DE69920407T2 - Umhülltes oberflächenwellen-bauelement und massenherstellungsverfahren - Google Patents
Umhülltes oberflächenwellen-bauelement und massenherstellungsverfahren Download PDFInfo
- Publication number
- DE69920407T2 DE69920407T2 DE69920407T DE69920407T DE69920407T2 DE 69920407 T2 DE69920407 T2 DE 69920407T2 DE 69920407 T DE69920407 T DE 69920407T DE 69920407 T DE69920407 T DE 69920407T DE 69920407 T2 DE69920407 T2 DE 69920407T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- printed circuit
- acoustic wave
- contact points
- surface acoustic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1078—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a foil covering the non-active sides of the SAW device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1071—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the SAW device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0556—Disposition
- H01L2224/05568—Disposition the whole external layer protruding from the surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05573—Single external layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/42—Piezoelectric device making
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
- Das Gebiet der Erfindung ist dasjenige der akustischen Oberflächenwellenvorrichtungen, und insbesondere dasjenige der Filter, die auch SAW (Surface Acoustic Wave) genannt werden und es ermöglichen, Frequenzbereiche sehr selektiv zu filtern. Eine solche Vorrichtung ist zum Beispiel aus der Druckschrift
DE 3937870 A1 bekannt. Da sie für tragbare Ausrüstungen wie zum Beispiel Funktelefone vorgesehen sind, ist die Miniaturisierung dieser Bauelemente und ihres Schutzgehäuses sehr wichtig. - Da die akustischen Wellen sich in der Nähe der Oberfläche des piezoelektrischen Substrats ausbreiten, muss außerdem diese Oberfläche frei gelassen werden, um die Ausbreitung der Wellen nicht zu stören, was einen zusätzlichen Zwang bezüglich der Einkapselungsgehäuse darstellt.
- Die heutigen Technologien des Einkapselns der Oberflächenwellenfilter beruhen auf einem zweiteiligen Gehäuse, wie in
1 dargestellt: einem keramischen oder organischen Sockel01 , und einem keramischen, metallischen oder organischen Deckel02 , dessen Verschluss durch Schweißen oder Kleben die hermetische Abdichtung des Bauelements gewährleistet und gleichzeitig den notwendigen Hohlraum herstellt. Bei dieser Art Gehäuse können die Oberflächenwellenvorrichtungen (DOS)03 durch Kleben am Sockel befestigt werden. Die elektrischen Verbindungen zwischen den inneren Kontaktpunkten011 ,012 der Oberflächenwellenvorrichtung und den äußeren Kontaktpunkten071 und072 werden von metallisierten Lücken durch den Sockel01 hindurch gewährleistet. -
1 stellt ein Beispiel des Stands der Technik dar, bei dem die elektrischen Verbindungen der Oberflächenwellenvorrichtung nach außen Drahtverbindungen sind. Um eine bessere Kompaktheit zu gewährleisten, wird derzeit die Punkttechnik verwendet ("Flip Chip", wobei das Bauelement umgedreht ist). -
2 stellt ein Beispiel einer gemäß dem Stand der Technik eingekapselten Oberflächenwellenvorrichtung dar, die eine Variante der1 bildet. - Um den Bedürfnissen der großen Verbrauchsmärkte (Funktelephonie, Automobil, ...) zu entsprechen, müssen die neuen Einkapselungstechnologien die Filter immer mehr verkleinern und gleichzeitig die Herstellungskosten senken. Wie bei anderen Bauelementen geht die Tendenz dahin, den Platzbedarf der Gehäuse immer weiter zu verringern, um zu einem Zusammenbau von Bauelement und Einkapselungsgehäuse zu kommen, dessen Oberfläche gleich der des Chips alleine ist.
- Die vorliegende Erfindung entspricht diesen Anforderungen, indem sie eine Oberflächenwellenvorrichtung in einem dichten Hohlraum anbietet, die einen Mikrodeckel nur auf dem piezoelektrischen Substrat aufweist, ohne dessen Oberfläche zu vergrößern.
