JPS60111129A - 圧力センサ - Google Patents
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- JPS60111129A JPS60111129A JP58219223A JP21922383A JPS60111129A JP S60111129 A JPS60111129 A JP S60111129A JP 58219223 A JP58219223 A JP 58219223A JP 21922383 A JP21922383 A JP 21922383A JP S60111129 A JPS60111129 A JP S60111129A
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- G—PHYSICS
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-
- G—PHYSICS
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- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0001—Transmitting or indicating the displacement of elastically deformable gauges by electric, electro-mechanical, magnetic or electro-magnetic means
- G01L9/0007—Transmitting or indicating the displacement of elastically deformable gauges by electric, electro-mechanical, magnetic or electro-magnetic means using photoelectric means
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
- G01N21/37—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light using pneumatic detection
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、圧力変化を可動板の変位あるいはトルクとし
て検出する圧力センサに関するものである。更に詳しく
は、本発明は、例えば0.01μm水柱といつた程度の
微小圧力測定を行なう場合に使用して特に有効な圧力セ
ンサに関するものである。
て検出する圧力センサに関するものである。更に詳しく
は、本発明は、例えば0.01μm水柱といつた程度の
微小圧力測定を行なう場合に使用して特に有効な圧力セ
ンサに関するものである。
従来、微小圧力測定の可能な圧力センサとして、コンデ
ンサマイクロホンが知られている。これは、圧力を受け
る金属膜と、この金属膜に対向設置された固定電極とで
構成されており、圧力による金属膜の変位を金属膜と固
定電極の間の静電容量変化として検出するものである。
ンサマイクロホンが知られている。これは、圧力を受け
る金属膜と、この金属膜に対向設置された固定電極とで
構成されており、圧力による金属膜の変位を金属膜と固
定電極の間の静電容量変化として検出するものである。
しかしながら、この装置においては、金属膜を全面に亘
って均一に張力がかかるように張らないと、検出感度に
ばらつきを生じ良好な特性が得られないという問題点が
ある。また、検出感度が高゛いが故に、振動雑音や姿勢
変化の影響を受けやすいという欠点がある。
って均一に張力がかかるように張らないと、検出感度に
ばらつきを生じ良好な特性が得られないという問題点が
ある。また、検出感度が高゛いが故に、振動雑音や姿勢
変化の影響を受けやすいという欠点がある。
本発明は、従来技術におけるこれらの問題点や欠点に鑑
みてなされたもので、構成が簡単で振動雑音や姿勢変化
の影響を受けKくい、高感度の圧力センザを実現しよう
とするものである。
みてなされたもので、構成が簡単で振動雑音や姿勢変化
の影響を受けKくい、高感度の圧力センザを実現しよう
とするものである。
本発明に係る装置は、スリット孔を有した固定板と、こ
の固定板と対向配置され測定すべき圧力が与えられる可
動板と、この可動板が回転できるようにその重心を通る
直線上の2点で当該可動板を支持する支持部と、可動板
の変位又はトルクを検出する検出手段とで構成される。
の固定板と対向配置され測定すべき圧力が与えられる可
動板と、この可動板が回転できるようにその重心を通る
直線上の2点で当該可動板を支持する支持部と、可動板
の変位又はトルクを検出する検出手段とで構成される。
第1図は、本発明に係る圧力センサの一例を示す構成断
面図、第2図は一部を断面で示す要部斜視図、第3図は
要部の組立構成図である。ここでは圧力P1と圧力P2
の差圧を検出する場合を例示する。これらの図において
、1は容器、24.22はこの容器内を2部分に仕切る
隔壁である。隔壁21゜22で仕切られた各部屋1a、
Ib内には、圧力導入孔11、12から測定すべき圧力
P1.P2が導入されている。
面図、第2図は一部を断面で示す要部斜視図、第3図は
要部の組立構成図である。ここでは圧力P1と圧力P2
の差圧を検出する場合を例示する。これらの図において
、1は容器、24.22はこの容器内を2部分に仕切る
隔壁である。隔壁21゜22で仕切られた各部屋1a、
Ib内には、圧力導入孔11、12から測定すべき圧力
P1.P2が導入されている。
3は本発明において特徴としている圧力検知部で、隔壁
21,221C固定された固定板4と、スペーサ5を介
して固定板4と僅かな間隔dを隔てて対向配置された可
動部6とで構成されている。なお、スペーサ5は、固定
板4上に設けたメッキ層を利用し、僅かな間隔dを得る
ようにしてもよい。
21,221C固定された固定板4と、スペーサ5を介
して固定板4と僅かな間隔dを隔てて対向配置された可
動部6とで構成されている。なお、スペーサ5は、固定
板4上に設けたメッキ層を利用し、僅かな間隔dを得る
ようにしてもよい。
固定板4には、部屋1bの圧力を導びく複数個ののスリ
ット(ここでは5個のスリット)が設けられている。ま
た可動部6は、フレーム61、このフレーム61に支持
部63を介して支持されるとともに、固定板4に対して
対向するように設置された可動板62とから成シ、可動
板62には複数個のスリット(ここでは5個のスリット
)64が固定板4の複数個のスリット41とは対向しな
い位置に設けられている。ここで、可動板62を支持す
る支持部63は、ばねとしても機能するものであり、こ
の可動板が回転できるように、可動部620重心P(第
3図参照)を通る直線t1上の2点でこの可動板62を
支持している。
ット(ここでは5個のスリット)が設けられている。ま
た可動部6は、フレーム61、このフレーム61に支持
部63を介して支持されるとともに、固定板4に対して
対向するように設置された可動板62とから成シ、可動
板62には複数個のスリット(ここでは5個のスリット
)64が固定板4の複数個のスリット41とは対向しな
い位置に設けられている。ここで、可動板62を支持す
る支持部63は、ばねとしても機能するものであり、こ
の可動板が回転できるように、可動部620重心P(第
3図参照)を通る直線t1上の2点でこの可動板62を
支持している。
なお、この例では、可動板62には、2つの支持部63
を結ぶ直線t1(回転軸に相−当)K対して、左片側に
のみスリット孔64が設けである。
を結ぶ直線t1(回転軸に相−当)K対して、左片側に
のみスリット孔64が設けである。
71は固定板4に設けた電極板、72は電極板711C
対向して、可動板62に設けた電極板で、これらは可動
板62の変位検出手段を構成している。
対向して、可動板62に設けた電極板で、これらは可動
板62の変位検出手段を構成している。
との様に構成した装置の動作を次に説明する。
圧力導入孔H,12に圧力を導入しない状態(部屋1a
と1b内の圧力が等しい状態)では、可動板62は固定
板4との間でスペーサ5の厚さと等しい僅かな間隔dを
保って保持されている。
と1b内の圧力が等しい状態)では、可動板62は固定
板4との間でスペーサ5の厚さと等しい僅かな間隔dを
保って保持されている。
圧力導入孔11から圧力P1が、圧力導入孔12がら圧
力P2が導入された場合(Pl〈P2の場合とする)、
部屋1bの圧力P2は固定板4に設けた複数個のスリッ
ト孔41を矢印に示すように通少、可動板62のスリッ
ト孔のない片側裏面に加わる。また、部屋1&の圧力P
、は、可動板620表面全体に亘って加わるとともに、
可動板62のスリ、ト孔64を通って可動板62のスリ
ット孔64が設けられている片側裏面にも加わる。第4
図は、この状態における可動板62に加わる圧力の状態
を示している。
力P2が導入された場合(Pl〈P2の場合とする)、
部屋1bの圧力P2は固定板4に設けた複数個のスリッ
ト孔41を矢印に示すように通少、可動板62のスリッ
ト孔のない片側裏面に加わる。また、部屋1&の圧力P
、は、可動板620表面全体に亘って加わるとともに、
可動板62のスリ、ト孔64を通って可動板62のスリ
ット孔64が設けられている片側裏面にも加わる。第4
図は、この状態における可動板62に加わる圧力の状態
を示している。
このため、可動板62において、スリット孔64が設け
られている片側はスリット孔64を介して表側と、裏側
との圧力はPlとなりトルクは生じない。
られている片側はスリット孔64を介して表側と、裏側
との圧力はPlとなりトルクは生じない。
これに対して、スリット孔64が設けられていない他方
の片側は、表側と裏側とでは圧力P1とP2がそれぞれ
与えられるため、P、とP2の差に比例したトルクが生
じ、これが支持部63に加わる。支持部63は、ばねと
しても機能しておシ、このトルクによって矢印ωに示す
ように捩れ、可動板62がPlとP2の差に対応した角
度だけ傾斜する。
の片側は、表側と裏側とでは圧力P1とP2がそれぞれ
与えられるため、P、とP2の差に比例したトルクが生
じ、これが支持部63に加わる。支持部63は、ばねと
しても機能しておシ、このトルクによって矢印ωに示す
ように捩れ、可動板62がPlとP2の差に対応した角
度だけ傾斜する。
なお、ここで、固定板4と可動板62にはスリット孔4
j、64が設けられておシ、マた可動板62とフt/−
ムロ1との間は分離されているので、部屋1&と1b内
の流体(気体又は液体)がこれらを通して漏れるが、ス
リット孔41やスリット孔64の大きさ、可動板62と
フレーム61との間の空隙幅d4、固定板4と可動板6
との間隔dを小さくすることによυ、各部分での流体抵
抗が大きくなり、可動板62を圧力差に対応した角度で
傾斜させることができる。
j、64が設けられておシ、マた可動板62とフt/−
ムロ1との間は分離されているので、部屋1&と1b内
の流体(気体又は液体)がこれらを通して漏れるが、ス
リット孔41やスリット孔64の大きさ、可動板62と
