ITTO20110577A1 - Incapsulamento per un sensore mems e relativo procedimento di fabbricazione - Google Patents

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Description

DESCRIZIONE
“INCAPSULAMENTO PER UN SENSORE MEMS E RELATIVO
PROCEDIMENTO DI FABBRICAZIONEâ€
La presente invenzione à ̈ relativa ad un incapsulamento per un sensore MEMS (dall'inglese Micro-Electro-Mechanical System - Sistema Micro-Elettro-Meccanico), e in particolare ad un microfono capacitivo, e al relativo procedimento di fabbricazione.
Come à ̈ noto, un sensore MEMS, ad es. un trasduttore acustico quale un microfono capacitivo, comprende in generale una struttura di rilevamento micromeccanica, progettata per convertire una sollecitazione meccanica (ad es. onde di pressione acustiche) in una grandezza elettrica (ad es., sfruttando variazioni della grandezza elettrica in una struttura capacitiva del sensore MEMS dovute alle onde acustiche di pressione), e una elettronica di lettura, progettata per eseguire operazioni di elaborazione appropriate (compresa amplificazione e filtrazione) della grandezza elettrica per fornire un segnale elettrico di uscita (ad es. una tensione).
In generale, un trasduttore acustico MEMS à ̈ formato in un die (piastrina) contenente uno strato strutturale di materiale semiconduttore, ad es. silicio, che contiene una cavità. Una membrana, o diaframma, si estende sulla parte superiore della cavità; la membrana à ̈ flessibile e, durante l'uso, à ̈ sottoposta a deformazione in funzione della pressione delle onde sonore incidenti. Una scheda rigida (chiamata in generale "scheda posteriore") si estende ad una certa distanza dal diaframma. La scheda posteriore e il diagramma formano così un elettrodo mobile e un elettrodo fisso di un condensatore variabile. Il die comprende inoltre contatti, utilizzati per polarizzare la membrana e la scheda posteriore e per ricevere un segnale elettrico risultante dalla deformazione della membrana causata dalle onde acustiche di pressione incidenti.
Il die che implementa il trasduttore acustico à ̈ racchiuso in un incapsulamento, che contiene anche una elettronica di lettura ad esso associata, previsto in generale come ASIC in un rispettivo die di materiale semiconduttore.
Un incapsulamento noto come sopra descritto à ̈ illustrato per chiarezza in figura 1.
La figura 1 illustra un incapsulamento 1 contenente un cappuccio 2 e un substrato 3. Un primo die 10, che forma la struttura di rilevamento MEMS, e un secondo die 11, che forma un ASIC che integra una elettronica di lettura, sono accoppiati lato contro lato sul substrato 3. Il primo die 10 ha una cavità 10 che delimita una membrana 15 (per semplicità, qui non à ̈ stata illustrata la scheda posteriore). Le connessioni elettriche 12 tra il primo e il secondo die 10, 11 e tra il secondo die 11 e il substrato 3 sono ottenute utilizzando una tecnica di saldatura a filo. Strati di metallizzazione e vie (non illustrati) sono previsti attraverso il substrato 3 per instradare i segnali elettrici verso l'esterno. Piazzole di contatto (nel caso di un incapsulamento LGA - Land-Grid Array – package), o elementi sferici conduttivi (nel caso di un incapsulamento BGA - Ball-Grid Array – package) o elementi di connessione simili, sono inoltre previsti sul lato inferiore del substrato 3 per la saldatura e la connessione elettrica a un circuito stampato esterno di un corrispondente dispositivo elettronico.
Il cappuccio 2 può essere realizzato di metallo, o plastica pre-stampata rivestita all'interno con uno strato di metallizzazione, in modo da evitare il rumore dovuto ai segnali elettromagnetici esterni (formando una sorta di gabbia di Faraday). Il cappuccio 2 in generale à ̈ attaccato al substrato 12 tramite una colla conduttiva 17 in modo da ottenere anche una connessione di massa verso il substrato 3. Il cappuccio 2 ha inoltre un'apertura 18 che consente alle onde acustiche di pressione dall'ambiente esterno di entrare nell'incapsulamento 1.
Questa soluzione nota à ̈ suscettibile di miglioramenti. In particolare, dato che il cappuccio 2 à ̈ realizzato con una tecnica di stampaggio, esso richiede utensili di stampaggio specifici e dedicati (comprendenti, ad es., stampi e punzoni), per ogni possibile variazione di dimensioni e forme, ad es. in caso di variazioni delle dimensioni del silicio o in presenza di requisiti del cliente differenti. In aggiunta, il passo e il layout degli utensili di stampaggio e punzonatura non sono sempre compatibili con le dimensioni e la configurazione della schiera di contatti.
Inoltre, questa soluzione nota ha dimensioni grandi per contenere due die adiacenti e disporre il cappuccio, e in generale non offre al progettista una libertà di progettazione sufficiente nel dimensionamento delle camere anteriore e posteriore del trasduttore acustico.
EP-1 755 360A descrive un incapsulamento in cui il cappuccio metallico à ̈ fissato al substrato tramite saldatura piuttosto che utilizzando una resina epossidica conduttiva.
US 2008/0063232 descrive un metodo per racchiudere un microfono di silicio in un cappuccio stampato di plastica su cui à ̈ stato depositato uno strato metallico.
US 7.166.910 nelle Fig. 6-10 descrive e illustra un layout di incapsulamento con un trasduttore MEMS montato sul lato superiore dell'incapsulamento.
PCT/EP2010/070608, depositato il 29 dicembre 2010 a nome della stessa Richiedente, descrive un incapsulamento alloggiante un substrato che porta due die comprendenti una piastrina MEMS e un ASIC; una struttura di parete, formata da una scheda e attaccata al substrato, in modo da definire una camera alloggiante il die; e uno strato di cappuccio che chiude verso l'alto la cavità. I die sono connessi direttamente a elementi di connessione formati sulla faccia della struttura di parete rivolta verso lo strato di cappuccio.
Tutte le soluzioni indicate possono essere migliorate allo scopo di sfruttare meglio lo spazio disponibile e ridurre l'ingombro generale dell'incapsulamento per una data dimensione dei die. In aggiunta, à ̈ desiderabile una libertà di progettazione superiore nel dimensionare il volume posteriore, sulla parte posteriore della piastrina MEMS.
Secondo la presente invenzione, sono previsti un dispositivo incapsulato MEMS e il relativo procedimento di fabbricazione, come definiti rispettivamente nelle rivendicazioni 1 e 11.
Per una miglior comprensione della presente invenzione, saranno ora descritte sue forme di realizzazione preferite, puramente a titolo di esempio non limitativo e con riferimento ai disegni allegati, in cui:
- la figura 1 Ã ̈ una sezione trasversale schematica di un trasduttore acustico MEMS incapsulato noto;
- le figure 2-6, 8, 10, 12 e 14 illustrano sezioni trasversali di strutture intermedie, in fasi di fabbricazione successive, secondo una forma di realizzazione;
- le fig. 7, 9 e 16 sono viste schematiche in prospettiva delle strutture intermedie delle fig. 6, 8 e 14;
- la figura 11 Ã ̈ una vista in sezione trasversale in prospettiva delle strutture intermedie durante una fase di impilamento;
- le fig. 13 e 15 sono viste in sezione trasversale in prospettiva delle strutture intermedie delle fig. 12 e 16;
- la figura 17 Ã ̈ una sezione trasversale di un trasduttore acustico MEMS incapsulato ottenuto con il presente procedimento;
- la figura 18 Ã ̈ una sezione trasversale di una strutture intermedia, secondo una diversa forma di realizzazione; e
- la figura 19 illustra un diagramma a blocchi generale di un dispositivo elettronico che incorpora il presente trasduttore acustico MEMS.
Le fig. 2-17 illustrano una forma di realizzazione di un procedimento per fabbricare un incapsulamento per un dispositivo MEMS che si basa sull'utilizzo di substrati compositi che sono impilati e fissati uno all'altro. In particolare, la descrizione che segue à ̈ relativa alla fabbricazione di un dispositivo incapsulato attraverso l'impilamento di almeno due strutture composite, ciascuna portante almeno un die, in cui ciascuna struttura composita può essere fabbricata fondamentalmente utilizzando la tecnologia descritta in PCT/EP2010/070608 sopra citato.
Le fig. 2-17 illustrano soltanto una porzione di strati e strutture destinati a formare un singolo dispositivo MEMS incapsulato, ma le stessa caratteristiche illustrate e descritte si ripetono sui lati delle porzioni illustrate, per la fabbricazione simultanea di una pluralità di dispositivi MEMS incapsulati.
La fig. 2 illustra l'accoppiamento di un primo e un secondo strato di incapsulamento 20, 21 (indicati anche come strato di supporto e strato di parete) di uno stesso materiale plastico, in particolare una resina epossidica, e in modo specifico una scheda di BT (bismaleimmide triazina) laminata, in modo da formare un primo substrato di incapsulamento, chiamato anche primo substrato di supporto 25 (figura 3). Gli strati di incapsulamento 20, 21 possono essere fatti dello stesso materiale plastico. Una prima faccia principale 20a del primo strato di incapsulamento 20 e una prima e una seconda faccia principale 21a, 21b del secondo strato di incapsulamento 21 sono rivestite, utilizzando tecniche standard, da primi strati metallici 18, 19, 22 sottili. In aggiunta, uno strato di adesione 23, di materiale adesivo non conduttivo, à ̈ formato ad es. sul primo strato metallico 19 che copre la prima faccia principale 21a del secondo strato di incapsulamento 21, che à ̈ destinato ad essere fissato al primo strato di incapsulamento 20.
Una camera 24 à ̈ stata formata (ad es. tramite un processo di attacco convenzionale, foratura laser, ecc.) per tutto lo spessore del secondo strato di incapsulamento 21) in modo da rimuovere localmente anche i primi strati metallici 19, 22 e lo strato adesivo 23. La cavità 24 può avere, ad es., una forma rettangolare o circolare e un'area superiore a quella di un dispositivo MEMS da incapsulare.
In seguito, come indicato da una freccia in fig.
2, il primo e il secondo strato di incapsulamento 20, 21 sono uniti fra loro, in maniera impilata, in modo da formare un primo substrato composito 25, illustrato in fig. 3. In tal modo si forma una camera, ancora indicata con il numero 24 per semplicità, avente pareti laterali e un fondo. Uno strato di seme 26 viene fatto crescere sulle porzioni rimanenti del primo strato metallico 22 sulla seconda faccia principale 21b del secondo strato di incapsulamento 21, le pareti laterali e il fondo della camera 24. Quindi, ad es. utilizzando una tecnica di elettroplaccatura o una tecnica di sputtering, sullo strato di seme 26 viene fatto crescere un secondo strato metallico 27 che riveste, in particolare, l'interno della camera 24, formando, insieme agli strati 18, 22 e 26, uno strato di rivestimento 28, che copre tra l'altro le pareti e il fondo della camera 24.
Quindi, in fig. 4, utilizzando tecniche di microlavorazione a macchina standard, attraverso il primo strato di incapsulamento 20, il primo strato metallico 18 e lo strato di rivestimento 28 viene formata un'apertura di accesso 29, che forma una apertura di accesso acustica. L'apertura di accesso 29 ha, ad es., una sezione trasversale circolare e, come sarà chiarito più avanti, à ̈ destinata a consentire l'entrata di onde acustiche di pressione nell'incapsulamento del trasduttore acustico MEMS.
In questa fase, in maniera non illustrata, si può eseguire vantaggiosamente la marcatura dell'incapsulamento.
Quindi, figura 5, viene ribaltato il primo substrato composito 25 e al primo substrato composito 25, al di sopra dell'apertura di accesso 29, viene fissato un primo die, indicato di nuovo con 10 e integrante una struttura di rilevamento micromeccanica. In particolare, il primo die 10 à ̈ disposto in modo tale che la cavità 14 che definisce il diaframma 15 sia di fronte e in comunicazione fluidica con l'apertura di accesso 29 in modo da formare una camera anteriore di un trasduttore acustico MEMS.
Nel frattempo, fig. 6 e 7, un secondo substrato composito, indicato con il 25', viene lavorato come sopra discusso con riferimento alle fig. 2-4. Così, il secondo substrato composito 25' ha un primo strato di incapsulamento 20', un secondo strato di incapsulamento 21', una camera 24'. Qui, viene formata un'apertura di connessione 30, invece dell'apertura di accesso 29. L'apertura di connessione 30 può essere più larga dell'apertura di accesso 29 e posizionata differentemente, come discusso più avanti. In particolare, l'apertura di connessione 30 à ̈ disposta in posizione tale da estendersi all'incirca al di sopra del primo die 10, dopo l'accoppiamento dei substrati compositi. Inoltre la camera 24' può avere una forma diversa dalla camera 24 del primo substrato composito 25 (vedere fig. 7). In aggiunta, nel primo strato di incapsulamento 20', à ̈ possibile prevedere vie conduttive 38 per connettere lo strato di rivestimento 28' alla parte posteriore del secondo substrato composito 25', come discusso più avanti.
Quindi, fig. 8 e 9, il secondo substrato composito 25' à ̈ sottoposto a un processo di taglio in modo da formare regioni di contatto per connettere il dispositivo all'esterno. A tale scopo, come descritto nella domanda internazionale PCT/EP2010/070608, sopra citata, si utilizzano procedimenti di taglio standard (cosiddette operazioni di "segatura"), ad es. utilizzando un utensile di taglio a sega diamantata. Così, lo strato di rivestimento 28' e una porzione di superficie del secondo strato di incapsulamento 21' sono rimossi selettivamente per fornire, nella prima superficie 21a' del secondo strato di incapsulamento 21', una pluralità di regioni di contatto 32, isolate elettricamente una dall'altra (vedere figura 9). In particolare, le regioni di contatto 32 possono comprendere una regione di contatto a cornice 32a, che si estende tutto intorno alla camera 24', e regioni di contatto di dispositivo 32b, di dimensioni inferiori e ad es. di forma quadrata. In aggiunta, la regione di contatto 32a a forma di telaio può essere connessa allo strato di rivestimento 28' sul fondo della camera 24' e/o essere formata da una pluralità di regioni isolate elettricamente, se lo si desidera.
Quindi, figura 10, un secondo die 11, ad es. l'ASIC che integra una elettronica di lettura di fig.
1, à ̈ fissato al secondo substrato composito 25', lateralmente rispetto all'apertura di connessione 30, ad es. utilizzando un materiale adesivo (non illustrato), cosicché, dopo il fissaggio del primo e del secondo substrato composito 25, 25', il secondo die 11 à ̈ sfalsato lateralmente rispetto al primo die 10.
In seguito, fig. 11-13, il primo e il secondo substrato composito 25, 25' sono fissati reciprocamente, ad es. interponendo un film di fissaggio sottile 35 di materiale di fissaggio (non illustrato). Il materiale di fissaggio può essere un mezzo adesivo conduttivo se si desidera una schermatura totale delle due camere 24 e 24' (con gli strati di rivestimento 28 e 28' accoppiati elettricamente attraverso le vie conduttive 38 nel primo strato di incapsulamento 21'), o non conduttive, se una schermatura totale non à ̈ un requisito.
Il film di fissaggio sottile 35 può essere applicato alla superficie posteriore del secondo substrato composito 25' oppure alla superficie anteriore del primo substrato composito 25 con qualsiasi tecnica, come ad es. serigrafia o distribuzione a pompa standard. Dopo l'applicazione del film di fissaggio sottile 35, il primo e il secondo substrato composito 25, 25' sono impilati uno sull'altro e quindi fissati, utilizzando un processo di polimerizzazione standard. In tal modo, si ottiene un substrato a pila multi-livello 36, in cui il film di fissaggio sottile 35 agisce anche come struttura a tenuta per il dispositivo incapsulato finale.
Quindi, fig. 14-16, vengono formate le connessioni elettriche tra il primo e il secondo die 10, 11, e fra il secondo die 11 e le regioni di contatto di dispositivo 32b, utilizzando una tecnica di fissaggio fili, formando fili 37.
In seguito, al secondo substrato composito 25' viene applicato un materiale di tenuta 44 (ad es. una resina conduttiva) per sigillare ogni dispositivo finale, dopo singolazione. Secondo la fig. 17, al substrato a pila multi-livello 36 viene fissato un substrato a circuito stampato 45 utilizzando una tecnica di flip-chip, dopo avere applicato regioni di fissaggio conduttive 46, ad es. di una pasta di saldatura, alle regioni di contatto 32. Il substrato a circuito stampato 45 ha regioni di contatto 47 su entrambe le sue facce, per consentire la connessione elettrica con il substrato a pila multi-livello 36 e con l'esterno. A tal scopo, nel substrato a circuito stampato 45 possono essere previste vie passanti interne conduttive per connettere elettricamente regioni di contatto di fondo 47 a regioni di contatto superiore 47. Eventualmente, la faccia del substrato a circuito stampato 45 rivolta verso il substrato a pila multi-livello 36 può portare componenti aggiuntivi (non illustrati), connessi elettricamente dalle proprie regioni di contatto, simili alle regioni di contatto 47.
Successivamente, il gruppo impilato del substrato a circuito stampato 45 e il substrato a pila multi-livello 36 sono sottoposti a saldatura (cosiddetto "reflow"), in modo da ottenere il loro legame meccanico ed elettrico, tramite saldatura. In tal modo, si forma una struttura di incapsulamento 48, analogamente a quanto spiegato nella domanda di brevetto PCT/EP2010/070608 sopra citata.
Infine, utilizzando tecniche di taglio tradizionali, la struttura di incapsulamento 48 viene tagliata per ottenere una pluralità di dispositivi incapsulati 49 (fig. 19), ad es. trasduttori acustici MEMS incapsulati. I dispositivi finiti sono quindi sottoposti alle procedure di test usuali (cosiddetta operazione di "sorting").
Il dispositivo incapsulato finale 49 così ottenuto comprende una camera posteriore del primo die 10 (formata dalla camera 24 interna al primo substrato composito 25) che à ̈ generalmente distinta dalla camera 24' definita dal secondo substrato composito 25' essendo chiusa verso l'alto dal primo strato 20' della seconda struttura composita 25'. Questa struttura consente di separare il primo die 10 da altri componenti (come ad es. il secondo die 11 o qualsiasi ulteriore componente legato al substrato a circuito stampato 45), e l'ottimizzazione delle dimensioni della camera posteriore 24 ai requisiti specifici. Infatti, lo spessore della camera posteriore 24 può essere modificato dimensionando in modo appropriato il secondo strato di incapsulamento 21 e anche la sua area può essere ottimizzata durante la lavorazione della camera 24. Anche le dimensioni dell'apertura di connessione 30 possono essere scelte in modo da ottimizzare la separazione della camera posteriore 24 dalla seconda camera 24'. Infatti, nei trasduttori acustici, il volume della camera anteriore 14 (cioà ̈ lo spazio attraversato durante l'uso dalle onde acustiche di pressione provenienti dall'esterno attraverso l'apertura di accesso 29), e il volume della camera posteriore 24, posto in uso ad una pressione di riferimento, influenzano direttamente le prestazioni acustiche del trasduttore.
Grazie all'impilamento, la massa del dispositivo incapsulato 48 à ̈ notevolmente ottimizzata, dato che à ̈ possibile disporre i die in maniera impilata. D'altra parte, dato che ogni die à ̈ supportato da un proprio strato di sostegno (secondo strato di incapsulamento 21), il dispositivo incapsulato 48 globalmente à ̈ molto robusto, consentendo così anche un impilamento multiplo. In pratica, l'intero incapsulamento ha struttura modulare, comprendendo una pluralità di camere distinte impilate che possono essere generalmente separate una dall'altra, in cui il livello di separazione dipende dalle dimensioni dei fori passanti nei primi strati di incapsulamento (strati di supporto) delle strutture composite 25, 25' sovrastanti.
In aggiunta, dato che ogni livello comprende un proprio strato di supporto, si può ottenere un elevato livello di sovrapposizione dei die, se lo si desidera, aumentando in tal modo la riduzione dell'ingombro globale.
In aggiunta, sia il primo sia il secondo die 11, 12 sono sigillati dall'ambiente esterno e inoltre schermati dai disturbi elettromagnetici grazie agli strati di rivestimento 28, 28' che circondano le camere 24, 24'. Tuttavia, la schermatura può essere applicata soltanto ad uno dei die 11, 12, se lo si desidera, nel qual caso non occorre formare alcuna via passante 38.
L'utilizzo di una struttura di cavità multilivello consente al primo die 10 di essere assemblato direttamente sull'apertura di accesso di incapsulamento 29, per una risposta in frequenza ottimale, e consente l'impilamento di altri dispositivi mentre mantiene il primo die 10 sostanzialmente separato da essi, come discusso in precedenza.
La connessione tra il primo die 10 e il secondo die 11 attraverso fili consente di tenere al minimo eventuali capacità parassite.
In pratica, il presente incapsulamento e procedimento sfruttano la tecnica insegnata in PCT/EP2010/070608 per fabbricare un incapsulamento a camere multiple che consenta una sintonizzazione fine ottimale di entrambe le camere anteriore e posteriore per elevate prestazioni, minimizzando lo spazio in orizzontale impilando due o più cavità una sopra all'altra e ottenendo la connessione diretta di un MEMS ad un ASIC. Questo à ̈ particolarmente vantaggioso quando il dispositivo MEMS à ̈ un sensore capacitivo, ad es. un trasduttore acustico, dato che in questo caso le capacità parassite sono cruciali per le prestazioni del sensore capacitivo e quindi una connessione molto buona tra il sensore e il die di controllo à ̈ molto critica.
Secondo una diversa forma di realizzazione, il fondo della camera 24 (formata dal primo strato di incapsulamento 20) à ̈ connesso alla parte superiore del primo substrato composito 25 da vie passanti. In questo caso, fig. 18, prima di fissare il primo e il secondo strato di incapsulamento 20, 21 e prima di formare i primi strati metallici 19, 22 sulla prima e sulla seconda faccia principale 21a, 21b del secondo strato di incapsulamento 21, su tutto lo spessore dello strato 21 sono formati fori 50, le pareti dei fori 50 sono coperte da uno strato metallico 51 e, eventualmente, i fori sono riempiti con materiale conduttivo o isolante 52, formando in tal modo vie 53. Quindi, sulla prima e la seconda faccia principale 21a, 21b del secondo strato di incapsulamento 21, vengono depositati i primi strati metallici 19, 22 nonché lo strato di adesione 23. In seguito, vengono eseguite le stesse fasi discusse in precedenza con riferimento alle fig. 3-17, compresa la formazione della prima camera 24 e il fissaggio del primo e del secondo strato 20, 21 per ottenere il primo strato composito 25, la formazione del secondo strato composito 25', il fissaggio dei die 10, 11; il fissaggio del primo e del secondo strato composito 25, 25'; il collegamento reciproco a filo dei die 10, 11 e alle regioni di contatto 32; il fissaggio del substrato a circuito stampato 45 e la singolazione dei dispositivi incapsulati 49.
Il dispositivo incapsulato 49 può essere utilizzato in un dispositivo elettronico 60, come illustrato in fig. 19. Il dispositivo elettronico 60 à ̈ preferibilmente un dispositivo di comunicazioni mobile, come ad es. un telefono cellulare, un PDA, un notebook, ma anche un registratore vocale, un lettore di file audio con capacità di registrazione della voce, ecc. In alternativa, il dispositivo elettronico 60 può essere un idrofono, in grado di funzionare sott'acqua, o altrimenti un dispositivo di ausilio audio.
Il dispositivo elettronico 60 può comprendere un microprocessore (CPU - unità di elaborazione centrale) 61, un blocco di memoria 62, connesso al microprocessore 61, ed una interfaccia di ingresso/uscita 63, ad es. dotata di una tastiera e un visualizzatore, pure connessa al microprocessore 61. Il dispositivo incapsulato MEMS 49 comunica con il microprocessore 61. In particolare, l'ASIC nel secondo die 11 invia segnali di uscita elettrici al microprocessore 61 (può essere eventualmente presente un ulteriore circuito elettronico per elaborare questi segnali di uscita elettrici 65). Un altoparlante 66 à ̈ inoltre previsto per la generazione di suoni su una uscita audio (non illustrata) del dispositivo elettronico 60. Come illustrato schematicamente, il dispositivo incapsulato MEMS 48, il microprocessore 61, il blocco di memoria 62, l'interfaccia di ingresso/uscita 63 e i possibili ulteriori componenti elettronici sono accoppiati ad una singola scheda a circuito stampato 67, ad es. utilizzando la tecnica SMD.
Infine, Ã ̈ chiaro che modifiche e varianti possono essere apportate a quanto descritto e illustrato qui, senza comunque uscire dall'ambito di protezione della presente invenzione, come definito nelle rivendicazioni allegate.
In particolare, le connessioni tra gli strati di rivestimento 28, 28' nel primo e nel secondo strato composito 25, 25' possono essere diverse rispetto alla soluzione descritta e possono essere ottenute utilizzando qualsiasi tecnica e mezzi noti; gli strati di rivestimento 28 e/o 28' possono essere omessi, se non necessari; le connessioni all'esterno possono essere ottenute in qualsiasi modo noto, e la soluzione impilata può essere applicata a qualsiasi die in cui si desiderano camere posteriori distinte.
La procedura di impilamento può essere ripetuta in modo da ottenere strutture composite multilivello.

Claims (16)

  1. RIVENDICAZIONI 1. Dispositivo MEMS incapsulato (49), comprendente: una prima struttura di supporto (25); una seconda struttura di supporto (25') impilata sulla prima struttura di supporto; sia la prima che la seconda struttura di supporto (25, 25') comprendendo uno strato di supporto (20, 20') e uno strato di parete (21, 21') accoppiati fra loro e delimitanti una propria camera (24, 24'), la camera (24) della prima struttura di supporto essendo delimitata verso l'alto, almeno in parte, dallo strato di supporto (20) della seconda struttura di supporto; un primo die (10) alloggiato nella camera (24) della prima struttura di supporto (25) e portato dallo strato di supporto (20) della prima struttura di supporto; un secondo die (11) alloggiato nella camera (24') della seconda struttura di supporto (25') e portato dallo strato di supporto (20) della seconda struttura di supporto; e un substrato di cappuccio (45), accoppiato alla seconda struttura di supporto (25') e chiudente la camera (24') della seconda struttura di supporto.
  2. 2. Dispositivo secondo la rivendicazione 1, in cui il primo die (10) à ̈ un dispositivo MEMS, ad es. un trasduttore acustico, e il secondo die (11) à ̈ una unità di controllo.
  3. 3. Dispositivo secondo la rivendicazione 1 o 2, in cui il dispositivo MEMS (10) ha una membrana (15) delimitata da una cavità (14) rivolta verso lo strato di supporto (20) della prima struttura di supporto (25), lo strato di supporto della prima struttura di supporto avendo una apertura di accesso (29) e il dispositivo MEMS estendendosi sopra l'apertura di accesso con il diaframma rivolto verso l'apertura di accesso.
  4. 4. Dispositivo secondo una qualsiasi delle rivendicazioni 1-3, comprendente inoltre un foro passante (30) nello strato di supporto della seconda struttura di supporto; e connessioni a filo (37) che accoppiano il primo e il secondo die (10, 11) fra loro ed estendentisi nel foro passante.
  5. 5. Dispositivo secondo una qualsiasi delle rivendicazioni 1-4, in cui il secondo die (11) si estende lateralmente all'apertura di accesso (29), sfalsato lateralmente rispetto al primo die (10).
  6. 6. Dispositivo secondo una qualsiasi delle rivendicazioni 1-5, in cui almeno uno tra lo strato di supporto (20, 20') e lo strato di parete (21, 21') Ã ̈ una scheda di plastica, in particolare un BT laminato.
  7. 7. Dispositivo secondo una qualsiasi delle rivendicazioni 1-6, in cui le camere (24, 24') hanno ciascuna un fondo e pareti laterali, il dispositivo (49) comprendendo uno strato di copertura conduttivo (28, 28') estendentesi almeno sul fondo e sulle pareti laterali di una delle camere.
  8. 8. Dispositivo secondo una qualsiasi delle rivendicazioni 1-6, in cui le camere (24, 24') hanno ciascuna un fondo e pareti laterali coperte ciascuna da un rispettivo strato di copertura metallico (28, 28'), gli strati di copertura metallici delle camere essendo accoppiati elettricamente fra loro.
  9. 9. Dispositivo secondo una qualsiasi delle rivendicazioni 1-6, comprendente inoltre uno strato metallico (28) che si estende almeno sul fondo di una delle camere (24, 24') e tra lo strato di supporto (20, 20') e lo strato di parete (21, 21') di una tra la prima e la seconda struttura di supporto (25, 25'); vie conduttive (53) estendentisi attraverso lo strato di parete di una tra la prima e la seconda struttura di supporto e colleganti lo strato metallico (18) ad una faccia (21b) dello strato di parete lontano dallo strato di supporto (20, 20').
  10. 10. Dispositivo secondo una qualsiasi delle rivendicazioni 1-9, comprendente inoltre regioni di contatto (32) formate sullo strato di parete (21') della seconda struttura di supporto (25') fissate ad ulteriori regioni di contatto (47) formate sul substrato di cappuccio (45).
  11. 11. Procedimento per incapsulare un dispositivo semiconduttore (49), comprendente le fasi di: - fornire un primo e un secondo die (10, 11); - fornire una prima e una seconda struttura di supporto (25, 25'), sia la prima che la seconda struttura di supporto comprendendo uno strato di supporto (20, 20') e uno strato di parete (21, 21') accoppiati fra loro e delimitanti rispettivamente una prima e una seconda camera (24, 24'); - fissare il primo die (10) allo strato di supporto (20) della prima struttura di supporto (25), all'interno della prima camera (24); - fissare il secondo die (11) allo strato di supporto (20') della seconda struttura di supporto (25'), all'interno della seconda camera (24'); - impilare e fissare la seconda struttura di supporto sulla prima struttura di supporto, in modo che la camera (24) della prima struttura di supporto à ̈ delimitata verso l'alto, almeno in parte, dallo strato di supporto (20') della seconda struttura di supporto (25'); e - accoppiare un substrato di coperchio (45) alla seconda struttura di supporto (25') e chiudere la seconda camera (24').
  12. 12. Procedimento secondo la rivendicazione 11, comprendente, prima di fissare il primo die (10), formare un foro passante (30) nello strato di supporto (20') della seconda Il processo secondo la rivendicazione 10, comprendente una struttura di supporto (25'); e, prima di accoppiare un substrato di coperchio (45), accoppiare il primo e il secondo die (10, 11) fra loro attraverso connessioni dirette a filo (37) che si estendono nel foro passante (30).
  13. 13. Procedimento secondo la rivendicazione 11 o 12, comprendente, prima di fissare il secondo die (11), formare un'apertura di accesso (29) nello strato di supporto (20') della seconda struttura di supporto (25'), in cui il primo die (10) ha un diaframma (14) delimitato da una cavità (15), e in cui la fase di fissare il primo die comprende disporre la cavità (15) sopra l'apertura di accesso (29) in modo che il diaframma à ̈ rivolto verso l'apertura di accesso.
  14. 14. Procedimento secondo una qualsiasi delle rivendicazioni 11-13, in cui fornire la prima e la seconda struttura di supporto (25, 25') comprende: - fornire lo strato di supporto (20, 20'); - fornire lo strato di parete (21, 21'); - accoppiare lo strato di supporto e lo strato di parete in modo da formare la prima o la seconda camera (24, 24') aventi un fondo e pareti laterali; e - rivestire il fondo e le pareti laterali della prima o della seconda camera con uno strato di copertura conduttivo (28, 28').
  15. 15. Procedimento secondo una qualsiasi delle rivendicazioni 11-13, in cui fornire la prima e la seconda struttura di supporto (25, 25') comprende: - fornire lo strato di supporto (20, 20'); - fornire lo strato di parete (21, 21'); - accoppiare lo strato di supporto e lo strato di parete per formare la prima o la seconda camera (24, 24') avente una parete di fondo e pareti laterali; e - rivestire il fondo e le pareti laterali della prima e della seconda camera con un rispettivo strato di schermatura conduttivo (28, 28'), in cui l'impilamento e il fissaggio della seconda struttura di supporto (25') sulla prima struttura di supporto (25) comprendono disporre uno strato adesivo conduttivo (35) tra la prima e la seconda struttura per accoppiare elettricamente lo strato di schermatura conduttivo della prima e della seconda camera.
  16. 16. Procedimento secondo una qualsiasi delle rivendicazioni 11-14, in cui fornire la prima o la seconda struttura di supporto (25, 25') comprende: - fornire lo strato di supporto (20, 20'); - rivestire almeno una faccia dello strato di supporto con uno strato metallico (22); - fornire lo strato di parete (21, 21'); - formare una via (50) nello strato di parete; - formare una struttura conduttiva (53) nello strato di parete; - accoppiare lo strato di supporto (20, 20') e lo strato di parete (21, 21') per formare la prima o la seconda camera (24, 24') in modo che la struttura conduttiva à ̈ a contatto diretto elettrico con lo strato metallico (22).
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US14/977,465 US10329143B2 (en) 2011-06-30 2015-12-21 Package with chambers for dies and manufacturing process thereof

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Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ITTO20120515A1 (it) 2012-06-14 2013-12-15 St Microelectronics Nv Assemblaggio di un dispositivo integrato a semiconduttori e relativo procedimento di fabbricazione
ITTO20120623A1 (it) * 2012-07-13 2014-01-14 St Microelectronics Srl Assemblaggio impilato di un dispositivo integrato mems avente un ridotto spessore
ITTO20120976A1 (it) * 2012-11-09 2014-05-10 St Microelectronics Srl Procedimento per la fabbricazione di un cappuccio per una struttura di incapsulamento di dispositivi elettronici e cappuccio per una struttura di incapsulamento di dispositivi elettronici
CN103037297B (zh) * 2012-12-12 2015-07-08 瑞声声学科技(深圳)有限公司 Mems麦克风及其制作方法
US8999757B2 (en) * 2013-03-04 2015-04-07 Unisem (M) Berhad Top port MEMS cavity package and method of manufacture thereof
US9082883B2 (en) * 2013-03-04 2015-07-14 Unisem (M) Berhad Top port MEMS cavity package and method of manufacture thereof
US9467785B2 (en) * 2013-03-28 2016-10-11 Knowles Electronics, Llc MEMS apparatus with increased back volume
US9856136B2 (en) 2013-06-05 2018-01-02 Intel Deutschland Gmbh Chip arrangement and method for manufacturing a chip arrangement
CN103663352B (zh) * 2013-12-30 2017-11-07 上海集成电路研发中心有限公司 一种mems麦克风封装结构及封装方法
US9818665B2 (en) 2014-02-28 2017-11-14 Infineon Technologies Ag Method of packaging a semiconductor chip using a 3D printing process and semiconductor package having angled surfaces
JP2015177382A (ja) * 2014-03-15 2015-10-05 キヤノン株式会社 素子電極が貫通配線と繋がったデバイス、及びその製造方法
US9319772B2 (en) * 2014-06-20 2016-04-19 Merry Electronics (Shenzhen) Co., Ltd. Multi-floor type MEMS microphone
KR20160006494A (ko) 2014-07-09 2016-01-19 삼성전자주식회사 와이어 본딩을 이용한 정전용량 미세가공 초음파 변환기 프로브
US10297572B2 (en) * 2014-10-06 2019-05-21 Mc10, Inc. Discrete flexible interconnects for modules of integrated circuits
CN204993854U (zh) * 2015-06-24 2016-01-20 瑞声声学科技(深圳)有限公司 Mems麦克风
US20200270122A1 (en) * 2015-12-01 2020-08-27 Chirp Microsystems, Inc. Multi-cavity package for ultrasonic transducer acoustic mode control
US9860623B1 (en) * 2016-07-13 2018-01-02 Knowles Electronics, Llc Stacked chip microphone
GB2555659B (en) * 2016-11-07 2020-01-15 Cirrus Logic Int Semiconductor Ltd Package for MEMS device and process
US20180134546A1 (en) * 2016-11-14 2018-05-17 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10516948B2 (en) * 2017-02-28 2019-12-24 USound GmbH Loudspeaker arrangement
KR101995853B1 (ko) * 2017-12-06 2019-07-03 주식회사 이랜텍 마이크로폰 센서 패키지
JP7410935B2 (ja) 2018-05-24 2024-01-10 ザ リサーチ ファウンデーション フォー ザ ステイト ユニバーシティー オブ ニューヨーク 容量性センサ
US11012790B2 (en) * 2018-08-17 2021-05-18 Invensense, Inc. Flipchip package
CN109704270B (zh) * 2018-12-29 2021-09-24 无锡韦尔半导体有限公司 五金件、微机电传感器封装结构及制造方法
GB201904005D0 (en) * 2019-03-22 2019-05-08 Sensibel As Microphone housing
US11696082B2 (en) * 2019-07-31 2023-07-04 Knowles Electronics, Llc Insert molded or over molded insulating layers on enclosures for microphone assemblies
US11897763B2 (en) * 2019-12-16 2024-02-13 Stmicroelectronics, Inc. Capless semiconductor package with a micro-electromechanical system (MEMS)
US12129169B2 (en) * 2021-03-19 2024-10-29 Merry Electronics Co., Ltd. Semi-finished product of electronic device and electronic device
CN114401479A (zh) * 2021-12-28 2022-04-26 荣成歌尔微电子有限公司 骨声纹传感器及电子设备

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005008512A1 (de) * 2005-02-24 2006-08-31 Epcos Ag Elektrisches Modul mit einem MEMS-Mikrofon
US20080157301A1 (en) * 2007-01-03 2008-07-03 Stats Chippac, Inc. Leadframe package for mems microphone assembly
EP2252077A1 (en) * 2009-05-11 2010-11-17 STMicroelectronics Srl Assembly of a capacitive acoustic transducer of the microelectromechanical type and package thereof

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5633530A (en) * 1995-10-24 1997-05-27 United Microelectronics Corporation Multichip module having a multi-level configuration
JP3538045B2 (ja) * 1998-12-09 2004-06-14 三菱電機株式会社 Ｒｆ回路モジュール
US6550337B1 (en) * 2000-01-19 2003-04-22 Measurement Specialties, Inc. Isolation technique for pressure sensing structure
US7166910B2 (en) 2000-11-28 2007-01-23 Knowles Electronics Llc Miniature silicon condenser microphone
SG130158A1 (en) 2005-08-20 2007-03-20 Bse Co Ltd Silicon based condenser microphone and packaging method for the same
JP5174673B2 (ja) * 2005-10-14 2013-04-03 エスティーマイクロエレクトロニクス エス．アール．エル． 基板レベル・アセンブリを具えた電子装置及びその製造処理方法
US7436054B2 (en) * 2006-03-03 2008-10-14 Silicon Matrix, Pte. Ltd. MEMS microphone with a stacked PCB package and method of producing the same
EP1885131A1 (en) * 2006-08-04 2008-02-06 STMicroelectronics (Research & Development) Limited Iterative image compression for limited file sizes
KR100740463B1 (ko) 2006-09-09 2007-07-18 주식회사 비에스이 실리콘 콘덴서 마이크로폰
AU2007201520A1 (en) * 2006-11-29 2008-06-12 Neville Trevor Wittenbaker Comosition for the treatment of patients with kidney stones, gout - and arthritis
TWI327357B (en) 2007-01-10 2010-07-11 Advanced Semiconductor Eng Mems microphone package and method thereof
US8493748B2 (en) * 2007-06-27 2013-07-23 Stats Chippac Ltd. Packaging system with hollow package and method for the same
TWI348872B (en) * 2007-10-17 2011-09-11 Ind Tech Res Inst Electro-acoustic sensing device
US7843021B2 (en) 2008-02-28 2010-11-30 Shandong Gettop Acoustic Co. Ltd. Double-side mountable MEMS package
US8193596B2 (en) * 2008-09-03 2012-06-05 Solid State System Co., Ltd. Micro-electro-mechanical systems (MEMS) package
CN201438743U (zh) * 2009-05-15 2010-04-14 瑞声声学科技(常州)有限公司 麦克风
IT1397976B1 (it) 2009-12-23 2013-02-04 St Microelectronics Rousset Trasduttore di tipo microelettromeccanico e relativo procedimento di assemblaggio.
EP2432249A1 (en) * 2010-07-02 2012-03-21 Knowles Electronics Asia PTE. Ltd. Microphone
US20120043628A1 (en) * 2010-08-19 2012-02-23 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Packaged device including a well for containing a die

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005008512A1 (de) * 2005-02-24 2006-08-31 Epcos Ag Elektrisches Modul mit einem MEMS-Mikrofon
US20080157301A1 (en) * 2007-01-03 2008-07-03 Stats Chippac, Inc. Leadframe package for mems microphone assembly
EP2252077A1 (en) * 2009-05-11 2010-11-17 STMicroelectronics Srl Assembly of a capacitive acoustic transducer of the microelectromechanical type and package thereof

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