KR20150060469A - 멤스 마이크로폰 패키지 및 멤스 마이크로폰 패키지의 제조 방법 - Google Patents

멤스 마이크로폰 패키지 및 멤스 마이크로폰 패키지의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20150060469A
KR20150060469A KR1020130144917A KR20130144917A KR20150060469A KR 20150060469 A KR20150060469 A KR 20150060469A KR 1020130144917 A KR1020130144917 A KR 1020130144917A KR 20130144917 A KR20130144917 A KR 20130144917A KR 20150060469 A KR20150060469 A KR 20150060469A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chip
mems microphone
substrate
microphone chip
electrically connected
Prior art date
Application number
KR1020130144917A
Other languages
English (en)
Inventor
김선호
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020130144917A priority Critical patent/KR20150060469A/ko
Priority to US14/171,354 priority patent/US20150146888A1/en
Publication of KR20150060469A publication Critical patent/KR20150060469A/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/84Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R19/00Electrostatic transducers
    • H04R19/005Electrostatic transducers using semiconductor materials
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R19/00Electrostatic transducers
    • H04R19/04Microphones
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R31/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of transducers or diaphragms therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/1515Shape
    • H01L2924/15151Shape the die mounting substrate comprising an aperture, e.g. for underfilling, outgassing, window type wire connections

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)

Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 멤스 마이크로폰 패키지는 내부 공간을 구비하는 멤스 마이크로폰 칩; 상기 멤스 마이크로폰 칩이 실장되는 기판; 상기 멤스 마이크로폰 칩에 형성된 내부 공간에 배치되는 에이직 칩; 및 상기 기판과 접합되고 상기 멤스 마이크로폰 칩을 수용하기 위한 내부 공간을 구비하는 케이스;를 포함할 수 있다.

Description

멤스 마이크로폰 패키지 및 멤스 마이크로폰 패키지의 제조 방법{Mems microphone package and manufacturing method thereof}
본 발명은 멤스 마이크로폰 패키지 및 멤스 마이크로폰 패키지의 제조 방법에 관한 것이다.
마이크로폰은, 이동통신 단말기에 필수적으로 사용된다. 전통적인 콘덴서 마이크로폰은, 음압(sound pressure)에 대응하여 변화하는 커패시터(C)를 형성하는 다이어프램/백플레이트 쌍, 그리고 출력신호를 버퍼링하기 위한 전계 효과 트랜지스터(JFET)로 이루어진다.
최근 이러한 전통적인 방식의 콘덴서 마이크로폰보다 진보하여, 마이크로폰에 미세장치의 집적화를 위해 사용되는 기술로서 마이크로머시닝을 이용한 반도체 가공기술이 적용되고 있다.
멤스(MEMS:Micro Electro Mechanical System)라고 불리는 이러한 기술은 반도체공정 특히 집적회로 기술을 응용한 마이크로머시닝 기술을 이용하여 ㎛단위의 초소형센서나 액추에이터 및 전자-기계적 구조물을 제작할 수 있다.
이러한 마이크로머시닝 기술을 이용하여 제작된 멤스 마이크로폰은 종래의 진동판과, 스페이서링, 절연링, 백플레이트, 통전링 등과 같은 전통적인 마이크로폰 부품들을 초정밀 미세 가공을 통하여 소형화, 고성능화, 다기능화, 집적화하여 제작하는 것으로서, 안정성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
한편, 마이크로머시닝 기술을 이용하여 제작된 멤스 마이크로폰에는 멤스(MEMS) 칩과 에이직(ASIC) 칩이 포함되며, 일반적으로 이들 멤스(MEMS) 칩과 에이직(ASIC) 칩은 기판 상에 나란히 배치된다.
그러나, 이러한 형태의 칩 배치는 멤스 마이크로폰을 소형화시키는데 한계가 있다.
참고로, 이와 관련된 선행문헌으로 특허문헌 1이 있다.
한국등록특허공보 10-1039256
본 발명의 일 실시예에 따른 목적은, 에이직 칩을 멤스 마이크로폰 칩에 형성된 내부 공간에 배치하고, 솔더볼에 의해 기판과 전기적으로 연결시킴으로써, 패키지의 전체 사이즈를 줄일 수 있고, 제조 공정을 간소화시킬 수 있는 멤스 마이크로폰 패키지 및 멤스 마이크로폰 패키지의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 멤스 마이크로폰 패키지는 내부 공간을 구비하는 멤스 마이크로폰 칩; 상기 멤스 마이크로폰 칩이 실장되는 기판; 상기 멤스 마이크로폰 칩에 형성된 내부 공간에 배치되는 에이직 칩; 및 상기 기판과 접합되고 상기 멤스 마이크로폰 칩을 수용하기 위한 내부 공간을 구비하는 케이스;를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 멤스 마이크로폰 패키지의 상기 에이직 칩과 상기 멤스 마이크로폰 칩은 솔더볼에 의해 상기 기판과 전기적으로 접속될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 멤스 마이크로폰 패키지의 상기 기판에 형성된 도전성 패턴에 의해 상기 에이직 칩과 상기 멤스 마이크로폰 칩이 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 멤스 마이크로폰 패키지의 상기 케이스와 상기 기판 중 적어도 하나에는 음향홀이 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 멤스 마이크로폰 패키지의 상기 음향홀이 상기 기판에 형성되는 경우, 상기 음향홀은 상기 멤스 마이크로폰 칩에 의해 커버될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 멤스 마이크로폰 패키지의 상기 에이직 칩은 솔더볼에 의해 상기 기판과 전기적으로 접속되며, 상기 멤스 마이크로폰 칩은 와이어 본딩에 의해 상기 기판 및 상기 에이직 칩과 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 멤스 마이크로폰 패키지의 상기 기판은 PCB, 금속판, 세라믹 판, 플라스틱 계열 판 및 수지판 중 어느 하나일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 멤스 마이크로폰 패키지의 상기 케이스는 금속 재질로 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 멤스 마이크로폰 패키지는 음향홀이 형성된 기판; 일측이 개방된 형태로 내부 공간을 제공하고, 상기 개방된 일측에 상기 기판이 결합되는 케이스; 하부에 부착된 솔더볼에 의해 상기 기판과 전기적으로 연결되는 에이직 칩; 및 상기 에이직 칩과 상기 음향홀을 둘러싸도록 내부 공간이 형성되며, 하부에 부착된 솔더볼에 의해 상기 기판에 전기적으로 연결되는 멤스 마이크로폰 칩;을 포함하며, 상기 기판에 형성된 도전성 패턴에 의해 상기 에이직 칩과 상기 멤스 마이크로폰 칩이 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 멤스 마이크로폰 패키지의 제조 방법은 음향홀이 형성된 기판을 제공하는 단계; 솔더볼이 부착된 에이직 칩을 상기 기판에 접속시키는 단계; 멤스 마이크로폰 칩이 상기 음향홀과 상기 에이직 칩을 감싸도록 상기 멤스 마이크로폰 칩을 상기 기판과 접속시키는 단계; 내부 공간에 상기 멤스 마이크로폰 칩 및 상기 에이직 칩을 수용하도록 케이스를 상기 기판에 결합시키는 단계;를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 멤스 마이크로폰 패키지의 제조 방법의 상기 기판을 제공하는 단계는, 상기 기판에 도전성 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 멤스 마이크로폰 패키지의 제조 방법의 상기 멤스 마이크로폰 칩을 상기 기판과 접속시키는 단계는, 상기 멤스 마이크로폰 칩에 형성된 내부 공간에 상기 에이직 칩 및 상기 음향홀이 배치되도록 하는 단계일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 멤스 마이크로폰 패키지 및 멤스 마이크로폰 패키지의 제조 방법에 의하면, 에이직 칩을 멤스 마이크로폰 칩에 형성된 내부 공간에 배치하고, 솔더볼에 의해 기판과 전기적으로 연결시킴으로써, 패키지의 전체 사이즈를 줄일 수 있고, 제조 공정을 간소화시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 멤스 마이크로폰 패키지의 분해 사시도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 멤스 마이크로폰 패키지의 개략 단면도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 멤스 마이크로폰 패키지의 제조 공정을 도시한 순서도.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 멤스 마이크로폰 패키지의 개략 단면도.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세하게 설명한다. 다만, 본 발명의 사상은 제시되는 실시예에 제한되지 아니하고, 본 발명의 사상을 이해하는 당업자는 동일한 사상의 범위 내에서 다른 구성요소를 추가, 변경 또는 삭제 등을 통하여, 퇴보적인 다른 발명이나 본 발명 사상의 범위 내에 포함되는 다른 실시예를 용이하게 제안할 수 있을 것이나, 이 또한 본원 발명 사상의 범위 내에 포함된다고 할 것이다.
아울러, 명세서 전체에서, 어떤 구성이 다른 구성과 '연결'되어 있다 함은 이들 구성들이 '직접적으로 연결'되어 있는 경우뿐만 아니라, 다른 구성을 사이에 두고 '간접적으로 연결'되어 있는 경우도 포함하는 것을 의미한다. 또한, 어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다.
또한, 각 실시예의 도면에 나타나는 동일한 사상의 범위 내의 기능이 동일한 구성요소는 동일한 참조부호를 사용하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 멤스 마이크로폰 패키지의 분해 사시도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 멤스 마이크로폰 패키지의 개략 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 멤스 마이크로폰 패키지는 음성, 음향, 소리 등과 같은 음파를 전기신호로 변환하는 장치로서 기판(40), 에이직 칩(30), 멤스 마이크로폰 칩(20) 및 케이스(10)를 포함할 수 있다.
상기 기판(40)은 PCB, 금속판, 세라믹 판, 플라스틱 계열 판 및 수지판 중 어느 하나일 수 있으며, 상기 기판(40) 상에는 도전성 패턴(41)이 형성될 수 있다.
