JP6203307B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体装置に関するものであり、特に、通電時に熱が発生する半導体装置及びその製造方法に関するものである。

近年、モータを制御する電力変換装置に半導体装置が適用されている。このような電力変換用の半導体装置などに用いられるパッケージには、取扱いの容易さや高信頼性、低コストといった特徴から樹脂封止型が主流になりつつある。そして、一般に、電力変換用の半導体装置内の半導体素子は通電時に発熱することから、樹脂封止型の電力変換用の半導体装置では、特許文献１に開示されているように、銅製放熱板などのヒートシンクが内蔵されることが一般的である。

特開２００３−２１８３１７号公報

さて、高温及び低温に応じて伸縮する度合いを示す線膨張係数に関して、Ｃｕ（銅）の線膨張係数は１７ppm/℃、Ｓｉ（ケイ素）の線膨張係数は２．４ppm/℃であり、両者の差は比較的大きいものとなっている。そのため、Ｃｕからなるヒートシンクと、Ｓｉを含む半導体素子とを、接合材であるはんだなどのロウ材で接合されて構成される半導体装置において熱サイクルが生じると、ロウ材に過大な応力が繰り返し印加されることになる。その結果、はんだなどのロウ材にクラックが発生し、熱抵抗が上昇し、放熱性が低下するという問題があった。

特に、近年、半導体素子の材質には、３００℃もの高温でも駆動可能なＳｉＣを用いることが提案されていることから、ヒートシンクと半導体素子との線膨張係数の差を低減する要求が高まってきている。さらに、近年、従来の鉛（Ｐｂ）を含むはんだに代えて、それよりも機械的強度が弱い鉛フリーはんだが盛んに使用されつつあることからも、ヒートシンクと半導体素子との線膨張係数の差を低減することは重要となっている。

そこで、本発明は、上記のような問題点を鑑みてなされたものであり、ヒートシンクと半導体素子との線膨張係数の差を低減することが可能な技術を提供することを目的とする。

本発明に係る半導体装置は、Ｓｉを含む第１及び第２半導体素子と、ＡｌＳｉＣ、Ｃｕ−ＣｕＭｏ−Ｃｕの層構造、Ｍｏを主成分とする合金、Ｆｅ若しくはそれを主成分とする合金、または、Ｗ若しくはそれを主成分とする合金からなり、前記第１及び第２半導体素子の表面側及び裏面側のうち裏面側にのみ第１はんだを介して設けられたヒートシンクと、前記第１及び第２半導体素子に第２はんだにより接合された第１端子と、前記第１半導体素子にワイヤにより接続された第２端子と、前記ヒートシンクの裏面に第１絶縁層を介して接合された銅板と、前記ヒートシンクの裏面を露出する状態で、前記ヒートシンク、前記第１及び第２半導体素子、前記第１及び第２端子、並びに、前記銅版を覆う樹脂と、前記ヒートシンクの側面以外の面に、スパッタリング、蒸着またはめっきにより形成され、前記第１はんだと接続されたＣｕ、Ａｌ、ＡｇまたはＡｕからなる導電膜とを備える。

本発明によれば、第１ヒートシンクは、低線膨張係数を有するＡｌＳｉＣ等から構成され、半導体素子は、Ｓｉを含んでいる。したがって、第１ヒートシンクと、半導体素子との線膨張係数の差を低減することができる。

実施の形態１に係る半導体装置の外観を示す斜視図である。 実施の形態１に係る半導体装置の構成を示す斜視図である。 実施の形態１に係る半導体装置の別の構成を示す斜視図である。 実施の形態１に係る半導体装置の構成を示す断面図である。 実施の形態１に係る半導体装置の構成を示す上面図である。 実施の形態２に係る半導体装置の構成を示す断面図である。 実施の形態３に係る半導体装置の構成を示す上面図である。 実施の形態３に係る半導体装置の別の構成を示す上面図である。 実施の形態４に係る半導体装置の構成を示す断面図である。 実施の形態５に係る半導体装置の構成を示す断面図である。 実施の形態５に係る半導体装置の別の構成を示す断面図である。 実施の形態６に係る半導体装置の構成を示す断面図である。 実施の形態６に係る半導体装置の構成を示す断面図である。 実施の形態６に係る半導体装置の構成を示す上面図である。 実施の形態６に係る半導体装置の構成を示す断面図である。 実施の形態６に係る半導体装置の別の構成を示す上面図である。 実施の形態７に係る半導体装置の構成を示す断面図である。 実施の形態８に係る半導体装置の構成を示す断面図である。 実施の形態９に係る半導体装置の構成を示す断面図である。

＜実施の形態１＞
図１及び図２は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置の外観及び構成を示す斜視図である。本実施の形態では、図１に示すように、それぞれが絶縁性の封止樹脂２１をパッケージ部材として備える複数の半導体装置１が配列されることによりインバータが構成されている。図２は、封止樹脂２１の図示を省略した半導体装置１の斜視図であり、図３は、封止樹脂２１の図示を省略した半導体装置１の別例を示す斜視図である。

図４及び図５は、図２に示した半導体装置１の構成を詳細に示す断面図及び上面図である。図４及び図５に示すように、半導体装置１は、第１ヒートシンク１１を備えている。この第１ヒートシンク１１は、線膨張係数が約７〜１０ppm/℃と比較的低いＡｌＳｉＣから構成されている。

また、半導体装置１は、第１端子である主端子１２（第１端子）と、半導体スイッチング素子であるＩＧＢＴ１３（第１半導体素子）と、ＩＧＢＴ１３の還流ダイオード１４（第２半導体素子）とを備えている。

主端子１２は、図２に示される平面部分１２ａを有しており、この平面部分１２ａは、エポキシ樹脂などからなる第１絶縁層１５を介して第１ヒートシンク１１上に接合されている。

ＩＧＢＴ１３及び還流ダイオード１４は、第１ヒートシンク１１上に形成されている。図２及び図４に示されるように、これらＩＧＢＴ１３及び還流ダイオード１４は、第１絶縁層１５、主端子１２の平面部分１２ａを介して、第１はんだ１６により第１ヒートシンク１１上に接合されている。ここでは、ＩＧＢＴ１３及び還流ダイオード１４は、主端子１２の一つの平面部分１２ａに共通にダイボンド（固定）されている。

なお、ＩＧＢＴ１３及び還流ダイオード１４は、Ｓｉを含む半導体素子であり、例えば、高温（例えば３００℃）下で使用可能なＳｉＣからなる半導体素子などを想定している。また、本実施の形態では、ＩＧＢＴ１３及び還流ダイオード１４の数はそれぞれ１つである構成について説明しているが、これに限ったのもではなく、ＩＧＢＴ１３及び還流ダイオード１４は複数であってもよい。

半導体装置１は、図４及び図５に示すように、中継端子１７（第２端子）と、主端子１８（第３端子）とを備えている。中継端子１７は、ＩＧＢＴ１３にワイヤ１９により接続されており、主端子１８は、ＩＧＢＴ１３及び還流ダイオード１４上に第２はんだ２０により接合されている。

また、半導体装置１は、上述の封止樹脂２１（樹脂）と、放熱フィン、水冷フィンまたは空冷フィンなどの第１フィン２２とを備えている。封止樹脂２１は、第１ヒートシンク１１の裏面を露出する状態で、第１ヒートシンク１１、ＩＧＢＴ１３、還流ダイオード１４、主端子１２，１８及び中継端子１７を覆っている。第１フィン２２は、第１ヒートシンク１１の封止樹脂２１から露出する裏面に、第３はんだ２３（ロウ材）のロウ付けにより接合されている。

次に、以上のような本実施の形態に係る半導体装置１の製造方法について説明する。まず、絶縁シート（第１絶縁層１５）が一体化された第１ヒートシンク１１を準備する。それとともに、主端子１２の平面部分１２ａ上にＩＧＢＴ１３及び還流ダイオード１４を接合した後、ＩＧＢＴ１３及び還流ダイオード１４に中継端子１７及び主端子１８を接続することによって得られる組立品を準備する。

それから、絶縁シート（第１絶縁層１５）上に当該組立品を接合した状態で、これらを封止樹脂２１により一括成型する。その後、従来の製造方法と同様に、主端子１２，１８を任意の形状にフォーミングすることによって半導体装置１を製造する。このような本実施の形態に係る半導体装置１の製造方法によれば、第１ヒートシンク１１と絶縁シート（第１絶縁層１５）が一体化されていることから、部品数をより削減することができる。

次に、以上のような本実施の形態に係る半導体装置１の効果について説明する。従来の半導体装置では、ヒートシンクの線膨張係数が高く、半導体素子とヒートシンクとの線膨張係数の差が比較的大きいものとなっていた。そのため、半導体装置において熱サイクルが生じると、半導体素子とヒートシンクとの間のロウ材に過大な応力が繰り返し印加され、この結果、熱抵抗、放熱性が低下するということがあった。

それに対し、上述のように構成された本実施の形態に係る半導体装置１によれば、第１ヒートシンク１１は、低線膨張係数を有するＡｌＳｉＣから構成されている。したがって、第１ヒートシンク１１と、ＩＧＢＴ１３（または還流ダイオード１４）との線膨張係数の差に起因して発生する第１はんだ１６への応力を低減することができる。よって、熱サイクルに対する半導体装置１の信頼性を高めることができる。

なお、以上の説明においては、第１ヒートシンク１１は、ＡｌＳｉＣから構成されているものとした。しかし、第１ヒートシンク１１の構成材料は、低線膨張係数（約７〜１０ppm/℃）であればＡｌＳｉＣに限ったものではなく、例えば、Ｃｕ−ＣｕＭｏ−Ｃｕ、Ｍｏを主成分とする合金、Ｆｅ若しくはそれを主成分とする合金、Ｗ若しくはそれを主成分とする合金、または、Ｃｕ若しくはそれを主成分とする合金から構成されてもよい。

また、上述の主端子１２，１８及び中継端子１７はＡｌまたはＣｕから構成されることが好ましい。このように主端子１２，１８及び中継端子１７を構成した場合には、半導体装置１を軽量化することができるとともに、装置内の導電性を高めることができる。

また、第１ヒートシンク１１の厚さは１〜５ｍｍとすることが好ましい。このように構成すれば、第１ヒートシンク１１の熱抵抗を低減することができる。

なお、従来の、ヒートシンクを放熱フィンに組み付ける構成としては、それらをロウ付けするか、放熱フィン上にグリスを敷き、その上にヒートシンクや半導体素子を設け、その上から皿ばねや押さえ板を置いてねじにて組み付ける構成が一般的であった。

しかし、ヒートシンクと放熱フィンとの線膨張係数が大きく、これに起因する応力も大きいことから、ヒートシンクと放熱フィンとをロウ付けすることが困難であった。また、ねじ等にて組み付ける構成では、ねじ、グリス、皿ばね及び押さえ板などの部材のコスト、及び、組み立て工数のコストがかかるだけでなく、ヒートシンク、グリス及び放熱フィンの間の熱抵抗（電力半導体にとって重要なパラメータ）が悪いという問題があった。

そのため、第１フィン２２の材質には、第１ヒートシンク１１の線膨張係数と近いものを用いることが好ましい。このような構成によれば、上述と同様に、第１ヒートシンク１１と第１フィン２２とをロウ付けする第３はんだ２３への応力も低減することができることから、熱サイクルに対する半導体装置１の信頼性を高めることができる。また、ねじ等の部材のコスト、及び、組み立て工数のコストを削減することができる。さらに、第１ヒートシンク１１と第１フィン２２との間の熱抵抗を向上させることができる。実際に、このような半導体装置１を作成したところ、従来の半導体装置よりもRth(j-f)を５０％以上低減することができた。

＜実施の形態２＞
図６は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置の構成を示す断面図である。なお、本実施の形態に係る半導体装置において、実施の形態１で説明した構成要素と同一または類似するものについては同じ符号を付し、実施の形態１と異なる点を中心に説明する。

図６に示すように、本実施の形態では、第１ヒートシンク１１は、封止樹脂２１表面から、第１ヒートシンク１１の厚さ方向に突出した部分（せり出した部分）を有している。なお、第１ヒートシンク１１が封止樹脂２１から突出する長さは、例えば、第１ヒートシンク１１の厚さの１〜９９％としている。そして、第３はんだ２３は、第１ヒートシンク１１の側面に回りこむように形成されている。

このような本実施の形態に係る半導体装置１によれば、第１ヒートシンク１１と第３はんだ２３との接触面積を大きくすることができる。したがって、第３はんだ２３による、第１ヒートシンク１１と第１フィン２２との間の接合強度を高めることができる。よって、熱サイクルに対する半導体装置１の信頼性を高めることができる。

＜実施の形態３＞
図７は、本発明の実施の形態３に係る半導体装置の構成を示す上面図である。なお、本実施の形態に係る半導体装置において、実施の形態１で説明した構成要素と同一または類似するものについては同じ符号を付し、実施の形態１と異なる点を中心に説明する。

図７に示すように、本実施の形態では、第１ヒートシンク１１は、平面視において封止樹脂２１表面から、第１ヒートシンク１１の短手方向に突出している。したがって、実施の形態２と同様に、第１ヒートシンク１１と第３はんだ２３との接触面積を大きくすることができ、熱サイクルに対する半導体装置１の信頼性を高めることができる。

また、本実施の形態では、第１ヒートシンク１１の突出部分に、半導体装置１を固定するための組立穴１１ａが設けられている。このような本実施の形態に係る半導体装置１によれば、装置の組立性を向上させることができる。

なお、ここでは、第１ヒートシンク１１に組立穴１１ａを設ける構成について説明したがこれに限ったものではない。例えば、図８（上面図）に示すように、封止樹脂２１に、半導体装置１を固定するための組立穴２１ａが設けられてもよい。このような半導体装置１の構成においても、図７に示した半導体装置１と同様に、装置の組立性を向上させることができる。なお、図７に示した組立穴１１ａ及び図８に示した組立穴２２ａを複数設けた場合には、組立精度を向上させることができる。

＜実施の形態４＞
図９は、本発明の実施の形態４に係る半導体装置の構成を示す断面図である。なお、本実施の形態に係る半導体装置において、実施の形態１で説明した構成要素と同一または類似するものについては同じ符号を付し、実施の形態１と異なる点を中心に説明する。

図９に示すように、本実施の形態に係る半導体装置１では、実施の形態１に係る半導体装置１に、第２ヒートシンク３１と、放熱フィン、水冷フィンまたは空冷フィンなどの第２フィン３２とが追加されている。第２ヒートシンク３１は、主端子１８上に第２絶縁層３３を介して接合されている。また、ここでは、上述の封止樹脂２１は、第２ヒートシンク３１の表面を露出する状態で、第２ヒートシンク３１をさらに覆っている。そして、第２フィン３２は、第２ヒートシンク３１の、封止樹脂２１から露出する表面に、第４はんだ３４（ロウ材）またはグリス（緩衝材）を介して設けられている。

このような本実施の形態に係る半導体装置１によれば、ＩＧＢＴ１３などに生じる熱の放熱性を高めることができる。したがって、上記線膨張係数の差に起因して発生する第１はんだ１６への応力を低減することができることから、熱サイクルに対する半導体装置１の信頼性を高めることができる。

＜実施の形態５＞
図１０及び図１１は、本発明の実施の形態５に係る半導体装置の構成を示す断面図である。なお、本実施の形態に係る半導体装置において、実施の形態１で説明した構成要素と同一または類似するものについては同じ符号を付し、実施の形態１と異なる点を中心に説明する。

図１０及び図１１に示すように、本実施の形態に係る半導体装置１は、実施の形態１に係る半導体装置１の第１ヒートシンク１１及び第１フィン２２の代わりに、これらを一体化した、放熱フィン、空冷フィン、水冷フィンまたはピンフィンなどの第３フィン３６を備えている。なお、図１０においては、第３フィン３６がピンフィン３６ａである構成が示されている。この図１０には示されていないが、この構成においては、第３フィン３６は水冷ジャケットに別途取り付けられることになる。一方、図１１においては、第３フィン３６が、内部に水などが通される水冷フィン３６ｂである構成が示されている。

このような本実施の形態に係る半導体装置１によれば、ＩＧＢＴ１３などに生じる熱の放熱性を高めることができる。したがって、上記線膨張係数の差に起因して発生する第１はんだ１６への応力を低減することができることから、熱サイクルに対する半導体装置１の信頼性を高めることができる。また、装置全体のサイズを小さくすることも期待できる。

＜実施の形態６＞
図１２〜図１４は、本発明の実施の形態６に係る半導体装置の構成を詳細に示す断面図及び上面図である。図１２及び図１３は、それぞれ図１４に示す平面図に付されたＡ−Ａ’線及びＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。図１２〜図１４に示すように、半導体装置１は、第１ヒートシンク４１を備えている。この第１ヒートシンク４１は、線膨張係数が約７〜１０ppm/℃と比較的低いＡｌＳｉＣ、Ｃｕ−ＣｕＭｏ−Ｃｕ、Ｍｏを主成分とする合金、Ｆｅ若しくはそれを主成分とする合金、または、Ｗ若しくはそれを主成分とする合金から構成されている。なお、熱抵抗を低減する観点から、第１ヒートシンク４１の厚さは１〜５ｍｍとすることが好ましい。

半導体装置１は、半導体スイッチング素子であるＩＧＢＴ４２（第１半導体素子）と、ＩＧＢＴ４２の還流ダイオード４３（第２半導体素子）と、主端子４４（第１端子）とを備えている。

ＩＧＢＴ４２及び還流ダイオード４３は、第１ヒートシンク４１上に第１はんだ４５により接合されている。ＩＧＢＴ４２及び還流ダイオード４３は、Ｓｉを含む半導体素子であり、例えば、高温（例えば３００℃）下で使用可能なＳｉＣからなる半導体素子などを想定している。なお、本実施の形態では、ＩＧＢＴ４２及び還流ダイオード４３の数はそれぞれ１つである構成について説明しているが、これに限ったのもではなく、ＩＧＢＴ４２及び還流ダイオード４３は複数であってもよい。

主端子４４は、ＩＧＢＴ４２及び還流ダイオード４３上に第２はんだ４６により接合されている。

また、半導体装置１は、中継端子４７（第２端子）と、主端子５２と、銅板４８と、絶縁性の封止樹脂４９（樹脂）とを備えている。図１２に示されるように、中継端子４７は、ＩＧＢＴ４２にワイヤ５０により接続されている。図１３に示されるように、主端子５２は、例えば超音波接合などにより第１ヒートシンク４１と直接的に接続されている。なお、本実施の形態に係る半導体装置は、これに限ったものではなく、図１５に示されるように、主端子５２は、第２はんだ５８などの導電性接着剤を介して第１ヒートシンク４１と間接的に接続されるものであってもよい。銅板４８は、第１ヒートシンク４１の裏面に、エポキシ樹脂などからなる第１絶縁層５１を介して接合されている。封止樹脂４９は、銅板４８の裏面を露出する状態で、第１ヒートシンク４１、ＩＧＢＴ４２及び還流ダイオード４３、主端子４４及び中継端子４７、並びに、銅板４８を覆っている。

以上のように構成された本実施の形態に係る半導体装置１によれば、実施の形態１と同様に、第１ヒートシンク４１は、低線膨張係数を有するＡｌＳｉＣなどから構成されている。したがって、第１ヒートシンク４１と、ＩＧＢＴ４２（または還流ダイオード４３）との線膨張係数の差に起因して発生する第１はんだ４５への応力を低減することができる。よって、熱サイクルに対する半導体装置１の信頼性を高めることができる。

なお、上述の主端子４４及び中継端子４７はＡｌまたはＣｕから構成されることが好ましい。このように主端子４４及び中継端子４７を構成した場合には、半導体装置１を軽量化することができるとともに、装置内の導電性を高めることができる。

また、図１６（上面図）に示すように、封止樹脂４９に、半導体装置１を固定するための組立穴４９ａが設けられてもよい。このような半導体装置１の構成によれば、装置の組立性を向上させることができる。なお、この組立穴４９ａを複数設けた場合には、組立精度を向上させることができる。

＜実施の形態７＞
図１７は、本発明の実施の形態７に係る半導体装置の構成を示す断面図である。なお、本実施の形態に係る半導体装置において、実施の形態６で説明した構成要素と同一または類似するものについては同じ符号を付し、実施の形態６と異なる点を中心に説明する。

図１７に示すように、本実施の形態では、ＩＧＢＴ４２と第１ヒートシンク４１との間、及び、還流ダイオード４３と第１ヒートシンク４１との間は、一つの連なった第１はんだ４５により接合されている。なお、主端子５２は、第１ヒートシンク４１と第１はんだ４５を介して接合されている。

このような本実施の形態に係る半導体装置１によれば、装置内の導電性を高めることができる。

＜実施の形態８＞
図１８は、本発明の実施の形態８に係る半導体装置の構成を示す断面図である。なお、本実施の形態に係る半導体装置において、実施の形態６で説明した構成要素と同一または類似するものについては同じ符号を付し、実施の形態６と異なる点を中心に説明する。

図１８に示すように、本実施の形態に係る半導体装置１は、実施の形態６に係る半導体装置１に、Ｃｕ、Ａｌ、ＡｇまたはＡｕからなる導電膜５６が追加されている。この導電膜５６は、第１ヒートシンク４１と第１はんだ４５との間に、スパッタリング、蒸着またはめっきにより形成されている。なお、主端子５２は、第１ヒートシンク４１と導電膜５６を介して接合されている。

このような本実施の形態に係る半導体装置１によれば、装置内の導電性を高めることができる。

＜実施の形態９＞
図１９は、本発明の実施の形態９に係る半導体装置の構成を示す断面図である。なお、本実施の形態に係る半導体装置において、実施の形態６で説明した構成要素と同一または類似するものについては同じ符号を付し、実施の形態６と異なる点を中心に説明する。

図１９に示すように、本実施の形態に係る半導体装置１は、実施の形態６に係る半導体装置１に、第２ヒートシンク６１が追加されている。第２ヒートシンク６１は、主端子４４上に第２絶縁層６２を介して接合されている。また、ここでは、上述の封止樹脂４９は、第２ヒートシンク６１の表面を露出する状態で、第２ヒートシンク６１をさらに覆っている。

このような本実施の形態に係る半導体装置１によれば、ＩＧＢＴ４２などに生じる熱の放熱性を高めることができる。したがって、上記線膨張係数の差に起因して発生する第１はんだ４５への応力を低減することができることから、熱サイクルに対する半導体装置１の信頼性を高めることができる。

なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。

１ 半導体装置、１１，４１ 第１ヒートシンク、１１ａ 組立穴、１２，１８，４４ 主端子、１３，４２ ＩＧＢＴ、１４，４３ 還流ダイオード、１５，５１ 第１絶縁層、１６，４５ 第１はんだ、１７，４７ 中継端子、１９，５０ ワイヤ、２０，４６ 第２はんだ、２１，４９ 封止樹脂、２１ａ，４９ａ 組立穴、２２ 第１フィン、２３ 第３はんだ、３１，６１ 第２ヒートシンク、３２ 第２フィン、３３，６２ 第２絶縁層、３４ 第４はんだ、３６ 第３フィン、４８ 銅板、５６ 導電膜。

Claims (15)

1. Ｓｉを含む第１及び第２半導体素子と、
   ＡｌＳｉＣ、Ｃｕ−ＣｕＭｏ−Ｃｕの層構造、Ｍｏを主成分とする合金、Ｆｅ若しくはそれを主成分とする合金、または、Ｗ若しくはそれを主成分とする合金からなり、前記第１及び第２半導体素子の表面側及び裏面側のうち裏面側にのみ第１はんだを介して設けられたヒートシンクと、
   前記第１及び第２半導体素子に第２はんだにより接合された第１端子と、
   前記第１半導体素子にワイヤにより接続された第２端子と、
   前記ヒートシンクの裏面に第１絶縁層を介して接合された銅板と、
   前記ヒートシンクの裏面を露出する状態で、前記ヒートシンク、前記第１及び第２半導体素子、前記第１及び第２端子、並びに、前記銅板を覆う樹脂と、
   前記ヒートシンクの側面以外の面に、スパッタリング、蒸着またはめっきにより形成され、前記第１はんだと接続されたＣｕ、Ａｌ、ＡｇまたはＡｕからなる導電膜と
   を備える半導体装置。
2. 請求項１に記載の半導体装置であって、
   前記第１及び第２半導体素子の少なくとも一方がＳｉＣからなる、半導体装置。
3. 請求項１または請求項２に記載の半導体装置であって、
   前記第１半導体素子と前記ヒートシンクとの間、及び、前記第２半導体素子と前記ヒートシンクとの間は、一つの前記第１はんだにより接合されている、半導体装置。
4. 請求項１から請求項３のうちのいずれか１項に記載の半導体装置であって、
   前記樹脂に、前記半導体装置を固定するための組立穴が設けられている、半導体装置。
5. 請求項１から請求項４のうちのいずれか１項に記載の半導体装置であって、
   前記第１及び第２端子はＡｌまたはＣｕから構成されている、半導体装置。
6. 請求項１から請求項５のうちのいずれか１項に記載の半導体装置であって、
   前記ヒートシンクに、前記半導体装置を固定するための組立穴が設けられている、半導体装置。
7. 平面部分を有する第１端子と、
   前記平面部分の表面に第１はんだにより接合されたＳｉを含む第１及び第２半導体素子と、
   ＡｌＳｉＣ、Ｃｕ−ＣｕＭｏ−Ｃｕの層構造、Ｍｏを主成分とする合金、Ｆｅ若しくはそれを主成分とする合金、または、Ｗ若しくはそれを主成分とする合金からなり、前記平面部分の裏面に接合される第１絶縁層を介して、前記第１及び第２半導体素子の表面側及び裏面側のうち裏面側にのみ設けられたヒートシンクと、
   前記第１半導体素子にワイヤにより接続された第２端子と、
   前記第１及び第２半導体素子に第２はんだにより接合された第３端子と、
   前記ヒートシンクの裏面を露出する状態で、前記ヒートシンク、前記第１及び第２半導体素子、並びに、前記第１乃至第３端子を覆う樹脂と
   を備え、
   前記ヒートシンクのうち前記樹脂から側方に突出した部分に、前記半導体装置を固定するための組立穴が設けられている、半導体装置。
8. 請求項７に記載の半導体装置であって、
   前記第１及び第２半導体素子の少なくとも一方がＳｉＣからなる、半導体装置。
9. 請求項７または請求項８に記載の半導体装置であって、
   前記樹脂に、前記半導体装置を固定するための組立穴が設けられている、半導体装置。
10. 請求項７から請求項９のうちのいずれか１項に記載の半導体装置であって、
    前記ヒートシンクは前記樹脂表面から突出している、半導体装置。
11. 請求項７から請求項１０のうちのいずれか１項に記載の半導体装置であって、
    前記樹脂から露出して、前記ヒートシンクと一体化されたフィン部をさらに備える、半導体装置。
12. 請求項７から請求項１１のうちのいずれか１項に記載の半導体装置であって、
    前記第１端子、前記第２端子及び前記第３端子はＡｌまたはＣｕから構成されている、半導体装置。
13. 請求項１から請求項１２のうちのいずれか１項に記載の半導体装置であって、
    前記第１半導体素子は半導体スイッチング素子であり、
    前記第２半導体素子は、前記半導体スイッチング素子の還流ダイオードである、半導体装置。
14. （ａ）Ｓｉを含む第１及び第２半導体素子を準備する工程と、
    （ｂ）ＡｌＳｉＣ、Ｃｕ−ＣｕＭｏ−Ｃｕの層構造、Ｍｏを主成分とする合金、Ｆｅ若しくはそれを主成分とする合金、または、Ｗ若しくはそれを主成分とする合金からなり、前記第１及び第２半導体素子の表面側及び裏面側のうち裏面側にのみ第１はんだを介してヒートシンクが設けられる工程と、
    （ｃ）前記第１及び第２半導体素子に第２はんだにより第１端子が接合される工程と、
    （ｄ）前記第１半導体素子に第２端子がワイヤにより接続される工程と、
    （ｅ）前記ヒートシンクの裏面に第１絶縁層を介して銅板が接合される工程と、
    （ｆ）前記ヒートシンクの裏面を露出する状態で、前記ヒートシンク、前記第１及び第２半導体素子、前記第１及び第２端子、並びに、前記銅板を樹脂により覆う工程と、
    （ｇ）前記第１はんだと接続されたＣｕ、Ａｌ、ＡｇまたはＡｕからなる導電膜を、前記ヒートシンクの側面以外の面に、スパッタリング、蒸着またはめっきにより形成される工程と
    を備える、半導体装置の製造方法。
15. （ａ）平面部分を有する第１端子の前記平面部分の表面にＳｉを含む第１及び第２半導体素子が第１はんだにより接合される工程と、
    （ｂ）ＡｌＳｉＣ、Ｃｕ−ＣｕＭｏ−Ｃｕの層構造、Ｍｏを主成分とする合金、Ｆｅ若しくはそれを主成分とする合金、または、Ｗ若しくはそれを主成分とする合金からなり、前記平面部分の裏面に接合される第１絶縁層を介して、前記第１及び第２半導体素子の表面側及び裏面側のうち裏面側にのみヒートシンクが設けられる工程と、
    （ｃ）前記第１半導体素子に第２端子がワイヤにより接続される工程と、
    （ｄ）前記第１及び第２半導体素子に第３端子が第２はんだにより接合される工程と、
    （ｅ）前記ヒートシンクの裏面を露出する状態で、前記ヒートシンク、前記第１及び第２半導体素子、並びに、前記第１乃至第３端子を樹脂により覆う工程と
    を備え、
    前記ヒートシンクのうち前記樹脂から側方に突出した部分に、前記半導体装置を固定するための組立穴が設けられている、半導体装置の製造方法。

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