DE10149580B4 - Halbleitervorrichtung - Google Patents
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- H10W40/778—
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- H10W72/5366—
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- H10W72/5473—
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- H10W72/5475—
-
- H10W72/5524—
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- H10W72/884—
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-
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- H10W90/734—
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- H10W90/754—
-
- H10W90/756—
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPP2001-043439 | 2001-02-20 | ||
| JP2001043439A JP2002246515A (ja) | 2001-02-20 | 2001-02-20 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE10149580A1 DE10149580A1 (de) | 2002-09-05 |
| DE10149580B4 true DE10149580B4 (de) | 2009-07-16 |
Family
ID=18905602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE2001149580 Expired - Fee Related DE10149580B4 (de) | 2001-02-20 | 2001-10-08 | Halbleitervorrichtung |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6914321B2 (enExample) |
| JP (1) | JP2002246515A (enExample) |
| DE (1) | DE10149580B4 (enExample) |
Families Citing this family (63)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP4540884B2 (ja) * | 2001-06-19 | 2010-09-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
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- 2001-07-02 US US09/895,025 patent/US6914321B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-10-08 DE DE2001149580 patent/DE10149580B4/de not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
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|---|---|
| DE10149580A1 (de) | 2002-09-05 |
| JP2002246515A (ja) | 2002-08-30 |
| US6914321B2 (en) | 2005-07-05 |
| US20020113302A1 (en) | 2002-08-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| R084 | Declaration of willingness to licence | ||
| R084 | Declaration of willingness to licence | ||
| R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |
Effective date: 20130501 |