DE102011108634A1 - Substrat-Bearbeitungs-Vorrichtung - Google Patents

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Abstract

Eine Substratbearbeitungsvorrichtung umfasst eine Substratbühne zur Anbringung von zwei oder mehr Sueinheiten. Jede der Substratbühneneinheiten umfasst einen mittleren Fließweg zur Temperatursteuerung, um die Temperatur eines mittleren Abschnitts eines jeden der Substrate zu steuern, und einen umfänglichen Fließweg zur Temperatursteuerung, um die Temperatur eines umfänglichen Abschnitts eines jeden der Substrate zu steuern. Der mittlere Fließweg zur Temperatursteuerung und der umfängliche Fließweg zur Temperatursteuerung sind voneinander unabhängig gebildet. Die Substratbühne umfasst eine Temperatursteuerungsmedium-Einlassöffnung, um ein Temperatursteuerungsmedium in den umfänglichen Fließweg zur Temperatursteuerung einzubringen, und Temperatursteuerungsmedium-Auslassöffnungen, um das Temperatursteuerungsmedium aus dem umfänglichen Fließweg zur Temperatursteuerung abzugeben. Die Anzahl der Temperatursteuerungsmedium-Auslassöffnungen entspricht der Anzahl der Substrate.

Description

  • QUERVERWEIS AUF VERWANDTE ANMELDUNGEN
  • Diese Anmeldung beruht auf der Priorität der am 30. Juni 2010 eingereichten japanischen Patentanmeldung Nr. 2010-149656 , deren gesamte Inhalte hiermit durch Inbezugnahme aufgenommen werden, und beruft sich darauf.
  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Offenbarung betrifft eine Substratbearbeitungs(bzw. -Prozessierungs-)vorrichtung zur Verwendung auf dem Gebiet der Feinbearbeitung z. B. in einem Halbleiterherstellungsprozess.
  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Wenn ein Substrat (Wafer) in einem Halbleiterherstellungsprozess in einem Vakuumzustand bearbeitet wird, wird die Temperatur gesteuert, um die Oberflächentemperatur des Substrats gleichmäßig zu machen und die Gleichmäßigkeit der Bearbeitung zu verbessern. Die Temperatur kann gesteuert werden, indem in einer Substratbühne (bzw. -stage) zur Anbringung eines Substrats ein Kühlmittelfließweg gebildet wird, gestattet wird, dass ein Kühlmittel durch den Fließweg fließt, und die Oberfläche des Substrats, das auf der Substratbühne angebracht ist, mit Strahlungswärme, die von der Substratbühne ausstrahlt, gekühlt wird.
  • Zum Beispiel offenbart die japanische Patentoffenlegungsschrift Nr. (Hei)P9-17770 (nachstehend JP 9-17770 A ) eine Plasmabearbeitungsvorrichtung, bei der zwei konzentrische Kühlmittelfließwege in einer Substratbühne gebildet sind. Die Temperatur des Kühlmittels, das durch den äußeren Fließweg fließt, unterscheidet sich von jener des Kühlmittels, das durch den inneren Fließweg fließt. Daher wird der Umfangsabschnitt eines Substrats, das Strahlungswärme, welche von der Innenwand einer Kammer ausstrahlt, ausgesetzt ist, starker als der Mittelabschnitt des Substrats gekühlt, wodurch die Oberflächentemperatur des Substrats gleichmäßig gestaltet wird.
  • Bei der in JP 9-17770 A offenbarten Plasmabearbeitungsvorrichtung sind die beiden Kühlmittelfließwege, durch die Kühlmittel mit unterschiedlicher Temperatur fließen, jedoch nebeneinander in einer Substratbühne angeordnet. Dadurch beeinflussen die Temperaturen der beiden Kühlmittelfließwege einander und besteht die Sorge, dass die Tätigkeiten zum Kühlen des mittleren Abschnitts und des umfänglichen Abschnitts des Substrats nicht unabhängig gesteuert werden können. Mit anderen Worten wird es unmöglich, die Temperaturen des mittleren Abschnitts und des umfänglichen Abschnitts des Substrats, das auf der Substratbühne angebracht ist, genau zu regeln und zu steuern. Dies macht es schwierig, über die gesamte Oberfläche hinweg über eine gleichmäßige Temperatur des Substrats zu verfügen, da die Temperatur des umfänglichen Abschnitts des Substrats stark durch die Strahlungswärme, welche von der Innenwand einer Kammer ausstrahlt, beeinflusst wird, während die Temperatur des mittleren Abschnitts des Substrats weniger durch die Strahlungswärme beeinflusst wird. Da die Bedingungen der gesamten Oberfläche des Substrats daher nicht gleichmäßig gehalten werden, wenn das Substrat bearbeitet wird, besteht das Problem, dass das Substrat nicht gleichmäßig bearbeitet werden kann. Die einstückige Bildung der Substratbühne in der Plasmabearbeitungsvorrichtung ist auch der Grund, warum die Temperaturen der beiden Kühlmittelfließwege einen Einfluss aufeinander aufweisen und die Temperaturen des mittleren Abschnitts und des umfänglichen Abschnitts des Substrats nicht unabhängig gesteuert werden können. Da die beiden Kühlmittelfließwege unabhängig bereitgestellt sind, werden ferner Kühlmittelzufuhr- und -ablassrohre für die Einlassöffnungen und die Auslassöffnungen des jeweiligen Kühlmittelfließwegs benötigt, was das Problem aufwirft, dass die Anzahl der Rohre, die in der Plasmabearbeitungsvorrichtung benötigt werden, erhöht wird und die Rohrleitungsführung kompliziert wird.
  • In der Plasmabearbeitungsvorrichtung, die z. B. in JP 9-17770 A offenbart ist, wird das Substrat gewöhnlich durch ein elektrostatisches Aufspannverfahren oder dergleichen auf der Substratbühne gehalten. Daher neigt eine Temperaturveränderung in der Substratbühne dazu, direkt eine Temperaturveränderung in der Substratoberfläche zu verursachen. Dies macht es ziemlich leicht, die Temperatur der Substratoberfläche zu regeln und zu steuern. Im Gegensatz dazu wird die Temperatur der Substratoberfläche in einer Substratbearbeitungsvorrichtung von der Art, bei der ein Substrat so auf einer Substratbühne gehalten wird, dass zwischen dem Substrat und der Substratbühne ein Zwischenraum belassen ist, durch Strahlungswärme, die von der Substratbühne ausstrahlt, geregelt und gesteuert. In diesem Fall führt eine Temperaturveränderung in der Substratbühne nicht direkt zu einer Temperaturveränderung in der Substratoberfläche. Demgemäß ist es notwendig, die Temperatur der Substratbühne genauer zu regeln und zu steuern.
  • KURZDARSTELLUNG
  • Die vorliegende Offenbarung stellt einige Ausführungsformen einer Substratbearbeitungsvorrichtung bereit, die fähig ist, die Temperaturen eines umfänglichen und eines mittleren Abschnitts eines Substrats ohne einen gegenseitigen Einfluss unabhängig und genau zu regeln und zu steuern, und fähig ist, eine Rohrleitungsführung zu vereinfachen.
  • Nach einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird eine Substratbearbeitungsvorrichtung zur Bearbeitung von Substraten in einem Vakuumbearbeitungsraum bereitgestellt, die eine Substratbühne umfasst, welche zur Anbringung von zumindest zwei Substraten gestaltet ist, wobei die Substratbühne Substratbühneneinheiten umfasst, deren Anzahl der Anzahl der auf der Substratbühne angebrachten Substrate entspricht, wobei jede der Substratbühneneinheiten einen mittleren Fließweg zur Temperatursteuerung, um die Temperatur eines mittleren Abschnitts eines jeden der Substrate zu steuern, und einen umfänglichen Fließweg zur Temperatursteuerung, um die Temperatur eines umfänglichen Abschnitts eines jeden der Substrate zu steuern, umfasst, wobei der mittlere Fließweg zur Temperatursteuerung und der umfängliche Fließweg zur Temperatursteuerung voneinander unabhängig gebildet sind, wobei die Substratbühne eine Temperatursteuerungsmedium-Einlassöffnung zum Einbringen eines Temperatursteuerungsmediums in den umfänglichen Fließweg zur Temperatursteuerung und Temperatursteuerungsmedium-Auslassöffnungen zum Ablassen des Temperatursteuerungsmediums aus dem umfänglichen Fließweg zur Temperatursteuerung umfasst, wobei die Anzahl der Temperatursteuerungsmedium-Auslassöffnungen der Anzahl der Substrate, die auf der Substratbühne angebracht sind, entspricht. Der hier verwendete Ausdruck ”Temperatursteuerung” bezieht sich auf die Steuerung und die Regulierung einer Temperatur.
  • Bei anderen Ausführungsformen der Substratbearbeitungsvorrichtung kann der umfängliche Fließweg zur Temperatursteuerung einen umfänglichen inneren Fließweg, der an einem Ende mit der Temperatursteuerungsmedium-Einlassöffnung verbunden ist und so angeordnet ist, dass er sich entlang des umfänglichen Abschnitts eines jeden der Substrate erstreckt, einen umfänglichen äußeren Fließweg, der an einem Ende mit jeder der Temperatursteuerungsmedium-Auslassöffnungen verbunden ist und so angeordnet ist, dass er sich entlang des umfänglichen Abschnitts eines jeden der Substrate erstreckt, und einen Verbindungsfließweg, der so angeordnet ist, dass er das andere Ende des umfänglichen inneren Fließwegs und das andere Ende des umfänglichen äußeren Fließwegs verbindet, umfassen, wobei der Verbindungsfließweg und jede der Temperatursteuerungsmedium-Auslassöffnungen so neben der Temperatursteuerungsmedium-Einlassöffnung angeordnet sind, dass die Temperatursteuerungsmedium-Einlassöffnung dazwischen angeordnet ist.
  • Der mittlere Fließweg zur Temperatursteuerung und der umfängliche Fließweg zur Temperatursteuerung können jeweils an unterschiedliche Temperatursteuerungsmediumquellen angeschlossen sein. Der mittlere Fließweg zur Temperatursteuerung und der umfängliche Fließweg zur Temperatursteuerung können jeweils eine Deckenfläche und eine von der Deckenfläche vorspringende Rippe umfassen. In den Temperatursteuerungsmedium-Auslassöffnungen können jeweils Flusssteuerungsvorrichtungen bereitgestellt sein. Die Flusssteuerungsvorrichtungen können voneinander unabhängig gesteuert werden.
  • In der Substratbearbeitungsvorrichtung kann jede der Substratbühneneinheiten ein umfängliches Bühnenelement zur Anbringung des umfänglichen Abschnitts eines jeden der Substrate, um die Temperatur des umfänglichen Abschnitts zu steuern, ein mittleres Bühnenelement zur Anbringung des mittleren Abschnitts eines jeden der Substrate, um die Temperatur des mittleren Abschnitts zu steuern, und eine Haltebasis zum Halten des umfänglichen Bühnenelements und des mittleren Bühnenelements umfassen, wobei der umfängliche Fließweg zur Temperatursteuerung im umfänglichen Bühnenelement gebildet ist, der mittlere Fließweg zur Temperatursteuerung im mittleren Bühnenelement gebildet ist, und das umfängliche Bühnenelement und das mittlere Bühnenelement durch einen dazwischen belassenen Zwischenraum nicht miteinander in Kontakt stehen.
  • Das umfängliche Bühnenelement kann zwei oder mehr ringförmige umfängliche Bühnenabschnitte und einen Verbindungsabschnitt für die umfänglichen Bühnen zum Koppeln der umfänglichen Bühnenabschnitte umfassen, und das mittlere Bühnenelement zwei oder mehr mittlere Bühnenabschnitte mit einer Form, die den Innenumfängen der umfänglichen Bühnenabschnitte entspricht, und einen Verbindungsabschnitt für die mittleren Bühnen zum Koppeln der mittleren Bühnenabschnitte umfassen, wobei zwischen den umfänglichen Bühnenabschnitten und den mittleren Bühnenabschnitten ringförmige Zwischenräume in einer waagerechten Richtung gebildet sind, wobei zwischen dem Verbindungsabschnitt für die umfänglichen Bühnen und dem Verbindungsabschnitt für die mittleren Bühnen ein Zwischenraum in einer senkrechten Richtung gebildet ist, wobei der Verbindungsabschnitt für die umfänglichen Bühnen und der Verbindungsabschnitt für die mittleren Bühnen mit der Haltebasis gekoppelt sind. In Außenkanten der umfänglichen Bühnenabschnitte können Fokussierringe bereitgestellt sein, die die Substrate in ihrer Position ausrichten.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine schematische Schnittansicht, die eine Substratbearbeitungsvorrichtung zeigt.
  • 2A ist eine vordere perspektivische Ansicht, die eine Substratbühne zeigt, deren jeweilige Elemente (ein umfängliches Bühnenelement, ein mittleres Bühnenelement und eine Haltebasis) in einem zerlegten Zustand gehalten sind.
  • 2B ist eine vordere perspektivische Ansicht, die die Substratbühne zeigt, deren jeweilige Elemente in einem zusammengesetzten Zustand gehalten sind.
  • 3 ist eine schematische waagerechte Schnittansicht, die das umfängliche Bühnenelement zeigt.
  • 4 ist eine schematische waagerechte Schnittansicht, die das mittlere Bühnenelement zeigt.
  • 5 ist eine erklärende Ansicht, die ein Beispiel für eine Querschnittform eines umfänglichen Fließwegs zur Temperatursteuerung zeigt.
  • 6 ist eine erklärende Ansicht, die die Substratbearbeitungsvorrichtung zeigt, bei der Fokussierringe in umfänglichen Bühnenabschnitten eingerichtet sind.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
  • Nun wird unter Bezugnahme auf die Zeichnungen eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung beschrieben werden. In der Beschreibung und in den Zeichnungen der gegenständlichen Anmeldung werden Elemente, die hinsichtlich der Funktion und der Gestaltung im Wesentlichen identisch sind, durch die gleichen Bezugszeichen bezeichnet werden und nicht wiederholt beschrieben werden. In der folgenden Beschreibung wird eine Substratbearbeitungsvorrichtung 1 zur gleichzeitigen Anbringung und Bearbeitung von zwei Substraten W als ein Beispiel der vorliegenden Ausführungsform herangezogen werden.
  • 1 ist eine schematische Schnittansicht, die eine Substratbearbeitungsvorrichtung 1 nach einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt. Wie in 1 gezeigt umfasst die Substratbearbeitungsvorrichtung 1 eine Bearbeitungskammer 10 und eine Substratbühne 20, die in der Bearbeitungskammer 10 angeordnet ist, um Substrate W zu tragen, wenn die Substrate W bearbeitet werden. Ferner zeigt 1, dass auf der oberen Fläche der Substratbühne 20 zwei Substrate W angebracht sind. Die Bearbeitungskammer 10 umfasst einen Prozessgaseinbringungsabschnitt 23 z. B. in Form einer Dusche, der mit einer Prozessgaszufuhrvorrichtung 22 in Verbindung steht, und eine Ausstoßöffnung 26, die mit einer Vakuumpumpe 25 in Verbindung bleibt. Dies macht es möglich, das Innere der Bearbeitungskammer 10 zu evakuieren. Wenn die Substrate W bearbeitet werden, wird ein Prozessgas von dem Prozessgaseinbringungsabschnitt 23 in die Bearbeitungskammer 10 eingebracht.
  • In der Bearbeitungskammer 10 sind mehrere Haltestifte 28 bereitgestellt, die die Substratbühne 20 durchdringen und über die Substratbühne 20 vorspringen, um die Substrate W zu halten und die Substrate W auf der Substratbühne 20 anzubringen. Die Haltestifte 28 sind so gestaltet, dass sie durch eine Hebevorrichtung 29, die mit den Haltestiften 28 verbunden ist, um die Haltestifte 28 in einer senkrechten Richtung (in einer Aufwärts-Abwärts-Richtung in 1) zu bewegen, angehoben und abgesenkt werden. Wie in 1 gezeigt umfasst die Hebevorrichtung 29 eine Antriebseinheit 29a, z. B. einen Luftzylinder, die außerhalb der Bearbeitungskammer 10 bereitgestellt ist, und eine Hebeeinheit 29b, die mit der Antriebseinheit 29a verbunden ist. Die Hebeeinheit 29b erstreckt sich von der Antriebseinheit 29a in die Bearbeitungskammer 10. Die Haltestifte 28 sind an der Hebeeinheit 29b angebracht und werden zusammen mit der Hebeeinheit 29b, die sich bei Betätigung der Antriebseinheit 29a auf und ab bewegt, auf und ab bewegt. Wenn die Substrate W auf der oberen Fläche der Substratbühne 20 angebracht werden, springen die Haltestifte 28 um einen bestimmtes Abstand über die Substratbühne 20 vor. Die Substrate W werden auf den oberen Enden der vorspringenden Haltestifte 28 angeordnet. In diesem Zustand werden die Haltestifte 28 so abgesenkt, dass ihre Spitzenenden näher an die obere Fläche der Substratbühne 20 gelangen können, wodurch die Substrate W auf der Substratbühne 20 angebracht werden.
  • An der oberen Fläche der Substratbühne 20 sind kleine Vorsprünge 30 gebildet. Wenn die Haltestifte 28, die die Substrate W halten, wie oben erwähnt so abgesenkt werden, dass sie sich neben der oberen Fläche der Substratbühne 20 befinden, werden die Substrate W so auf der Substratbühne 20 angebracht, dass sie durch die Vorsprünge 30 der oberen Fläche der Substratbühne 20 von der oberen Fläche der Substratbühne 20 beabstandet sind (d. h., dass sie sich in einer im Wesentlichen kontaktlosen Beziehung mit der Substratbühne 20 befinden). In der Substratbearbeitungsvorrichtung 1 der vorliegenden Ausführungsform sind in Bezug auf ein Substrat W drei Haltestifte 28 bereitgestellt. Gleichermaßen sind die Vorsprünge 30 in Bezug auf ein Substrat W an drei Punkten gebildet. Das Substrat W wird so angehoben und abgesenkt, dass es durch die drei Haltestifte 28 an drei Punkten gehalten wird. Das Substrat W ist durch die Vorsprünge 30, die an drei Punkten an der oberen Fläche der Substratbühne 20 (in einer entsprechenden Beziehung mit jedem der Substrate W) gebildet sind, auf eine im Wesentlichen kontaktlose Weise auf der Substratbühne 20 angebracht. In dieser Hinsicht ist der Grund für die Anbringung der Substrate W auf eine im Wesentlichen kontaktlose Weise auf der oberen Fläche der Substratbühne 20, dass Verunreinigungen wie etwa Partikel, die auf der oberen Fläche der Substratbühne 20 vorhanden sind, an den Oberflächen der Substrate W anhaften können, wenn die Substrate direkt auf der Substratbühne 20 angebracht sind.
  • Nun wird die Gestaltung der Substratbühne 20 unter Bezugnahme auf 2A und 2B, die erklärende Ansichten sind, welche die Substratbühne 20 zeigen, ausführlich beschrieben werden. 2A ist eine vordere perspektivische Ansicht, die die Substratbühne 20 zeigt, deren jeweilige Elemente (ein umfängliches Bühnenelement 40, ein mittleres Bühnenelement 50 und eine Haltebasis 55) in einem zerlegten Zustand gehalten sind. 2B ist eine vordere perspektivische Ansicht, die die Substratbühne 20 zeigt, deren jeweilige Elemente in einem zusammengesetzten Zustand gehalten sind. Die Haltestifte 28 sind so bereitgestellt, dass sie die Substratbühne 20 durchdringen, und die jeweiligen Fließwege zur Temperatursteuerung, die später beschrieben werden, sind in 2A und 2B nicht gezeigt. Die Substratbühne 20 ist in einem derartigen Zustand in der Bearbeitungskammer 10 der in 1 gezeigten Substratbearbeitungsvorrichtung 1 angeordnet, dass die jeweiligen Elemente wie in 2A gezeigt zusammengesetzt sind.
  • Wie in 2A und 2B gezeigt umfasst die Substratbühne 20 ein umfängliches Bühnenelement 40 zur Anbringung von umfänglichen Substratabschnitten W1 der Substrate W, ein mittleres Bühnenelement 50 zur Anbringung von mittleren Substratabschnitten W2 der Substrate W und eine Haltebasis 55 zum Halten des umfänglichen Bühnenelements 40 und des mittleren Bühnenelements 50. Bei der vorliegenden Ausführungsform bilden das umfängliche Bühnenelement 40 und das mittlere Bühnenelement 50 eine Substratbühneneinheit. Das umfängliche Bühnenelement 40 umfasst zwei im Allgemeinen ringförmige umfängliche Bühnenabschnitte 41 und einen Verbindungsabschnitt 43 für die umfänglichen Bühnen, um die beiden umfänglichen Bühnenabschnitte 41, die in der waagerechten Richtung nebeneinander angeordnet sind, zu koppeln. Das mittlere Bühnenelement 50 umfasst zwei im Allgemeinen scheibenförmige Bühnenabschnitte 51 und einen Verbindungsabschnitt 53 für die mittleren Bühnen, um die mittleren Bühnenabschnitte 51, die in der waagerechten Richtung nebeneinander, angeordnet sind, zu koppeln. In dieser Hinsicht entspricht die Form der Innenumfänge der umfänglichen Bühnenabschnitte 41 der Form der mittleren Bühnenabschnitte 51. Mit anderen Worten passen die mittleren Bühnenabschnitte 51 in die mittleren Räume 41a der im Allgemeinen ringförmigen umfänglichen Bühnenabschnitte 41, wenn das umfängliche Bühnenelement 40 und das mittlere Bühnenelement 50 wie in 2B gezeigt aufeinander gefügt sind. Daher ist die Form der Draufsicht (der oberen Fläche) der mittleren Räume 41a im Wesentlichen die gleiche wie die Form der Draufsicht (der oberen Fläche) der mittleren Bühnenabschnitte 51. Der Flächeninhalt der oberen Fläche der mittleren Bühnenabschnitte 51 ist kleiner als der Flächeninhalt der oberen Fläche der mittleren Räume 41a. Der Flächeninhalt der oberen Fläche der umfänglichen Bühnenabschnitte 41 ist im Wesentlichen dem Flächeninhalt der oberen Fläche der mittleren Bühnenabschnitte 51 gleich.
  • Da die Form der umfänglichen Bühnenabschnitte 41 wie oben erwähnt der Form der mittleren Bühnenabschnitte 51 entspricht, sind in der waagerechten Richtung ringförmige Zwischenräume 56 zwischen den umfänglichen Bühnenabschnitten 41 und den mittleren Bühnenabschnitten 51 gebildet, wenn das umfängliche Bühnenelement 40 und das mittlere Bühnenelement 50 wie in 2B gezeigt aufeinander gefügt sind. Um die Substratbühne 20 aufzubauen, sind die jeweiligen Elemente (das umfängliche Bühnenelement 40, das mittlere Bühnenelement 50 und die Haltebasis 55) durch Schrauben (nicht gezeigt) miteinander gekoppelt. Gleichermaßen sind der Verbindungsabschnitt 53 für die mittleren Bühnen und die Haltebasis 55 durch Schrauben (nicht gezeigt) miteinander gekoppelt. Die Kopplung der jeweiligen Elemente wird so durchgeführt, dass zwischen dem Verbindungsabschnitt 43 für die umfänglichen Bühnen und dem Verbindungsabschnitt 53 für die mittleren Bühnen ein Zwischenraum 59 in der senkrechten Richtung vorhanden ist. Als Ergebnis weist die Substratbühne 20 eine derartige Form auf, dass das umfängliche Bühnenelement 40 und das mittlere Bühnenelement 50 von einem Kontakt miteinander fern gehalten werden.
  • Wie in 2A gezeigt ist an einem Punkt im Mittelbereich der unteren Fläche des Verbindungsabschnitts 43 für die umfänglichen Bühnen eine Temperatursteuerungsmedium-Einlassöffnung 61 bereitgestellt. Durch die Temperatursteuerungsmedium-Einlassöffnung 61 wird ein Temperatursteuerungsmedium, zum Beispiel ein Kühlmittel wie etwa Kühlwasser, in umfängliche Fließwege 60 zur Temperatursteuerung, die im umfänglichen Bühnenelement 40 (in den umfänglichen Bühnenabschnitten 41) gebildet sind, eingebracht. Temperatursteuerungsmedium-Auslassöffnungen 63 zum Ablassen des Kühlmittels aus den umfänglichen Fließwegen 60 zur Temperatursteuerung sind an zwei Punkten an beiden Seiten (der vorderen und der hinteren Seite in 2A und 2B) der Temperatursteuerungsmedium-Einlassöffnung 61 bereitgestellt. In dieser Hinsicht umfasst das umfängliche Bühnenelement 40 zwei umfängliche Bühnenabschnitte 41 zur Anbringung von zwei Substraten und einen Verbindungsabschnitt 43 für die umfänglichen Bühnen. Die umfänglichen Fließwege 60 zur Temperatursteuerung sind jeweils in den beiden umfänglichen Bühnenabschnitten 41 gebildet. Die umfänglichen Fließwege 60 zur Temperatursteuerung gelangen in der Temperatursteuerungsmedium-Einlassöffnung 61 miteinander in Verbindung. Die Gestaltung und die Form der umfänglichen Fließwege 60 zur Temperatursteuerung werden später unter Bezugnahme auf 3 beschrieben werden.
  • In den entgegengesetzten Endabschnitten (dem linken und dem rechten Endabschnitt in 2A und 2B) des Verbindungsabschnitts 53 für die mittleren Bühnen dicht an den mittleren Bühnenabschnitten 51 sind Einlassöffnungen 67 und Auslassöffnungen 69 auf eine solche Weise bereitgestellt, dass in jedem Endabschnitt des Verbindungsabschnitts 53 für die mittleren Bühnen ein Paar aus einem Einlassanschluss 67 und einem Auslassanschluss 69 eingerichtet ist. Durch die Einlassöffnungen 67 wird das Kühlmittel in die mittleren Fließwege 65 zur Temperatursteuerung, die im mittleren Bühnenelement 50 (in den mittleren Bühnenabschnitten 51) bereitgestellt sind, eingebracht. Durch die Auslassöffnungen 69 wird das Kühlmittel aus den mittleren Fließwegen 65 zur Temperatursteuerung abgelassen. Die Gestaltung und die Form der mittleren Fließwege 65 zur Temperatursteuerung werden später unter Bezugnahme auf 4 beschrieben werden.
  • Im Mittelbereich des Verbindungsabschnitts 53 für die mittleren Bühnen sind drei Lochabschnitte 57 (in 2A in der Reihenfolge des hinteren, mittleren und vorderen mit 57a, 57b und 57c bezeichnet) an jenen Positionen bereitgestellt, an denen die Lochabschnitte 57 mit der Temperatursteuerungsmedium-Einlassöffnung 61 und den Temperatursteuerungsmedium-Auslassöffnungen 63 überlappen, wenn das umfängliche Bühnenelement 40 und das mittlere Bühnenelement 50 wie in 2B gezeigt aufeinander gefügt sind, um die Substratbühne 20 zu bilden.
  • Wie in 2A ersichtlich ist, sind in der Haltebasis 55 an jenen Positionen, die der Temperatursteuerungsmedium-Einlassöffnung 61, den Temperatursteuerungsmedium-Auslassöffnungen 63, den Einlassöffnungen 67 und den Auslassöffnungen 69 entsprechen, Rohre bereitgestellt. Wenn das umfängliche Bühnenelement 40 und das mittlere Bühnenelement 50 aufeinander gefügt sind, um die Substratbühne 20 zu bilden, sind die Rohre jeweils mit den Öffnungen 61, 63, 67 und 69 verbunden. In 2A ist das Rohr, das der Temperatursteuerungsmedium-Einlassöffnung 61 entspricht, durch das Bezugszeichen 61' bezeichnet, sind die Rohre, die den Temperatursteuerungsmedium-Auslassöffnungen 63 entsprechen, durch das Bezugszeichen 63' bezeichnet, sind die Rohre, die den Einlassöffnungen 67 entsprechen, durch das Bezugszeichen 67' bezeichnet, und sind die Rohre, die den Einlassöffnungen 69 entsprechen, durch das Bezugszeichen 69' bezeichnet. Die Verbindung der Temperatursteuerungsmedium-Einlassöffnung 61 und des Rohrs 61' und die Verbindung der Temperatursteuerungsmedium-Auslassöffnungen 63 und der Rohre 63' sind in den Lochabschnitten 57 (57a, 57b und 57c) vorgenommen. Dadurch sind die Rohre 61' und 63' so angeordnet, dass sie um eine Höhe, die der Höhe der Lochabschnitte 57 (nämlich der Dicke des Verbindungsabschnitts 53 für die mittleren Bühnen) im Wesentlichen gleich ist, höher als andere Abschnitte an der oberen Fläche der Haltebasis 55 vorspringen.
  • Wie oben dargelegt sind die umfänglichen Fließwege 60 zur Temperatursteuerung jeweils in den beiden umfänglichen Bühnenabschnitten 41 gebildet. 3 ist eine schematische waagerechte Schnittansicht, die das umfängliche Bühnenelement 40 zeigt. In 3 ist das umfängliche Bühnenelement 40 der Beschreibung halber gestrichelt angegeben. Wie in 3 gezeigt sind die umfänglichen Fließwege 60 zur Temperatursteuerung mit der Temperatursteuerungsmedium-Einlassöffnung 61 und den Temperatursteuerungsmedium-Auslassöffnungen 63 des Verbindungsabschnitts 43 für die umfänglichen Bühnen verbunden. Das Kühlmittel, z. B. Kühlwasser, das von der Temperatursteuerungsmedium-Einlassöffnung 61 eingebracht wurde, wird durch die umfänglichen Fließwege 60 zur Temperatursteuerung bewegt und dann von den Temperatursteuerungsmedium-Auslassöffnungen 63 abgegeben. Jeder der umfänglichen Fließwege 60 zur Temperatursteuerung umfasst einen umfänglichen äußeren Fließweg 60a, der sich entlang des äußeren Bereichs eines jeden der umfänglichen Bühnenabschnitte 41 (entlang des umfänglichen Abschnitts eines jeden der Wafer W) erstreckt, einen umfänglichen inneren Fließweg 60b, der sich entlang des inneren Bereichs eines jeden der umfänglichen Bühnenabschnitte 41 erstreckt, und einen Verbindungsfließweg 60c, um einen Endabschnitt des umfänglichen äußeren Fließwegs 60a und einen Endabschnitt des umfänglichen inneren Fließwegs 60b zu verbinden. Das andere Ende des umfänglichen äußeren Fließwegs 60a (nämlich der Endabschnitt des umfänglichen äußeren Fließwegs 60a, der nicht mit dem Verbindungsfließweg 60c verbunden ist), ist mit jeder der Temperatursteuerungsmedium-Auslassöffnungen 63 verbunden. Das andere Ende des umfänglichen inneren Fließwegs 60b (nämlich der Endabschnitt des umfänglichen inneren Fließwegs 60b, der nicht mit dem Verbindungsfließweg 60c verbunden ist), ist mit der Temperatursteuerungsmedium-Einlassöffnung 61 verbunden. In dieser Hinsicht erstrecken sich der umfängliche äußere Fließweg 60a und der umfängliche innere Fließweg 60b so, dass sie jeweils im Wesentlichen um das umfängliche Bühnenelement 40 verlaufen. Der Verbindungsfließweg 60c und die Temperatursteuerungsmedium-Auslassöffnungen 63 sind so angeordnet, dass sie sich neben der Temperatursteuerungsmedium-Einlassöffnung 61 befinden, so dass die Temperatursteuerungsmedium-Einlassöffnung 61 dazwischen angeordnet ist.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform umfasst das umfängliche Bühnenelement 40 zwei umfängliche Bühnenabschnitte 41 und einen Verbindungsabschnitt 43 für die umfänglichen Bühnen, um die beiden umfänglichen Bühnenabschnitte 41 zu koppeln. Wie in 3 gezeigt sind die umfänglichen Fließwege 60 zur Temperatursteuerung jeweils in den beiden umfänglichen Bühnenabschnitten 41 gebildet und mit einer gemeinsamen Temperatursteuerungsmedium-Einlassöffnung 61 verbunden. Dadurch wird das Kühlmittel von der gemeinsamen Temperatursteuerungsmedium-Einlassöffnung 61 in die beiden umfänglichen Fließwege 60 zur Temperatursteuerung eingebracht. Nach dem Verlauf durch die umfänglichen Fließwege 60 zur Temperatursteuerung wird das Kühlmittel von den Temperatursteuerungsmedium-Auslassöffnungen 63, die voneinander unabhängig gebildet sind, abgegeben. Flusssteuerungsvorrichtungen 70, die jeweils ein Ventil und eine Steuereinheit umfassen, sind jeweils in den Temperatursteuerungsmedium-Auslassöffnungen 63 eingerichtet. Die Flusssteuerungsvorrichtungen 70 steuern die Fließgeschwindigkeiten des Kühlmittels, das durch die umfänglichen Fließwege 60 zur Temperatursteuerung fließt. Die Flusssteuerungsvorrichtungen 70, die jeweils in den beiden Temperatursteuerungsmedium-Auslassöffnungen 63 eingerichtet sind, werden voneinander unabhängig gesteuert.
  • Das heißt, die Fließgeschwindigkeiten des Kühlmittels, das durch die beiden umfänglichen Fließwege 60 zur Temperatursteuerung fließt, werden voneinander unabhängig gesteuert.
  • Die mittleren Fließwege 65 zur Temperatursteuerung sind jeweils in den beiden mittleren Bühnenabschnitten 51 gebildet. 4 ist eine schematische waagerechte Schnittansicht, die das mittlere Bühnenelement 50 zeigt. In 4 ist das mittlere Bühnenelement 50 der Beschreibung willen gestrichelt angegeben. Wie in 4 gezeigt sind die mittleren Fließwege 65 zur Temperatursteuerung mit den Einlassöffnungen 67 und den Auslassöffnungen 69 des Verbindungsabschnitts 53 für die mittleren Bühnen verbunden Das Kühlmittel, das von den Einlassöffnungen 67 eingebracht wurde, wird durch die mittleren Fließwege 65 zur Temperatursteuerung bewegt und dann von den Auslassöffnungen 69 abgegeben. Die mittleren Fließwege 65 zur Temperatursteuerung müssen nur eine Form aufweisen, die geeignet ist, um die gesamte Fläche der mittleren Bühnenabschnitte 51 abzudecken. Bei einigen Ausführungsformen kann die Form der mittleren Fließwege 65 zur Temperatursteuerung so gestaltet sein, dass sich zwei Fließwege mit einer im Allgemeinen ringförmigen Form wie in 4 gezeigt entlang des inneren und des äußeren Bereichs eines jeden der mittleren Bühnenabschnitte 51 winden. Die Flusssteuerungsvorrichtungen 70, wovon jede ein Ventil und eine Steuereinheit umfasst, sind auf die gleiche Weise wie bei den Temperatursteuerungsmedium-Auslassöffnungen 63 jeweils in den Auslassöffnungen 69 eingerichtet. Die Flusssteuerungsvorrichtungen 70 steuern die Fließgeschwindigkeiten des Kühlmittels, das durch die mittleren Fließwege 65 zur Temperatursteuerung fließt. Die Flusssteuerungsvorrichtungen 70, die in den beiden Auslassöffnungen 70 eingerichtet sind, werden voneinander unabhängig gesteuert. Dadurch werden die Fließgeschwindigkeiten des Kühlmittels, das durch die beiden mittleren Fließwege 65 zur Temperatursteuerung fließt, voneinander unabhängig gesteuert.
  • Unter erneuter Bezugnahme auf 1 stehen die umfänglichen Fließwege 60 zur Temperatursteuerung durch ein Einlassrohr 83 und Auslassrohre 84 mit einer Quelle 80 für das Temperatursteuerungsmedium, die außerhalb der Bearbeitungskammer 10 angeordnet ist, in Verbindung. Beim Betrieb der Quelle 80 für das Temperatursteuerungsmedium wird das Kühlmittel durch das Einlassrohr 83 von der Temperatursteuerungsmedium-Einlassöffnung 61 in die umfänglichen Fließwege 60 zur Temperatursteuerung geliefert. Nach dem Verlauf durch die umfänglichen Fließwege 60 zur Temperatursteuerung wird das Kühlmittel von den Temperatursteuerungsmedium-Auslassöffnungen 63 durch die Auslassrohre 84 zu der Quelle 80 für das Temperatursteuerungsmedium abgegeben. Mit anderen Worten zirkuliert das Kühlmittel zwischen der Quelle 80 für das Temperatursteuerungsmedium und den umfänglichen Fließwegen 60 zur Temperatursteuerung.
  • Wie in 1 gezeigt stehen die mittleren Fließwege 65 zur Temperatursteuerung durch Einlassrohre 93 und Auslassrohre 94 mit einer Quelle 90 für das Temperatursteuerungsmedium, die außerhalb der Bearbeitungskammer 10 angeordnet ist, in Verbindung. Beim Betrieb der Quelle 90 für das Temperatursteuerungsmedium wird das Kühlmittel durch die Einlassrohre 67 von den Einlassöffnungen 69 in die mittleren Fließwege 65 zur Temperatursteuerung geliefert. Nach dem Verlauf durch die mittleren Fließwege zur Temperatursteuerung 65 wird das Kühlmittel von den Auslassöffnungen 69 durch die Auslassrohre 94 zu der Quelle 90 für das Temperatursteuerungsmedium abgegeben. Das heißt, das Kühlmittel zirkuliert zwischen der Quelle 90 für das Temperatursteuerungsmedium und den mittleren Fließwegen 65 zur Temperatursteuerung. Die Temperatursteuerungsmediumquellen 80 und 90 unterscheiden sich voneinander. Die Kühlmittel, die durch die Quellen 80 und 90 für das Temperatursteuerungsmedium zirkulieren, weisen unterschiedliche Temperaturen auf. Die Temperaturen der Kühlmittel werden durch die Quellen 80 und 90 für das Temperatursteuerungsmedium unabhängig gesteuert.
  • Wenn in der wie oben gestalteten Substratbearbeitungsvorrichtung 1 eine Substratbearbeitung durchgeführt wird, erfahren die Substrate W, die auf der Substratbühne 20 angebracht sind, eine Temperatursteuerung durch die Strahlungswärme, die von der Substratbühne 20 abstrahlt, deren Temperatur durch die Fließwege zur Temperatursteuerung (d. h., die umfänglichen Fließwege 60 zur Temperatursteuerung und die mittleren Fließwege 65 zur Temperatursteuerung), die in dem umfänglichen Bühnenelement 40 und in dem mittleren Bühnenelement 50 gebildet sind, gesteuert wird. Zu dieser Zeit erfahren die umfänglichen Substratabschnitte W1 eine Temperatursteuerung durch die Kühlkapazität der umfänglichen Fließwege 60 zur Temperatursteuerung, die in dem umfänglichen Bühnenelement 40 gebildet sind, und werden die mittleren Substratabschnitte W2 durch die Kühlkapazität der mittleren Fließwege 65 zur Temperatursteuerung, die in dem mittleren Bühnenelement 50 gebildet sind, gekühlt. Auf diese Weise werden die umfänglichen Substratabschnitte W1 und die mittleren Substratabschnitte W2 durch die Kühlkapazitäten verschiedener Fließwege zur Temperatursteuerung gekühlt.
  • Im Verlauf der Substratbearbeitung werden die Substrate W durch die Strahlungswärme, die von der Innenwand der Bearbeitungskammer 10 mit einer höheren Temperatur als jener der Substrate W ausstrahlt, erhitzt. Insbesondere ist die Menge der Wärme, mit der die umfänglichen Substratabschnitte W1 beaufschlagt werden, größer als die Menge der Wärme, mit der die mittleren Substratabschnitte W2 beaufschlagt werden, da der Abstand zwischen den umfänglichen Substratabschnitten W1 und der Innenwand der Bearbeitungskammer 10 kürzer als der Abstand zwischen den mittleren Substratabschnitten W2 und der Innenwand der Bearbeitungskammer 10 ist. Da die Oberflächentemperaturen der in Bearbeitung befindlichen Substrate W im Verlauf der Bearbeitung gleichmäßig gehalten werden müssen, ist es nötig, die umfänglichen Substratabschnitte W1 stärker als die mittleren Substratabschnitte W2 zu kühlen (hinsichtlich der Temperatur zu steuern). Wie oben erwähnt umfasst die Substratbühne 20 der Substratbearbeitungsvorrichtung 1 der vorliegenden Ausführungsform das umfängliche Bühnenelement 40 und das mittlere Bühnenelement 50. Zwischen dem umfänglichen Bühnenelement 40 und dem mittleren Bühnenelement sind jeweils der waagerechte Zwischenraum 56 und der senkrechte Zwischenraum 59 gebildet. Das umfängliche Bühnenelement 40 und das mittlere Bühnenelement 50 werden von einem Kontakt miteinander ferngehalten. In dieser Hinsicht ist das Innere der Bearbeitungskammer 10 während des Verlaufs der Bearbeitung evakuiert. Daher sind die Zwischenräume 56 und 59 vakuumisoliert, um eine gegenseitige Beeinflussung der Temperaturen des umfänglichen Bühnenelements 40 und des mittleren Bühnenelements 50 zu verhindern. Dies macht es möglich, die Temperaturen des umfänglichen Bühnenelements 40 und des mittleren Bühnenelements 50 unabhängig so zu steuern, dass die umfänglichen Substratabschnitte W1 starker gekühlt (temperaturgesteuert) werden, als die mittleren Substratabschnitte W2.
  • Mit anderen Worten wird es in einigen Ausführungsformen möglich, die Temperatur und die Fließgeschwindigkeit des Kühlmittels, das durch die umfänglichen Fließwege 60 zur Temperatursteuerung, die in dem umfänglichen Bühnenelement 40 gebildet sind, fließt, und die Temperatur und die Fließgeschwindigkeit des Kühlmittels, das durch die mittleren Fließwege 65 zur Temperatursteuerung, die in dem mittleren Bühnenelement 50 gebildet sind, fließt, unabhängig zu regeln und zu steuern, wodurch die Temperatur der umfänglichen Substratabschnitte W1, die durch die umfänglichen Fließwege 60 zur Temperatursteuerung gekühlt (temperaturgesteuert) werden, und die Temperatur der mittleren Substratabschnitte W2, die durch die mittleren Fließwege 65 zur Temperatursteuerung gekühlt (temperaturgesteuert) werden, unabhängig und genau geregelt und gesteuert werden. Demgemäß ist es möglich, die gesamten Oberflächentemperaturen der Substrate W während des Verlaufs der Substratbearbeitung genau gleichmäßig zu machen. Wenn zum Beispiel die Temperatur der umfänglichen Substratabschnitte W1 aufgrund der Strahlungswärme, die von der Innenwand der Bearbeitungskammer 10 ausstrahlt, höher als die Temperatur der mittleren Substratabschnitte W2 ansteigt, wird die Temperatur des Kühlmittels, das durch die umfänglichen Fließwege 60 zur Temperatursteuerung fließt, so gesteuert, dass sie niedriger als die Temperatur des Kühlmittels wird, das durch die mittleren Fließwege 65 zur Temperatursteuerung fließt. Die Fließgeschwindigkeit des Kühlmittels, das durch die umfänglichen Fließwege 60 zur Temperatursteuerung fließt, wird so gesteuert, dass sie größer als die Fließgeschwindigkeit des Kühlmittels wird, das durch die mittleren Fließwege 65 zur Temperatursteuerung fließt. Dies macht es möglich, die umfänglichen Substratabschnitte W1 stärker als die mittleren Substratabschnitte W2 zu kühlen (hinsichtlich der Temperatur zu steuern), wodurch folglich die gesamten Oberflächentemperaturen der Substrate W gleichmäßig gemacht werden.
  • Die Substratbearbeitung, die durch die Substratbearbeitungsvorrichtung 1 der vorliegenden Ausführungsform durchgeführt wird, kann, jedoch ohne besondere Beschränkung darauf, z. B. das Bearbeiten von SiO2 Filmen, welche an den Oberflächen der Substrate W gebildet sind, unter Verwendung eines Prozessgases wie etwa eines HF-Gases oder eines NH3-Gases und dann ein Reinigungsbearbeiten des Substrats durch Entfernen der SiO2-Filme durch eine Hitzebearbeitung von den Oberflächen der Substrate W umfassen.
  • Wenn gleichzeitig zwei Substrate W, die auf der Substratbühne 20 der vorliegenden Ausführungsform angebracht sind, bearbeitet werden, wird das Kühlmittel von der Quelle 80 für das Temperatursteuerungsmedium durch die eine gemeinsame Temperatursteuerungsmedium-Einlassöffnung 61 in die beiden umfänglichen Fließwege 60 zur Temperatursteuerung eingebracht und wird die Fließgeschwindigkeit des Kühlmittels in den Temperatursteuerungsmedium-Auslassöffnungen 63, durch die das Kühlmittel aus den umfänglichen Fließwegen 60 zur Temperatursteuerung abgegeben wird, gesteuert. Verglichen mit der Bereitstellung einer Temperatursteuerungsmedium-Einlassöffnung und einer Temperatursteuerungsmedium-Auslassöffnung für jeden der beiden umfänglichen Fließwege zur Temperatursteuerung hilft die oben beschriebene Gestaltung bei einigen Ausführungsformen, die Rohrleitungsführung zu vereinfachen, und unterstützt sie die Verbesserung der Raumausnutzung und die Verringerung der Kosten.
  • Obwohl oben ein Beispiel der vorliegenden Ausführungsform beschrieben wurde, ist die vorliegende Offenbarung nicht auf die veranschaulichte Ausführungsform beschränkt. Es wird für Fachleute offenkundig sein, dass verschiedenste Arten von Abwandlungen oder Veränderungen vorgenommen werden können, ohne von dem in den Ansprüchen definierten Umfang der vorliegenden Offenbarung abzuweichen. Diese Abwandlungen sollen als in den Umfang der vorliegenden Offenbarung fallend interpretiert werden. Zum Beispiel sind die Formen der umfänglichen Fließwege 60 zur Temperatursteuerung und der mittleren Fließwege 65 zur Temperatursteuerung, die bei der vorliegenden Ausführungsform eingesetzt werden, nicht auf die in 3 und 4 gezeigten beschränkt. Die umfänglichen Fließwege 60 zur Temperatursteuerung müssen lediglich eine Form aufweisen, die zum gleichmäßigen Steuern der Temperaturen der gesamten Oberflächen der umfänglichen Bühnenabschnitte 41 geeignet ist. Ebenso müssen die mittleren Fließwege 65 zur Temperatursteuerung lediglich eine Form aufweisen, die zum gleichmäßigen Steuern der Temperaturen der gesamten Oberflächen der mittleren Bühnenabschnitte 51 geeignet ist.
  • Bei der oben beschriebenen Ausführungsform wird ein Kühlmittel wie etwa Kühlwasser als Beispiel für das Temperatursteuerungsmedium, das durch die umfänglichen Fließwege 60 zur Temperatursteuerung und durch die mittleren Fließwege 65 zur Temperatursteuerung fließt, herangezogen. Doch die vorliegende Offenbarung soll nicht darauf beschränkt sein. Zum Beispiel kann zur genauen Steuerung der Temperatur der Substrate W ein Fluid mit einer Temperatur, die der Oberflächentemperatur der Substrate W im Wesentlichen gleich ist, als das Temperatursteuerungsmedium verwendet werden und ihm gestattet werden, durch die umfänglichen Fließwege 60 zur Temperatursteuerung und durch die mittleren Fließwege 65 zur Temperatursteuerung zu fließen. In diesem Fall fließt ein Temperatursteuerungsmedium, das auf eine bestimmte Temperatur erhitzt wurde, durch die umfänglichen Fließwege 60 zur Temperatursteuerung und die mittleren Fließwege 65 zur Temperatursteuerung.
  • Bei der oben beschriebenen Ausführungsform ist den Querschnittformen der umfänglichen Fließwege 60 zur Temperatursteuerung und der mittleren Fließwege 65 zur Temperatursteuerung keine besondere Beschränkung auferlegt. Um die Wärme des Kühlmittels wirksam zu dem umfänglichen Bühnenelement 40 und dem mittleren Bühnenelement 50 zu übertragen, weisen die jeweiligen Fließwege (die umfänglichen Fließwege 60 zur Temperatursteuerung und die mittleren Fließwege 65 zur Temperatursteuerung) in einigen Ausführungsformen Querschnittformen auf, die zur Erhöhung der Kontaktfläche zwischen der Innenfläche des Fließwegs und dem Kühlmittel geeignet sind.
  • 5 ist eine erklärende Ansicht, die ein Beispiel für die Querschnittform der umfänglichen Fließwege 60 zur Temperatursteuerung zeigt. Wie in 5 gezeigt umfasst jeder der umfänglichen Fließwege 60 zur Temperatursteuerung nach dem vorliegenden abgewandelten Beispiel Rippen 100, die senkrecht von der Deckenfläche eines jeden der umfänglichen Fließwege 60 zur Temperatursteuerung vorspringen. Die Länge und die Breite dieser Rippen 100 sind so festgelegt, dass die Rippen 100 den Fluss des Kühlmittels, das durch die umfänglichen Fließwege 60 zur Temperatursteuerung fließt, nicht behindern. In einigen Ausführungsformen sind die Länge und die Breite der Rippen 100 abhängig von der Fließgeschwindigkeit des Kühlmittels, das durch die umfänglichen Fließwege 60 zur Temperatursteuerung fließt, passend festgelegt. Zusätzlich können die Anzahl der Rippen 100 und der Abstand zwischen den Rippen 100 abhängig von der Fließgeschwindigkeit des Kühlmittels passend festgelegt werden.
  • Wenn die Rippen 100 wie in 5 gezeigt an der Deckenfläche jedes der umfänglichen Fließwege 60 zur Temperatursteuerung gebildet sind, wird der Flächeninhalt der Innenfläche jedes der umfänglichen Fließwege 60 zur Temperatursteuerung größer als der Flächeninhalt der Innenfläche eines typischen Fließwegs mit einem rechteckigen Querschnitt. Dies führt zu einer Zunahme der Kontaktfläche zwischen dem Kühlmittel, das durch den Fließweg fließt, und der Innenfläche des Fließwegs. Daher kann das Kühlmittel Wärme effizient mit der Innenfläche des Fließwegs austauschen. Mit anderen Worten werden die umfänglichen Bühnenabschnitte 41 (wird das umfängliche Bühnenelement 40) durch das Kühlmittel, das durch die umfänglichen Fließwege 60 zur Temperatursteuerung fließt, effizient gekühlt (temperaturgesteuert). Als Ergebnis wird es möglich, die Kühlungseffizienz der Substrate W, die auf dem umfänglichen Bühnenelement 40 angebracht sind, zu erhöhen.
  • In der Substratbearbeitungsvorrichtung 1 der oben beschriebenen Ausführungsform können in den Außenkanten der umfänglichen Bühnenabschnitte 41 Fokussierringe zum Ausrichten der Substrate W in ihrer Position bereitgestellt sein. 6 ist eine erklärende Ansicht, die Fokussierringe 110 zeigt, welche in den Außenkanten der beiden umfänglichen Bühnenabschnitte 41 in der Substratbearbeitungsvorrichtung 1 der oben beschriebenen Ausführungsform bereitgestellt sind. Die Fokussierringe 110 sind kranzförmige Ringe, die entlang der Außenkanten der umfänglichen Bühnenabschnitte 41 (in der Nähe der Außenumfänge der umfänglichen Bühnenabschnitte 41) angeordnet sind. Die Höhe der Fokussierringe 110 ist im Wesentlichen der Dicke der Substrate W gleich.
  • Wie oben unter Bezugnahme auf die veranschaulichte Ausführungsform dargelegt wird jedes der Substrate W durch die Vorsprünge 30 an drei Punkten gehalten, wenn es auf dem umfänglichen Bühnenelement 40 (auf jedem der umfänglichen Bühnenabschnitte 41) angebracht ist. Obwohl jedes der Substrate W in einer bestimmten Position auf der oberen Fläche eines jeden der umfänglichen Bühnenabschnitte 41 angebracht ist, besteht eine Möglichkeit, dass jedes der so angebrachten Substrate W infolge eines fremdverursachten Grunds (z. B. die Schwingung der Substratbearbeitungsvorrichtung) aus der bestimmten Position verschoben werden kann. Durch das wie in 6 gezeigte Bereitstellen der Fokussierringe 110 in den Außenkanten der umfänglichen Bühnenabschnitte 41 ist es möglich, jedwede Fehlausrichtung eines jeden der Substrate W, die in einer bestimmten Position an der oberen Fläche eines jeden der umfänglichen Bühnenabschnitte 41 angebracht sind, zu vermeiden. Dies macht es möglich, jedes der Substrate W in der bestimmten Position auszurichten. Wenn die Substrate auf dem umfänglichen Bühnenelement 40 angebracht werden, ist es gleichermaßen möglich, jedes der Substrate W in der bestimmten Position auszurichten.
  • Im Verlauf der Substratbearbeitung wird ein Prozessgas in die Bearbeitungskammer 10 eingebracht. Die Fokussierringe 110 helfen, den Fluss des Prozessgases in die Zwischenräume 111, die zwischen den Substraten W und den umfänglichen Bühnenabschnitten 41 gebildet sind, zu stabilisieren. Dadurch wird die Substratbearbeitung auf eine effiziente Weise durchgeführt.
  • Die vorliegende Offenbarung ist auf eine Substratbühne, eine Substratbearbeitungsvorrichtung und ein Substratbearbeitungssystem zur Verwendung auf dem Gebiet der Feinbearbeitung z. B. in einem Halbleiterherstellungsprozess anwendbar.
  • Nach der vorliegenden Offenbarung ist es bei einigen Ausführungsformen möglich, eine Substratbearbeitungsvorrichtung bereitzustellen, die fähig ist, die Temperaturen des umfänglichen und des mittleren Abschnitts eines Substrats ohne gegenseitige Beeinflussung der Temperaturen unabhängig und genau zu regeln und zu steuern, und die fähig ist, eine Rohrleitungsführung zu vereinfachen.
  • Obwohl bestimmte Ausführungsformen beschrieben wurden, wurden diese Ausführungsformen nur beispielhaft gezeigt und sollen sie den Umfang der Offenbarungen nicht beschränken. Tatsächlich können die neuartigen Vorrichtungen, die hier beschrieben sind, in einer Vielfalt von anderen Formen ausgeführt werden; darüber hinaus können verschiedenste Weglassungen, Ersetzungen und Veränderungen an der Form der hier beschriebenen Ausführungsformen vorgenommen werden, ohne vom Geist der Offenbarungen abzuweichen. Die beiliegenden Ansprüche und ihre Entsprechungen sollen derartige Formen oder Abwandlungen abdecken, so diese in den Umfang und den Geist der Offenbarungen fallen.
  • Nach Ausführungsformen umfasst eine Substratbearbeitungsvorrichtung eine Substratbühne zur Anbringung von zwei oder mehr Substraten. Die Substratbühne umfasst Substratbühneneinheiten. Jede der Substratbühneneinheiten umfasst einen mittleren Fließweg zur Temperatursteuerung, um die Temperatur eines mittleren Abschnitts eines jeden der Substrate zu steuern, und einen umfänglichen Fließweg zur Temperatursteuerung, um die Temperatur eines umfänglichen Abschnitts eines jeden der Substrate zu steuern. Der mittlere Fließweg zur Temperatursteuerung und der umfängliche Fließweg zur Temperatursteuerung sind voneinander unabhängig gebildet. Die Substratbühne umfasst eine Temperatursteuerungsmedium-Einlassöffnung, um ein Temperatursteuerungsmedium in den umfänglichen Fließweg zur Temperatursteuerung einzubringen, und Temperatursteuerungsmedium-Auslassöffnungen, um das Temperatursteuerungsmedium aus dem umfänglichen Fließweg zur Temperatursteuerung abzugeben. Die Anzahl der Temperatursteuerungsmedium-Auslassöffnungen entspricht der Anzahl der Substrate.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2010-149656 [0001]
    • JP 9-17770 A [0004, 0005, 0006]

Claims (10)

  1. Substratbearbeitungsvorrichtung zur Bearbeitung von Substraten in einem Vakuumbearbeitungsraum, wobei die Substratbearbeitungsvorrichtung Folgendes umfasst: eine Substratbühne zur Anbringung von zumindest zwei Substraten, wobei die Substratbühne Substratbühneneinheiten umfasst, deren Anzahl der Anzahl der auf der Substratbühne angebrachten Substrate entspricht, wobei jede der Substratbühneneinheiten einen mittleren Fließweg zur Temperatursteuerung, um die Temperatur eines mittleren Abschnitts eines jeden der Substrate zu steuern, und einen umfänglichen Fließweg zur Temperatursteuerung, um die Temperatur eines umfänglichen Abschnitts eines jeden der Substrate zu steuern, umfasst, wobei der mittlere Fließweg zur Temperatursteuerung und der umfängliche Fließweg zur Temperatursteuerung voneinander unabhängig gebildet sind, wobei die Substratbühne mit einer Temperatursteuerungsmedium-Einlassöffnung zum Einbringen eines Temperatursteuerungsmediums in den umfänglichen Fließweg zur Temperatursteuerung versehen ist, und die Substratbühne mit Temperatursteuerungsmedium-Auslassöffnungen zum Ablassen des Temperatursteuerungsmediums aus dem umfänglichen Fließweg zur Temperatursteuerung versehen ist, wobei die Anzahl der Temperatursteuerungsmedium-Auslassöffnungen der Anzahl der Substrate, die auf der Substratbühne angebracht sind, entspricht.
  2. Vorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei der umfängliche Fließweg zur Temperatursteuerung Folgendes umfasst: einen umfänglichen inneren Fließweg, der an einem Ende mit der Temperatursteuerungsmedium-Einlassöffnung verbunden ist und so angeordnet ist, dass er sich entlang des umfänglichen Abschnitts eines jeden der Substrate erstreckt; einen umfänglichen äußeren Fließweg, der an einem Ende mit jeder der Temperatursteuerungsmedium-Auslassöffnungen verbunden ist und so angeordnet ist, dass er sich entlang des umfänglichen Abschnitts eines jeden der Substrate erstreckt; und einen Verbindungsfließweg, der so angeordnet ist, dass er das andere Ende des umfänglichen inneren Fließwegs und das andere Ende des umfänglichen äußeren Fließwegs verbindet, wobei der Verbindungsfließweg und jede der Temperatursteuerungsmedium-Auslassöffnungen so neben der Temperatursteuerungsmedium-Einlassöffnung angeordnet sind, dass die Temperatursteuerungsmedium-Einlassöffnung dazwischen abgeordnet ist.
  3. Vorrichtung gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei der mittlere Fließweg zur Temperatursteuerung und der umfängliche Fließweg zur Temperatursteuerung jeweils an unterschiedliche Temperatursteuerungsmediumquellen angeschlossen sind.
  4. Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei der mittlere Fließweg zur Temperatursteuerung und der umfängliche Fließweg zur Temperatursteuerung jeweils eine Deckenfläche und eine von der Deckenfläche vorspringende Rippe umfassen.
  5. Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei in jeder der Temperatursteuerungsmedium-Auslassöffnungen jeweils eine Flusssteuerungsvorrichtung bereitgestellt ist.
  6. Vorrichtung gemäß Anspruch 5, wobei die Flusssteuerungsvorrichtungen voneinander unabhängig gesteuert werden.
  7. Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei jede der Substratbühneneinheiten Folgendes umfasst: ein umfängliches Bühnenelement, das dazu gestaltet ist, dass darauf der umfängliche Abschnitt eines jeden der Substrate angebracht wird, um die Temperatur des umfänglichen Abschnitts zu steuern; ein mittleres Bühnenelement, das dazu gestaltet ist, dass darauf der mittlere Abschnitt eines jeden der Substrate angebracht wird, um die Temperatur des mittleren Abschnitts zu steuern; und eine Haltebasis, die das umfängliche Bühnenelement und das mittlere Bühnenelement hält, wobei der umfängliche Fließweg zur Temperatursteuerung im umfänglichen Bühnenelement gebildet ist, der mittlere Fließweg zur Temperatursteuerung im mittleren Bühnenelement gebildet ist, und das umfängliche Bühnenelement und das mittlere Bühnenelement durch einen dazwischen belassenen Zwischenraum nicht miteinander in Kontakt stehen.
  8. Vorrichtung gemäß Anspruch 7, wobei das umfängliche Bühnenelement zwei oder mehr ringförmige umfängliche Bühnenabschnitte und einen Verbindungsabschnitt für die umfänglichen Bühnen zum Koppeln der umfänglichen Bühnenabschnitte umfasst, und das mittlere Bühnenelement zwei oder mehr mittlere Bühnenabschnitte mit einer Form, die den Innenumfängen der umfänglichen Bühnenabschnitte entspricht, und einen Verbindungsabschnitt für die mittleren Bühnen, der die mittleren Bühnenabschnitte koppelt, umfasst, wobei zwischen den umfänglichen Bühnenabschnitten und den mittleren Bühnenabschnitten ringförmige Zwischenräume in einer waagerechten Richtung gebildet sind, wobei zwischen dem Verbindungsabschnitt für die umfänglichen Bühnen und dem Verbindungsabschnitt für die mittleren Bühnen ein Zwischenraum in einer senkrechten Richtung gebildet ist, wobei der Verbindungsabschnitt für die umfänglichen Bühnen und der Verbindungsabschnitt für die mittleren Bühnen mit der Haltebasis gekoppelt sind.
  9. Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei in Außenkanten der umfänglichen Bühnenabschnitte Fokussierringe zur Ausrichtung der Substrate in ihrer Position bereitgestellt sind.
  10. Verwendung der Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9 zur Bearbeitung von Substraten in einem Vakuumbearbeitungsraum.
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Families Citing this family (243)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5101665B2 (ja) * 2010-06-30 2012-12-19 東京エレクトロン株式会社 基板載置台、基板処理装置および基板処理システム
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
JP2013184276A (ja) * 2012-03-09 2013-09-19 Disco Corp バイト切削方法
WO2013187192A1 (ja) * 2012-06-13 2013-12-19 東京エレクトロン株式会社 基板載置台および基板処理装置
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
JP6863041B2 (ja) * 2017-04-21 2021-04-21 東京エレクトロン株式会社 基板加熱装置
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
KR101981983B1 (ko) * 2017-08-09 2019-05-24 (주)엘라이트 Led 히터
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
CN108179383A (zh) * 2017-12-29 2018-06-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 冷却系统及蒸镀机
KR102458733B1 (ko) * 2018-01-09 2022-10-27 삼성디스플레이 주식회사 플라즈마 처리 장치
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10755955B2 (en) * 2018-02-12 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Substrate transfer mechanism to reduce back-side substrate contact
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10910243B2 (en) * 2018-08-31 2021-02-02 Applied Materials, Inc. Thermal management system
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
KR20200038184A (ko) 2018-10-01 2020-04-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 유지 장치, 장치를 포함하는 시스템, 및 이를 이용하는 방법
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
TW202142733A (zh) 2020-01-06 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0917770A (ja) 1995-06-28 1997-01-17 Sony Corp プラズマ処理方法およびこれに用いるプラズマ装置
JP2010149656A (ja) 2008-12-25 2010-07-08 Ichikoh Ind Ltd ドアミラー制御装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07245297A (ja) * 1994-03-07 1995-09-19 Nippon Steel Corp ウエハ冷却装置
JP2000216140A (ja) * 1999-01-20 2000-08-04 Hitachi Ltd ウエハステ―ジおよびウエハ処理装置
JP4644943B2 (ja) * 2001-01-23 2011-03-09 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US6592675B2 (en) * 2001-08-09 2003-07-15 Moore Epitaxial, Inc. Rotating susceptor
US7347901B2 (en) * 2002-11-29 2008-03-25 Tokyo Electron Limited Thermally zoned substrate holder assembly
US20040261946A1 (en) * 2003-04-24 2004-12-30 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus, focus ring, and susceptor
US20050051098A1 (en) 2003-09-05 2005-03-10 Tooru Aramaki Plasma processing apparatus
JP2006261541A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Tokyo Electron Ltd 基板載置台、基板処理装置および基板処理方法
JP2007067037A (ja) * 2005-08-30 2007-03-15 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置
JP2007242648A (ja) 2006-03-04 2007-09-20 Masato Toshima 基板の処理装置
WO2010014384A1 (en) * 2008-07-31 2010-02-04 Tokyo Electron Limited High throughput processing system for chemical treatment and thermal treatment and method of operating
US8287688B2 (en) * 2008-07-31 2012-10-16 Tokyo Electron Limited Substrate support for high throughput chemical treatment system

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0917770A (ja) 1995-06-28 1997-01-17 Sony Corp プラズマ処理方法およびこれに用いるプラズマ装置
JP2010149656A (ja) 2008-12-25 2010-07-08 Ichikoh Ind Ltd ドアミラー制御装置

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Publication number Publication date
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