DE102005052696B4 - Nichtflüchtiges Speicherbauelement - Google Patents

Nichtflüchtiges Speicherbauelement Download PDF

Info

Publication number
DE102005052696B4
DE102005052696B4 DE102005052696A DE102005052696A DE102005052696B4 DE 102005052696 B4 DE102005052696 B4 DE 102005052696B4 DE 102005052696 A DE102005052696 A DE 102005052696A DE 102005052696 A DE102005052696 A DE 102005052696A DE 102005052696 B4 DE102005052696 B4 DE 102005052696B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
voltage
latch
state
line
transistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE102005052696A
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE102005052696A1 (de
Inventor
Sung Soo Lee
Young Ho Lim
Hyun Chul Cho
Dong Hyuk Chae
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of DE102005052696A1 publication Critical patent/DE102005052696A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102005052696B4 publication Critical patent/DE102005052696B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/26Sensing or reading circuits; Data output circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/04Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
    • G11C16/0483Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells having several storage transistors connected in series
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/08Address circuits; Decoders; Word-line control circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/24Bit-line control circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
DE102005052696A 2004-10-28 2005-10-28 Nichtflüchtiges Speicherbauelement Expired - Lifetime DE102005052696B4 (de)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2004-0086451 2004-10-28
KR20040086450 2004-10-28
KR20040086451 2004-10-28
KR10-2004-0086450 2004-10-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102005052696A1 DE102005052696A1 (de) 2006-05-04
DE102005052696B4 true DE102005052696B4 (de) 2013-02-21

Family

ID=36202090

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102005052696A Expired - Lifetime DE102005052696B4 (de) 2004-10-28 2005-10-28 Nichtflüchtiges Speicherbauelement

Country Status (5)

Country Link
US (4) US7379333B2 (https=)
JP (1) JP5103660B2 (https=)
KR (1) KR100704028B1 (https=)
DE (1) DE102005052696B4 (https=)
TW (1) TWI275103B (https=)

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100648277B1 (ko) * 2004-12-30 2006-11-23 삼성전자주식회사 프로그램 시간을 줄일 수 있는 플래시 메모리 장치
KR100666172B1 (ko) * 2005-01-04 2007-01-09 삼성전자주식회사 로드 공급 와이어드 오어 구조를 가지는 불휘발성 반도체메모리 장치와, 이에 대한 구동방법
KR100567158B1 (ko) * 2005-01-10 2006-04-03 삼성전자주식회사 캐쉬기능을 가지는 와이어드 오어 타입의 페이지 버퍼 및이를 포함하는 불휘발성 반도체 메모리 장치, 그리고,이를 이용한 프로그램 방법
KR100666171B1 (ko) * 2005-01-10 2007-01-09 삼성전자주식회사 로드 프리 타입의 와이어드 오어 구조를 가지는 불휘발성반도체 메모리 장치와, 이에 대한 구동방법
KR100666170B1 (ko) * 2005-01-17 2007-01-09 삼성전자주식회사 결함 페이지 버퍼로부터의 데이터 전송이 차단되는와이어드 오어 구조의 불휘발성 반도체 메모리 장치
KR100669349B1 (ko) * 2005-12-02 2007-01-16 삼성전자주식회사 플래시 메모리 장치 및 그것의 읽기 방법
US7489546B2 (en) * 2005-12-20 2009-02-10 Micron Technology, Inc. NAND architecture memory devices and operation
KR100763114B1 (ko) * 2006-05-10 2007-10-04 주식회사 하이닉스반도체 플래쉬 메모리 소자의 검증 방법
KR100816155B1 (ko) 2006-12-28 2008-03-21 주식회사 하이닉스반도체 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치의 멀티레벨 셀 프로그램 방법
KR100813631B1 (ko) 2007-03-19 2008-03-14 삼성전자주식회사 읽기 성능을 향상시킬 수 있는 플래시 메모리 장치
US7545678B2 (en) * 2007-06-29 2009-06-09 Sandisk Corporation Non-volatile storage with source bias all bit line sensing
US7817467B2 (en) 2007-09-07 2010-10-19 Micron Technology, Inc. Memory controller self-calibration for removing systemic influence
KR101437517B1 (ko) * 2007-10-23 2014-09-05 삼성전자주식회사 인터리빙 기법을 이용한 메모리 시스템, 및 그 방법
US7701741B2 (en) * 2007-12-03 2010-04-20 Micron Technology, Inc. Verifying an erase threshold in a memory device
KR101076879B1 (ko) * 2008-04-11 2011-10-25 주식회사 하이닉스반도체 셀프 부스팅을 이용한 플래시 메모리소자의 프로그램 방법
JP2009266946A (ja) 2008-04-23 2009-11-12 Toshiba Corp 三次元積層不揮発性半導体メモリ
WO2010042824A1 (en) 2008-10-10 2010-04-15 Arizona Board Of Regents, For And On Behalf Of Arizona State University Differential threshold voltage non-volatile memory and related methods
WO2010042820A1 (en) * 2008-10-10 2010-04-15 Arizona Board Of Regents, For And On Behalf Of Arizona State University Differential threshold voltage non-volatile memory and related methods
JP5086972B2 (ja) * 2008-11-06 2012-11-28 力晶科技股▲ふん▼有限公司 不揮発性半導体記憶装置のためのページバッファ回路とその制御方法
KR101016078B1 (ko) * 2009-01-21 2011-02-17 주식회사 하이닉스반도체 불휘발성 메모리 장치 및 그 동작 방법
US8379456B2 (en) * 2009-10-14 2013-02-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory devices having dummy cell and bias methods thereof
KR20110093257A (ko) * 2010-02-12 2011-08-18 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 동작 방법
US9257181B2 (en) 2011-03-23 2016-02-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Sense amplification circuits, output circuits, nonvolatile memory devices, memory systems, memory cards having the same, and data outputting methods thereof
JP5380483B2 (ja) 2011-03-31 2014-01-08 株式会社東芝 半導体記憶装置
KR101678919B1 (ko) 2011-05-02 2016-11-24 삼성전자주식회사 메모리 시스템 및 에러 정정 방법
KR101772582B1 (ko) 2011-07-06 2017-08-30 삼성전자주식회사 음전압을 제공하는 비휘발성 메모리 장치
KR20130011058A (ko) * 2011-07-20 2013-01-30 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치 및 이의 동작방법
DE102012111829B4 (de) 2011-12-06 2024-10-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Speichersysteme und Blockkopierverfahren davon
KR101893145B1 (ko) 2011-12-06 2018-10-05 삼성전자주식회사 메모리 시스템들 및 그것들의 블록 복사 방법들
TWI497501B (zh) * 2011-12-30 2015-08-21 Macronix Int Co Ltd 頁面緩衝器電路
US9013921B2 (en) 2012-12-06 2015-04-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory device
US9263137B2 (en) * 2013-06-27 2016-02-16 Aplus Flash Technology, Inc. NAND array architecture for multiple simutaneous program and read
US9019780B1 (en) 2013-10-08 2015-04-28 Ememory Technology Inc. Non-volatile memory apparatus and data verification method thereof
KR102215359B1 (ko) 2014-08-01 2021-02-15 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치와 그 센싱 방법
KR20160075165A (ko) * 2014-12-19 2016-06-29 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작 방법
US9847135B2 (en) * 2015-01-30 2017-12-19 Toshiba Memory Corporation Memory device and method of reading data
KR102238296B1 (ko) * 2015-06-12 2021-04-08 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 메모리 장치
KR102663261B1 (ko) * 2016-09-08 2024-05-03 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 메모리 장치 및 그것의 동작 방법
KR102347183B1 (ko) * 2017-04-11 2022-01-04 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치
KR102565904B1 (ko) * 2018-07-17 2023-08-11 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템
KR102090874B1 (ko) * 2018-09-12 2020-03-18 도실리콘 씨오., 엘티디. 고전압 트랜지스터의 수를 저감하는 낸드 플래시 메모리 장치
KR102535827B1 (ko) * 2019-04-04 2023-05-23 삼성전자주식회사 내부 전압을 안정화시키기 위한 메모리 장치 및 그것의 내부 전압 안정화 방법
KR102693239B1 (ko) 2019-06-07 2024-08-09 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 장치 및 그 동작 방법
KR102916533B1 (ko) * 2020-02-12 2026-01-22 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 메모리 장치
KR102778862B1 (ko) * 2020-08-12 2025-03-12 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 장치 및 그 동작 방법
US12112056B2 (en) * 2022-06-30 2024-10-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Non-volatile memory device and a method for operating the same
KR102920566B1 (ko) * 2022-07-19 2026-01-29 삼성전자주식회사 전압 레귤레이터를 이용하여 트립 전압을 조절하는 플래시 메모리 장치 및 그것의 센싱 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6717857B2 (en) * 2001-10-24 2004-04-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Non-volatile semiconductor memory device with cache function and program, read, and page copy-back operations thereof

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5544101A (en) * 1994-03-28 1996-08-06 Texas Instruments Inc. Memory device having a latching multiplexer and a multiplexer block therefor
DE4424883A1 (de) * 1994-07-14 1996-01-18 Merck Patent Gmbh Femurprothese
KR0140179B1 (ko) * 1994-12-19 1998-07-15 김광호 불휘발성 반도체 메모리
KR0142367B1 (ko) * 1995-02-04 1998-07-15 김광호 열 리던던씨를 가지는 불휘발성 반도체 메모리의 소거 검증회로
KR0145224B1 (ko) * 1995-05-27 1998-08-17 김광호 불휘발성 반도체 메모리의 분리된 기입 및 독출 경로를 가지는 워드라인 구동회로
US5663908A (en) 1995-07-06 1997-09-02 Micron Quantum Devices, Inc. Data input/output circuit for performing high speed memory data read operation
KR0164803B1 (ko) * 1995-07-15 1999-02-01 김광호 불휘발성 반도체메모리의 센스앰프
KR0172366B1 (ko) * 1995-11-10 1999-03-30 김광호 불휘발성 반도체 메모리 장치의 독출 및 프로그램 방법과 그 회로
KR0172403B1 (ko) * 1995-11-15 1999-03-30 김광호 불휘발성 반도체 메모리의 데이타 리드회로
JPH09231770A (ja) * 1996-01-19 1997-09-05 Sgs Thomson Microelectron Inc メモリセルへの書込を終了させる回路及び方法
KR100187196B1 (ko) * 1996-11-05 1999-03-20 김광호 불휘발성 반도체 메모리 장치
KR100255957B1 (ko) * 1997-07-29 2000-05-01 윤종용 전기적으로 소거 및 프로그램 가능한 메모리 셀들을 구비한반도체 메모리 장치
JP3940218B2 (ja) * 1997-09-08 2007-07-04 株式会社ルネサステクノロジ 不揮発性半導体記憶装置
JPH11330426A (ja) * 1998-05-12 1999-11-30 Mitsubishi Electric Corp 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
KR100347866B1 (ko) 1999-03-08 2002-08-09 삼성전자 주식회사 낸드 플래시 메모리 장치
KR100343285B1 (ko) * 2000-02-11 2002-07-15 윤종용 프로그램 시간을 단축시킬 수 있는 플래시 메모리 장치의프로그램 방법
DE60032644T2 (de) 2000-06-29 2007-10-04 Fujitsu Ltd., Kawasaki Halbleiter-speicherbaustein
JP4044755B2 (ja) 2000-12-12 2008-02-06 三星電子株式会社 不揮発性半導体メモリ装置及びそれのプログラム方法
US6480419B2 (en) 2001-02-22 2002-11-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Bit line setup and discharge circuit for programming non-volatile memory
KR100415192B1 (ko) * 2001-04-18 2004-01-16 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치에서 읽기와 쓰기 방법 및 장치
US6671204B2 (en) 2001-07-23 2003-12-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device with page buffer having dual registers and methods of using the same
US7042770B2 (en) * 2001-07-23 2006-05-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory devices with page buffer having dual registers and method of using the same
JP3987715B2 (ja) * 2001-12-06 2007-10-10 富士通株式会社 不揮発性半導体メモリおよび不揮発性半導体メモリのプログラム電圧制御方法
US6614691B2 (en) 2001-12-12 2003-09-02 Micron Technology, Inc. Flash memory having separate read and write paths
KR100471167B1 (ko) * 2002-05-13 2005-03-08 삼성전자주식회사 프로그램된 메모리 셀들을 검증하기 위한 페이지 버퍼를구비한 반도체 메모리 장치
KR20040004976A (ko) * 2002-07-08 2004-01-16 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치용 입력 버퍼
JP2004186501A (ja) * 2002-12-04 2004-07-02 Renesas Technology Corp 半導体装置
KR100543474B1 (ko) * 2004-03-25 2006-01-20 삼성전자주식회사 감지 라인들 사이의 커플링 노이즈로 인한 읽기 에러를방지할 수 있는 플래시 메모리 장치
KR100597788B1 (ko) * 2004-12-17 2006-07-06 삼성전자주식회사 프로그램 동작 속도를 개선하는 불휘발성 반도체 메모리장치의 페이지 버퍼와 이에 대한 구동방법
KR100666171B1 (ko) * 2005-01-10 2007-01-09 삼성전자주식회사 로드 프리 타입의 와이어드 오어 구조를 가지는 불휘발성반도체 메모리 장치와, 이에 대한 구동방법
KR100567158B1 (ko) * 2005-01-10 2006-04-03 삼성전자주식회사 캐쉬기능을 가지는 와이어드 오어 타입의 페이지 버퍼 및이를 포함하는 불휘발성 반도체 메모리 장치, 그리고,이를 이용한 프로그램 방법
KR100634457B1 (ko) * 2005-07-04 2006-10-16 삼성전자주식회사 단일의 페이지 버퍼 구조로 멀티-비트 및 단일-비트프로그램 동작을 수행하는 플래시 메모리 장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6717857B2 (en) * 2001-10-24 2004-04-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Non-volatile semiconductor memory device with cache function and program, read, and page copy-back operations thereof

