JP3536504B2 - 固体撮像素子及びその製造方法 - Google Patents
固体撮像素子及びその製造方法Info
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Description
に関し、例えばCCD(Charge Coupled Device)固
体撮像素子において、半導体チップからのインナーリー
ドをTAB(Tape Automated Bonding)により形成
し、この半導体チップのチップ表面をリッドで封止する
際に、インナーリードの有効エリア側端部を含むように
シール剤を塗付することにより、リッドに対する半導体
チップの位置ずれを低減する。
においては、チップ表面にリッドを接着してチップ表面
を封止してCCD固体撮像素子を形成するようになされ
ている。これによりこの製造工程では、CCD固体撮像
素子の撮像に使用される有効エリアの前面をリッドによ
り中空に保持し、この中空部分の屈折率の変化による感
度の低下を有効に回避するようになされている。
けるCCD固体撮像素子を示す断面図であり、この工程
においてCCD固体撮像素子1は、半導体チップ2のチ
ップ表面が封止される。ここで半導体チップ2は、略矩
形形状に形成され、ほぼ中央に、撮像に供する有効エリ
アが形成され、この有効エリアの周囲に電極等が形成さ
れる。この半導体チップ2は、前工程において、これら
周囲の電極にバンプ4が形成され(図2(A))、TA
Bによるインナーリード5がこれらバンプ4を介して各
電極に接続されるようになされている。
は、ガラス板材等の透明部材により形成され、半導体チ
ップ2の有効エリアを囲んで、この有効エリアに進入し
ないように、またインナーリード5に付着しないよう
に、シール剤6が塗布される。ここでこのシール剤6
は、リッド3に塗布して流れないように、半硬化したエ
ポキシ樹脂等により形成される。
活性ガスの雰囲気において、半導体チップ2上に重ねら
れた後(図2(B))、所定の圧力Fを加えた状態で、
熱硬化によりシール剤6が硬化され、半導体チップ2の
チップ表面を封止する。これによりCCD固体撮像素子
1は、検査工程等を経て出荷されるようになされてい
る。
としてリッド3に塗布して流れないように半硬化したエ
ポキシ樹脂等を適用した場合でも、熱硬化の際に、これ
らシール剤6は、粘度が低下して流れ易くなる。これに
より従来の固体撮像素子1においては、このシール剤6
の粘度の低下により、熱硬化の際に、リッド3が移動し
易くなり、位置ずれする問題があった。
以上位置ずれすると、パッケージングする際に外形形状
が規格値を越えるようになる。またリッド3の位置ずれ
に伴いシール剤6が有効エリアにはみ出すようになり、
その分使用可能な有効エリアが減少し、また信頼性も低
下することになる。
で、熱硬化の際の、リッドの位置ずれを低減することが
できる固体撮像素子及びその製造方法を提案しようとす
るものである。
め本発明においては、TABによりインナーリードを形
成した半導体チップと、この半導体チップのチップ表面
を保護するリッドとをシール剤により接着して形成され
る固体撮像素子に適用する。この固体撮像素子におい
て、半導体チップの外周内側のみであるとともに、先の
インナーリードの、半導体チップの有効エリア側の端部
を含むように、シール剤を塗布する。または、インナー
リードの半導体チップの有効エリア側の端部と、バンプ
の一部のみを含むように、シール剤を塗布する。
内側のみであるとともに、インナーリードの、半導体チ
ップの有効エリア側の端部を含むように、シール剤を塗
布すれば、シール剤を硬化する際にシール剤の粘度が低
下しても、インナーリードによりシール剤の流れを妨害
することができ、リッドの移動を妨げることができる。
また、インナーリードの半導体チップの有効エリア側の
端部と、バンプの一部のみを含むように、シール剤を塗
布すれば、インナーリードによりシール剤の流れを妨害
して、リッドの移動を妨げることができる。
発明の実施の形態を詳述する。
の形態に係るCCD固体撮像素子を示す断面図である。
この図1において、図2と同一の構成は、対応する符号
を付して示し、重複した説明は省略する。
固体撮像素子と同様に、TABによりインナーリード5
が形成され、リッド11が接着されてチップ表面が封止
される。ここでリッド11は、ガラス板材により形成さ
れ、半硬化したエポキシ樹脂(すなわち封止用Bステー
ジシーラーでなる)でなるシール剤12が枠状に塗布さ
れる。
重ねたときに、インナーリード5の有効エリア側端部よ
りシール剤12が僅かに有効エリア側にはみ出すよう
に、従来より外側にシール剤12が塗布される(図1
(A))。具体的に、リッド11は、内外周方向につい
ては、バンプ4を完全に覆い、インナーリード5の有効
エリア側端部より有効エリア側に0.1〔mm〕内側に
はみ出すように、半導体チップの外周に沿った方向につ
いては、インナーリード5を完全に横断するように、シ
ール剤12が塗布される(図1(C))。
際に、シール剤12の粘度が低下して流れ易くなった場
合でも、インナーリード5の延長する方向については、
主にインナーリード5の有効エリア側、端部からの抵抗
により、またインナーリード5を横切る方向について
は、主にインナーリード5の側面からの抵抗により、シ
ール剤12の流れを妨害するようになされている。
ねられた後、約0.2〜1.0〔kg〕の加圧Fを受け
た状態で、オーブンに収容されてシール剤12が熱硬化
される(図1(B))。なおこの熱硬化は、この実施の
形態においては、130〜150度、1〜5時間の範囲
で、予め設定されたプロファイルにより実行される。こ
れによりリッド11は、シール幅0.2〔mm〕、ギャ
ップ量0.05〔mm〕により、半導体チップ2に接着
されて、チップ表面を封止する。
おいてパッケージングされた後、検査工程を経て完成品
とされる。
10は、バンプ4を介してTABによるインナーリード
5が半導体チップ2に形成された後、シール剤12の熱
硬化によりリッド11が接着されてチップ表面が封止さ
れる。
周方向については、バンプ4を完全に覆い、インナーリ
ード5の有効エリア側端部より内側にはみ出すように、
また半導体チップ2の外周に沿った方向については、イ
ンナーリード5を完全に横断するように、シール剤12
が塗布されることにより、インナーリード5の延長する
方向については、主にインナーリード5の有効エリア
側、端部からの抵抗により、またインナーリード5を横
切る方向については、主にインナーリード5の側面から
の抵抗により、シール剤12の流れが妨害され、これに
より熱硬化の際のリッド11の位置ずれが低減される。
法の場合、±0.1〔mm〕程度あったリッド11の位
置ずれを、この実施の形態においては、±10〔μm〕
程度に低減することができ、格段的に位置ずれを低減で
きることがわかった。
は、バンプ4を完全に覆い、インナーリード5の有効エ
リア側端部より内側にはみ出すように、また半導体チッ
プ2の外周に沿った方向については、インナーリード5
を完全に横断するように、シール剤12を塗布したこと
により、インナーリード5によりシール剤12の流れを
妨害して熱硬化の際の、リッド11の位置ずれを低減す
ることができる。
向上することができ、またシール剤12の有効エリアへ
のはみ出しを低減して使用可能な有効エリアの減少を有
効に回避することができ、さらには信頼性も向上するこ
とができる。さらに位置ずれが低減する分、パッケージ
を小型化することもできる。
方向については、バンプ4を完全に覆い、インナーリー
ド5の有効エリア側端部より内側にはみ出すように、ま
た半導体チップ2の外周に沿った方向については、イン
ナーリード5を完全に横断するように、シール剤12を
塗布する場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、要はインナーリード5の有効エリア側端部を含むよ
うに、シール剤を塗布すれば、この端部の端面と側面と
でシール剤の流れを妨害することができることにより、
シール幅を低減してバンプ4を完全に覆わないようにし
てもよい。
ンに収納してシール剤を熱硬化する場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、コラムキュアによって硬化
してもよく、この場合シール面にて150〜160度、
2〜5分の条件により硬化することができる。
化したエポキシ樹脂を熱硬化して封止する場合について
述べたが、本発明はこれに限らず、液状のエポキシ樹脂
を熱硬化して封止する場合、さらには紫外線硬化型の接
着剤により封止する場合等、種々の接着剤により封止す
る場合に広く適用することができる。
よりインナーリードを形成した半導体チップにリッドを
接着する際に、半導体チップの外周内側のみであるとと
もに、インナーリードの、半導体チップの有効エリア側
の端部を含むように、シール剤を塗布することにより、
インナーリードによりシール剤の流れを妨害して、リッ
ドの位置ずれを低減することができる。また、インナー
リードの半導体チップの有効エリア側の端部と、バンプ
の一部のみを含むように、シール剤を塗布することによ
っても、インナーリードによりシール剤の流れを妨害し
て、リッドの位置ずれを低減することができる。
を示す断面図である。
す断面図である。
Claims (4)
- 【請求項1】 TABによりインナーリードを形成した
半導体チップと、前記半導体チップのチップ表面を保護
するリッドとをシール剤により接着して形成される固体
撮像素子において、前記半導体チップの外周内側のみであるとともに、 前記
インナーリードの、前記半導体チップの有効エリア側の
端部を含むように、前記シール剤を塗布したことを特徴
とする固体撮像素子。 - 【請求項2】 TABによりインナーリードを形成した
半導体チップと、前記半導体チップのチップ表面を保護
するリッドとを、シール剤が前記半導体チップの外周内
側のみであるとともに、前記インナーリードの前記半導
体チップの有効エリア側の端部を含むようにして重ねる
工程と、 前記シール剤を硬化する工程とを含むことを特徴とする
固体撮像素子の製造方法。 - 【請求項3】 TABによりバンプを介してインナーリ
ードを形成した半導体チップと、前記半導体チップのチ
ップ表面を保護するリッドとをシール剤により接着して
形成される固体撮像素子において、 前記インナーリードの前記半導体チップの有効エリア側
の端部と、前記バンプの一部のみを含むように前記シー
ル剤を塗布した ことを特徴とする固体撮像素子。 - 【請求項4】 TABによりバンプを介してインナーリ
ードを形成した半導体チップと、前記半導体チップのチ
ップ表面を保護するリッドとを、シール剤が前記インナ
ーリードの前記半導体チップの有効エリア側の端部と、
前記バンプの一部のみを含むようにして重ねる工程と、 前記シール剤を硬化する工程とを含む ことを特徴とする
固体撮像素子の製造方法。
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---|---|---|---|---|
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JP2000019427A (ja) * | 1998-07-06 | 2000-01-21 | Fuji Photo Optical Co Ltd | 内視鏡用撮像素子組付けユニット |
JP2002231918A (ja) * | 2001-02-06 | 2002-08-16 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置及びその製造方法 |
US20050104186A1 (en) * | 2003-11-14 | 2005-05-19 | International Semiconductor Technology Ltd. | Chip-on-film package for image sensor and method for manufacturing the same |
US7141782B2 (en) * | 2004-05-24 | 2006-11-28 | Exquisite Optical Technology, Ltd. | Image sensor with protective package structure for sensing area |
US20080064201A1 (en) * | 2006-09-07 | 2008-03-13 | Wen Ching Chen | Flip chip packaging method that protects the sensing area of an image sensor from contamination |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54145104A (en) * | 1978-04-30 | 1979-11-13 | Hitachi Maxell | Magnetic recording medium |
JPS5669842A (en) | 1979-11-09 | 1981-06-11 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
JPS56169971A (en) * | 1980-06-02 | 1981-12-26 | Hitachi Ltd | Solidstate image sensor |
JPS6245839A (ja) * | 1985-08-23 | 1987-02-27 | Watanabe:Kk | 姿勢制御装置 |
JPS6275104A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-07 | Komatsu Ltd | 油圧作動式作業機の制御方法 |
JPS62108923A (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 燃焼検知装置 |
JPS62264659A (ja) * | 1986-05-13 | 1987-11-17 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
JPS63213373A (ja) | 1987-02-27 | 1988-09-06 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体デバイス |
JPS63240078A (ja) | 1987-03-27 | 1988-10-05 | Mitsubishi Electric Corp | 受光型半導体装置 |
JPH0824155B2 (ja) | 1987-05-06 | 1996-03-06 | 富士通株式会社 | 半導体パッケ−ジ |
JP2666299B2 (ja) * | 1987-10-08 | 1997-10-22 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
JPH02101776A (ja) * | 1988-10-11 | 1990-04-13 | Mitsubishi Electric Corp | 光センサ用パッケージとその製造方法 |
JPH02103967A (ja) * | 1988-10-13 | 1990-04-17 | Mitsubishi Electric Corp | 光センサ用パッケージ |
JP2801265B2 (ja) * | 1989-06-05 | 1998-09-21 | 古河電気工業株式会社 | 天地判別可能な管路内観察カメラ |
KR930010072B1 (ko) * | 1990-10-13 | 1993-10-14 | 금성일렉트론 주식회사 | Ccd패키지 및 그 제조방법 |
JP2769255B2 (ja) * | 1990-11-05 | 1998-06-25 | 松下電子工業株式会社 | 撮像装置およびその製造方法 |
JPH04207272A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-29 | Fujitsu General Ltd | テロップ表示方法 |
CA2092165C (en) * | 1992-03-23 | 2001-05-15 | Tuyosi Nagano | Chip carrier for optical device |
US5534725A (en) * | 1992-06-16 | 1996-07-09 | Goldstar Electron Co., Ltd. | Resin molded charge coupled device package and method for preparation thereof |
JPH0621414A (ja) * | 1992-07-06 | 1994-01-28 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法 |
EP0630056B1 (en) * | 1993-05-28 | 1998-02-18 | Toshiba Ave Co., Ltd | Use of anisotropically conductive film for connecting leads of wiring board with electrode pads of photoelectric converting device and mounting method of the device |
KR0148733B1 (ko) * | 1995-04-27 | 1998-08-01 | 문정환 | 고체 촬상 소자용 패키지 및 그 제조방법 |
KR19990036077A (ko) * | 1995-08-02 | 1999-05-25 | 모리 가즈히로 | 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법 |
JP3536504B2 (ja) * | 1996-01-17 | 2004-06-14 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
KR100186329B1 (ko) * | 1996-06-14 | 1999-03-20 | 문정환 | 고체 촬상 소자용 반도체 패키지 |
JP3364574B2 (ja) * | 1997-02-07 | 2003-01-08 | 富士写真光機株式会社 | 内視鏡用撮像装置 |
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