DE10103186B4 - Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils mit einem Halbleiter-Chip - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils mit einem Halbleiter-Chip Download PDF

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Abstract

Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils mit einem Halbleiterchip (2) mit einer Rückseite (5) und Randseitenbereichen (6) des Halbleiterchips (2, wobei das Verfahren die Verfahrensschritte aufweist:
a) Aufbringen einer Kunststoffbeschichtung (10) zumindest auf Teile einer Rückseite (5) eines Halbleiter-Wafers (14) für mehrere Halbleiterchips (2) in einer Dicke im Mikrometerbereich,
b) Trennen des Halbleiter-Wafers (14) in einzelne Halbleiterchips (2).
c) Erweichen und/oder Schmelzen der Kunststoffbeschichtung (10) unter thermischer Behandlung der getrennten Halbleiterchips (2),
d) Benetzen von Eck- (8) und Kantenbereichen (9) sowie der Randseitenbereiche (6) des Halbleiterchips (2) durch die Kunststoffbeschichtung (10) von der Rückseite (5) des Halbleiterchips (2) aus,
e) Fertigstellen des Halbleiterchips (2) zu einem verpackten elektronischen Bauteil (1), wobei die benetzten Rückseite (5) und die benetzten Randseitenbereiche (6) des Halbleiterchips (2) Außenflächen eines Gehäuses (15) bilden.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils mit einem Halbleiterchip, bei dem die Rückseite und die Randseitenbereiche des Halbleiterchips Gehäuseaußenseiten bilden entsprechend den unabhängigen Ansprüchen.
  • Elektronische Bauteile, deren Gehäuseaußenseiten teilweise aus den Oberflächen eines Halbleiterchips gebildet sind, sind erhöhter Bruchgefahr ausgesetzt, insbesondere bei Transport und Weiterverarbeitung. Ferner sind diese sogenannten CSP-Gehäuse (Chip Size Packages) bei Funktionsprüfungen in entsprechenden Prüfanlagen erhöhter Bruchgefahr ausgesetzt. Beispielsweise geschieht der Vorgang des Einführens in eine Meßfassung je nach Produkt zum Prüfen des elektronischen Bauteils bis zu zehn mal. Dabei kann es häufig zur Berührung der Kanten und Randseitenbereiche mit Führungen und Sockeln der Testapparatur kommen. Diese Berührungen führen zu Ausbrüchen des kristallinen Halbleitermaterials der Chips, was wiederum zu Ausschuss führt. Der Verlust im Bereich der Prüftechnik durch diese Kanten und Seitenberührungen liegt bei bis zu 3 %.
  • Aus der DE 197 28 992 A1 ist ein Halbleiterbauteil mit einem Flip-Chip bekannt, bei dem ein dünner Stützrahmen die Seitenbereiche des Halbleiterchips bedeckt. Außer dem Stützrahmen umfasst das Gehäuse noch einen Deckel, der die Chiprückseite und Bereiche des Stützrahmens bedeckt.
  • Ein Verfahren zur Herstellung eines Chip Size Packages ist aus der US 5,879,964 bekannt. Bei diesem Verfahren wird ein Halbleiterwafer in Halbleiterchips aufgetrennt, die Halbleiterchips werden auf eine Folie aufgebracht und es wird zur Bildung eines Gehäuses ein Polymerfilm auflaminiert.
  • Aus der JP 10316955 ist ein aushärtbares Bindemittel bekannt, das schnell vernetzt, nicht schnell altert und gut lagerbar ist.
  • In der EP 0 734 059 A2 ist ebenfalls ein Verfahren zur Herstellung eines Chip Size Packages offenbart. Dabei werden die Randseiten des Halbleiterchips während der Herstellung durch einen Schutzrahmen bedeckt.
    •
  • Aufgabe der Erfindung ist es, den Ausschuss bzw. den Verlust bei einem Prüfen und bei einem Weiterverarbeiten von derartigen elektronischen Bauteilen mit Halbleiterchips zu vermindern.
  • Diese Aufgabe wird durch den Gegenstand des Hauptanspruchs gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
  • Erfindungsgemäß wird ein Verfahren zur Herstellung eines elektronische Bauteils mit einem Halbleiterchip angegeben, der eine aktive Oberseite mit integrierten Schaltungen und eine passive Rückseite aufweist. Die Rückseite und Randseitenbereiche des Halbleiterchips bilden gleichzeitig Gehäuseaußenseiten, wobei mindestens die Eck- und Kantenbereiche der Rückseite und die Randseitenbereiche des Halbleiterchips eine Kunststoffbeschichtung mit einer Dicke im Mikrometerbereich aufweisen. Der Mikrometerbereich in Bezug auf die Dicke der Kunststoffbeschichtung betrifft Dicken unter 15 μm, vorzugsweise Dicken zwischen 0,5 μm und 50 μm.
  • Eine derart dünne Kunststoffbeschichtung im Mikrometerbereich passt sich selbst bei extremer thermischer Belastung durch ihre Mikrofließprozesse an die thermisch bedingten Ausdehnungen des Halbleiterchips an. Ferner entstehen aufgrund von Mikrofließprozessen der dünnen Kunststoffbeschichtung keine Einkerbungen oder Risse in einer derartigen Schutzschicht für die Ecken-, Kanten- und Ränderbereiche eines Halbleiterchips. Es werden vielmehr Mikrorisse im Halbleitermaterial im Randbereich der Halbleiterchips adhesiv verklebt. Ferner werden Spannungsspitzen, die bei dem Trennverfahren eines Halbleiterwafers zu Halbleiterchips in Ecken, Kanten und Randbereichen eingebracht werden, durch die Beschichtung im Mikrometerbereich abgebaut. Dicke Beschichtungen über den genannten Mikrometerbereich hinaus können diese Ausgleichsfunktion nicht leisten, so dass derartige Kunststoffbeschichtungen als Kantenschutz der Gefahr unterliegen, von dem Halbleitermaterial abzuplatzen, so dass größere und technisch aufwendige Verfahren vorzusehen sind, um das Anhaften von dicken Kunststoffbeschichtungen als Kantenschutz im Randbereich von Halbleiterchips zu gewährleisten.
  • Ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils mit einem Halbleiterchip, mit einer Rückseite und Randseitenbereiche des Halbleiterchips als Gehäuseaußenseiten, weist folgende Verfahrensschritte auf:
    • a) Aufbringen einer Kunststoffbeschichtung auf eine. Rückseite eines Halbleiterwafers für mehrere Halbleiterchips in einer Dicke im Mikrometerbereich unmittelbar vor dem Trennen des Halbleiterwafers in einzelne Halbleiterchips,
    • b) Erweichen und/oder Schmelzen der Kunststoffbeschichtung unter thermischer Behandlung der getrennten Halbleiterchips,
    • c) Benetzen von Eck- und Kantenbereichen sowie der Randseitenbereiche des Halbleiterchips durch die Kunststoffbeschichtung von der Rückseite des Halbleiterchips aus,
    • d) Fertigstellen des Halbleiterchips zu einem verpackten elektronischen Bauteil, wobei die Rückseite und die Randseitenbereiche des Halbleiterchips Außenflächen eines Gehäuses bilden.
  • Ein derartiges Verfahren hat den Vorteil, dass für mehrere Halbleiterchips gleichzeitig ein Schutz der Rückseite und der Randseitenbereiche durch eine Kunststoffbeschichtung in einer Dicke im Mikrometerbereich hergestellt werden kann, ohne teure Verfahrensschritte bei der Herstellung von elektronischen Bauteilen einzuführen. Eine flächenhafte und auch eine selektive Beschichtung von Halbleiterwafern können relativ preiswert durchgeführt werden. Dazu muss lediglich der Kunststoff für die Kunststoffbeschichtung in flüssiger Form auf die gesamte Rückseitenfläche eines Halbleiterchips oder selektiv durch eine Maske oder ein Sieb aufgebracht werden. Nach dem Festwerden dieser Kunststoffbeschichtung kann der Halbleiterwafer mit Halbleitertechnologie weiterbehandelt werden.
  • Bei einem Durchführungsbeispiel des Verfahrens wird die Kunststoffbeschichtung auf die Rückseite des Halbleiterwafers selektiv aufgebracht, d.h. nur in Bereichen, in denen eine Kunststoffbeschichtung erforderlich ist, die sich über die Eck- und Kantenbereiche auf die Randseitenbereiche eines Halbleiterchips verteilen soll. Dazu werden mindestens die Positionen aller Trennfugen für die Halbleiterchips in einer vorbestimmten Breite auf der Rückseite des Halbleiterwafers überdeckt. Die Breite der selektiven Kunststoffbeschichtung auf den Trennfugen für die Halbleiterchips entspricht mindestens dem Zweifachen der Breite der Trennfugen. Das hat den Vorteil, dass auf der Rückseite des Halbleiterwafers eine relativ grobe Ausrichtung des Musters der selektiven Kunststoffbeschichtung zugelassen werden kann und nicht die Präzision aufweisen muss, wie sie für das Trennen der Halbleiterchips erforderlich ist. Je breiter die Streifen der Kunststoffbeschichtung auf der Rückseite des Halbleiterchips sind, um so großzügiger kann mit der Ausrichtung der Rückseite in Bezug auf die Trennfugen verfahren werden, was den Justageschritt und auch die Justagevorrichtung, die dafür erforderlich wird, erheblich verbilligt.
  • Ein weiteres Durchführungsbeispiel des Verfahrens sieht vor, dass das Aufbringen der Kunststoffbeschichtung auf den Halbleiterwafer mittels einer Drucktechnik vorzugsweise einer Siebdrucktechnik erfolgt. Mit einer derartigen Drucktechnik kann preiswert eine selektive Kunststoffbeschichtung erreicht werden, da das Einbringen oder Aufbringen der Kunststoffbeschichtung auf die Rückseite des Halbleiterwafers nur dort erfolgt, wo die Druckvorlage oder Druckmatrize dieses vorsieht.
  • Bei einem weiteren Durchführungsbeispiel des Verfahrens erfolgt das Aufbringen der Kunststoffbeschichtung auf den Halbleiterwafer mittels einer Sprühtechnik. Erfolgt diese Sprühtechnik durch eines Maske, kann auch hier auf relativ einfache Weise ein selektives Aufbringen realisiert werden. Jedoch hat die Sprühtechnik dann besondere Vorteile, wenn die Rückseite des Halbleiterwafers vollständig gleichmäßig mit einer hauchdünnen im Submikrometerbereich liegenden Kunststoffbeschichtung zu versehen ist.
  • Eine gleichmäßige Beschichtung der Rückseite des Halbleiterwafers kann in einem weiteren Durchführungsbeispiel des Verfahrens mittels Schleudertechnik erfolgen. Das Schleudertechnikverfahren hat den Vorteil, dass äußerst dünne Kunststoffbeschichtungen teilweise im Submikrometerbereich, d.h. unter 1 μm, unter gleichmäßiger Dicke herstellbar sind.
  • Bei einem weiteren Durchführungsbeispiel des Verfahrens erfolgt die Kunststoffbeschichtung auf der Rückseite des Halbleiterwafers mittels einer Tauchtechnik. Bei einer Tauchtechnik werden Dicken erreicht, die im oberen Bereich des Mikrometerbereichs liegen, also im Bereich zwischen 5 und 50 μm. Die Tauchtechnik hat den Vorteil, dass eine große Anzahl von Wafern gleichzeitig unter Einsatz eines entsprechenden Gestells in ein Kunststoffschmelzbad eingetaucht werden können, und ist deshalb besonders kostengünstig und für eine Massenfertigung geeignet.
  • Ein weiteres Durchführungsbeispiel des Verfahrens sieht vor, dass das Erweichen und/oder Schmelzen der Kunststoffbeschichtung und das Benetzen der Eck- und Kantenbereiche sowie der Randseitenbereiche des Halbleiterchips gleichzeitig mit einem der thermischen Behandlungsschritte bei der Verpackung des Halbleiterchips erfolgt. Derartige Verpackungsschritte sind beispielsweise der "Reflow"-prozess, bei dem Löthöcker auf einer Umverdrahtungsfolie angeschmolzen werden. Mit einer derartigen Kombination zwischen Herstellungsschritten beim Verpacken des Halbleiterchips und dem Benetzungsschritt für die Eck- und Kantenbereiche sowie die Randseitenbereiche des Halbleiterchips kann das Aufbringen der Kunststoffbeschich tung zum Schutz der Eck- und Kantenbereiche, auf der Rückseite des Halbleiterchips als auch dem Schutz der Randseitenbereiche des Halbleiterchips verbilligt werden.
  • Mit dieser Erfindung wird in einfacher Art und Weise ein Schutz auf der Rückseite und der durch den Sägeprozess entstandenen Chipkanten hergestellt. Dieser Schutz besteht im wesentlichen aus einer dünnen Schicht, welche elastisch genug ist, um harte Stöße gegen die Chipkante abzufangen. Diese dünne Schicht kann durch Beschichten der Rückseite des Chips und der Chipkanten in zwei Schritten erfolgen. Zunächst wird das Schutzmaterial auf der Rückseite jedes Chips und zwar bevorzugt noch auf dem Waferlevel aufgebracht, wobei in einer Ausführungsform der Erfindung nur die Bereiche in mindestens zweifacher Breite der gespiegelten Sägetrassenstruktur auf der Rückseite des Chips aufgebracht werden.
  • Dieses Aufbringen kann in einer Ausführungsform der Erfindung durch Drucken erfolgen. Danach wird in einem zweiten Schritt, der nach dem Sägen erfolgt, eine Energiezufuhr zum Aufschmelzen des Schutzmaterials vorgesehen. Dabei verläuft das Schutzmaterial über die Chipkanten aufgrund der Benetzungseigenschaften des aufgeschmolzenen Schutzmaterials. Somit lassen sich durch beherrschbare Prozessschritte geschützte Oberflächen von Halbleiterkristallen herstellen. Dieser Vorgang kann gesteuert werden, indem gezielt Materialien verwendet werden, welche vorwiegend die nackten Kristalloberflächen benetzen, jedoch an den festen Polymer-Oberflächen stoppen, die für die Chipoberseite vorgesehen sind. Somit wird die Chipoberseite nicht durch die Benetzung mit der Kunststoffbeschichtung in Mitleidenschaft gezogen.
  • Die Erfindung wird nun anhand von Ausführungsformen mit Bezug auf die anliegenden Zeichnungen näher erläutert.
  • 1 zeigt schematisch in perspektivischer Ansicht einen Ausschnitt eines Halbleiterwafers einer ersten Ausführungsform der Erfindung,
  • 2 zeigt schematisch eine perspektivische Ansicht eines quergeschnittenes Halbleiterchips einer ersten Ausführungsform der Erfindung,
  • 3 zeigt schematisch eine perspektivische Ansicht eines Ausschnitts eines Halbleiterwafers einer zweiten Ausführungsform der Erfindung,
  • 4 zeigt schematisch eine perspektivische Ansicht eines quergeschnittenen Halbleiterchips der zweiten Ausführungsform der Erfindung.
    •
  • 1 zeigt schematisch in perspektivischer Ansicht einen Ausschnitt eines Halbleiterwafers 14. In 1 kennzeichnet das Bezugszeichen 2 Halbleiterchips eines Halbleiterwafers 14, das Bezugszeichen 3 bezeichnet eine aktive Oberseite des Halbleiterchips 2, das Bezugszeichen 4 kennzeichnet die Lage integrierter Schaltungen in der Nähe der aktiven Oberseite 3 des Halbleiterchips 2, das Bezugszeichen 5 kennzeichnet eine passive Rückseite des jeweiligen Halbleiterchips 2, das Bezugszeichen 10 kennzeichnet eine Kunststoffbeschichtung auf dem Halbleiterwafer 14.
  • 1 zeigt einen Ausschnitt eines Halbleiterwafers 14 mit neuen Halbleiterchips, wobei die durchgezogenen Linien auf der Oberfläche der Kunststoffbeschichtung 10 die Position und Lage der Trennfugen für die einzelnen Halbleiterchips 2 zeigen sollen. Da das Trennen selbst von der aktiven Oberseite 3 des Halbleiterwafers 14 aus erfolgt, kann das Sägeblatt exakt entlang der vorgesehenen Sägetrassen bzw. der Trennfugen 16 geführt werden. Automatisch wird damit auch die geschlossene Kunststoffbeschichtung 10 des Halbleiterwafers in einzelne Bereiche entlang der Trennfugen 16 aufgeteilt.
  • Ein derartiger aus einem Halbleiterwafer 14 herausgetrennter Halbleiterchip 2 wäre durch die Kunststoffbeschichtung 10 nur auf seiner Rückseite 5 vor Beschädigungen geschützt. Deshalb wird nach dem Vereinzelnen des Halbleiterwafers 14 zu einzelnen Halbleiterchips 2 in einer thermischen Behandlung die geschlossene Kunststoffbeschichtung 10 auf der Rückseite des Halbleiterchips 2 geschmolzen und aufgrund ihrer Benetzungsfähigkeit von Halbleitermaterialien benetzt die geschmolzene Masse der Kunststoffbeschichtung 10 auch die Kanten- und Ekken- sowie die Randseitenbereiche des Halbleiterchips 2. Dieser thermische Schritt kann mit einem thermischen Schritt, der in der weiteren Verpackung des elektronischen Bauteils erforderlich wird, kombiniert werden.
  • 2 zeigt schematisch eine perspektivische Ansicht eines quergeschnittenen Halbleiterchips 2. Komponenten, die gleiche Funktionen wie in 1 erfüllen, werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet. Eine Erläuterung dieser Komponenten wird weggelassen. Das Bezugszeichen 6 bezeichnet Randseitenbereiche des Halbleiterchips 2 und das Bezugszeichen 7 bezeichnet Gehäuseaußenseiten des elektronischen Bauteils 1. Die Bezugszeichen 8 bezeichnen Eckbereiche und die Bezugszeichen 9 bezeichnen Kantenbereiche des elektronischen Bauteils 1. Das Bezugszeichen 11 kennzeichnet ein anderes Kunststoffmaterial als das Kunststoffmaterial der Kunststoffbeschichtung 10. Dieses andere Kunststoffmaterial 11 ist auf der aktiven Oberfläche 3 des Halbleiterchips als Umverdrahtungsfolie 21 eingesetzt. Die Umverdrahtungsfolie 21 weist neben einer Kunststoffisolierfolie eine strukturierte Metallkaschierung auf, welche die Kontaktflächen 17 des Halbleiterchips mit den Aussenkontaktelementen 18 verbindet Die nicht von Außenkontaktelementen belegte Metallkaschierung der Umverdrahtungsfolie 21 ist durch eine Lötstopplackschicht 20 geschützt. Die Aussenkontaktelemente 18 sind in dieser Ausführungsform der Erfindung Lötbälle, die ein unmittelbares Verbinden der integrierten Schaltungen 4 des integrierten Halbleiterchips 2 mit einer Leiterplatte oder einem Keramikmodul ermöglichen.
  • Aufgrund der Kunststoffbeschichtung in einer Dicke im Mikrometer- und Submikrometerbereich entspricht die Größe des elektronischen Bauteils im wesentlichen der Größe des Halbleiterchips, wobei das elektronische Bauteil nur um wenige Mikrometer oder um Bruchteile eines Mikrometers größer ist als das ursprüngliche Halbleiterchip. Dennoch ist das elektronische Bauteil 1 aufgrund der mikroskopisch dünnen Kunststoffbeschichtung vor Beschädigungen geschützt, so dass die Verlustrate beim Testen und bei der Weiterverarbeitung wesentlich reduziert werden kann.
  • 3 zeigt schematisch in perspektivischer Ansicht einen Ausschnitt eines Halbleiterwafers 14. Komponenten der 3 mit gleichen Funktionen wie Komponenten der 1 oder der 2 werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und eine Erläuterung dieser Komponenten wird weggelassen.
  • Die zweite Ausführungsform des Halbleiterwafers unterscheidet sich von der ersten Ausführungsform der 1 dadurch, dass die Kunststoffbeschichtung 10 selektiv aufgebracht wurde und nur noch in den Positionen der Trennfugen 16 auf der Rückseite 5 des Halbleiterwafers 14 aufgetragen ist. Dieser selektive Auftrag kann mit Hilfe eines Siebdruckverfahren oder eines Sprühens der Kunststoffbeschichtung durch eine Maske erfolgen. Nach dem Trennen des Halbleiterwafers 14 in einzelne Halbleiterchips 2 verläuft die Kunststoffbeschichtung mittels einer thermischen Behandlung entlang der Eck- und Kantenbereiche an den Randseitenbereichen des Halbleiterchips herunter und schützt diese mit einer mikroskopisch dünnen Kunststoffbeschichtung.
  • 4 zeigt schematisch eine perspektivische Ansicht eines quergeschnittenen Halbleiterchips gemäß einer zweiten Ausführungsform. Komponenten der 4, die gleiche Funktionen wie in den 1 bis 3 erfüllen, sind mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und werden nicht näher erläutert.
  • Bei der Ausführungsform, wie sie 4 zeigt, wird die Rückseite des Halbleiterchips größtenteils freigelassen und weist keine Kunststoffbeschichtung auf. Die Oberfläche der Rückseite des Halbleiterchips bildet unmittelbar eine Gehäuseaußenseite. Eine unmittelbare Verwendung der ungeschützten Rückseite eines Halbleiterwafers als Gehäuseaußenseite für Halbleitermaterialien, die oxidations- und korrosionsbeständig sind, ist möglich. Zu diesen Halbleitermaterialien gehört Silicium, das in feuchter und oxidierender Atmosphäre eine undurchdringliche gut haftende Siliciumdioxyd-Schutzschicht bildet.
  • In der Ausführungsform, wie sie 4 zeigt, werden lediglich die Eckbereiche 8, die Kantenbereiche 9 und die Randseitenbereiche 6 des Halbleiterchips mit einer Kunststoffbe schichtung versehen. Dazu schmelzen die in 3 gezeigten Kunststoffstege 19 der Kunststoffbeschichtung 10 durch eine thermische Behandlung. Die Eckbereiche 8, die Kantenbereiche 9 und die Randseitenbereiche 6 des Halbleiterchips werden benetzt und damit nach dem Erstarren der Kunststoffschicht geschützt. Bei geeigneter Auswahl des Materials der Kunststoffbeschichtung 10 werden lediglich Halbleiteroberflächen des Halbleiterchips 2 von dem geschmolzenen Kunststoffmaterial benetzt, während das feste Kunststoffmaterial 11, das die aktive Oberseite 3 des Halbleiterchips 2 abdeckt, weniger oder gar nicht von dem Kunststoffmaterial der Kunststoffbeschichtung benetzt wird. Damit bleibt das Kunststoffmaterial beispielsweise einer Umverdrahtungsfolie 21 auf der aktiven Oberseite 3 des Halbleiterchips 2 frei von jeder zusätzlichen Kunststoffbeschichtung. Auch die Funktion der Außenkontaktelemente 18 wird somit bei dem Vorgang des Benetzens und Schützens der Randseitenbereiche des Halbleiterchips 2 nicht beeinträchtigt.
    • 1
    elektronisches Bauteil
    2
    Halbleiterchip
    3
    aktive Oberseite
    4
    integrierte Schaltung
    5
    passive Rückseite
    6
    Randseiten
    7
    Gehäuseaußenseiten
    8
    Eckbereiche
    9
    Kantenbereiche
    10
    Kunststoffbeschichtung
    11
    anderes Kunststoffmaterial
    12
    Halbleitermaterial
    13
    Halbleiteroberfläche
    14
    Halbleiterwafer
    15
    Gehäuse
    16
    Trennfugen
    17
    Kontaktflächen
    18
    Aussenkontaktelemente
    19
    Kunststoffstege
    20
    Lötstopplackschicht
    21
    Umverdrahtungsfolie

Claims (8)

  1. Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils mit einem Halbleiterchip (2) mit einer Rückseite (5) und Randseitenbereichen (6) des Halbleiterchips (2, wobei das Verfahren die Verfahrensschritte aufweist: a) Aufbringen einer Kunststoffbeschichtung (10) zumindest auf Teile einer Rückseite (5) eines Halbleiter-Wafers (14) für mehrere Halbleiterchips (2) in einer Dicke im Mikrometerbereich, b) Trennen des Halbleiter-Wafers (14) in einzelne Halbleiterchips (2). c) Erweichen und/oder Schmelzen der Kunststoffbeschichtung (10) unter thermischer Behandlung der getrennten Halbleiterchips (2), d) Benetzen von Eck- (8) und Kantenbereichen (9) sowie der Randseitenbereiche (6) des Halbleiterchips (2) durch die Kunststoffbeschichtung (10) von der Rückseite (5) des Halbleiterchips (2) aus, e) Fertigstellen des Halbleiterchips (2) zu einem verpackten elektronischen Bauteil (1), wobei die benetzten Rückseite (5) und die benetzten Randseitenbereiche (6) des Halbleiterchips (2) Außenflächen eines Gehäuses (15) bilden.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kunststoffbeschichtung (10) auf die Rückseite (5) des Halbleiter-Wafers (14) selektiv aufgebracht wird, und mindestens die Positionen aller Trennfugen (16) für die Halbleiterchips (2) in einer Breite auf der Rückseite (5) des Halbleiterchips (2) überdeckt werden, die mindestens dem zweifachen der Breite der Trennfugen (16) entspricht.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Aufbringen der Kunststoffbeschichtung (10) auf den Halbleiter-Wafer (14) mittels einer Drucktechnik, vorzugsweise mittels einer Siebdrucktechnik erfolgt.
  4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Aufbringen der Kunststoffbeschichtung (10) auf den Halbleiter-Wafer (14) mittels einer Sprühtechnik erfolgt.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das selektive Aufbringen der Kunststoffbeschichtung (10) auf den Halbleiter-Wafer (14) mittels Sprühtechnik durch eine Maske erfolgt.
  6. Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Aufbringen der Kunststoffbeschichtung (10) auf den Halbleiter-Wafer (14) mittels Schleudertechnik erfolgt.
  7. Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Aufbringen der Kunststoffbeschichtung (10) auf den Halbleiter-Wafer (14) mittels einer Tauchtechnik erfolgt.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Erweichen und/oder Schmelzen der Kunststoffbeschichtung (10) und das Benetzen der Eck- (8) und Kantenbereiche (9) sowie der Randseitenbereiche (6) des Halbleiterchips (2) gleichzeitig mit einem der thermischen Behandlungsschritte bei der Verpackung des Halbleiterchips (2) erfolgt.
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