DE3214991A1 - Halbleiterbaustein mit diskretem kondensator - Google Patents

Halbleiterbaustein mit diskretem kondensator

Info

Publication number
DE3214991A1
DE3214991A1 DE19823214991 DE3214991A DE3214991A1 DE 3214991 A1 DE3214991 A1 DE 3214991A1 DE 19823214991 DE19823214991 DE 19823214991 DE 3214991 A DE3214991 A DE 3214991A DE 3214991 A1 DE3214991 A1 DE 3214991A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
capacitor
semiconductor
semiconductor chip
semiconductor component
integrated circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19823214991
Other languages
English (en)
Other versions
DE3214991C2 (de
Inventor
Kurt-Jörn Dipl.-Phys. 8000 München Binder
Carl-Ernst Dipl.-Ing. 7920 Heidenheim Eilers
Horst Dipl.-Phys. 8028 Taufkirchen Pachonik
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19823214991 priority Critical patent/DE3214991A1/de
Publication of DE3214991A1 publication Critical patent/DE3214991A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3214991C2 publication Critical patent/DE3214991C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49589—Capacitor integral with or on the leadframe
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/40—Structural combinations of fixed capacitors with other electric elements, the structure mainly consisting of a capacitor, e.g. RC combinations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05554—Shape in top view being square
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30107—Inductance

Abstract

Bei einem Verfahren zur Herstellung eines regenerierfähigen elektrischen Schichtkondensators werden auf einem isolierenden Trägermaterial abwechselnd Metallschichten und Dielektrikumsschichten übereinander angeordnet. Die Metallschichten der einen Polarität stehen zu einer Seite und die Metallschichten der anderen Polarität zu der anderen Seite über die Dielektrikumsschichten über. Die Dielektrikumsschichten werden mittels Glimmpolymerisation hergestellt. Die Metallschichten werden in der Kontaktierzone an einer oder mehreren flächenmäßig begrenzten Stellen mechanisch oder mit Ultraschall behandelt.

