CN102315143B - 基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板处理装置，可以分别独立且精密地进行基板的周缘部和中心部的温度管理、温度控制，且配管构成简化。本发明提供一种基板处理装置，在真空处理空间中处理基板，且包含承载至少两片以上的基板的基板承载台，所述基板承载台是由数量与承载的基板数量对应的基板承载部构成，在所述基板承载部，相互独立地形成有使承载的基板中央部冷却的中央调温通道和使基板周缘部冷却的周缘调温通道，在所述基板承载台上设置有一个使调温介质导入到所述周缘调温通道的调温介质导入口，且设置数量与承载的基板数量对应的使调温介质从所述周缘调温通道中排出的调温介质排出口。

Description

基板处理装置
技术领域
本发明涉及一种例如在半导体制造工艺等的微加工领域中使用的基板处理装置。
背景技术
先前，在真空中的半导体工艺等的基板(硅片)处理中，为了提高处理均匀性，而进行用以使基板表面温度均匀化的温度调节。作为基板温度调节方法，一般采用如下方法，在承载基板的基板承载台(承载台)的内部设置制冷剂通道，使制冷剂流入该通道，由来自基板承载台的放射热，冷却承载在基板承载台上的基板表面进行温度调节。
例如，在专利文献1中，公开了一种等离子体处理装置，在该等离子体处理装置中，在基板承载台的内部设置2个同心圆状的制冷剂通道，使流入外侧通道的制冷剂和流入内侧通道的制冷剂的温度成为相对不同的温度，并通过使对接受来自腔室内壁的放射热的基板周缘部进行的冷却比对基板中央部进行的冷却强，使基板的表面温度均匀化。
[先行技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利特开平9-17770号公报
发明内容
[发明所要解决的问题]
然而，在所述专利文献1记载的等离子体处理装置中，流入温度相互不同的制冷剂的2个系统的制冷剂通道是在1个基板承载台的内部邻接，导致这2个系统的制冷剂通道温度相互影响，因此，有可能无法独立控制基板的中央部和周缘部各自的冷却。即，无法分别对承载在基板承载台上的基板的中央部及周缘部进行精密的温度管理、温度控制，从而难以使受到来自腔室内壁的放射热较大影响的基板周缘部的表面温度、和受此影响较小的基板中央部的表面温度均匀化。因此，由于基板处理中的基板表面整个面的条件未能均匀化，所以，存在无法均匀地进行基板处理的问题。进而，在等离子体处理装置内，因基板承载台为一体构成，也将成为导致2个系统的制冷剂通道的温度相互影响，从而无法独立控制中央部及周缘部的基板温度的原因。再者，由于独立设置2个系统的制冷剂通道，所以需要用来对各个制冷剂通道的入口和出口供给或排出制冷剂的配管，因此，装置整体的配管数量增加或配管构成的复杂化也成为了问题。
此外，例如在所述专利文献1记载的等离子体处理装置中，一般来说，基板是以静电吸盘等的方式承载在基板承载台上，所以，基板承载台的温度变化容易直接影响到基板表面的温度变化，使得基板表面的温度管理、温度控制相对容易。但是，在以基板和基板承载台之间形成有间隙的状态承载基板的方式的基板处理装置中，是利用来自基板承载台的放射热，对基板表面进行温度管理、温度控制，此时，基板承载台的温度变化并不直接影响到基板表面的温度变化，所以，必须对基板承载台进行更加精密的温度管理、温度控制。
于是，鉴于所述问题等，本发明的目的在于提供一种可以彼此互不影响的方式，独立且精密地进行基板的周缘部和中心部的温度管理、温度控制，且配管构成简化的基板处理装置。
[解决问题的技术手段]
为了达到所述目的，而根据本发明，提供一种基板处理装置，其在真空处理空间中处理基板，且包含承载至少2片以上的基板的基板承载台，所述基板承载台是由数量和承载的基板数量对应的基板承载部构成，在所述基板承载部，相互独立地形成有对承载的基板中央部进行调温的中央调温通道和对基板周缘部进行调温的周缘调温通道，在所述基板承载台上设置有1个使调温介质导入到所述周缘调温通道的调温介质导入口，且设置数量与承载的基板数量对应的使调温介质从所述周缘调温通道中排出的调温介质排出口。另外，在此调温表示温度控制、温度调节。
在所述基板处理装置中，所述周缘调温通道包含：周缘内侧通道，一端部连接在所述调温介质导入口，且沿着基板的周缘部延伸；周缘外侧通道，一端部连接在所述调温介质排出口，且沿着基板的周缘部延伸；以及连接通道，连接所述周缘内侧通道的另一端部和所述周缘外侧通道的另一端部；且，所述连接通道和所述调温介质排出口是分别夹着所述调温介质导入口，邻接配置在该调温介质导入口。
也可以使所述中央调温通道和所述周缘调温通道分别连接在不同的调温介质供给源。也可以在所述中央调温通道及所述周缘调温通道的内部上表面，设置有从该上表面突出的散热片。也可以在所述调温介质排出口分别设置有流量控制机构。所述流量控制机构可以分别进行独立控制。
而且，在所述基板处理装置中，所述基板承载部是由承载基板的周缘部进行温度控制的周缘承载部件、承载基板的中央部进行温度控制的中央承载部件、及支撑所述周缘承载部件及所述中央承载部件的支撑台构成，且，在所述周缘承载部件的内部形成有所述周缘调温通道，在所述中央承载部件的内部形成有所述中央调温通道，在所述周缘承载部件和所述中央承载部件之间形成有间隙，且所述周缘承载部件和所述中央承载部件为非接触。
所述周缘承载部件是由2个以上的环状周缘部和使该周缘部彼此结合的周缘结合部构成，所述中央承载部件是由形状和所述周缘部的内周对应的2个以上的中央部和使该中央部彼此结合的中央结合部构成，在所述周缘部和所述中央部之间，沿水平方向形成有环状间隙，在所述周缘结合部和所述中央结合部之间，沿铅直方向形成有间隙，且所述周缘结合部及所述中央结合部分别结合于所述支撑台。而且，也可以在所述周缘部的外缘部，设置有进行基板对位的定位校正环。
[发明的效果]
根据本发明，提供一种基板处理装置，可以互不影响的方式，独立且精密地对基板的周缘部和中心部进行温度管理、温度控制，且配管构成简化。
附图说明
图1是基板处理装置的截面概略图。
图2是关于基板承载台的说明图，图2(a)是各部件(周缘承载部件、中央承载部件、支撑台)未经连结状态下的基板承载台的正面透视图，图2(b)是使各部件连结状态下的基板承载台的正面透视图。
图3是周缘承载部件的概略平面截面图。
图4是中央承载部件的概略平面截面图。
图5是表示周缘调温通道的通道截面形状的一例的说明图。
图6是在基板处理装置中将定位校正环设置在周缘部时的说明图。
[符号的说明]
1     基板处理装置
10    处理腔室
20    基板承载台
22    处理气体供给机构
23    处理气体导入部
25     真空泵
26     排气口
28     支撑销
29     升降机构
30     突起部
40     周缘承载部件
41     周缘部
43     周缘结合部
50     中央承载部件
51     中央部
53     中央结合部
55     支撑台
56、59 间隙
57     孔部
60     周缘调温通道
60a    周缘外侧通道
60b    周缘内侧通道
60c     连接通道
61     调温介质导入口
63     调温介质排出口
65     中央调温通道
67     导入口
69     排出口
70     流量控制机构
80、90 调温介质供给机构
83、93 导入管
84、94 排出管
100    散热片
110    定位校正环
111    间隙
W      基板
W1    基板周缘部
W2    基板中央部
具体实施方式
以下，参照图式说明本发明的实施方式。另外，在本说明书及图式中，对于实质上具有相同的功能构成的构成要素，通过标注相同符号来省略重复说明。而且，在以下的本发明实施方式中，以同时配置、处理2片基板W的基板处理装置1为一例实施方式，进行说明。
图1是本发明实施方式的基板处理装置1的概略截面图。如图1所示，基板处理装置1是由处理腔室10、和配置在处理腔室10内进行基板W的处理时承载基板W的基板承载台20构成。另外，在图1中图示了2片基板W承载在基板承载台20的上表面的情形。而且，在处理腔室10中，设置有连通到处理气体供给机构22的例如喷头形状的处理气体导入部23和连通到真空泵25的排气口26。借此，处理腔室10内便可进行真空抽吸，而且，在基板W处理时，从处理气体导入部23将处理气体导入到处理腔室10内。
而且，在处理腔室10中，设置有多根支撑销28，这些支撑销28是通过贯穿基板承载台20，向此基板承载台20的上方突出来支撑基板W，进行基板W对基板承载台20的承载。支撑销28是由结合在支撑销28使支撑销28沿铅直方向(图1中的上下方向)升降的升降机构29而构成为升降自如。另外，如图1所示，升降机构29是由设置在处理腔室10外部的作为例如气缸等的驱动部29a、和连接在驱动部29a且从驱动部29a伸入到处理腔室10内的升降部29b构成。支撑销28是安装在升降部29b，因此，支撑销28也和通过驱动部29a运转而升降的升降部29b联动地进行升降。当将基板W承载在基板承载台20的上表面时，使支撑销28以特定的长度向基板承载台20的上方突出，且在使基板W承载在突出的支撑销28上端的状态下，以支撑销28的前端接近基板承载台20的上表面附近的方式使支撑销28下降，由此，将基板W承载在基板承载台20上。
而且，在基板承载台20的上表面设置有微小的突起部30，当如上所述，基板W在由支撑销28支撑的状态下，下降到基板承载台20的上表面附近为止时，基板W以通过基板承载台20上表面的突起部30而悬浮在基板承载台20上表面上的状态(和基板承载台20大致不接触的状态)承载。另外，在本实施方式的基板处理装置1中，相对于1片基板W设置有3根支撑销28，而且，突起部30也相对于1片基板W设置在3个部位，通过由3根支撑销28对基板W进行3点支撑，而使基板W得以支撑、升降，并利用设置在基板承载台20的上表面的3个部位(相对于1片基板)突起部30，而使基板W以大致不接触的状态承载在基板承载台20上。在此，基板W以大致不接触的状态承载在基板承载台20的上表面的原因在于，如果将基板W直接承载在基板承载台20上，则会导致存在于基板承载台20表面的颗粒等杂质有可能附着在基板W表面。
为了更详细地说明基板承载台20的构成，以下参照图2描述该构成。图2是关于基板承载台20的说明图。在此，为了进行说明，而在图2(a)中表示以下说明的各部件(周缘承载部件40、中央承载部件50、支撑台55)未经连结状态下的基板承载台20的正面透视图，且在图2(b)中表示使各部件连结状态下的基板承载台20的正面透视图。而且，图2中并未图示贯穿基板承载台20而设置的支撑销28和以下说明的各调温通道等。另外，当基板承载台20在所述图1所示的基板处理装置1中，配置在处理腔室10内时，在图2(b)所示的各部件经连结的状态下配置所述基板承载台20。
如图2所示，基板承载台20是由承载基板周缘部W1的周缘承载部件40、承载基板中央部W2的中央承载部件50、及支撑周缘承载部件40及中央承载部件50的支撑台55构成。另外，本实施方式是由周缘承载部件40和中央承载部件50构成基板承载部。周缘承载部件40是由2个大致圆环形状的周缘部41、以及使2个周缘部41以水平并排配置的状态结合的周缘结合部43构成。而且，中央承载部件50是由2个大致圆板形状的中央部51、以及使2个中央部51以水平并排配置的状态结合的中央结合部53构成。在此，周缘部41的内周形状和中央部51的形状的关系是对应关系。即，如图2(b)所示，当使周缘承载部件40和中央承载部件50重合时，构成为中央部51收纳在大致圆环形状的周缘部41的中心部的空间41a。因此，空间41a的平面(上表面)形状和中央部51的平面(上表面)形状为大致相同形状，且，中央部51的上表面面积变得小于空间41a的上表面面积。而且，周缘部41的上表面面积和中央部51的上表面面积成为大致相等的面积。
如上所述，由于周缘部41的形状和中央部51的形状的关系为对应关系，所以，如图2(b)所示当使周缘承载部件40和中央承载部件50重合时，在周缘部41和中央部51之间，沿水平方向形成有环状间隙56。而且，构成基板承载台20时的各部件(周缘承载部件40、中央承载部件50、支撑台55)是通过未图示的螺丝部件而结合，中央结合部53和支撑台55也通过未图示的螺丝部件而结合。在此，在周缘结合部43和中央结合部53之间，以沿铅直方向形成间隙59的方式进行各部件的结合，其结果，周缘承载部件40和中央承载部件50以互不接触的状态构成基板承载台20。
而且，如图2(a)所示，在周缘结合部43的下表面中央，设置有1处用来将例如冷却水等的制冷剂作为调温介质导入设置在周缘承载部件40内(周缘部41内)的周缘调温通道60内的调温介质导入口61，进而，2处用来将制冷剂从周缘调温通道60内排出的调温介质排出口63邻接设置在调温介质导入口61的两侧(图2中近前侧和里侧)。在此，周缘承载部件40是由分别承载2片基板的2个周缘部41和周缘结合部43构成，且在2个周缘部41内分别形成有周缘调温通道60，但形成在2个周缘部41内的周缘调温通道60在设置在所述1处的调温介质导入口61中连通。参照图3，随后描述该周缘调温通道60的构成、形状。
另一方面，在中央结合部53的靠近中央部51的两端部(图2中为左右方向的端部)附近，用来将制冷剂导入到设置在中央承载部件50内(中央部51内)的中央调温通道65内的导入口67、和用来使制冷剂从中央调温通道65排出的排出口69在各个端部各设置一处。另外，参照图4，随后描述中央调温通道65的构成、形状。
而且，在中央结合部53中央，如图2(b)所示，当使周缘承载部件40和中央承载部件50重合，构成基板承载台20时，在与设置在周缘结合部43的调温介质导入口61及调温介质排出口63重合的位置上，设置有3个部位的孔部57(图2(a)中由里向外设为57a、57b、57c)。
然后，如图2(a)所示，在支撑台55上，将使周缘承载部件40和中央承载部件50重合而构成基板承载台20时，分别连接于调温介质导入口61、调温介质排出口63、导入口67、排出口69的配管设置在和各导入口、排出口对应的位置上。另外，对于设置在支撑台55上的配管，在图2(a)中分别图示为对和调温介质导入口61对应的配管标注符号61′，对和调温介质排出口63对应的配管标注符号63′，对和导入口67对应的配管标注符号67′，对和排出口69对应的配管标注符号69′。另外，调温介质导入口61和配管61′的连接及调温介质排出口63和配管63′的连接是在所述孔部57(57a、57b、57c)中进行。因此，配管61′、63′是以仅和孔部57的高度(即，中央结合部53的厚度)同等程度的高度在支撑台55上表面比其他部分高一级的方式突出设置。
如上所述，在2个周缘部41的内部，分别形成有周缘调温通道60。图3是周缘承载部件40的概略性平面截面图。另外，在图3中，为了进行说明而利用虚线图示周缘承载部件40。如图3所示，周缘调温通道60构成为和设置在周缘结合部43上的调温介质导入口61及调温介质排出口63连接，且从调温介质导入口61导入的作为例如冷却水等的制冷剂流经周缘调温通道60而从调温介质排出口63排出。而且，周缘调温通道60是由沿着周缘部41的外侧(沿着基板W的周缘部)延伸的周缘外侧通道60a、沿着周缘部41的内侧延伸的周缘内侧通道60b、及连接周缘外侧通道60a的一端部和周缘内侧通道60b的一端部的连接通道60c构成。周缘外侧通道60a的另一端部(未和连接通道60c连接的端部)是连接于调温介质排出口63，且周缘内侧通道60b的另一端部(未和连接通道60c连接的端部)连接于调温介质导入口61。在此，周缘外侧通道60a及周缘内侧通道60b以分别围绕周缘承载部件40大一周的方式延伸，且连接通道60c和调温介质排出口63构成为夹着调温介质导入口61而和该调温介质导入口61邻接的位置关系。
而且，在本实施方式中，周缘承载部件40由2个周缘部41和使2个周缘部41结合的周缘结合部43构成。如图3所示，在2个周缘部41中，分别形成有周缘调温通道60，但这2个周缘调温通道60连接于共通的1个调温介质导入口61。即，构成如下，将制冷剂从共通的调温介质导入口61导入到2个周缘调温通道60，且使穿过各周缘调温通道60的制冷剂分别从其它调温介质排出口63排出。另外，在调温介质排出口63，分别设置有例如由阀和控制部构成的流量控制机构70，且利用流量控制机构70控制周缘调温通道60内流动的制冷剂的流量。分别设置在2个调温介质排出口63的流量控制机构70为相互独立控制。即，独立地控制2个周缘调温通道60内流动的制冷剂的流量。
另一方面，在2个中央部51的内部，分别形成有中央调温通道65。图4是中央承载部件50的概略性平面截面图。另外，在图4中，为了进行说明，而利用虚线图示中央承载部件50。如图4所示，中央调温通道65构成为和设置在中央结合部53的导入口67及排出口69连接，且使从导入口67导入的制冷剂穿过中央调温通道65，从排出口69排出。中央调温通道65只要形成为遍布网罗中央部51的整个表面的形状即可，优选例如在图4所示的中央部51的内侧和外侧两侧，蜿蜒地形成有近似圆环状通道的形状。而且，和所述调温介质排出口63同样地，在排出口69上，分别设置有例如由阀和控制部构成的流量控制机构70，且通过流量控制机构70控制中央调温通道65内流动的制冷剂的流量。分别设置在2个排出口69的流量控制机构70为相互独立控制，由此，在2个中央调温通道65内流动的制冷剂的流量也为独立控制。
而且，如图1所示，周缘调温通道60经由导入管83、排出管84连通到处理腔室10外部的调温介质供给源80。通过调温介质供给源80的运转，而经由导入管83将制冷剂从调温介质导入口61供给到周缘调温通道60内。而且，穿过周缘调温通道60的制冷剂是经由排出管84从调温介质排出口63向调温介质供给源80排出。即，制冷剂是在调温介质供给源80和周缘调温通道60之间进行循环。
而且，如图1所示，中央调温通道65经由导入管93、排出管94连通到处理腔室10外部的调温介质供给源90。通过调温介质供给源90运转，经由导入管93将制冷剂从导入口67供给到中央调温通道65内。而且，穿过中央调温通道65的制冷剂是经由排出管94从排出口69向调温介质供给源90排出。即，制冷剂是在调温介质供给源90和中央调温通道65之间进行循环。另外，所述调温介质供给源80和调温介质供给源90是不同的调温介质供给源，在调温介质供给源80和调温介质供给源90中循环的制冷剂的温度不同，制冷剂的温度调节是在各调温介质供给源中独立地进行。
在按照以上说明构成的基板处理装置1中进行基板处理时，承载在基板承载台20上的基板W是由来自通过形成在周缘承载部件40内及中央承载部件50内的调温通道(周缘调温通道60、中央调温通道65)调温的基板承载台20的放射热进行温度调节。此时，利用设置在周缘承载部件40内部的周缘调温通道60的冷却能力，对基板周缘部W1进行调温，并利用设置在中央承载部件50内部的中央调温通道65的冷却能力，将基板中央部W2冷却，以此方式，基板周缘部W1和基板中央部W2分别利用不同的调温通道的冷却能力来进行冷却。
在基板处理中，在基板W上存在有来自比基板W温度高的处理腔室10的内壁的放射热引起的供热，尤其，基板周缘部W1和处理腔室10的内壁的距离短于和基板中央部W2的距离，因此，基板周缘部W1中供热多于基板中央部W2。在基板处理中，处理中的基板W的表面温度必须均匀，因此，基板周缘部W1和基板中央部W2相比必须进行强冷却(调温)。如上所述，在本实施方式的基板处理装置1中，基板承载台20是由周缘承载部件40和中央承载部件50构成，且在周缘承载部件40和中央承载部件50之间分别形成有水平方向的间隙56和铅直方向的间隙59，故周缘承载部件40和中央承载部件50相互为非接触。在此，基板处理中的处理腔室10内为经真空抽吸的状态，所以，所述间隙56、间隙59因真空隔热，而使周缘承载部件40和中央承载部件50的温度成为互不影响的状态。因此，可以分别独立地将周缘承载部件40和中央承载部件50控制为特定的温度，从而可使基板周缘部W1和基板中央部W2相比进行强冷却(调温)。
即，通过对设置在周缘承载部件40内的周缘调温通道60的制冷剂温度或制冷剂流量、和设置在中央承载部件50内的中央调温通道65的制冷剂温度或制冷剂流量相互独立地进行温度管理、流量控制，而使经周缘调温通道60冷却(调温)的基板周缘部W1、和经中央调温通道65冷却(调温)的基板中央部W2的温度管理、温度控制独立且精密地进行。因此，可精密地使基板处理时的基板W的整体表面温度均匀化。例如，当因来自处理腔室10内壁的放射热而使基板周缘部W1变得比基板中央部W2温度高时，将周缘调温通道60的制冷剂温度调节为比中央调温通道65的制冷剂温度低的温度，且以周缘调温通道60的制冷剂流量变得大于中央调温通道65的制冷剂流量的方式，进行制冷剂的流量控制，由此，便可使基板周缘部W1和基板中央部W2相比进行例如强冷却(调温)，从而使基板W的整体表面温度均匀。
另外，利用本实施方式的基板处理装置1进行的基板处理并无特别限定，但可例示例如使用作为处理气体的HF气体、NH3气体，对形成在基板W表面的SiO2膜进行处理，且经由之后的加热处理，将SiO2膜从基板W上去除的基板清洗处理等。
而且，当在本实施方式所示的基板承载台20上承载2片基板，并同时对2片基板W进行基板处理时，由于构成为从1个共通的调温介质导入口61，将来自调温介质供给源80的制冷剂导入到2个周缘调温通道60，且构成为利用将制冷剂从各周缘调温通道60排出的调温介质排出口63进行调温介质流量控制，所以，和2个周缘调温通道中分别设置调温介质导入口和调温介质排出口的情形相比，可简化用来导入制冷剂的配管构成，实现空间效率的提高和成本降低等。
以上，说明了本发明的实施方式的一例，但本发明并不限定于图示的方式。作为本领域技术人员，当知在权利要求范围记载的思想范畴内，可设想各种变更例或者修正例，且应理解这些变更例或者修正例当然属于本发明的技术范围。例如，在所述实施方式中，分别将周缘调温通道60的形状及中央调温通道65的形状图示于图3、图4中，但周缘调温通道60及中央调温通道65的形状并不限定于此，周缘调温通道60只要形成为可以均匀地对周缘部41的整面进行调温的形状即可，而且，中央调温通道65只要形成为可以均匀地对中央部51的整面进行调温的形状即可。
而且，在所述实施方式中，作为流入周缘调温通道60及中央调温通道65的调温介质，列举说明了作为冷却水等的制冷剂，但本发明并不限定于此。例如，为了进行基板W的精密温度控制，有时也将和基板W的表面温度大致同等的温度的流体，作为调温介质，使之流入到周缘调温通道60及中央调温通道65，进行基板W的温度控制。此时，经加热的特定温度的调温介质将流入到周缘调温通道60及中央调温通道65。
而且，在所述实施方式中，关于周缘调温通道60及中央调温通道65的通道截面形状并无特别限定，为了有效地使制冷剂的温度传递到周缘承载部件40及中央承载部件50，优选使各通道(周缘调温通道60、中央调温通道65)的通道截面形状，形成为通道内表面和制冷剂的接触面积较大的形状。
图5是表示周缘调温通道60的通道截面形状的一例的说明图。如图5所示，在本变形例的周缘调温通道60中，在通道上表面形成有从沿着铅直方向延伸的该上表面突出的散热片100。散热片100的长度、宽度只要不阻碍制冷剂在通道内流动即可，优选根据流入周缘调温通道60内的制冷剂流量，合理地设定所述长度、宽度。而且，设置在通道上表面的散热片100的数量或散热片100彼此的间隔也可以根据制冷剂流量来合理地设定。
如图5所示，当在周缘调温通道60的通道上表面设置散热片100时，通道内部的面积比普通的矩形截面的通道扩大。因此，通道内流动的制冷剂和通道内表面的接触面积也变大，从而更有效地进行制冷剂和通道内表面的热交换。即，利用流入周缘调温通道60内的制冷剂而进行的周缘部41(周缘承载部件40)的冷却(调温)更为有效，其结果，使承载在周缘承载部件40的基板W的冷却效率得以提高。
而且，在所述实施方式的基板处理装置1中，也可以在周缘部41的外缘部设置进行基板W对位的定位校正环。图6是在所述实施方式的基板处理装置1中，在2个各周缘部41的外缘部设置定位校正环110时的说明图。定位校正环110是沿着周缘部41的外缘部(外周附近)设置的圆环形状的环，其高度和基板W的厚度大致相同。
如所述实施方式所说明，在周缘承载部件40(周缘部41)中，基板W是由3处突起部30进行3点支撑而承载。基板W的承载是在周缘部41上表面的特定位置上进行，但存在因某些外因(例如装置的振动等)而使承载的基板W偏离周缘部41上表面的特定位置的可能性。于是，如图6所示，可通过在周缘部41的外缘部设置定位校正环110，可避免承载在在周缘部41上表面的特定位置上的基板W出现位置偏离，可使其对准特定的位置。而且，将基板W承载在周缘承载部件40上时，也可以使基板W对准特定的位置。
进而，当进行基板处理时，是将处理气体导入到处理腔室10内，但可通过设置定位校正环110，而实现处理气体在基板W和周缘部41之间的间隙111中的流动稳定化，从而更有效地进行基板处理。
[产业上的可利用性]
本发明是应用于例如在半导体制造工艺等的微加工领域中使用的基板承载台、基板处理装置及基板处理系统。

Claims (8)

1.一种基板处理装置，其在真空处理空间中处理基板，且
包含承载至少2片以上的基板的基板承载台，
所述基板承载台是由数量和承载的基板数量对应的基板承载部构成，
在所述基板承载部，相互独立地形成有对承载的基板中央部进行调温的中央调温通道和对基板周缘部进行调温的周缘调温通道，
在所述基板承载台上设置有1个使调温介质导入到所述周缘调温通道的调温介质导入口，且设置有数量刚好与承载的基板数量对应的使调温介质从所述周缘调温通道中排出的调温介质排出口，
所述周缘调温通道包含：
周缘内侧通道，一端部连接在所述调温介质导入口，且沿着基板的周缘部延伸；
周缘外侧通道，一端部连接在所述调温介质排出口，且沿着基板的周缘部延伸；以及
连接通道，连接所述周缘内侧通道的另一端部和所述周缘外侧通道的另一端部；
且，所述连接通道和所述调温介质排出口是配置成分别夹着所述调温介质导入口而邻接该调温介质导入口。
2.根据权利请求1所述的基板处理装置，其特征在于：
所述中央调温通道和所述周缘调温通道分别连接在不同的调温介质供给源。
3.根据权利请求1所述的基板处理装置，其特征在于：
在所述中央调温通道及所述周缘调温通道的内部上表面，设置有从该上表面突出的散热片。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：
在所述调温介质排出口分别设置有流量控制机构。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于：
所述流量控制机构是分别独立控制。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：
所述基板承载部是由
承载基板的周缘部并进行温度控制的周缘承载部件、
承载基板的中央部并进行温度控制的中央承载部件、及
支撑所述周缘承载部件与所述中央承载部件的支撑台构成，
且，在所述周缘承载部件的内部形成有所述周缘调温通道，
在所述中央承载部件的内部形成有所述中央调温通道，
在所述周缘承载部件和所述中央承载部件之间形成有间隙，所述周缘承载部件和所述中央承载部件为非接触。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于：
所述周缘承载部件是由2个以上的环状周缘部和使该周缘部彼此结合的周缘结合部构成，所述中央承载部件是由形状和所述周缘部的内周对应的2个以上的中央部和使该中央部彼此结合的中央结合部构成，在所述周缘部和所述中央部之间，沿水平方向形成有环状间隙，在所述周缘结合部和所述中央结合部之间，沿铅直方向形成有间隙，且所述周缘结合部及所述中央结合部分别结合于所述支撑台。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：
在所述周缘部的外缘部设置有进行基板对位的定位校正环。
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