JP3945292B2 - ダイヤフラム型トランスデューサ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は各種電子機器に使用されるスピーカ、ブザー、マイクロホン等のダイヤフラム型トランスデューサに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
携帯電話やいわゆるコードレスホン等に使用される圧電型トランスデューサは、円板形のケース本体の内部に圧電振動体を設けたものであり、この圧電振動体は真鍮や燐青銅等の金属薄板からなる円板状のシム材の一方又は両方の主面にシム材より小さい形状の圧電素子を貼り付けたユニモルフまたはバイモルフ構造で構成されている。
【0003】
図7は従来のダイヤフラム型トランスデューサの構造を示す断面図である。
【0004】
図7に示すように金属振動板1は導電ペースト8とリード線6より駆動電源7に接続され、圧電振動子2の上部電極4も同様に導電ペースト8とリード線6より駆動電源7に接続され、駆動電源7よりリード線6を通して金属振動板1および圧電振動子2の上部電極4に電圧が印加され、その結果、圧電振動子2に機械的応力(振動)が生じ、この振動が圧電振動子2に密着する金属振動板1へ伝播し、可聴音域の音が再生されるという仕組みになっている。尚3は圧電振動体であり、ケース5により支持されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、圧電薄膜からなる圧電振動子2を用いたダイヤフラム型トランスデューサにおいて、圧電振動子2に印加する駆動電圧が大きくなるに従い圧電定数が高くなり圧電定数に電圧依存性が生じ、ダイヤフラム型トランスデューサの特性が劣化するという課題があった。
【0006】
例えばダイヤフラム型トランスデューサをスピーカとして使用した場合、印加する駆動電圧と音圧が非線形となり、再生音に大きな歪を生じてしまうものであった。
【0007】
本発明は上記従来の課題を解決するもので、圧電定数の電圧依存性を低い状態で保持したダイヤフラム型トランスデューサを提供するものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、以下の構成を有するものである。
【0009】
本発明の請求項1に記載の発明は、シリコンからなる支持体上に下部電極、この下部電極上に圧電薄膜、この圧電薄膜上に上部電極を設け、上記支持体と下部電極との間または上記上部電極上のいずれかに設けた振動体層からなるダイヤフラム型トランスデューサにおいて、上記圧電薄膜は、結晶配向が(001)方位であって、かつ、菱面体晶構造であるダイヤフラム型トランスデューサであり、圧電定数の電圧依存性を低く抑えることができる。
【0010】
請求項2に記載の発明は、下部電極または振動体層のいずれかと支持体の間に絶縁層を設けた請求項1に記載のダイヤフラム型トランスデューサであり、シリコンからなる支持体と下部電極または振動体層との絶縁ができシリコンからなる基板からの影響を受けなくなる。
【0011】
請求項3に記載の発明は、シリコンからなる支持体の表面を熱酸化してSiO2層の絶縁層および振動体層を設けた請求項2に記載のダイヤフラム型トランスデューサであり、上記SiO2層を絶縁層および振動体層として用いたことにより振動体層の工程の簡略化と構造の簡素化が図れる。
【0012】
請求項4に記載の発明は、下部電極が白金とチタンの合金またはイリジウムとチタンの合金のいずれかからなる請求項1に記載のダイヤフラム型トランスデューサであり、下部電極をアニール処理して白金の表面にチタン酸化物を形成することで圧電薄膜の結晶配向を(001)方位に形成でき圧電定数の圧電依存性を低く抑えることができる。
【0013】
【発明の実施の形態】
(実施の形態1)
以下、本発明の実施の形態1におけるダイヤフラム型トランスデューサについて図を用いて説明する。
【0014】
図1は本発明の実施の形態1におけるダイヤフラム型トランスデューサの構造を示す断面図、図2(a)〜(f)は製造プロセスを示す工程図である。
【0015】
図1において、17はシリコンから形成される枠状の支持体、12はこの支持体17上の全面に形成されたSiO2層からなる絶縁層、13はこの絶縁層12上に形成されたクロム、タングステン、銅等からなる振動体層、14はこの振動体層13上に形成された白金とチタンの合金またはイリジウムとチタンの合金からなる下部電極、15はこの下部電極14上に形成されたPZTからなる圧電薄膜、16はこの圧電薄膜15の上面の一部に形成された上部電極であり、これらでダイヤフラム型トランスデューサを構成している。
【0016】
この構成において、振動体層13または下部電極14と上部電極16に駆動電源から電圧を印加することによって絶縁層12から上部電極16までの積層体からなる圧電振動体が振動して所定の音を再生するようになっている。
【0017】
次に上記ダイヤフラム型トランスデューサの製造プロセスについて図2(a)〜(f)を用いて説明する。
【0018】
図2(a)に示すようにダイヤフラム型トランスデューサはシリコンからなる基板11の上に熱酸化、CVD、スパッタによりSiO2層からなる絶縁層12を形成し、図2(b)に示すように絶縁層12の上にクロム、タングステン、銅等のいずれかからなる振動体層13を形成する。なお、図2(a)に示すSiO2層からなる絶縁層12はシリコンからなる基板11からの絶縁と振動体層13に用いることができ、図2(b)に示すように振動体層13の工程の簡略化と構造の簡素化が図れる。
【0019】
次に図2(c)に示すように振動体層13の上に蒸着、スパッタにより白金とチタンの合金またはイリジウムとチタンの合金からなる下部電極14を形成する。この合金のチタン含有量は15%以下が望ましく白金とチタンの合金またはイリジウムとチタンの合金のいずれかからなる下部電極14の表面に温度300℃程度のアニール処理によりチタン酸化物を形成し、図2(d)に示すように下部電極14の上にスパッタ、蒸着によりPZTからなる圧電薄膜15を形成する。この圧電薄膜15はチタン酸化物上に形成されるため結晶配向が(001)方位とすることができ、さらに結晶配向が(001)方位とする菱面体晶を得るためにPZTからなる圧電薄膜15の場合はMPB(モノトロピックフェーズバウンダリー)よりジルコニア含有量が少ない組成のPZTを用いる。
【0020】
次に図2(e)に示すように圧電薄膜15の上にメタルマスクを用いて上部電極16を蒸着して所定のパターンを形成し、図2(f)に示すようにシリコンからなる基板11をエッチングして所定の形状の支持体17に形成する。
【0021】
図3に結晶配向が(001)方位した菱面体晶構造の圧電薄膜15の分極構造を示す。分極は8方向に取り得るが(001)方位と分極軸とがなす角度は54.7°である。
【0022】
例えば(111)方位の菱面体晶構造の圧電薄膜15を分極処理すると(111)、(−111)、(1−11)、(11−1)の4つの分極軸のみを持ち、この圧電薄膜15に印加する電圧を高くしていくと(−111)、(1−11)、(11−1)の分極が(111)方位に回転し始め圧電定数も大きくなる。
【0023】
一方(001)方位の菱面体晶構造の圧電薄膜15を分極処理すると(111)、(−111)、(1−11)、(−1−11)の4つの分極軸のみ持ち、この4つの分極状態は(001)方位に対して等価(分極軸との角度がすべて54.7°)であるため圧電定数の電圧依存性を低く抑えることができる。
【0024】
図4(a)に従来の圧電薄膜15に印加する電圧と圧電定数の関係を示し、図4(b)に本発明の実施の形態1の圧電薄膜に印加する電圧と圧電定数の関係を示す。
【0025】
この結果より圧電薄膜15の結晶配向が(001)方位の菱面体晶構造とすることにより圧電定数の電圧依存性を低く抑えることができこの圧電薄膜15を設けたダイヤフラム型トランスデューサの特性を向上させることができる。
【0026】
(実施の形態2)
以下、本発明の実施の形態2におけるダイヤフラム型トランスデューサについて図を用いて説明する。
【0027】
図5は本発明の実施の形態2におけるダイヤフラム型トランスデューサの構造を示す断面図、図6(a)〜(f)は製造プロセスを示す工程図である。
【0028】
図5において、実施の形態1の図1に示すものと異なる点は、支持体17上の全面に形成した絶縁層12に下部電極14、圧電薄膜15、上部電極16を設け、この上に振動体層13を形成した積層構成を変えたところにある。
【0029】
この構成としても実施の形態1と同様の動作をさせることができる。
【0030】
また、この構成のダイヤフラム型トランスデューサの製造プロセスについて図6(a)〜(f)を用いて説明する。
【0031】
図6(a)に示すようにダイヤフラム型トランスデューサはシリコンからなる基板11の上に熱酸化、CVD、スパッタによりSiO2層からなる絶縁層12を形成し、図6(b)に示すように絶縁層12の上に蒸着、スパッタにより白金とチタンの合金またはイリジウムとチタンの合金からなる下部電極14を形成する。この合金のチタン含有量は15%以下が望ましく白金とチタンの合金またはイリジウムとチタンの合金のいずれかからなる下部電極14では温度300℃程度のアニール処理により白金表面にチタン酸化物を形成することで下部電極14の上に形成し、図6(c)に示すように下部電極14の上にスパッタ、蒸着によりPZTからなる圧電薄膜15の結晶配向を(001)方位とする菱面体晶構造に配列するように形成する。
【0032】
さらに結晶配向が(001)方位とする菱面体晶を得るためにPZTからなる圧電薄膜15の場合はMPB(モノトロピックフェーズバウンダリー)よりジルコニア含有量が少ない組成のPZTを用いる。図6(d)に示すように圧電薄膜15の上にメタルマスクを用いて上部電極16を蒸着し所定のパターンを形成し、図6(e)に示すように上部電極16の上にクロム、タングステン、銅等からなる振動体層13を形成し、図6(f)に示すようにシリコンからなる基板11をエッチングにより所定の形状の支持体17に形成することで実施の形態1と同様の効果を引き出すことができる。
【0033】
【発明の効果】
以上のように本発明のダイヤフラム型トランスデューサは構成されるため、圧電定数の電圧依存性を低く抑えることができこの圧電薄膜を設けたダイヤフラム型トランスデューサの特性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1におけるダイヤフラム型トランスデューサを示す断面図
【図2】(a)〜(f)本発明の実施の形態1におけるダイヤフラム型トランスデューサの製造プロセスを示す工程図
【図3】本発明の内装される圧電薄膜の結晶配向(001)方位の菱面体晶構造の分極構造を説明する説明図
【図4】(a)従来の圧電薄膜の印加電圧と圧電定数の特性図
(b)本発明の圧電薄膜の印加電圧と圧電定数の特性図
【図5】本発明の実施の形態2におけるダイヤフラム型トランスデューサの構造を示す断面図
【図6】(a)〜(f)本発明の実施の形態2におけるダイヤフラム型トランスデューサの製造プロセスを示す工程図
【図7】従来のダイヤフラム型トランスデューサの構造を示す断面図
【符号の説明】
11 シリコンからなる基板
12 絶縁層
13 振動体層
14 下部電極
15 圧電薄膜
16 上部電極
17 シリコンからなる支持体
Claims (4)
- シリコンからなる支持体上に下部電極、この下部電極上に圧電薄膜、この圧電薄膜上に上部電極を設け、上記支持体と下部電極との間または上記上部電極上のいずれかに設けた振動体層からなるダイヤフラム型トランスデューサにおいて、上記圧電薄膜は、結晶配向が(001)方位であって、かつ、菱面体晶構造であるダイヤフラム型トランスデューサ。
- 支持体と下部電極または振動体層のいずれかとの間に絶縁層を設けた請求項1に記載のダイヤフラム型トランスデューサ。
- シリコンからなる支持体の表面を熱酸化して形成したSiO2層の絶縁層および振動体層を設けた請求項2に記載のダイヤフラム型トランスデューサ。
- 下部電極が白金とチタンの合金またはイリジウムとチタンの合金のいずれかからなる請求項1に記載のダイヤフラム型トランスデューサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002107614A JP3945292B2 (ja) | 2002-04-10 | 2002-04-10 | ダイヤフラム型トランスデューサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002107614A JP3945292B2 (ja) | 2002-04-10 | 2002-04-10 | ダイヤフラム型トランスデューサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003304595A JP2003304595A (ja) | 2003-10-24 |
JP3945292B2 true JP3945292B2 (ja) | 2007-07-18 |
Family
ID=29391592
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002107614A Expired - Lifetime JP3945292B2 (ja) | 2002-04-10 | 2002-04-10 | ダイヤフラム型トランスデューサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3945292B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101941669A (zh) * | 2009-07-07 | 2011-01-12 | 罗姆股份有限公司 | Mems传感器、硅麦克风以及压力传感器 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102005008512B4 (de) | 2005-02-24 | 2016-06-23 | Epcos Ag | Elektrisches Modul mit einem MEMS-Mikrofon |
DE102005008514B4 (de) * | 2005-02-24 | 2019-05-16 | Tdk Corporation | Mikrofonmembran und Mikrofon mit der Mikrofonmembran |
DE102005008511B4 (de) | 2005-02-24 | 2019-09-12 | Tdk Corporation | MEMS-Mikrofon |
DE102005053767B4 (de) | 2005-11-10 | 2014-10-30 | Epcos Ag | MEMS-Mikrofon, Verfahren zur Herstellung und Verfahren zum Einbau |
DE102005053765B4 (de) | 2005-11-10 | 2016-04-14 | Epcos Ag | MEMS-Package und Verfahren zur Herstellung |
US8369555B2 (en) * | 2006-10-27 | 2013-02-05 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Piezoelectric microphones |
KR101545271B1 (ko) * | 2008-12-19 | 2015-08-19 | 삼성전자주식회사 | 압전형 음향 변환기 및 이의 제조방법 |
KR101561663B1 (ko) * | 2009-08-31 | 2015-10-21 | 삼성전자주식회사 | 피스톤 다이어프램을 가진 압전형 마이크로 스피커 및 그 제조 방법 |
JP5751026B2 (ja) | 2011-05-31 | 2015-07-22 | セイコーエプソン株式会社 | 超音波トランスデューサー、生体センサー、及び超音波トランスデューサーの製造方法 |
JP5794114B2 (ja) * | 2011-11-07 | 2015-10-14 | コニカミノルタ株式会社 | 圧電素子およびその製造方法と、超音波送受信プローブ |
-
2002
- 2002-04-10 JP JP2002107614A patent/JP3945292B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101941669A (zh) * | 2009-07-07 | 2011-01-12 | 罗姆股份有限公司 | Mems传感器、硅麦克风以及压力传感器 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003304595A (ja) | 2003-10-24 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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RD01 | Notification of change of attorney |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070126 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120420 Year of fee payment: 5 |
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140420 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
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R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
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R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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