DE19548046C2 - Verfahren zur Herstellung von für eine Flip-Chip-Montage geeigneten Kontakten von elektrischen Bauelementen - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von für eine Flip-Chip-Montage geeigneten Kontakten von elektrischen Bauelementen

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Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von für eine Flip-Chip- Montage geeigneten Kontakten von elektrischen Bauelementen nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Durch die EP 0 534 251 A1 ist ein Oberflächenwellenfilter bekannt, das zum Schutz sei­ ner auf ein Substrat aufgebrachten aktiven Filterelemente, wie Interdigitalwandler, elek­ trische Leiterbahnen und dergl., eine kappenförmige Abdeckung aufweist. Bei Montage dieses Filters auf der Leiterplatte entfällt folglich eine zusätzliche Filterverpackung.
Die EP 0 475 139 A2 Spalte 1, zweiter Absatz beschreibt eine allerdings als nachteilig bewertete Möglichkeit zur Passivierung von Oberflächenwellen-Vorrichtungen, bei der zwar die Filter und ihre Anschlußelemente mit einer Passivierungsschicht bedeckt sind, jedoch der externe Zugang zu den Anschlußelementen (Bus Bars) Löcher in der Passi­ vierungsschicht erfordert, durch welche Feuchtigkeit und Verunreinigungen in das Filterinnere eindringen können. Der Vorschlag nach dieser EP umgeht diese Gefahren durch kapazitive Kopplung der externen Anschlüsse mit den durch die Passivierungs­ schicht geschützten Anschlußelementen, d. h. die Passivierungsschicht ist lochfrei.
Durch die GB 2171850 A ist ein Oberflächenwellen-Bauteil, insbesondere Filter, bekannt mit einer Leiterplatte, bestehend aus einer Metallplatte und einer auf diese Metallplatte aufgebrachten dielektrischen Schicht, auf der wiederum die extern kontaktierbaren Lei­ terbahnen angeordnet sind. Das eigentliche Filter besteht aus einem blättchenförmigen Oberflächenwellen-Element, das seine interdigitalen Strukturen, wie Wandler und dergl., auf der zur dielektrischen Schicht gekehrten Oberfläche trägt. Die Anschlußleisten des Filters sind dabei über elektrisch leitende Klebschichten mit den Leiterbahnen in elek­ trisch leitender dichter Verbindung.
Interner Stand der Technik ist schließlich eine Verkapselung für elektronische Bauele­ mente mit einer Kappe, die auf einem Substrat angeordnete Bauelemente-Strukturen verschließt und als eine auf das Substrat aufgebrachte Abdeckung ausgebildet ist, die in Bereichen der Bauelemente-Strukturen Ausnehmungen zur Aufnahme dieser Strukturen besitzt. Eine solche Verkapselung schützt die Bauelemente-Strukturen gegen Um­ welteinflüsse, so daß derart verkapselte elektronische Bauelemente ohne ein weiteres Gehäuse unmittelbar weiter verwendbar sind.
Mit zunehmender Miniaturisierung werden Bauelemente angestrebt, die ein minimales Gehäusevolumen beanspruchen und eine niedrige Bauhöhe besitzen. Derartige Anfor­ derungen stellen sich beispielsweise bei der Anwendung von elektronischen Bauelemen­ ten in Chipkarten, wie beispielsweise Telefonkarten oder Kreditkarten. Bauelemente mit einer gemäß oben erläuterter Verkapselung erfüllen diese Anforderungen optimal. Dies gilt insbesondere dann, wenn sie in einer Flip-Chip-Montage geeigneten Ausgestaltung realisiert sind.
Bisher werden für eine Flip-Chip-Montage geeignete Bauelemente in einem Gehäuse, insbesondere einem Keramikgehäuse, montiert. Dabei müssen an den Anschlußflächen - Pads - des Bauelementesystems selektiv lötfähige Schichten mit Höckern - Bumps - vorgesehen werden, so daß dazu eine Reihe von Prozeßschritten erforderlich sind, die insbesondere für OFW-Bauelemente sehr problematisch sind, weil wegen sich überlap­ pender flächiger Fingerstrukturen die Wahrscheinlichkeit von Kurzschlüssen größer wird.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren anzugeben, das ohne Beeinträchtigung von Bauelemente-Strukturen die Herstellung von lötfähigen Schichten ermöglicht, die sich bei Flip-Chip-Montage als Kontakte eignen.
Diese Aufgabe wird beim Verfahren der eingangs genannten Art erfindungsgemäß durch die Merkmale des kennzeichnenden Teils des Patentanspruches 1 gelöst.
Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand von Unteransprüchen.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand eines Ausführungsbeispiels gemäß den Figuren der Zeichnung näher erläutert. Es zeigt:
Fig. 1 eine schematische Darstellung eines nach dem erfindungsgemäßen Ver­ fahren hergestellten OFW-Bauelements; und
Fig. 2 eine schematische Teildarstellung des Bauelements nach Fig. 1 in Auf­ sicht.
Gemäß Fig. 1 besteht ein OFW-Bauelement grundsätzlich aus einem piezoelektrischen Substrat 1 und darauf vorgesehenen elektrisch leitenden Strukturen 3, wobei es sich beispielsweise um Elektrodenfinger von Interdigitalwandlern, Resonatoren oder Reflek­ toren handeln kann. Wie anhand der EP 0 534 251 A1 und des internen Standes der Technik beschrieben ist, sind die elektrisch leitenden Strukturen 3 durch eine Kappe 2 abgedeckt, welche die Strukturen gegen Umwelteinflüsse schützt. Dieses Element ist mit der Abdeckung 2 und dem Substrat 1 als "Gehäuse" unmittelbar weiter verwendbar.
Erfindungsgemäß ist nun vorgesehen für eine Flip-Chip-Montage geeignete Kontakte für die elektrische Kontaktierung der lei­ tenden Strukturen 3 herzustellen. Wie aus Fig. 1 schematisch ersichtlich, ist in der Abdeckung 2 ein Fenster 6 vorgesehen, durch das hindurch eine lötfähige Schicht 4 aufgebracht wird, welche mit einer (nicht dargestellten) Anschlußfläche (Pad) der elektrisch leitenden Strukturen 3 in Kontakt steht. Die lötfähige Schicht 4 liegt dabei auch auf Teilen der Abdeckung 2 auf, wie dies aus Fig. 2 ersichtlich ist. Bei der lötfähi­ gen Schicht 4 kann es sich beispielsweise um eine Chrom/Chromkupfer/Kupfer/Gold-Schicht handeln.
Zur Herstellung von lötfähigen Schichten kann gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zunächst eine Schicht aus löt­ fähigem Material ganzflächig, d. h. auch auf die gesamte Abdeckung 2 aufgedampft werden, die sodann so strukturiert wird, daß sich einzelne lötfähige Schichten 4 ergeben, die jeweils mit Pads der elektrisch leitenden Strukturen 3 in Kontakt stehen.
Gemäß einer anderen Ausführungsform können die elektrisch lötfähigen Schichten 4 auch durch Masken aufgedampft werden, welche die Schichtabmessungen festlegen.
Nach der Herstellung der lötfähigen Schichten werden in die Fenster 6 mit den lötfähigen Schichten 4 in Kontakt tretende Bumps 7 eingebracht und mit den Schichten 4 verlötet. Über diese Bumps 7 kann das Bauelement in einer elektrischen Schaltung montiert werden.
Das erfindungsgemäße Verfahren bietet den Vorteil, daß die lötfähigen Schichten 4 und die Bumps 7 erst nach der Aufbrin­ gung der die Bauelementestrukturen gegen Umwelteinflüsse schützenden Abdeckung 2 hergestellt werden. Daher können die Bauelementestrukturen durch sich aus den Verfahrensschritten bei der Herstellung der lötfähigen Schichten und der Bumps ergebenden Einflusse nicht mehr beeinträchtigt werden. Ein weiterer Vorteil ist darin zu sehen, daß die lötfähigen Schichten großflächig hergestellt werden können und ihre Ab­ messungen daher groß gegen die der (nicht dargestellten) Pads sein können.
Um die Strukturierung einer ganzflächig aufgedampften Schicht 4 zu vermeiden, können die Fenster 6 in der Abdeckung 2 so gestaltet sein, daß sie als Masken für die leitfähigen Schich­ ten 4 wirken und gleichzeitig an ihren Rändern nicht bedampft werden.

Claims (6)

1. Verfahren zur Herstellung von für eine Flip-Chip-Montage geeigneten Kontakten von elektrischen Bauelementen, insbeson­ dere von mit akustischen Oberflächenwellen arbeitenden Bau­ elementen (OFW-Bauelemente), bei denen auf einem Substrat (1) vorgesehene elektrisch leitende Strukturen (3) durch eine kappenförmige Abdeckung (2) dicht gegen Umwelteinflüsse ver­ kapselt sind, dadurch gekennzeichnet, daß nach der Herstellung der Abdeckung (2) lötfähige Schichten (4) aufgebracht werden, die durch Fenster (6) in der Abdeckung (2) hindurch mit Anschlußflächen (Pads) der elektrisch lei­ tenden Strukturen (3) in Kontakt stehen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß zunächst eine Schicht aus lötfähigem Material ganzflächig aufgedampft wird und daß die ganzflächige Schicht so strukturiert wird, daß sich einzelne lötfähige Schichten (4) ergeben, die jeweils mit Pads der elektrisch leitenden Strukturen (3) in Kontakt stehen.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß elektrisch leitfähige Schichten (4) durch Masken aufgedampft werden.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Abmessungen der elektrisch leitfähigen Schichten (4) groß gegen die Abmessungen der Pads der leiten­ den Strukturen (3) sind.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß in die Fenster (6) in der Abdeckung (2) mit den lötfähigen Schichten (4) in Kontakt tretende Bumps (7) eingebracht werden.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß eine lötfähige Schicht ganzflächig auf die Abdeckung (2) aufgedampft und die Fenster (6) in der Abdeckung (2) als Masken gestaltet werden, so daß die elektrisch leitfähigen Schichten (4) aufgebracht und gleichzeitig die Fenster (6) an ihren Rändern nicht bedampft werden.
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KR10-1998-0704406A KR100445569B1 (ko) 1995-12-21 1996-12-16 플립-칩어셈블리에적합한전기소자의콘택을제조하기위한방법
JP52321297A JP4413278B2 (ja) 1995-12-21 1996-12-16 電子部品のフリップチップアセンブリーに適した接触のためのろう接可能な膜を作る方法
CN96199161A CN1105397C (zh) 1995-12-21 1996-12-16 适于倒装法组装的电气元件触极的制作方法
PCT/DE1996/002412 WO1997023904A1 (de) 1995-12-21 1996-12-16 Verfahren zur herstellung von für eine flip- chip-montage geeigneten kontakten von elektrischen bauelementen
EP96946147A EP0868744A1 (de) 1995-12-21 1996-12-16 Verfahren zur herstellung von für eine flip- chip-montage geeigneten kontakten von elektrischen bauelementen
CA002241037A CA2241037A1 (en) 1995-12-21 1996-12-16 Method for the production of contacts of electrical components, said contacts being suitable for flip-chip mounting
US09/103,163 US6057222A (en) 1995-12-21 1998-06-22 Method for the production of flip-chip mounting-ready contacts of electrical components

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19806550B4 (de) * 1998-02-17 2004-07-22 Epcos Ag Elektronisches Bauelement, insbesondere mit akustischen Oberflächenwellen arbeitendes Bauelement - OFW-Bauelement

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19806818C1 (de) * 1998-02-18 1999-11-04 Siemens Matsushita Components Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements, insbesondere eines mit akustischen Oberflächenwllen arbeitenden OFW-Bauelements
DE19822794C1 (de) 1998-05-20 2000-03-09 Siemens Matsushita Components Mehrfachnutzen für elektronische Bauelemente, insbesondere akustische Oberflächenwellen-Bauelemente
KR100687548B1 (ko) * 1999-01-27 2007-02-27 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 반도체 웨이퍼 제조 방법, 반도체 장치 제조 방법 및 칩 사이즈의 반도체 웨이퍼 패키지 제조 방법
US6888167B2 (en) * 2001-07-23 2005-05-03 Cree, Inc. Flip-chip bonding of light emitting devices and light emitting devices suitable for flip-chip bonding
US6747298B2 (en) * 2001-07-23 2004-06-08 Cree, Inc. Collets for bonding of light emitting diodes having shaped substrates
DE10142542A1 (de) * 2001-08-30 2003-03-27 Infineon Technologies Ag Anordnung eines Halbleiterchips in einem Gehäuse, Chipkarte und Chipmodul
DE10302298A1 (de) 2003-01-22 2004-08-05 Henkel Kgaa Hitzehärtbare, thermisch expandierbare Zusammensetzung mit hohem Expansionsgrad
US6992400B2 (en) * 2004-01-30 2006-01-31 Nokia Corporation Encapsulated electronics device with improved heat dissipation
US7608789B2 (en) * 2004-08-12 2009-10-27 Epcos Ag Component arrangement provided with a carrier substrate
DE102005008512B4 (de) 2005-02-24 2016-06-23 Epcos Ag Elektrisches Modul mit einem MEMS-Mikrofon
DE102005008511B4 (de) * 2005-02-24 2019-09-12 Tdk Corporation MEMS-Mikrofon
DE102005008514B4 (de) * 2005-02-24 2019-05-16 Tdk Corporation Mikrofonmembran und Mikrofon mit der Mikrofonmembran
JP4585419B2 (ja) 2005-10-04 2010-11-24 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波デバイスおよびその製造方法
DE102005053767B4 (de) * 2005-11-10 2014-10-30 Epcos Ag MEMS-Mikrofon, Verfahren zur Herstellung und Verfahren zum Einbau
DE102005053765B4 (de) * 2005-11-10 2016-04-14 Epcos Ag MEMS-Package und Verfahren zur Herstellung
JP4881211B2 (ja) * 2007-04-13 2012-02-22 新光電気工業株式会社 配線基板の製造方法及び半導体装置の製造方法及び配線基板
DE102013106353B4 (de) * 2013-06-18 2018-06-28 Tdk Corporation Verfahren zum Aufbringen einer strukturierten Beschichtung auf ein Bauelement
US10431533B2 (en) * 2014-10-31 2019-10-01 Ati Technologies Ulc Circuit board with constrained solder interconnect pads

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2171850A (en) * 1985-02-22 1986-09-03 Racal Mesl Ltd Mounting surface acoustic wave components
EP0475139A2 (de) * 1990-09-04 1992-03-18 Motorola, Inc. Verfahren und Gerät zur Passivierung einer akustischen Oberflächenwellenanordnung
EP0534251A1 (de) * 1991-09-27 1993-03-31 Sumitomo Electric Industries, Limited Akustische Oberflächenwellenanordnung

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59172756A (ja) * 1983-03-22 1984-09-29 Nec Corp 半導体装置
JPS62173814A (ja) * 1986-01-28 1987-07-30 Alps Electric Co Ltd 弾性表面波素子搭載ユニツト
JP2563652B2 (ja) * 1990-07-17 1996-12-11 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
JP2718854B2 (ja) * 1992-06-10 1998-02-25 株式会社東芝 半導体装置
DE69311774T2 (de) * 1992-08-28 1998-01-08 Dow Corning Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltung mit einem auf einer Keramikschicht basierenden hermetischen Schutz
DE4302171A1 (de) * 1993-01-22 1994-07-28 Be & We Beschaeftigungs Und We Verfahren zur Herstellung von Oberflächenwellenbauelementen
EP0645807B1 (de) * 1993-04-08 2003-06-25 Citizen Watch Co. Ltd. Halbleitervorrichtung.

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2171850A (en) * 1985-02-22 1986-09-03 Racal Mesl Ltd Mounting surface acoustic wave components
EP0475139A2 (de) * 1990-09-04 1992-03-18 Motorola, Inc. Verfahren und Gerät zur Passivierung einer akustischen Oberflächenwellenanordnung
EP0534251A1 (de) * 1991-09-27 1993-03-31 Sumitomo Electric Industries, Limited Akustische Oberflächenwellenanordnung

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19806550B4 (de) * 1998-02-17 2004-07-22 Epcos Ag Elektronisches Bauelement, insbesondere mit akustischen Oberflächenwellen arbeitendes Bauelement - OFW-Bauelement

Also Published As

Publication number Publication date
CA2241037A1 (en) 1997-07-03
DE19548046A1 (de) 1997-06-26
KR100445569B1 (ko) 2004-10-15
JP2000502238A (ja) 2000-02-22
CN1105397C (zh) 2003-04-09
CN1205800A (zh) 1999-01-20
KR19990072096A (ko) 1999-09-27
US6057222A (en) 2000-05-02
EP0868744A1 (de) 1998-10-07
JP4413278B2 (ja) 2010-02-10
WO1997023904A1 (de) 1997-07-03

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