CN203086731U - Mems麦克风 - Google Patents

Mems麦克风 Download PDF

Info

Publication number
CN203086731U
CN203086731U CN201320006671XU CN201320006671U CN203086731U CN 203086731 U CN203086731 U CN 203086731U CN 201320006671X U CN201320006671X U CN 201320006671XU CN 201320006671 U CN201320006671 U CN 201320006671U CN 203086731 U CN203086731 U CN 203086731U
Authority
CN
China
Prior art keywords
board substrate
wiring board
tertiary circuit
circuit base
mems microphone
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201320006671XU
Other languages
English (en)
Inventor
潘旭东
黎健泉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AAC Technologies Holdings Shenzhen Co Ltd
Original Assignee
AAC Acoustic Technologies Shenzhen Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by AAC Acoustic Technologies Shenzhen Co Ltd filed Critical AAC Acoustic Technologies Shenzhen Co Ltd
Priority to CN201320006671XU priority Critical patent/CN203086731U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN203086731U publication Critical patent/CN203086731U/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R19/00—Electrostatic transducers
    • H04R19/04—Microphones
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/0032—Packages or encapsulation
    • B81B7/0061—Packages or encapsulation suitable for fluid transfer from the MEMS out of the package or vice versa, e.g. transfer of liquid, gas, sound
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R1/00—Details of transducers, loudspeakers or microphones
    • H04R1/02—Casings; Cabinets ; Supports therefor; Mountings therein
    • H04R1/04—Structural association of microphone with electric circuitry therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R31/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of transducers or diaphragms therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1515—Shape
    • H01L2924/15151—Shape the die mounting substrate comprising an aperture, e.g. for underfilling, outgassing, window type wire connections
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R19/00—Electrostatic transducers
    • H04R19/005—Electrostatic transducers using semiconductor materials
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R2201/00—Details of transducers, loudspeakers or microphones covered by H04R1/00 but not provided for in any of its subgroups
    • H04R2201/003—Mems transducers or their use
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49005—Acoustic transducer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
  • Details Of Audible-Bandwidth Transducers (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

本实用新型提供一种MEMS麦克风，包括MEMS芯片、ASIC芯片，第一、第二、第三线路板基板和框架基板，所述第一线路板基板和所述第二线路板基板相对设置，所述第三线路板基板位于上述两者之间，所述框架基板分别与所述第一、第三线路板基板固定，所述第二线路板基板与第三线路板基板固定，所述MEMS芯片和ASIC芯片均安装在第一线路板基板上，所述ASIC芯片通过引线在所述MEMS麦克风内部与所述第三线路板基板电连接，所述引线与第三线路板基板的连接点位于所述第三线路板基板与第二线路板基板相对的面上。本实用新型的所述MEMS麦克风可以提升产品灵敏度、改善频响高频部分和改善总谐波失真。

Description

MEMS麦克风
【技术领域】
本实用新型涉及一种后腔体积较大的MEMS麦克风。
【背景技术】
现有的MEMS麦克风中，ASIC芯片和MEMS芯片都是固定在底部线路板上，ASIC芯片通过引线再与底部线路板电性连接。这种封装结构的MEMS麦克风所形成的前腔体积较大，后腔体积较小。由于前腔体积较大，会导致产品频响曲线高频段产生上翘，不能满足客户要求。而且，受到MEMS芯片的结构所局限，后腔体积较小，导致产品灵敏度很难提升，进而导致产品信噪比无法得到有效提升。
【实用新型内容】
本实用新型主要解决的技术问题是现有MEMS麦克风的前腔体积较大、后腔体积较小。
为了解决上述技术问题，本实用新型实施例公开了一种MEMS麦克风，包括MEMS芯片和ASIC芯片，所述MEMS麦克风还包括第一线路板基板、第二线路板基板、第三线路板基板和框架基板，所述第一线路板基板和所述第二线路板基板相对设置，所述第三线路板基板位于所述第一线路板基板和所述第二线路板基板之间，所述框架基板分别与所述第一线路板基板和所述第三线路板基板固定，所述第二线路板基板与所述第三线路板基板固定，所述MEMS芯片和ASIC芯片均安装在所述第一线路板基板上，所述MEMS芯片和ASIC芯片电性连接，所述ASIC芯片通过引线在所述MEMS麦克风内部与所述第三线路板基板电连接，所述ASIC芯片与第三线路板基板电连接的引线与第三线路板基板的连接点位于所述第三线路板基板与第二线路板基板相对的面上。
在本实用新型的一较佳实施例中，所述框架基板分别与所述第一线路板基板和所述第三线路板基板通过粘合剂固定，所述第二线路板基板和所述第三线路板基板通过粘合剂固定。
在本实用新型的一较佳实施例中，所述第二线路板基板和所述第三线路板基板通过导电胶电性连接。
在本实用新型的一较佳实施例中，所述第三线路板基板设有镂空结构，所述ASIC芯片与第三线路板基板电连接的引线穿过所述第三线路板基板的镂空部分而连接于所述第三线路板基板与第二线路板基板相对的面上。
在本实用新型的一较佳实施例中，所述第一线路板基板位于所述MEMS麦克风的顶部，所述第二线路板基板位于所述MEMS麦克风的底部。
在本实用新型的一较佳实施例中，所述第一线路板基板上开设有声孔，所述声孔与MEMS芯片的内部相通。
在本实用新型的一较佳实施例中，所述第二线路板基板上设有给所述ASIC芯片与第三线路板基板电连接的引线让位的凹槽。
为了解决上述技术问题，本实用新型实施例还公开了一种MEMS麦克风的制作方法，包括以下步骤：
步骤（1），准备第一线路板基板、第三线路板基板、框架基板、ASIC芯片和MEMS芯片，将MEMS芯片和ASIC芯片安装在第一线路板基板上；
步骤（2），在第一线路板基板和第三线路板基板上分别涂覆粘合剂，再将第一线路板基板、第三线路板基板和框架基板装配；
步骤（3），将MEMS芯片和ASIC芯片电连接，将ASIC芯片通过引线电连接至第三线路板基板远离第一线路板基板的一侧面上；
步骤（4），准备第二线路板基板，并在第二线路板基板上涂覆粘合剂和导电胶，再将第二线路板基板与第三线路板基板粘结。
相较于现有技术，本实用新型的所述MEMS麦克风的后腔体积较大，可以提升产品灵敏度、改善频响高频部分和改善总谐波失真。
【附图说明】
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中：
图1是本实用新型MEMS麦克风实施例的侧视结构示意图；
图2至图5分别是制作图1所示MEMS麦克风的各阶段侧视结构示意图。
【具体实施方式】
下面将对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1，图1是本实用新型MEMS麦克风实施例的侧视结构示意图，所述MEMS麦克风1包括MEMS（Micro-Electro-Mechanical-SystemMicrophone，微机电系统麦克风）芯片10、ASIC（Application Specific IC，专用集成电路）芯片11、第一线路板基板12、第二线路板基板13、第三线路板基板14和框架基板15。
其中，所述第一线路板基板12为所述MEMS麦克风1的盖子线路板基板，其位于所述MEMS麦克风1的顶部，所述第二线路板基板13为所述MEMS麦克风1的底部线路板基板。所述第一线路板基板12和所述第二线路板基板13相对设置，所述第三线路板基板14位于所述第一线路板基板12和所述第二线路板基板13之间，所述框架基板15分别与所述第一线路板基板12和所述第三线路板基板14固定，所述第二线路板基板13与所述第三线路板基板14固定。在本实施例中，所述第三线路板基板14和所述框架基板15均为中间镂空结构。所述框架基板15分别与所述第一线路板基板12和所述第三线路板基板14通过粘合剂固定，所述第二线路板基板13和所述第三线路板基板14通过粘合剂16固定。
所述MEMS芯片10和ASIC芯片11均安装在所述第一线路板基板12上，在本实施例中，所述MEMS芯片10和ASIC芯片11通过引线电性连接，当然MEMS芯片10和ASIC芯片11也可以以现有一切可行方式电连接，所述ASIC芯片11通过引线在所述MEMS麦克风1的内部与所述第三线路板基板14电连接，所述ASIC芯片11与第三线路板基板14电连接的引线与第三线路板基板14的连接点位于所述第三线路板基板14与第二线路板基板13相对的面上。所述ASIC芯片11与第三线路板基板14电连接的引线是穿过所述第三线路板基板14的镂空部分而连接于所述第三线路板基板14与第二线路板基板13相对的面上的。
进一步的，所述第三线路板基板14还与所述第二线路板基板13电性连接，例如，所述第二线路板基板13和所述第三线路板基板14可以通过导电胶17电性连接。所述第二线路板基板13上设有给所述ASIC芯片11与第三线路板基板14电连接的引线让位的凹槽131。所述第一线路板基板12上开设有声孔121，所述声孔121与MEMS芯片10的内部相通。当然，声孔121所开设的位置并不局限于第一线路板基板12上。
本实施例的所述MEMS麦克风1中，使用第一线路板基板12、第二线路板基板13、第三线路板基板14和框架基板15组合封装，引线走线都在MEMS麦克风1的内部，不但解决了电路走线和封装问题，而且有效阻止无线电波或磁场或电场干扰。相较于现有的MEMS麦克风，本实用新型本实施例的所述MEMS麦克风1的MEMS芯片10和ASIC芯片11都安装在顶部的所述第一线路板基板12上，使得形成的后腔体积有明显增大，产品内部空间得到充分利用，可以有效提升产品灵敏度，进而使信噪比得到明显提升。此外，后腔体积增大，产品频响曲线高频段有明显改善，更加平滑，还能改善总谐波失真。
请结合图1一并参阅图2至图5，本实用新型实施例还公开了一种MEMS麦克风的制作方法，其包括以下步骤：
步骤（1），准备第一线路板基板12、第三线路板基板14、框架基板15、ASIC芯片11和MEMS芯片10，将MEMS芯片10和ASIC芯片11安装在第一线路板基板12上，如图2所示；
步骤（2），在第一线路板基板12和第三线路板基板14上分别涂覆粘合剂，再将第一线路板基板12、第三线路板基板14和框架基板15装配形成腔体结构；
步骤（3），将MEMS芯片10和ASIC芯片11电连接，将ASIC芯片11通过引线电连接至第三线路板基板14远离第一线路板基板12的一侧面上，如图3所示；
步骤（4），准备第二线路板基板13，并在第二线路板基板13上涂覆粘合剂和导电胶，再将第二线路板基板13与第三线路板基板14粘结，如图4所示。
其中，单体成品MEMS麦克风1切割分离前的结构如图5所示，相邻的单体成品MEMS麦克风1之间通过连接筋18相连接。两个MEMS麦克风1的第一线路板基板12、第二线路板基板13、第三线路板基板14和框架基板15在安装过程都是通过连接筋18连接一体，沿连接筋18切割分离可以形成多个单体成品MEMS麦克风1，具有较高的生产效率。
在此需要说明的是：a、步骤（3）中将MEMS芯片10和ASIC芯片11电连接，可以是用引线将两者电连接，也可以是用第一线路板基板12上的导电部件将两者电连接，总之MEMS芯片10和ASIC芯片11可以以现有一切可行方式电连接；b、上述各步骤的顺序可以根据实际生产制造条件进行前后调整或同时进行其中两项或以上步骤。
以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (7)

1.一种MEMS麦克风，包括MEMS芯片和ASIC芯片，其特征在于，所述MEMS麦克风还包括第一线路板基板、第二线路板基板、第三线路板基板和框架基板，所述第一线路板基板和所述第二线路板基板相对设置，所述第三线路板基板位于所述第一线路板基板和所述第二线路板基板之间，所述框架基板分别与所述第一线路板基板和所述第三线路板基板固定，所述第二线路板基板与所述第三线路板基板固定，所述MEMS芯片和ASIC芯片均安装在所述第一线路板基板上，所述MEMS芯片和ASIC芯片电性连接，所述ASIC芯片通过引线在所述MEMS麦克风内部与所述第三线路板基板电连接，所述ASIC芯片与第三线路板基板电连接的引线与第三线路板基板的连接点位于所述第三线路板基板与第二线路板基板相对的面上。
2.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述框架基板分别与所述第一线路板基板和所述第三线路板基板通过粘合剂固定，所述第二线路板基板和所述第三线路板基板通过粘合剂固定。
3.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述第二线路板基板和所述第三线路板基板通过导电胶电性连接。
4.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述第三线路板基板设有镂空结构，所述ASIC芯片与第三线路板基板电连接的引线穿过所述第三线路板基板的镂空部分而连接于所述第三线路板基板与第二线路板基板相对的面上。
5.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述第一线路板基板位于所述MEMS麦克风的顶部，所述第二线路板基板位于所述MEMS麦克风的底部。
6.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述第一线路板基板上开设有声孔，所述声孔与MEMS芯片的内部相通。
7.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述第二线路板基板上设有给所述ASIC芯片与第三线路板基板电连接的引线让位的凹槽。
CN201320006671XU 2012-12-12 2013-01-07 Mems麦克风 Expired - Fee Related CN203086731U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201320006671XU CN203086731U (zh) 2012-12-12 2013-01-07 Mems麦克风

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210535223.9 2012-12-12
CN201210535223 2012-12-12
CN201320006671XU CN203086731U (zh) 2012-12-12 2013-01-07 Mems麦克风

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN203086731U true CN203086731U (zh) 2013-07-24

Family

ID=47972693

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201320006671XU Expired - Fee Related CN203086731U (zh) 2012-12-12 2013-01-07 Mems麦克风
CN201310004866.5A Expired - Fee Related CN103024651B (zh) 2012-12-12 2013-01-07 Mems麦克风及其制作方法
CN201320006551XU Expired - Fee Related CN203120151U (zh) 2012-12-12 2013-01-07 Mems麦克风
CN201310004848.7A Expired - Fee Related CN103037297B (zh) 2012-12-12 2013-01-07 Mems麦克风及其制作方法

Family Applications After (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310004866.5A Expired - Fee Related CN103024651B (zh) 2012-12-12 2013-01-07 Mems麦克风及其制作方法
CN201320006551XU Expired - Fee Related CN203120151U (zh) 2012-12-12 2013-01-07 Mems麦克风
CN201310004848.7A Expired - Fee Related CN103037297B (zh) 2012-12-12 2013-01-07 Mems麦克风及其制作方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9107009B2 (zh)
CN (4) CN203086731U (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103475983A (zh) * 2013-09-13 2013-12-25 山东共达电声股份有限公司 Mems麦克风及电子设备
CN104517944A (zh) * 2013-09-30 2015-04-15 日月光半导体制造股份有限公司 封装结构及其制造方法
CN105163256B (zh) * 2015-09-29 2019-08-20 歌尔股份有限公司 具有柔性导通结构的mems装置
GB2555659B (en) * 2016-11-07 2020-01-15 Cirrus Logic Int Semiconductor Ltd Package for MEMS device and process
CN108529551A (zh) * 2017-03-02 2018-09-14 罗伯特·博世有限公司 气压传感器及其封装方法
US10373883B2 (en) * 2017-10-26 2019-08-06 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package device and method of manufacturing the same
CN208572438U (zh) * 2018-08-02 2019-03-01 瑞声声学科技(深圳)有限公司 Mems麦克风的终端装配结构
CN113301486B (zh) * 2021-06-17 2022-04-29 甬矽电子(宁波)股份有限公司 双硅麦封装结构和双硅麦封装结构的制备方法
CN113415781B (zh) * 2021-06-17 2023-05-23 甬矽电子(宁波)股份有限公司 双mems芯片封装结构和双mems芯片封装方法
CN215453270U (zh) * 2021-07-07 2022-01-07 瑞声声学科技(深圳)有限公司 麦克风

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1843626A2 (en) * 2000-04-26 2007-10-10 Hosiden Corporation Semiconductor electret capacitor microphone
JP2007081614A (ja) * 2005-09-13 2007-03-29 Star Micronics Co Ltd コンデンサマイクロホン
JP2008278476A (ja) * 2007-04-05 2008-11-13 Yamaha Corp コンデンサマイク装置のｓｎ比改善方法およびコンデンサマイク装置並びにコンデンサマイク装置搭載機器
CN101534465A (zh) * 2008-03-11 2009-09-16 佳世达科技股份有限公司 微机电麦克风及其封装方法
US8472648B2 (en) * 2009-01-20 2013-06-25 General Mems Corporation Miniature MEMS condenser microphone package and fabrication method thereof
EP2501644A1 (en) * 2009-11-20 2012-09-26 Unimicron Technology Corp. Lid, fabricating method thereof, and mems package made thereby
JP5302867B2 (ja) * 2009-12-07 2013-10-02 ホシデン株式会社 マイクロホン
IT1397976B1 (it) * 2009-12-23 2013-02-04 St Microelectronics Rousset Trasduttore di tipo microelettromeccanico e relativo procedimento di assemblaggio.
US8443084B2 (en) * 2010-02-09 2013-05-14 Accenture Global Services Limited Enhanced upgrade path
JP4947191B2 (ja) * 2010-06-01 2012-06-06 オムロン株式会社 マイクロフォン
CN102595293B (zh) * 2011-01-11 2015-04-08 歌尔声学股份有限公司 一种mems麦克风及其封装方法
JP5382029B2 (ja) * 2011-02-22 2014-01-08 オムロン株式会社 マイクロフォンの製造方法
CN102131140B (zh) * 2011-04-07 2014-04-16 深圳市豪恩声学股份有限公司 Mems传声器
ITTO20110577A1 (it) * 2011-06-30 2012-12-31 Stmicroelectronics Malta Ltd Incapsulamento per un sensore mems e relativo procedimento di fabbricazione
US8879767B2 (en) * 2011-08-19 2014-11-04 Knowles Electronics, Llc Acoustic apparatus and method of manufacturing
US20130161702A1 (en) * 2011-12-25 2013-06-27 Kun-Lung Chen Integrated mems device
US8841738B2 (en) * 2012-10-01 2014-09-23 Invensense, Inc. MEMS microphone system for harsh environments

Also Published As

Publication number Publication date
CN103024651A (zh) 2013-04-03
CN103024651B (zh) 2015-07-08
CN103037297B (zh) 2015-07-08
US9107009B2 (en) 2015-08-11
CN103037297A (zh) 2013-04-10
CN203120151U (zh) 2013-08-07
US20140161289A1 (en) 2014-06-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN203086731U (zh) Mems麦克风
CN102625226B (zh) 微型扬声器组件的组装方法
US20170257946A1 (en) Method for fabricating ceramic insulator for electronic packaging
CN201138866Y (zh) 改进结构的硅麦克风
CN201042077Y (zh) 硅电容麦克风
CN203788459U (zh) Mems麦克风
CN103957498A (zh) 侧面进声的硅麦克风封装结构
CN201323652Y (zh) 硅电容麦克风
CN204291390U (zh) 一种mems麦克风
CN204442690U (zh) Mems麦克风
CN102595293B (zh) 一种mems麦克风及其封装方法
CN201138865Y (zh) 硅电容麦克风
CN204145748U (zh) 一种mems麦克风
CN201533402U (zh) 一种微型动圈式电声转换器
CN202310096U (zh) Mems麦克风
CN203933950U (zh) 一种前进音mems麦克风
CN110769357A (zh) 一种采用引线框架塑料壳的麦克风封装结构
CN203788460U (zh) Mems麦克风
CN201947418U (zh) 一种mems麦克风
CN201623846U (zh) 微型发声器
CN201290178Y (zh) 电容式传声器
CN203840542U (zh) 侧面进声的硅麦克风封装结构
CN201608871U (zh) 微型动圈式电声转换器
CN203788457U (zh) Mems麦克风
CN202334883U (zh) Mems麦克风

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20130724

Termination date: 20220107

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee