JP5083294B2 - 電力用半導体装置 - Google Patents
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Description
図1は実施の形態1に係る電力用半導体装置を示す上面図であり、図2−4は実施の形態1に係る電力用半導体装置を示す側面図である。この電力用半導体装置は6in1のトランスファーモールド型のIGBTモジュールである。また、モールド樹脂10からなるパッケージの両側面に電力用リード端子12と制御用リード端子14を配置したDIP(Dual In-line Package)である。
まず、予めダイシングされたIC36を導電性接着剤38で第3のダイパッド20に固着する。次に、還元雰囲気中にて保護ダイオード28a,28bをPbフリーはんだ30で第1のダイパッド16a,16bにダイボンドし、IGBT32a,32bをPbフリーはんだ34で第2のダイパッド18a,18bにダイボンドする。
実施の形態2に係る電力用半導体装置について実施の形態1と異なる点を説明する。図8は、実施の形態2に係る電力用半導体装置の内部を示す拡大上面図である。
実施の形態3に係る電力用半導体装置について実施の形態1と異なる点を説明する。図10は実施の形態3に係る電力用半導体装置の内部を示す拡大上面図である。図11は図10のA−A´に沿った断面図である。
実施の形態4に係る電力用半導体装置について実施の形態1と異なる点を説明する。図12は実施の形態4に係る電力用半導体装置の内部を示す拡大上面図である。
実施の形態5に係る電力用半導体装置について実施の形態4と異なる点を説明する。図15は実施の形態5に係る電力用半導体装置の内部を示す拡大上面図である。
16a,16b 第1のダイパッド
18a,18b 第2のダイパッド
22 中継リード
22a 第1の部分
22b 第2の部分
24a,24b 接続部
28a,28b 保護ダイオード(第1の電力用半導体素子)
32a,32b IGBT(第2の電力用半導体素子)
36 IC(制御用半導体素子)
40a Al配線(第1の金属配線)
40b Al配線(第2の金属配線)
44 絶縁膜
46 Alヒートシンク(ヒートシンク)
48a 金属板(第1の金属配線)
52a,52b 貫通口
Claims (12)
- 第1のダイパッドと、
前記第1のダイパッドと一体的に形成された第2のダイパッドと、
前記第1のダイパッド上に接合された第1の電力用半導体素子と、
前記第2のダイパッド上に接合された第2の電力用半導体素子と、
放熱性を有する絶縁膜を介して前記第2のダイパッドの裏面に接着されたヒートシンクと、
前記第1のダイパッド、前記第2のダイパッド、前記第1の電力用半導体素子、前記第2の電力用半導体素子、前記絶縁膜、及び前記ヒートシンクの一部を封止する樹脂とを備え、
前記第1の電力用半導体素子の動作温度の上限は、前記第2の電力用半導体素子の動作温度の上限より高く、
前記ヒートシンクは、前記第1のダイパッドには接着されていないことを特徴とする電力用半導体装置。 - 前記第1の電力用半導体素子は化合物半導体素子であり、
前記第2の電力用半導体素子はSi素子であることを特徴とする請求項1に記載の電力用半導体装置。 - 前記第1の電力用半導体素子はSiC素子であることを特徴とする請求項2に記載の電力用半導体装置。
- 第1の部分と第2の部分を有する中継リードと、
前記第1の電力用半導体素子と前記中継リードの前記第1の部分の表面を電気的に接続する第1の金属配線と、
前記第2の電力用半導体素子と前記中継リードの前記第2の部分の表面を電気的に接続する第2の金属配線とを更に備え、
前記中継リードの前記第2の部分の裏面に前記絶縁膜を介して前記ヒートシンクが接着されていることを特徴とする請求項1−3の何れか1項に記載の電力用半導体装置。 - 前記第1のダイパッドと前記第2のダイパッドを接続し、前記第1のダイパッド及び前記第2のダイパッドと一体的に形成された接続部を更に備え、
前記接続部の幅は、前記第1のダイパッドの幅及び前記第2のダイパッドの幅よりも狭いことを特徴とする請求項1−4の何れか1項に記載の電力用半導体装置。 - 前記接続部の裏面に前記絶縁膜を介して前記ヒートシンクが接着されていることを特徴とする請求項5に記載の電力用半導体装置。
- 前記第1の電力用半導体素子は、前記第1のダイパッド上において前記接続部から離れた側に載置され、
前記第2の電力用半導体素子は、前記第2のダイパッド上において前記接続部から離れた側に載置されていることを特徴とする請求項5又は6に記載の電力用半導体装置。 - 前記第1の金属配線の断面積は、前記第2の金属配線の断面積よりも大きいことを特徴とする請求項4に記載の電力用半導体装置。
- 前記第1の金属配線と第2の金属配線は、それぞれ複数の細線を有し、
前記第1の金属配線が有する細線の本数は、前記第2の金属配線が有する細線の本数よりも多いことを特徴とする請求項8に記載の電力用半導体装置。 - 前記第1の金属配線は板状であることを特徴とする請求項8に記載の電力用半導体装置。
- 前記第1のダイパッドと前記第2のダイパッドを接続し、前記第1のダイパッド及び前記第2のダイパッドと一体的に形成された接続部を更に備え、
前記接続部において、前記第1のダイパッドの幅及び前記第2のダイパッドの幅よりも狭い幅を持つ貫通口が設けられていることを特徴とする請求項1−4の何れか1項に記載の電力用半導体装置。 - 前記第2の電力用半導体素子に対して前記第1の電力用半導体素子から遠い側に配置され、前記第1の電力用半導体素子又は前記第2の電力用半導体素子を制御する制御用半導体素子を更に備えることを特徴とする請求項1−11の何れか1項に記載の電力用半導体装置。
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