상기 멤스 마이크로폰 칩(20)과 상기 에이직 칩(30)은 상기 기판(40) 상에 실장되어 상기 기판(40)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 상기 멤스 마이크로폰 칩(20)과 상기 에이직 칩(30)도 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 케이스(10)는 일측이 개방된 형태로 내부 공간(S1)을 제공하고, 상기 개방된 일측에 상기 기판(40)이 결합될 수 있다.
예를 들어, 상기 케이스(10)는 하면이 개방된 직육면체 또는 정육면체 형상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 원통형, 타원형 등 다양한 형태로 변형될 수 있다.
상기 케이스(10)는 금속 재질일 수 있으며, 금속 재질의 상기 케이스(10)는 상기 기판(40)과 결합하여 접지됨으로써, 외부에서 발생되는 EMI(Electromagnetic interference)와 같은 전자기파를 차폐할 수 있다.
상기 케이스(10)의 내부 공간(S1)에는 상기 기판(40) 상에 실장된 상기 멤스 마이크로폰 칩(20)과 상기 에이직 칩(30)이 배치될 수 있다.
여기서, 상기 케이스(10)와 상기 기판(40) 중 적어도 하나에는 음향홀(11, 43)이 형성될 수 있으며, 상기 케이스(10)와 상기 기판(40)의 결합에 의하여 상기 케이스(10)의 내부 공간(S1)은 상기 음향홀(11, 43)을 제외하고 밀폐될 수 있다.
상기 음향홀(11, 43)은 상기 케이스(10)와 상기 기판(40) 중 적어도 하나를 관통하여 형성될 수 있으며, 상기 음향홀(11, 43)을 통하여 외부 음향이 유입될 수 있다.
상기 멤스 마이크로폰 칩(20)에도 내부 공간(S2)이 형성될 수 있으며, 상기 멤스 마이크로폰 칩(20)의 내부 공간(S2)과 상기 케이스(10)의 내부 공간(S1)은 백챔버로서 기능할 수 있다.
상기 멤스 마이크로폰 칩(20)의 구조에 대하여 간단히 설명하면, 상기 멤스 마이크로폰 칩(20)은 단결정의 실리콘 몸체의 상측에 절연층이 형성되고, 식각 가공을 통해 백챔버로 기능하는 내부 공간(S2)과 진동막이 형성된다. 또한, 상기 진동막 상에 백플레이트가 증착된다.
상기 진동막 및 상기 백플레이트 상에는 다수의 홀(23)이 형성되어 상기 멤스 마이크로폰 칩(20)에 형성된 상기 내부 공간(S2)의 공기압과 상기 멤스 마이크로폰 칩(20)의 외부 공기압은 평형을 이룰 수 있다.
상기 멤스 마이크로폰 칩(20)은 상기 기판(40) 상에 실장될 수 있다.
상기 멤스 마이크로폰 칩(20)의 하부에는 솔더볼(21)이 부착될 수 있고, 상기 솔더볼(21)이 상기 도전성 패턴(41)에 연결되어 상기 멤스 마이크로폰 칩(20)은 상기 기판(40)과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 에이직 칩(30)은 특수 목적형 반도체(Application specific integrated circuit) 칩일 수 있으며, 상기 멤스 마이크로폰 칩(20)에서 검출된 정전용량의 변화에 따라 음향 신호를 전기적인 신호로 변환하는 회로가 집적된 칩일 수 있다.
상기 에이직 칩(30)은 상기 멤스 마이크로폰 칩(20)에서 생성된 전기신호를 전송받아 증폭하는 역할을 할 수 있다.
상기 에이직 칩(30)은 상기 기판(40) 상에 실장될 수 있으며, 상기 에이직 칩(30)의 하부에는 솔더볼(31)이 부착될 수 있고, 상기 솔더볼(31)이 상기 도전성 패턴(41)에 연결되어 상기 에이직 칩(30)은 상기 기판(40)과 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 상기 에이직 칩(30)과 상기 멤스 마이크로폰 칩(20)은 상기 솔더볼(21, 31)에 의하여 상기 기판(40)에 형성된 도전성 패턴(41)에 연결되므로, 상기 에이직 칩(30)과 상기 멤스 마이크로폰 칩(20)은 상기 기판(40)에 형성된 도전성 패턴(41)에 의해 전기적으로 서로 연결될 수 있다.
여기서, 상기 에이직 칩(30)은 상기 멤스 마이크로폰 칩(20)에 형성된 내부 공간(S2)에 배치될 수 있다.
상기 멤스 마이크로폰 칩(20)은 상기 에이직 칩(30)을 감싸도록 배치되어 상기 멤스 마이크로폰 칩(20)의 내부 공간(S2)에 상기 에이직 칩(30)이 위치하도록 배치될 수 있다.
여기서, 상기 음향홀(43)이 상기 기판(40)에 형성되는 경우에는 상기 음향홀(43)은 상기 멤스 마이크로폰 칩(20)에 의해 커버될 수 있다.
즉, 내부 공간(S2)이 형성된 상기 멤스 마이크로폰 칩(20)은 상기 에이직 칩(30)과 상기 기판(40)에 형성된 상기 음향홀(43)을 둘러싸도록 배치될 수 있다.
상기 에이직 칩(30)이 상기 멤스 마이크로폰 칩(20)에 형성된 내부 공간(S2)에 배치되므로, 본 발명의 일 실시예에 따른 멤스 마이크로폰 패키지의 전체 사이즈는 상기 멤스 마이크로폰 칩(20)의 사이즈에 의해 결정될 수 있다.
따라서, 상기 멤스 마이크로폰 칩(20)의 사이즈를 조절함으로써 멤스 마이크로폰 패키지의 소형화가 가능하다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 멤스 마이크로폰 패키지의 제조 공정을 도시한 순서도이다.
도 3을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 멤스 마이크로폰 패키지의 제조 방법을 설명한다.
먼저, PCB, 금속판, 세라믹 판, 플라스틱 계열 판 및 수지판 중 어느 하나로 제공되는 상기 기판(40)에 상기 도전성 패턴(41)과 상기 음향홀(43)을 형성한다.
다음으로, 상기 에이직 칩(30)을 상기 기판(40)과 전기적으로 연결시킨다.
이때, 상기 에이직 칩(30)에는 솔더볼(31)이 부착될 수 있고, 상기 솔더볼(31)이 상기 기판(40)에 형성된 상기 도전성 패턴(41)에 연결되어 상기 에이직 칩(30)과 상기 기판(40)은 전기적으로 연결될 수 있다.
다음으로, 상기 멤스 마이크로폰 칩(20)이 상기 음향홀(43)과 상기 에이직 칩(30)을 감싸도록 상기 멤스 마이크로폰 칩(20)을 상기 기판(40)에 접속시킨다.
상기 멤스 마이크로폰 칩(20)에는 솔더볼(21)이 부착될 수 있고, 상기 솔더볼(21)이 상기 기판(40)에 형성된 상기 도전성 패턴(41)에 연결되어 상기 멤스 마이크로폰 칩(20)과 상기 기판(40)은 전기적으로 연결될 수 있다.
이때, 상기 음향홀(43)과 상기 에이직 칩(30)은 상기 멤스 마이크로폰 칩(20)에 형성된 내부 공간(S2)에 위치할 수 있다.
상기 멤스 마이크로폰 칩(20)과 상기 에이직 칩(30)은 상기 기판(40)에 형성된 도전성 패턴(41)에 의하여 전기적으로 서로 연결될 수 있다.
다음으로, 일측이 개방되고 내부 공간(S1)을 제공하는 상기 케이스(10)를 상기 기판(40)과 결합시킨다.
이때, 상기 케이스(10)에 형성된 상기 내부 공간(S1)에는 상기 멤스 마이크로폰 칩(20) 및 상기 에이직 칩(30)이 수용될 수 있다.
이와 같이, 두 번의 다이 어태치(Die attach) 공정만으로 상기 멤스 마이크로폰 칩(20)과 상기 에이직 칩(30)을 상기 기판(40)과 전기적으로 연결시킬 수 있으며, 상기 멤스 마이크로폰 칩(20)과 상기 에이직 칩(30)을 전기적으로 서로 연결시킬 수 있으므로, 제조 공정을 간소화할 수 있다.
또한, 상기 에이직 칩(30)이 상기 멤스 마이크로폰 칩(20)에 형성된 내부 공간(S2)에 배치되므로, 본 발명의 일 실시예에 따른 멤스 마이크로폰 패키지의 전체 사이즈는 상기 멤스 마이크로폰 칩(20)의 사이즈에 의해 결정될 수 있다.
따라서, 상기 멤스 마이크로폰 칩(20)의 사이즈를 조절함으로써 멤스 마이크로폰 패키지의 소형화가 가능하다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 멤스 마이크로폰 패키지의 개략 단면도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 멤스 마이크로폰 패키지는 멤스 마이크로폰 칩(20)이 본딩 와이어(W)에 의해 기판(40) 및 에이직 칩(30)과 연결될 수 있다.
상기 기판(40)은 PCB, 금속판, 세라믹 판, 플라스틱 계열 판 및 수지판 중 어느 하나일 수 있으며, 상기 기판(40) 상에는 도전성 패턴(41)이 형성될 수 있다.
상기 멤스 마이크로폰 칩(20)과 상기 에이직 칩(30)은 상기 기판(40) 상에 실장되어 상기 기판(40)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 상기 멤스 마이크로폰 칩(20)과 상기 에이직 칩(30)도 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 케이스(10)는 일측이 개방된 형태로 내부 공간(S1)을 제공하고, 상기 개방된 일측에 상기 기판(40)이 결합될 수 있다.
상기 케이스(10)의 내부 공간(S1)에는 상기 기판(40) 상에 실장된 상기 멤스 마이크로폰 칩(20)과 상기 에이직 칩(30)이 배치될 수 있다.
여기서, 상기 케이스(10)와 상기 기판(40) 중 적어도 하나에는 음향홀(11, 43)이 형성될 수 있으며, 상기 케이스(10)와 상기 기판(40)의 결합에 의하여 상기 케이스(10)의 내부 공간(S1)은 상기 음향홀(11, 43)을 제외하고 밀폐될 수 있다.
상기 음향홀(11, 43)은 상기 케이스(10)와 상기 기판(40) 중 적어도 하나를 관통하여 형성될 수 있으며, 상기 음향홀(11, 43)을 통하여 외부 음향이 유입될 수 있다.
상기 멤스 마이크로폰 칩(20)에도 내부 공간(S2)이 형성될 수 있으며, 상기 멤스 마이크로폰 칩(20)의 내부 공간(S2)과 상기 케이스(10)의 내부 공간(S1)은 백챔버로서 기능할 수 있다.
상기 멤스 마이크로폰 칩(20)의 구조에 대하여 간단히 설명하면, 상기 멤스 마이크로폰 칩(20)은 단결정의 실리콘 몸체의 상측에 절연층이 형성되고, 식각 가공을 통해 백챔버로 기능하는 내부 공간(S2)과 진동막이 형성된다. 또한, 상기 진동막 상에 백플레이트가 증착된다.
상기 진동막 및 상기 백플레이트 상에는 다수의 홀(23)이 형성되어 상기 멤스 마이크로폰 칩(20)에 형성된 상기 내부 공간(S2)의 공기압과 상기 멤스 마이크로폰 칩(20)의 외부 공기압은 평형을 이룰 수 있다.
상기 멤스 마이크로폰 칩(20)은 상기 기판(40) 상에 실장될 수 있다.
상기 멤스 마이크로폰 칩(20)은 본딩 와이어(W)에 의하여 상기 기판(40)과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 에이직 칩(30)은 특수 목적형 반도체(Application specific integrated circuit) 칩일 수 있으며, 상기 멤스 마이크로폰 칩(20)에서 검출된 정전용량의 변화에 따라 음향 신호를 전기적인 신호로 변환하는 회로가 집적된 칩일 수 있다.
상기 에이직 칩(30)은 상기 멤스 마이크로폰 칩(20)에서 생성된 전기신호를 전송받아 증폭하는 역할을 할 수 있다.
상기 에이직 칩(30)은 상기 기판(40) 상에 실장될 수 있으며, 상기 에이직 칩(30)의 하부에는 솔더볼(31)이 부착될 수 있고, 상기 솔더볼(31)이 상기 도전성 패턴(41)에 연결되어 상기 에이직 칩(30)은 상기 기판(40)과 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 상기 멤스 마이크로폰 칩(20)은 본딩 와이어(W)에 의하여 상기 기판(40)에 형성된 도전성 패턴(41)에 연결되므로, 상기 에이직 칩(30)과 상기 멤스 마이크로폰 칩(20)은 상기 기판(40)에 형성된 도전성 패턴(41)에 의해 전기적으로 서로 연결될 수 있다.
여기서, 상기 에이직 칩(30)은 상기 멤스 마이크로폰 칩(20)에 형성된 내부 공간(S2)에 배치될 수 있다.
상기 멤스 마이크로폰 칩(20)은 상기 에이직 칩(30)을 감싸도록 배치되어 상기 멤스 마이크로폰 칩(20)의 내부 공간(S2)에 상기 에이직 칩(30)이 위치하도록 배치될 수 있다.
여기서, 상기 음향홀(43)이 상기 기판(40)에 형성되는 경우에는 상기 음향홀(43)은 상기 멤스 마이크로폰 칩(20)에 의해 커버될 수 있다.
즉, 내부 공간(S1)이 형성된 상기 멤스 마이크로폰 칩(20)은 상기 에이직 칩(30)과 상기 기판(40)에 형성된 상기 음향홀(43)을 둘러싸도록 배치될 수 있다.
이상의 실시예를 통해, 본 발명의 일 실시예에 따른 멤스 마이크로폰 패키지 및 멤스 마이크로폰 패키지의 제조 방법은, 에이직 칩을 멤스 마이크로폰 칩에 형성된 내부 공간에 배치하고, 솔더볼에 의해 기판과 전기적으로 연결시킴으로써, 패키지의 전체 사이즈를 줄일 수 있고, 제조 공정을 간소화시킬 수 있다.
상기에서는 본 발명에 따른 일 실시예를 기준으로 본 발명의 구성과 특징을 설명하였으나 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 사상과 범위내에서 다양하게 변경 또는 변형할 수 있음은 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자에게 명백한 것이며, 따라서 이와 같은 변경 또는 변형은 첨부된 특허청구범위에 속함을 밝혀둔다.
10: 케이스 11: 음향홀
20: 멤스 마이크로폰 칩 21: 솔더볼
23: 홀 30: 에이직 칩
31: 솔더볼 40: 기판
41: 도전성 패턴 43: 음향홀
S1: 케이스에 형성된 내부 공간
S2: 멤스 마이크로폰 칩에 형성된 내부 공간
W: 본딩 와이어

Claims (12)

  1. 내부 공간을 구비하는 멤스 마이크로폰 칩;
    상기 멤스 마이크로폰 칩이 실장되는 기판;
    상기 멤스 마이크로폰 칩에 형성된 내부 공간에 배치되는 에이직 칩; 및
    상기 기판과 접합되고 상기 멤스 마이크로폰 칩을 수용하기 위한 내부 공간을 구비하는 케이스;를 포함하는 멤스 마이크로폰 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 에이직 칩과 상기 멤스 마이크로폰 칩은 솔더볼에 의해 상기 기판과 전기적으로 접속되는 멤스 마이크로폰 패키지.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 기판에 형성된 도전성 패턴에 의해 상기 에이직 칩과 상기 멤스 마이크로폰 칩이 전기적으로 서로 연결되는 멤스 마이크로폰 패키지.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 케이스와 상기 기판 중 적어도 하나에는 음향홀이 형성되는 멤스 마이크로폰 패키지.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 음향홀이 상기 기판에 형성되는 경우, 상기 음향홀은 상기 멤스 마이크로폰 칩에 의해 커버되는 멤스 마이크로폰 패키지.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 에이직 칩은 솔더볼에 의해 상기 기판과 전기적으로 접속되며, 상기 멤스 마이크로폰 칩은 본딩 와이어에 의해 상기 기판 및 상기 에이직 칩과 전기적으로 연결되는 멤스 마이크로폰 패키지.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 PCB, 금속판, 세라믹 판, 플라스틱 계열 판 및 수지판 중 어느 하나인 멤스 마이크로폰 패키지.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 케이스는 금속 재질로 제공되는 멤스 마이크로폰 패키지.
  9. 음향홀이 형성된 기판;
    일측이 개방된 형태로 내부 공간을 제공하고, 상기 개방된 일측에 상기 기판이 결합되는 케이스;
    하부에 부착된 솔더볼에 의해 상기 기판과 전기적으로 연결되는 에이직 칩; 및
    상기 에이직 칩과 상기 음향홀을 둘러싸도록 내부 공간이 형성되며, 하부에 부착된 솔더볼에 의해 상기 기판에 전기적으로 연결되는 멤스 마이크로폰 칩;을 포함하며,
    상기 기판에 형성된 도전성 패턴에 의해 상기 에이직 칩과 상기 멤스 마이크로폰 칩이 서로 전기적으로 연결되는 멤스 마이크로폰 패키지.
  10. 음향홀이 형성된 기판을 제공하는 단계;
    솔더볼이 부착된 에이직 칩을 상기 기판에 접속시키는 단계;
    멤스 마이크로폰 칩이 상기 음향홀과 상기 에이직 칩을 감싸도록 상기 멤스 마이크로폰 칩을 상기 기판과 접속시키는 단계;
    내부 공간에 상기 멤스 마이크로폰 칩 및 상기 에이직 칩을 수용하도록 케이스를 상기 기판에 결합시키는 단계;를 포함하는 멤스 마이크로폰 패키지의 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 기판을 제공하는 단계는,
    상기 기판에 도전성 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 멤스 마이크로폰 패키지의 제조 방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 멤스 마이크로폰 칩을 상기 기판과 접속시키는 단계는,
    상기 멤스 마이크로폰 칩에 형성된 내부 공간에 상기 에이직 칩 및 상기 음향홀이 배치되도록 하는 단계인 멤스 마이크로폰 패키지의 제조 방법.
KR1020130144917A 2013-11-26 2013-11-26 멤스 마이크로폰 패키지 및 멤스 마이크로폰 패키지의 제조 방법 KR20150060469A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130144917A KR20150060469A (ko) 2013-11-26 2013-11-26 멤스 마이크로폰 패키지 및 멤스 마이크로폰 패키지의 제조 방법
US14/171,354 US20150146888A1 (en) 2013-11-26 2014-02-03 Mems microphone package and method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130144917A KR20150060469A (ko) 2013-11-26 2013-11-26 멤스 마이크로폰 패키지 및 멤스 마이크로폰 패키지의 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20150060469A true KR20150060469A (ko) 2015-06-03

