

微機電系統封裝結構200利用第一蓋體230覆蓋於微機電系統裝置220以避免微機電系統裝置220受到污染且對微機電系統裝置220提供第一濕氣保護。此外，微機電系統裝置220與第一蓋體230配置於基底210的凹槽212內，環繞第二蓋體240的第一金屬框270藉由第一密封介質280、第二金屬框290以及第二密封介質285密封於基底210。在本實施例中，藉由第二蓋體240、基底210、第一金屬框270、第一密封介質280、第二金屬框290以及第二密封介質285的配置方式對微機電系統裝置220提供第二濕氣保護。

當然，配置於第二蓋體240周圍的第一金屬框270的形式並不限於此。圖2D’至圖2E’為根據本發明另一實施例的微機電系統封裝結構的製作方法的概要示意圖。在本實施例中的構件相似於前述實施例使用相同標號的構件。請參照2D’至圖2E’，圖2E’的微機電系統封裝結構200a與圖2E的微機電系統封裝結構200的主要差異在於：在本實施例中，第一金屬框270不直接接觸第二蓋體240。特別是，玻璃料250配置於第一金屬框270與第二蓋體240之間。換言之，第一金屬框270藉由玻璃料250固定於第二蓋體240。在本實施例中，玻璃料250為圓環形。在固定第一金屬框270與第二蓋體240的步驟中，玻璃料250配置於第一金屬框270與第二蓋體240之間，且玻璃料250被加熱至熔化，以使第一金屬框270固定於第二蓋體240。玻璃料250的加熱溫度約在350度至550度。此外，第一金屬框270、玻璃料250以及第二蓋體240的熱膨脹係數實質上相似，因此玻璃料250在高溫環境下裂開的機率下降。

圖2D’’至圖2E’’為根據本發明另一實施例的微機電系統封裝結構的製作方法的概要示意圖。在本實施例中的構件相似於前述實施例使用相同標號的構件。請參照2D’’至圖2E’’， 圖2E’’的微機電系統封裝結構200b與圖2E的微機電系統封裝結構200的主要差異在於：第一金屬框270b僅藉由第一密封介質280固定於基底210。在本實施例中，至少一部分的第一金屬框270b的厚度不小於第二蓋體240的厚度，以使當第一金屬框270直接配置於第一密封介質280上時，第二蓋體240不接觸第一蓋體230。因此，微機電系統封裝結構200b不需要第二金屬框與第二密封介質以增加第一蓋體230與第二蓋體240之間的空隙。在上述的實施例中，微機電系統封裝結構200b可以省略第二金屬框與第二密封介質。

綜上所述，基於前述所提的敘述，本發明之實施例的微機電系統封裝結構利用第一蓋體覆蓋微機電系統裝置以避免微機電系統裝置受到污染且對微機電系統裝置提供第一濕氣保護。此外，微機電系統裝置與第一蓋體配置於基底的凹槽中，第二蓋體藉由玻璃料密封於基底或藉由環繞於第二蓋體的第一金屬框透過第一密封介質來密封於基底，以使第二蓋體、基底以及玻璃料的組合或第二蓋體、基底、第一金屬框以及第一密封介質的組合對微機電系統裝置提供第二濕氣保護。傳統上，第二蓋體藉由膠體黏結於基底，而這有可能衍生濕氣滲入的議題以及膠體在高溫環境下除氣的議題。在本發明之實施例的微機電系統封裝結構中，玻璃料以及環繞於第二蓋體的第一金屬框與第一密封介質代替了膠體，以使凹槽的空氣氣密性可以被提昇且除氣的議題可以避免。因此，本發明之實施例的微機電系統封裝結構提供較好的濕氣阻隔特性。另外，上述提到的微機電系統封裝結構的製作方法進一步被提出。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100、200、200a、200b‧‧‧微機電系統封裝結構

110、210‧‧‧基底

112、212‧‧‧凹槽

115‧‧‧晶片

117‧‧‧主動表面

120、220‧‧‧微機電系統裝置

130、230‧‧‧第一蓋體

132‧‧‧空穴

132a‧‧‧頂表面

134‧‧‧密封膠

136‧‧‧溼氣阻隔層

140、240‧‧‧第二蓋體

150、250‧‧‧玻璃料

270、270b‧‧‧第一金屬框

280‧‧‧第一密封介質

285‧‧‧第二密封介質

290‧‧‧第二金屬框

D‧‧‧距離

H‧‧‧高度

圖1A至圖1D為根據本發明一實施例的微機電系統封裝結構的製作方法的概要示意圖。 圖2A至圖2E為根據本發明另一實施例的微機電系統封裝結構的製作方法的概要示意圖。 圖2D’至圖2E’為根據本發明另一實施例的微機電系統封裝結構的製作方法的概要示意圖。 圖2D’’至圖2E’’為根據本發明另一實施例的微機電系統封裝結構的製作方法的概要示意圖。

100‧‧‧微機電系統封裝結構

110‧‧‧基底

115‧‧‧晶片

117‧‧‧主動表面

120‧‧‧微機電系統裝置

130‧‧‧第一蓋體

132‧‧‧空穴

132a‧‧‧頂表面

134‧‧‧密封膠

136‧‧‧溼氣阻隔層

140‧‧‧第二蓋體

150‧‧‧玻璃料

D‧‧‧距離

H‧‧‧高度

Claims (15)

1. 一種微機電系統(Microelectromechanical System,MEMS)封裝結構，包括：一基底，包括一凹槽；一晶片，配置於該凹槽內；一微機電系統裝置，配置於該凹槽內且位於該晶片上；一第一蓋體，包括一空穴，該第一蓋體配置於該凹槽內且覆蓋該微機電系統裝置，該微機電系統裝置位於該空穴內，且該第一蓋體密封於該晶片；一第二蓋體，配置於該基底上且覆蓋該凹槽；以及一玻璃料(glass frit)，配置於該基底與該第二蓋體之間以密封該凹槽。
2. 如申請專利範圍第1項所述的微機電系統封裝結構，其中該基底、該玻璃料以及該第二蓋體的熱膨脹係數實質上相似。
3. 一種微機電系統(Microelectromechanical System,MEMS)封裝結構，包括：一基底，包括一凹槽；一微機電系統裝置，配置於該凹槽內；一第一蓋體，配置於該凹槽內且覆蓋該微機電系統裝置；一第二蓋體；一第一金屬框，配置且環繞在該第二蓋體的周圍，該第二蓋體與該第一金屬框共同配置於該基底上且覆蓋該凹槽；以及 一第一密封介質，配置於該第一金屬框與該基底。
4. 如申請專利範圍第3項所述的微機電系統封裝結構，其中該第一金屬框直接固定於該第二蓋體。
5. 如申請專利範圍第3項所述的微機電系統封裝結構，其中該第一金屬框藉由一玻璃料固定於該第二蓋體。
6. 如申請專利範圍第5項所述的微機電系統封裝結構，其中該第一金屬框、該玻璃料以及該第二蓋體的熱膨脹係數實質上相似。
7. 如申請專利範圍第3項所述的微機電系統封裝結構，更包括：一第二金屬框，配置於該第一金屬框與該第一密封介質之間；以及一第二密封介質，配置於該第一金屬框與該第二金屬框之間。
8. 一種製作微機電系統(Microelectromechanical System,MEMS)封裝結構的製造方法，包括：提供一基底，其中該基底包括一凹槽；配置被一第一蓋體覆蓋的一微機電系統裝置於該凹槽內，其中該微機電系統裝置配置於一晶片上，該第一蓋體包括一空穴，該微機電系統裝置位於該空穴內，且該第一蓋體密封於該晶片；配置一玻璃料於一第二蓋體上或該基底上；配置該第二蓋體於該基底上，其中該第二蓋體覆蓋該凹槽，且該玻璃料配置於該基底與該第二蓋體之間；以及 熔化該玻璃料以密封該凹槽。
9. 如申請專利範圍第8項所述的微機電系統封裝結構的製造方法，在該熔化步驟之前，更包括：加熱該玻璃料至小於該玻璃料的一熔點溫度的一中介溫度。
10. 如申請專利範圍第8項所述的微機電系統封裝結構的製造方法，其中該基底、該玻璃料以及該第二蓋體的熱膨脹係數實質上相似。
11. 一種製作微機電系統(Microelectromechanical System,MEMS)封裝結構的製造方法，包括：提供一基底，其中該基體包括一凹槽；配置被一第一蓋體覆蓋的一微機電系統裝置於該凹槽內；提供一第二蓋體且配置一第一金屬框於該第二蓋體的周圍，在配置該第一金屬框於該第二蓋體的周圍的該步驟中，包括：加熱至該第二蓋體的一軟化溫度使該第二蓋體固定於該第一金屬框；以及拋光該第二蓋體；配置一第一密封介質於該基底上或該第一金屬框上；共同配置該第二蓋體與該第一金屬框於該基底上，其中該第二蓋體與該第一金屬框覆蓋該凹槽，且該第一密封介質配置於該第一金屬框與該基底之間；以及加熱該第一密封介質以密封該第一金屬框與該基底。
12. 如申請專利範圍第11項所述的微機電系統封裝結構的製造方法，在加熱該第二蓋體於該軟化溫度的該步驟前，更包括：對該第一金屬框進行一高溫氧化製程。
13. 如申請專利範圍第11項所述的微機電系統封裝結構的製造方法，在配置該第一金屬框於該第二蓋體的周圍的步驟中，更包括：配置一玻璃料於該第一金屬框與該第二蓋體之間；以及熔化該玻璃料，以使該第一金屬框固定於該第二蓋體。
14. 如申請專利範圍第13項所述的微機電系統封裝結構的製造方法，其中該第一金屬框、該玻璃料以及該第二蓋體的熱膨脹係數實質上相似。
15. 如申請專利範圍第11項所述的微機電系統封裝結構的製造方法，更包括：配置一第二金屬框於該第一密封介質上；配置一第二密封介質於該第二金屬框上，其中該第二密封介質配置於該第一金屬框與該第二金屬框之間；以及加熱該第二密封介質以密封該第一金屬框與該第二金屬框。