DE102005008512A1 - Elektrisches Modul mit einem MEMS-Mikrofon - Google Patents

Elektrisches Modul mit einem MEMS-Mikrofon Download PDF

Info

Publication number
DE102005008512A1
DE102005008512A1 DE102005008512A DE102005008512A DE102005008512A1 DE 102005008512 A1 DE102005008512 A1 DE 102005008512A1 DE 102005008512 A DE102005008512 A DE 102005008512A DE 102005008512 A DE102005008512 A DE 102005008512A DE 102005008512 A1 DE102005008512 A1 DE 102005008512A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
base plate
cavity
module according
mch
microphone chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE102005008512A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102005008512B4 (de
Inventor
Ulrich Dr. Wolff
Wolfgang Pahl
Anton Dr. Leidl
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
Epcos AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Epcos AG filed Critical Epcos AG
Priority to DE102005008512.1A priority Critical patent/DE102005008512B4/de
Priority to US11/816,964 priority patent/US8184845B2/en
Priority to PCT/EP2006/001116 priority patent/WO2006089638A1/de
Priority to JP2007556514A priority patent/JP5130054B2/ja
Publication of DE102005008512A1 publication Critical patent/DE102005008512A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102005008512B4 publication Critical patent/DE102005008512B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R17/00—Piezoelectric transducers; Electrostrictive transducers
    • H04R17/02—Microphones
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/0032—Packages or encapsulation
    • B81B7/0061—Packages or encapsulation suitable for fluid transfer from the MEMS out of the package or vice versa, e.g. transfer of liquid, gas, sound
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0257—Microphones or microspeakers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/01—Suspended structures, i.e. structures allowing a movement
    • B81B2203/0127—Diaphragms, i.e. structures separating two media that can control the passage from one medium to another; Membranes, i.e. diaphragms with filtering function
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2207/00—Microstructural systems or auxiliary parts thereof
    • B81B2207/01—Microstructural systems or auxiliary parts thereof comprising a micromechanical device connected to control or processing electronics, i.e. Smart-MEMS
    • B81B2207/012—Microstructural systems or auxiliary parts thereof comprising a micromechanical device connected to control or processing electronics, i.e. Smart-MEMS the micromechanical device and the control or processing electronics being separate parts in the same package
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/146—Mixed devices
    • H01L2924/1461—MEMS
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
  • Piezo-Electric Transducers For Audible Bands (AREA)
  • Details Of Audible-Bandwidth Transducers (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft ein elektrisches Modul, umfassend eine Basisplatte (BP) mit einem darin ausgebildeten akustischen Kanal (AK), einen ersten Hohlraum (HR1) mit einem darin angeordneten Mikrofonchip (MCH) und einen zweiten Hohlraum (HR2). Die Membran des Mikrofonchips (MCH) trennt den ersten Hohlraum (HR1) vom akustischen Kanal (AK), wobei der akustische Kanal (AK) in den zweiten Hohlraum (HR2) mündet.

Description

  • Beschrieben wird ein elektrisches Modul mit einem darin integrierten Mikrofon.
  • Aus der Druckschrift J. J. Neumann, Jr., and K. J. Gabriel, „A fully-integrated CMOS-MEMS audio microphone", the 12th International Conference on Solid State Sensors, Actuators and Microsystems, 2003 IEEE, Seiten 230 bis 233 ist ein Mikrofonmodul mit einem gehäusten MEMS-Mikrofon (MEMS = Micro Electromechanical System) bekannt, wobei im Gehäuse ein Volumen zum Druckausgleich (back volume) vorgesehen ist.
  • Aus der Druckschrift D. P. Arnold et al. „A directional acoustic array using silicon micromachined piezoresisitive microphones", J. Acoust. Soc. Am., Band 113 (1), 2003, Seiten 289 bis 298 ist ein elektrisches Modul mit einem eingebauten MEMS piezoresistiven Mikrofon bekannt.
  • In der Druckschrift Mang-Nian Niu and Eun Sok Kim „Piezoelectric Bimorph Microphone Built on Micromachined Parylene Diaphragm", Journal of Microelectromechanical Systems, Band 12, 2003 IEEE, Seiten 892 bis 898, ist ein piezoelektrisches Mikrofon beschrieben, das zwei piezoelektrische Schichten aus ZnO und eine dazwischen angeordnete floatende Elektrode aufweist.
  • Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein elektrisches Modul mit einem eingebauten MEMS-Mikrofon anzugeben, das ein hohes Signal-Rausch-Verhältnis aufweist.
  • Es wird ein elektrisches Modul mit einem eingebauten Mikrofon angegeben. Das Modul weist eine Basisplatte mit einem darin ausgebildeten akustischen Kanal auf. Es sind ein in einer Variante über eine Schalleintrittsöffnung mit Außenraum verbundener erster Hohlraum mit einem darin angeordneten MEMS-Mikrofonchip und ein als akustisches Rückvolumen geeigneter, mit dem akustischen Kanal verbundener zweiter Hohlraum vorgesehen. Der Mikrofonchip ist vorzugsweise mit der Basisplatte fest verbunden, über einer in der Basisplatte ausgebildeten Öffnung angeordnet und über diese Öffnung mit dem in der Basisplatte verborgenen akustischen Kanal verbunden.
  • Der erste Hohlraum kann mit dem Außenraum übereinstimmen. Die Membran des Mikrofonchips trennt den ersten Hohlraum vom akustischen Kanal, der in den zweiten Hohlraum mündet. Der zweite Hohlraum ist vorzugsweise neben dem ersten Hohlraum angeordnet. Der akustische Kanal verläuft vorzugsweise zumindest teilweise unterhalb der beiden Hohlräume.
  • Zwischen dem zweiten Hohlraum und dem akustischen Kanal ist ein Druckausgleich durch Luftaustausch möglich. Durch die Membran des Mikrofonchips ist vorzugsweise ein schneller Luftaustausch – d. h. Luftaustausch im Zeitraum, der in der Größenordnung der Schwingperiode der Mikrofonmembran im Arbeitsfrequenzbereich liegt – zwischen dem ersten und dem zweiten Hohlraum unterbunden. Ein langsamer Luftaustausch (im Zeitraum, der größer als die größte Schwingperiode der Mikrofonmembran im Arbeitsfrequenzbereich ist) zwischen den beiden Hohlräumen ist dennoch durch eine Ventilationsöffnung möglich, deren Querschnittsgröße deutlich kleiner als die Querschnittsgröße der Membran ist.
  • Der akustische Kanal ist im Querschnitt vorzugsweise mindestens so groß, dass die Druckänderung in der Nähe der Membran des Mikrofonchips schnell ausgeglichen werden kann. Die Querschnittsgröße des akustischen Kanals bzw. der Kanalöffnungen betragen daher vorzugsweise mindestens 5% der Membranfläche.
  • Mikrofone, die Schalldruck mittels Membranen detektieren, sind auf einen großen Membranhub als Reaktion auf die Schallintensität angewiesen, um die gewünschten Eigenschaften hinsichtlich Empfindlichkeit und Rauschverhalten zu erhalten. Bei kleinen Bauteilen mit eingebauten Mikrofonen ist der erzielbare Hub durch die kleine Membranfläche eingeschränkt. Aus diesem Grund können bei Wandlung des Membranhubs in eine elektrische Größe nur schwache elektrische Signale gewonnen werden. Die Nachgiebigkeit einer in einem Abscheideverfahren hergestellten Membran kann durch einen hohen inneren mechanischen Stress, der durch eine Vorspannung der Membran verursacht ist, verschlechtert werden.
  • Hier beschriebene MEMS-Mikrofone weisen eine mit einer Schalleintrittsöffnung verbundene Luftkammer (erster Hohlraum) sowie ein durch den akustischen Kanal und den zweiten Raum gebildetes Rückvolumen auf. Als Rückvolumen (back volume) wird ein eingeschlossener Luftvolumen bezeichnet, mit dem ein akustischer Kurzschluss – ein ungewollter Druckausgleich zwischen Vorderseite und Rückseite der schwingenden Membran – verhindert wird. Dieses Luftvolumen bewirkt bei jeder Membranauslenkung eine Rückstellkraft zusätzlich zu der durch die elastischen Membraneigenschaften verursachten Rückstellkraft.
  • Bei dem hier angegebenen Mikrofon ist das Rückvolumen durch den im Trägersubstrat ausgebildeten, unterhalb der beiden nebeneinander angeordneten Hohlräume vorzugsweise waagrecht verlaufenden akustischen Kanal und das Volumen des anderen Hohlraums gebildet. Mit diesem besonders groß gestalteten Rückvolumen gelingt es, die durch die Membranschwingungen hervorgerufenen relativen Druckänderungen im Rückvolumen und die damit verbundene, auf die Membran wirkende Rückstellkraft gering zu halten.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform umfasst das Modul einen Deckel, der einen – zwei gegenüberliegende Seitenflächen des Deckels verbindenden – Trennsteg aufweist und mit der Basisplatte abschließt. Zwischen der Basisplatte und dem Deckel ist der z. B. über eine Schalleintrittsöffnung mit Außenraum verbundene erste Hohlraum und der von diesem durch den Trennsteg des Deckels isolierte zweite Hohlraum gebildet. Die Schalleintrittsöffnung ist vorzugsweise im Deckel angeordnet.
  • Der akustische Kanal und der zweite Hohlraum bilden zusammen ein Rückvolumen. Vorteil dieser Ausführung liegt darin, dass das Rückvolumen teilweise in der Basisplatte und teilweise darüber angeordnet ist. Dadurch gelingt es, einen großen Anteil des Modulvolumens als akustisches Rückvolumen zu nutzen.
  • Ein Mikrofonchip umfasst ein Trägersubstrat mit einer darin über einer Ausnehmung bzw. Öffnung eingespannten schwingfähigen Membran, die vorzugsweise eine piezoelektrische Schicht sowie mit dieser in Verbindung stehende Metallschichten bzw. Elektrodenstrukturen aufweist.
  • Zwischen dem Deckel und der Platte ist vorzugsweise ein haftvermittelndes und/oder abdichtendes Mittel angeordnet, z. B. eine Klebeschicht oder eine Schicht aus Epoxydharz.
  • Der Mikrofonchip ist über einer in der Basisplatte vorgesehenen, in den akustischen Kanal und den ersten Hohlraum mündenden ersten Öffnung angeordnet. Die Basisplatte weist eine zweite Öffnung auf, durch die der akustische Kanal mit dem zweiten Hohlraum verbunden ist. Die Querschnittsgröße der ersten Öffnung entspricht vorzugsweise etwa der Querschnittsgröße der Membran des Mikrofonchips. Die Querschnittsgröße der zweiten Öffnung ist vorzugsweise so gewählt, dass ein schneller Luftaustausch zwischen dem akustischen Kanal und dem zweiten Hohlraum möglich ist.
  • Mit dem Mikrofon gelingt es, die auf die Membran wirkende Rückstellkraft zu reduzieren und den Membranhub zu erhöhen.
  • In einer bevorzugten Variante weist die Basisplatte eine erste Schicht mit einer darin ausgebildeten Vertiefung, die dem akustischen Kanal zugeordnet ist, und eine über der ersten Schicht angeordnete zweite Schicht auf, welche die Vertiefung zur Bildung eines akustischen Kanals teilweise – bis auf die o. g. Öffnungen – abdeckt. Der Trennsteg des Deckels schließt vorzugsweise mit der zweiten Schicht ab.
  • Die erste Schicht der Basisplatte kann z. B. ein ggf. glasfaserverstärktes organisches Laminat sein oder Keramik enthalten. Die erste Schicht der Basisplatte kann mehrere übereinander angeordnete, gleichartige oder unterschiedliche dielektrische Teilschichten aufweisen, zwischen denen strukturierte Metalllagen angeordnet sind. Die Teilschichten können aus einem glasfaserverstärkten organischen Laminat oder Keramik sein. Die zweite Schicht der Basisplatte ist bei einer aus Keramik gebildeten ersten Schicht vorzugsweise aus einem anderen Material, z. B. wie eine Lötstoppmaske (in einer Va riante aus Acrylat oder Epoxydharz) ausgebildet.
  • Der zweite Hohlraum kann mindestens ein Chipelement aufnehmen, z. B. einen Widerstand, eine Kapazität, eine Induktivität, ein Filter, ein Impedanzwandler und einen Verstärker. Das Chipelement ist vorzugsweise zur Oberflächenmontage geeignet.
  • Der Mikrofonchip kann auch in einer Flip-Chip-Bauweise montierbar und mittels Bumps mit auf der Oberseite der Basisplatte angeordneten elektrischen Kontakten elektrisch verbunden sein. In einer weiteren Variante kann der Mikrofonchip mittels Bonddrähten mit auf der Oberseite der Basisplatte angeordneten elektrischen Kontakten elektrisch verbunden sein. Die durch einander zugewandte Montageflächen von Chip und Basisplatte gebildete Schnittstellen sind vorzugsweise z. B. durch Klebung, Underfiller oder Lötung abgedichtet. Zwischen Chip und Basisplatte ist vorzugsweise ein Lotrahmen oder ein Rahmen aus einem Vergussmaterial angeordnet. Im Falle eines Lotrahmens ist es zweckmäßig, auf der Oberseite der Basisplatte und der Unterseite des Mikrofonchips eine lötfähige Metallisierung auszubilden, deren Umriss der Form des Rahmens in der lateralen Ebene entspricht.
  • Der Deckel umfasst in einer Variante eine Kappe aus Kunststoff oder Keramik, die mit einer leitfähigen Schicht beschichtet ist. Der Deckel kann auch aus Metall geformt sein.
  • Bei einem großen akustischen Druck kann es zu solchen Schwingungsamplituden der Membran kommen, dass dies zu einer Nichtlinearität bei elektroakustischer Wandlung der Membranschwingung in ein elektrisches Signal und folglich zu einer Signalverzerrung führen kann. Dieses Problem ist in einer Variante behoben, in der an eine Membran eine Kompensationsschaltung mit einer negativen Rückkopplung angeschlossen ist, wobei die durch die Kompensationsschaltung hervorgerufene Auslenkung der Membran der durch den akustischen Druck verursachten Auslenkung der Membran entgegenwirkt und vorzugsweise diese weitgehend kompensiert, so dass die Membran mit einer verringerten Amplitude schwingt oder gar nicht schwingt. Die durch die Kompensationsschaltung erzeugte elektrische Größe, z. B. Spannung ist proportional zu dem zu detektierenden akustischen Druck bzw. Signal. Als Kompensationsschaltung kommen beliebige für eine negative Rückkopplung geeignete elektrische Schaltungen in Frage.
  • Gemäß einer weiteren Ausführung des Mikrofons ist die Membran auf dem Trägersubstrat nur einseitig eingespannt, wobei ihr dem eingespannten Ende gegenüberliegendes Ende beim Anlegen eines akustischen Signals über einer im Trägersubstrat ausgebildeten Öffnung frei schwingen kann. Eine zweiseitige Ein spannung ist auch möglich, wobei nur zwei gegenüberliegende Membranenden über dem Trägersubstrat angeordnet sind. Vorzugsweise ist über der Öffnung im Trägersubstrat ein mit dem Trägersubstrat allseitig abschließender, schwingfähiger Membranträger, z. B. eine elastische Folie aufgespannt. Die Membran ist auf dem Membranträger angeordnet.
  • Als piezoelektrische Schicht sind in allen Ausführungen die folgenden Materialien besonders gut geeignet: ZnO, Bleizirkonattitanat (PZT), Aluminiumnitrid.
  • Es wird vorgeschlagen, eine Membran mit mindestens einer piezoelektrischen Schicht bezüglich ihrer Schichtabfolge und Schichtdicke weitgehend symmetrisch zu gestalten. Dabei kompensieren sich auch bei erheblichen Temperatursprüngen insbe sondere Biegemomente, die aufgrund unterschiedlicher Ausdehnungskoeffizienten aufeinander folgender Schichten entstehen. Damit können Verwölbungen der Membran in einem breiten Temperaturbereich vermieden werden. Diese Maßnahme ist insbesondere bei einem bimorphen Membranaufbau einsetzbar.
    •
  • Im folgenden wird ein Mikrofon anhand von Ausführungsbeispielen und der dazugehörigen Figuren näher erläutert. Die Figuren zeigen anhand schematischer und nicht maßstabsgetreuer Darstellungen verschiedene Ausführungsbeispiele des Mikrofons. Gleiche oder gleich wirkende Teile sind mit gleichen Bezugszeichen bezeichnet. Es zeigen schematisch
  • 1 ein beispielhaftes elektrisches Modul mit einem eingebauten Mikrofon;
  • 2A im Querschnitt ein elektrisches Modul mit einem Mikrofonchip, einem akustischen Kanal und zwei Hohlräumen;
  • 2B die Ansicht des Moduls gemäß 2A von oben;
  • 3A, 3B ein weiteres elektrisches Modul
  • 4 ein Mikrofon mit einer Membran, die eine piezoelektrische Schicht umfasst;
  • 5 ein Mikrofon mit einer Membran, die eine bimorphe Struktur aufweist.
  • In 1, 2A, 2B, 3A, 3B ist jeweils ein elektrisches Modul mit einem eingebauten Mikrofonchip MCH gezeigt. Der Mikrofonchip kann beispielsweise gemäß einer der in 4 und 5 vorgestellten Ausführungen ausgebildet sein.
  • Der Mikrofonchip MCH ist auf einer Basisplatte BP über einer darin ausgebildeten Öffnung – Schallöffnung IN in 1 bzw. Öffnung W1 in 2A – angeordnet. Der Mikrofonchip MCH schließt vorzugsweise allseitig dicht mit der Oberseite der Basisplatte BP ab, auf der ein Deckel CAP angeordnet ist.
  • Zwischen dem Mikrofonchip MCH, der Oberseite der Basisplatte und dem Deckel CAP ist ein geschlossener Hohlraum ausgebildet, der als akustischer Rückvolumen benutzt wird. In diesem Hohlraum ist außerdem ein elektrisch mit dem Mikrofonchip MCH verbundenes Chipbauelement BE1 angeordnet. Weitere Chipbauelemente BE2 sind auf der Basisplatte BP außerhalb des geschlossenen Hohlraums angeordnet. Die elektrischen Verbindungen zwischen den genannten Modulkomponenten sind teilweise in der vielschichtigen Basisplatte BP vergraben.
  • In 2A, 2B ist eine weitere Variante eines elektrischen Moduls gezeigt, bei dem die Schalleintrittsöffnung IN im Deckel CAP ausgebildet ist. 2A zeigt das elektrische Modul in einem schematischen Querschnitt und 2B eine schematische Ansicht dieses Moduls von oben durch seinen Deckel hindurch.
  • Die Basisplatte BP weist eine untere Schicht S2 und eine darauf angeordnete obere Schicht S1 auf. In der Schicht S2 ist ein akustischer Kanal AK in Form eines Sackloches bzw. eines sich in eine Längsrichtung erstreckenden Grabens ausgebildet. Die Schicht S1 deckt dieses Sackloch – bis auf eine erste Öffnung W1 und eine zweite Öffnung W2 – von oben vorzugsweise komplett ab. Die Schicht S1 kann z. B. als eine Lötstoppmaske ausgebildet sein.
  • Auf der Schicht S1 ist ein Deckel CAP angeordnet, der einen Trennsteg TS aufweist, welcher zwei einander gegenüber liegende Seitenflächen des Deckels miteinander verbindet. Der Deckel CAP schließt vorzugsweise allseitig dicht mit der Oberseite der Basisplatte BP bzw. deren oberen Schicht S1 ab. Dazwischen kann zur Haftvermittlung bzw. Abdichtung eine Klebeschicht KS angeordnet sein.
  • Über der ersten Öffnung W1 der Schicht S1 ist ein Mikrofonchip MCH angeordnet, der allseitig dicht mit der Schicht S1 abschließt. Zwischen dem Mikrofonchip MCH und der Schicht S1 ist ein Dichtungsrahmen KS1 angeordnet. Der Dichtungsrahmen KS1 kann in einer Variante aus einer Vergussmasse gebildet sein. In einer weiteren Variante kann der Dichtungsrahmen KS1 als Lotrahmen ausgebildet sein.
  • Durch den Trennsteg TS des Deckels werden zwischen der Schicht S1 und dem Deckel CAP zwei Hohlräume HR1, HR2 geschaffen, die über den akustischen Kanal AK miteinander verbunden und durch den im ersten Hohlraum HR1 angeordneten Mikrofonchip MCH voneinander isoliert sind. Der erste Hohlraum HR1 ist über die Schalleintrittsöffnung IN mit dem Außenraum verbunden.
  • Im zweiten Hohlraum HR2 sind Chipbauelemente BE1, BE2 angeordnet, die über auf der Basisplatte angeordnete Kontakte K1 bis K3 miteinander und mit dem Mikrofonchip MCH elektrisch verbunden sind.
  • Auf der Oberseite des Mikrofonchips MCH ist eine Anschlussfläche AF angeordnet, die z. B. an die erste Elektrode des Mikrofons angeschlossen und über einen Bonddraht mit einem auf der Schicht S1 angeordneten elektrischen Kontakt K1 elek trisch verbunden ist. Der in 2B gezeigte Kontakt K2 ist vorzugsweise mit der zweiten Elektrode des Mikrofons elektrisch verbunden.
  • Der akustische Rückvolumen ist durch ein im akustischen Kanal AK und dem zweiten Hohlraum HR2 eingeschlossenes Luftvolumen gebildet. Wesentlich ist dabei, dass der akustische Kanal AK den entfernten Hohlraum HR2 mit der Rückseite des Mikrofonchips MCH verbindet und so ein erweitertes Rückvolumen bereitgestellt wird.
  • In 3A und 3B ist ein weiteres elektrisches Modul mit einem eingebauten MEMS-Mikrofon im Querschnitt bzw. in Draufsicht durch den Deckel CAP hindurch vorgestellt. Die Schicht S1 überdeckt hier nur einen Teil der in der Schicht S2 zur Bildung des akustischen Kanals AK vorgesehenen Vertiefung. In der Schicht S1 ist die Öffnung W1 vorgesehen, die in den akustischen Kanal AK mündet und die durch die Unterseite des Mikrofonchips MCH und einen Dichtungsrahmen KS1 vom ersten Hohlraum HR1 isoliert ist.
  • Die den akustischen Kanal AK mit dem zweiten Hohlraum HR2 verbindende Öffnung W2 ist dadurch gebildet, dass ein Teil der Schicht S2 im Bereich der darin ausgebildeten Vertiefung nicht durch die Schicht S1 abgedeckt ist.
  • Die Schicht S1 ist in einer vorteilhaften Variante komplett durch den Deckel CAP überdeckt, wobei der Trennsteg TS auf dieser Schicht aufliegt und mittels der Klebeschicht KS fest mit dieser verbunden ist. Die Höhe des Trennstegs TS ist in diesem Beispiel kleiner als die Höhe der Außenwände des Deckels.
  • Der Mikrofonchip MCH ist mit der Schicht S1 mittels einer rahmenförmig ausgebildeten und im Randbereich des Mikrofonchips MCH angeordneten Klebeschicht KS1 (oder Lötschicht) fest verbunden. Dadurch ist die Öffnung W1 des akustischen Kanals vom ersten Hohlraum HR1 isoliert. Die Schicht KS1 dient zur Abdichtung der Schnittstelle zwischen dem Mikrofonchip MCH und der Schicht S1.
  • In 4 ist ein beispielhafter MEMS-Mikrofonchip mit einem piezoelektrischen Mikrofon gezeigt. Der Mikrofonchip umfasst ein Trägersubstrat SU, in dem eine Öffnung ausgebildet ist, über der eine auf einem schwingfähigen Träger TD aufgebrachte Membran M1 angeordnet ist. Die Membran weist eine zwischen zwei Metallschichten ML1, ML2 angeordnete piezoelektrische Schicht PS1 auf. Auf der Oberseite des Trägersubstrats SU sind Anschlussflächen AF angeordnet, die mit in den Metallschichten ML1 und/oder ML2 ausgebildeten Elektroden elektrisch verbunden sind.
  • 5 zeigt in einem schematischen Querschnitt einen Mikrofonchip mit einem Trägersubstrat SU und einer darauf aufgespannten Membran M1 mit einer bimorphen Struktur. Die Membran M1 weist eine erste piezoelektrische Schicht PS1, die zwischen einer äußeren Metallschicht ML3 und einer mittleren Metallschicht ML2 angeordnet ist, sowie eine zweite piezoelektrische Schicht PS2, die zwischen einer äußeren Metallschicht ML1 und einer mittleren Metallschicht ML2 angeordnet ist. Die piezoelektrischen Achsen in den beiden Schichten PS1, PS2 können gleichsinnig oder gegensinnig gerichtet sein.
  • Ein bimorpher Membranaufbau hat den Vorteil gegenüber einer Membran mit nur einer piezoelektrischen Schicht, da es insbesondere gelingt, bei der gleichen Membrankrümmung ein doppelt so großes elektrisches Signal zu gewinnen, da sich Piezopotentiale der beiden piezoelektrischen Schichten aufsummieren.
  • Die Schichtdicken der die Membran M1 bildenden Schichten sind bezogen auf die Metalllage ML2 vorzugsweise symmetrisch ausgewählt. Dabei weisen die piezoelektrischen Schichten die gleiche Dicke und die gleichsinnige Orientierung deren piezoelektrischen Achsen auf. Die beiden äußeren Metalllagen ML1, ML3 sind vorzugsweise gleich dick ausgebildet.
  • Auf der Oberseite des Trägersubstrats SU sind elektrische Kontakte AE1, AE2 angeordnet, die einerseits über elektrische Zuleitungen mit in den Metallschichten ML1 und/oder ML2 ausgebildeten Elektroden und andererseits über Durchkontaktierungen DK mit auf der Unterseite des Trägersubstrats SU angeordneten Anschlussflächen AF elektrisch verbunden sind.
  • In einer Variante kann eine das eingeschlossene Luftvolumen (Rückvolumen des Mikrofons) und den Außenraum verbindende, gegenüber der Querschnittsgröße der Membran kleine Ventilationsöffnung vorgesehen sein, die zu einem langsamen Druckausgleich z. B. im Bereich von ≥ 100 ms dient. Der Druckausgleich erfolgt langsam gegenüber der Periodendauer eines akustischen Signals mit der größten Wellenlänge im Arbeitsbereich des Mikrofons. Diese Öffnung kann in der Membran oder in einer Wand des Behälters angeordnet sein, der das akustische Rückvolumen einschließt.
  • Das Modul ist nicht auf die Anzahl oder die spezielle Form der in Figuren dargestellten Elemente, Mikrofone bzw. Mikrofonchips oder auf den akustischen Hörbereich von 20 Hz bis 20 kHz beschränkt. Auch weitere piezoelektrische akustische Sensoren, z. B. mit Ultraschall arbeitende Abstandssensoren, kommen in Betracht. Ein Mikrofonchip kann in beliebigen Signalverarbeitungsmodulen eingesetzt werden. Verschiedene Varianten können miteinander kombiniert werden.
  • Es ist möglich, das Trägersubstrat als Vielschichtaufbau mit darin integrierten strukturierten Leiterbahnen auszubilden, welche z. B. elektrische Zuleitungen, Induktivitäten, Kapazitäten und Widerstände realisieren.
    • AE1, AE2
    Außenkontakte
    AF
    Anschlussfläche
    AK
    akustischer Kanal
    BD
    Bonddraht
    BE1,
    BE2 Bauelemente
    BP
    Basisplatte
    CAP
    Deckel
    DK
    Durchkontaktierung
    HR1
    erster Hohlraum
    HR2
    zweiter Hohlraum
    IN
    Schalleintrittsöffnung
    K1 bis K3
    elektrischer Kontakt
    KS
    Klebeschicht
    MCH
    Mikrofonchip
    ML1, ML2, ML3
    Metallschichten
    PS1, PS2
    piezoelektrische Schicht
    TD
    Träger der Membran
    TS
    Trennsteg
    S1, S2
    erste und zweite Schicht der Basisplatte BP
    SU
    Substrat
    W1, W2
    erste und zweite Öffnung

Claims (18)

  1. Elektrisches Modul, umfassend eine Basisplatte (BP) mit einem darin ausgebildeten akustischen Kanal (AK), der an seinem ersten Ende in einen Hohlraum (HR2) mündet und an seinem zweiten Ende durch einen Mikrofonchip (MCH) abgeschlossen ist.
  2. Modul nach Anspruch 1, mit einem weiteren Hohlraum (HR1), der mit Außenraum verbunden ist und in dem der MEMS-Mikrofonchip (MCH) angeordnet ist, wobei der weitere Hohlraum (HR1) vom akustischen Kanal (AK) durch den Mikrofonchip (MCH) getrennt ist.
  3. Modul nach Anspruch 1, ferner umfassend einen Deckel (CAP), der mit der Basisplatte (BP) abschließt, wobei der Hohlraum (HR2) zwischen der Basisplatte (BP) und dem Deckel (CAP) gebildet ist.
  4. Modul nach Anspruch 2, ferner umfassend einen Deckel (CAP), der mit der Basisplatte (BP) abschließt, wobei die beiden Hohlräume (HR1, HR2) zwischen der Basisplatte (BP) und dem Deckel (CAP) gebildet sind.
  5. Modul nach Anspruch 4, wobei der Deckel einen Trennsteg (TS) aufweist, der die beiden Hohlräume (HR1, HR2) voneinander trennt.
  6. Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei der akustische Kanal als ein sich in einer Längs richtung erstreckender Tunnel ausgebildet ist.
  7. Modul nach einem der Ansprüche 2 bis 6, wobei der weitere Hohlraum (HR1) mit einer Schalleintrittsöffnung (IN) verbunden ist.
  8. Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei der Mikrofonchip (MCH) über einer in der Basisplatte (BP) vorgesehenen ersten Öffnung (W1) angeordnet ist, wobei die Basisplatte (BP) eine zweite Öffnung (W2) aufweist, durch die der akustische Kanal (AK) mit dem Hohlraum (HR2) verbunden ist.
  9. Modul nach einem der Ansprüche 5 bis 8, wobei die Basisplatte (BP) eine erste Schicht (S2) mit einer darin ausgebildeten Vertiefung und eine im Bereich der Vertiefung über der ersten Schicht (S2) angeordnete zweite Schicht (S1) aufweist, welche die Vertiefung bis auf mindestens zwei Öffnungen (W1, W2) abdeckt, wodurch der akustische Kanal (AK) gebildet ist.
  10. Modul nach Anspruch 9, wobei der Trennsteg (TS) des Deckels (CAP) mit der zweiten Schicht (S1) abschließt.
  11. Modul nach einem der Ansprüche 2 bis 10, bei dem im Hohlraum (HR2) mindestens ein Chipelement angeordnet ist, ausgewählt aus einem Widerstand, einer Kapazität, einer Induktivität, einem Filter, einem Impedanzwandler und einem Verstärker.
  12. Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei der Mikrofonchip (MCH) Anschlussflächen (AF) auf weist, die mittels Bonddrähte mit auf der Oberseite der Basisplatte (BP) angeordneten elektrischen Kontakten elektrisch verbunden sind.
  13. Modul nach Anspruch 11, wobei der Mikrofonchip (MCH) Anschlussflächen (AF) aufweist, die mittels Bonddrähte mit auf der Oberseite des Chipelements angeordneten elektrischen Kontakten elektrisch verbunden sind.
  14. Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 13, wobei der Mikrofonchip (MCH) in einer Flip-Chip Bauweise montierbar ist und mittels Bumps mit auf der Oberseite der Basisplatte (BP) angeordneten elektrischen Kontakten elektrisch verbunden ist.
  15. Modul nach einem der Ansprüche 2 bis 14, wobei der akustische Kanal (AK) zumindest teilweise unterhalb der beiden Hohlräume (HR1, HR2) verläuft.
  16. Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 15, wobei zwischen dem Mikrofonchip (MCH) und der Basisplatte (BP) ein Dichtungsrahmen angeordnet ist.
  17. Modul nach Anspruch 16, wobei der Dichtungsrahmen aus einem Klebstoff oder einer Vergussmasse gebildet ist.
  18. Modul nach Anspruch 16, wobei der Dichtungsrahmen ein Lotrahmen ist.
DE102005008512.1A 2005-02-24 2005-02-24 Elektrisches Modul mit einem MEMS-Mikrofon Active DE102005008512B4 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102005008512.1A DE102005008512B4 (de) 2005-02-24 2005-02-24 Elektrisches Modul mit einem MEMS-Mikrofon
US11/816,964 US8184845B2 (en) 2005-02-24 2006-02-08 Electrical module comprising a MEMS microphone
PCT/EP2006/001116 WO2006089638A1 (de) 2005-02-24 2006-02-08 Elektrisches modul mit einem mems-mikrofon
JP2007556514A JP5130054B2 (ja) 2005-02-24 2006-02-08 Ｍｅｍｓマイクロフォンを備えた電気モジュール

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102005008512.1A DE102005008512B4 (de) 2005-02-24 2005-02-24 Elektrisches Modul mit einem MEMS-Mikrofon

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102005008512A1 true DE102005008512A1 (de) 2006-08-31
DE102005008512B4 DE102005008512B4 (de) 2016-06-23

Family

ID=36118180

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102005008512.1A Active DE102005008512B4 (de) 2005-02-24 2005-02-24 Elektrisches Modul mit einem MEMS-Mikrofon

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8184845B2 (de)
JP (1) JP5130054B2 (de)
DE (1) DE102005008512B4 (de)
WO (1) WO2006089638A1 (de)

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007054070A1 (de) * 2005-11-10 2007-05-18 Epcos Ag Mems-package und verfahren zur herstellung
DE102006046292A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-03 Epcos Ag Bauelement mit MEMS-Mikrofon und Verfahren zur Herstellung
US7544540B2 (en) 2004-04-22 2009-06-09 Epcos Ag Encapsulated electrical component and production method
DE102008053327A1 (de) * 2008-10-27 2010-04-29 Epcos Ag Anordnung mit einem Mikrofon
EP2214421A1 (de) * 2009-02-03 2010-08-04 Robert Bosch GmbH Bauelement mit einer mikromechanischen Mikrofonstruktur und Verfahren zum Betreiben eines solchen Bauelements
CN101150888B (zh) * 2007-10-31 2011-03-30 日月光半导体制造股份有限公司 微机电麦克风封装结构及其封装方法
US8184845B2 (en) 2005-02-24 2012-05-22 Epcos Ag Electrical module comprising a MEMS microphone
US8229139B2 (en) 2005-11-10 2012-07-24 Epcos Ag MEMS microphone, production method and method for installing
ITTO20110577A1 (it) * 2011-06-30 2012-12-31 Stmicroelectronics Malta Ltd Incapsulamento per un sensore mems e relativo procedimento di fabbricazione
US8428286B2 (en) 2009-11-30 2013-04-23 Infineon Technologies Ag MEMS microphone packaging and MEMS microphone module
US8582788B2 (en) 2005-02-24 2013-11-12 Epcos Ag MEMS microphone
DE102013114826A1 (de) * 2013-12-23 2015-06-25 USound GmbH Mikro-elektromechanischer Schallwandler mit schallenergiereflektierender Zwischenschicht
DE102014105849B3 (de) * 2014-04-25 2015-09-17 Epcos Ag Mikrofon mit vergrößertem Rückvolumen und Verfahren zur Herstellung
DE102020202544A1 (de) 2020-02-27 2021-09-02 Brose Fahrzeugteile Se & Co. Kommanditgesellschaft, Bamberg Ultraschallsensor eines Kraftfahrzeugs
US11267698B2 (en) 2014-08-06 2022-03-08 Infineon Technologies Ag Low profile transducer module

Families Citing this family (73)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8617934B1 (en) 2000-11-28 2013-12-31 Knowles Electronics, Llc Methods of manufacture of top port multi-part surface mount silicon condenser microphone packages
US7434305B2 (en) 2000-11-28 2008-10-14 Knowles Electronics, Llc. Method of manufacturing a microphone
DE102005008514B4 (de) * 2005-02-24 2019-05-16 Tdk Corporation Mikrofonmembran und Mikrofon mit der Mikrofonmembran
DE102006039515B4 (de) * 2006-08-23 2012-02-16 Epcos Ag Drehbewegungssensor mit turmartigen Schwingstrukturen
US8526665B2 (en) * 2007-08-02 2013-09-03 Knowles Electronics Asia Pte. Ltd. Electro-acoustic transducer comprising a MEMS sensor
US20090087010A1 (en) * 2007-09-27 2009-04-02 Mark Vandermeulen Carrier chip with cavity
US20110158449A1 (en) * 2008-02-08 2011-06-30 Fuminori Tanaka Microphone Unit
JP5320863B2 (ja) * 2008-07-02 2013-10-23 オムロン株式会社 電子部品
CN201274566Y (zh) * 2008-09-26 2009-07-15 瑞声声学科技(深圳)有限公司 Mems麦克风
US8351634B2 (en) * 2008-11-26 2013-01-08 Analog Devices, Inc. Side-ported MEMS microphone assembly
JP5481852B2 (ja) * 2008-12-12 2014-04-23 船井電機株式会社 マイクロホンユニット及びそれを備えた音声入力装置
JP2010283595A (ja) * 2009-06-04 2010-12-16 Panasonic Corp マイクロホン
US8710599B2 (en) 2009-08-04 2014-04-29 Fairchild Semiconductor Corporation Micromachined devices and fabricating the same
US8421168B2 (en) * 2009-11-17 2013-04-16 Fairchild Semiconductor Corporation Microelectromechanical systems microphone packaging systems
JP2011114506A (ja) * 2009-11-26 2011-06-09 Funai Electric Co Ltd マイクロホンユニット
US8530981B2 (en) 2009-12-31 2013-09-10 Texas Instruments Incorporated Leadframe-based premolded package having acoustic air channel for micro-electro-mechanical system
CN102125760B (zh) * 2010-01-14 2014-04-30 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 游戏鼓
EP2432249A1 (de) * 2010-07-02 2012-03-21 Knowles Electronics Asia PTE. Ltd. Mikrofon
US9258634B2 (en) * 2010-07-30 2016-02-09 Invensense, Inc. Microphone system with offset apertures
US9215519B2 (en) * 2010-07-30 2015-12-15 Invensense, Inc. Reduced footprint microphone system with spacer member having through-hole
KR101352827B1 (ko) 2010-09-18 2014-01-17 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션 단일 프루프 매스를 가진 미세기계화 3축 가속도계
US9156673B2 (en) 2010-09-18 2015-10-13 Fairchild Semiconductor Corporation Packaging to reduce stress on microelectromechanical systems
US8813564B2 (en) 2010-09-18 2014-08-26 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS multi-axis gyroscope with central suspension and gimbal structure
KR101871865B1 (ko) 2010-09-18 2018-08-02 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션 멀티-다이 ｍｅｍｓ 패키지
DE112011103124T5 (de) 2010-09-18 2013-12-19 Fairchild Semiconductor Corporation Biegelager zum Verringern von Quadratur für mitschwingende mikromechanische Vorrichtungen
US9278846B2 (en) 2010-09-18 2016-03-08 Fairchild Semiconductor Corporation Micromachined monolithic 6-axis inertial sensor
EP2619536B1 (de) 2010-09-20 2016-11-02 Fairchild Semiconductor Corporation Mikroelektromechanischer drucksensor mit einem bezugskondensator
US9006846B2 (en) 2010-09-20 2015-04-14 Fairchild Semiconductor Corporation Through silicon via with reduced shunt capacitance
DE102011004577B4 (de) * 2011-02-23 2023-07-27 Robert Bosch Gmbh Bauelementträger, Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelementträgers sowie Bauteil mit einem MEMS-Bauelement auf einem solchen Bauelementträger
CN102259827B (zh) * 2011-06-25 2014-06-25 中北大学 Mems高量程加速度传感器的封装方法
US8824706B2 (en) * 2011-08-30 2014-09-02 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Piezoelectric microphone fabricated on glass
US8436433B1 (en) * 2011-10-13 2013-05-07 Rosemount Aerospace Inc. Unattached contained semiconductor devices
EP2774390A4 (de) 2011-11-04 2015-07-22 Knowles Electronics Llc Eingebettetes dielektrikum als barriere bei einer akustischen vorrichtung und herstellungsverfahren
US9062972B2 (en) 2012-01-31 2015-06-23 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS multi-axis accelerometer electrode structure
US8978475B2 (en) 2012-02-01 2015-03-17 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS proof mass with split z-axis portions
TWI450599B (zh) * 2012-02-22 2014-08-21 Merry Electronics Co Ltd 薄形化微機電麥克風模組
US8754694B2 (en) 2012-04-03 2014-06-17 Fairchild Semiconductor Corporation Accurate ninety-degree phase shifter
US8742964B2 (en) 2012-04-04 2014-06-03 Fairchild Semiconductor Corporation Noise reduction method with chopping for a merged MEMS accelerometer sensor
US9488693B2 (en) 2012-04-04 2016-11-08 Fairchild Semiconductor Corporation Self test of MEMS accelerometer with ASICS integrated capacitors
EP2647952B1 (de) 2012-04-05 2017-11-15 Fairchild Semiconductor Corporation Automatische Verstärkungsregelungsschleife einer MEMS-Vorrichtung für mechanischen Amplitudenantrieb
US9069006B2 (en) 2012-04-05 2015-06-30 Fairchild Semiconductor Corporation Self test of MEMS gyroscope with ASICs integrated capacitors
EP2648334B1 (de) 2012-04-05 2020-06-10 Fairchild Semiconductor Corporation Front-end-Ladungsverstärker einer MEMS-Vorrichtung
EP2647955B8 (de) 2012-04-05 2018-12-19 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS-Vorrichtung mit Quadraturphasenverschiebungsauslöschung
US9625272B2 (en) 2012-04-12 2017-04-18 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS quadrature cancellation and signal demodulation
US9094027B2 (en) 2012-04-12 2015-07-28 Fairchild Semiconductor Corporation Micro-electro-mechanical-system (MEMS) driver
US9078063B2 (en) 2012-08-10 2015-07-07 Knowles Electronics, Llc Microphone assembly with barrier to prevent contaminant infiltration
DE102013014881B4 (de) 2012-09-12 2023-05-04 Fairchild Semiconductor Corporation Verbesserte Silizium-Durchkontaktierung mit einer Füllung aus mehreren Materialien
US9181086B1 (en) 2012-10-01 2015-11-10 The Research Foundation For The State University Of New York Hinged MEMS diaphragm and method of manufacture therof
US9226052B2 (en) 2013-01-22 2015-12-29 Invensense, Inc. Microphone system with non-orthogonally mounted microphone die
US10097918B2 (en) * 2013-01-23 2018-10-09 Infineon Technologies Ag Chip arrangement and a method for manufacturing the same
JP2014239333A (ja) * 2013-06-07 2014-12-18 株式会社村田製作所 超音波発生器
DE102013106353B4 (de) * 2013-06-18 2018-06-28 Tdk Corporation Verfahren zum Aufbringen einer strukturierten Beschichtung auf ein Bauelement
US10154330B2 (en) 2013-07-03 2018-12-11 Harman International Industries, Incorporated Gradient micro-electro-mechanical systems (MEMS) microphone
KR20150060469A (ko) * 2013-11-26 2015-06-03 삼성전기주식회사 멤스 마이크로폰 패키지 및 멤스 마이크로폰 패키지의 제조 방법
US9319772B2 (en) * 2014-06-20 2016-04-19 Merry Electronics (Shenzhen) Co., Ltd. Multi-floor type MEMS microphone
US9955246B2 (en) 2014-07-03 2018-04-24 Harman International Industries, Incorporated Gradient micro-electro-mechanical systems (MEMS) microphone with varying height assemblies
TWI513981B (zh) * 2014-11-13 2015-12-21 Ind Tech Res Inst 具多重氣密空腔的微機電裝置及其製作方法
WO2016102922A1 (en) * 2014-12-23 2016-06-30 Cirrus Logic International Semiconductor Limited Mems transducer package
DE102015102869B4 (de) * 2015-02-27 2017-05-11 Snaptrack, Inc. MEMS-Bauelement mit hoher Integrationsdichte und Verfahren zu seiner Herstellung
US10291973B2 (en) * 2015-05-14 2019-05-14 Knowles Electronics, Llc Sensor device with ingress protection
US9794661B2 (en) 2015-08-07 2017-10-17 Knowles Electronics, Llc Ingress protection for reducing particle infiltration into acoustic chamber of a MEMS microphone package
CN105188005B (zh) * 2015-09-09 2018-10-02 歌尔股份有限公司 Mems麦克风芯片及mems麦克风
US20200270122A1 (en) * 2015-12-01 2020-08-27 Chirp Microsystems, Inc. Multi-cavity package for ultrasonic transducer acoustic mode control
US20170240418A1 (en) * 2016-02-18 2017-08-24 Knowles Electronics, Llc Low-cost miniature mems vibration sensor
US10442683B2 (en) * 2016-04-14 2019-10-15 Akustica, Inc. Corrugated package for microelectromechanical system (MEMS) device
TWI708511B (zh) * 2016-07-21 2020-10-21 聯華電子股份有限公司 壓阻式麥克風的結構及其製作方法
US10667038B2 (en) 2016-12-07 2020-05-26 Apple Inc. MEMS mircophone with increased back volume
EP3370431A3 (de) 2017-03-02 2018-11-14 Sonion Nederland B.V. Sensor mit zwei parallelen akustikfilterelementen, anordnung mit einem sensor und dem filter, tonempfänger und verfahren
KR101949594B1 (ko) * 2017-05-30 2019-04-29 서울대학교산학협력단 멤스 트랜스듀서 패키지 및 이를 포함하는 멤스 장치
US20180366424A1 (en) 2017-06-20 2018-12-20 Infineon Technologies Ag Device Package with Reduced Radio Frequency Losses
CN111742562B (zh) * 2018-01-24 2022-02-08 舒尔获得控股公司 具有校正电路系统的方向性微机电系统麦克风
CN110902642A (zh) * 2018-09-17 2020-03-24 新科实业有限公司 Mems封装件及制造其的方法
US10694297B1 (en) * 2019-03-25 2020-06-23 Fortemedia, Inc. Back chamber volume enlargement microphone package

Family Cites Families (191)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2105010A (en) * 1933-02-25 1938-01-11 Brush Dev Co Piezoelectric device
US3447217A (en) * 1964-02-05 1969-06-03 Hitachi Ltd Method of producing ceramic piezoelectric vibrator
US3587322A (en) 1969-06-17 1971-06-28 Simmonds Precision Products Pressure transducer mounting
US3735211A (en) 1971-06-21 1973-05-22 Fairchild Camera Instr Co Semiconductor package containing a dual epoxy and metal seal between a cover and a substrate, and method for forming said seal
US3726002A (en) 1971-08-27 1973-04-10 Ibm Process for forming a multi-layer glass-metal module adaptable for integral mounting to a dissimilar refractory substrate
JPS562346Y2 (de) * 1974-05-23 1981-01-20
US4127840A (en) 1977-02-22 1978-11-28 Conrac Corporation Solid state force transducer
US4164054A (en) * 1977-07-25 1979-08-14 Benjamin Dixon Dipstick wiper
US4454440A (en) 1978-12-22 1984-06-12 United Technologies Corporation Surface acoustic wave (SAW) pressure sensor structure
JPS55112864U (de) 1979-02-02 1980-08-08
US4222277A (en) 1979-08-13 1980-09-16 Kulite Semiconductor Products, Inc. Media compatible pressure transducer
US4277814A (en) 1979-09-04 1981-07-07 Ford Motor Company Semiconductor variable capacitance pressure transducer assembly
JPS622879Y2 (de) 1981-03-25 1987-01-22
CH642504A5 (en) * 1981-06-01 1984-04-13 Asulab Sa Hybrid electroacoustic transducer
US4424419A (en) 1981-10-19 1984-01-03 Northern Telecom Limited Electret microphone shield
CA1165859A (en) 1981-10-19 1984-04-17 Guy J. Chaput Electret microphone shield
US4558184A (en) 1983-02-24 1985-12-10 At&T Bell Laboratories Integrated capacitive transducer
US4545440A (en) 1983-04-07 1985-10-08 Treadway John E Attachment for pneumatic hammers for punching holes of varying size
US4533795A (en) 1983-07-07 1985-08-06 American Telephone And Telegraph Integrated electroacoustic transducer
JPS60111129A (ja) 1983-11-21 1985-06-17 Yokogawa Hokushin Electric Corp 圧力センサ
US4641054A (en) 1984-08-09 1987-02-03 Nippon Ceramic Company, Limited Piezoelectric electro-acoustic transducer
US4691363A (en) 1985-12-11 1987-09-01 American Telephone & Telegraph Company, At&T Information Systems Inc. Transducer device
JPS62173814A (ja) 1986-01-28 1987-07-30 Alps Electric Co Ltd 弾性表面波素子搭載ユニツト
ATA74486A (de) * 1986-03-20 1987-04-15 Akg Akustische Kino Geraete Richtmikrophon nach dem elektrostatischen oder elektrodynamischen wandlerprinzip
JPH0726887B2 (ja) 1986-05-31 1995-03-29 株式会社堀場製作所 コンデンサマイクロフオン型検出器用ダイアフラム
US5091051A (en) 1986-12-22 1992-02-25 Raytheon Company Saw device method
NL8702589A (nl) 1987-10-30 1989-05-16 Microtel Bv Elektro-akoestische transducent van de als elektreet aangeduide soort, en een werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke transducent.
US5293781A (en) 1987-11-09 1994-03-15 California Institute Of Technology Tunnel effect measuring systems and particle detectors
US4816125A (en) * 1987-11-25 1989-03-28 The Regents Of The University Of California IC processed piezoelectric microphone
US5216490A (en) 1988-01-13 1993-06-01 Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Bridge electrodes for microelectromechanical devices
US4825335A (en) 1988-03-14 1989-04-25 Endevco Corporation Differential capacitive transducer and method of making
US4866683A (en) 1988-05-24 1989-09-12 Honeywell, Inc. Integrated acoustic receiver or projector
US4984268A (en) 1988-11-21 1991-01-08 At&T Bell Laboratories Telephone handset construction
US5146435A (en) 1989-12-04 1992-09-08 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Acoustic transducer
DE4000903C1 (de) 1990-01-15 1990-08-09 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart, De
US5101543A (en) 1990-07-02 1992-04-07 Gentex Corporation Method of making a variable capacitor microphone
US5059848A (en) 1990-08-20 1991-10-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Low-cost saw packaging technique
US5153379A (en) 1990-10-09 1992-10-06 Motorola, Inc. Shielded low-profile electronic component assembly
US5189777A (en) 1990-12-07 1993-03-02 Wisconsin Alumni Research Foundation Method of producing micromachined differential pressure transducers
JP2772739B2 (ja) 1991-06-20 1998-07-09 いわき電子株式会社 リードレスパッケージの外部電極構造及びその製造方法
US5184107A (en) 1991-01-28 1993-02-02 Honeywell, Inc. Piezoresistive pressure transducer with a conductive elastomeric seal
US5178015A (en) 1991-07-22 1993-01-12 Monolithic Sensors Inc. Silicon-on-silicon differential input sensors
US5257547A (en) 1991-11-26 1993-11-02 Honeywell Inc. Amplified pressure transducer
US5650685A (en) 1992-01-30 1997-07-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Microcircuit package with integrated acoustic isolator
US5490220A (en) 1992-03-18 1996-02-06 Knowles Electronics, Inc. Solid state condenser and microphone devices
FR2697675B1 (fr) 1992-11-05 1995-01-06 Suisse Electronique Microtech Procédé de fabrication de transducteurs capacitifs intégrés.
US5531787A (en) 1993-01-25 1996-07-02 Lesinski; S. George Implantable auditory system with micromachined microsensor and microactuator
US5475606A (en) 1993-03-05 1995-12-12 International Business Machines Corporation Faraday cage for a printed circuit card
US5477008A (en) 1993-03-19 1995-12-19 Olin Corporation Polymer plug for electronic packages
US5459368A (en) 1993-08-06 1995-10-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface acoustic wave device mounted module
US5465008A (en) 1993-10-08 1995-11-07 Stratedge Corporation Ceramic microelectronics package
JPH07111254A (ja) 1993-10-12 1995-04-25 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置の製造方法
US6191928B1 (en) 1994-05-27 2001-02-20 Littelfuse, Inc. Surface-mountable device for protection against electrostatic damage to electronic components
US5452268A (en) 1994-08-12 1995-09-19 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Acoustic transducer with improved low frequency response
US5545912A (en) 1994-10-27 1996-08-13 Motorola, Inc. Electronic device enclosure including a conductive cap and substrate
JP3171043B2 (ja) 1995-01-11 2001-05-28 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
US5506919A (en) 1995-03-27 1996-04-09 Eastman Kodak Company Conductive membrane optical modulator
JP3328102B2 (ja) 1995-05-08 2002-09-24 松下電器産業株式会社 弾性表面波装置及びその製造方法
US5659195A (en) 1995-06-08 1997-08-19 The Regents Of The University Of California CMOS integrated microsensor with a precision measurement circuit
DK172085B1 (da) * 1995-06-23 1997-10-13 Microtronic As Mikromekanisk mikrofon
US5573435A (en) 1995-08-31 1996-11-12 The Whitaker Corporation Tandem loop contact for an electrical connector
TW332166B (en) 1995-10-06 1998-05-21 Laurance Lewellin Richard Method for making articles with rice hulls
DE69626747T2 (de) 1995-11-16 2003-09-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd Gedruckte Leiterplatte und ihre Anordnung
US5674785A (en) 1995-11-27 1997-10-07 Micron Technology, Inc. Method of producing a single piece package for semiconductor die
JP3294490B2 (ja) 1995-11-29 2002-06-24 株式会社日立製作所 Ｂｇａ型半導体装置
JP3432982B2 (ja) 1995-12-13 2003-08-04 沖電気工業株式会社 表面実装型半導体装置の製造方法
DE19548051A1 (de) 1995-12-21 1997-06-26 Siemens Matsushita Components Elektronisches Bauelement insbesondere mit akustischen Oberflächenwellen arbeitendes Bauelement - OFW-Bauelement -
DE19548048C2 (de) 1995-12-21 1998-01-15 Siemens Matsushita Components Elektronisches Bauelement, insbesondere mit akustischen Oberflächenwellen arbeitendes Bauelement (OFW-Bauelement)
DE19548046C2 (de) 1995-12-21 1998-01-15 Siemens Matsushita Components Verfahren zur Herstellung von für eine Flip-Chip-Montage geeigneten Kontakten von elektrischen Bauelementen
US6242842B1 (en) 1996-12-16 2001-06-05 Siemens Matsushita Components Gmbh & Co. Kg Electrical component, in particular saw component operating with surface acoustic waves, and a method for its production
US5748758A (en) 1996-01-25 1998-05-05 Menasco, Jr.; Lawrence C. Acoustic audio transducer with aerogel diaphragm
JPH09222372A (ja) 1996-02-19 1997-08-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体式センサ
US5888845A (en) 1996-05-02 1999-03-30 National Semiconductor Corporation Method of making high sensitivity micro-machined pressure sensors and acoustic transducers
WO1997045955A1 (de) 1996-05-24 1997-12-04 Siemens Matsushita Components Gmbh & Co. Kg Elektronisches bauelement, insbesondere mit akustischen oberflächenwellen arbeitendes bauelement - ofw-bauelement
US5939968A (en) 1996-06-19 1999-08-17 Littelfuse, Inc. Electrical apparatus for overcurrent protection of electrical circuits
KR100386018B1 (ko) 1996-06-24 2003-08-25 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 스택형반도체디바이스패키지
US5889872A (en) 1996-07-02 1999-03-30 Motorola, Inc. Capacitive microphone and method therefor
US5838551A (en) 1996-08-01 1998-11-17 Northern Telecom Limited Electronic package carrying an electronic component and assembly of mother board and electronic package
US5740261A (en) 1996-11-21 1998-04-14 Knowles Electronics, Inc. Miniature silicon condenser microphone
JP3576727B2 (ja) 1996-12-10 2004-10-13 株式会社デンソー 表面実装型パッケージ
DE19653097A1 (de) 1996-12-20 1998-07-02 Forschungszentrum Juelich Gmbh Schicht mit porösem Schichtbereich, eine solche Schicht enthaltendes Interferenzfilter sowie Verfahren zu ihrer Herstellung
US5999821A (en) 1997-01-29 1999-12-07 Motorola, Inc. Radiotelephone having a user interface module
US5870482A (en) 1997-02-25 1999-02-09 Knowles Electronics, Inc. Miniature silicon condenser microphone
US5923995A (en) 1997-04-18 1999-07-13 National Semiconductor Corporation Methods and apparatuses for singulation of microelectromechanical systems
US6118881A (en) 1997-05-13 2000-09-12 Lucent Technologies Inc. Reduction of flow-induced microphone noise
US5831262A (en) 1997-06-27 1998-11-03 Lucent Technologies Inc. Article comprising an optical fiber attached to a micromechanical device
AU8280398A (en) 1997-06-30 1999-01-19 Formfactor, Inc. Sockets for semiconductor devices with spring contact elements
US5990418A (en) 1997-07-29 1999-11-23 International Business Machines Corporation Hermetic CBGA/CCGA structure with thermal paste cooling
TW387198B (en) 1997-09-03 2000-04-11 Hosiden Corp Audio sensor and its manufacturing method, and semiconductor electret capacitance microphone using the same
US6150753A (en) 1997-12-15 2000-11-21 Cae Blackstone Ultrasonic transducer assembly having a cobalt-base alloy housing
DE19757560A1 (de) 1997-12-23 1999-07-01 Forschungszentrum Juelich Gmbh Verfahren zur Herstellung einer porösen Schicht mit Hilfe eines elektrochemischen Ätzprozesses
DE19806550B4 (de) 1998-02-17 2004-07-22 Epcos Ag Elektronisches Bauelement, insbesondere mit akustischen Oberflächenwellen arbeitendes Bauelement - OFW-Bauelement
DE19806818C1 (de) 1998-02-18 1999-11-04 Siemens Matsushita Components Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements, insbesondere eines mit akustischen Oberflächenwllen arbeitenden OFW-Bauelements
US6282072B1 (en) 1998-02-24 2001-08-28 Littelfuse, Inc. Electrical devices having a polymer PTC array
US6400065B1 (en) 1998-03-31 2002-06-04 Measurement Specialties, Inc. Omni-directional ultrasonic transducer apparatus and staking method
DE19818824B4 (de) 1998-04-27 2008-07-31 Epcos Ag Elektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE19822794C1 (de) 1998-05-20 2000-03-09 Siemens Matsushita Components Mehrfachnutzen für elektronische Bauelemente, insbesondere akustische Oberflächenwellen-Bauelemente
US6052464A (en) 1998-05-29 2000-04-18 Motorola, Inc. Telephone set having a microphone for receiving or an earpiece for generating an acoustic signal via a keypad
FI105880B (fi) 1998-06-18 2000-10-13 Nokia Mobile Phones Ltd Mikromekaanisen mikrofonin kiinnitys
US6389145B2 (en) * 1998-07-24 2002-05-14 Agere Systems Guardian Corp. Methods and apparatus for controlling the output of moving armature transducers
US6108184A (en) 1998-11-13 2000-08-22 Littlefuse, Inc. Surface mountable electrical device comprising a voltage variable material
US6078245A (en) 1998-12-17 2000-06-20 Littelfuse, Inc. Containment of tin diffusion bar
US7003127B1 (en) 1999-01-07 2006-02-21 Sarnoff Corporation Hearing aid with large diaphragm microphone element including a printed circuit board
US6838972B1 (en) 1999-02-22 2005-01-04 Littelfuse, Inc. PTC circuit protection devices
US6157546A (en) 1999-03-26 2000-12-05 Ericsson Inc. Shielding apparatus for electronic devices
US6182342B1 (en) 1999-04-02 2001-02-06 Andersen Laboratories, Inc. Method of encapsulating a saw device
US6136419A (en) 1999-05-26 2000-10-24 International Business Machines Corporation Ceramic substrate having a sealed layer
CA2315417A1 (en) 1999-08-11 2001-02-11 Hiroshi Une Electret capacitor microphone
US6732588B1 (en) 1999-09-07 2004-05-11 Sonionmems A/S Pressure transducer
AU6984100A (en) 1999-09-06 2001-04-10 Microtronic A/S Silicon-based sensor system
US6522762B1 (en) 1999-09-07 2003-02-18 Microtronic A/S Silicon-based sensor system
US6829131B1 (en) 1999-09-13 2004-12-07 Carnegie Mellon University MEMS digital-to-acoustic transducer with error cancellation
FR2799883B1 (fr) 1999-10-15 2003-05-30 Thomson Csf Procede d'encapsulation de composants electroniques
EP1230739B1 (de) 1999-11-19 2016-05-25 Gentex Corporation Fahrzeugzubehörmikrofon
JP2001157298A (ja) 1999-11-26 2001-06-08 Koji Ono 光学式マイクロホンおよびその製造方法
US6324907B1 (en) 1999-11-29 2001-12-04 Microtronic A/S Flexible substrate transducer assembly
US6613605B2 (en) 1999-12-15 2003-09-02 Benedict G Pace Interconnection method entailing protuberances formed by melting metal over contact areas
US20020076910A1 (en) 1999-12-15 2002-06-20 Pace Benedict G. High density electronic interconnection
DE19961842B4 (de) 1999-12-21 2008-01-31 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Mehrschichtleiterplatte
JP2001267473A (ja) 2000-03-17 2001-09-28 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
DE10016867A1 (de) 2000-04-05 2001-10-18 Epcos Ag Bauelement mit Beschriftung
US6384473B1 (en) 2000-05-16 2002-05-07 Sandia Corporation Microelectronic device package with an integral window
US6809413B1 (en) 2000-05-16 2004-10-26 Sandia Corporation Microelectronic device package with an integral window mounted in a recessed lip
JP2001339796A (ja) 2000-05-29 2001-12-07 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> コンデンサ型マイクロフォン
US7153717B2 (en) * 2000-05-30 2006-12-26 Ic Mechanics Inc. Encapsulation of MEMS devices using pillar-supported caps
JP2002001857A (ja) 2000-06-21 2002-01-08 Nitto Denko Corp 樹脂基板及び液晶表示装置
US6535460B2 (en) 2000-08-11 2003-03-18 Knowles Electronics, Llc Miniature broadband acoustic transducer
US6439869B1 (en) 2000-08-16 2002-08-27 Micron Technology, Inc. Apparatus for molding semiconductor components
US6530515B1 (en) 2000-09-26 2003-03-11 Amkor Technology, Inc. Micromachine stacked flip chip package fabrication method
US6566672B1 (en) 2000-09-29 2003-05-20 Heidelberger Druckmaschinen Ag Light sensor for sheet products
JP2002134875A (ja) * 2000-10-26 2002-05-10 Murata Mfg Co Ltd モジュール部品、モジュール部品の実装構造、および電子装置
US7434305B2 (en) 2000-11-28 2008-10-14 Knowles Electronics, Llc. Method of manufacturing a microphone
US7439616B2 (en) 2000-11-28 2008-10-21 Knowles Electronics, Llc Miniature silicon condenser microphone
US7166910B2 (en) 2000-11-28 2007-01-23 Knowles Electronics Llc Miniature silicon condenser microphone
US7092539B2 (en) 2000-11-28 2006-08-15 University Of Florida Research Foundation, Inc. MEMS based acoustic array
GB2386030B (en) 2000-12-22 2004-08-18 Bruel & Kjaer Sound & Vibratio A micromachined capacitive transducer
DE10104574A1 (de) 2001-02-01 2002-08-08 Epcos Ag Substrat für ein elektrisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung
EP1380186B1 (de) * 2001-02-14 2015-08-26 Gentex Corporation Fahrzeug-zusatzmikrophon
US6437449B1 (en) * 2001-04-06 2002-08-20 Amkor Technology, Inc. Making semiconductor devices having stacked dies with biased back surfaces
US6838387B1 (en) * 2001-06-21 2005-01-04 John Zajac Fast etching system and process
DE10136743B4 (de) 2001-07-27 2013-02-14 Epcos Ag Verfahren zur hermetischen Verkapselung eines Bauelementes
US6924429B2 (en) 2001-08-17 2005-08-02 Citizen Watch Co., Ltd. Electronic device and production method therefor
JP2003078981A (ja) * 2001-09-05 2003-03-14 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> マイクロホン実装回路基板および該基板を搭載する音声処理装置
US7298856B2 (en) 2001-09-05 2007-11-20 Nippon Hoso Kyokai Chip microphone and method of making same
US6930364B2 (en) 2001-09-13 2005-08-16 Silicon Light Machines Corporation Microelectronic mechanical system and methods
CN100557967C (zh) 2001-09-28 2009-11-04 埃普科斯股份有限公司 封装电构件的方法和由此封装的表面波构件
WO2003047307A2 (en) * 2001-11-27 2003-06-05 Corporation For National Research Initiatives A miniature condenser microphone and fabrication method therefor
US6649446B1 (en) 2001-11-29 2003-11-18 Clarisay, Inc. Hermetic package for multiple contact-sensitive electronic devices and methods of manufacturing thereof
DE10164494B9 (de) 2001-12-28 2014-08-21 Epcos Ag Verkapseltes Bauelement mit geringer Bauhöhe sowie Verfahren zur Herstellung
DE10164502B4 (de) 2001-12-28 2013-07-04 Epcos Ag Verfahren zur hermetischen Verkapselung eines Bauelements
US6800987B2 (en) 2002-01-22 2004-10-05 Measurement Specialties, Inc. Protective housing for ultrasonic transducer apparatus
US6891266B2 (en) 2002-02-14 2005-05-10 Mia-Com RF transition for an area array package
JP3908059B2 (ja) 2002-02-27 2007-04-25 スター精密株式会社 エレクトレットコンデンサマイクロホン
US6627814B1 (en) 2002-03-22 2003-09-30 David H. Stark Hermetically sealed micro-device package with window
JP3945292B2 (ja) 2002-04-10 2007-07-18 松下電器産業株式会社 ダイヤフラム型トランスデューサ
US7217588B2 (en) 2005-01-05 2007-05-15 Sharp Laboratories Of America, Inc. Integrated MEMS packaging
US6621392B1 (en) 2002-04-25 2003-09-16 International Business Machines Corporation Micro electromechanical switch having self-aligned spacers
US6850133B2 (en) 2002-08-14 2005-02-01 Intel Corporation Electrode configuration in a MEMS switch
JP2004079776A (ja) 2002-08-19 2004-03-11 Yutaka Denki Seisakusho:Kk プリント配線板の実装方法
DE10238523B4 (de) 2002-08-22 2014-10-02 Epcos Ag Verkapseltes elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung
US7072482B2 (en) 2002-09-06 2006-07-04 Sonion Nederland B.V. Microphone with improved sound inlet port
US6781231B2 (en) 2002-09-10 2004-08-24 Knowles Electronics Llc Microelectromechanical system package with environmental and interference shield
US6909589B2 (en) 2002-11-20 2005-06-21 Corporation For National Research Initiatives MEMS-based variable capacitor
US7371970B2 (en) 2002-12-06 2008-05-13 Flammer Jeffrey D Rigid-flex circuit board system
JP2004229200A (ja) 2003-01-27 2004-08-12 Sanyo Electric Co Ltd 音響センサー
DE10303263B4 (de) 2003-01-28 2012-01-05 Infineon Technologies Ag Mikrophonanordnung
JP2007524514A (ja) 2003-02-25 2007-08-30 アイシー メカニクス インコーポレイテッド 空洞を形成する多層キャップを有する微細機械加工組立体
US7492019B2 (en) * 2003-03-07 2009-02-17 Ic Mechanics, Inc. Micromachined assembly with a multi-layer cap defining a cavity
US7501703B2 (en) * 2003-02-28 2009-03-10 Knowles Electronics, Llc Acoustic transducer module
WO2004093506A2 (en) 2003-04-15 2004-10-28 Wavezero, Inc. Electomagnetic interference shielding for a printed circuit board
US7233679B2 (en) * 2003-09-30 2007-06-19 Motorola, Inc. Microphone system for a communication device
JP2005198051A (ja) 2004-01-08 2005-07-21 Hitachi Ltd 高周波モジュール
EP1720794A2 (de) * 2004-03-01 2006-11-15 Tessera, Inc. Verkapselung von akustischen und elektromagnetischen wandlerchips
WO2005086535A1 (ja) * 2004-03-09 2005-09-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. エレクトレットコンデンサーマイクロホン
JP3875240B2 (ja) 2004-03-31 2007-01-31 株式会社東芝 電子部品の製造方法
DE102004020204A1 (de) 2004-04-22 2005-11-10 Epcos Ag Verkapseltes elektrisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung
JP3998658B2 (ja) 2004-04-28 2007-10-31 富士通メディアデバイス株式会社 弾性波デバイスおよびパッケージ基板
DE102004037817B4 (de) 2004-08-04 2014-08-07 Epcos Ag Elektrisches Bauelement in Flip-Chip-Bauweise
US7608789B2 (en) 2004-08-12 2009-10-27 Epcos Ag Component arrangement provided with a carrier substrate
DE202005001559U1 (de) 2005-01-31 2005-05-19 Microelectronic Packaging Dresden Gmbh Chipaufbau für stressempfindliche Chips
DE102005008511B4 (de) 2005-02-24 2019-09-12 Tdk Corporation MEMS-Mikrofon
DE102005008512B4 (de) 2005-02-24 2016-06-23 Epcos Ag Elektrisches Modul mit einem MEMS-Mikrofon
US7202552B2 (en) 2005-07-15 2007-04-10 Silicon Matrix Pte. Ltd. MEMS package using flexible substrates, and method thereof
SG130158A1 (en) * 2005-08-20 2007-03-20 Bse Co Ltd Silicon based condenser microphone and packaging method for the same
DE102005046008B4 (de) 2005-09-26 2007-05-24 Infineon Technologies Ag Halbleitersensorbauteil mit Sensorchip und Verfahren zur Herstellung desselben
DE102005050398A1 (de) 2005-10-20 2007-04-26 Epcos Ag Gehäuse mit Hohlraum für ein mechanisch empfindliches elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung
DE102005053765B4 (de) 2005-11-10 2016-04-14 Epcos Ag MEMS-Package und Verfahren zur Herstellung
DE102005053767B4 (de) 2005-11-10 2014-10-30 Epcos Ag MEMS-Mikrofon, Verfahren zur Herstellung und Verfahren zum Einbau
DE102005054461B4 (de) 2005-11-15 2010-10-14 Daimler Ag Vorrichtung zum schwenkbeweglichen Verbinden von mindestens zwei Bauteilen und Verfahren zur Montage der Vorrichtung
DE102006019118B4 (de) 2006-04-25 2011-08-18 Epcos Ag, 81669 Bauelement mit optischer Markierung und Verfahren zur Herstellung
DE102006025162B3 (de) 2006-05-30 2008-01-31 Epcos Ag Flip-Chip-Bauelement und Verfahren zur Herstellung

Cited By (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7544540B2 (en) 2004-04-22 2009-06-09 Epcos Ag Encapsulated electrical component and production method
US8184845B2 (en) 2005-02-24 2012-05-22 Epcos Ag Electrical module comprising a MEMS microphone
US8582788B2 (en) 2005-02-24 2013-11-12 Epcos Ag MEMS microphone
US8432007B2 (en) 2005-11-10 2013-04-30 Epcos Ag MEMS package and method for the production thereof
WO2007054070A1 (de) * 2005-11-10 2007-05-18 Epcos Ag Mems-package und verfahren zur herstellung
US8169041B2 (en) 2005-11-10 2012-05-01 Epcos Ag MEMS package and method for the production thereof
US8229139B2 (en) 2005-11-10 2012-07-24 Epcos Ag MEMS microphone, production method and method for installing
DE102006046292B4 (de) * 2006-09-29 2014-01-16 Epcos Ag Bauelement mit MEMS-Mikrofon und Verfahren zur Herstellung
US8218794B2 (en) 2006-09-29 2012-07-10 Epcos Ag Component comprising a MEMS microphone and method for the production of said component
DE102006046292A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-03 Epcos Ag Bauelement mit MEMS-Mikrofon und Verfahren zur Herstellung
CN101150888B (zh) * 2007-10-31 2011-03-30 日月光半导体制造股份有限公司 微机电麦克风封装结构及其封装方法
US8553920B2 (en) 2008-10-27 2013-10-08 Epcos Ag Arrangement comprising a microphone
DE102008053327A1 (de) * 2008-10-27 2010-04-29 Epcos Ag Anordnung mit einem Mikrofon
EP2214421A1 (de) * 2009-02-03 2010-08-04 Robert Bosch GmbH Bauelement mit einer mikromechanischen Mikrofonstruktur und Verfahren zum Betreiben eines solchen Bauelements
DE102010062149B4 (de) * 2009-11-30 2013-08-08 Infineon Technologies Ag MEMS-Mikrophonhäusung und MEMS-Mikrophonmodul
US8428286B2 (en) 2009-11-30 2013-04-23 Infineon Technologies Ag MEMS microphone packaging and MEMS microphone module
US9253579B2 (en) 2011-06-30 2016-02-02 Stmicroelectronics Ltd (Malta) Package for a MEMS sensor and manufacturing process thereof
ITTO20110577A1 (it) * 2011-06-30 2012-12-31 Stmicroelectronics Malta Ltd Incapsulamento per un sensore mems e relativo procedimento di fabbricazione
US10329143B2 (en) 2011-06-30 2019-06-25 Stmicroelectronics (Malta) Ltd Package with chambers for dies and manufacturing process thereof
WO2015097035A1 (de) * 2013-12-23 2015-07-02 USound GmbH Mikro-elektromechanischer schallwandler mit schallenergiereflektierender zwischenschicht
US10045125B2 (en) 2013-12-23 2018-08-07 USound GmbH Micro-electromechanical sound transducer with sound energy-reflecting interlayer
DE102013114826A1 (de) * 2013-12-23 2015-06-25 USound GmbH Mikro-elektromechanischer Schallwandler mit schallenergiereflektierender Zwischenschicht
DE102014105849B3 (de) * 2014-04-25 2015-09-17 Epcos Ag Mikrofon mit vergrößertem Rückvolumen und Verfahren zur Herstellung
US9854350B2 (en) 2014-04-25 2017-12-26 Tdk Corporation Microphone having increased rear volume, and method for production thereof
US11267698B2 (en) 2014-08-06 2022-03-08 Infineon Technologies Ag Low profile transducer module
DE102020202544A1 (de) 2020-02-27 2021-09-02 Brose Fahrzeugteile Se & Co. Kommanditgesellschaft, Bamberg Ultraschallsensor eines Kraftfahrzeugs

Also Published As

Publication number Publication date
US20080247585A1 (en) 2008-10-09
US8184845B2 (en) 2012-05-22
WO2006089638A1 (de) 2006-08-31
JP2008532369A (ja) 2008-08-14
DE102005008512B4 (de) 2016-06-23
JP5130054B2 (ja) 2013-01-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102005008512B4 (de) Elektrisches Modul mit einem MEMS-Mikrofon
DE102006046292B4 (de) Bauelement mit MEMS-Mikrofon und Verfahren zur Herstellung
DE102005053767B4 (de) MEMS-Mikrofon, Verfahren zur Herstellung und Verfahren zum Einbau
DE102005053765B4 (de) MEMS-Package und Verfahren zur Herstellung
DE10303263B4 (de) Mikrophonanordnung
DE60003441T2 (de) Druckwandler
DE102008007682B4 (de) Modul mit einem Mikro-Elektromechanischen Mikrofon
DE102014100464B4 (de) Multi-MEMS-Modul
DE102004005668B4 (de) Elektrisches Bauelement und Herstellungsverfahren
DE602004009490T2 (de) Piezoelektrischer Oszillator
DE102004011148B3 (de) Mikrophon und Verfahren zum Herstellen eines Mikrophons
DE102005008514B4 (de) Mikrofonmembran und Mikrofon mit der Mikrofonmembran
DE102011086722A1 (de) Mikromechanische Funktionsvorrichtung, insbesondere Lautsprechervorrichtung, und entsprechendes Herstellungsverfahren
WO2011092137A2 (de) Miniaturisiertes elektrisches bauelement mit einem mems und einem asic und herstellungsverfahren
WO2010089261A2 (de) Sensormodul und verfahren zum herstellen von sensormodulen
DE102012202421A1 (de) Mikroelektromechanische-Systeme-Gehäuse (MEMS-Package)
US10822227B2 (en) Pressure sensor, in particular a microphone with improved layout
DE102011086765A1 (de) Chip mit mikro-elektromechanischer Struktur und Verfahren zum Herstellen eines Chips mit mikro-elektromechanischer Struktur
JP5494038B2 (ja) 電子デバイスおよびその製造方法
DE102007057492A1 (de) Mikroelektromechanisches System
CN117098051A (zh) 一种压电式mems扬声器芯片及其制作方法
DE102007001290A1 (de) Halbleitermodul
DE102007008518A1 (de) Modul mit einem ein bewegliches Element umfassenden Halbleiterchip
WO2005006432A2 (de) Elektronisches bauelement und verfahren zur herstellung
DE102005063640B3 (de) MEMS-Package und Verfahren zur Herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed

Effective date: 20111103

R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: TDK CORPORATION, JP

Free format text: FORMER OWNER: EPCOS AG, 81669 MUENCHEN, DE

R082 Change of representative

Representative=s name: EPPING HERMANN FISCHER, PATENTANWALTSGESELLSCH, DE

Representative=s name: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHA, DE

R020 Patent grant now final