Family

ID=53182685

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130144917A KR20150060469A (ko) 2013-11-26 2013-11-26 멤스 마이크로폰 패키지 및 멤스 마이크로폰 패키지의 제조 방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20150146888A1 (ko)
KR (1) KR20150060469A (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101657651B1 (ko) 2015-08-31 2016-09-19 주식회사 비에스이센서스 확장 백챔버 공간을 갖는 맴스 마이크로폰 패키지 및 그 제조방법
KR101657650B1 (ko) 2015-08-31 2016-09-19 주식회사 비에스이센서스 맴스 마이크로폰 패키지 및 그 방법
WO2017171455A1 (ko) * 2016-03-31 2017-10-05 엘지이노텍 주식회사 복합 센서 패키지
US9924253B2 (en) 2015-07-07 2018-03-20 Hyundai Motor Company Microphone sensor
WO2021080068A1 (ko) * 2019-10-21 2021-04-29 주식회사 파트론 Mems 마이크로폰 패키지

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017221762A1 (ja) * 2016-06-23 2017-12-28 株式会社村田製作所 電気音響変換装置
KR102591814B1 (ko) * 2016-12-13 2023-10-23 삼성전자주식회사 전자 장치의 음향 신호 처리 방법 및 그 전자 장치
CN113411732A (zh) * 2021-07-28 2021-09-17 成都纤声科技有限公司 麦克风封装结构、耳机和电子设备

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005008512B4 (de) * 2005-02-24 2016-06-23 Epcos Ag Elektrisches Modul mit einem MEMS-Mikrofon
US7550828B2 (en) * 2007-01-03 2009-06-23 Stats Chippac, Inc. Leadframe package for MEMS microphone assembly
US7557417B2 (en) * 2007-02-21 2009-07-07 Infineon Technologies Ag Module comprising a semiconductor chip comprising a movable element
US7812418B2 (en) * 2008-07-29 2010-10-12 Fortemedia, Inc Chip-scaled MEMS microphone package
EP2252077B1 (en) * 2009-05-11 2012-07-11 STMicroelectronics Srl Assembly of a capacitive acoustic transducer of the microelectromechanical type and package thereof
US8571249B2 (en) * 2009-05-29 2013-10-29 General Mems Corporation Silicon microphone package
US9215519B2 (en) * 2010-07-30 2015-12-15 Invensense, Inc. Reduced footprint microphone system with spacer member having through-hole
WO2012051340A1 (en) * 2010-10-12 2012-04-19 Analog Devices, Inc. Microphone package with embedded asic
DE102011004577B4 (de) * 2011-02-23 2023-07-27 Robert Bosch Gmbh Bauelementträger, Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelementträgers sowie Bauteil mit einem MEMS-Bauelement auf einem solchen Bauelementträger
JP5853429B2 (ja) * 2011-06-15 2016-02-09 株式会社大真空 電子部品用パッケージおよび圧電振動デバイス

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9924253B2 (en) 2015-07-07 2018-03-20 Hyundai Motor Company Microphone sensor
KR101657651B1 (ko) 2015-08-31 2016-09-19 주식회사 비에스이센서스 확장 백챔버 공간을 갖는 맴스 마이크로폰 패키지 및 그 제조방법
KR101657650B1 (ko) 2015-08-31 2016-09-19 주식회사 비에스이센서스 맴스 마이크로폰 패키지 및 그 방법
WO2017171455A1 (ko) * 2016-03-31 2017-10-05 엘지이노텍 주식회사 복합 센서 패키지
US11041744B2 (en) 2016-03-31 2021-06-22 Lg Innotek Co., Ltd. Composite sensor package
WO2021080068A1 (ko) * 2019-10-21 2021-04-29 주식회사 파트론 Mems 마이크로폰 패키지

Also Published As

Publication number Publication date
US20150146888A1 (en) 2015-05-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20150060469A (ko) 멤스 마이크로폰 패키지 및 멤스 마이크로폰 패키지의 제조 방법
US11225408B2 (en) System and method for a mems transducer
KR100740463B1 (ko) 실리콘 콘덴서 마이크로폰
US9462389B2 (en) Anti-impact silicon based MEMS microphone, a system and a package with the same
TWI475893B (zh) microphone
KR101339909B1 (ko) 마이크로폰 패키지
US9319772B2 (en) Multi-floor type MEMS microphone
US10934160B2 (en) System of non-acoustic sensor combined with MEMS microphone
KR101454325B1 (ko) 멤스 마이크로폰
US10822227B2 (en) Pressure sensor, in particular a microphone with improved layout
JP4655017B2 (ja) 音響センサ
US9120668B2 (en) Microphone package and mounting structure thereof
KR102359943B1 (ko) 마이크로폰 장치
JP2005340961A (ja) 音波受信装置
US20150139467A1 (en) Acoustic device and microphone package including the same
JP5402320B2 (ja) マイクロホンユニット
KR20150063825A (ko) 마이크로폰 패키지 및 마이크로폰 패키지 제조방법
KR101877838B1 (ko) 멤스 마이크로폰 소자 및 이를 포함하는 멤스 마이크로폰 모듈
KR100870991B1 (ko) 세라믹 패키지를 이용한 콘덴서 마이크로폰
JP2006332799A (ja) 音響センサ
KR101496200B1 (ko) 복수의 진동판을 구비한 멤스 마이크로폰
KR20120054244A (ko) 마이크로폰
KR20130003418U (ko) 멤스 마이크로폰
JP2011004109A (ja) Memsデバイス

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid