ITTO20120976A1 - Procedimento per la fabbricazione di un cappuccio per una struttura di incapsulamento di dispositivi elettronici e cappuccio per una struttura di incapsulamento di dispositivi elettronici - Google Patents
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Description
DESCRIZIONE
del brevetto per invenzione industriale dal titolo:
“PROCEDIMENTO PER LA FABBRICAZIONE DI UN CAPPUCCIO PER UNA STRUTTURA DI INCAPSULAMENTO DI DISPOSITIVI ELETTRONICI E CAPPUCCIO PER UNA STRUTTURA DI INCAPSULAMENTO DI DISPOSITIVI ELETTRONICIâ€
di STMICROELECTRONICS S.R.L.
di nazionalità italiana
con sede: VIA C. OLIVETTI, 2
AGRATE BRIANZA (MB)
Inventori: GRITTI Alex, CREMA Paolo
*** ***** ***
La presente invenzione à ̈ relativa a un procedimento per la fabbricazione di un cappuccio per una struttura di incapsulamento di dispositivi elettronici, a un procedimento per la fabbricazione di un dispositivo microelettromeccanico incapsulato, a un cappuccio per una struttura di incapsulamento di dispositivi elettronici e a un dispositivo microelettromeccanico incapsulato.
I dispositivi MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems) trovano impiego sempre più largo impiego in svariati settori come sensori o trasduttori miniaturizzati. Ad esempio, microfoni e sensori di pressione sono frequentemente utilizzati in dispositivi di comunicazione mobile e apparecchi di ripresa, come telefoni cellulari e
1
Elena CERBARO (Iscrizione Albo nr.426/BM) videocamere.
Dato che la miniaturizzazione estremamente spinta dei dispositivi MEMS comporta una certa fragilità delle strutture micromeccaniche, à ̈ comune utilizzare cappucci (lids) protettivi che incapsulano le parti più facilmente soggette a rottura. Normalmente, i sensori o trasduttori MEMS sono montati su substrati, eventualmente con circuiti di controllo, se necessario. I substrati vengono accoppiati a rispettivi cappucci e formano strutture di incapsulamento all’interno delle quali si trovano i dispositivi da proteggere.
I cappucci protettivi svolgono poi anche altre funzioni, oltre a quella di mera barriera meccanica.
In molti casi, in particolare, la trasmissione dei segnali può essere disturbata dall’ambiente e quindi à ̈ necessario prevedere una protezione dalla luce e dalle interferenze elettromagnetiche. A questo scopo, le cavità dei cappucci sono ricoperte internamente da strati metallici di schermo. I cappucci possono inoltre servire per determinare condizioni di pressione acustica ottimali per il funzionamento dei sensori MEMS.
I cappucci protettivi vengono in genere uniti ai substrati su cui sono montati i sensori MEMS mediante colle conduttive, che consentono la messa a terra dello strato di schermo elettromagnetico.
Le paste saldanti, ad esempio a base di stagno-piombo, stagno-alluminio-rame o stagno-antimonio, sarebbero di per sé preferibili alle colle conduttive, specialmente per la migliore resistenza agli urti dimostrata dai risultati di prove di caduta (drop test). Tuttavia, le paste saldanti rifondono durante le fasi di assemblaggio di un package (comprendente scheda di supporto, sensore MEMS e cappuccio) alle schede del sistema elettronico in cui il sensore MEMS deve essere impiegato. Le paste saldanti fuse tendono a risalire lungo le pareti verticali conduttive del cappuccio, invadendo le cavità in cui à ̈ alloggiato il sensore MEMS e lasciando spazi vuoti nei giunti di saldatura. I vuoti nei giunti di saldatura sono particolarmente indesiderati, perché, da un lato, indeboliscono la saldatura e, dall’altro, possono causare trafilamenti che incidono sulle prestazioni dei dispositivi, specialmente quando à ̈ richiesta una camera di riferimento a pressione controllata.
Viene quindi avvertita l’esigenza di permettere l’uso di paste saldanti nella realizzazione di dispositivi elettronici incapsulati comprendenti strutture microelettromeccaniche.
Scopo della presente invenzione à ̈ fornire un procedimento per la fabbricazione di un cappuccio per una struttura di incapsulamento di dispositivi elettronici, un procedimento per la fabbricazione di un dispositivo microelettromeccanico incapsulato, un cappuccio per una struttura di incapsulamento di dispositivi elettronici e un dispositivo microelettromeccanico incapsulato che permettano di superare le limitazioni descritte e, in particolare, permettano di utilizzare paste saldanti eliminando o almeno riducendo il rischio di migrazione di pasta saldante fusa in cavità di alloggiamento dei dispositivi microelettromeccanici durante l’assemblaggio finale.
Secondo la presente invenzione vengono forniti un procedimento per la fabbricazione di un cappuccio per una struttura di incapsulamento di dispositivi elettronici, un procedimento per la fabbricazione di un dispositivo microelettromeccanico incapsulato, un cappuccio per una struttura di incapsulamento di dispositivi elettronici e un dispositivo microelettromeccanico incapsulato come definiti rispettivamente nelle rivendicazioni 1, 12 e 19.
Per una migliore comprensione dell’invenzione, ne verranno ora descritte alcune forme di realizzazione, a puro titolo di esempio non limitativo e con riferimento ai disegni allegati, nei quali:
- la figura 1 mostra una sezione trasversale attraverso un primo substrato, in una fase iniziale di un procedimento per la fabbricazione di un dispositivo microelettromeccanico incapsulato in accordo a una forma di realizzazione della presente invenzione;
- la figura 2 mostra il primo substrato di figura 1 in una successiva fase di lavorazione;
- la figura 3 mostra una sezione trasversale attraverso un secondo substrato in una fase del procedimento;
- la figura 4 mostra una sezione trasversale attraverso un cappuccio in accordo a una forma di realizzazione della presente invenzione, ottenuto unendo il primo substrato di figura 2 e il secondo substrato di figura 3;
- le figure 5-7 mostrano il cappuccio di figura 4 in successive fasi del un procedimento;
- la figura 8 Ã ̈ una sezione trasversale di un terzo substrato in una fase del procedimento;
- la figura 9 mostra una sezione trasversale attraverso una struttura composita ottenuta in una fase intermedia del procedimento, unendo il cappuccio di figura 7 e la struttura composita di figura 8;
- la figura 10 mostra la struttura composita di figura 9 in una fase successiva del procedimento;
- la figura 11 mostra un dispositivo microelettromeccanico incapsulato in accordo a una forma di realizzazione della presente invenzione, in una fase finale del procedimento;
- la figura 12 Ã ̈ una sezione trasversale attraverso un dispositivo microelettromeccanico incapsulato, ottenuto mediante un procedimento in accordo a una diversa forma di realizzazione della presente invenzione;
- la figura 13 à ̈ una sezione trasversale attraverso un cappuccio in accordo a una forma di realizzazione dell’invenzione, incorporato nel dispositivo microelettromeccanico incapsulato di figura 12;
- la figura 14 Ã ̈ una sezione trasversale attraverso un substrato, in una fase iniziale di un procedimento per la fabbricazione di un dispositivo microelettromeccanico incapsulato in accordo a una forma di realizzazione della presente invenzione;
- la figura 15 mostra una sezione trasversale attraverso un cappuccio in accordo a una forma di realizzazione della presente invenzione, ottenuto dal substrato di figura 14;
- la figura 16 mostra un dispositivo microelettromeccanico incapsulato in accordo a una forma di realizzazione della presente invenzione, in una fase finale del procedimento;
- la figura 17 Ã ̈ uno schema a blocchi di un dispositivo microelettromeccanico incapsulato; e
- la figura 18 Ã ̈ uno schema a blocchi di un sistema
6
Elena CERBARO (Iscrizione Albo nr.426/BM) elettronico incorporante il dispositivo microelettromeccanico incapsulato di figura 16.
In una fase iniziale di un processo per la fabbricazione di un dispositivo microelettromeccanico incapsulato, a cui fa riferimento la figura 1, una prima faccia 1a e una seconda faccia 1b di un primo substrato di protezione 1 vengono ricoperte rispettivamente con un primo strato conduttivo 2a e con un secondo strato conduttivo 2b, entrambi metallici, in particolare di rame. In una forma di realizzazione, il primo substrato di protezione à ̈ di un materiale organico, ad esempio BT. Inoltre, sul secondo strato conduttivo 2b viene laminato uno strato adesivo 3.
Successivamente, figura 2, una cavità 5 passante viene formata nel primo strato conduttivo 2a, nel primo substrato di protezione 1, nel secondo strato conduttivo 2b e nello strato adesivo 3 ad esempio mediante punzonatura.
Come mostrato in figura 3, un secondo substrato di protezione 7, di spessore minore rispetto al primo substrato di protezione 1 e dello stesso materiale, viene preparato separatamente. In particolare, una prima faccia 7a e una seconda faccia 7b del secondo substrato di protezione 7 vengono ricoperte con un terzo strato conduttivo 8a e con un quarto strato conduttivo 8b, ed esempio dello stesso materiale utilizzato per il primo strato conduttivo 2a e per il secondo strato conduttivo 2b,
7
Elena CERBARO (Iscrizione Albo nr.426/BM) che nella forma di realizzazione descritta à ̈ rame.
Il primo substrato di protezione 1 viene poi unito al secondo substrato di protezione 7 (più precisamente al terzo strato conduttivo 8a) mediante lo strato adesivo 3, come mostrato in figura 4. In questo modo, viene realizzato un cappuccio (lid) 9 in cui il primo substrato di protezione 1 e il secondo substrato di protezione 7 formano rispettivamente pareti laterali 5a e una copertura della cavità 5 su un lato opposto alla prima faccia 1a del primo substrato di protezione 1.
Dopo che il primo substrato di protezione 1 e il secondo substrato di protezione 7 sono stati uniti, il cappuccio 9 viene ricoperto internamente di materiale conduttivo mediante un processo di placcatura, seguito da un processo di elettrodeposizione (figura 5). In una forma di realizzazione, il materiale conduttivo à ̈ lo stesso utilizzato per formare il primo strato 2a, il secondo strato 2b e il terzo strato conduttivo 8a, in particolare rame. Porzioni residue del primo strato 2a e del secondo strato 2b e il terzo strato conduttivo 8a rimangono quindi incorporati in uno strato di schermatura 10. Lo strato di schermatura 10 ricopre la prima faccia 1a del primo substrato di protezione 1 e le pareti della cavità 5, ossia le pareti laterali 5a e una porzione della prima faccia 7a del secondo substrato di protezione 7 affacciata alla
8
Elena CERBARO (Iscrizione Albo nr.426/BM) cavità 5.
Successivamente, il cappuccio 9 viene lavato e uno strato protettivo metallorganico 11 di materiale OSP (Organic Surface Preservative) viene depositato sullo strato di schermatura 10 prima che la superficie dello strato di schermatura 10 stesso sia ossidata a ossido rameico (o ossido di rame (II), CuO). A seguito del lavaggio, infatti, sulla superficie dello strato di schermatura 10 si forma uno strato di ossido rameoso (o ossido di rame (I), Cu2O) che tende in breve tempo a ossidarsi ulteriormente a ossido rameico.
Lo strato protettivo metallorganico 11 viene formato sia all’interno della cavità 5 (sulle pareti laterali 5a e sulla porzione della prima faccia 7a del secondo substrato di protezione 7 affacciata alla cavità 5), sia sopra la prima faccia 1a del primo substrato di protezione 1. In una forma di realizzazione, in particolare, lo strato protettivo metallorganico 11 à ̈ di un materiale OSP a singolo passaggio (one-pass). I materiali OSP, comunemente utilizzati nella realizzazione dei circuiti stampati, sono ottenuti depositando sostanze quali imidazolo e imidazoli derivati che, a contatto con il rame, formano composti organometallici capaci di prevenire l’ossidazione del rame superficiale. I materiali OSP sono rimovibili termicamente oppure chimicamente, ad esempio in acido. Nella famiglia
9
Elena CERBARO (Iscrizione Albo nr.426/BM) dei materiali OSP, i materiali OSP a singolo passaggio formano composti organometallici che presentano maggiore facilità alla rimozione mediante cicli termici. In particolare, i composti organometallici formati da materiali OSP a singolo passaggio vengono rimossi sostanzialmente in modo completo se sottoposti allo stress termico determinato da un singolo ciclo di saldatura in fase di assemblaggio a scheda a circuiti stampati. In una forma di realizzazione il materiale OSP à ̈ realizzato depositando benzotriazolo, che forma un composto di Cu(I) benzotriazolo.
Lo strato protettivo metallorganico 11 previene quindi l’ossidazione dello strato di schermatura 10.
La lavorazione del secondo substrato di protezione 7 viene poi completata con l’apertura di una porta acustica (sound port) 12 passante (figura 7), in modo da mettere la cavità 5 in comunicazione con l’esterno dopo la chiusura del cappuccio 9.
Un substrato di supporto 13 (figura 8), su cui sono montati una prima piastrina (chip), integrante un trasduttore acustico MEMS 15 (ad esempio a variazione di capacità ), e una seconda piastrina, integrante un circuito di controllo 16 (ASIC, Application Specific Integrated Circuit), viene separatamente preparato mediante deposizione di uno strato di pasta saldante 17, ad esempio
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Elena CERBARO (Iscrizione Albo nr.426/BM) a base di stagno-piombo, stagno-alluminio-rame o stagnoantimonio, su una superficie di saldatura.
Il substrato di supporto 13 à ̈ un substrato composito in materiale organico, ad esempio BT, e comprende piste conduttive 18 disposte su più livelli e collegate da interconnessioni 19 (rappresentate puramente a titolo esemplificativo). Il trasduttore acustico MEMS 15 e il circuito di controllo 16 sono montati su una faccia 13a del substrato di supporto 13 da accoppiare al cappuccio 9. Lo strato di pasta saldante 17 si estende sulla faccia 13a del substrato di supporto 13 attorno al trasduttore acustico MEMS 15 e al circuito di controllo 16.
Il cappuccio 9 viene poi unito al substrato di supporto 13 come mostrato in figura 9, con lo strato protettivo metallorganico 11 in contatto con lo strato di pasta saldante 17, in modo che il trasduttore acustico MEMS 15 e il circuito di controllo 16 rimangano alloggiati nella cavità 5.
Il cappuccio 9 e il substrato di supporto 13 vengono scaldati fino a provocare la fusione dello strato di pasta saldante 17 (figura 10). Lo strato protettivo metallorganico 11 viene distrutto termicamente e libera lo strato di schermatura 10, permettendo la formazione di un giunto di saldatura 20 conduttivo con lo strato di schermatura 10 stesso. Dove lo strato protettivo
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Elena CERBARO (Iscrizione Albo nr.426/BM) metallorganico 11 à ̈ a contatto con lo strato di schermatura 10, in particolare, la pasta saldante penetra nello strato protettivo metallorganico 11, che viene distrutto. Il materiale OSP dello strato protettivo metallorganico 11 viene rimosso da un flussante che à ̈ contenuto nella pasta saldante o, in alternativa, viene deposto prima della saldatura. All’interno della cavità 5, invece, lo strato protettivo metallorganico 11 vaporizza. La pasta saldante fusa risale per capillarità nello strato protettivo metallorganico 11 anche per un breve tratto lungo lo strato di schermatura 10 all’interno della cavità 5. La penetrazione all’interno della cavità 5 à ̈ tuttavia trascurabile.
Viene così formato un dispositivo microelettromeccanico incapsulato 25, in particolare un microfono MEMS, comprendente il trasduttore acustico MEMS 15, il circuito di controllo 16 e una struttura di incapsulamento (package) 24, di cui fanno parte il cappuccio 9 e il substrato di supporto 13.
Infine, lo strato di schermatura 10, in contatto ovunque scoperto con l’atmosfera presente nella cavità 5, viene ricoperto da uno strato protettivo di ossido rameico 26.
Vantaggiosamente, lo strato protettivo di ossido rameico 26 à ̈ permanente e ha bagnabilità molto bassa. Per
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Elena CERBARO (Iscrizione Albo nr.426/BM) questo motivo, anche durante successive fasi di assemblaggio del dispositivo microelettromeccanico incapsulato 25 a una scheda a circuiti stampati, la pasta saldante fusa, non potendo risalire lungo lo strato di schermatura 10, che à ̈ protetto dallo strato protettivo di ossido rameico 26, rimane confinata nella regione del giunto di saldatura 20 e non invade la cavità 5.
È quindi possibile utilizzare pasta saldante in luogo di colle conduttive, senza necessità di ricorrere ad accorgimenti costosi, come procedimenti di placcatura Ni-Au.
Secondo la forma di realizzazione illustrata in figura 12, un dispositivo microelettromeccanico incapsulato 125, in particolare un microfono MEMS, comprendente un trasduttore acustico MEMS 115, integrato in una prima piastrina, un circuito di controllo 116, integrato in una seconda piastrina, e una struttura di incapsulamento 124.
La struttura di incapsulamento 124 comprende un cappuccio 109 e un substrato di supporto 113, su cui sono montati il trasduttore acustico MEMS 115 e il dispositivo di controllo 116. Il cappuccio 109, ottenuto dall’unione di un primo substrato di protezione 101 e di un secondo substrato di protezione 107, presenta una cavità 105 cieca ed à ̈ privo di aperture passanti. Il substrato di supporto 113 presenta un’apertura passante che à ̈ stata
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Elena CERBARO (Iscrizione Albo nr.426/BM) preventivamente formata ed à ̈ in comunicazione fluidica con il trasduttore acustico MEMS 115 e definisce una porta acustica 112. In questo caso, la cavità 105 definisce una camera di riferimento per il trasduttore acustico MEMS 115. Inoltre, uno strato di schermatura 110 in rame ricopre le pareti della cavità 105 e una faccia 101a del primo substrato di protezione 101 unita al substrato di supporto 113.
Il dispositivo microelettromeccanico incapsulato 125 à ̈ realizzato come già descritto, salvo per il fatto che la porta acustica 112 à ̈ realizzata nel substrato di supporto 113 anziché nel cappuccio 109. In particolare, in una fase del procedimento di fabbricazione il cappuccio 109, prima di essere unito al substrato di supporto 113, viene ricoperto con uno strato protettivo metallorganico 111 di materiale OSP, come mostrato in figura 13. Quando il cappuccio 109 e il substrato di supporto 113 vengono uniti mediante uno strato di pasta saldante 117, lo strato protettivo metallorganico 111 di materiale OSP viene termicamente distrutto e scopre lo strato di schermatura 110 sia sulla faccia 101a del primo substrato 101, sia all’interno della cavità 105. Lo strato di pasta saldante 117 fonde e forma un giunto di saldatura 120. L’atmosfera presente nella cavità 105 causa l’ossidazione del rame nelle porzioni esposte dello strato di schermatura 110, che
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Elena CERBARO (Iscrizione Albo nr.426/BM) vengono così rivestite da uno strato protettivo di ossido rameico 126 (visibile in figura 12).
Secondo una diversa forma di realizzazione, illustrata nelle figure 14 e 15, in un substrato di protezione 201 metallico, ad esempio ottone, viene realizzata una cavità 205 mediante un procedimento di stampaggio su una faccia 201a.
Il substrato di protezione 201 (figura 15) viene ricoperto con uno strato metallico 210 di rame, sia sulla faccia 201a, sia sulle pareti della cavità 205, e quindi con uno strato protettivo metallorganico 211 di materiale OSP. Viene così completato un cappuccio 209.
Come mostrato in figura 16, il cappuccio 209 viene poi unito a un substrato di supporto 213, su cui sono montati un trasduttore acustico MEMS 215, integrato in una prima piastrina, e un circuito di controllo 216, integrato in una seconda piastrina. Il substrato di supporto 213 Ã ̈ inoltre provvisto di una porta acustica 212 per il trasduttore acustico MEMS 215.
Viene così formato un dispositivo microelettromeccanico incapsulato 225, in particolare un microfono MEMS, comprendente il trasduttore acustico MEMS 215, il circuito di controllo 216 e una struttura di incapsulamento (package) 224, di cui fanno parte il cappuccio 209 e il substrato di supporto 213.
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Elena CERBARO (Iscrizione Albo nr.426/BM) Per unire il cappuccio 209 e il substrato di supporto 213, viene utilizzato uno strato di pasta saldante attorno al trasduttore acustico MEMS 215 e al circuito di controllo 216, che rimangono alloggiati nella cavità 205. In questa fase, lo strato protettivo metallorganico 211 viene termicamente distrutto e scopre lo strato metallico 210, permettendo la formazione di un giunto di saldatura 220 conduttivo. Inoltre, l’atmosfera presente nella cavità 205 causa l’ossidazione del rame nelle porzioni esposte dello strato metallico 210, che vengono così rivestite da uno strato protettivo di ossido rameico 226.
La figura 17 mostra uno schema a blocchi semplificato di un dispositivo microelettromeccanico incapsulato 325.
Il dispositivo microelettromeccanico incapsulato 325 comprende un trasduttore acustico MEMS 315 capacitivo e un circuito integrato di controllo 316, alloggiati in una struttura di incapsulamento 324 in accordo a una delle forme di realizzazione descritte in precedenza. Il circuito integrato di controllo 316 à ̈ configurato per polarizzare correttamente il trasduttore acustico MEMS 315, per elaborare segnali di ingresso SINgenerati da variazioni capacitive del trasduttore acustico MEMS 315 e per fornire, su una uscita del dispositivo microelettromeccanico incapsulato 325, un segnale di uscita SOUTdigitale, che può essere successivamente elaborato da un microcontrollore di
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Elena CERBARO (Iscrizione Albo nr.426/BM) un dispositivo elettronico associato.
In una forma di realizzazione, il circuito integrato di controllo 316 comprende: un circuito preamplificatore 330, di tipo analogico, che à ̈ configurato per interfacciarsi direttamente con il trasduttore acustico MEMS 315 e per amplificare e filtrare il segnale di ingresso SINfornito dal trasduttore acustico MEMS 315; una pompa di carica 331, che fornisce tensioni appropriate per polarizzare il trasduttore acustico MEMS 315; un convertitore analogico-digitale 332, ad esempio del tipo sigma-delta, configurato per ricevere un segnale di clock CK ed un segnale differenziale amplificato dal circuito preamplificatore 330 e convertirlo il segnale differenziale amplificato in un segnale digitale; un generatore di riferimento 333, collegato al convertitore analogicodigitale 332 ed configurato per fornire un segnale di riferimento per il convertitore analogico-digitale 332; e un circuito di pilotaggio 334, configurato per operare come interfaccia con un sistema esterno, ad esempio un microcontrollore di un dispositivo elettronico associato.
Inoltre, il dispositivo microelettromeccanico incapsulato 325 può comprendere una memoria 335 di tipo volatile o non volatile, ad esempio programmabile esternamente in modo da consentire un uso del dispositivo microelettromeccanico incapsulato 325 in diverse
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Elena CERBARO (Iscrizione Albo nr.426/BM) configurazioni operative.
Il dispositivo microelettromeccanico incapsulato 325 può essere utilizzato in un dispositivo elettronico 350, come mostrato in figura 18. Il dispositivo elettronico 350 à ̈ ad esempio un dispositivo di comunicazione mobile portatile (ad esempio un telefono cellulare), un PDA (Personal Digital Assistant), un calcolatore portatile (notebook), un registratore vocale, un lettore di file audio con capacità di registrazione della voce, un apparecchio acustico ecc.
Il dispositivo elettronico 350 comprende, oltre al dispositivo microelettromeccanico incapsulato 325, un microprocessore 351 e un’interfaccia di ingresso/uscita 352, collegata al microprocessore 351 e ad esempio dotata di una tastiera e di un display. Il dispositivo microelettromeccanico incapsulato 325 comunica con il microprocessore 351 attraverso un modulo di elaborazione segnali 353. Inoltre, il dispositivo elettronico 350 può comprendere un altoparlante 354 e una memoria interna 355.
Al cappuccio, al dispositivo microelettromeccanico incapsulato e al procedimento descritti possono essere apportate modifiche e varianti, senza uscire dall’ambito della presente invenzione, come definito nelle rivendicazioni allegate.
In particolare, il trasduttore acustico MEMS potrebbe
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Elena CERBARO (Iscrizione Albo nr.426/BM) essere sostituito da un diverso sensore o trasduttore MEMS, ove si presenti la necessità che tali dispositivi siano incapsulati con un cappuccio protettivo. Il dispositivo di controllo potrebbe non essere presente o essere incorporato in uno stesso “die†con il dispositivo MEMS.
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Elena CERBARO (Iscrizione Albo nr.426/BM)
Claims (24)
- RIVENDICAZIONI 1. Procedimento per la fabbricazione di un cappuccio per una struttura di incapsulamento di dispositivi elettronici comprendente: in un corpo (1, 7; 101, 107; 201) avente una faccia (1a; 101a; 201a), formare una cavità (5; 105; 205) aperta sulla faccia (1a; 101a; 201a); ricoprire la faccia (1a; 101a; 201a) del corpo (1, 7; 101, 107; 201) e pareti della cavità (5; 105; 205) con uno strato metallico (10; 110; 210) contenente rame; ricoprire lo strato metallico (10; 110; 210) con uno strato protettivo (11, 26; 111, 126; 211, 226).
- 2. Procedimento secondo la rivendicazione 1, in cui lo strato protettivo (11; 111; 211) contiene un materiale Organic Surface Preservative.
- 3. Procedimento secondo la rivendicazione 2, in cui il materiale Organic Surface Preservative à ̈ un materiale Organic Surface Preservative a singolo passaggio.
- 4. Procedimento secondo la rivendicazione 2 o 3, in cui ricoprire lo strato metallico (10; 110; 210) comprende depositare sullo strato metallico (10; 110; 210) una sostanza selezionata nel gruppo composto da: imidazolo, imidazoli derivati.
- 5. Procedimento secondo una qualsiasi delle rivendicazioni da 2 a 4, in cui ricoprire la faccia (1a; 20 Elena CERBARO (Iscrizione Albo nr.426/BM) 101a; 201a) del corpo (1, 7; 101, 107; 201) e pareti della cavità (5; 105: 205) comprende lavare il corpo (1, 7; 101, 107; 201) e depositare il materiale Organic Surface Preservative prima che lo strato metallico (10; 110; 210) sia ricoperto di ossido rameico.
- 6. Procedimento secondo la rivendicazione 1, in cui lo strato protettivo (26; 126; 226) contiene ossido rameico.
- 7. Procedimento secondo la rivendicazione 1 o 6, in cui ricoprire lo strato metallico (10; 110; 210) comprende ossidare lo stato metallico (10; 110; 210).
- 8. Procedimento secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, in cui il corpo (1, 7; 101, 107) comprende un primo substrato di protezione (1; 101), definente la faccia (1a; 101a), e un secondo substrato di protezione (7; 107) uniti fra loro.
- 9. Procedimento secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, comprendente: formare la cavità (5; 105) nel primo substrato di protezione (1; 101); unire il secondo substrato di protezione (7; 107) al primo substrato di protezione (1; 101), in modo da chiudere la cavità (5; 105) su un lato opposto alla faccia (1a).
- 10. Procedimento secondo una qualsiasi delle rivendicazioni da 1 a 8, comprendente ricavare la cavità 21 Elena CERBARO (Iscrizione Albo nr.426/BM) (205) in un substrato di protezione (201) metallico mediante stampaggio.
- 11. Procedimento per la fabbricazione di un dispositivo microelettromeccanico incapsulato, comprendente realizzare un cappuccio (9; 109; 209) per una struttura di incapsulamento di dispositivi elettronici utlizzando un procedimento secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti.
- 12. Procedimento secondo la rivendicazione 11 comprendente: disporre un dispositivo microelettromeccanico (15; 115; 215) su un substrato di supporto (13; 113; 213); e unire il cappuccio (9; 109; 209) al substrato di supporto (13; 113; 213) in modo che il dispositivo microelettromeccanico (15; 115; 215) sia alloggiato nella cavità (5; 105; 205).
- 13. Procedimento secondo la rivendicazione 12, in cui unire il cappuccio (9; 109; 209) al substrato di supporto (13; 113; 213) comprende: formare uno strato di pasta saldante (17; 117; 217) sul substrato di supporto (13; 113; 213) attorno al dispositivo microelettromeccanico (15; 115; 215); disporre il cappuccio (9; 109; 209) con lo strato protettivo (11; 111; 211) in contatto con lo strato di pasta saldante (17; 117; 217); e 22 Elena CERBARO (Iscrizione Albo nr.426/BM) riscaldare il cappuccio (9; 109; 209) e il substrato di supporto (13; 113; 213) fino a fondere lo strato di pasta saldante (17; 117; 217).
- 14. Cappuccio per una struttura di incapsulamento di dispositivi elettronici, comprendente: un corpo (1, 7; 101, 107; 201) avente una faccia (1a; 101a; 201a) e una cavità (5; 105; 205) aperta sulla faccia (1a; 101a; 201a); uno strato metallico (10; 110; 210), ricoprente la faccia (1a; 101a; 201a) del corpo (1, 7; 101, 107; 201) e pareti della cavità (5; 105; 205); e uno strato protettivo (11; 111; 211) ricoprente lo strato metallico (10; 110; 210); in cui lo strato metallico (10; 110; 210) contiene rame.
- 15. Cappuccio secondo la rivendicazione 14, in cui lo strato protettivo (11; 111; 211) contiene un materiale Organic Surface Preservative.
- 16. Cappuccio secondo la rivendicazione 15, in cui il materiale Organic Surface Preservative à ̈ un materiale Organic Surface Preservative a singolo passaggio.
- 17. Cappuccio secondo la rivendicazione 14, in cui lo strato protettivo (26; 126; 226) contiene ossido rameico.
- 18. Cappuccio secondo una qualsiasi delle rivendicazioni da 14 a 17, in cui il corpo (1, 7; 101, 107; 23 Elena CERBARO (Iscrizione Albo nr.426/BM) 201) comprende un primo substrato di protezione (1; 101) e un secondo substrato di protezione (7; 107) unito al primo substrato (1; 101) e in cui il primo substrato di protezione (1; 101) e il secondo substrato di protezione (7; 107) formano rispettivamente pareti laterali (5a) e una copertura della cavità (5; 105).
- 19. Cappuccio secondo la rivendicazione 18, in cui il primo substrato di protezione (1; 101) e il secondo substrato di protezione (7; 107) sono di materiale organico, ad esempio una BT.
- 20. Cappuccio secondo una qualsiasi delle rivendicazioni da 14 a 17, in cui il corpo comprende un substrato di protezione (201) metallico.
- 21. Dispositivo microelettromeccanico incapsulato comprendente un cappuccio (9; 109; 209) secondo una qualsiasi delle rivendicazioni da 14 a 20.
- 22. Dispositivo microelettromeccanico incapsulato secondo la rivendicazione 21, comprendente un substrato di supporto (13; 113; 213), unito al cappuccio (9; 109; 209), e un dispositivo microelettromeccanico (15; 115; 215) disposto sul substrato di supporto (13; 113; 213) e alloggiato nella cavità (5; 105; 205).
- 23. Dispositivo microelettromeccanico incapsulato secondo la rivendicazione 22, comprendente un giunto di saldatura (20; 220) fra il cappuccio (9; 109; 209) e il 24 Elena CERBARO (Iscrizione Albo nr.426/BM) substrato di supporto (13; 113; 213).
- 24. Sistema elettronico comprendente un dispositivo microelettromeccanico incapsulato (325) secondo una qualsiasi delle rivendicazioni da 19 a 21 e un’unità di controllo (351) accoppiata al dispositivo microelettromeccanico incapsulato (325). p.i.: STMICROELECTRONICS S.R.L. Elena CERBARO 25 Elena CERBARO (Iscrizione Albo nr.426/BM)
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