Also Published As

Publication number Publication date
JP5103660B2 (ja) 2012-12-19
US20120307560A1 (en) 2012-12-06
DE102005052696A1 (de) 2006-05-04
KR20060052142A (ko) 2006-05-19
TWI275103B (en) 2007-03-01
US20090296494A1 (en) 2009-12-03
US7379333B2 (en) 2008-05-27
US8493785B2 (en) 2013-07-23
US8174888B2 (en) 2012-05-08
KR100704028B1 (ko) 2007-04-04
US20060120172A1 (en) 2006-06-08
JP2006127749A (ja) 2006-05-18
US20100202204A1 (en) 2010-08-12
US7724575B2 (en) 2010-05-25
TW200627476A (en) 2006-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102005052696B4 (de) Nichtflüchtiges Speicherbauelement
DE102005056493B4 (de) Mehrbit nichtflüchtige Halbleiterspeicherbauelemente und Betriebsverfahren
DE69222589T2 (de) Nichtlöschbarer Halbleiterspeicher mit Reihendecoder
DE69936028T2 (de) Nichtflüchtiger Halbleiterspeicher
DE102004033443B4 (de) Flashspeicherbauelement mit Mehrpegelzelle
DE102007006279B4 (de) Nichtflüchtiges Halbleiterspeicherelement und Verfahren zum Betreiben eines nichtflüchtigen Halbleiterspeicherelements
DE69232807T2 (de) Flash-Speicher mit besserer Löschbarkeit und dessen Schaltung
DE60214023T2 (de) Selektiver betrieb eines nichtflüchtigen mehrzustandsspeichersystems in einem binärmodus
DE102007002248B4 (de) Nichtflüchtiges Halbleiter-Speicherbauelement und Verfahren zum Löschen eines Flash-Speicherbauelements
DE10138952B4 (de) Halbleiterspeicherbauelement und Wortleitungsauswahlschaltung hierfür
DE19612666C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Programmierung eines nichtflüchtigen Halbleiterspeichers mit Zellen in NAND-Struktur
DE3929816C2 (de) Elektrisch löschbare und programmierbare Halbleiterspeichereinrichtung und Verfahren zum Löschen und Programmieren dieser Halbleiterspeichereinrichtung
DE10162860B4 (de) Nichtflüchtiger Halbleiterspeicher sowie zugehöriges Programmierverfahren
DE4433098C2 (de) Halbleiter-Permanentspeichervorrichtung
DE102006034265B4 (de) Verfahren zum Programmieren eines Flash-Speicherelements und Flash-Speicherelement
DE69614787T2 (de) Speichermatrix mit mehrzustandsspeicherzellen
DE3740361C2 (https=)
DE69434550T2 (de) Nichtflüchtiges Halbleiterspeicherbauelement, welches die Anforderungen an dessen Spannungsfestigkeit verringert
DE4232025A1 (de) Elektrisch loeschbarer und programmierbarer nichtfluechtiger halbleiterspeicher mit automatischem schreibpruefungs-controller
DE4014117A1 (de) Elektrisch loeschbarer programmierbarer festwertspeicher mit nand-zellenbloecken
DE10329627B4 (de) Flash-Speicherbaustein
DE102007006292A1 (de) Halbleiterspeicherbauelement mit Programmierspannungsgenerator und Verfahren zum Programmieren desselben
DE10026993A1 (de) Flash-Speicherbauelement mit einer neuen Redundanzansteuerschaltung
DE102004059350B4 (de) Nichtflüchtiges Halbleiterspeicherbauelement
DE102022101341A1 (de) Spitzen- und durchschnitts-icc-reduzierung durch stufenbasierte abtastung während der programmverifizierungsvergänge von nichtflüchtigen speicherstrukturen

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8125 Change of the main classification

Ipc: H02G 7/05 AFI20060224BHDE

R079 Amendment of ipc main class

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H02G0007050000

Ipc: G11C0016060000

R079 Amendment of ipc main class

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H02G0007050000

Ipc: G11C0016060000

Effective date: 20111111

R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final

Effective date: 20130522

R071 Expiry of right