フレーム61との間の空隙幅d4、固定板4と可動板6
との間隔dを小さくすることによυ、各部分での流体抵
抗が大きくなり、可動板62を圧力差に対応した角度で
傾斜させることができる。
可動板62の変位(傾斜角変化)は、電極板71と72
間の静電容量の変化となるもので、この静電容量変化を
測定することにより、P、とP2の圧力差を知ることが
できる。
間の静電容量の変化となるもので、この静電容量変化を
測定することにより、P、とP2の圧力差を知ることが
できる。
この様に構成された装置は、可動板62がその重心を通
る直線上の2点で支持され、圧力に基づく可動板のトル
ク(あるいは可動板の傾斜)を検出することから、重力
および外部振動による加速度(並進運動成分)は、可動
板62を回転させる力(トルク)とならず、圧力を振動
雑音や姿勢変化(重力)の影響を受けず測定することが
できる。
る直線上の2点で支持され、圧力に基づく可動板のトル
ク(あるいは可動板の傾斜)を検出することから、重力
および外部振動による加速度(並進運動成分)は、可動
板62を回転させる力(トルク)とならず、圧力を振動
雑音や姿勢変化(重力)の影響を受けず測定することが
できる。
なお、上記の実施例において、測定すべき圧力が所定の
周波数で脈動する場合、可動板62の慣性モーメン)I
と支持部63のばね定数Kにより定まる可動部の共振周
波数f。を、測定すべき圧力の脈動周波数と一致させる
と、s/N比が良好になるとともに、検出感度を高くす
ることができる。
周波数で脈動する場合、可動板62の慣性モーメン)I
と支持部63のばね定数Kにより定まる可動部の共振周
波数f。を、測定すべき圧力の脈動周波数と一致させる
と、s/N比が良好になるとともに、検出感度を高くす
ることができる。
すなわち、可動板621C脈動圧力が与えられる場合、
この可動板はこの脈動圧力に応じである振幅で振動(回
動変位)するが、可動部の共振周波数fQ ヲ脈動圧力
の周波数と一致させておくと、共振現象によって可動部
の振動振幅が9倍されるからである。ここて、Qは(1
)式て表わすことができる。
この可動板はこの脈動圧力に応じである振幅で振動(回
動変位)するが、可動部の共振周波数fQ ヲ脈動圧力
の周波数と一致させておくと、共振現象によって可動部
の振動振幅が9倍されるからである。ここて、Qは(1
)式て表わすことができる。
Rは制動抵抗
ただし ω。は共振時の角周波数で、ωo= Tて表わ
される。
される。
可動部の共振周波数f。は、可動板62のスリット64
の数や形状あるいは材料を、また支持部65のばね定数
Kを選定することKより調整できる。また、可動部の共
振に対する制動抵抗Rは、可動板62及び固定板4に設
けるスリットの数や大きさを変更したり、可動部6と固
定板4との間隔dを変更することにより調整できる。
の数や形状あるいは材料を、また支持部65のばね定数
Kを選定することKより調整できる。また、可動部の共
振に対する制動抵抗Rは、可動板62及び固定板4に設
けるスリットの数や大きさを変更したり、可動部6と固
定板4との間隔dを変更することにより調整できる。
上記の実施例では、可動板62の1ルク(回転変位)を
検出するのに、可動板61の回転軸に対して片側に設け
た電極板71 、72の静電容量変化を検出するように
したが、可動板610回転軸に対して両側にそれぞれ電
極板を設けるとともに、これらの電孤板に対向して固定
板4側にもそれぞれ電極板を設け、各対向電極板間の静
電容量C,,C2の差を検出するようにしてもよい。こ
の場合、上記の実施例に比べて検出感度が2倍向上する
ととも属、重力や振動の影響を効果的にキャンセルでき
る。
検出するのに、可動板61の回転軸に対して片側に設け
た電極板71 、72の静電容量変化を検出するように
したが、可動板610回転軸に対して両側にそれぞれ電
極板を設けるとともに、これらの電孤板に対向して固定
板4側にもそれぞれ電極板を設け、各対向電極板間の静
電容量C,,C2の差を検出するようにしてもよい。こ
の場合、上記の実施例に比べて検出感度が2倍向上する
ととも属、重力や振動の影響を効果的にキャンセルでき
る。
なお、可動板62のトルク又は回動変位の検出手段とし
ては、静電容量を利用するもの以外、公知の各技術手段
を利用することができる。
ては、静電容量を利用するもの以外、公知の各技術手段
を利用することができる。
第5図、第6図、第8図及び第9図は可動板62の回動
変位又はトルクの検出手段の例を示す構成説明図である
。
変位又はトルクの検出手段の例を示す構成説明図である
。
第5図の実施例においては、容器1に光透過用の窓13
を設け、ラング81からの光をレン7::82、窓15
を介して可動板62の表面に照射させ、可動板620回
動変位に基つく反射光の変位を受光器85で検出するよ
うにしたものである。なお、可動板62の表面は光を反
射するように構成、され〜また)レンズ82は受光器8
3上に焦点を結ぶように設置されている。
を設け、ラング81からの光をレン7::82、窓15
を介して可動板62の表面に照射させ、可動板620回
動変位に基つく反射光の変位を受光器85で検出するよ
うにしたものである。なお、可動板62の表面は光を反
射するように構成、され〜また)レンズ82は受光器8
3上に焦点を結ぶように設置されている。
この例によれば、容器1の内部にリード線等を介して電
気信号を導び〈必要がないので、構成が簡単で、また本
質安全防爆上有利であるという利点がある。
気信号を導び〈必要がないので、構成が簡単で、また本
質安全防爆上有利であるという利点がある。
第6図に示す実施例においては、可動板62の支持部6
5にストレンゲ−シフ5を取付け、可動j7!162の
回動変位によって生ずる支持部63の歪変化を、ストレ
ンゲ−シフ5の抵抗変化として検出するようにしたもの
である。ここで、ストレンゲ−シフ5は、支持−563
の回転軸t1に対して45°傾けて取付けである。
5にストレンゲ−シフ5を取付け、可動j7!162の
回動変位によって生ずる支持部63の歪変化を、ストレ
ンゲ−シフ5の抵抗変化として検出するようにしたもの
である。ここで、ストレンゲ−シフ5は、支持−563
の回転軸t1に対して45°傾けて取付けである。
支持部63に捩れが生じてない状態(可動板62にトル
クが生じてない状態)では、ストレンゲーク75には、
第7図(、)に示すように歪が与えられず、抵抗値変化
は生じない。支持部65に第7図(b) K示すように
可動板620回動に基ついて捩れωが生じなる。
クが生じてない状態)では、ストレンゲーク75には、
第7図(、)に示すように歪が与えられず、抵抗値変化
は生じない。支持部65に第7図(b) K示すように
可動板620回動に基ついて捩れωが生じなる。
第8図に示す実施例においては、支持部63に回転軸t
、といずれも45°の角度をなすように4個のストレン
ゲ−シフ5を取付けるとともに、これらをブリッジ接続
させ、このブリッジの電源端に直流電源Eを接続し、検
電端からの電圧信号eを出力信号として得る本のである
。
、といずれも45°の角度をなすように4個のストレン
ゲ−シフ5を取付けるとともに、これらをブリッジ接続
させ、このブリッジの電源端に直流電源Eを接続し、検
電端からの電圧信号eを出力信号として得る本のである
。
第2図に示す実施例においては、支持部65を例えば圧
電効果を持った水晶で構成し、これに電極76、77を
図示するように対向設置し、支持部63に生ずる応力変
化を、電極76.77間の電荷の変化として検出するも
のである〇 すなわち、支持部63を矢印X、Y、Zに示す方向に結
晶軸を有する水晶で構成した場合、第10図に示すよう
に支持部65が捩れると、X軸方向に電荷が生じ、しか
もこの電荷の極性は、捩れの中心から+X方向と−X方
向とではせん断歪の向きが逆となるために図示するよう
に逆極性となる。よって、電極76、77から支持部6
5に捩れに基ついて発生する電荷を検出することができ
る。
電効果を持った水晶で構成し、これに電極76、77を
図示するように対向設置し、支持部63に生ずる応力変
化を、電極76.77間の電荷の変化として検出するも
のである〇 すなわち、支持部63を矢印X、Y、Zに示す方向に結
晶軸を有する水晶で構成した場合、第10図に示すよう
に支持部65が捩れると、X軸方向に電荷が生じ、しか
もこの電荷の極性は、捩れの中心から+X方向と−X方
向とではせん断歪の向きが逆となるために図示するよう
に逆極性となる。よって、電極76、77から支持部6
5に捩れに基ついて発生する電荷を検出することができ
る。
なお、第9図、第10図では支持部65を圧電材料で構
成したものであるが、これを圧電材料以外の材料で構成
し、ここにPZTのような圧電素子を設置し、支持部6
5t/C生ずる応力又は歪を検出してもよい。
成したものであるが、これを圧電材料以外の材料で構成
し、ここにPZTのような圧電素子を設置し、支持部6
5t/C生ずる応力又は歪を検出してもよい。
第11図及び第12図は本発明に係る装置において、可
動板62の他の形状例を示す要部の平面図及び断面図で
ある。
動板62の他の形状例を示す要部の平面図及び断面図で
ある。
第11図の例では、可動板62に、回転軸11に対して
左側片面62aのほぼ全面に亘るようにピッチP1で並
ぶ複数個(ここでは9個)のスリット孔64mを形成す
るとともに1右側片面62bの上下周縁部分に分けて、
合計してスリット孔64aと同じ数で、同じ形状のスリ
ット孔64bを形成したものである。
左側片面62aのほぼ全面に亘るようにピッチP1で並
ぶ複数個(ここでは9個)のスリット孔64mを形成す
るとともに1右側片面62bの上下周縁部分に分けて、
合計してスリット孔64aと同じ数で、同じ形状のスリ
ット孔64bを形成したものである。
可動板62をこの様な構成とすると、可動板62の回転
軸t、を可動板62の左右対称位置にもってくることが
できる。また、スリット孔64aの形状が多少変化して
も、スリット孔64b側でこれを補償するので、左右の
パ2ンスを容易にとることができる。
軸t、を可動板62の左右対称位置にもってくることが
できる。また、スリット孔64aの形状が多少変化して
も、スリット孔64b側でこれを補償するので、左右の
パ2ンスを容易にとることができる。
なお、この実施例ではスリット孔64m、64bを、い
ずれも回転軸t1に対して直角方向に延びる形状とした
ものであるが、回転軸t、に対して平行又は他の角度で
延びる様ような形状としてもよい。
ずれも回転軸t1に対して直角方向に延びる形状とした
ものであるが、回転軸t、に対して平行又は他の角度で
延びる様ような形状としてもよい。
第12図の例では、可動板62にスリット孔を形成させ
ない構成とし、これに代えて、固定板4において、回転
軸に対して片方の側に凹部42を設け、この部分の固定
板4と可動板62との間隔をd2(d〈d2)としたも
のである。この様な構成圧すると、凹部42内の圧力は
Pl又はこれに近い圧力となって、可動板62KP、と
P2の圧力差に対応したトルクが作用する。
ない構成とし、これに代えて、固定板4において、回転
軸に対して片方の側に凹部42を設け、この部分の固定
板4と可動板62との間隔をd2(d〈d2)としたも
のである。この様な構成圧すると、凹部42内の圧力は
Pl又はこれに近い圧力となって、可動板62KP、と
P2の圧力差に対応したトルクが作用する。
第13図は本発明に係る装置において、可動部6を、異
方性エツチングのできるSl基板、ガラスあるいは51
02の単結晶であるα水晶板で構成した場合の一例を示
す平面図である。この実施例では支持部63を結ぶ回転
軸t1に対して左側片面62aと右側片面62bの形状
をいずれも六角形状とするとともに、一方の片面62a
側全面に複数個のスリット孔64aを、他方の片面62
b側の上下の周縁部分に、スリット孔64&と同じ数で
同じ形状のスリット孔64bを形成させたものである。
方性エツチングのできるSl基板、ガラスあるいは51
02の単結晶であるα水晶板で構成した場合の一例を示
す平面図である。この実施例では支持部63を結ぶ回転
軸t1に対して左側片面62aと右側片面62bの形状
をいずれも六角形状とするとともに、一方の片面62a
側全面に複数個のスリット孔64aを、他方の片面62
b側の上下の周縁部分に、スリット孔64&と同じ数で
同じ形状のスリット孔64bを形成させたものである。
また可動板62a。
62bの各先端部(回転軸t1がら最も遠い部分)には
、オーバレンジストンパーとしての役目をする突起部6
5を形成しである。
、オーバレンジストンパーとしての役目をする突起部6
5を形成しである。
第14図は第13図に示す可動部を製作する製造方法の
一例を示す簡略工程図である。この例では基板材料とし
て、α水晶の2板を使用する場合であって、@)は、こ
の水晶基板60の光学軸21機械軸Y、電気軸Xの方向
をそれぞれ示している。
一例を示す簡略工程図である。この例では基板材料とし
て、α水晶の2板を使用する場合であって、@)は、こ
の水晶基板60の光学軸21機械軸Y、電気軸Xの方向
をそれぞれ示している。
先ずはじめに、(ロ)に示すように水晶の2基板の両面
に例えばCrあるいはN1等のマスク物質層67をスパ
ッタあるいは蒸着等によシ被着し、その上にレジスト層
68を例えば塗布して、被着する。
に例えばCrあるいはN1等のマスク物質層67をスパ
ッタあるいは蒸着等によシ被着し、その上にレジスト層
68を例えば塗布して、被着する。
次に(ハ)に示すように、水晶基板60に構成すべきフ
レーム61.可動板62.スリット孔642図示されて
いないが支持部等の所定形状をホトリソグラフィー(写
真食刻)の技術によυ作成する。ここで、フレーム61
と可動板64の間隔L1.スリット64の幅I、ld、
いずれも所定間隔取去に選定しておくものとする。
レーム61.可動板62.スリット孔642図示されて
いないが支持部等の所定形状をホトリソグラフィー(写
真食刻)の技術によυ作成する。ここで、フレーム61
と可動板64の間隔L1.スリット64の幅I、ld、
いずれも所定間隔取去に選定しておくものとする。
続いて、水晶基板60を水晶加工剤、例えばフッ化水素
酸水溶液に入れ、エツチングすると、に)に示すように
基板60が選択的に除去され、所唸の形状をもりた可動
部6を完成することができる・ここで、に)に示すよう
に、エツチングされる理由は次の通りである。すなわち
、水晶基板60において、その2軸方向からのエツチン
グ速度が、に)に示す結晶面A及びBのエツチング速度
よυ数十倍以上速いためで、この場合図示する角度θA
が30°、θBが80°となって横方向のエツチングが
それ以上進まなくなるからである。このことから、水請
基板60を切シ離す場合(除去する場合)、パターンと
パターンとの間隔L1. L2は、 LO= : ・jan (904A) + tan (
90−θB)ただし、t:水晶基板10の厚さ 以上の長さり。に選定しておけばよい。
酸水溶液に入れ、エツチングすると、に)に示すように
基板60が選択的に除去され、所唸の形状をもりた可動
部6を完成することができる・ここで、に)に示すよう
に、エツチングされる理由は次の通りである。すなわち
、水晶基板60において、その2軸方向からのエツチン
グ速度が、に)に示す結晶面A及びBのエツチング速度
よυ数十倍以上速いためで、この場合図示する角度θA
が30°、θBが80°となって横方向のエツチングが
それ以上進まなくなるからである。このことから、水請
基板60を切シ離す場合(除去する場合)、パターンと
パターンとの間隔L1. L2は、 LO= : ・jan (904A) + tan (
90−θB)ただし、t:水晶基板10の厚さ 以上の長さり。に選定しておけばよい。
なお、ここでは両方の面からエツチングする場合を示し
ているが、片方の面からエツチングすることもでき、こ
σ場合、Ll、 L、は前記した長さり。
ているが、片方の面からエツチングすることもでき、こ
σ場合、Ll、 L、は前記した長さり。
の2倍以上に選定される。
このような製造工程によるものは、フレームや可動板及
びスリット孔の形状の形成を少ない工程でしかも多数同
時に実現することができる利点がある。また、基板60
上に電極板を形成させる場合も、この工程の中で作るこ
とができる。
びスリット孔の形状の形成を少ない工程でしかも多数同
時に実現することができる利点がある。また、基板60
上に電極板を形成させる場合も、この工程の中で作るこ
とができる。
なお、第14図で示す製作方法は、固定板4を作る場合
にも基板材料を異方性エツチング可能な材料とすること
によシ同様に適用することができる。
にも基板材料を異方性エツチング可能な材料とすること
によシ同様に適用することができる。
以上説明したように、本発明によれば構成が簡単で、振
動雑音や姿勢変化の影響を#1とんど受けない高感度の
圧力センサが実現できる。
動雑音や姿勢変化の影響を#1とんど受けない高感度の
圧力センサが実現できる。
第1図は本発明に係る圧力センナの一例を示す構成断面
図、第2図は一部を断面で示す要部斜視図、第3図は要
部の組立構成図、第4図は可動板に加わる圧力の状態を
示す説明図、第5図、第6図、第8図及び第9図は可動
板の回動変位又はトルクの検出手段の一例を示す構成説
明図、第7図け第6図の動作説明図、第10図は第9図
の動作説明図、第11図及び第12図は可動板の他の形
状例を示す要部の平面図及び断面図、第13図は可動部
を異方性エツチングできる材料で構成した場合の一例を
示す平面図、第14図は第13図に示す可動部を製作す
る方法の・−例を示す簡略工程図である。 1・・・容器、3・・・圧力検知部、4・・・固定板、
41・・・スリット孔、5・・・スペーサ、6・・・可
動部、61・・・フレーム、62・・・可動板、63・
・・支持部、64・・・スリット、71.72・・・電
極板。 M2O図 ハ b
図、第2図は一部を断面で示す要部斜視図、第3図は要
部の組立構成図、第4図は可動板に加わる圧力の状態を
示す説明図、第5図、第6図、第8図及び第9図は可動
板の回動変位又はトルクの検出手段の一例を示す構成説
明図、第7図け第6図の動作説明図、第10図は第9図
の動作説明図、第11図及び第12図は可動板の他の形
状例を示す要部の平面図及び断面図、第13図は可動部
を異方性エツチングできる材料で構成した場合の一例を
示す平面図、第14図は第13図に示す可動部を製作す
る方法の・−例を示す簡略工程図である。 1・・・容器、3・・・圧力検知部、4・・・固定板、
41・・・スリット孔、5・・・スペーサ、6・・・可
動部、61・・・フレーム、62・・・可動板、63・
・・支持部、64・・・スリット、71.72・・・電
極板。 M2O図 ハ b
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1) 圧力が導入されるスリット孔を有した固定板、
この固定板と対向配置され一方の面に第1の圧力を受け
るとともに他方の面に前記固定板のスリット孔を介して
導入された第2の圧力を受ける可動板、この可動板の重
心を通る直線上の2点で当該可動板を回動可能に支持す
る支持部、前記可動板の変位又はトルクを検出し前記第
1の圧力と第2の圧力の差圧に対応した信号を出力する
検出手段を具備した圧力センサ。 (2) 第1の圧力と第2の圧力は所定周期で脈動する
ものであって、可動板の慣性モーメントと支持部のばね
定数とにより定まる可動部分の共振周波数を、前記第1
.第2の圧力の脈動周波数と一致させたことを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の圧力センザ。 (6) 可動板は、支持部を結ぶ回転軸に対して一方の
片方側に複数個のスリット孔を有し、他方の片方側に第
2の圧力が与えられることを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載の圧力センサ。 (4) 可動板は、支持部を結ぶ回転軸に対して一方の
片方側はぼ全面に配列する複数個のスリット孔を有する
とともに、他方の片方側周縁部付近に一方の側と同じ数
で同じ形状のスリット孔を有することを特徴とする特許
請求の範囲81項記載の圧力センサ。 (5) 可動板は、支持部を結ぶ回転軸から最も離れた
部分にオーバレンジストッパとしての役目をする突起部
を有することを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
圧力センサ・(6) 固定板は、可動板の支持部を結ぶ
回転軸に対して一方の側に対向する部分に複数個のスリ
ット孔を有するとともに、他方の側に対向する部分に凹
部を有することを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の圧力センサ。 (7)検出手段は、固定板と可動板にそれぞれ対向する
ように設けられた電極板であって\この電極板間の静電
容量の変化、又は差動的に変化する静電容量の変化を検
出して差圧に対応した信号を得るようKした特許請求の
範囲第1項記載の圧力センナ。 (8)検出手段は、可動板に光を照射する光学手段と可
動板からの反射光を受光する受光素子とで構成されてい
る特許請求の範囲第1項記載の圧力センサ。 (9)検出手段は、支持部に取付けられ当該支持部に生
ずる歪又は応力全検出するストレーンゲージ又は圧電素
子である特許請求の範囲第1項記載の圧力センサ。 C1l 支持部を圧電材料で構成し、検出手段は前記支
持部に設けた一対の電極である特許請求の範囲第1項記
載の圧力センサ。 (111少なくとも可動板及び支持部を異方性エツチン
グのできる材料基板で構成し、前記可動部と支持部の形
成をホトリソグラフィとエツチングの技術を利用して行
なうようにした特許請求の範囲第1項記載の圧力センサ
。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58219223A JPS60111129A (ja) | 1983-11-21 | 1983-11-21 | 圧力センサ |
US06/785,909 US4628740A (en) | 1983-11-21 | 1985-10-09 | Pressure sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58219223A JPS60111129A (ja) | 1983-11-21 | 1983-11-21 | 圧力センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60111129A true JPS60111129A (ja) | 1985-06-17 |
JPH0365852B2 JPH0365852B2 (ja) | 1991-10-15 |
Family
ID=16732130
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58219223A Granted JPS60111129A (ja) | 1983-11-21 | 1983-11-21 | 圧力センサ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4628740A (ja) |
JP (1) | JPS60111129A (ja) |
Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5146435A (en) * | 1989-12-04 | 1992-09-08 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Acoustic transducer |
US6021675A (en) * | 1995-06-07 | 2000-02-08 | Ssi Technologies, Inc. | Resonating structure and method for forming the resonating structure |
US5736430A (en) * | 1995-06-07 | 1998-04-07 | Ssi Technologies, Inc. | Transducer having a silicon diaphragm and method for forming same |
CA2176052A1 (en) * | 1995-06-07 | 1996-12-08 | James D. Seefeldt | Transducer having a resonating silicon beam and method for forming same |
AU4317099A (en) | 1998-06-05 | 1999-12-20 | Knowles Electronics, Inc. | Solid-state receiver |
US6987859B2 (en) | 2001-07-20 | 2006-01-17 | Knowles Electronics, Llc. | Raised microstructure of silicon based device |
US6535460B2 (en) | 2000-08-11 | 2003-03-18 | Knowles Electronics, Llc | Miniature broadband acoustic transducer |
US7434305B2 (en) * | 2000-11-28 | 2008-10-14 | Knowles Electronics, Llc. | Method of manufacturing a microphone |
US7166910B2 (en) * | 2000-11-28 | 2007-01-23 | Knowles Electronics Llc | Miniature silicon condenser microphone |
US7439616B2 (en) * | 2000-11-28 | 2008-10-21 | Knowles Electronics, Llc | Miniature silicon condenser microphone |
US8623709B1 (en) | 2000-11-28 | 2014-01-07 | Knowles Electronics, Llc | Methods of manufacture of top port surface mount silicon condenser microphone packages |
US7023066B2 (en) * | 2001-11-20 | 2006-04-04 | Knowles Electronics, Llc. | Silicon microphone |
US6781231B2 (en) * | 2002-09-10 | 2004-08-24 | Knowles Electronics Llc | Microelectromechanical system package with environmental and interference shield |
US7165647B2 (en) * | 2003-12-18 | 2007-01-23 | Pei-Chau Lee | Mechanical acoustic filter by erosion etching |
DE102005008512B4 (de) | 2005-02-24 | 2016-06-23 | Epcos Ag | Elektrisches Modul mit einem MEMS-Mikrofon |
DE102005008511B4 (de) | 2005-02-24 | 2019-09-12 | Tdk Corporation | MEMS-Mikrofon |
DE102005053767B4 (de) | 2005-11-10 | 2014-10-30 | Epcos Ag | MEMS-Mikrofon, Verfahren zur Herstellung und Verfahren zum Einbau |
DE102005053765B4 (de) | 2005-11-10 | 2016-04-14 | Epcos Ag | MEMS-Package und Verfahren zur Herstellung |
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US20080083957A1 (en) * | 2006-10-05 | 2008-04-10 | Wen-Chieh Wei | Micro-electromechanical system package |
US7894622B2 (en) | 2006-10-13 | 2011-02-22 | Merry Electronics Co., Ltd. | Microphone |
CN101743462B (zh) * | 2007-07-12 | 2014-08-20 | Abb研究有限公司 | 压力传感器 |
US8327711B2 (en) * | 2008-02-20 | 2012-12-11 | Omron Corporation | Electrostatic capacitive vibrating sensor |
KR20120014591A (ko) * | 2009-05-18 | 2012-02-17 | 노우레스 일렉트로닉스, 엘엘시 | 감소된 진동 감도를 갖는 마이크로폰 |
US8356509B2 (en) * | 2009-07-06 | 2013-01-22 | Delatorre Leroy C | Differential torque densitometer |
US8353215B2 (en) * | 2009-07-13 | 2013-01-15 | Delatorre Leroy C | Torque output differential pressure sensor |
CN103999484B (zh) | 2011-11-04 | 2017-06-30 | 美商楼氏电子有限公司 | 作为声学设备中的屏障的嵌入式电介质和制造方法 |
US9078063B2 (en) | 2012-08-10 | 2015-07-07 | Knowles Electronics, Llc | Microphone assembly with barrier to prevent contaminant infiltration |
US9372111B2 (en) * | 2012-08-21 | 2016-06-21 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Acoustic sensor |
US8692340B1 (en) * | 2013-03-13 | 2014-04-08 | Invensense, Inc. | MEMS acoustic sensor with integrated back cavity |
DE102013106353B4 (de) * | 2013-06-18 | 2018-06-28 | Tdk Corporation | Verfahren zum Aufbringen einer strukturierten Beschichtung auf ein Bauelement |
WO2015153938A1 (en) * | 2014-04-04 | 2015-10-08 | Robert Bosch Gmbh | Membrane-based sensor and method for robust manufacture of a membrane-based sensor |
US9794661B2 (en) | 2015-08-07 | 2017-10-17 | Knowles Electronics, Llc | Ingress protection for reducing particle infiltration into acoustic chamber of a MEMS microphone package |
US10134379B2 (en) * | 2016-03-01 | 2018-11-20 | Guardian Glass, LLC | Acoustic wall assembly having double-wall configuration and passive noise-disruptive properties, and/or method of making and/or using the same |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US4570498A (en) * | 1984-04-11 | 1986-02-18 | Hitachi, Ltd. | Differential pressure measuring transducer assembly |
-
1983
- 1983-11-21 JP JP58219223A patent/JPS60111129A/ja active Granted
-
1985
- 1985-10-09 US US06/785,909 patent/US4628740A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0365852B2 (ja) | 1991-10-15 |
US4628740A (en) | 1986-12-16 |
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