DE19845294B4 - Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung - Google Patents

Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung Download PDF

Info

Publication number
DE19845294B4
DE19845294B4 DE19845294A DE19845294A DE19845294B4 DE 19845294 B4 DE19845294 B4 DE 19845294B4 DE 19845294 A DE19845294 A DE 19845294A DE 19845294 A DE19845294 A DE 19845294A DE 19845294 B4 DE19845294 B4 DE 19845294B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor substrate
semiconductor device
semiconductor
electronic circuit
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE19845294A
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE19845294A1 (de
Inventor
Shigenobu Maeda
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of DE19845294A1 publication Critical patent/DE19845294A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE19845294B4 publication Critical patent/DE19845294B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10W72/019—
    • H10W42/00—
    • H10W72/90—
    • H10W70/60—
    • H10W72/07533—
    • H10W72/07553—
    • H10W72/29—
    • H10W72/531—
    • H10W72/536—
    • H10W72/5445—
    • H10W72/5522—
    • H10W72/5524—
    • H10W72/59—
    • H10W72/9232—
    • H10W72/932—
    • H10W72/934—
    • H10W72/952—
    • H10W74/00—
    • H10W90/722—
    • H10W90/753—
    • H10W90/756—

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
DE19845294A 1998-03-13 1998-10-01 Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung Expired - Fee Related DE19845294B4 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPP10-063046 1998-03-13
JP10063046A JPH11261010A (ja) 1998-03-13 1998-03-13 半導体装置及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE19845294A1 DE19845294A1 (de) 1999-09-23
DE19845294B4 true DE19845294B4 (de) 2005-11-03

Family

ID=13218010

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19845294A Expired - Fee Related DE19845294B4 (de) 1998-03-13 1998-10-01 Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung

Country Status (6)

Country Link
US (2) US6133625A (enExample)
JP (1) JPH11261010A (enExample)
KR (1) KR100306858B1 (enExample)
DE (1) DE19845294B4 (enExample)
FR (1) FR2776124B1 (enExample)
TW (1) TW452867B (enExample)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4651815B2 (ja) * 1998-01-23 2011-03-16 ローム株式会社 ダマシン配線および半導体装置
US6613986B1 (en) * 1998-09-17 2003-09-02 Ibiden Co., Ltd. Multilayer build-up wiring board
JP2974022B1 (ja) 1998-10-01 1999-11-08 ヤマハ株式会社 半導体装置のボンディングパッド構造
JP3217336B2 (ja) * 1999-11-18 2001-10-09 株式会社 沖マイクロデザイン 半導体装置
JP2002016065A (ja) * 2000-06-29 2002-01-18 Toshiba Corp 半導体装置
US6887786B2 (en) * 2002-05-14 2005-05-03 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming a barrier layer on a substrate
EP1519411A3 (en) * 2003-09-26 2010-01-13 Panasonic Corporation Semiconductor device and method for fabricating the same
US7808115B2 (en) * 2004-05-03 2010-10-05 Broadcom Corporation Test circuit under pad
US7691127B2 (en) * 2005-12-13 2010-04-06 Cardiva Medical, Inc. Drug eluting vascular closure devices and methods
DE102007016257A1 (de) * 2007-04-04 2008-10-09 X-Fab Semiconductor Foundries Ag Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Trägerscheibenkontaktes mit vorderseitigem Anschluss
JP2008199045A (ja) * 2008-03-19 2008-08-28 Seiko Epson Corp 半導体装置およびその製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0622850A1 (en) * 1993-04-30 1994-11-02 International Business Machines Corporation An electrostatic discharge protect diode for silicon-on-insulator technology
EP0838857A2 (en) * 1996-10-22 1998-04-29 International Business Machines Corporation Electrostatic discharge protection device

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60247940A (ja) * 1984-05-23 1985-12-07 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
JPS6144454A (ja) * 1984-08-09 1986-03-04 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPH077783B2 (ja) * 1988-03-18 1995-01-30 株式会社東芝 電気的接続部に銅もしくは銅合金製金属細線を配置する半導体装置
US5719448A (en) * 1989-03-07 1998-02-17 Seiko Epson Corporation Bonding pad structures for semiconductor integrated circuits
JP2617798B2 (ja) * 1989-09-22 1997-06-04 三菱電機株式会社 積層型半導体装置およびその製造方法
US5113236A (en) * 1990-12-14 1992-05-12 North American Philips Corporation Integrated circuit device particularly adapted for high voltage applications
JP2550248B2 (ja) * 1991-10-14 1996-11-06 株式会社東芝 半導体集積回路装置およびその製造方法
JP3211351B2 (ja) * 1992-04-08 2001-09-25 関西日本電気株式会社 半導体装置
US5854085A (en) * 1992-06-04 1998-12-29 Lsi Logic Corporation Multi-layer tab tape having distinct signal, power and ground planes, semiconductor device assembly employing same, apparatus for and method of assembling same
JP3124144B2 (ja) * 1993-01-27 2001-01-15 株式会社東芝 半導体装置
JP2944840B2 (ja) * 1993-03-12 1999-09-06 株式会社日立製作所 電力用半導体装置
JPH077820A (ja) * 1993-06-18 1995-01-10 Takaoka Electric Mfg Co Ltd 配電盤
DE69330603T2 (de) * 1993-09-30 2002-07-04 Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno, Catania Verfahren zur Metallisierung und Verbindung bei der Herstellung von Leistungshalbleiterbauelementen
US5382818A (en) * 1993-12-08 1995-01-17 Philips Electronics North America Corporation Lateral semiconductor-on-insulator (SOI) semiconductor device having a buried diode
JP2755148B2 (ja) * 1993-12-28 1998-05-20 ヤマハ株式会社 半導体装置
JPH07312424A (ja) * 1994-05-18 1995-11-28 Nippondenso Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JPH0888323A (ja) * 1994-09-19 1996-04-02 Nippondenso Co Ltd 半導体集積回路装置
JP4319251B2 (ja) * 1994-11-22 2009-08-26 エヌエックスピー ビー ヴィ 半導体素子を有し導体トラックが形成されている基板が接着層により結合されている支持本体を有する半導体装置
US5661082A (en) * 1995-01-20 1997-08-26 Motorola, Inc. Process for forming a semiconductor device having a bond pad
JPH0923017A (ja) * 1995-07-06 1997-01-21 Mitsubishi Electric Corp Ｓｏｉ入力保護回路
US5700735A (en) * 1996-08-22 1997-12-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of forming bond pad structure for the via plug process
JP3305211B2 (ja) * 1996-09-10 2002-07-22 松下電器産業株式会社 半導体装置及びその製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0622850A1 (en) * 1993-04-30 1994-11-02 International Business Machines Corporation An electrostatic discharge protect diode for silicon-on-insulator technology
EP0838857A2 (en) * 1996-10-22 1998-04-29 International Business Machines Corporation Electrostatic discharge protection device

Also Published As

Publication number Publication date
US6248657B1 (en) 2001-06-19
DE19845294A1 (de) 1999-09-23
TW452867B (en) 2001-09-01
US6133625A (en) 2000-10-17
FR2776124B1 (fr) 2002-08-30
FR2776124A1 (fr) 1999-09-17
KR19990076526A (ko) 1999-10-15
JPH11261010A (ja) 1999-09-24
KR100306858B1 (ko) 2001-11-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60122878T2 (de) Sicherungseinsatz
DE19580514B4 (de) Halbleiterbauelement mit einer umgreifenden Flanschverbindung und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102012104270B4 (de) Halbleiterkomponente, Halbleiterkomponentenanordnung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterkomponente
DE102013214483B4 (de) Feldemissionsvorrichtungen und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE4019848C2 (de) Halbleitereinrichtung mit einer allseitig isolierten Unterstützungsschicht unterhalb eines Kontaktgebietes und Herstellungsverfahren für eine solche Halbleitereinrichtung
DE19501557C2 (de) CMOS-Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
DE10138951A1 (de) SOI-MOSFET und Herstellungsverfahren hierfür
DE19845294B4 (de) Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung
DE10351028B4 (de) Halbleiter-Bauteil sowie dafür geeignetes Herstellungs-/Montageverfahren
DE69510484T2 (de) Metaloxidhalbleiter-Anordnung mit einer Substratkontaktstruktur
DE102006033319A1 (de) Halbleiterbauelement in Halbleiterchipgröße mit einem Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung desselben
DE19838150A1 (de) Halbleitergerät mit einer Reihe von Standardzellen und Verfahren zu seiner Konstruktion
DE3002740A1 (de) Verfahren zur ausbildung von substratelektroden bei mos-ics mit lokaler oxidation
DE19517975A1 (de) Polysilizium-Feldringstruktur für Leistungs-IC's
DE10156442A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE19824242A1 (de) Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung
DE102004060365B4 (de) Bauelement mit Halbleiterübergang und Verfahren zur Herstellung
DE60131957T2 (de) Harzverkapselte elektronische vorrichtung mit spannungsreduzierender schicht
DE10297292T5 (de) Verbesserung der Auslösung eines ESD-NMOS durch die Verwendung einer N-Unterschicht
DE68919257T2 (de) Schutzhalbleitervorrichtung.
DE102004023462B4 (de) Verfahren zur Ausbildung von Leiterbahnstrukturen auf Halbleiterbauelementen
EP2031652A2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, Verwendung und Halbleiteranordnung
DE102016221746B4 (de) Wafer für einen Leistungstransistor und Leistungstransistor
DE10210900A1 (de) Halbleiterstruktur mit SOI-Struktur und Verfahren zu seiner Herstellung
DE10146854B4 (de) Elektronisches Bauteil mit wenigstens einem Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils mit wenigstens einem Halbleiterchip

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee