KR101299891B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 과제는, 기판의 주연부와 중심부의 온도 관리ㆍ온도 제어를 각각 독립적으로 정밀하게 행하는 것이 가능하고, 또한 배관 구성을 간소화한 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
기판을 진공 처리 공간에 있어서 처리하는 기판 처리 장치이며, 적어도 2매 이상의 기판을 적재하는 기판 적재대를 구비하고, 상기 기판 적재대는 적재되는 기판의 수에 대응하는 수의 기판 적재부로 구성되고, 상기 기판 적재부에는 적재된 기판의 중앙부를 냉각시키는 중앙 온도 조절 유로와, 기판의 주연부를 냉각시키는 주연 온도 조절 유로가 서로 독립적으로 형성되고, 상기 기판 적재대에는 상기 주연 온도 조절 유로에 온도 조절 매체를 도입시키는 온도 조절 매체 도입구가 1개 설치되고, 상기 주연 온도 조절 유로로부터 온도 조절 매체를 배출시키는 온도 조절 매체 배출구가 적재되는 기판의 수에 대응하는 수만큼 설치되는, 기판 처리 장치가 제공된다.
기판을 진공 처리 공간에 있어서 처리하는 기판 처리 장치이며, 적어도 2매 이상의 기판을 적재하는 기판 적재대를 구비하고, 상기 기판 적재대는 적재되는 기판의 수에 대응하는 수의 기판 적재부로 구성되고, 상기 기판 적재부에는 적재된 기판의 중앙부를 냉각시키는 중앙 온도 조절 유로와, 기판의 주연부를 냉각시키는 주연 온도 조절 유로가 서로 독립적으로 형성되고, 상기 기판 적재대에는 상기 주연 온도 조절 유로에 온도 조절 매체를 도입시키는 온도 조절 매체 도입구가 1개 설치되고, 상기 주연 온도 조절 유로로부터 온도 조절 매체를 배출시키는 온도 조절 매체 배출구가 적재되는 기판의 수에 대응하는 수만큼 설치되는, 기판 처리 장치가 제공된다.
Description
본 발명은, 예를 들어 반도체 제조 프로세스 등의 미세 가공 분야에 있어서 사용되는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
종래부터 진공 중에서의 반도체 프로세스 등에 있어서의 기판(웨이퍼) 처리에 있어서는, 처리 균일성의 향상을 위해 기판의 표면 온도를 균일화시키기 위한 온도 조절이 행해지고 있다. 기판 온도 조절 수단으로서는, 기판을 적재하는 기판 적재대(스테이지)의 내부에 냉매 유로를 설치하여, 그 유로에 냉매를 흘리고, 기판 적재대로부터의 복사열에 의해 기판 적재대에 적재된 기판 표면을 냉각하여 온도 조절하는 방법이 일반적이다.
예를 들어, 특허 문헌 1에는, 플라즈마 처리 장치에 있어서, 기판 적재대의 내부에 동심원 형상의 2개의 냉매 유로를 설치하여, 외측의 유로에 흘리는 냉매와 내측의 유로에 흘리는 냉매의 온도를 상대적으로 다른 온도로 하고, 챔버 내벽으로부터의 복사열을 받는 기판 주연부에 대한 냉각을 기판 중앙부에 대한 냉각보다 강냉각으로 함으로써, 기판의 표면 온도를 균일화하는 플라즈마 처리 장치가 개시되어 있다.
그러나 상기 특허 문헌 1에 기재된 플라즈마 처리 장치에 있어서는, 서로 다른 온도의 냉매를 흘리는 2계통의 냉매 유로가 1개의 기판 적재대의 내부에 있어서 인접하고 있고, 이들 2계통의 냉매 유로의 온도가 서로 영향을 미침으로써, 기판의 중앙부와 주연부 각각의 냉각을 독립 제어할 수 없을 우려가 있다. 즉, 기판 적재대에 적재한 기판의 중앙부 및 주연부의 각각 정밀한 온도 관리ㆍ온도 제어를 할 수 없어, 챔버 내벽으로부터의 복사열의 영향을 크게 받아 버리는 기판 주연부의 표면 온도와 그 영향이 적은 기판 중앙부의 표면 온도를 균일화하는 것이 곤란해져 버린다. 그로 인해, 기판 처리에 있어서의 기판 표면 전체면의 조건이 균일화되지 않으므로, 기판의 처리가 균일하게 행해지지 않는다고 하는 문제점이 있었다. 또한, 플라즈마 처리 장치 내에 있어서 기판 적재대가 일체적으로 구성되어 있는 것도, 2계통의 냉매 유로의 온도가 서로 영향을 미쳐, 기판 온도의 중앙부 및 주연부에 있어서의 독립 제어를 할 수 없는 것의 원인으로 되고 있었다. 또한, 2계통의 냉매 유로를 독립적으로 설치하고 있으므로, 각각의 냉매 유로의 입구와 출구에 대해 냉매를 공급 혹은 배출하기 위한 배관이 필요해져, 장치 전체에 있어서의 배관수의 증가나, 배관 구성의 복잡화가 문제로 되고 있었다.
덧붙여, 예를 들어 상기 특허 문헌 1에 기재되는 플라즈마 처리 장치에 있어서는, 일반적으로 기판 적재대에 기판이 정전 척 등의 방식으로 적재되므로, 기판 적재대의 온도 변화가 직접 기판 표면의 온도 변화로 연결되기 쉬워, 기판 표면의 온도 관리ㆍ온도 제어가 비교적 용이하다. 그러나 기판과 기판 적재대 사이에 갭을 형성한 상태에서 기판을 적재하는 방식의 기판 처리 장치에 있어서는, 기판 표면의 온도 관리ㆍ온도 제어를 기판 적재대로부터의 복사열에 의해 행하게 되어, 이 경우 기판 적재대의 온도 변화가 직접 기판 표면의 온도 변화로 연결되지 않으므로, 기판 적재대의 보다 정밀한 온도 관리ㆍ온도 제어가 필요해진다.
따라서, 상기 문제점 등에 비추어, 본 발명의 목적은 기판의 주연부와 중심부의 온도 관리ㆍ온도 제어를 각각에 영향을 미치지 않도록 독립적으로 정밀하게 행하는 것이 가능하고, 또한 배관 구성을 간소화한 기판 처리 장치를 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따르면, 기판을 진공 처리 공간에 있어서 처리하는 기판 처리 장치이며, 적어도 2매 이상의 기판을 적재하는 기판 적재대를 구비하고, 상기 기판 적재대는 적재되는 기판의 수에 대응하는 수의 기판 적재부로 구성되고, 상기 기판 적재부에는 적재된 기판의 중앙부를 온도 조절하는 중앙 온도 조절 유로와, 기판의 주연부를 온도 조절하는 주연 온도 조절 유로가 서로 독립적으로 형성되고, 상기 기판 적재대에는 상기 주연 온도 조절 유로에 온도 조절 매체를 도입시키는 온도 조절 매체 도입구가 1개 설치되고, 상기 주연 온도 조절 유로로부터 온도 조절 매체를 배출시키는 온도 조절 매체 배출구가 적재되는 기판의 수에 대응하는 수만큼 설치되는, 기판 처리 장치가 제공된다. 또한, 여기서 온도 조절이라 함은, 온도 제어ㆍ온도 조절을 나타내고 있다.
상기 기판 처리 장치에 있어서, 상기 주연 온도 조절 유로는, 일단부가 상기 온도 조절 매체 도입구에 접속되고, 또한 기판의 주연부를 따라 연신하는 주연 내측 유로와, 일단부가 상기 온도 조절 매체 배출구에 접속되고, 또한 기판의 주연부를 따라 연신하는 주연 외측 유로와, 상기 주연 내측 유로의 타단부와 상기 주연 외측 유로의 타단부를 접속하는 접속 유로를 구비하고, 상기 접속 유로와 상기 온도 조절 매체 배출구는, 각각 상기 온도 조절 매체 도입구를 사이에 두고 당해 온도 조절 매체 도입구에 인접하여 배치되어 있어도 된다.
상기 중앙 온도 조절 유로와, 상기 주연 온도 조절 유로는 각각 다른 온도 조절 매체 공급원에 접속되어도 된다. 상기 중앙 온도 조절 유로 및 상기 주연 온도 조절 유로의 내부 상면에는, 당해 상면으로부터 돌출된 핀이 설치되어 있어도 된다. 상기 온도 조절 매체 배출구에는, 각각 유량 제어 기구가 설치되어 있어도 된다. 상기 유량 제어 기구는 각각 독립적으로 제어되어도 된다.
또한, 상기 기판 처리 장치에 있어서, 상기 기판 적재부는, 기판의 주연부를 적재하여 온도 제어를 행하는 주연 적재 부재와, 기판의 중앙부를 적재하여 온도 제어를 행하는 중앙 적재 부재와, 상기 주연 적재 부재 및 상기 중앙 적재 부재를 지지하는 지지대로 구성되고, 상기 주연 적재 부재의 내부에는 상기 주연 온도 조절 유로가 형성되고, 상기 중앙 적재 부재의 내부에는 상기 중앙 온도 조절 유로가 형성되고, 상기 주연 적재 부재와 상기 중앙 적재 부재 사이에는 간극이 형성되어, 상기 주연 적재 부재와 상기 중앙 적재 부재는 비접촉이라도 좋다.
상기 주연 적재 부재는 2개 이상의 환 형상인 주연부와 상기 주연부끼리를 결합시키는 주연 결합부로 이루어지고, 상기 중앙 적재 부재는 상기 주연부의 내주에 대응한 형상의 2개 이상의 중앙부와 상기 중앙부끼리를 결합시키는 중앙 결합부로 이루어지고, 상기 주연부와 상기 중앙부 사이에는 수평 방향으로 환 형상의 간극이 형성되고, 상기 주연 결합부와 상기 중앙 결합부 사이에는 연직 방향으로 간극이 형성되고, 상기 주연 결합부 및 상기 중앙 결합부는 각각 상기 지지대에 결합되어 있어도 된다. 또한, 상기 주연부의 외측 테두리부에는 기판의 위치 정렬을 행하는 포커스 링이 설치되어 있어도 된다.
본 발명에 따르면, 기판의 주연부와 중심부의 온도 관리ㆍ온도 제어를 각각에 영향을 미치지 않도록 독립적으로 정밀하게 행하는 것이 가능하고, 또한 배관 구성을 간소화한 기판 처리 장치가 제공된다.
도 1은 기판 처리 장치의 단면 개략도.
도 2는 기판 적재대에 대한 설명도로, (a)는 각 부재(주연 적재 부재, 중앙 적재 부재, 지지대)를 연결시키고 있지 않은 상태에서의 기판 적재대의 정면 사시도, (b)는 각 부재를 연결시킨 상태에서의 기판 적재대의 정면 사시도.
도 3은 주연 적재 부재의 개략적인 평면 단면도.
도 4는 중앙 적재 부재의 개략적인 평면 단면도.
도 5는 주연 온도 조절 유로의 유로 단면 형상의 일례를 나타내는 설명도.
도 6은 기판 처리 장치에 있어서 주연부에 포커스 링을 설치한 경우의 설명도.
도 2는 기판 적재대에 대한 설명도로, (a)는 각 부재(주연 적재 부재, 중앙 적재 부재, 지지대)를 연결시키고 있지 않은 상태에서의 기판 적재대의 정면 사시도, (b)는 각 부재를 연결시킨 상태에서의 기판 적재대의 정면 사시도.
도 3은 주연 적재 부재의 개략적인 평면 단면도.
도 4는 중앙 적재 부재의 개략적인 평면 단면도.
도 5는 주연 온도 조절 유로의 유로 단면 형상의 일례를 나타내는 설명도.
도 6은 기판 처리 장치에 있어서 주연부에 포커스 링을 설치한 경우의 설명도.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 갖는 구성 요소에 대해서는, 동일한 부호를 부여함으로써 중복 설명을 생략한다. 또한, 이하의 본 발명의 실시 형태에서는, 2매의 기판(W)을 동시에 배치ㆍ처리하는 기판 처리 장치(1)를 실시 형태의 일례로 들어 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)의 개략 단면도이다. 도 1에 도시하는 바와 같이, 기판 처리 장치(1)는 처리 챔버(10)와 처리 챔버(10) 내에 배치되고, 기판(W)의 처리를 행할 때에 기판(W)이 적재되는 기판 적재대(20)로 구성되어 있다. 또한, 도 1에는 2매의 기판(W)을 기판 적재대(20)의 상면에 적재한 경우를 도시하고 있다. 또한, 처리 챔버(10)에는, 처리 가스 공급 기구(22)에 연통되는 예를 들어 샤워 형상의 처리 가스 도입부(23)와, 진공 펌프(25)에 연통되는 배기구(26)가 설치되어 있다. 이에 의해, 처리 챔버(10) 내는 진공화 가능하고, 또한 기판(W) 처리시에는 처리 가스 도입부(23)로부터 처리 챔버(10) 내에 처리 가스가 도입된다.
또한, 처리 챔버(10)에는, 기판 적재대(20)를 관통하여, 그 상방으로 돌출됨으로써 기판(W)을 지지하고, 기판(W)의 기판 적재대(20)에의 적재를 행하는 지지 핀(28)이 복수 설치되어 있다. 지지 핀(28)은, 지지 핀(28)에 결합되어 지지 핀(28)을 연직 방향(도 1 중 상하 방향)으로 승강시키는 승강 기구(29)에 의해 승강 가능하게 구성되어 있다. 또한, 도 1에 도시하는 바와 같이, 승강 기구(29)는, 처리 챔버(10)의 외부에 설치되는 예를 들어 에어 실린더 등인 구동부(29a)와, 구동부(29a)에 접속되고 구동부(29a)로부터 처리 챔버(10) 내로 신장되는 승강부(29b)로 구성된다. 지지 핀(28)은 승강부(29b)에 장착되어 있고, 구동부(29a)의 가동에 의해 승강하는 승강부(29b)에 연동하여 지지 핀(28)도 승강한다. 기판(W)을 기판 적재대(20)의 상면에 적재할 때에는, 지지 핀(28)을 소정의 길이만큼 기판 적재대(20)의 상방으로 돌출시키고, 그 돌출시킨 지지 핀(28)의 상단부에 기판(W)을 적재한 상태에서 지지 핀(28)의 선단이 기판 적재대(20)의 상면 근방까지 근접하도록 지지 핀(28)을 하강시킴으로써, 기판(W)이 기판 적재대(20)에 적재된다.
또한, 기판 적재대(20)의 상면에는 미소한 돌기부(30)가 설치되어 있고, 상술한 바와 같이 기판(W)이 지지 핀(28)에 지지된 상태에서 기판 적재대(20)의 상면 근방까지 하강된 경우에, 기판(W)은 기판 적재대(20) 상면의 돌기부(30)에 의해 기판 적재대(20) 상면으로부터 부상(浮上)한 상태[기판 적재대(20)와 거의 비접촉 상태]로 적재된다. 또한, 본 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)에서는, 지지 핀(28)은 기판(W) 1매에 대해 3개 설치되고, 또한 돌기부(30)도 기판(W) 1매에 대해 3개소에 설치되는 것으로 하고, 3개의 지지 핀(28)이 기판(W)을 3점 지지함으로써 기판(W)이 지지ㆍ승강되어, 기판 적재대(20)의 상면의 3개소(기판 1매에 대해)에 설치된 돌기부(30)에 의해 기판(W)이 기판 적재대(20)에 거의 비접촉 상태로 적재된다. 여기서, 기판(W)을 기판 적재대(20)의 상면에 거의 비접촉 상태로 적재시키는 것은, 기판(W)을 기판 적재대(20)에 직접 적재해 버리면, 기판 적재대(20) 표면에 존재하는 파티클 등의 불순물이 기판(W) 표면에 부착되어 버릴 우려가 있기 때문이다.
기판 적재대(20)의 구성에 대해서는, 보다 상세하게 설명하기 위해 도 2를 참조하여 이하에 그 구성에 대해 서술한다. 도 2는 기판 적재대(20)에 대한 설명도이다. 여기서, 설명을 위해 도 2의 (a)에는, 이하에 설명하는 각 부재[주연 적재 부재(40), 중앙 적재 부재(50), 지지대(55)]를 연결시키고 있지 않은 상태에서의 기판 적재대(20)의 정면 사시도를 도시하고, 도 2의 (b)에는 각 부재를 연결시킨 상태에서의 기판 적재대(20)의 정면 사시도를 도시한다. 또한, 도 2에는 기판 적재대(20)를 관통하여 설치되는 지지 핀(28)이나 이하에 설명하는 각 온도 조절 유로 등에 대해서는 도시하고 있지 않다. 또한, 기판 적재대(20)는, 상기 도 1에 도시하는 기판 처리 장치(1)에 있어서, 처리 챔버(10) 내에 배치되는 경우, 도 2의 (a)에 도시하는 각 부재가 연결된 상태로서 배치된다.
도 2에 도시하는 바와 같이, 기판 적재대(20)는, 기판 주연부(W1)를 적재하는 주연 적재 부재(40)와, 기판 중앙부(W2)를 적재하는 중앙 적재 부재(50)와, 주연 적재 부재(40) 및 중앙 적재 부재(50)를 지지하는 지지대(55)에 의해 구성된다. 또한, 본 실시 형태에서는, 주연 적재 부재(40)와 중앙 적재 부재(50)로 기판 적재부를 구성하고 있다. 주연 적재 부재(40)는 2개의 대략 원환 형상인 주연부(41)와, 2개의 주연부(41)를 수평으로 나란히 배치한 상태에서 결합하는 주연 결합부(43)로 구성된다. 또한, 중앙 적재 부재(50)는 2개의 대략 원판 형상인 중앙부(51)와, 2개의 중앙부(51)를 수평으로 나란히 배치한 상태에서 결합하는 중앙 결합부(53)로 구성된다. 여기서, 주연부(41)의 내주의 형상과 중앙부(51)의 형상의 관계는 대응 관계로 되어 있다. 즉, 도 2의 (b)에 도시하는 바와 같이, 주연 적재 부재(40)와 중앙 적재 부재(50)를 겹친 경우에, 대략 원환 형상인 주연부(41)의 중심부의 공간(41a)에 중앙부(51)가 들어가는 구성이다. 따라서, 공간(41a)의 평면(상면) 형상과 중앙부(51)의 평면(상면) 형상은 대략 동일 형상이고, 또한 중앙부(51)의 상면 면적은 공간(41a)의 상면 면적보다 작게 되어 있다. 또한, 주연부(41)의 상면 면적과 중앙부(51)의 상면 면적은 거의 동등한 면적으로 되어 있다.
상술한 바와 같이, 주연부(41)의 형상과 중앙부(51)의 형상의 관계가 대응 관계에 있으므로, 도 2의 (b)에 도시하는 바와 같이 주연 적재 부재(40)와 중앙 적재 부재(50)를 겹쳤을 때에는, 주연부(41)와 중앙부(51) 사이에 수평 방향으로 환 형상의 간극(56)이 형성된다. 또한, 기판 적재대(20)를 구성시키는 경우의 각 부재[주연 적재 부재(40), 중앙 적재 부재(50), 지지대(55)]의 결합은, 도시하지 않은 나사 부재에 의해 행해지고, 중앙 결합부(53)와 지지대(55)도 도시하지 않은 나사 부재에 의해 결합된다. 여기서, 주연 결합부(43)와 중앙 결합부(53) 사이에는, 연직 방향으로 간극(59)이 형성되도록 각 부재의 결합이 행해지고, 그 결과, 주연 적재 부재(40)와 중앙 적재 부재(50)는 서로 비접촉 상태로서 기판 적재대(20)가 구성되게 된다.
또한, 도 2의 (a)에 도시하는 바와 같이, 주연 결합부(43)의 하면 중앙에는, 주연 적재 부재(40) 내[주연부(41) 내]에 설치된 주연 온도 조절 유로(60) 내에 온도 조절 매체로서, 예를 들어 냉각수 등의 냉매를 도입하기 위한 온도 조절 매체 도입구(61)가 1개소에 설치되고, 또한 주연 온도 조절 유로(60) 내로부터 냉매를 배출하기 위한 온도 조절 매체 배출구(63)가 온도 조절 매체 도입구(61)의 양측(도 2 중 전방측과 안쪽측)에 인접하여 2개소에 설치되어 있다. 여기서, 주연 적재 부재(40)는 2매의 기판을 각각 적재하는 2개의 주연부(41)와 주연 결합부(43)로 구성되고, 2개의 주연부(41) 내에는 각각 주연 온도 조절 유로(60)가 형성되어 있지만, 2개의 주연부(41) 내에 형성되는 주연 온도 조절 유로(60)는 상기 1개소에 설치된 온도 조절 매체 도입구(61)에 있어서 연통되어 있다. 이 주연 온도 조절 유로(60)의 구성ㆍ형상에 대해서는 도 3을 참조하여 후술한다.
한편, 중앙 결합부(53)의 중앙부(51) 부근의 양단부(도 2 중 좌우 방향의 단부) 근방에는, 중앙 적재 부재(50) 내[중앙부(51) 내]에 설치된 중앙 온도 조절 유로(65) 내에 냉매를 도입하기 위한 도입구(67)와, 중앙 온도 조절 유로(65)로부터 냉매를 배출하기 위한 배출구(69)가 각각의 단부에 1개소씩 설치되어 있다. 또한, 중앙 온도 조절 유로(65)의 구성ㆍ형상에 대해서는 도 4를 참조하여 후술한다.
또한, 중앙 결합부(53) 중앙에는, 도 2의 (b)에 도시하는 바와 같이 주연 적재 부재(40)와 중앙 적재 부재(50)를 겹쳐 기판 적재대(20)를 구성하였을 때에, 주연 결합부(43)에 설치된 온도 조절 매체 도입구(61) 및 온도 조절 매체 배출구(63)와 겹쳐지는 위치에 3개소의 구멍부(57)[도 2의 (a) 중앙 안쪽으로부터 부호 57a, 57b, 57c로 함]가 형성되어 있다.
그리고 도 2의 (a)에 도시하는 바와 같이, 지지대(55)에는, 주연 적재 부재(40)와 중앙 적재 부재(50)를 겹쳐 기판 적재대(20)를 구성하였을 때에, 온도 조절 매체 도입구(61), 온도 조절 매체 배출구(63), 도입구(67), 배출구(69)에 각각 접속되는 배관이, 각 도입구ㆍ배출구에 대응한 위치에 설치되어 있다. 또한, 지지대(55)에 설치되는 배관에는, 온도 조절 매체 도입구(61)에 대응한 배관을 61', 온도 조절 매체 배출구(63)에 대응한 배관을 63', 도입구(67)에 대응한 배관을 67', 배출구(69)에 대응한 배관을 69'로 하여 부호를 부여하여, 도 2의 (a)에 각각 도시하고 있다. 또한, 온도 조절 매체 도입구(61)와 배관(61')의 접속 및 온도 조절 매체 배출구(63)와 배관(63')의 접속은, 상기 구멍부[57(57a, 57b, 57c)]에 있어서 행해진다. 그로 인해, 배관(61', 63')은, 구멍부(57)의 높이[즉, 중앙 결합부(53)의 두께]와 동일한 정도의 높이만큼 지지대(55) 상면에 있어서 다른 부분보다 한층 높게 돌출되어 설치되어 있다.
상술한 바와 같이, 2개의 주연부(41)의 내부에는 각각 주연 온도 조절 유로(60)가 형성되어 있다. 도 3은 주연 적재 부재(40)의 개략적인 평면 단면도이다. 또한, 도 3에 있어서는, 설명을 위해 주연 적재 부재(40)를 파선으로 나타낸다. 도 3에 도시하는 바와 같이, 주연 온도 조절 유로(60)는, 주연 결합부(43)에 설치된 온도 조절 매체 도입구(61) 및 온도 조절 매체 배출구(63)와 접속되어 있고, 온도 조절 매체 도입구(61)로부터 도입되는 예를 들어 냉각수 등인 냉매가 주연 온도 조절 유로(60)를 지나, 온도 조절 매체 배출구(63)로부터 배출되는 구성으로 되어 있다. 또한, 주연 온도 조절 유로(60)는, 주연부(41)의 외측을 따라[기판(W)의 주연부를 따라] 연신하는 주연 외측 유로(60a)와, 주연부(41)의 내측을 따라 연신하는 주연 내측 유로(60b)와, 주연 외측 유로(60a)의 한쪽 단부와 주연 내측 유로(60b)의 한쪽 단부를 접속하는 접속 유로(60c)로 구성되어 있다. 주연 외측 유로(60a)의 다른 쪽 단부[접속 유로(60c)와 접속하고 있지 않은 단부]는 온도 조절 매체 배출구(63)에 접속되고, 주연 내측 유로(60b)의 다른 쪽 단부[접속 유로(60c)와 접속하고 있지 않은 단부]는 온도 조절 매체 도입구(61)에 접속되어 있다. 여기서, 주연 외측 유로(60a) 및 주연 내측 유로(60b)는 각각 주연 적재 부재(40)를 거의 일주하도록 연신되어 있고, 접속 유로(60c)와 온도 조절 매체 배출구(63)는, 온도 조절 매체 도입구(61)를 사이에 두고 당해 온도 조절 매체 도입구(61)에 인접하는 위치 관계로 구성되어 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 주연 적재 부재(40)는 2개의 주연부(41)와 2개의 주연부(41)를 결합하는 주연 결합부(43)로 구성되어 있다. 도 3에 도시하는 바와 같이, 2개의 주연부(41)에는 각각 주연 온도 조절 유로(60)가 형성되어 있지만, 그들 2개의 주연 온도 조절 유로(60)는, 공통되는 1개의 온도 조절 매체 도입구(61)에 접속되어 있다. 즉, 2개의 주연 온도 조절 유로(60)에, 공통되는 온도 조절 매체 도입구(61)로부터 냉매가 도입되어, 각 주연 온도 조절 유로(60)를 통과한 냉매는, 각각 별도의 온도 조절 매체 배출구(63)로부터 배출되는 구성으로 되어 있다. 또한, 온도 조절 매체 배출구(63)에는 예를 들어 밸브와 제어부로 구성되는 유량 제어 기구(70)가 각각 설치되어 있고, 유량 제어 기구(70)에 의해 주연 온도 조절 유로(60) 내를 흐르는 냉매의 유량이 제어된다. 2개의 온도 조절 매체 배출구(63)에 각각 설치되는 유량 제어 기구(70)는, 서로 독립 제어된다. 즉, 2개의 주연 온도 조절 유로(60) 내를 흐르는 냉매의 유량은 독립적으로 제어된다.
한편, 2개의 중앙부(51)의 내부에는 각각 중앙 온도 조절 유로(65)가 형성되어 있다. 도 4는 중앙 적재 부재(50)의 개략적인 평면 단면도이다. 또한, 도 4에 있어서는, 설명을 위해 중앙 적재 부재(50)를 파선으로 나타낸다. 도 4에 도시하는 바와 같이, 중앙 온도 조절 유로(65)는, 중앙 결합부(53)에 설치된 도입구(67) 및 배출구(69)와 접속되어 있고, 도입구(67)로부터 도입되는 냉매가 중앙 온도 조절 유로(65)를 지나, 배출구(69)로부터 배출되는 구성으로 되어 있다. 중앙 온도 조절 유로(65)는, 중앙부(51)의 전체면을 망라하는 형상이면 좋고, 예를 들어 도 4에 도시하는 중앙부(51)의 내측과 외측의 이중으로 대략 원환상의 유로가 사행(蛇行)하여 형성되어 있는 것과 같은 형상인 것이 바람직하다. 또한, 배출구(69)에는, 상기 온도 조절 매체 배출구(63)와 마찬가지로, 예를 들어 밸브와 제어부로 구성되는 유량 제어 기구(70)가 각각 설치되어 있어, 유량 제어 기구(70)에 의해 중앙 온도 조절 유로(65) 내를 흐르는 냉매의 유량이 제어된다. 2개의 배출구(69)에 각각 설치되는 유량 제어 기구(70)는, 서로 독립 제어되고, 그것에 의해 2개의 중앙 온도 조절 유로(65) 내를 흐르는 냉매의 유량은 독립적으로 제어된다.
또한, 도 1에 도시하는 바와 같이, 주연 온도 조절 유로(60)는 도입관(83), 배출관(84)을 통해 처리 챔버(10) 외부의 온도 조절 매체 공급원(80)에 연통되어 있다. 온도 조절 매체 공급원(80)의 가동에 의해 도입관(83)을 통해, 온도 조절 매체 도입구(61)로부터 주연 온도 조절 유로(60) 내로 냉매가 공급된다. 또한, 주연 온도 조절 유로(60)를 통과한 냉매는, 온도 조절 매체 배출구(63)로부터 배출관(84)을 통해 온도 조절 매체 공급원(80)으로 배출된다. 즉, 냉매는 온도 조절 매체 공급원(80)과 주연 온도 조절 유로(60) 사이에서 순환한다.
또한, 도 1에 도시하는 바와 같이, 중앙 온도 조절 유로(65)는 도입관(93), 배출관(94)을 통해 처리 챔버(10) 외부의 온도 조절 매체 공급원(90)에 연통되어 있다. 온도 조절 매체 공급원(90)의 가동에 의해 도입관(93)을 통해, 도입구(67)로부터 중앙 온도 조절 유로(65) 내에 냉매가 공급된다. 또한, 중앙 온도 조절 유로(65)를 통과한 냉매는, 배출구(69)로부터 배출관(94)을 통해 온도 조절 매체 공급원(90)으로 배출된다. 즉, 냉매는 온도 조절 매체 공급원(90)과 중앙 온도 조절 유로(65) 사이에서 순환한다. 또한, 상기 온도 조절 매체 공급원(80)과 온도 조절 매체 공급원(90)은 다른 온도 조절 매체 공급원이며, 온도 조절 매체 공급원(80)과 온도 조절 매체 공급원(90)에 있어서 순환되는 냉매의 온도는 달라, 냉매의 온도 조절은 각 온도 조절 매체 공급원에 있어서 독립적으로 행해진다.
이상 설명한 바와 같이 구성되는 기판 처리 장치(1)에 있어서 기판 처리가 행해지는 경우, 기판 적재대(20)에 적재된 기판(W)은, 주연 적재 부재(40) 내 및 중앙 적재 부재(50) 내에 형성된 온도 조절 유로[주연 온도 조절 유로(60), 중앙 온도 조절 유로(65)]에 의해 온도 조절된 기판 적재대(20)로부터의 복사열에 의해 온도 조절된다. 이때, 주연 적재 부재(40)의 내부에 설치된 주연 온도 조절 유로(60)의 냉각 능력에 의해 기판 주연부(W1)가 온도 조절되고, 중앙 적재 부재(50)의 내부에 설치된 중앙 온도 조절 유로(65)의 냉각 능력에 의해 기판 중앙부(W2)가 냉각된다고 하는 것과 같이, 기판 주연부(W1)와 기판 중앙부(W2)가 각각 다른 온도 조절 유로의 냉각 능력에 의해 냉각이 행해진다.
기판 처리에 있어서는, 기판(W)에는 기판(W)보다 고온인 처리 챔버(10)의 내벽으로부터의 복사열에 의한 입열이 있고, 특히 기판 주연부(W1)는 기판 중앙부(W2)보다 처리 챔버(10)의 내벽과의 거리가 짧기 때문에, 기판 주연부(W1)에는 기판 중앙부(W2)보다 많은 입열이 있다. 기판 처리에 있어서, 처리 중인 기판(W)의 표면 온도는 균일한 것이 필요하므로, 기판 주연부(W1)는 기판 중앙부(W2)보다 강냉각(온도 조절)될 필요가 있다. 상술한 바와 같이, 본 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)에 있어서는, 기판 적재대(20)가 주연 적재 부재(40)와 중앙 적재 부재(50)로 구성되고, 주연 적재 부재(40)와 중앙 적재 부재(50) 사이에는 수평 방향의 간극(56)과 연직 방향의 간극(59)이 각각 형성되어 있어, 주연 적재 부재(40)와 중앙 적재 부재(50)는 서로 비접촉이다. 여기서, 기판 처리 중인 처리 챔버(10) 내는 진공화된 상태이므로, 상기 간극(56), 간극(59)은 진공 단열되어, 주연 적재 부재(40)와 중앙 적재 부재(50)의 온도가 서로 영향을 미치지 않는 상태로 된다. 따라서, 주연 적재 부재(40)와 중앙 적재 부재(50)를 각각 독립적으로 소정의 온도로 제어하는 것이 가능해져, 기판 주연부(W1)를 기판 중앙부(W2)보다 강냉각(온도 조절)할 수 있다.
즉, 주연 적재 부재(40) 내에 설치된 주연 온도 조절 유로(60)의 냉매 온도나 냉매 유량과, 중앙 적재 부재(50) 내에 설치된 중앙 온도 조절 유로(65)의 냉매 온도나 냉매 유량을 서로 독립적으로 온도 관리ㆍ유량 제어함으로써, 주연 온도 조절 유로(60)에 의해 냉각(온도 조절)되는 기판 주연부(W1)와, 중앙 온도 조절 유로(65)에 의해 냉각(온도 조절)되는 기판 중앙부(W2)의 온도 관리ㆍ온도 제어는 독립적으로 정밀하게 행해진다. 따라서, 기판 처리시의 기판(W) 전체의 표면 온도를 정밀하게 균일화시키는 것이 가능해진다. 예를 들어, 처리 챔버(10)의 내벽으로부터의 복사열에 의해 기판 주연부(W1)가 기판 중앙부(W2)보다 고온으로 되어 버린 경우에는, 주연 온도 조절 유로(60)의 냉매 온도를 중앙 온도 조절 유로(65)의 냉매 온도보다 낮은 온도로 온도 조절하고, 주연 온도 조절 유로(60)의 냉매 유량이 중앙 온도 조절 유로(65)의 냉매 유량보다 커지도록 냉매의 유량 제어를 행함으로써, 기판 주연부(W1)를 기판 중앙부(W2)보다 예를 들어 강냉각(온도 조절)하여 기판(W) 전체의 표면 온도를 균일하게 할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)에서 행해지는 기판 처리는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 기판(W) 표면에 형성된 SiO2막을 처리 가스인 HF 가스, NH3 가스를 사용하여 처리하고, 그 후의 가열 처리를 거쳐서 SiO2막을 기판(W) 상으로부터 제거하는 기판 세정 처리 등이 예시된다.
또한, 본 실시 형태에 나타낸 기판 적재대(20)에 2매의 기판을 적재하여, 2매의 기판(W)을 동시에 기판 처리하는 경우에, 2개의 주연 온도 조절 유로(60)에의 온도 조절 매체 공급원(80)으로부터의 냉매 도입을 1개의 공통되는 온도 조절 매체 도입구(61)로부터 행하는 구성으로 하고, 각 주연 온도 조절 유로(60)로부터 냉매를 배출하는 온도 조절 매체 배출구(63)에서 온도 조절 매체 유량 제어를 행하는 구성으로 함으로써, 2개의 주연 온도 조절 유로 각각에 온도 조절 매체 도입구와 온도 조절 매체 배출구를 설치한 경우에 비해, 냉매를 도입하기 위한 배관 구성이 간소화되어, 공간 효율의 향상이나 비용 삭감 등이 도모된다.
이상, 본 발명의 실시 형태의 일례를 설명하였지만, 본 발명은 도시한 형태에 한정되지 않는다. 당업자라면 특허청구범위에 기재된 사상의 범주 내에 있어서, 각종 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있는 것은 명백하고, 그들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것이라고 양해된다. 예를 들어, 상기 실시 형태에 있어서 주연 온도 조절 유로(60)의 형상 및 중앙 온도 조절 유로(65)의 형상을 도 3, 도 4에 각각 도시하였지만, 주연 온도 조절 유로(60) 및 중앙 온도 조절 유로(65)의 형상은 이것에 한정되는 것은 아니며, 주연 온도 조절 유로(60)는 주연부(41)의 전체면을 균일하게 온도 조절할 수 있는 형상이면 되고, 또한 중앙 온도 조절 유로(65)는 중앙부(51)의 전체면을 균일하게 온도 조절할 수 있는 형상이면 된다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 주연 온도 조절 유로(60) 및 중앙 온도 조절 유로(65)에 흐르는 온도 조절 매체로서 예를 들어 냉각수 등인 냉매를 들어 설명하였지만, 본 발명은 반드시 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 기판(W)의 정밀한 온도 제어를 행하기 위해, 기판(W)의 표면 온도와 거의 동등한 온도의 유체를 온도 조절 매체로서 주연 온도 조절 유로(60) 및 중앙 온도 조절 유로(65)에 흘려 기판(W)의 온도 제어를 행하는 경우도 있다. 이 경우, 주연 온도 조절 유로(60) 및 중앙 온도 조절 유로(65)에는 가열한 소정의 온도의 온도 조절 매체가 흐르게 된다.
또한, 상기 실시 형태에 있어서는, 주연 온도 조절 유로(60) 및 중앙 온도 조절 유로(65)의 유로 단면 형상에 대해서는 특별히 한정하고 있지 않지만, 냉매의 온도를 효율적으로 주연 적재 부재(40) 및 중앙 적재 부재(50)에 전달시키기 위해, 각 유로[주연 온도 조절 유로(60), 중앙 온도 조절 유로(65)]의 유로 단면 형상을, 유로 내면과 냉매의 접촉 면적이 커지는 형상으로 하는 것이 바람직하다.
도 5는 주연 온도 조절 유로(60)의 유로 단면 형상의 일례를 나타내는 설명도이다. 도 5에 도시하는 바와 같이, 본 변형예에 관한 주연 온도 조절 유로(60)에는, 유로 상면에 연직 방향으로 신장되는 당해 상면으로부터 돌출된 핀(100)이 형성되어 있다. 핀(100)의 길이ㆍ폭은 유로를 흐르는 냉매의 흐름을 저해하지 않는 정도의 것이면 되고, 주연 온도 조절 유로(60) 내에 흘리는 냉매 유량에 따라서 적절하게 정하는 것이 바람직하다. 또한, 유로 상면에 설치하는 핀(100)의 수나 핀(100)끼리의 간격에 대해서도 냉매 유량에 따라서 적절하게 정하면 된다.
도 5에 도시하는 바와 같이, 주연 온도 조절 유로(60)의 유로 상면에 핀(100)을 설치한 경우, 유로 내면의 면적이, 일반적인 직사각형 단면의 유로에 비해 확대된다. 그로 인해, 유로 내를 흐르는 냉매와 유로 내면의 접촉 면적도 커져, 냉매와 유로 내면에서의 열교환이 보다 효율적으로 행해진다. 즉, 주연 온도 조절 유로(60) 내에 흐르는 냉매에 의한 주연부(41)[주연 적재 부재(40)]의 냉각(온도 조절)이 보다 효율적으로 행해지고, 그 결과, 주연 적재 부재(40)에 적재된 기판(W)의 냉각 효율의 향상이 도모된다.
또한, 상기 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)에 있어서, 주연부(41)의 외측 테두리부에, 기판(W)의 위치 정렬을 행하는 포커스 링을 설치하는 것도 가능하다. 도 6은 상기 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)에 있어서 2개의 각 주연부(41)의 외측 테두리부에 포커스 링(110)을 설치한 경우의 설명도이다. 포커스 링(110)은, 주연부(41)의 외측 테두리부(외주 근방)를 따라 설치되는 원환 형상의 링이며, 그 높이는 기판(W)의 두께와 거의 동일한 정도이다.
상기 실시 형태에서 설명한 바와 같이, 주연 적재 부재(40)[주연부(41)]에 있어서는, 기판(W)은 3군데의 돌기부(30)에 의해 3점 지지되어 적재된다. 기판(W)의 적재는 주연부(41) 상면의 소정의 위치에 행해지지만, 무언가의 외적 요인(예를 들어, 장치의 진동 등)에 의해 적재된 기판(W)이 주연부(41) 상면의 소정의 위치로부터 어긋나 버릴 우려가 있다. 따라서, 도 6에 도시하는 바와 같이 주연부(41)의 외측 테두리부에 포커스 링(110)을 설치함으로써, 주연부(41) 상면의 소정의 위치에 적재된 기판(W)의 위치 어긋남을 회피하여, 소정의 위치에 위치 정렬하는 것이 가능해진다. 또한, 기판(W)을 주연 적재 부재(40)에 적재할 때에도, 소정의 위치에 기판(W)을 위치 정렬하는 것이 가능해진다.
또한, 기판 처리를 행할 때에는, 처리 챔버(10) 내에 처리 가스가 도입되지만, 포커스 링(110)을 설치함으로써, 기판(W)과 주연부(41) 사이의 간극(111)에 있어서의 처리 가스의 흐름의 안정화가 도모되어, 보다 효율적인 기판 처리가 행해진다.
본 발명은, 예를 들어 반도체 제조 프로세스 등의 미세 가공 분야에 있어서 사용되는 기판 적재대, 기판 처리 장치 및 기판 처리 시스템에 적용된다.
1 : 기판 처리 장치
10 : 처리 챔버
20 : 기판 적재대
22 : 처리 가스 공급 기구
23 : 처리 가스 도입부
25 : 진공 펌프
26 : 배기구
28 : 지지 핀
29 : 승강 기구
30 : 돌기부
40 : 주연 적재 부재
41 : 주연부
43 : 주연 결합부
50 : 중앙 적재 부재
51 : 중앙부
53 : 중앙 결합부
55 : 지지대
56, 59 : 간극
57 : 구멍부
60 : 주연 온도 조절 유로
60a : 주연 외측 유로
60b : 주연 내측 유로
60c : 접속 유로
61 : 온도 조절 매체 도입구
63 : 온도 조절 매체 배출구
65 : 중앙 온도 조절 유로
67 : 도입구
69 : 배출구
70 : 유량 제어 기구
80, 90 : 온도 조절 매체 공급 기구
83, 93 : 도입관
84, 94 : 배출관
100 : 핀
110 : 포커스 링
111 : 간극
W : 기판
W1 : 기판 주연부
W2 : 기판 중앙부
10 : 처리 챔버
20 : 기판 적재대
22 : 처리 가스 공급 기구
23 : 처리 가스 도입부
25 : 진공 펌프
26 : 배기구
28 : 지지 핀
29 : 승강 기구
30 : 돌기부
40 : 주연 적재 부재
41 : 주연부
43 : 주연 결합부
50 : 중앙 적재 부재
51 : 중앙부
53 : 중앙 결합부
55 : 지지대
56, 59 : 간극
57 : 구멍부
60 : 주연 온도 조절 유로
60a : 주연 외측 유로
60b : 주연 내측 유로
60c : 접속 유로
61 : 온도 조절 매체 도입구
63 : 온도 조절 매체 배출구
65 : 중앙 온도 조절 유로
67 : 도입구
69 : 배출구
70 : 유량 제어 기구
80, 90 : 온도 조절 매체 공급 기구
83, 93 : 도입관
84, 94 : 배출관
100 : 핀
110 : 포커스 링
111 : 간극
W : 기판
W1 : 기판 주연부
W2 : 기판 중앙부
Claims (9)
- 기판을 진공 처리 공간에 있어서 처리하는 기판 처리 장치이며,
적어도 2매 이상의 기판을 적재하는 기판 적재대를 구비하고,
상기 기판 적재대는 적재되는 기판의 수와 동일한 수의 기판 적재부로 구성되고,
상기 기판 적재부에는 적재된 기판의 중앙부를 온도 조절하는 중앙 온도 조절 유로와,
기판의 주연부를 온도 조절하는 주연 온도 조절 유로가 서로 독립적으로 형성되고,
상기 기판 적재대에는 상기 주연 온도 조절 유로에 온도 조절 매체를 도입시키는 온도 조절 매체 도입구가 1개 설치되고, 상기 주연 온도 조절 유로로부터 온도 조절 매체를 배출시키는 온도 조절 매체 배출구가 적재되는 기판의 수와 동일한 수만큼 설치되는, 기판 처리 장치. - 제1항에 있어서, 상기 주연 온도 조절 유로는,
일단부가 상기 온도 조절 매체 도입구에 접속되고, 또한 기판의 주연부를 따라 연신하는 주연 내측 유로와,
일단부가 상기 온도 조절 매체 배출구에 접속되고, 또한 기판의 주연부를 따라 연신하는 주연 외측 유로와,
상기 주연 내측 유로의 타단부와 상기 주연 외측 유로의 타단부를 접속하는 접속 유로를 구비하고,
상기 접속 유로와 상기 온도 조절 매체 배출구는, 각각 상기 온도 조절 매체 도입구를 사이에 두고 당해 온도 조절 매체 도입구에 인접하여 배치되는, 기판 처리 장치. - 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 중앙 온도 조절 유로와, 상기 주연 온도 조절 유로는 각각 다른 온도 조절 매체 공급원에 접속되는, 기판 처리 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 중앙 온도 조절 유로 및 상기 주연 온도 조절 유로의 내부 상면에는, 당해 상면으로부터 돌출된 핀이 설치되어 있는, 기판 처리 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 온도 조절 매체 배출구에는, 각각 유량 제어 기구가 설치되어 있는, 기판 처리 장치.
- 제5항에 있어서, 상기 유량 제어 기구는 각각 독립적으로 제어되는, 기판 처리 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판 적재부는,
기판의 주연부를 적재하여 온도 제어를 행하는 주연 적재 부재와,
기판의 중앙부를 적재하여 온도 제어를 행하는 중앙 적재 부재와,
상기 주연 적재 부재 및 상기 중앙 적재 부재를 지지하는 지지대로 구성되고,
상기 주연 적재 부재의 내부에는 상기 주연 온도 조절 유로가 형성되고,
상기 중앙 적재 부재의 내부에는 상기 중앙 온도 조절 유로가 형성되고,
상기 주연 적재 부재와 상기 중앙 적재 부재 사이에는 간극이 형성되어, 상기 주연 적재 부재와 상기 중앙 적재 부재는 비접촉인, 기판 처리 장치. - 제7항에 있어서, 상기 주연 적재 부재는 2개 이상의 환 형상인 주연부와 상기 주연부끼리를 결합시키는 주연 결합부로 이루어지고, 상기 중앙 적재 부재는 상기 주연부의 내주에 대응한 형상의 2개 이상의 중앙부와 상기 중앙부끼리를 결합시키는 중앙 결합부로 이루어지고, 상기 주연부와 상기 중앙부 사이에는 수평 방향으로 환 형상의 간극이 형성되고, 상기 주연 결합부와 상기 중앙 결합부 사이에는 연직 방향으로 간극이 형성되고, 상기 주연 결합부 및 상기 중앙 결합부는 각각 상기 지지대에 결합되는, 기판 처리 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 주연부의 외측 테두리부에는 기판의 위치 정렬을 행하는 포커스 링이 설치되어 있는, 기판 처리 장치.
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US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
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US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
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US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
JP6863041B2 (ja) * | 2017-04-21 | 2021-04-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板加熱装置 |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
KR101981983B1 (ko) * | 2017-08-09 | 2019-05-24 | (주)엘라이트 | Led 히터 |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR102401446B1 (ko) * | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
TWI791689B (zh) | 2017-11-27 | 2023-02-11 | 荷蘭商Asm智慧財產控股私人有限公司 | 包括潔淨迷你環境之裝置 |
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US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
KR20200108016A (ko) | 2018-01-19 | 2020-09-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법 |
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US10755955B2 (en) * | 2018-02-12 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Substrate transfer mechanism to reduce back-side substrate contact |
EP3737779A1 (en) | 2018-02-14 | 2020-11-18 | ASM IP Holding B.V. | A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
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US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
KR20190128558A (ko) | 2018-05-08 | 2019-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
JP2021529254A (ja) | 2018-06-27 | 2021-10-28 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法 |
WO2020003000A1 (en) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10910243B2 (en) * | 2018-08-31 | 2021-02-02 | Applied Materials, Inc. | Thermal management system |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP2020096183A (ja) | 2018-12-14 | 2020-06-18 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
TW202104632A (zh) | 2019-02-20 | 2021-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
TW202044325A (zh) | 2019-02-20 | 2020-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
TW202100794A (zh) | 2019-02-22 | 2021-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
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US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
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JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141003A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템 |
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USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP2021015791A (ja) | 2019-07-09 | 2021-02-12 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
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US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
CN112242296A (zh) | 2019-07-19 | 2021-01-19 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法 |
CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
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US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
TW202115273A (zh) | 2019-10-10 | 2021-04-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構 |
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US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
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US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
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US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
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CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
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JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
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CN112992667A (zh) | 2019-12-17 | 2021-06-18 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构 |
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TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
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TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
KR20210117157A (ko) | 2020-03-12 | 2021-09-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
KR20210132576A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조 |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
KR20210132605A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
TW202147383A (zh) | 2020-05-19 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
TW202212623A (zh) | 2020-08-26 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07245297A (ja) * | 1994-03-07 | 1995-09-19 | Nippon Steel Corp | ウエハ冷却装置 |
JPH0917770A (ja) * | 1995-06-28 | 1997-01-17 | Sony Corp | プラズマ処理方法およびこれに用いるプラズマ装置 |
JP2000216140A (ja) * | 1999-01-20 | 2000-08-04 | Hitachi Ltd | ウエハステ―ジおよびウエハ処理装置 |
JP2006261541A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Tokyo Electron Ltd | 基板載置台、基板処理装置および基板処理方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4644943B2 (ja) * | 2001-01-23 | 2011-03-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
US6592675B2 (en) * | 2001-08-09 | 2003-07-15 | Moore Epitaxial, Inc. | Rotating susceptor |
US7347901B2 (en) * | 2002-11-29 | 2008-03-25 | Tokyo Electron Limited | Thermally zoned substrate holder assembly |
US20040261946A1 (en) * | 2003-04-24 | 2004-12-30 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus, focus ring, and susceptor |
US20050051098A1 (en) | 2003-09-05 | 2005-03-10 | Tooru Aramaki | Plasma processing apparatus |
JP2007067037A (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空処理装置 |
JP2007242648A (ja) | 2006-03-04 | 2007-09-20 | Masato Toshima | 基板の処理装置 |
US8287688B2 (en) * | 2008-07-31 | 2012-10-16 | Tokyo Electron Limited | Substrate support for high throughput chemical treatment system |
JP5356522B2 (ja) * | 2008-07-31 | 2013-12-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 化学処理及び熱処理用高スループット処理システム及びその動作方法 |
JP2010149656A (ja) | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Ichikoh Ind Ltd | ドアミラー制御装置 |
-
2010
- 2010-06-30 JP JP2010149656A patent/JP5119297B2/ja active Active
-
2011
- 2011-06-27 TW TW100122507A patent/TWI451525B/zh active
- 2011-06-29 US US13/172,366 patent/US8741065B2/en active Active
- 2011-06-29 KR KR1020110063340A patent/KR101299891B1/ko active IP Right Grant
- 2011-06-30 DE DE102011108634A patent/DE102011108634B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2011-06-30 CN CN201110189199.3A patent/CN102315143B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07245297A (ja) * | 1994-03-07 | 1995-09-19 | Nippon Steel Corp | ウエハ冷却装置 |
JPH0917770A (ja) * | 1995-06-28 | 1997-01-17 | Sony Corp | プラズマ処理方法およびこれに用いるプラズマ装置 |
JP2000216140A (ja) * | 1999-01-20 | 2000-08-04 | Hitachi Ltd | ウエハステ―ジおよびウエハ処理装置 |
JP2006261541A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Tokyo Electron Ltd | 基板載置台、基板処理装置および基板処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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