- Genauer gesagt, hat die Erfindung ein Oberflächenwellenbauelement zum Gegenstand, das mindestens eine in ein Gehäuse eingekapselte Oberflächenwellenvorrichtung aufweist, wobei die Vorrichtung an der Oberfläche eines piezoelektrischen Substrats mit Hilfe von ineinander verzinkten Elektroden hergestellt wird, die von ersten inneren leitenden Kontaktpunkten an der Oberfläche des Substrats gespeist werden, dadurch gekennzeichnet, dass das Gehäuse außer dem Substrat aufweist:
- – eine erste, auf dem Substrat befindliche Schicht aus lichtempfindlichem Harz, die lokal mindestens in Höhe der aktiven Fläche der Oberflächenwellenvorrichtung ausgespart ist und die ersten inneren leitenden Kontaktpunkte bedeckt;
- – eine gedruckte Schaltung, die die Gesamtheit der ersten Schicht bedeckt, wobei die gedruckte Schaltung zweite äußere leitende Kontaktpunkte aufweist; und
- – leitende Lücken, die die aus der ersten Schicht und der gedruckten Schaltung bestehende Einheit durchqueren und die ersten inneren leitenden Kontaktpunkte mit den zweiten äußeren leitenden Kontaktpunkten verbinden.
- Vorteilhafterweise ermöglichen es die in der ersten Schicht hergestellten Lücken, elektrische Verbindungen zwischen der Oberflächenwellenvorrichtung und dem von der gedruckten Schaltung gebildeten Mikrodeckel derart herzustellen, dass die Übertragsbereiche des Bauelements gewährleistet werden.
- Außerdem kann das die erste Schicht bildende Harz vorteilhafterweise lokal die schallabsorbierende Beschichtung ersetzen.
- Die Höhe des Moduls ist auf die Dicke der gedruckten Schaltung, die typischerweise in der Größenordnung von 25 bis 100 Mikron liegen kann, auf die Dicke der ersten Schicht, die typischerweise in der Größenordnung von einigen zehn Mikron liegen kann, und auf die Dicke des piezoelektrischen Substrats (einige hundert Mikron) reduziert.
- Die Erfindung hat auch ein Verfahren zur kollektiven Herstellung von Oberflächenwellenbauelementen zum Gegenstand, das die Herstellung von Oberflächenwellenvorrichtungen auf einem piezoelektrischen Substrat enthält und die folgenden Schritte aufweist:
- – die Herstellung einer ersten ausgesparten Schicht aus lichtempfindlichem Harz über der Gesamtheit der Oberflächenwellenvorrichtungen;
- – das Kleben einer gedruckten Schaltung auf die erste Schicht;
- – die Herstellung von Lücken, die die gedruckte Schaltung und die erste Schicht in Höhe der ersten inneren leitenden Kontaktpunkte der Oberflächenwellenvorrichtungen durchqueren;
- – die Metallisierung der Lücken und die Definition von zweiten äußeren leitenden Kontaktpunkten, wobei die zweiten Kontaktpunkte mit den ersten Kontaktpunkten über die metallisierten Lücken verbunden sind; und
- – das Schneiden der Einheit aus Substrat, erster Schicht und gedruckter Schaltung derart, dass die Oberflächenwellenbauelemente getrennt werden.
- Die ausgesparte Schicht kann durch vorhergehendes Aufbringen einer gleichmäßigen Schicht, gefolgt vom Gravieren dieser Schicht, oder durch Walzen einer vorher ausgesparten Schicht oder auch durch Serigraphie erhalten werden.
- Vorteilhafterweise kann die erste Schicht schallabsorbierende Eigenschaften aufweisen.
- Im Rahmen der Herstellung von Oberflächenwellenvorrichtungen hat das erfindungsgemäße Verfahren den Vorteil, ein kollektives Verfahren auf einem piezoelektrischen Substrat zu sein, was eine große Kostenreduzierung bewirkt. Außerdem ist ein solches kollektives Verfahren mit den üblicherweise für Halbleiter verwendeten Technologien (Verwendung von Überdeckungsharz, Fotolithographieverfahren) kompatibel.
- Die Erfindung wird besser verstanden werden und weitere Vorteile gehen aus der nachfolgenden Beschreibung hervor, die als nicht einschränkend zu verstehendes Beispiel dient und sich auf die beiliegenden Figuren bezieht. Es zeigen:
- die
1 und2 Oberflächenwellenvorrichtungen, die gemäß dem Stand der Technik eingekapselt sind; -
3 einen Modul einer eingekapselten Oberflächenwellenvorrichtung; - die
4a bis4g die Hauptschritte des kollektiven Verfahrens zu Herstellung von eingekapselten Oberflächenwellenvorrichtungen gemäß der Erfindung. - Allgemein kann die Oberflächenwellenvorrichtung ein Wandler, ein mindestens ein Gitter und einen Wandler aufweisender Resonator sein. In allen Fällen wird sie durch Aufbringen von Elektroden auf die Oberfläche eines piezoelektrischen Substrats erhalten. Um die Ausbreitung der Oberflächenwellen zu erlauben, versucht man dann, einen freien Hohlraum oberhalb der Elektroden entsprechend der aktiven Oberfläche des Bauelements zu erzeugen. Obwohl es sehr kompakt ist, ermöglicht das erfindungsgemäße Bauelement die Aufrechterhaltung des freien Hohlraums, wie es
3 zeigt. Das piezoelektrische Substrat13 weist an der Oberfläche in Höhe der sogenannten aktiven Fläche14 nicht dargestellte Elektroden auf. Die aktive Fläche ist nach außen durch die erste Schicht11 isoliert, die auf dem piezoelektrischen Substrat aufliegt. Eine gedruckte Schaltung12 gewährleistet die Dichtheit an der Oberfläche. Im hier dargestellten Schema kann ein zwei innere Kontaktpunkte111 und112 für die Stromversorgung aufweisender Wandler von außen über obere äußere Kontaktpunkte171 und172 und leitende Lücken angeschlossen sein, die sowohl die gedruckte Schaltung als auch die erste Schicht durchqueren. Im Fall eines komplexeren Bauelements, das von mehr als zwei Quellen gespeist werden muss, kann die Anzahl von Lücken und Kontaktpunkten in geeigneter Weise angepasst werden. Das Oberflächenwellenbauelement mit aktiver Fläche14 kann als in ein Gehäuse eingekapselt angesehen werden, das vom piezoelektrischen Substrat, der ersten Schicht11 und der gedruckten Schaltung definiert wird. - Nun werden die Schritte eines Beispiels eines kollektiven Verfahrens ausführlicher erläutert, das den Erhalt der erfindungsgemäßen Bauelemente ermöglicht.
- Die gedruckte Schaltung
- Es kann eine gedruckte Schaltung vom Typ gewalzt verkupfert, die mit Polyimid- oder Epoxydharz auf der Basis von ungewebten Aramidfasern imprägniert ist, verwendet werden. Die metallisierte Fläche wird für die spätere Definition der Lücken verwendet. Die Art der gedruckten Schaltung, d.h. die organischen Fasern, ermöglicht es dem so verstärkten Material, eine gute Abmessungsstabilität und einen geringen Wärmedehnungskoeffizienten in der Ebene mit einer geringen Permittivität und einer geringen Oberflächenrauheit zu kombinieren. Schließlich sind die Aramidfasern mit der Durchbohrung und der Metallisierung von Löchern kleiner Abmessungen kompatibel.
- Vorzugsweise besitzt die gedruckte Schaltung auf der der metallisierten Fläche gegenüberliegenden Fläche eine zweite Schicht eines isolierenden Klebers, der vorgeklebt sein kann.
4a stellt die drei die erfindungsgemäß verwendete gedruckte Schaltung bildenden Schichten dar, die Metallschicht120 , die gedruckte Schaltung12 und die Kleberschicht121 . - Herstellung der Hohlräume oberhalb der aktiven Flächen der Oberflächenwellenvorrichtung
- Ein die erste Schicht
11 bildendes Harz vom Typ lichtempfindliches Epoxydharz wird mit dem Schleuderapparat durch Zentrifugieren auf das piezoelektrische Substrat aufgebracht. Nach einem Einbrennen wird das Harz belichtet und erfährt dann ein zweites Einbrennen. Nach der Entwicklung werden erst das Substrat und dann das Harz ofengetrocknet.4b stellt das die Oberflächenwellenvorrichtung aufweisende piezoelektrische Substrat13 dar, dessen aktive Oberflächen14 von Harz11 befreit sind. Ansonsten bleibt das Harz erhalten, und insbesondere auf den inneren Kontaktpunkten111 und112 der Oberflächenwellenvorrichtung. Aus Gründen der einfacheren Darstellung wurden nur zwei Oberflächenwellenvorrichtungen dargestellt, aber das piezoelektrische Substrat weist eine ganze Gruppe davon auf. - Kleben der gedruckten Schaltung auf die Schicht
11 - Es geht genauer um einen Schritt des Pressens der schematisch in
4a dargestellten Schaltung auf das Substrat, das lokal das Harz aufweist und in4b schematisch dargestellt ist. Die beiden Elemente werden heißgepresst, zum Beispiel in einem Autoklaven. Typischerweise ist der thermische Kreislauf ausgelegt, um die Spannungen der anwesenden Materialien freizusetzen und Wärmeschocks zu vermeiden. - Herstellung der Anschlüsse
- Gravieren der leitenden Schicht
120 , um die Lücken herzustellen - Nach einer Oberflächenvorbereitung der Schicht, typischerweise Kupfer (Entfetten, Mikroätzung), die es ermöglicht, die Rauheit des Kupfers und somit die Haftfähigkeit zu erhöhen, wird ein lichtempfindliches Harz mit dem Schleuderapparat durch Zentrifugieren auf die verkupferte Schicht
120 aufgebracht. Das Harz wird mit einem Photobelichter senkrecht zu den Lücken belichtet. Die Belichtungszeit hängt von der Dicke des Harzes ab. Das nicht vom Harz geschützte Kupfer wird zum Beispiel in einer Ammoniaklösung aufgelöst. Das Harz wird dann zum Beispiel mit Hilfe von Aceton und Alkohol entfernt. Auf diese Weise wird in der Schicht120 eine Maske definiert (4c ). - Abbrennen der Einheit aus gedruckter Schaltung, Haftschicht und Harz durch die Kupfermaske hindurch
- Die Herstellung der Lücken durch die Einheit hindurch kann zum Beispiel mittels Excimer-Laser oder CO2 erfolgen und dann zum Beispiel durch RIE-Ätzen ("Reactive Ionic Etching") unter Sauerstoffplasma beendet werden. Die Lücken sind in
4d dargestellt. - Metallisierung der Oberfläche des Substrats und der Lücken Nach dem Abbrennen der Lücken kann die Kupfermaske ggf. graviert werden. Anschließend wird die Metallisierung der Schaltung zum Beispiel durch Zerstäuben durchgeführt. Eine Chromschicht, und dann zum Beispiel eine Kupferschicht
122 mit einer Dicke von einigen Mikron werden gleichmäßig über die ganze Oberfläche der gedruckten Schaltung und im Inneren der Löcher aufgebracht. Der im verwendeten Zerstäubungsgehäuse durchgeführte Zyklus kann typischerweise folgendermaßen sein: - – ein Argonplasma, um mechanisch die dünne Schicht aus nativem Aluminiumoxid anzugreifen, wenn nötig;
- – eine Chromzerstäubung: Die Chromschicht hat die Aufgabe einer Sperrschicht;
- – eine Kupferzerstäubung.
- Dann kann man eine elektrolytische Kupferzufuhr durchführen, um die Dicke der Metallisierung auf einige zehn Mikron zu erhöhen und so eine bessere thermomechanische Beständigkeit der Lücken zu gewährleisten (
4e ). - Herstellung der äußeren Kontaktpunkte
- Auf die ganze leitende Oberfläche (Substrat + Lücken) wird ein lichtempfindliches Harz aufgebracht. Das Harz wird senkrecht zu den äußeren Kontaktpunkten mit einem Photobelichter belichtet, um Harz auf äußeren Kontaktpunkten, auch "Pastillen" genannt, um die Lücken herum und Harz, das sich den Wänden der Lücken anpasst, beizubehalten (im Fall eines positiven Harzes).
- Das nicht vom Harz geschützte Kupfer wird chemisch graviert, das Harz wird dann zum Beispiel mit Hilfe von Aceton und Alkohol entfernt.
- So erhält man kollektiv die Gesamtheit der eingekapselten Bauelemente, mit den äußeren Kontaktpunkten wie in
4f gezeigt. - Ausschneiden der einzelnen Bauelemente
- Schließlich wird das mechanische Ausschneiden der Bauelemente durchgeführt. Man kann eine dritte Schicht
18 aufbringen, die den hermetischen Verschluss der Einheit mit den geeigneten dielektrischen Eigenschaften gewährleistet, wie in4g gezeigt. Diese Schicht kann durch Metallzerstäubung, ein Aufbringen einer dünnen Schicht eines leitenden oder dielektrischen Materials, durch Aufbringen eines Lacks oder durch Giessen eines Harzes, oder auch durch Aufbringen eines Polymers vom Typ Parylen in der Dampfphase erhalten werden. Der Vorteil dieser Verfahren liegt darin, dass sowohl die untere Fläche des Substrats als auch die Flanken des vorher hergestellten Bauelements bedeckt werden können. - Dieser Schutz wirkt als mechanischer Schutz, Träger für eine Beschriftung, Abschirmung gegen elektromagnetische Felder, hermetische Abschirmung vor der Umgebung.
Claims (13)
- Oberflächenwellenbauelement, das mindestens eine Oberflächenwellenvorrichtung aufweist, die in ein Gehäuse eingekapselt ist, wobei die Vorrichtung an der Oberfläche eines piezoelektrischen Substrats (
13 ) mit Hilfe von ineinander verzinkten Elektroden hergestellt wird, die von ersten inneren leitenden Kontaktpunkten (111 ,112 ) an der Oberfläche des Substrats gespeist werden, dadurch gekennzeichnet, dass das Gehäuse außer dem Substrat aufweist: – eine erste, auf dem Substrat befindliche Schicht (11 ) aus lichtempfindlichem Harz, die lokal mindestens in Höhe der aktiven Fläche (14 ) der Oberflächenwellenvorrichtung ausgespart ist und die ersten inneren leitenden Kontaktpunkte bedeckt; – eine gedruckte Schaltung (12 ), die die Gesamtheit der ersten Schicht bedeckt, wobei die gedruckte Schaltung zweite äußere leitende Kontaktpunkte (171 ,172 ) aufweist; und – leitende Lücken, die die aus der ersten Schicht und der gedruckten Schaltung bestehende Einheit durchqueren und die ersten inneren leitenden Kontaktpunkte mit den zweiten äußeren leitenden Kontaktpunkten verbinden. - Oberflächenwellenbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Gehäuse eine zweite, sogenannte Kleberschicht (
121 ) aufweist, die sich zwischen der ersten Schicht und der gedruckten Schaltung befindet. - Oberflächenwellenbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Außenfläche des Substrats und die Seitenflächen des Bauelements mit einer dritten, hermetisch dichten Schicht (
18 ) bedeckt sind. - Oberflächenwellenbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die gedruckte Schaltung an der Oberfläche metallisiert ist.
- Oberflächenwellenbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Schicht schallabsorbierende Eigenschaften aufweist.
- Verfahren zur kollektiven Herstellung von Oberflächenwellenbauelementen nach einem der Ansprüche 1 bis 5, das die Herstellung von Oberflächenwellenvorrichtungen auf einem piezoelektrischen Substrat (
13 ) und: – die Herstellung einer ersten ausgesparten Schicht (11 ) aus lichtempfindlichem Harz über der Gesamtheit der Oberflächenwellenvorrichtungen; – das Kleben einer gedruckten Schaltung (12 ) auf die erste Schicht; – die Herstellung von Lücken, die die gedruckte Schaltung und die erste Schicht in Höhe der ersten inneren leitenden Kontaktpunkte (111 ,112 ) der Oberflächenwellenvorrichtungen durchqueren; – die Metallisierung der Lücken und die Definition von zweiten äußeren leitenden Kontaktpunkten (171 ,172 ), wobei die zweiten Kontaktpunkte mit den ersten Kontaktpunkten über die metallisierten Lücken verbunden sind; und – das Gravieren der Einheit aus Substrat, erster Schicht und gedruckter Schaltung derart aufweist, dass die Oberflächenwellenbauelemente getrennt werden. - Verfahren zur kollektiven Herstellung von Bauelementen nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Herstellung der ersten ausgesparten Schicht durch vorhergehendes Aufbringen einer gleichmäßigen Schicht, gefolgt vom Gravieren dieser Schicht, erfolgt.
- Verfahren zur kollektiven Herstellung von Bauelementen nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Herstellung der ersten ausgesparten Schicht durch Walzen einer vorher ausgesparten Schicht erfolgt.
- Verfahren zur kollektiven Herstellung von Bauelementen nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass das Kleben der gedruckten Schaltung auf die erste Schicht umfasst: – das Aufbringen einer zweiten, sogenannten Kleberschicht (
121 ) auf die gedruckte Schaltung; – das Warmpressen der gedruckten Schaltung/zweiten Schicht auf die Einheit aus erster Schicht und piezoelektrischem Substrat. - Verfahren zur kollektiven Herstellung von Bauelementen nach einem der Ansprüche 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass es die Herstellung einer dritten, sogenannten Umhüllungsschicht (
18 ) auf der Unterseite des Substrats und den Seitenflächen des Bauelements aufweist. - Verfahren zur kollektiven Herstellung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die dritte Schicht durch Zerstäuben hergestellt wird.
- Verfahren zur kollektiven Herstellung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die dritte Schicht durch Aufbringen eines Polymers vom Typ Parylen in der Dampfphase hergestellt wird.