Description

  • Halbleiterbaustein mit diskretem Kondensator
  • Die Erfindung betrifft einen Halbleiterbaustein, insbesondere eine integrierte Schaltung, mit mindestens einem zugeschalteten diskreten Kondensator.
  • Zur Beschaltung von Einzelhalbleitern oder integrierten Schaltungen werden passive Bauelemente, wie beispielsweise Kondensatoren, benötigt. Es ist zwar grundsätzlich möglich, in den Aufbau einer integrierten Schaltung Kapazitäten mit einzubeziehen, jedoch sind#die damit erreichbaren Kapazitätswerte relativ gering. Wenn größere Kapazitätswerte gewünscht werden, ist es somit unumgänglich, diskrete Kondensatoren zuzuschalten. Diese werden entweder neben den Chip-Sauseeinen angebracht oder auch in das Gehäuse des Halbleiterbausteins miteingebaut. Zur elektrischen Verbindung zwischen diskretem Kondensator und Halbleiterbaustein sind Verbindungen (Verdrahtung, Leiterbahnen) erforderlich, die eine störende Induktivität bedingen und somit die Einsatzmöglichkeit bei höheren Frequenzen begrenzen. Neben einem Mehraufwand an Klebe- und Verdrahtungstechnik ist bei der Hybridierung mit diskreten Kondensatoren durch die Addition von Chipdicke und Kondensatordicke ein vergrößertes Gehäuse erforderlich.
  • Aufgabe der Erfindung ist es, einen Halbleiterbaustein mit diskret zugeschaltetem Kondensator anzugeben, der in einem Gehäuse mit ungeänderten Abmessungen eingebaut werden kann und der bei hohen Frequenzen einsetzbar ist.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der Kondensator direkt auf dem Halbleiterbaustein angeordnet ist, daß der Kondensator aus mindestens zwei gegenpoligen Metallschichten besteht, die durch Aufdampfen oder Kathodenzerstäubung hergestellt sind, und daß zwischen den gegenpoligen Metallschichten eine durch Glimmpolymerisation hergestellte Dielektrikumsschicht angeordnet ist.
  • Mit der Erfindung wird d'er Vorteil erzielt, daß die elektrischen Verbindungen zwischen Halbleiterbaustein und Kondensator auf ein absolutes Minimum reduziert sind und daß durch den direkten Aufbau der Kondensatoren auf dem Halbleiterbaustein praktisch keine Verdickung des Chips eintritt, so daß die Einbautechnik für die Halbleiterbausteine mit ungeänderten Abmessungen übernommen werden kann.
  • Zweckmäßigerweise ist zwischen dem Halbleiterbaustein und dem Kondensatoraufbau eine isolierende Schicht angeordnet, wodurch Kurzschlüsse zwischen Kondensator und Halbleiterbaustein vermieden werden.
  • Die elektrische Verbindung zwischen Halbleiterbaustein und Kondensator kann entweder durch eine, vorzugsweise gebondete Drahtverbindung hergestellt sein, oder es können Halbleiterbausteine und Kondensator durch direkte Kontaktierung miteinander verbunden sein.
  • Die Erfindung wird anhand der folgenden Ausführungsbeispiele näher erläutert. In der dazugehörenden Zeichnung zeigen: Fig. 1 einen Halbleiterbaustein mit Drahtverbindung zu dem Kondensator und Fig. 2 einen Halbleiterbaustein mit direkt kontaktiertem Kondensator.
  • In der Fig. 1 ist ein Halbleiterchip 1 dargestellt, auf dem ein diskreter Kondensator 2 angeordnet ist. Der Kondensator besteht aus zwei gegenpoligen Metallschichten 3, 4 zwischen denen eine Dielektrikumsschicht 5 angeordnet ist. Zwischen dem Chip 1 und dem Kondensator 2 befindet sich eine isolierende Schicht 6, die beispielsweise in gleicher Art wie die Dielektrikumsschicht 5 hergestellt ist. Die Schicht 6 verhindert Kurzschlüsse zwischen Kondensator 2 und der integrierten Schaltung.
  • Die Metallschichten 3, 4 werden beispielsweise durch Aufdampfen oder Aufsputtern hergestellt und bestehen vorzugsweise aus Aluminium. Die Dielektrikumsschicht 5 sowie gegebenenfalls die isolierende Zwischenschicht 6 werden mittels Glimmpolymerisation hergestellt, wie es beispielsweise in der DE-OS 29 08 467 beschrieben ist. Die Schichten 3, 4, 5 liegen dabei stoffschlüssig aufeinander, d.h. es befinden sich keine Luftspalte zwischen ihnen. Der beschriebene Kondensator ist regenerierfähig.
  • Falls ein Vielschichtaufbau gewünscht wird (höhere Kapazität des Kondensators) sind weitere Metallschichten an den Stellen angeordnet, die den gegenpoligen Metallschichten 3, 4 entsprechen. Zwischen jeweils zwei gegenpoligen Schichten ist eine weitere glimmpolymere Dielektrikumsschicht entsprechend der Schicht 5 angeordnet.
  • Somit können Spannungsfestigkeit und Kapazität des Kondensators durch die Dicke der Dielektrikumsschichten 5 (o,o5 bis 1 /um), ihre Zahl und die Geometrie der Elektroden bestimmt werden.
  • Die Gehäuseanschlüsse 7 sind mit den Anschlüssen 8 der integrierten Schaltung auf dem Chip 1 mit aufgebondeten Drähten 9 verbunden. Der Kondensator 2 ist mit der integrierten Schaltung mittels eines Drahtes 10 verbunden. Dieser Draht 10 ist an der Metallschicht 4 ankontaktiert. Die andere Metallschicht 3 ist durch den Draht 11 mit dem Gehäuseanschluß 12 verbunden.
  • Die Herstellung des Kondensators 2 erfolgt mittels Maskentechnik auf das nackte System des Halbleiterchips 1. Die elektrische Verbindung mittels der Anschlußdrähte 10 und 11 erfolgt im gleichen Arbeitsgang beispielsweise durch die üblichen Bond- oder sonstige Kontaktiergeräte, welche die Verbindung zwischen der integrierten Schaltung auf dem Chip 1 mit den Gehäuseanschlüssen 7 herstellt.
  • In der Fig. 2 ist eine weitere Ausführungsform dargestellt, bei dem der Kondensator 22 auf dem Halbleiterchip 21 durch direkte Kontaktierung mit der integrierten Schaltung verbunden ist. Die Metallschichten 23 und 24, zwischen denen sich die Dielektrikumsschicht 25 befindet, sind dabei an die Geometrie der integrierten Schaltung angepaßt. Die Metallschichten 23 bzw. 24 sind an den Stellen 231 und 241 derart ausgestaltet, daß sie direkt auf darunter befindliche und in der Fig. nicht sichtbare Anschlüsse der integrierten Schaltung aufgedampft sind. Dadurch wird erreicht, daß die elektrische Verbindung zwischen Halbleiter und Kondensator auf ein absolutes Minimum reduziert ist. Das Material der Metallschicht 23, 24 wird entsprechend der Beschaffenheit der Kontaktierungsflächen der integrierten Schaltung gewählt, um eine optimale elektrische und mechanische Verbindung zu erhalten. Die integrierte Schaltung selbst ist wieder, wie in der Fig. 1 dargestellt, an den Kontaktierungsstellen 28 durch angebondete Anschlußdrähte 29 mit den Gehäuseanschlüssen 27 verbunden.
  • Neben den in den Figuren dargestellten Ausführungsbeispielen, in denen jeweils ein Kondensator auf dem Halbleiterchip angeordnet ist, können bei Bedarf auch mehrere diskrete Kondensatoren in gleicher Weise auf dem Halbleitersystem angeordnet werden.
  • Neben den bereits geschilderten Vorteilen besteht ein weiterer Vorteil darin, daß die Oberfläche des Halbleitersystems durch den zusätzlichen Kondensatoraufbau mechanisch und chemisch geschützt und außerdem elektrisch abgeschirmt ist.
  • Durch die Herstellung der sehr dünnen Dielektrikumsschichten in der Technologie der Glimmpolymerisation erhält man sehr hohe Flächenkapazitäten, so daß der Aufbau der Kondensatoren direkt auf dem IC-Chip zu keiner Verdickung führt und das gesamte System mit ungeänderten Abmessungen in die erforderlichen Gehäuse eingebaut werden kann.
  • 4 Patentansprüche 2 Figuren

Claims (4)

  1. Patentanspru~che Halbleiterbaustein, insbesondere integrierte Schaltung, mit mindestens einem zugeschaltetem diskreten Kondensator, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t, daß der Kondensator (2, 22) direkt auf dem Halbleiterbaustein (1, 21) angeordnet ist, daß der Eondensator (2, 22) aus mindestens zwei gegenpoligen Metallschichten (3, 4; 23, 24) besteht, die durch Aufdampfen oder Kathodenzerstäubung hergestellt sind, und daß zwischen den gegenpoligen Metallschichten (3, 4; 23, 24) eine durch Glirninpolymerisation hergestellte Dielektrikumsschicht (5, 25) angeordnet ist.
  2. 2. Halbleiterbaustein nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß zwischen dem Halbleiterbaustein (1, 21) und dem Kondensator (3, 22) eine isolierende Schicht (6, 26) angeordnet ist.
  3. 3. Halbleiterbaustein nach Anspruch 1 oder 2, d a -d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß Halbleiterbaustein (1) und Kondensator (2) durch eine, vorzugsweise gebondete, Drahtverbindung (10) elektrisch miteinander verbunden sind.
  4. 4. Halbleiterbaustein nach Anspruch 1 oder 2, d a -d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß Halbleiterbaustein (21) und Kondensator (22) durch direkte Kontaktierung (231, 241) elektrisch miteinander verbunden sind.
DE19823214991 1982-04-22 1982-04-22 Halbleiterbaustein mit diskretem kondensator Granted DE3214991A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19823214991 DE3214991A1 (de) 1982-04-22 1982-04-22 Halbleiterbaustein mit diskretem kondensator

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19823214991 DE3214991A1 (de) 1982-04-22 1982-04-22 Halbleiterbaustein mit diskretem kondensator

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3214991A1 true DE3214991A1 (de) 1983-11-03
DE3214991C2 DE3214991C2 (de) 1989-05-18

Family

ID=6161639

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19823214991 Granted DE3214991A1 (de) 1982-04-22 1982-04-22 Halbleiterbaustein mit diskretem kondensator

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE3214991A1 (de)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3424876A1 (de) * 1984-07-06 1986-02-06 Telefunken Fernseh Und Rundfunk Gmbh, 3000 Hannover Integrierter schaltkreis
FR2576448A1 (fr) * 1985-01-22 1986-07-25 Rogers Corp Condensateur de decouplage pour assemblage avec disposition a grille de broches
FR2584865A1 (fr) * 1985-07-12 1987-01-16 Inf Milit Spatiale Aeronaut Composant electronique comportant un condensateur
FR2584863A1 (fr) * 1985-07-12 1987-01-16 Inf Milit Spatiale Aeronaut Composant electronique durci vis-a-vis des radiations
US5049979A (en) * 1990-06-18 1991-09-17 Microelectronics And Computer Technology Corporation Combined flat capacitor and tab integrated circuit chip and method
EP0493967A1 (de) * 1991-01-02 1992-07-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Direkte Entkupplung einer Mikroschaltung

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3900512A1 (de) * 1989-01-10 1990-07-19 Tucker Gmbh Bostik Halbleiterbauelement fuer ein schaltnetzteil

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH542501A (de) * 1971-05-24 1973-09-30 Philips Nv Verfahren zur Herstellung von Kondensatoren in einer elektronische Halbleiteranordnung
DE2419372A1 (de) * 1974-04-22 1975-11-06 Siemens Ag Integrierte schaltung mit kondensatoren
DE2809411A1 (de) * 1977-03-16 1978-09-21 Philips Nv Halbleiteranordnung und verfahren zu deren herstellung
DE2843581A1 (de) * 1978-10-05 1980-04-10 Siemens Ag Elektrischer schichtkondensator und verfahren zu seiner herstellung
DE2908467A1 (de) * 1979-03-05 1980-09-11 Siemens Ag Regenerierfaehiger elektrischer schichtkondensator

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH542501A (de) * 1971-05-24 1973-09-30 Philips Nv Verfahren zur Herstellung von Kondensatoren in einer elektronische Halbleiteranordnung
DE2419372A1 (de) * 1974-04-22 1975-11-06 Siemens Ag Integrierte schaltung mit kondensatoren
DE2809411A1 (de) * 1977-03-16 1978-09-21 Philips Nv Halbleiteranordnung und verfahren zu deren herstellung
DE2843581A1 (de) * 1978-10-05 1980-04-10 Siemens Ag Elektrischer schichtkondensator und verfahren zu seiner herstellung
DE2908467A1 (de) * 1979-03-05 1980-09-11 Siemens Ag Regenerierfaehiger elektrischer schichtkondensator

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3424876A1 (de) * 1984-07-06 1986-02-06 Telefunken Fernseh Und Rundfunk Gmbh, 3000 Hannover Integrierter schaltkreis
FR2576448A1 (fr) * 1985-01-22 1986-07-25 Rogers Corp Condensateur de decouplage pour assemblage avec disposition a grille de broches
FR2584865A1 (fr) * 1985-07-12 1987-01-16 Inf Milit Spatiale Aeronaut Composant electronique comportant un condensateur
FR2584863A1 (fr) * 1985-07-12 1987-01-16 Inf Milit Spatiale Aeronaut Composant electronique durci vis-a-vis des radiations
US5049979A (en) * 1990-06-18 1991-09-17 Microelectronics And Computer Technology Corporation Combined flat capacitor and tab integrated circuit chip and method
EP0493967A1 (de) * 1991-01-02 1992-07-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Direkte Entkupplung einer Mikroschaltung

Also Published As

Publication number Publication date
DE3214991C2 (de) 1989-05-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2201585B1 (de) Elektrisches vielschichtbauelement
DE102008017454B4 (de) Leistungshalbleitermodul mit hermetisch dichter Schaltungsanordnung und Herstellungsverfahren hierzu
DE3837206C2 (de) Elektrisches Schaltgerät
DE19548046C2 (de) Verfahren zur Herstellung von für eine Flip-Chip-Montage geeigneten Kontakten von elektrischen Bauelementen
DE2345109A1 (de) Keramikkondensator fuer schichtschaltungen
EP2378552A1 (de) Leistungshalbleitermodul mit Anschlusselementen
DE3214991A1 (de) Halbleiterbaustein mit diskretem kondensator
WO1998008190A1 (de) Chipkarte mit einer induktionsspule und verfahren zu ihrer herstellung
DE3416107A1 (de) Busleitungsanordnung mit hoher kapazitaet in schichtbauweise
DE3626151C2 (de)
EP1501125A2 (de) Leistungshalbleitermodul mit skalierbarer Aufbautechnik
EP0152557A1 (de) Halbleiterbauelement mit höckerartigen, metallischen Anschlusskontakten und Mehrlagenverdrahtung
DE3930858C2 (de) Modulaufbau
DE102017211336A1 (de) Leistungsmodul mit oberflächenmontierten elektrischen Kontaktierungselementen
DE102008026347A1 (de) Leistungselektronische Anordnung mit einem Substrat und einem Grundkörper
EP1759398A1 (de) Mehrschichtkondensator und integriertes schaltungsmodul
WO1998044522A2 (de) Kondensatorstruktur
DE102004041888B4 (de) Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung mit gestapelten Halbleiterbauelementen
EP0141202B1 (de) Schaltungsanordnung zur Funkentstörung
EP0798808A1 (de) Anordnung zur Befestigung eines Kabelbaums an einer Trägerplatte
EP1424730B1 (de) Halbleiterchip mit Anschlusskontaktflächen und Anordnung eines solchen Halbleiterchips auf einem Träger
WO2022017715A1 (de) Emv-filter mit einer abschirmung
DE10256058A1 (de) Leistungshalbleitermodul mit verbesserten EMV Eigenschaften
DE102020215030A1 (de) Leiterplattenanordnung, Inverter sowie Kraftfahrzeug
WO2003094234A2 (de) Elektronisches bauelement

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8120 Willingness to grant licences paragraph 23
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee