DE10149580B4 - Halbleitervorrichtung - Google Patents

Halbleitervorrichtung Download PDF

Info

Publication number
DE10149580B4
DE10149580B4 DE2001149580 DE10149580A DE10149580B4 DE 10149580 B4 DE10149580 B4 DE 10149580B4 DE 2001149580 DE2001149580 DE 2001149580 DE 10149580 A DE10149580 A DE 10149580A DE 10149580 B4 DE10149580 B4 DE 10149580B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
metal block
semiconductor device
electrode
ceramic substrate
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE2001149580
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE10149580A1 (de
Inventor
Toshiaki Shinohara
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of DE10149580A1 publication Critical patent/DE10149580A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10149580B4 publication Critical patent/DE10149580B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10W40/778
    • H10W90/811
    • H10W72/5366
    • H10W72/5445
    • H10W72/5473
    • H10W72/5475
    • H10W72/5524
    • H10W72/884
    • H10W72/931
    • H10W74/00
    • H10W90/734
    • H10W90/736
    • H10W90/753
    • H10W90/754
    • H10W90/756

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
DE2001149580 2001-02-20 2001-10-08 Halbleitervorrichtung Expired - Fee Related DE10149580B4 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPP2001-043439 2001-02-20
JP2001043439A JP2002246515A (ja) 2001-02-20 2001-02-20 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10149580A1 DE10149580A1 (de) 2002-09-05
DE10149580B4 true DE10149580B4 (de) 2009-07-16

Family

ID=18905602

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2001149580 Expired - Fee Related DE10149580B4 (de) 2001-02-20 2001-10-08 Halbleitervorrichtung

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6914321B2 (enExample)
JP (1) JP2002246515A (enExample)
DE (1) DE10149580B4 (enExample)

Families Citing this family (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4540884B2 (ja) * 2001-06-19 2010-09-08 三菱電機株式会社 半導体装置
WO2003032390A2 (de) * 2001-09-28 2003-04-17 Siemens Aktiengesellschaft Anordnung mit leistungshalbleiterbauelementen zur leistungssteuerung hoher ströme und anwendung der anordnung
US7081373B2 (en) * 2001-12-14 2006-07-25 Staktek Group, L.P. CSP chip stack with flex circuit
DE10243699B4 (de) * 2002-09-20 2005-01-05 Festo Ag & Co. Verfahren zur Herstellung eines Mikroventils
JP2005026263A (ja) * 2003-06-30 2005-01-27 Nec Compound Semiconductor Devices Ltd 混成集積回路
JP2005136264A (ja) * 2003-10-31 2005-05-26 Mitsubishi Electric Corp 電力用半導体装置及び電力用半導体モジュール
DE10355925B4 (de) * 2003-11-29 2006-07-06 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul und Verfahren seiner Herstellung
JP4207896B2 (ja) * 2005-01-19 2009-01-14 富士電機デバイステクノロジー株式会社 半導体装置
DE102005002813B4 (de) * 2005-01-20 2006-10-19 Robert Bosch Gmbh Steuermodul
JP2006253183A (ja) * 2005-03-08 2006-09-21 Hitachi Ltd 半導体パワーモジュール
JP4475160B2 (ja) * 2005-04-13 2010-06-09 株式会社デンソー 電子装置の製造方法
US8018056B2 (en) * 2005-12-21 2011-09-13 International Rectifier Corporation Package for high power density devices
US20070165376A1 (en) * 2006-01-17 2007-07-19 Norbert Bones Three phase inverter power stage and assembly
JP2007335632A (ja) * 2006-06-15 2007-12-27 Toyota Industries Corp 半導体装置
JP4242401B2 (ja) * 2006-06-29 2009-03-25 三菱電機株式会社 半導体装置
KR101221807B1 (ko) * 2006-12-29 2013-01-14 페어차일드코리아반도체 주식회사 전력 소자 패키지
JP4748173B2 (ja) * 2008-03-04 2011-08-17 株式会社デンソー 半導体モジュール及びその製造方法
JP5206102B2 (ja) * 2008-05-08 2013-06-12 トヨタ自動車株式会社 半導体装置
US8237260B2 (en) * 2008-11-26 2012-08-07 Infineon Technologies Ag Power semiconductor module with segmented base plate
JP4634498B2 (ja) * 2008-11-28 2011-02-16 三菱電機株式会社 電力用半導体モジュール
JP5038355B2 (ja) * 2009-05-15 2012-10-03 スタンレー電気株式会社 光半導体装置モジュール
JP5481104B2 (ja) 2009-06-11 2014-04-23 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
CN103262238B (zh) * 2010-09-24 2016-06-22 半导体元件工业有限责任公司 电路装置
JP5602095B2 (ja) * 2011-06-09 2014-10-08 三菱電機株式会社 半導体装置
JP5687345B2 (ja) * 2011-07-22 2015-03-18 京セラ株式会社 配線基板および電子装置
JP5344012B2 (ja) * 2011-09-02 2013-11-20 株式会社デンソー 電力変換装置
WO2013047231A1 (ja) * 2011-09-30 2013-04-04 富士電機株式会社 半導体装置及びその製造方法
US9209176B2 (en) * 2011-12-07 2015-12-08 Transphorm Inc. Semiconductor modules and methods of forming the same
CN103999210B (zh) * 2011-12-22 2016-11-02 京瓷株式会社 布线基板以及电子装置
JP5870777B2 (ja) * 2012-03-09 2016-03-01 富士電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2014017318A (ja) * 2012-07-06 2014-01-30 Toyota Industries Corp 半導体装置
JP6077773B2 (ja) * 2012-07-19 2017-02-08 ローム株式会社 パワーモジュール半導体装置
TWI478479B (zh) * 2013-01-17 2015-03-21 台達電子工業股份有限公司 整合功率模組封裝結構
JP6004094B2 (ja) * 2013-04-24 2016-10-05 富士電機株式会社 パワー半導体モジュールおよびその製造方法、電力変換器
KR20160002834A (ko) * 2013-04-29 2016-01-08 에이비비 테크놀로지 아게 전력 반도체 디바이스용 모듈 배열체
KR102186331B1 (ko) * 2014-01-08 2020-12-03 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 저항기 및 저항기의 제조 방법
DE102014203225A1 (de) * 2014-02-24 2015-01-29 Siemens Aktiengesellschaft Anordnung und Verfahren zur Abfuhr der Wärmeverluste von elektrischen Bauelementen hoher Pulsleistung
DE102014114808B4 (de) * 2014-10-13 2018-03-08 Infineon Technologies Ag Elektronikmodul und Verfahren zur Herstellung eines Elektronikmoduls
JP6409690B2 (ja) * 2014-11-20 2018-10-24 株式会社デンソー 冷却モジュール
CN105633039B (zh) * 2014-11-26 2018-10-12 意法半导体股份有限公司 具有引线键合和烧结区域的半导体器件及其制造工艺
JP6413709B2 (ja) * 2014-12-02 2018-10-31 富士電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
CN105990265B (zh) * 2015-02-26 2019-04-05 台达电子工业股份有限公司 功率转换电路的封装模块及其制造方法
JP6699111B2 (ja) * 2015-08-18 2020-05-27 富士電機株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US10720368B2 (en) * 2016-02-16 2020-07-21 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device and method for manufacturing same
JP6203307B2 (ja) * 2016-03-10 2017-09-27 三菱電機株式会社 半導体装置及びその製造方法
TWI650843B (zh) * 2016-04-29 2019-02-11 台達電子工業股份有限公司 基板、功率模組封裝、及圖案化的絕緣金屬基板之製造方法
JP6598740B2 (ja) * 2016-07-15 2019-10-30 三菱電機株式会社 半導体装置
WO2018207856A1 (ja) * 2017-05-10 2018-11-15 ローム株式会社 パワー半導体装置およびその製造方法
JP6988345B2 (ja) * 2017-10-02 2022-01-05 株式会社デンソー 半導体装置
CN109637983B (zh) * 2017-10-06 2021-10-08 财团法人工业技术研究院 芯片封装
JP7247574B2 (ja) * 2018-12-19 2023-03-29 富士電機株式会社 半導体装置
JP7116690B2 (ja) 2019-01-30 2022-08-10 デンカ株式会社 放熱部材およびその製造方法
JP7116689B2 (ja) * 2019-01-30 2022-08-10 デンカ株式会社 放熱部材およびその製造方法
JP6591113B1 (ja) * 2019-06-05 2019-10-16 デンカ株式会社 放熱部材およびその製造方法
JP6591114B1 (ja) * 2019-06-05 2019-10-16 デンカ株式会社 放熱部材およびその製造方法
US12469802B2 (en) * 2019-06-19 2025-11-11 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device and power converter
EP3799546A1 (de) * 2019-09-25 2021-03-31 Siemens Aktiengesellschaft Träger für elektrische bauelemente
JP2021190505A (ja) * 2020-05-27 2021-12-13 ローム株式会社 半導体装置
WO2022044541A1 (ja) * 2020-08-28 2022-03-03 富士電機株式会社 半導体装置
EP4002454A1 (en) * 2020-11-23 2022-05-25 Hitachi Energy Switzerland AG Electrical contact arrangement, power semiconductor module, method for manufacturing an electrical contact arrangement and method for manufacturing a power semiconductor module
JP7558866B2 (ja) * 2021-03-25 2024-10-01 株式会社日立製作所 電力変換装置
CN115226299B (zh) 2021-04-20 2025-06-06 台达电子企业管理(上海)有限公司 载板及其适用的功率模块
JP7784974B2 (ja) * 2022-09-08 2025-12-12 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4400341A1 (de) * 1993-01-08 1994-07-14 Mitsubishi Electric Corp Halbleitervorrichtung
EP0650193A2 (en) * 1993-10-25 1995-04-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and method for manufacturing the same
DE19625240A1 (de) * 1995-10-26 1997-04-30 Mitsubishi Electric Corp Halbleitervorrichtung
JPH10289970A (ja) * 1997-04-16 1998-10-27 Takachiho Denki Kk モールド電子部品
US5945217A (en) * 1997-10-14 1999-08-31 Gore Enterprise Holdings, Inc. Thermally conductive polytrafluoroethylene article
US6097598A (en) * 1997-02-24 2000-08-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Thermal conductive member and electronic device using same
DE19908749A1 (de) * 1999-02-20 2000-08-31 Daimler Chrysler Ag Verfahren zur Erzielung einer gleichmäßigen Temperaturverteilung bei auf einen Träger aufgelöteten Halbleiter-Elementen

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4012832A (en) * 1976-03-12 1977-03-22 Sperry Rand Corporation Method for non-destructive removal of semiconductor devices
JPS5875859A (ja) * 1981-10-30 1983-05-07 Fujitsu Ltd 半導体装置
US4920405A (en) * 1986-11-28 1990-04-24 Fuji Electric Co., Ltd. Overcurrent limiting semiconductor device
US5317194A (en) * 1989-10-17 1994-05-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Resin-sealed semiconductor device having intermediate silicon thermal dissipation means and embedded heat sink
JPH04192552A (ja) * 1990-11-27 1992-07-10 Nec Corp 半導体素子用パッケージ
JP2656416B2 (ja) * 1991-12-16 1997-09-24 三菱電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法、並びに半導体装置に用いられる複合基板および複合基板の製造方法
US5311057A (en) * 1992-11-27 1994-05-10 Motorola Inc. Lead-on-chip semiconductor device and method for making the same
US5379187A (en) * 1993-03-25 1995-01-03 Vlsi Technology, Inc. Design for encapsulation of thermally enhanced integrated circuits
US5559374A (en) * 1993-03-25 1996-09-24 Sanyo Electric Co., Ltd. Hybrid integrated circuit
JP3157362B2 (ja) * 1993-09-03 2001-04-16 株式会社東芝 半導体装置
US5371403A (en) * 1993-09-24 1994-12-06 Vlsi Technology, Inc. High performance package using high dielectric constant materials for power/ground and low dielectric constant materials for signal lines
EP0661748A1 (en) * 1993-12-28 1995-07-05 Hitachi, Ltd. Semiconductor device
JPH09213877A (ja) 1996-02-02 1997-08-15 Toshiba Corp マルチチップモジュール半導体装置
JP3206717B2 (ja) * 1996-04-02 2001-09-10 富士電機株式会社 電力用半導体モジュール
JP3201277B2 (ja) 1996-09-11 2001-08-20 株式会社日立製作所 半導体装置
US6060772A (en) * 1997-06-30 2000-05-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Power semiconductor module with a plurality of semiconductor chips
JPH11204700A (ja) 1998-01-19 1999-07-30 Hitachi Ltd 放熱フィン一体型パワーモジュール
JPH11330283A (ja) * 1998-05-15 1999-11-30 Toshiba Corp 半導体モジュール及び大型半導体モジュール
JP2001118961A (ja) * 1999-10-15 2001-04-27 Mitsubishi Electric Corp 樹脂封止型電力用半導体装置及びその製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4400341A1 (de) * 1993-01-08 1994-07-14 Mitsubishi Electric Corp Halbleitervorrichtung
EP0650193A2 (en) * 1993-10-25 1995-04-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and method for manufacturing the same
DE19625240A1 (de) * 1995-10-26 1997-04-30 Mitsubishi Electric Corp Halbleitervorrichtung
US6097598A (en) * 1997-02-24 2000-08-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Thermal conductive member and electronic device using same
JPH10289970A (ja) * 1997-04-16 1998-10-27 Takachiho Denki Kk モールド電子部品
US5945217A (en) * 1997-10-14 1999-08-31 Gore Enterprise Holdings, Inc. Thermally conductive polytrafluoroethylene article
DE19908749A1 (de) * 1999-02-20 2000-08-31 Daimler Chrysler Ag Verfahren zur Erzielung einer gleichmäßigen Temperaturverteilung bei auf einen Träger aufgelöteten Halbleiter-Elementen

Also Published As

Publication number Publication date
DE10149580A1 (de) 2002-09-05
JP2002246515A (ja) 2002-08-30
US6914321B2 (en) 2005-07-05
US20020113302A1 (en) 2002-08-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10149580B4 (de) Halbleitervorrichtung
DE10238037B4 (de) Halbleitereinrichtung mit Gehäuse und Halterung
DE102007049481B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleiterbauelementes
DE102012206596B4 (de) Halbleitervorrichtung
DE10310809B4 (de) Leistungshalbleitereinrichtung
DE19601372B4 (de) Halbleitermodul
DE102009033321B4 (de) Leistungshalbleitervorrichtung
DE69308691T2 (de) Halbleiterbauelement mit reduzierter Schaltinduktanz und Verfahren zu seiner Herstellung
EP0111659B1 (de) Leistungstransistor-Modul
DE102019112935B4 (de) Halbleitermodul
DE10102621B4 (de) Leistungsmodul
DE112015000513T5 (de) Elektrodenanschluss, Halbleitereinrichtung für elektrische Energie sowie Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung für elektrische Energie
DE69216016T2 (de) Halbleiteranordnung
DE102006037118B3 (de) Halbleiterschaltmodul für Bordnetze mit mehreren Halbleiterchips, Verwendung eines solchen Halbleiterschaltmoduls und Verfahren zur Herstellung desselben
DE212018000073U1 (de) Halbleiterbauelement
DE3127457A1 (de) Stromrichtermodul
DE102016000264B4 (de) Halbleiterchipgehäuse, das sich lateral erstreckende Anschlüsse umfasst, und Verfahren zur Herstellung desselben
DE102004060935B4 (de) Leistungshalbleitervorrichtung
DE69923374T2 (de) Halbleitervorrichtung
DE4316639C2 (de) Halbleitermodul mit verbesserter Wärmeableitung und Verfahren zu seiner Herstellung
DE112020006374T5 (de) Leistungsmodul mit verbesserten elektrischen und thermischen Charakteristiken
DE212021000169U1 (de) Halbleiterbauteil
DE102020204406B4 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
DE102019112936A1 (de) Halbleitermodul
DE102019112934A1 (de) Halbleitermodul

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8364 No opposition during term of opposition
R084 Declaration of willingness to licence
R084 Declaration of willingness to licence
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee

Effective date: 20130501