- Verfahren zur kollektiven Herstellung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die dritte Schicht durch Aufbringen eines Lacks erhalten wird.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR9815478A FR2786959B1 (fr) | 1998-12-08 | 1998-12-08 | Composant a ondes de surface encapsule et procede de fabrication collective |
FR9815478 | 1998-12-08 | ||
PCT/FR1999/003036 WO2000035085A1 (fr) | 1998-12-08 | 1999-12-07 | Composant a ondes de surface encapsule et procede de fabrication collective |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69920407D1 DE69920407D1 (de) | 2004-10-28 |
DE69920407T2 true DE69920407T2 (de) | 2005-09-29 |
Family
ID=9533716
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69920407T Expired - Fee Related DE69920407T2 (de) | 1998-12-08 | 1999-12-07 | Umhülltes oberflächenwellen-bauelement und massenherstellungsverfahren |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6852561B2 (de) |
EP (1) | EP1053592B1 (de) |
JP (1) | JP2002532934A (de) |
KR (1) | KR20010040597A (de) |
CN (1) | CN1158757C (de) |
CA (1) | CA2320343A1 (de) |
DE (1) | DE69920407T2 (de) |
FR (1) | FR2786959B1 (de) |
HK (1) | HK1036367A1 (de) |
WO (1) | WO2000035085A1 (de) |
Families Citing this family (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2838578B1 (fr) * | 2002-04-12 | 2005-04-08 | Thales Sa | Dispositif d'interconnexion pour composants a ondes acoustiques d'interface |
DE10253163B4 (de) * | 2002-11-14 | 2015-07-23 | Epcos Ag | Bauelement mit hermetischer Verkapselung und Waferscale Verfahren zur Herstellung |
JP4177182B2 (ja) * | 2003-06-13 | 2008-11-05 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性表面波デバイス、そのパッケージ及びその製造方法 |
US7230512B1 (en) * | 2003-08-19 | 2007-06-12 | Triquint, Inc. | Wafer-level surface acoustic wave filter package with temperature-compensating characteristics |
WO2005048450A1 (en) * | 2003-11-14 | 2005-05-26 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor device with a resonator. |
KR100691160B1 (ko) * | 2005-05-06 | 2007-03-09 | 삼성전기주식회사 | 적층형 표면탄성파 패키지 및 그 제조방법 |
DE102005026243B4 (de) * | 2005-06-07 | 2018-04-05 | Snaptrack, Inc. | Elektrisches Bauelement und Herstellungsverfahren |
US7807550B2 (en) * | 2005-06-17 | 2010-10-05 | Dalsa Semiconductor Inc. | Method of making MEMS wafers |
US8053872B1 (en) | 2007-06-25 | 2011-11-08 | Rf Micro Devices, Inc. | Integrated shield for a no-lead semiconductor device package |
US8186048B2 (en) | 2007-06-27 | 2012-05-29 | Rf Micro Devices, Inc. | Conformal shielding process using process gases |
US8062930B1 (en) | 2005-08-08 | 2011-11-22 | Rf Micro Devices, Inc. | Sub-module conformal electromagnetic interference shield |
US8959762B2 (en) | 2005-08-08 | 2015-02-24 | Rf Micro Devices, Inc. | Method of manufacturing an electronic module |
CN100546180C (zh) * | 2005-08-24 | 2009-09-30 | 京瓷株式会社 | 表面声波装置及其制造方法 |
US20070048887A1 (en) * | 2005-08-26 | 2007-03-01 | Innovative Micro Technology | Wafer level hermetic bond using metal alloy |
KR100653089B1 (ko) * | 2005-10-31 | 2006-12-04 | 삼성전자주식회사 | 탄성 표면파 디바이스 웨이퍼 레벨 패키지 및 그 패키징방법 |
GB2443756B (en) * | 2006-02-24 | 2010-03-17 | Wolfson Microelectronics Plc | MEMS device |
JP5269301B2 (ja) * | 2006-07-21 | 2013-08-21 | 太陽誘電株式会社 | 弾性表面波装置 |
JP2009010559A (ja) | 2007-06-27 | 2009-01-15 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電部品及びその製造方法 |
JP4468436B2 (ja) * | 2007-12-25 | 2010-05-26 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性波デバイスおよびその製造方法 |
WO2009096563A1 (ja) * | 2008-01-30 | 2009-08-06 | Kyocera Corporation | 弾性波装置およびその製造方法 |
US8372674B2 (en) * | 2008-02-01 | 2013-02-12 | Honeywell International Inc. | Method for chemical sensor fabrication and related sensor |
US8101460B2 (en) * | 2008-06-04 | 2012-01-24 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device and method of shielding semiconductor die from inter-device interference |
TWI406382B (zh) * | 2010-03-09 | 2013-08-21 | Txc Corp | Welded - type vibrator device wafer - level package structure |
CN101820264B (zh) * | 2010-04-06 | 2012-06-06 | 台晶(宁波)电子有限公司 | 一种贯孔式振子装置晶圆级封装结构 |
CN101807898B (zh) * | 2010-04-06 | 2012-05-09 | 台晶(宁波)电子有限公司 | 一种振子装置三维晶圆级封装结构 |
US9137934B2 (en) | 2010-08-18 | 2015-09-15 | Rf Micro Devices, Inc. | Compartmentalized shielding of selected components |
US8835226B2 (en) | 2011-02-25 | 2014-09-16 | Rf Micro Devices, Inc. | Connection using conductive vias |
US9627230B2 (en) | 2011-02-28 | 2017-04-18 | Qorvo Us, Inc. | Methods of forming a microshield on standard QFN package |
CN103460599B (zh) | 2011-03-28 | 2016-08-17 | 株式会社村田制作所 | 电子部件及其制造方法 |
US9324659B2 (en) * | 2011-08-01 | 2016-04-26 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device and method of forming POP with stacked semiconductor die and bumps formed directly on the lower die |
US8866285B2 (en) * | 2012-09-05 | 2014-10-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Fan-out package comprising bulk metal |
US9807890B2 (en) | 2013-05-31 | 2017-10-31 | Qorvo Us, Inc. | Electronic modules having grounded electromagnetic shields |
DE102014211558A1 (de) * | 2014-06-17 | 2015-12-17 | Robert Bosch Gmbh | Mikroelektromechanisches System und Verfahren zum Herstellen eines mikroelektromechanischen Systems |
KR102556333B1 (ko) * | 2015-12-18 | 2023-07-17 | (주)와이솔 | 표면 탄성파 웨이퍼 레벨 패키지 및 이를 위한 pcb 제작 방법 |
US20180269853A1 (en) * | 2017-03-14 | 2018-09-20 | Wisol Co., Ltd. | Surface acoustic wave wafer level package and method of manufacturing pcb for the same |
CN108666410A (zh) * | 2017-03-28 | 2018-10-16 | 天津威盛电子有限公司 | 表面声波晶片级封装及其所用的pcb的制造方法 |
US11127689B2 (en) | 2018-06-01 | 2021-09-21 | Qorvo Us, Inc. | Segmented shielding using wirebonds |
US11219144B2 (en) | 2018-06-28 | 2022-01-04 | Qorvo Us, Inc. | Electromagnetic shields for sub-modules |
US11114363B2 (en) | 2018-12-20 | 2021-09-07 | Qorvo Us, Inc. | Electronic package arrangements and related methods |
CN109728790A (zh) * | 2019-01-16 | 2019-05-07 | 厦门云天半导体科技有限公司 | 一种滤波器的晶圆级封装结构及其工艺 |
US11515282B2 (en) | 2019-05-21 | 2022-11-29 | Qorvo Us, Inc. | Electromagnetic shields with bonding wires for sub-modules |
US11557491B2 (en) | 2019-10-31 | 2023-01-17 | Nxp B.V. | Selective underfill assembly and method therefor |
US11963291B2 (en) | 2022-04-21 | 2024-04-16 | Nxp B.V. | Efficient wave guide transition between package and PCB using solder wall |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2171850B (en) * | 1985-02-22 | 1988-05-18 | Racal Mesl Ltd | Mounting surface acoustic wave components |
JPS62109420A (ja) * | 1985-11-07 | 1987-05-20 | Alps Electric Co Ltd | 弾性表面波素子 |
DE3937870A1 (de) * | 1989-11-14 | 1991-05-16 | Siemens Ag | Mit gehaeuse versehenes akustoelektronisches bauelement |
JP2562661Y2 (ja) * | 1992-10-13 | 1998-02-16 | 株式会社村田製作所 | 圧電素子の実装構造 |
US5459368A (en) * | 1993-08-06 | 1995-10-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave device mounted module |
JP3301262B2 (ja) * | 1995-03-28 | 2002-07-15 | 松下電器産業株式会社 | 弾性表面波装置 |
JP3328102B2 (ja) * | 1995-05-08 | 2002-09-24 | 松下電器産業株式会社 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
DE69718693T2 (de) * | 1996-03-08 | 2003-11-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Elektronisches Bauteil und Herstellungsverfahren |
JP3196693B2 (ja) * | 1997-08-05 | 2001-08-06 | 日本電気株式会社 | 表面弾性波装置およびその製造方法 |
JP3123477B2 (ja) * | 1997-08-08 | 2001-01-09 | 日本電気株式会社 | 表面弾性波素子の実装構造および実装方法 |
JPH11239037A (ja) * | 1998-02-20 | 1999-08-31 | Nec Corp | 弾性表面波装置 |
JP3514361B2 (ja) * | 1998-02-27 | 2004-03-31 | Tdk株式会社 | チップ素子及びチップ素子の製造方法 |
US5969461A (en) * | 1998-04-08 | 1999-10-19 | Cts Corporation | Surface acoustic wave device package and method |
US6514789B2 (en) * | 1999-10-26 | 2003-02-04 | Motorola, Inc. | Component and method for manufacture |
-
1998
- 1998-12-08 FR FR9815478A patent/FR2786959B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-12-07 CA CA002320343A patent/CA2320343A1/fr not_active Abandoned
- 1999-12-07 EP EP99958258A patent/EP1053592B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-12-07 WO PCT/FR1999/003036 patent/WO2000035085A1/fr not_active Application Discontinuation
- 1999-12-07 KR KR1020007008466A patent/KR20010040597A/ko not_active Application Discontinuation
- 1999-12-07 CN CNB998027774A patent/CN1158757C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1999-12-07 DE DE69920407T patent/DE69920407T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1999-12-07 JP JP2000587438A patent/JP2002532934A/ja not_active Withdrawn
-
2001
- 2001-09-27 HK HK01106831A patent/HK1036367A1/xx not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-10-14 US US10/682,907 patent/US6852561B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002532934A (ja) | 2002-10-02 |
FR2786959A1 (fr) | 2000-06-09 |
HK1036367A1 (en) | 2001-12-28 |
CN1290424A (zh) | 2001-04-04 |
CA2320343A1 (fr) | 2000-06-15 |
CN1158757C (zh) | 2004-07-21 |
US20040103509A1 (en) | 2004-06-03 |
DE69920407D1 (de) | 2004-10-28 |
US6852561B2 (en) | 2005-02-08 |
KR20010040597A (ko) | 2001-05-15 |
WO2000035085A1 (fr) | 2000-06-15 |
EP1053592A1 (de) | 2000-11-22 |
FR2786959B1 (fr) | 2001-05-11 |
EP1053592B1 (de) | 2004-09-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69920407T2 (de) | Umhülltes oberflächenwellen-bauelement und massenherstellungsverfahren | |
EP1412974B1 (de) | Verfahren zur hermetischen verkapselung eines bauelementes | |
DE102005053767B4 (de) | MEMS-Mikrofon, Verfahren zur Herstellung und Verfahren zum Einbau | |
EP0759231B1 (de) | Verkapselung für elektronische bauelemente | |
DE102004005668B4 (de) | Elektrisches Bauelement und Herstellungsverfahren | |
DE102007058951B4 (de) | MEMS Package | |
DE102005026243B4 (de) | Elektrisches Bauelement und Herstellungsverfahren | |
DE102005037869B4 (de) | Anordnung zur hermetischen Abdichtung von Bauelementen und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE19518753B4 (de) | Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE102012112058B4 (de) | MEMS-Bauelement und Verfahren zur Verkapselung von MEMS-Bauelementen | |
DE10238523A1 (de) | Verkapseltes elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung | |
WO2004044980A2 (de) | Bauelement mit hermetischer verkapselung und waferscale verfahren zur herstellung | |
WO2003032484A1 (de) | Verfahren zur verkapselung eines elektrischen bauelementes und damit verkapseltes oberflächenwellenbauelement | |
WO2012079927A1 (de) | Gehäustes elektrisches bauelement | |
DE19548046C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von für eine Flip-Chip-Montage geeigneten Kontakten von elektrischen Bauelementen | |
DE10146655A1 (de) | Oberflächenakustikwellenvorrichtung | |
DE10329329B4 (de) | Hochfrequenz-Gehäuse und Verfahren zu seiner Herstellung | |
WO2012016898A2 (de) | Verfahren zur herstellung einer mehrzahl von elektronischen bauelementen mit elektromagnetischer schirmung und insbesondere mit wärmeabführung und elektronisches bauelement mit elektromagnetischer schirmung und insbesondere mit wärmeabführung | |
WO2005006432A2 (de) | Elektronisches bauelement und verfahren zur herstellung | |
DE10256116B4 (de) | Elektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung desselben | |
DE10059688B4 (de) | Substrat für das Packaging eines elektronischen Bauelements und piezoelektrisches Resonanzbauelement unter Verwendung desselben | |
DE102004001889B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines FBAR und einer FBAR-basierten Duplexervorrichtung | |
DE10152343B4 (de) | Verfahren zur Verkapselung eines elektrischen Bauelementes und verkapseltes Oberflächenwellenbauelement | |
WO2004051745A2 (de) | Elektronisches bauelement mit mehreren chips und verfahren zur herstellung | |
DE19749987B4 (de) | Gehäuse für Halbleiterbauelemente, insbesondere für Leistungshalbleiterbauelemente |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |